JP4779630B2 - アライメント方法、アライメント装置、露光装置 - Google Patents
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Description
このため、露光装置には、基板上の各ショット領域に形成した位置検出用(アライメント用)のマークを検出するアライメントセンサが設けられ、このアライメントセンサの検出結果に基づいて基板上の各ショット領域に形成された既存パターンの正確な位置を計測し、アライメント(位置合わせ)している。
しかしながら、歪みシリコン技術が適用された基板をアライメントする方法等については、具体的な提案はされていないのが現状である。
この発明によれば、アライメント処理におけるアライメント条件の最適化(例えば、サンプルショット領域の最適化)や、使用するEGA演算モデル式の最適化が行われるので、いわゆる歪みシリコン技術を適用した基板であっても、その基板を高精度にアライメント処理することが可能となる。
この発明によれば、アライメント処理におけるアライメント条件の最適化(例えば、サンプルショット領域の最適化)や、使用するEGA演算モデル式の最適化が行われるので、いわゆる歪みシリコン技術を適用した基板であっても、その基板を高精度にアライメント処理することが可能となる。
この発明によれば、いわゆる歪みシリコン技術を適用した基板であっても、基板のアライメント処置が高精度に行われるので、微細なデバイスパターンを基板上に露光することができる。
いわゆる歪みシリコン技術を適用した基板において、アライメントマークが位置ずれした場合であっても、基板上の歪み分布に基づいてアライメント処理におけるアライメント条件の最適化が行われるので、その基板を高精度にアライメント処理することが可能となる。
また、いわゆる歪みシリコン技術を適用した基板にアライメントマーク等を形成する場合に、基板上の歪み分布に応じてマークの最適な配置位置を決定するので、そのマークを用いた各種計測を高精度に行うことが可能となる。
図1は、露光システム10の全体構成の一例を示す模式図である。
露光システム10は、半導体素子製造用であり、複数台の露光装置EX1,EX2,…EXnを有している。各露光装置EXnは、通信機能を備えた本体制御用の制御系を含み、LAN等の通信ネットワーク11に接続されている。
通信ネットワーク11には、上記複数台の露光装置EXnの他に、設計情報処理装置12及びシミュレータ13が接続されている。
なお、図1においては、設計情報処理装置12を露光装置EXnと別体として描いているが、設計情報処理装置12の設置場所は、露光装置EXn内でもよく外部でもよい。
なお、図1においては、シミュレータ13を露光装置EXnと別体として描いているが、シミュレータ13の設置場所は、露光装置EXn内でもよく外部でもよい。また、シミュレータ13は、後述するアライメント装置50を構成するものである。
露光装置EXnは、ステップ・アンド・スキャン方式により、マスクのパターンを感光基板に露光する、所謂スキャニングステッパである。なお、ここでいう「感光基板」は半導体ウエハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は感光基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
なお、以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMと感光基板Pとの同期移動方向をX軸方向、Z軸方向及びX軸方向に垂直な方向をY軸方向とする。
これらレーザ干渉計47による基板ステージPSTのX座標、Y座標及び回転角等の位置情報の計測結果は制御装置CONTへ出力され、制御装置CONTは位置情報をモニタしつつリニアモータ等の駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTの位置決め動作を制御する。
なお、図2には示していないが、マスクステージMSTにも同様に複数のレーザ干渉計を有するシステムを備えており、マスクステージMST(マスクM)のX座標、Y座標及び回転角等の位置情報が計測され、これら計測結果は制御装置CONTへ出力される。
制御装置CONTは、アライメント光学系52を用いて、マスクMのパターン像と感光基板Pのショット領域とをアライメントしてから、マスクステージMSTを投影光学系PLの光軸AXに垂直な方向(本実施形態では+X方向)に走査するとともに、これに同期して例えば逆方向(−X方向)に基板ステージPSTを投影光学系PLの投影倍率と同じ速度比で走査し、マスクMのパターン像を感光基板P上の各ショット領域に逐次転写(露光)する。
図3は、歪みシリコン技術が適用された感光基板P上に形成された複数のショット領域の配列、及び感光基板P上の任意のショット領域を示す模式図である。
感光基板Pは、歪みシリコン技術が適用されたシリコン基板であり、図3(a)に示すように、複数のショット領域SHが形成されている。
そして、図3(b)に示すように、感光基板Pの表面に形成される複数のショット領域SHには、歪みシリコン技術を用いて形成された複数の伸張領域E及び圧縮領域Cが配置されている。伸張領域E及び圧縮領域Cは、特定レイヤー内の特定領域を意図的に伸張或いは圧縮した領域であり、伸張領域Eと圧縮領域Cとがそれぞれ一対となって、ショット領域SH内に配置されている。
したがって、もし、このような歪みが存在した場合には、ショット領域SH内に形成されるアライメントマークALの位置も、本来在るべき位置から微小に位置ずれしてしまう。この結果、アライメントマークALを用いた感光基板P(ショット領域SH)の高精度な位置決めが困難となってしまう。
例えば、感光基板Pの中心領域に存在するショット領域SHでは、隣接する八方の他のショット領域SHとの間で、それぞれの歪みの影響を受け合う。しかし、各ショット領域SHにおける伸張領域E及び圧縮領域Cの配置条件等は略同一であるため、隣接する八方の他のショット領域SHから受ける歪みが互いに相殺されるため、隣接する他のショット領域SHから受ける歪みの影響は小さくなっている。
一方、感光基板Pの外周側に存在するショット領域SHでは、隣接する他のショット領域SHが、中心領域に存在するショット領域SHのように八方に存在しない場合があるので、隣接する他のショット領域SHから受ける歪みが相殺されない。このため、隣接する他のショット領域SHから受ける歪みの影響は大きい。
このように、感光基板P上におけるショット領域SHの位置により、隣接する他のショット領域SHから受ける歪みの影響の大きさが異なる。そして、感光基板Pの中心領域に存在するショット領域SHでは、ショット領域SHの歪みが比較的小さく、一方、感光基板Pの外周領域に存在するショット領域SHでは、ショット領域SHの歪みが比較的大きくなっている。
したがって、アライメントマークALの位置ずれ量も、感光基板Pの外周に近いショット領域SHである程、大きくなってしまう。
そこで、デバイスパターンの設計情報に基づいて、ショット領域SH内における伸張領域E及び圧縮領域Cの配置等の情報を求め、それに基づいて演算(シミュレーション)上で、ショット領域SH内で生じる歪みの方向及び歪み量を各場所毎に求め、その求めたシミュレーション結果に基づいて、ショット領域SH内でのアライメントマークALの配置位置を決定する。更に、この配置位置に基づいて、マスクMのパターンPAを設計する(図5のステップ201,202参照)。
具体的には、設計情報処理装置12の演算部において、設計情報処理装置12に入力されたデバイスパターンの設計情報に基づいて、ショット領域SH内における伸張領域E及び圧縮領域Cの配置等の情報を求める。求められた情報はシミュレータ13に送られる。
そして、シミュレータ13は、伸張領域E及び圧縮領域Cの配置等の情報に基づいて、ショット領域SHのどの位置に、どの方向に向かうどの程度の歪みが存在するかを、有限要素法を用いて求める。更に、シミュレータ13は、求めたシミュレーション結果に基づいて、アライメントマークALの配置位置を決定する。
これによって決定されるアライメントマークALの配置位置は、X,Y方向のいずれにも位置ずれしていない場所である。なぜなら、このような場所がアライメントという用途に用いられるアライメントマークALの配置位置として最適だからである。なお、X,Y方向のいずれにも位置ずれ(歪み発生)していない場所が複数箇所にある場合には、そのうちから任意の場所を、アライメントマークALを配置する場所として決定する。
このような工程を経て設計されたパターンPAを有するマスクMを用いることで、感光基板P上において、X,Y方向のいずれにも位置ずれしていない場所にアライメントマークALを形成することが可能となる(図5のステップ204参照)。そして、このようなアライメントマークALが形成された感光基板Pでは、ショット領域SH内に複数の伸張領域E及び圧縮領域Cを形成した場合であっても、アライメントマークALの位置ずれが殆ど発生しないので、後工程において、この感光基板P上に形成されたアライメントマークALを用いた感光基板Pのアライメント処理を高精度に行うことが可能となる。
X方向測定用アライメントマークALxは、例えば、Y方向に延びる線状のマークである。このような形状のマークであれば、歪みによってY方向に位置ずれしたとしても、X方向に位置ずれしなければ、X方向の位置を計測するアライメントマークとして利用可能である。したがって、歪みによるY方向への位置ずれが存在するがX方向への位置ずれが存在しない場所であれば、X方向測定用アライメントマークALxを配置することができる。
同様に、Y方向測定用アライメントマークALyは、例えば、X方向に延びる線状のマークである。このような形状のマークであれば、歪みによってX方向に位置ずれしたとしても、Y方向に位置ずれしなければ、Y方向の位置を計測するアライメントマークとして利用可能である。したがって、歪みによるX方向への位置ずれが存在するがY方向への位置ずれが存在しない場所であれば、Y方向測定用アライメントマークALyを配置することができる。
このように、アライメントマークALを、X方向測定用アライメントマークALxとY方向測定用アライメントマークALyとに分けることで、マークの配置位置として好適な位置を増やすことができる。これにより、マスクMのパターンPAの設計の自由度が高くなる。
このような場合には、アライメントマークALx,ALyを配置するのに好適な場所に存在するデバイスパターン(回路パターン)の一部を、X方向測定用アライメントマークALx又はY方向測定用アライメントマークALyとして機能させてもよい。つまり、X方向への位置ずれが存在するがY方向への位置ずれが存在しない場所に、X方向に一直線に延びるデバイスパターンが存在する場合には、そのデバイスパターンの一部(X方向に一直線に延びるパターンの一部)をY方向測定用アライメントマークALyとして用いる。
同様に、Y方向への位置ずれが存在するがX方向への位置ずれが存在しない場所に、Y方向に一直線に延びるデバイスパターンが存在する場合には、そのデバイスパターンの一部(Y方向に一直線に延びるパターンの一部)をX方向測定用アライメントマークALxとして用いる。
これにより、X方向測定用アライメントマークALxやY方向測定用アライメントマークALyを用いることが不可能な場合であっても、感光基板Pのアライメント処理が可能となる。
そして、選択決定された場所にアライメントマークALを配置するように、マスクMのパターンPAを設計する。
これにより、このマスクMを用いて感光基板P上にアライメントマークALを形成することで、ショット領域SH内に伸張領域E及び圧縮領域Cが存在する場合であっても、アライメントマークALを用いた感光基板Pのアライメント処理を高精度に行うことが可能となる。
例えば、感光基板P上に積層される複数のレイヤー間の相対的な位置ずれ量(X,Y方向の位置ずれ量)、すなわち重ね合わせ誤差を計測するために用いられる、重ね合わせ誤差計測用マークの場合には、アライメントマークALの場合と同様、感光基板P上の(ショット領域SH内の)歪みの少ない場所、歪みの影響の少ない場所(歪みの影響が所定量未満或いは所定方向に限定される場所)に配置することが好ましい。このため、上述した工程と同様な工程を経ることで、重ね合わせ誤差計測用マークの配置位置として最適な場所を選択決定する。
また、例えば、ショット領域SH内に形成された回路パターンPAの線幅を計測する用途のためのマークである線幅計測用マークの他、ショット領域SH内の歪み量を測定するための用途であるマーク(歪み量測定用マーク)をショット領域SH内に配置する場合には、それらマークの用途上、歪みの影響を十分に反映する場所に配置されることが好ましい。このため、線幅計測用マーク或いは歪み量測定用マークを感光基板P上に形成する場合には、ショット領域SHに形成されるデバイスパターンの設計情報に基づいてショット領域SHの歪みの分布を求め、この歪みの分布から歪み量測定用マークの配置位置として最適な場所(すなわち、歪みが所定量以上或いは歪み方向が所定方向に限定されない場所)を選択決定する。
