JP6676127B2 - ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、ターゲット供給装置、ターゲット物質の精製方法、ターゲット物質の精製プログラム、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体、および、ターゲット生成器に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、４５ｎｍ〜７０ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０１０−１１８６５２号公報 特開２０１１−２１６８６０号公報 特開２０１３−１７９０２９号公報 特開２０１３−２０１１１８号公報 米国特許第７１２２８１６号明細書 米国特許第７４４９７０３号明細書

概要

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、金属のターゲット物質を収容するタンクと、前記タンクから前記ターゲット物質を出力するノズル孔を有するノズルと、前記タンク内の前記ターゲット物質を前記ノズル孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させる温度可変装置と、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させることにより前記ターゲット物質中の固溶酸素を金属酸化物として析出させるように、前記温度可変装置を制御する制御部とを備えてもよい。

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、金属のターゲット物質を収容するタンクと、前記タンクから前記ターゲット物質を出力するノズル孔を有するノズルと、前記タンク内の前記ターゲット物質を前記ノズル孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させる温度可変装置と、前記フィルタと前記ノズル孔との間に前記ターゲット物質が収容されていない状態で、前記タンク内のターゲット物質の温度を、前記ターゲット物質の融点よりも高い第１の温度と、前記第１の温度よりも低い第２の温度との間で少なくとも１回変化させるように前記温度可変装置を制御する制御部とを備えてもよい。

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、金属のターゲット物質を収容するタンクと、前記タンクから前記ターゲット物質を出力するノズル孔を有するノズルと、前記タンク内の前記ターゲット物質を前記ノズル孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させる温度可変装置と、前記タンク内を排気する排気部と、前記タンク内を大気圧より低圧になるように前記排気部を制御した状態で、前記タンク内のターゲット物質の温度を、前記ターゲット物質の融点よりも高い第１の温度と、前記第１の温度よりも低い第２の温度との間で少なくとも１回変化させるように前記温度可変装置を制御する制御部とを備えてもよい。

本開示の一態様によるターゲット物質の精製方法は、金属のターゲット物質を収容するタンク、前記タンクから前記ターゲット物質を出力するノズル孔を有するノズル、および、前記タンク内の前記ターゲット物質を前記ノズル孔に導くための連通部に配置されたフィルタを備えるターゲット生成器と、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させる温度可変装置とを用い、前記温度可変装置により前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させることで、前記ターゲット物質中の酸素を金属酸化物として析出させる工程と、前記析出させた前記金属酸化物を含む液体の前記ターゲット物質を、前記フィルタによって濾過する工程とを含んでもよい。

本開示の一態様によるターゲット物質の精製プログラムは、上述のターゲット物質の精製方法における前記温度可変装置の制御を、コンピュータに実行させてもよい。

本開示の一態様によるターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体は、上述のターゲット物質の精製プログラムがコンピュータにて読み取り可能に記録されてもよい。

本開示の一態様によるターゲット生成器は、上述のターゲット物質の精製方法で精製されて凝固したターゲット物質が充填されてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図３は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図４は、スズに対する酸素原子の溶解度を示すグラフである。 図５は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じ得る現象を概略的に示す。 図６は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じ得る現象を概略的に示し、図５に続く状態を示す。 図７は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じ得る現象を概略的に示し、図６に続く状態を示す。 図８は、ターゲット物質の精製方法を示すフローチャートである。 図９は、ターゲット精製方法を示すタイミングチャートである。 図１０は、金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。 図１１は、金属酸化物の析出処理が終了した状態を概略的に示す。 図１２は、ターゲット物質の精製方法に基づく処理が終了した状態を概略的に示す。 図１３は、第１実施形態の変形例に係る金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。 図１４は、ターゲット精製方法を示すタイミングチャートである。 図１５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１６は、第２実施形態に係るターゲット物質の精製方法を示すフローチャートである。 図１７は、金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。 図１８は、ターゲット物質の凝固確認処理を示すフローチャートである。 図１９は、ターゲット物質の融解確認処理を示すフローチャートである。 図２０は、第２実施形態の変形例に係るターゲット物質の凝固確認処理を示すフローチャートである。 図２１は、ターゲット物質の凝固確認方法を示す説明図である。 図２２は、ターゲット物質の融解確認処理を示すフローチャートである。 図２３は、ターゲット物質の融解確認方法を示す説明図である。 図２４は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図２５は、第３実施形態に係る金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。 図２６は、ターゲット精製方法を示すタイミングチャートである。 図２７は、第１領域の温度制御処理を示すフローチャートである。 図２８は、第２領域の温度制御処理を示すフローチャートである。 図２９は、第３領域の温度制御処理を示すフローチャートである。 図３０は、第４領域の温度制御処理を示すフローチャートである。 図３１は、インゴットが第１領域、第２領域、第３領域、第４領域の順序で融解したときに生じ得る現象を概略的に示す。 図３２は、第３実施形態の変形例に係る金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。 図３３は、ターゲット精製方法を示すタイミングチャートである。 図３４は、第３，第４領域の温度制御処理を示すフローチャートである。 図３５は、第４実施形態に係るターゲット供給タンクおよびターゲット収容タンクを含むターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図３６は、コントローラの概略構成を示すブロック図である。

実施形態

内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１ 用語の説明
３．２ 第１実施形態
３．２．１ 概略
３．２．２ 構成
３．２．３ スズに対する酸素原子の溶解度
３．２．４ 動作
３．２．５ 第１実施形態の変形例
３．２．５．１ 動作
３．３ 第２実施形態
３．３．１ 構成
３．３．２ 動作
３．３．３ 第２実施形態の変形例
３．３．３．１ 構成
３．３．３．２ 動作
３．４ 第３実施形態
３．４．１ 構成
３．４．２ 動作
３．４．３ 第３実施形態の変形例
３．４．３．１ 動作
４．ターゲット供給タンクおよびターゲット収容タンクを含むターゲット供給装置
４．１ 第４実施形態
４．１．１ 構成
４．１．２ 動作
５．コントローラ
５．１ 構成
５．２ 動作
６．他の変形例
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。また、図１以外の図面を用いて説明する実施形態において、図１に示す構成要素のうち、本開示の説明に必須でない構成については、図示を省略する場合がある。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、金属のターゲット物質を収容するタンクと、前記タンクから前記ターゲット物質を出力するノズル孔を有するノズルと、前記タンク内の前記ターゲット物質を前記ノズル孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させる温度可変装置と、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させることにより前記ターゲット物質中の固溶酸素を金属酸化物として析出させるように、前記温度可変装置を制御する制御部とを備えてもよい。

本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、金属のターゲット物質を収容するタンクと、前記タンクから前記ターゲット物質を出力するノズル孔を有するノズルと、前記タンク内の前記ターゲット物質を前記ノズル孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させる温度可変装置と、前記フィルタと前記ノズル孔との間に前記ターゲット物質が収容されていない状態で、前記タンク内のターゲット物質の温度を、前記ターゲット物質の融点よりも高い第１の温度と、前記第１の温度よりも低い第２の温度との間で少なくとも１回変化させるように前記温度可変装置を制御する制御部とを備えてもよい。

本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、金属のターゲット物質を収容するタンクと、前記タンクから前記ターゲット物質を出力するノズル孔を有するノズルと、前記タンク内の前記ターゲット物質を前記ノズル孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させる温度可変装置と、前記タンク内を排気する排気部と、前記タンク内を大気圧より低圧になるように前記排気部を制御した状態で、前記タンク内のターゲット物質の温度を、前記ターゲット物質の融点よりも高い第１の温度と、前記第１の温度よりも低い第２の温度との間で少なくとも１回変化させるように前記温度可変装置を制御する制御部とを備えてもよい。

本開示の実施形態においては、ターゲット物質の精製方法は、金属のターゲット物質を収容するタンク、前記タンクから前記ターゲット物質を出力するノズル孔を有するノズル、および、前記タンク内の前記ターゲット物質を前記ノズル孔に導くための連通部に配置されたフィルタを備えるターゲット生成器と、前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させる温度可変装置とを用い、前記温度可変装置により前記タンク内の前記ターゲット物質の温度を変化させることで、前記ターゲット物質中の固溶酸素を金属酸化物として析出させる工程と、前記析出させた前記金属酸化物を含む液体の前記ターゲット物質を、前記フィルタによって濾過する工程とを含んでもよい。

本開示の実施形態においては、ターゲット物質の精製プログラムは、上述のターゲット物質の精製方法における前記温度可変装置の制御を、コンピュータに実行させてもよい。

本開示の実施形態においては、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体は、上述のターゲット物質の精製プログラムがコンピュータにて読み取り可能に記録されてもよい。

本開示の実施形態においては、ターゲット生成器は、上述のターゲット物質の精製方法で精製されて凝固したターゲット物質が充填されてもよい。

２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置７を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置７は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１および第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットとしてのドロップレット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給装置７は、ドロップレット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７が出力されるタイミング、ドロップレット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１ 用語の説明
以下、図面を用いた説明において、方向に関する用語は各図に示したＸＹＺ軸を基準として説明する場合がある。なお、これらの表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。ターゲット物質２７０がスズの場合、スズの酸化物を、「金属酸化物」と表現する場合があり得る。また、スズ中に固溶されていたり、金属中に過飽和の状態で溶け込んでいる酸素を単に「酸素」と表現する場合がある。ターゲット物質２７０に印加する圧力であって、当該ターゲット物質２７０をフィルタ８３１Ａ（図３参照）内、フィルタ８８４Ｄ（図３５参照）内に浸入させることができる最小の圧力を、「浸入圧力」と表現する場合があり得る。ターゲット物質２７０に印加する圧力であって、当該ターゲット物質２７０をノズル８６Ａ（図３参照）から所定の速度で出力させることができる最小の圧力を、「出力圧力」と表現する場合があり得る。ターゲット物質の精製方法に基づく処理を、「ターゲット物質の精製処理」と表現する場合があり得る。ターゲット物質２７０の融点以上の温度であって、当該ターゲット物質２７０をターゲット供給装置７Ａから出力させることができる温度を、「出力温度」と表現する場合がある。図面において、本開示のタンクであるターゲット収容タンク８４Ａまたはターゲット供給タンク８７Ｄ（図３５参照）を、「タンク」と表現する場合がある。

３．２ 第１実施形態
３．２．１ 概略
本開示の第１実施形態のターゲット供給装置において、制御部は、タンク内のターゲット物質の温度を、ターゲット物質の融点よりも高い第１の温度と、第１の温度よりも低い第２の温度との間で少なくとも１回変化させるように温度可変装置を制御してもよい。

本開示の第１実施形態のターゲット物質の精製方法において、ターゲット物質中の固溶酸素を金属酸化物として析出させる工程は、タンク内のターゲット物質の温度を、ターゲット物質の融点よりも高い第１の温度と、第１の温度よりも低い第２の温度との間で少なくとも１回変化させるように温度可変装置を制御する工程を含んでもよい。

本開示の第１実施形態のターゲット供給装置またはターゲット物質の精製方法において、第２の温度は、ターゲット物質の融点より低い温度であってもよい。

３．２．２ 構成
図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。

ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、制御部としてのターゲット制御装置７１Ａとを備えてもよい。ターゲット制御装置７１Ａには、レーザ装置３と、ターゲットセンサ４と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとが電気的に接続されてもよい。

ターゲット生成部７０Ａは、図２および図３に示すように、ターゲット生成器８Ａと、圧力調節器７５Ａと、排気部７７Ａと、温度可変装置７８Ａと、ピエゾ部７９Ａとを備えてもよい。

ターゲット生成器８Ａは、生成器本体８０Ａと、蓋部８１Ａと、ノズル先端部８２Ａと、フィルタ部８３Ａとを備えてもよい。

生成器本体８０Ａは、＋Ｚ方向側の第１面に壁面を備える略円筒状に形成されたターゲット収容タンク８４Ａを備えてもよい。ターゲット収容タンク８４Ａは、本開示のタンクであってもよい。ターゲット収容タンク８４Ａの中空部は、ターゲット物質２７０を収容する収容空間８４０Ａであってもよい。

ターゲット収容タンク８４Ａには、ノズル本体８５Ａが設けられてもよい。ノズル本体８５Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの第１面の中央から＋Ｚ方向に延びる略円筒状に形成されてもよい。ノズル本体８５Ａの中空部は、収容空間８４０Ａ内のターゲット物質２７０がノズル先端部８２Ａに送られるための貫通孔８５０Ａであってもよい。

蓋部８１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの−Ｚ方向側の第２面を閉塞する略円板状に形成されてもよい。蓋部８１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの第２面に密着するように設けられてもよい。

ノズル先端部８２Ａは、略円板状に形成されてもよい。ノズル先端部８２Ａの外径は、ノズル本体８５Ａの外径と略等しくてもよい。ノズル先端部８２Ａは、ノズル本体８５Ａの＋Ｚ方向側の端部に密着するように設けられてもよい。ノズル先端部８２Ａの中央には、円錐台状の突出部８２０Ａが設けられてもよい。ノズル先端部８２Ａの中央には、上下方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔８２１Ａが設けられてもよい。貫通孔８２１Ａは、貫通孔８５０Ａに連通してもよい。貫通孔８２１Ａは、＋Ｚ方向に向かうにしたがって径寸法が小さくなる形状であってもよい。貫通孔８２１Ａの＋Ｚ方向側の端部は、ノズル孔８２２Ａであってもよい。ノズル孔８２２Ａの直径は、１μｍ〜１５μｍであってもよい。貫通孔８５０Ａおよび貫通孔８２１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０を、ノズル孔８２２Ａに導くための連通部８６０Ａを構成してもよい。

