JP6166551B2 - ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6166551B2
JP6166551B2 JP2013034382A JP2013034382A JP6166551B2 JP 6166551 B2 JP6166551 B2 JP 6166551B2 JP 2013034382 A JP2013034382 A JP 2013034382A JP 2013034382 A JP2013034382 A JP 2013034382A JP 6166551 B2 JP6166551 B2 JP 6166551B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
insulating member
target
heater
jacket
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013034382A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014164991A (ja
Inventor
博 梅田
博 梅田
俊行 平下
俊行 平下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Priority to JP2013034382A priority Critical patent/JP6166551B2/ja
Priority to US14/188,428 priority patent/US8872126B2/en
Publication of JP2014164991A publication Critical patent/JP2014164991A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6166551B2 publication Critical patent/JP6166551B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H05G2/006—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するために、レーザ光に照射されるターゲットを供給する装置に関する。さらに、本開示は、そのようなターゲット供給装置を用いて極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置と、の３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２００６／０１９２１５４号明細書
概要
ターゲット供給装置は、金属で形成され、内部にターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンク内部に連通する孔を備えたノズルと、タンクの周囲の少なくとも一部に当接する絶縁部材と、タンクとは離間し、絶縁部材を介してタンクを加熱するヒータと、
を備えてもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システム１の概略的な構成を示す。 図２は、一実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１を示す。 図３は、参考例を用いてターゲット供給装置４の課題を説明するための図を示す。 図４は、第１実施形態に係るターゲット供給装置４を示す。 図５は、図４のV−V線の断面図を示す。 図６は、第１実施形態の絶縁部材６２に巻き付けられたヒータ部材５８を示す。 図７は、一実施形態に係るターゲット供給装置４の高電圧導入端子６０を示す。 図８は、一実施形態に係るターゲット供給装置４の電気絶縁材継手６４を示す。 図９は、第２実施形態に係るターゲット供給装置４を示す。 図１０は、図９のX−X線の断面図を示す。 図１１は、第２実施形態のターゲット供給装置４の絶縁部材６２に巻き付けられたヒータ５８を示す。 図１２は、第３実施形態に係るターゲット供給装置４を示す。 図１３は、第３実施形態に係るターゲット供給装置４の絶縁部材及びヒータを示す。 図１４は、図１３を別の角度から見た図を示す。 図１５は、図１３を上方から見た図を示す。 図１６は、図１２及び図１３のXVI−XVI線の断面図を示す。 図１７は、第３実施形態に係るターゲット供給装置４のジャケット６５の結合部を示す。 図１８は、第３実施形態に係るターゲット供給装置４のボルトヘッド付近の拡大図を示す。
実施形態
＜内容＞
１．用語の説明
２．極端紫外光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ターゲット供給装置を含む極端紫外光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．ターゲット供給装置の第１実施形態
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．ターゲット供給装置の第１実施形態
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．ターゲット供給装置の第１実施形態
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。図１以外の図面を用いて説明する実施形態において、図１に示す構成要素のうち、本開示の説明に必須でない構成については、図示を省略する場合がある。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。「チャンバ」は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をチャンバ内に供給する装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１０は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いてもよい（ＥＵＶ光生成装置１０及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１０は、チャンバ２及びターゲット供給装置４を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置４は、例えば、チャンバ２の壁に取り付けられてもよい。ターゲット供給装置４から供給されるターゲット２２７の材料は、スズ（Ｓｎ）、若しくはスズに、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれかを組み合わせたものでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点、及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ発生位置、すなわちプラズマ生成領域２５又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置、すなわち中間焦点２９２に位置するように配置されるのが好ましい。中間焦点はＩＦである。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられてもよい。
ＥＵＶ光生成装置１０は、ＥＵＶ光生成制御装置１１を含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１０は、ターゲットセンサ４０を含んでもよい。ターゲットセンサ４０は、ターゲットの存在、軌道、位置の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４０は、撮像機能を有していてもよい。
更に、ＥＵＶ光生成装置１０は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置してもよい。
更に、ＥＵＶ光生成装置１０は、ビームデリバリーシステム３６、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するターゲット回収器２８などを含んでもよい。ビームデリバリーシステム３６は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、この光学素子の位置または姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
２．２ 動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、ビームデリバリーシステム３６を経てパルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
ターゲット供給装置４は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。レーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１を含む放射光が生成されてもよい。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されるとともに集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３に反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御装置１１は、ＥＵＶ光生成システム１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御装置１１は、ターゲットセンサ４０によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御装置１１は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミングの制御およびターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。ＥＵＶ光生成制御装置１１は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
３．ターゲット供給装置４を含むＥＵＶ光生成装置１０
３．１ 構成
次に、ターゲット供給装置４を含むＥＵＶ光生成装置１０について説明する。
図２は、一実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１０を示す。
図２に示すように、本実施形態によるＥＵＶ光生成装置１０は、チャンバ２と、ターゲット供給装置４と、遅延回路１１５と、ＥＵＶ光生成制御装置１１と、ビームデリバリーシステム３６と、を含んでもよい。
チャンバ２は、チャンバ本体２ａと、第１支持部材２ｂと、第２支持部材２ｃと、を含んでもよい。チャンバ２は、ウィンドウ２１と、レーザ光集光ミラー２２と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収器２８と、平面ミラー３７と、が設置されてもよい。
ターゲット供給装置４に含まれるターゲット供給部５、ウィンドウ２１及びターゲット回収器２８は、チャンバ本体２ａに設置されてもよい。レーザ光集光ミラー２２及び平面ミラー３７は、第１支持部材２ｂに設置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第２支持部材２ｃに設置されてもよい。ビームデリバリーシステム３６は、レーザ光の進行方向を規定する光学素子３６ａ、３６ｂを備えてもよい。光学素子３６ａ、３６ｂは、位置または姿勢を調整するための不図示のアクチュエータに接続されてもよい。なお、遅延回路１１５は、ＥＵＶ光生成制御装置１１内部に構成されてもよい。
３．２ 動作
次に、ターゲット供給装置４を含むＥＵＶ光生成装置１０の動作について説明する。
ＥＵＶ光生成制御装置１１は、ターゲット２７を出力させる制御信号をターゲット供給装置４に送信してもよい。ＥＵＶ光生成制御装置１１は、ターゲット２７の軌道が所定の範囲に安定した場合、ターゲット２７の出力に同期したトリガ信号を、遅延回路１１５を介してレーザ装置３に出力してもよい。遅延回路１１５は、トリガ信号を所定時間遅延させてもよい。トリガ信号の遅延時間は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達した時にパルスレーザ光３３がターゲット２７に照射されるように設定されてもよい。
図２を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、ビームデリバリーシステム３６、レーザ集光ミラー２２及び平面ミラー３７を経てパルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
ターゲット供給装置４は、ターゲット２７のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射されてプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が生成され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって露光装置６に出力されてもよい。
３．３ 課題
次に、参考例を用いて、ターゲット供給装置４を含むＥＵＶ光生成装置１０の課題について説明する。
図３は、参考例を用いてターゲット供給装置４の課題を説明するための図を示す。
参考例のターゲット供給装置４は、ターゲット制御装置４１、圧力調節器４２、ＤＣ電圧電源４３、パルス電圧生成器４４、温度制御部４５、ヒータ用電源４６、及びターゲット供給部５を含んでもよい。
ターゲット供給部５は、タンク５１、タンク用蓋５２、ノズル５３、引出電極５４、電極支持部材５５、ケース５６、ケース用蓋５７、ヒータ５８、温度センサ５９、電圧導入端子６０、及び中継端子６１を含んでもよい。
参考例のターゲット供給装置４は、液体のスズをターゲットとして出力してもよい。スズは、タンク５１内において、融点（２３１．９℃）よりも高い温度で保持されるとよい。このため、タンク５１は、ヒータ５８によって、所定温度に加熱されてもよい。所定温度は、例えば２５０℃〜３００℃であってよい。
また、液体のスズをターゲットとして放出するために、タンク５１には、チャンバ２に対して１０ｋＶ〜２０ｋＶ程度の電位差が印加される場合があってもよい。この場合、タンク５１とヒータ５８とは、電気的に絶縁されることが望ましい。
参考例のターゲット供給装置４では、ヒータ５８及び温度センサ５９は、タンク５１に直接設置されてもよい。タンク５１とヒータ５８間及びタンク５１と温度センサ５９間でブレークダウンするのを抑制するため、ヒータ５８に接続されるヒータ用電源４６及び温度センサ５９に接続される温度制御部４５は、ＤＣ電圧電源４３の出力に接続されてもよい。
ヒータ用電源４６及び温度制御部４５がＤＣ電圧電源４３に接続されるので、ヒータ用電源４６及び温度制御部４５を駆動するための電力は、直接商用電力端子とは絶縁された状態で供給されるのがよい。このため、例えばヒータ用電源４６及び温度制御部４５は、絶縁トランス１００を介してＡＣ１００Ｖ電源１０１に接続されてもよい。すなわち、ターゲット生成装置４は、絶縁トランス１００によって、装置全体として電気的に接地電位に対して絶縁されてもよい。
ターゲット生成装置４を、絶縁トランス１００によって、装置全体として電気的に絶縁するには、既存の装置全体が絶縁されなければならず、多大な労力、時間、及びコストが必要となるおそれがある。
４．ターゲット供給装置の第１実施形態
４．１ 構成
次に、第１実施形態のターゲット供給装置４について説明する。
図４は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を示す。図５は、図４のV−V線の断面図を示す。
第１実施形態のターゲット供給装置４は、ターゲット制御装置４１、圧力調節器４２、ＤＣ電圧電源４３、パルス電圧生成器４４、温度制御部４５、ヒータ用電源４６、ターゲット供給部５、及び電源１０２を含んでもよい。
ターゲット供給部５は、タンク５１、タンク用蓋５２、ノズル５３、引出電極５４、電極支持部材５５、ケース５６、ケース用蓋５７、ヒータ５８、温度センサ５９、高電圧導入端子６０、及び中継端子６１、絶縁部材６２、及び温度センサ端子６３を含んでもよい。
タンク５１は、液体のスズ（Ｓｎ）と反応し難いモリブデン（Ｍｏ）またはタングステン（Ｗ）で形成されてもよい。タンク５１は、スズを貯蔵する空間を画定するタンク部５１ａ及びタンク部５１ａより下方に形成され、タンク部５１ａの空間より径の短い通路を画定する通路部５１ｂを含んでもよい。タンク部５１ａの端部は、タンク用蓋５２によって、シールされてもよい。
タンク用蓋５２は、液体のスズと反応し難いモリブデンまたはタングステンで形成されてもよい。タンク用蓋５２には、第１圧力調節孔５２ａが形成されてもよい。第１圧力調節孔５２ａには、圧力調節器４２に接続される金属配管６４ｃが挿入されてもよい。
通路部５１ｂの先端には、ノズル５３が設置されてもよい。ノズル５３の材料は、モリブデンまたはタングステンでもよい。ノズル５３には、ノズル孔５３ａが形成されてもよい。
ノズル孔５３ａは、通路部５１ｂが画定する通路に連結されてもよい。ノズル孔５３ａの断面は、円形でもよい。ノズル孔５３ａは、通路部５１ｂから下方に向かうにしたがって直径が小さくなる形状でもよい。ノズル孔５３ａの先端の直径は、数μｍ〜１０μｍでもよい。ノズル５３は、図示しないピエゾ素子が取り付けられてもよい。
引出電極５４は、電極支持部材５５を介してノズル５３に設置されてもよい。引出電極５４には、ターゲット通過孔５４ａが形成されてもよい。ターゲット通過孔５４ａは、ノズル孔５３ａのターゲット進行方向の下流側に配置されてもよい。ノズル５３と引出電極５４は、電極支持部材５５によって絶縁されてもよい。
温度センサ５９は、温度制御部４５に連結された光ファイバを含んでもよい。温度制御部４５の一部と、光ファイバがファイバ温度計として機能してもよい。タンク部５１ａと絶縁部材６２の間には、センサ貫通孔７０が形成されてもよい。温度センサ５９としての光ファイバは、センサ貫通孔７０に設置されてもよい。光ファイバは複数存在してもよく、複数のセンサ貫通孔７０を介して、タンク５１の複数の部位に配置されてもよい。温度制御部４５は、タンク５１の光ファイバ先端が設置された部位の温度を計測してもよい。
タンク５１、タンク用蓋５２、ノズル５３、引出電極５４、電極支持部材５５、ヒータ５８、温度センサ５９、及び絶縁部材６２は、ケース５６に収納されてもよい。ケース５６は、チャンバ２に設置されてもよい。ケース５６は、導電体で構成されていてもよい。ケース５６には、貫通孔５６ａが形成されてもよい。貫通孔５６ａは、ノズル孔５３ａ及びターゲット通過孔５４ａに対してターゲット進行方向の下流側に配置されてもよい。
ケース５６の一方の端部には、ケース用蓋５７が配置されてもよい。ケース用蓋５７には、第２圧力調節孔５７ａが形成されてもよい。ケース用蓋５７は、電気絶縁体で構成されていてもよい。第２圧力調節孔５７ａには、圧力調節器４２に接続される金属配管６４ｃが挿入されてもよい。ケース５６及びチャンバ２は、接地されてもよい。
ターゲット制御装置４１は、圧力調節器４２、ＤＣ電圧電源４３、パルス電圧生成器４４、及び温度制御部４５に接続されてもよい。温度制御部４５は、ヒータ用電源４６に接続されてもよい。
ＤＣ電圧電源４３は、高電圧ケーブル６０１を介してタンク５１に接続されてもよい。パルス電圧生成器４４は、高電圧ケーブル６０２を介して引出電極５４に接続されてもよい。ヒータ用電源４６は、ヒータ５８に接続されてもよい。電源１０２は、３相１００Ｖであって、ターゲット制御装置４１、圧力調節器４２、温度制御部４５、及びヒータ用電源４６に接続されてもよい。
図６は、第１実施形態のターゲット供給装置４の絶縁部材６２に巻き付けられるヒータ５８を示す。
絶縁部材６２は、アルミナセラミックス等のセラミック材料でもよい。絶縁部材６２は、タンク５１の周囲外面の少なくとも一部に内面が当接する当接部６２ａと、当接部６２ａの端部にタンク５１から離れる方向へ突出する突出部６２ｂと、を含んでもよい。
ヒータ５８は、アルミナセラミックス等のセラミック材料であり、可撓性を有する絶縁シート５８ａと、タングステン又はモリブデン等の金属配線から形成される電熱線５８ｂと、を含んでもよい。ヒータ５８は、絶縁部材６２の当接部６２ａの外周に、電熱線５８ｂを外側にして巻き付けられてもよい。その後、ヒータ５８と絶縁部材６２は、焼成されてもよい。すなわち、ヒータ５８の電熱線５８ｂは、絶縁部材６２及び絶縁シート５８ａの外側に露出した状態で、タンク５１の周囲に設置されてもよい。
なお、ヒータ５８は、絶縁部材６２を用いずに、タンク５１に直接巻き付けられてもよい。すなわち、ヒータ５８は、絶縁シート５８ａがタンク５１に当接するようにタンク５１の周囲に設置されてもよい。加えて、ヒータ５８は、電熱線５８ｂが絶縁シート５８ａの外側に露出した状態で設置されてもよい。この場合、絶縁シート５８ａが絶縁部材を構成してもよい。
図７は、一実施形態に係る高電圧導入端子６０を示す。
ケース用蓋５７には、図４に示すように、端子用孔が形成されてもよい。端子用孔には、高電圧導入端子６０、中継端子６１、及び温度センサ端子６３が挿入されてもよい。高電圧導入端子６０は、両端に高電圧ケーブル６０１が接続された導電体が、外周を構成する、アルミナ等のセラミックで形成された絶縁体を貫通した構造でもよい。高電圧導入端子６０の外周部絶縁体は、ケース用蓋５７及び高電圧ケーブル６０１に対して気密して固定されてもよい。中継端子６１及び温度センサ端子６３は、高電圧導入端子６０と同様の構造を有してもよい。
図８は、一実施形態に係る電気絶縁材継手６４を示す。
電気絶縁材継手６４は、アルミナ等のセラミックで形成されるセラミック管６４ａと、セラミック管６４ａと金属配管６４ｃとを密閉状態で連結するステンレス等の配管継手６４ｂと、を含んでもよい。セラミック管６４ａと配管継手６４ｂとは、銀等の金属でロウ付けされ、気密して固定されてもよい。電気絶縁材継手６４は、図４に示すように、圧力調節器４２とタンク５１との間を連結する金属配管６４ｃの少なくとも一部に設置されてもよい。
４．２ 動作
次に、ターゲット供給装置４の動作について説明する。
ターゲット制御装置４１は、ＥＵＶ光生成制御装置１１から送信された信号に基づいて、圧力調節器４２、ＤＣ電圧電源４３、パルス電圧生成器４４、及び温度制御部４５に制御信号を送信してもよい。ターゲット制御装置４１は、圧力調節器４２及び温度制御部４５から制御信号を受信してもよい。温度制御部４５は、ヒータ用電源４６に制御信号を送信してもよい。
ターゲット制御装置４１は、ＥＵＶ光生成制御装置１１からターゲットの生成信号を受信してもよい。
ターゲット制御装置４１は、タンク５１内のスズ（Ｓｎ）の温度が融点（２３２℃）以上の所定の温度（例えば、約２５０℃）になるように、温度制御部４５に目標温度を指示する信号を送信してもよい。
温度制御部４５は、温度センサ５９の測定したタンク５１の温度を示す信号を温度センサ５９から受信してもよい。温度制御部４５は、温度センサ５９からの信号に基づいて、ヒータ５８に供給する電力を指示する信号を、ヒータ電源４６へ送信してもよい。
このようにして、温度制御部４５は、タンク５１がターゲット制御装置４１によって指示された目標温度となるよう各部を制御してもよい。温度制御部４５は、制御状態を表す信号として温度センサ５９の測定したタンク５１の温度を示す信号を、ターゲット制御装置４１に送信してもよい。
ターゲット制御装置４１は、タンク５１内のスズに所定の圧力を付与するように、目標圧力を示す信号を、圧力調節器４２に送信してもよい。所定の圧力は、１〜１０ＭＰａでもよい。圧力調節器４２は、内蔵された圧力センサからタンク５１内の圧力を示す信号を受信してもよい。圧力調節器４２は、不図示の不活性ガスのボンベに接続されていてもよく、ボンベから減圧した不活性ガスをタンク５１内に供給するよう構成されていてもよい。圧力調節器４２は、圧力センサからの信号に基づいて、内蔵された給気弁及び排気弁によってタンク５１内に供給する不活性ガスの圧力を調節してもよい。制御状態を表す信号として、圧力センサの測定したタンク５１の圧力を示す信号を、ターゲット制御装置４１に送信してもよい。
ターゲット制御装置４１は、タンク５１と引出電極５４の電位が所定の電位（例えば、２０ｋＶ）となるように、ＤＣ電圧電源４３とパルス電圧生成器４４を制御してもよい。
その後、ターゲット制御装置４１は、ターゲットを生成する準備が整ったことを示す信号をＥＵＶ光生成制御装置１１に送信してもよい。ターゲット制御装置４１は、ＥＵＶ光生成制御装置１１からターゲットを生成する際のトリガ信号を受信してもよい。
ターゲット制御装置４１は、受信したトリガ信号に同期して、パルス電圧生成器４４が、引出電極５４に所定の繰り返し周波数で所定パルス幅のパルス電位を印加するよう制御してもよい。所定の繰り返し周波数は、例えば、１００ｋＨｚでよく、所定のパルスは、例えば、幅１〜２μｓでよい。また、引出電極５４に印加する電位は２０ｋＶ→１５ｋＶ→２０ｋＶのように変化する電位でもよい。
パルス電位が印加されると、タンク５１内の液体スズは、タンク５１と引出電極５４の電位差による静電気力によってノズル孔５３ａから引き出されてもよい。ノズル孔５３ａから引き出された液体スズは、表面張力により、ノズル孔５３ａにしばらくとどまってもよい。その後、引き出された液体スズに電界が集中して、静電気力がさらに大きくなってもよい。静電気力が表面張力より大きくなると、液体スズは、ノズル孔５３ａから分離し、正に帯電したターゲット２７が形成されてもよい。その後、ターゲット２７は、引出電極５４のターゲット通過孔５４ａを通過してもよい。
４．３ 作用
次に、ターゲット供給装置４の作用について説明する。
ヒータ５８は、絶縁部材６２を介してタンク５１の周囲に設置されて、ヒータ５８とタンク５１が絶縁されてもよい。この構成により、ヒータ５８の電源ラインに絶縁トランスを介して給電しなくてもよい。ヒータ用電源４６は、３相１００Ｖの電源１０２に直接接続されてもよい。
ヒータ５８の電熱線５８ｂは、絶縁部材６２及び絶縁シート５８ａの外側に露出した状態で、タンク５１の周囲に設置されているので、組み立て後に配線をすることができ、容易に配線してもよい。なお、絶縁シート５８ａのみを絶縁部材として使用してもよい。
温度センサ５９として光ファイバを使用することで、温度制御器４５とタンク５１が絶縁されてもよい。この構成により、温度制御器４５の電源ラインに絶縁トランスを介して給電しなくてもよい。温度制御器４５は、３相１００Ｖの電源１０２に直接接続されてもよい。
絶縁部材６２は、タンク５１に当接する当接部６２ａと、当接部６２ａの端部から突出する突出部６２ｂと、から形成されるので、タンク５１とヒータ５８との沿面距離を長くすることが可能となる。
５．ターゲット供給装置の第２実施形態
５．１ 構成
次に、第２実施形態のターゲット供給装置４について説明する。
図９は、第２実施形態に係るターゲット供給装置４を示す。図１０は、図９のX−X線の断面図を示す。
第２実施形態のターゲット供給装置４では、ターゲット供給部５のヒータ５８は、電熱線５８ｂを絶縁部材６２に当接させ、電熱線５８ｂの外側に絶縁シート５８ａが配置されてもよい。その他の構造は、第１実施形態と同様でもよい。
図１１は、第２実施形態に係るターゲット供給装置４の絶縁部材６２に巻き付けられたヒータ５８を示す。
ヒータ５８は、アルミナセラミックス等のセラミック材料の絶縁部材から形成される絶縁シート５８ａと、タングステン又はモリブデン等の金属配線から形成される電熱線５８ｂと、を含んでもよい。ヒータ５８は、絶縁部材６２の当接部６２ａの外周に、電熱線５８ｂを内側にして巻き付けられてもよい。その後、ヒータ５８と絶縁部材６２は、焼成されてもよい。すなわち、ヒータ５８の電熱線５８ｂは、絶縁シート５８ａと絶縁部材６２の間に挟まれた状態で、タンク５１の周囲に設置されてもよい。
５．２ 動作
次に、第２実施形態のターゲット供給装置４の動作について説明する。なお、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
温度制御部４５は、温度センサ５９からの信号に基づいて、ヒータ５８に供給する電力を指示する信号を、ヒータ電源４６へ送信してもよい。ヒータ電源４６は、ヒータ５８に電力を供給して、ヒータ５８を発熱させてもよい。ヒータ５８は、絶縁部材６２を介してタンク５１に熱を伝えて、タンク５１内の液体スズを所定の温度（例えば、２５０℃）に加熱してもよい。
５．３ 作用
ヒータ５８の電熱線５８ｂは、絶縁シート５８ａと絶縁部材６２の間に挟まれた状態で、タンク５１の周囲に設置されるので、電熱線５８ｂの熱からの放射が絶縁シート５８ａにより抑制され得る。
ヒータ５８の電熱線５８ｂが周囲に露出していないので、ヒータ５８の周囲の構造物の温度の上昇を抑えることが可能となる。加えて、電熱線５８ｂは、周囲に露出しないので、ショート等の不具合を低減させることができ、ヒータ５８を安定して作動させ得る。
６．ターゲット供給装置の第３実施形態
６．１ 構成
次に、第３実施形態のターゲット供給装置４について説明する。
図１２は、第３実施形態に係るターゲット供給装置４を示す。図１３は、第３実施形態に係る絶縁部材６２及びヒータ１５８を示す。図１４は、図１３を別の角度から見た図を示す。図１５は、図１３を上方から見た図を示す。図１６は、図１２及び図１３のXVI−XVI線の断面図を示す。
第３実施形態のターゲット供給装置４は、ターゲット供給部５のヒータ１５８と絶縁部材６２の間にジャケット６５が設置されてもよい。第３実施形態のうち、第１実施形態と同様の構成については、説明を省略する。
絶縁部材６２は、タンク５１の周囲に設置され、周方向で少なくとも２つに分割して設置されてもよい。分割された絶縁部材６２は、隙間６２ｘを形成して設置されてもよい。
ジャケット６５は、少なくとも２つに分割して設置された絶縁部材６２のそれぞれに対応し、絶縁部材６２の外周の少なくとも一部に当接して設置されてもよい。ジャケット６５は、熱伝導率の高い金属で構成されてもよい。例えば、ジャケット６５は、銅Ｃｕで構成されてもよい。少なくとも２つの部材に分割されたジャケット６５は、タンク５１及び絶縁部材６２を挟むように、ボルト６８及びナット６７によって結合されてもよい。
ヒータ１５８は、ジャケット６５の外表面に設置されてもよい。ヒータ１５８は、平板状であっても、第１実施形態及び第２実施形態のようにシート状でもよい。ヒータ１５８は、例えばセラミックヒータでもよい。ヒータ１５８は、少なくとも２つ設置すればよい。なお、図１３〜図１６では、ヒータ１５８に接続されるハーネスは、省略している。
図１７は、第３実施形態に係るターゲット供給装置４のジャケット６５の結合部を示す。 図１８は、第３実施形態に係るターゲット供給装置４のボルトヘッド付近の拡大図を示す。
ボルト６８は、ボルトヘッド６８ａと、ネジ部６８ｂと、を含んでもよい。ジャケット６５間のネジ部６８ｂの一部は、セラミック管６６で覆われてもよい。ボルトヘッド６８ａとジャケット６５の間には、平ワッシャ７１と、弾性部材としてのスプリングワッシャ７２と、が設置されてもよい。ナット６７とジャケット６５の間には、平ワッシャ７１と、弾性部材としてのスプリングワッシャ７２と、が設置されてもよい。
６．２ 動作
次に、第３実施形態のターゲット供給装置４の動作について説明する。なお、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
温度制御部４５は、温度センサ５９からの信号に基づいて、ヒータ１５８に供給する電力を指示する信号を、ヒータ電源４６へ送信してもよい。ヒータ電源４６は、ヒータ１５８に電力を供給して、ヒータ１５８を発熱させてもよい。発熱したヒータ１５８は、ジャケット６５及び絶縁部材６２を介してタンク５１に熱を伝えて、タンク５１内の液体スズを所定の温度（例えば、２５０℃）に加熱してもよい。
ヒータ１５８が発熱し、タンク５１内の液体スズが所定の温度に加熱されると、タンク５１、絶縁部材６２、及びジャケット６５は、熱膨張してもよい。タンク５１、絶縁部材６２、及びジャケット６５の熱膨張率は、βT＜βI＜βJ の関係を満足してもよい。ただし、βTは、タンク５１の熱膨張率、βIは、絶縁部材６２の熱膨張率、βJは、ジャケット６５の熱膨張率である。
ここで、一実施形態のタンク５１、絶縁部材６２、及びジャケット６５の熱膨張率を以下に示す。
タンク５１（モリブデン）の熱膨張率βT ５．２×１０-6
絶縁部材６２（アルミナ）の熱膨張率βI ７．７×１０-6
ジャケット６５（銅）の熱膨張率βJ １６．６×１０-6
タンク５１、絶縁部材６２、及びジャケット６５の熱膨張率は、異なっていてもよい。少なくとも２つの絶縁部材６２間には、隙間６２ｘが形成されているので、絶縁部材６２が熱膨張する際、その変形量は隙間６２ｘが収縮することで吸収されてもよい。ジャケット６５が熱膨張する際、その変形量はスプリングワッシャ７２が、弾性変形することによって吸収されてもよい。
６．３ 作用
絶縁部材６２は、熱膨張する際に、隙間６２ｘを埋めるように膨張するので、タンク５１と絶縁部材６２は面接触を保持することが可能となってよい。加えて、ジャケット６５が熱膨張する際、スプリングワッシャ７２が弾性変形して膨張を吸収し、ジャケット６５と絶縁部材６２は面接触を保持することが可能となってよい。
したがって、タンク５１、絶縁部材６２、及びジャケット６５は、熱膨張率の違いによる加熱時の接触の不具合を抑制して面接触を保持し得る一方、ヒータ１５８が発熱した熱を、ジャケット６５及び絶縁部材６２を介して、タンク５１に効率的に伝えることが可能となってよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、３…レーザ装置、４…ターゲット供給装置、５…ターゲット供給部、６…露光装置、１１…ＥＵＶ光生成制御装置、２１…ウィンドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１…放射光、２５２…ＥＵＶ光、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点、３１，３２，３３…パルスレーザ光、４０…ターゲットセンサ、４１ターゲット制御装置、４２…圧力調節器、４３…ＤＣ電圧電源、４４…パルス電圧生成器、４５…温度制御部、４６…ヒータ用電源、５１…タンク、５２…タンク用蓋、５３…ノズル、５４…引出電極、５５…電極支持部材、５６…ケース、５７…ケース用蓋、５８…ヒータ、５８ａ…絶縁シート、５８ｂ…電熱線、５９…温度センサ、６０…高電圧導入端子、６１…中継端子、６２…絶縁部材、６３…温度センサ端子、６４…電気絶縁材継手、６５…ジャケット、６６…セラミック管、６７…ボルト、６７ａ…ボルトヘッド、６７ｂ…ネジ部、６８…ナット、７０…センサ貫通孔、７１…平ワッシャ、７２…スプリングワッシャ（弾性部材）、１５８…ヒータ

Claims (6)

  1. 金属で形成され、内部にターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    前記タンク内部に連通する孔を備えたノズルと、
    前記タンクの周囲の少なくとも一部に当接する絶縁部材と、
    前記タンクとは離間し、前記絶縁部材を介して前記タンクを加熱するヒータと、
    を備えるターゲット供給装置であって、
    前記絶縁部材は、互いに隙間が画定されるように配置される少なくとも２つの絶縁部材から形成され、
    前記少なくとも２つの絶縁部材を前記タンクに接触させて保持するジャケットと、
    を備え、
    前記ヒータは前記ジャケットに配置され、
    前記タンク、前記絶縁部材、及び前記ジャケットの熱膨張率は、β T ＜β I ＜β J の関係を満足するターゲット供給装置。
    ただし、
    β T は、タンクの熱膨張率、
    β I は、絶縁部材の熱膨張率、
    β J は、ジャケットの熱膨張率、
    である。
  2. 金属で形成され、内部にターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    前記タンク内部に連通する孔を備えたノズルと、
    前記タンクの周囲の少なくとも一部に当接する絶縁部材と、
    前記タンクとは離間し、前記絶縁部材を介して前記タンクを加熱するヒータと、
    を備えるターゲット供給装置であって、
    前記絶縁部材は、互いに隙間が画定されるように配置される少なくとも２つの絶縁部材から形成され、
    前記少なくとも２つの絶縁部材を前記タンクに接触させて保持するジャケットと、
    を備え、
    前記ヒータは前記ジャケットに配置され、
    前記絶縁部材は、
    前記タンクに当接する当接部と、
    前記当接部の端部から突出する突出部と、
    を備えるターゲット供給装置。
  3. 前記ジャケットは、少なくとも２つの部材から構成され、
    前記少なくとも２つの部材を締結する締結部材と、
    前記締結部材と前記ジャケットの間に設置される弾性部材と、
    を更に備える、
    請求項１又は２に記載のターゲット供給装置。
  4. 前記ヒータの外周に設置される絶縁シートと、
    を備える請求項１又は２に記載されたターゲット供給装置。
  5. 外部から導入したレーザ光をターゲット物質に照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
    レーザ光が導入されるチャンバと、
    前記チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、金属で形成され、内部にターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    前記タンク内部に連通する孔を備えたノズルと、
    前記タンクの周囲の少なくとも一部に当接する絶縁部材と、
    前記タンクとは離間し、前記絶縁部材を介して前記タンクを加熱するヒータと、
    を備え、
    前記絶縁部材は、互いに隙間が画定されるように配置される少なくとも２つの絶縁部材から形成され、
    前記少なくとも２つの絶縁部材を前記タンクに接触させて保持するジャケットと、
    を備え、
    前記ヒータは前記ジャケットに配置され、
    前記タンク、前記絶縁部材、及び前記ジャケットの熱膨張率は、β T ＜β I ＜β J の関係を満足する極端紫外光生成装置。
    ただし、
    β T は、タンクの熱膨張率、
    β I は、絶縁部材の熱膨張率、
    β J は、ジャケットの熱膨張率、
    である。
  6. 外部から導入したレーザ光をターゲット物質に照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
    レーザ光が導入されるチャンバと、
    前記チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、金属で形成され、内部にターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    前記タンク内部に連通する孔を備えたノズルと、
    前記タンクの周囲の少なくとも一部に当接する絶縁部材と、
    前記タンクとは離間し、前記絶縁部材を介して前記タンクを加熱するヒータと、
    を備え、
    前記絶縁部材は、互いに隙間が画定されるように配置される少なくとも２つの絶縁部材から形成され、
    前記少なくとも２つの絶縁部材を前記タンクに接触させて保持するジャケットと、
    を備え、
    前記ヒータは前記ジャケットに配置され、
    前記絶縁部材は、
    前記タンクに当接する当接部と、
    前記当接部の端部から突出する突出部と、
    を備える極端紫外光生成装置。
JP2013034382A 2013-02-25 2013-02-25 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 Active JP6166551B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013034382A JP6166551B2 (ja) 2013-02-25 2013-02-25 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
US14/188,428 US8872126B2 (en) 2013-02-25 2014-02-24 Target supply device and extreme ultraviolet light generation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013034382A JP6166551B2 (ja) 2013-02-25 2013-02-25 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014164991A JP2014164991A (ja) 2014-09-08
JP6166551B2 true JP6166551B2 (ja) 2017-07-19

Family

ID=51387197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013034382A Active JP6166551B2 (ja) 2013-02-25 2013-02-25 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8872126B2 (ja)
JP (1) JP6166551B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5739099B2 (ja) * 2008-12-24 2015-06-24 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路
CA2739362A1 (en) * 2011-05-06 2012-11-06 Gotohti.Com Inc. Fluid level gauge
NL2017835A (en) 2015-12-17 2017-07-07 Asml Netherlands Bv Droplet generator for lithographic apparatus, euv source and lithographic apparatus
WO2018138886A1 (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び極端紫外光生成システム
TWI840411B (zh) 2018-09-24 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 目標形成設備
NL2024077A (en) 2018-10-25 2020-05-13 Asml Netherlands Bv Target material supply apparatus and method

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0320098Y2 (ja) * 1986-05-02 1991-04-30
US6276589B1 (en) * 1995-09-25 2001-08-21 Speedline Technologies, Inc. Jet soldering system and method
US6520402B2 (en) * 2000-05-22 2003-02-18 The Regents Of The University Of California High-speed direct writing with metallic microspheres
US7405416B2 (en) * 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
DE10350614B4 (de) * 2003-10-30 2007-11-29 Bruker Daltonik Gmbh Dispenser
US7060975B2 (en) * 2004-11-05 2006-06-13 Agilent Technologies, Inc. Electrospray devices for mass spectrometry
JP4252068B2 (ja) * 2006-02-02 2009-04-08 正生 大橋 アース端子受け治具
JP5076087B2 (ja) * 2006-10-19 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及びノズル保護装置
US7872245B2 (en) * 2008-03-17 2011-01-18 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
CH700127A1 (de) * 2008-12-17 2010-06-30 Tecan Trading Ag System und Vorrichtung zur Aufarbeitung biologischer Proben und zur Manipulation von Flüssigkeiten mit biologischen Proben.
JP5551426B2 (ja) * 2008-12-19 2014-07-16 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
JP5739099B2 (ja) * 2008-12-24 2015-06-24 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路
US8263943B2 (en) * 2009-01-15 2012-09-11 Hitachi High-Technologies Corporation Ion beam device
JP5455661B2 (ja) * 2009-01-29 2014-03-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US8642974B2 (en) * 2009-12-30 2014-02-04 Fei Company Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation
JP5687488B2 (ja) * 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP5702164B2 (ja) * 2010-03-18 2015-04-15 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置
JP5921876B2 (ja) * 2011-02-24 2016-05-24 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP5662214B2 (ja) * 2011-03-18 2015-01-28 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
JP5789443B2 (ja) * 2011-08-03 2015-10-07 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法
JP2013140771A (ja) * 2011-12-09 2013-07-18 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014164991A (ja) 2014-09-08
US8872126B2 (en) 2014-10-28
US20140239203A1 (en) 2014-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6166551B2 (ja) ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP5593485B2 (ja) レーザ生成プラズマｅｕｖ光源におけるターゲット材料送出のための装置
US8742378B2 (en) Target supply unit
JP5511705B2 (ja) ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP6134130B2 (ja) ターゲット生成条件判定装置及びターゲット生成システム
US20130146682A1 (en) Target supply device
JP5921879B2 (ja) ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP5789443B2 (ja) ターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法
EP2051140A1 (en) An extreme ultraviolet light source device and a method for generating extreme ultraviolet radiation
JP6077822B2 (ja) ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法
JP5946649B2 (ja) ターゲット供給装置
JP6103894B2 (ja) ターゲット供給装置
US9233782B2 (en) Target supply device
JP5901058B2 (ja) ターゲット供給装置
JP6374958B2 (ja) Ｅｕｖ光学リソグラフィ装置用の放射源及び当該放射源を備えるリソグラフィ装置
JP2013182864A (ja) ターゲット供給装置
JP2014032778A (ja) ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法
WO2016084167A1 (ja) 加振ユニット、ターゲット供給装置および極端紫外光生成システム
US20140209819A1 (en) Target supply device and euv light generation chamber
WO2019167234A1 (ja) ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
JP2006351435A (ja) プラズマ発生装置
JP2011192455A (ja) 電子管
JP2013077381A (ja) Ｘ線管

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160108

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20160721

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161122

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20161124

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170316

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170524

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170623

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6166551

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250