JP2006086119A - 短波長電磁放射線をエネルギービームによって誘導発生させるための再現可能なターゲット流れを供給する装置 - Google Patents

短波長電磁放射線をエネルギービームによって誘導発生させるための再現可能なターゲット流れを供給する装置 Download PDF

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Abstract

【課題】短波長電磁放射を誘導発生させるための再現可能なターゲット流れを供給する構成を提供する。
【解決手段】プラズマ(5)を生成するための繰り返し供給されるターゲット流れ(21)を提供して、多数の個別のプラズマ発生プロセスにわたって、所定のプロセス条件の下でいかなるターゲット材料に対しても、ターゲット流れ(21)の高い指向安定性を確保する。相互作用チャンバ内(1)において、ターゲットノズル(2)とプラズマ(5)を発生させる相互作用点(23)との間にノズル防護装置(4)を設けること、及び、このノズル防護装置(4)が1つのガス圧力チャンバ(41)を備える。このガス圧力チャンバ(41)は、ターゲットの流路(22)に沿って、ターゲット流れ(21)の障害にならない通路となる開口(42)を有しており、又このガス圧力チャンバ(41)には、約10mbarの圧力に保持される緩衝ガス(6)が充満される。
【選択図】図1

Description

本発明は、短波長の放射線を射出するプラズマ、特にEUV放射を発生させるプラズマをエネルギービームによって誘導生成するための再現可能なターゲット流れを供給する装置に関するものである。本発明は、特に、半導体チップ製造用の投影型リソグラフィに応用される。
エネルギービームによって誘導されるプラズマ励起に基づく放射源で、長期間安定な用途、例えば半導体製造におけるEUVリソグラフィに用いられる放射源は、要求される高い指向安定性を非常に多数の個別のプラズマ発生プロセスにわたって維持するために、ターゲット供給用のきわめて耐久性の高い注入システムを備える必要がある。
XTREME社(XTREME Technologies GmbH)がターゲットノズルの稼動寿命について行った系統的な研究によって、約100万回のプラズマ発生プロセスを経た後のノズルは、エロージョンによって不安定なターゲット流れを作り出すことが明らかにされた。プラズマによって所要の放射と共に不可避的に放散される飛散粒子(イオン又は原子)が、ノズル開口部のエロージョンの原因であると結論されている。
エネルギービームによって誘起されるXUVプラズマ(特にレーザ励起EUVプラズマ)においては、従来技術によれば、質量制限ターゲット、すなわちエネルギービームと相互作用する領域内で放射に励起され得るに近い量の原子を供給するターゲットが用いられる。この種の質量制限ターゲットは、好ましくは、明らかに1ミリメータより小さい(少なくとも1つの寸法次元において)直径の液滴ターゲットの流れ又は噴流ターゲットの流れであるが、このターゲットは、十分には励起されないターゲット材料の蒸発過程を最小化し、かつ相互作用チャンバ内における飛散粒子(通常デブリと呼称される)の発生を最小化する目的を有している。しかし、プラズマからのデブリの発生を全体的に抑止することはできない。
従来技術のEUV放射源においては、プラズマからのこの種の飛散の影響が、ターゲットノズルに関しては明らかにまだ調査されていない。これは、デブリの低減に関する文献が、専ら使用する光学素子の稼動寿命に関連したものであるという事実に鑑みても窺われることである。例えば、特許文献1は、放射源と光学素子との間に位置する、ハニカム構造としての集光光学素子用防護フィルターを開示している。粒子とバックグラウンドのガスとの相互作用の結果、粒子の運動が阻害されて、フィルター壁面に凝縮される。しかし、このフィルターは射出される放射の光学的光路に配置されるので、相互作用チャンバ内で射出されたEUV放射に対して、大きな立体角範囲において十分に高い透明度が保証されなければならず、このため、一方では、圧力を十分に低く(真空)して相互作用チャンバ内のガス雰囲気が発生放射をできるだけ吸収しないようにし、他方では、フィルターのハニカム構造が投射する影を最小化するようにしなければならない。
次にも述べるように、従来技術から、本発明に類似点を有する解決策を知ることができるが、しかし、それらによって本発明の教示が明白になることはない。
例えば、特許文献2は、ターゲットノズルのすぐ周囲に設けられた圧力容器で、液滴ターゲットを生成する役割を果たし、特にキセノン液滴のターゲット形成を強化する緩衝ガスを含む圧力容器を説明している。その緩衝ガスを続いて吸引することができるもう1つの周囲のチャンバが液滴ターゲットをさらに加速し、液滴ターゲット間の間隔を調整する。ターゲットノズルへの反作用に関する記述は見当たらない。
さらに、半導体チップ製造において必要とされるような高い平均出力を備えた放射源については、ノズルが吸収するプラズマからの放射によって、劣化の過程がノズルにも同様に生じることが明らかにされてきた。この劣化は、ノズル開口における放射の吸収による不可逆的及び可逆的両方の熱変化を意味しているが、これは、―少なくとも一時的に―ターゲット噴流の指向安定性の顕著な悪化をもたらすものである。
長時間にわたって繰り返し供給される連続ターゲット噴流の安定化における一連の問題に関しては、特許文献3が、連続ターゲット噴流を短波長の放射源用の安定なターゲット流れとして供給するステップを開示している。しかし、長い稼動期間にわたるノズルのエロージョンによって噴流の安定性が低下する問題は検証されていない。従って、適切な対応策に関する指針もないのである。
国際公開第99/42904号パンフレット 米国特許出願公開第2003/0223546号明細書 国際公開第97/40650号パンフレット
本発明の目的は、短波長の放射を射出するプラズマを生成するための繰り返し供給されるターゲット流れを供給する新規な可能性を見出すことにあり、それにより、多数の個別のプラズマ発生プロセスにわたって、所定のプロセス条件の下で、いかなる蒸気圧を有するターゲット材料に対してもターゲット流れの高い指向安定性を確保する。
短波長の放射を射出するプラズマ、特にEUV放射を発生させるプラズマをエネルギービームによって誘導生成するための再現可能なターゲット流れを供給する装置であって、ターゲット材料を加圧下で相互作用チャンバ内に導入するためのターゲットノズルが設けられ、エネルギービームが相互作用チャンバ内の相互作用点においてターゲット流れに向けられる装置において、上記の目的が、本発明によれば次のような方策によって達成される。すなわち、この方策は、相互作用チャンバ内で、ターゲットノズルとプラズマを発生させる相互作用点との間にノズル防護装置を設けること、及び、このノズル防護装置が1つのガス圧力チャンバを備えていることである。このガス圧力チャンバは、ターゲットの流路に沿って、ターゲット流れの障害にならない通路となる開口を有しており、又このガス圧力チャンバには緩衝ガスが充満され、その緩衝ガスは、プラズマからの飛散粒子がこのガス圧力チャンバを横切る際に緩衝ガス粒子と少なくとも1000回衝突するような圧力に保持される。
約10mbarの圧力範囲においてすでに、エネルギー飛散粒子は、ガス圧力チャンバを通過して数ミリメータの距離を進む間に緩衝ガスの粒子と数1000回衝突し、その運動エネルギーを数桁の大きさで失う。当業者であれば、ガス圧力チャンバをさらに長くして緩衝ガスの圧力をさらに低下させた変形形態に直ちに思い至るであろう。
ノズル防護装置は、ガス圧力チャンバをその中に組み込んだ飛散防護プレートとして構成するのが有利である。ガス圧力チャンバは円筒形の開口を有しており、半径方向には、少なくとも1つの緩衝ガス供給用の流路を備える。
第1の変形形態においては、この飛散防護プレートは、均等に配置された複数の半径方向の流路を緩衝ガスのガス供給路として具備し、ガス圧力チャンバの周囲に同心に配置された円環状の配分流路を備えることが適切である。この円環状の配分流路は、半径方向の流路を連結し、いずれの半径方向流路にも合致しない位置に、少なくとも1つのガス流入開口を有している。
第2の変形形態においては、飛散防護プレートが上部端プレートと下部端プレートとを有していると有利であり、それぞれがターゲット流れの通路としての開口を備えている。上下両端プレートは、少なくとも1つのガス供給用流入開口を有する円環状の配分流路によって互いに平行に結合されている。ガス圧力チャンバの開口は、好ましくは円形の両端プレートに同軸の穿孔として配置することが適切である。
ノズル防護装置は、冷却剤の流路を備えた熱防護プレートを付加的に備えるか、あるいは冷却剤の流路をガス圧力チャンバの材料の中に熱防護用として組み込むと有利であることが判明している。
ガス圧力チャンバを備えたノズル防護装置は、相互作用チャンバ内で、ターゲットノズルから一定の距離をとって配置するのが有利である。
もう1つの好適な構造においては、ガス圧力チャンバが、相互作用チャンバ内で、ターゲットノズルの周りに直接配置される。ガス圧力チャンバが、ターゲットノズルの開口の周りに、ターゲットノズルを気密に包囲する前チャンバハウジングの形で配置されると有利である。この前チャンバハウジングは、ターゲット流れの軸に関して同心の開口を有しており、緩衝ガス供給用の少なくとも1つのガス供給路を備えている。
注入されるターゲット流れに関しては、主たるターゲット材料としてスズを用いることが有利であり、スズは必要な規定プロセス条件の下で液体化することができる。塩化スズ、好ましくは塩化スズ(IV)又は塩化スズ(II)のアルコール溶液又は水溶液が特にこの目的に適している。
ガス圧力チャンバ内に部分的な圧力を発生させる緩衝ガスとしては不活性ガスの使用が適切である。不活性ガスは窒素であってもよいし、他の任意の希ガスでもよいが、アルゴンが好ましい。又、不活性ガスの混合物、特にヘリウム及びネオンのような希ガスの混合物を使用することもできる。
>50mbarの蒸気圧を有するターゲット材料が使用されるノズル防護装置の特別な構造においては、ガス圧力チャンバ内の緩衝ガスが、相互作用チャンバ内におけるターゲット流れの蒸発によって、ガス状のターゲット材料から形成され、約10mbarの部分的な圧力が、ガス圧力チャンバを通過するターゲット材料の流れの蒸発によって調整される。これによって、緩衝ガスを別個に供給する必要がなくなる。
本発明のこの実施形態に対しては、液体キセノンをターゲット材料としてターゲットノズルから注入することが望ましい。
ターゲット材料の蒸発による圧力形成を支援するため、ガス圧力チャンバには、動圧を発生させるための少なくとも1つの狭められた開口を設けることが有利である。ガス圧力チャンバはたる型に成形されていることが好ましい。
本発明の根本的な発想は、プラズマに基づいた放射源のターゲットノズル(並びに集光光学素子)はプラズマからのデブリ放散と放射とによって損傷されるという理解に基づいている。しかし、ノズル防護については、光学素子とは違って、高い光学的透明性は要求されない。適正なノズル防護には、むしろ、単に液体のターゲット流れを妨害することがなくそれと干渉することがないような他の因子が必要である。従って、本発明は、フィルターを使用せず、それとは違うガス圧力チャンバを用いているのである。このガス圧力チャンバは、ターゲットの流路に沿って、ターゲットノズルとプラズマとの間に個々の開口を備えて配置され、そのガス圧力チャンバにおいて、ターゲットノズルが、準静的に調整された相対的に高い緩衝ガス圧力(相互作用チャンバ内の1mbar未満の真空に対して約10mbar)によって高速のデブリ粒子とプラズマが射出する放射とから遮蔽される。
本発明による解決策は、短波長の放射を射出するプラズマを生成するための繰り返し供給されるターゲット流れの提供を可能にするものであり、それにより、多数のプラズマ発生プロセスにわたって、それぞれのプロセス条件の下で、いかなる蒸気圧を有するターゲット材料に対してもターゲット流れの高い指向安定性を確保し、従って、長い稼動寿命を有する放射源を作り出すことを可能にする。
以下に、例となる実施形態を参照しながら本発明をさらに詳述する。
図1に概略的に示すように、本発明による装置は、相互作用チャンバ1、ターゲットノズル2を備えたターゲット生成器(図示せず)、エネルギービーム源(図示せず)が射出するエネルギービーム3、及び、ノズル防護装置4を含んでいる。ターゲットノズル2は、相互作用チャンバ1内に向いた開口を有しており、ターゲット流路22に沿って相互作用チャンバ1内にターゲット流れ21を注入して、エネルギービーム3が、相互作用点23においてターゲット流れ21と衝突し、所要の短波長放射(EUV放射)を射出するホットプラズマ5を局所的に発生させるようにする。
ノズル防護装置4は、ターゲットノズル2とプラズマ5との間に配置され、ガス圧力チャンバ41を備えている。なんらかの蒸気圧を有するターゲット材料(例えば、液体キセノン、スズ化合物、好ましくは水溶液又はアルコール溶液としての塩化スズ塩等)を含むターゲット流れ21は、ガス圧力チャンバ41の開口42を通過して、そのターゲット流路22に沿って流出する。
不活性ガスの緩衝ガス6(例えば、窒素又は希ガス)が、回転対称のガス圧力チャンバ41の中に、そのチャンバ41に半径方向に通じている少なくとも1つの流路43を通して加圧下で導入され、そのガス圧力チャンバ41の中に、プラズマ5からの飛散粒子51に対する短い自由行程距離の容積を生成する。本発明によれば、飛散粒子51が緩衝ガス6とおよそ1000回程度衝突するような容積が形成されると、十分な飛散防護が達成される。このことは、数ミリメートルの長さを有するガス圧力チャンバ41においては、約10mbarの圧力さえあれば生起する。調整されるべき圧力は、又、使用する緩衝ガス6によっても大きく変化する。
プラズマ5からの飛散粒子51は、ガス圧力チャンバ41の上記の容積サイズにおいて、緩衝ガス6のガス分子との衝突によって、ターゲットノズル2に達したときには最小限の作用しか及ぼしえない程度にまで減速される。この目的のため、ガス圧力チャンバ41内の緩衝ガス6の分子の質量に応じて、相互作用チャンバ1内を支配する真空圧力(<1mbar)に対して、数10mbarの準静的な(流体的には定常状態の)ガス圧力を真空ポンプによって形成しなければならない。図1では、この真空ポンプ11の1つが例示されている。
真空ポンプ11が相互作用点23における上記の真空圧力までの対応する圧力差を維持しさえすれば、プラズマ5から射出される放射52に対する緩衝ガス6の透明度はどれほど低くても差し支えない。
繰り返し供給されるターゲット流れ21は、一般的に、ターゲットノズル2を連続噴流24として流出し、ターゲット流路22に沿って一定の長さを移動した後に個々のターゲット25に分解するように構成される。ノズル防護装置4はターゲットノズル2の近くの位置に配置され、ターゲット流れ21はこの位置を連続噴流24の形で通過するのが望ましい。しかし、ターゲット流れ21は、ガス圧力チャンバ41の位置において個々のターゲット25の形になっていてもよい(場合によっては液滴発生器によってすでに一連の液滴として生成されている)。
図2は、約100万回のプラズマ発生プロセスの運転時間を経た後の従来技術による“無防備”ターゲットノズル2を示す写真である。エロージョンクレータ27が、ターゲットノズル2の出口開口26の周囲に不規則に配置されて生じていることが明白に認められる。クレータの形成は、プラズマ5からの放射の射出に必然的に同伴する飛散粒子51の放散によって惹起される。さらに加えて、ターゲットノズル2に同様に損傷を及ぼし、出口開口26の範囲のターゲットノズル2に可逆的及び不可逆的変化をもたらす高エネルギーの短波長放射(光子52)が存在する。特に、エロージョンクレータ27は、ターゲットノズル2から流出するターゲット噴流24の方向に影響を及ぼして空間的な不安定を招来するが、本発明を適用すると、これが大幅に低減される。
図3は、ガス圧力チャンバ41を流れる規定ガス密度のガス容積を備えた飛散防護プレート44の形のノズル防護装置4を示す。飛散防護プレート44は、相互作用チャンバ1の内側で、熱防護プレート47によって補助されている。飛散防護プレート44は、外周部の配分流路45から一様なガス供給を行うための複数の半径方向流路43を有している。ガスの流入開口は、加圧下で供給される緩衝ガス6用として、円環状の配分流路45に設けられる。
この例では、ターゲット流れ21は、互いに平行に配置される2つの防護プレート、すなわち飛散防護プレート44及び熱防護プレート47を、連続噴流24の形のままで横切り、その後個々のターゲット25に分解するように設計される。個々のターゲット25の選択された一部分が相互作用点においてレーザビーム31(エネルギービーム3の具体的な実現形態としての)に照射されてプラズマに転換する。相互作用チャンバ1内の条件は、図1に関して述べた状態に維持される。
熱防護プレート47はターゲット流れ21を通過させることができる開口42を有しており、適切な冷却剤を流すことができる冷却流路48が開口42の周囲に配置される。ターゲット流れ21は、妨害を受けることなく開口を通過し、又、プラズマ5からのあらゆるエネルギー粒子(例えば高速電子、イオン、無荷電の飛散粒子51、光子52等)に対する遮蔽となるので、熱負荷に対してターゲットノズル2を防護する。
熱防護プレート47は、プラズマ5とターゲットノズル2との間、好ましくはプラズマ5と飛散防護プレート44との間に配置される。熱防護プレート47は、ターゲットノズル2とガス圧力チャンバ41を具備する飛散防護プレート44とを含む全ターゲット注入構成において、対プラズマ5の熱遮蔽を形成する。
半径方向に配置される冷却剤用の冷却流路48は、好ましくは、熱防護プレート47の開口に関して星形形状に往復する流路ガイドを備えることができ、又ジグザグ構造にすることもできる。この冷却流路48は、又、飛散防護プレート44に直接組み込むことも可能である。
図4は、図3の飛散防護プレート44の特別な構造を、側面(上図)及び平面(下図)から見た2つの断面図において示している。この例においては、飛散防護プレート44は、円形で、ガス圧力チャンバ41の周りに均等に分布するように配置された6本の半径方向流路43を備えている。この6本の流路43は、緩衝ガス6を、同心の円環状配分流路45からガス圧力チャンバ41の中に均等に供給する。円環状配分流路45は、所要のガス圧力を準静的に調整するためのガス供給ユニット(図示せず)を接続するガス流入開口を有している。
図5は、相互の距離が規定された2枚の平行な終端プレート46を備えた2部分からなる飛散防護プレート44の2つの断面図を示す。終端プレート46の端部は外周部の円環状配分流路45に気密に連結されている。合同な終端プレート46のそれぞれは、飛散防護プレート44全体の中心軸に同軸の穿孔(この例では円筒形状に形成されている)として配置される開口42を有する。上記の例と同様にガス圧力チャンバ41内に約10mbarの準静的な圧力を調整するガス供給路は、円環状配分流路45の少なくとも1つの位置に連結され、ガス圧力チャンバ41に入射する飛散粒子51に対して、緩衝ガス6の分子が統計的平均として少なくとも1000回衝突することが実現されるようにする。緩衝ガス6のガス圧力を低下させることが望まれ又必要になった場合には、この構造の飛散防護プレート44においては、単に円環状配分流路45を大きくすることによって、終端プレート46間の距離を増大させることができる。
図6は、ターゲットノズル2の稼動寿命を増大させることができるターゲット注入システムの特殊な実現形態を示す。スズ塩(例えば、塩化スズ(II)又は塩化スズ(IV))の溶液の形態のターゲット材料は、ターゲットノズル2を通して、ターゲットノズル2に直接接しながらガス圧力チャンバ41の中に連続噴流24の形で圧出される。この場合は、ガス圧力チャンバ41は、ターゲットノズル2の周囲の完全閉鎖型前チャンバハウジング49として構成され、このチャンバハウジング49においては流路43が緩衝ガス6を加圧下で供給する。ターゲット材料は、前チャンバハウジング49から、開口42を通過して、好ましくはまだ連続噴流24のままで流出する。
前記の例ですでに述べたように、緩衝ガス6としては、不活性ガス(例えば、窒素、アルゴン又は別の希ガス)がガス圧力チャンバ41に使用される。緩衝ガス6は、ガス圧力チャンバ41内で飛散粒子51と導入された緩衝ガス6のガス分子とが近似的に1000回確実に衝突するようにするために、準静的な圧力がガス圧力チャンバ41内に調整されるように供給される。この圧力は、使用される緩衝ガス6に応じて、又、ガス圧力チャンバ41を貫通する流路長さ(ターゲット流路22に沿う)に応じて、数10mbarのチャンバ圧力に相当する。
緩衝ガス6の一部は、前チャンバハウジング49の開口42を通過して、ターゲット噴流24と共にガス圧力チャンバ41から流出し、真空排気される相互作用チャンバ1と共に、真空ポンプ11によって吸引排出される。この吸引排出は、ターゲット流れ21の個々のターゲット25と、プラズマ5から射出される短波長の放射例えばEUV放射のためのレーザビーム31との相互作用中に、相互作用チャンバ1内にガス雰囲気による透明性の低下が生じないように行われるものである。しかし、プラズマ5から射出される光子52に対する緩衝ガス6の透明性が低い場合には、それはノズルの防護にも有利である。この場合は、ガス圧力チャンバ41が同時に光学的遮蔽としても機能するからである。
プラズマ5から放散されるエネルギー粒子(高速飛散粒子51及び光子52からの高エネルギー放射)で、ガス圧力チャンバ41に達しそれを横切るエネルギー粒子は緩衝ガス6との衝突によって減速され、ターゲットノズル2における飛散率は“無防備”のターゲットノズル2に比較して顕著に低下する。これによって、ターゲットノズルの稼動寿命は大幅に増大し、すなわち、(従来技術を用いた場合の図2に見ることができるような)エロージョンクレータ27によるターゲット噴流24の不安定性は、(エネルギービーム3としての)レーザビーム31によるきわめて多数のパルス打ち込み(>100万回のプラズマ生成プロセス)後にも生じない。
図7は本発明の別の特殊な実施形態を示す。この“簡素化された”タイプの本発明の構造は、高い蒸気圧(>50mbar)を有するターゲット材料、例えばキセノンの使用を想定している。
キセノンが、液体の連続噴流24としてターゲットノズル2を流出すると、相互作用チャンバ1の真空雰囲気内で、ターゲット材料の蒸発又は昇華がその表面上で直ちに始まる。このようにして蒸発する噴流24が、僅かに狭まった2つの開口42を備えた隣接のガス圧力チャンバ41に流入すると、ガス圧力チャンバ41内で蒸発プロセスが継続し、ガス状キセノンによるかなりの圧力が生成されるに至る。このキセノンガスは、一方では、プラズマ5の相互作用点23において発生する短波長の放射(光子52)、特に所要のEUV範囲の放射に対する高度の吸収剤であり、他方では、キセノン分子の質量とサイズのために、プラズマ5からの飛散粒子51(デブリ)を減速させるための優れた緩衝ガス6である。
上記のように自己発生方式で生成した緩衝ガスで充満されたガス圧力チャンバ41を通過した後、ターゲット噴流24は、開口42を通ってガス圧力チャンバ41から流出し、ターゲット流路22に沿った短い距離の後で個々のターゲット25に分解する。その後、個々のターゲット25の選択された一部が、相互作用点23において通常方式によるレーザビーム31の照射を受け、放射性のプラズマ5に転換される。
当業者であれば、上述の構造に加えて、本発明の他のあらゆる実施形態を本発明の教示から逸脱することなく容易に導出することができるであろう。本発明の核心は、いかなる構造であれ、プラズマ5からのエネルギー粒子と放射とを減速又は吸収するガス圧力チャンバ41にある。この減速又は吸収は、プラズマ発生用の相互作用チャンバ1内で部分的に増大したガス圧力を通過するターゲット流れ21の流路に沿って生じるものであり、これによって、ターゲットノズルに対するプラズマ5の飛散の影響が最小化される。あらゆる場合において、これは、ターゲットノズルの稼動寿命の顕著な増大と、ターゲットノズル2によって形成されるターゲット流れ21の安定性の全体的な改善とをもたらす。
本発明による装置の原理を説明する図である。 約100万回のプラズマ発生プロセス(レーザパルス)を経た後の銅ノズルを正面から見たノズルエロージョンの写真である。 緩衝ガスが貫通して流れる飛散防護プレートを備えた構造上の変形形態を示す図であって、この緩衝ガスは、均等に分布するように、外側の円環状流路と半径方向に向けられた複数の流路とを経由してガス圧力チャンバに導入され、準静的な圧力を発生させる。 緩衝ガス供給用の6本の対称配置された半径方向の流路を備えた図3による飛散防護プレートの有利な実施形態を示す図である。 2枚の平行な終端プレートに分割された飛散防護プレートの有利な構造を示す図であって、終端プレートは、外周部に配置されたガス配分流路によって、規定された距離をもって相互に連結されている。 緩衝ガスが規定の圧力で導入されるノズル前チャンバを備えた本発明による装置の構造を示す図である。 図3に比較して変形された、ガスの供給を伴わない飛散防護プレートであって、高いガス圧力を有するターゲット材料例えばキセノン用に用いられ、ガス圧力チャンバ内の必要なガス密度がターゲット材料の蒸発によってもたらされる飛散防護プレートを示す図である。
符号の説明
1 相互作用チャンバ
11 真空ポンプ
2 ターゲットノズル
21 ターゲット流れ
22 ターゲット流路
23 相互作用点
24 連続噴流
25 個々のターゲット
26 出口開口
27 エロージョンクレータ
3 エネルギービーム
31 レーザビーム
4 ノズル防護装置
41 ガス圧力チャンバ
42 開口
43 流路
44 飛散防護プレート
45 円環状配分流路
46 終端プレート
47 熱防護プレート
48 冷却剤流路
49 前チャンバハウジング
5 プラズマ
51 飛散粒子
52 光子
6 緩衝ガス
Xe キセノン

Claims (25)

  1. 短波長の放射線を射出するプラズマ、特にEUV放射線を発生させるプラズマをエネルギービームによって誘導生成するための再現可能なターゲット流れを供給する装置であって、ターゲット材料を加圧下で相互作用チャンバ内に導入するためのターゲットノズルが設けられ、エネルギービームが上記相互作用チャンバ内の相互作用点でターゲット流れに向けられる装置において、
    前記相互作用チャンバ(1)内の、前記ターゲットノズル(2)とプラズマ(5)を発生させる前記相互作用点(23)との間にノズル防護装置(4)が設けられること、及び、このノズル防護装置(4)がガス圧力チャンバ(41)を備えており、このガス圧力チャンバ(41)は、ターゲットの流路(22)に沿って、ターゲット流れ(21)の障害にならない通路となる開口(42)を有しており、又このガス圧力チャンバ(41)には緩衝ガス(6)が充満され、その緩衝ガス(6)は、前記プラズマ(5)からの飛散粒子(51)がこのガス圧力チャンバ(41)を横切る際に前記緩衝ガス(6)の粒子と少なくとも1000回衝突するような圧力に保持されること、を特徴とする装置。
  2. 前記ノズル防護装置(4)が飛散防護プレート(44)として構成され、その中に前記ガス圧力チャンバ(41)が組み込まれており、このガス圧力チャンバ(41)は、円筒形状の開口(42)と、前記緩衝ガス(6)供給用の少なくとも1つの流路(43)とを有していることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  3. 前記飛散防護プレート(44)が、前記緩衝ガス(6)の供給流路として均等に配置する複数の半径方向流路(43)と、円環状配分流路(45)とを備えており、この円環状配分流路(45)は前記ガス圧力チャンバ(41)の周りに同心に配置されて、前記半径方向流路(43)を連結しており、さらに、この円環状配分流路(45)は、半径方向のいずれの流路(43)にも合致しない位置に少なくとも1つのガス流入開口を有していることを特徴とする、請求項2に記載の装置。
  4. 前記飛散防護プレート(44)が上部と下部の端プレート(46)とを有しており、その各プレートはターゲット流れ(21)の通路としての開口(42)を備えており、これらの終端プレート(46)は、少なくとも1つのガス供給用流入開口を有する円環状の配分流路(45)によって互いに平行に結合されていることを特徴とする、請求項2に記載の装置。
  5. 前記ガス圧力チャンバ(41)の開口(42)が、同軸の穿孔として円形の終端プレート(46)に配置されることを特徴とする、請求項4に記載の装置。
  6. 前記ノズル防護装置(4)が、冷却剤の流路(48)を含む熱防護プレート(47)を備えていることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  7. 前記熱防護プレート(47)の冷却剤流路(48)が、前記ガス圧力チャンバ(41)の材料(44;46;49)の中に組み込まれることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
  8. 前記ノズル防護装置(4)のガス圧力チャンバ(41)が、前記相互作用チャンバ(1)内で、前記ターゲットノズル(2)から所定距離の位置に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  9. 前記ノズル防護装置(4)のガス圧力チャンバ(41)が、前記相互作用チャンバ(1)内で、前記ターゲットノズル(2)の周りに直接配置されることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  10. 前記ガス圧力チャンバ(41)が、前記ターゲットノズル(2)を気密に包囲する前チャンバハウジング(49)によって前記ターゲットノズル(2)の開口(27)の周りに配置され、この前チャンバハウジング(49)は、前記ターゲット流れ(21)の軸に対して同心の開口(42)を有しており、前記緩衝ガス(6)供給用の少なくとも1つの流路(43)を備えていることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
  11. 前記ターゲット流れ(21)が、主たるターゲット材料としてスズを含んでおり、このターゲット材料は必要な規定プロセス条件の下で液体化することができることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  12. 前記ターゲット流れ(21)が塩化スズを含んでいることを特徴とする、請求項11に記載の装置。
  13. 前記ターゲット流れ(21)が塩化スズ(IV)を含んでいることを特徴とする、請求項12に記載の装置。
  14. 前記ターゲット流れ(21)がアルコール溶液に溶解した塩化スズ(II)を含んでいることを特徴とする、請求項12に記載の装置。
  15. 前記ターゲット流れ(21)が水溶液に溶解した塩化スズ(II)を含んでいることを特徴とする、請求項12に記載の装置。
  16. 前記ガス圧力チャンバ(41)内に分圧を発生させる前記緩衝ガス(6)が不活性ガスであることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  17. 前記緩衝ガス(6)が窒素であることを特徴とする、請求項16に記載の装置。
  18. 前記緩衝ガス(6)が希ガスであることを特徴とする、請求項16に記載の装置。
  19. 前記緩衝ガス(6)がアルゴンであることを特徴とする、請求項18に記載の装置。
  20. 前記緩衝ガス(6)が不活性ガスの混合物であることを特徴とする、請求項16に記載の装置。
  21. 前記緩衝ガス(6)が希ガスの混合物、好ましくはヘリウム及びネオンの混合物であることを特徴とする、請求項20に記載の装置。
  22. >50mbarの蒸気圧を有するターゲット材料を使用する場合に、前記ガス圧力チャンバ(41)内の緩衝ガス(6)が、前記相互作用チャンバ(1)内における前記ターゲット流れ(21)の蒸発によって、ガス状のターゲット材料から形成され、約10mbarの分圧が、前記ガス圧力チャンバ(41)を通過するターゲット流れ(21)の蒸発によって調整されることを特徴とする、請求項8に記載の装置。
  23. 前記ターゲット流れ(21)が液体キセノンを含んでいることを特徴とする、請求項22に記載の装置。
  24. 前記ガス圧力チャンバ(41)が、動圧を発生させるための少なくとも1つの狭められた開口(42)を有していることを特徴とする、請求項22に記載の装置。
  25. 前記ガス圧力チャンバ(41)がたる型に成形されていることを特徴とする、請求項24に記載の装置。
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