ノズル本体８５Ａおよびノズル先端部８２Ａは、連通部８６０Ａと収容空間８４０Ａとが連通するように設けられたノズル８６Ａを構成してもよい。ノズル８６Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの第１面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。

ノズル先端部８２Ａは、ノズル先端部８２Ａとターゲット物質２７０との接触角が９０°以上の材料で構成されるのが好ましい。あるいは、ノズル先端部８２Ａの少なくとも表面が、当該接触角が９０°以上の材料でコーティングされてもよい。例えばターゲット物質２７０がスズの場合、接触角が９０°以上の材料は、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、モリブデン、タングステンであってもよい。

フィルタ部８３Ａは、フィルタ８３１Ａと、ホルダ８３２Ａとを備えてもよい。

フィルタ８３１Ａは、ノズル８６Ａの連通部８６０Ａに配置されてもよい。フィルタ８３１Ａは、第１フィルタを備えてもよい。第１フィルタは、金属酸化物を捕集するために、多孔質の材料で作られてもよい。第１フィルタには、口径が３μｍ〜１０μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。複数の貫通細孔は、様々な方向に屈曲して、第１フィルタを貫通してもよい。

第１フィルタは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で形成されてもよい。第１フィルタを構成する材料の線熱膨張係数とターゲット生成器８Ａを構成する材料の線熱膨張係数との差は、ターゲット生成器８Ａを構成する材料の線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。

ターゲット生成器８Ａがモリブデンまたはタングステンにより形成されている場合、第１フィルタの材料は、例えば、ＳＰＧテクノ株式会社より提供されるシラス多孔質ガラス（ＳＰＧ）であってもよい。ＳＰＧは火山灰シラスを原料とする多孔質ガラスであってもよい。

フィルタ８３１Ａは、第１フィルタのノズル孔８２２Ａ側に設けられた第２フィルタを、さらに備えてもよい。第２フィルタは、複数の毛細管を束ねることで板状に形成されてもよい。毛細管の貫通孔は、上下方向（Ｚ軸方向）に貫通してもよい。毛細管の口径は、０．１μｍ〜２μｍであってもよい。

第２フィルタは、液体のターゲット物質２７０と反応して、固体の反応生成物を生成するガラスで形成されてもよい。第２フィルタの毛細管を構成するガラスは、低融点であってもよい。毛細管を低融点のガラスで構成することにより、毛細管を高融点の石英ガラスで構成する場合と比べて、口径が小さい毛細管を形成することが可能となり得る。低融点のガラスは、鉛を含んでもよい。

ターゲット物質２７０がスズの場合、第２フィルタを低融点のガラスで形成すると、低融点のガラスの鉛とスズとが還元反応し、固体の鉛が析出し得る。低融点のガラスから固体の鉛が析出すると、残りのガラス構造が損傷し、固体のＳｉＯ_２が生成され得る。

その結果、第２フィルタを構成する低融点のガラスと、ターゲット物質２７０であるスズとが反応すると、ＳｎＯ、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２等のパーティクルが生成され得る。

このパーティクルが生成されることを抑制するために、毛細管の貫通孔の内表面には、コーティング膜が設けられてもよい。コーティング膜は、液体のターゲット物質２７０と反応し難い材料をコーティングすることにより形成されてもよい。

なお、フィルタ８３１Ａは、第１フィルタおよび第２フィルタのうち一方のみを備えてもよい。

ホルダ８３２Ａは、筒状に形成されてもよい。ターゲット物質２７０がスズの場合、ホルダ８３２Ａは、スズとの反応性が低いモリブデンにより形成されてもよい。ホルダ８３２Ａは、連通部８６０Ａを塞ぐように、フィルタ８３１Ａを保持してもよい。フィルタ８３１Ａにより、連通部８６０Ａが、フィルタ８３１Ａよりターゲット収容タンク８４Ａ側の第１連通部８６１Ａと、フィルタ８３１Ａよりノズル孔８２２Ａ側の第２連通部８６２Ａとに分けられてもよい。

チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、ノズル孔８２２Ａの中心軸方向であってよく、以降、設定出力方向１０Ａと称する。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット２７が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。

ターゲット生成器８Ａの蓋部８１Ａには、配管７５４Ａが設けられてもよい。配管７５４Ａは、＋Ｚ方向側の端部が生成器本体８０Ａ内に位置するように設けられてもよい。配管７５４Ａの−Ｚ方向側の端部には、バルブＶ３を介して配管７５５Ａの一方の端部が接続されてもよい。配管７５５Ａの他方の端部は、圧力調節器７５Ａを介して不活性ガスボンベ７５１Ａに接続されてもよい。このような構成によって、不活性ガスボンベ７５１Ａ内の不活性ガスが、ターゲット生成器８Ａに供給され得る。

配管７５５Ａには、圧力調節器７５Ａが設けられてもよい。圧力調節器７５Ａは、第１バルブＶ１と、第２バルブＶ２と、圧力制御部７５２Ａと、圧力センサ７５３Ａとを備えてもよい。

第１バルブＶ１は、配管７５５Ａに設けられてもよい。

配管７５５Ａにおける第１バルブＶ１よりターゲット生成器８Ａ側には、配管７５６Ａが接続されてもよい。配管７５６Ａは、一方の端部が配管７５５Ａの側面に連結されてもよい。配管７５６Ａの他方の端部には、排気部７７Ａが設けられてもよい。

第２バルブＶ２は、配管７５６Ａの途中に設けられてもよい。

第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第１バルブＶ１と第２バルブＶ２とは、同じ種類のバルブであってもよいし、異なる種類のバルブであってもよい。

第１バルブＶ１および第２バルブＶ２には、圧力制御部７５２Ａが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、圧力制御部７５２Ａに第１バルブＶ１および第２バルブＶ２に関する信号を送信してもよい。第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、圧力制御部７５２Ａから送信される信号に基づいて、それぞれ独立して開閉を切り替えられてもよい。

第１バルブＶ１が開くと、不活性ガスボンベ７５１Ａ内の不活性ガスが、配管７５５Ａ，７５４Ａを介してターゲット生成器８Ａ内に供給され得る。第２バルブＶ２が閉じている場合、配管７５５Ａ，７５４Ａおよびターゲット生成器８Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７５６Ａの他方の端部から当該配管７５６Ａの外部に排出されることを防止し得る。このことにより、第１バルブＶ１が開くとともに、第２バルブＶ２が閉じると、ターゲット生成器８Ａ内の圧力を、不活性ガスボンベ７５１Ａが備えるレギュレータ等によって設定された圧力まで上げることができてもよい。その後、ターゲット生成器８Ａ内の圧力を、レギュレータ等によって設定された圧力で維持することができてもよい。

第１バルブＶ１が閉じると、不活性ガスボンベ７５１Ａ内の不活性ガスが、配管７５５Ａ，７５４Ａを介してターゲット生成器８Ａ内に供給されることを防止し得る。そして、第２バルブＶ２が開くとともに、排気部７７Ａが駆動すると、配管７５５Ａ，７５４Ａおよびターゲット生成器８Ａ内に存在する不活性ガスが排気され得る。これにより、第１バルブＶ１が閉じ、かつ、第２バルブＶ２が開くとともに、排気部７７Ａが駆動すると、ターゲット生成器８Ａ内の圧力を下げることができてもよい。

配管７５５Ａにおける配管７５６Ａよりターゲット生成器８Ａ側には、配管７５７Ａが連結されてもよい。配管７５７Ａは、一方の端部が配管７５５Ａの側面に接続されてもよい。配管７５７Ａの他方の端部には、圧力センサ７５３Ａが設けられてもよい。圧力センサ７５３Ａには、圧力制御部７５２Ａが電気的に接続されてもよい。圧力センサ７５３Ａは、配管７５７Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号を圧力制御部７５２Ａに送信してもよい。配管７５７Ａ内の圧力は、配管７５５Ａ内、配管７５４Ａ内およびターゲット生成器８Ａ内の圧力とほぼ同一の圧力となり得る。

配管７５４Ａ，７５５Ａ，７５６Ａ，７５７Ａは、例えばステンレス鋼で形成されてもよい。

排気部７７Ａは、ポンプであってもよい。排気部７７Ａは、ターゲット制御装置７１Ａに電気的に接続されてもよい。排気部７７Ａは、ターゲット制御装置７１Ａから送信される信号に基づいて、配管７５６Ａ内、配管７５５Ａ内、配管７５４Ａ内およびターゲット生成器８Ａ内を排気してもよい。

温度可変装置７８Ａは、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。温度可変装置７８Ａは、ヒータ７８１Ａと、ヒータ電源７８２Ａと、温度センサ７８３Ａと、温度コントローラ７８４Ａとを備えてもよい。ヒータ７８１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源７８２Ａは、温度コントローラ７８４Ａからの信号に基づいて、ヒータ７８１Ａに電力を供給してヒータ７８１Ａを発熱させてもよい。それにより、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０が、ターゲット収容タンク８４Ａを介して加熱され得る。

温度センサ７８３Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの外周面におけるノズル本体８５Ａ側に設けられてもよいし、ターゲット収容タンク８４Ａ内に設けられてもよい。温度センサ７８３Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａにおける温度センサ７８３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ７８４Ａに送信するよう構成されてもよい。温度センサ７８３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。

温度コントローラ７８４Ａは、温度センサ７８３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源７８２Ａに出力するよう構成されてもよい。

ピエゾ部７９Ａは、ピエゾ素子７９１Ａと、電源７９２Ａとを備えてもよい。ピエゾ素子７９１Ａは、チャンバ２内において、ノズル本体８５Ａの先端側の外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７９１Ａの代わりに、高速でノズル８６Ａに振動を加えることが可能な機構が設けられてもよい。電源７９２Ａは、フィードスルー７９３Ａを介してピエゾ素子７９１Ａに電気的に接続されてもよい。電源７９２Ａは、ターゲット制御装置７１Ａに電気的に接続されてもよい。

ターゲット生成部７０Ａは、コンティニュアスジェット方式でジェット２７Ａを生成し、ノズル８６Ａから出力したジェット２７Ａを振動させることで、ドロップレット２７を生成するよう構成されてもよい。

３．２．３ スズに対する酸素原子の溶解度
図４は、スズに対する酸素原子の溶解度を示すグラフである。

ターゲット生成器８Ａに収容されたターゲット物質２７０中には、酸素原子が溶解し得る。ターゲット物質２７０がスズの場合には、スズに対する酸素原子の溶解度は、図４に示すように、スズの温度が低くなるほど小さくなり得る。このため、第１融解温度まで加熱した後に凝固したスズを、第１融解温度よりも低い第２融解温度で再度融解した場合には、第１融解温度のスズに溶解可能な酸素原子の量から第２融解温度のスズに溶解可能な酸素原子の量を減じた量の酸素原子がスズに溶解できないこととなる。その結果、この溶解できない酸素原子がスズと結合して、金属酸化物としての酸化スズとして析出し得る。

３．２．４ 動作
図５は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じ得る現象を概略的に示す。図６は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じ得る現象を概略的に示し、図５に続く状態を示す。図７は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じ得る現象を概略的に示し、図６に続く状態を示す。図８は、ターゲット物質の精製方法を示すフローチャートである。図９は、ターゲット精製方法を示すタイミングチャートである。図１０は、金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。図１１は、金属酸化物の析出処理が終了した状態を概略的に示す。図１２は、ターゲット物質の精製方法に基づく処理が終了した状態を概略的に示す。

なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ａの動作を説明する。

まず、ターゲット制御装置以外は第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様の構成を有するターゲット供給装置において発生し得る現象を説明する。

作業者は、図５に示すように、ターゲット生成器８Ａのターゲット収容タンク８４Ａ内に、ターゲット物質２７０のインゴット２７５を収容してもよい。ターゲット生成器８Ａにおける連通部８６０Ａ内およびフィルタ８３１Ａ内には、インゴット２７５が存在しなくてもよい。

ターゲット制御装置は、温度コントローラ７８４Ａに信号を送信して、ターゲット生成器８Ａ内のインゴット２７５を当該インゴット２７５の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。これにより、インゴット２７５が溶融して、液体のターゲット物質２７０になり得る。ターゲット制御装置は、ピエゾ素子７９１Ａに所定の周波数の信号を送信してもよい。これにより、ピエゾ素子７９１Ａが、ジェット２７Ａからドロップレット２７を周期的に生成するように振動し得る。

ターゲット制御装置は、圧力制御部７５２Ａに信号を送信して、ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力を出力圧力Ｐ２に設定してもよい。これにより、不活性ガスボンベ７５１Ａ内の不活性ガスがターゲット収容タンク８４Ａ内に供給され、当該ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力が出力圧力Ｐ２に安定し得る。

ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力が上昇して侵入圧力を超えると、ターゲット収容タンク８４Ａ内の液体のターゲット物質２７０がフィルタ８３１Ａ内に侵入、通過して、図６に示すように、第２連通部８６２Ａに浸入し得る。

ここで、インゴット２７５は、材料メーカが製造し得る。材料メーカにおいて、高純度のインゴット２７５を製造する場合、インゴット２７５の精製プロセスの温度は、約４９０℃〜約６００℃となり得る。このため、図４に示す関係から、当該インゴット２７５中に約０．６ｐｐｍ（重量比）〜約５ｐｐｍ（重量比）の酸素が溶存し得る。

ターゲット物質２７０がスズの場合、ターゲット物質２７０の融点が２３２℃であり得る。ドロップレット２７を出力するために、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０は、約２４０℃〜約２９０℃の範囲で加熱され得る。この温度範囲のターゲット物質２７０における酸素の溶解度は、０．０００１ｐｐｍ（重量比）〜０．００１ｐｐｍ（重量比）となり得る。

したがって、理論上、インゴット２７５を約２４０℃〜約２９０℃の範囲で加熱して得られる液体のターゲット物質２７０には、溶解できない酸素が残存し得る。

しかし、インゴット２７５を約２４０℃〜約２９０℃の範囲で加熱すると、当該温度では溶解できない酸素もターゲット物質２７０に溶解し、ターゲット物質２７０が過飽和状態となり得る。

このため、図６に示すように、金属酸化物２７８（図７参照）の析出が抑制され、過飽和状態のターゲット物質２７０が第２連通部８６２Ａに浸入し得る。

ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力が出力圧力Ｐ２に到達すると、ノズル８６Ａからジェット２７Ａが出力され、ノズル８６Ａの振動に応じてドロップレット２７が生成され得る。

ドロップレット２７の生成を終了する際、ターゲット制御装置は、圧力制御部７５２Ａおよびピエゾ素子７９１Ａに信号を送信して、ターゲット生成器８Ａ内の圧力を大気圧まで下げるとともに、ピエゾ素子７９１Ａの振動を停止してもよい。これにより、ジェット２７Ａの出力が停止し、ドロップレット２７の生成が終了し得る。ターゲット制御装置は、温度コントローラ７８４Ａに信号を送信して、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０の温度を例えば常温まで下げてもよい。これにより、ターゲット収容タンク８４Ａ内、連通部８６０Ａ内およびフィルタ８３１Ａ内において、ターゲット物質２７０が凝固し得る。

ドロップレット２７の生成を再開する際、ターゲット制御装置は、凝固したターゲット物質２７０を、約２４０℃〜約２９０℃の範囲で加熱し得る。発明者らの知見によれば、このようにターゲット物質２７０を一旦凝固させて再加熱すると、金属酸化物２７８が析出し得る。図７に示すように、過飽和状態のターゲット物質２７０に溶存していた酸素がターゲット物質２７０と反応し、ターゲット収容タンク８４Ａ、第１，第２連通部８６１Ａ，８６２Ａに金属酸化物２７８が析出し得ると考えられる。第２連通部８６２Ａに析出した金属酸化物２７８は、ノズル孔８２２Ａを詰まらせたり、ノズル孔８２２Ａの径を小さくしたりすることがあり得る。

このような現象を抑制するために、ターゲット供給装置７Ａのターゲット制御装置７１Ａは、以下のような制御を行ってもよい。

作業者は、ターゲット生成器８Ａのターゲット収容タンク８４Ａ内にインゴット２７５を収容した後、蓋部８１Ａを閉めてシールしてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、図８に示すように、金属酸化物２７８の析出処理を実行するか否かを判断してもよい（ステップＳ１）。ステップＳ１の処理は、図９における時刻Ｒ０に行われてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａまたは外部装置から、析出処理の実行信号が入力されたか否かに基づいて、ステップＳ１の判断を行ってもよい。

ターゲット制御装置７１Ａは、ステップＳ１において、析出処理の実行信号が入力されていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ａは、ステップＳ１において、析出処理の実行信号が入力されたと判断した場合、ターゲット収容タンク８４Ａ内の空気を排気するように、圧力調節器７５Ａおよび排気部７７Ａを制御してもよい（ステップＳ２）。これにより、図９に示すように、ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力Ｐが圧力Ｐ０まで下がり得る。ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力Ｐが圧力Ｐ０の場合、ターゲット収容タンク８４Ａ内が大気圧より低圧の略真空の状態であってもよい。

ターゲット制御装置７１Ａは、金属酸化物２７８の析出処理を行ってもよい（ステップＳ３）。

ターゲット制御装置７１Ａは、ステップＳ３の処理において、図１０に示すように、昇温降温サイクル数Ｎを０に設定してもよい（ステップＳ１１）。ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＨとなるように、温度可変装置７８Ａを制御してもよい（ステップＳ１２）。ステップＳ１２の処理は、図９における時刻Ｒ１に行われてもよい。温度ＴＨは、ターゲット物質２７０の融点Ｔｍｐよりも高く、ターゲット収容タンク８４Ａとターゲット物質２７０との反応が抑制される温度であってもよい。温度ＴＨは、２８０℃〜３００℃の範囲の所定の温度、例えば２９０℃であってもよい。温度ＴＨは、本開示の第１の温度であってもよい。ターゲット収容タンク８４Ａの温度がターゲット物質２７０の融点Ｔｍｐより高くなると、インゴット２７５が融解して液体のターゲット物質２７０になり得る。ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力Ｐが侵入圧力を超えない圧力Ｐ０であるため、液体のターゲット物質２７０は、図１１に示すように、フィルタ８３１Ａ内に侵入、通過せずに、ターゲット収容タンク８４Ａ内および第１連通部８６１Ａ内のみに位置し得る。

温度可変装置７８Ａの温度コントローラ７８４Ａは、温度センサ７８３Ａからの信号を受信して、ターゲット制御装置７１Ａに送信してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、図１０に示すように、温度可変装置７８Ａからの信号に基づいて、温度Ｔが温度ＴＨ以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１３）。ターゲット制御装置７１Ａは、ステップＳ１３において、温度Ｔが温度ＴＨ以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１３の処理を行ってもよい。一方、ステップＳ１３において、ターゲット制御装置７１Ａは、温度Ｔが温度ＴＨ以上となったと判断した場合、時間Ｈ１の間、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＨで維持されるように温度可変装置７８Ａを制御してもよい（ステップＳ１４）。ステップＳ１４の処理は、図９における時刻Ｒ２から時刻Ｒ３の間に行われてもよい。時間Ｈ１は、例えば１時間〜１０時間であってもよい。さらに好ましくは時間Ｈ１は、例えば４時間〜８時間であってもよい。このとき、図６を用いて説明したように、温度ＴＨでは溶解できない酸素もターゲット物質２７０に溶解し、ターゲット物質２７０が過飽和状態となり得る。このため、金属酸化物２７８の析出が抑制され得る。

ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＬとなるように、温度可変装置７８Ａを制御してもよい（ステップＳ１５）。ステップＳ１５の処理は、図９における時刻Ｒ３に行われてもよい。温度ＴＬは、液体のターゲット物質２７０が凝固せずに金属酸化物２７８が析出する温度であってもよいし、凝固したターゲット物質２７０中に金属酸化物２７８が析出する温度であってもよい。温度ＴＬは、融点Ｔｍｐ以上の温度であって、その近傍の２３２℃〜２４０℃の範囲の所定の温度であってもよい。または、温度ＴＬは、融点Ｔｍｐ未満の温度であって、ターゲット物質２７０が凝固する２０℃〜２２０℃の範囲の所定の温度であってもよい。好ましくは、温度ＴＬは、３０℃〜６０℃の範囲の所定の温度であってもよい。ＴＬを融点Ｔｍｐ未満の温度にする場合、融点Ｔｍｐ以上にする場合と比べて、金属酸化物２７８が析出し易くなり得るので、より好ましい。温度ＴＬは、本開示の第２の温度であってもよい。また温度ＴＬは、融点Ｔｍｐ未満の温度であって、温度ＴＲと等しくてもよい。

ターゲット制御装置７１Ａは、温度可変装置７８Ａからの信号に基づいて、温度Ｔが温度ＴＬ以下となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１６）。ターゲット制御装置７１Ａは、ステップＳ１６において、温度Ｔが温度ＴＬ以下となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１６の処理を行ってもよい。一方、ステップＳ１６において、ターゲット制御装置７１Ａは、温度Ｔが温度ＴＬ以下となったと判断した場合、時間Ｈ２の間、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＬで維持されるように温度可変装置７８Ａを制御してもよい（ステップＳ１７）。ステップＳ１７の処理は、図９における時刻Ｒ４から時刻Ｒ５の間に行われてもよい。時間Ｈ２は、例えば１時間〜２０時間であってもよい。さらに好ましくは時間Ｈ２は、例えば６時間〜１３時間であってもよい。ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＬで維持されることにより、図１１に示すように、過飽和状態のターゲット物質２７０に溶解していた酸素であって、温度ＴＬでは溶解できない酸素が金属酸化物２７８として析出し得る。

ターゲット制御装置７１Ａは、図１０に示すように、昇温降温サイクル数Ｎに１を加えてもよい（ステップＳ１８）。ターゲット制御装置７１Ａは、昇温降温サイクル数Ｎが上限回数Ｎｍａｘ以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１９）。このステップＳ１９において、ターゲット制御装置７１Ａは、昇温降温サイクル数Ｎが上限回数Ｎｍａｘ以上となっていないと判断した場合、ステップＳ１２の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ａは、昇温降温サイクル数Ｎが上限回数Ｎｍａｘ以上となったと判断した場合、図８に戻り、ステップＳ４の処理を行ってもよい。上限回数Ｎｍａｘは、１回に設定されていてもよいし、２回以上３０回以下に設定されてもよい。さらに好ましくは、上限回数Ｎｍａｘは、３回以上１７回以下に設定されてもよい。

例えば上限回数Ｎｍａｘが２回に設定されている場合、図９における時刻Ｒ１，Ｒ５に、ステップＳ１２の処理が行われ得る。時刻Ｒ２から時刻Ｒ３の間、および、時刻Ｒ６から時刻Ｒ７の間に、ステップＳ１４の処理が行われ得る。時刻Ｒ３，Ｒ７に、ステップＳ１５の処理が行われ得る。時刻Ｒ４から時刻Ｒ５の間、および、時刻Ｒ８から時刻Ｒ９の間に、ステップＳ１７の処理が行われ得る。時刻Ｒ９に、金属酸化物２７８の析出処理が終了し得る。

この金属酸化物２７８の析出処理により、過飽和状態のターゲット物質２７０に溶解していた酸素であって、温度ＴＬでは溶解できない酸素が金属酸化物２７８として析出し得る。したがって、金属酸化物２７８の析出処理後のターゲット物質２７０は、過飽和状態でなくなり得る。すなわち、析出処理後のターゲット物質２７０には、温度ＴＬでは溶解できない酸素がなくなり得る。

ターゲット制御装置７１Ａは、図８に示すように、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが出力温度Ｔｏｐに維持されるように温度可変装置７８Ａを制御してもよい（ステップＳ４）。出力温度Ｔｏｐは、融点Ｔｍｐ以上温度ＴＨ以下の所定の温度であってもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力Ｐが浸入圧力Ｐ１となるように、圧力調節器７５Ａを制御してもよい（ステップＳ５）。ステップＳ５の処理は、図９における時刻Ｒ１０以降の時刻Ｒ１１に行われてもよい。浸入圧力Ｐ１は、例えば２ＭＰａであってもよい。このステップＳ５の処理により、金属酸化物２７８がフィルタ８３１Ａで捕集されるとともに、過飽和状態でないターゲット物質２７０がフィルタ８３１Ａを通過して、第２連通部８６２Ａに浸入し得る。図９における時刻Ｒ１２において、図１２に示すように、フィルタ８３１Ａを通過したターゲット物質２７０は、ノズル孔８２２Ａに到達し得る。

ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力Ｐが出力圧力Ｐ２となるように、圧力調節器７５Ａを制御してもよい（ステップＳ６）。ステップＳ６の処理は、図９における時刻Ｒ１２に行われてもよい。出力圧力Ｐ２は、例えば１０ＭＰａであってもよい。このステップＳ６の処理により、ターゲット物質２７０がジェット２７Ａとして出力し得る。

ターゲット制御装置７１Ａは、所定のドロップレット２７を生成するように、ピエゾ素子７９１Ａを制御してもよい（ステップＳ７）。以上により、ターゲット物質の精製処理が終了し得る。

ターゲット物質２７０の精製処理後、ＥＵＶ光生成システム１１は、ＥＵＶ光２５２を生成するための工程に移行してもよい。または、ターゲット物質２７０の精製処理後、ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔを常温ＴＲまで下げて、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０を凝固してもよい。または、ターゲット物質２７０の精製処理をＥＵＶ光生成装置１Ａではなく、当該精製処理のための専用装置で行う場合、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０を凝固した後、このターゲット生成器８Ａを移動して、ＥＵＶ光生成装置１Ａに取り付けてもよい。

