JP2010078921A - マスク及び露光方法並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良を抑制できるマスク及び露光方法並びにデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】マスク本体１００の温度分布で生じる非線形変形を、線形変形に補正するペリクルフレーム１２０が設けられているマスクＭを用いる。
【選択図】図４

Description

本発明は、マスク及び露光方法並びにデバイス製造方法に関するものである。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、例えば下記特許文献１に開示されているような構成を有し、所定のパターンが形成されたマスクの中央部を露光光で照明し、そのマスクを介した露光光で基板を露光する。

露光光の照射回数を重ねるにつれて、露光光の照射を受けるマスクの温度が上昇し、熱膨張によってマスクが変形して歪みが発生する。マスクの形状に歪みが生じると、当該マスクを介して基板上に投影されるパターンが歪んでしまう。従来、マスクが熱膨張によって変形する場合、変形の成分に線形成分を多く含むため、例えば当該マスクを介して投影されるパターンに対し投影光学系の倍率を変化させるなど線形の補正を行うことで、当該パターンの歪みを容易に低減させることがなされている。
米国特許出願公開第２００５／０２４８７４４号明細書

ところで、近年のスループットの向上の要請等により単位時間当たりの照射回数を増やすことがなされている。しかしながら、単位時間当たりの照射回数が増えると、マスクの温度の上昇が顕著化し、露光光が照射される領域と露光光が照射されない領域とで温度差（温度分布）が生じる。マスク本体に温度分布が生じると、露光光が照射される高温の領域の熱膨張の変形量と、露光光が照射されない低温の領域の熱膨張の変形量とが不整合となり、両領域間で力（具体的には露光光が照射される領域の熱膨張変形を拘束しようとする力）が作用し、その結果、マスクの変形の成分が非線形成分を多く含んだ状態となる。
非線形成分を多く含んで変形したマスクを介して投影されるパターンに対して、例えば投影光学系の倍率を変化させるなどの線形の補正を行っても、当該パターンの歪みを低減させることは困難である。パターンが歪んだ状態で基板上に投影されてしまうと、露光不良が発生する可能性がある。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、露光不良を抑制できるマスク及び露光方法並びにデバイス製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１３に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のマスク（Ｍ）は、マスク本体（１００）の温度分布で生じる非線形変形を、線形変形に補正する線形変形装置（１２０）が設けられているものである。
従って、本発明のマスクでは、線形変形装置によって、温度分布で生じるマスク本体の非線形変形が線形変形に補正される。すなわち、マスクを介して投影されるパターンを投影光学系などにより補正可能な状態にすることができる。そのため、パターンの歪みを低減させることが可能となる。

また、本発明の露光方法は、先に記載のマスクを用いるものである。
従って、本発明の露光方法では、マスクを介して投影されるパターンを補正可能な状態にすることができ、パターンの歪みを低減させることができる。

また、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の露光方法を用いるものである。
従って、本発明のデバイス製造方法では、マスクを介して投影されるパターンを補正可能な状態にすることができ、パターンの歪みを低減させることができるため、高品質のデバイスを製造することが可能となる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。

本発明によれば、露光不良を抑制できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

（第１実施形態）
図１は、本発明の実施形態における露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板（被露光体）Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンを基板ステージ２に保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、コンピュータシステムを備えて露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置３とを有する。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む（詳しくは後述）。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。また、露光装置ＥＸは、基板Ｐが処理される内部空間Ｌを形成するチャンバ装置５を備え、内部空間Ｌの環境（温度、湿度及びクリーン度を含む）を調整可能な構成となっている。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動させ、マスクＭを介した露光光ＥＬで基板Ｐを露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐ及びマスクＭの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの投影領域に対して基板ＰをＹ軸方向に移動させるとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域に対してマスクＭをＹ軸方向に移動させつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照射する構成となっている。

露光装置ＥＸは、例えばクリーンルーム内の床面ＦＬ上に設けられた第１コラム６と、第１コラム６上に設けられた第２コラム７を含むボディ８とを有する。第１コラム６は、複数の第１支柱９と、それら第１支柱９に防振装置１０を介して支持された第１プレート１１とを有する。第２コラム７は、第１プレート１１上に設けられた複数の第２支柱１２と、それら第２支柱１２に支持された第２プレート１３とを有する。第２プレート１３は、露光光ＥＬが通過する第２開口１７を有する。

照明系ＩＬは、例えば、光源、照度均一化光学系、ビームスプリッタ、リレーレンズ、可変ＮＤフィルタ等を含んで構成されている。この照明系ＩＬは、マスクＭの表面上でＸ軸方向に細長く伸びるスリット状の照明領域を露光光ＥＬにより略均一な照度で照明する構成となっている。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬの光軸ＡＸ上には、マスクステージ１に形成される第１開口１６、第２開口１７及び投影光学系ＰＬが配置される。

マスクステージ１は、照明系ＩＬの下方に配置されると共に、ガスベアリングにより第２プレート１３の上面（ガイド面）１３Ｇに非接触で支持される。マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置１５の作動により、第２プレート１３の上面１３Ｇに沿って、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向の３つの方向に移動可能な構成となっている。

