JP2020112695A - 露光装置、露光方法および、物品製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクの撓みを低減する点で有利な露光装置を提供する。【解決手段】マスクＭのパターンを基板Ｐに投影して、基板Ｐを露光する露光装置１００であって、マスクＭの保持領域を保持するマスク保持部と、マスクＭの鉛直方向の撓み状態を計測する計測部６と、マスクＭのパターンが形成された領域よりも外側であって、マスクＭの保持領域よりも内側の領域において、計測部６の計測結果に基づいて、マスクＭと接触してマスクＭを鉛直方向に変位させることにより、マスクの撓みを補正する接触部８と、を備える。【選択図】図１

Description

露光装置、露光方法および、物品製造方法に関する。

半導体デバイスや液晶表示装置等の物品を製造する工程の一つとしてリソグラフィ工程がある。リソグラフィ工程では、マスクと呼ばれる原版上のパターンを、投影光学系を介してレジストと呼ばれる感光剤が塗布された基板上にスリット状の露光領域を走査しながら投影する走査型露光装置が使用されている。

このような露光装置において、マスクのパターンが形成された領域は、基板を露光するのに用いるため、マスクはパターンが形成されていない領域である外周部をマスクステージ（マスク保持部）によって保持されている。外周部のみが保持されると、自重によってマスクに鉛直方向の撓みが発生する。マスクに撓みが生じると、この撓んだマスクにより基板に転写されるパターンが歪むため、マスク上面に空間を設けマスクとこの空間を大気圧に対して負圧にする事により撓みを補正する方法が知られている。しかし、マスク保持部の平坦度に起因した撓みや、マスク自体の平坦度に起因した撓みなどは、このような方法では補正できない問題がある。

このような問題に対応する技術として、特許文献１では、マスク保持部を調整部によって、マスクステージ４に対して鉛直方向に相対的に移動可能とすることで、マスク保持部の平坦度に起因した撓みを補正する露光装置が開示されている。また、特許文献２では、それぞれが気体を噴射する機能及び気体を吸引する機能の少なくとも一方を有する複数のノズルにより、マスクＭの照明領域の形状を非接触で補正する露光装置が開示されている。

特開２０１０−１２９５６７号公報 特開２０１７−１５９９５号公報

しかしながら、特許文献１の露光装置では、マスク保持部の平坦度に起因する撓みを補正することはできるが、マスク自体の平坦度に起因する局所的な撓みを補正することが困難である。一方、特許文献２の露光装置では、局所的な撓みを補正することは可能であるが、非接触でマスクの形状を補正するため、柔軟に対応するのが困難となり得る。

本発明は、例えば、マスクの撓みを低減する点で有利な露光装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、マスクのパターンを基板に投影して、基板を露光する露光装置であって、マスクの保持領域を保持するマスク保持部と、マスクの鉛直方向の撓み状態を計測する計測部と、マスクのパターンが形成された領域よりも外側であって、マスクの保持領域よりも内側の領域において、計測部の計測結果に基づいて、マスクと接触してマスクを鉛直方向に変位させることにより、マスクの撓みを補正する接触部と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、例えば、マスクの撓みを低減する点で有利な露光装置を提供することができる。

第１実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図である。 マスク、接触部およびその周辺部を示した概略図である。 第１実施形態に係る撓みの補正処理を説明する図である。 マスク自体の平坦度に起因する撓みについて説明する図である。 マスク自体の平坦度に起因する撓みの補正処理を説明する図である。 マスクＭの局所的な撓みの補正処理を説明する図である。 第２実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図である。 第２実施形態に係る撓みの補正処理を説明する図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、照明光学系１と、投影光学系２と、マスクステージ４と、基板ステージ５と、計測部６と、調整部７と、接触部８と、制御部２１と、を備える。本実施形態では、マスクＭと基板Ｐとを相対的に走査しながら基板Ｐを露光するいわゆる走査型露光装置を用いて説明する。以下では、投影光学系２の光軸方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な方向でマスクＭ及び基板Ｐの同期移動方向をＹ軸方向（走査方向）、Ｚ軸方向及びＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向とする。また、Ｘ軸まわり、Ｙ軸まわり、Ｚ軸まわりのそれぞれの方向をθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向とする。

