JP6151926B2 - ターゲット供給装置 - Google Patents

Description

本開示は、ターゲット供給装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許第７４０５４１６号明細書

概要

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、収容空間および前記収容空間と連通する第１貫通孔を有するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有する多孔質の多孔質フィルタと、前記多孔質フィルタを保持するとともに、前記ターゲット生成器の内面との間がシールされるように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するホルダ部と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図３は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図４Ａは、多孔質フィルタをホルダ部に取り付けるときの動作を示す。 図４Ｂは、多孔質フィルタおよびホルダ部をターゲット生成器に取り付けた後の状態を示す。 図５Ａは、ドロップレットを生成するためにターゲット供給装置がターゲット生成器を加熱しているときの状態を示す。 図５Ｂは、ドロップレットを生成するためにターゲット供給装置がターゲット生成器を加熱しているときの状態を示す。 図６Ａは、第２実施形態に係るターゲット供給装置の要部を＋Ｚ方向側から見た構成を概略的に示す。 図６Ｂは、図６ＡのVI−VI線に沿った断面図である。 図７は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図８は、ターゲット供給装置の第１，第２，第３多孔質フィルタの取り付け状態を示す。 図９Ａは、ターゲット供給装置のフィルタの取り付け状態を示す。 図９Ｂは、ターゲット供給装置を−Ｚ方向側から見た図。 図９Ｃは、フィルタの構成を概略的に示す。 図１０は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１１は、ターゲット供給装置の第１，第２，第３多孔質フィルタの取り付け状態を示す。 図１２は、第５実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。

実施形態

内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１ 用語の説明
３．２ 第１実施形態
３．２．１ 構成
３．２．２ 動作
３．２．２．１ ターゲット生成器の組み立て
３．２．２．２ ターゲット供給装置の動作
３．３ 第２実施形態
３．３．１ 概略
３．３．２ 構成
３．３．３ 動作
３．４ 第３実施形態
３．４．１ 概略
３．４．２ 構成
３．４．３ 動作
３．４．３．１ ターゲット生成器の組み立て
３．４．３．２ ターゲット供給装置の動作
３．５ 第４実施形態
３．５．１ 概略
３．５．２ 構成
３．５．３ 動作
３．６ 第５実施形態
３．６．１ 構成
３．６．２ 動作
３．７ 変形例

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。また、図１以外の図面を用いて説明する実施形態において、図１に示す構成要素のうち、本開示の説明に必須でない構成については、図示を省略する場合がある。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、収容空間および前記収容空間と連通する第１貫通孔を有するターゲット生成器と、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有する多孔質の多孔質フィルタと、前記多孔質フィルタを保持するとともに、前記ターゲット生成器の内面との間がシールされるように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するホルダ部と、を備えてもよい。

２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置７を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置７は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ドロップレット（ターゲット）２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給装置７は、ドロップレット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ドロップレット２７が出力されるタイミング、ドロップレット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１ 用語の説明
以下、図１以外の図面を用いた説明において、各図に示したＸＹＺ軸を基準として方向を説明する場合がある。
なお、この表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。

３．２ 第１実施形態
３．２．１ 構成
図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図４Ａは、多孔質フィルタをホルダ部に取り付けるときの動作を示す。図４Ｂは、多孔質フィルタおよびホルダ部をターゲット生成器に取り付けた後の状態を示す。

ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置７１Ａとを備えてもよい。ターゲット制御装置７１Ａには、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御部５Ａとが電気的に接続されてもよい。

ターゲット生成部７０Ａは、図２および図３に示すように、ターゲット生成器８Ａと、圧力制御部７３Ａと、温度制御部７４Ａと、多孔質フィルタ７５Ａと、ホルダ部７６Ａとを備えてもよい。
ターゲット生成器８Ａは、生成器本体８０Ａと、ノズル先端部８１Ａとを備えてもよい。生成器本体８０Ａは、＋Ｚ方向側の第１面および−Ｚ方向側の第２面に壁面を備える略円筒状に形成されたタンク８２Ａを備えてもよい。タンク８２Ａの中空部は、ターゲット物質２７０を収容する収容空間８２０Ａであってもよい。タンク８２Ａにおけるホルダ部７６Ａが設けられる内面は、研磨されてもよい。
タンク８２Ａには、ノズル本体８３Ａが設けられてもよい。ノズル本体８３Ａは、タンク８２Ａの第２面の中央から−Ｚ方向に延びる略円筒状に形成されてもよい。ノズル本体８３Ａの中空部は、収容空間８２０Ａ内のターゲット物質２７０がノズル先端部８１Ａに送られるための第１貫通孔８３０Ａであってもよい。ノズル本体８３Ａおよびノズル先端部８１Ａは、第１貫通孔８３０Ａと収容空間８２０Ａとが連通するように設置されたノズル８４Ａを構成してもよい。ノズル８４Ａは、タンク８２Ａの第２面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。

ノズル先端部８１Ａは、略円板状に形成されてもよい。ノズル先端部８１Ａの外径は、ノズル本体８３Ａの外径と略等しくてもよい。ノズル先端部８１Ａは、ノズル本体８３Ａの−Ｚ方向側の端部に密着するように設けられてもよい。ノズル先端部８１Ａの中央部分には、円錐台状の突出部８１０Ａが設けられてもよい。突出部８１０Ａは、静電気力によりドロップレット２７を生成する場合、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部８１０Ａには、ノズル孔８１１Ａが設けられてもよい。ノズル孔８１１Ａは、突出部８１０Ａにおける−Ｚ方向側の端部の略中央部に開口してもよい。ノズル孔８１１Ａの直径は、６μｍ〜１５μｍであってもよい。
ノズル先端部８１Ａは、ノズル先端部８１Ａとターゲット物質２７０との接触角が９０°以上の材料で構成されるのが好ましい。あるいは、ノズル先端部８１Ａの少なくとも表面が、当該接触角が９０°以上の材料でコーティングされてもよい。例えばターゲット物質２７０がスズの場合、接触角が９０°以上の材料は、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、モリブデン、タングステンであってもよい。

生成器本体８０Ａと、ノズル先端部８１Ａとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器８Ａとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。

チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、例えばノズル８４Ａの軸方向であってよく設定出力方向１０Ａと称する。設定出力方向１０Ａは、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向にドロップレット２７が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。

圧力制御部７３Ａは、アクチュエータ７３２Ａと、圧力センサ７３３Ａとを備えてもよい。アクチュエータ７３２Ａは、配管７３４Ａを介して、タンク８２Ａの＋Ｚ方向側の第１端部に連結されてもよい。アクチュエータ７３２Ａには、配管７３５Ａを介して、不活性ガスボンベ７３１Ａが接続されてもよい。アクチュエータ７３２Ａは、ターゲット制御装置７１Ａに電気的に接続されてもよい。アクチュエータ７３２Ａは、ターゲット制御装置７１Ａから送信される信号に基づいて、不活性ガスボンベ７３１Ａから供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク８２Ａ内の圧力を調節するよう構成されてもよい。
圧力センサ７３３Ａは、配管７３５Ａに設けられてもよい。圧力センサ７３３Ａは、ターゲット制御装置７１Ａに電気的に接続されてもよい。圧力センサ７３３Ａは、配管７３５Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置７１Ａに送信してもよい。あるいは、圧力センサ７３３Ａは配管７３４Ａに設けられ、配管７３４Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号をターゲット制御装置７１Ａに送信するように構成されてもよい。

温度制御部７４Ａは、タンク８２Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。温度制御部７４Ａは、ヒータ７４１Ａと、ヒータ電源７４２Ａと、温度センサ７４３Ａと、温度コントローラ７４４Ａとを備えてもよい。
ヒータ７４１Ａは、タンク８２Ａの外周面に設けられてもよい。
ヒータ電源７４２Ａは、温度コントローラ７４４Ａからの信号に基づいて、ヒータ７４１Ａに電力を供給してヒータ７４１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク８２Ａ内のターゲット物質２７０が、タンク８２Ａを介して加熱され得る。
温度センサ７４３Ａは、タンク８２Ａの外周面におけるノズル８４Ａ側に設けられてもよいし、タンク８２Ａ内に設けられてもよい。温度センサ７４３Ａは、タンク８２Ａにおける主に温度センサ７４３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ７４４Ａに送信するよう構成されてもよい。温度センサ７４３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク８２Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。
温度コントローラ７４４Ａは、温度センサ７４３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源７４２Ａに出力するよう構成されてもよい。

ターゲット物質２７０には、パーティクルが含まれることがあってよい。パーティクルは、ターゲット物質２７０と不純物または酸素とが反応することによって生成され得る、またはターゲット物質２７０の原材料に含まれ得る、またはターゲット物質２７０とタンク８２Ａとの物理的な摩耗によって生成され得る。多孔質フィルタ７５Ａは、ターゲット物質２７０に含まれるパーティクルを捕集するために、多孔質の材料で作られてもよい。多孔質フィルタ７５Ａは略円板状に形成されてもよく、その直径は、第１貫通孔８３０Ａの内径より大きくてもよい。多孔質フィルタ７５Ａは、収容空間８２０Ａ内において、第１貫通孔８３０Ａの＋Ｚ方向側の開口面と対向するようにホルダ部７６Ａにより保持されてもよい。
多孔質フィルタ７５Ａは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で形成されてもよい。多孔質フィルタ７５Ａの線熱膨張係数とタンク８２Ａの線熱膨張係数との差は、タンク８２Ａの線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。多孔質フィルタ７５Ａの線熱膨張係数とホルダ部７６Ａの後述する本体部材７６０Ａの線熱膨張係数との差は、本体部材７６０Ａの線熱膨張係数線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。多孔質フィルタ７５Ａの線熱膨張係数とボルト７９０Ａの線熱膨張係数との差は、ボルト７９０Ａの線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。
ターゲット物質２７０がスズの場合、ターゲット生成器８Ａと、本体部材７６０Ａと、ボルト７９０Ａとは、スズとの反応性が低いモリブデンにより形成されてもよい。ターゲット生成器８Ａ、本体部材７６０Ａ、ボルト７９０Ａがモリブデンまたはタングステンにより形成されている場合、多孔質フィルタ７５Ａは、以下の表１で示す材料のうち、いずれかの材料で形成されてもよい。モリブデンの線熱膨張係数は、５．２×１０^−６である。タングステンの線熱膨張係数は、４．６×１０^−６である。

多孔質フィルタ７５Ａの材料は、例えば、ＳＰＧテクノ株式会社より提供されるシラス多孔質ガラス（ＳＰＧ）であってよい。ＳＰＧは火山灰シラスを原料とする多孔質ガラスであってもよい。ＳＰＧが材料として使用された場合、多孔質フィルタ７５Ａは、略円板状に形成されてもよく、例えば、多孔質フィルタ７５Ａの厚さ寸法（Ｚ軸方向の寸法）は、約３ｍｍであってもよく、多孔質フィルタ７５Ａの直径は、約２０ｍｍであってもよい。
ＳＰＧの組成の比は、以下の表２で示す比であってもよい。

ＳＰＧの製造方法は、まず、シラス、石灰、ホウ酸を混合して１３５０℃前後の温度で加熱し、ＳＰＧの基礎ガラスを合成、成形する。その後、基礎ガラスを６５０℃〜７５０℃で加熱する。この加熱によって、ＣａＯ・Ｂ_２Ｏ_３（酸化カルシウム・酸化ホウ素）が分相する。この後、基礎ガラスを５０℃〜９０℃で加熱するとともに、塩酸などで酸処理をする。この酸処理によって、ＣａＯ・Ｂ_２Ｏ_３が溶け出し、酸に溶解しないＡｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２（酸化アルミニウム・二酸化ケイ素）系ガラスを骨格とするＳＰＧが完成し得る。
ＳＰＧが材料として使用された場合、多孔質フィルタ７５Ａには、口径が６μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ、様々な方向に屈曲する無数の貫通細孔が設けられ得る。

ホルダ部７６Ａは、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、本体部材７６０Ａと、固定部としての複数のボルト７９０Ａとを備えてもよい。本体部材７６０Ａおよびボルト７９０Ａは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で形成されてもよい。例えば、ターゲット物質２７０がスズの場合、本体部材７６０Ａおよびボルト７９０Ａは、モリブデンで形成されてもよい。

本体部材７６０Ａは、略円筒状の筒部７６１Ａを備えてもよい。筒部７６１Ａの外径および内径は、第１貫通孔８３０Ａの内径より大きくてもよい。筒部７６１Ａにおける−Ｚ方向側の第２端部には、当該筒部７６１Ａの内側に向かって突出する当接部７６２Ａが設けられてもよい。当接部７６２Ａは、略円環状に形成されてもよい。当接部７６２Ａの内径は、第１貫通孔８３０Ａの内径と略等しくてもよい。本体部材７６０Ａの−Ｚ方向側の第２面と、筒部７６１Ａの内面と、当接部７６２Ａの＋Ｚ方向側の第１面とは、研磨されてもよい。
本体部材７６０Ａは、当接部７６２Ａが第１貫通孔８３０Ａの開口を囲むように設けられてもよい。当接部７６２Ａは、多孔質フィルタ７５Ａとタンク８２Ａの第２面との間に位置してもよい。多孔質フィルタ７５Ａは当接部７６２Ａに当接するように筒部７６１Ａに設置されてもよい。
ボルト７９０Ａは、筒部７６１Ａを当該筒部７６１Ａの軸方向（Ｚ軸方向）に貫通してタンク８２Ａに螺合されてもよい。

ターゲット制御装置７１Ａは、温度コントローラ７４４Ａに信号を送信して、ターゲット生成器８Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御してもよい。ターゲット制御装置７１Ａは、圧力制御部７３Ａのアクチュエータ７３２Ａに信号を送信して、ターゲット生成器８Ａ内の圧力を制御してもよい。

３．２．２ 動作
３．２．２．１ ターゲット生成器の組み立て
多孔質フィルタ７５Ａの常温時（例えば、２３℃）での直径をＤｆ、本体部材７６０Ａの常温時での内径をＤｈ０、本体部材７６０Ａの高温時（例えば、４００℃）での内径をＤｈ１とした場合、Ｄｆ、Ｄｈ０、Ｄｈ１は、以下の式（１）、（２）を満たす関係を有してもよい。
Ｄｈ０＜Ｄｆ・・・（１）
Ｄｈ１＞Ｄｆ・・・（２）

本体部材７６０Ａを例えば、４００℃に加熱してもよい。本体部材７６０Ａが加熱されると、本体部材７６０Ａの内径がＤｆより小さいＤｈ０から、Ｄｆより大きいＤｈ１に変化し得る。この状態において、図４Ａに二点鎖線で示すように、常温の多孔質フィルタ７５Ａを本体部材７６０Ａ内に挿入してもよい。多孔質フィルタ７５Ａは、−Ｚ方向側の第２面が当接部７６２Ａの第１面に接触してもよい。
その後、多孔質フィルタ７５Ａが挿入された本体部材７６０Ａを常温まで冷却してもよい。本体部材７６０Ａが冷却されると、本体部材７６０Ａの内径がＤｈ１からＤｈ０に変化し、多孔質フィルタ７５Ａの第２面と当接部７６２Ａの第１面とが密着してシールされ得る。同様に、多孔質フィルタ７５Ａの側面と筒部７６１Ａの内面とが密着してシールされ得る。

