WO2015087979A1

WO2015087979A1 - ターゲット供給装置

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Publication number: WO2015087979A1
Application number: PCT/JP2014/082879
Authority: WO
Inventors: 白石　裕; 俊行平下; 慎哉池坂
Original assignee: ギガフォトン株式会社
Priority date: 2013-12-13
Filing date: 2014-12-11
Publication date: 2015-06-18
Also published as: US20160249443A1; US9648715B2; JP6577870B2; WO2015087454A1; JPWO2015087979A1

Abstract

　ターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第１貫通孔を有し、第１貫通孔の内表面には、液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされている。

Description

ターゲット供給装置

　本開示は、ターゲット供給装置に関する。

　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、４５ｎｍ～７０ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（ＬａｓｅｒＰｒｏｄｕｃｅｄＰｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（ＤｉｓｃｈａｒｇｅＰｒｏｄｕｃｅｄＰｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（ＳｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎＲａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許出願公開第２０１２／０２９２５２７号明細書米国特許出願公開第２００６／０１９２１５５号明細書米国特許出願公開第２０１１／０１３９７０７号明細書米国特許第５８４３７６７号明細書特表２０１１－５１４６４８号特開２０１３－１４０７７１号特表２０１３－５１４９６６号

概要

　本開示の一態様によるターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第１貫通孔を有し、第１貫通孔の内表面には、液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされていてもよい。

　本開示の一態様によるターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、ガラスまたはセラミックで形成されたフィルタと、フィルタにおけるノズル孔側の面に当接してフィルタを支持する支持部材と、フィルタおよび支持部材をターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第１貫通孔を有し、支持部材は、第１貫通孔の口径より口径が大きく形成され、第１貫通孔から流出する液体ターゲット物質を流通させるための第２貫通孔を有してもよい。

　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図４は、ターゲット供給装置のフィルタ部および支持部の取り付け状態を示す。図５は、第３フィルタおよび支持プレートを概略的に示す斜視図である。図６は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じる問題を概略的に示す。図７は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。図８は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。図９は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。図１０は、第５実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。図１１は、第６実施形態に係るターゲット供給装置を含むフィルタ破損抑制装置の構成を概略的に示す。図１２は、フィルタ破損抑制方法を示すフローチャートである。図１３は、フィルタ破損抑制装置におけるフィルタ破損抑制方法を示すタイミングチャートである。図１４は、第３フィルタの第１貫通孔の口径と浸入圧力との関係を示すグラフである。図１５は、第７実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。図１６は、コーティング膜の構成例１を説明するための図を示す。図１７は、コーティング膜の構成例２を説明するための図を示す。図１８は、コーティング膜の構成例３を説明するための図を示す。

実施形態

～内容～
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１　構成
２．２　動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１　用語の説明
３．２　第１実施形態
３．２．１　構成
３．２．２　動作
３．３　第２実施形態
３．３．１　構成
３．３．２　動作
３．４　第３実施形態
３．４．１　構成
３．４．２　動作
３．５　第４実施形態
３．５．１　構成
３．５．２　動作
３．６　第５実施形態
３．６．１　構成
３．６．２　動作
３．７　第６実施形態
３．７．１　構成
３．７．２　動作
３．８　第７実施形態
３．８．１　構成
３．８．２　動作
３．９　コーティング膜の構成例
３．９．１　構成例１
３．９．２　構成例２
３．９．３　構成例３
４．　変形例

　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。また、図１以外の図面を用いて説明する実施形態において、図１に示す構成要素のうち、本開示の説明に必須でない構成については、図示を省略する場合がある。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
　本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第１貫通孔を有し、第１貫通孔の内表面には、液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされていてもよい。

　本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、ガラスまたはセラミックで形成されたフィルタと、フィルタにおけるノズル孔側の面に当接してフィルタを支持する支持部材と、フィルタおよび支持部材をターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第１貫通孔を有し、支持部材は、第１貫通孔の口径より口径が大きく形成され、第１貫通孔から流出する液体ターゲット物質を流通させるための第２貫通孔を有してもよい。

２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置７を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置７は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１および第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットとしてのドロップレット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２　動作
　図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。

　ターゲット供給装置７は、ドロップレット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ドロップレット２７が出力されるタイミング、ドロップレット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１　用語の説明
　以下、図１以外の図面を用いた説明において、方向に関する用語は各図に示したＸＹＺ軸を基準として説明する場合がある。なお、この表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。
　ターゲット物質２７０に印加する圧力であって、当該ターゲット物質２７０を所定の口径の貫通孔内に浸入させることができる最小の圧力を、「浸入圧力」と表現する場合があり得る。ターゲット物質２７０の表面張力に基づいて計算で求めた浸入圧力の値を、「浸入圧力計算値」と表現する場合があり得る。実験を行って求めた浸入圧力の値を、「浸入圧力実測値」と表現する場合があり得る。

３．２　第１実施形態
３．２．１　概略
　本開示の第１実施形態のターゲット供給装置において、フィルタは、鉛を含むガラスにより形成されていてもよい。
　本開示の第１実施形態のターゲット供給装置において、液体ターゲット物質と反応し難い材料は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、Ｃｒ_２Ｏ_３（酸化クロム（ＩＩＩ））、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）、または、ＴｉＢ_２（ホウ化チタン）であってもよい。
　本開示の第１実施形態のターゲット供給装置において、液体ターゲット物質と反応し難い材料は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、または、ＺｒＯ_２（酸化ジルコニウム）であってもよい。
　本開示の第１実施形態のターゲット供給装置は、フィルタにおけるノズル孔側の面に当接してフィルタを支持する支持部材と、フィルタおよび支持部材をターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、支持部材は、第１貫通孔の口径より口径が大きく形成され、第１貫通孔から流出する液体ターゲット物質を流通させるための複数の第２貫通孔を有してもよい。
　本開示の第１実施形態のターゲット供給装置において、支持部材は、モリブデン、石英ガラス、または、サファイヤで形成されていてもよい。

３．２．２　構成
　図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図４は、ターゲット供給装置のフィルタ部および支持部の取り付け状態を示す。図５は、第３フィルタおよび支持プレートを概略的に示す斜視図である。

　ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置７１Ａとを備えてもよい。ターゲット制御装置７１Ａには、レーザ装置３と、ターゲットセンサ４と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとが電気的に接続されてもよい。

　ターゲット生成部７０Ａは、図２および図３に示すように、ターゲット生成器８Ａと、フィルタ部７２Ａと、支持部７３Ａと、位置決め部７４Ａと、圧力調節器７６Ａと、温度制御部７８Ａと、ピエゾ部７９Ａとを備えてもよい。

　ターゲット生成器８Ａは、タンク８１Ａと、ノズル基端部８３Ａと、ノズル先端部８５Ａとを備えてもよい。タンク８１Ａと、ノズル基端部８３Ａと、ノズル先端部８５Ａとは、例えばモリブデンなどのターゲット物質２７０との反応性が低い材料で構成されてもよい。
　タンク８１Ａは、タンク本体８１１Ａと、蓋部８１２Ａとを備えてもよい。
　タンク本体８１１Ａは、－Ｚ方向側の第２面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。タンク本体８１１Ａの中空部は、収容空間８１０Ａであってもよい。タンク本体８１１Ａの第２面中央には、＋Ｚ方向に向かって略円形に凹む凹部８１３Ａが設けられてもよい。凹部８１３Ａの中央には、収容空間８１０Ａと連通する貫通孔８１４Ａが設けられてもよい。タンク本体８１１Ａの第２面全体は、研磨されてもよい。
　蓋部８１２Ａは、タンク本体８１１Ａの＋Ｚ方向側の第１面を閉塞する略円板状に形成されてもよい。蓋部８１２Ａは、複数のボルト８１５Ａによってタンク本体８１１Ａの第１面に固定されてもよい。このとき、タンク本体８１１Ａの第１面に設けられた溝にＯリング８１６Ａを嵌め込むことで、タンク本体８１１Ａと蓋部８１２Ａとの間をシールしてもよい。

　ノズル基端部８３Ａは、略円柱状に形成されてもよい。ノズル基端部８３Ａの外径は、タンク本体８１１Ａの外径と略等しくてもよい。ノズル基端部８３Ａの＋Ｚ方向側の第１面には、タンク本体８１１Ａの凹部８１３Ａの形状に相似する第１凸部８３１Ａが設けられてもよい。ノズル基端部８３Ａは、位置決め部７４Ａの後述するボルト７４６Ａによってタンク本体８１１Ａの第２面に固定されてもよい。このとき、第１凸部８３１Ａの＋Ｚ方向側の第１面に設けられた溝にＯリング８３２Ａを嵌め込むことで、タンク本体８１１Ａとノズル基端部８３Ａとの間をシールしてもよい。

　ノズル基端部８３Ａの中央には、図３および図４に示すように、上下方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔８３３Ａが設けられてもよい。貫通孔８３３Ａは、貫通孔８１４Ａに連通してもよい。貫通孔８３３Ａにおける＋Ｚ方向側は、収容部８３４Ａであってもよい。収容部８３４Ａには、位置決め部７４Ａの後述するホルダ７４１Ａが収容されてもよい。収容部８３４Ａは、第１当接部８３５Ａと、第２当接部８３６Ａとを備えてもよい。第１当接部８３５Ａは、ホルダ７４１Ａの外周面に当接してもよい。第２当接部８３６Ａは、ホルダ７４１Ａの第２面に当接してもよい。第２当接部８３６Ａにおけるホルダ７４１Ａと当接する当接面は、研磨されてもよい。

　ノズル基端部８３Ａの－Ｚ方向側の第２面には、凸部８３７Ａが設けられてもよい。凸部８３７Ａは、－Ｚ方向に向けて略円板状に突出してもよい。凸部８３７Ａには、貫通孔８３３Ａの開口が存在してもよい。

　ノズル先端部８５Ａは、図３に示すように、略円板状に形成されてもよい。ノズル先端部８５Ａの外径は、ノズル基端部８３Ａの外径よりも小さくてもよい。ノズル先端部８５Ａの第１面中央には、－Ｚ方向に向かって略円形に凹む凹部８５１Ａが設けられてもよい。凹部８５１Ａには、ノズル基端部８３Ａの凸部８３７Ａが嵌合してもよい。凹部８５１Ａにおける凸部８３７Ａと当接する部分は、研磨されてもよい。ノズル先端部８５Ａは、当該ノズル先端部８５Ａを貫通する複数のボルト８５２Ａによって、ノズル基端部８３Ａの第２面に固定されてもよい。

　ノズル先端部８５Ａの中央には、上下方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔８５３Ａが設けられてもよい。貫通孔８５３Ａは、貫通孔８３３Ａに連通してもよい。貫通孔８５３Ａは、－Ｚ方向に向かうにしたがって径寸法が小さくなる形状であってもよい。貫通孔８５３Ａの－Ｚ方向側の端部は、ノズル孔８５４Ａであってもよい。ノズル孔８５４Ａの直径は、１μｍ～３μｍであってもよい。

　ノズル基端部８３Ａとノズル先端部８５Ａとは、収容空間８１０Ａ内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてチャンバ２内に出力するためのノズル８２Ａを構成してもよい。ノズル８２Ａは、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されてもよい。具体的には、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料とは、ターゲット物質２７０との接触角が９０°以上材料であってもよい。接触角が９０°以上の材料は、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。ターゲット生成器８Ａは、タンク８１Ａとノズル基端部８３Ａとがチャンバ２外部に位置し、ノズル先端部８５Ａがチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。

　チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、ノズル孔８５４Ａの中心軸方向であってもよく、以降、設定出力方向１０Ａと称する。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット２７が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。

　ターゲット物質２７０には、異物としてのパーティクルが含まれることがあってもよい。パーティクルは、ターゲット物質２７０と不純物または酸素とが反応することによって生成され得る、またはターゲット物質２７０の原材料に含まれ得る、またはターゲット物質２７０とタンク８１Ａとの物理的な摩耗によって生成され得る。

　フィルタ部７２Ａは、図３および図４に示すように、第１フィルタ７２１Ａと、第２フィルタ７２２Ａと、第３フィルタ７２３Ａとを備えてもよい。
　第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａは、ターゲット物質２７０に含まれるパーティクルを捕集するために、多孔質の材料で作られてもよい。第１フィルタ７２１Ａには、口径が例えば１０μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。第２フィルタ７２２Ａには、口径が例えば３μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。このように、第１フィルタ７２１Ａ、第２フィルタ７２２Ａの貫通細孔のサイズは異なってよい。また、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの貫通細孔は、様々な方向に屈曲して各フィルタを貫通してもよい。
　第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａは略円板状に形成されてもよく、その直径は、貫通孔８３３Ａの最大内径より大きくてもよい。

　第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で形成されてもよい。第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａを構成する材料の線熱膨張係数とターゲット生成器８Ａを構成する材料の線熱膨張係数との差は、ターゲット生成器８Ａを構成する材料の線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。
　ターゲット物質２７０がスズの場合、ターゲット生成器８Ａは、スズとの反応性が低いモリブデンにより形成されてもよい。ターゲット生成器８Ａがモリブデンまたはタングステンにより形成されている場合、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａは、以下の表１で示す材料のうち、いずれかの材料で形成されてもよい。モリブデンの線熱膨張係数は、５．２×１０^－６である。タングステンの線熱膨張係数は、４．６×１０^－６である。

　第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの材料は、例えば、ＳＰＧテクノ株式会社より提供されるシラス多孔質ガラス（ＳＰＧ）であってもよい。ＳＰＧは火山灰シラスを原料とする多孔質ガラスであってもよい。ＳＰＧは、本開示のセラミックであってもよい。ＳＰＧが材料として使用された場合、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａは、略円板状に形成されてもよい。この場合、例えば、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの厚さ寸法であるＺ軸方向の寸法は、約３ｍｍであってもよく、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの直径は、約２０ｍｍであってもよい。
　ＳＰＧの組成の比は、以下の表２で示す比であってもよい。

　ＳＰＧが材料として使用された場合、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａには、口径が３μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ、様々な方向に屈曲する無数の貫通細孔が設けられ得る。

　第３フィルタ７２３Ａは、本開示のフィルタであってもよい。第３フィルタ７２３Ａは、ターゲット生成器８Ａ内に配置され、ターゲット物質２７０に含まれるパーティクルを捕集するために、複数の毛細管から作られてもよい。第３フィルタ７２３Ａは、図５に示すように、略円板状に形成されてもよく、その直径は、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａと略等しい約２０ｍｍであってもよい。第３フィルタ７２３Ａの厚さ寸法であるＺ軸方向の寸法は、約０．５ｍｍであってもよい。第３フィルタ７２３Ａには、図４および図５に示すように、厚さ方向であるＺ軸方向に貫通する多数の第１貫通孔７２４Ａが設けられてもよい。第１貫通孔７２４Ａの口径は、０．１μｍ～２μｍであってもよい。第３フィルタ７２３Ａは、第１貫通孔７２４Ａを有する毛細管を、複数束ねて固めることにより形成されてもよい。第３フィルタ７２３Ａの開口率は、約３０％であってもよい。開口率は、多数の第１貫通孔７２４Ａの開口の合計面積を第３フィルタ７２３Ａの＋Ｚ方向側の第１面の面積で除することで求められてもよい。

　第３フィルタ７２３Ａは、液体のターゲット物質２７０と反応して、固体の反応生成物を生成するガラスで形成されてもよい。第３フィルタ７２３Ａの毛細管を構成するガラスは、低融点であってもよい。毛細管を低融点のガラスで構成することにより、毛細管を高融点の石英ガラスで構成する場合と比べて、口径が小さい毛細管を形成することが可能となり得る。その結果、第３フィルタ７２３Ａを石英ガラスで形成する場合と比べて、第１貫通孔７２４Ａの口径が小さい第３フィルタ７２３Ａを形成することが可能となり得る。低融点のガラスは、鉛を含んでもよい。鉛を含むガラスの組成、軟化点、線熱膨張係数は、以下の表３、表４、表５に示すものであってもよい。

　本開示の第３フィルタ７２３Ａの組成は、表３の１行目に示すように、ＳｉＯ_２：ＰｂＯ＝６０：４０（モル％）であってもよい。ターゲット物質２７０がスズの場合、第３フィルタ７２３Ａを表３～表５に示す低融点のガラスで形成すると、スズとＰｂＯとが以下の式（１）、（２）のように還元反応し得る。

　ＰｂＯ＋Ｓｎ→Ｐｂ＋ＳｎＯ（固体）・・・（１）
　２ＰｂＯ＋Ｓｎ→２Ｐｂ＋ＳｎＯ_２（固体）・・・（２）

　第３フィルタ７２３Ａを低融点のガラスで形成すると、第３フィルタ７２３Ａには、ＳｉＯ_２とＰｂＯとが含まれているため、固体の鉛が析出し得る。低融点のガラスから固体の鉛が析出すると、残りのガラス構造が損傷し、固体のＳｉＯ_２が生成され得る。
　その結果、第３フィルタ７２３Ａを構成する低融点のガラスと、ターゲット物質２７０であるスズとが反応すると、ＳｎＯ、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２等のパーティクルが生成され得る。

　第３フィルタ７２３Ａにおける第１貫通孔７２４Ａの内表面には、図５に示すように、コーティング膜７２５Ａが設けられてもよい。コーティング膜７２５Ａは、液体のターゲット物質２７０と反応し難い材料をコーティングすることにより形成されてもよい。コーティング膜７２５Ａを第１貫通孔７２４Ａの内表面に設けることで、第３フィルタ７２３Ａを構成する低融点のガラスの鉛と、ターゲット物質２７０であるスズとが反応することが抑制され、ＳｎＯ、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２等のパーティクルの生成が抑制され得る。液体のターゲット物質２７０と反応し難い材料は、以下の表６で示す材料のうち、いずれかの材料であってもよい。

　第３フィルタ７２３Ａの組成がＳｉＯ_２：ＰｂＯ＝６０：４０（モル％）の場合、第３フィルタ７２３Ａの線熱膨張係数は、７．４×１０^－６である。コーティング膜７２５Ａは、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、Ｃｒ_２Ｏ_３（酸化クロム（ＩＩＩ））、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）、ＴｉＢ_２（ホウ化チタン）のいずれかで形成されてもよい。この場合、コーティング膜７２５Ａの線熱膨張係数が第３フィルタ７２３Ａの線熱膨張係数と略等しくなり得る。その結果、ターゲット生成器８Ａの加熱、冷却が繰り返されても、第３フィルタ７２３Ａとコーティング膜７２５Ａとの伸縮の大きさが略等しくなり、コーティング膜７２５Ａが第３フィルタ７２３Ａから剥がれることを抑制し得る。

　コーティング膜７２５Ａは、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＺｒＯ_２（酸化ジルコニウム）のいずれかで形成されてもよい。この場合、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、厚さ寸法が５ｎｍ～３０ｎｍと薄くて均一のコーティング膜７２５Ａが、第１貫通孔７２４Ａの内表面に形成され得る。ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＰＶＤ（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの通常の成膜法によりコーティング膜７２５Ａを形成する場合、ＡＬＤ法を用いる場合のように膜厚が均一のコーティング膜７２５Ａを形成することが困難となり得る。その結果、ＡＬＤ法でコーティング膜７２５Ａを形成することで、ＣＶＤ法やＰＶＤ法でコーティング膜７２５Ａを形成する場合と比べて、第３フィルタ７２３Ａを構成する低融点のガラスの鉛と、ターゲット物質２７０であるスズとが反応することが抑制され得る。

　コーティング膜７２５Ａは、コーティング膜７２５Ａの第３フィルタ７２３Ａからの剥がれにくさの観点、および、膜厚が均一のコーティング膜７２５Ａの形成のしやすさの観点から、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）のいずれかで形成されてもよい。

　支持部７３Ａは、支持プレート７３１Ａを備えてもよい。支持プレート７３１Ａは、本開示の支持部材であってもよい。支持プレート７３１Ａは、図３～図５に示すように、略円板状に形成されてもよく、その直径は、第１，第２，第３フィルタ７２１Ａ，７２２Ａ，７２３Ａと略等しい約２０ｍｍであってもよい。支持プレート７３１Ａは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で形成されてもよい。ターゲット物質２７０がスズの場合、支持プレート７３１Ａは、スズとの反応性が低いモリブデンにより形成されてもよい。支持プレート７３１Ａには、厚さ方向であるＺ軸方向に貫通する第２貫通孔７３２Ａが設けられてもよい。第２貫通孔７３２Ａの数は、第１貫通孔７２４Ａの数より少なくてもよい。第２貫通孔７３２Ａの口径は、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａの口径より大きくてもよい。第２貫通孔７３２Ａの口径は、１ｍｍ～２ｍｍであってもよい。

　位置決め部７４Ａは、フィルタ部７２Ａおよび支持部７３Ａをターゲット生成器８Ａ内で位置決めしてもよい。位置決め部７４Ａは、図３および図４に示すように、ホルダ７４１Ａと、シム７４５Ａと、ボルト７４６Ａとを備えてもよい。
　ホルダ７４１Ａは、図４に示すように、筒部７４２Ａと、当接部７４３Ａとを備えてもよい。ホルダ７４１Ａの＋Ｚ方向側の第１面および－Ｚ方向側の第２面は、研磨されてもよい。ホルダ７４１Ａは、ノズル基端部８３Ａの収容部８３４Ａに収容されてもよい。

　シム７４５Ａは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で形成されてもよい。第１，第２，第３フィルタ７２１Ａ，７２２Ａ，７２３Ａ、および、支持プレート７３１Ａを構成する材料の線熱膨張係数とシム７４５Ａを構成する材料の線熱膨張係数との差は、シム７４５Ａを構成する材料の線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。例えば、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２ＡがＳＰＧによって形成されたフィルタであり、第３フィルタ７２３Ａが鉛を含む低融点のガラスで形成されたフィルタであり、支持プレート７３１Ａがモリブデンで形成されたプレートであり、ターゲット物質２７０がスズの場合、シム７４５Ａは、モリブデンによって形成されてもよい。シム７４５Ａは、略円環板状に形成されてもよい。