第１実施形態によれば、ターゲット制御装置７１Ａは、金属酸化物２７８の析出処理として、以下の処理を行ってもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、過飽和状態のターゲット物質２７０に溶解していた酸素を予め金属酸化物２７８として析出するように、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔを制御してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、第２連通部８６２Ａにターゲット物質２７０が収容されていない状態で、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔを温度ＴＨと温度ＴＬとの間で少なくとも１回変化させてもよい。例えば、ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａ内を略真空にした状態で、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔを温度ＴＨと温度ＴＬとの間で少なくとも１回変化させてもよい。

ターゲット制御装置７１Ａは、上述の金属酸化物２７８の析出処理後、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０がフィルタ８３１Ａを通過するように、ターゲット収容タンク８４Ａの圧力を制御してもよい。

以上の処理により、金属酸化物２７８がフィルタ８３１Ａで捕集されるとともに、過飽和状態でないターゲット物質２７０が第２連通部８６２Ａに浸入し得る。このため、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０を凝固させ、再度、融解させた場合、第２連通部８６２Ａに浸入したターゲット物質２７０から金属酸化物２７８が析出することが抑制され、金属酸化物２７８によるノズル孔８２２Ａの詰まりや、ノズル孔８２２Ａの径が小さくなることが抑制され得る。

ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔを、温度ＴＨと温度ＴＬとの間で複数回変化させてもよい。この処理により、温度Ｔを温度ＴＨと温度ＴＬとの間で１回変化させる場合と比べて、金属酸化物２７８が大きく成長し得る。その結果、金属酸化物２７８の析出処理後のターゲット物質２７０に含まれる酸素が少なくなり、第２連通部８６２Ａに浸入したターゲット物質２７０から金属酸化物２７８が析出することが抑制され得る。

３．２．５ 第１実施形態の変形例
３．２．５．１ 動作
図１３は、第１実施形態の変形例に係る金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。図１４は、ターゲット精製方法を示すタイミングチャートである。

第１実施形態の変形例における金属酸化物の析出処理は、ステップＳ２１〜ステップＳ２３の処理をさらに行うこと以外の処理は、第１実施形態の金属酸化物の析出処理と同様の処理であってもよい。

ターゲット制御装置７１Ａは、図１３に示すように、第１実施形態のステップＳ１１〜ステップＳ１４の処理を行った後、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＢとなるように、温度可変装置７８Ａを制御してもよい（ステップＳ２１）。ステップＳ２１の処理は、図１４における時刻Ｒ３に行われてもよい。温度ＴＢは、金属酸化物２７８が析出した後、当該金属酸化物２７８が成長して大きくなる温度であってもよい。温度ＴＢは、融点Ｔｍｐ以上の温度であって、例えば２４０℃であってもよい。

ターゲット制御装置７１Ａは、温度可変装置７８Ａからの信号に基づいて、温度Ｔが温度ＴＢ以下となったか否かを判断してもよい（ステップＳ２２）。ターゲット制御装置７１Ａは、ステップＳ２２において、温度Ｔが温度ＴＢ以下となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ２２の処理を行ってもよい。一方、ステップＳ２２において、ターゲット制御装置７１Ａは、温度Ｔが温度ＴＢ以下となったと判断した場合、時間Ｈ３の間、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＢで維持されるように温度可変装置７８Ａを制御してもよい（ステップＳ２３）。ステップＳ２３の処理は、図１４における時刻Ｒ２１から時刻Ｒ２２の間に行われてもよい。時間Ｈ３は、１０分〜２時間であってもよい。時間Ｈ３は、例えば３０分であってもよい。ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＢで維持されることにより、過飽和状態のターゲット物質２７０に溶解していた酸素であって、温度ＴＢでは溶解できない酸素が金属酸化物２７８として析出した後、当該金属酸化物２７８が大きく成長し得る。

そして、ターゲット制御装置７１Ａは、第１実施形態のステップＳ１５〜ステップＳ１９の処理を行ってもよい。ステップＳ１９の処理により、金属酸化物２７８の析出処理が終了し得る。ターゲット制御装置７１Ａは、ステップＳ１９の処理が終了すると、第１実施形態のステップＳ４〜ステップＳ７の処理を行ってもよい。

例えば上限回数Ｎｍａｘが２回に設定されている場合、図１４における時刻Ｒ１，Ｒ２４に、ステップＳ１２の処理が行われ得る。時刻Ｒ２から時刻Ｒ３の間、および、時刻Ｒ２５から時刻Ｒ２６の間に、ステップＳ１４の処理が行われ得る。時刻Ｒ３，Ｒ２６に、ステップＳ２１の処理が行われ得る。時刻Ｒ２１から時刻Ｒ２２の間、および、時刻Ｒ２７から時刻Ｒ２８の間に、ステップＳ２３の処理が行われ得る。時刻Ｒ２２，Ｒ２８に、ステップＳ１５の処理が行われ得る。時刻Ｒ２３から時刻Ｒ２４の間、および、時刻Ｒ２９から時刻Ｒ３０の間に、ステップＳ１７の処理が行われ得る。時刻Ｒ３０に、金属酸化物２７８の析出処理が終了し得る。時刻Ｒ３１に、ステップＳ５の処理が行われ得る。

第１実施形態の変形例によれば、ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０の温度Ｔを温度ＴＨから温度ＴＬまで下げるときに、当該温度Ｔを温度ＴＢで所定時間維持してもよい。この処理により、第１実施形態と比べて、金属酸化物２７８が大きく成長し得る。その結果、金属酸化物２７８の析出処理後のターゲット物質２７０に含まれる酸素が少なくなり、第２連通部８６２Ａに浸入したターゲット物質２７０から金属酸化物２７８が析出することが抑制され得る。

３．３ 第２実施形態
３．３．１ 構成
図１５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。

第２実施形態のターゲット供給装置７Ｂは、図１５に示すように、ターゲット生成部７０Ｂと、制御部としてのターゲット制御装置７１Ｂとを備えてもよい。

ターゲット生成部７０Ｂは、ターゲット生成器８Ａの蓋部８１Ａにウインドウ８１１Ｂが設けられること、および、撮像部としてのカメラ７６１Ｂをさらに備えること以外の構成は、第１実施形態のターゲット生成部７０Ａと同様のものを適用してもよい。

カメラ７６１Ｂは、ターゲット生成器８Ａの外側であって、ウインドウ８１１Ｂに対向する位置に設けられてもよい。カメラ７６１Ｂは、ターゲット制御装置７１Ｂに電気的に接続されてもよい。カメラ７６１Ｂは、ＣＣＤカメラであってもよい。カメラ７６１Ｂは、ウインドウ８１１Ｂを介して、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０が凝固したことや融解したことを撮像可能に設けられてもよい。カメラ７６１Ｂは、撮像した画像に対応する信号をターゲット制御装置７１Ｂに送信してもよい。

ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０が凝固すると、連通部８６０Ａ内のターゲット物質２７０も凝固し得る。ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０が融解すると、連通部８６０Ａ内のターゲット物質２７０も融解し得る。

３．３．２ 動作
図１６は、第２実施形態に係るターゲット物質の精製方法を示すフローチャートである。図１７は、金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。図１８は、ターゲット物質の凝固確認処理を示すフローチャートである。図１９は、ターゲット物質の融解確認処理を示すフローチャートである。

なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ｂの動作を説明する。

第２実施形態における金属酸化物の析出処理は、ターゲット物質２７０が凝固したことを確認する処理を含むこと以外の処理は、第１実施形態の金属酸化物の析出処理と同様の処理であってもよい。第２実施形態におけるターゲット物質の精製処理は、この析出処理の違いに加え、ターゲット物質２７０が融解したことを確認する処理をさらに含むこと以外の処理は、第１実施形態のターゲット物質の精製処理と同様の処理であってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｂは、図１６に示すように、第１実施形態のステップＳ１〜ステップＳ４の処理を行った後、ターゲット物質２７０の融解確認処理を行ってもよい（ステップＳ３１）。

ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ３の処理において、図１７に示すように、第１実施形態のステップＳ１１〜ステップＳ１６の処理を行った後、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＬで維持されるように温度可変装置７８Ａを制御してもよい（ステップＳ４１）。ターゲット制御装置７１Ｂは、ターゲット物質２７０の凝固確認処理を行ってもよい（ステップＳ４２）。

そして、ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ４２の処理において、図１８に示すように、ウインドウ８１１Ｂを介してカメラ７６１Ｂでターゲット物質２７０の状態を観察してもよい（ステップＳ５１）。ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ５１での観察結果に基づいて、ターゲット物質２７０の凝固が完了したか否かを判断してもよい（ステップＳ５２）。ターゲット制御装置７１Ｂは、カメラ７６１Ｂで撮像された画像を処理することによって、ターゲット物質２７０の凝固が完了したか否かを判断してもよい。

ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ５２において、ターゲット物質２７０の凝固が完了したと判断した場合、凝固フラグＦ１を１に設定してもよい（ステップＳ５３）。一方、ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ５２において、ターゲット物質２７０の凝固が完了していないと判断した場合、凝固フラグＦ１を０に設定してもよい（ステップＳ５４）。ステップＳ５３またはステップＳ５４の処理により、ターゲット物質２７０の凝固確認処理が終了し得る。

ターゲット制御装置７１Ｂは、図１７に示すように、ステップＳ４２の処理が終了すると、全てのターゲット物質２７０が凝固したか否かを判断してもよい（ステップＳ４３）。ターゲット制御装置７１Ｂは、凝固フラグＦ１が１の場合に全てのターゲット物質２７０が凝固したと判断し、凝固フラグＦ１が０の場合にターゲット物質２７０の少なくとも一部が凝固していないと判断してもよい。ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ４３において、ターゲット物質２７０の少なくとも一部が凝固していないと判断した場合、ステップＳ４２の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ４３において、全てのターゲット物質２７０が凝固したと判断した場合、ステップＳ１８の処理を行ってもよい。

ステップＳ１８およびステップＳ１９の処理を経て、金属酸化物２７８の析出処理が終了し得る。

ターゲット制御装置７１Ｂは、図１６に示すように、ステップＳ３の処理が終了すると、ステップＳ４の処理を行ってもよい。その後ターゲット制御装置７１Ｂは、ターゲット物質２７０の融解確認処理を行ってもよい（ステップＳ３１）。

ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ３１の処理において、図１９に示すように、ウインドウ８１１Ｂを介してカメラ７６１Ｂでターゲット物質２７０の状態を観察してもよい（ステップＳ６１）。ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ６１での観察結果に基づいて、ターゲット物質２７０の融解が完了したか否かを判断してもよい（ステップＳ６２）。ターゲット制御装置７１Ｂは、カメラ７６１Ｂで撮像された画像を処理することによって、ターゲット物質２７０の融解が完了したか否かを判断してもよい。

ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ６２において、ターゲット物質２７０の融解が完了したと判断した場合、融解フラグＦ２を１に設定してもよい（ステップＳ６３）。一方、ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ６２において、ターゲット物質２７０の融解が完了していないと判断した場合、融解フラグＦ２を０に設定してもよい（ステップＳ６４）。ステップＳ６３またはステップＳ６４の処理により、ターゲット物質２７０の融解確認処理が終了し得る。

ターゲット制御装置７１Ｂは、図１６に示すように、ステップＳ３１の処理が終了すると、全てのターゲット物質２７０が融解したか否かを判断してもよい（ステップＳ３２）。ターゲット制御装置７１Ｂは、融解フラグＦ２が１の場合に全てのターゲット物質２７０が融解したと判断し、融解フラグＦ２が０の場合にターゲット物質２７０の少なくとも一部が融解していないと判断してもよい。ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ３２において、ターゲット物質２７０の少なくとも一部が融解していないと判断した場合、ステップＳ３１の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ３２において、全てのターゲット物質２７０が融解したと判断した場合、ステップＳ５〜ステップＳ７の処理を行ってもよい。

例えば上限回数Ｎｍａｘが２回に設定されている場合、図９における時刻Ｒ４から時刻Ｒ５の間、および、時刻Ｒ８から時刻Ｒ９の間に、ステップＳ４１〜ステップＳ４３の処理が行われ得る。

３．３．３ 第２実施形態の変形例
３．３．３．１ 構成
第２実施形態の変形例に係るターゲット生成部７０Ｂは、カメラ７６１Ｂの代わりに、図１５に二点鎖線で示すような温度センサ７６２Ｂを備えることと、蓋部８１Ａにウインドウ８１１Ｂを設けないこと以外の構成は、第２実施形態のターゲット生成部７０Ｂと同様のものを適用してもよい。

温度センサ７６２Ｂは、蓋部８１Ａを貫通して、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０中に配置されてもよい。温度センサ７６２Ｂは、ターゲット制御装置７１Ｂに電気的に接続されてもよい。温度センサ７６２Ｂは、ターゲット物質２７０と反応し難い材料でコーティングされてもよい。温度センサ７６２Ｂは、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０の温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号をターゲット制御装置７１Ｂに送信してもよい。

３．３．３．２ 動作
図２０は、第２実施形態の変形例に係るターゲット物質の凝固確認処理を示すフローチャートである。図２１は、ターゲット物質の凝固確認方法を示す説明図である。図２２は、ターゲット物質の融解確認処理を示すフローチャートである。図２３は、ターゲット物質の融解確認方法を示す説明図である。

第２実施形態の変形例におけるターゲット物質の精製処理は、図１８に示す処理の代わりに図２０に示す処理を行うことと、図１９に示す処理の代わりに図２２に示す処理を行うこと以外の処理は、第２実施形態のターゲット物質の精製処理と同様の処理であってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｂは、ターゲット物質２７０の凝固確認処理として、図２０に示すように、温度センサ７６２Ｂの検出温度Ｔｄの経時変化を計測してもよい（ステップＳ７１）。ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ７１での計測結果に基づいて、ターゲット物質２７０の凝固が完了したか否かを判断してもよい（ステップＳ７２）。

例えば、時刻Ｒ３におけるステップＳ４１の処理により、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが温度ＴＬで維持されるように温度可変装置７８Ａが制御されると、図２１に示すように、ターゲット物質２７０の温度が下がり得る。ターゲット物質２７０の温度が下がる過程の時刻Ｒ４１から時刻Ｒ４３の間において、ターゲット物質２７０が過冷却状態となり得る。このため、ターゲット物質２７０の温度は、液体のまま融点Ｔｍｐ未満となり得る。例えば、時刻Ｒ４１から時刻Ｒ４２まで時間Ｔ４の間は、ターゲット物質２７０の温度が下がり得る。その後、時刻Ｒ４２から時刻Ｒ４３の間は、ターゲット物質２７０の温度が上がり得る。

そして、時刻Ｒ４３から時刻Ｒ４４の間に、ターゲット物質２７０の温度が融点Ｔｍｐで安定し、ターゲット物質２７０の凝固が進行し得る。時刻Ｒ４４においてターゲット物質２７０の凝固が完了すると、ターゲット物質２７０の温度が再び下がり始め、時刻Ｒ４において温度ＴＬとなり得る。

ターゲット制御装置７１Ｂは、検出温度Ｔｄが融点Ｔｍｐ未満となった場合、検出温度Ｔｂが上がり始めるまでの時間を計測し、その時間が時間Ｔ４以下の場合、ターゲット物質２７０の凝固が完了していないと判断し、時間Ｔ４を超える場合、ターゲット物質２７０の凝固が完了したと判断してもよい。時間Ｔ４は予め実験によって求めておき、ターゲット制御装置７１Ｂに入力しておくとよい。

ターゲット制御装置７１Ｂは、図２０に示すように、ステップＳ７２での判断結果に基づいて、ステップＳ５３またはステップＳ５４の処理を行ってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｂは、ターゲット物質２７０の融解確認処理として、図２２に示すように、温度センサ７６２Ｂの検出温度Ｔｄの経時変化を計測してもよい（ステップＳ８１）。ターゲット制御装置７１Ｂは、ステップＳ８１での計測結果に基づいて、ターゲット物質２７０の融解が完了したか否かを判断してもよい（ステップＳ８２）。

例えば、時刻Ｒ９におけるステップＳ４の処理により、ターゲット収容タンク８４Ａの温度Ｔが出力温度Ｔｏｐで維持されるように温度可変装置７８Ａが制御されると、図２３に示すように、ターゲット物質２７０の温度が上がり得る。ターゲット物質２７０の温度が上がる過程の時刻Ｒ５１から時刻Ｒ５２の間において、ターゲット物質２７０の温度が一旦、融点Ｔｍｐで安定し得る。ターゲット物質２７０の温度が融点Ｔｍｐで安定している間に、ターゲット物質２７０の融解が進行し得る。時刻Ｒ５２においてターゲット物質２７０の融解が完了すると、ターゲット物質２７０の温度が再び上がり始め、時刻Ｒ１０において出力温度Ｔｏｐとなり得る。

ターゲット制御装置７１Ｂは、温度センサ７６２Ｂの検出温度Ｔｄが、時刻Ｒ５２から時刻Ｒ１０の間のように、融点Ｔｍｐから温度が上がり続けていると判断した場合、ターゲット物質２７０の融解が完了したと判断してもよい。

ターゲット制御装置７１Ｂは、図２２に示すように、ステップＳ８２での判断結果に基づいて、ステップＳ６３またはステップＳ６４の処理を行ってもよい。

なお、温度センサ７６２Ｂで検出したターゲット物質２７０の温度に基づいて、ターゲット物質２７０の凝固確認処理および融解確認処理を行ったが、温度センサ７６２Ｂを設けずに、温度センサ７８３Ａで検出したターゲット収容タンク８４Ａの温度に基づいて、ターゲット物質２７０の凝固確認処理および融解確認処理を行ってもよい。

ターゲット物質２７０の凝固確認処理および融解確認処理のうち一方の処理を、温度センサ７６２Ｂで検出したターゲット物質２７０の温度に基づいて行い、他方の処理を、温度センサ７８３Ａで検出したターゲット収容タンク８４Ａの温度に基づいて行ってもよい。

３．４ 第３実施形態
３．４．１ 構成
図２４は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。

第３実施形態のターゲット供給装置７Ｃは、図２４に示すように、ターゲット生成部７０Ｃと、制御部としてのターゲット制御装置７１Ｃとを備えてもよい。

ターゲット生成部７０Ｃは、温度可変装置７８Ａの代わりに、第１温度可変装置９１Ｃ、第２温度可変装置９２Ｃ、第３温度可変装置９３Ｃおよび第４温度可変装置９４Ｃを備えること以外の構成は、第１実施形態のターゲット生成部７０Ａと同様のものを適用してもよい。

第１温度可変装置９１Ｃは、ターゲット生成器８Ａのターゲット収容タンク８４Ａにおける−Ｚ方向側の第１領域ＡＲ１の温度を変化させてもよい。第２温度可変装置９２Ｃは、ターゲット収容タンク８４Ａにおける＋Ｚ方向側の第２領域ＡＲ２の温度を変化させてもよい。第３温度可変装置９３Ｃは、ターゲット生成器８Ａのノズル８６Ａにおける−Ｚ方向側の第３領域ＡＲ３の温度を変化させてもよい。第４温度可変装置９４Ｃは、ノズル８６Ａにおける＋Ｚ方向側の第４領域ＡＲ４の温度を変化させてもよい。

第１温度可変装置９１Ｃは、第１ヒータ９１１Ｃと、第１ヒータ電源９１２Ｃと、第１温度センサ９１３Ｃと、第１温度コントローラ９１４Ｃとを備えてもよい。第２温度可変装置９２Ｃは、第２ヒータ９２１Ｃと、第２ヒータ電源９２２Ｃと、第２温度センサ９２３Ｃと、第２温度コントローラ９２４Ｃとを備えてもよい。第３温度可変装置９３Ｃは、第３ヒータ９３１Ｃと、第３ヒータ電源９３２Ｃと、第３温度センサ９３３Ｃと、第３温度コントローラ９３４Ｃとを備えてもよい。第４温度可変装置９４Ｃは、第４ヒータ９４１Ｃと、第４ヒータ電源９４２Ｃと、第４温度センサ９４３Ｃと、第４温度コントローラ９４４Ｃとを備えてもよい。

第１，第２，第３，第４ヒータ９１１Ｃ，９２１Ｃ，９３１Ｃ，９４１Ｃは、それぞれターゲット生成器８Ａの外周面における第１，第２，第３，第４領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３，ＡＲ４に設けられてもよい。

第１，第２，第３，第４ヒータ電源９１２Ｃ，９２２Ｃ，９３２Ｃ，９４２Ｃは、それぞれ第１，第２，第３，第４温度コントローラ９１４Ｃ，９２４Ｃ，９３４Ｃ，９４４Ｃからの信号に基づいて、第１，第２，第３，第４ヒータ９１１Ｃ，９２１Ｃ，９３１Ｃ，９４１Ｃに電力を供給して第１，第２，第３，第４ヒータ９１１Ｃ，９２１Ｃ，９３１Ｃ，９４１Ｃを発熱させてもよい。それにより、第１，第２，第３，第４領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３，ＡＲ４のターゲット物質２７０が、ターゲット生成器８Ａを介して加熱され得る。

第１，第２，第３，第４温度センサ９１３Ｃ，９２３Ｃ，９３３Ｃ，９４３Ｃは、それぞれターゲット生成器８Ａの外周面またはターゲット生成器８Ａの内部における、第１，第２，第３，第４領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３，ＡＲ４に設けられてもよい。第１，第２，第３，第４温度センサ９１３Ｃ，９２３Ｃ，９３３Ｃ，９４３Ｃでそれぞれ検出された温度は、ターゲット生成器８Ａ内における第１，第２，第３，第４領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３，ＡＲ４のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。

第１，第２，第３，第４温度コントローラ９１４Ｃ，９２４Ｃ，９３４Ｃ，９４４Ｃは、ターゲット制御装置７１Ｃに電気的に接続されてもよい。第１，第２，第３，第４温度コントローラ９１４Ｃ，９２４Ｃ，９３４Ｃ，９４４Ｃは、第１，第２，第３，第４温度センサ９１３Ｃ，９２３Ｃ，９３３Ｃ，９４３Ｃからの信号に基づいて、第１，第２，第３，第４ヒータ電源９１２Ｃ，９２２Ｃ，９３２Ｃ，９４２Ｃの制御を介して、第１，第２，第３，第４ヒータ９１１Ｃ，９２１Ｃ，９３１Ｃ，９４１Ｃを制御するよう構成されてもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ターゲット収容タンク８４Ａ内のインゴット２７５を、フィルタ８３１Ａに近い側である第２領域ＡＲ２に位置する部分より、フィルタ８３１Ａから遠い側である第１領域ＡＲ１に位置する部分を先に融解させるように、第１，第２温度可変装置９１Ｃ，９２Ｃを制御してもよい。

３．４．２ 動作
図２５は、第３実施形態に係る金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。図２６は、ターゲット精製方法を示すタイミングチャートである。図２７は、第１領域ＡＲ１の温度制御処理を示すフローチャートである。図２８は、第２領域ＡＲ２の温度制御処理を示すフローチャートである。図２９は、第３領域ＡＲ３の温度制御処理を示すフローチャートである。図３０は、第４領域ＡＲ４の温度制御処理を示すフローチャートである。

なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ｃの動作を説明する。

第３実施形態におけるターゲット物質の精製処理は、金属酸化物の析出処理が図１０に示す処理と異なること以外は、第１実施形態のターゲット物質の精製処理と同様の処理であってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃが、ターゲット収容タンク８４Ａ内のインゴット２７５を、フィルタ８３１Ａから遠い側の第１領域ＡＲ１に位置する部分より、フィルタ８３１Ａに近い側の第２領域ＡＲ２に位置する部分を先に融解させる場合、以下のような現象が生じ得る。インゴット２７５の第２領域ＡＲ２に位置する部分が融解して液体のターゲット物質２７０になると、この液体のターゲット物質２７０が膨張し得る。このとき、インゴット２７５の第１領域ＡＲ１に位置する部分が固体のため、第２領域ＡＲ２のターゲット物質２７０は第１領域ＡＲ１側に膨張せずに、フィルタ８３１Ａ側に膨張し得る。その結果、ターゲット収容タンク８４Ａ内が略真空の状態に維持されていても、第２領域ＡＲ２に位置する過飽和状態のターゲット物質２７０が、フィルタ８３１Ａを通過して第２連通部８６２Ａに浸入し得る。この状態でターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０を凝固させて、再び、融解させると、ターゲット収容タンク８４Ａ、第１，第２連通部８６１Ａ，８６２Ａに金属酸化物２７８が析出し得る。第２連通部８６２Ａに析出した金属酸化物２７８は、ノズル孔８２２Ａを詰まらせたり、ノズル孔８２２Ａの径を小さくしたりすることがあり得る。