マスクステージ１は、露光光ＥＬが照射されるマスクＭを保持するマスク保持部１４を有する。マスク保持部１４は、マスクＭのパターン形成面ＭａとＸＹ平面とがほぼ平行となるようにマスクＭを保持する構成となっている。図２は、本発明の実施形態におけるマスクステージ１のマスク保持部１４を示す要部拡大斜視図である。マスク保持部１４は、マスクＭをパターン形成面Ｍａ側から吸着保持する吸着パッド４１と、吸着パッド４１の吸引圧力を調節する圧力調節装置４２とを有する。吸着パッド４１は、第１開口１６をＸ軸方向において挟む両側に設けられ、Ｙ軸方向に延在する。この吸着パッド４１は、マスクＭのＸ軸方向両端部を支持する構成となっている。圧力調節装置４２は、吸着パッド４１と流路４３を介して接続される。圧力調節装置４２は、流路４３を介して吸着パッド４１から気体を吸引し、吸着パッド４１とマスクＭとの間を負圧状態にして両者を吸着させる。また、圧力調節装置４２は、流路４３を介した吸着パッド４１の吸引動作を停止させ、吸着パッド４１とマスクＭとの吸着を解除する構成となっている。

図１に戻り、第２プレート１３上には、マスクステージ１のＹ軸方向の一方の方向（例えば＋Ｙ方向）への移動に応じてそのマスクステージ１とは反対の方向（例えば−Ｙ方向）へ移動するカウンタマス１８が設けられる。カウンタマス１８は、エアパッドを含む自重キャンセル機構により、第２プレート１３の上面１３Ｇに非接触で支持される。本実施形態において、カウンタマス１８は、マスクステージ１の周囲に設けられる。

マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム１９のレーザ干渉計１９Ａ及びフォーカス・レベリング検出系７０によって計測される。
レーザ干渉計１９Ａは、マスクステージ１の反射面１Ｒに計測光ＬＢを照射してその反射光を受光することにより、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に関するマスクステージ１の位置情報を計測する。フォーカス・レベリング検出系７０は、マスク保持部１４に保持されたマスクＭのうち照明系ＩＬの照明領域に検出光Ｌｂを投射する投射系７０ａと、マスクＭで反射した検出光Ｌｂを受光する受光系７０ｂとを有し、Ｚ軸、θＸ及びθＹ方向に関するマスクＭの表面位置情報を検出する。制御装置３は、干渉計システム１９（レーザ干渉計１９Ａ）の計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいてマスクステージ駆動装置１５を作動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、複数の屈折光学素子（レンズ素子）を含んで構成され、物体面（マスクＭ）側と像面（基板Ｐ）側との両方がテレセントリックで所定の縮小倍率β（βは例えば１／４、１／５、又は１／８等）を有する屈折光学系を備える。この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向はＺ軸方向に設定されている。屈折光学系は、鏡筒２０に保持される。鏡筒２０は、フランジ２１を有し、このフランジ２１が第１プレート１１に支持される。この投影光学系ＰＬを介したマスクＭのパターンは、縮小倍率βで縮小されて基板Ｐの上面（露光面）Ｐａに投影される。

基板ステージ２は、投影光学系ＰＬの下方に配置されると共に、ガスベアリングにより、第３プレート２３の上面（ガイド面）２３Ｇに非接触で支持される。基板ステージ２は、基板Ｐを保持する基板保持部２２を有する。基板保持部２２は、基板Ｐを着脱可能であり、基板Ｐの上面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する構成となっている。第３プレート２３は、第３プレート２３の上面２３ＧとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、床面ＦＬに防振装置２４を介して支持される。この基板ステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置２５の作動により、第３プレート２３の上面２３Ｇに沿って、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向の６つの方向に移動可能な構成となっている。

基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報は、干渉計システム１９のレーザ干渉計１９Ｂ及び不図示のフォーカス・レベリング検出系によって計測される。
レーザ干渉計１９Ｂは、基板ステージ２の反射面２Ｒに計測光ＬＢを照射してその反射光を受光することにより、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に関する基板ステージ２の位置情報を計測する。フォーカス・レベリング検出系は、基板保持部２２に保持された基板Ｐのうち投影光学系ＰＬの投影領域に検出光を投射する投射系と、基板Ｐで反射した検出光を受光する受光系とを有し、Ｚ軸、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面位置情報を検出する。制御装置３は、干渉計システム１９（レーザ干渉計１９Ｂ）の計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置２５を作動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。

第３プレート２３の上面２３Ｇには計測ステージ４が設けられる。計測ステージ４は、ＸＹ平面上において基板ステージ２とは異なる位置に配置される。計測ステージ４は、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載し、基板ステージ２と同様、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向の６つの方向に移動可能な構成となっている。

続いて、上記構成の露光装置ＥＸに用いられるマスクＭの構成について図３及び図４を参照して説明する。
先ず、上記構成の露光装置ＥＸによる露光動作に起因して変形するマスクＭのマスク本体１００の熱膨張の様子について図３を参照して説明する。図３（ａ）に示すように、マスク本体１００は、例えば露光光ＥＬを透過させる板状の石英ガラスからなり、所定のパターンＤＰが形成されたパターン領域１００Ａと、パターン領域１００Ａに隣接する非パターン領域１００Ｂとを有する。パターン領域１００Ａは、マスク本体１００の略中央部に設けられ、Ｙ軸方向に延在する略長方形状を有する。非パターン領域１００Ｂは、パターン領域１００Ａを除いた領域であって、パターン領域１００Ａの周囲を囲う形状を有する。

パターン領域１００Ａでは、照明系ＩＬの露光光ＥＬの照射及びマスクステージ１のＹ軸方向の走査移動によりその全領域が照明されて温度が上昇する。一方、非パターン領域１００Ｂは、照明系ＩＬの露光光ＥＬが照射されないため、パターン領域１００Ａと比べて温度の上昇が低くなる。
露光回数を重ねるにつれて、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの温度差が顕著化し、マスク本体１００は、図３（ｂ）に示すような温度分布を有することとなる。図３（ｂ）によれば、マスク本体１００の中でパターン領域１００Ａが最も高温となり、非パターン領域１００Ｂが低温となる。また、非パターン領域１００Ｂにおいては、パターン領域１００Ａ側から外縁側に向かうにつれて漸次温度が低くなる。

マスク本体１００に温度分布が生じると、露光光ＥＬが照射される高温のパターン領域１００Ａの熱膨張の変形量と、露光光ＥＬが照射されない低温の非パターン領域１００Ｂの熱膨張の変形量とが不整合となり、その結果、図３（ｃ）に示すようなマスク本体１００の変形の成分が非線形成分を多く含んだ状態となる。
より詳しくは、パターン領域１００Ａは、Ｙ軸方向に延在する略長方形状を有し、Ｘ軸方向の変形に比べてＹ軸方向の変形が顕著となる。従って、非パターン領域１００Ｂに対してＹ軸方向に押し伸ばすような力（熱応力）が作用する。一方、非パターン領域１００Ｂは、パターン領域１００Ａの周囲を囲う形状を有し、また、パターン領域１００Ａと比べて低温であることから変形量が小さい。従って、パターン領域１００Ａに対してその変形を拘束するような力（応力）が作用する。なお、この拘束する力には、マスク本体１００のＸ軸方向両端部（非パターン領域１００Ｂ）が吸着パッド４１によって吸着される拘束力も含まれる。
従って、マスク本体１００は、Ｘ軸方向両端部から中央部に向かうにつれて漸次Ｙ軸方向に膨出する略樽形状に変形してしまい、Ｙ軸方向の変形に非線形成分を多く含むこととなる。

図３（ｃ）に示すように、線形成分を多く含むマスク本体１００のＸ軸方向の変形は、例えば投影光学系ＰＬの縮小倍率βを微調整することで光学的に補正できる。しかしながら、非線形成分を多く含むマスク本体１００のＹ軸方向の変形は、投影光学系ＰＬの縮小倍率βやマスクステージ１の走査速度を調整しても補正することが難しい。従って、本実施形態に係るマスクＭは、以下の構成を備える。

図４は、本発明の実施形態に係るマスクＭの構成を示す図である。なお、図４（ａ）は、マスクＭのパターン形成面Ｍａ側を示す図であり、図４（ｂ）は、線視Ａ−Ａ断面図である。
マスクＭは、マスク本体１００と、パターン領域１００Ａを覆うペリクル１１０（図４（ａ）において不図示）と、マスク本体１００と当接（接着）すると共にペリクル１１０を支持するペリクルフレーム（線形変形装置）１２０とを有する。

ペリクル１１０及びペリクルフレーム１２０は、パターンＤＰが形成されたパターン形成面Ｍａ側に設けられ、パターン領域１００Ａを囲むように配置される。
ペリクル１１０は、例えば露光光ＥＬを透過させる板状の石英ガラスからなる。
ペリクルフレーム１２０は、マスク本体１００の温度分布で生じる非線形変形を線形変形に補正する機能を有する。ペリクルフレーム１２０は、マスク本体１００とペリクル１１０との間に設けられ、パターン領域１００Ａを囲う枠形状を有する。また、ペリクルフレーム１２０は、該枠形状のＹ軸方向に延びる２辺が第１熱膨張部材（熱膨張部材）１２１から構成され、該枠形状のＸ軸方向に延びる２辺が第２熱膨張部材１２２から構成される。

第１熱膨張部材１２１は、マスク本体１００の熱膨張率より高い熱膨張率を備える。本実施形態では、マスク本体１００は石英ガラスからなるため、第１熱膨張部材１１０の材質は、例えば石英ガラスの熱膨張率より高い熱膨張率を備えるアルミニウム材、鉄材、銅材、ニッケル材や、それら元素を含む合金材等の種々の金属材から選択される。本実施形態では、第１熱膨張部材１２１は、アルミニウム材からなる。
第１熱膨張部材１２１は、パターン領域１００Ａの延在するＹ軸方向と直交するＸ軸方向両側に設けられる。また、第１熱膨張部材１２１は、Ｙ軸方向に延在する略直方体形状を有し、マスク本体１００に対向する面が、略全面に亘ってマスク本体１００と当接する。また、第１熱膨張部材１２１の長さ、幅、厚さは、図３（ｃ）に示すようなマスク本体１００の非線形変形の度合いによってその大きさを適切なものとする。例えば、第１熱膨張部材１２１の幅は、通常のペリクルフレームの幅よりも大きく形成される。この第１熱膨張部材１２１は、パターン領域１００Ａに対する露光光ＥＬの照射への影響を考慮に入れつつ、パターン領域１００Ａにできるだけ近接するように配置される。

第２熱膨張部材１２２は、第１熱膨張部材１２１より低い熱膨張率を備える。本実施形態では、第１熱膨張部材１２１は、アルミニウム材からなるため、第２熱膨張部材１１０は、アルミニウム材の熱膨張率より低い熱膨張率を備える石英ガラスからなる。すなわち、本実施形態では、第２熱膨張部材１２２の熱膨張率は、マスク本体１００の熱膨張率と略同一となる。
第２熱膨張部材１２２は、パターン領域１００Ａの延在するＹ軸方向両側に設けられる。また、第２熱膨張部材１２２は、Ｘ軸方向に延在する略直方体形状を有し、マスク本体１００に対向する面が、略全面に亘ってマスク本体１００と当接する。第２熱膨張部材１２２の幅は、第１熱膨張部材１２１の幅よりも小さく形成される。

続いて、上記構成のマスクＭを用いて基板Ｐに所定のパターンを形成する露光装置ＥＸの動作（露光方法）について説明する。
先ず、制御装置３は、チャンバ装置５に内部空間Ｌの環境（温度、湿度及びクリーン度を含む）を調整させる。そして、制御装置３は、マスクＭをマスクステージ１に保持させると共に、基板Ｐを基板ステージ２に保持させる。マスクＭは、ペリクルフレーム１２０より外側のＸ軸方向両端部（非パターン領域１００Ｂ）が吸着パッド４１により吸着される。

制御装置３は、各計測装置によるマスクＭの位置情報と基板Ｐの位置情報とに基づいて、マスクＭと基板Ｐとの位置合せをし、両者を第１ショットの露光のための走査開始位置に移動させる。そして、制御装置３は、マスクステージ１と基板ステージ２とのＹ軸方向の走査を開始させ、両ステージがそれぞれの目標走査速度に達すると、照明系ＩＬにマスクＭを照明させて走査露光を開始させる。

制御装置３は、この走査露光時に、マスクステージ１のＹ軸方向の移動速度と、基板ステージ２のＹ軸方向の移動速度とが投影光学系ＰＬの投影倍率に応じた速度比に維持されるようにマスクステージ１及び基板ステージ２を同期制御する。マスクＭのパターン領域１００Ａの異なる領域が露光光ＥＬで逐次照明され、パターン領域１００Ａ全面に対する照明が完了することにより、基板Ｐ上の第１ショットの走査露光が完了する。これにより、マスクＭのパターンが、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ上の第１ショット領域に縮小転写される。

このようにして、第１ショットの走査露光が終了すると、制御装置３は、基板ステージ２がＸ、Ｙ軸方向にステップ移動させ、第２ショットの露光のため走査開始位置に移動させる。このステップ移動の際に、基板ステージ２の位置（基板Ｐの位置）を検出するレーザ干渉計１９Ｂの計測値に基づいて、基板ステージ２のＸ、Ｙ、θＺ方向の位置を制御する。その後、制御装置３は、上記第１ショット領域と同様に、第２ショット領域に対して走査露光を行わせる。当該制御により、基板Ｐ上のショット領域の走査露光と次ショット露光のためのステップ移動とが繰り返し行われ、基板Ｐ上の露光対象ショット領域の全てにマスクＭのパターンが順次転写される。

露光光ＥＬの露光回数を重ねるにつれて、マスク本体１００に図３（ｂ）に示すような温度分布が生じる。この温度分布によりマスク本体１００が熱膨張し、図５に示すように、露光動作前の形状１００ａから、非線形成分を含む非線形形状１００ｂに変形しようとする。ペリクルフレーム１２０は、この非線形形状１００ｂのマスク本体１００を線形形状１００ｃに補正する。すなわち、ペリクルフレーム１２０のＹ軸方向に延びる２辺を構成する第１熱膨張部材１２１が、マスク本体１００のＸ軸方向両端部に対しＹ軸方向に引き伸ばす変形を与えることにより、マスク本体１００の形状を非線形形状１００ｂから線形形状１００ｃに補正する。

具体的には、第１熱膨張部材１２１は、パターン領域１００Ａに近接して配置され、パターン領域１００Ａ近傍において露光光ＥＬからの照射熱を受ける。該照射熱を受けた第１熱膨張部材１２１は、マスク本体１００の熱膨張率より高い熱膨張率を備えるため、Ｙ軸方向においてマスク本体１００より大きく変形する。第１熱膨張部材１２１は、マスク本体１００と当接（接着）しているため該変形に伴う力がマスク本体１００に作用し、マスク本体１００のＸ軸方向両端部がＹ軸方向に引き伸ばされ、マスク本体１００の形状が非線形形状１００ｂから線形形状１００ｃに補正される。また、第２熱膨張部材１２２は、マスク本体１００の熱膨張率と同一の熱膨張率を備えるため、Ｘ軸方向においてマスク本体１００に変形を与えることなく、マスク本体１００のＸ軸方向における線形変形の状態を維持する。

従って、本実施形態のマスクＭによれば、ペリクルフレーム１２０よって、マスク本体１００の温度分布で生じる非線形変形が線形変形に補正される。すなわち、本実施形態では、マスクＭを介して投影されるパターンを投影光学系ＰＬの縮小倍率βやマスクステージ１の走査速度等により容易に補正することができる。従って、パターンの歪みを低減させることができ、露光不良を抑制することができる。

また、本実施形態のマスクＭによれば、非線形変形を線形変形に補正する第１熱膨張部材１２１及び第２熱膨張部材１２２がマスク本体１００のパターン形成面Ｍａ側に設けられるペリクルフレーム１２０を構成する。従って、マスクＭに別部材を追加して設ける必要がなく部品点数の増加が抑制される。また、ペリクルフレーム１２０は、上記のようにパターン領域１００Ａを囲むように配置されるものであるため、パターン領域１００Ａに対する露光光ＥＬを遮光することがなく露光不良を好適に抑制することができる。

また、ペリクルフレーム１２０の上記作用と組み合わせて、圧力調節装置４２による吸着パッド４１を介したマスクＭの吸着動作の制御を制御装置３により行わせる構成を採用することが望ましい。マスク本体１００のＸ軸方向両端部（非パターン領域１００Ｂ）は、吸着パッド４１により吸着保持されており、その吸着力の大きさによってはマスク本体１００のＸ軸方向両端部が拘束され、ペリクルフレーム１２０によるマスク本体１００のＹ軸方向の補正変形が適切になされない場合もある。
従って、例えば、制御装置３は、ペリクルフレーム１２０によるマスク本体１００のＹ軸方向の補正変形が適切になされるように、圧力調節装置４２による吸着パッド４１を介したマスクＭに対する吸着力を、通常よりも低減させるような制御を行うことが望ましい。あるいは、制御装置３は、圧力調節装置４２による吸着パッド４１を介したマスクＭに対する吸着動作を所定期間停止させて、ペリクルフレーム１２０がマスク本体１００の変形を補正するための変形補正期間なるものを設ける構成であってもよい。この場合、吸着動作を停止させる期間は、マスクステージ１が移動することのない期間、例えば露光光ＥＬのショット間に設けられたインターバル期間であることが望ましい。

（第２実施形態）
続いて、本発明の第２実施形態に係るマスクＭについて図６〜図８を参照して説明する。なお、上記第１実施形態と構成を同じくする部分の説明は割愛することとする。図６（ａ）は、第２実施形態における一実施例のマスクＭのパターン形成面Ｍａ側を示す図であり、図６（ｂ）は、その線視Ｂ−Ｂ断面図である。図７（ａ）は、第２実施形態における一実施例のマスクＭのパターン形成面Ｍａ側を示す図であり、図７（ｂ）は、その線視Ｃ−Ｃ断面図である。図８（ａ）は、第２実施形態における一実施例のマスクＭのパターン形成面Ｍａ側を示す図であり、図８（ｂ）は、その線視Ｄ−Ｄ断面図である。
第２実施形態に係るマスクＭでは、マスク本体１００に熱膨張部材（線形変形装置）１２１´が設けられている。熱膨張部材１２１´は、例えばマスク本体１００の熱膨張率より高い熱膨張率を備えるアルミニウム材からなる。熱膨張部材１２１´は、パターン領域１００ＡのＸ軸方向両側において、Ｙ軸方向に延在して設けられる。

図６においては、熱膨張部材１２１´は、マスク本体１００のＸ軸方向両側に延出して設けられる。熱膨張部材１２１´は、Ｙ軸方向においてマスク本体１００と略同一の長さを有し、Ｚ軸方向においてマスク本体１００と略同一の厚さを有する。
この熱膨張部材１２１´によれば、マスク本体１００のＸ軸方向両側に対してＹ軸方向に引き伸ばす変形を与えることによって、マスク本体１００の温度分布で生じる非線形変形を線形変形に補正することができる。また、この熱膨張部材１２１´によれば、マスク本体１００を厚さ方向全体に亘ってＹ軸方向に引き伸ばすことができ、マスク本体１００の厚さ方向におけるＹ軸方向の微小な変形の差を低減させることができる。

図７及び図８においては、熱膨張部材１２１´は、マスク本体１００のＸ軸方向両端部に埋設されている。図７において熱膨張部材１２１´は、マスク本体１００のパターン形成面Ｍａ側に埋設される。また、図８において熱膨張部材１２１´は、マスク本体１００のパターン形成面Ｍａ側に対して逆側に埋設される。
この熱膨張部材１２１´によれば、マスク本体１００の内部からマスク本体１００のＸ軸方向両端部に対してＹ軸方向に引き伸ばす変形を与えることによって、マスク本体１００の温度分布で生じる非線形変形を線形変形に補正することができる。また、この熱膨張部材１２１´によれば、マスク本体１００に埋設されるため、熱膨張部材１２１´とマスク本体１００との接触面積が広くなり、マスク本体１００に対しＹ軸方向に引き伸ばす力をより効率よく与えることができる。

従って、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、マスク本体１００の厚さ方向におけるＹ軸方向の微小な変形の差を低減させることができる、あるいは、マスク本体１００に対しＹ軸方向に引き伸ばす力をより効率よく与えることができるといった作用・効果が得られる。

（第３実施形態）
続いて、本発明の第３実施形態に係るマスクＭについて図９及び図１０を参照して説明する。なお、上記実施形態と構成を同じくする部分の説明は割愛することとする。図９（ａ）は、第３実施形態における一実施例のマスクＭのパターン形成面Ｍａ側を示す図であり、図９（ｂ）は、その線視Ｅ−Ｅ断面図である。図１０（ａ）は、第３実施形態における一実施例のマスクＭのパターン形成面Ｍａ側を示す図であり、図１０（ｂ）は、その線視Ｆ−Ｆ断面図である。なお、図１０においては、視認性を向上させるために、マスク本体１００にハッチングを施している。
上述したように、マスク本体１００が熱膨張により非線形成分を多く含むこととなるのは、マスク本体１００に温度分布があり、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間でパターン領域１００Ａの熱膨張を拘束しようとする力（熱応力）が作用することによる。すなわち、第３実施形態では、この影響を緩和させることで、マスク本体１００の非線形変形を、線形変形に補正する。
第３実施形態に係るマスクＭは、パターン領域１００Ａと非パターン領域との間で熱応力を緩和する熱応力緩和部（線形変形装置）１３０を有する。

図９において、熱応力緩和部１３０は、パターン領域１００Ａに沿って形成された溝部１３１を有する。溝部１３１は、パターン形成面Ｍａ側からマスク本体１００に対して所定の深さ及び所定の幅で形成される。なお、マスク本体１００には、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間の剛性の低下を担保するための接続部１３２が設けられる。接続部１３２は、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間をマスク本体１００と同一の厚さで接続するものであり、複数箇所（本実施形態では３箇所）設けられる。接続部１３２の幅は、熱応力の影響を考慮して可能な限り小さく設定される。

続いて上記構成のマスクＭの作用について説明する。
パターン領域１００Ａは、露光光ＥＬの照射によりその全領域が照明され温度が上昇し、熱膨張する。パターン領域１００Ａが熱膨張すると、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間で熱応力が作用する。この熱応力は、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間に設けられた溝部１３１によって低減（緩和）される。
すなわち、溝部１３１においては、マスク本体１００の厚さが小さくなり、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間において力が作用する面積（マスク本体１００の厚さ方向における断面積）が小さくなる。このため、熱応力が低減される。例えば、溝部１３１において、マスク本体１００の厚さが三分の一になっていれば、力の作用する面積が三分の一になり、結果、熱応力が三分の一に低減されることとなる。

すなわち、溝部１３１の作用によりパターン領域１００Ａを拘束する応力が、上記例によれば三分の一となる。従って、パターン領域１００Ａは比較的自由に膨張することができ、その変形に線形成分を多く含むこととなる。なお、接続部１３２は、可能な限り小さく形成されているため、パターン領域１００Ａの熱膨張に対する影響は微小である。
このことから、パターン領域１００Ａが熱膨張しても非パターン領域１００Ｂまで歪みが伝達されない。逆にいえば、非パターン領域１００Ｂからの影響（吸着パッド４１からの影響を含む）をパターン領域１００Ａが受け難くなる。さらに、パターン領域１００Ａから非パターン領域１００Ｂに伝わる照射熱も低減されるため、非パターン領域１００Ｂは、その変形に線形成分を多く含むこととなる。
従って、この熱応力緩和部１３０によれば、溝部１３１を設けることによってパターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとを剛性的及び熱的に独立させ、両者間の影響を緩和させることによって、マスク本体１００の非線形変形を、線形変形に補正することが可能となる。

一方、図１０において、熱応力緩和部１３０は、パターン領域１００Ａに沿ってマスク本体１００に貫通して設けられたスリット１３３を有する。スリット１３３は、所定の幅で形成される。マスク本体１００には、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間の剛性の低下を担保するための接続部１３２が設けられる。接続部１３２は、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間をマスク本体１００と同一の厚さで接続するものであり、複数箇所（本実施形態では３箇所）設けられる。接続部１３２の幅は、熱応力の影響を考慮して可能な限り小さく設定される。

この熱応力緩和部１３０によれば、スリット１３３によりパターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとが接続部１３２以外では完全に独立することとなる。したがって、接続部１３２のみで、パターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとの間に熱応力が作用する。そのため、パターン領域１００Ａは、より自由に熱膨張することができる。
従って、この熱応力緩和部１３０によれば、スリット１３３を設けることによってパターン領域１００Ａと非パターン領域１００Ｂとを剛性的及び熱的に略完全に独立させ、両者間の影響を緩和させることによって、マスク本体１００の非線形変形を、線形変形に補正することが可能となる。

以上、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態では、マスク本体１００は石英ガラスから構成されると説明したが、本発明は、上記構成に限定されるものではない。マスク本体１００としては、例えば石英ガラスの他に、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。
また、マスク本体１００は、選択した材質により熱膨張率が異なるため、上記実施形態の熱膨張部材（第１熱膨張部材１２１、第２熱膨張部材１２２、熱膨張部材１２１´を含む）の材質は、マスク本体１００の材質に応じて、適宜最適なものを選択することが望ましい。

また、例えば、上記実施形態では、パターン領域１００ＡはＹ軸方向に延在する略長方形状であると説明したが、本発明は、上記構成に限定されるものではない。例えば、パターン領域１００Ａの形状は、Ｘ軸方向に延在する略長方形状や略正方形状等であってもよい。
また、マスク本体１００は、パターン領域１００Ａの形状に応じて、非線形成分を多く含む位置が変化することから、上記熱膨張部材の配置位置をパターン領域１００Ａの形状に応じて変更することが望ましい。例えば、パターン領域１００ＡがＸ軸方向に延在して設けられるならば、熱膨張部材（第１熱膨張部材１２１あるいは熱膨張部材１２１´）は、Ｘ軸方向に延在させる構成であることが望ましい。

また、例えば、上記実施形態では、熱膨張部材によって一方向（例えばＹ軸方向）の非線形変形を、線形変形に補正すると説明したが、本発明は上記構成に限定されるものではなく、例えば熱膨張部材を複数設け、ＸＹ平面上において上記一方向と異なる複数の方向の非線形変形を線形変形に補正する構成であってもよい。
また、例えば、複数の熱膨張部材のそれぞれの熱膨張率は、同一の熱膨張率ではなく異なる熱膨張率であってもよい。

また、例えば、上記実施形態では、熱膨張部材は、パターン領域１００Ａに近接して配置され、パターン領域１００Ａ近傍において露光光ＥＬからの照射熱を受けて熱膨張すると説明したが、本発明は、上記構成に限定されるものではない。例えば、熱膨張部材を加熱する加熱装置を設け、この加熱装置から熱を受けて熱膨張する構成であってもよい。
図１１は、第１実施形態のペリクルフレーム１２０に、加熱装置１４０を設けた一例を示す。加熱装置１４０は、＋Ｘ側の第１熱膨張部材１２１を加熱する第１加熱部１４０Ａと、−Ｘ側の第１熱膨張部材１２１を加熱する第２加熱部１４０Ｂとを有する。加熱装置１４０は、例えば第１熱膨張部材１２１が金属材であれば、高周波による誘導加熱を行う非接触方式を採用することが望ましい。この構成によれば、例えば露光光ＥＬからの照射熱のみでは第１熱膨張部材１２１が十分に熱膨張変形することができない場合に、加熱装置１４０により補填的に第１熱膨張部材１２１を加熱することで、マスク本体１００の非線形変形を線形変形に補正することができる。
また、この構成によれば、第１加熱部１４０Ａによる加熱量と第２加熱部１４０Ｂによる加熱量とを独立して制御することにより、＋Ｘ側の第１熱膨張部材１２１の変形量と−Ｘ側の第１熱膨張部材１２１の変形量とを調節することができる。従って、この構成によれば、例えばマスク本体１００が＋Ｘ側と−Ｘ側とが対称とならない非線形形状に非線形変形しても線形変形に補正することができる。

また、例えば、第２実施形態の図７及び図８においては、熱膨張部材１２１´をマスク本体１００のパターン形成面Ｍａ側、あるいはマスク本体１００のパターン形成面Ｍａ側に対し逆側に設けると説明したが、熱膨張部材１２１´をパターン形成面Ｍａ側及び逆側の両方に設ける構成であってもよい。この構成によれば、パターン形成面Ｍａ側と逆側とで生じるマスク本体１００の変形の差を低減することができる。

また、例えば、第３実施形態では、熱応力緩和部１３０は、溝部１３１あるいはスリット１３３のいずれかを有すると説明したが、両方備える構成であってもよい。例えばマスク本体１００の非線形成変形が大きい部位側においてはスリット１３３を設けて、マスク本体１００の非線形変形が小さい部位側においては溝部１３１を設けるという構成であってもよい。
また、溝部１３１の深さは同一の深さで形成されるものではなく、例えばマスク本体１００の非線形成変形が大きい部位側においては深く、マスク本体１００の非線形変形が小さい部位側においては浅くする構成であってもよい。

また、本発明は、第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態の構成を組み合わせて用いるものであってもよい。

なお、上記実施形態の基板（物質）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。なお、上記各実施形態のマスクとしては、透過型マスクのみならず、反射型マスクであってもよい。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

また、本実施形態においては、露光光ＥＬがＥＵＶ光である場合を例にして説明したが、露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いることもできる。

また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。

また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

次に、本発明の実施形態による露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１２は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。

図１３は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等へ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。

本発明の実施形態における露光装置ＥＸを示す概略構成図である。 本発明の実施形態におけるマスクステージのマスク保持部を示す要部拡大斜視図である。 本発明の実施形態におけるマスク本体の熱膨張の様子を説明する図である。 本発明の実施形態におけるマスクの構成を示す図である。 本発明の実施形態におけるマスクの作用を説明する図である。 本発明の第２実施形態におけるマスクの一実施例を示す図である。 本発明の第２実施形態におけるマスクの一実施例を示す図である。 本発明の第２実施形態におけるマスクの一実施例を示す図である。 本発明の第３実施形態におけるマスクの一実施例を示す図である。 本発明の第３実施形態におけるマスクの一実施例を示す図である。 本発明の別実施形態におけるマスクの構成を示す図である。 本発明のマイクロデバイス製造工程の一例を示すフローチャートである。 図１２におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。

符号の説明

Ｍ…マスク、ＤＰ…パターン、１００…マスク本体、１００Ａ…パターン領域、１００Ｂ…非パターン領域、１１０…ペリクル、１２０…ペリクルフレーム（線形変形装置）、１２１…第１熱膨張部材（熱膨張部材）、１２１´…熱膨張部材（線形変形装置）、１２２…第２熱膨張部材、１３０…熱応力緩和部（線形変形装置）、１３１…溝部、１３３…スリット、１４０…加熱装置

Claims (17)

1. マスク本体の温度分布で生じる非線形変形を、線形変形に補正する線形変形装置が設けられているマスク。
2. 前記線形変形装置は、前記マスク本体の熱膨張率より高い熱膨張率を備える熱膨張部材を有する請求項１に記載のマスク。
3. 前記マスク本体は、所定のパターンが形成されたパターン領域を有して、
   前記パターン領域は、一方向に延在しており、
   前記熱膨張部材は、前記パターン領域の前記一方向と直交する直交方向両側において、前記一方向に延在して設けられている請求項２に記載のマスク。
4. 前記線形変形装置は、前記熱膨張部材の熱膨張率より低い熱膨張率を備える第２熱膨張部材を有して、
   前記第２熱膨張部材は、前記パターン領域の前記一方向両側において、前記直交方向に延在して設けられている請求項３に記載のマスク。
5. 前記第２膨張部材の熱膨張率は、前記マスク本体の熱膨張率と略同一である請求項４に記載のマスク。
6. 前記熱膨張部材は、前記マスク本体と当接している請求項２〜５のいずれか一項に記載のマスク。
7. 前記熱膨張部材は、前記マスク本体に埋設されている請求項２〜５のいずれか一項に記載のマスク。
8. 前記熱膨張部材は、前記マスク本体両側に延出して設けられている請求項２〜５のいずれか一項に記載のマスク。
9. 前記マスク本体の一方の面側にペリクルと、前記ペリクルを支持するペリクルフレームとを有して、
   前記ペリクルフレームは、前記熱膨張部材を有する請求項２、３、６、７のいずれか一項に記載のマスク。
10. 前記マスク本体の一方の面側にペリクルと、前記ペリクルを支持するペリクルフレームとを有して、
    前記ペリクルフレームは、前記熱膨張部材を有する請求項４または５に記載のマスク。
11. 前記ペリクルフレームは、前記第２熱膨張部材を有する請求項１０に記載のマスク。
12. 前記線形変形装置は、前記熱膨張部材を加熱する加熱装置を有する請求項２〜１１のいずれか一項に記載のマスク。
13. 前記マスク本体は、所定のパターンが形成されたパターン領域と、前記パターン領域に隣接する非パターン領域とを有して、
    前記線形変形装置は、前記パターン領域と前記非パターン領域との間で熱応力を緩和する熱応力緩和部を有する請求項１〜１２のいずれか一項に記載のマスク。
14. 前記熱応力緩和部は、前記パターン領域に沿って前記マスク本体に設けられた溝部を有する請求項１３に記載のマスク。
15. 前記熱応力緩和部は、前記パターン領域に沿って前記マスク本体に貫通して設けられたスリットを有する請求項１３または１４に記載のマスク。
16. 所定のパターンが形成された請求項１〜１５のいずれか一項に記載のマスクを用いて、被露光体に前記所定のパターンを形成する露光方法。
17. 請求項１６に記載の露光方法を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法。

Images