図４Ｂに示すように、多孔質フィルタ７５Ａを挿入した本体部材７６０Ａを、当接部７６２Ａが第１貫通孔８３０Ａの開口を囲むようにタンク８２Ａに置いてもよい。その後、ボルト７９０Ａをタンク８２Ａに螺合してもよい。
このようにボルト７９０Ａがタンク８２Ａに螺合することによって、タンク８２Ａと本体部材７６０Ａの第２面との間がシールされた状態で、本体部材７６０Ａがターゲット生成器８Ａに固定され得る。

３．２．２．２ ターゲット供給装置の動作
図５Ａおよび図５Ｂは、ドロップレットを生成するためにターゲット供給装置がターゲット生成器を加熱しているときの状態を示す。
なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ａの動作を説明する。

ターゲット供給装置のタンク８２Ａには、図５Ａに示すように、多孔質フィルタ７５と、本体部材７６０とが設けられていてもよい。多孔質フィルタ７５の線熱膨張係数と本体部材７６０の線熱膨張係数との差が、本体部材７６０の線熱膨張係数の２０％より大きい場合、あるいは、多孔質フィルタ７５の線熱膨張係数とタンク８２Ａの線熱膨張係数との差が、タンク８２Ａの線熱膨張係数の２０％より大きい場合、ターゲット物質２７０が融点以上の温度まで加熱される過程において、多孔質フィルタ７５が破損し得る。その結果、矢印Ａ１に示すように、この破損した部分をターゲット物質２７０が通過して第１貫通孔８３０Ａ内に流入し得る。または、ターゲット物質２７０が融点以上の温度まで加熱される過程において、図５Ｂに示すように、多孔質フィルタ７５と本体部材７６０とのシール面に隙間が発生し得る。その結果、矢印Ａ２で示すように、液体のターゲット物質２７０が多孔質フィルタ７５を通過せずに第１貫通孔８３０Ａ内に漏れ得る。

多孔質フィルタ７５の貫通孔７５０の形成に機械的加工手段や放電加工を用いる場合、貫通孔７５０の個数に限界が生じ得る、また、貫通孔７５０が深さ方向にほぼ直線状に形成され、貫通孔７５０の深さ寸法に限界が生じ得る。
このような貫通孔７５０の深さ寸法や個数の限界によって、パーティクルの捕集量、すなわち容量にも限界が生じ得る。

第１実施形態によれば、ターゲット生成器８Ａおよび本体部材７６０Ａがターゲット物質２７０の融点以上の温度に加熱されたときの多孔質フィルタ７５Ａの破損が抑制され得る。また、ターゲット物質２７０が多孔質フィルタ７５Ａを通過せずに第１貫通孔８３０Ａ内に漏れることが抑制され得る。さらに、多孔質フィルタ７５Ａにおけるパーティクルの捕集量は、多孔質フィルタ７５における捕集量と比べて多くなり得る。

３．３ 第２実施形態
３．３．１ 概略
本開示の第２実施形態のターゲット供給装置において、前記多孔質フィルタは、前記収容空間内において前記第１貫通孔の開口面と対向するように前記ホルダ部により保持され、前記ホルダ部は、前記多孔質フィルタと前記ターゲット生成器との間において前記第１貫通孔の開口を囲むように設けられた第１部材と、前記多孔質フィルタに重ねられたシムと、前記第１部材とにより多孔質フィルタおよび前記シムを挟むように設けられた第２部材と、前記第１部材と前記第２部材と前記ターゲット生成器とを固定する固定部と、を備えてもよい。

３．３．２ 構成
図６Ａは、第２実施形態に係るターゲット供給装置の要部を＋Ｚ方向側から見た構成を概略的に示す。図６Ｂは、図６ＡのVI−VI線に沿った断面図である。
第２実施形態のターゲット供給装置は、ホルダ部７６Ｂ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。

ホルダ部７６Ｂは、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、第１部材としての本体部材７６０Ｂと、シム７７０Ｂと、第２部材としての押え部材７８０Ｂと、固定部としてのボルト７９０Ｂ，７９１Ｂとを備えてもよい。
本体部材７６０Ｂは、筒部７６１Ａを備えてもよい。筒部７６１Ａの＋Ｚ方向側の第１面は、研磨されてもよい。筒部７６１Ａには、当接部７６２Ａが設けられてもよい。

シム７７０Ｂおよび押え部材７８０Ｂは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で形成されてもよい。多孔質フィルタ７５Ａの線熱膨張係数とシム７７０Ｂの線熱膨張係数との差は、シム７７０Ｂの線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。多孔質フィルタ７５Ａの線熱膨張係数と押え部材７８０Ｂの線熱膨張係数との差は、押え部材７８０Ｂの線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。多孔質フィルタ７５Ａの線熱膨張係数とターゲット生成器８Ａの線熱膨張係数との差は、ターゲット生成器８Ａの線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。例えば、多孔質フィルタ７５ＡがＳＰＧ多孔質フィルタであり、ターゲット物質２７０がスズの場合、シム７７０Ｂおよび押え部材７８０Ｂは、モリブデンによって形成されてもよい。なお、シム７７０Ｂおよび押え部材７８０Ｂの材料は、異なっていてもよい。

シム７７０Ｂは、略円環板状に形成されてもよい。シム７７０Ｂの外径は、例えば、約２０ｍｍであって、筒部７６１Ａの内径と略等しくてもよい。シム７７０Ｂの内径は、当接部７６２Ａの内径と略等しくてもよい。シム７７０Ｂの＋Ｚ方向側の第１面および−Ｚ方向側の第２面は、研磨されてもよい。
シム７７０Ｂは、本体部材７６０Ｂの内部において、多孔質フィルタ７５Ａの＋Ｚ方向側の第１面に重ねられてもよい。本体部材７６０Ｂの内部には、例えば、３枚のシム７７０Ｂが重ねられてもよい。シム７７０Ｂを複数用いる場合は、それらの厚さは同じでも異なっていてもよい。

押え部材７８０Ｂは、シム７７０Ｂより大きい円環板部７８１Ｂを備えてもよい。円環板部７８１Ｂの外径は、筒部７６１Ａの外径と略等しくてもよい。円環板部７８１Ｂの内径は、当接部７６２Ａの内径と略等しくてもよい。円環板部７８１Ｂには、当接部７８２Ｂが設けられてもよい。当接部７８２Ｂは、円環板部７８１Ｂの内側から−Ｚ方向側に向かって突出するように設けられてもよい。当接部７８２Ｂは、略円環状に形成されてもよい。当接部７８２Ｂの外径は、筒部７６１Ａの内径と略等しくてもよい。円環板部７８１Ｂおよび当接部７８２Ｂの−Ｚ方向側の第２面は、研磨されてもよい。
押え部材７８０Ｂは、当接部７８２Ｂが筒部７６１Ａ内に挿入されてシム７７０Ｂの第１面に当接し、かつ、円環板部７８１Ｂの第２面が筒部７６１Ａの第１面と当接するように設けられてもよい。

ボルト７９０Ｂは、円環板部７８１Ｂおよび筒部７６１Ａを貫通する長さを有してもよい。ボルト７９１Ｂは、円環板部７８１Ｂを貫通し、筒部７６１Ａを貫通しない長さを有してもよい。ボルト７９０Ｂは、円環板部７８１Ｂおよび筒部７６１Ａを貫通してタンク８２Ａに螺合されてもよい。ボルト７９１Ｂは、円環板部７８１Ｂを貫通して筒部７６１Ａに螺合されてもよい。

３．３．３ 動作
次に、ターゲット生成器の組み立て動作について説明する。
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
なお、ＥＵＶ光の生成時の動作については、第１実施形態と同様のため、説明を省略する。

