JP2013004369A - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】極端紫外光生成装置1は、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバ11と、チャンバに設けられ、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質Dを供給するためのターゲット供給部14bと、チャンバに接続される排気ポンプ12と、チャンバ内に配置される少なくとも1つの光学要素M1〜M3と、チャンバに設けられ、チャンバ内でターゲット物質がレーザ光に照射される際に放出されて、少なくとも1つの光学要素に付着したターゲット物質のデブリを、エッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部16a〜16cと、少なくとも1つの光学要素の温度を制御するための、少なくとも1つの温度調節機構C2,C4,C5と、を備えてもよい。
【選択図】図1
Description
本開示の実施の形態1によるEUV光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、実施の形態1によるEUV光生成装置1の構成を概略的に示す。
エッチング反応:Sn(s)+4H*(g)→SnH4(g) (1)
析出反応:SnH4→Sn(s)+2H2 (2)
Val=V1−V2 (3)
本開示の実施の形態2によるEUV光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。
つぎに、本開示の実施の形態3によるEUV光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図6は、実施の形態3によるEUV光生成装置の構成を概略的に示す。実施の形態3においても、図3または図5に示される温度調節機構がEUV光生成装置に設けられてもよい。
図7は、実施の形態3においてEUV集光ミラーの反射面側に近接して配置されるトラップの構成を概略的に示す斜視図である。図7に示されるように、トラップ31は、たとえば両端面が開口された概して円柱の形状でもよい。具体的には、トラップ31は、両端が開口された外周リング31Aと、外周リング31Aの内側の中央に配置され、両端が開口されたレーザ光通過リング31Bと、の2重リングの構成を備えてもよい。外周リング31Aとレーザ光通過リング31Bとは、略同軸となるよう構成されるのが好ましい。レーザ光通過リング31Bに開口された空間は、EUV集光ミラーM1の貫通孔M1aを通過するレーザ光(たとえばメインパルスレーザ光L1b)を通過させるためのレーザ光通過穴31aとして機能してもよい。外周リング31Aとレーザ光通過リング31Bとの間の空間は、EUV集光ミラーM1で反射されたEUV光L2が通過するためのEUV光通過穴31bとして機能してもよい。ただし、EUV集光ミラーM1で反射されたEUV光L2は、EUV光通過穴31b以外の外周リング31Aの外側やレーザ光通過リング31Bの内側を通過してもよい。
図8は、実施の形態3において、ゲートバルブの近傍に配置されるトラップの構成を概略的に示す斜視図である。図8に示されるように、トラップ32は、両端面が開口された概して円錐台の形状でもよい。具体的には、トラップ32は、両端が開口された外周リング32Aと、外周リング32A内側の中心に配置された芯32Bと、芯32Bから外周リング32Aの内側面に放射状に延びる複数のトラッピングブレード32Cと、を備えてもよい。芯32Bは、複数のトラッピングブレード32Cを束ねる機能を果たしてもよい。この芯32Bは、省略されてもよい。外周リング32Aに開口された空間は、EUV集光ミラーM1で反射されたEUV光L2を通過させるためのEUV光通過穴32bとして機能してもよい。ただし、EUV集光ミラーM1で反射されたEUV光L2は、EUV光通過穴32b以外の外周リング32Aの外側を通過してもよい。
図9は、実施の形態3において、チャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるトラップの構成を概略的に示す。図9に示されるように、トラップ33は、たとえばチャンバ11から排気ポンプ12へガスが流れる方向に対して略平行に複数の板状のブレード33Bが配置された構成でもよい。複数の板状のブレード33Bは、その断面が格子状になるように配置されてもよい。チャンバ11内から排気ポンプ12へ流れ込み得るスタナンガスは、ブレード33Bによって格子状に仕切られた空間内を流れ得る。そこで、トラップ33を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてSnが析出する温度(たとえば120℃)以上に加熱しておくのが好ましい。トラップ33には、電流によって加熱されるヒータ40bが設けられてもよい。ヒータ40bには、それに電流を供給するための電源40aが接続されてもよい。また、トラップ33には、温度センサ40cが設けられてもよい。温度センサ40cで検出された温度は、温度コントローラ40に入力されてもよい。温度コントローラ40は、温度センサ40cで検出された温度に基づいて電源40aからヒータ40bに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ33が、Snが析出する温度程度以上に加熱され、排気ポンプ12に流れ込み得るスタナンガスが、格子状の空間を通過する際に加熱されて分解され、Snが析出し得る。それにより、ブレード33Bの表面に析出したSnが付着し得る。すなわち、排気ポンプ12にスタナンガスの状態で流れ込み得るSnは、ブレード33Bによって回収され得る。これにより、排気ポンプ12へスタナンガスが流入するのを抑制することが可能となる。また、トラップ33の温度をSnの融点(232℃)程度未満に維持することで、Snをトラップ33に固体の状態で定着させることが可能となる。
