WO2022004779A1 - 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 - Google Patents
銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2022004779A1 WO2022004779A1 PCT/JP2021/024723 JP2021024723W WO2022004779A1 WO 2022004779 A1 WO2022004779 A1 WO 2022004779A1 JP 2021024723 W JP2021024723 W JP 2021024723W WO 2022004779 A1 WO2022004779 A1 WO 2022004779A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- less
- copper alloy
- mass ppm
- content
- rolling direction
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/02—Single bars, rods, wires, or strips
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
Definitions
- the copper alloy plastic working material it is preferable to have a Sn plating layer or an Ag plating layer on the surface. That is, it is preferable that the copper alloy plastically processed material according to one aspect of the present invention has a main body of the copper alloy plastically processed material and a Sn plating layer or an Ag plating layer provided on the surface of the main body.
- the main body may be a rolled plate made of the above-mentioned copper alloy and having a thickness of 0.1 mm or more and 10 mm or less.
- the heat radiating substrate according to one aspect of the present invention is characterized in that it is manufactured by using the above-mentioned copper alloy. Since the heat dissipation substrate having this configuration is manufactured by using the above-mentioned copper alloy, it can exhibit excellent characteristics even in a large current application and a high temperature environment.
- the above-mentioned elements such as S, P, Se, Te, Sb, Bi, As are generally elements that are easily mixed in the copper alloy. Then, these elements easily react with Mg to form a compound, and there is a possibility that the solid solution effect of Mg added in a small amount may be reduced. Therefore, it is necessary to strictly control the content of these elements. Therefore, in the present embodiment, the S content is 10 mass ppm or less, the P content is 10 mass ppm or less, the Se content is 5 mass ppm or less, the Te content is 5 mass ppm or less, the Sb content is 5 mass ppm or less, and Bi.
- the plastically processed material obtained in the mechanical surface treatment step S06 may be subjected to a finish heat treatment in order to segregate the contained elements into the grain boundaries and remove residual strain.
- the heat treatment temperature is preferably in the range of 100 ° C. or higher and 500 ° C. or lower.
- this finish heat treatment step S07 it is necessary to set the heat treatment conditions so as to avoid a significant decrease in strength due to recrystallization. For example, it is preferably held at 450 ° C. for about 0.1 to 10 seconds, and at 250 ° C. for 1 minute to 100 hours.
- This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere.
- the heat treatment method is not particularly limited, but a short-time heat treatment using a continuous annealing furnace is preferable from the viewpoint of reducing the manufacturing cost. Further, the above-mentioned finish processing step S05, mechanical surface treatment step S06, and finish heat treatment step S07 may be repeatedly performed.
- Examples 1 to 24 of the present invention it was confirmed that the conductivity and the heat resistance were improved in a well-balanced manner, and the anisotropy of the heat resistance and the strength was small. From the above, it was confirmed that according to the example of the present invention, it is possible to provide a copper alloy having high conductivity and excellent heat resistance and having a small anisotropy of heat resistance.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
この銅合金は、１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満のＭｇを含み、残部がＣｕ及び不可避不純物であり、不可避不純物のうち、Ｓ量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐ量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅ量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅ量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂ量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉ量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓ量が５ｍａｓｐｐｍ以下、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６～５０、導電率が９７％ＩＡＣＳ以上、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５超、１．０８未満、半軟化温度ＴＬＤが２１０℃以上である。
Description
本発明は、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品に適した銅合金、この銅合金からなる銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板に関するものである。
本願は、２０２０年６月３０日に日本に出願された特願２０２０－１１２６９５号、２０２０年６月３０日に日本に出願された特願２０２０－１１２９２７号、及び２０２０年１０月２９日に日本に出願された特願２０２０－１８１７３６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０２０年６月３０日に日本に出願された特願２０２０－１１２６９５号、２０２０年６月３０日に日本に出願された特願２０２０－１１２９２７号、及び２０２０年１０月２９日に日本に出願された特願２０２０－１８１７３６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
従来、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
近年、電子・電気機器用部品に用いられる電流量の増大に伴い、用いられる銅材は厚肉化している。通電時の発熱や使用環境の高温化に伴い、高温での硬度低下のしにくさを表す耐熱性に優れた銅材が求められている。さらに、大電流が負荷される大型端子やバスバー、リードフレームにおいては、異方性の少ない圧延材を用いる必要がある。しかしながら、純銅材においては、高温での硬度低下のしにくさを表す耐熱性が不十分であり、高温環境下での使用ができないといった問題があった。
そこで、特許文献１には、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含む銅圧延板が開示されている。
そこで、特許文献１には、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含む銅圧延板が開示されている。
特許文献１に記載された銅圧延板においては、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有しているので、Ｍｇを銅の母相中に固溶させることで、導電率を大きく低下させることなく、耐応力緩和特性を向上させることが可能であった。
ところで、最近では、上述の電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、大電流が流された際の発熱を十分に抑制するために、また、純銅材が用いられていた用途に使用可能なように、導電率をさらに向上させることが求められている。特許文献１に記載された銅合金においては、耐応力緩和特性を溶質元素の添加により改善させているため、導電率は純銅と比較して劣っていた。そのため、さらに高い導電率を持ちつつ、大電流化による発熱に対応できる、高い耐熱性を持つ材料の開発が望まれていた。
また、上述の電子・電気機器用部品は、エンジンルーム等の高温環境下で使用されることが多く、電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、従来にも増して耐熱性を向上させる必要がある。
さらに、様々な形状の電子・電気機器用部品を安定して使用するために、耐熱性の異方性が小さい銅合金が求められている。