まず、本体部材７６０Ｂの内部に多孔質フィルタ７５Ａを挿入した後、当該多孔質フィルタ７５Ａに３枚のシム７７０Ｂを重ねて配置してもよい。その後、押え部材７８０Ｂを本体部材７６０Ｂに挿入してもよい。このとき、円環板部７８１Ｂと筒部７６１Ａの間隔、あるいは当接部７８２Ｂとシム７７０Ｂとの対向面における間隔を確認してもよい。これらいずれかの間隔が認められる場合、配置されるシム７７０Ｂを厚さの異なるものに変更してもよい。シム７７０Ｂの厚さを調整することによりこれらの間隔がなくなるように調整してもよい。シム７７０Ｂを複数用いる場合、それらの厚さの合計により間隔がなくなるように調整してもよい。これにより、本体部材７６０Ｂと多孔質フィルタ７５Ａとの間、および、押え部材７８０Ｂと多孔質フィルタ７５Ａとの間の面圧を調整してもよい。その後、ボルト７９１Ｂを筒部７６１Ａに螺合してもよい。
このようにボルト７９１Ｂが筒部７６１Ａに螺合することによって、押え部材７８０Ｂとシム７７０Ｂと多孔質フィルタ７５Ａとが本体部材７６０Ｂに固定され得る。このとき、当接部７６２Ａの第１面と多孔質フィルタ７５Ａの第２面との間、多孔質フィルタ７５Ａの第１面と最下部に位置するシム７７０Ｂの第２面との間がシールされ得る。また、互いに重なるシム７７０Ｂの間、最上部に位置するシム７７０Ｂの第１面と当接部７８２Ｂの第２面との間、筒部７６１Ａの第１面と円環板部７８１Ｂの第２面との間がシールされ得る。

この後、本体部材７６０Ｂをタンク８２Ａに置いて、ボルト７９０Ｂをタンク８２Ａに螺合してもよい。
このようにボルト７９１Ｂがタンク８２Ａに螺合することによって、本体部材７６０Ｂがターゲット生成器８Ａに固定され得る。

上述のように、第２実施形態によれば、多孔質フィルタ７５Ａと押え部材７８０Ｂとの間にシム７７０Ｂを設けているため、本体部材７６０Ｂと多孔質フィルタ７５Ａとの間、および、押え部材７８０Ｂと多孔質フィルタ７５Ａとの間の面圧調整が容易になり得る。

３．４ 第３実施形態
３．４．１ 概略
本開示の第３実施形態のターゲット供給装置において、前記多孔質フィルタに対し前記収容空間と反対側において前記第１貫通孔に異物が入ることを抑制するように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するフィルタを備えてもよい。

本開示の第３実施形態のターゲット供給装置において、前記ターゲット生成器は、前記第１貫通孔を構成する第２貫通孔および前記収容空間を有するタンクと、前記第１貫通孔を構成する第３貫通孔を有し、前記タンクに取り付けられたノズル基端部と、前記第１貫通孔を構成する第４貫通孔を有し、前記ノズル基端部に取り付けられたノズル先端部と、を備え、前記多孔質フィルタは、前記第３貫通孔内において前記ホルダ部により保持され、前記ホルダ部は、前記第３貫通孔に嵌合しかつ内部に前記多孔質フィルタを収容する略筒状に形成され、前記多孔質フィルタの前記第４貫通孔側が当接する当接部を有する本体部材と、前記多孔質フィルタの前記第２貫通孔側に重ねられたシムと、前記ノズル基端部と前記タンクとを固定する固定部と、を備えてもよい。

３．４．２ 構成
図７は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図８は、ターゲット供給装置の第１，第２，第３多孔質フィルタの取り付け状態を示す。図９Ａは、ターゲット供給装置のフィルタの取り付け状態を示す。図９Ｂは、ターゲット供給装置を−Ｚ方向側から見た図。図９Ｃは、フィルタの構成を概略的に示す。

ターゲット供給装置のターゲット生成部は、図７に示すように、ターゲット生成器８Ｃと、第１多孔質フィルタ７５４Ｃと、第２多孔質フィルタ７５５Ｃと、第３多孔質フィルタ７５６Ｃと、ホルダ部７６Ｃと、フィルタ９９０Ｃとを備えてもよい。

ターゲット生成器８Ｃは、タンク８２Ｃと、ノズル基端部８５Ｃと、ノズル先端部８１Ｃとを備えてもよい。タンク８２Ｃと、ノズル基端部８５Ｃと、ノズル先端部８１Ｃとは、例えばモリブデンなどのターゲット物質２７０との反応性が低い材料で構成されてもよい。
タンク８２Ｃは、タンク本体８２１Ｃと、蓋部８２２Ｃとを備えてもよい。
タンク本体８２１Ｃは、−Ｚ方向側の第２面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。タンク本体８２１Ｃの中空部は、収容空間８２０Ｃであってもよい。タンク本体８２１Ｃの外周面には、図示しない温度制御部のヒータが設けられてもよい。タンク本体８２１Ｃの第２面中央には、＋Ｚ方向に向かって略円形に凹む凹部８２３Ｃが設けられてもよい。凹部８２３Ｃの中央には、収容空間８２０Ｃと連通する第２貫通孔８２４Ｃが設けられてもよい。タンク本体８２１Ｃの第２面全体は、研磨されてもよい。
蓋部８２２Ｃは、タンク本体８２１Ｃの＋Ｚ方向側の第１面を閉塞する略円板状に形成されてもよい。蓋部８２２Ｃの中央には、配管７３４Ａが連結されてもよい。蓋部８２２Ｃは、複数のボルト８２６Ｃによってタンク本体８２１Ｃの第１面に固定されてもよい。このとき、タンク本体８２１Ｃの第１面に設けられた溝にＯリング８２７Ｃを嵌め込むことで、タンク本体８２１Ｃと蓋部８２２Ｃとの間をシールしてもよい。

ノズル基端部８５Ｃは、略円柱状に形成されてもよい。ノズル基端部８５Ｃの外径は、タンク本体８２１Ｃの外径と略等しくてもよい。ノズル基端部８５Ｃの＋Ｚ方向側の第１面には、タンク本体８２１Ｃの凹部８２３Ｃの形状に相似する第１凸部８５１Ｃが設けられてもよい。ノズル基端部８５Ｃは、ホルダ部７６Ｃの後述するボルト７９０Ｃによってタンク本体８２１Ｃの第２面に固定されてもよい。このとき、第１凸部８５１Ｃの＋Ｚ方向側の第１面に設けられた溝にＯリング８５２Ｃを嵌め込むことで、タンク本体８２１Ｃとノズル基端部８５Ｃとの間をシールしてもよい。

ノズル基端部８５Ｃの中央には、図７および図８に示すように、上下方向（Ｚ軸方向）に貫通する第３貫通孔８５３Ｃが設けられてもよい。第３貫通孔８５３Ｃは、第２貫通孔８２４Ｃに連通してもよい。第３貫通孔８５３Ｃにおける＋Ｚ方向側は、収容部８５４Ｃであってもよい。収容部８５４Ｃには、ホルダ部７６Ｃの後述する本体部材７６０Ｃが収容されてもよい。収容部８５４Ｃは、第１当接部８５５Ｃと、第２当接部８５６Ｃとを備えてもよい。第１当接部８５５Ｃは、本体部材７６０Ｃの外周面に当接してもよい。第２当接部８５６Ｃは、本体部材７６０Ｃの第２面に当接してもよい。第２当接部８５６Ｃにおける本体部材７６０Ｃと当接する当接面は、研磨されてもよい。

ノズル基端部８５Ｃの−Ｚ方向側の第２面には、第２凸部８５７Ｃが設けられてもよい。第２凸部８５７Ｃは、−Ｚ方向に向けて略円板状に突出してもよい。第２凸部８５７Ｃの中央には、＋Ｚ方向に向けて略円形に凹む凹部８５８Ｃが設けられてもよい。凹部８５８Ｃ内には、第３貫通孔８５３Ｃの開口が存在してもよい。凹部８５８Ｃには、フィルタ９９０Ｃが挿入されてもよい。凹部８５８Ｃにおけるフィルタ９９０Ｃと当接する部分は、研磨されてもよい。