　ホルダ７４１Ａ内には、支持プレート７３１Ａが収容されてもよい。支持プレート７３１Ａは、ホルダ７４１Ａの当接部７４３Ａに載置されてもよい。ホルダ７４１Ａ内における支持プレート７３１Ａの＋Ｚ方向側には、第１，第２，第３フィルタ７２１Ａ，７２２Ａ，７２３Ａが、Ｚ軸方向に重なるように収容されてもよい。このとき、第１フィルタ７２１Ａが＋Ｚ方向側に位置し、第３フィルタ７２３Ａが－Ｚ方向側に位置してもよい。このように、ターゲット物質２７０の出力方向に沿って、貫通細孔および第１貫通孔７２４Ａの大きさが徐々に小さくなるように、フィルタが配置されるようにしてもよい。ホルダ７４１Ａ内における第１フィルタ７２１Ａの＋Ｚ方向側には、例えば２枚のシム７４５Ａが重ねられてもよい。収容部８３４Ａの内部には、例えば、２枚のシム７４５Ａが重ねられてもよい。シム７４５Ａを複数用いる場合は、それらの厚さは同じでも異なっていてもよい。

　ボルト７４６Ａは、ノズル基端部８３Ａを貫通してタンク本体８１１Ａに螺合されてもよい。これにより、支持プレート７３１Ａと当接部７４３Ａとの間、－Ｚ方向側のシム７４５Ａと第１フィルタ７２１Ａとの間、複数のシム７４５Ａの間、＋Ｚ方向側のシム７４５Ａとタンク本体８１１Ａとの間がシールされ得る。支持プレート７３１Ａが、第３フィルタ７２３Ａにおけるノズル孔８５４Ａ側の面の全体に渡って当接して、第３フィルタ７２３Ａを支持し得る。第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａと支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａとが連通し得る。

　タンク８１Ａの蓋部８１２Ａには、図２および図３に示すように、配管７６４Ａが設けられてもよい。配管７６４Ａの＋Ｚ方向側の端部には、図示しない継手を介して配管７６８Ａの一方の端部が接続されてもよい。配管７６８Ａの他方の端部は、圧力調節器７６Ａを介して不活性ガスボンベ７６１Ａに接続されてもよい。このような構成によって、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の不活性ガスが、ターゲット生成器８Ａに供給され得る。

　配管７６８Ａには、圧力調節器７６Ａが設けられてもよい。圧力調節器７６Ａは、第１バルブＶ１と、第２バルブＶ２と、圧力制御部７６２Ａと、圧力センサ７６３Ａとを備えてもよい。
　第１バルブＶ１は、配管７６８Ａに設けられてもよい。
　配管７６８Ａにおける第１バルブＶ１よりタンク８１Ａ側には、配管７６９Ａが接続されてもよい。配管７６９Ａは、第１の端が配管７６８Ａの側面に連結されてもよい。配管７６９Ａは、第２の端が開放されてもよい。
　第２バルブＶ２は、配管７６９Ａの途中に設けられてもよい。
　第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第１バルブＶ１と第２バルブＶ２とは、同じ種類のバルブであってもよいし、異なる種類のバルブであってもよい。
　第１バルブＶ１および第２バルブＶ２には、圧力制御部７６２Ａが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、圧力制御部７６２Ａに第１バルブＶ１および第２バルブＶ２に関する信号を送信してもよい。第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、圧力制御部７６２Ａから送信される信号に基づいて、それぞれ独立して開閉を切り替えられてもよい。
　配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａは、例えばステンレス鋼で形成されてもよい。

　第１バルブＶ１が開くと、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の不活性ガスが、配管７６８Ａ，７６４Ａを介してターゲット生成器８Ａ内に供給され得る。第２バルブＶ２が閉じている場合、配管７６８Ａ，７６４Ａおよびターゲット生成器８Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７６９Ａの第２の端から当該配管７６９Ａの外部に排出されることを防止し得る。このことにより、第１バルブＶ１が開くとともに、第２バルブＶ２が閉じると、ターゲット生成器８Ａ内の圧力が、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の圧力まで上がり得る。その後、ターゲット生成器８Ａ内の圧力は、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の圧力で維持され得る。
　第１バルブＶ１が閉じると、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の不活性ガスが、配管７６８Ａ，７６４Ａを介してターゲット生成器８Ａ内に供給されることを防止し得る。そして、第２バルブＶ２が開くと、配管７６８Ａ，７６４Ａおよびターゲット生成器８Ａの内部と、当該配管７６８Ａ，７６４Ａおよびターゲット生成器８Ａの外部との間の圧力差によって、配管７６８Ａ，７６４Ａおよびターゲット生成器８Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７６９Ａの第２の端から当該配管７６９Ａの外部に排出され得る。これにより、第１バルブＶ１が閉じるとともに、第２バルブＶ２が開くと、ターゲット生成器８Ａ内の圧力が下がり得る。

　配管７６８Ａにおける配管７６９Ａよりタンク８１Ａ側には、配管７７０Ａが連結されてもよい。配管７７０Ａは、第１の端が配管７６８Ａの側面に接続されてもよい。配管７７０Ａの第２の端には、圧力センサ７６３Ａが設けられてもよい。圧力センサ７６３Ａには、圧力制御部７６２Ａが電気的に接続されてもよい。圧力センサ７６３Ａは、配管７７０Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号を圧力制御部７６２Ａに送信してもよい。配管７７０Ａ内の圧力は、配管７６８Ａ内、配管７６４Ａ内およびターゲット生成器８Ａ内の圧力とほぼ同一の圧力となり得る。

　温度制御部７８Ａは、タンク８１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。温度制御部７８Ａは、ヒータ７８１Ａと、ヒータ電源７８２Ａと、温度センサ７８３Ａと、温度コントローラ７８４Ａとを備えてもよい。ヒータ７８１Ａは、タンク８１Ａの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源７８２Ａは、温度コントローラ７８４Ａからの信号に基づいて、ヒータ７８１Ａに電力を供給してヒータ７８１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク８１Ａ内のターゲット物質２７０が、タンク８１Ａを介して加熱され得る。
　温度センサ７８３Ａは、タンク８１Ａの外周面におけるノズル８２Ａ側に設けられてもよいし、タンク８１Ａ内に設けられてもよい。温度センサ７８３Ａは、タンク８１Ａにおける主に温度センサ７８３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ７８４Ａに送信するよう構成されてもよい。温度センサ７８３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク８１Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。
　温度コントローラ７８４Ａは、温度センサ７８３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源７８２Ａに出力するよう構成されてもよい。

　ピエゾ部７９Ａは、ピエゾ素子７９１Ａと、電源７９２Ａとを備えてもよい。ピエゾ素子７９１Ａは、チャンバ２内において、ノズル８２Ａのノズル先端部８５Ａの外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７９１Ａの代わりに、高速でノズル８２Ａのノズル先端部８５Ａに振動を加えることが可能な機構が設けられてもよい。電源７９２Ａは、フィードスルー７９３Ａを介してピエゾ素子７９１Ａに電気的に接続されてもよい。電源７９２Ａは、ターゲット制御装置７１Ａに電気的に接続されてもよい。
　ターゲット生成部７０Ａは、コンティニュアスジェット方式でジェット２７Ａを生成し、ノズル８２Ａから出力したジェット２７Ａを振動させることで、ドロップレット２７を生成するよう構成されてもよい。

３．２．３　動作
　図６は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じる問題を概略的に示す。
　なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ａの動作を説明する。

　ターゲット供給装置は、図６に示すように、ターゲット生成器８Ａ、フィルタ部７２Ａ、位置決め部７４Ａの代わりにターゲット生成器８Ｐ、フィルタ７２１Ｐ、ホルダ７４１Ｐを適用し、支持部７３Ａを有しないこと以外は、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様の構成であってもよい。
　ターゲット生成器８Ｐは、ノズル孔８５４Ｐが形成されたノズル８２Ｐを有し、ターゲット物質２７０を収容するように構成されてもよい。ノズル孔８５４Ｐの直径は、１μｍ～３μｍであってもよい。
　ホルダ７４１Ｐは、略円環状に形成されてもよい。
　フィルタ７２１Ｐは、例えば第１フィルタ７２１Ａと同様に、多孔質の材料で形成されてもよい。フィルタ７２１Ｐには、口径が３μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ、様々な方向に屈曲する無数の貫通細孔が設けられてもよい。フィルタ７２１Ｐは、ノズル８２Ｐの貫通孔８２１Ｐを塞ぐように、ホルダ７４１Ｐで保持されてもよい。

　このようなターゲット供給装置において、ターゲット生成器８Ｐ内にターゲット物質２７０が収容され、かつ、フィルタ７２１Ｐの貫通細孔およびノズル８２Ｐの貫通孔８２１Ｐにターゲット物質２７０が満たされていてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、温度制御部７８Ａに信号を送信して、ターゲット生成器８Ｐ内のターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。

　このとき、フィルタ７２１Ｐの破片が生成されて、ノズル孔８５４Ｐを詰まらせることがあり得る。
　フィルタ７２１Ｐの貫通細孔の口径がノズル孔８５４Ｐの直径よりも大きいため、ターゲット物質２７０に含まれるパーティクル２７９Ｐの大きさが、フィルタ７２１Ｐの貫通細孔の口径より小さく、かつ、ノズル孔８５４Ｐの直径よりも大きい場合、フィルタ７２１Ｐで捕集されずに、ノズル孔８５４Ｐを詰まらせることがあり得る。

　フィルタ７２１Ｐで捕集できない小さなパーティクル２７９Ｐを捕集するために、第１実施形態の第３フィルタ７２３Ａと同様に、鉛を含む低融点のガラスで形成された複数の毛細管を用い、フィルタを形成することが考えられ得る。このように形成されたフィルタは、フィルタ７２１Ｐが捕集できなかったパーティクル２７９Ｐを捕集し得る。しかし、上述したように、フィルタを構成する低融点のガラスと、ターゲット物質２７０であるスズとが反応し、フィルタの貫通孔の内表面からＳｎＯ、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２等の新しいパーティクルが生成され得る。この生成されたパーティクルは、ノズル孔８５４Ｐを詰まらせることがあり得る。
　このような現象を抑制するために、ターゲット供給装置７Ａの第３フィルタ７２３Ａを図３～図５に示すように構成してもよい。

　図３～図５に示すターゲット供給装置７Ａにおいて、ターゲット生成器８Ａ内にターゲット物質２７０が収容され、かつ、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの貫通細孔、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａ、貫通孔８３３Ａ，８５３Ａにターゲット物質２７０が満たされていてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度は、ターゲット物質２７０がスズの場合には２３２℃以上であってもよい。
　ターゲット制御装置７１Ａは、ピエゾ素子７９１Ａに所定の周波数の信号を送信してもよい。これにより、ピエゾ素子７９１Ａが、ジェット２７Ａからドロップレット２７を周期的に生成するように振動し得る。

　ターゲット制御装置７１Ａは、圧力制御部７６２Ａに信号を送信して、ターゲット生成器８Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに設定してもよい。目標圧力Ｐｔは、１０ＭＰａ以上であってもよい。圧力制御部７６２Ａは、圧力センサ７６３Ａで計測した圧力Ｐと目標圧力Ｐｔの差ΔＰの値が小さくなるように、第１バルブＶ１および第２バルブＶ２を開閉制御してもよい。これにより、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の不活性ガスがターゲット生成器８Ａ内に供給され、当該ターゲット生成器８Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに安定し得る。ターゲット生成器８Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル８２Ａからジェット２７Ａが出力され、ノズル８２Ａの振動に応じてドロップレット２７が生成され得る。