照明光学系１は、マスクステージ４に支持されたマスクＭを露光光で照明する。照明光学系１は、例えば、光源と、楕円鏡と、コンデンサレンズと、制限スリット板と、ミラーと含みうる。光源は、起高圧水銀ランプ等を含む。楕円鏡は、光源から射出された光束を集光する。コンデンサレンズは、楕円鏡により集光された光束を拡大しかつ平行光束化する。制限スリット板は、コンデンサレンズからの平行光束のうちマスクＭへの照射光として使用しない部分をカットして所定面積の照明領域を定義するためにマスクＭと共役な位置に配置される。ミラーは、制限スリット板からの光束を反射させてマスクＭにスリット状照明光束を照射する。

照明光学系１からの光、即ち、マスクＭを照明する光としては、例えば、水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）の他に、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）がある。また、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などを用いてもよい。照明光学系１は、所謂ケーラー照明系として構成されうる。

マスクＭを透過した露光光は、投影光学系２に入射する。投影光学系２は、露光光で照明されたマスクＭのマスクパターンを基板ステージ５に保持された基板Ｐに投影し転写する。投影光学系２は、例えば、台形ミラー、凸面鏡及び凹面鏡を介してマスクＭのマスクパターンの像を基板Ｐ上に形成しうる。基板Ｐ上への投影光学系２の投影領域は、所定形状（例えば、円弧形状）に設定されうる。投影光学系２は、本体構造体３によって支持されている。

マスクステージ４は、マスクステージ駆動部（不図示）を含みうる。マスクステージ４は、照明光学系１に対してマスクＭを走査駆動するように構成され、Ｙ軸方向（走査方向）に長いストロークを有し、走査方向に直交するＸ軸方向に適当なストロークを有する。マスクステージ４は、マスクＭを保持するためのマスクステージ吸着部（不図示）を備えうる。吸着部は、バキューム装置（不図示）に接続されており、マスクＭは、マスクステージ吸着部により保持領域を真空吸着されて保持される。マスクステージ駆動部は、マスクステージ４をＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する。マスクステージ駆動部は、後述の制御部２１により制御されうる。

基板ステージ５は、基板ステージ駆動部（不図示）を含みうる。基板Ｐを保持して駆動する基板ステージ５は、基板Ｐを保持するための基板ホルダを有する。基板ステージ５は、マスクステージ４と同様に、Ｙ軸方向（走査方向）に走査用のストロークを有し、走査方向に直交するＸ軸方向にステップ移動用のストロークとを有する。更に、基板ステージ５は、Ｚ軸方向、及びθＸ、θＹ、θＺ方向にも移動可能に構成されても良い。基板ステージ駆動部は、基板ステージ５をＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する。基板ステージ駆動部は、制御部２１により制御されうる。

計測部６は、マスクＭの上方に配置されている。計測部６は、マスクＭの形状、本実施形態では、マスクＭの平面度（撓み状態）を計測する。計測部６には、物体の表面の形状を計測することが可能な当業界で周知のいかなる構成をも適用することができる。

調整部７は、マスクＭの照明光学系１側の空間Ｓの圧力を調整する。調整部７は、マスクＭの上面（照明光学系１側の面）を境界の一部とし、マスクＭの撓み制御を行う空間Ｓを形成する。調整部７は、空間Ｓを包囲し密閉する。調整部７は、露光光を透過させる隔壁としての光透過部材、及び、光透過部材をマスクＭの上方に配置するための枠を備える。空間Ｓは、マスクＭの上面に対向するように光透過部材を配置することにより形成される。調整部７は、マスクＭの照明光学系１側の形成された空間Ｓの圧力をマスクＭの平面度に基づいて制御し、マスクＭの平面度を向上させる。

接触部８は、マスクＭのマスクパターンが形成された領域よりも外側であって、マスクＭの保持領域よりも内側の領域においてマスクＭに接触して圧力をかけることにより、マスクＭの撓みを補正する。接触部８は、駆動部としてのリニアガイドにより走査方向に延びるレール９上を移動可能であり、またモータにより鉛直方向に駆動可能なユニットである。なお、本実施形態においてレール９は、マスクＭのマスクパターンが形成された領域よりも外側であって、マスクＭの保持領域よりも内側の領域内において、走査方向に沿うように配置されている。

接触部８は、計測部６の計測結果に基づき決定されたマスクＭの領域と接触する。接触部８は、接触した箇所（マスクＭの領域）を鉛直方向に変位させることで、調整部７により空間Ｓの圧力が調整された状態のマスクＭの撓みを補正し、マスクＭの平面度をさらに向上させる。なお、本明細書において、接触部８は、鉛直方向の成分を含む方向に駆動可能、または、接触した箇所を鉛直方向の成分を含む方向に変位可能であれば良く、鉛直方向から傾斜していてもよい。接触部８は、走査方向に沿ったマスクＭの保持領域の両方の内側にそれぞれ少なくとも１つ以上配置される。

接触部８は、マスクＭと接触する部分に、弾性部材を備えていても良い。マスクＭと接触する部分に弾性部材を備えることにより、接触部８とマスクＭとが接触した際に、パーティクルの発生を低減することができる。

なお、接触部８は、弾性部材として吸着パッドなどを備えていても良い。この場合、吸着パッドは、例えば、バキューム装置（不図示）に接続されており、マスクＭは、吸着パッドにより吸着保持されうる。接触部８が吸着パッドを備えることにより、マスクＭと接触した箇所を鉛直方向に変位させる際に、接触した箇所がずれることを抑制できる。

制御部２１は、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１００の全体を制御する。換言すれば、制御部２１は、露光装置１００の各部を統括的に制御することで、露光装置１００の動作を制御する。また、制御部２１は、後述するように、計測部６の計測結果に基づき
接触部８を制御する。従って、制御部２１は、基板Ｐの露光に関する処理だけではなく、マスクＭの形状の補正に関する処理も制御し、接触部８の一部としても機能する。

図２、３に基づいて具体的なマスクＭの撓みの補正処理を説明する。図２は、マスクＭ、接触部８およびその周辺部を示した概略図である。調整部７は、空間Ｓと空間Ｓの外部との差圧を計測する差圧計測部２０の値を予め決定された値になるように制御部２１より電磁弁２２に指令を送る。電磁弁２２は指令値に基づき弁を解放し排気された空間Ｓの圧力を変化させる。

計測部６は、調整部７で調整した状態のマスクＭの撓み状態を計測する。ここで撓み状態には、鉛直方向（Ｚ方向）におけるマスクＭの撓み量と撓み位置に関する情報が含まれる。マスクＭの撓み量はマスクＭの鉛直方向における位置に基づき、撓み位置は撓みが発生している平面方向（ＸＹ方向）の位置に基づく。

図３は、第１実施形態に係る撓みの補正処理を説明する図である。図３(Ａ)は、マスクＭの自重による撓みを調整部７により補正した結果を示した一例である。調整部７により空間Ｓを一定圧力で負圧にした状態ではマスク全体に均一に上方向の力が加わり、マスクＭの平面度が向上する。しかし、調整部７により空間Ｓの圧力が調整された状態でも、自重によりマスクＭは中心位置に近いほど撓みが大きくなる為、補正後も中心位置に撓みが残り得る。

図３(Ｂ)は、接触部８による撓みの補正処理を示す図である。図３（Ｂ）では、図３(Ａ)の状態から計測部６の計測結果に基づいて接触部８を鉛直方向に駆動し、接触部８をマスクＭと接触させることで、マスクＭの撓みを補正している。マスクＭの外周は、マスクステージ４と調整部７とで固定された状態であるため、この状態で接触部８がマスクＭに接触して圧力をかけることによって、マスクＭは下面から押し上げられ、マスクＭの中心に引張応力が働き、マスクＭの撓みが補正される。

