JP7553296B2 - 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２００９／０２３０３２６号明細書 米国特許出願公開第２０１４／０２２６７７２号明細書
概要
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、チャンバの内部であって第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、プラズマ生成領域で発生して第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、チャンバに形成され、第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、第１の隔壁に形成され、第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを第１の隔壁の外部であってチャンバの外部に排気するガス排気口と、を備える。
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、チャンバの内部であって第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、プラズマ生成領域で発生して第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、チャンバに形成され、第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、第１の隔壁に形成され、第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを第１の隔壁の外部であってチャンバの外部に排気するガス排気口と、を備える極端紫外光生成装置において極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、チャンバの内部であって第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、プラズマ生成領域で発生して第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、チャンバに形成され、第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、第１の隔壁に形成され、第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを第１の隔壁の外部であってチャンバの外部に排気するガス排気口と、を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図４は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図５は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図６は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図７は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図８は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図９は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図１０は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図１１は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図１２は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図１３は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図１４は、フランジ及びその周辺の構成要素を拡大して示す断面図である。 図１５は、第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図１６は、第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図１７は、第７の実施形態における第２の隔壁に対する第１の隔壁の配置の第１の例を示す断面図である。 図１８は、第７の実施形態における第２の隔壁に対する第１の隔壁の配置の第２の例を示す断面図である。 図１９は、ＥＵＶ光生成装置に接続された露光装置の構成を概略的に示す。 図２０は、ＥＵＶ光生成装置に接続された検査装置の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置１ａ
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．第１の隔壁３７をチャンバ２ｂに配置したＥＵＶ光生成装置１ｂ
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用
４．第１の隔壁３７ｃがセンサ４ｄのための第４の開口３７４を含むＥＵＶ光生成装置１ｃ
４．１ 構成
４．２ 動作及び作用
５．第２の隔壁２ｄを含むＥＵＶ光生成装置１ｄ
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．第１の隔壁３７ｅがヒーターを含むＥＵＶ光生成装置１ｅ
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 他の構成例
６．４ 作用
７．ターゲット２７とガスの移動方向を重力方向としたＥＵＶ光生成装置１ｆ
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用
８．第１の隔壁３７ｇがフランジ３７ｈを含むＥＵＶ光生成装置１ｇ
８．１ 構成及び動作
８．２ 作用
９．第１の隔壁３７ｉがフランジ３７ｈを含むＥＵＶ光生成装置１ｈ
９．１ 構成及び動作
９．２ 第１の例
９．３ 第２の例
９．４ 作用
１０．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と外部装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に供給する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、外部装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザシステム３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上記の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置１ａ
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１ａの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１ａは、チャンバ２ａと、サブチャンバ１０ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと、排気装置３０と、ガス供給源４０と、を含む。
