JPWO2015099058A1 - ターゲット生成装置 - Google Patents
ターゲット生成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015099058A1 JPWO2015099058A1 JP2015555006A JP2015555006A JPWO2015099058A1 JP WO2015099058 A1 JPWO2015099058 A1 JP WO2015099058A1 JP 2015555006 A JP2015555006 A JP 2015555006A JP 2015555006 A JP2015555006 A JP 2015555006A JP WO2015099058 A1 JPWO2015099058 A1 JP WO2015099058A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- droplet
- nozzle
- target
- cylindrical portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 238
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 5
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.ターゲット生成装置を含む極短紫外光生成装置
4.1 構成
4.2 動作
4.3 ドロップレット供給部の先端構成の比較例
4.4 課題
5.実施形態
5.1 実施形態1:ターゲット生成装置におけるガスロック装置
5.2 実施形態2:緩衝空間付きガスロック装置(1)
5.3 実施形態3:緩衝空間付きガスロック装置(2)
5.4 実施形態4:緩衝空間付きガスロック装置(3)
5.5 実施形態5:緩衝空間付きガスロック装置(4)(ダンパ部材付き)
5.6 実施形態6:緩衝空間付きガスロック装置(5)(傾斜ダンパ部材付き)
LPP方式のEUV光生成システムにおいては、ターゲット生成装置のノズルから、ターゲット物質のドロップレットがチャンバ内に出力されてもよい。ドロップレットが所望のタイミングでチャンバ内のプラズマ生成領域に到達するように、ターゲット生成装置が制御されてもよい。
本開示において使用される用語を以下に説明する。「ガスロック装置」は、ガス流によって所定領域へのデブリの付着を抑制する装置である。「ノズル孔」はノズルに形成されドロップレット材料が出力される孔であり、「ノズルの出力口」はノズル孔の先端の口である。
3.1 構成
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
4.1 構成
図2は、ターゲット生成装置275を含むEUV光生成システム11の一部構成を模式的に示している。EUV光生成制御部5は、ターゲット制御部51とレーザ制御部55とを含んでもよい。ターゲット制御部51は、ターゲット生成装置275の他の構成要素の動作を制御してもよい。レーザ制御部55は、レーザ装置3の動作を制御してもよい。
ドロップレット供給部260は、ヒータ261を用いて、融解した状態のドロップレット材料270をタンク61内に貯蔵してもよい。ターゲットの材料は、例えば、スズであってもよい。ターゲット制御部51は、タンク61内のスズが液体となるように、温度制御部511を介してヒータ電源512を制御することで、ヒータ261の温度を制御してもよい。その結果、タンク61内に貯蔵されたスズは融解し得る。
4.3 ドロップレット供給部の先端構成の比較例
パルスレーザ光33が照射されたドロップレット27がプラズマ化し、EUV光が生成される際、ドロップレット27は、プラズマの膨張圧力による衝撃により拡散し得る。パルスレーザ光33が照射されなかったドロップレット27は、ターゲット回収器28に回収される際、拡散し得る。拡散したドロップレット材料は、チャンバ2内に微細な汚染物質のデブリとなって拡散し得る。拡散したデブリは、ノズル660のノズル孔661及びその近傍に付着し得る。ノズル660に付着したデブリは、安定したドロップレットの生成を阻害し得る。
5.1 実施形態1:ガスロック装置を備えたターゲット生成装置
<構成>
図4は、本実施形態のターゲット生成装置275の一部構成を模式的に示している。ターゲット生成装置275は、ノズル660のノズル孔661及びノズル出力口662の近傍へのデブリの付着を抑制するガスロック装置400を含んでもよい。ガスロック装置400は、ガス流によって、ノズル出力口662からデブリを遠ざけ、デブリがノズル孔661及びノズル出力口662の近傍へ付着することを抑制し得る。
ターゲット供給を開始する場合、ターゲット制御部51は、流量調節器451によって筒状部内部405に、H2を含むロックガスを供給してもよい。このとき、ロックガスの流量は、例えば、42sccm以上であってもよい。
ガスロック装置400はノズル660への付着物を低減し得るので、ノズル660は、ドロップレット物質を長期間安定して出力し得る。このため、EUV光生成システム11は、EUV光を安定して生成し得る。
筒状部401の構造について説明する。筒状部401におけるペクレ数は以下の式(1)で表され得る。ペクレ数を大きくすると、ガスロック機能の効果を大きくし得る。
v:筒状部内部におけるロックガスの流速(m/s)
Df:ロックガス中におけるデブリの拡散係数(m2/s)
L:筒状部出力口からロックガス流入口までの長さ(m)
P:筒状部内部の圧力(Pa)
D:筒状部の内径(m)
R=EXP(Pe) (3)
(a)ロックガス流量Qを大きくする。
(b)ロックガス流入口から筒状部出力口までの距離Lを大きくする。
(c)筒状部の内径Dを小さくする。
<構成>
本実施形態は、ロックガス流によるドロップレット軌道の乱れを低減するガスロック装置400の構成例を示す。図5A及び図5Bは、本実施形態のガスロックカバー410の構成例を模式的に示している。図5Bは、図5AにおけるVB−VB断面を示す。
ガス供給部450から供給されたロックガスは、管435内の流路404を通り、ロックガス流入口431から緩衝空間430に入ってもよい。図5A及び図5Bに示すように、緩衝空間430は、流入したロックガス流を異なる方向に分散させて、筒状部内部405に導き得る。緩衝空間430に流入したロックガスは、筒状部401の円周方向及び軸方向において分散し得る。緩衝空間430において、ロックガスの流速は低下し得る。