ノズル先端部８１Ｃは、図７、図９Ａ、図９Ｂに示すように、略円板状に形成されてもよい。ノズル先端部８１Ｃの外径は、ノズル基端部８５Ｃの外径よりも小さくてもよい。ノズル先端部８１Ｃの第１面中央には、−Ｚ方向に向かって略円形に凹む凹部８１０Ｃが設けられてもよい。凹部８１０Ｃには、ノズル基端部８５Ｃの第２凸部８５７Ｃが嵌合してもよい。このとき、凹部８１０Ｃは、フィルタ９９０Ｃと当接してもよい。凹部８１０Ｃにおけるフィルタ９９０Ｃと当接する部分は、研磨されてもよい。ノズル先端部８１Ｃは、当該ノズル先端部８１Ｃを貫通する複数のボルト８１２Ｃによって、ノズル基端部８５Ｃの第２面に固定されてもよい。

ノズル先端部８１Ｃの中央には、上下方向（Ｚ軸方向）に貫通する第４貫通孔８１３Ｃが設けられてもよい。第４貫通孔８１３Ｃは、第３貫通孔８５３Ｃに連通してもよい。第４貫通孔８１３Ｃは、−Ｚ方向に向かうにしたがって径寸法が小さくなる形状であってもよい。第４貫通孔８１３Ｃの−Ｚ方向側の端部は、ノズル孔８１１Ｃであってもよい。ノズル孔８１１Ｃの直径は、６μｍ〜１５μｍであってもよい。
第２貫通孔８２４Ｃと、第３貫通孔８５３Ｃと、第４貫通孔８１３Ｃとは、本開示の第１貫通孔を構成してもよい。

第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃは、第１実施形態の多孔質フィルタ７５Ａと同様のものであってもよい。
第１多孔質フィルタ７５４Ｃには、口径が例えば２０μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。第２多孔質フィルタ７５５Ｃには、口径が例えば１０μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。第３多孔質フィルタ７５６Ｃには、例えば口径が６μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。このように、第１多孔質フィルタ７５４Ｃ、第２多孔質フィルタ７５５Ｃ、第３多孔質フィルタ７５６Ｃの貫通細孔のサイズは異なってよい。また、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃの貫通細孔は、様々な方向に屈曲して各多孔質フィルタを貫通してもよい。
第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃは、図７および図８に示すように、第３貫通孔８５３Ｃ内において、当該第３貫通孔８５３Ｃを閉じかつ上下方向（Ｚ軸方向）に重なるようにホルダ部７６Ｃにより保持されてもよい。このとき、第１多孔質フィルタ７５４Ｃが＋Ｚ方向側に位置し、第３多孔質フィルタ７５６Ｃが−Ｚ方向側に位置してもよい。このように、ターゲット物質２７０の出力方向に沿って、貫通細孔の小さな多孔質フィルタが配置されるようにしてもよい。

ホルダ部７６Ｃは、本体部材７６０Ｃと、シム７７０Ｂと、固定部としてのボルト７９０Ｃとを備えてもよい。
本体部材７６０Ｃは、図８に示すように、筒部７６１Ａと、当接部７６２Ａとを備えてもよい。本体部材７６０Ｃの第１面および第２面は、研磨されてもよい。本体部材７６０Ｃは、ノズル基端部８５Ｃの収容部８５４Ｃに収容されてもよい。
シム７７０Ｂは、本体部材７６０Ｃの内部において、第１多孔質フィルタ７５４Ｃの第１面に重ねられてもよい。本体部材７６０Ｃの内部には、例えば２枚のシム７７０Ｂが重ねられてもよい。
ボルト７９０Ｃは、ノズル基端部８５Ｃを貫通してタンク本体８２１Ｃに螺合されてもよい。

フィルタ９９０Ｃは、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃよりターゲット物質２７０の出力方向（−Ｚ方向）側において、第４貫通孔８１３Ｃを閉じるように設けられてもよい。フィルタ９９０Ｃは、第３多孔質フィルタ７５６Ｃを通過したパーティクルおよび／または第３多孔質フィルタ７５６Ｃよりターゲット物質２７０の出力方向下流で発生したパーティクルを捕集してもよい。
フィルタ９９０Ｃは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で略円板状に形成されてもよい。フィルタ９９０Ｃの＋Ｚ方向側の第１面および−Ｚ方向側の第２面は、研磨されてもよい。フィルタ９９０Ｃの線熱膨張係数とターゲット生成器８Ｃの線熱膨張係数との差は、ターゲット生成器８Ｃの線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。フィルタ９９０Ｃの線熱膨張係数と本体部材７６０Ｃの線熱膨張係数との差は、本体部材７６０Ｃの線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。例えば、フィルタ９９０Ｃは、モリブデンによって形成されてもよい。
フィルタ９９０Ｃには、図９Ｃに示すように、厚さ方向（Ｚ軸方向）に直線状に貫通する複数の貫通孔９９１Ｃが設けられてもよい。貫通孔９９１Ｃは、第１面側の大径部９９２Ｃと、第２面側の小径部９９３Ｃとを備えてもよい。大径部９９２Ｃは、機械加工によって形成されてもよい。大径部９９２Ｃの口径は、例えば約１００μｍであってもよい。小径部９９３Ｃは、放電加工によって形成されてもよい。小径部９９３Ｃの口径は、例えば約６μｍであってもよい。
９９０Ｃにおけるパーティクルの捕集量（容量）は、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃのそれぞれの捕集量（容量）より少なくてもよい。

３．４．３ 動作
３．４．３．１ ターゲット生成器の組み立て
まず、ノズル基端部８５Ｃの凹部８５８Ｃにフィルタ９９０Ｃを挿入してもよい。この後、ノズル先端部８１Ｃの凹部８１０Ｃにノズル基端部８５Ｃの第２凸部８５７Ｃを挿入し、ボルト８１２Ｃをノズル基端部８５Ｃに螺合してもよい。
このようにボルト８１２Ｃがノズル基端部８５Ｃに螺合することによって、フィルタ９９０Ｃの第２面とノズル先端部８１Ｃとの間、フィルタ９９０Ｃの第１面とノズル基端部８５Ｃとの間がシールされるように、ノズル先端部８１Ｃがノズル基端部８５Ｃに固定され得る。

また、本体部材７６０Ｃの内部に第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃを挿入した後、第１多孔質フィルタ７５４Ｃに２枚のシム７７０Ｂを重ねて配置してもよい。
次に、ノズル基端部８５Ｃの収容部８５４Ｃに本体部材７６０Ｃを収容してもよい。そして、タンク本体８２１Ｃの凹部８２３Ｃにノズル基端部８５Ｃの第１凸部８５１Ｃを嵌合してもよい。このとき、第２実施形態の場合と同様に、シム７７０Ｂの厚さおよび枚数を調整することにより第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃにかかる面圧を調整してもよい。その後、ボルト７９０Ｃをタンク本体８２１Ｃに螺合してもよい。
このようにボルト７９０Ｃがタンク本体８２１Ｃに螺合することによって、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃと本体部材７６０Ｃとシム７７０Ｂとが、タンク本体８２１Ｃに固定され得る。このとき、本体部材７６０Ｃの第１面とタンク本体８２１Ｃとの間、＋Ｚ方向側に位置するシム７７０Ｂの第１面とタンク本体８２１Ｃとの間がシールされ得る。また、互いに重なるシム７７０Ｂの間、−Ｚ方向側に位置するシム７７０Ｂの第２面と第１多孔質フィルタ７５４Ｃの第１面との間がシールされ得る。また、第３多孔質フィルタ７５６Ｃの第２面と当接部７６２Ａの第１面との間、当接部７６２Ａの第２面と第２当接部８５６Ｃの当接面との間がシールされ得る。
以上により、ターゲット生成器８Ｃの組み立てが完了し得る。