図10は、実施の形態3において、チャンバ内の所定の位置に配置されるトラップの構成を概略的に示す。図10に示されるように、トラップ34〜36は、ワイヤやリボン等が3次元の網目(または格子)状に組み合わされて構成されてもよい。チャンバ11内を流れるスタナンガスは、トラップ34〜36の表面付近を通過し得る。そこで、トラップ34〜36を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてSnが析出する温度(たとえば120℃)以上に加熱しておくのが好ましい。トラップ34〜36には、電流によって加熱されるヒータ40bがそれぞれ設けられてもよい。ヒータ40bには、それに電流を供給するための電源40aが接続されてもよい。また、トラップ34〜36には、温度センサ40cがそれぞれ設けられてもよい。温度センサ40cで検出された温度は、温度コントローラ40に入力されてもよい。温度コントローラ40は、温度センサ40cで検出された温度に基づいて電源40aからヒータ40bに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ34〜36が、Snが析出する温度程度以上に加熱され、チャンバ11内を流れるスタナンガスが、トラップ34〜36の表面付近を通過する際に加熱されて分解され、ワイヤやリボンの表面にSnが析出し得る。析出したSnは、トラップ34〜36の表面に付着し得る。これにより、チャンバ11内にスタナンガスの状態で存在するSnを、トラップ34〜36によって回収することができる。また、トラップ34〜36の温度をSnの融点(232℃)程度未満に維持することで、Snをトラップ34〜36の内部に固体の状態で定着させることが可能となる。トラップ34〜36には、スポンジのような多孔質な部材が用いられてもよい。
本開示の実施の形態4によるEUV光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態3では、トラップ31〜36の温度をスタナンガスが分解されてSnが析出する温度(120℃程度)以上であってSnが固体の状態を保つ温度(232℃)未満に調節することで、トラップ31〜36でトラップされたSnを、これらに固体の状態で定着させた。これに対し、実施の形態4では、トラップ31〜36をSnが溶融する温度以上に加熱することで、トラップ31〜36でトラップされたSnを液化してトラップ31〜36から流出させてもよい。流出した溶融Snは、たとえばバケットなどの回収容器に回収されてもよい。
上述した実施の形態におけるガス導入管の変形例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、EUV集光ミラーM1の表面に沿ってHラジカルまたはH2ガスを流すためのガス導入管を例に挙げて説明する。
変形例2によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図13Aは、変形例2によるガス導入管およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図13Bは、図13Aに示されるガス導入管およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXIIIB−XIIIB面に沿った断面図である。
変形例3によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図14Aは、変形例3によるガス導入管およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図14Bは、図14Aに示されるガス導入管およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXIVB−XIVB面に沿った断面図である。
変形例4によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図15Aは、変形例4によるガス導入管およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図15Bは、図15Aに示されるガス導入管およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXVB−XVB面に沿った断面図である。
変形例5によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図16Aは、変形例5によるガス導入管およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図16Bは、図16Aに示されるガス導入管およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXVIB−XVIB面に沿った断面図である。
変形例6によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図17Aは、変形例6によるガス導入管およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図17Bは、図17Aに示されるガス導入管およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXVIIB−XVIIB面に沿った断面図である。
変形例7によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図18Aは、変形例7によるガス導入管およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図18Bは、図18Aに示されるガス導入管およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXVIIIB−XVIIIB面に沿った断面図である。
変形例8によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図19Aは、変形例8によるガス導入管およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図19Bは、図19Aに示されるガス導入管およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXIXB−XIXB面に沿った断面図である。
変形例9について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、H2がラジカル化され、Hラジカルの状態で光学要素の表面に沿って流されていた。これに対し、変形例9では、チャンバ11内の光学要素、特にEUV光L2を強く浴びるEUV集光ミラーM1に対して、Hラジカルではなく、H2ガスが吹きつけられてもよい。図20Aは、変形例9によるガス導入管およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図20Bは、図20Aに示されるガス導入管およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXXB−XXB面に沿った断面図である。
変形例10について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してHラジカルまたはH2ガスがチャンバ11内の光学要素の表面に沿って流されたが、これに限定されず、チャンバ11内の光学要素の表面に直接HラジカルまたはH2ガスを流すためのラジカル生成器が配置されてもよい。図21Aは、変形例10によるラジカル生成器およびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図21Bは、図21Aに示されるラジカル生成器およびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXXIB−XXIB面に沿った断面図である。
変形例11について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してHラジカルまたはH2ガスがチャンバ11内の光学要素に流された。しかし、これに限定されず、チャンバ11内の光学要素に近接してH2ガスをラジカル化するためのフィラメントを配置し、チャンバ11内にH2ガスを充填しておいてもよい。図22Aは、変形例11によるフィラメントおよびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図22Bは、図22Aに示されるフィラメントおよびEUV集光ミラーの構成を概略的に示すXXIIB−XXIIB面に沿った断面図である。
本開示の実施の形態5によるEUV光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態および変形例では、EUV光生成装置の稼働中にHラジカルまたはH2ガスが光学要素の反射面に沿って流れるように、HラジカルまたはH2ガスを吹きつけて光学要素に付着したSnをエッチングしていた。これに対し、実施の形態5では、EUV光生成装置の停止中に光学要素の反射面全体にHラジカルまたはH2ガスが吹きつけられて光学要素に付着したSnがエッチングされてもよい。図23は、実施の形態5によるEUV光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
本開示の実施の形態6によるEUV光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態5によるラジカル生成器16−12は、H2ガスが吹き出されるガス導入管およびガス導入管から吹き出されたH2ガスをラジカル化するフィラメントに、置き換えられてもよい。図24Aは、実施の形態6によるEUV光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。図24Bは、図24Aに示すフィラメントおよびEUV集光ミラーをEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
本開示の実施の形態7によるEUV光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図25Aは、実施の形態7によるEUV集光ミラーおよびガス導入管をEUV集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図25Bは、レーザ光集光ユニット、実施の形態7によるEUV集光ミラーおよびガス導入管の、EUV集光ミラーの反射面と垂直な面における構成を概略的に示す断面図である。
プリパルスレーザ光L1aまたはメインパルスレーザ光L1bは、ウィンドウW2を介してレーザ光集光ユニット210内に導入されてもよい。レーザ光集光ユニット210内に導入されたプリパルスレーザ光L1aまたはメインパルスレーザ光L1bは、軸外放物凸面ミラー212によってビーム断面が広げられてもよい。その後、プリパルスレーザ光L1aまたはメインパルスレーザ光L1bは、楕円凹面ミラー213によってプラズマ生成領域P1に向けて反射されドロップレット生成器14bから供給されたドロップレットDに照射されてもよい。
実施の形態7によれば、EUV集光ミラーM1の反射面M1rに対し、水素ガスが、中央部から外周側へ向けて反射面M1rに沿って放射状に流され、かつ、外周部から中央部に向かって反射面M1rに沿って流され得る。これにより、プラズマ生成領域P1で発生したデブリがEUV集光ミラーM1の反射面M1rに付着することを低減し得る。また、反射面M1rにデブリが付着したとしても、この付着したデブリをエッチングすることができる。
10 EUV光生成コントローラ
11、11A チャンバ
11a、11b、11c パーティション
12 排気ポンプ
13 露光装置接続部
14a ドロップレットコントローラ
14b ドロップレット生成器
14c ノズル
14d ドロップレット回収部
15、15a〜15c、15A〜15D、15−10a、15−10b、16−12 ラジカル生成器
16a〜16c、16−1、16−2a、16−2b、16−3a〜16−3d、16−4、16−5、16−6a〜16−6d、16−7a〜16−7d、16−8、16−9、16−13a ガス導入管
16−4a 歪曲部
16−5a 円部
16−8a 外板
16−8b 内板
16−11、16−13 フィラメント
16−81 隙間
17 チラー
18a、18b イオン回収部
M 光学要素
M1 EUV集光ミラー
M2、M3 軸外放物面ミラー
20 温度コントローラ
20a 電源
20b 温度調節素子
20c 温度センサ
21〜25、40 温度コントローラ
21a〜25a、40a 電源
21b〜25b、40b ヒータ
21c〜25c、40c 温度センサ
31、32、33、34、35、36、 トラップ
31A、32A 外周リング
31B レーザ光通過リング
31C、32C トラッピングブレード
31a レーザ光通過穴
31b、32b EUV光通過穴
32B 芯
33B ブレード
40A 回収部
210 レーザ光集光ユニット
211 サブチャンバ
211a 貫通孔
212 軸外放物凸面ミラー
213 楕円凹面ミラー
251、252 水素ガス供給源
261、262 配管
263 外側配管
263a スリット
264 内側配管
264a、264b 開口
265 壁部
265a、265b 開口
C1〜C5 熱媒体流路
Cin 主送配管
C1in〜C5in 副送配管
Cout 主排配管
C1out〜C5out 副排配管
D ドロップレット
E オブスキュレーション領域
IF 中間集光点
L1a プリパルスレーザ光
L1b メインパルスレーザ光
L2 EUV光
M1a 貫通孔
ML メインパルスレーザ
PL プリパルスレーザ
P1 プラズマ生成領域
T1in〜T5in、T1out〜T5out 温度センサ
V1〜V5 流量調節バルブ
W1、W2 ウィンドウ
W3 ゲートバルブ
W4 シャッタ
W4a、W5 ゲート
H1 プレート
H1a 貫通孔
Claims (40)
- レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
前記チャンバ内に配置される少なくとも1つの光学要素と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも1つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、
前記少なくとも1つの光学要素の温度を制御するための少なくとも1つの温度調節機構と、
を備える、極端紫外光生成装置。 - 前記ターゲット物質は錫である、請求項1記載の極端紫外光生成装置。
- 前記エッチングガスはH2ガスである、請求項1記載の極端紫外光生成装置。
- 前記エッチングガスはHラジカルガスである、請求項1記載の極端紫外光生成装置。
- 前記エッチングガス導入部には、前記少なくとも1つの光学要素の表面に向けられた少なくとも1つの開口が設けられる、請求項1記載の極端紫外光生成装置。
- 前記少なくとも1つの温度調節機構は、前記少なくとも1つの光学要素に接続される第1の温度調節機構を含み、
前記第1の温度調節機構は、
前記少なくとも1つの光学要素に設けられる温度調節素子と、
該温度調節素子に接続され該温度調節素子に電流を供給する電源と、
前記少なくとも1つの光学要素の温度を検出する温度センサと、
該温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記温度調節素子に供給される電流を制御することで前記光学要素の温度を制御する温度コントローラと、
を含む、
請求項1記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第1の温度調節機構は、
熱媒体と、
該熱媒体の温度を調節して流出させる温度調節部と、
該温度調節部から流出した温度調節された前記熱媒体を前記光学要素に導く流路と、
をさらに含む、
請求項6記載の極端紫外光生成装置。 - 前記温度調節素子はペルチェ素子である、請求項6記載の極端紫外光生成装置。
- 前記第1の温度調節機構は、前記少なくとも1つの光学要素の温度を第1の所定の温度範囲内に維持する、請求項6記載の極端紫外光生成装置。
- 前記第1の所定の温度範囲は、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも大きくなる温度範囲である、請求項9記載の極端紫外光生成装置。
- 前記チャンバ内に配置され、前記気体反応生成物から前記デブリを析出させてトラップするための少なくとも1つのトラップ部をさらに備える、請求項1記載の極端紫外光生成装置。
- 前記少なくとも1つの光学要素は、前記チャンバ内の前記所定の領域で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射されて放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーを含み、
前記少なくとも1つのトラップ部は、前記チャンバ内の前記所定の領域と前記集光ミラーの反射面との間に配置される第1のトラップ部を含む、
請求項11記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第1のトラップ部は、該第1のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第1のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第1のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項12記載の極端紫外光生成装置。 - 前記温度コントローラは、前記第1のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項13記載の極端紫外光生成装置。
- 前記温度コントローラは、前記第1のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第1のトラップ部は、該第1のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項13記載の極端紫外光生成装置。 - 前記少なくとも1つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記外部装置との接続部分近傍に配置される第2のトラップ部を含む、請求項11記載の極端紫外光生成装置。
- 前記第2のトラップ部は、該第2のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第2のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第2のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項16記載の極端紫外光生成装置。 - 前記温度コントローラは、前記第2のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項17記載の極端紫外光生成装置。
- 前記温度コントローラは、前記第2のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第2のトラップ部は、該第2のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項17記載の極端紫外光生成装置。 - 前記少なくとも1つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記排気ポンプとの接続部分近傍に配置される第3のトラップ部を含む、請求項11記載の極端紫外光生成装置。
- 前記第3のトラップ部は、該第3のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第3のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み
前記第3のトラップ部は、通気性を有するよう構成される、
請求項20記載の極端紫外光生成装置。 - 前記温度コントローラは、前記第3のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項21記載の極端紫外光生成装置。
- 前記温度コントローラは、前記第3のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第3のトラップ部は、該第3のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項21記載の極端紫外光生成装置。 - 前記少なくとも1つのトラップ部は、前記チャンバ内に配置される少なくとも1つの第4のトラップ部を含む、請求項11記載の極端紫外光生成装置。
- 前記第4のトラップ部は、
該第4のトラップ部の温度を検出する温度センサと、
該第4のトラップ部を加熱するヒータと、
前記ヒータに電流を供給する電源と、
前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、
を含む、
請求項24記載の極端紫外光生成装置。 - 前記温度コントローラは、前記第4のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、
請求項25記載の極端紫外光生成装置。 - 前記温度コントローラは、前記第4のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第4のトラップ部は、該第4のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項25記載の極端紫外光生成装置。 - レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
前記ターゲット物質のプラズマから放射した極端紫外光を反射する集光ミラーと、
前記集光ミラーの反射面に対向したガスの吹出し口を備え、吹出し口からガスを供給するガス供給部と、
を備える、極端紫外光生成装置。 - 前記ガス供給部は、前記集光ミラーの反射面の外周の少なくとも一部に沿って配設された配管を含み、
前記配管は、前記反射面に向けて開口する前記ガスの前記吹出し口を備える、請求項28記載の極端紫外光生成装置。 - 前記吹出し口は、1つ以上の開口またはスリットである、請求項29記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ガス供給部は、前記反射面の中心を通る中心線上に、該反射面に沿って歪曲して配設された配管を含み、
前記配管は、1つ以上の開口またはスリットよりなる吹出し口を備える、請求項28記載の極端紫外光生成装置。 - 前記ガス供給部は、前記反射面の中心部に、該中心部を囲むように配設されたリング状の配管を含み、
前記配管は、前記反射面の中央部から該反射面の外周側へ向けて開口する前記ガスの吹出し口を備える、請求項28記載の極端紫外光生成装置。 - 前記吹出し口は、1つ以上の開口またはスリットである、請求項32記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ガス供給部は、前記反射面の中央部から該反射面の外周へ向けて延在し、該反射面に沿って歪曲して配設された1つ以上の配管を含み、
各配管は、1つ以上の開口またはスリットよりなる吹出し口を備える、請求項28記載の極端紫外光生成装置。 - 前記ガス供給部は、前記反射面の中央部に配設された配管を含み、
前記配管は、前記反射面に向けて開口するリングスリット状の吹出し口を備える、請求項28記載の極端紫外光生成装置。 - 前記ガス供給部は、前記反射面の中央部に配設された第1配管と、該反射面の外周の少なくとも一部に沿って配設された第2配管とを含み、
前記第1配管は、前記反射面に向けて開口するリングスリット状の吹出し口を備え、
前記第2配管は、前記反射面に向けて開口する前記ガスの吹出し口を備える、請求項28記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第2配管の吹出し口は、1つ以上の開口またはスリットである、請求項36記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ターゲット物質は錫である、請求項28記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ガスはH2を含むガスである、請求項38記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ガスはHラジカルを含むガスである、請求項38記載の極端紫外光生成装置。
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