JP2008103206A - 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 - Google Patents
極端紫外光源装置及びノズル保護装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008103206A JP2008103206A JP2006285105A JP2006285105A JP2008103206A JP 2008103206 A JP2008103206 A JP 2008103206A JP 2006285105 A JP2006285105 A JP 2006285105A JP 2006285105 A JP2006285105 A JP 2006285105A JP 2008103206 A JP2008103206 A JP 2008103206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- nozzle
- target
- cooling device
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】ターゲット物質1を通過させる開口155が形成されており、且つ、内部に冷却媒体を循環させる流路が設けられている水冷ジャケット153と、水冷ジャケットをターゲット物質の軌道から退避させる第1の状態、又は、水冷ジャケットにおけるターゲット物質の通路を確保しつつ、水冷ジャケットによりターゲットノズル122に対するプラズマ2の熱放射を遮蔽する第2の状態となるように、水冷ジャケットを移動させ、又は、水冷ジャケットの形状を変化させるアクチュエータ152とを含む。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係るノズル保護装置が備えられた極端紫外(EUV)光源装置の内部を示す模式図である。
図1に示すように、このEUV光源装置は、制御装置100と、EUV光の生成が行われる真空チャンバ110と、ターゲット供給装置120と、ターゲット位置調整装置121と、レーザ発振器130とを含んでいる。真空チャンバ110の内部には、ターゲットノズル122と、コレクタミラー140と、ノズル保護装置150と、ターゲットモニタ装置160とが備えられている。
ターゲットノズル122は、ターゲット供給装置120から供給されたターゲット物質1を噴射することにより、ターゲット・ジェット(噴流)やドロップレット(液滴)ターゲットを形成してプラズマ発光点に供給する。ドロップレット・ターゲットを形成する場合には、所定の周波数でターゲットノズル122を振動させる振動機構が更に設けられる。
水冷ジャケット153は、冷却水用配管151から供給される冷却水によって通常冷却されており、プラズマ3から発生する熱を遮蔽することにより、ターゲットノズル122を保護する。また、水冷ジャケット153には、ターゲットノズル122から噴射されるターゲット物質1を通過させる開口(ターゲット通過孔155)が形成されている。本実施形態においては、ターゲット通過孔155の直径を2mmとしている。このような水冷ジャケット153は、ターゲットノズル122の下端との距離が、例えば約1mmとなるように、ターゲットノズル122の直近に配置されている。さらに、この水冷ジャケット153のプラズマ3に対向する面(図1においては、水冷ジャケット153の下面)には、スパッタ材154が配置されている。本実施形態においては、スパッタ材154として、コレクタミラー140の反射面141を形成する材料の1つであるシリコン(Si)を用いている。
図2の(a)に示すように、水冷ジャケット153は、半円状に分割された2つの部分13a及び13bを含んでいる。各部分13a及び13bの内部には、冷却水を循環させる流路10が形成されており、この流路10には、冷却水導入口11と冷却水導出口12とが設けられている。冷却水導入口11及び冷却水導出口12には、図1に示す冷却水用配管151が接続される。なお、流路10の形状や、冷却水導入口11及び冷却水導出口12の位置は、図2に示すものに限定されず、様々な形状や配置を採用することができる。さらに、各部分13a及び13bには、それらを閉じ合わせた場合にターゲット通過孔155(図2の(b)参照)となる凹部14が形成されている。
図1に示す制御装置100は、ターゲットモニタ装置160から逐次出力される画像信号に画像処理を施し、その結果に基づいて、ターゲット物質1の位置及び状態が安定しているか否かを判断する。例えば、ターゲット物質1の流れが安定している場合の画像を二値化することにより参照画像を予め用意し、ターゲットモニタ装置160から出力される画像と参照画像との差分を算出する。そして、全画素における差分値の総和が所定値以上である場合には不安定である判断し、差分値の総和が所定値より小さい場合には安定であると判断する。
本実施形態によれば、簡単な構成で、ノズル保護装置の省スペース化を図ることができる。
ここで、ターゲット物質として液化キセノン(Xe)等の液化ガスを用いる場合には、ノズル保護装置のターゲット通過孔の周囲や内側にターゲット物質が付着しても、真空チャンバ内において容易に蒸発する。そのような場合には、本実施形態に係るノズル保護装置を使用することができる。
水冷ジャケット400は、例えば、円盤形状を有しており、その中心にはターゲット通過孔401が形成されている。また、水冷ジャケット400の内部には、図2に示すのと同様に、流路と、冷却水用配管151(図1)に接続される冷却水導入口及び冷却水導出口とが形成されている。さらに、水冷ジャケット400の下面(プラズマに対向する面)には、シリコン等のスパッタ材402が配置されている。
図6に示すように、本実施形態に係るノズル保護装置は、図5に示すアクチュエータ410の替わりに、図1に示す制御装置100の下で動作するアクチュエータ500を含んでいる。その他の構成については、第4の実施形態におけるものと同様である。
図7に示すように、本実施形態に係るノズル保護装置は、図5に示すアクチュエータ410の替わりに、図1に示す制御装置100の下で動作するアクチュエータ600を含んでいる。その他の構成については、第4の実施形態におけるものと同様である。
なお、本実施形態においても、ターゲット物質1の流れが安定するまでは、水冷ジャケット400をターゲット物質の軌道から完全に退避させるので、ターゲット通過孔401の径を小さくすることができる。
図1に示すノズル保護装置と比較して明らかなように、本実施形態においては、水冷ジャケット153をターゲット物質1の流れに対して直角ではなく、所定の角度だけ傾けて配置している。具体的には、スパッタ材154が配置されている面が、EUV光の集光点を向くようにする。水冷ジャケット153をこのように配置することにより、プラズマ3からの飛散物(イオン等)がスパッタ材154に衝突した場合においても、それによって発生したスパッタ粒子がコレクタミラー140の反射面141に付着するのを防ぐことができる。その結果、コレクタミラー140の寿命を伸ばすことが可能になる。
なお、本実施形態においては、第1の実施形態に係るノズル保護装置における水冷ジャケットの向きを変更したが、第2〜第5の実施形態に係るノズル保護装置においても、本実施形態と同様に水冷ジャケットを配置しても良い。
Claims (10)
- ノズルから噴射されたターゲット物質にレーザビームを照射することにより前記ターゲット物質をプラズマ化し、プラズマから放射される所定の波長成分を集光光学系によって反射集光することにより極端紫外光を生成する極端紫外光源装置において用いられるノズル保護装置であって、
前記ターゲット物質を通過させる開口が形成されており、且つ、内部に冷却媒体を循環させる流路が設けられている冷却装置と、
前記冷却装置を前記ターゲット物質の軌道から退避させる第1の状態、又は、前記冷却装置におけるターゲット物質の通路を確保しつつ、前記冷却装置により前記ノズルに対するプラズマの熱放射を遮蔽する第2の状態となるように、前記冷却装置を移動させ、又は、前記冷却装置の形状を変化させるアクチュエータと、
を具備するノズル保護装置。 - 前記ターゲット物質の流れを観察するモニタ装置と、
前記モニタ装置の観察結果に基づいて、前記ターゲット物質の流れの状態が不安定である場合に、前記冷却装置を第1の状態に置き、前記ターゲット物質の流れの状態が安定している場合に、前記冷却装置を第2の状態に置くように、前記アクチュエータの動作を制御する制御手段と、
をさらに具備する請求項1記載のノズル保護装置。 - 前記冷却装置の内の少なくともプラズマに対向する面に形成されている板材又は膜であって、シリコン(Si)又はモリブデン(Mo)を含有する前記板材又は膜をさらに具備する請求項1又は2記載のノズル保護装置。