また、上述の電子・電気機器用部品は、エンジンルーム等の高温環境下で使用されることが多く、電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、従来にも増して耐熱性を向上させる必要がある。
さらに、様々な形状の電子・電気機器用部品を安定して使用するために、耐熱性の異方性が小さい銅合金が求められている。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、高い導電率と優れた耐熱性を有し、耐熱性の異方性が小さい銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を提供することを目的とする。
この課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、高い導電率と優れた耐熱性をバランス良く両立させるためには、Ｍｇを微量添加するとともに、Ｍｇと化合物を生成する元素の含有量を規制することが必要であることが明らかになった。すなわち、Ｍｇと化合物を生成する元素の含有量を規制して、微量添加したＭｇを適正な形態で銅合金中に存在させることにより、従来よりも高い水準で導電率と耐熱性とをバランス良く向上させることが可能となるとの知見を得た。
本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明の一態様に係る銅合金は、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされており、
Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６以上５０以下の範囲内とされており、
導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされ、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされるとともに、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが２１０℃以上とされていることを特徴としている。
なお、本発明の一態様において、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤは、ケルビンでの温度比である。
Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６以上５０以下の範囲内とされており、
導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされ、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされるとともに、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが２１０℃以上とされていることを特徴としている。
なお、本発明の一態様において、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤは、ケルビンでの温度比である。
この構成の銅合金によれば、Ｍｇと、Ｍｇと化合物を生成する元素であるＳ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓの含有量が上述のように規定されているので、微量添加したＭｇが銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく耐熱性を向上させることができる。具体的には導電率を９７％ＩＡＣＳ以上とし、かつ、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤを２１０℃以上とすることができる。
そして、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされているので、耐熱性について異方性が小さく、例えば大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも耐熱性が必要な場合にも、高温環境化での十分な強度が確保される。
そして、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされているので、耐熱性について異方性が小さく、例えば大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも耐熱性が必要な場合にも、高温環境化での十分な強度が確保される。
ここで、本発明の一態様に係る銅合金においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、Ａｇを上述の範囲で含有しているので、Ａｇが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐熱性を向上させることが可能となる。
この場合、Ａｇを上述の範囲で含有しているので、Ａｇが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐熱性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る銅合金においては、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が３０％以下とされていることが好ましい。
この場合、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が３０％以下に制限されているので、耐熱性の異方性を抑制することが可能となる。また、圧延方向に対して直交する方向の強度が優先的に高くなることが抑制され、強度の異方性が生じることを抑制できる。
この場合、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が３０％以下に制限されているので、耐熱性の異方性を抑制することが可能となる。また、圧延方向に対して直交する方向の強度が優先的に高くなることが抑制され、強度の異方性が生じることを抑制できる。
さらに、本発明の一態様に係る銅合金においては、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内とされるとともに、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上であることが好ましい。
この場合、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内とされているので、強度の異方性が小さく、大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも強度が必要な場合にも十分な強度が確保される。
また、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上とされているので、強度が十分に優れている。
この場合、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内とされているので、強度の異方性が小さく、大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも強度が必要な場合にも十分な強度が確保される。
また、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上とされているので、強度が十分に優れている。
本発明の一態様に係る銅合金塑性加工材は、上述の銅合金からなることを特徴としている。
この構成の銅合金塑性加工材によれば、上述の銅合金で構成されていることから、導電性、耐熱性に優れ、耐熱性の異方性が小さく、大電流用途、高温環境下で使用される端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
この構成の銅合金塑性加工材によれば、上述の銅合金で構成されていることから、導電性、耐熱性に優れ、耐熱性の異方性が小さく、大電流用途、高温環境下で使用される端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
ここで、本発明の一態様に係る銅合金塑性加工材においては、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であってもよい。
この場合、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であることから、この銅合金塑性加工材（圧延板）に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を成形することができる。
この場合、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であることから、この銅合金塑性加工材（圧延板）に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を成形することができる。
また、本発明の一態様に係る銅合金塑性加工材においては、表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有することが好ましい。
すなわち、本発明の一態様に係る銅合金塑性加工材は、銅合金塑性加工材の本体と、前記本体の表面に設けられたＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有することが好ましい。本体は、上述の銅合金からなり、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であってもよい。この場合、表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有しているので、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。なお、本発明の一態様において、「Ｓｎめっき」は、純Ｓｎめっき又はＳｎ合金めっきを含み、「Ａｇめっき」は、純Ａｇめっき又はＡｇ合金めっきを含む。
すなわち、本発明の一態様に係る銅合金塑性加工材は、銅合金塑性加工材の本体と、前記本体の表面に設けられたＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有することが好ましい。本体は、上述の銅合金からなり、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であってもよい。この場合、表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有しているので、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。なお、本発明の一態様において、「Ｓｎめっき」は、純Ｓｎめっき又はＳｎ合金めっきを含み、「Ａｇめっき」は、純Ａｇめっき又はＡｇ合金めっきを含む。
本発明の一態様に係る電子・電気機器用部品は、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。なお、本発明の一態様における電子・電気機器用部品とは、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等を含むものである。
この構成の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
本発明の一態様に係る端子は、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成の端子は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成の端子は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
本発明の一態様に係るバスバーは、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成のバスバーは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成のバスバーは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
本発明の一態様に係るリードフレームは、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成のリードフレームは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成のリードフレームは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
本発明の一態様に係る放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されたことを特徴としている。
この構成の放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成の放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
本発明の一態様によれば、高い導電率と優れた耐熱性を有し、耐熱性の異方性が小さい銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を提供することが可能となる。
以下に、本発明の一実施形態である銅合金について説明する。
本実施形態である銅合金は、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
本実施形態である銅合金は、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
そして、Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６以上５０以下の範囲内とされている。
なお、本実施形態である銅合金においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であってもよい。
なお、本実施形態である銅合金においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であってもよい。
また、本実施形態である銅合金においては、導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされている。
さらに、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが２１０℃以上とされている。
そして、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされている。
なお、本実施形態における半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤは、ケルビンでの温度比である。
さらに、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが２１０℃以上とされている。
そして、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされている。
なお、本実施形態における半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤは、ケルビンでの温度比である。
また、本実施形態である銅合金においては、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が３０％以下とされていることが好ましい。
さらに、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内とされていることが好ましい。
また、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上であることが好ましい。
さらに、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内とされていることが好ましい。
また、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上であることが好ましい。
ここで、本実施形態の銅合金において、上述のように成分組成、組織、各種特性を規定した理由について以下に説明する。
（Ｍｇ）
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、導電率が低下するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｍｇの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内に設定している。
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、導電率が低下するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｍｇの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内に設定している。
なお、耐熱性をさらに向上させるためには、Ｍｇの含有量の下限を２０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましく、３０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、４０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましい。
また、導電率をさらに高くするためには、Ｍｇの含有量の上限を９０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましい。導電率を高くするにあたって、導電率と耐熱性、応力緩和特性とのバランスをとるために、Ｍｇの含有量の上限を８０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがさらに好ましく、７０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがより好ましい。
また、導電率をさらに高くするためには、Ｍｇの含有量の上限を９０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましい。導電率を高くするにあたって、導電率と耐熱性、応力緩和特性とのバランスをとるために、Ｍｇの含有量の上限を８０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがさらに好ましく、７０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがより好ましい。
（Ｓ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓ）
上述のＳ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、一般的に銅合金に混入しやすい元素である。そして、これらの元素は、Ｍｇと反応し化合物を形成しやすく、微量添加したＭｇの固溶効果を低減するおそれがある。このため、これらの元素の含有量は厳しく制御する必要がある。
そこで、本実施形態においては、Ｓの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下に制限している。
さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を３０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。
上記元素の含有量の下限値は特に限定されないが、上記元素の含有量を大幅に低減するには製造コストが増加するため、Ｓ，Ｐ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓのそれぞれの含有量は０．１ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、０．２ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。Ｓｅの含有量は０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、０．１ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。Ｔｅの含有量は０．０１ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。
ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量の下限値は特に限定されないが、この合計含有量を大幅に低減するには製造コストが増加するため、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量は、０．６ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、１．０ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。
上述のＳ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、一般的に銅合金に混入しやすい元素である。そして、これらの元素は、Ｍｇと反応し化合物を形成しやすく、微量添加したＭｇの固溶効果を低減するおそれがある。このため、これらの元素の含有量は厳しく制御する必要がある。
そこで、本実施形態においては、Ｓの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下に制限している。
さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を３０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。
上記元素の含有量の下限値は特に限定されないが、上記元素の含有量を大幅に低減するには製造コストが増加するため、Ｓ，Ｐ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓのそれぞれの含有量は０．１ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、０．２ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。Ｓｅの含有量は０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、０．１ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。Ｔｅの含有量は０．０１ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。
ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量の下限値は特に限定されないが、この合計含有量を大幅に低減するには製造コストが増加するため、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量は、０．６ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、１．０ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。
なお、Ｓの含有量は、９ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｐの含有量は、６ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、３ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｔｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｂの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｂｉの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ａｓの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量は、２４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、１８ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｐの含有量は、６ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、３ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｔｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｂの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｂｉの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ａｓの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量は、２４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、１８ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
（〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕）