緩衝空間430によって、管435から流入するロックガスが、直接にドロップレットに当ることを抑制し得る。緩衝空間430は、流入したガス流を異なる方向に分散させて筒状部内部405に導き得るので、ロックガスが多くの異なる方向から筒状部内部405に流入し得る。これにより、各方向におけるロックガス流の流速が低下し、さらに、対向方向からのロックガスの流入により、ドロップレット軌道の変動を抑制し得る。
<構成>
本実施形態は、ロックガス流によるドロップレット軌道の乱れを低減するガスロック装置400の構成例を示す。図6A及び図6Bは、本実施形態のガスロックカバー410の構成例を模式的に示している。図6Bは、ガスロックカバー410の構成要素である支持部403のノズル対向面を示す。
ガス供給部450から供給されたロックガスは、管435内の流路404を通り、ロックガス流入口637から緩衝空間430に入ってもよい。図6A及び図6Bに示すように、緩衝空間430は、流入したロックガス流を異なる方向に分散させて、筒状部内部405に導き得る。緩衝空間430において、ロックガスの流速は低下し得る。
外側リング状空間631及び放射状空間632によって、管435から流入するロックガスが、直接にドロップレットに当ることを抑制し得る。外側リング状空間631及び放射状空間632は流入したガス流を異なる方向に分散させて筒状部内部405に導き得るので、ロックガスが多くの異なる方向から筒状部内部405に流入し得る。
本実施形態は、ロックガス流によるドロップレット軌道の乱れを低減するガスロック装置400の構成例を示す。以下においては、実施形態2との相違点について主に説明する。図7A〜図7Cは、本実施形態のガスロックカバー410の構成例を模式的に示している。図7Bは、ガスロックカバー410の斜視図を示し、図7Cは、ガスロックカバー410の出力側端面の構成例を示す。
図8は、ドロップレット供給部260から出力されるドロップレットの状態を模式的に示す。図8(a)は、ドロップレット供給部260からドロップレット材料の出力を開始した直後のドロップレット271の状態を模式的に示している。図8(b)は、ドロップレット供給部260から定常的にジェット277及びドロップレット271を出力している状態を模式的に示している。
図10は、本実施形態のガスロックカバー410の構成例を模式的に示している。以下においては、実施形態5との相違点について主に説明する。図10に示すように、緩衝空間430内において、筒状部401の外周面951上にダンパ部材902が配置されてもよい。筒状部401の外径は、出力方向において増加してもよい。同様に、筒状部401の外周面上951のダンパ部材902の外径は、出力方向において増加してもよい。
Claims (15)
- プラズマ生成領域においてドロップレットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置において使用されるターゲット生成装置であって、
ドロップレット材料を収容するタンクと、
前記タンクを加熱して前記ドロップレット材料を融解するヒータと、
前記タンクの先端に配置され、ドロップレットを前記プラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、
前記ノズルを前記タンクに固定するノズルホルダと、
ガスを供給するガス供給部と、
前記ノズルホルダに固定され、前記ノズルの下流側に配置され、前記ノズルの出力口の周囲を覆い、前記ガス供給部から供給されたガスを導くガスロックカバーと、を含み、
前記ガスロックカバーは、
前記ノズルの下流側に配置され、前記ノズルから出力されたドロップレットが内部を通過し、前記内部を通過したドロップレットが出力される出力口を有する筒状部と、
前記ガス供給部から供給されたガスが通過する流路であって、前記通過したガスが前記筒状部の内部から前記筒状部の出力口に流れるように、前記通過するガスの流れを画定する流路と、を含む、ターゲット生成装置。 - 請求項1に記載のターゲット生成装置であって、前記筒状部の内面は滑面である、ターゲット生成装置。
- 請求項1に記載のターゲット生成装置であって、前記ドロップレット材料はスズであり、前記ガスは水素を含む、ターゲット生成装置。
- 請求項1に記載のターゲット生成装置であって、前記筒状部の内部に流入するガス流の、前記ドロップレットの設計軌道に対する入射角は45度以上である、ターゲット生成装置。
- 請求項1に記載のターゲット生成装置であって、前記筒状部の内径は、前記ドロップレットの出力方向において増加している、ターゲット生成装置。
- 請求項1に記載のターゲット生成装置であって、前記流路は、前記筒状部の内部に連通し、流入したガス流を異なる方向に分散させて前記筒状部の内部に導く緩衝空間を含む、ターゲット生成装置。
- プラズマ生成領域においてドロップレットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置において使用されるターゲット生成装置であって、
融解したドロップレット材料を収容するタンクと、
前記タンクの先端に配置され、ドロップレットを前記プラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、
前記ノズルを前記タンクに固定するノズルホルダと、
ガスを供給するガス供給部と、
前記ノズルホルダに固定され、前記ノズルの下流側に配置され、前記ガス供給部から供給されたガスを導くガスロックカバーと、を含み、
前記ガスロックカバーは、
前記ノズルの下流側に配置され、前記ノズルから出力されたドロップレットが内部を通過し、前記内部を通過したドロップレットが出力される出力口を有する筒状部と、
前記ガス供給部から供給されたガスが通過する流路であって、前記通過したガスが前記筒状部の内部から前記筒状部の出力口に流れるように前記通過するガスの流れを画定する流路と、を含み、
前記流路は、前記筒状部の内部に連通し、流入したガス流を異なる方向に分散させて前記筒状部の内部に導く緩衝空間を含む、ターゲット生成装置。 - 請求項7に記載のターゲット生成装置であって、前記緩衝空間は、前記筒状部の外周を囲むように形成され、前記筒状部の前記ドロップレットの入力口を介して前記筒状部の内部と連通する、ターゲット生成装置。
- 請求項7に記載のターゲット生成装置であって、前記緩衝空間への前記ガスの流入口は、前記筒状部の外周面と対向する、ターゲット生成装置。
- 請求項7に記載のターゲット生成装置であって、
前記筒状部は、出力口端において外側に広がるテーパ面を有し、
前記テーパ面は、前記緩衝空間に連通し前記ガスを噴き出す複数の噴出口を有する、ターゲット生成装置。 - 請求項10に記載のターゲット生成装置であって、
前記緩衝空間内に、衝突したドロップレットの衝撃を減衰し、前記衝突したドロップレットが付着するダンパ部材が配置されている、ターゲット生成装置。 - 請求項11に記載のターゲット生成装置であって、
前記ダンパ部材は前記筒状部の外周面に配置され、前記ダンパ部材の外径は、前記ドロップレットの出力方向において増加している、ターゲット生成装置。 - 請求項7に記載のターゲット生成装置であって、前記緩衝空間は、前記ドロップレットの出力方向において見た場合に前記筒状部の内部を囲むように形成されたリング状空間と、前記リング状空間と前記筒状部のとの間に形成されている放射状空間と、を含む、ターゲット生成装置。
- 請求項13に記載のターゲット生成装置であって、前記放射状空間は、複数の空間ペアで構成され、前記複数の連通空間ペアのそれぞれは、前記筒状部の内部の中心について対向する空間で構成されている、ターゲット生成装置。
- 請求項13に記載のターゲット生成装置であって、前記リング状空間の外側に前記ガスの流入口が形成されており、前記流入口は前記リング状空間の内側の壁と対向する、ターゲット生成装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPPCT/JP2013/084933 | 2013-12-26 | ||
PCT/JP2013/084933 WO2015097820A1 (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | ターゲット生成装置 |
PCT/JP2014/084337 WO2015099058A1 (ja) | 2013-12-26 | 2014-12-25 | ターゲット生成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015099058A1 true JPWO2015099058A1 (ja) | 2017-03-23 |
JP6483027B2 JP6483027B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=53477756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015555006A Active JP6483027B2 (ja) | 2013-12-26 | 2014-12-25 | ターゲット生成装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9883574B2 (ja) |
JP (1) | JP6483027B2 (ja) |
WO (2) | WO2015097820A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3291650B1 (en) * | 2016-09-02 | 2019-06-05 | ETH Zürich | Device and method for generating uv or x-ray radiation by means of a plasma |
JP6751163B2 (ja) * | 2017-01-30 | 2020-09-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US11573495B2 (en) * | 2021-03-04 | 2023-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Control of dynamic gas lock flow inlets of an intermediate focus cap |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006365A (ja) * | 2002-05-28 | 2004-01-08 | Trw Inc | 極紫外放射線源のためのノズル |
JP2006086119A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-30 | Xtreme Technologies Gmbh | 短波長電磁放射線をエネルギービームによって誘導発生させるための再現可能なターゲット流れを供給する装置 |
JP2010170772A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP2012256608A (ja) * | 2012-08-17 | 2012-12-27 | Gigaphoton Inc | ターゲット物質供給装置 |
WO2013124101A2 (en) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | Asml Netherlands B.V. | Fuel stream generator, source collector apparatus and lithographic apparatus |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4773690B2 (ja) | 2004-05-14 | 2011-09-14 | ユニバーシティ・オブ・セントラル・フロリダ・リサーチ・ファウンデーション | Euv放射線源 |
DE102006017904B4 (de) | 2006-04-13 | 2008-07-03 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination |
JP5215540B2 (ja) | 2006-07-18 | 2013-06-19 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット物質供給装置 |
JP5133740B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-01-30 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US7872245B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-01-18 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
JP5580032B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-08-27 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
CN102696283B (zh) | 2010-01-07 | 2015-07-08 | Asml荷兰有限公司 | 包括液滴加速器的euv辐射源以及光刻设备 |
-
2013
- 2013-12-26 WO PCT/JP2013/084933 patent/WO2015097820A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-12-25 JP JP2015555006A patent/JP6483027B2/ja active Active
- 2014-12-25 WO PCT/JP2014/084337 patent/WO2015099058A1/ja active Application Filing
-
2016
- 2016-05-23 US US15/161,628 patent/US9883574B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006365A (ja) * | 2002-05-28 | 2004-01-08 | Trw Inc | 極紫外放射線源のためのノズル |
JP2006086119A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-30 | Xtreme Technologies Gmbh | 短波長電磁放射線をエネルギービームによって誘導発生させるための再現可能なターゲット流れを供給する装置 |
JP2010170772A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
WO2013124101A2 (en) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | Asml Netherlands B.V. | Fuel stream generator, source collector apparatus and lithographic apparatus |
JP2012256608A (ja) * | 2012-08-17 | 2012-12-27 | Gigaphoton Inc | ターゲット物質供給装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6483027B2 (ja) | 2019-03-13 |
US9883574B2 (en) | 2018-01-30 |
WO2015097820A1 (ja) | 2015-07-02 |
WO2015099058A1 (ja) | 2015-07-02 |
US20160270199A1 (en) | 2016-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6151525B2 (ja) | ガスロック装置及び極端紫外光生成装置 | |
JP4340780B2 (ja) | Euv液滴発生器用標的かじ取りシステム | |
US9661730B2 (en) | Extreme ultraviolet light generation apparatus with a gas supply toward a trajectory of a target | |
JP6448661B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP6283684B2 (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 | |
US11792909B2 (en) | Apparatus and method for generating extreme ultraviolet radiation | |
JP6751163B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP6483027B2 (ja) | ターゲット生成装置 | |
US10009991B2 (en) | Target supply apparatus and EUV light generating apparatus | |
JP6541785B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP6715332B2 (ja) | ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置 | |
JP6895518B2 (ja) | 極端紫外光センサユニット | |
JP6513237B2 (ja) | ターゲット供給装置 | |
US11602037B1 (en) | Apparatus and method for generating extreme ultraviolet radiation | |
JP2022059264A (ja) | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 | |
KR20240026447A (ko) | Euv 소스에서 타겟 재료의 액적을 생성하기 위한 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6483027 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |