JP2014154616A - チャンバ及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】露光装置からの要求を満たすＥＵＶ光を出力する。
【解決手段】一実施形態は、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置、に使用されるチャンバであって、チャンバ容器と、前記チャンバ容器内において、前記ターゲット物質がプラズマ化される所定領域と前記チャンバ容器との間に配置され、前記ターゲット物質のプラズマ化によって前記所定領域で発生する熱を吸収するヒートシールドと、前記ヒートシールドを前記チャンバ容器に取り付ける支持部と、を含み、前記支持部は、前記ヒートシールドの前記熱による変形に伴い伸縮することによって前記ヒートシールドの熱変形の応力を吸収する吸収部を含んでいてもよい。
【選択図】図２

Description

本発明は、チャンバ及び極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０１２−１０９２１８号公報 特開２００３−２２９２９８号公報

概要

本発明の一態様は、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置、に使用されるチャンバであって、チャンバ容器と、前記チャンバ容器内において、前記ターゲット物質がプラズマ化される所定領域と前記チャンバ容器との間に配置され、前記ターゲット物質のプラズマ化によって前記所定領域で発生する熱を吸収するヒートシールドと、前記ヒートシールドを前記チャンバ容器に取り付ける支持部と、を含み、前記ヒートシールド及び前記支持部の少なくとも一つは、前記ヒートシールドの前記熱による変形に伴い伸縮することによって前記ヒートシールドの熱変形の応力を吸収する吸収部を含んでいてもよい。

本発明の他の態様は、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置、に使用されるチャンバであって、チャンバ容器と、前記チャンバ容器内において、前記ターゲット物質がプラズマ化される所定領域と前記チャンバ容器との間に配置され、前記ターゲット物質のプラズマ化によって前記所定領域で発生する熱を吸収するヒートシールドと、前記ヒートシールドを前記チャンバ容器に取り付ける支持部と、を含み、前記ヒートシールドは、筒状であって、前記レーザ光の入射側から前記極端紫外光の出力側に延び、前記ヒートシールドは、前記ヒートシールドの一方の端から他方の端まで延び、前記ヒートシールドの前記熱変形に伴い伸縮するスロットを含んでいてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す。 図２は、第１の実施形態にかかるＥＵＶ光生成装置における一部構成の模式的な断面図を示す。 図３Ａは、第１の実施形態におけるチャンバの構成を模式的に示す。 図３Ｂは、図３Ａの切断線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢにおける断面図を示す。 図４Ａは、第２の実施形態におけるチャンバの構成を模式的に示す。 図４Ｂは、図４Ａの切断線ＩＶＢ−ＩＶＢにおける断面図を示す。 図５Ａは、第３の実施形態のチャンバにおけるヒートシールド及び支持部の構成を模式的に示す。 図５Ｂは、図５Ａの円Ｂで囲まれた部分の拡大図を示す。 図６Ａは、第４の実施形態におけるチャンバの構成を模式的に示す。 図６Ｂは、図６Ａの切断線ＶＩＢ−ＶＩＢにおける断面図を示す。 図６Ｃは、図６Ａの切断線ＶＩＣ−ＶＩＣにおける断面図を示す。 図７Ａは、第４の実施形態における支持部の他の構成例を模式的に示す。 図７Ｂは、第４の実施形態における支持部の他の構成例を模式的に示す。 図８Ａは、第５の実施形態におけるチャンバの構成を模式的に示す。 図８Ｂは、図８Ａの切断線ＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢにおける断面図を示す。 図９Ａは、第６の実施形態におけるチャンバの構成を模式的に示す。 図９Ｂは、図９Ａにおいて円Ｂで囲まれた部分の拡大図を示す。 図１０は、第７の実施形態におけるチャンバの構成を模式的に示す。 図１１は、他の例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す。

実施形態

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

＜内容＞
１．概要
チャンバの熱歪の抑制
２．用語の説明
３．極端紫外光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ヒートシールドを含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．チャンバ構成のバリエーション
５．１ 第１の実施形態
５．２ 第２の実施形態
５．３ 第３の実施形態
５．４ 第４の実施形態
５．５ 第５の実施形態
５．６ 第６の実施形態
５．７ 第７の実施形態
６．ヒートシールドを含むＥＵＶ光生成装置の他の構成例

１．概要
ＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置は、チャンバ容器内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給し、ターゲットにレーザ光を照射してターゲットをプラズマ化することにより、ＥＵＶ光を生成してもよい。生成されたＥＵＶ光は、チャンバ容器内に配置されたＥＵＶ集光ミラーによって集光され、露光装置等に供給されてもよい。

チャンバ容器が、プラズマからの輻射光及びレーザ散乱光を吸収すると、チャンバ容器が熱変形し得る。チャンバ容器が熱変形すると、チャンバ容器に固定されているデバイス位置が変化し得る。例えば、ターゲット物質供給装置やＥＵＶ集光ミラーがチャンバ容器に固定されていることがある。チャンバ容器の熱変形によりこれらの位置や姿勢が変化すると、プラズマ発光点又は中間集光点ＩＦ（Intermediate Focus）位置が変化し得る。この場合、露光装置からの要求を満たすＥＵＶ光を出力することは難しくなり得る。

そこで、本開示の１つの観点によれば、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置に使用されるチャンバ容器内に、プラズマからの輻射光及びレーザ散乱光を吸収するヒートシールドが配置されてもよい。ヒートシールドは、プラズマからの輻射光及びレーザ散乱光によるチャンバ容器の熱変形を低減し得る。

さらに、ヒートシールドは、支持部によって、チャンバ容器に支持されてもよい。ヒートシールド及び支持部の少なくとも一つは、ヒートシールドの熱変形に伴って生じる応力を吸収する吸収部を含んでもよい。これによって、ヒートシールドの熱変形による大きな応力がチャンバ容器に伝わることを防ぎ、チャンバ容器の形状及びそれに固定されているデバイス位置の安定性を改善し得る。

２．用語の説明
本明細書において使用される幾つかの用語を以下に説明する。「チャンバ容器」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「チャンバ」は、チャンバ容器及びそれに付随する部品から構成され、チャンバ容器、チャンバ容器内のヒートシールド及びそれらを接続してヒートシールドを支持する支持部を少なくとも含む、ＥＵＶ光生成装置の部品である。

「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられるスズ等のターゲット物質をチャンバ容器内に供給する装置である。ターゲット供給装置が出力するターゲット物質はドロップレット、連続流、粉体流等で出力されてもよい。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ容器外に出力するためのミラーである。

３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置（極端紫外光生成装置）１の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いてもよい。以下においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム（極端紫外光生成システム）１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ容器２を含んでもよい。チャンバ容器２は、密閉可能であってもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えば、ドロップレット生成器２６）をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ容器２の壁を貫通するように取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ容器２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられていてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。

チャンバ容器２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。

ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ発生位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が、外部装置（例えば、露光装置６）の仕様によって規定される所定の集光位置（中間集光点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられていてもよい。

チャンバ容器２の内部には、ヒートシールド２０１が配置されてもよい。ヒートシールド２０１は、プラズマからの輻射光やレーザ散乱光による熱を吸収してもよい。これによって、プラズマからの輻射光やレーザ散乱光の吸収によるチャンバ容器２の熱変形を低減し得る。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の内の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ容器２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ（aperture）が形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレットターゲット２７を回収するターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、この光学素子の位置又は姿勢を調整するための駆動装置とを備えてもよい。

３．２ 動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ容器２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ容器２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレットターゲット２７に照射されてもよい。

ドロップレット生成器２６は、ドロップレットターゲット２７をチャンバ容器２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ドロップレットターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたドロップレットターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が生成される。

ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射され集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレットターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレットターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレットターゲット２７を出力するタイミングの制御及びドロップレットターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザシステム３のレーザ発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及び、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。

４．ＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
図２は、第１の実施形態にかかるＥＵＶ光生成装置１における一部構成を模式的に示す断面図を示す。図２は、チャンバ容器２及びそれに支持されている構成要素を模式的に示している。図２において、Ａ方向、Ｂ方向及びＣ方向は、それぞれ、筒の径方向、（筒）中心軸方向及び周方向を示している。

チャンバ容器２は、ＥＵＶ光の生成が行われる内部空間を密閉可能なよう構成されてもよい。チャンバ容器２内が低圧に維持されるように、チャンバ容器２の内部空間と大気とを隔絶する部品は気密に取り付けられてもよい。チャンバ容器２の内部は所定の圧力（大気よりも低圧）に保持されてもよい。

チャンバ容器２は、支持台１１５に対して、鉛直方向（図２における上下方向）から所定角度傾いて固定されていてもよい。チャンバ容器２は、筒状でもよく、例えば、円筒状又は角筒状でもよい。チャンバ容器２が円筒状である場合の内径は、筒中心軸方向において一定でなくてもよい。

筒状のチャンバ容器２は、筒中心軸に垂直な壁２７１、２７２及び筒中心軸に沿って延びる側壁２７３を含んでもよい。筒状チャンバ容器２の壁２７１は孔を有していない閉じた壁であってよいし、レーザ光が通過するための孔を有する壁でもよい。壁２７２はＥＵＶ光が通過するための孔を有する壁でもよい。他の例において、壁２７１は孔を有していてもよいし、壁２７１はチャンバ容器２以外の構成物で代用してもよい。また、２７２は存在しなくてもよい。

図２に示すように、レーザ光集光ミラー２２は、ホルダ２２１を介して、チャンバ容器２内に取り付けられてもよい。ホルダ２２１は、レーザ光集光ミラー２２と壁２７１の内面とを相互接続し、レーザ光集光ミラー２２をチャンバ容器２内に固定してもよい。

ＥＵＶ集光ミラー２３は、ホルダ２３１を介して、チャンバ容器２内に取り付けられてもよい。ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３と側壁２７３内面とを相互接続し、レーザ光集光ミラー２２をチャンバ容器内２に固定してもよい。

ターゲット物質生成装置であるドロップレット生成器２６は、ホルダ２６１を介して、チャンバ容器２に取り付けられてもよい。ホルダ２６１は、ドロップレット生成器２６と側壁２７３とを相互接続し、ドロップレット生成器２６を側壁２７３に固定してもよい。ターゲット回収器２８は、ホルダ２８１を介して、チャンバ容器２に取り付けられてもよい。ホルダ２８１は、ターゲット回収器２８と側壁２７３内面とを相互接続し、ターゲット回収器２８を、ドロップレット生成器２６の反対側において、チャンバ容器２に固定してもよい。

ターゲットセンサ４は、ホルダ４１を介して、チャンバ容器２に取り付けられてもよい。ホルダ４１は、ターゲットセンサ４と側壁２７３とを相互接続し、ターゲットセンサ４を側壁２７３に固定してもよい。ターゲットセンサ４が撮像装置である場合は、ドロップレット２７が視野に入る位置に取り付けられてもよい。ターゲットセンサ４は、側壁２７３に固定されたウインドウ４２を透過した光により、ターゲット物質の存在、軌道、位置の内の少なくとも１つを検出してもよい。

チャンバ容器２に取り付けられる上記デバイスの位置は、上記例に限定されない。ＥＵＶ光生成装置１の設計に応じて、上記デバイスは他の位置に取り付けられてもよい。

図２に示すように、ヒートシールド２０１は、支持部２１１、２１２、２１３、２１４を介して、チャンバ容器２内に取り付けられてもよい。一つ又は複数の支持部が、ヒートシールド２０１とチャンバ容器２内壁を相互接続してもよい。

ヒートシールド２０１は、筒状でもよい。ヒートシールド２０１は、貫通孔（上端孔）２０２及び貫通孔（下端孔）２０３を含み、側壁からなる筒状体でもよい。ヒートシールド２０１は、ＥＵＶ集光ミラー２３からチャンバ壁２７２に向かう方向（ＥＵＶ光進行方向）に延びていてもよい。例えば、筒状ヒートシールド２０１の筒中心軸は、プラズマ生成領域２５とＩＦ２９２とを結ぶ線に一致してもよい。ヒートシールド２０１は、露光に利用されるＥＵＶ光を遮ることがなければ、貫通孔２０２、２０３のそれぞれの一部を塞ぐ壁を有していてもよい。

ヒートシールド２０１は、プラズマ生成領域２５とチャンバ容器２との間に配置されていてもよい。ヒートシールド２０１で囲まれた空間（内部空間）は、プラズマ生成領域２５を含み、ＥＵＶ集光ミラー２３からチャンバ壁２７２の間の空間の少なくとも一部を含んでいてもよい。

ヒートシールド２０１の一部は、径方向（図２におけるＡ方向）において見た場合に、ＥＵＶ集光ミラー２３と重なり、ＥＵＶ集光ミラー２３の一部又は全部がヒートシールド２０１の内部空間内に収容されていてもよい。ヒートシールド２０１のＥＵＶ集光ミラー２３側端（下端）が、ＥＵＶ集光ミラー２３よりもチャンバ壁２７２に近い空間に配置されており、ＥＵＶ集光ミラー２３の全部がヒートシールド２０１の内部空間外にあってもよい。

図２に示すように、ヒートシールド２０１は円錐台状筒体であってもよい。円形孔２０２の径は、円形孔２０３よりも小さくてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３により反射されたＥＵＶ光を遮らない範囲で、ヒートシールド２０１の径はＥＵＶ光の進む方向に向かって線形減少してもよい。他の例において、ヒートシールド２０１の径は一定でもよい。ヒートシールド２０１は、例えば、円筒状、楕円筒状又は角筒状でもよい。

ヒートシールド２０１は、側面に形成された貫通孔を含んでもよい。貫通孔は、例えば二つの貫通孔２０４、２０５でもよい。貫通孔２０４は、ドロップレット生成器２６からプラズマ生成領域２５向けて放出されたドロップレットターゲット２７が通過する孔であってもよい。ターゲットセンサ４は、通孔２０４を通過する光により、ドロップレットターゲット２７の位置等を検出してもよい。

貫通孔２０５は、通孔２０４の反対側に形成されていてもよい。貫通孔２０５は、ターゲット回収器２８に回収されるドロップレットターゲット２７が通過する孔であってもよい。

ヒートシールド２０１は、冷却媒体流路２０６を含んでいてもよい。冷却媒体流路２０６は螺旋状で、ヒートシールド２０１の側壁内に形成されていてもよい。ヒートシールド２０１は、チャンバ容器と同じ材料又は異なる材料で形成されていてもよい。ヒートシールド２０１は、金属で形成されていてもよく、例えば、アルミニウムで形成されていてもよい。

冷却媒体導入管２０７は、チャンバ容器２外面と冷却媒体流路２０６の入り口との間を接続してもよい。冷却媒体により、ヒートシールド２０１の熱変形が抑制される。冷却媒体排出管２０８は、チャンバ容器２外面と冷却媒体流路２０６の出口との間を接続してもよい。冷却媒体導入管２０７、冷却媒体排出管２０８は、例えば、蛇腹を有するフレキシブル管であってもよい。

冷却媒体導入管２０７、冷却媒体排出管２０８は、外部のポンプ及び熱交換部（不図示）に接続していてもよい。冷却媒体排出管２０８から排出された冷却媒体、例えば水は、熱交換部おいて冷却され、ポンプによって冷却媒体導入管２０７を介して冷却媒体流路２０６に送られてもよい。

支持部２１１、２１２は、ＩＦ２９２側（ＥＵＶ光出力側）において、ヒートシールド２０１の外側及びチャンバ容器２の内側に取り付けられていてもよい。支持部２１３、２１４は、ＥＵＶ集光ミラー２３側（レーザ光入射側）において、ヒートシールド２０１の外側及びチャンバ容器２の内側に固定されていてもよい。支持部２１１〜２１４は、ヒートシールド２０１の熱変形に応じて伸縮することができ、ヒートシールド２０１の熱変形による応力を吸収してもよい。支持部２１１〜２１４は、例えば、ヒートシールド２０１の熱変形に応じて弾性変形する弾性体を含んでいてもよい。

４．２ 動作
ドロップレット生成器２６は、ドロップレットターゲット２７をチャンバ容器２内部のプラズマ生成領域２５に向けて放出し、ドロップレットターゲット２７はヒートシールド２０１の貫通孔２０４を通過してもよい。ウインドウ２１を介してチャンバ容器２内部に導入され、レーザ光集光ミラー２２で反射されたパルスレーザ光３２は、プラズマ生成領域２５においてドロップレットターゲット２７に照射されてもよい。

パルスレーザ光３２が照射されたドロップレットターゲット２７はプラズマ生成領域２５においてプラズマ化し、それから生成されたＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射され集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、ＩＦ２９２を通って出力されてもよい。

プラズマ生成領域２５におけるプラズマから輻射光が生成され、ドロップレットターゲット２７を励起するのに使われなかったパルスレーザ光３２が散乱される。ヒートシールド２０１は、プラズマ生成領域２５からの輻射光及びパルスレーザ光３２の散乱光を吸収し、チャンバ容器２に到達する光量を低減してもよい。これによりチャンバ容器２によって吸収される輻射光やレーザ散乱光が低減するので、光の吸収によるチャンバ容器２の加熱が抑制され得る。

輻射光やレーザ散乱光を吸収したヒートシールド２０１は加熱され、熱膨張し得る。ヒートシールド２０１の冷却媒体流路２０６内を、冷却媒体が流れていてもよい。冷却媒体は、ヒートシールド２０１の熱を吸収し、その温度を低下させ得る。これによって、ヒートシールド２０１の熱変形量及びヒートシールド２０１からチャンバ容器２への輻射による放熱を低減し得る。

支持部２１１〜２１４は、ヒートシールド２０１の変形に応じて、伸縮してもよい。ヒートシールド２０１が熱膨張すると、支持部２１１〜２１４は収縮してもよい。ヒートシールド２０１が収縮すると、支持部２１１〜２１４は伸張してもよい。

支持部２１１〜２１４の動きにより、支持部２１１〜２１４は、ヒートシールド２０１の膨張・収縮による応力を吸収してもよい。こにより、ヒートシールド２０１の熱変形による応力のチャンバ容器２への伝達が抑制され得る。

４．３ 作用
プラズマからの輻射光、ターゲット物質を励起するのに使われなかったレーザ光の散乱光等によってチャンバ容器２が加熱されて膨張し、変形すると、それに取り付けられているデバイスの位置が変化し得る。

例えば、ドロップレット生成器２６がチャンバ容器２によって支持されている場合には、チャンバ容器２の変形によってドロップレット生成器２６の位置及び姿勢が変化してしまい、プラズマ生成領域２５にターゲットを正確に供給できなくなり得る。

若しくは、ターゲットセンサ４がチャンバ容器２によって支持されている場合には、チャンバ容器２の変形によってターゲットセンサ４の位置及び姿勢が変化してしまい、プラズマ生成領域２５とターゲット２７の軌道との位置関係を正確に検出することができなくなり得る。

若しくは、ＥＵＶ集光ミラー２３がチャンバ容器２によって支持されている場合には、チャンバ容器２の変形によってＥＵＶ集光ミラー２３位置及び姿勢が変化してしまい、ＩＦ２９２にＥＵＶ光を集光できなくなり得る。

ヒートシールド２０１が、プラズマからの輻射光やレーザ光の散乱光を吸収することで、チャンバ容器２はプラズマからの輻射光やレーザ光の散乱光に直接曝されにくくなってもよい。従って、チャンバ容器２の熱変形が抑制され得る。

プラズマからの輻射光やレーザ光の散乱光を吸収したヒートシールド２０１は、熱変形し得る。しかし、ヒートシールド２０１が熱変形したとしても、ヒートシールド２０１は、ヒートシールド２０１の膨張・収縮に応じて収縮・伸張する支持部２１１〜２１４で支持されていてもよい。そのため、ヒートシールド２０１の熱変形によるチャンバ容器２の変形を抑制し得る。その結果、レーザ光集光ミラー２２、ＥＵＶ集光ミラー２３、ドロップレット生成器２６、ターゲットセンサ４等の位置及び姿勢が安定し、ＥＵＶ光の生成位置２５、ＩＦ２９２の位置、ＥＵＶ光の出力方向が安定し得る。

なお、レーザ光集光ミラー２２、ＥＵＶ集光ミラー２３、ドロップレット生成器２６、ターゲットセンサ４の少なくとも一部は、チャンバ容器２に固定されておらず、チャンバ容器２がそれらの位置基準部品でなくてもよい。例えば、それらが、チャンバ容器２の外側に固定配置された部材に取り付けられていてもよい。ヒートシールド２０１は、冷却媒体によって冷却されなくてもよい。これらの点は、以下に説明する他の実施形態において同様である。

５．チャンバ構成のバリエーション
５．１ 第１の実施形態
図３Ａ及び図３Ｂは、チャンバ容器２、ヒートシールド２０１及びそれらに固定されヒートシールド２０１を支持する支持部を含むチャンバの構成を模式的に示す。図３Ａは構成をＩＦ２９２側から見た図を示し、図３Ｂは、図３Ａの切断線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢにおけるチャンバの断面図を示す。

図３Ａ及び図３Ｂに示すように、ヒートシールド２０１は、一つの筒状連続体であってもよい。ヒートシールド２０１は、六つの伸縮する支持部２１１〜２１６で支持されていてもよい。六つの支持部２１１〜２１６は、ヒートシールド２０１の外面及びチャンバ容器２の側壁２７３の内面に取り付けられていてもよい。ヒートシールド２は、支持部２１１〜２１６のみによって側壁２７３に支持されてもよい。

三つの支持部２１１、２１２、２１５と、他の三つの支持部２１３、２１４、２１６とは、ヒートシールド２０１の外面において、ヒートシールド２０１の筒中心軸方向において異なる位置に固定されていてもよい。三つの支持部２１１、２１２、２１５が、ヒートシールド２０１の貫通孔２０２側（ＩＦ２９２側）の部分を支持し、他の三つの支持部２１３、２１４、２１６が貫通孔２０３側（ＥＵＶ集光ミラー２３側）の部分を支持してもよい。これによって、ヒートシールド２０１を安定支持することができてもよい。

三つの支持部２１１、２１２、２１５と、他の三つの支持部２１３、２１４、２１６とは、チャンバ容器２の側壁２７３の内面において、チャンバ容器２の筒中心軸方向において異なる位置に固定されていてもよい。三つの支持部２１１、２１２、２１５が、チャンバ容器２内面におけるＩＦ２９２側の部分に固定され、他の三つの支持部２１３、２１４、２１６がＥＵＶ集光ミラー２３側の部分に固定されてもよい。

図３Ｂに示すように、支持部２１１、２１２、２１５のヒートシールド２０１外面への固定位置は、筒中心軸方向において同一であってもよい。支持部２１１、２１２、２１５のチャンバ容器２への固定位置は、ヒートシールド２０１の筒中心軸方向において同一でも異なっていてもよい。これらの点は、支持部２１３、２１４、２１６について同様であってもよい。

図３Ａに示すように、三つの支持部２１１、２１２、２１５のヒートシールド２０１の外面の周方向における固定位置は、等間隔（１２０°）に配置されていてもよい。これによって、ヒートシールド２０１を安定支持することができてもよい。また、支持部２１１、２１２、２１５のチャンバ容器２の側壁２７３の内面の周方向における固定位置は、等間隔に配置されていてもよい。これらの点は、支持部２１３、２１４、２１６について同様であってもよい。

プラズマからの輻射光やレーザ光の散乱光によりヒートシールド２０１が膨張すると、支持部２１１〜２１６は、それぞれ収縮することで、ヒートシールド２０１の熱膨張による応力を吸収し、チャンバ容器２に伝わる力を低減し得る。また、ヒートシールド２０１が収縮すると、支持部２１１〜２１６は、それぞれ伸張することで、ヒートシールド２０１の収縮による応力を吸収し、チャンバ容器２に伝わる力を低減し得る。支持部２１１〜２１６の伸縮の方向は、ヒートシールド２０１の径方向に平行な成分と垂直な成分を含んでもよい。

５．２ 第２の実施形態
図４Ａ及び図４Ｂは、第２の実施形態のチャンバ構成を模式的に示す。図４Ａは構成をＩＦ２９２側から見た図を示し、図４Ｂは、図４Ａの切断線ＩＶＢ−ＩＶＢにおけるチャンバの断面図を示す。以下においては、図３Ａ、図３Ｂを参照して説明した構成と異なる点について主に説明する。

図４Ａに示すように、ヒートシールド２０１は、三つの支持部４０１〜４０３により支持されていてもよい。支持部４０１〜４０３のヒートシールド２０１外面における固定位置は、ヒートシールド２０１の筒中心軸方向において同一であってもよい。図４Ｂに示すように、支持部４０１〜４０３のチャンバ容器２への固定位置は、ヒートシールド２０１の筒中心軸方向において同一でもよい。

支持部４０１は、板バネ４１１及び固定ネジ４１２、４１３を含んでいてもよい。固定ネジ４１２は、板バネ４１１の端部をヒートシールド２０１に固定してもよい。固定ネジ４１３は、板バネ４１１の他方の端部をチャンバ容器２に固定してもよい。

支持部４０２は、板バネ４２１及び固定ネジ４２２、４２３を含んでいてもよい。固定ネジ４２２は、板バネ４２１の端部をヒートシールド２０１に固定してもよい。固定ネジ４２３は、板バネ４２１の他方の端部をチャンバ容器２に固定してもよい。

支持部４０３は、板バネ４３１及び固定ネジ４３２、４３３を含んでいてもよい。固定ネジ４３２は、板バネ４３１の端部をヒートシールド２０１に固定してもよい。固定ネジ４３３は、板バネ４３１の他方の端部をチャンバ容器２に固定してもよい。

図４Ａに示すように、三つの支持部４０１〜４０３（固定ネジ４１２、４２２、４３２）のそれぞれの固定位置は、ヒートシールド２０１の外面の周方向において、それぞれ等間隔（１２０°）に配置されていてもよい。これによって、ヒートシールド２０１を安定支持し得る。また、支持部４０１〜４０３（固定ネジ４１３、４２３、４３３）のチャンバ容器２におけるそれぞれの固定位置は、チャンバ容器２の側壁２７３の内面の周方向において、それぞれ等間隔に配置されていてもよい。支持部４０１〜４０３のヒートシールド２０１及び／またはチャンバ容器２における固定位置は、それぞれの周方向において不等間隔に配置されていてもよい。

図４Ａに示すように、板バネ４１１は、ヒートシールド２０１の径方向においてバネとして伸縮する、屈曲された一枚の金属板（例えばステンレス板）で構成されていてもよい。板バネ４１１は屈曲された複数の板で構成されていてもよい。板バネ４２１、４３１についても同様であってよい。

プラズマからの輻射光やレーザ光の散乱光によるヒートシールド２０１の熱変形に伴い、板バネ４１１、４２１、４３１は、それぞれヒートシールド２０１の径方向に伸縮することで、ヒートシールド２０１の熱変形による応力を吸収し、チャンバ容器２に伝わる力を低減し得る。このように、ヒートシールド２０１の熱変形による応力を吸収する吸収部は、板バネを含んでいてもよい。

なお、板バネ４１１、４２１、４３１は、ヒートシールド２０１の径方向においてバネ伸縮し、ヒートシールド２０１の筒中心軸方向においてはバネ伸縮しなくともよい。第２の実施形態においては、ヒートシールド２０１は、その筒中心軸方向においてチャンバ容器２に拘束されなくともよい。このため、当該方向におけるヒートシールド２０１の熱変形がチャンバ容器２に問題となる変形を及ぼさなくてもよい。

板バネ４１１、４２１、４３１は、ヒートシールド２０１の内面において固定されていてもよい。板バネ４１１、４２１、４１３は、屈曲しながら、ヒートシールド２０１内からチャンバ容器２の内面に延びてもよい。

板バネ４１１、４２１、４１３は、ネジと異なる手段によりヒートシールド２０１及びチャンバ容器２に固定されてもよい。例えば、これらは、リベットや溶着により固定されていてもよい。ヒートシールド２０１は、支持部４０１〜４０３を含む、固定位置が同一円上の４以上の支持部により支持されていてもよい。板バネと異なる種類のバネが使用されてもよい。

５．３ 第３の実施形態
図５Ａ及び図５Ｂは、第３の実施形態のチャンバにおけるヒートシールド及び支持部の構成を模式的に示す。図５Ａは構成をＥＵＶ集光ミラー２３側から見た斜視図を示し、図５Ｂは、図５Ａの円Ｂで囲まれた部分の拡大図を示す。以下においては、図４Ａ、図４Ｂを参照して説明した構成と異なる点について主に説明する。

図５Ａに示すように、ヒートシールド２０１は、三つの支持部５０１〜５０３により支持されていてもよい。支持部５０１〜５０３のヒートシールド２０１における固定位置は、ヒートシールド２０１のＥＵＶ集光ミラー２３側端面（下側端面）において、筒中心軸方向において同一であってもよい。当該端面は、ヒートシールド２０１の外面であってよい。支持部５０１〜５０３のヒートシールド２０１及びチャンバ容器２への固定位置は、ヒートシールド２０１の筒中心軸方向において同一でもよい。

図５Ｂを参照して、支持部５０２の構成を説明する。支持部５０１、５０３は、支持部５０２と同様の構成を有していてもよい。図５Ｂに示すように、支持部５０２は、ボディ部５２１、フランジ部５２２、固定ネジ５２３、５２４、固定ネジ用貫通孔５２５、５２６、溝５２７、５２８及び貫通孔５２９を含んでもよい。支持部５０２は、アルミニウム又はステンレス等の金属で形成されていてもよい。

固定ネジ５２３、５２４は、フランジ部５２２に形成されている貫通孔に挿入されて、支持部５０２をチャンバ容器２の側壁内面に固定してもよい。

固定ネジ用貫通孔５２５、５２６は、六面体状のボディ部５２１に形成されており、支持部５０２をヒートシールド２０１に固定する固定ネジ（不図示）を収容する孔でもよい。固定ネジ用貫通孔５２５、５２６は、ボディ部の下面５５１からその反対面まで貫通していてもよい。固定ネジ用座ぐり貫通孔５２５、５２６は、座ぐり孔であってよく、ボディ部の下面５５１から一定深さまでは一定の直径αで形成され、一定以上の深さから反対面まではαより小さな直径β（β＜α）で形成されてもよい。例えば、固定ネジ用貫通孔５２５、５２６は、ヒートシールド２０１の側壁２７３に沿った方向であって、ヒートシールド２０１の周方向に垂直な方向においてボディ部５２１を貫通していてもよい。

ボディ部５２１には、溝５２７、５２８及び貫通孔５２９が形成されていてもよい。ボディ部５２１には、ヒートシールド２０１の径方向に配列された溝５２７、５２８及び貫通孔５２９により、板バネとして作用する。溝５２７、５２８及び貫通孔５２９は、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラー２３側からＩＦ２９２側に向かう方向において、ボディ部５２１を貫通していてもよい。

溝５２７、５２８及び貫通孔５２９は、それぞれ、ボディ部５２１の下面５５１からその反対面まで貫通していてもよい。図５Ｂに示すように、溝５２７は、ボディ部側面５５３に形成された溝であってもよい。溝５２８は側面５５３の反対面において形成された溝でもよい。貫通孔５２９は、ボディ部５２１の下面５５１及びその反対面において露出するが、他の面には露出しない貫通孔でもよい。溝５２７、５２８及び貫通孔５２９は、例えば、ボディ部５２１を切削加工して形成してもよい。

プラズマからの輻射光やレーザ光の散乱光によるヒートシールド２０１の熱変形に伴い、支持部５０１〜５０３の各ボディ部（吸収部）は、ヒートシールド２０１の径方向において伸縮し得る。これによって、ヒートシールド２０１の熱変形による応力を吸収し、チャンバ容器２に伝わる力を低減し得る。

なお、支持部５０１〜５０３の固定方法は、第２の実施形態と同様に、固定ネジと異なる方法でもよい。ヒートシールド２０１は、支持部５０１〜５０３を含む、固定位置が同一円上の４以上の支持部により支持されていてもよい。ボディ部５２１には、溝５２７、５２８及び貫通孔５２９の一部のみが形成されていてもよい。例えば、溝５２７及び溝５２８のみが形成されていてもよい。

５．４ 第４の実施形態
図６Ａ〜図６Ｃは、第４の実施形態のチャンバ構成を模式的に示す。図６Ａは構成をＩＦ２９２側から見た図を示し、図６Ｂは、図６Ａの切断線ＩＶＢ−ＩＶＢにおけるチャンバの断面図を示す。図６Ｃは、図６Ａの切断線ＩＶＣ−ＩＶＣにおける支持部の断面図を示す。以下においては、図４Ａ、図４Ｂを参照して説明した構成と異なる点について主に説明する。

図６Ａに示すように、ヒートシールド２０１は、三つの支持部６０１〜６０３により支持されていてもよい。支持部６０１〜６０３のヒートシールド２０１における固定位置は、ヒートシールド２０１のＥＵＶ集光ミラー２３側端面（下側端面）において、筒中心軸方向において同一であってもよい。他の例において、支持部６０１〜６０３のヒートシールド２０１の外周面上における固定位置は、チャンバ容器側壁２７３に対向する位置であってもよい。

図６Ａに示すように、三つの支持部６０１〜６０３のヒートシールド２０１におけるそれぞれの固定位置は、ヒートシールド２０１の周方向において、それぞれ等間隔（１２０°）に配置されていてもよい。これによって、ヒートシールド２０１を安定支持し得る。また、支持部６０１〜６０３のチャンバ容器２におけるそれぞれの固定位置は、チャンバ容器２の側壁２７３の内面の周方向において、それぞれ等間隔に配置されていてもよい。支持部６０１〜６０３のヒートシールド２０１及び／またはチャンバ容器２における固定位置は、それぞれの周方向において不等間隔に配置されていてもよい。

図６Ｂに示すように、支持部６０１は、レール６１１、ボール保持部６１３及びボール６１４を含んでいてもよい。レール６１１の一端はチャンバ容器２の内面に固定されており、チャンバ容器２の内面からヒートシールド２０１に向かって延びていてもよい。レール６１１は、ヒートシールド２０１の径方向において延びていてもよい。

ボール保持部６１３は、ボール６１４を保持し、ボール６１４はボール保持部６１３に固定されていてもよい。ボール保持部６１３の一端はヒートシールド２０１に固定されており、チャンバ容器２に向かって延びていてもよい。ボール保持部６１３の先端は、チャンバ容器２に届いておらず、その手前に位置してもよい。

後述するように、レール６１１には溝が形成されており、その溝はレール６１１と同一方向に延びていてもよい。つまり、溝はヒートシールド２０１の径方向において延びていてもよい。ボール６１４は、レール６１１内において、ボール保持部６１３とレール６１１とに挟まれていてもよい。ボール６１４は、溝の内面に接触する接触部であってもよい。

ボール保持部６１３とボール６１４とは、レール６１１上に載置されているのみで、ＩＦ２９２に向かう方向（上方向）には拘束されていなくともよい。ボール６１４は、溝内面に支持されてはいるが、レール６１１には保持されてはおらず、溝内面に接触した状態で、溝に沿って（ヒートシールド径方向において）自由に移動することができてもよい。

支持部６０２及び６０３は、支持部６０１と同様の構成を有していてもよい。図６Ｂに示すように、支持部６０２は、レール６２１、ボール保持部６２３及びボール６２４を含んでいてもよく、これらはそれぞれ、レール６１１、ボール保持部６１３及びボール６１４に対応していてもよい。

図６Ｃは、支持部６０３の構成を模式的に示す断面図を示す。上述のように、支持部６０１、６０２は、支持部６０３と同様の構成を有していてもよい。支持部６０３は、レール６３１、ボール保持部６３３及びボール６３４を含んでいてもよい。ボール保持部６３３とボール６３４は同一材料で一体的に形成されていてもよいし、ボール保持部６３３とボール６３４と個別形成された後に固定されてもよい。

レール６３１には、Ｖ溝６３２が形成されていてもよい。ボール６３４は、Ｖ溝６３２の内面において２点で点接触していてもよい。Ｖ溝６３２は、ヒートシールド２０１の径方向において延びていてもよい。ボール６３４は、Ｖ溝６３２内において、Ｖ溝６３２内面に点接触した状態でＶ溝６３２に沿って移動することができてもよい。

プラズマからの輻射光やレーザ光の散乱光によるヒートシールド２０１の熱膨張に伴い、ボール６１４、６２４、６３４が、それぞれ、レール６１１、６２１、６３１のＶ溝内をチャンバ容器２に向かって移動してもよい。また、ヒートシールド２０１の収縮に伴い、ボール６１４、６２４、６３４が、それぞれ、レール６１１、６２１、６３１のＶ溝内をヒートシールド２０１に向かって移動してもよい。

このように、支持部６０１〜６０３は、それぞれ、ヒートシールド２０１の変形に応じて伸縮してもよい。これによって、支持部６０１〜６０３は、これによって、ヒートシールド２０１の熱変形による応力を吸収し、チャンバ容器２に伝わる力を低減し得る。溝内面と接触する接触部は、ボール６１４、６２４、６３４のように球面において溝内面と点接触することで、スムーズな相対移動が可能である。球面の曲率半径は一定でなくてよい。

図７Ａ及び図７Ｂは、図６Ａ〜図６Ｃに示す支持部６０３の変形例を示す。以下において、図６Ａ〜図６Ｃに示す構成と異なる点について主に説明する。図７Ａに示すように、支持部６０３は、Ｖ溝が形成されたレール６３１に代えて、Ｕ溝７０２を有しチャンバ容器２に固定されたレール７０１を含んでいてもよい。Ｕ溝７０２において、ボール６３４はＵ溝内面に、一点において接触してもよい。

図７Ｂに示すように、支持部６０３は、ボール保持部６３３に代えて、Ｖ溝７０４が形成された第２レール７０３を含んでいてもよい。第２レール７０３はヒートシールド２０１に固定されており、Ｖ溝７０４の延びる方向はレール６３１のＶ溝６３２の延びる方向と同様であってもよい。ボール６３４は第２レール７０３に固定されておらず、Ｖ溝７０４に沿って移動することができてもよい。ボール６３４は、Ｖ溝７０４の内面に２点において点接触してもよい。

図６Ｃ及び図７Ａの構成において、レール６３１、７０１がヒートシールド２０１に固定され、ボール保持部６３３がチャンバ容器２に固定されていてもよい。ヒートシールド２０１の熱変形に伴い、位置固定されたボール６３４上をレール６３１、７０１が移動してもよい。このように、レール６３１または７０１と、ボール６３４とのいずれかの位置が固定されても、ボール６３４は、レール６３１、７０１に対して相対的に移動し得る。溝内を相対移動する接触部（上記例においてボール６３４）の接触面は、球面状と異なる形状を有していてもよく、接触部と溝内面との接触は、線接触又は面接触でもよい。

５．５ 第５の実施形態
上記第１の実施形態から第４の実施形態のように、チャンバにおいて、ヒートシールド２０１の支持部が、伸縮することによってヒートシールド２０１の熱変形の応力を吸収する吸収部を含んでいてもよい。これと異なり、以下に説明する実施形態のように、ヒートシールド２０１は、伸縮することによってヒートシールド２０１の熱変形の応力を吸収するスロットを含んでいてもよい。スロットは、ヒートシールド２０１の内外面を貫通するスリット（第５の実施形態参照）及び内面又は外面に形成されている溝（第６及び第７の実施形態）を包含する。

図８Ａ及び図８Ｂは、第５の実施形態のチャンバ構成を模式的に示す。図８Ａは構成をＩＦ２９２側から見た図を示し、図８Ｂは、図８Ａの切断線ＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢにおける断面図を示す。

図８Ａに示すように、筒状のヒートシールド２０１は、スリット８２１〜８２３によって周方向において分離された複数の部分８０１〜８０３で構成されていてもよい。複数の部分（材料部分）８０１〜８０３は、同一形状を有していてもよい。複数の部分８０１〜８０３は、それぞれ、支持部８１１〜８１３によってチャンバ容器側壁２７３の内面に固定されていてもよい。支持部８１１〜８１３のヒートシールド２０１における固定位置は、その周方向において等間隔（１２０°）に配置されてもよい。支持部８１１〜８１３のチャンバ容器２における固定位置は、その周方向において等間隔（１２０°）に配置されてもよい。

支持部８１１〜８１３は、ヒートシールド２０１及びチャンバ容器側壁２７３に固定されてもよい。支持部８１１〜８１３は、例えば、金属柱であって、ヒートシールド２０１の熱変形を吸収するように伸縮しなくてもよい。支持部８１１〜８１３は、他の実施形態の伸縮構成を含んでもよい。

ヒートシールド２０１は、部分８０１と部分８０２との間のスリット８２１、部分８０２と部分８０３との間のスリット８２２、部分８０２と部分８０３との間のスリット８２３を含んでいてもよい。

スリット８２１〜８２３は、同一形状を有していてもよい。スリット８２１〜８２３は、ヒートシールド２０１の外周面から内周面まで延びており、さらに、ＩＦ２９２側端（上端孔２０２）からＥＵＶ集光ミラー２３側端（下端孔２０３）まで延びていてもよい。

図８Ａに示すように、ヒートシールド２０１の外周面と内周面との間におけるスリット８２１〜８２３の貫通方向は、ヒートシールド２０１の中心軸からの径方向に対して傾いてもよいし、屈曲していてもよい。これによって、スリット８２１〜８２３を通ってチャンバ容器２に達するプラズマ生成領域２５からの光を低減し得る。

ヒートシールド２０１の膨張に伴い、スリット８２１〜８２３の幅は、それぞれ、周方向において収縮してもよい。また、ヒートシールド２０１の収縮に伴い、スリット８２１〜８２３の幅は、それぞれ、周方向において伸張してもよい。これによって、スリット８２１〜８２３は、ヒートシールド２０１の熱変形による応力を吸収し得、支持部８１１〜８１３を介してチャンバ容器２に伝わる力を低減し得る。

本実施形態のように、ヒートシールド２０１は、ヒートシールド２０１の熱変形に応じて伸縮する１又は複数のスロットを含んでいてもよい。他の例のヒートシールド２０１は、１、２又は４以上のスリットを含んでいてもよい。

５．６ 第６の実施形態
図９Ａ及び図９Ｂは、第６の実施形態のチャンバ構成を模式的に示す。図９Ａは、構成をＩＦ２９２側から見た図を示し、図９Ｂは、図９Ａにおいて円Ｂで囲まれた部分の拡大図を示す。以下においては、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した第５の実施形態との差異を主に説明する。

図９Ａ及び図９Ｂに示すように、ヒートシールド２０１は、第５の実施形態のスリット８２１〜８２３に代えて、溝（溝穴）９１１〜９１３を含んでいてもよい。溝及びスリットは共にスロットである。溝９１１〜９１３のヒートシールド２０１における形成位置は、ヒートシールド２０１の周方向において等間隔（１２０°）に位置されていてもよい。支持部８１１〜８１３は、それぞれ、溝９１３と溝９１１の間の部分９０１、溝９１１と溝９１２の間の部分９０２、溝９１２と溝９１３の間の部分９０３に固定されていてもよい。

溝９１１〜９１３は、ヒートシールド２０１の外周面上に形成されていてもよい。溝９１１〜９１３は、同一形状を有していてもよい。溝９１１〜９１３は、ヒートシールド２０１の上端（ＩＦ２９２側端）から下端（ＥＵＶ集光ミラー２３側端）まで、直線状に延びていてもよい。

図９Ｂに示すように、溝９１２は、ヒートシールド２０１の外周面から内周面における方向に非貫通であって、溝９１２の底に薄肉部９２２が存在していてもよい。薄肉部９２２は、溝９１２の外側において他の溝が形成されていない部分９０１〜９０３よりも、その厚みが薄くてもよい。厚みは、ヒートシールド２０１の径方向の長さであってよい。溝９１１、９１３も、図９Ｂに示した溝９１２と同様の形状を有していてもよい。

ヒートシールド２０１の膨張に伴い、溝９１１〜９１３及びそれらの底の薄肉部は、周方向において収縮してもよい。また、ヒートシールド２０１の収縮に伴い、溝９１１〜９１３及びそれらの底の薄肉部は、周方向において伸張してもよい。これによって、溝９１１〜９１３及びそれらの底の薄肉部は、ヒートシールド２０１の熱変形による応力を吸収し得、支持部８１１〜８１３を介してチャンバ容器２に伝わる力を低減し得る。

ヒートシールド２０１は、１、２又は４以上の溝を含んでいてもよい。溝の形状は、図９Ａ及び９Ｂに示す例に限定されない。例えば、溝は、ヒートシールド２０１の上端から下端まで、曲線状に又は屈曲しつつ延びてもよい。溝の底面は、上記例のように平面ではなく、曲面でもよい。例えば、溝はＵ溝でもよい。複数の溝が異なる形状を有していてもよい。また、溝９１１〜９１３は、ヒートシールド２０１の内周面上に形成されていてもよい。

５．７ 第７の実施形態
図１０は、第７の実施形態のチャンバ構成を模式的に示す。図１０は構成をＩＦ２９２側から見た図を示す。以下においては、図９Ａ及び図９Ｂを参照して説明した第６の実施形態との相違点を主に説明する。

図１０に示すように、ヒートシールド２０１の外周面及び内周面に溝が形成されていてもよい。例えば、図１０に示すように、溝９５１〜９５６がヒートシールド２０１の外周面に形成され、溝９７１〜９７３がヒートシールド２０１の内周面に形成されていてもよい。

溝９７１は、ヒートシールド２０１の周方向において溝９５１、９５２の間に形成されていてもよい。溝９７２は、ヒートシールド２０１の周方向において溝９５３、９５４の間に形成されていてもよい。溝９７３は、ヒートシールド２０１の周方向において溝９５５、９５６の間に形成されていてもよい。溝９７１〜９７３は、ヒートシールド２０１の周方向において等間隔に形成されていてもよい。溝９５２、９５４、９５６は、ヒートシールド２０１の周方向において等間隔に形成されていてもよい。溝９５１、９５３、９５５は、ヒートシールド２０１の周方向において等間隔に形成されていてもよい。

溝９５１〜９５６、９７１〜９７３の形状は、第６の実施形態で説明した溝形状と同様でよい。ヒートシールド２０１の熱変形における溝９５１〜９５６、９７１〜９７３の動き及び作用は、第６の実施形態における溝と同様でもよい。
６．極端紫外光生成装置の他の構成

図１１は、本発明を適用可能なＥＵＶ光生成装置の他の構成例の模式的な断面図を示す。以下において、図２に示す構成との相違点を主に説明する。図１１に示すように、ターゲットセンサ４は、チャンバ容器２において、ドロップレット生成器２６の反対側に取り付けられていてもよい。図１１に示すように、チャンバ容器２は、チャンバ壁２７１を有していなくともよい。

ＥＵＶ集光ミラー２３は、チャンバ容器２と異なる部品、例えば、支持台１１５に支持されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、支持台１１５に固定されていてもよい。

レーザ光集光ミラー２２を含むレーザ光集光光学系２０は、チャンバ容器２の外部に配置され、チャンバ容器２と異なる部品に支持されていてもよい。例えば、レーザ光集光光学系２０は、支持台１１５内に配置されていてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えてもよいことは、当業者には明らかであろう。例えば、本開示のチャンバ及びＥＵＶ光生成装置は、上記異なる実施形態の構成を含んでもよい。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ ＥＵＶ光生成装置、２ チャンバ容器、１１ ＥＵＶ光生成システム、２３ ＥＵＶ集光ミラー、２５ プラズマ生成領域、２６ ドロップレット生成器、２０１ ヒートシールド、２１１−２１６ 支持部、２９２ 中間集光点（ＩＦ）、４０１−４０３ 支持部、４１１、４２１、４３１、 板バネ、５０１−５０３ 支持部、６０１−６０３ 支持部、６１１、６２１、６３１ レール、６１３、６２３、６３３ ボール保持部、６１４、６２４、６３４ ボール、６３２ 溝、７０１、７０３ レール、７０２、７０４ 溝、８０１−８０３ ヒートシールドの部分、８１１−８１３ 支持部、８２１−８２３ スリット、９０１−９０３ ヒートシールドの部分、９１１−９１３ 溝、９２２ 薄肉部、９５１−９５６ 溝、９７１−９７３ 溝

Claims (11)

1. ターゲット物質にレーザ光を照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置、に使用されるチャンバであって、
   チャンバ容器と、
   前記チャンバ容器内において、前記ターゲット物質がプラズマ化される所定領域と前記チャンバ容器との間に配置され、前記ターゲット物質のプラズマ化によって前記所定領域で発生する熱を吸収するヒートシールドと、
   前記ヒートシールドを前記チャンバ容器に取り付ける支持部と、を含み、
   前記支持部は、前記ヒートシールドの前記熱による変形に伴い伸縮することによって前記ヒートシールドの熱変形の応力を吸収する吸収部を含む、チャンバ。
2. 請求項１に記載のチャンバであって、
   前記吸収部は、前記ヒートシールドの前記熱変形に伴う前記応力を弾性変形によって吸収する弾性体を含む、チャンバ。
3. 請求項２に記載のチャンバであって、
   前記弾性体は板バネである、チャンバ。
4. 請求項１に記載のチャンバであって、
   前記吸収部は、
   溝が形成されているレールと、
   前記溝の内面に接触し、前記ヒートシールドの前記熱変形に伴い前記溝に沿って前記レールに対して相対的に移動する接触部と、を含む、チャンバ。
5. 請求項４に記載のチャンバであって、
   前記接触部は、前記溝の内面に点接触している球面を含む、チャンバ。
6. ターゲット物質にレーザ光を照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置、に使用されるチャンバであって、
   チャンバ容器と、
   前記チャンバ容器内において、前記ターゲット物質がプラズマ化される所定領域と前記チャンバ容器との間に配置され、前記ターゲット物質のプラズマ化によって前記所定領域で発生する熱を吸収するヒートシールドと、
   前記ヒートシールドを前記チャンバ容器に取り付ける支持部と、を含み、
   前記ヒートシールドは、筒状であって、前記レーザ光の入射側から前記極端紫外光の出力側に延び、
   前記ヒートシールドは、前記ヒートシールドの一方の端から他方の端まで延び、前記ヒートシールドの前記熱変形に伴い伸縮するスロットを含む、チャンバ。
7. 請求項６に記載のチャンバであって、
   前記スロットは、前記ヒートシールドの内面から外面まで貫通するスリットである、チャンバ。
8. 請求項７に記載のチャンバであって、
   前記ヒートシールドは、前記ヒートシールドの前記一端から前記他端まで延び、前記ヒートシールドの前記熱変形に伴い伸縮する複数のスリット、を含み、
   前記ヒートシールドは、前記複数のスリットによって複数の部分に分離され、
   前記分離された複数の部分のそれぞれが、異なる支持部により前記チャンバ容器に取り付けられている、チャンバ。
9. 請求項６に記載のチャンバであって、
   前記スロットは溝穴であり、
   前記溝穴底の薄肉部は、前記ヒートシールドの前記熱変形による前記応力により伸縮する、チャンバ。
10. 請求項１に記載のチャンバと、
    前記チャンバ内の所定の領域に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    前記ターゲット供給装置によって所定の領域に供給されるターゲット物質にレーザ光を集光してターゲット物質をプラズマ化するレーザ光集光光学系と、
    前記プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、を含む極端紫外光生成装置。
11. 請求項６に記載のチャンバと、
    前記チャンバ内の所定の領域に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    前記ターゲット供給装置によって所定の領域に供給されるターゲット物質にレーザ光を集光してターゲット物質をプラズマ化するレーザ光集光光学系と、
    前記プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、を含む極端紫外光生成装置。

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