このような現象を抑制するために、ターゲット制御装置７１Ｃは、以下のような制御を行ってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ターゲット生成器８Ａのターゲット収容タンク８４Ａ内にインゴット２７５が収容された状態において、図８に示すステップＳ１〜ステップＳ３の処理を行ってもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ３における金属酸化物の析出処理として、図２５に示すような処理を行ってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、図２５に示すように、ステップＳ１１の処理を行った後、第１領域ＡＲ１の温度制御処理（ステップＳ９１）と、第２領域ＡＲ２の温度制御処理（ステップＳ９２）と、第３領域ＡＲ３の温度制御処理（ステップＳ９３）と、第４領域ＡＲ４の温度制御処理（ステップＳ９４）とを行ってもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９１〜ステップＳ９４の処理を、図２６における時刻Ｒ１に開始してもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９１の処理において、図２７に示すように、第１領域ＡＲ１の温度Ｔ１が温度ＴＨとなるように、第１温度可変装置９１Ｃを制御してもよい（ステップＳ１１１）。ターゲット制御装置７１Ｃは、第１温度可変装置９１Ｃからの信号に基づいて、温度Ｔ１が温度ＴＨ以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１１２）。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１１２において、温度Ｔ１が温度ＴＨ以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１１２の処理を行ってもよい。一方、ステップＳ１１２において、ターゲット制御装置７１Ｃは、温度Ｔ１が温度ＴＨ以上となったと判断した場合、時間Ｈ１の間、第１領域ＡＲ１の温度Ｔ１が温度ＴＨで維持されるように第１温度可変装置９１Ｃを制御してもよい（ステップＳ１１３）。ステップＳ１１３の処理は、図２６における時刻Ｒ２から時刻Ｒ３の間に行われてもよい。このとき、図６を用いて説明したように、温度ＴＨでは本来溶解できない酸素もターゲット物質２７０に溶解し、ターゲット物質２７０が過飽和状態となり得る。このため、金属酸化物２７８の析出が抑制され得る。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９２の処理において、図２８に示すように、第２領域ＡＲ２の温度Ｔ２が温度ＴＨ２となるように、第２温度可変装置９２Ｃを制御してもよい（ステップＳ１２１）。ターゲット制御装置７１Ｃは、第２温度可変装置９２Ｃからの信号に基づいて、温度Ｔ２が温度ＴＨ２以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１２２）。温度ＴＨ２は、温度ＴＨよりも低く、出力温度Ｔｏｐよりも高くてもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１２２において、温度Ｔ２が温度ＴＨ２以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１２２の処理を行い、温度Ｔ２が温度ＴＨ２以上となったと判断した場合、時間Ｈ１１の間、第２領域ＡＲ２の温度Ｔ２が温度ＴＨ２で維持されるように第２温度可変装置９２Ｃを制御してもよい（ステップＳ１２３）。時間Ｈ１１は、時間Ｈ１よりも短くてもよい。ステップＳ１２３の処理は、図２６における時刻Ｒ２から時刻Ｒ６１の間に行われてもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、温度Ｔ２が温度ＴＨとなるように、第２温度可変装置９２Ｃを制御してもよい（ステップＳ１２４）。ターゲット制御装置７１Ｃは、第２温度可変装置９２Ｃからの信号に基づいて、温度Ｔ２が温度ＴＨ以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１２５）。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１２５において、温度Ｔ２が温度ＴＨ以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１２５の処理を行い、温度Ｔ２が温度ＴＨ以上となったと判断した場合、時刻Ｒ２から時間Ｈ１が経過するまでの間、温度Ｔ２が温度ＴＨで維持されるように第２温度可変装置９２Ｃを制御してもよい（ステップＳ１２６）。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９３の処理において、図２９に示すように、第３領域ＡＲ３の温度Ｔ３が温度ＴＨ３となるように、第３温度可変装置９３Ｃを制御してもよい（ステップＳ１３１）。ターゲット制御装置７１Ｃは、第３温度可変装置９３Ｃからの信号に基づいて、温度Ｔ３が温度ＴＨ３以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１３２）。温度ＴＨ３は、温度ＴＨ２よりも低く、出力温度Ｔｏｐよりも高くてもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１３２において、温度Ｔ３が温度ＴＨ３以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１３２の処理を行い、温度Ｔ３が温度ＴＨ３以上となったと判断した場合、時間Ｈ１１の間、第３領域ＡＲ３の温度Ｔ３が温度ＴＨ３で維持されるように第３温度可変装置９３Ｃを制御してもよい（ステップＳ１３３）。ステップＳ１３３の処理は、図２６における時刻Ｒ２から時刻Ｒ６１の間に行われてもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、温度Ｔ３が温度ＴＨとなるように、第３温度可変装置９３Ｃを制御してもよい（ステップＳ１３４）。ターゲット制御装置７１Ｃは、第３温度可変装置９３Ｃからの信号に基づいて、温度Ｔ３が温度ＴＨ以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１３５）。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１３５において、温度Ｔ３が温度ＴＨ以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１３５の処理を行い、温度Ｔ３が温度ＴＨ以上となったと判断した場合、時刻Ｒ２から時間Ｈ１が経過するまでの間、温度Ｔ３が温度ＴＨで維持されるように第３温度可変装置９３Ｃを制御してもよい（ステップＳ１３６）。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９４の処理において、図３０に示すように、第４領域ＡＲ４の温度Ｔ４が温度ＴＨ４となるように、第４温度可変装置９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ１４１）。ターゲット制御装置７１Ｃは、第４温度可変装置９４Ｃからの信号に基づいて、温度Ｔ４が温度ＴＨ４以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１４２）。温度ＴＨ４は、出力温度Ｔｏｐよりも低く、温度ＴＢよりも高くてもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１４２において、温度Ｔ４が温度ＴＨ４以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１４２の処理を行い、温度Ｔ４が温度ＴＨ４以上となったと判断した場合、時間Ｈ１１の間、第４領域ＡＲ４の温度Ｔ４が温度ＴＨ４で維持されるように第４温度可変装置９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ１４３）。ステップＳ１４３の処理は、図２６における時刻Ｒ２から時刻Ｒ６１の間に行われてもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、温度Ｔ４が温度ＴＨとなるように、第４温度可変装置９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ１４４）。第４温度コントローラ９４４Ｃは、温度Ｔ４が温度ＴＨ以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１４５）。ターゲット制御装置７１Ｃは、第４温度可変装置９４Ｃからの信号に基づいて、ステップＳ１４５において、温度Ｔ４が温度ＴＨ以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１４５の処理を行い温度Ｔ４が温度ＴＨ以上となったと判断した場合、時刻Ｒ２から時間Ｈ１が経過するまでの間、温度Ｔ４が温度ＴＨで維持されるように第４温度可変装置９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ１４６）。

以上のステップＳ９１〜ステップＳ９４の処理により、図２６に示すように、第１，第２，第３，第４領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３，ＡＲ４の昇温速度をそれぞれＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４とした場合、昇温速度の関係は、以下の式（１）を満たし得る。

ＳＰ１＞ＳＰ２＞ＳＰ３＞ＳＰ４ … （１）
このため、第１領域ＡＲ１、第２領域ＡＲ２、第３領域ＡＲ３、第４領域ＡＲ４の順序で温度が融点Ｔｍｐに到達し得る。すなわち、ターゲット制御装置７１Ｃは、ターゲット収容タンク８４Ａ内のインゴット２７５を、フィルタ８３１Ａに近い側の第２領域ＡＲ２に位置する部分より、フィルタ８３１Ａから遠い側の第１領域ＡＲ１に位置する部分を先に融解させるように、第１，第２温度可変装置９１Ｃ，９２Ｃを制御し得る。また、ステップＳ２の処理により、ターゲット収容タンク８４Ａ内が略真空の状態になり得る。以上の処理により、インゴット２７５の第２領域ＡＲ２に位置する部分が融解して液体のターゲット物質２７０になる前に、当該インゴット２７５の第１領域ＡＲ１に位置する部分が液体のターゲット物質２７０になり得る。第１領域ＡＲ１に液体のターゲット物質２７０が位置しているため、第２領域ＡＲ２に位置する液体のターゲット物質２７０が第１領域ＡＲ１側に膨張し得る。その結果、第１〜第４領域ＡＲ１〜ＡＲ４の加熱時に、第２領域ＡＲ２に位置する過飽和状態のターゲット物質２７０がフィルタ８３１Ａを通過して、第２連通部８６２Ａに浸入することが抑制され得る。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９１〜ステップＳ９４の処理を行った後、図２５に示すように、第１〜第４領域ＡＲ１〜ＡＲ４の温度Ｔ１〜Ｔ４が、温度ＴＢとなるように第１〜第４温度可変装置９１Ｃ〜９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ９５）。ステップＳ９５の処理は、図２６における時刻Ｒ３に行われてもよい。

第１〜第４温度可変装置９１Ｃ〜９４Ｃの第１〜第４温度コントローラ９１４Ｃ〜９４４Ｃは、第１〜第４温度センサ９１３Ｃ〜９４３Ｃからの信号をターゲット制御装置７１Ｃに送信してもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、第１〜第４温度可変装置９１Ｃ〜９４Ｃからの信号に基づいて、以下の式（２）〜（５）の条件を全て満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ９６）。

Ｔ１≦ＴＢ … （２）
Ｔ２≦ＴＢ … （３）
Ｔ３≦ＴＢ … （４）
Ｔ４≦ＴＢ … （５）
ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９６において、上記式（２）〜（５）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ９６の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｃは、上記式（２）〜（５）の条件を全て満たすと判断した場合、時間Ｈ３の間、第１〜第４領域ＡＲ１〜ＡＲ４の温度Ｔ１〜Ｔ４が、温度ＴＢで維持されるように第１〜第４温度可変装置９１Ｃ〜９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ９７）。ステップＳ９７の処理は、図２６における時刻Ｒ２１から時刻Ｒ２２の間に行われてもよい。第１〜第４領域ＡＲ１〜ＡＲ４の温度Ｔ１〜Ｔ４が温度ＴＢで維持されることにより、過飽和状態のターゲット物質２７０に溶解していた酸素であって、温度ＴＢでは溶解できない酸素が金属酸化物２７８として析出した後、当該金属酸化物２７８が大きく成長し得る。

ターゲット制御装置７１Ｃは、第１〜第４領域ＡＲ１〜ＡＲ４の温度Ｔ１〜Ｔ４が、温度ＴＬとなるように第１〜第４温度可変装置９１Ｃ〜９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ９８）。ステップＳ９８の処理は、図２６における時刻Ｒ２２に行われてもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、第１〜第４温度可変装置９１Ｃ〜９４Ｃからの信号に基づいて、以下の式（６）〜（９）の条件を全て満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ９９）。

Ｔ１≦ＴＬ … （６）
Ｔ２≦ＴＬ … （７）
Ｔ３≦ＴＬ … （８）
Ｔ４≦ＴＬ … （９）
ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９９において、上記式（６）〜（９）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ９９の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｃは、上記式（６）〜（９）の条件を全て満たすと判断した場合、時間Ｈ２の間、第１〜第４領域ＡＲ１〜ＡＲ４の温度Ｔ１〜Ｔ４が、温度ＴＬで維持されるように第１〜第４温度可変装置９１Ｃ〜９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ１００）。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１００の処理が終了すると、第１実施形態のステップＳ１８〜ステップＳ１９の処理を行ってもよい。

例えば上限回数Ｎｍａｘが２回に設定されている場合、図２６における時刻Ｒ１，Ｒ２４に、ステップＳ９１〜ステップＳ９４の処理が行われ得る。時刻Ｒ２から時刻Ｒ６１の間、および、時刻Ｒ２５から時刻Ｒ６２の間に、ステップＳ１２３，Ｓ１３３，Ｓ１４３の処理が行われ得る。時刻Ｒ２から時刻Ｒ３の間、および、時刻Ｒ２５から時刻Ｒ２６の間に、ステップＳ１１３の処理が行われ得る。時刻Ｒ３，Ｒ２６に、ステップＳ９５の処理が行われ得る。時刻Ｒ２１から時刻Ｒ２２の間、および、時刻Ｒ２７から時刻Ｒ２８の間に、ステップＳ９７の処理が行われ得る。時刻Ｒ２２，Ｒ２８に、ステップＳ９８の処理が行われ得る。時刻Ｒ２３から時刻Ｒ２４の間、および、時刻Ｒ２９から時刻Ｒ３０の間に、ステップＳ１００の処理が行われ得る。時刻Ｒ３０に、金属酸化物２７８の析出処理が終了し得る。時刻Ｒ３１に、ステップＳ５の処理が行われ得る。

３．４．３ 第３実施形態の変形例
３．４．３．１ 動作
図３１は、インゴットが第１領域、第２領域、第３領域、第４領域の順序で融解したときに生じ得る現象を概略的に示す。図３２は、第３実施形態の変形例に係る金属酸化物の析出処理を示すフローチャートである。図３３は、ターゲット精製方法を示すタイミングチャートである。図３４は、第３，第４領域の温度制御処理を示すフローチャートである。

第３実施形態において、ターゲット収容タンク８４Ａ内の圧力Ｐが圧力Ｐ０で維持された状態で、第１領域ＡＲ１、第２領域ＡＲ２、第３領域ＡＲ３、第４領域ＡＲ４の順序で温度が融点Ｔｍｐに到達しても、図３１に示すように、過飽和状態のターゲット物質２７０がフィルタ８３１Ａを通過し、第２連通部８６２Ａに溜まることがあり得る。この場合、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０を凝固させて、再び、融解させると、第２連通部８６２Ａのターゲット物質２７０から金属酸化物２７８が析出し、ノズル孔８２２Ａが詰まったり、ノズル孔８２２Ａの径が小さくなったりし得る。

このような現象を抑制するために、ターゲット制御装置７１Ｃは、以下のような制御を行ってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、図８に示すステップＳ１〜ステップＳ３の処理を行った後、ステップＳ３における金属酸化物の析出処理として、図３２に示すような処理を行ってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、図３２に示すように、ステップＳ１１の処理を行った後、第１領域ＡＲ１の温度制御処理（ステップＳ９１）と、第２領域ＡＲ２の温度制御処理（ステップＳ９２）と、第３，第４領域ＡＲ３，ＡＲ４の温度制御処理（ステップＳ１５１）とを行ってもよい。ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９１〜ステップＳ９２、ステップＳ１５１の処理を、図３３における時刻Ｒ１に開始してもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１５１の処理において、図３４に示すように、第３，第４領域ＡＲ３，ＡＲ４の温度Ｔ３，Ｔ４が温度Ｔｍｐｕとなるように、第３，第４温度可変装置９３Ｃ，９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ１６１）。温度Ｔｍｐｕは、液体のターゲット物質２７０が凝固せずに金属酸化物２７８が析出しない温度であってもよい。温度Ｔｍｐｕは、融点Ｔｍｐ以上かつ温度ＴＢ以下の温度であってもよい。温度Ｔｍｐｕは、２３２℃〜２４０℃の範囲の所定の温度であってもよい。

ターゲット制御装置７１Ｃは、第３，第４温度可変装置９３Ｃ，９４Ｃからの信号に基づいて、以下の式（１０）〜（１１）の条件を全て満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ１６２）。

Ｔ３≧Ｔｍｐｕ … （１０）
Ｔ４≧Ｔｍｐｕ … （１１）
ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１６２において、上記式（１０）〜（１１）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１６２の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｃは、上記式（１０）〜（１１）の条件を全て満たすと判断した場合、第３，第４領域ＡＲ３，ＡＲ４の温度Ｔ３，Ｔ４が、温度Ｔｍｐｕで維持されるように第３，第４温度可変装置９３Ｃ，９４Ｃを制御してもよい（ステップＳ１６３）。

ターゲット制御装置７１Ｃは、昇温降温サイクル数Ｎが上限回数Ｎｍａｘ以上となったか否かを判断してもよい（ステップＳ１６４）。このステップＳ１６４において、ターゲット制御装置７１Ｃは、昇温降温サイクル数Ｎが上限回数Ｎｍａｘ以上となっていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１６４の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｃは、昇温降温サイクル数Ｎが上限回数Ｎｍａｘ以上となったと判断した場合、第３，第４領域ＡＲ３，ＡＲ４の温度制御処理を終了してもよい。ここで、昇温降温サイクル数Ｎの値は、ステップＳ１５１の処理と並列的に実行されているステップＳ９１、Ｓ９２〜Ｓ１９の処理によって適宜更新された最新の値を参照するようにするとよい。

第１，第２，第３，第４領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３，ＡＲ４の昇温速度をそれぞれＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４とした場合、昇温速度の関係は、上記式（１）を満たしてもよい。

このため、第１領域ＡＲ１、第２領域ＡＲ２、第３領域ＡＲ３、第４領域ＡＲ４の順序で温度が融点Ｔｍｐに到達し、その結果、上述したように、第１〜第４領域ＡＲ１〜ＡＲ４の加熱時に、過飽和状態のターゲット物質２７０がフィルタ８３１Ａを通過して、第２連通部８６２Ａに浸入することが抑制され得る。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ９１〜ステップＳ９２の処理を行った後、図３２に示すように、第１，第２領域ＡＲ１，ＡＲ２の温度Ｔ１，Ｔ２が、温度ＴＢとなるように第１，第２温度可変装置９１Ｃ，９２Ｃを制御してもよい（ステップＳ１５２）。

ターゲット制御装置７１Ｃは、第１，第２温度可変装置９１Ｃ，９２Ｃからの信号に基づいて、上記式（２）〜（３）の条件を全て満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ１５３）。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１５３において、上記式（２）〜（３）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１５３の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｃは、式（２）〜（３）の条件を全て満たすと判断した場合、時間Ｈ３の間、第１，第２領域ＡＲ１，ＡＲ２の温度Ｔ１，Ｔ２が、温度ＴＢで維持されるように第１，第２温度可変装置９１Ｃ，９２Ｃを制御してもよい（ステップＳ１５４）。

ターゲット制御装置７１Ｃは、第１，第２領域ＡＲ１，ＡＲ２の温度Ｔ１，Ｔ２が、温度ＴＬとなるように第１，第２温度可変装置９１Ｃ，９２Ｃを制御してもよい（ステップＳ１５５）。ターゲット制御装置７１Ｃは、第１，第２温度可変装置９１Ｃ，９２Ｃからの信号に基づいて、上記式（６）〜（７）の条件を全て満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ１５６）。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１５６において、式（６）〜（７）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ１５６の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｃは、式（６）〜（７）の条件を全て満たすと判断した場合、時間Ｈ２の間、第１，第２領域ＡＲ１，ＡＲ２の温度Ｔ１，Ｔ２が、温度ＴＬで維持されるように第１，第２温度可変装置９１Ｃ，９２Ｃを制御してもよい（ステップＳ１５７）。なお、この時間Ｈ２の間も、第３，第４領域ＡＲ３，ＡＲ４の温度Ｔ３，Ｔ４は、温度Ｔｍｐｕで維持され得る。

ターゲット制御装置７１Ｃは、ステップＳ１５７の処理が終了すると、第１実施形態のステップＳ１８〜ステップＳ１９の処理を行ってもよい。

例えば上限回数Ｎｍａｘが２回に設定されている場合、図３３に示すように、第３，第４領域ＡＲ３，ＡＲ４の温度Ｔ３，Ｔ４が、温度Ｔｍｐｕに到達した時刻から時刻Ｒ３０までの間、温度Ｔｍｐｕに維持され得ること以外の処理は、第３実施形態と同様の処理が行われ得る。

このため、金属酸化物２７８の析出処理において、図３１に示すように、過飽和状態のターゲット物質２７０が第２連通部８６２Ａに溜まったとしても、この過飽和状態のターゲット物質２７０が凝固することが抑制され得る。その結果、このターゲット物質２７０からの金属酸化物２７８の析出が抑制され得る。したがって、金属酸化物２７８の析出処理後、ターゲット物質２７０を凝固させずにＥＵＶ光２５２を生成するための工程に移行した場合、過飽和状態のターゲット物質２７０がドロップレット２７として出力され、金属酸化物２７８によるノズル孔８２２Ａの詰まりや、ノズル孔８２２Ａの径が小さくなることが抑制され得る。

４．ターゲット供給タンクおよびターゲット収容タンクを含むターゲット供給装置
４．１ 第４実施形態
４．１．１ 構成
図３５は、第４実施形態に係るターゲット供給タンクおよびターゲット収容タンクを含むターゲット供給装置の構成を概略的に示す。

ターゲット供給装置７Ｄは、図３５に示すように、ターゲット生成部７０Ｄと、制御部としてのターゲット制御装置７１Ｄとを備えてもよい。

ターゲット生成部７０Ｄは、ターゲット生成器８Ｄと、圧力調整器７５Ｄと、圧力調節器７５Ａと、排気部７７Ａと、温度可変装置７８Ａと、温度制御部９７Ｄと、ピエゾ部７９Ａとを備えてもよい。

ターゲット生成器８Ｄは、ターゲット供給タンク８７Ｄと、移送部８８Ｄと、生成器本体８０Ａと、蓋部８１Ａと、ノズル先端部８２Ａと、フィルタ部８３Ａとを備えてもよい。第４実施形態において、本開示のタンクは、生成器本体８０Ａのターゲット収容タンク８４Ａではなく、ターゲット供給タンク８７Ｄであってもよい。

ターゲット供給タンク８７Ｄは、タンク本体８７１Ｄと、蓋部８７２Ｄとを備えてもよい。タンク本体８７１Ｄは、＋Ｚ方向側の第１面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。蓋部８７２Ｄは、タンク本体８７１Ｄの−Ｚ方向側の第２面を閉塞する略円板状に形成されてもよい。蓋部８７２Ｄは、タンク本体８７１Ｄの第２面に密着するように設けられてもよい。ターゲット供給タンク８７Ｄの中空部は、ターゲット物質２７０を収容する収容空間８７０Ｄであってもよい。

移送部８８Ｄは、移送配管８８１Ｄを備えてもよい。移送配管８８１Ｄは、管状に形成されてもよい。移送配管８８１Ｄの中空部は、連通部８６０Ｄであってもよい。移送配管８８１Ｄは、タンク本体８７１Ｄの第１面と、生成器本体８０Ａの蓋部８１Ａとを貫通するように設けられてもよい。移送配管８８１Ｄの＋Ｚ方向側の端部は、ターゲット収容タンク８４Ａの第１面近傍に位置してもよい。これにより、ターゲット供給タンク８７Ｄ内のターゲット物質２７０は、連通部８６０Ｄを通過して生成器本体８０Ａのターゲット収容タンク８４Ａ内に移送され得る。

移送配管８８１Ｄには、バルブ８８２Ｄが設けられてもよい。バルブ８８２Ｄには、ターゲット制御装置７１Ｄが電気的に接続されてもよい。バルブ８８２Ｄは、ターゲット制御装置７１Ｄの制御によって、ターゲット供給タンク８７Ｄ内のターゲット物質２７０をターゲット収容タンク８４Ａに移送可能な開状態と、移送しない閉状態とを切り替えできるように構成されてもよい。

移送配管８８１Ｄにおけるバルブ８８２Ｄよりも生成器本体８０Ａ側には、フィルタ部８８３Ｄが設けられてもよい。フィルタ部８８３Ｄは、フィルタ８８４Ｄと、ホルダ８８５Ｄとを備えてもよい。第４実施形態において、本開示のフィルタは、フィルタ８３１Ａではなく、フィルタ８８４Ｄであってもよい。

フィルタ８８４Ｄは、フィルタ８３１Ａと同様の構成であってもよい。例えば、フィルタ８８４Ｄは、第１フィルタおよび第２フィルタのうち少なくとも一方のフィルタを備えてもよい。

ホルダ８８５Ｄは、ホルダ８３２Ａと同様の構成であってもよい。ホルダ８８５Ｄは、フィルタ８８４Ｄが連通部８６０Ｄを塞ぐように、フィルタ８８４Ｄを保持してもよい。フィルタ８８４Ｄにより、連通部８６０Ｄが、フィルタ８８４Ｄよりターゲット供給タンク８７Ｄ側の第１連通部８６１Ｄと、フィルタ８８４Ｄよりノズル孔８２２Ａ側の第２連通部８６２Ｄとに分けられてもよい。

ターゲット供給タンク８７Ｄの蓋部８７２Ｄには、配管７５４Ｄが貫通するように設けられてもよい。蓋部８１Ａには、配管７５５Ｄが貫通するように設けられてもよい。

配管７５４Ｄには、圧力調整器７５Ｄが設けられてもよい。圧力調整器７５Ｄは、圧力調節器７５Ａと同様の構成を有してもよい。圧力調整器７５Ｄの図示しない圧力制御部は、ターゲット制御装置７１Ｄに電気的に接続されてもよい。圧力調整器７５Ｄは、ターゲット制御装置７１Ｄから送信される信号に基づいて、不活性ガスボンベ７５１Ａ内の不活性ガスをターゲット供給タンク８７Ｄ内に供給可能に構成されてもよい。圧力調整器７５Ｄは、ターゲット制御装置７１Ｄから送信される信号に基づいて、ターゲット供給タンク８７Ｄ内の圧力を調整可能に構成されてもよい。

配管７５５Ｄには、圧力調節器７５Ａが設けられてもよい。

排気部７７Ａは、ターゲット制御装置７１Ｄから送信される信号に基づいて、生成器本体８０Ａ内およびターゲット供給タンク８７Ｄ内を排気可能に構成されてもよい。

温度可変装置７８Ａの温度センサ７８３Ａは、タンク本体８７１Ｄの外周面における第１面側に設けられてもよいし、タンク本体８７１Ｄ内に設けられてもよい。

温度制御部９７Ｄは、温度可変装置７８Ａと同様の構成を有してもよい。温度制御部９７Ｄは、ヒータ９７１Ｄと、ヒータ電源９７２Ｄと、温度センサ９７３Ｄと、温度コントローラ９７４Ｄとを備えてもよい。

温度センサ９７３Ｄは、ターゲット収容タンク８４Ａの外周面におけるノズル本体８５Ａ側に設けられてもよいし、ターゲット収容タンク８４Ａ内に設けられてもよい。温度コントローラ９７４Ｄは、温度センサ９７３Ｄからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源９７２Ｄに出力するよう構成されてもよい。

４．１．２ 動作
ターゲット制御装置７１Ｄは、ターゲット供給タンク８７Ｄ内にインゴット２７５が収容され、かつ、移送部８８Ｄのバルブ８８２Ｄが閉じられた状態において、温度可変装置７８Ａおよび圧力調整器７５Ｄを制御して、ターゲット物質２７０の精製処理を行ってもよい。ターゲット物質２７０の精製処理は、図８に示すような第１実施形態で行われたものと同様であってもよい。なお、ステップＳ２においてはターゲット収容タンク８４Ａおよび、ターゲット供給タンク８７Ｄの排気が行われてもよい。

図８に示すステップＳ３の金属酸化物２７８の析出処理により、図３５に示すように、ターゲット供給タンク８７Ｄ内のターゲット物質２７０に金属酸化物２７８が析出し得る。

そして、ターゲット制御装置７１Ｄは、ステップＳ４の処理を行ってもよい。ステップＳ４の処理において、ターゲット制御装置７１Ｄは、温度可変装置７８Ａおよび温度制御部９７Ｄを制御してもよい。このステップＳ４の処理により、ターゲット供給タンク８７Ｄおよびターゲット収容タンク８４Ａの温度が出力温度Ｔｏｐに維持され得る。ターゲット制御装置７１Ｄは、ステップＳ４の処理の後に、バルブ８８２Ｄを開いてもよい。