接触部８の鉛直方向への駆動は、ラック・アンド・ピニオン方式であっても良い。また、シリンダによる空圧方式であっても良い。

図４は、マスク自体の平坦度に起因する撓みについて説明する図である。図４(Ａ)は、第１実施形態に係るマスクＭおよび接触部８を上面方向（＋Ｚ方向）から見た図である。図４(Ｂ)は、図４（Ａ）を側面方向（＋Ｘ方向）から見た図である。マスクＭには、自重による撓みの他、加工精度によるマスク自体の平坦度の影響がある。図４(Ｂ)に示すように加工精度による撓み位置は走査方向に複数存在する場合があり、マスク毎にその撓み方は異なる。

図５は、マスク自体の平坦度に起因する撓みの補正処理を説明する図である。図５(Ａ)はマスクＭおよび接触部８を上面方向から見た図であり、図５(Ｂ)は、図５（Ａ）を側面方向から見た図である。制御部２１は、計測部６の計測結果に基づき、マスクＭの鉛直方向における撓み量、換言するとマスクＭのＺ方向における位置、が規定値を超えるマスクＭの走査方向の座標を撓み位置として認識する。制御部２１は、接触部８がその座標位置へ移動するように駆動部の駆動方向と駆動量を制御する。さらに、制御部２１は、マスクＭの撓み量に応じて、接触部８が接触したマスクＭの領域を鉛直方向へ変位させる量を決定し、接触部８を鉛直方向に駆動する駆動量を決定する。

接触部８は、制御部２１によって制御された駆動方向と駆動量に基づき駆動し、撓み位置へと移動する。接触部８は、撓み位置に移動した後、制御部２１で決定した量に応じて、鉛直方向へ駆動してマスクＭと接触し、圧力を加えることで接触したマスクＭの領域を鉛直方向へ変位させ、マスクＭの撓みを補正する。

接触部８は、マスクＭのマスクパターンが形成された領域よりも外側であって、走査方向に沿ったマスクＭの保持領域Ｒ１の両方の内側にそれぞれ少なくとも１つ以上配置され、本実施形態においては、両方の内側にそれぞれ２つずつ、計４つ配置されている。接触部８が両方の内側にそれぞれ複数配置されることにより、より柔軟にマスクＭの撓みを補正することが可能になる。

なお、本明細書において保持領域Ｒ１とは、マスクＭのマスクステージ４によって保持される領域であり、図５（Ａ）において、ハッチングで示される領域である。換言すると、保持領域Ｒ１は、マスクＭにおけるマスクステージ４と接触する領域である。

また、マスクＭの中央領域には、基板Ｐに投影されるパターンが形成されており、当該パターンが形成されたマスク上の領域をパターンが形成された領域Ｒ２とする。

図６は、マスクＭの局所的な撓みの補正処理を説明する図である。図６(Ａ)は局所的な撓みが発生したマスクＭを上面方向から見た図であり、図６(Ｂ)は、図６（Ａ）を側面方向から見た図である。例えば、図６（Ａ）および（Ｂ）に示すように、マスクＭのうち、本図における右側（＋Ｘ方向側）に撓みが発生した場合を例に説明する。本図における左側（−Ｘ方向側）に配置された接触部を接触部８ａとし、右側に配置された接触部を接触部８ｂとする。右側に撓みが発生した場合、接触部８ａよりも接触部８ｂの鉛直方向における駆動量を大きくする。これにより、接触部８ａと接触したマスクＭの領域よりも接触部８ｂと接触したマスクＭの領域のほうが大きく鉛直方向へと変位し、右側に発生した撓みを補正することが可能となる。

なお、接触部８の鉛直方向の駆動量は計測部６の計測結果を確認しながら撓み分布が最も小さくなる位置まで駆動することにより決定しても良い。また、駆動部の走査方向への駆動量についても同様に決定しても良い。

さらに、本実施形態においては、接触部８が備える駆動部は、走査方向にのみに駆動可能な構成としたが、鉛直方向と直交する方向に駆動可能に構成しても良い。具体的には、
例えば、マスクＭのマスクパターンが形成された領域よりも外側であって、マスクＭの保持領域よりも内側の領域内において、鉛直方向と直交する平面内を駆動可能な構成としても良い。

また、レール９は、マスクＭのマスクパターンが形成された領域よりも外側であって、マスクＭの保持領域よりも内側の領域内において、走査方向と平面方向において直交する方向（Ｘ方向）に沿うように配置されても良い。この場合、接触部８およびレール９がマスクＭと基板Ｐとを相対的に走査しながら基板Ｐを露光（走査露光）する際に露光の妨げとならない位置に配置されるよう、考慮する必要がある。

このように、接触部８の駆動可能範囲を広げることで、様々な撓みに柔軟に対応すること可能となる。

また、本実施形態において、接触部８のマスクＭと接触する部分の形状は、一例として矩形としたが、これに限られるものではないことは言うまでもない。接触部８のマスクＭと接触する部分の形状は、円形であっても良いし、矩形以外の多角形であっても良い。

＜第２実施形態＞
次に、図７および図８に基づいて第２実施形態に係る露光装置ついて説明する。なお、第１実施形態と同様の構成は同符号で示し、説明は省略する。

図７は、第２実施形態に係る露光装置２００の構成を示す概略図である。本実施形態に係る接触部３０は、マスクＭの照明光学系１側（上面側）に複数配置され、マスクＭと接触する部分に吸着部を備える。接触部３０は、空間Ｓ内に複数配置される。

第２実施形態に係る露光装置２００は、第１実施形態と同様に計測部６の計測結果に基づき制御されることにより、マスクＭの撓みを補正する。具体的には、計測部６の計測結果に基づき制御部２１は、マスクＭの撓みが生じた位置付近の電磁弁２２に指令を送る。電磁弁２２は指令値に基づき弁を解放し、マスクＭに接触した吸着部を排気する（負圧をかける）ことにより、マスクＭを上面側から吸着部によって吸着し、接触した箇所を鉛直方向に変位させ、マスクＭの鉛直方向の撓みを補正する。

図８は、第２実施形態に係る撓みの補正処理を説明する図。図８(Ａ)は、第２実施形態に係るマスクＭおよび接触部３０を上面方向から見た図である。図８(Ｂ)は、図８（Ａ）を側面方向から見た図である。図８（Ｂ）に示すように、接触部３０は、マスクＭのパターンが形成された領域よりも外側であって、マスクＭの保持領域よりも内側に配置される。制御部２１は、計測部６の計測結果に基づき、複数の接触部３０のうちから排気を行う接触部３０決定し、排気を行う接触部３０の排気量、すなわち、吸着部の吸着量（電磁弁２２に送る指令値）を決定する。

具体的には、例えば、制御部２１は、計測部６の計測結果に基づき、マスクＭの鉛直方向における撓み量、換言するとマスクＭのＺ方向における位置、が規定値を超えるマスクＭの走査方向の座標を撓み位置として認識する。制御部２１は、その座標位置と、撓み量から排気を行う接触部３０およびその排気量を決定する。

なお、排気を行う接触部３０は計測部６の計測結果を確認しながら撓み分布が最も小さくなる接触部３０を決定しても良い。また、接触部３０の排気量についても同様に決定しても良い。このような構成とすることで、上面から負圧によってマスクＭの撓みを補正することも可能である。

＜第３実施形態＞
第１実施形態に係る接触部８を第２実施形態に係る図８（Ｂ）に示すように、配置しても良い。具体的には、本実施形態に係る露光装置は、レール９を備えず、接触部８は、マスクＭの基板側（下面側）に複数配置される。本実施形態に係る露光装置は、上述の実施形態と同様に計測部６の計測結果に基づき制御されることにより、マスクＭに対して撓みを補正する。

接触部は、マスクＭのパターンが形成された領域よりも外側であって、マスクＭの保持領域よりも内側に配置される。制御部２１は、計測部６の計測結果に基づき、複数の接触部３０のうちから鉛直方向に駆動させる接触部決定し、駆動させる接触部が接触したマスクＭの領域を鉛直方向へ変位させる量を決定し、接触部８を鉛直方向に駆動する駆動量を決定する。

具体的には、例えば、制御部２１は、計測部６の計測結果に基づき、マスクＭの鉛直方向における撓み量、換言するとマスクＭのＺ方向における位置が規定値を超えるマスクＭの走査方向の座標を撓み位置として認識する。制御部２１は、その座標位置と、撓み量から鉛直方向に駆動させる接触部およびその鉛直方向の駆動量を決定する。

なお、鉛直方向に駆動させる接触部は計測部６の計測結果を確認しながら撓み分布が最も小さくなる接触部を決定しても良い。また、接触部の鉛直方向の駆動量についても同様に決定しても良い。このような構成とすることで、レール９を備える必要がなくなる。

＜物品製造方法に係る実施形態＞
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス、表示デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。例えば、物品として、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。

＜その他の実施形態＞
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。

Ｍ マスク
Ｐ 基板
Ｒ１ 保持領域
Ｒ２ 領域
１ 照明光学系
２ 投影光学系
３ 本体構造体
４ マスクステージ
５ 基板ステージ
６ 計測部
７ 調整部
８、３０ 接触部
２０ 差圧計測部
２１ 制御部
２２ 電磁弁

Claims (16)

1. マスクのパターンを基板に投影して、前記基板を露光する露光装置であって、
   前記マスクの保持領域を保持するマスク保持部と、
   前記マスクの鉛直方向の撓み状態を計測する計測部と、
   前記マスクの前記パターンが形成された領域よりも外側であって、前記マスクの保持領域よりも内側の領域において、前記計測部の計測結果に基づいて、前記マスクと接触して前記マスクを鉛直方向に変位させることにより、前記マスクの撓みを補正する接触部と、を備えることを特徴とする露光装置。
2. 前記撓み状態は、鉛直方向における前記マスクの撓み量と撓み位置に関する情報を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記接触部は、鉛直方向と直交する方向において前記接触部を移動させる駆動部を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
4. 前記接触部は、前記マスクを吸着する吸着部を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
5. 前記接触部は、前記計測結果に基づき決定された前記マスクの領域と接触することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
6. 前記接触部が前記接触した箇所を鉛直方向への変位させる量を前記計測結果に基づき制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
7. 前記制御部は、前記マスクの撓み量に応じて、前記接触部が前記接触した箇所を前記鉛直方向へ変位させる量を決定することを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
8. 前記制御部は、前記計測結果に応じて、鉛直方向と直交する方向において前記接触部を移動させる駆動部の駆動量または駆動方向を制御し、前記接触部を移動させることを特徴とする請求項６または７に記載の露光装置。
9. 前記制御部は、前記計測結果に応じて前記マスクを吸着する吸着部の吸着量を制御することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の露光装置。
10. 前記マスクを照明する照明光学系と、
    前記マスクの前記照明光学系側の空間の圧力を調整する調整部と、を備えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光装置。
11. 前記計測部は、前記調整部によって圧力が調整された状態で前記マスクの撓み位置における撓み量を計測することを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
12. 前記露光装置は、前記マスクと前記基板とを相対的に走査しながら前記基板を露光し、
    前記接触部は、前記走査方向に沿った前記マスクの保持領域の両方の内側にそれぞれ少なくとも１つ以上配置されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。
13. 前記接触部は、前記走査方向に沿った前記マスクの保持領域の両方の内側にそれぞれ複数配置されることを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
14. 前記接触部は、弾性部材を備えることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の露光装置
15. マスクのパターンを基板に投影して、前記基板を露光する露光方法であって、
    前記マスクの保持領域を保持するマスク保持工程と、
    前記マスクの鉛直方向の撓み状態を計測する計測工程と、
    前記マスクの前記パターンが形成された領域よりも外側であって、前記マスク保持工程において保持された前記マスクの保持領域よりも内側の領域において、前記計測工程における計測結果に基づいて、接触部を前記マスクに接触させ、前記マスクを鉛直方向に変位させることにより、前記マスクの撓みを補正する接触工程と、
    前記マスクの撓みが補正された状態で、前記基板を露光する露光工程と、を有することを特徴とする露光方法。
16. 請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    露光した前記基板を現像する工程と、
    現像された前記基板から物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
    
    

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