JP2013201118A - ターゲット物質精製装置、および、ターゲット供給装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ターゲット物質を安定して供給するターゲット物質精製装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット物質精製装置は、ターゲット物質を収容するための精製用タンクと、前記精製用タンク内を加熱するための加熱部と、前記ターゲット物質中に存在する酸素原子を除去するための酸素原子除去部とを備えてもよい。
【選択図】図５

Description

本開示は、ターゲット物質精製装置、および、ターゲット供給装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。

米国特許第７４０５４１６号明細書

概要

本開示の一態様によるターゲット物質精製装置は、ターゲット物質を収容するための精製用タンクと、前記精製用タンク内を加熱するための加熱部と、前記ターゲット物質中に存在する酸素原子を除去するための酸素原子除去部とを備えてもよい。

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、上述のターゲット物質精製装置と、貫通孔を備えたノズルであって、当該貫通孔と前記ターゲット物質精製装置の前記精製用タンク内とが連通するように設置されたノズルとを備えてもよい。

本開示の他の態様によるターゲット供給装置は、上述のターゲット物質精製装置と、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのターゲット生成器と、前記ターゲット生成器内の前記ターゲット物質を加熱して溶融するための生成器用加熱部と、前記ターゲット物質精製装置の前記精製用タンク内の前記ターゲット物質を前記ターゲット生成器に移送するための移送部と、前記ターゲット生成器内の前記ターゲット物質の温度を、前記精製用タンク内の前記ターゲット物質の温度よりも高くするためのターゲット供給用制御部とを備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図２は、ピエゾ素子を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図３は、ピエゾ素子および温度制御部を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図４は、スズに対する酸素原子の溶解度を示すグラフである。 図５は、第１実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。 図６は、第２実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。 図７は、第３実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。 図８は、第４実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。 図９は、第５実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。 図１０Ａは、第６実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示し、ゲッタリング物質が酸素原子と結合していない状態を示す。 図１０Ｂは、第６実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示し、ゲッタリング物質が酸素原子と結合した状態を示す。 図１１は、第７実施形態に係るターゲット物質精製装置を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図１２は、ターゲット制御装置に係るＥＵＶ光の生成処理を示すフローチャートである。 図１３Ａは、低酸素化サブルーチンを示すフローチャートである。 図１３Ｂは、低酸素化サブルーチンを示すフローチャートである。 図１４は、ターゲット物質出力サブルーチンを示すフローチャートである。 図１５Ａは、低酸素化開始判定サブルーチンを示すフローチャートである。 図１５Ｂは、低酸素化開始判定サブルーチンを示すフローチャートである。 図１５Ｃは、低酸素化開始判定サブルーチンを示すフローチャートである。 図１６は、第８実施形態に係るターゲット物質精製装置を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図１７は、ターゲット制御装置に係るＥＵＶ光の生成処理を示すフローチャートである。 図１８Ａは、ターゲット原料精製サブルーチンを示すフローチャートである。 図１８Ｂは、ターゲット原料精製サブルーチンを示すフローチャートである。 図１８Ｃは、ターゲット原料精製サブルーチンを示すフローチャートである。 図１９Ａは、ターゲット原料精製開始判定サブルーチンを示すフローチャートである。 図１９Ｂは、ターゲット原料精製開始判定サブルーチンを示すフローチャートである。 図１９Ｃは、ターゲット原料精製開始判定サブルーチンを示すフローチャートである。

実施形態

内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ピエゾ素子を備えるＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ピエゾ素子および温度制御部を備えるＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
５．ターゲット物質精製装置
５．１ 用語の説明
５．２ 第１実施形態
５．２．１ 概略
５．２．２ スズに対する酸素原子の溶解度
５．２．３ 構成
５．２．４ 動作
５．３ 第２実施形態
５．３．１ 概略
５．３．２ 構成
５．３．３ 動作
５．４ 第３実施形態
５．４．１ 概略
５．４．２ 構成
５．４．３ 動作
５．５ 第４実施形態
５．５．１ 概略
５．５．２ 構成
５．５．３ 動作
５．６ 第５実施形態
５．６．１ 概略
５．６．２ 構成
５．６．３ 動作
５．７ 第６実施形態
５．７．１ 概略
５．７．２ 構成
５．７．３ 動作
６．ターゲット物質精製装置を備えるＥＵＶ光生成装置
６．１ 第７実施形態
６．１．１ 概略
６．１．２ 構成
６．１．３ 動作
６．２ 第８実施形態
６．２．１ 概略
６．２．２ 構成
６．２．３ 動作

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット物質精製装置は、精製用タンクと、加熱部と、酸素原子除去部とを備えてもよい。精製用タンクは、密閉空間にターゲット物質を収容してもよい。加熱部は、密閉空間内のターゲット物質を加熱して溶融してもよい。酸素原子除去部は、ターゲット物質中に存在する酸素原子を除去してもよい。

ここで、ターゲット物質中には、酸素原子が溶解し得る。ターゲット物質中の酸素原子の溶解度は、ターゲット物質の温度が低くなるほど小さくなり得る。このため、以下のような現象が生じうる。すなわち、所定温度（第１溶融温度という場合がある）まで加熱されて溶融しているターゲット物質には、当該第１溶融温度に対応する量（第１溶解量という場合がある）の酸素原子が溶解し得る。このターゲット物質の温度が下がると、ターゲット物質は、第１溶解量の酸素原子を含んだまま固化し得る。この後、ＥＵＶ光の生成に用いるために、ターゲット物質を第１溶融温度よりも低い第２溶融温度で溶融すると、当該溶融したターゲット物質には、第２溶融温度に対応する量（第２溶解量という場合がある）の酸素原子が溶解し得る。上述のように、ターゲット物質の温度が低いほど酸素原子の溶解度が小さくなるため、第２溶解量は第１溶解量よりも少なくなり得る。したがって、第２溶融温度で溶融しているターゲット物質には、第１溶解量から第２溶解量を減じた量の酸素原子が溶解できないこととなり得る。その結果、この溶解できない酸素原子がターゲット物質と結合して、ターゲット物質の酸化物が析出し得る。この析出した酸化物は、ノズルのノズル孔で詰まり得る。また、析出した酸化物がノズル孔に集積すると、ターゲット物質の出力方向が変化し得る。

本開示の実施形態のターゲット物質精製装置では、ターゲット物質中に存在する酸素原子を低減し得る。したがって、このターゲット物質をＥＵＶ光の生成に用いる場合、ターゲット物質の酸化物の析出を抑制することが可能となり、酸化物がノズル孔に詰まる可能性が低減し得る。さらには、酸化物がノズル孔に集積する可能性が低減し、ターゲット物質の出力方向の変化を抑制し得る。

２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。あるいは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）中間焦点２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶを含む光２５１（以下、「ＥＵＶ光を含む光」を「ＥＵＶ光」と表現する場合がある）が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。

３．ピエゾ素子を備えるＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
図２は、ピエゾ素子を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。

ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ａとを備えてもよい。
ターゲット生成部７０Ａは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、ピエゾ駆動部７４Ａとを備えてもよい。ターゲット生成器７１は、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１を備えてもよい。タンク７１１は、筒状であってもよい。タンク７１１には、当該タンク７１１内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１２が設けられていてもよい。ノズル７１２の先端部には、ノズル孔が設けられていてもよい。ターゲット生成器７１は、タンク７１１がチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２がチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。圧力調整器７２は、タンク７１１に連結されてもよい。また、圧力調整器７２は、ターゲット制御装置８０Ａに電気的に接続されてもよい。

ピエゾ駆動部７４Ａは、ピエゾ素子７４１Ａと、ピエゾ素子電源７４２Ａとを備えてもよい。ピエゾ素子７４１Ａは、チャンバ２内において、ノズル７１２周辺の例えば外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７４１Ａの代わりに、高速でノズル７１２に機械的力を加えることが可能な機構が設けられてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ａは、チャンバ２の壁部に設けられた図示しない導入端子を介して、ピエゾ素子７４１Ａに接続されてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ａは、ターゲット制御装置８０Ａに接続されてもよい。

チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるターゲット物質２７０の出力方向（ノズル７１２の軸方向（設定出力方向１０Ａと称する））は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。予め設定されるターゲット物質２７０の出力方向はノズル７１２の軸方向と同一であってもよく、以下、設定出力方向１０Ａと称する場合がある。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ターゲット物質２７０が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態および後述する第２〜第５実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置される場合について説明する。

３．２ 動作
ＥＵＶ光生成時には、ターゲット制御装置８０Ａは、圧力調整器７２に信号を送信して、タンク７１１内の圧力を所定の圧力に調節してもよい。この所定の圧力とは、ノズル孔にターゲット物質２７０によるメニスカス面が形成される程度の圧力でよく、この状態ではドロップレット２７は出力されなくともよい。

その後、ターゲット制御装置８０Ａは、例えば、オンデマンド方式でドロップレット２７を生成するためのドロップレット生成信号１２Ａをピエゾ素子電源７４２Ａに送信してもよい。ドロップレット生成信号１２Ａを受信したピエゾ素子電源７４２Ａは、ピエゾ素子７４１Ａに対して所定のパルス状の電力を供給してもよい。
電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ａは、電力の供給タイミングに合わせて変形し得る。これにより、ノズル７１２周辺が高速で押圧され、ドロップレット２７が出力され得る。タンク７１１内が所定の圧力に維持されていれば、電力供給のタイミングに合わせてドロップレット２７が出力され得る。

あるいは、ターゲット制御装置８０Ａは、コンティニュアスジェット方式でジェットを生成するよう、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。このときのタンク７１１内の圧力は上述の所定の圧力よりも高い圧力であってもよく、ターゲット物質はノズル７１２を介してジェット状で出力してもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ドロップレットを生成するための振動信号をピエゾ素子電源７４２Ａに送信してもよい。振動信号を受信したピエゾ素子電源７４２Ａは、ピエゾ素子７４１Ａに対して当該ピエゾ素子７４１Ａを振動させるための電力を供給してもよい。
電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ａは、ノズル７１２を高速で振動させ得る。これにより、ジェットは、一定周期で分断され、ドロップレットとして出力され得る。そして、このように出力されたドロップレットにパルスレーザ光が照射されることで、ＥＵＶ光が生成されてもよい。

４．ピエゾ素子および温度制御部を備えるＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
図３は、ピエゾ素子および温度制御部を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。

ＥＵＶ光生成装置１Ｂのターゲット供給装置７Ｂは、図３に示すように、ターゲット生成部７０Ｂと、ターゲット制御装置８０Ｂとを備えてもよい。
ターゲット生成部７０Ｂは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、ピエゾ駆動部７４Ａと、温度調節部７５Ｂとを備えてもよい。
圧力調整器７２には、不活性ガスボンベ７２１が接続されてもよい。圧力調整器７２は、不活性ガスボンベ７２１から供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。

温度調節部７５Ｂは、タンク７１１内のターゲット物質２７０の温度を調節するよう構成されてもよい。温度調節部７５Ｂは、第１ヒータ７５１Ｂと、第１ヒータ電源７５２Ｂと、第１温度センサ７５３Ｂと、第１温度コントローラ７５４Ｂと、第２ヒータ７５５Ｂと、第２ヒータ電源７５６Ｂと、第２温度センサ７５７Ｂと、第２温度コントローラ７５８Ｂとを備えてもよい。第１ヒータ７５１Ｂと、第２ヒータ７５５Ｂはノズル７１２およびタンク７１１の周囲を囲む輪状に配置されていてもよい。

第１ヒータ７５１Ｂは、ノズル７１２の上端側および下端側のそれぞれの外周面に設けられてもよい。第１ヒータ電源７５２Ｂは、第１ヒータ７５１Ｂと第１温度コントローラ７５４Ｂとに電気的に接続されていてもよい。第１ヒータ電源７５２Ｂは、第１温度コントローラ７５４Ｂからの信号に基づいて、第１ヒータ７５１Ｂに電力を供給して第１ヒータ７５１Ｂを発熱させてもよい。それにより、ノズル７１２内のターゲット物質２７０が加熱され得る。

第１温度センサ７５３Ｂは、ノズル７１２の外周面に設けられてもよい。第１温度センサ７５３Ｂには、第１温度コントローラ７５４Ｂが電気的に接続されていてもよい。第１温度センサ７５３Ｂは、ノズル７１２の温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第１温度コントローラ７５４Ｂに送信するよう構成されてもよい。第１温度コントローラ７５４Ｂは、第１温度センサ７５３Ｂからの信号に基づいて、ノズル７１２内のターゲット物質２７０の温度を判定し、ノズル７１２内のターゲット物質２７０の温度を所定温度に調節するための信号を第１ヒータ電源７５２Ｂに出力するよう構成されてもよい。

第２ヒータ７５５Ｂは、タンク７１１の外周面に設けられてもよい。第２ヒータ電源７５６Ｂは、第２ヒータ７５５Ｂと第２温度コントローラ７５８Ｂとに電気的に接続され、第２温度コントローラ７５８Ｂからの信号に基づいて、第２ヒータ７５５Ｂに電力を供給してもよい。
第２温度センサ７５７Ｂは、タンク７１１の外周面に設けられ、第２温度コントローラ７５８Ｂに電気的に接続されていてもよい。第２温度センサ７５７Ｂは、タンク７１１の温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第２温度コントローラ７５８Ｂに送信するよう構成されてもよい。第２温度コントローラ７５８Ｂは、第２温度センサ７５７Ｂからの信号に基づいて、タンク７１１内のターゲット物質２７０の温度を所定温度に調節するための信号を第２ヒータ電源７５６Ｂに出力するよう構成されてもよい。

４．２ 動作
チャンバ２内の圧力がＥＵＶ光を生成可能な圧力に調整された状態において、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１，第２温度コントローラ７５４Ｂ，７５８Ｂに信号を送信するよう構成されてもよい。この信号が入力されると、第１，第２温度コントローラ７５４Ｂ，７５８Ｂは、第１，第２温度センサ７５３Ｂ，７５７Ｂからの信号に基づいて、第１，第２ヒータ電源７５２Ｂ，７５６Ｂに供給される電力の制御を開始してもよい。このとき、第１，第２温度コントローラ７５４Ｂ，７５８Ｂは、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の温度が融点以上となるように、第１，第２ヒータ電源７５２Ｂ，７５６Ｂを制御してもよい。ターゲット物質２７０の融点以上の温度は、ターゲット物質２７０がスズの場合には２３２℃以上、ガドリニウムの場合には１３１２℃以上、テルビウムの場合には１３５６℃以上であってもよい。
なお、ターゲット制御装置８０Ｂは、ノズル孔付近でのターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制するために、ノズル７１２の温度がタンク７１１の温度よりも高くなるように第１，第２温度コントローラ７５４Ｂ，７５８Ｂを制御してもよい。
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、圧力調整器７２、ピエゾ駆動部７４Ａなどを制御することで、ターゲット生成器７１からドロップレットを出力させてもよい。このドロップレットにレーザ光が照射されることでＥＵＶ光が生成されてもよい。

５．ターゲット物質精製装置
５．１ 用語の説明
以下、ノズルの先端に近い側の方の温度を遠い方の温度よりも高くすることを、「軸方向に温度勾配を与える」と説明し得る。
精製用タンクの密閉空間のうちターゲット物質の上方部分を、「気体空間」と説明し得る。

５．２ 第１実施形態
５．２．１ 概略
本開示の第１実施形態によれば、ターゲット物質精製装置は、精製用タンクと、加熱部と、還元部と、排気部とを備えてもよい。還元部は、ターゲット物質中に存在する酸素原子を還元してもよい。排気部は、密閉空間を排気してもよい。
以上のような構成により、ターゲット物質精製装置は、ターゲット物質中に存在する酸素原子を還元することで水蒸気を生成し、当該水蒸気を密閉空間から排気し得る。その結果、ターゲット物質に含まれる酸素原子が低減され得る。したがって、このターゲット物質をＥＵＶ光の生成に用いる場合、ターゲット物質の酸化物の析出を抑制することが可能となり得る。

５．２．２ スズに対する酸素原子の溶解度
図４は、スズに対する酸素原子の溶解度を示すグラフである。
ターゲット物質２７０中には、酸素原子が溶解し得る。ターゲット物質２７０がスズの場合には、スズに対する酸素原子の溶解度は、図４に示すように、スズの温度が低くなるほど小さくなり得る。このため、第１溶融温度まで加熱した後に固化したスズを、第１溶融温度よりも低い第２溶融温度で再度溶融した場合には、第１溶解量（第１溶融温度のスズに溶解可能な酸素原子の量）から第２溶解量（第２溶融温度のスズに溶解可能な酸素原子の量）を減じた量の酸素原子がスズに溶解できないこととなる。その結果、この溶解できない酸素原子がスズと結合して酸化スズとして析出し得る。

例えば、液体スズ中の酸素原子の溶解度をＳ（原子％）、液体スズの温度をＴ（Ｋ）とすると、以下の式（１）を満たし得る。
Ｓ＝Ａ×ｅｘｐ（Ｂ／Ｔ） …（１）
ここで、Ａ＝１．０３×１０^５、Ｂ＝−１．４８×１０^４である。

例えば、スズに含まれる酸素原子の濃度が１×１０^−４（原子％）の場合、スズの温度が３５０℃に制御されているとすると、溶解度は、５×１０^−６（原子％）となり得る。
このため、析出するスズの酸化物の量は、９５×１０^−６（原子％）（１×１０^−４−５×１０^−６）に対応する量となり得る。
つまり、以下の式（２）を満たすように、液体スズの温度Ｔを制御することによって、スズの酸化物の析出を抑制し得る。
Ｔ（Ｋ）≧Ｂ／｛ｌｎ（Ｓ／Ａ）｝ …（２）
ここで、Ａ＝１．０３×１０^５、Ｂ＝−１．４８×１０^４である。

式（２）から、例えば、スズ中に存在する酸素原子の割合が４×１０^−７（原子％）まで低減できた場合を仮定すると、温度を２９０℃（５６３．１Ｋ）以上に維持することで、スズの酸化物の析出を抑制し得る。

５．２．３ 構成
図５は、第１実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。
ターゲット物質精製装置９Ｃは、図５に示すように、精製用タンク９１Ｃと、加熱部９２Ｃと、酸素原子除去部９３Ｃと、制御部９４Ｃとを備えてもよい。
精製用タンク９１Ｃは、タンク本体９１１Ｃと、蓋９１２Ｃとを備えてもよい。タンク本体９１１Ｃは、下面が閉じられた筒状であってもよい。蓋９１２Ｃは、タンク本体９１１Ｃの上面を塞ぐことが可能な略板状であってもよい。タンク本体９１１Ｃと蓋９１２Ｃとが形成する密閉空間９１９Ｃには、ターゲット物質２７０が収容されてもよい。タンク本体９１１Ｃと蓋９１２Ｃとの接触部分には、密閉空間９１９Ｃの密閉性を高めるために、図示しないＯリングなどの密閉部材が設けられてもよい。
タンク本体９１１Ｃおよび蓋９１２Ｃは、ターゲット物質２７０と反応して合金が生成されにくい材料により形成されてもよい。例えば、ターゲット物質２７０がスズの場合、タンク本体９１１Ｃおよび蓋９１２Ｃは、モリブデンや、グラファイト、タングステン、あるいはＰＢＮ（気相成長法（ＣＶＤ法）によって生成された窒化ホウ素）で形成されてもよい。なお、タンク本体９１１Ｃおよび蓋９１２Ｃがターゲット物質２７０との反応性が高い材料により形成されている場合には、タンク本体９１１Ｃの内面および蓋９１２Ｃの下面が、モリブデンや、グラファイト、タングステン、あるいはＰＢＮでコーティングされているものを用いてもよい。

加熱部９２Ｃは、ヒータ９２１Ｃと、ヒータ電源９２２Ｃと、温度センサ９２３Ｃと、温度コントローラ９２４Ｃとを備えてもよい。
ヒータ９２１Ｃは、タンク本体９１１Ｃの外周面および下面に設けられてもよい。ヒータ電源９２２Ｃは、ヒータ９２１Ｃと温度コントローラ９２４Ｃとに電気的に接続されていてもよい。ヒータ電源９２２Ｃは、温度コントローラ９２４Ｃからの信号に基づいて、ヒータ９２１Ｃに電力を供給してヒータ９２１Ｃを発熱させてもよい。
温度センサ９２３Ｃは、タンク本体９１１Ｃ内のターゲット物質２７０に接するよう配置されてもよい。温度センサ９２３Ｃは、蓋９１２Ｃに設けられたフィードスルー９２５Ｃを介して、温度コントローラ９２４Ｃに電気的に接続されてもよい。温度センサ９２３Ｃは、タンク本体９１１Ｃ内のターゲット物質２７０の温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を温度コントローラ９２４Ｃに送信してもよい。
温度コントローラ９２４Ｃは、制御部９４Ｃに電気的に接続されてもよい。温度コントローラ９２４Ｃは、温度センサ９２３Ｃからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を判定し、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に調節するための信号を、ヒータ電源９２２Ｃに出力するよう構成されてもよい。

酸素原子除去部９３Ｃは、還元部９５Ｃと、排気部としてのポンプ９６Ｃとを備えてもよい。
還元部９５Ｃは、水素ガスボンベ９５１Ｃと、第１マスフローコントローラ９５２Ｃと、アルゴンガスボンベ９５３Ｃと、第２マスフローコントローラ９５４Ｃと、純化装置９５５Ｃと、バブリング機構９５６Ｃとを備えてもよい。
第１マスフローコントローラ９５２Ｃには、水素ガスボンベ９５１Ｃと純化装置９５５Ｃとが接続されてもよい。また、第１マスフローコントローラ９５２Ｃは、制御部９４Ｃに電気的に接続されてもよい。第１マスフローコントローラ９５２Ｃは、水素ガスボンベ９５１Ｃから供給される水素ガスの流量を制御して、当該水素ガスを純化装置９５５Ｃに供給してもよい。第２マスフローコントローラ９５４Ｃには、アルゴンガスボンベ９５３Ｃと純化装置９５５Ｃとが接続されてもよい。第２マスフローコントローラ９５４Ｃは、制御部９４Ｃに電気的に接続されてもよい。第２マスフローコントローラ９５４Ｃは、アルゴンガスボンベ９５３Ｃから供給されるアルゴンガスの流量を制御して、当該アルゴンガスを純化装置９５５Ｃに供給してもよい。

純化装置９５５Ｃには、バブリング機構９５６Ｃが接続されてもよい。また、純化装置９５５Ｃは、制御部９４Ｃに電気的に接続されてもよい。純化装置９５５Ｃは、供給されたガス中の水および酸素の濃度を低減するラインピュリファイヤであってもよい。例えば、純化装置９５５Ｃは、マグネシウムを保持したフィルタを加熱して、当該フィルタとガスとを接触させることで、接触したガスから酸素を除去できるように構成されてもよい。
純化装置９５５Ｃには、水素ガスとアルゴンガスとが混合した還元ガスが供給され得る。純化装置９５５Ｃは、この還元ガス中の水および酸素の濃度を低減して、バブリング機構９５６Ｃへ供給してもよい。

バブリング機構９５６Ｃは、管状に形成されてもよい。バブリング機構９５６Ｃは、一端が純化装置９５５Ｃに接続され、他端がタンク本体９１１Ｃを貫通し、タンク本体９１１Ｃの下端側に位置するように形成されてもよい。バブリング機構９５６Ｃは、水および酸素含有量を低減された還元ガスを溶融したターゲット物質２７０内に導入して、バブル９０Ｃを生成してもよい。バブル９０Ｃが生成されると、ターゲット物質２７０中に水素原子が溶解し得る。この溶解した水素原子によってターゲット物質２７０中の酸素原子が還元され、水蒸気が生成され得る。そして、この水蒸気は、密閉空間９１９Ｃにおける気体空間９１８Ｃに排出され得る。

ポンプ９６Ｃは、配管９６１Ｃに接続されてもよい。この配管９６１Ｃは、気体空間９１８Ｃ内の気体をポンプ９６Ｃに導くことができるように、タンク本体９１１Ｃ内部に連通していてもよい。また、ポンプ９６Ｃは、制御部９４Ｃに電気的に接続されてもよい。ポンプ９６Ｃは、制御部９４Ｃから送信される信号に基づいて、気体空間９１８Ｃを排気してもよい。気体空間９１８Ｃを排気することにより、ターゲット物質２７０中の酸素原子の還元により生成された水蒸気が、気体空間９１８Ｃの外部に排出され得る。

５．２．４ 動作
ターゲット物質精製装置９Ｃは、以下のような処理を行うことで、ターゲット物質２７０中の酸素原子を減少させてもよい。
ターゲット物質精製装置９Ｃの制御部９４Ｃは、精製用タンク９１Ｃの密閉空間９１９Ｃ内に固体のターゲット物質２７０が収容された状態において、ターゲット物質２７０を所定温度まで加熱するための信号を温度コントローラ９２４Ｃに送信してもよい。
所定温度は、ターゲット物質がスズであり、精製用タンク９１Ｃのスズに接する部分がモリブデンあるいはタングステンで形成されている場合、２３２℃以上３７０℃未満であってもよい。２３２℃未満の場合、ターゲット物質２７０が溶融しないおそれがある。一方で、３７０℃以上の場合には、スズとモリブデンあるいはタングステンの合金が生成し得る。また、精製用タンク９１ＣがグラファイトやＰＢＮで形成されている場合、ターゲット物質２７０の加熱温度は、１０００℃以下であってもよい。グラファイトやＰＢＮは、１０００℃でも化学的に比較的安定であってよい。また、１０００℃はスズの蒸発温度より低いため、スズは、１０００℃に加熱されても蒸発が抑制され得る。

温度コントローラ９２４Ｃは、制御部９４Ｃから信号を受信すると、ヒータ電源９２２Ｃに制御信号を送信して、ヒータ９２１Ｃの発熱を制御してもよい。このとき、温度コントローラ９２４Ｃは、温度センサ９２３Ｃからの信号に基づいて、ヒータ電源９２２Ｃに制御信号を送信してもよい。温度コントローラ９２４Ｃは、温度センサ９２３Ｃからの信号が示す温度が、たとえば一定時間、スズの融点以上の所定温度範囲にある場合、ターゲット物質２７０が所定温度まで加熱されて溶融したと判定してもよい。その場合、温度コントローラ９２４Ｃは、この溶融した状態を維持するとともに、溶融完了信号を制御部９４Ｃへ送信してもよい。

制御部９４Ｃは、溶融完了信号を受信すると、第１，第２マスフローコントローラ９５２Ｃ，９５４Ｃ、純化装置９５５Ｃ、ポンプ９６Ｃに信号を送信して、これらを駆動してもよい。この信号を受信した第１，第２マスフローコントローラ９５２Ｃ，９５４Ｃは、水素ガスおよびアルゴンガスの流量を制御して、還元ガスを生成してもよい。この還元ガス中の水素ガスの濃度は、３％以上５％以下に調整されてもよい。
この還元ガスは、純化装置９５５Ｃで水および酸素の濃度が低減された後、バブリング機構９５６Ｃを介してターゲット物質２７０内に導入され得る。そして、この還元ガスによってターゲット物質２７０中の酸素原子が還元されて、水蒸気が気体空間９１８Ｃに排出され得る。ポンプ９６Ｃは、気体空間９１８Ｃを排気することによって、水蒸気を排出してもよい。以上の処理によって、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。

上述のように、ターゲット物質精製装置９Ｃは、精製用タンク９１Ｃ内のターゲット物質２７０に還元ガスを導入して、ターゲット物質２７０内の酸素原子を還元し、還元により生成した水蒸気を精製用タンク９１Ｃから排出してもよい。
これにより、ターゲット物質２７０に含まれる酸素原子を除去し得るため、ターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制することが可能となり得る。

また、ターゲット物質２７０内に還元ガスを導入するだけの簡単な構成で、ターゲット物質２７０内の酸素原子が減少し得る。
さらに、還元ガスの導入時間や、還元ガス中の水素ガスの濃度を調節することで、酸素原子の除去量や除去速度を調節することが可能となり得る。したがって、ターゲット物質２７０の製造ロットや保管状況によって異なる酸素の含有量に応じて、適切に酸素原子を減少させることが可能となり得る。

なお、バブリング機構９５６Ｃに導入するガスとしては、水素ガスとアルゴンガスとを混合させたものに限らず、アルゴンガスのみであってもよい。アルゴンガス等、酸素を含まない不活性ガスをバブリング機構９５６Ｃに導入することで、不活性ガスとターゲット物質２７０との界面において、ターゲット物質２７０から不活性ガスへの酸素の拡散が起きてもよい。これにより、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少しうる。この場合、アルゴンガスボンベ９５３Ｃは本発明の不活性ガス供給部として機能してもよい。また、還元ガスとして一酸化炭素ガスや、メタンガスを導入してもよい。一酸化炭素ガスを導入した場合には、酸素原子が還元されて、二酸化炭素ガスが生成され得る。一方、メタンガスを導入した場合には、酸素原子が還元されて、水と二酸化炭素ガスが生成され得る。

５．３ 第２実施形態
５．３．１ 概略
本開示の第２実施形態によれば、ターゲット物質精製装置は、精製用タンク内に設置された固体の還元剤により、ターゲット物質内の酸素原子を還元してもよい。そして、この還元により生成されたガスを、精製用タンクから排出してもよい。
以上のような構成により、ターゲット物質に含まれる酸素原子を除去し得る。

５．３．２ 構成
図６は、第２実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。
第２実施形態のターゲット物質精製装置９Ｄと第１実施形態のターゲット物質精製装置９Ｃとの相違点は、図６に示すように、酸素原子除去部９３Ｄおよび制御部９４Ｄの構成であってもよい。
酸素原子除去部９３Ｄは、還元部としてのグラファイト９５Ｄと、ポンプ９６Ｃとを備えてもよい。
グラファイト９５Ｄは、板状に形成されて、精製用タンク９１Ｃ内部における底面に設置されてもよい。
制御部９４Ｄは、温度コントローラ９２４Ｃと、ポンプ９６Ｃとに電気的に接続されてもよい。

５．３．３ 動作
ターゲット物質精製装置９Ｄは、以下のような処理を行うことで、ターゲット物質２７０中の酸素原子を減少させてもよい。
ターゲット物質精製装置９Ｄの制御部９４Ｄは、グラファイト９５Ｄが設置された密閉空間９１９Ｃ内に固体のターゲット物質２７０が収容された状態において、ターゲット物質２７０を所定温度まで加熱するために温度コントローラ９２４Ｃを制御してもよい。そして、制御部９４Ｄは、ターゲット物質２７０が溶融した旨の溶融完了信号を温度コントローラ９２４Ｃから受信すると、ポンプ９６Ｃを駆動してもよい。
ターゲット物質２７０が溶融すると、ターゲット物質２７０中の酸素原子がグラファイト９５Ｄにより還元され、一酸化炭素ガスのバブル９０Ｄが生成され得る。この一酸化炭素ガスは、気体空間９１８Ｃに排出され得る。ポンプ９６Ｃは、気体空間９１８Ｃを排気することによって、一酸化炭素ガスを排出してもよい。以上の処理によって、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。

上述のように、ターゲット物質精製装置９Ｄは、精製用タンク９１Ｃ内に設置されたグラファイト９５Ｄによってターゲット物質２７０内の酸素原子を還元し、この還元により生成した一酸化炭素ガスを精製用タンク９１Ｃから排出してもよい。これにより、ターゲット物質２７０に含まれる酸素原子を除去し得る。

また、ターゲット物質２７０内にグラファイト９５Ｄを設置するだけの簡単な構成で、ターゲット物質２７０内の酸素原子が減少し得る。

なお、グラファイト９５Ｄは、塊や粒状あるいは粉状であってもよい。さらに、グラファイト９５Ｄは、精製用タンク９１Ｃの側面に設置されてもよい。
また、グラファイト以外の固体の還元剤が使用されてもよく、例えばアルミニウムやシリコンが精製用タンク９１Ｃ内に設置されてもよい。

５．４ 第３実施形態
５．４．１ 概略
本開示の第３実施形態によれば、ターゲット物質精製装置は、精製用タンクと、加熱部と、酸素分圧調節部と、排気部とを備えてもよい。酸素分圧調節部は、密閉空間の酸素分圧をターゲット物質の酸素分圧よりも低くしてもよい。排気部は、密閉空間を排気してもよい。
以上のような構成により、酸素分圧の差によってターゲット物質中の酸素原子を低減して、当該酸素原子を密閉空間から排気し得る。その結果、ターゲット物質に含まれる酸素原子が減少し、酸化物の析出を抑制し得る。

５．４．２ 構成
図７は、第３実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。
第３実施形態のターゲット物質精製装置９Ｅと第１実施形態のターゲット物質精製装置９Ｃとの相違点は、図７に示すように、酸素原子除去部９３Ｅおよび制御部９４Ｅの構成であってもよい。
酸素原子除去部９３Ｅは、酸素分圧調節部としての無酸素ガス供給部９５Ｅと、ポンプ９６Ｃとを備えてもよい。
無酸素ガス供給部９５Ｅは、水素ガスボンベ９５１Ｃと、第１，第２マスフローコントローラ９５２Ｃ，９５４Ｃと、アルゴンガスボンベ９５３Ｃと、純化装置９５５Ｃとを備えてもよい。すなわち、無酸素ガス供給部９５Ｅは、還元部９５Ｃのバブリング機構９５６Ｃ以外の構成を備えてもよい。
純化装置９５５Ｃには、配管９５６Ｅの一端が接続されてもよい。この配管９５６Ｅは、他端が気体空間９１８Ｃ内に位置するように、タンク本体９１１Ｃ内に連通してもよい。配管９５６Ｅは、水および酸素を低減した還元ガス、すなわち無酸素ガスを気体空間９１８Ｃ内に導入してもよい。無酸素ガスが気体空間９１８Ｃ内に導入されると、気体空間９１８Ｃの酸素分圧がターゲット物質２７０の酸素分圧よりも低くなり、ターゲット物質２７０中の酸素原子が気体空間９１８Ｃ中に拡散し得る。

５．４．３ 動作
ターゲット物質精製装置９Ｅは、以下のような処理を行うことで、ターゲット物質２７０中の酸素原子を減少させてもよい。
ターゲット物質精製装置９Ｅの制御部９４Ｅは、密閉空間９１９Ｃ内に固体のターゲット物質２７０が収容された状態において、ターゲット物質２７０を所定温度まで加熱するために温度コントローラ９２４Ｃを制御してもよい。
このとき、ターゲット物質２７０の温度が高いほど、当該ターゲット物質２７０の液面において酸素の蒸気圧が高くなり得る。このため、酸素原子の低減量を増やしたい場合には、加熱温度をなるべく高くしてもよい。例えば、無酸素ガスとしてアルゴンガスのみを気体空間９１８Ｃに導入する場合には、加熱温度を１０００℃に設定してもよい。
また、無酸素ガスとして水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを導入する場合には、水素ガスの還元効果を利用できるため、３００℃以上３７０℃以下であっても、ターゲット物質２７０中の酸素濃度が低減しうる。本実施形態では、水素ガスの濃度が３％以上５％以下の無酸素ガスを導入してもよい。

そして、制御部９４Ｅは、ターゲット物質２７０が溶融した旨の溶融完了信号を温度コントローラ９２４Ｃから受信すると、無酸素ガス供給部９５Ｅの第１，第２マスフローコントローラ９５２Ｃ，９５４Ｃ、純化装置９５５Ｃ、ポンプ９６Ｃを駆動してもよい。この信号を受信した第１，第２マスフローコントローラ９５２Ｃ，９５４Ｃ、ポンプ９６Ｃは、水および酸素の濃度が低減された無酸素ガスを生成して、気体空間９１８Ｃ内に導入してもよい。
気体空間９１８Ｃに無酸素ガスが導入されると、気体空間９１８Ｃの酸素分圧がターゲット物質２７０の酸素分圧よりも低くなり得る。そして、ターゲット物質２７０中の酸素原子は、気体空間９１８Ｃ内に放出され、ポンプ９６Ｃによって気体空間９１８Ｃを介して排出され得る。以上の処理によって、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。

上述のように、ターゲット物質精製装置９Ｅは、気体空間９１８Ｃ内に無酸素ガスを導入して、気体空間９１８Ｃの酸素分圧をターゲット物質２７０の酸素分圧よりも低くしてもよい。
これにより、ターゲット物質２７０に含まれる酸素原子が気体空間９１８Ｃを介して、精製用タンク９１Ｃの外部に排出され、ターゲット物質２７０の酸素原子を除去し得る。したがって、ターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制することが可能となり得る。

また、ターゲット物質２７０内に無酸素ガスを導入するだけの簡単な構成で、ターゲット物質２７０内の酸素原子を除去し得る。
さらに、無酸素ガスの導入時間など調節することで、酸素原子の除去量を調節することが可能となり得る。したがって、ターゲット物質２７０の製造ロットや保管状況によって異なる酸素の含有量に応じて、適切に酸素原子を除去することが可能となり得る。

５．５ 第４実施形態
５．５．１ 概略
本開示の第４実施形態によれば、ターゲット物質精製装置は、精製用タンク内の密閉空間が真空に近い低圧となるように排気して、密閉空間の酸素分圧をターゲット物質の酸素分圧よりも低くしてもよい。
以上のような構成により、酸素分圧の差（分布）によってターゲット物質中の酸素原子が低減されて、当該酸素原子が密閉空間から排出され得る。その結果、ターゲット物質に含まれる酸素原子が減少し、酸化物の析出を抑制し得る。

５．５．２ 構成
図８は、第４実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。
第４実施形態のターゲット物質精製装置９Ｆと第３実施形態のターゲット物質精製装置９Ｅとの相違点は、図８に示すように、酸素原子除去部９３Ｆおよび制御部９４Ｆの構成であってもよい。
酸素原子除去部９３Ｆは、酸素分圧調節部を構成する排気部としてのターボ分子ポンプ９６Ｆを備えてもよい。ターボ分子ポンプ９６Ｆは、配管９６１Ｆに接続されてもよい。この配管９６１Ｆは、当該配管９６１Ｆ内を通して気体空間９１８Ｃ内の気体をターボ分子ポンプ９６Ｆにより排出することができるように、タンク本体９１１Ｃ内に連通してもよい。また、ターボ分子ポンプ９６Ｆは、制御部９４Ｆに電気的に接続されてもよい。ターボ分子ポンプ９６Ｆは、制御部９４Ｆから送信される信号に基づいて、気体空間９１８Ｃ内を真空に近い低圧まで排気してもよい。例えば、ターボ分子ポンプ９６Ｆは、真空度が１×１０^−１０Ｐａとなるように排気してもよい。気体空間９１８Ｃを真空に近い低圧とすることにより、気体空間９１８Ｃの酸素分圧がターゲット物質２７０の酸素分圧よりも低くなり、ターゲット物質２７０中の酸素原子が気体空間９１８Ｃを介して精製用タンク９１Ｃの外部に排出し得る。なお、ターボ分子ポンプ９６Ｆは適当なバッキングポンプを備えてもよい。

５．５．３ 動作
ターゲット物質精製装置９Ｆは、以下のような処理を行うことで、ターゲット物質２７０中の酸素原子を減少させてもよい。
ターゲット物質精製装置９Ｆの制御部９４Ｆは、密閉空間９１９Ｃ内に固体のターゲット物質２７０が収容された状態において、ターゲット物質２７０を所定温度まで加熱するために温度コントローラ９２４Ｃを制御してもよい。なお、制御部９４Ｆは、密閉空間９１９Ｃ内に固体のターゲット物質２７０が収容される前に、精製用タンク９１Ｃの内壁に付着した水や酸素を低減するために、精製用タンク９１Ｃをベークしてもよい。
そして、制御部９４Ｆは、ターゲット物質２７０が溶融した旨の溶融完了信号を温度コントローラ９２４Ｃから受信すると、ターボ分子ポンプ９６Ｆを駆動して、気体空間９１８Ｃを真空に排気してもよい。あるいは、ターゲット物質２７０を加熱する過程でターボ分子ポンプ９６Ｆを駆動していてもよい。
気体空間９１８Ｃが排気されると、気体空間９１８Ｃの酸素分圧がターゲット物質２７０の酸素分圧よりも低くなり、ターゲット物質２７０中の酸素原子は、ターボ分子ポンプ９６Ｆによって気体空間９１８Ｃを介して排出され得る。このとき、ターボ分子ポンプ９６Ｆによって気体空間９１８Ｃを真空に近い低圧まで排気するとよい。たとえば、真空度が１×１０^−１０Ｐａとなるように排気してもよい。以上の処理によって、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。

上述のように、ターゲット物質精製装置９Ｆは、気体空間９１８Ｃを真空に近い低圧まで排気することで気体空間９１８Ｃの酸素分圧をターゲット物質２７０の酸素分圧よりも低くしてもよい。
これにより、ターゲット物質２７０に含まれる酸素原子が気体空間９１８Ｃを介して、精製用タンク９１Ｃの外部に排出され、ターゲット物質２７０の酸素原子が減少し得る。したがって、ターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制することが可能となり得る。

５．６ 第５実施形態
５．６．１ 概略
本開示の第５実施形態によれば、ターゲット物質精製装置は、酸素原子と他の元素との酸化物を析出させ、この酸化物を除去してもよい。
以上のような構成により、ターゲット物質に含まれる酸素原子を酸化物として除去し得る。その結果、酸化物の析出を抑制し得る。

５．６．２ 構成
図９は、第５実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示す。
第５実施形態のターゲット物質精製装置９Ｇと第４実施形態のターゲット物質精製装置９Ｆとの相違点は、図９に示すように、酸素原子除去部９３Ｇおよび制御部９４Ｇの構成であってもよい。
ターゲット物質精製装置９Ｇは、精製用タンク９１Ｃと、酸素原子除去部９３Ｇと、制御部９４Ｇとを備えてもよい。酸素原子除去部９３Ｇは、析出部としての加熱部９２Ｇと、酸化物除去部９５Ｇとを備えてもよい。加熱部９２Ｇは、加熱部９２Ｃと同一の構成を有してもよい。
酸化物除去部９５Ｇは、１軸ステージ９５１Ｇと、シャフト９５２Ｇと、メッシュフィルタ９５３Ｇと、ドライバ９５４Ｇとを備えてもよい。１軸ステージ９５１Ｇは、蓋９１２Ｃの上面から上方に延びるステージ本体９５５Ｇと、このステージ本体９５５Ｇが備える駆動機構によって上下に移動するスライダ９５６Ｇとを備えてもよい。ステージ本体９５５Ｇは、ドライバ９５４Ｇに電気的に接続されてもよい。ステージ本体９５５Ｇは、ドライバ９５４Ｇからの信号に基づいて、スライダ９５６Ｇを上下に移動させてもよい。

シャフト９５２Ｇは、上端側がスライダ９５６Ｇに固定され、下端側が密閉空間９１９Ｃ内に位置するメッシュフィルタ９５３Ｇに固定されてもよい。シャフト９５２Ｇは、蓋９１２Ｃの貫通孔９１５Ｇを貫通していてもよい。貫通孔９１５Ｇには、シャフト９５２Ｇが上下に移動した場合でも密閉空間９１９Ｃの密閉性を保つために、図示しないシール部が設けられてもよい。
メッシュフィルタ９５３Ｇは、シャフト９５２Ｇの下端に固定されてもよい。メッシュフィルタ９５３Ｇは、複数の開口９５７Ｇを有してもよい。開口９５７Ｇの断面積は、ターゲット生成器７１のノズル７１２のノズル孔の断面積よりも小さくてもよい。
ドライバ９５４Ｇは、制御部９４Ｇに電気的に接続されてもよい。

５．６．３ 動作
ターゲット物質精製装置９Ｇは、以下のような処理を行うことで、ターゲット物質２７０中の酸素原子を減少させてもよい。
まずメッシュフィルタ９５３Ｇが密閉空間９１９Ｃの底部近傍に位置し、かつ、密閉空間９１９Ｃ内に固体のターゲット物質２７０が収容された状態にしてもよい。その状態でターゲット物質精製装置９Ｇの制御部９４Ｇは、ターゲット物質２７０を所定温度まで加熱するために加熱部９２Ｇの温度コントローラ９２４Ｃを制御してもよい。
このとき、ターゲット物質２７０の温度は、第１溶融温度よりも低い第２溶融温度であってもよい。第２溶融温度は、２３２℃以上３７０℃以下であってもよい。
例えば、図４および上記式（２）に示すように、３５０℃でターゲット物質２７０としてスズを溶融した場合、酸素原子の溶解度は、５×１０^−６（原子％）となり得る。このため、溶融する前のターゲット物質２７０に５×１０^−６（原子％）以上の酸素原子が含まれる場合は、スズの酸化物が析出物９０１Ｇとして析出し得る。

制御部９４Ｇは、ターゲット物質２７０が溶融した旨の溶融完了信号を温度コントローラ９２４Ｃから受信すると、ターボ分子ポンプ９６Ｆを駆動して、気体空間９１８Ｃを真空に近い低圧に排気してもよい。気体空間９１８Ｃが排気されると、ターゲット物質２７０中の酸素原子は、ターボ分子ポンプ９６Ｆによって気体空間９１８Ｃを介して排出され得る。以上の処理によって、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。
また、制御部９４Ｇは、溶融完了信号を受信したときに、ドライバ９５４Ｇに除去開始信号を送信してもよい。除去開始信号は、メッシュフィルタ９５３Ｇをターゲット物質２７０内から気体空間９１８Ｃに移動させるためのものであってもよい。除去開始信号を受信したドライバ９５４Ｇは、１軸ステージ９５１Ｇを駆動して、メッシュフィルタ９５３Ｇをターゲット物質２７０内から上昇させてもよい。そして、ドライバ９５４Ｇは、メッシュフィルタ９５３Ｇが気体空間９１８Ｃに到達したときにメッシュフィルタ９５３Ｇの上昇を終了してもよい。このメッシュフィルタ９５３Ｇの上昇中に、開口９５７Ｇよりも大きい析出物９０１Ｇがメッシュフィルタ９５３Ｇでターゲット物質２７０内から除去され得る。
次に、制御部９４Ｇは、ターゲット物質２７０の温度を下げるために加熱部９２Ｇの温度コントローラ９２４Ｃを制御してもよい。ターゲット物質２７０の温度が融点よりも低くなると、ターゲット物質２７０が固化し得る。
この後、固化したターゲット物質２７０は、再度加熱溶融されてＥＵＶ光の生成に用いられてもよい。

ここで、ターゲット物質２７０であるスズを３５０℃に加熱した条件において、メッシュフィルタ９５３Ｇにより析出物９０１Ｇをほぼ全て除去できた場合、精製されたターゲット物質２７０中の酸素原子の割合は、５×１０^−６（原子％）以下となり得る。この場合、ターゲット生成器においてターゲット物質２７０が３５０℃以上を維持するように加熱制御することによって、ターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制し得る。
したがって、精製されたターゲット物質２７０に含まれる酸素原子の割合をさらに小さくする場合には、スズであるターゲット物質２７０を融点（２３２℃）に加熱した状態で、上記の処理を行ってもよい。図４および上記式（２）に示すように、２３２℃でのターゲット物質２７０における酸素原子の溶解度は、１．９３×１０^−９（原子％）となり得る。ターゲット物質２７０を２３２℃に加熱した場合、ターゲット物質２７０を３５０℃に加熱した場合と比べて析出物９０１Ｇの析出量が多くなり、この析出物９０１Ｇをメッシュフィルタ９５３Ｇで除去することにより、精製されたターゲット物質２７０中の酸素原子がより多く減少し得る。
また、析出物９０１Ｇ（酸化スズ）は、液体のターゲット物質２７０と比べて比重が小さいため、析出物９０１Ｇが液体の表面に浮き得る。表面に浮いた析出物９０１Ｇも、メッシュフィルタ９５３Ｇによって除去が可能であってもよい。

上述のように、ターゲット物質精製装置９Ｇは、ターゲット物質２７０の溶融温度を制御して、酸化物を析出物９０１Ｇとして析出させ、この析出物９０１Ｇをターゲット物質２７０から除去してもよい。
これにより、溶融温度を制御するだけの簡単な構成で、酸素原子を析出物９０１Ｇとして除去することが可能となり、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。したがって、ターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制することが可能となり得る。

なお、メッシュフィルタ９５３Ｇが密閉空間９１９Ｃの底部近傍に位置する状態で、ターゲット物質２７０の溶融を開始したが、以下のような処理を行ってもよい。すなわち、メッシュフィルタ９５３Ｇが気体空間９１８Ｃに位置する状態で、ターゲット物質２７０を溶融してもよい。この後、メッシュフィルタ９５３Ｇを密閉空間９１９Ｃの底部近傍まで下降させた後、ターゲット物質２７０の温度を当初の溶融温度よりも低く、且つ融点以上の温度に下げることで、析出物９０１Ｇを析出させてもよい。そして、この析出物９０１Ｇをメッシュフィルタ９５３Ｇで除去してもよい。

５．７ 第６実施形態
５．７．１ 概略
本開示の第６実施形態によれば、ターゲット物質精製装置は、液体のターゲット物質中に例えばケイ素（Ｓｉ）の粒をゲッタリング物質として入れてもよい。このゲッタリング物質は酸素原子と結合する元素であるため、当該ゲッタリング物質の表面にシリカ（ＳｉＯ_２）膜が形成され得る。そして、このシリカ膜が形成されたゲッタリング物質を除去してもよい。
以上のような構成により、ターゲット物質に含まれる酸素原子を除去し得る。その結果、ターゲット物質をＥＵＶ光の生成に用いる場合、酸化物の析出を抑制し得る。

５．７．２ 構成
図１０Ａは、第６実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示し、ゲッタリング物質が酸素原子と結合していない状態を示す。図１０Ｂは、第６実施形態に係るターゲット物質精製装置の構成を概略的に示し、ゲッタリング物質が酸素原子と結合した状態を示す。
第６実施形態のターゲット物質精製装置９Ｈと第５実施形態のターゲット物質精製装置９Ｇとの相違点は、図１０Ａに示すように、ゲッタリング物質９０１Ｈの有無であってもよい。

５．７．３ 動作
ターゲット物質精製装置９Ｈは、以下のような処理を行うことで、ターゲット物質２７０中の酸素原子を減少させてもよい。
メッシュフィルタ９５３Ｇが密閉空間９１９Ｃの底部近傍に位置する状態において、密閉空間９１９Ｃ内に、ゲッタリング物質９０１Ｈと固体のターゲット物質２７０とを入れておいてもよい。ゲッタリング物質９０１Ｈは、メッシュフィルタ９５３Ｇの、開口９５７Ｇを通り抜けない大きさにしておくとよい。次に、制御部９４Ｈは、ターゲット物質２７０を第２溶解温度まで加熱するために温度コントローラ９２４Ｃを制御してもよい。

制御部９４Ｈは、ターゲット物質２７０が溶融した旨の溶融完了信号を温度コントローラ９２４Ｃから受信すると、ターボ分子ポンプ９６Ｆを駆動して、気体空間９１８Ｃを真空に排気することで、ターゲット物質２７０中の酸素原子を精製用タンク９１Ｃから排出してもよい。以上の処理によって、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。また、図１０Ｂに示すように、ターゲット物質２７０中の酸素原子がゲッタリング物質９０１Ｈと結合して、ゲッタリング物質９０１Ｈの表面にシリカ膜９０２Ｈが形成され得る。以下、シリカ膜９０２Ｈが形成されたゲッタリング物質９０１Ｈを除去物９０３Ｈという場合がある。
そして、制御部９４Ｈは、溶融完了信号を受信したときに、図１０Ｂに示すように、メッシュフィルタ９５３Ｇを上昇させて、メッシュフィルタ９５３Ｇが気体空間９１８Ｃに到達したときにメッシュフィルタ９５３Ｇの上昇を終了してもよい。このメッシュフィルタ９５３Ｇの上昇中に、開口９５７Ｇよりも大きい除去物９０３Ｈがメッシュフィルタ９５３Ｇでターゲット物質２７０から除去され得る。
次に、制御部９４Ｈは、ターゲット物質２７０の温度を下げるために温度コントローラ９２４Ｃを制御してもよい。ターゲット物質２７０の温度が融点よりも低くなると、ターゲット物質２７０が固化し得る。
この後、固化したターゲット物質２７０は、再度加熱溶融されてＥＵＶ光の生成に用いられてもよい。

上述のように、ターゲット物質精製装置９Ｈは、液体のターゲット物質２７０中の酸素原子をゲッタリング物質９０１Ｈで捕捉させることで除去物９０３Ｈを生成して、この除去物９０３Ｈをターゲット物質２７０から除去してもよい。
これにより、ターゲット物質２７０を溶融するだけの簡単な構成で、酸素原子を除去物９０３Ｈとして除去することが可能となり、ターゲット物質２７０の酸素原子が減少し得る。したがって、ターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制することが可能となり得る。

なお、ゲッタリング物質９０１Ｈとしては、酸素原子と結合する元素であればよく、例えばアルミニウムであってもよい。
また、精製用タンク９１Ｃの外部から密閉空間９１９Ｃにゲッタリング物質９０１Ｈを供給できるゲッタリング物質供給装置を別途設けてもよい。

６．ターゲット物質精製装置を備えるＥＵＶ光生成装置
６．１ 第７実施形態
６．１．１ 概略
本開示の第７実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置は、ターゲット物質中の酸素原子を低減するためのターゲット物質精製装置と、このターゲット物質精製装置で酸素原子が除去されたターゲット物質をチャンバ内に出力するためのノズルとを備えてもよい。
以上のような構成により、ターゲット供給装置は、固体のターゲット物質に酸素原子が多く含まれる場合でも、ターゲット物質の酸化物の析出を抑制することが可能となり、ノズル孔に酸化物が詰まることを抑制し得る。これにより、酸化物がノズル孔に堆積した場合に生じうる、ターゲット物質の出力方向の変化を抑制し得る。
さらに、ターゲット供給装置は、例えば精製用タンク内に存在していた酸素原子によって、ターゲット物質中の酸素原子が増加したとしても、当該酸素原子を除去して低減することが可能となり、酸化物の析出を抑制し得る。

６．１．２ 構成
図１１は、第７実施形態に係るターゲット物質精製装置を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｊは、第１実施形態のターゲット物質精製装置９Ｃと同様のターゲット物質精製装置９Ｊを備えてもよい。ＥＵＶ光生成装置１Ｊは、ターゲット物質精製装置９Ｊで精製されたターゲット物質２７０を用いてＥＵＶ光を生成してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１Ｊは、図１１に示すように、チャンバ２と、ＥＵＶ光生成制御システム５と、ターゲット供給装置７Ｊとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｊは、ターゲット生成部７０Ｊと、ターゲット制御装置８０Ｊとを備えてもよい。
ターゲット生成部７０Ｊは、ターゲット生成器７１Ｊと、圧力調整器７２と、温度調節部７５Ｊとを備えてもよい。また、図示および説明は省略するが、ターゲット生成部７０Ｊは、図２に示したピエゾ駆動部７４Ａを備えていてもよい。

ターゲット生成器７１Ｊは、ターゲット物質２７０を精製するためのターゲット物質精製装置９Ｊを備えてもよい。ターゲット物質精製装置９Ｊは、精製用タンク９１Ｊと、加熱部９２Ｊと、酸素原子除去部９３Ｊとを備えてもよい。
精製用タンク９１Ｊには、タンク本体９１１Ｃ内のターゲット物質２７０をチャンバ２内に出力するためのノズル７７Ｊが設けられてもよい。ノズル７７Ｊは、チャンバ２内に配置されてもよい。ノズル７７Ｊは、タンク本体９１１Ｃの底面中央から下方に延びるノズル本体部９１６Ｊと、このノズル本体部９１６Ｊの先端に取り付けられたノズル先端部７７１Ｊとを備えてもよい。
ノズル本体部９１６Ｊは、筒状に形成されてもよい。ノズル本体部９１６Ｊの中空部は、タンク本体９１１Ｃ内のターゲット物質２７０をノズル先端部７７１Ｊに導くための貫通孔９１７Ｊであってもよい。

ノズル先端部７７１Ｊは、孔形成用部材７７２Ｊと、固定部材７７３Ｊとを備えてもよい。
孔形成用部材７７２Ｊは、板状に形成され、中央部に錐状孔７７５Ｊが設けられてもよい。錐状孔７７５Ｊは、図中上から下に向かうに従って径寸法が大きくなる円錐状に形成されてもよい。錐状孔７７５Ｊの上端部には、ノズル孔７７６Ｊが形成されてもよい。たとえばノズル孔７７６Ｊの径は、６μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。固定部材７７３Ｊは、上面に嵌合用溝７７４Ｊが設けられた板状に形成されてもよい。嵌合用溝７７４Ｊの形状は、孔形成用部材７７２Ｊが嵌め込めるよう孔形成用部材７７２Ｊの形状と相似形であってよい。嵌合用溝７７４Ｊの深さは孔形成用部材７７２Ｊの厚みと同等あるいは僅かに浅く形成されてもよい。
ノズル先端部７７１Ｊは、図示しないボルトなどによって、ノズル本体部９１６Ｊの下面に固定されてもよい。このとき、ノズル先端部７７１Ｊは、ノズル孔７７６Ｊの中心がノズル本体部９１６Ｊの中心軸上に位置し、かつ、孔形成用部材７７２Ｊおよび固定部材７７３Ｊがノズル本体部９１６Ｊに密着するように固定されてもよい。
なお、孔形成用部材７７２Ｊ、固定部材７７３Ｊは、精製用タンク９１Ｊの材料と熱膨張率がほぼ同じ材料で形成してもよい。孔形成用部材７７２Ｊ、固定部材７７３Ｊ、精製用タンク９１Ｊを熱膨張率がほぼ同じ材料で形成することにより、ターゲット物質２７０の温度が上昇した場合でも、孔形成用部材７７２Ｊおよび固定部材７７３Ｊと、ノズル本体部９１６Ｊとのシール性が維持されやすくなってよい。孔形成用部材７７２Ｊ、固定部材７７３Ｊは、精製用タンク９１Ｊの材料は同じであってもよく、例えば、モリブデンあるいはタングステンで形成してもよい。

ターゲット制御装置８０Ｊには、第１タイマ８１Ｊと、第２タイマ８２Ｊとが電気的に接続されてもよい。
加熱部９２Ｊは、第３ヒータ９２１Ｊと、第３ヒータ電源９２２Ｊと、第３温度センサ９２３Ｊと、第３温度コントローラ９２４Ｊとを備えてもよい。第３ヒータ９２１Ｊは、タンク本体９１１Ｃの外周面のみに設けられてもよい。第３温度センサ９２３Ｊは、タンク本体９１１Ｃの外周面であり、かつ、第３ヒータ９２１Ｊのノズル７７Ｊに近い側に設けられてもよい。第３温度センサ９２３Ｊは、タンク本体９１１Ｃにおいてターゲット物質２７０に近い部分の温度を検出可能なように、タンク本体９１１Ｃの外周面に窪みを設けて、窪みの内部に配置してもよい。

酸素原子除去部９３Ｊは、還元部９５Ｊと、ポンプ９６Ｃとを備えてもよい。
還元部９５Ｊの純化装置９５５Ｃは、圧力調整器７２に接続されてもよい。純化装置９５５Ｃは、水および酸素の濃度を低減した還元ガスとアルゴンガスとの混合ガスを圧力調整器７２に供給してもよい。バブリング機構９５６Ｃは、一端が圧力調整器７２に接続されてもよい。バブリング機構９５６Ｃは、圧力調整器７２から供給される還元ガスとアルゴンガスとの混合ガスをターゲット物質２７０内に導入してもよい。

温度調節部７５Ｊは、第１，第２ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊと、第１，第２ヒータ電源７５２Ｊ，７５６Ｊと、第１，第２温度センサ７５３Ｊ，７５７Ｊと、第１，第２温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊとを備えてもよい。
第１ヒータ７５１Ｊは、固定部材７７３Ｊの下面の外縁に沿うように設けられてもよい。第１ヒータ７５１Ｊは、主に孔形成用部材７７２Ｊおよび固定部材７７３Ｊを加熱してもよい。
第１ヒータ電源７５２Ｊは、第１ヒータ７５１Ｊと第１温度コントローラ７５４Ｊとに電気的に接続され、第１温度コントローラ７５４Ｊからの信号に基づいて、第１ヒータ７５１Ｊに電力を供給してもよい。
第１，第２温度センサ７５３Ｊ，７５７Ｊは、第１，第２温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊにそれぞれ電気的に接続されてもよい。
第１温度センサ７５３Ｊは、固定部材７７３Ｊの下面における第１ヒータ７５１Ｊの内側（錐状孔７７５Ｊ側）に配置されてもよい。第１温度センサ７５３Ｊは、主にノズル先端部７７１Ｊの温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第１温度コントローラ７５４Ｊに送信してもよい。ここで、ノズル先端部７７１Ｊの上面にはノズル孔７７６Ｊが設けられているため、ノズル先端部７７１Ｊを加熱することで、ノズル孔７７６Ｊの周縁に位置するターゲット物質２７０を加熱することが可能となり得る。また、ノズル先端部７７１Ｊの温度を検出することで、ノズル孔７７６Ｊの周縁の温度を判定することが可能となり得る。
第２ヒータ７５５Ｊは、ノズル本体部９１６Ｊの外周面に設けられてもよい。
第２ヒータ電源７５６Ｊは、第２ヒータ７５５Ｊと第２温度コントローラ７５８Ｊとに電気的に接続され、第２温度コントローラ７５８Ｊからの信号に基づいて、第２ヒータ７５５Ｊに電力を供給してもよい。
第２温度センサ７５７Ｊは、第２ヒータ７５５Ｊのノズル７７Ｊに近い側に配置されてもよい。第２温度センサ７５７Ｊは、主にノズル本体部９１６Ｊの温度（ノズル本体部９１６Ｊ内のターゲット物質２７０の温度に近い値）を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第２温度コントローラ７５８Ｊに送信してもよい。

第１，第２温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊは、ターゲット制御装置８０Ｊにそれぞれ電気的に接続されてもよい。第１温度コントローラ７５４Ｊは、第１温度センサ７５３Ｊからの信号に基づいて、ノズル孔７７６Ｊの周縁の温度を判定し、当該ノズル孔７７６Ｊ周縁の温度を所定温度に調節するための信号を、第１ヒータ電源７５２Ｊに出力するよう構成されてもよい。第２温度コントローラ７５８Ｊは、第２温度センサ７５７Ｊからの信号に基づいて、ノズル本体部９１６Ｊ内のターゲット物質２７０の温度を判定し、当該ターゲット物質２７０の温度を所定温度に調節するための信号を、第２ヒータ電源７５６Ｊに出力するよう構成されてもよい。

６．１．３ 動作
図１２は、ターゲット制御装置８０Ｊに係るＥＵＶ光の生成処理を示すフローチャートである。図１３Ａおよび図１３Ｂは、低酸素化サブルーチンを示すフローチャートである。図１４は、ターゲット物質出力サブルーチンを示すフローチャートである。図１５Ａ、図１５Ｂ、および、図１５Ｃは、低酸素化開始判定サブルーチンを示すフローチャートである。

ターゲット制御装置８０Ｊは、精製用タンク９１Ｃ内に固体のターゲット物質２７０が収容され、かつ、タンク本体９１１Ｃに蓋９１２Ｃが取り付けられることで密閉空間９１９Ｃが形成された状態のときに、図１２に示す処理を実行してもよい。まず、ターゲット物質２７０を溶融した際に、差圧によってターゲット物質２７０が出力しないようにチャンバ２内の圧力を調整してもよい（ステップＳ１）。
次に、ターゲット制御装置８０Ｊは、低酸素化サブルーチンに基づく処理を行ってもよい（ステップＳ２）。このステップＳ２の処理によって、ターゲット物質精製装置９Ｊに収容されたターゲット物質２７０の酸素原子が低減し得る。

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｊは、図１３Ａに示すように、第１タイマ８１Ｊおよび第２タイマ８２Ｊをリセットしてもよい（ステップＳ１１）。次に第１〜第３ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，９２１Ｊそれぞれの目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔを、それぞれ温度Ｔ１ｔ０，Ｔ２ｔ０，Ｔ３ｔ０に設定してもよい（ステップＳ１２）。温度Ｔ１ｔ０，Ｔ２ｔ０，Ｔ３ｔ０は図示しないメモリー等に保持され、必要に応じて随時読み出すことができてもよい。温度Ｔ１ｔ０，Ｔ２ｔ０，Ｔ３ｔ０は、温度Ｔ１ｔ０が最も高く、温度Ｔ３ｔ０が最も低くてもよい。また、温度Ｔ１ｔ０，Ｔ２ｔ０，Ｔ３ｔ０は、ターゲット物質２７０の融点Ｔｍ以上であってもよい。温度Ｔ１ｔ０，Ｔ２ｔ０，Ｔ３ｔ０のそれぞれ温度差は、例えばおよそ１０℃であってもよい。例えば、温度Ｔ１ｔ０，Ｔ２ｔ０，Ｔ３ｔ０は、それぞれおよそ３７０℃，３６０℃，３５０℃であってもよい。

次に、ターゲット制御装置８０Ｊは、第１〜第３温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，９２４Ｊに、それぞれ目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔを設定して、第１〜第３ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，９２１Ｊを駆動してもよい（ステップＳ１３）。
このステップＳ１３の処理によって、第１〜第３ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，９２１Ｊは、軸方向に温度勾配が与えられるように（ノズル７７Ｊの先端に近い側の方の温度を遠い方の温度よりも温度が高くなるように）、ターゲット生成器７１Ｊ内のターゲット物質２７０を加熱してもよい。そして、第１〜第３温度センサ７５３Ｊ，７５７Ｊ，９２３Ｊは、ターゲット物質２７０における主に第１〜第３ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，９２１Ｊが加熱した部分付近の温度を検出して、当該温度に対応する信号を第１〜第３温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，９２４Ｊにそれぞれ送信してもよい。第１〜第３温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，９２４Ｊは、第１〜第３温度センサ７５３Ｊ，７５７Ｊ，９２３Ｊから受信した信号をターゲット制御装置８０Ｊに送信してもよい。

この後、ターゲット制御装置８０Ｊは、第１〜第３温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，９２４Ｊから受信した信号に基づいて、以下の式（３）〜（５）の条件を全て満たすか否かを判定してもよい（ステップＳ１４）。
ΔＴｒ１≧｜Ｔ１ｔ−Ｔ１｜ … （３）
ΔＴｒ２≧｜Ｔ２ｔ−Ｔ２｜ … （４）
ΔＴｒ３≧｜Ｔ３ｔ−Ｔ３｜ … （５）
Ｔ１：第１温度センサ７５３Ｊが検出した温度
Ｔ２：第２温度センサ７５７Ｊが検出した温度
Ｔ３：第３温度センサ９２３Ｊが検出した温度
ΔＴｒ１，ΔＴｒ２，ΔＴｒ３：各ヒータが制御された結果の温度の許容誤差範囲

ここで、許容誤差範囲ΔＴｒ１〜ΔＴｒ３は、例えば、１℃以上３℃以下の範囲内のいずれかの温度範囲であってもよい。また、許容誤差範囲ΔＴｒ１〜ΔＴｒ３は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ１４において、式（３）〜（５）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ１４の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ１４において、式（３）〜（５）の条件を全て満たすと判定した場合、還元ガス中の水素の濃度が所定の濃度となるように、第１，第２マスフローコントローラ９５２Ｃ，９５４Ｃを設定してもよい（ステップＳ１５）。所定の濃度は、第１実施形態で説明した濃度であってよい。ステップＳ１４において、上記条件を全て満たすと判定された場合、ターゲット物質２７０は、溶融して液体となり得る。

次に、ターゲット制御装置８０Ｊは、図１３Ｂに示すように、ターゲット生成器７１Ｊ内部の圧力が所定の圧力となるように、圧力調整器７２に信号を送信してもよい（ステップＳ１６）。そして、ターゲット制御装置８０Ｊは、ポンプ９６Ｃに排気駆動信号を送信してもよい（ステップＳ１７）。なお、所定の圧力は実験等によって決定しておくとよい。
以上のステップＳ１６，Ｓ１７の処理によって、純化装置９５５Ｃによって水および酸素の濃度を低減された還元ガスが、バブリング機構９５６Ｃを介して精製用タンク９１Ｊ内に導入され得る。そして、この還元ガスによってバブル９０Ｃが生成され、ターゲット物質２７０中の酸素原子が水蒸気として気体空間９１８Ｃに排出され得る。ポンプ９６Ｃは、気体空間９１８Ｃを排気することによって、水蒸気を排出してもよい。以上の処理によって、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。
この後、ターゲット制御装置８０Ｊは、第２タイマ８２Ｊをセットして時間Ｒ２の計時を開始してもよい（ステップＳ１８）。その後、第２タイマ８２Ｊの計測時間Ｒ２が設定時間Ｋ２を経過したか否かを判定してもよい（ステップＳ１９）。設定時間Ｋ２は、図示しないメモリー等に保持され、必要に応じて随時読み出すことができてもよい。設定時間Ｋ２は、ターゲット物質２７０中の所望量の酸素原子が水蒸気として排出され得る長さに設定されてもよい。

ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ１９において、設定時間Ｋ２を経過していないと判定した場合、ステップＳ１９の処理を再度行い、設定時間Ｋ２を経過したと判定した場合、ポンプ９６Ｃに排気停止信号を送信して、（ステップＳ２０）、第２タイマ８２Ｊをリセットしてもよい（ステップＳ２１）。
以上の処理によって、設定時間Ｋ２の間、還元ガスによる酸素原子の低減処理が行われ、精製用タンク９１Ｊ内のターゲット物質２７０の酸素原子が低減し得る。

この後、ターゲット制御装置８０Ｊは、図１２に示すように、ターゲット物質出力サブルーチンに基づく処理を行ってもよい（ステップＳ３）。このステップＳ３の処理によって、ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ２で酸素原子を低減したターゲット物質２７０を用いてＥＵＶ光を生成し得る。

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｊは、図１４に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット出力停止信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ３０）。ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ３０においてターゲット出力停止信号を受信していないと判定した場合、ステップＳ３１の処理に移行してもよい。一方、ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ３０においてターゲット出力停止信号を受信したと判定した場合、ステップＳ３６の処理に移行してもよい。ターゲット制御装置８０Ｊは、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット出力信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ３１）。ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ３１においてターゲット出力信号を受信していないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ３１の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ３１においてターゲット出力信号を受信したと判定した場合、ターゲット生成器７１Ｊ内部の圧力が所定の圧力となるように、圧力調整器７２に信号を送信してもよい（ステップＳ３２）。このとき同時にチャンバ２内の圧力は、ターゲット物質２７０を出力してＥＵＶ光の生成が可能な圧力に調整されてもよい。
圧力調整器７２は、この信号を受信したときに、ターゲット生成器７１Ｊ内（精製用タンク９１Ｊおよびノズル７７Ｊ内）の圧力を、ターゲット物質２７０がドロップレット２７１として出力され得る圧力に調節してもよい。このとき、第１マスフローコントローラ９５２Ｃをゼロに設定して、アルゴンガスのみで気体空間９１８Ｃを加圧してもよい。
出力されたドロップレット２７１の位置、速度、大きさ、進行方向、所定位置における通過タイミングおよび通過周期、それらの安定性等を示す情報は、ターゲットセンサ４（図２参照）によって検出されてもよい。この検出された情報は、それぞれ信号として、ターゲット制御装置８０Ｊが受信してもよい。

そして、ターゲット制御装置８０Ｊは、ドロップレット２７１の位置安定性が所定範囲となったか否か、すなわちドロップレット２７１が出力された位置が所定範囲内にあるか否かを判定してもよい（ステップＳ３３）。このステップＳ３３において、ターゲット制御装置８０Ｊは、所定範囲となっていないと判定した場合、再度、ステップＳ３３の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ３３において、所定範囲となったと判定した場合、ＥＵＶ光生成制御システム５にターゲット生成ＯＫ信号を送信してもよい（ステップＳ３４）。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット生成ＯＫ信号を受信すると、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５（図２参照）に到達したときにドロップレット２７１にパルスレーザ光が照射されるように、レーザ装置３（図２参照）にパルスレーザ光の発振トリガを入力するよう構成されてもよい。
レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光は、ドロップレット２７１に照射されてもよい。ドロップレット２７１にパルスレーザ光が照射されると、ドロップレット２７１はプラズマ化し、ＥＵＶ光を含む電磁波が放射され得る。
そして、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光の生成を終了する場合、レーザ装置３によるパルスレーザ光の出力を終了するとともに、ターゲット制御装置８０Ｊにターゲット出力停止信号を送信してもよい。

ターゲット制御装置８０Ｊは、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット出力停止信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ３５）。ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ３５において、受信していないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ３５の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ３５において、受信したと判定した場合、ターゲット生成器７１Ｊ内部の圧力をドロップレット２７１が出力しない圧力とするような信号を圧力調整器７２に送信してもよい（ステップＳ３６）。これにより、圧力調整器７２がターゲット生成器７１Ｊ内部の圧力を調整し、ターゲット生成器７１Ｊからドロップレット２７１が出力しなくなり得る。
その後、ターゲット制御装置８０Ｊは、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット装置停止信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ３７）。ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ３７において、受信していないと判定した場合、ターゲット物質出力サブルーチンに基づく処理を終了し図１２のステップＳ４に移行してもよい。一方、ステップＳ３７において、受信したと判定した場合、ＥＵＶ光の生成処理を終了してもよい。ＥＵＶ光の生成処理を終了する場合は、ターゲット生成器７１Ｊ内部の圧力を大気圧付近に調整し、各ヒータへの電力供給を停止してもよい。

この後、ターゲット制御装置８０Ｊは、図１２に示すように、ターゲット生成器７１Ｊ内にターゲット物質２７０が残っているか否かを判定してもよい（ステップＳ４）。ターゲット物質２７０が残っているか否かの判定は、たとえばドロップレット２７１が出力された時間に基づいて行われてもよい。このステップＳ４において、ターゲット制御装置８０Ｊは、ターゲット物質２７０が残っていないと判定した場合、ＥＵＶ光の生成処理を終了してもよい。一方、ターゲット制御装置８０Ｊは、ターゲット物質２７０が残っていると判定した場合、低酸素化開始判定サブルーチンに基づく処理を行ってもよい（ステップＳ５）。このステップＳ５の処理によって、次に行う処理が判定され得る。

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ５の処理として、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃに示す処理のうち少なくとも１つの処理を行ってもよい。
図１５Ａに示す処理では、ターゲット制御装置８０Ｊは、第１タイマ８１Ｊによる計測時間Ｒ１が設定時間Ｋ１を経過したか否かを判定してもよい（ステップＳ４１）。計測時間Ｒ１の計測は、例えば、ステップＳ２の低酸素化サブルーチンに基づく処理を開始するタイミングと同じであってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ４１において、設定時間Ｋ１を経過したと判定した場合、次に低酸素化サブルーチンを行うと判定してもよい（ステップＳ４２）。一方、ターゲット制御装置８０Ｊは、設定時間Ｋ１を経過していないと判定した場合、次にターゲット物質出力サブルーチンを行うと判定してもよい（ステップＳ４３）。
つまり、ターゲット制御装置８０Ｊは、設定時間Ｋ１の周期で低酸素化サブルーチンを行ってもよい。

また、図１５Ｂに示す処理では、ターゲット制御装置８０Ｊは、ノズル孔７７６Ｊが詰まったか否かを判定してもよい（ステップＳ４４）。ノズル孔７７６Ｊが詰まったことは、ターゲットセンサ４からの出力によって判定されてもよい。ターゲット物質出力サブルーチンのステップＳ３４を実行中に、ターゲットセンサ４によって、ドロップレット２７１が検出されなくなった場合、ターゲット制御装置８０Ｊはノズル孔７７６Ｊが詰まったと判定してもよい。一方、ターゲット物質出力サブルーチンのステップＳ３４を実行中に、ドロップレット２７１が検出されていた場合、ターゲット制御装置８０Ｊはノズル孔７７６Ｊが詰まっていないと判定してもよい。
ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ４４において、ノズル孔７７６Ｊが詰まったと判定した場合、次に低酸素化サブルーチンを行うと判定し（ステップＳ４５）、ノズル孔７７６Ｊが詰まっていないと判定した場合、次にターゲット物質出力サブルーチンを行うと判定してもよい（ステップＳ４６）。

また、図１５Ｃに示す処理では、ターゲット制御装置８０Ｊは、ドロップレット２７１の位置安定性が許容範囲を超えたか否かを判定してもよい（ステップＳ４７）。ドロップレット２７１の位置安定性は、ターゲット物質出力サブルーチンのステップＳ３４を実行中に、ターゲットセンサ４によって検出されてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｊは、ステップＳ４７において、ドロップレット２７１の位置安定性が許容範囲を超えたと判定した場合、次に低酸素化サブルーチンを行うと判定し（ステップＳ４８）、ドロップレット２７１の位置安定性が許容範囲を超えていないと判定した場合、次にターゲット物質出力サブルーチンを行うと判定してもよい（ステップＳ４９）。

そして、ターゲット制御装置８０Ｊは、図１２に示すように、ステップＳ５での判定結果に基づいて、低酸素化サブルーチンを行うか否かを判定してもよい（ステップＳ６）。
このステップＳ６において、ターゲット制御装置８０Ｊは、低酸素化サブルーチンを行うと判定した場合、ステップＳ２の処理を行い、ターゲット物質出力サブルーチンを行うと判定した場合、ステップＳ３の処理を行ってもよい。

上述のように、ターゲット供給装置７Ｊは、ターゲット物質２７０中の酸素原子を除去するためのターゲット物質精製装置９Ｊと、酸素原子が除去されたターゲット物質２７０を用いてドロップレット２７１を出力するためのノズル７７Ｊとを備えてもよい。
これにより、ターゲット供給装置７Ｊは、ターゲット物質精製装置９Ｊに収容する固体のターゲット物質に酸素原子が多く含まれる場合でも、ターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制することが可能となり、ノズル孔７７６Ｊに酸化物が詰まることを抑制し得る。また、ターゲット供給装置７Ｊは、酸化物がノズル孔７７６Ｊに堆積した場合に生じ得る、ドロップレット２７１の出力方向の変化を抑制し得る。さらに、ターゲット供給装置７Ｊは、精製用タンク９１Ｊ内に酸素原子が存在していた場合でも、当該酸素原子を低減することが可能となり、酸化物の析出を抑制し得る。

また、ターゲット供給装置７Ｊは、設定時間Ｋ１の周期で低酸素化サブルーチンを行ってもよい。
このように、ターゲット供給装置７Ｊは、ターゲット物質２７０中の酸素原子の低減処理を定期的に行うことで、ノズル孔７７６Ｊに酸化物が堆積することを適切に抑制し得る。

さらに、ターゲット供給装置７Ｊは、ノズル孔７７６Ｊが詰まったと判定した場合に、低酸素化サブルーチンを行ってもよい。また、ターゲット供給装置７Ｊは、ドロップレット２７１の位置安定性が許容範囲を超えたと判定した場合に、低酸素化サブルーチンを行ってもよい。
ここで、定期的に酸素原子の低減処理を行う構成にすると、ターゲット供給装置７Ｊは、ターゲット物質２７０が適切に出力されており当該低減処理が不要な場合にも、当該低減処理を行い得る。
ターゲット供給装置７Ｊは、ターゲット物質２７０の出力状態に基づいてターゲット物質２７０中の酸素原子の低減処理を行うことで、必要なタイミングのみにおいて、酸素原子の低減処理を行い得る。

また、ターゲット供給装置７Ｊは、ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与えてもよい。
このような温度制御によって、ターゲット生成器７１Ｊにおけるノズル孔７７６Ｊ側の酸素原子の溶解量を、上端側の酸素原子の溶解量よりも多くすることが可能となり、ノズル孔７７６Ｊに酸化物が堆積することを抑制し得る。

なお、ターゲット物質精製装置９Ｊとしては、第１実施形態のターゲット物質精製装置９Ｃと同様のものに限らず、第２，第３，第４，第５，第６実施形態のターゲット物質精製装置９Ｄ，９Ｅ，９Ｆ，９Ｇ，９Ｈと同様のものを適用してもよい。

６．２ 第８実施形態
６．２．１ 概略
本開示の第８実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置は、ターゲット物質中の酸素原子を低減するためのターゲット物質精製装置と、ターゲット生成器と、生成器用加熱部と、移送部と、ターゲット供給用制御部とを備えてもよい。生成器用加熱部は、ターゲット生成器を加熱してもよい。移送部は、ターゲット物質精製装置で酸素原子が除去されたターゲット物質を、ターゲット生成器に移送してもよい。ターゲット供給用制御部は、ターゲット生成器内のターゲット物質の温度を、ターゲット物質精製装置を構成する精製用タンク内のターゲット物質の温度よりも高くしてもよい。
以上のような構成により、ターゲット供給装置は、第７実施形態と同様の効果を奏し得る。
また、ターゲット物質精製装置において、ターゲット物質の溶融温度を制御するだけの簡単な構成で、酸素原子を酸化物として除去し得る。特に、精製用タンクにおいて、低い温度でターゲット物質を加熱することで、高い温度で加熱する場合と比べて、多くの酸素原子を酸化物として除去し得る。そして、ターゲット生成器において、高い温度で加熱することで、低い温度で加熱する場合と比べて、多くの酸素原子がターゲット物質に溶解し得る。このため、ＥＵＶ光を生成するためのターゲット物質の酸化物の析出を抑制し得る。

６．２．２ 構成
図１６は、第８実施形態に係るターゲット物質精製装置を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｋは、第５実施形態のターゲット物質精製装置９Ｇと同様のターゲット物質精製装置９Ｋと、第７実施形態のターゲット生成器７１Ｊと同様のターゲット生成器７１Ｋを備えてもよい。ＥＵＶ光生成装置１Ｋは、ターゲット物質精製装置９Ｋで生成されたターゲット物質２７０を用いて、ＥＵＶ光を生成してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１Ｋは、図１６に示すように、チャンバ２と、ＥＵＶ光生成制御システム５と、ターゲット供給装置７Ｋと、ターゲット物質精製装置９Ｋと、移送部９９Ｋとを備えてもよい。
ターゲット供給装置７Ｋは、ターゲット生成部７０Ｋと、ターゲット供給用制御部としてのターゲット制御装置８０Ｋとを備えてもよい。
ターゲット生成部７０Ｋは、ターゲット生成器７１Ｋと、圧力調整器７２と、生成器用加熱部としての温度調節部７５Ｋと、第１排気装置７８Ｋとを備えてもよい。第１排気装置７８Ｋはポンプであってもよい。また、図示および説明は省略するが、ターゲット生成部７０Ｋは、図２に示したピエゾ駆動部７４Ａを備えていてもよい。

ターゲット生成器７１Ｋは、タンク７１１Ｋを備えてもよい。タンク７１１Ｋは、タンク本体７１３Ｋと、蓋７１４Ｋとを備えてもよい。タンク本体７１３Ｋは、筒状であってもよい。蓋７１４Ｋは、タンク本体７１３Ｋの上面を塞ぐことが可能な略板状であってもよい。タンク７１１Ｋ内には、ターゲット物質２７２が収容されてもよい。
また、タンク７１１Ｋには、タンク本体７１３Ｋ内のターゲット物質２７２をチャンバ２内に出力するためのノズル７１２Ｋが設けられてもよい。ノズル７１２Ｋは、タンク本体７１３Ｋの底面中央から下方に延びるノズル本体部７１５Ｋと、このノズル本体部７１５Ｋの先端に取り付けられたノズル先端部７７１Ｊとを備えてもよい。
ノズル本体部７１５Ｋは、筒状に形成されてもよい。ノズル本体部７１５Ｋの中空部は、タンク本体７１３Ｋ内のターゲット物質２７２をノズル先端部７７１Ｊに導くための連通部７１６Ｋを構成してもよい。
ノズル先端部７７１Ｊは、第７実施形態と同様の構成を有してもよい。

圧力調整器７２は、純化装置７２１Ｋを介してアルゴンガスボンベ７２２Ｋに接続されてもよい。圧力調整器７２は、配管７２３Ｋを介してタンク７１１Ｋの上端側に接続されてもよい。圧力調整器７２は、ターゲット制御装置８０Ｋに電気的に接続されてもよい。純化装置７２１Ｋは、水および酸素の濃度が低減されたアルゴンガスを圧力調整器７２に供給してもよい。圧力調整器７２は、純化装置７２１Ｋから供給されたアルゴンガスの圧力を調整してターゲット生成器７１Ｋ内に導入してもよい。

温度調節部７５Ｋは、第１，第２，第３ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，７５９Ｋと、第１，第２，第３ヒータ電源７５２Ｊ，７５６Ｊ，７６０Ｋと、第１，第２，第３温度センサ７５３Ｊ，７５７Ｊ，７６１Ｋと、第１，第２，第３温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，７６２Ｋとを備えてもよい。
第３ヒータ７５９Ｋは、タンク７１１Ｋの外周面に設けられてもよい。
第３ヒータ電源７６０Ｋは、第３ヒータ７５９Ｋと第３温度コントローラ７６２Ｋとに電気的に接続され、第３温度コントローラ７６２Ｋからの信号に基づいて、第３ヒータ７５９Ｋに電力を供給してもよい。
第３温度センサ７６１Ｋは、タンク７１１Ｋの外周面であり、かつ、第３ヒータ７５９Ｋの下側に設けられてもよい。第３温度センサ７６１Ｋは、タンク７１１Ｋの温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第３温度コントローラ７６２Ｋに送信してもよい。
第３温度コントローラ７６２Ｋは、ターゲット制御装置８０Ｋに電気的に接続されてもよい。第３温度コントローラ７６２Ｋは、第３温度センサ７６１Ｋからの信号に基づいて、タンク７１１Ｋ内のターゲット物質２７２の温度を判定し、当該ターゲット物質２７２の温度を所定温度に調節するための信号を、第３ヒータ電源７６０Ｋに出力するよう構成されてもよい。

第１排気装置７８Ｋは、配管７８１Ｋを介して、タンク７１１Ｋの上端側に接続されてもよい。第１排気装置７８Ｋは、ターゲット制御装置８０Ｋに電気的に接続されてもよい。第１排気装置７８Ｋは、ターゲット制御装置８０Ｋから送信される信号に基づいて、タンク７１１Ｋ内を排気してもよい。

ターゲット制御装置８０Ｋには、第１タイマ８１Ｋと、第２タイマ８２Ｋと、第３タイマ８３Ｋとが電気的に接続されてもよい。
ターゲット物質精製装置９Ｋは、精製用タンク９１Ｃと、酸素原子除去部９３Ｋと、酸素分圧調節部および排気部としての第２排気装置９６Ｋとを備えてもよい。
酸素原子除去部９３Ｋは、析出部としての加熱部９２Ｋと、酸化物除去部９５Ｇとを備えてもよい。
加熱部９２Ｋは、第４ヒータ９２１Ｋと、第４ヒータ電源９２２Ｋと、第４温度センサ９２３Ｋと、第４温度コントローラ９２４Ｋとを備えてもよい。
第４ヒータ９２１Ｋは、タンク本体９１１Ｃの外周面に設けられてもよい。
第４ヒータ電源９２２Ｋは、第４ヒータ９２１Ｋと第４温度コントローラ９２４Ｋとに電気的に接続され、第４温度コントローラ９２４Ｋからの信号に基づいて、第４ヒータ９２１Ｋに電力を供給してもよい。
第４温度センサ９２３Ｋは、タンク本体９１１Ｃの外周面であり、かつ、第４ヒータ９２１Ｋの下側に設けられてもよい。第４温度センサ９２３Ｋは、タンク本体９１１Ｃの温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第４温度コントローラ９２４Ｋに送信してもよい。
第４温度コントローラ９２４Ｋは、ターゲット制御装置８０Ｋに電気的に接続されてもよい。第４温度コントローラ９２４Ｋは、第４温度センサ９２３Ｋからの信号に基づいて、タンク本体９１１Ｃ内のターゲット物質２７０の温度を判定し、当該ターゲット物質２７０の温度を所定温度に調節するための信号を、第４ヒータ電源９２２Ｋに出力するよう構成されてもよい。

酸化物除去部９５Ｇのドライバ９５４Ｇは、ターゲット制御装置８０Ｋに電気的に接続されてもよい。
第２排気装置９６Ｋは、ターボ分子ポンプであってもよい。第２排気装置９６Ｋは、適当なバッキングポンプを備えてもよい。第２排気装置９６Ｋは、配管９６１Ｋを介してタンク本体９１１Ｃの上端側に接続されてもよい。第２排気装置９６Ｋは、ターゲット制御装置８０Ｋに電気的に接続されてもよい。第２排気装置９６Ｋは、ターゲット制御装置８０Ｋから送信される信号に基づいて、精製用タンク９１Ｃ内を真空に近い低圧に排気してもよい。

移送部９９Ｋは、移送配管９９１Ｋを備えてもよい。
移送配管９９１Ｋは、管状に形成されてもよい。移送配管９９１Ｋは、ターゲット物質２７０を精製用タンク９１Ｃ内部からタンク７１１Ｋ内に移送できるように、精製用タンク９１Ｃの底面部とタンク７１１Ｋの上面部とに連結されてもよい。
また、移送配管９９１Ｋには、バルブ９９２Ｋが設けられてもよい。
バルブ９９２Ｋには、ターゲット制御装置８０Ｋが電気的に接続されてもよい。バルブ９９２Ｋは、ターゲット制御装置８０Ｋの制御によって、精製用タンク９１Ｃ内のターゲット物質２７０をタンク７１１Ｋ内に移送可能な開状態と、移送しない閉状態とを切り替えできるように構成されてもよい。

６．２．３ 動作
図１７は、ターゲット制御装置８０Ｋに係るＥＵＶ光の生成処理を示すフローチャートである。図１８Ａ、図１８Ｂ、および、図１８Ｃは、ターゲット原料精製サブルーチンを示すフローチャートである。図１９Ａ、図１９Ｂ、および、図１９Ｃは、ターゲット原料精製開始判定サブルーチンを示すフローチャートである。
なお、第８実施形態では、ターゲット物質出力サブルーチンとして、図１４に示すような第７実施形態と同様の処理を行ってもよい。

ターゲット制御装置８０Ｋは、メッシュフィルタ９５３Ｇが密閉空間９１９Ｃの底部近傍に位置し、かつ、密閉空間９１９Ｃ内に固体のターゲット物質２７０が収容された状態のときに、図１７に示すように、ステップＳ１の処理を行ってもよい。なお、ステップＳ１の処理を行う前に、固体のターゲット物質２７２がターゲット生成器７１Ｋ内に収容されていてもよいし、収容されていなくてもよい。また、ステップＳ１の処理を行う前に、バルブ９９２Ｋは、閉状態であってもよい。
この後、ターゲット制御装置８０Ｋは、ターゲット原料精製サブルーチンに基づく処理を行ってもよい（ステップＳ５１）。このステップＳ５１の処理によって、ターゲット物質精製装置９Ｋに収容されたターゲット物質２７０の酸素原子が低減し得る。

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｋは、図１８Ａに示すように、第１，第２，第３タイマ８１Ｋ，８２Ｋ，８３Ｋをリセットして（ステップＳ６１）、第１〜第４ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，７５９Ｋ，９２１Ｋの目標温度Ｔ１１ｔ，Ｔ１２ｔ，Ｔ１３ｔ，Ｔ１４ｔを、それぞれ温度Ｔ１１ｔ０，Ｔ１２ｔ０，Ｔ１３ｔ０，Ｔ１４ｔ０に設定してもよい（ステップＳ６２）。温度Ｔ１１ｔ０，Ｔ１２ｔ０，Ｔ１３ｔ０，Ｔ１４ｔ０は図示しないメモリー等に保持され、必要に応じて随時読み出すことができてもよい。温度Ｔ１１ｔ０〜Ｔ１４ｔ０は、温度Ｔ１１ｔ０が最も高く、温度Ｔ１４ｔ０が最も低くてもよい。また、温度Ｔ１１ｔ０〜Ｔ１４ｔ０は、ターゲット物質２７０，ターゲット物質２７２の融点Ｔｍ以上であってもよい。温度Ｔ１１ｔ０〜Ｔ１３ｔ０のそれぞれ温度差は、例えばおよそ１０℃であってもよい。例えば、温度Ｔ１１ｔ０，Ｔ１２ｔ０，Ｔ１３ｔ０は、それぞれおよそ３７０℃，３６０℃，３５０℃であってもよい。また、温度Ｔ１４ｔは、例えば、およそ２３２℃（ターゲット物質２７０，２７２の融点Ｔｍ）であってもよい。

次に、ターゲット制御装置８０Ｋは、第１〜第４温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，７６２Ｋ，９２４Ｋに、それぞれ目標温度Ｔ１１ｔ〜Ｔ１４ｔを設定して、第１〜第４ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，７５９Ｋ，９２１Ｋを駆動してもよい（ステップＳ６３）。
このステップＳ６３の処理によって、第１〜第３ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，７５９Ｋは、軸方向に温度勾配が与えられるように（ノズル７１２Ｋの先端に近い側の方の温度を遠い方の温度よりも温度が高くなるように）、ターゲット生成器７１Ｋを加熱してもよい。そして、第１〜第３温度センサ７５３Ｊ，７５７Ｊ，７６１Ｋは、ターゲット生成器７１Ｋにおける主に第１〜第３ヒータ７５１Ｊ，７５５Ｊ，７５９Ｋが加熱した部分付近の温度を検出して、当該温度に対応する信号を第１〜第３温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，７６２Ｋにそれぞれ送信してもよい。第１〜第３温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，７６２Ｋは、第１〜第３温度センサ７５３Ｊ，７５７Ｊ，７６１Ｋから受信した信号をターゲット制御装置８０Ｋに送信してもよい。
また、第４ヒータ９２１Ｋは、析出物９０１Ｇの析出量が多くなるように、精製用タンク９１Ｃ内のターゲット物質２７０を加熱してもよい。第４温度センサ９２３Ｋは、ターゲット物質２７０の温度を検出して、当該温度に対応する信号を第４温度コントローラ９２４Ｋに送信してもよい。第４温度コントローラ９２４Ｋは、第４温度センサ９２３Ｋから受信した信号をターゲット制御装置８０Ｋに送信してもよい。

この後、ターゲット制御装置８０Ｋは、第１〜第４温度コントローラ７５４Ｊ，７５８Ｊ，７６２Ｋ，９２４Ｋから受信した信号に基づいて、以下の式（６）〜（９）の条件を全て満たすか否かを判定してもよい（ステップＳ６４）。
ΔＴｒ１１≧｜Ｔ１１ｔ−Ｔ１｜ … （６）
ΔＴｒ１２≧｜Ｔ１２ｔ−Ｔ２｜ … （７）
ΔＴｒ１３≧｜Ｔ１３ｔ−Ｔ３｜ … （８）
ΔＴｒ１４≧｜Ｔ１４ｔ−Ｔ４｜ … （９）
Ｔ１：第１温度センサ７５３Ｊが検出した温度
Ｔ２：第２温度センサ７５７Ｊが検出した温度
Ｔ３：第３温度センサ７６１Ｊが検出した温度
Ｔ４：第４温度センサ９２３Ｋが検出した温度
ΔＴｒ１１，ΔＴｒ１２，ΔＴｒ１３，ΔＴｒ１４：各ヒータが制御された結果の温度の許容誤差範囲

ここで、許容誤差範囲ΔＴｒ１１〜ΔＴｒ１４は、例えば、１℃以上３℃以下の範囲内のいずれかの温度範囲であってもよい。また、許容誤差範囲ΔＴｒ１１〜ΔＴｒ１４は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ６４において、式（６）〜（９）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ６４の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ６４において、式（６）〜（９）の条件を全て満たすと判定した場合、第２排気装置９６Ｋに排気駆動信号を送信してもよい（ステップＳ６５）。
ステップＳ６４において、上記条件を全て満たすと判定された場合、精製用タンク９１Ｃ内のターゲット物質２７０は、溶融して液体となり得る。また、ターゲット生成器７１Ｋ内にターゲット物質２７２が収容されている場合、ターゲット物質２７２は、軸方向に温度分布が与えられた状態で液体となり得る。
排気駆動信号を受信した第２排気装置９６Ｋは、気体空間９１８Ｃを真空に近い低圧に排気してもよい。気体空間９１８Ｃが真空に近い低圧に排気されると、気体空間９１８Ｃの酸素分圧がターゲット物質２７０の酸素分圧よりも低くなり、ターゲット物質２７０中の酸素原子は、第２排気装置９６Ｋによって気体空間９１８Ｃを介して排出され得る。以上の処理によって、ターゲット物質２７０中の酸素原子が減少し得る。

次に、ターゲット制御装置８０Ｋは、図１８Ｂに示すように、第２タイマ８２Ｋをセットして時間Ｒ１２の計時を開始してもよい（ステップＳ６６）。その後、第２タイマ８２Ｋの計測時間Ｒ１２が設定時間Ｋ１２を経過したか否かを判定してもよい（ステップＳ６７）。設定時間Ｋ１２は、図示しないメモリー等に保持され、必要に応じて随時読み出すことができてもよい。設定時間Ｋ１２は、温度Ｔ１４ｔで溶解できない酸素原子の所望量が、析出物９０１Ｇとして析出し得る長さに設定されてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ６７において、設定時間Ｋ１２を経過していないと判定した場合、ステップＳ６７の処理を再度行い、設定時間Ｋ１２を経過したと判定した場合、第２タイマ８２Ｋをリセットしてもよい（ステップＳ６８）。
以上の処理によって、温度Ｔ１４ｔで溶解できない酸素原子のほぼ全てが、析出物９０１Ｇとして析出し得る。

次に、ターゲット制御装置８０Ｋは、ドライバ９５４Ｇを介して１軸ステージ９５１Ｇに除去開始信号を送信してもよい（ステップＳ６９）。この除去開始信号によって、ドライバ９５４Ｇは、メッシュフィルタ９５３Ｇをターゲット物質２７０内から気体空間９１８Ｃに上昇させ得る。このメッシュフィルタ９５３Ｇの上昇中に、析出物９０１Ｇがメッシュフィルタ９５３Ｇで除去され、ターゲット物質２７０の酸素原子が低減し得る。ターゲット制御装置８０Ｋは、第２排気装置９６Ｋに排気停止信号を送信して、気体空間９１８Ｃの排気を終了してもよい（ステップＳ７０）。

ターゲット制御装置８０Ｋは、第１排気装置７８Ｋに排気駆動信号を送信して、ターゲット生成器７１Ｋ内を排気してもよい（ステップＳ７１）。ターゲット制御装置８０Ｋは、バルブ９９２Ｋを開いて（ステップＳ７２）、図１８Ｃに示すように、第３タイマ８３Ｋをセットしてもよい（ステップＳ７３）。
ターゲット制御装置８０Ｋは、第３タイマ８３Ｋの計測時間Ｒ１３が設定時間Ｋ１３を経過したか否かを判定してもよい（ステップＳ７４）。設定時間Ｋ１３は、図示しないメモリー等に保持され、必要に応じて随時読み出すことができてもよい。設定時間Ｋ１３は、精製用タンク９１Ｃ内の所定量のターゲット物質２７０をターゲット生成器７１Ｋ内に供給可能な長さに設定されてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ７４において、設定時間Ｋ１３を経過していないと判定した場合、ステップＳ７４の処理を再度行い、設定時間Ｋ１３を経過したと判定した場合、第３タイマ８３Ｋをリセットしてもよい（ステップＳ７５）。
以上の処理によって、酸素原子が低減されたターゲット物質２７０がターゲット生成器７１Ｋ内に供給され得る。

ターゲット制御装置８０Ｋは、バルブ９９２Ｋを閉じて（ステップＳ７６）、第１排気装置７８Ｋに排気停止信号を送信してもよい（ステップＳ７７）。
そして、ターゲット制御装置８０Ｋは、上記式（６）〜（８）の条件を全て満たすか否かを判定してもよい（ステップＳ７８）。このステップＳ７８において、ターゲット制御装置８０Ｋは、上記条件を満たしていないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ７８の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ７８において、上記条件を満たすと判定した場合、ターゲット原料精製サブルーチンに基づく処理を終了してもよい。

ここで、ステップＳ６４において、軸方向の温度分布が与えられるようにターゲット生成器７１Ｋを加熱するが、ステップＳ７４，Ｓ７５においてターゲット物質２７０がターゲット生成器７１Ｋ内に供給されることで、ターゲット生成器７１Ｋの温度が下がり得る。ステップＳ７８の処理を行うことで、ターゲット生成器７１Ｋ内のターゲット物質２７２には、軸方向の温度分布が与えられ得る。

この後、ターゲット制御装置８０Ｋは、図１７に示すように、ターゲット物質出力サブルーチンに基づく処理を行ってもよい（ステップＳ３）。ターゲット物質出力サブルーチンは図１４に示すものと同様であってよい。ステップＳ３の処理によって、ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ５１で酸素原子を低減したターゲット物質２７２を用いてＥＵＶ光を生成し得る。

ステップＳ３の処理を終えると、ターゲット制御装置８０Ｋは、精製用タンク９１Ｃ内にターゲット物質２７０が残っているか否かを判定してもよい（ステップＳ５２）。ターゲット物質２７０が残っているか否かの判定は、例えばドロップレット２７１が出力された時間に基づいて行われてもよい。このステップＳ５２において、ターゲット制御装置８０Ｋは、ターゲット物質２７０が残っていないと判定した場合、ＥＵＶ光の生成処理を終了してもよい。一方、ターゲット制御装置８０Ｋは、ターゲット物質２７０が残っていると判定した場合、ターゲット原料精製開始判定サブルーチンに基づく処理を行ってもよい（ステップＳ５３）。このステップＳ５３の処理によって、次に行う処理が判定され得る。

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ５３の処理として、図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃに示す処理のうち少なくとも１つの処理を行ってもよい。
図１９Ａに示す処理では、ターゲット制御装置８０Ｋは、第１タイマ８１Ｋによる計測時間Ｒ１１が設定時間Ｋ１１を経過したか否かを判定してもよい（ステップＳ８１）。計測時間Ｒ１１の計測は、例えば、ステップＳ５１のターゲット原料精製サブルーチンに基づく処理を開始するタイミングと同じであってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ８１において、設定時間Ｋ１１を経過したと判定した場合、次にターゲット原料精製サブルーチンを行うと判定してもよい（ステップＳ８２）。一方、ターゲット制御装置８０Ｋは、設定時間Ｋ１１を経過していないと判定した場合、ステップＳ４３の処理を行ってもよい。
つまり、ターゲット制御装置８０Ｋは、設定時間Ｋ１１の周期でターゲット原料精製サブルーチンを行ってもよい。

また、図１９Ｂに示す処理では、ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ４４の処理によりノズル孔７７６Ｊが詰まったか否かを判定してもよい。ノズル孔７７６Ｊが詰まったか否かの判定は、図１５Ｂで説明したものと同様であってよい。ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ４４において、ノズル孔７７６Ｊが詰まったと判定した場合、次にターゲット原料精製サブルーチンを行うと判定し（ステップＳ８５）、ノズル孔７７６Ｊが詰まっていないと判定した場合、ステップＳ４６の処理を行ってもよい。

また、図１９Ｃに示す処理では、ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ４７の処理によりドロップレット２７１の位置安定性が許容範囲を超えたか否かを判定してもよい。ドロップレット２７１の位置安定性の検出は、図１５Ｃで説明したものと同様であってよい。ターゲット制御装置８０Ｋは、ステップＳ４７において、ドロップレット２７１の位置安定性が許容範囲を超えたと判定した場合、次にターゲット原料精製を行うと判定し（ステップＳ８８）、ドロップレット２７１の位置安定性が許容範囲を超えていないと判定した場合、ステップＳ４９の処理を行ってもよい。

そして、ターゲット制御装置８０Ｋは、図１７に示すように、ステップＳ５３での判定結果に基づいて、ターゲット原料精製サブルーチンを行うか否かを判定してもよい（ステップＳ５４）。このステップＳ５４において、ターゲット制御装置８０Ｋは、ターゲット原料精製サブルーチンを行うと判定した場合、ステップＳ５１の処理を行い、ターゲット物質出力サブルーチンを行うと判定した場合、ステップＳ３の処理を行ってもよい。

上述のように、ターゲット供給装置７Ｋは、ターゲット物質精製装置９Ｋと、酸素原子が除去されたターゲット物質２７０をターゲット生成器７１Ｋに移送するための移送部９９Ｋと、ターゲット生成器７１Ｋ内のターゲット物質２７２の温度を精製用タンク９１Ｃ内のターゲット物質２７０内の温度よりも高くするためのターゲット制御装置８０Ｋとを備えてもよい。
これにより、ターゲット供給装置７Ｋは、ターゲット物質精製装置９Ｋに収容する固体のターゲット物質に酸素原子が多く含まれる場合でも、ターゲット物質２７２の酸化物の析出を抑制することが可能となり、第７実施形態と同様の効果を奏し得る。
特に、精製用タンク９１Ｃにおいて、低い温度でターゲット物質２７０を加熱することで、高い温度で加熱する場合と比べて、多くの酸素原子を析出物９０１Ｇとして除去し得る。そして、ターゲット生成器７１Ｋにおいて、高い温度で加熱することで、低い温度と加熱する場合と比べて、多くの酸素原子がターゲット物質２７２に溶解し得る。このため、ターゲット物質２７２の酸化物の析出を抑制し得る。

また、ターゲット供給装置７Ｋは、設定時間Ｋ１１の周期でターゲット原料精製サブルーチンを行ってもよい。
このように、ターゲット供給装置７Ｋは、ターゲット物質２７０中の酸素原子の低減処理を定期的に行うことで、７７６Ｋに酸化物が析出することを適切に抑制し得る。

さらに、ターゲット供給装置７Ｋは、ノズル孔７７６Ｊが詰まったと判定した場合に、あるいは、ドロップレット２７１の位置安定性が許容範囲を超えたと判定した場合に、ターゲット原料精製サブルーチンを行ってもよい。
ターゲット供給装置７Ｋは、ターゲット物質２７０の出力状態に基づいてターゲット物質２７０中の酸素原子の低減処理を行うことで、必要なタイミングのみにおいて、酸素原子の低減処理を行い得る。

なお、ターゲット物質精製装置９Ｋとしては、第５実施形態のターゲット物質精製装置９Ｇと同様のものに限らず、第１，第２，第３，第４，第６実施形態のターゲット物質精製装置９Ｃ，９Ｄ，９Ｅ，９Ｆ，９Ｈと同様のものを適用してもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

９Ｃ，９Ｄ，９Ｅ，９Ｆ，９Ｇ，９Ｈ，９Ｊ，９Ｋ…ターゲット物質精製装置、９１Ｃ…精製用タンク、７１Ｊ，７１Ｋ…ターゲット生成器、７５Ｋ…生成器用加熱部としての温度調節部、７７Ｊ，７１２Ｋ…ノズル、８０Ｋ…ターゲット供給用制御部としてのターゲット制御装置、９２Ｃ，９２Ｊ…加熱部、９２Ｇ，９２Ｋ…析出部としての加熱部、９３Ｃ，９３Ｄ，９３Ｅ，９３Ｇ，９３Ｆ，９３Ｊ，９３Ｋ…酸素原子除去部、９５Ｃ，９５Ｊ…還元部、９５Ｄ…還元部としてのグラファイト、９５Ｅ…不活性ガス供給部として機能しうる酸素分圧調節部としての無酸素ガス供給部、９５Ｇ…酸化物除去部、９６Ｃ…排気部としてのポンプ、９６Ｆ…酸素分圧調節部および排気部としてのターボ分子ポンプ、９６Ｋ…酸素分圧調節部および排気部としての第２排気装置、９９Ｋ…移送部。

Claims (11)

1. ＥＵＶ光の生成に用いられるターゲット物質を精製するターゲット物質精製装置において、
   ターゲット物質を収容するための精製用タンクと、
   前記精製用タンク内を加熱するための加熱部と、
   前記ターゲット物質中に存在する酸素原子を除去するための酸素原子除去部とを備えるターゲット物質精製装置。
2. 請求項１に記載のターゲット物質精製装置において、
   前記酸素原子除去部は、
   前記酸素原子を還元するための還元部と、
   前記精製用タンク内を排気するための排気部とを備えるターゲット物質精製装置。
3. 請求項１に記載のターゲット物質精製装置において、
   前記酸素原子除去部は、
   前記精製用タンク内の酸素分圧を前記ターゲット物質の酸素分圧よりも低くするための酸素分圧調節部と、
   前記精製用タンク内を排気するための排気部とを備えるターゲット物質精製装置。
4. 請求項３に記載のターゲット物質精製装置において、
   前記酸素分圧調節部は、無酸素ガスを前記精製用タンク内に供給するための無酸素ガス供給部であるターゲット物質精製装置。
5. 請求項３に記載のターゲット物質精製装置において、
   前記酸素分圧調節部は、前記精製用タンク内を真空になるように排気するための前記排気部で構成されるターゲット物質精製装置。
6. 請求項１に記載のターゲット物質精製装置において、
   前記酸素原子除去部は、
   前記ターゲット物質内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給部と、
   前記精製用タンク内を排気するための排気部とを備えるターゲット物質精製装置。
7. 請求項１に記載のターゲット物質精製装置において、
   前記酸素原子除去部は、
   前記酸素原子と他の元素との酸化物を析出させるための析出部と、
   前記酸化物を除去するための酸化物除去部とを備えるターゲット物質精製装置。
8. 請求項７に記載のターゲット物質精製装置において、
   前記析出部は、前記ターゲット物質の溶融温度を制御して、前記酸素原子と前記ターゲット物質との酸化物を析出させるための前記加熱部であるターゲット物質精製装置。
9. 請求項２に記載のターゲット物質精製装置において、
   前記還元部は、
   前記酸素原子と酸化物を生成するゲッタリング物質を含むターゲット物質精製装置。
10. 請求項３に記載のターゲット物質精製装置と、
    貫通孔を備えたノズルであって、当該貫通孔と前記ターゲット物質精製装置の前記精製用タンク内とが連通するように設置されたノズルとを備えるターゲット供給装置。
11. 請求項８に記載のターゲット物質精製装置と、
    ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのターゲット生成器と、
    前記ターゲット生成器内の前記ターゲット物質を加熱して溶融するための生成器用加熱部と、
    前記ターゲット物質精製装置の前記精製用タンク内の前記ターゲット物質を前記ターゲット生成器に移送するための移送部と、
    前記ターゲット生成器内の前記ターゲット物質の温度を、前記精製用タンク内の前記ターゲット物質の温度よりも高くするためのターゲット供給用制御部とを備えるターゲット供給装置。

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