チャンバ２ａは、略円錐状の形状を有している。チャンバ２ａの小径側の端部にはアパーチャ２９１ａが形成されている。チャンバ２ａの大径側の端部にはＥＵＶ集光ミラー２３ａが固定されている。
ガス供給源４０は、配管４４ａを介してサブチャンバ１０ａに接続されている。サブチャンバ１０ａには、パルスレーザ光３２を透過させるウインドウ２１ａが配置されている。サブチャンバ１０ａの内部には、レーザ光集光光学系２２ａが収容されている。サブチャンバ１０ａは、筒状のレーザ光路壁４４に接続されている。レーザ光路壁４４は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの貫通孔２４とチャンバ２ａの大径側の端部の貫通孔とを貫通している。レーザ光集光光学系２２ａを通過したパルスレーザ光３３が、レーザ光路壁４４の内側を通過できるようになっている。
ガス供給源４０は、さらに、配管４１ａ～４３ａを介してチャンバ２ａの内部の第１～第３のノズル４１～４３に接続されている。第１～第３のノズル４１～４３は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの外周部に配置されている。
ガス供給源４０は、図示しないガスボンベを含む。ガス供給源４０がサブチャンバ１０ａ及びチャンバ２ａに供給するガスは、エッチングガス又は不活性ガスを含む。エッチングガスは、水素ガスを含む。不活性ガスは、例えば、ヘリウムガスを含む。
排気装置３０は、排気管３６ａに接続されている。排気管３６ａは、チャンバ２ａに形成された排気口３６を介してチャンバ２ａの内部に接続されている。排気管３６ａには、さらに、図示しない微粒子トラップや除害装置が接続されていてもよい。
２．２ 動作
レーザ光路壁４４の内側を通過したパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７（図１参照）に照射される。パルスレーザ光３３がターゲット２７に照射されることにより、ターゲット物質がプラズマ化し、プラズマから放射光２５１が放射される。プラズマ生成領域２５ではターゲット物質のイオン及び中性粒子を含むデブリも生成される。ターゲット物質のデブリは、チャンバ２ａの内部で拡散する。
ガス供給源４０は、サブチャンバ１０ａの内部にガスを供給する。サブチャンバ１０ａの内部にガスが供給されることにより、サブチャンバ１０ａの内部の圧力は、チャンバ２ａの内部における圧力より高くなる。サブチャンバ１０ａの内部に供給されたガスは、レーザ光路壁４４の内側を通ってプラズマ生成領域２５及びその周辺に向けて流れ出る。レーザ光路壁４４から流れ出るガスの流れを矢印Ｆ４で示す。
サブチャンバ１０ａの内部の圧力をチャンバ２ａの内部における圧力よりも高くすることにより、サブチャンバ１０ａの内部にターゲット物質のデブリが進入することを抑制できる。サブチャンバ１０ａの内部にターゲット物質のデブリが進入したとしても、ガス供給源４０がサブチャンバ１０ａに供給するガスがエッチングガスである場合には、レーザ光集光光学系２２ａにターゲット物質のデブリが堆積することを抑制できる。
ガス供給源４０は、チャンバ２ａの内部の第１～第３のノズル４１～４３にもガスを供給する。第１～第３のノズル４１～４３に供給されたガスは、それぞれ矢印Ｆ１～Ｆ３の方向に流れる。
第１～第３のノズル４１～４３から流れ出るガス及びレーザ光路壁４４から流れ出るガスの方向及び流量を工夫することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３ａにターゲット物質のデブリが到達することを抑制できる。ＥＵＶ集光ミラー２３ａにターゲット物質のデブリが到達したとしても、ガス供給源４０が第１のノズル４１に供給するガスがエッチングガスである場合には、ＥＵＶ集光ミラー２３ａにターゲット物質のデブリが堆積することを抑制できる。
排気装置３０は、チャンバ２ａの内部を大気圧未満の所定の圧力となるように排気する。ガスの排気とともに、ターゲット物質のデブリもチャンバ２ａの外部に排出される。
２．３ 課題
比較例においてはガスの流れを制御することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３ａにターゲット物質のデブリが堆積することを抑制している。しかし、ガスの流れの淀んだ箇所などがあると、その領域の付近にターゲット物質のデブリが堆積することがある。デブリの堆積を防ぐためには、ガスの淀みを防ぐための高度なガス流れの制御が必要となり、複雑な構造のガスノズルや高精度な流量制御が必要となっていた。
以下に説明する幾つかの実施形態においては、プラズマ生成領域２５を覆う第１の隔壁３７をチャンバ２ｂに配置している。第１の隔壁３７は、ＥＵＶ光を通過させる第１の開口３７１を有する。チャンバ２ｂの内部であって第１の隔壁３７の外部の第１の空間２０ａにガスを供給するとともに、第１の隔壁３７の内部の第２の空間２０ｂのガスを排気する。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂにターゲット物質のデブリが堆積することを抑制している。
３．第１の隔壁３７をチャンバ２ｂに配置したＥＵＶ光生成装置１ｂ
３．１ 構成
図３及び図４は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１ｂの構成を示す断面図である。図３はターゲット２７の軌道と垂直な断面を示し、図４はパルスレーザ光３３の光路軸と垂直な断面を示す。図４は図３のＩＶ－ＩＶ線の位置での断面図に相当し、このＩＶ－ＩＶ線の位置がＥＵＶ集光ミラー２３ｂのほぼ中心に位置するため、図４においてはＥＵＶ集光ミラー２３ｂがほぼ半楕円形状に示されている。
ＥＵＶ光生成装置１ｂは、チャンバ２ｂと、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂと、第１の隔壁３７と、第１のガス供給口５１と、ガス排気口３８と、を含む。
チャンバ２ｂは、略円筒形の形状を有している。円筒形の中心軸の位置であって第１の隔壁３７の外部に、ターゲット供給部２６及びターゲット回収部２８が配置されている。ターゲット供給部２６とターゲット回収部２８との間の位置であって第１の隔壁３７の内部にプラズマ生成領域２５が位置する。
チャンバ２ｂにはパルスレーザ光３３が入射するためのウインドウ２１ｂが設けられている。ウインドウ２１ｂは開口でもよい。
第１の隔壁３７は、ステンレス又は金属モリブデンで構成される。第１の隔壁３７は円筒状の形状を有し、第１の隔壁３７はチャンバ２ｂの側面を貫通している。第１の隔壁３７の一部はチャンバ２ｂの内部に位置し、プラズマ生成領域２５を覆うように配置されている。チャンバ２ｂの内部において、第１の隔壁３７は第１の開口３７１、第２の開口３７２、第３の開口３７３、及び第６の開口３７５を有する。第４の開口については第２の実施形態において後述する。第５の開口については第７の実施形態において後述する。
第１の隔壁３７の他の一部はチャンバ２ｂの外部に位置し、排気装置３０に接続されている。第１の隔壁３７と排気装置３０との間にはガス排気口３８が位置する。
第１のガス供給口５１にはガス供給源４０（図２参照）が接続されている。
ＥＵＶ集光ミラー２３ｂは回転楕円面形状の反射面を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３ｂは、チャンバ２ｂの内部であって第１の隔壁３７の外部の第１の空間２０ａに位置する。ＥＵＶ集光ミラー２３ｂは、プラズマ生成領域２５に位置する第１の焦点と、中間集光点２９２に位置する第２の焦点とを有する。プラズマ生成領域２５で発生してＥＵＶ集光ミラー２３ｂへ向かうＥＵＶ光を含む放射光２５１の光路に第１の開口３７１が位置する。ＥＵＶ集光ミラー２３ｂから中間集光点２９２へ向かう反射光２５２の光路に、チャンバ２ｂの開口２９ｂが位置する。ＥＵＶ集光ミラー２３ｂは、放射光２５１の光路の中心軸に対して、反射光２５２の光路の中心軸が傾斜するように配置されている。