上述のように、Ｓ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、Ｍｇと反応して化合物を形成しやすいことから、本実施形態においては、Ｍｇの含有量と、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量との比を規定することで、Ｍｇの存在形態を制御している。
Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が５０を超えると、銅中にＭｇが過剰に固溶状態で存在しており、導電率が低下するおそれがある。一方、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６未満では、Ｍｇが十分に固溶しておらず、耐熱性が十分に向上しないおそれがある。
よって、本実施形態では、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕を０．６以上５０以下の範囲内に設定している。
なお、上記の質量比中の各元素の含有量の単位はｍａｓｓｐｐｍである。
上述のように、Ｓ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、Ｍｇと反応して化合物を形成しやすいことから、本実施形態においては、Ｍｇの含有量と、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量との比を規定することで、Ｍｇの存在形態を制御している。
Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が５０を超えると、銅中にＭｇが過剰に固溶状態で存在しており、導電率が低下するおそれがある。一方、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６未満では、Ｍｇが十分に固溶しておらず、耐熱性が十分に向上しないおそれがある。
よって、本実施形態では、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕を０．６以上５０以下の範囲内に設定している。
なお、上記の質量比中の各元素の含有量の単位はｍａｓｓｐｐｍである。
なお、導電率の低下をさらに抑制するためには、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕の上限を３５以下とすることが好ましく、２５以下とすることがさらに好ましい。
また、耐熱性をさらに向上させるためには、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕の下限を０．８以上とすることが好ましく、１．０以上とすることがさらに好ましい。
また、耐熱性をさらに向上させるためには、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕の下限を０．８以上とすることが好ましく、１．０以上とすることがさらに好ましい。
（Ａｇ：５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下）
Ａｇは、２５０℃以下の通常の電子・電気機器の使用温度範囲ではほとんどＣｕの母相中に固溶することができない。このため、銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより粒界での原子の移動は妨げられ、粒界拡散が抑制されるため、耐熱性が向上することになる。
ここで、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Ａｇの含有量が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、導電率が確保されるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、Ａｇの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内に設定している。
Ａｇは、２５０℃以下の通常の電子・電気機器の使用温度範囲ではほとんどＣｕの母相中に固溶することができない。このため、銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより粒界での原子の移動は妨げられ、粒界拡散が抑制されるため、耐熱性が向上することになる。
ここで、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Ａｇの含有量が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、導電率が確保されるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、Ａｇの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内に設定している。
なお、耐熱性をさらに向上させるためには、Ａｇの含有量の下限を６ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましく、７ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましい。また、導電率の低下およびコストの増加を確実に抑制するためには、Ａｇの含有量の上限を１８ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、１６ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１４ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
また、Ａｇを意図的に含まずに不可避不純物としてＡｇを含む場合には、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ未満であってもよい。
また、Ａｇを意図的に含まずに不可避不純物としてＡｇを含む場合には、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ未満であってもよい。
（その他の不可避不純物）
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、不可避不純物の含有量を少なくすることが好ましい。
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、不可避不純物の含有量を少なくすることが好ましい。
（半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤ：０．９５を超え、１．０８未満）
本実施形態では、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされており、耐熱性の異方性が小さく、圧延方向に対して平行方向および圧延方向に対して直交方向のいずれにおいても、高温環境化での十分な強度が確保されることになる。
ここで、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤの下限を０．９７以上とすることが好ましく、０．９８以上とすることがより好ましい。一方、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤの上限を１．０６以下とすることが好ましく、１．０４以下とすることがより好ましい。
本実施形態では、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされており、耐熱性の異方性が小さく、圧延方向に対して平行方向および圧延方向に対して直交方向のいずれにおいても、高温環境化での十分な強度が確保されることになる。
ここで、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤの下限を０．９７以上とすることが好ましく、０．９８以上とすることがより好ましい。一方、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤの上限を１．０６以下とすることが好ましく、１．０４以下とすることがより好ましい。
（導電率：９７％ＩＡＣＳ以上）
本実施形態である銅合金においては、導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされている。導電率を９７％ＩＡＣＳ以上とすることにより、通電時の発熱を抑えて、純銅材の代替として端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品として良好に使用することが可能となる。
なお、導電率は９７．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．５％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることがより一層好ましい。
導電率の上限値は、特に限定されないが、１０３．０％ＩＡＣＳ以下が好ましい。
本実施形態である銅合金においては、導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされている。導電率を９７％ＩＡＣＳ以上とすることにより、通電時の発熱を抑えて、純銅材の代替として端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品として良好に使用することが可能となる。
なお、導電率は９７．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．５％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることがより一層好ましい。
導電率の上限値は、特に限定されないが、１０３．０％ＩＡＣＳ以下が好ましい。
（圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤ：２１０℃以上）
本実施形態である銅合金において、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが高い場合には、高温でも銅材の回復、再結晶による軟化現象が起きにくいことから、高温環境下で使用される通電部材への適用が可能となる。
このため、本実施形態においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが２１０℃以上とされている。
なお、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤは、２２５℃以上であることがさらに好ましく、２５０℃以上であることがより好ましく、２７５℃以上であることが一層好ましい。
半軟化温度ＴＬＤの上限値は、特に限定されないが、６００℃以下が好ましい。
本実施形態である銅合金において、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが高い場合には、高温でも銅材の回復、再結晶による軟化現象が起きにくいことから、高温環境下で使用される通電部材への適用が可能となる。
このため、本実施形態においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが２１０℃以上とされている。
なお、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤは、２２５℃以上であることがさらに好ましく、２５０℃以上であることがより好ましく、２７５℃以上であることが一層好ましい。
半軟化温度ＴＬＤの上限値は、特に限定されないが、６００℃以下が好ましい。
（強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤ：０．９３を超え、１．１０未満）
圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内である場合には、強度の異方性が小さく、大電流用の端子やバスバーのようにＬＤ方向（圧延方向に対して平行な方向）、ＴＤ方向（圧延方向に対して直交する方向）ともに強度が必要な場合にも十分な強度が確保される。
ここで、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤの下限を０．９５以上とすることがより好ましく、０．９８以上とすることがさらに好ましい。また、強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤの上限を１．０８以下とすることがより好ましく、１．０６以下とすることがさらに好ましい。
圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内である場合には、強度の異方性が小さく、大電流用の端子やバスバーのようにＬＤ方向（圧延方向に対して平行な方向）、ＴＤ方向（圧延方向に対して直交する方向）ともに強度が必要な場合にも十分な強度が確保される。
ここで、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤの下限を０．９５以上とすることがより好ましく、０．９８以上とすることがさらに好ましい。また、強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤの上限を１．０８以下とすることがより好ましく、１．０６以下とすることがさらに好ましい。
（圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤ：２００ＭＰａ以上）
本実施形態である銅合金において、圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上である場合には、端子、バスバー、リードフレーム等の電子・電気機器用部品の素材として特に適するものとなる。なお、特に圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤの上限は定めないが、コイル巻きされた条材を用いる際のコイルの巻き癖による生産性低下を回避するため、引張強度ＴＳＬＤは５００ＭＰａ以下とすることが好ましい。
なお、圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤの下限は、２７５ＭＰａ以上であることがより好ましく、３００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。
本実施形態である銅合金において、圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上である場合には、端子、バスバー、リードフレーム等の電子・電気機器用部品の素材として特に適するものとなる。なお、特に圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤの上限は定めないが、コイル巻きされた条材を用いる際のコイルの巻き癖による生産性低下を回避するため、引張強度ＴＳＬＤは５００ＭＰａ以下とすることが好ましい。
なお、圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤの下限は、２７５ＭＰａ以上であることがより好ましく、３００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。
（Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉：３０％以下）
Ｂｒａｓｓ方位が増加することにより、圧延方向に対して直交する方向の強度が高くなる。このため、強度の異方性を抑えるために、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合を３０％以下とすることが好ましい。
なお、強度の異方性をさらに抑えるためには、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合を２０％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることがさらに好ましい。
一方、Ｂｒａｓｓ方位の割合が低すぎると、圧延方向に対して直交する方向の強度が低くなりすぎ、必要な強度を確保できないおそれがあるため、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合の下限は０．５％以上が好ましく、１％以上がさらに好ましく、１．５％以上が最も好ましい。
Ｂｒａｓｓ方位が増加することにより、圧延方向に対して直交する方向の強度が高くなる。このため、強度の異方性を抑えるために、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合を３０％以下とすることが好ましい。
なお、強度の異方性をさらに抑えるためには、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合を２０％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることがさらに好ましい。
一方、Ｂｒａｓｓ方位の割合が低すぎると、圧延方向に対して直交する方向の強度が低くなりすぎ、必要な強度を確保できないおそれがあるため、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合の下限は０．５％以上が好ましく、１％以上がさらに好ましく、１．５％以上が最も好ましい。
次に、このような構成とされた本実施形態である銅合金の製造方法について、図１に示すフロー図を参照して説明する。
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解時においては、Ｍｇの酸化を抑制するため、また水素濃度の低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
（均質化／溶体化工程Ｓ０２）
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてＭｇが偏析で濃縮することにより発生したＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行う。これにより、鋳塊内において、Ｍｇを均質に拡散させたり、Ｍｇを母相中に固溶させたりする。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてＭｇが偏析で濃縮することにより発生したＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行う。これにより、鋳塊内において、Ｍｇを均質に拡散させたり、Ｍｇを母相中に固溶させたりする。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
ここで、加熱温度が３００℃未満では、溶体化が不完全となり、母相中にＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が多く残存するおそれがある。一方、加熱温度が１０８０℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を３００℃以上１０８０℃以下の範囲に設定している。
なお、後述する粗加工の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間加工を実施してもよい。この場合、加工方法に特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。また、熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、後述する粗加工の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間加工を実施してもよい。この場合、加工方法に特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。また、熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
（粗加工工程Ｓ０３）
所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗加工工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のために、加工温度を、冷間または温間加工（例えば圧延）となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。加工率については、２０％以上が好ましく、３０％以上がさらに好ましい。また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗加工工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のために、加工温度を、冷間または温間加工（例えば圧延）となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。加工率については、２０％以上が好ましく、３０％以上がさらに好ましい。また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
（中間熱処理工程Ｓ０４）
粗加工工程Ｓ０３後に、加工性の向上のための軟化、または再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、中間熱処理工程Ｓ０４と後述する仕上加工工程Ｓ０５を繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、平均結晶粒径が５μｍ以上となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。例えば７００℃では１秒から１２０秒程度保持することが好ましい。
粗加工工程Ｓ０３後に、加工性の向上のための軟化、または再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、中間熱処理工程Ｓ０４と後述する仕上加工工程Ｓ０５を繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、平均結晶粒径が５μｍ以上となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。例えば７００℃では１秒から１２０秒程度保持することが好ましい。
（仕上加工工程Ｓ０５）
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、仕上加工を行う。なお、この仕上加工工程Ｓ０５における温度条件は特に限定はないが、加工時の再結晶を抑制するため、または軟化を抑制するために、加工温度を、冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
また、加工率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、仕上加工工程Ｓ０５において加工硬化、または圧延集合組織であるＢｒａｓｓ方位割合を上昇させ強度を向上させるためには、加工率を５％以上とすることが好ましい。また。さらなる強度の向上を図る場合には、加工率を１０％以上とすることがより好ましく、加工率を１５％以上とすることがさらに好ましい。
一方、Ｂｒａｓｓ方位の過剰な配向を抑制させるため、加工率を７５％以下とすることが好ましく、加工率を７０％以下とすることがより好ましい。
また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、仕上加工を行う。なお、この仕上加工工程Ｓ０５における温度条件は特に限定はないが、加工時の再結晶を抑制するため、または軟化を抑制するために、加工温度を、冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
また、加工率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、仕上加工工程Ｓ０５において加工硬化、または圧延集合組織であるＢｒａｓｓ方位割合を上昇させ強度を向上させるためには、加工率を５％以上とすることが好ましい。また。さらなる強度の向上を図る場合には、加工率を１０％以上とすることがより好ましく、加工率を１５％以上とすることがさらに好ましい。
一方、Ｂｒａｓｓ方位の過剰な配向を抑制させるため、加工率を７５％以下とすることが好ましく、加工率を７０％以下とすることがより好ましい。
また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
（機械的表面処理工程Ｓ０６）
仕上加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、所望の形状がほぼ得られた後に表面近傍に等方的に圧縮応力を与える処理であり、耐熱性や強度の異方性を低下させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
なお、Ｍｇを添加した銅合金に、この機械的表面処理を加えることで、耐熱性が大きく向上することになる。
仕上加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、所望の形状がほぼ得られた後に表面近傍に等方的に圧縮応力を与える処理であり、耐熱性や強度の異方性を低下させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
なお、Ｍｇを添加した銅合金に、この機械的表面処理を加えることで、耐熱性が大きく向上することになる。
（仕上熱処理工程Ｓ０７）
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた塑性加工材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。
熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、再結晶による強度の大幅な低下を避けるように、熱処理条件を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持することが好ましく、２５０℃では１分から１００時間保持することが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の仕上加工工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた塑性加工材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。
熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、再結晶による強度の大幅な低下を避けるように、熱処理条件を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持することが好ましく、２５０℃では１分から１００時間保持することが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の仕上加工工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
このようにして、本実施形態である銅合金（銅合金塑性加工材）が製出されることになる。なお、圧延により製出された銅合金塑性加工材を銅合金圧延板という。
ここで、銅合金塑性加工材（銅合金圧延板）の板厚を０．１ｍｍ以上とした場合には、大電流用途での導体としての使用に適している。また、銅合金塑性加工材の板厚を１０．０ｍｍ以下とすることにより、プレス機の荷重の増大を抑制し、単位時間あたりの生産性を確保することができ、製造コストを抑えることができる。
このため、銅合金塑性加工材（銅合金圧延板）の板厚は０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、銅合金塑性加工材（銅合金圧延板）の板厚の下限は０．５ｍｍ以上とすることが好ましく、１．０ｍｍ以上とすることがより好ましい。一方、銅合金塑性加工材（銅合金圧延板）の板厚の上限は９．０ｍｍ未満とすることが好ましく、８．０ｍｍ未満とすることがより好ましい。
ここで、銅合金塑性加工材（銅合金圧延板）の板厚を０．１ｍｍ以上とした場合には、大電流用途での導体としての使用に適している。また、銅合金塑性加工材の板厚を１０．０ｍｍ以下とすることにより、プレス機の荷重の増大を抑制し、単位時間あたりの生産性を確保することができ、製造コストを抑えることができる。
このため、銅合金塑性加工材（銅合金圧延板）の板厚は０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、銅合金塑性加工材（銅合金圧延板）の板厚の下限は０．５ｍｍ以上とすることが好ましく、１．０ｍｍ以上とすることがより好ましい。一方、銅合金塑性加工材（銅合金圧延板）の板厚の上限は９．０ｍｍ未満とすることが好ましく、８．０ｍｍ未満とすることがより好ましい。
以上のような構成とされた本実施形態である銅合金においては、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内とされ、Ｍｇと化合物を生成する元素であるＳの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を３０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限しているので、微量添加したＭｇを銅の母相中に固溶させることができ、導電率を大きく低下させることなく、耐熱性を向上させることが可能となる。
そして、Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６以上５０以下の範囲内に設定しているので、Ｍｇが過剰に固溶して導電率を低下させることなく耐熱性を十分に向上させることが可能となる。
よって、本実施形態の銅合金によれば、導電率を９７％ＩＡＣＳ以上、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤを２１０℃以上とすることができ、高い導電率と優れた耐熱性とを両立することが可能となる。
よって、本実施形態の銅合金によれば、導電率を９７％ＩＡＣＳ以上、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤを２１０℃以上とすることができ、高い導電率と優れた耐熱性とを両立することが可能となる。
そして、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行い得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされているので、耐熱性について異方性が小さく、例えば、大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも耐熱性が必要な場合にも、高温環境化での十分な強度が確保される。
本実施形態において、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされている場合には、Ａｇが粒界近傍に偏析することになり、このＡｇによって粒界拡散が抑制され、耐熱性をさらに向上させることが可能となる。
また、本実施形態において、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が３０％以下に制限されている場合には、圧延方向に対して直交する方向の強度が優先的に高くなることが抑制され、強度の異方性を確実に抑えることが可能となる。
さらに、本実施形態において、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内とされている場合には、強度の異方性が小さく、大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも強度が必要な場合にも十分な強度が確保される。
また、本実施形態において、圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上である場合には、圧延方向に平行な方向における引張強度ＴＳＬＤが十分に高く、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
本実施形態である銅合金塑性加工材は、上述の銅合金で構成されていることから、導電性、耐熱性に優れ、かつ、耐熱性の異方性が小さく、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
また、本実施形態である銅合金塑性加工材を、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板とした場合には、銅合金塑性加工材（圧延板）に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を比較的容易に成形することができる。
なお、本実施形態である銅合金塑性加工材の表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を形成した場合には、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
また、本実施形態である銅合金塑性加工材を、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板とした場合には、銅合金塑性加工材（圧延板）に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を比較的容易に成形することができる。
なお、本実施形態である銅合金塑性加工材の表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を形成した場合には、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
さらに、本実施形態である電子・電気機器用部品（端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等）は、上述の銅合金塑性加工材で構成されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
なお、放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されてもよい。
なお、放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されてもよい。
以上、本発明の実施形態である銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品（端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等）について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的要件を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、銅合金（銅合金塑性加工材）の製造方法の一例について説明したが、銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
例えば、上述の実施形態では、銅合金（銅合金塑性加工材）の製造方法の一例について説明したが、銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
以下に、本実施形態の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
帯溶融精製法により得られた純度９９．９９９ｍａｓｓ％以上の純銅からなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
帯溶融精製法により得られた純度９９．９９９ｍａｓｓ％以上の純銅からなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
６Ｎ（純度９９．９９９９ｍａｓｓ％）以上の高純度銅と２Ｎ（純度９９ｍａｓｓ％）以上の純度を有する純金属を用いて各種添加元素を０．１ｍａｓｓ％含む母合金を作製した。得られた銅溶湯内に、母合金を添加して成分調整し、断熱材（イソウール）鋳型に銅溶湯を注湯することにより、表１，２に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約３０ｍｍ×幅約６０ｍｍ×長さ約１５０～２００ｍｍとした。
得られた鋳塊に対して、Ｍｇの溶体化のため、Ａｒガス雰囲気中において、９００℃、１時間の加熱を行い、酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表３，４に記載の条件で粗圧延を行った。次いで、再結晶により結晶粒径が３０μｍ程度となる条件で中間熱処理を実施した。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表３，４に記載の条件で粗圧延を行った。次いで、再結晶により結晶粒径が３０μｍ程度となる条件で中間熱処理を実施した。
次に、表３，４に記載された条件にて仕上圧延(仕上加工工程)を実施した。
そして、これらの試料に表３，４に記載された手法で機械的表面処理工程を施した。
なお、サンドペーパー研磨は♯１８０の研磨紙を用いて行った。
グラインダー研磨は、番手＃４００の軸受ホイルを用い、１分間に４５００回転の速度で研磨を行った。
ショットピーニング処理は直径０．３ｍｍのステンレスのショットを用い、投射速度１０ｍ／秒、投射時間１０秒で実施した。
その後、表３，４に記載の条件で仕上熱処理を行い、それぞれ表３，４に記載された厚さ×幅約６０ｍｍの条材を製出した。
そして、これらの試料に表３，４に記載された手法で機械的表面処理工程を施した。
なお、サンドペーパー研磨は♯１８０の研磨紙を用いて行った。
グラインダー研磨は、番手＃４００の軸受ホイルを用い、１分間に４５００回転の速度で研磨を行った。
ショットピーニング処理は直径０．３ｍｍのステンレスのショットを用い、投射速度１０ｍ／秒、投射時間１０秒で実施した。
その後、表３，４に記載の条件で仕上熱処理を行い、それぞれ表３，４に記載された厚さ×幅約６０ｍｍの条材を製出した。
得られた条材について、以下の項目について評価を実施した。
（組成分析）
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇ量は誘導結合プラズマ発光分光分析法で測定し、その他の元素の量はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表１，２に示す成分組成であることを確認した。
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇ量は誘導結合プラズマ発光分光分析法で測定し、その他の元素の量はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表１，２に示す成分組成であることを確認した。
（Ｂｒａｓｓ方位割合）
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ面(Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、ＥＢＳＤ測定装置及びＯＩＭ解析ソフトによって、次のようにＢｒａｓｓ方位割合を測定した。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行い、次いでコロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧２０ｋＶ、測定間隔３μｍステップで１ｍｍ２以上の測定面積にて観察面をＥＢＳＤ法により測定した。測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位の解析を行った。各解析点が、対象とするＢｒａｓｓ方位（理想方位から１０°以内）か否かを判定し、測定領域におけるＢｒａｓｓ方位割合（結晶方位の面積率）を求めた。詳細には、Ｂｒａｓｓ方位割合とは、全測定点のうち、Ｂｒａｓｓ方位の理想方位｛１１０｝〈１１２〉から－１０°～＋１０°以内の結晶方位を持つ測定点の割合である。
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ面(Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、ＥＢＳＤ測定装置及びＯＩＭ解析ソフトによって、次のようにＢｒａｓｓ方位割合を測定した。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行い、次いでコロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧２０ｋＶ、測定間隔３μｍステップで１ｍｍ２以上の測定面積にて観察面をＥＢＳＤ法により測定した。測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位の解析を行った。各解析点が、対象とするＢｒａｓｓ方位（理想方位から１０°以内）か否かを判定し、測定領域におけるＢｒａｓｓ方位割合（結晶方位の面積率）を求めた。詳細には、Ｂｒａｓｓ方位割合とは、全測定点のうち、Ｂｒａｓｓ方位の理想方位｛１１０｝〈１１２〉から－１０°～＋１０°以内の結晶方位を持つ測定点の割合である。
（導電率）
特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。評価結果を表３，４に示す。
特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。評価結果を表３，４に示す。
（強度比）
特性評価用条材から、圧延方向に対して平行方向および圧延方向に対して直交方向で、ＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、引張強度を測定した。圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤを算出した。
強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤ、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤを表３，４に示す。
特性評価用条材から、圧延方向に対して平行方向および圧延方向に対して直交方向で、ＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、引張強度を測定した。圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤを算出した。
強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤ、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤを表３，４に示す。
（半軟化温度比）
半軟化温度は日本伸銅協会のＪＣＢＡ Ｔ３２５：２０１３に準拠して、１時間の熱処理での引張強度による等時軟化曲線を取得することで評価した。なお、引張強度は前述の機械的特性と同様に、ＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、圧延方向と平行な方向と、圧延方向と直交する方向にそれぞれ測定した。
そして、上記で得た半軟化温度をケルビンに変換し、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行い得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤを算出した。
半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤ、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤを表３，４に示す。
半軟化温度は日本伸銅協会のＪＣＢＡ Ｔ３２５：２０１３に準拠して、１時間の熱処理での引張強度による等時軟化曲線を取得することで評価した。なお、引張強度は前述の機械的特性と同様に、ＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、圧延方向と平行な方向と、圧延方向と直交する方向にそれぞれ測定した。
そして、上記で得た半軟化温度をケルビンに変換し、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行い得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤを算出した。
半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤ、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤを表３，４に示す。
比較例１は、Ｍｇの含有量が本実施形態の範囲よりも少ないため、半軟化温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例２は、Ｍｇの含有量が本実施形態の範囲を超えており、導電率が低くなった。
比較例３は、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍを超えており、半軟化温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例４は、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６未満であり、半軟化温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例５は、機械的表面処理工程を実施しておらず、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが本発明の範囲を外れており、耐熱性の異方性が大きくなった。また、強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤも大きく、強度の異方性も大きくなった。
比較例２は、Ｍｇの含有量が本実施形態の範囲を超えており、導電率が低くなった。
比較例３は、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍを超えており、半軟化温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例４は、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６未満であり、半軟化温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例５は、機械的表面処理工程を実施しておらず、半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが本発明の範囲を外れており、耐熱性の異方性が大きくなった。また、強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤも大きく、強度の異方性も大きくなった。
これに対して、本発明例１～２４においては、導電率と耐熱性とがバランス良く向上されており、耐熱性および強度の異方性が小さいことが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、高い導電率と優れた耐熱性を有し、耐熱性の異方性が小さい銅合金を提供可能であることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、高い導電率と優れた耐熱性を有し、耐熱性の異方性が小さい銅合金を提供可能であることが確認された。
本実施形態の銅合金（銅合金塑性加工材）は、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板などの電子・電気機器用部品に好適に適用される。
Claims (12)
- Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされており、
Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６以上５０以下の範囲内とされており、
導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされ、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＴＤから算出される半軟化温度比ＴＬＤ／ＴＴＤが０．９５を超え、１．０８未満の範囲内とされるとともに、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度ＴＬＤが２１０℃以上とされていることを特徴とする銅合金。 - Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の銅合金。
- Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝〈１１２〉に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が３０％以下とされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の銅合金。
- 圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＴＤと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤと、から算出される強度比ＴＳＴＤ／ＴＳＬＤが０．９３を超え、１．１０未満の範囲内とされるとともに、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度ＴＳＬＤが２００ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の銅合金。 - 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の銅合金からなることを特徴とする銅合金塑性加工材。
- 厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であることを特徴とする請求項５に記載の銅合金塑性加工材。
- 表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の銅合金塑性加工材。
- 請求項５から請求項７のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とする電子・電気機器用部品。
- 請求項５から請求項７のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とする端子。
- 請求項５から請求項７のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とするバスバー。
- 請求項５から請求項７のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とするリードフレーム。
- 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載された銅合金を用いて作製されたことを特徴とする放熱基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US18/003,398 US20230250514A1 (en) | 2020-06-30 | 2021-06-30 | Copper alloy, copper alloy plastic working material, component for electronic/electrical device, terminal, bus bar, lead frame, and heat dissipation substrate |
| KR1020227044803A KR20230030580A (ko) | 2020-06-30 | 2021-06-30 | 구리 합금, 구리 합금 소성 가공재, 전자·전기 기기용 부품, 단자, 버스 바, 리드 프레임, 방열 기판 |
| CN202180045199.8A CN115768910B (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-30 | 铜合金、铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子、汇流条、引线框架及散热基板 |
| EP21833037.1A EP4174198A1 (en) | 2020-06-30 | 2021-06-30 | Copper alloy, copper alloy plastic working material, component for electronic/electrical device, terminal, bus bar, lead frame, and heat dissipation substrate |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020-112927 | 2020-06-30 | ||
| JP2020-112695 | 2020-06-30 | ||
| JP2020112695A JP7136157B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子 |
| JP2020112927A JP7078070B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム |
| JP2020-181736 | 2020-10-29 | ||
| JP2020181736A JP7446975B2 (ja) | 2020-10-29 | 2020-10-29 | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2022004779A1 true WO2022004779A1 (ja) | 2022-01-06 |
Family
ID=79316290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/024723 WO2022004779A1 (ja) | 2020-06-30 | 2021-06-30 | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230250514A1 (ja) |
| EP (1) | EP4174198A1 (ja) |
| KR (1) | KR20230030580A (ja) |
| CN (1) | CN115768910B (ja) |
| TW (1) | TW202206611A (ja) |
| WO (1) | WO2022004779A1 (ja) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372041A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | トロリー線用銅合金 |
| JPH04280935A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | メタルガスケット材およびその製造方法 |
| JP2001152267A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-06-05 | Kobe Steel Ltd | 銅合金圧延箔 |
| JP2008255416A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Hitachi Cable Ltd | 銅材の製造方法及び銅材 |
| JP2016056414A (ja) | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅圧延板及び電子・電気機器用部品 |
| JP2017186623A (ja) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 超伝導安定化材、超伝導線及び超伝導コイル |
| JP2020112927A (ja) | 2019-01-09 | 2020-07-27 | 株式会社デンソー | 運転支援装置 |
| JP2020112695A (ja) | 2019-01-11 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法および、物品製造方法 |
| JP2020181736A (ja) | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 住友化学株式会社 | セパレータの検査装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915324B1 (ja) * | 1970-03-05 | 1974-04-13 | ||
| JP2007113093A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Nikko Kinzoku Kk | 高強度高導電性耐熱銅合金及びその製造方法 |
| JP6807211B2 (ja) * | 2016-10-24 | 2021-01-06 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | Ｃｕ−Ｚｒ−Ｓｎ−Ａｌ系銅合金板材および製造方法並びに通電部材 |
| JP6756348B2 (ja) * | 2018-08-15 | 2020-09-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅圧延板及び電子・電気機器用部品 |
-
2021
- 2021-06-30 TW TW110123969A patent/TW202206611A/zh unknown
- 2021-06-30 CN CN202180045199.8A patent/CN115768910B/zh active Active
- 2021-06-30 US US18/003,398 patent/US20230250514A1/en active Pending
- 2021-06-30 WO PCT/JP2021/024723 patent/WO2022004779A1/ja unknown
- 2021-06-30 EP EP21833037.1A patent/EP4174198A1/en active Pending
- 2021-06-30 KR KR1020227044803A patent/KR20230030580A/ko unknown
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372041A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | トロリー線用銅合金 |
| JPH04280935A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | メタルガスケット材およびその製造方法 |
| JP2001152267A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-06-05 | Kobe Steel Ltd | 銅合金圧延箔 |
| JP2008255416A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Hitachi Cable Ltd | 銅材の製造方法及び銅材 |
| JP2016056414A (ja) | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅圧延板及び電子・電気機器用部品 |
| JP2017186623A (ja) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 超伝導安定化材、超伝導線及び超伝導コイル |
| JP2020112927A (ja) | 2019-01-09 | 2020-07-27 | 株式会社デンソー | 運転支援装置 |
| JP2020112695A (ja) | 2019-01-11 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法および、物品製造方法 |
| JP2020181736A (ja) | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 住友化学株式会社 | セパレータの検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4174198A1 (en) | 2023-05-03 |
| KR20230030580A (ko) | 2023-03-06 |
| CN115768910B (zh) | 2024-01-12 |
| CN115768910A (zh) | 2023-03-07 |
| TW202206611A (zh) | 2022-02-16 |
| US20230250514A1 (en) | 2023-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7024925B2 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、放熱基板 | |
| WO2022085723A1 (ja) | スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板 | |
| KR102474714B1 (ko) | 전자·전기 기기용 구리 합금, 전자·전기 기기용 구리 합금 소성 가공재, 전자·전기 기기용 부품, 단자, 및, 버스바 | |
| WO2021177470A1 (ja) | 純銅板 | |
| JP6981588B2 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、放熱基板 | |
| WO2022004791A1 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| JP6981587B2 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、放熱基板 | |
| JP2022124875A (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| WO2022004779A1 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| JP2022069413A (ja) | スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板 | |
| JP7078091B2 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| JP7446975B2 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| JP7512845B2 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| WO2022004794A1 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、放熱基板 | |
| JP7078070B2 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム | |
| WO2023127851A1 (ja) | 銅合金異形条材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| JP2022072355A (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| WO2023127854A1 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
| WO2022004789A1 (ja) | 銅合金塑性加工材、銅合金線材、電子・電気機器用部品、端子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 21833037 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2021833037 Country of ref document: EP Effective date: 20230130 |