ターゲット制御装置７１Ｄは、ステップＳ５の処理を行ってもよい。ステップＳ５の処理において、ターゲット制御装置７１Ｄは、圧力調整器７５Ｄを制御してもよい。このステップＳ５の処理により、金属酸化物２７８がフィルタ８８４Ｄで捕集されるとともに、過飽和状態でないターゲット物質２７０がフィルタ８８４Ｄを通過し、第２連通部８６２Ｄを介してターゲット収容タンク８４Ａ内に供給され得る。

ターゲット制御装置７１Ｄは、ステップＳ６の処理を行ってもよい。ステップＳ６の処理において、ターゲット制御装置７１Ｄは、圧力調節器７５Ａを制御してもよい。このステップＳ６の処理により、ターゲット物質２７０がジェット２７Ａとして出力し得る。ターゲット制御装置７１Ｄは、ステップＳ７の処理を行ってもよい。

第４実施形態によれば、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０に対して金属酸化物２７８の析出処理を行うことなく、金属酸化物２７８によるノズル孔８２２Ａの詰まりや、ノズル孔８２２Ａの径が小さくなることが抑制され得る。

５．コントローラ
５．１ 構成
図３６は、コントローラの概略構成を示すブロック図である。

上述した実施形態におけるコントローラは、ＥＵＶ光生成制御システム５、ターゲット制御装置７１Ａ，ターゲット制御装置７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄ、圧力制御部７５２Ａ、各温度コントローラ７８４Ａ，９１４Ｃ，９２４Ｃ，９３４Ｃ，９４４Ｃ，９７４Ｄ等であってもよい。コントローラは、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。たとえば、以下のように構成されてもよい。

コントローラは、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏ（Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ）コントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ）、Ｄ／Ａ（Ｄｉｇｉｔａｌ／Ａｎａｌｏｇ）コンバータ１０４０とによって構成されてもよい。ストレージメモリ１００５は、本開示のターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体であってもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマ１００３と、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１００４とから構成されてもよい。

５．２ 動作
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部１０００は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読み出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２Ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３Ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４Ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。

処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマ１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２Ｘは、ＥＵＶ光生成制御システム５、他のコントローラ等であってもよい。

シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３Ｘは、圧力制御部７５２Ａ、各温度コントローラ７８４Ａ，９１４Ｃ，９２４Ｃ，９３４Ｃ，９４４Ｃ，９７４Ｄ等であってもよい。

Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４Ｘは、温度センサ７８３Ａ，７６２Ｂ、９１３Ｃ，９２３Ｃ，９３３Ｃ，９４３Ｃ，９７３Ｄ、圧力センサ７５３Ａ、真空計等の各種センサであってもよい。

以上のように構成されることで、コントローラはフローチャートに示された動作を実現可能であってよい。例えば、コントローラとしてのターゲット制御装置７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄは、ストレージメモリ１００５に記憶されたターゲット物質の精製プログラムに基づいて、フローチャートに示された処理を行ってもよい。

６．他の変形例
第２実施形態または第２実施形態の変形例において、温度Ｔを温度ＴＨから温度ＴＬに下げるまでの間に、温度ＴＢに所定時間維持するようにしてもよい。

第３実施形態において、温度Ｔ１〜Ｔ４を温度ＴＢに維持する時間を設けなくてもよい。第３実施形態の変形例において、温度Ｔ１，Ｔ２を温度ＴＢに維持する時間を設けなくてもよい。

第３実施形態において、第３，第４温度可変装置９３Ｃ，９４Ｃを設けなくてもよい。第３実施形態または第３実施形態の変形例において、第３温度可変装置９３Ｃおよび第４温度可変装置９４Ｃのうち一方を設けなくてもよいし、ターゲット収容タンク８４Ａの外周面およびノズル８６Ａの外周面のうち少なくとも一方に、３個以上の温度可変装置を設けてもよい。

第４実施形態において、ターゲット供給タンク８７Ｄ内のターゲット物質２７０に対して金属酸化物２７８の析出処理を行ったが、この析出処理に加えて、ターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０に対しても金属酸化物２７８の析出処理を行ってもよい。このような処理により、金属酸化物２７８によるノズル孔８２２Ａの詰まりや、ノズル孔８２２Ａの径が小さくなることがさらに抑制され得る。

第４実施形態において、ステップＳ７の処理によりターゲット収容タンク８４Ａ内のターゲット物質２７０が少なくなった場合に、ターゲット供給タンク８７Ｄ内のターゲット物質２７０に対して金属酸化物２７８の析出処理を行い、過飽和状態でないターゲット物質２７０をターゲット収容タンク８４Ａ内に供給してもよい。

第４実施形態におけるターゲット物質２７０の精製処理は、第１実施形態の変形例、第２実施形態、第２実施形態の変形例のうち、いずれか１つで行われた処理と同様であってもよい。

第４実施形態において、ターゲット供給タンク８７Ｄの外周面に２個の温度可変装置を設け、ターゲット制御装置７１Ｄが金属酸化物２７８の析出処理として以下のような処理を行ってもよい。ターゲット制御装置７１Ｄは、ターゲット供給タンク８７Ｄ内のインゴット２７５を、フィルタ８８４Ｄに近い側に位置する部分より、フィルタ８８４Ｄから遠い側に位置する部分を先に融解させるように、温度可変装置を制御してもよい。

第１〜第４実施形態または上述の各変形例において、本開示の温度可変装置として、ヒータでタンクの温度を変化させる構成を示したが、ヒータの代わりに、加熱と冷却の機能を備えるペルチェ素子をタンクに配置してもよい。この場合、ペルチェ素子に流す電流の大きさや向きを調節し、加熱や冷却を行うことで、タンクの温度を変化させてもよい。また、本開示の温度可変装置として、ヒータに加えて、冷却水路をタンクに配置してもよい。この場合、ヒータに流す電流の大きさや冷却水路に流す冷却水の量を調節することで、タンクの温度を変化させてもよい。

第１〜第４実施形態または上述の各変形例において、ノズル８６Ａからのターゲット物質２７０の出力やＥＵＶ光２５２の生成を長期間停止したときや、ターゲット収容タンク８４Ａ内またはターゲット供給タンク８７Ｄ内のインゴット２７５が空気に触れる作業を実施した後に、金属酸化物２７８の析出処理を行ってもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。したがって、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書および添付の請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」または「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書および添付の請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」または「１またはそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ…ターゲット供給装置、８…ターゲット生成器、７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄ…ターゲット制御装置（制御部、コンピュータ）、７７Ａ…排気部、７８Ａ，９１Ｃ，９２Ｃ，９３Ｃ，９４Ｃ…温度可変装置、８４Ａ…ターゲット収容タンク（タンク）、８６Ａ…ノズル、８７Ｄ…ターゲット供給タンク、２７０…ターゲット物質、２７８…金属酸化物、８２２Ａ…ノズル孔、８３１Ａ，８８４Ｄ…フィルタ、８６０Ａ，８６０Ｄ…連通部、１０５０…ストレージメモリ（記録媒体）

Claims (18)

1. ターゲット物質を収容するタンクと、
   前記タンクから前記ターゲット物質が出力される孔を備えたノズルと、
   前記ターゲット物質を前記ノズルの孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、
   前記タンクを加熱する少なくとも１つの加熱部と、
   前記加熱部を制御する制御部と、
   を備え、
   前記タンクは、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記フィルタに近い領域にある第２の領域とを含み、
   前記制御部は、前記第１の領域が前記第２の領域より先に前記ターゲット物質の融点に達するよう前記加熱部を設定する、
   ターゲット供給装置。
2. 請求項１記載のターゲット供給装置であって、
   前記加熱部は、前記第１の領域を加熱する第１の加熱部と、前記第２の領域を加熱する第２の加熱部とを含む、
   ターゲット供給装置。
3. 請求項１記載のターゲット供給装置であって、
   前記加熱部は、前記タンクの外周に配置される、
   ターゲット供給装置。
4. 請求項１記載のターゲット供給装置であって、
   前記加熱部は、前記タンクを挟むように配置される、
   ターゲット供給装置。
5. 請求項１記載のターゲット供給装置であって、
   前記制御部は、前記第１の領域を昇温する第１の昇温速度を、前記第２の領域を昇温する第２の昇温速度よりも大きくなるよう設定する、
   ターゲット供給装置。
6. 請求項１記載のターゲット供給装置であって、
   前記制御部は、前記第１の領域の温度が前記融点を超えて上昇し続けている状態で、前記第２の領域が前記融点に達するよう設定する、
   ターゲット供給装置。
7. 請求項１記載のターゲット供給装置であって、
   前記制御部は、前記第１の領域と前記第２の領域の加熱が略同時に開始されるよう設定する、
   ターゲット供給装置。
8. 請求項１記載のターゲット供給装置であって、
   前記制御部は、前記第１の領域と前記第２の領域を前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する、
   ターゲット供給装置。
9. 請求項６記載のターゲット供給装置であって、
   さらに、前記連通部を加熱する連通部加熱部を含み、
   前記制御部は、前記連通部が、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記融点を超えて上昇し続けている状態で、前記融点に達し、その後、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記連通部の温度を超えている状態で、前記連通部を前記ターゲット物質が凝固せずに金属酸化物が析出しない温度に維持するよう設定する、
   ターゲット供給装置。
10. 請求項６記載のターゲット供給装置であって、
    さらに、前記連通部を加熱する連通部加熱部を含み、
    前記制御部は、前記連通部が、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記融点を超えて上昇し続けている状態で、前記融点に達し、その後、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記連通部の温度を超えている状態で、前記連通部を前記融点以上かつ析出した金属酸化物が成長して大きくなる温度以下の温度に維持するよう設定する、
    ターゲット供給装置。
11. 請求項６記載のターゲット供給装置であって、
    さらに、前記連通部を加熱する連通部加熱部を含み、
    前記ターゲット物質はスズであり、
    前記制御部は、前記連通部が、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記融点を超えて上昇し続けている状態で、前記融点に達し、その後、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記連通部の温度を超えている状態で、前記連通部を２３２℃から２４０℃の範囲の温度に維持するよう設定する、
    ターゲット供給装置。
12. 請求項６記載のターゲット供給装置であって、
    さらに、前記ノズルを加熱するノズル加熱部を含み、
    前記制御部は、前記ノズルが、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記融点を超えて上昇し続けている状態で、前記融点に達し、その後、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記ノズルの温度を超えている状態で、前記ノズルを前記ターゲット物質が凝固せずに金属酸化物が析出しない温度に維持するよう設定する、
    ターゲット供給装置。
13. 請求項６記載のターゲット供給装置であって、
    さらに、前記ノズルを加熱するノズル加熱部を含み、
    前記制御部は、前記ノズルが、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記融点を超えて上昇し続けている状態で、前記融点に達し、その後、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記ノズルの温度を超えている状態で、前記ノズルを前記融点以上かつ析出した金属酸化物が成長して大きくなる温度以下の温度に維持するよう設定する、
    ターゲット供給装置。
14. 請求項６記載のターゲット供給装置であって、
    さらに、前記ノズルを加熱するノズル加熱部を含み、
    前記ターゲット物質はスズであり、
    前記制御部は、前記ノズルが、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記融点を超えて上昇し続けている状態で、前記融点に達し、その後、前記第１の領域の温度と前記第２の領域の温度が前記ノズルの温度を超えている状態で、前記ノズルを２３２℃から２４０℃の範囲の温度に維持するよう設定する、
    ターゲット供給装置。
15. 内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、
    前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記ターゲット物質を収容するタンクと、
    前記タンクから前記ターゲット物質が出力される孔を備えたノズルと、
    前記ターゲット物質を前記ノズルの孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、
    前記タンクを加熱する加熱部と、
    前記加熱部を制御する制御部と、
    を備え、
    前記タンクは、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記フィルタに近い領域にある第２の領域とを含み、
    前記制御部は、前記第１の領域が前記第２の領域より先に前記ターゲット物質の融点に達するよう前記加熱部を設定する、
    極端紫外光生成装置。
16. 請求項１５に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記制御部は、前記第１の領域と前記第２の領域を前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する、
    極端紫外光生成装置。
17. 極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光し、
    前記極端紫外光生成装置は、
    内部空間に供給されるターゲット物質にレーザ光が照射されることで極端紫外光が生成されるチャンバと、
    前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記ターゲット物質を収容するタンクと、
    前記タンクから前記ターゲット物質が出力される孔を備えたノズルと、
    前記ターゲット物質を前記ノズルの孔に導くための連通部に配置されたフィルタと、
    前記タンクを加熱する加熱部と、
    前記加熱部を制御する制御部と、
    を備え、
    前記タンクは、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記フィルタに近い領域にある第２の領域とを含み、
    前記制御部は、前記第１の領域が前記第２の領域より先に前記ターゲット物質の融点に達するよう設定する、
    電子デバイスの製造方法。
18. 請求項１７に記載の電子デバイスの製造方法であって、
    前記制御部は、前記第１の領域と前記第２の領域を前記ターゲット物質の融点より高い温度に設定する、
    電子デバイスの製造方法。
    

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