３．２ 動作
ターゲット供給部２６から出力されたターゲット２７は、第３の開口３７３を通過してプラズマ生成領域２５に到達する。複数のターゲット２７のうちのパルスレーザ光３３が照射されずにプラズマ化しなかったターゲット２７は、プラズマ生成領域２５を通過し、さらに第６の開口３７５を通過してターゲット回収部２８に到達する。
パルスレーザ光３３は、第２の開口３７２を通過して第１の隔壁３７の内部に入射し、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７に照射されることによりターゲット２７をプラズマ化する。
プラズマ生成領域２５で発生したＥＵＶ光を含む放射光２５１は、第１の開口３７１を通過してＥＵＶ集光ミラー２３ｂに入射する。ＥＵＶ集光ミラー２３ｂは、ＥＵＶ光を反射することによりＥＵＶ光を中間集光点２９２に集光する。
ＥＵＶ集光ミラー２３ｂによって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２の光路の外に第１の開口３７１が位置している。このため、反射光２５２の一部が第１の開口３７１に入射して無駄になることが抑制される。さらに、反射光２５２の光路の外に第１の隔壁３７が位置している。このため、反射光２５２の一部が第１の隔壁３７に入射して無駄になることが抑制される。
ガス供給源４０（図２参照）は、第１のガス供給口５１を介して、チャンバ２ｂの内部であって第１の隔壁３７の外部の第１の空間２０ａにガスを供給する。第１のガス供給口５１におけるガスの流量は例えば４０ｎｌｍ以上、６０ｎｌｍ以下である。「ｎｌｍ」は、１分あたりに流れるガスの０℃、１気圧に換算した体積を示す。
排気装置３０は、第１の隔壁３７の内部の第２の空間２０ｂのガスを、ガス排気口３８を介して第１の隔壁３７の外部であってチャンバ２ｂの外部に排気する。これにより、第１の空間２０ａの圧力が第２の空間２０ｂの圧力よりも高い状態に維持される。その結果、第１～第３の開口３７１～３７３及び第６の開口３７５において、一点鎖線の矢印で示されるように第１の空間２０ａから第２の空間２０ｂへ向かってガスが流れる。
このため、ターゲット物質のデブリが第２の空間２０ｂから第１の空間２０ａへ移動することが抑制され、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂにターゲット物質のデブリが堆積することが抑制される。
３．３ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１ｂは、チャンバ２ｂと、第１の隔壁３７と、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂと、第１のガス供給口５１と、ガス排気口３８と、を備える。第１の隔壁３７は、チャンバ２ｂの内部のプラズマ生成領域２５を覆い、第１の開口３７１を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３ｂは、チャンバ２ｂの内部であって第１の隔壁３７の外部の第１の空間２０ａに位置し、プラズマ生成領域２５で発生して第１の開口３７１を通過したＥＵＶ光を集光する。第１のガス供給口５１は、チャンバ２ｂに形成され、第１の空間２０ａにガスを供給する。ガス排気口３８は、第１の隔壁３７に形成され、第１の隔壁３７の内部の第２の空間２０ｂのガスを第１の隔壁３７の外部であってチャンバ２ｂの外部に排気する。
これによれば、第１の空間２０ａの圧力が第２の空間２０ｂの圧力よりも高い状態となり、第１の開口３７１において第１の空間２０ａから第２の空間２０ｂへ向かってガスが流れる。従って、ターゲット物質のデブリが第２の空間２０ｂから第１の空間２０ａへ移動することが抑制され、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂにターゲット物質のデブリが堆積することが抑制される。
（２）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂによって反射された反射光２５２の光路の外に第１の開口３７１が位置するように、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂが配置されている。
これによれば、反射光２５２の一部が第１の開口３７１に入射して無駄になることが抑制される。
他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
４．第１の隔壁３７ｃがセンサ４ｄのための第４の開口３７４を含むＥＵＶ光生成装置１ｃ
４．１ 構成
図５及び図６は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１ｃの構成を示す断面図である。図５はターゲット２７の軌道と垂直な断面を示し、図６はパルスレーザ光３３の光路軸と垂直な断面を示す。図６は図５のＶＩ－ＶＩ線の位置での断面図に相当する。
ＥＵＶ光生成装置１ｃは、ＥＵＶ光生成装置１ｂの構成要素の他に、センサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄを含み、第１の隔壁３７の代わりに、第４の開口３７４、３７６、及び３７７を有する第１の隔壁３７ｃを含む。
センサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄはチャンバ２ｂに取り付けられている。センサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄは、例えばターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出するターゲットセンサを含んでもよいし、ＥＵＶ光の発光点を検出するセンサを含んでもよい。図示が省略されているが、センサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄの各々は、イメージセンサ又は光センサと、第１の隔壁３７ｃの内部のプラズマ生成領域２５又はその近傍の像をイメージセンサ又は光センサに結像する光学系と、を含んでもよい。センサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄのいずれか１つの位置に、センサの代わりに、プラズマ生成領域２５を可視光で照明する光源が配置されてもよい。
第４の開口３７４、３７６、及び３７７は、それぞれセンサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄとプラズマ生成領域２５との間に位置する。これにより、プラズマ生成領域２５又はその近傍から発した光がイメージセンサ又は光センサに到達する。あるいは、センサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄのいずれか１つの位置に配置された光源から発した光がプラズマ生成領域２５に到達する。このように、第４の開口３７４、３７６、及び３７７は、第２の空間２０ｂの一部を観測するための光を通過させる。
４．２ 動作及び作用
第４の開口３７４、３７６、及び３７７においては、第１～第３の開口３７１～３７３及び第６の開口３７５と同様に、第１の空間２０ａから第２の空間２０ｂへ向かってガスが流れる。
このため、ターゲット物質のデブリが第２の空間２０ｂから第１の空間２０ａへ移動することが抑制され、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂにターゲット物質のデブリが堆積することが抑制される。
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
５．第２の隔壁２ｄを含むＥＵＶ光生成装置１ｄ
５．１ 構成
図７及び図８は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１ｄの構成を示す断面図である。図７はターゲット２７の軌道と垂直な断面を示し、図８はパルスレーザ光３３の光路軸と垂直な断面を示す。図８は図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線の位置での断面図に相当する。
ＥＵＶ光生成装置１ｄは、ＥＵＶ光生成装置１ｃの構成要素の他に、第２の隔壁２ｄと、第２のガス供給口５２と、を含む。
第２の隔壁２ｄは、チャンバ２ｂの内部の第１の空間２０ａを第３の空間２０ｃと第４の空間２０ｄとに隔てている。第１の開口３７１は、第３の空間２０ｃと第２の空間２０ｂとを連通させるように構成されている。第２の開口３７２、第３の開口３７３、第４の開口３７４、３７６、３７７、及び第６の開口３７５は、第４の空間２０ｄと第２の空間２０ｂとを連通させるように構成されている。
５．２ 動作
ガス供給源４０（図２参照）は、第１のガス供給口５１を介して、第３の空間２０ｃにガスを供給する。ガス供給源４０は、第２のガス供給口５２を介して、第４の空間２０ｄにガスを供給する。第１のガス供給口５１を介して供給されるガスの流量と第２のガス供給口５２を介して供給されるガスの流量は、プロセッサ５等の制御装置によって個別に制御される。
第３の空間２０ｃに供給されたガスは、第３の空間２０ｃを満たし、その後第１の開口３７１を介して第２の空間２０ｂに流入する。
第４の空間２０ｄに供給されたガスは、第４の空間２０ｄを満たし、その後第２の開口３７２、第３の開口３７３、第４の開口３７４、３７６、３７７、及び第６の開口３７５を介して第２の空間２０ｂに流入する。
５．３ 作用
（３）例えば第２の実施形態のように第１の隔壁３７ｃに第１及び第２の開口３７１及び３７２を含む複数の開口が形成されている場合に、第１の開口３７１の近傍と第２の開口３７２の近傍とで第１の隔壁３７ｃの内外の圧力差が同等であるとすれば、第１及び第２の開口３７１及び３７２におけるガスの流速が同一ではなくなる場合がある。例えば、第１の開口３７１の面積よりも第２の開口３７２の面積が小さい場合に、第１の開口３７１におけるガスの流速よりも第２の開口３７２におけるガスの流速が遅いことが考えられる。その場合、ターゲット物質のデブリが、第２の開口３７２においてガス流れと反対方向に漏れ出てしまう可能性がある。第２の開口３７２におけるガスの流速を速くするためには、第１の空間２０ａに大量のガスを供給しなければならない場合があり得る。
第３の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１ｄは、第１の空間２０ａを第３の空間２０ｃと第４の空間２０ｄとに隔てる第２の隔壁２ｄと、チャンバ２ｂに形成され、第４の空間２０ｄにガスを供給する第２のガス供給口５２と、をさらに備える。第１のガス供給口５１は第３の空間２０ｃにガスを供給するように構成される。第１の隔壁３７ｃは第２の開口３７２を有する。第１の開口３７１は第３の空間２０ｃと第２の空間２０ｂとを連通させ、第２の開口３７２は第４の空間２０ｄと第２の空間２０ｂとを連通させる。
このように、第３の実施形態においては、第１の開口３７１を介して第２の空間２０ｂと連通する第３の空間２０ｃと、第２の開口３７２を介して第２の空間２０ｂと連通する第４の空間２０ｄと、を第２の隔壁２ｄで隔てている。そして、第３の空間２０ｃと第４の空間２０ｄとに個別にガスを供給する。これによれば、第１の開口３７１と第２の開口３７２とでそれぞれターゲット物質のデブリの移動が抑制されるように、第１及び第２のガス供給口５１及び５２によるガスの供給量を個別に制御できる。従って、ガスの消費量を低減することができる。
（４）第３の実施形態によれば、第２の開口３７２は、プラズマ生成領域２５に入射するようにパルスレーザ光３３を通過させる。
パルスレーザ光３３を通過させる第２の開口３７２の面積は、第１の開口３７１の面積よりも小さい。ターゲット物質のデブリの移動が抑制されるように第１及び第２のガス供給口５１及び５２によるガスの供給量を個別に制御することで、ガスの消費量を低減することができる。
（５）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１ｄは、プラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給するターゲット供給部２６をさらに備える。第１の隔壁３７ｃは第３の開口３７３を有し、第３の開口３７３は第４の空間２０ｄと第２の空間２０ｂとを連通させ、第３の開口３７３はターゲット２７を通過させるように構成されている。
ターゲット２７を通過させる第３の開口３７３の面積は、第１の開口３７１の面積よりも小さい。ターゲット物質のデブリの移動が抑制されるように第１及び第２のガス供給口５１及び５２によるガスの供給量を個別に制御することで、ガスの消費量を低減することができる。
（６）第３の実施形態によれば、第１の隔壁３７ｃは第４の開口３７４、３７６、及び３７７を有し、第４の開口３７４、３７６、及び３７７は第４の空間２０ｄと第２の空間２０ｂとを連通させ、第４の開口３７４、３７６、及び３７７は第２の空間２０ｂの一部を観測するための光を通過させるように構成されている。
第２の空間２０ｂの一部を観測するための光を通過させる第４の開口３７４、３７６、及び３７７の面積は、第１の開口３７１の面積よりも小さい。ターゲット物質のデブリの移動が抑制されるように第１及び第２のガス供給口５１及び５２によるガスの供給量を個別に制御することで、ガスの消費量を低減することができる。
他の点については、第３の実施形態は第２の実施形態と同様である。あるいは、第１の実施形態と同様に、第３の実施形態はセンサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄ、及び第４の開口３７４、３７６、及び３７７を含まなくてもよい。
６．第１の隔壁３７ｅがヒーターを含むＥＵＶ光生成装置１ｅ
６．１ 構成
図９及び図１０は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１ｅの構成を示す断面図である。図９はターゲット２７の軌道と垂直な断面を示し、図１０はパルスレーザ光３３の光路軸と垂直な断面を示す。図１０は図９のＸ－Ｘ線の位置での断面図に相当する。
ＥＵＶ光生成装置１ｅにおいては、第３の実施形態における第１の隔壁３７ｃの代わりに、ヒーターを含む第１の隔壁３７ｅが配置されている。第１の隔壁３７ｅに含まれるヒーターは、ヒーター電源３９ｅに接続されている。
６．２ 動作
ヒーター電源３９ｅがヒーターに電流を流すと、第１の隔壁３７ｅが加熱される。第１の隔壁３７ｅは、例えば、ターゲット物質を構成するスズの融点以上の温度である２５０℃に加熱される。これにより、第１の隔壁３７ｅの内側の表面に付着したターゲット物質のデブリを溶融させ、図示しない回収器によりデブリを回収することができる。
６．３ 他の構成例
第４の実施形態においては、第１の隔壁３７ｅをヒーターによって加熱することとしたが、本開示はこれに限定されない。第１の隔壁３７ｅの内側の表面に付着したターゲット物質のデブリが、第１の隔壁３７ｅを冷却することでエッチング可能になるのであれば、第１の隔壁３７ｅは冷却機構を含んでもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成装置１ｅは、第１の隔壁３７ｅの加熱及び冷却のいずれか又は両方を実施する温度調整装置を備えてもよい。
本開示は、第１の隔壁３７ｅの温度を調整する場合に限られず、第１の隔壁３７ｅの内側の表面にコーティングを形成することにより、ターゲット物質のデブリが付着することを抑制してもよい。コーティングの材質としては、窒化チタン（ＴｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、窒化クロム（ＣｒＮ）、又は酸化クロム（ＣｒＯ２）が好ましい。
６．４ 作用
（７）第４の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１ｅは、第１の隔壁３７ｅの温度を調整するヒーター及びヒーター電源３９ｅを備えている。
これによれば、第１の隔壁３７ｅの表面に付着したターゲット物質のデブリを溶融させ、図示しない回収器によりデブリを回収することができる。
（８）第４の実施形態においては、ＥＵＶ光生成装置１ｅは、第１の隔壁３７ｅの表面に、ターゲット物質の付着を抑制するコーティングが形成されていてもよい。
これによれば、第１の隔壁３７ｅの表面にターゲット物質のデブリが付着することが抑制される。
他の点については、第４の実施形態は第３の実施形態と同様である。あるいは、第２の実施形態と同様に、第４の実施形態は第２の隔壁２ｄを含まなくてもよい。あるいは、第１の実施形態と同様に、第４の実施形態はセンサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄを含まなくてもよい。
７．ターゲット２７とガスの移動方向を重力方向としたＥＵＶ光生成装置１ｆ
７．１ 構成
図１１及び図１２は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１ｆの構成を示す断面図である。図１１はターゲット２７の軌道と垂直な断面を示し、図１２はパルスレーザ光３３の光路軸と垂直な断面を示す。図１２は図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線の位置での断面図に相当する。
ＥＵＶ光生成装置１ｆにおいては、第１の実施形態における第１の隔壁３７の代わりに、中心軸の方向が重力方向と一致する円筒形の第１の隔壁３７ｆが配置されている。第１の隔壁３７ｆの中心軸はターゲット２７の軌道と一致することが望ましい。第１の隔壁３７ｆは、チャンバ２ｂの底面を貫通している。第１の隔壁３７ｆの内部の第２の空間２０ｂは、チャンバ２ｂの内部の第５の空間２０ｅと、チャンバ２ｂの外部の第６の空間２０ｆとを含む。
チャンバ２ｂの外部において、第１の隔壁３７ｆの下端に、ターゲット回収部２８ｆが配置されている。チャンバ２ｂとターゲット回収部２８ｆとの間において、第１の隔壁３７ｆにはガス排気口３８ｆが形成され、ガス排気口３８ｆには排気管３９を介して排気装置３０が接続されている。
７．２ 動作
複数のターゲット２７のうちのパルスレーザ光３３が照射されずにプラズマ化しなかったターゲット２７は、第５の空間２０ｅから第６の空間２０ｆへ移動してターゲット回収部２８ｆに到達する。
ガス供給源４０（図２参照）は、第１のガス供給口５１を介して第１の空間２０ａにガスを供給する。排気装置３０は、第１の隔壁３７ｆの内部の第５及び第６の空間２０ｅ及び２０ｆのガスを排気する。これにより、第１の空間２０ａの圧力が第５及び第６の空間２０ｅ及び２０ｆの圧力よりも高くなる。その結果、第１の空間２０ａから第５の空間２０ｅへ、さらに第５の空間２０ｅから重力方向に第６の空間２０ｆへ、さらに第６の空間２０ｆから排気管３９へと重力方向と交差する方向に導かれて、排気装置３０へガスが流れる。
７．３ 作用
（９）第５の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１ｆは、プラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給するターゲット供給部２６と、第１の隔壁３７ｆに配置され、プラズマ生成領域２５を通過したターゲット２７を回収するターゲット回収部２８ｆと、をさらに備える。
これによれば、プラズマ生成領域２５を通過したターゲット２７を回収するターゲット回収部２８ｆが第１の隔壁３７ｆに配置されているので、第１の隔壁３７ｆから排気されなかったターゲット物質のデブリもターゲット回収部２８ｆによって回収することができる。
（１０）第５の実施形態によれば、第１の隔壁３７ｆは、第２の空間２０ｂの一部であってチャンバ２ｂの内部の第５の空間２０ｅのガスが、第２の空間２０ｂの他の一部であってチャンバ２ｂの外部の第６の空間２０ｆを通って第１の隔壁３７ｆの外部に排気されるように構成される。そして、第５の空間２０ｅから第６の空間２０ｆへのガスの移動方向が重力方向と一致する。
ターゲット物質のデブリが第１の隔壁３７ｆの内側の表面に付着して厚く堆積すると、第１の隔壁３７ｆの内側の表面から剥がれ落ちることがある。このようなデブリは、第５の実施形態によればチャンバ２ｂの内部の第５の空間２０ｅからチャンバ２ｂの外部の第６の空間２０ｆに向けて落下するので、チャンバ２ｂの外部で回収することができる。
（１１）第５の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１ｆは、ガス排気口３８ｆに接続され、第６の空間２０ｆのガスを重力方向と交差する方向に導いて排気する排気管３９をさらに備える。
これによれば、第６の空間２０ｆのガスを重力方向と交差する方向に導いて排気するので、第１の隔壁３７ｆの内側の表面から剥がれ落ちたデブリが排気管３９に入ることが抑制される。
他の点については、第５の実施形態は第１の実施形態と同様である。あるいは、第２の実施形態と同様に、第５の実施形態はセンサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄを含んでもよい。あるいは、第３の実施形態と同様に、第５の実施形態は第２の隔壁２ｄを含んでもよい。あるいは、第４の実施形態と同様に、第５の実施形態は第１の隔壁３７ｆの加熱及び冷却のいずれか又は両方を実施する温度調整装置を備えてもよいし、第１の隔壁３７ｆの内側の表面にコーティングが形成されてもよい。
８．第１の隔壁３７ｇがフランジ３７ｈを含むＥＵＶ光生成装置１ｇ
８．１ 構成及び動作
図１３は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１ｇの構成を示す断面図である。図１３はパルスレーザ光３３（図３参照）の光路軸と垂直な断面を示す。
ＥＵＶ光生成装置１ｇにおいては、第１の実施形態における第１の隔壁３７の代わりに、第１の隔壁３７ｇが配置されている。第１の隔壁３７ｇの周囲にはフランジ３７ｈが形成されている。
図１４は、フランジ３７ｈ及びその周辺の構成要素を拡大して示す断面図である。チャンバ２ｂを構成する壁には第１の隔壁３７ｇが貫通する貫通孔２ｇが形成されている。図１３及び図１４における右側から貫通孔２ｇに第１の隔壁３７ｇの一部が挿入され、フランジ３７ｈが、図示しないボルトで、チャンバ２ｂを構成する壁に固定される。第１の隔壁３７ｇにデブリが付着した場合に、ボルトを外して第１の隔壁３７ｇを交換することができる。
８．２ 作用
（１２）第６の実施形態によれば、第１の隔壁３７ｇはチャンバ２ｂを構成する壁を貫通しており、第１の隔壁３７ｇの周囲に、チャンバ２ｂを構成する壁にチャンバ２ｂの外部から固定されるフランジ３７ｈが形成されている。
これによれば、チャンバ２ｂに対する第１の隔壁３７ｇの固定及び取り外しが可能となり、メンテナンスが容易となる。
他の点については、第６の実施形態は第１の実施形態と同様である。あるいは、第２の実施形態と同様に、第６の実施形態はセンサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄを含んでもよい。あるいは、第３の実施形態と同様に、第６の実施形態は第２の隔壁２ｄを含んでもよい。あるいは、第４の実施形態と同様に、第６の実施形態は第１の隔壁３７ｇの加熱及び冷却のいずれか又は両方を実施する温度調整装置を備えてもよいし、第１の隔壁３７ｇの内側の表面にコーティングが形成されてもよい。あるいは、第５の実施形態と同様に、第６の実施形態においては第１の隔壁３７ｇが縦向きに配置されてもよい。
９．第１の隔壁３７ｉがフランジ３７ｈを含むＥＵＶ光生成装置１ｈ
９．１ 構成及び動作
図１５及び図１６は、第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１ｈの構成を示す断面図である。図１５はターゲット２７の軌道と垂直な断面を示し、図１６はパルスレーザ光３３の光路軸と垂直な断面を示す。図１６は図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線の位置での断面図に相当する。
ＥＵＶ光生成装置１ｈにおいては、図７及び図８を参照しながら説明した第３の実施形態における第１の隔壁３７ｃの代わりに、第１の隔壁３７ｉが配置されている。第１の隔壁３７ｉの周囲にはフランジ３７ｈが形成されている。フランジ３７ｈの構成は、図１３及び図１４を参照しながら説明した第６の実施形態において対応する構成と同様である。
第６の実施形態と同様に、フランジ３７ｈが、図示しないボルトで、チャンバ２ｂを構成する壁に固定される。第１の隔壁３７ｉにデブリが付着した場合に、ボルトを外せば第１の隔壁３７ｉを交換することができる。
第７の実施形態において、第２の隔壁２ｄは、第１の空間２０ａを第３の空間２０ｃと第４の空間２０ｄと、に隔てる。第２の隔壁２ｄは、第５の開口２１ｄを有する。図１７及び図１８を参照しながら説明するように、第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと、第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとは近接しており、これらは直接固定されていなくてよい。すなわち、第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと、第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとを固定するためのボルト締め、溶接、接着等は行われていなくてよい。
９．２ 第１の例
図１７は、第７の実施形態における第２の隔壁２ｄに対する第１の隔壁３７ｉの配置の第１の例を示す断面図である。第１の隔壁３７ｉの端部３７ｊと、第２の隔壁２ｄの第４の空間２０ｄ側の面と、が対向している。第１の隔壁３７ｉの端部３７ｊと、第２の隔壁２ｄの第４の空間２０ｄ側の面と、の間には、エラストマー部材３７ｋが配置されている。エラストマー部材３７ｋは本開示における弾性体に相当する。エラストマー部材３７ｋは、第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとの間に挟まれて配置されている。
エラストマー部材３７ｋは、円環状の形状を有している。円環状のエラストマー部材３７ｋの直径は、円筒状の第１の隔壁３７ｉの直径とほぼ同一である。エラストマー部材３７ｋは、第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとの間をガスシールする。
エラストマー部材３７ｋは、例えば、第１の隔壁３７ｉに固定されるが、第２の隔壁２ｄには固定されずに、押し当てられている。あるいは、エラストマー部材３７ｋは、第２の隔壁２ｄには固定されるが、第１の隔壁３７ｉに固定されずに、押し当てられていてもよい。このように、第１の隔壁３７ｉの端部３７ｊと、第２の隔壁２ｄの第４の空間２０ｄ側の面と、は互いに固定されないようになっている。
９．３ 第２の例
図１８は、第７の実施形態における第２の隔壁２ｄに対する第１の隔壁３７ｉの配置の第２の例を示す断面図である。第１の隔壁３７ｉの端部３７ｊと、第２の隔壁２ｄの第４の空間２０ｄ側の面と、が離間している。第１の隔壁３７ｉと第２の隔壁２ｄとの間の隙間３７ｍはなるべく狭く、ターゲット物質のデブリが第２の空間２０ｂから漏れることが抑制されることが望ましい。隙間３７ｍは５ｍｍ以下が望ましく、２ｍｍ以下が更に望ましい。
９．４ 作用
（１３）第７の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１ｈは第２の隔壁２ｄを備える。第２の隔壁２ｄは、第１の空間２０ａを、ＥＵＶ集光ミラー２３ｂが位置する第３の空間２０ｃと、第１の隔壁３７ｉに接する第４の空間２０ｄと、に隔てる。第２の隔壁２ｄは、プラズマ生成領域２５で発生したＥＵＶ光をＥＵＶ集光ミラー２３ｂに向けて通過させる第５の開口２１ｄを有する。第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとが近接している。
これによれば、第２の隔壁２ｄを備える構成においてもチャンバ２ｂに対する第１の隔壁３７ｉの固定及び取り外しが可能となり、メンテナンスが容易となる。
（１４）第７の実施形態によれば、第１の隔壁３７ｉの端部３７ｊと、第２の隔壁２ｄの第４の空間２０ｄ側の面と、が対向している。
これによれば、チャンバ２ｂの外側から第２の隔壁２ｄの第４の空間２０ｄ側の面に向けて第１の隔壁３７ｉを挿入することで、第１の隔壁３７ｉを所定位置に配置することができる。
（１５）第７の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１ｈは、第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとの間に挟まれて配置されたエラストマー部材３７ｋを備える。
これによれば、第２の空間２０ｂの内部のターゲット物質のデブリが第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとの間から漏れることが抑制され得る。
（１６）第７の実施形態によれば、エラストマー部材３７ｋは、第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとの間をガスシールする。
これによれば、第２の空間２０ｂの内部のターゲット物質のデブリが第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとの間から漏れることがさらに抑制され得る。
（１７）第７の実施形態によれば、エラストマー部材３７ｋは、第１の隔壁３７ｉと第２の隔壁２ｄとのうちの一方に固定され、他方に押し当てられている。
これによれば、エラストマー部材３７ｋが、第１の隔壁３７ｉと第２の隔壁２ｄとの間の位置からずれることが抑制される。
（１８）第７の実施形態によれば、第１の開口３７１の周囲の第１の隔壁３７ｉと第５の開口２１ｄの周囲の第２の隔壁２ｄとの間は離間している。
これによれば、第１の隔壁３７ｉが熱膨張率した場合でも、第１の隔壁３７ｉが第２の隔壁２ｄを押圧して第２の隔壁２ｄを変形させることが抑制される。
他の点については、第７の実施形態は第３の実施形態と同様である。あるいは、第１の実施形態と同様に、第７の実施形態はセンサ４ｂ、４ｃ、及び４ｄを含まなくてもよい。あるいは、第４の実施形態と同様に、第７の実施形態は第１の隔壁３７ｉの加熱及び冷却のいずれか又は両方を実施する温度調整装置を備えてもよいし、第１の隔壁３７ｉの内側の表面にコーティングが形成されてもよい。あるいは、第５の実施形態と同様に、第７の実施形態は第１の隔壁３７ｉが縦向きに配置されてもよい。
１０．その他
図１９は、ＥＵＶ光生成装置１ｂに接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図１９において、外部装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成装置１ｂから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。ＥＵＶ光生成装置１ｂの代わりに、ＥＵＶ光生成装置１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈのいずれかが用いられてもよい。
図２０は、ＥＵＶ光生成装置１ｂに接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図２０において、外部装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６３と検出光学系６６とを含む。照明光学系６３は、ＥＵＶ光生成装置１ｂから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６４に配置されたマスク６５を照射する。ここでいうマスク６５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６６は、照明されたマスク６５からのＥＵＶ光を反射して検出器６７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６７はマスク６５の画像を取得する。検出器６７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６５の画像により、マスク６５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写する。ＥＵＶ光生成装置１ｂの代わりに、ＥＵＶ光生成装置１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈのいずれかが用いられてもよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (23)

  1. チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の空間を第３の空間と第４の空間とに隔てる第２の隔壁と、
    前記チャンバに形成され、前記第４の空間にガスを供給する第２のガス供給口と、
    を備え、
    前記第１のガス供給口は前記第３の空間にガスを供給するように構成され、
    前記第１の隔壁は第２の開口を有し、
    前記第１の開口は前記第３の空間と前記第２の空間とを連通させ、
    前記第２の開口は前記第４の空間と前記第２の空間とを連通させる、極端紫外光生成装置。
  2. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路の外に前記第１の開口が位置するように、前記ＥＵＶ集光ミラーが配置された
    極端紫外光生成装置。
  3. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第２の開口は、前記プラズマ生成領域に入射するようにパルスレーザ光を通過させる
    極端紫外光生成装置。
  4. 請求項３に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部をさらに備え、
    前記第１の隔壁は第３の開口を有し、
    前記第３の開口は前記第４の空間と前記第２の空間とを連通させ、
    前記第３の開口はターゲット物質を通過させる
    極端紫外光生成装置。
  5. 請求項３に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の隔壁は第４の開口を有し、
    前記第４の開口は前記第４の空間と前記第２の空間とを連通させ、
    前記第４の開口は前記第２の空間の一部を観測するための光を通過させる
    極端紫外光生成装置。
  6. チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の隔壁の温度を調整する温度調整装置と、
    を備える
    極端紫外光生成装置。
  7. 請求項６に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の隔壁の表面に、ターゲット物質の付着を抑制するコーティングが形成された
    極端紫外光生成装置。
  8. チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記プラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
    前記第１の隔壁に配置され、前記プラズマ生成領域を通過したターゲット物質を回収するターゲット回収部と、
    を備え、
    前記第１の隔壁は、前記第２の空間の一部であって前記チャンバの内部の第５の空間のガスが、前記第２の空間の他の一部であって前記チャンバの外部の第６の空間を通って前記第１の隔壁の外部に排気されるように構成され、
    前記第５の空間から前記第６の空間へのガスの移動方向が重力方向と一致する
    極端紫外光生成装置。
  9. 請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ガス排気口に接続され、前記第６の空間のガスを重力方向と交差する方向に導いて排気する排気管をさらに備える
    極端紫外光生成装置。
  10. チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の空間を、前記ＥＵＶ集光ミラーが位置する第３の空間と、前記第１の隔壁に接する第４の空間と、に隔て、前記プラズマ生成領域で発生した極端紫外光を前記ＥＵＶ集光ミラーに向けて通過させる第５の開口を有する第２の隔壁と、
    を備え、
    前記第１の隔壁は前記チャンバを構成する壁を貫通しており、
    前記第１の隔壁の周囲に、前記チャンバを構成する壁に前記チャンバの外部から固定されるフランジが形成されており、
    前記第１の開口の周囲の前記第１の隔壁と前記第５の開口の周囲の前記第２の隔壁とが近接している
    極端紫外光生成装置。
  11. 請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の隔壁の端部と、前記第２の隔壁の前記第４の空間側の面と、が対向している
    極端紫外光生成装置。
  12. 請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の開口の周囲の前記第１の隔壁と前記第５の開口の周囲の前記第２の隔壁との間に挟まれて配置された弾性体をさらに備える
    極端紫外光生成装置。
  13. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記弾性体は、前記第１の開口の周囲の前記第１の隔壁と前記第５の開口の周囲の前記第２の隔壁との間をガスシールする
    極端紫外光生成装置。
  14. 請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記弾性体は、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁とのうちの一方に固定され、他方に押し当てられている
    極端紫外光生成装置。
  15. 請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の開口の周囲の前記第１の隔壁と前記第５の開口の周囲の前記第２の隔壁との間は離間している
    極端紫外光生成装置。
  16. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の空間を第３の空間と第４の空間とに隔てる第２の隔壁と、
    前記チャンバに形成され、前記第４の空間にガスを供給する第２のガス供給口と、
    を備え、
    前記第１のガス供給口は前記第３の空間にガスを供給するように構成され、
    前記第１の隔壁は第２の開口を有し、
    前記第１の開口は前記第３の空間と前記第２の空間とを連通させ、
    前記第２の開口は前記第４の空間と前記第２の空間とを連通させる極端紫外光生成装置において極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
  17. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の隔壁の温度を調整する温度調整装置と、
    を備える極端紫外光生成装置において極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
  18. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記プラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
    前記第１の隔壁に配置され、前記プラズマ生成領域を通過したターゲット物質を回収するターゲット回収部と、
    を備え、
    前記第１の隔壁は、前記第２の空間の一部であって前記チャンバの内部の第５の空間のガスが、前記第２の空間の他の一部であって前記チャンバの外部の第６の空間を通って前記第１の隔壁の外部に排気されるように構成され、
    前記第５の空間から前記第６の空間へのガスの移動方向が重力方向と一致する極端紫外光生成装置において極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
  19. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の空間を、前記ＥＵＶ集光ミラーが位置する第３の空間と、前記第１の隔壁に接する第４の空間と、に隔て、前記プラズマ生成領域で発生した極端紫外光を前記ＥＵＶ集光ミラーに向けて通過させる第５の開口を有する第２の隔壁と、
    を備え、
    前記第１の隔壁は前記チャンバを構成する壁を貫通しており、
    前記第１の隔壁の周囲に、前記チャンバを構成する壁に前記チャンバの外部から固定されるフランジが形成されており、
    前記第１の開口の周囲の前記第１の隔壁と前記第５の開口の周囲の前記第２の隔壁とが近接している極端紫外光生成装置において極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
  20. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の空間を第３の空間と第４の空間とに隔てる第２の隔壁と、
    前記チャンバに形成され、前記第４の空間にガスを供給する第２のガス供給口と、
    を備え、
    前記第１のガス供給口は前記第３の空間にガスを供給するように構成され、
    前記第１の隔壁は第２の開口を有し、
    前記第１の開口は前記第３の空間と前記第２の空間とを連通させ、
    前記第２の開口は前記第４の空間と前記第２の空間とを連通させる極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
  21. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の隔壁の温度を調整する温度調整装置と、
    を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
  22. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記プラズマ生成領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
    前記第１の隔壁に配置され、前記プラズマ生成領域を通過したターゲット物質を回収するターゲット回収部と、
    を備え、
    前記第１の隔壁は、前記第２の空間の一部であって前記チャンバの内部の第５の空間のガスが、前記第２の空間の他の一部であって前記チャンバの外部の第６の空間を通って前記第１の隔壁の外部に排気されるように構成され、
    前記第５の空間から前記第６の空間へのガスの移動方向が重力方向と一致する極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
  23. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ生成領域を覆い、第１の開口を有する第１の隔壁と、
    前記チャンバの内部であって前記第１の隔壁の外部の第１の空間に位置し、前記プラズマ生成領域で発生して前記第１の開口を通過した極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    前記チャンバに形成され、前記第１の空間にガスを供給する第１のガス供給口と、
    前記第１の隔壁に形成され、前記第１の隔壁の内部の第２の空間のガスを前記第１の隔壁の外部であって前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１の空間を、前記ＥＵＶ集光ミラーが位置する第３の空間と、前記第１の隔壁に接する第４の空間と、に隔て、前記プラズマ生成領域で発生した極端紫外光を前記ＥＵＶ集光ミラーに向けて通過させる第５の開口を有する第２の隔壁と、
    を備え、
    前記第１の隔壁は前記チャンバを構成する壁を貫通しており、
    前記第１の隔壁の周囲に、前記チャンバを構成する壁に前記チャンバの外部から固定されるフランジが形成されており、
    前記第１の開口の周囲の前記第１の隔壁と前記第５の開口の周囲の前記第２の隔壁とが近接している極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
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