JPWO2018179417A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
Abstract
Description
1.極端紫外光生成システムの全体説明
1.1 構成
1.2 動作
2.比較例に係るEUV光生成装置
2.1 構成
2.2 動作
2.3 課題
3.水素ガス放出部の冷却機構を備えたEUV光生成装置
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用
4.水素ガス放出部とシールドとを一体化したEUV光生成装置
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用
5.冷却媒体流路を拡大したEUV光生成装置
5.1 構成及び動作
5.2 作用
6.その他
1.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられる。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含む。チャンバ2は、密閉可能に構成されている。ターゲット供給部26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられている。ターゲット供給部26から出力されるターゲット物質の材料は、スズを含む。ターゲット物質の材料は、スズと、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又はキセノンとの組合せを含むこともできる。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射する。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射される。
2.1 構成
図2は、本開示の比較例に係るEUV光生成装置の構成を概略的に示す。図3A及び図3Bは、図2に示されるEUV光生成装置のチャンバ2aに含まれる構成要素の断面図である。図3Bは、図3AにIIIB−IIIB線で示される部分の断面に相当する。すなわち、図3Bは、後述の複数の開口部54を通る断面に相当する。図3A及び図3Bにおいては、図2に示されるチャンバ2a、レーザ光集光ミラー22a、水素ガス供給部50、水素ガス供給管51等の図示を省略している。
シールド部材7には、液体の冷却媒体を通過させる冷却媒体流路71が形成されている。冷却媒体流路71は、本開示における第3の冷却媒体流路に相当する。冷却媒体としては例えば水が用いられる。冷却媒体流路71は、冷却媒体供給管61aを介して冷却媒体供給部60aに接続されている。さらに、冷却媒体流路71は、冷却媒体排出管62aを介して冷却媒体供給部60aに接続されている。
ターゲット供給部26aは、ターゲット27としてスズの液滴を出力する。ターゲット供給部26aから出力されたターゲット27は、チャンバ2aの貫通孔20及びシールド部材7の貫通孔70を通過し、プラズマ生成領域25に到達する。パルスレーザ光32は、ウインドウ21を介してチャンバ2a内のレーザ光集光ミラー22aに入射する。レーザ光集光ミラー22aによって反射されたパルスレーザ光33は、プラズマ生成領域25に集光される。パルスレーザ光33は、ターゲット27がプラズマ生成領域25に到達するタイミングでプラズマ生成領域25に到達する。
EUV集光ミラー23a及びシールド部材7だけでなく、水素ガス放出部52も加熱され、水素ガス放出部52の表面にスズが析出することがある。水素ガス放出部52の表面にスズが析出すると、水素ガスを放出するための開口部54の形状が変化し、所望のガス流れを達成できないことがあり得る。プラズマ生成領域25と水素ガス放出部52の開口部54との間にプラズマからの輻射熱を遮る部品がなく、プラズマからの輻射熱が水素ガス放出部52の開口部54の周辺部分に直接入射する場合には、開口部54の周辺部分が特に加熱され、スズが析出する可能性がある。
3.1 構成
図4A及び図4Bは、本開示の第1の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ2aに含まれる構成要素の断面図である。図4Bは、図4AにIVB−IVB線で示される部分の断面に相当する。すなわち、図4Bは、複数の開口部54を通る断面に相当する。図4A及び図4Bにおいては、チャンバ2a、レーザ光集光ミラー22a、水素ガス供給部50、水素ガス供給管51等の図示を省略している。第1の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ2a、レーザ光集光ミラー22a、水素ガス供給部50等の構成は、図2を参照しながら説明したものと同様である。
冷却媒体供給部60の温度調節器63は、共通の冷却媒体供給管61を介して、冷却媒体流路71、冷却媒体流路23b、及び冷却媒体流路55cに冷却媒体を供給する。従って、温度調節器63は、冷却媒体流路71、冷却媒体流路23b、及び冷却媒体流路55cに、実質的に同じ温度の冷却媒体を供給する。冷却媒体の温度は、例えば、0℃以上、5℃以下とされる。これにより、シールド部材7と、EUV集光ミラー23aと、水素ガス放出部52cとは、スタナンが水素とスズに分離することを抑制し得る温度範囲にまで冷却される。
他の点については上述の比較例と同様である。
第1の実施形態によれば、水素ガス放出部52cを冷却媒体で冷却するので、水素ガス放出部52cの表面にスズが析出することが抑制される。これにより、水素ガス放出部52cの開口部54の形状が変化することが抑制され、水素ガスの流れが変化することが抑制される。
4.1 構成
図5A及び図5Bは、本開示の第2の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ2aに含まれる構成要素の断面図である。図5Bは、図5AにVB−VB線で示される部分の断面に相当する。すなわち、図5Bは、複数の開口部54を通る断面に相当する。図5A及び図5Bにおいては、チャンバ2a、レーザ光集光ミラー22a、水素ガス供給部50、水素ガス供給管51等の図示を省略している。第2の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ2a、レーザ光集光ミラー22a、水素ガス供給部50等の構成は、図2を参照しながら説明したものと同様である。
温度調節器63は、共通の冷却媒体供給管61を介して、冷却媒体流路55d及び冷却媒体流路23bに冷却媒体を供給する。従って、温度調節器63は、冷却媒体流路55d及び冷却媒体流路23bに、実質的に同じ温度の冷却媒体を供給する。これにより、水素ガス放出部52dと、EUV集光ミラー23aとは、スタナンが水素とスズに分離することを抑制し得る温度範囲にまで冷却される。
他の点については上述の比較例と同様である。
第2の実施形態によれば、水素ガス放出部52dを冷却媒体で冷却するので、水素ガス放出部52dの表面にスズが析出することが抑制される。これにより、水素ガス放出部52dの開口部54の形状が変化することが抑制され、水素ガスの流れが変化することが抑制される。
5.1 構成及び動作
図6A及び図6Bは、本開示の第3の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ2aに含まれる構成要素の断面図である。図6Bは、図6AにVIB−VIB線で示される部分の断面に相当する。すなわち、図6Bは、複数の開口部54を通る断面に相当する。図6A及び図6Bにおいては、チャンバ2a、レーザ光集光ミラー22a、水素ガス供給部50、水素ガス供給管51等の図示を省略している。第3の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ2a、レーザ光集光ミラー22a、水素ガス供給部50等の構成は、図2を参照しながら説明したものと同様である。
第3の実施形態によれば、第1の部分56eが開口部54よりも+Z方向側に位置し、第2の部分57eが開口部54よりも−Z方向側に位置する。これにより、水素ガス放出部52eの開口部54の周辺が+Z方向側と−Z方向側との両方から効率よく冷却され、開口部54の周辺にスズが析出することが抑制される。
他の点については、第2の実施形態と同様である。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
Claims (14)
- チャンバと、
前記チャンバの内部に位置するEUV集光ミラーと、
前記チャンバの内部に位置する水素ガス放出部であって、前記EUV集光ミラーの周辺から内側に向けて水素ガスを放出するように構成された開口部と、冷却媒体を通過させるように構成された第1の冷却媒体流路と、を有する前記水素ガス放出部と、
を備える極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
冷却媒体供給部をさらに備え、
前記EUV集光ミラーは、冷却媒体を通過させるように構成された第2の冷却媒体流路を有し、
前記冷却媒体供給部は、前記第1の冷却媒体流路と前記第2の冷却媒体流路とに冷却媒体を供給する共通の冷却媒体供給管を有する、
極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
冷却媒体供給部をさらに備え、
前記EUV集光ミラーは、冷却媒体を通過させるように構成された第2の冷却媒体流路を有し、
前記冷却媒体供給部は、前記第1の冷却媒体流路と前記第2の冷却媒体流路とに実質的に同じ温度の冷却媒体を供給するように構成された、
極端紫外光生成装置。 - 請求項3に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記冷却媒体供給部が前記第1の冷却媒体流路と前記第2の冷却媒体流路とに供給する冷却媒体の温度は、0℃以上、5℃以下である、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部を前記EUV集光ミラーから独立して前記チャンバの内部に保持するホルダをさらに備える、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部と別部材のシールド部材であって、前記EUV集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路を囲んで位置する前記シールド部材をさらに備え、
前記シールド部材は、冷却媒体を通過させるように構成された第3の冷却媒体流路を有する、
極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部は、前記EUV集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路を囲んで位置するシールドと一体に構成された、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第1の冷却媒体流路は、前記開口部よりも前記EUV集光ミラーによって反射された極端紫外光の進行方向側に位置する第1の部分と、前記開口部よりも前記進行方向と反対側に位置する第2の部分と、を含む、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部に水素ガスを供給する水素ガス供給部をさらに備える、極端紫外光生成装置。 - 請求項9に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部は、前記水素ガス供給部から供給される水素ガスを前記開口部まで通過させる水素ガス流路を有し、
前記水素ガス流路は、前記第1の冷却媒体流路と前記EUV集光ミラーとの間に位置する、
極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記チャンバの内部の所定領域にスズの液滴を供給するターゲット供給部と、
前記所定領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
をさらに備える、極端紫外光生成装置。 - 請求項11に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部の前記開口部は、前記所定領域からの輻射熱が前記開口部の周辺部分に直接入射するように位置している、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部は、前記EUV集光ミラーの外周に沿って配置された複数の前記開口部を有し、
前記第1の冷却媒体流路は、前記複数の前記開口部を通る前記水素ガス放出部の断面を、複数の箇所で通過するように配置されている、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第1の冷却媒体流路を通過する冷却媒体は水である、極端紫外光生成装置。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01110288A (ja) * | 1987-10-24 | 1989-04-26 | Kobe Steel Ltd | 水素ペレット入射装置 |
JPH0363898U (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-21 | ||
JP2008103206A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
JP2013004369A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2013135033A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01110288A (ja) * | 1987-10-24 | 1989-04-26 | Kobe Steel Ltd | 水素ペレット入射装置 |
JPH0363898U (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-21 | ||
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US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
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