　ノズル８２Ａからドロップレット２７が出力されると、収容空間８１０Ａ内のターゲット物質２７０は、第１フィルタ７２１Ａを通過し得る。ターゲット物質２７０が第１フィルタ７２１Ａを通過するとき、当該第１フィルタ７２１Ａは、その貫通細孔の口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
　第１フィルタ７２１Ａを通過したターゲット物質２７０は、第２フィルタ７２２Ａを通過し得る。ターゲット物質２７０が第２フィルタ７２２Ａを通過するとき、当該第２フィルタ７２２Ａは、その貫通細孔の口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
　第２フィルタ７２２Ａを通過したターゲット物質２７０は、第３フィルタ７２３Ａを通過し得る。ターゲット物質２７０が第３フィルタ７２３Ａを通過するとき、当該第３フィルタ７２３Ａは、第１貫通孔７２４Ａの口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。

　第３フィルタ７２３Ａは、第１フィルタ７２１Ａや第２フィルタ７２２Ａの破片を捕集し得る。
　第３フィルタ７２３Ａは、第１フィルタ７２１Ａの貫通細孔および第２フィルタ７２２Ａの貫通細孔より小さく、かつ、ノズル孔８５４Ａの直径より大きいパーティクルを捕集し得る。
　ターゲット物質２７０が第３フィルタ７２３Ａを通過するとき、コーティング膜７２５Ａによってターゲット物質２７０であるスズと第３フィルタ７２３Ａにおける第１貫通孔７２４Ａの内表面の鉛とが反応することが抑制され得る。その結果、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａの内表面からＳｎＯ、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２等の新しいパーティクルが生成されることを抑制し得る。
　したがって、ノズル孔８５４Ａが詰まることが抑制され得る。

　支持プレート７３１Ａが第３フィルタ７２３Ａにおけるノズル孔８５４Ａ側の面の全体に渡って当接して、第３フィルタ７２３Ａを支持しているため、第３フィルタ７２３Ａに目標圧力Ｐｔが印加された場合でも、第３フィルタ７２３Ａの破損を抑制し得る。
　第３フィルタ７２３Ａを通過したターゲット物質２７０は、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａを通過し、ノズル孔８５４Ａから出力され得る。

３．３　第２実施形態
３．３．１　構成
　図７は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
　第２実施形態のターゲット供給装置７Ｂは、ターゲット生成器８Ｂと、フィルタ部７２Ｂと、支持部７３Ｂ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。

　ターゲット生成器８Ｂは、図７に示すように、タンク８１Ａと、ノズル基端部８３Ｂと、ノズル先端部８５Ｂとを備えてもよい。ノズル基端部８３Ｂと、ノズル先端部８５Ｂとは、第３フィルタ７２３Ａと同様に、例えば鉛を含む低融点のガラスで形成されてもよい。
　ノズル基端部８３Ｂは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル基端部８３Ｂは、当該ノズル基端部８３Ｂの＋Ｚ方向側の第１面がタンク８１Ａの－Ｚ方向側の面に固定されてもよい。このとき、ノズル基端部８３Ｂの貫通孔８３３Ｂと、タンク８１Ａの貫通孔８１４Ａとが連通してもよい。貫通孔８３３Ｂの内径は、第３フィルタ７２３Ａの外径と略等しくてもよい。
　ノズル先端部８５Ｂは、－Ｚ方向側の第２面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。ノズル先端部８５Ｂの外径および内径は、ノズル基端部８３Ｂの外径および内径と略等しくてもよい。ノズル先端部８５Ｂにおける－Ｚ方向側の壁面の中央部分には、円錐台状の突出部８５５Ｂが設けられてもよい。突出部８５５Ｂは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。ノズル先端部８５Ｂにおける－Ｚ方向側の壁面の中央部分には、Ｚ軸方向に貫通する貫通孔８５３Ｂが設けられてもよい。貫通孔８５３Ｂは、－Ｚ方向に向かうに従って径寸法が小さくなる円錐状に形成されてもよい。貫通孔８５３Ｂの－Ｚ方向側の開口であって突出部８５５Ｂの先端部中央の開口は、ノズル孔８５４Ａを構成してもよい。
　ノズル基端部８３Ｂとノズル先端部８５Ｂとは、ノズル８２Ｂを構成してもよい。

　フィルタ部７２Ｂは、第３フィルタ７２３Ａのみで構成されてもよい。第３フィルタ７２３Ａは、鉛を含む低融点のガラスで形成されてもよい。第３フィルタ７２３Ａは、当該第３フィルタ７２３Ａの外周面がノズル基端部８３Ｂの内周面に溶融着されてもよい。
　支持部７３Ｂは、支持プレート７３１Ａと同形状の支持プレート７３１Ｂを備えてもよい。支持プレート７３１Ｂは、本開示の支持部材であってもよい。支持プレート７３１Ｂは、第２貫通孔７３２Ａと同様に設けられた第２貫通孔７３２Ｂを有してもよい。支持プレート７３１Ｂは、第３フィルタ７２３Ａと同様に、鉛を含む低融点のガラスで形成されてもよい。支持プレート７３１Ｂは、当該支持プレート７３１Ｂの外周面がノズル基端部８３Ｂの内周面に溶融着されてもよい。支持プレート７３１Ｂが、第３フィルタ７２３Ａにおけるノズル孔８５４Ａ側の面の全体に渡って当接して、第３フィルタ７２３Ａを支持してもよい。第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａと支持プレート７３１Ｂの第２貫通孔７３２Ｂとが連通してもよい。
　第３フィルタ７２３Ａとノズル基端部８３Ｂとの溶融着部分、支持プレート７３１Ｂとノズル基端部８３Ｂとの溶融着部分は、本開示の位置決め部であってもよい。

　ノズル基端部８３Ｂ、ノズル先端部８５Ｂ、第３フィルタ７２３Ａ、および、支持プレート７３１Ｂにおける液体のターゲット物質２７０と接触する面には、当該液体のターゲット物質２７０と反応し難い材料がコーティングされてもよい。液体のターゲット物質２７０と反応し難い材料は、上述の表６で示す材料のうち、いずれかの材料であってもよい。

３．３．２　動作
　ターゲット供給装置７Ｂの動作について説明する。
　以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。

　図７に示すターゲット供給装置７Ｂにおいて、ターゲット生成器８Ｂ内にターゲット物質２７０が収容され、ノズル基端部８３Ｂの内部、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ｂの第２貫通孔７３２Ｂ、ノズル先端部８５Ｂの内部にターゲット物質２７０が満たされていてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器８Ｂ内の圧力を調節してドロップレット２７を生成してもよい。

　ノズル８２Ｂからドロップレット２７が出力されると、ターゲット生成器８Ｂ内のターゲット物質２７０は、第３フィルタ７２３Ａを通過し得る。ターゲット物質２７０が第３フィルタ７２３Ａを通過するとき、当該第３フィルタ７２３Ａは、第１貫通孔７２４Ａの口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。

　ターゲット物質２７０が第３フィルタ７２３Ａを通過するとき、コーティング膜７２５Ａによってターゲット物質２７０であるスズと第３フィルタ７２３Ａにおける第１貫通孔７２４Ａの内表面の鉛とが反応することが抑制され得る。ターゲット物質２７０がノズル基端部８３Ｂ、支持プレート７３１Ｂの第２貫通孔７３２Ｂ、ノズル先端部８５Ｂを通過するとき、液体のターゲット物質２７０と反応し難いコーティング膜によって、ターゲット物質２７０とノズル基端部８３Ｂ、支持プレート７３１Ｂの第２貫通孔７３２Ｂ、ノズル先端部８５Ｂの鉛とが反応することが抑制され得る。その結果、ノズル基端部８３Ｂ、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ｂの第２貫通孔７３２Ｂ、ノズル先端部８５ＢからＳｎＯ、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２等の新しいパーティクルが生成されることを抑制し得る。
　したがって、ノズル孔８５４Ａが詰まることが抑制され得る。

　支持プレート７３１Ｂが第３フィルタ７２３Ａにおけるノズル孔８５４Ａ側の面の全体に渡って当接して、第３フィルタ７２３Ａを支持しているため、第３フィルタ７２３Ａに目標圧力Ｐｔが印加された場合でも、第３フィルタ７２３Ａの破損を抑制し得る。
　ノズル基端部８３Ｂ、ノズル先端部８５Ｂ、第３フィルタ７２３Ａ、支持プレート７３１Ｂを低融点のガラスで形成しているため、これらをモリブデンで形成する場合と比べて、パーティクルが生成されることを抑制し得る。
　ノズル先端部８５Ｂを低融点のガラスで形成しているため、ノズル先端部８５Ｂをモリブデンで形成する場合と比べて、ノズル孔８５４Ａの直径を小さくし得る。

３．４　第３実施形態
３．４．１　構成
　図８は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
　第３実施形態のターゲット供給装置７Ｃは、ターゲット生成器８Ｃと、位置決め部７４Ｃ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。

　ターゲット生成器８Ｃは、図８に示すように、図示しないタンクと、ノズル基端部８３Ｃと、ノズル先端部８５Ｃとを備えてもよい。ノズル基端部８３Ｃと、ノズル先端部８５Ｃの後述する出力部８６Ｃおよび固定部材８７Ｃとは、例えばモリブデンなどのターゲット物質２７０との反応性が低い材料で構成されてもよい。
　ノズル基端部８３Ｃは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル基端部８３Ｃは、当該ノズル基端部８３Ｃの＋Ｚ方向側の第１面がタンクの－Ｚ方向側の面に固定されてもよい。または、ノズル基端部８３Ｃは、タンクと一体的に形成されてもよい。このとき、ノズル基端部８３Ｃの貫通孔８３３Ｃと、タンクとが連通してもよい。貫通孔８３３Ｃにおける－Ｚ方向側は、収容部８３４Ｃであってもよい。収容部８３４Ｃには、位置決め部７４Ｃの後述するホルダ７４１Ｃが収容されてもよい。

　ノズル先端部８５Ｃは、出力部８６Ｃと、固定部材８７Ｃとを備えてもよい。出力部８６Ｃは、略円板状に形成されてもよい。出力部８６Ｃは、位置決め部７４Ｃの先端面に密着するように、固定部材８７Ｃによって固定されてもよい。出力部８６Ｃには、突出部８５５Ｂおよび貫通孔８５３Ｂと同様の構成を有する突出部８５５Ｃおよび貫通孔８５３Ｃが設けられてもよい。貫通孔８５３Ｃの－Ｚ方向側の開口は、ノズル孔８５４Ａを構成してもよい。
　ノズル基端部８３Ｃとノズル先端部８５Ｃとは、ノズル８２Ｃを構成してもよい。

　固定部材８７Ｃは、略円筒状に形成されてもよく、平面部分の外径寸法がノズル基端部８３Ｃの外径寸法と略等しくてもよい。固定部材８７Ｃの上面には、凹部８７１Ｃが設けられてもよい。ノズル先端部固定部材８７Ｃの中央には、上下方向に貫通する錐状孔８７２Ｃが設けられてもよい。錐状孔８７２Ｃは、－Ｚ方向に向かうに従って径寸法が大きくなる円錐状に形成されてもよい。
　固定部材８７Ｃの凹部８７１Ｃには、突出部８５５Ｃが錐状孔８７２Ｃの内部に位置するように、出力部８６Ｃが収容されてもよい。

　位置決め部７４Ｃは、フィルタ部７２Ａおよび支持部７３Ａをターゲット生成器８Ｃ内で位置決めしてもよい。位置決め部７４Ｃは、ホルダ７４１Ｃと、シム７４５Ａと、ボルト７４６Ａとを備えてもよい。
　ホルダ７４１Ｃは、筒部７４２Ｃと、当接部７４３Ｃとを備えてもよい。ホルダ７４１Ｃの＋Ｚ方向側の第１面および－Ｚ方向側の第２面は、研磨されてもよい。ホルダ７４１Ｃの－Ｚ方向側は、－Ｚ方向に向かうに従って径寸法が大きくなる円錐状に形成されてもよい。ホルダ７４１Ｃは、ノズル基端部８３Ｃの収容部８３４Ｃに収容されてもよい。
　ホルダ７４１Ｃ内には、支持プレート７３１Ａが収容されてもよい。支持プレート７３１Ａは、ホルダ７４１Ｃの当接部７４３Ｃに載置されてもよい。ホルダ７４１Ｃ内における支持プレート７３１Ａの＋Ｚ方向側には、第１，第２，第３フィルタ７２１Ａ，７２２Ａ，７２３Ａ、２枚のシム７４５Ａが重ねられてもよい。

　ボルト７４６Ａは、固定部材８７Ｃを貫通してノズル基端部８３Ｃに螺合されてもよい。これにより、出力部８６Ｃとホルダ７４１Ｃとの間、支持プレート７３１Ａと当接部７４３Ｃとの間、－Ｚ方向側のシム７４５Ａと第１フィルタ７２１Ａとの間、複数のシム７４５Ａの間、＋Ｚ方向側のシム７４５Ａとノズル基端部８３Ｃとの間がシールされ得る。支持プレート７３１Ａが、第３フィルタ７２３Ａにおけるノズル孔８５４Ａ側の面の全体に渡って当接して、第３フィルタ７２３Ａを支持し得る。第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａと支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａとが連通し得る。

３．４．２　動作
　ターゲット供給装置７Ｃの動作について説明する。
　以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。

　図８に示すターゲット供給装置７Ｃにおいて、ターゲット生成器８Ｃ内にターゲット物質２７０が収容され、かつ、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの貫通細孔、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａ、貫通孔８３３Ｃ，８５３Ｃにターゲット物質２７０が満たされていてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器８Ｃ内の圧力を調節してドロップレット２７を生成してもよい。

　ノズル８２Ｃからドロップレット２７が出力されると、ターゲット生成器８Ｃ内のターゲット物質２７０は、第１，第２，第３フィルタ７２１Ａ，７２２Ａ，７２３Ａを通過し得る。ターゲット物質２７０が第３フィルタ７２３Ａを通過するとき、当該第３フィルタ７２３Ａは、第１貫通孔７２４Ａの口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。

　フィルタ部７２Ａとノズル孔８５４Ａとの間の空間に液体のターゲット物質２７０が流れると、当該空間を形成する支持プレート７３１Ａ、ホルダ７４１Ｃおよび出力部８６Ｃと、ターゲット物質２７０との物理的な摩耗によって、パーティクルが生成され得る。ノズル孔８５４Ａを有する出力部８６Ｃと、フィルタ部７２Ａを収容するホルダ７４１Ｃとが接触し得るため、フィルタ部７２Ａとノズル孔８５４Ａとの間の空間が、第１実施形態の構成と比べて小さくなり得る。その結果、第１実施形態の構成と比べて、フィルタ部７２Ａとノズル孔８５４Ａとの間の空間におけるパーティクルが生成されることを抑制し得る。

３．５　第４実施形態
３．５．１　構成
　図９は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
　第４実施形態のターゲット供給装置７Ｄは、支持部７３Ｄ以外の構成については、第３実施形態のターゲット供給装置７Ｃと同様のものを適用してもよい。

　支持部７３Ｄは、支持プレート７３１Ｄを備えてもよい。支持プレート７３１Ｄは、本開示の支持部材であってもよい。支持プレート７３１Ｄは、円板部７３３Ｄを備えてもよい。円板部７３３Ｄは、第３実施形態の支持プレート７３１Ａの形状と略等しい略円板状に形成されてもよい。円板部７３３Ｄの－Ｚ方向側の第２面には、略円板状の凸部７３４Ｄが設けられてもよい。凸部７３４Ｄの外径は、円板部７３３Ｄの外径より小さくてもよい。第２貫通孔７３２Ａと同様に設けられた第２貫通孔７３２Ｄを有してもよい。支持プレート７３１Ｄは、ターゲット物質２７０との反応性が低い石英ガラスで形成されてもよい。支持プレート７３１Ｄには、厚さ方向であるＺ軸方向に貫通する第２貫通孔７３２Ｄが設けられてもよい。第２貫通孔７３２Ｄの数は、第１貫通孔７２４Ａの数より少なくてもよい。第２貫通孔７３２Ｄの口径は、第３実施形態の第２貫通孔７３２Ａの口径と略等しくてもよい。

　支持プレート７３１Ｄは、ホルダ７４１Ｃ内に収容されてもよい。支持プレート７３１Ｄの円板部７３３Ｄにおける－Ｚ方向側の第２面は、ホルダ７４１Ｃの当接部７４３Ｃに載置されてもよい。支持プレート７３１Ｄの凸部７３４Ｄは、当接部７４３Ｃより－Ｚ方向側に位置し、かつ、筒部７４２Ｃの－Ｚ方向側の第２面より＋Ｚ方向側に位置してもよい。ホルダ７４１Ｃ内における支持プレート７３１Ｄの＋Ｚ方向側には、第１，第２，第３フィルタ７２１Ａ，７２２Ａ，７２３Ａ、２枚のシム７４５Ａが重ねられてもよい。
　ボルト７４６Ａが固定部材８７Ｃを貫通してノズル基端部８３Ｃに螺合されると、支持プレート７３１Ｄと当接部７４３Ｃとの間がシールされ得る。支持プレート７３１Ｄが第３フィルタ７２３Ａにおけるノズル孔８５４Ａ側の面の全体に渡って当接して、第３フィルタ７２３Ａを支持し得る。第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａと支持プレート７３１Ｄの第２貫通孔７３２Ｄとが連通し得る。

３．５．２　動作
　ターゲット供給装置７Ｄの動作について説明する。
　以下において、第３実施形態と同様の動作については、説明を省略する。

　図９に示すターゲット供給装置７Ｄにおいて、ターゲット生成器８Ｃ内にターゲット物質２７０が収容され、かつ、フィルタ部７２Ａの各貫通細孔および第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ｄの第２貫通孔７３２Ｄ、貫通孔８３３Ｃ，８５３Ｃにターゲット物質２７０が満たされていてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器８Ｃ内の圧力を調節してドロップレット２７を生成してもよい。

　ノズル８２Ｃからドロップレット２７が出力されると、ターゲット生成器８Ｃ内のターゲット物質２７０は、フィルタ部７２Ａと支持プレート７３１Ｄとを通過し得る。フィルタ部７２Ａとノズル孔８５４Ａとの間の空間に液体のターゲット物質２７０が流れると、当該空間を形成する支持プレート７３１Ｄ、ホルダ７４１Ｃおよび出力部８６Ｃと、ターゲット物質２７０との物理的な摩耗によって、パーティクルが生成され得る。石英ガラスの表面はモリブデンの表面と比べて滑らかであるため、支持プレート７３１Ｄが石英ガラスで形成されている場合、支持プレート７３１Ｄがモリブデンで形成されている場合と比べて、支持プレート７３１Ｄが削られにくくなり得る。その結果、第３実施形態の構成と比べて、支持プレート７３１Ｄとターゲット物質２７０との物理的な摩耗によってパーティクルが生成されることを抑制し得る。
　支持プレート７３１Ｄの厚さ寸法が第３実施形態の支持プレート７３１Ａの厚さ寸法より大きいため、石英ガラスで形成された支持プレート７３１Ｄの破損を抑制し得る。

３．６　第５実施形態
３．６．１　構成
　図１０は、第５実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
　第５実施形態のターゲット供給装置７Ｅは、フィルタ部７２Ｅ以外の構成については、第３実施形態のターゲット供給装置７Ｃと同様のものを適用してもよい。
　フィルタ部７２Ｅは、第１フィルタ７２１Ａと、第２フィルタ７２２Ａとを備え、第３フィルタ７２３Ａを備えなくてもよい。この場合、第２フィルタ７２２Ａは、本開示のフィルタであってもよい。
　ホルダ７４１Ｃ内には、支持プレート７３１Ａが収容されてもよい。支持プレート７３１Ａは、ホルダ７４１Ｃの当接部７４３Ｃに載置されてもよい。ホルダ７４１Ｃ内における支持プレート７３１Ａの＋Ｚ方向側には、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａ、２枚のシム７４５Ａが重ねられてもよい。
　ボルト７４６Ａとノズル基端部８３Ｃとの螺合により、支持プレート７３１Ａと当接部７４３Ｃとの間がシールされ得る。支持プレート７３１Ａが、第２フィルタ７２２Ａにおけるノズル孔８５４Ａ側の面の全体に渡って当接して、第２フィルタ７２２Ａを支持し得る。第２フィルタ７２２Ａの貫通細孔と支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａとが連通し得る。

３．６．２　動作
　ターゲット供給装置７Ｅの動作について説明する。
　以下において、第３実施形態と同様の動作については、説明を省略する。

　図１０に示すターゲット供給装置７Ｅにおいて、ターゲット生成器８Ｃ内にターゲット物質２７０が収容され、かつ、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの貫通細孔、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａ、貫通孔８３３Ｃ，８５３Ｃにターゲット物質２７０が満たされていてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器８Ｃ内の圧力を調節してドロップレット２７を生成してもよい。

　支持プレート７３１Ａが第２フィルタ７２２Ａにおけるノズル孔８５４Ａ側の面の全体に渡って当接して、第２フィルタ７２２Ａを支持しているため、第２フィルタ７２２Ａにドロップレット２７を生成するための圧力が印加された場合でも、第２フィルタ７２２Ａの破損を抑制し得る。

３．７　第６実施形態
３．７．１　構成
　図１１は、第６実施形態に係るターゲット供給装置を含むフィルタ破損抑制装置の構成を概略的に示す。

　フィルタ破損抑制装置９Ｆは、図１１に示すように、チャンバ２Ｆと、ターゲット供給装置７Ｆと、撮影部９１Ｆと、タイマ９２Ｆとを備えてもよい。
　チャンバ２Ｆにおける－Ｚ方向側の壁には、ターゲット回収部２８が設けられてもよい。チャンバ２Ｆにおける－Ｘ方向側の壁には、円形状のウインドウ２１１Ｆが設けられてもよい。ターゲット供給装置７Ｆは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置７１Ｆとを備えてもよい。ターゲット生成部７０Ａのターゲット生成器８Ａは、チャンバ２Ｆにおける＋Ｚ方向側の壁を貫通し、かつ、ターゲット回収部２８と対向するように設けられてもよい。ターゲット生成器８Ａは、タンク８１Ａとノズル基端部８３Ａとがチャンバ２Ｆ外部に位置し、ノズル先端部８５Ａがチャンバ２Ｆ内部に位置するように設けられてもよい。
　ターゲット制御装置７１Ｆには、圧力制御部７６２Ａと、温度コントローラ７８４Ａと、電源７９２Ａと、撮影部９１Ｆの後述するカメラ９１２Ｆとが電気的に接続されてもよい。

　撮影部９１Ｆは、レンズ９１１Ｆと、カメラ９１２Ｆとを備えてもよい。
　レンズ９１１Ｆは、チャンバ２Ｆのウインドウ２１１Ｆの外側に設けられてもよい。レンズ９１１Ｆは、当該レンズ９１１Ｆの軸がウインドウ２１１Ｆの軸と略一致するように設けられてもよい。
　カメラ９１２Ｆは、ＣＣＤカメラであってもよい。カメラ９１２Ｆは、レンズ９１１Ｆおよびウインドウ２１１Ｆを介して、ノズル孔８５４Ａから出力されたドロップレット２７を撮影可能に設けられてもよい。カメラ９１２Ｆは、撮影した画像に対応する信号をターゲット制御装置７１Ｆに送信してもよい。

　タイマ９２Ｆは、ターゲット制御装置７１Ｆに電気的に接続されてもよい。タイマ９２Ｆは、時間を計時して、計時した時間に対応する信号をターゲット制御装置７１Ｆに送信してもよい。タイマ９２Ｆは、現在時刻を測る時計であってもよいし、当該タイマ９２Ｆの操作開始からの時間を測るストップウォッチであってもよい。

３．７．２　動作
　図１２は、フィルタ破損抑制方法を示すフローチャートである。図１３は、フィルタ破損抑制装置におけるフィルタ破損抑制方法を示すタイミングチャートである。図１４は、第３フィルタの第１貫通孔の口径と浸入圧力との関係を示すグラフである。
　なお、以下に示す動作において、ターゲット制御装置７１Ｆは、タイマ９２Ｆから送信される信号を受信して、この受信した信号に基づいて、時刻を判断してもよい。

　図１１に示すフィルタ破損抑制装置９Ｆにおいて、ターゲット生成器８Ａ内にターゲット物質２７０が収容されていてもよい。このとき、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの貫通細孔、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａ、貫通孔８３３Ａ，８５３Ａには、ターゲット物質２７０が満たされていなくてもよい。ターゲット生成器８Ａ内の圧力は、大気圧であってもよい。なお、図１１において、第１，第２貫通孔７２４Ａ，７３２Ａ、貫通孔８５３Ａについては、符号を図示していない。

　ターゲット制御装置７１Ｆは、図１２に示すように、ターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい（ステップＳ１）。ステップＳ１の処理は、図１３における時刻Ｔ０において行われてもよい。ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度は、ターゲット物質２７０がスズの場合には、２３２℃以上であってもよく、例えば、２４０℃から２７０℃であってもよい。
　ターゲット制御装置７１Ｆは、ターゲット物質２７０の温度が所定の温度で安定したと判断した場合、図１２に示すように、ターゲット生成器８Ａ内の目標圧力Ｐｔを第１圧力Ｐ１に設定してもよい（ステップＳ２）。ステップＳ２の処理は、図１３における時刻Ｔ１において行われてもよい。第１圧力Ｐ１は、ターゲット物質２７０であるスズが、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ内に浸入可能な大きさであってもよい。第１圧力Ｐ１は、図１４に示す関係に基づいて設定してもよい。ターゲット物質２７０であるスズの表面張力に基づいて、コーティング膜７２５Ａが設けられた第１貫通孔７２４Ａが、所定の口径の場合におけるターゲット物質２７０の浸入圧力を、計算により求め得る。図１４に示すように、浸入圧力計算値と浸入圧力実測値とは、略一致し得る。図１４に示す関係に基づいて、第１貫通孔７２４Ａの口径の大きさによって第１圧力Ｐ１を設定してもよい。例えば、第１貫通孔７２４Ａの口径が１μｍの場合、第１圧力Ｐ１を２ＭＰａに設定してもよい。第１貫通孔７２４Ａの口径が０．５μｍの場合、第１圧力Ｐ１を４ＭＰａに設定してもよいし、第１貫通孔７２４Ａの口径が２μｍの場合、第１圧力Ｐ１を１ＭＰａに設定してもよい。

　ターゲット生成器８Ａ内の圧力が第１圧力Ｐ１で安定すると、ターゲット生成器８Ａ内に収容された液体のターゲット物質２７０は、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの貫通細孔を通過し、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａに浸入し得る。第１貫通孔７２４Ａに浸入したターゲット物質２７０は、当該第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａ、貫通孔８３３Ａ，８５３Ａを通過し、ノズル孔８５４Ａから出力され得る。その結果、第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの貫通細孔、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａ、貫通孔８３３Ａ，８５３Ａに、ターゲット物質２７０が満たされ得る。
　ターゲット制御装置７１Ｆは、図１２に示すように、カメラ９１２Ｆからの信号を受信して、ターゲット物質２７０がノズル孔８５４Ａから出力したか否かを判断してもよい（ステップＳ３）。ステップＳ３の処理は、図１３における時刻Ｔ２以降に行われてもよいし、さらに時刻Ｔ１から時刻Ｔ２の間にも行われてもよい。ターゲット制御装置７１Ｆは、図１２に示すように、ステップＳ３においてターゲット物質２７０がノズル孔８５４Ａから出力されていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ３の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｆは、ステップＳ３においてターゲット物質２７０がノズル孔８５４Ａから出力されたと判断した場合、ターゲット生成器８Ａ内の目標圧力Ｐｔを第２圧力Ｐ２に設定してもよい（ステップＳ４）。ステップＳ４の処理は、図１３における時刻Ｔ３に行われてもよい。第２圧力Ｐ２は、ターゲット物質２７０をノズル孔８５４Ａからジェット２７Ａとして出力する大きさであってもよい。ターゲット物質２７０がスズであり、ジェット２７Ａの速度が５０ｍ／ｓ～１００ｍ／ｓの場合、第２圧力Ｐ２は、１０ＭＰａ～２０ＭＰａであってもよい。

　ターゲット生成器８Ａ内の圧力が第２圧力Ｐ２で安定すると、ターゲット生成器８Ａ内に収容された液体のターゲット物質２７０は、ジェット２７Ａとしてノズル孔８５４Ａから出力され得る。
　ターゲット制御装置７１Ｆは、図１２に示すように、カメラ９１２Ｆからの信号を受信して、ジェット２７Ａがノズル孔８５４Ａから出力したか否かを判断してもよい（ステップＳ５）。ステップＳ５の処理は、図１３における時刻Ｔ４以降に行われてもよいし、さらに時刻Ｔ３から時刻Ｔ４の間にも行われてもよい。ターゲット制御装置７１Ｆは、図１２に示すように、ステップＳ５においてジェット２７Ａがノズル孔８５４Ａから出力されていないと判断した場合、所定時間経過後にステップＳ５の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置７１Ｆは、ステップＳ５においてジェット２７Ａがノズル孔８５４Ａから出力されたと判断した場合、ピエゾ素子７９１Ａに所定の周波数の信号を送信してもよい（ステップＳ６）。これにより、ピエゾ素子７９１Ａが、ジェット２７Ａからドロップレット２７を周期的に生成するように振動し得る。

　ターゲット制御装置７１Ｆは、カメラ９１２Ｆからの信号を受信して、所定の速度のドロップレット２７を生成したか否かを判断してもよい（ステップＳ７）。ステップＳ６，Ｓ７の処理は、図１３における時刻Ｔ４以降に行われてもよい。ターゲット制御装置７１Ｆは、例えば、ドロップレット２７の速度と直径とを計測し、この計測結果に基づいて、所定の速度のドロップレット２７を生成したか否かを判断してもよい。ターゲット制御装置７１Ｆは、図１２に示すように、ステップＳ７において所定の速度のドロップレット２７を生成したと判断した場合、ドロップレット２７の生成を終了してもよい（ステップＳ８）。ターゲット制御装置７１Ｆは、ステップＳ８において、例えば、ピエゾ素子７９１Ａへの信号の送信を終了するとともに、ターゲット生成器８Ａ内の圧力を大気圧に戻してもよい。ターゲット制御装置７１Ｆは、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０の加熱を終了し、ターゲット物質２７０を固化させてもよい。このとき、ターゲット物質２７０は、第１，第２フィルタ第１フィルタ７２１Ａ，第２フィルタ７２２Ａの貫通細孔、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａ、貫通孔８３３Ａ，８５３Ａに満たされた状態で固化し得る。後述するステップＳ９の処理を行わずにステップＳ８の処理を行う場合、ターゲット物質２７０が固化したターゲット供給装置７Ｆは、チャンバ２Ｆから取り外され、例えば図２に示すようなＥＵＶ光生成装置１Ａのチャンバ２に取り付けられてもよい。

　一方、ターゲット制御装置７１Ｆは、ステップＳ７において所定の速度のドロップレット２７を生成していないと判断した場合、ターゲット供給装置７Ｆが異常であることを外部に通知して（ステップＳ９）、ステップＳ８の処理を行ってもよい。ステップＳ９の処理を行った後にステップＳ８の処理を行う場合、ターゲット物質２７０が固化したターゲット供給装置７Ｆに対し、当該ターゲット供給装置７Ｆを正常の状態にするためのメンテナンスを行ってもよい。

　上述のように、第１貫通孔７２４Ａにターゲット物質２７０が満たされていない第３フィルタ７２３Ａを使用するときに、まずターゲット物質２７０が第１貫通孔７２４Ａに浸入することができる最小の圧力を当該ターゲット物質２７０に印加するため、第３フィルタ７２３Ａの破損を抑制しつつ、第１貫通孔７２４Ａにターゲット物質２７０を満たし得る。
　第１貫通孔７２４Ａにターゲット物質２７０を満たした後に、ターゲット物質２７０をジェット２７Ａとして出力する大きさの圧力を当該ターゲット物質２７０に印加するため、第１貫通孔７２４Ａの＋Ｚ方向側の開口と－Ｚ方向側の開口の圧力差が小さくなり、第３フィルタ７２３Ａの破損を抑制し得る。

３．８　第７実施形態
　プラズマ生成に伴うデブリを低減するために、ターゲット供給装置には、出力されるドロップレット２７の直径を小さくするという要求がある。ドロップレットの直径を小さくするためにはノズル孔８５４Ａの直径も小さくする必要があり得る。これに伴って、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａの口径も小さくする必要があり得る。
　この場合、単に第１貫通孔７２４Ａの口径を小さくした第３フィルタ７２３Ａを用いると、当該第３フィルタ７２３Ａを通過するターゲット物質２７０の圧力損失が増加し、第３フィルタ７２３Ａに発生する応力が増大することがあり得る。このため、第３フィルタ７２３Ａに設けられる第１貫通孔７２４Ａの口径を小さくすると共に数を増加することが望ましいが、第３フィルタ７２３Ａ自体の受圧面の単位面積当たりの強度が低下する虞れがあり得る。
　そこで、口径を小さくし数を増やした第１貫通孔７２４Ａが設けられた第３フィルタ７２３Ａを、上述の各実施形態と同様に支持プレート７３１Ａにて支持することによって、当該第３フィルタ７２３Ａを補強することが考えられ得る。
　支持プレート７３１Ａに設けられる第２貫通孔７３２Ａの適切な口径および数は、第３フィルタ７２３Ａに設けられる第１貫通孔７２４Ａの口径および数によって規定され得る。第３フィルタ７２３Ａに設けられる第１貫通孔７２４Ａの口径を小さくし数を増やすことに伴って、支持プレート７３１Ａに設けられる第２貫通孔７３２Ａの口径も小さくし数も増やす必要があり得る。
　しかしながら、支持プレート７３１Ａがモリブデン等、ターゲット物質２７０との反応性が低い金属材料で製作される場合、その加工性およびコストの問題から、当該支持プレート７３１Ａに設けられる第２貫通孔７３２Ａの口径および数が制限され得る。
　したがって、出力されるドロップレット２７の直径を小さくするという要求に応え得るターゲット供給装置の実現が望まれている。

３．８．１　構成
　図１５は、第７実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
　第７実施形態のターゲット供給装置７Ｇは、支持部７３Ｇ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。

　支持部７３Ｇは、２つの支持プレートを用いて構成されてもよい。
　支持部７３Ｇは、支持プレート７３１Ｇと、支持プレート７３６Ｇとを備えてもよい。支持プレート７３１Ｇ及び支持プレート７３６Ｇは、本開示の支持部材であってもよい。

　支持プレート７３１Ｇは、支持プレート７３１Ａと略同一材料で形成されてもよい。支持プレート７３１Ｇは、支持プレート７３１Ａと略同一形状に形成されてもよい。支持プレート７３１Ｇは、第２貫通孔７３２Ａと同様に設けられた第２貫通孔７３２Ｇを有してもよい。

　支持プレート７３６Ｇは、第３フィルタ７２３Ａと同様の複数の毛細管から作られてもよい。
　支持プレート７３６Ｇを構成する当該毛細管は、第３フィルタ７２３Ａと同様に、表３、表４、表５に示された鉛を含むガラスによって形成されてもよい。あるいは、支持プレート７３６Ｇを構成する当該毛細管は、石英ガラスによって形成されてもよい。
　支持プレート７３６Ｇは、第３フィルタ７２３Ａと同様の略円板状に形成されてもよく、その直径は、第３フィルタ７２３Ａと略等しい約２０ｍｍであってもよい。支持プレート７３６Ｇには、第３フィルタ７２３Ａに設けられた第１貫通孔７２４Ａと同様に、厚さ方向であるＺ軸方向に貫通する多数の第２貫通孔７３７Ｇが設けられてもよい。第２貫通孔７３７Ｇの数は、第３フィルタ７２３Ａに設けられた第１貫通孔７２４Ａの数より少なく、支持プレート７３１Ｇに設けられた第２貫通孔７３２Ｇの数より多くてもよい。第２貫通孔７３７Ｇの口径は、第３フィルタ７２３Ａに設けられた第１貫通孔７２４Ａの口径より大きく、支持プレート７３１Ｇに設けられた第２貫通孔７３２Ｇの口径より小さくてもよい。第２貫通孔７３７Ｇの口径は、０．１ｍｍ～０．８ｍｍであってもよい。第３フィルタ７２３Ａが第１貫通孔７２４Ａを有する毛細管を複数束ねて固めることにより形成されるのと同様に、支持プレート７３６Ｇは、第２貫通孔７３７Ｇを有する毛細管を複数束ねて固めることにより形成されてもよい。
　支持プレート７３６Ｇの第２貫通孔７３７Ｇの内表面には、第３フィルタ７２３Ａと同様に、コーティング膜７２５Ａが設けられてもよい。

　ホルダ７４１Ａ内には、支持プレート７３１Ｇ及び支持プレート７３６Ｇが収容されてもよい。支持プレート７３１Ｇは、支持プレート７３１Ａと同様に、ホルダ７４１Ａの当接部７４３Ａに載置されてもよい。支持プレート７３６Ｇは、当接部７４３Ａに載置された支持プレート７３１Ｇにおける＋Ｚ方向側の面の略全体に渡って当接するように配置されてもよい。ホルダ７４１Ａ内における支持プレート７３６Ｇの＋Ｚ方向側には、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様に、第１，第２，第３フィルタ７２１Ａ，７２２Ａ，７２３Ａ、２枚のシム７４５Ａが重ねられてもよい。支持プレート７３６Ｇは、第３フィルタ７２３Ａにおける－Ｚ方向側の面の略全体に渡って当接して、ホルダ７４１Ａ内に収容された第３フィルタ７２３Ａを支持してもよい。第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａと、支持プレート７３６Ｇの第２貫通孔７３７Ｇと、支持プレート７３１Ｇの第２貫通孔７３２Ｇとは連通してもよい。

３．８．２　動作
　ターゲット供給装置７Ｇの動作について説明する。
　以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。

　図１５に示すターゲット供給装置７Ｇにおいて、ターゲット生成器８Ａ内にターゲット物質２７０が収容され、かつ、フィルタ部７２Ａの各貫通細孔および第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ｇ，７３６Ｇの第２貫通孔７３２Ｇ，７３７Ｇ、貫通孔８３３Ａ，８５３Ａにターゲット物質２７０が満たされていてもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、ターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器８Ａ内の圧力を調節してドロップレット２７を生成してもよい。

　ノズル８２Ａからドロップレット２７が出力されると、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０は、フィルタ部７２Ａを通過し得る。その際、フィルタ部７２Ａの第３フィルタ７２３Ａには、上述のようにドロップレット２７を生成するための目標圧力Ｐｔが印加され得る。
　このとき、支持プレート７３１Ｇは、支持プレート７３６Ｇにおける－Ｚ方向側の面の略全体に渡って当接して、支持プレート７３６Ｇを支持し得る。加えて、支持プレート７３１Ｇに支持された支持プレート７３６Ｇは、第３フィルタ７２３Ａにおける－Ｚ方向側の面の略全体に渡って当接して、第３フィルタ７２３Ａを支持し得る。すなわち、支持プレート７３１Ｇおよび支持プレート７３６Ｇは、圧力が印加された第３フィルタ７２３Ａに加わる力をそれぞれで分散して支持し得る。その結果、ターゲット供給装置７Ｇは、第１実施形態に比べて第３フィルタ７２３Ａの破損をより抑制し得る。
　さらに、第３フィルタ７２３Ａを支持する支持プレート７３１Ｇ，７３６Ｇは、ターゲット物質２７０の出力方向に沿って第２貫通孔７３２Ｇ，７３７Ｇの口径が徐々に大きくなるように配置され得る。このため、第３フィルタ７２３Ａに設けられた第１貫通孔７２４Ａの＋Ｚ方向側の開口と－Ｚ方向側の開口の圧力差は、第１実施形態に比べて小さくなり得る。それにより、当該圧力差に伴って発生する第３フィルタ７２３Ａの応力は、第１実施形態に比べて小さくなり得る。その結果、ターゲット供給装置７Ｇは、第１実施形態に比べて第３フィルタ７２３Ａの破損を更に抑制し得る。
　また、支持プレート７３６Ｇは、第３フィルタ７２３Ａと同様の複数の毛細管から作られ得るため、第３フィルタ７２３Ａと同様の製法を用いて製作され得る。すなわち、支持プレート７３６Ｇは、第３フィルタ７２３Ａと同様に自由度の高い加工性を有すると共に低コストで製作され得る。その結果、ターゲット供給装置７Ｇは、第３フィルタ７２３Ａを支持する支持プレート７３６Ｇに設けられる第２貫通孔７３７Ｇの口径および数を、当該第３フィルタ７２３Ａに設けられる第１貫通孔７２４Ａの口径および数に合わせて適切に形成し得る。
　したがって、ターゲット供給装置７Ｇは、出力されるドロップレット２７の直径を小さくするという要求に応え得る。

３．９　コーティング膜の構成例
　上述のように、ターゲット供給装置は、出力されるドロップレット２７の直径を小さくするという要求に応えるため、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａの口径を小さくする必要があり得る。
　第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４の口径は、当該第３フィルタ７２３Ａを構成する毛細管の内径によって制限され得る。当該第３フィルタ７２３Ａを構成する毛細管の内径は、当該毛細管の製法の問題から、容易に小さくすることができないことがあり得る。
　したがって、ドロップレット２７の小径化に合せて第１貫通孔７２４Ａの口径を容易に小さくし得る技術が望まれている。

３．９．１　構成例１
　図１６は、コーティング膜の構成例１を説明するための図を示す。
　第３フィルタ７２３Ａは、当該第３フィルタ７２３Ａに形成されるコーティング膜７２５Ａに工夫を施すことによって、第１貫通孔７２４Ａの口径を小さくしてもよい。
　構成例１のコーティング膜７２５Ａは、ＣＶＤ法やＰＶＤ法などの通常の蒸着法とＡＬＤ法とを組み合わせて形成されてもよい。

　具体的には、構成例１のコーティング膜７２５Ａが設けられる第３フィルタ７２３Ａは、図１６上段に示すように、第１貫通孔７２４Ａを有する毛細管を複数束ねて固めることによって形成されてもよい。当該毛細管は、第１～第７実施形態のターゲット供給装置７Ａ～７Ｇに含まれる第３フィルタ７２３Ａを構成する毛細管と同様であってもよい。コーティング膜７２５Ａが形成される前の第１貫通孔７２４Ａの口径は、例えば約１μｍであってもよい。

　続いて、当該第３フィルタ７２３Ａには、構成例１のコーティング膜７２５Ａが形成されてもよい。構成例１のコーティング膜７２５Ａは、コーティング膜７２５１Ａとコーティング膜７２５２Ａとを含んでもよい。

　構成例１のコーティング膜７２５Ａが形成される際、まず、図１６中段に示すように、第３フィルタ７２３Ａ上に、ＡＬＤ法を用いてコーティング膜７２５１Ａが形成されてもよい。
　コーティング膜７２５１Ａは、第３フィルタ７２３Ａのターゲット物質２７０と接触する部分に形成されてもよい。第３フィルタ７２３Ａのターゲット物質２７０と接触する部分には、第１貫通孔７２４Ａの内表面が含まれてもよい。
　コーティング膜７２５１Ａの材料は、第１～第７実施形態のターゲット供給装置７Ａ～７Ｇに含まれるコーティング膜７２５Ａと同様であってもよい。すなわち、コーティング膜７２５１Ａの材料は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＺｒＯ_２（酸化ジルコニウム）のいずれかであってもよい。好適には、コーティング膜７２５１Ａの材料は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）であってもよい。
　コーティング膜７２５１Ａは、ＡＬＤ法を用いて形成されることによって、均一な膜厚で薄く形成され得る。特に、コーティング膜７２５１Ａは、ＡＬＤ法を用いて形成されることによって、通常の蒸着法では困難な第１貫通孔７２４Ａの内表面に対しても均一な膜厚で薄く形成され得る。

　次に、図１６下段に示すように、ＣＶＤ法やＰＶＤ法などの通常の蒸着法を用いてコーティング膜７２５２Ａが形成されてもよい。
　コーティング膜７２５２Ａは、第１貫通孔７２４Ａの＋Ｚ方向側の開口周縁部分に形成されてもよい。あるいはコーティング膜７２５２Ａは、第１貫通孔７２４Ａの＋Ｚ方向側および－Ｚ方向側の各開口周縁部分にそれぞれ形成されてもよい。
　コーティング膜７２５２Ａの材料は、コーィング膜７２５１Ａと同一であってもよい。
　コーティング膜７２５２Ａの膜厚は、コーィング膜７２５１Ａより厚くてもよい。
　コーティング膜７２５２Ａは、第１貫通孔７２４Ａの開口周縁部分に通常の蒸着法を用いて厚く形成されることによって、第１貫通孔７２４Ａの口径を容易に小さくし得る。
　コーティング膜７２５１Ａが形成される前の第１貫通孔７２４Ａの口径が例えば約１μｍである場合、コーティング膜７２５２Ａが形成された後の第１貫通孔７２４Ａの口径は、例えば約０．２６μｍであってもよい。

　このように、構成例１のコーティング膜７２５Ａは、ＡＬＤ法と通常の蒸着法とを組み合わせて形成されることにより、第１貫通孔７２４Ａの口径を容易に小さくし得る。よって、構成例１のコーティング膜７２５Ａが設けられた第３フィルタ７２３Ａを備えるターゲット供給装置は、ドロップレット２７の直径を小さくするという要求に応え得る。

３．９．２　構成例２
　図１７は、コーティング膜の構成例２を説明するための図を示す。
　構成例２のコーティング膜７２５Ａは、成膜条件を適切に調節してＡＬＤ法のみで形成されてもよい。

　具体的には、構成例２のコーティング膜７２５Ａが設けられる第３フィルタ７２３Ａは、図１７上段に示すように、構成例１と同様に、第１貫通孔７２４Ａを有する毛細管を複数束ねて固めることによって形成されてもよい。

　続いて、当該第３フィルタ７２３Ａには、構成例２のコーティング膜７２５Ａが形成されてもよい。構成例２のコーティング膜７２５Ａは、図１７下段に示すように、構成例１のコーティング膜７２５２Ａを含まずに、コーティング膜７２５１Ａを含んでもよい。
　コーティング膜７２５１Ａが形成される第３フィルタ７２３Ａの部分は、構成例１のコーティング膜７２５１Ａと同様であってもよい。
　コーティング膜７２５１Ａの材料は、構成例１のコーティング膜７２５１Ａと同様であってもよい。
　コーティング膜７２５１Ａの膜厚は、構成例１のコーティング膜７２５１Ａより厚くてもよい。

　このように、構成例２のコーティング膜７２５Ａは、ＡＬＤ法だけを用いて形成されても、第１貫通孔７２４Ａの口径を小さくし得る。よって、構成例２のコーティング膜７２５Ａが設けられた第３フィルタ７２３Ａを備えるターゲット供給装置は、ドロップレット２７の直径を小さくするという要求に応え得る。

３．９．３　構成例３
　図１８は、コーティング膜の構成例３を説明するための図を示す。
　構成例３のコーティング膜７２５Ａは、ＡＬＤ法のみで形成されてもよい。

　具体的には、構成例３のコーティング膜７２５Ａが設けられる第３フィルタ７２３Ａは、図１８上段に示すように、構成例１と同様に、第１貫通孔７２４Ａを有する毛細管を複数束ねて固めることによって形成されてもよい。

　続いて、当該第３フィルタ７２３Ａには、構成例３のコーティング膜７２５Ａが形成されてもよい。構成例３のコーティング膜７２５Ａは、コーティング膜７２５１Ａとコーティング膜７２５３Ａとを含んでもよい。

　構成例３のコーティング膜７２５Ａが形成される際、まず、図１８中段に示すように、第３フィルタ７２３Ａ上に、ＡＬＤ法を用いてコーティング膜７２５１Ａが形成されてもよい。
　コーティング膜７２５１Ａが形成される第３フィルタ７２３Ａの部分は、構成例１のコーティング膜７２５１Ａと同様であってもよい。
　コーティング膜７２５１Ａの材料は、構成例１のコーティング膜７２５１Ａと同様であってもよい。
　コーティング膜７２５１Ａの膜厚は、構成例１のコーティング膜７２５１Ａと同様であってもよい。

　次に、図１８下段に示すように、ＡＬＤ法を用いてコーティング膜７２５３Ａが形成されてもよい。
　コーティング膜７２５３Ａは、コーティング膜７２５１Ａを覆うように形成されてもよい。
　コーティング膜７２５３Ａの材料は、コーティング膜７２５１Ａと異なる材料であってもよい。コーティング膜７２５３Ａの材料は、純水に溶け難い材料であってもよい。コーティング膜７２５３Ａの材料は、ＴｉＯ_２（酸化チタン）であってもよい。
　第３フィルタ７２３Ａは、ターゲット供給装置に組み込まれる前に純水で洗浄されることがあり得る。コーティング膜７２５Ａの材料の１つであるＡｌ_２Ｏ_３は、通常は水中で電離しないが成膜法によっては純水に溶け出すことがあり得る。すると、コーティング膜７２５Ａの下地である第３フィルタ７２３Ａの表面が露出することがあり得る。それにより、第３フィルタ７２３Ａがターゲット供給装置に組み込まれた際、当該露出部分がターゲット物質２７０と反応して反応生成物が生成され、ノズル孔８５４Ａが詰まることがあり得る。
　コーティング膜７２５３Ａは、ＴｉＯ_２などの純水に溶け難い材料でコーティング膜７２５１Ａを覆うように形成されることによって、コーティング膜７２５１Ａが純水に溶け出す可能性を極力排除し得る。

　さらに、構成例３のコーティング膜７２５Ａは、コーティング膜７２５１Ａだけでなくコーティング膜７２５３Ａも形成されることにより、第１貫通孔７２４Ａの口径を容易に小さくし得る。よって、構成例３のコーティング膜７２５Ａが設けられた第３フィルタ７２３Ａを備えるターゲット供給装置は、ドロップレット２７の直径を小さくするという要求に応え得る。
　さらに、構成例３のコーティング膜７２５Ａは、純水に溶け難い材料のコーティング膜７２５３Ａがコーティング膜７２５１Ａを覆うように形成されることで、第３フィルタ７２３Ａが純水にて洗浄されてもその表面の露出を極力抑制し得る。
　よって、構成例３のコーティング膜７２５Ａが設けられた第３フィルタ７２３Ａを備えるターゲット供給装置は、第３フィルタ７２３Ａとターゲット物質２７０との反応生成物が生成される確率を極力低減し得る。その結果、構成例３のコーティング膜７２５Ａが設けられた第３フィルタ７２３Ａを備えるターゲット供給装置は、直径の小さいドロップレット２７をより安定的に出力し得る。
　なお、構成例３のコーティング膜７２５Ａは、コーティング膜７２５１Ａおよびコーティング膜７２５３Ａ共に、ＴｉＯ_２などの純水に溶け難い材料で形成されてもよい。

４．　変形例
　なお、ターゲット供給装置、フィルタ破損抑制装置としては、以下に示すような構成としてもよい。
　第１実施形態において、ターゲット供給装置７Ａの第１，第２フィルタ７２１Ａ，７２２Ａの貫通細孔、第３フィルタ７２３Ａの第１貫通孔７２４Ａ、支持プレート７３１Ａの第２貫通孔７３２Ａ、貫通孔８３３Ａ，８５３Ａにターゲット物質２７０が満たされていない場合、第６実施形態のフィルタ破損抑制方法を用いて、上記貫通細孔および各孔７２４Ａ，７３２Ａ，８３３Ａ，８５３Ａにターゲット物質２７０を満たしてもよい。第２，第３，第４，第５，第７実施形態のターゲット供給装置７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｇにおいても、第６実施形態のフィルタ破損抑制方法を用いてもよい。
　支持プレート７３１Ａは、石英ガラスまたはサファイヤで形成されてもよい。支持プレート７３１Ｄは、モリブデンまたはサファイヤで形成されてもよい。
　第１，第３，第４，第６，第７実施形態において、第１フィルタ７２１Ａおよび第２フィルタ７２２Ａの両方を設けなくてもよいし、一方のみを設けてもよい。第５実施形態において、第１フィルタ７２１Ａおよび第２フィルタ７２２Ａの一方のみを設けてもよい。
　第６実施形態において、ターゲット供給装置７Ａの代わりに第２，第３，第４，第５，第７実施形態のターゲット供給装置７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｇを用いてもよい。

　図１６，図１７，図１８に示したコーティング膜７２５Ａの構成例１，２，３は、第１，第２，第３，第４，第５，第６，第７実施形態のコーティング膜７２５Ａに適用されてもよい。

　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

　本明細書および添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」または「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書および添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」または「１またはそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆ，７Ｇ…ターゲット供給装置、８Ａ，８Ｂ，８Ｃ…ターゲット生成器、７４Ａ，７４Ｃ…位置決め部、８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ…ノズル、２７０…ターゲット物質、７２３Ａ…第３フィルタ、７２４Ａ…第１貫通孔、７３１Ａ，７３１Ｂ，７３１Ｄ，７３１Ｇ…支持プレート（支持部材）、７３２Ａ，７３２Ｂ，７３２Ｄ，７３２Ｇ…第２貫通孔、８５４Ａ…ノズル孔

Claims

　液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に前記液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
　前記ターゲット生成器内に配置され、前記液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、
　前記フィルタは、前記液体ターゲット物質を流通させるための第１貫通孔を有し、
　前記第１貫通孔の内表面には、前記液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされているターゲット供給装置。
　請求項１に記載のターゲット供給装置において、
　前記フィルタは、鉛を含む前記ガラスにより形成されているターゲット供給装置。
　請求項２に記載のターゲット供給装置において、
　前記材料は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、Ｃｒ_２Ｏ_３（酸化クロム（ＩＩＩ））、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）、または、ＴｉＢ_２（ホウ化チタン）であるターゲット供給装置。
　請求項２に記載のターゲット供給装置において、
　前記材料は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、または、ＺｒＯ_２（酸化ジルコニウム）であるターゲット供給装置。
　請求項１に記載のターゲット供給装置において、
　前記フィルタにおける前記ノズル孔側の面に当接して前記フィルタを支持する支持部材と、
　前記フィルタおよび前記支持部材を前記ターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、
　前記支持部材は、前記第１貫通孔の口径より口径が大きく形成され、前記第１貫通孔から流出する前記液体ターゲット物質を流通させるための第２貫通孔を有するターゲット供給装置。
　液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に前記液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
　前記ターゲット生成器内に配置され、ガラスまたはセラミックで形成されたフィルタと、
　前記フィルタにおける前記ノズル孔側の面に当接して前記フィルタを支持する支持部材と、
　前記フィルタおよび前記支持部材を前記ターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、
　前記フィルタは、前記液体ターゲット物質を流通させるための第１貫通孔を有し、
　前記支持部材は、前記第１貫通孔の口径より口径が大きく形成され、前記第１貫通孔から流出する前記液体ターゲット物質を流通させるための第２貫通孔を有するターゲット供給装置。
　請求項６に記載のターゲット供給装置において、
　前記支持部材は、モリブデン、石英ガラス、または、サファイヤで形成されているターゲット供給装置。