このように、感光基板P上に形成するマークの機能、用途に応じて、ショット領域SHの歪みの分布から、各種マークの配置位置として最適な位置を選択決定すればよい。
上述したように、ショット領域SHに形成される伸張領域E及び圧縮領域Cの配置、数、面積等は、同一のショット領域SHに形成されるデバイスパターンに応じて、規定されている。このため、ショット領域SHのどの位置にどの程度の歪みが存在するか、すなわち、ショット領域SHの歪みの分布をシミュレーションにより求めることができる。また、ショット領域SHでの歪みの分布にもでなく、シミュレーションにより感光基板P上の各位置での歪みを求めることもできる。
このため、任意の場所に配置されたアライメントマークALが、本来の位置からどの程度位置ずれしているかを、求めることも可能である。
そこで、アライメントマークALを計測したアライメント処理を実行するに先立って、各アライメントマークALがどの程度位置ずれしているかを求める。これにより、後工程において、実際に計測したアライメントマークALの位置を補正することが可能となる。
次に、そのシミュレーション結果を表現する数式モデルを特定する(ステップS2)。
数式モデルとしては、例えば、一次元のモデル式(Δx=ax+by+c、Δy=dx+ey+f、a〜fは任意の定数)、二次元のモデル式(Δx=gx2+hxy+iy2+j、Δy=kx2+lxy+my2+n、g〜nは任意の定数)を用いることができる。なお、このモデルとしては、更に高次元のモデル式を適用できるようにしてもよい。ここで、(x,y)はアライメントALの座標、ΔxはアライメントマークALのx方向の位置ずれ、ΔyはアライメントマークALのy方向の位置ずれを示す。
また、上述したように、感光基板Pの外周領域は、中心領域に比べて歪み量が大きい。そこで、感光基板Pの外周領域に適用する数式モデルと、中心領域に適用する数式モデルとを、異ならせてもよい。つまり、感光基板Pの中心領域のショット領域SHに対しては、例えば一次元のモデル式を用いる一方、感光基板Pの外周領域のショット領域SHに対しては、それよりも高元のモデル式を用いるようにしてもよい。
このようにして、感光基板Pにおける歪みの分布を正確に表現する数式モデルを特定する。
ここで、サーチアライメント処理とは、感光基板Pを基板ステージPSTで支持した状態で、感光基板Pに設けられている2つあるいは3つのサーチマークを
所定倍率よりも低い計測倍率に設定されたアライメント装置50を介して計測し、その計測結果に基づいて、後述するファインアライメント計測を行う際のステージの移動目標位置となる各サンプルショットSHの目標位置を演算上で補正する処理である。
ここで、ファインアライメント処理とは、感光基板P上の複数のショット領域から選択される少なくとも3つのショット領域(サンプルショット領域)にそれぞれ付随したアライメントマークALの位置を、上述した所定倍率よりも高倍に設定されたアライメント光学系52により検出する。
そこで、歪みの影響が少ない位置に配置されたアライメントマークと、歪みの影響が大きい位置に配置されたアライメントマークとを、適度に選択決定する。
具体的には、感光基板Pの各ショット領域SHにおける歪みの分布のシミュレーション結果に基づいて、サンプルショット領域SH(場所や数等)を選定決定する。例えば、感光基板Pの外周領域に存在する2つのショット領域SH(歪みの影響が大きい位置に配置されたアライメントマークAL)と、中心領域に存在する2つのショット領域SH(歪みの影響が小さい位置に配置されたアライメントマークAL)と、それぞれ任意に選択し、これらをサンプルショット領域として決定する。
この場合においても、歪みの影響が大きい位置に配置されたアライメントマークALと歪みの影響が小さい位置に配置されたアライメントマークALとを、それぞれ任意に選択することが望ましい。
なお、説明の都合上、ステップS4において説明したが、感光基板Pの各ショット領域SHにおける歪みの分布のシミュレーション結果に基づいてサンプルショット領域を選定決定する工程は、上述したステップ2において予め求めておくものとする。これにより、サンプルショット領域のファインアライメント計測を効率的に行うことが可能となる。
EGA(エンハンスド・グローバル・アライメント)処理は、ステップS4の検出結果に基づいて、ショット領域の実際の位置と補正位置とを用いた近似演算処理によって、感光基板P上の各ショット領域の位置を統計的に算出するものである。
ここで、ショット領域の補正位置として、上述した数式モデルを用いる。上述した数式モデルは、感光基板Pにおける歪みの分布を表現するものであるため、この数式モデルを用いることにより、位置ずれしたアライメントマークALの位置を正確に補正することができる。したがって、感光基板P上の各ショット領域の位置を正確に算出することが可能となる。
ステップS7において、未露光の感光基板Pは無いと判断したら、制御装置CONTは、基板ステージPST上の露光処理済みの感光基板Pを基板搬送系を用いて搬出(アンロード)し、一連の処理を終了する。一方、ステップS7において、未露光の感光基板Pがあると判断したら、制御装置CONTは、基板ステージPST上の露光処理済みの感光基板Pを基板搬送系を用いて搬出(アンロード)するとともに、未露光の感光基板Pを基板ステージPSTに搬入(ロード)する(ステップS8)。
本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。
また、露光装置EXnとしては、投影光学系PLと感光基板Pとの間に液体を配置しつつ、この液体を介して感光基板Pの露光を行う液浸型露光装置であってもよい。
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。
なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
12…設計情報処理装置(取得装置)
13…シミュレータ(特定装置)
50…アライメント装置
AL(ALx,ALy)…アライメントマーク
EXn…露光装置
CONT…制御装置
M…マスク
PA…パターン
P…感光基板
SH…ショット領域
C…圧縮領域
E…伸張領域
Claims (6)
- 局所的に特定領域を歪ませながら、その上にデバイスパターンが形成される基板の、所定処理位置に対するアライメント方法であって、
前記デバイスパターンの設計情報に基づいて、前記特定領域に関する情報を取得する第一工程と、
前記取得された情報に基づいて、前記アライメントを行う際に使用され且つ前記基板上の変形を表す、前記基板上の場所に応じた互いに異なるモデル式を特定する第二工程と、
を有することを特徴とするアライメント方法。 - 前記第二工程では、前記アライメントを行うのに先立って、前記基板上に形成されている複数のマークのなかから、前記モデル式を使用するのに最適である、位置計測すべきマークを選択決定することを特徴とする請求項1に記載のアライメント方法。
- 前記第一工程では、前記特定領域の位置に関する情報と、その位置及びその位置周辺における歪み量に関する情報とを取得することを特徴とする請求項1又は2に記載のアライメント方法。
- 局所的に特定領域を歪ませながら、その上にデバイスパターンが形成される基板を、所定の処理位置に対してアライメントするアライメント装置であって、
前記デバイスパターンの設計情報に基づいて、前記特定領域に関する情報を取得する取得装置と、
前記取得された情報に基づいて、前記アライメントを行う際に使用され且つ前記基板上の変形を表す、前記基板上の場所に応じた互いに異なるモデル式を特定する特定装置と、
を有することを特徴とするアライメント装置。 - 前記特定装置は、前記アライメントを行うのに先立って、前記基板上に形成されている複数のマークのなかから、前記モデル式を使用するのに最適である、位置計測すべきマークを選択決定することを特徴とする請求項4に記載のアライメント装置。
- 請求項4又は請求項5に記載のアライメント装置を備え、
該アライメント装置により前記所定の処理位置に位置決めされた基板上に、デバイスパターンを露光することを特徴とする露光装置。
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