３．４．３．２ ターゲット供給装置の動作
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
収容空間８２０Ｃの内部に固体のターゲット物質２７０が収容されている状態において、ターゲット制御装置は、ターゲット生成器８Ｃをターゲット物質２７０の融点以上の温度に加熱してもよい。その後、ターゲット制御装置は、ターゲット生成器８Ｃ内の圧力を第１圧力に調節してもよい。
この圧力の調節によって、液体のターゲット物質２７０は、第２貫通孔８２４Ｃを通過して第３貫通孔８５３Ｃ内に流入する過程で、第１多孔質フィルタ７５４Ｃを通過し得る。ターゲット物質２７０が第１多孔質フィルタ７５４Ｃを通過するとき、当該第１多孔質フィルタ７５４Ｃは、貫通細孔の口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
第１多孔質フィルタ７５４Ｃを通過したターゲット物質２７０は、第２多孔質フィルタ７５５Ｃを通過し得る。ターゲット物質２７０が第２多孔質フィルタ７５５Ｃを通過するとき、当該第２多孔質フィルタ７５５Ｃは、貫通細孔の口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
第２多孔質フィルタ７５５Ｃを通過したターゲット物質２７０は、第３多孔質フィルタ７５６Ｃを通過し得る。ターゲット物質２７０が第３多孔質フィルタ７５６Ｃを通過するとき、当該第３多孔質フィルタ７５６Ｃは、貫通細孔の口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。

その後、ターゲット物質２７０は、フィルタ９９０Ｃを通過し得る。
ここで、フィルタ９９０Ｃに到達したターゲット物質２７０には、パーティクルが存在し得る。当該パーティクルは、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃの形成時あるいは本体部材７６０Ｃへの取り付け時に、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃに付着した、または第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃで捕集できなかったものであり得る。フィルタ９９０Ｃは、当該パーティクルを捕集し得る。

フィルタ９９０Ｃを通過したターゲット物質２７０は、第４貫通孔８１３Ｃ内に流入し得る。
その後、ターゲット制御装置は、ターゲット生成器８Ｃ内の圧力を第２圧力に調節して、ターゲット物質２７０をドロップレット２７としてノズル孔８１１Ｃから出力してもよい。

ホルダ部７６Ｃをタンク８２Ｃの外部に配置するため、ボルト７９０Ｃのねじ孔を収容空間８２０Ｃ内部に設ける必要がなく、ホルダ部７６Ｃを固定するときに収容空間８２０Ｃ内にパーティクルが発生することを防止し得る。また、ボルト７９０Ｃがターゲット物質２７０と接触することがないため、収容空間８２０Ｃ内にパーティクルが発生することを防止し得る。

ターゲット物質２７０が流れる方向の上流側（＋Ｚ方向側）に、貫通細孔の口径が最も大きい第１多孔質フィルタ７５４Ｃを配置し、下流側（−Ｚ方向側）に、貫通細孔の口径が最も小さい第３多孔質フィルタ７５６Ｃを配置しているため、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃの詰まりを抑制し得る。

３．５ 第４実施形態
３．５．１ 概略
本開示の第４実施形態のターゲット供給装置において、前記ターゲット生成器は、前記第１貫通孔を構成する第２貫通孔および前記収容空間を有するタンクと、前記第１貫通孔を構成する第３貫通孔を有し、前記タンクに取り付けられたノズル基端部と、前記第１貫通孔を構成する第４貫通孔を有し、前記ノズル基端部に取り付けられたノズル先端部と、を備え、前記多孔質フィルタは、前記第３貫通孔内において前記ホルダ部により保持され、前記ホルダ部は、前記ノズル基端部に設けられ、前記多孔質フィルタの前記第４貫通孔側に当接する当接部と、前記多孔質フィルタの前記第２貫通孔側に重ねられたシムと、前記ノズル基端部と前記タンクとを固定する固定部と、を備えてもよい。

３．５．２ 構成
図１０は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図１１は、ターゲット供給装置の第１，第２，第３多孔質フィルタの取り付け状態を示す。
ターゲット供給装置のターゲット生成器８Ｄは、図１０に示すように、ノズル基端部８５Ｄとホルダ部７６Ｄ以外の構成については、第３実施形態のターゲット生成器８Ｃと同様のものを適用してもよい。

ノズル基端部８５Ｄは、第３貫通孔８５３Ｄ以外の構成については、第３実施形態のノズル基端部８５Ｃと同様のものを適用してもよい。
第３貫通孔８５３Ｄは、ノズル基端部８５Ｄの中央において、上下方向（Ｚ軸方向）に貫通するように設けられてもよい。第３貫通孔８５３Ｄは、第２貫通孔８２４Ｃに連通してもよい。

ホルダ部７６Ｄは、収容部８５４Ｄと、シム７７０Ｂと、固定部としてのボルト７９０Ｃとを備えてもよい。
収容部８５４Ｄは、第３貫通孔８５３Ｄにおける＋Ｚ方向側の部分であってもよい。収容部８５４Ｄには、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃと、シム７７０Ｂとが収容されてもよい。収容部８５４Ｄは、第１当接部８５５Ｄと、第２当接部８５６Ｄとを備えてもよい。第１当接部８５５Ｄは、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃのそれぞれの外周面と、シム７７０Ｂの外周面とに当接してもよい。第２当接部８５６Ｄは、第３多孔質フィルタ７５６Ｃの第２面に当接してもよい。第２当接部８５６Ｄにおける第３多孔質フィルタ７５６Ｃとの当接面は、研磨されてもよい。

３．５．３ 動作
次に、ターゲット生成器の組み立て動作について説明する。
以下において、第３実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
なお、ＥＵＶ光の生成時の動作については、第３実施形態と同様のため、説明を省略する。

まず、ノズル先端部８１Ｃをノズル基端部８５Ｄに固定した後、ノズル基端部８５Ｄの収容部８５４Ｄに第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃを挿入してもよい。次に、第１多孔質フィルタ７５４Ｃに、２枚のシム７７０Ｂを重ねて配置してもよい。その後、タンク本体８２１Ｃの第２面側にノズル基端部８５Ｄを配置し、ボルト７９０Ｃをタンク本体８２１Ｃに螺合してもよい。
このようにボルト７９０Ｃがタンク本体８２１Ｃに螺合することによって、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃとシム７７０Ｂとが、タンク本体８２１Ｃに固定され得る。このとき、＋Ｚ方向側に位置するシム７７０Ｂの第１面とタンク本体８２１Ｃとの間がシールされ得る。また、互いに重なるシム７７０Ｂの間、−Ｚ方向側に位置するシム７７０Ｂの第２面と第１多孔質フィルタ７５４Ｃの第１面との間がシールされ得る。また、第３多孔質フィルタ７５６Ｃの第２面と第２当接部８５６Ｄの当接面との間がシールされ得る。
以上により、ターゲット生成器８Ｄの組み立てが完了し得る。

上述のように、ターゲット供給装置は、ホルダ部７６Ｄの第２当接部８５６Ｄを、ノズル先端部８５Ｄの一部として設けたため、部品点数の削減を図り得る。

３．６ 第５実施形態
３．６．１ 構成
図１２は、第５実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置のターゲット生成部は、図１２に示すように、ターゲット生成器８Ｅと、第１多孔質フィルタ７５４Ｃと、第２多孔質フィルタ７５５Ｃと、第３多孔質フィルタ７５６Ｃと、ホルダ部７６Ｅと、フィルタ９９０Ｃとを備えてもよい。

ターゲット生成器８Ｅは、タンク８２Ｅと、ノズル先端部８１Ｃとを備えてもよい。タンク８２Ｅと、ノズル先端部８１Ｃとは、例えばモリブデンなどのターゲット物質２７０との反応性が低い材料で構成されてもよい。
タンク８２Ｅは、タンク本体８２１Ｅと、蓋部８２２Ｅとを備えてもよい。
タンク本体８２１Ｅは、−Ｚ方向側の第２面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。タンク本体８２１Ｅの中空部は、収容空間８２０Ｅであってもよい。タンク本体８２１Ｅの外周面には、図示しない温度制御部のヒータが設けられてもよい。タンク本体８２１Ｅの第２面中央には、−Ｚ方向に向かって略円形に突出する凸部８６０Ｅが設けられてもよい。凸部８６０Ｅの中央には、第２貫通孔８２４Ｅが設けられてもよい。凸部８６０Ｅの中央には、＋Ｚ方向に向けて略円形に凹む凹部８６１Ｅが設けられてもよい。タンク本体８２１Ｅの第２面全体は、研磨されてもよい。タンク本体８２１Ｅの＋Ｚ方向側の端部には、外側に向かって突出するフランジ８６２Ｅが設けられてもよい。
蓋部８２２Ｅは、タンク本体８２１Ｅの第１面を閉塞する略円板状に形成されてもよい。蓋部８２２Ｅの中央には、配管７３４Ａが連結されてもよい。

ノズル先端部８１Ｃの凹部８１０Ｃには、タンク本体８２１Ｅの凸部８６０Ｅが嵌合してもよい。このとき、凹部８１０Ｃは、フィルタ９９０Ｃと当接してもよい。ノズル先端部８１Ｃは、当該ノズル先端部８１Ｃを貫通する複数のボルト８１２Ｃによって、タンク本体８２１Ｅの第２面に固定されてもよい。

ホルダ部７６Ｅは、本体部材７６０Ｅと、押え部材７８０Ｅと、スペーサ７７５Ｅと、シム７７０Ｂと、固定部材としてのボルト７９０Ｅとを備えてもよい。
本体部材７６０Ｅは、筒部７６１Ｅと、当接部７６２Ｅと、フランジ７６３Ｅとを備えてもよい。当接部７６２Ｅは、筒部７６１Ｅの−Ｚ方向側の端部において、当該筒部７６１Ｅの内側に向かって突出するように設けられてもよい。当接部７６２Ｅの＋Ｚ方向側の第１面は、研磨されてもよい。フランジ７６３Ｅは、筒部７６１Ｅの＋Ｚ方向側の端部において、外側に向かって突出するように設けられてもよい。本体部材７６０Ｅは、フランジ７６３Ｅがフランジ８６２Ｅに当接し、かつ、筒部７６１Ｅが収容空間８２０Ｅ内に収容されるように、タンク本体８２１Ｅに配置されてもよい。
本体部材７６０Ｅ内には、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃが重なるように配置されてもよい。このとき、第１多孔質フィルタ７５４Ｃが＋Ｚ方向側に位置し、第３多孔質フィルタ７５６Ｃが−Ｚ方向側に位置してもよい。

押え部材７８０Ｅおよびスペーサ７７５Ｅは、ターゲット物質２７０との反応性が低い材料で形成されてもよい。押え部材７８０Ｅおよびスペーサ７７５Ｅの線熱膨張係数とターゲット生成器８Ｅの線熱膨張係数との差は、ターゲット生成器８Ｅの線熱膨張係数の２０％より小さくてもよい。例えば、押え部材７８０Ｅおよびスペーサ７７５Ｅは、モリブデンによって形成されてもよい。なお、押え部材７８０Ｅおよびスペーサ７７５Ｅの材料は、異なっていてもよい。

押え部材７８０Ｅは、外径寸法が筒部７６１Ｅの内径寸法と略等しい略円筒状に形成されてもよい。押え部材７８０Ｅの−Ｚ方向側の第２面は、研磨されてもよい。
押え部材７８０Ｅは、本体部材７６０Ｅ内に収容されてもよい。このとき、押え部材７８０Ｅは、第１多孔質フィルタ７５４Ｃの第１面および筒部７６１Ｅの内面と当接してもよい。

スペーサ７７５Ｅは、略円環状に形成されてもよい。スペーサ７７５Ｅの外径および内径は、シム７７０Ｂの外径および内径とそれぞれ略等しくてもよい。スペーサ７７５Ｅの縦断面の形状は、略六角形であってもよい。

本体部材７６０Ｅの内部における押え部材７８０Ｅの＋Ｚ方向側には、例えば２個のスペーサ７７５Ｅと、例えば２枚のシム７７０Ｂとが配置されてもよい。
一方のスペーサ７７５Ｅは、略六角形の−Ｚ方向側の角部７７６Ｅが押え部材７８０Ｅの＋Ｚ方向側の第１面に線接触するように配置されてもよい。
２枚のシム７７０Ｂは、当該一方のスペーサ７７５Ｅに重ねられてもよい。このとき、−Ｚ方向側のシム７７０Ｂの第２面には、一方のスペーサ７７５Ｅの＋Ｚ方向側の角部７７６Ｅが線接触してもよい。
他方のスペーサ７７５Ｅは、−Ｚ方向側の角部７７６Ｅが＋Ｚ方向側のシム７７０Ｂの第１面に線接触するように配置されてもよい。また、スペーサ７７５Ｅは、＋Ｚ方向側の角部７７６Ｅが蓋部８２２Ｅの第２面に線接触するように配置されてもよい。

ボルト７９０Ｅは、蓋部８２２Ｅおよび本体部材７６０Ｅのフランジ７６３Ｅを貫通して、タンク本体８２１Ｅのフランジ８６２Ｅに螺合されてもよい。このとき、フランジ７６３Ｅの第１面およびフランジ８６２Ｅの第１面にそれぞれ設けられた溝に、Ｏリング７６４ＥおよびＯリング８６３Ｅをそれぞれ嵌め込むことで、蓋部８２２Ｅと本体部材７６０Ｅとの間、および、本体部材７６０Ｅとタンク本体８２１Ｅとの間をシールしてもよい。

３．６．２ 動作
次に、ターゲット生成器の組み立て動作について説明する。
なお、ＥＵＶ光の生成時の動作については、第３実施形態と同様のため、説明を省略する。

まず、タンク本体８２１Ｅの凹部８６１Ｅにフィルタ９９０Ｃを挿入し、ボルト８１２Ｃによってノズル先端部８１Ｃをタンク本体８２１Ｅに固定してもよい。このような固定によって、フィルタ９９０Ｃの第２面とノズル先端部８１Ｃとの間、フィルタ９９０Ｃの第１面とタンク本体８２１Ｅとの間がシールされ得る。

また、本体部材７６０Ｅの内部に第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃを挿入した後、一方のスペーサ７７５Ｅ、２枚のシム７７０Ｂ、他方のスペーサ７７５Ｅを重ねて配置してもよい。
次に、タンク本体８２１Ｅの収容空間８２０Ｅに本体部材７６０Ｅを収容してもよい。その後、本体部材７６０Ｅに蓋部８２２Ｅを配置し、ボルト７９０Ｅをタンク本体８２１Ｅのフランジ８６２Ｅに螺合してもよい。
このようにボルト７９０Ｅがフランジ８６２Ｅに螺合することによって、第１，第２，第３多孔質フィルタ７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃ、本体部材７６０Ｅ、シム７７０Ｂ、スペーサ７７５Ｅ、押え部材７８０Ｅが、タンク本体８２１Ｅに固定され得る。このとき、タンク８２Ｅの第２面と他方のスペーサ７７５Ｅとの間、＋Ｚ方向側に位置するシム７７０Ｂの第１面と他方のスペーサ７７５Ｅとの間がシールされ得る。また、互いに重なるシム７７０Ｂの間、−Ｚ方向側最下部に位置するシム７７０Ｂの第２面と一方のスペーサ７７５Ｅとの間がシールされ得る。また、一方のスペーサ７７５Ｅと押え部材７８０Ｅの第１面との間、押え部材７８０Ｅの第２面と第１多孔質フィルタ７５４Ｃの第１面との間がシールされ得る。また、第３多孔質フィルタ７５６Ｃの第２面と当接部７６２Ｅの当接面との間がシールされ得る。
以上により、ターゲット生成器８Ｅの組み立てが完了し得る。

上述のように、第５実施形態によれば、スペーサ７７５Ｅと蓋部８２２Ｅ、スペーサ７７５Ｅとシム７７０Ｂ、スペーサ７７５Ｅと押え部材７８０Ｅをそれぞれ線接触させているため、これらの接触箇所の面圧確保が容易になり得る。

３．７ 変形例
なお、ターゲット供給装置としては、以下に示すような構成としてもよい。
第１，第２実施形態において、２個以上の多孔質フィルタを設けてもよい。第３〜第５実施形態において、１個または２個あるいは４個以上の多孔質フィルタを設けてもよい。
第２実施形態において、１枚または２枚あるいは４枚以上のシム７７０Ｂを設けてもよい。第３〜第５実施形態において、１枚あるいは３枚以上のシム７７０Ｂを設けてもよい。
第３〜第５実施形態において、フィルタ９９０Ｃの貫通孔９９１Ｃを形成する方法として、レーザ加工技術や、半導体プロセスなどで使用している微細加工技術を用いてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書および添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」または「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書および添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」または「１またはそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

７Ａ…ターゲット供給装置、８Ａ，８Ｃ，８Ｄ，８Ｅ…ターゲット生成器、７５Ａ，７５４Ｃ，７５５Ｃ，７５６Ｃ…多孔質フィルタ、７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃ，７６Ｄ，７６Ｅ…ホルダ部、８１Ｃ…ノズル先端部、８２Ｃ…タンク、８５Ｃ，８５Ｄ…ノズル基端部、７６０Ｂ…本体部材（第１部材）、７６２Ａ，８５６Ｄ…当接部、７７０Ｂ…シム、７８０Ｂ…押え部材（第２部材）、７９０Ｂ，７９０Ｃ，７９０Ｅ…ボルト（固定部）、８１３Ｃ…第４貫通孔、８２０Ａ，８２０Ｃ，８２０Ｅ…収容空間、８２４Ｃ…第２貫通孔、８３０Ａ…第１貫通孔、８５３Ｃ…第３貫通孔、９９０Ｃ…フィルタ。

Claims (18)

1. 収容空間および前記収容空間と連通する第１貫通孔を有するターゲット生成器と、
   前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有する多孔質フィルタと、
   前記多孔質フィルタを保持するとともに、前記ターゲット生成器の内面との間がシールされるように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するホルダ部と、を備え、
   前記多孔質フィルタは、前記収容空間内において前記第１貫通孔の開口面と対向するように前記ホルダ部により保持され、
   前記ホルダ部は、
   前記多孔質フィルタと前記ターゲット生成器との間において前記第１貫通孔の開口を囲むように設けられた第１部材と、
   前記多孔質フィルタに重ねられたシムと、
   前記第１部材とにより多孔質フィルタおよび前記シムを挟むように設けられた第２部材と、
   前記第１部材と前記第２部材と前記ターゲット生成器とを固定する固定部と、を備えるターゲット供給装置。
2. 収容空間および前記収容空間と連通する第１貫通孔を有するターゲット生成器と、
   前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有する多孔質フィルタと、
   前記多孔質フィルタを保持するとともに、前記ターゲット生成器の内面との間がシールされるように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するホルダ部と、を備え、
   前記ターゲット生成器は、
   前記第１貫通孔を構成する第２貫通孔および前記収容空間を有するタンクと、
   前記第１貫通孔を構成する第３貫通孔を有し、前記タンクに取り付けられたノズル基端部と、
   前記第１貫通孔を構成する第４貫通孔を有し、前記ノズル基端部に取り付けられたノズル先端部と、を備え、
   前記多孔質フィルタは、前記第３貫通孔内において前記ホルダ部により保持され、
   前記ホルダ部は、
   前記第３貫通孔に嵌合しかつ内部に前記多孔質フィルタを収容する略筒状に形成され、 前記多孔質フィルタの前記第４貫通孔側が当接する当接部を有する本体部材と、
   前記多孔質フィルタの前記第２貫通孔側に重ねられたシムと、
   前記ノズル基端部と前記タンクとを固定する固定部と、を備えるターゲット供給装置。
3. 収容空間および前記収容空間と連通する第１貫通孔を有するターゲット生成器と、
   前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有する多孔質フィルタと、
   前記多孔質フィルタを保持するとともに、前記ターゲット生成器の内面との間がシールされるように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するホルダ部と、を備え、
   前記ターゲット生成器は、
   前記第１貫通孔を構成する第２貫通孔および前記収容空間を有するタンクと、
   前記第１貫通孔を構成する第３貫通孔を有し、前記タンクに取り付けられたノズル基端部と、
   前記第１貫通孔を構成する第４貫通孔を有し、前記ノズル基端部に取り付けられたノズル先端部と、を備え、
   前記多孔質フィルタは、前記第３貫通孔内において前記ホルダ部により保持され、
   前記ホルダ部は、
   前記ノズル基端部に設けられ、前記多孔質フィルタの前記第４貫通孔側に当接する当接部と、
   前記多孔質フィルタの前記第２貫通孔側に重ねられたシムと、
   前記ノズル基端部と前記タンクとを固定する固定部と、を備えるターゲット供給装置。
4. 収容空間および前記収容空間と連通する第１貫通孔を有するターゲット生成器と、
   前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有する多孔質フィルタと、
   前記多孔質フィルタを保持するとともに、前記ターゲット生成器の内面との間がシールされるように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するホルダ部と、を備え、
   前記多孔質フィルタに対し前記収容空間と反対側において前記第１貫通孔に異物が入ることを抑制するように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するフィルタを備えるターゲット供給装置。
5. 請求項４に記載のターゲット供給装置であって、
   前記ホルダ部は、前記多孔質フィルタを収容するように略筒状に形成され、前記多孔質フィルタを設置するために前記多孔質フィルタと当接する当接部を有する本体部材を備える。
6. 請求項４に記載のターゲット供給装置であって、
   前記多孔質フィルタに重ねられるシムを備える。
7. 請求項４に記載のターゲット供給装置であって、
   前記多孔質フィルタは略円板形状である。
8. 請求項４に記載のターゲット供給装置であって、
   前記ターゲット生成器は、前記収容空間を有するタンクと、
   前記タンクに取り付けられたノズル基端部とを備える。
9. 請求項４に記載のターゲット供給装置であって、
   前記ターゲット生成器は、前記収容空間を有するタンクと、
   前記タンクに前記ホルダ部を固定するための固定部とを備える。
10. 請求項４に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ホルダ部は、筒状である。
11. 請求項４に記載のターゲット供給装置であって、
    前記多孔質フィルタの材料は、酸化アルミニウム・二酸化珪素系ガラス、炭化珪素、炭化タングステン、窒化アルミ、ホウ化ジルコニウム、炭化ホウ素のうちのいずれかである。
12. 収容空間および前記収容空間と連通する第１貫通孔を有するターゲット生成器と、
    前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有する多孔質フィルタと、
    前記多孔質フィルタを保持するとともに、前記ターゲット生成器の内面との間がシールされるように設けられ、前記ターゲット生成器と略等しい熱膨張率を有するホルダ部と、を備え、
    前記多孔質フィルタは、シラスを原料とする多孔質ガラスによって形成されたターゲット供給装置。
13. 請求項１２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ホルダ部は、前記多孔質フィルタを収容するように略筒状に形成され、前記多孔質フィルタを設置するために前記多孔質フィルタと当接する当接部を有する本体部材を備える。
14. 請求項１２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記多孔質フィルタに重ねられるシムを備える。
15. 請求項１２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記多孔質フィルタは略円板形状である。
16. 請求項１２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ターゲット生成器は、前記収容空間を有するタンクと、
    前記タンクに取り付けられたノズル基端部とを備える。
17. 請求項１２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ターゲット生成器は、前記収容空間を有するタンクと、
    前記タンクに前記ホルダ部を固定するための固定部とを備える。
18. 請求項１２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ホルダ部は、筒状である。