- 前記冷却装置の前記流路に冷却媒体を導入する配管と、
前記冷却装置の前記流路から冷却媒体を導出配管と、
をさらに具備する請求項1〜3のいずれか1項記載のノズル保護装置。 - 前記冷却装置が、各々に凹部が形成された2つの部品を含み、
前記アクチュエータが、前記2つの部品の凹部を互いに離して配置することにより、前記冷却装置を第1の状態に置き、前記2つの部品の凹部が対向するように前記2つの部品を閉じ合わせることにより、前記冷却装置を第2の状態に置く、
請求項1〜4のいずれか1項記載のノズル保護装置。 - 前記冷却装置が、前記ターゲット物質の通路の径を変化させる絞り機構を含み、
前記アクチュエータが、前記絞り機構を開くことにより前記冷却装置を第1の状態に置き、前記絞り機構を閉じることにより前記冷却装置を第2の状態に置く、
請求項1〜4のいずれか1項記載のノズル保護装置。 - 前記アクチュエータが、前記冷却装置を前記ターゲット物質の軌道に沿って移動させることにより、前記冷却装置の前記第1の状態と前記第2の状態とを切り替える、請求項1〜4のいずれか1項記載のノズル保護装置。
- 前記アクチュエータが、前記冷却装置を鉛直面内又は水平面内において回転させることにより、前記冷却装置の前記第1の状態と前記第2の状態とを切り替える、請求項1〜4のいずれか1項記載のノズル保護装置。
- ノズルから噴射されたターゲット物質にレーザビームを照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内にターゲット物質を供給するノズルと、
前記ターゲット物質に照射されるレーザビームを射出するレーザ光源と、
プラズマ化するターゲット物質から放射される所定の波長成分を反射集光する光学系と、
請求項1〜8のいずれか1項記載のノズル保護装置と、
を具備する極端紫外光源装置。 - 前記冷却装置の内の少なくともプラズマに対向する面に形成されている板材又は膜であって、前記光学系の反射面に含まれる成分を含有する前記板材又は膜をさらに具備する請求項9記載の極端紫外光源装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006285105A JP5076087B2 (ja) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
US12/385,955 US8003962B2 (en) | 2006-10-19 | 2009-04-24 | Extreme ultraviolet light source apparatus and nozzle protection device |
US13/081,148 US8445877B2 (en) | 2006-10-19 | 2011-04-06 | Extreme ultraviolet light source apparatus and target supply device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006285105A JP5076087B2 (ja) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008103206A true JP2008103206A (ja) | 2008-05-01 |
JP5076087B2 JP5076087B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=39437383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006285105A Expired - Fee Related JP5076087B2 (ja) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8003962B2 (ja) |
JP (1) | JP5076087B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010171405A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Komatsu Ltd | 極端紫外光光源装置 |
JP2010212674A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-09-24 | Komatsu Ltd | 極端紫外光光源装置 |
JP2011165943A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
JP2012169359A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Komatsu Ltd | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
JP2014529840A (ja) * | 2011-08-05 | 2014-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源、リソグラフィ装置のための方法及びデバイス製造方法 |
US9942973B2 (en) | 2014-11-20 | 2018-04-10 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus |
WO2018179417A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP2019501410A (ja) * | 2015-11-10 | 2019-01-17 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レーザ生成プラズマ光源向けのドロップレット生成 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5076087B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
JP4509154B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 光照射装置、微粒子解析装置及び光照射方法 |
JP5455661B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2014-03-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US8237132B2 (en) * | 2009-06-17 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for reducing down time of a lithography system |
US8642974B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-02-04 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation |
JP5670174B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-02-18 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
JP5726546B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-06-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置 |
US8263953B2 (en) * | 2010-04-09 | 2012-09-11 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source |
JP5726587B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2015-06-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置 |
JP5758750B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-08-05 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
JP5921879B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2016-05-24 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
US8748853B2 (en) * | 2011-03-24 | 2014-06-10 | Gigaphoton Inc. | Chamber apparatus |
JP5789443B2 (ja) * | 2011-08-03 | 2015-10-07 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法 |
KR101958850B1 (ko) * | 2011-09-02 | 2019-03-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스 |
US9279445B2 (en) * | 2011-12-16 | 2016-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Droplet generator steering system |
JP6116593B2 (ja) | 2012-02-08 | 2017-04-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源及びリソグラフィ装置 |
JP6103894B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2017-03-29 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
US9148941B2 (en) * | 2013-01-22 | 2015-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Thermal monitor for an extreme ultraviolet light source |
JP6166551B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2017-07-19 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
KR102012902B1 (ko) | 2013-02-26 | 2019-08-22 | 삼성전자주식회사 | 광원 소자 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 |
JP6283684B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2018-02-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 |
WO2015172816A1 (de) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Einrichtung zur überwachung der ausrichtung eines laserstrahls und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung damit |
JPWO2016001973A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2017-04-27 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、ターゲット物質の精製方法、ターゲット物質の精製プログラム、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体、および、ターゲット生成器 |
WO2016013114A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
KR102269695B1 (ko) | 2015-03-19 | 2021-06-25 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광 생성 장치 |
US10678149B2 (en) | 2015-06-24 | 2020-06-09 | Diego Arturo Alvarado Castañeda | Method and apparatus for maintaining the surface of a reticle free of particles |
WO2017098667A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット生成装置、及び、極端紫外光生成装置 |
US20170311429A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Reducing the effect of plasma on an object in an extreme ultraviolet light source |
EP3291650B1 (en) * | 2016-09-02 | 2019-06-05 | ETH Zürich | Device and method for generating uv or x-ray radiation by means of a plasma |
US10495974B2 (en) * | 2017-09-14 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Target feeding system |
CN108203812B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板固定载具、蒸镀设备及蒸镀方法 |
JP7044807B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2022-03-30 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP7402808B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2023-12-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射遮蔽デバイス及びそのような遮蔽デバイスを備えた装置 |
WO2024104842A1 (en) * | 2022-11-16 | 2024-05-23 | Asml Netherlands B.V. | A droplet stream alignment mechanism and method thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251735A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-15 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマに基づき軟x線放射線を発生するための方法および装置 |
JP2006086119A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-30 | Xtreme Technologies Gmbh | 短波長電磁放射線をエネルギービームによって誘導発生させるための再現可能なターゲット流れを供給する装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6831963B2 (en) * | 2000-10-20 | 2004-12-14 | University Of Central Florida | EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
US6479830B1 (en) | 2000-11-01 | 2002-11-12 | Trw Inc. | Low-sputter-yield coating for hardware near laser-produced plasma |
US6657213B2 (en) | 2001-05-03 | 2003-12-02 | Northrop Grumman Corporation | High temperature EUV source nozzle |
JP5156192B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-03-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5076087B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
-
2006
- 2006-10-19 JP JP2006285105A patent/JP5076087B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-24 US US12/385,955 patent/US8003962B2/en active Active
-
2011
- 2011-04-06 US US13/081,148 patent/US8445877B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251735A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-15 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマに基づき軟x線放射線を発生するための方法および装置 |
JP2006086119A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-30 | Xtreme Technologies Gmbh | 短波長電磁放射線をエネルギービームによって誘導発生させるための再現可能なターゲット流れを供給する装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010171405A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Komatsu Ltd | 極端紫外光光源装置 |
JP2010212674A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-09-24 | Komatsu Ltd | 極端紫外光光源装置 |
US8586954B2 (en) | 2009-02-12 | 2013-11-19 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
US8901524B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-12-02 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
JP2011165943A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
JP2012169359A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Komatsu Ltd | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
JP2014529840A (ja) * | 2011-08-05 | 2014-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源、リソグラフィ装置のための方法及びデバイス製造方法 |
US9942973B2 (en) | 2014-11-20 | 2018-04-10 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus |
US10880979B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-12-29 | Kla Corporation | Droplet generation for a laser produced plasma light source |
JP2019501410A (ja) * | 2015-11-10 | 2019-01-17 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レーザ生成プラズマ光源向けのドロップレット生成 |
JP2021113992A (ja) * | 2015-11-10 | 2021-08-05 | ケーエルエー コーポレイション | レーザ生成プラズマ光源向けのドロップレット生成装置 |
JP7069380B2 (ja) | 2015-11-10 | 2022-05-17 | ケーエルエー コーポレイション | レーザ生成プラズマ光源向けのドロップレット生成装置 |
US11343899B2 (en) | 2015-11-10 | 2022-05-24 | Kla Corporation | Droplet generation for a laser produced plasma light source |
JPWO2018179417A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10582602B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-03-03 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus |
WO2018179417A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5076087B2 (ja) | 2012-11-21 |
US20110174996A1 (en) | 2011-07-21 |
US8445877B2 (en) | 2013-05-21 |
US8003962B2 (en) | 2011-08-23 |
US20100019173A1 (en) | 2010-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5076087B2 (ja) | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 | |
JP7368540B2 (ja) | レーザ生成プラズマ光源向けのドロップレット生成装置 | |
JP5149520B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
US7365349B2 (en) | EUV light source collector lifetime improvements | |
US7598509B2 (en) | Laser produced plasma EUV light source | |
KR101627586B1 (ko) | 뜨거운 벽과 차가운 콜렉터 미러를 가진 레이저 산출 플라즈마 극 자외선 챔버용 시스템, 방법 및 장치 | |
JP2021184104A (ja) | Euv容器及びeuvコレクタのターゲット材料デブリクリーニングのためのシステム、方法、及び装置 | |
TWI391033B (zh) | 用於雷射生成式電漿超紫外線(euv)光源之源材料收集單元 | |
JP2008085074A (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP2008270533A (ja) | 極端紫外光源装置 | |
CN107003626B (zh) | 琢面euv光学器件 | |
CN104798445B (zh) | 用于光刻的辐射源和方法 | |
EP3291650B1 (en) | Device and method for generating uv or x-ray radiation by means of a plasma | |
KR20220005464A (ko) | 극자외선 광원을 위한 보호 시스템 | |
US10490313B2 (en) | Method of controlling debris in an EUV light source | |
JP2008085075A (ja) | 極端紫外光源装置 | |
US11988967B2 (en) | Target material supply apparatus and method | |
JP7159290B2 (ja) | 材料経路を進む材料を捕捉するためのレセプタクル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120713 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120719 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |