WO2015087454A1 - ターゲット供給装置 - Google Patents
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Definitions
- This disclosure relates to a target supply device.
- an LPP Laser Produced Plasma
- DPP discharge Produced Plasma
- a target supply device includes a nozzle having a nozzle hole in which a liquid target material is output, and a target generator that accommodates the liquid target material therein, and is disposed in the target generator. And a filter formed of glass that reacts with the liquid target material to produce a solid reaction product, the filter having a first through hole for circulating the liquid target material, The surface may be coated with a material that does not easily react with the liquid target substance.
- a target supply device includes a nozzle having a nozzle hole in which a liquid target material is output, and a target generator that accommodates the liquid target material therein, and is disposed in the target generator.
- a filter formed of glass or ceramic, a support member that abuts the surface of the filter on the nozzle hole side and supports the filter, and a positioning unit that positions the filter and the support member within the target generator.
- the support member has a first through-hole for circulating the liquid target material, and the support member is formed with a diameter larger than the diameter of the first through-hole, and a second for circulating the liquid target material flowing out of the first through-hole. You may have a through-hole.
- FIG. 1 schematically shows a configuration of an LPP EUV light generation apparatus.
- FIG. 2 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the first embodiment.
- FIG. 3 schematically shows the configuration of the target supply apparatus.
- FIG. 4 shows the attachment state of the filter part and the support part of the target supply device.
- FIG. 5 is a perspective view schematically showing the third filter and the support plate.
- FIG. 6 schematically illustrates a problem that occurs when a target material is heated to a predetermined temperature that is equal to or higher than the melting point of the target material.
- FIG. 7 schematically illustrates a configuration of a main part of the target supply device according to the second embodiment.
- FIG. 8 schematically shows a configuration of a main part of the target supply device according to the third embodiment.
- FIG. 9 schematically shows a configuration of a main part of the target supply device according to the fourth embodiment.
- FIG. 10 schematically shows a configuration of a main part of the target supply device according to the fifth embodiment.
- FIG. 11 schematically illustrates the configuration of a filter breakage suppression device including a target supply device according to a sixth embodiment.
- FIG. 12 is a flowchart showing a filter breakage suppression method.
- FIG. 13 is a timing chart showing a filter breakage suppression method in the filter breakage suppression apparatus.
- FIG. 14 is a graph showing the relationship between the diameter of the first through hole of the third filter and the infiltration pressure.
- a target supply device includes a nozzle having a nozzle hole in which a liquid target material is output, a target generator that stores the liquid target material therein, and a target generator And a filter formed of glass that is disposed and reacts with the liquid target material to produce a solid reaction product, the filter having a first through hole for flowing the liquid target material, The inner surface of the hole may be coated with a material that does not easily react with the liquid target substance.
- a target supply device includes a nozzle having a nozzle hole in which a liquid target material is output, a target generator that stores the liquid target material therein, and a target generator disposed in the target generator.
- a filter formed of glass or ceramic, a support member that abuts the surface of the filter on the nozzle hole side and supports the filter, and a positioning unit that positions the filter and the support member within the target generator.
- FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
- the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
- a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
- the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply apparatus 7.
- the chamber 2 may be sealable.
- the target supply device 7 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
- the material of the target substance supplied from the target supply device 7 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
- the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
- a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
- an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
- the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
- On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
- the EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292.
- a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
- the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like.
- the target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, locus, position, speed, and the like of the droplet 27 as a target.
- the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other.
- a wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29.
- the wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
- the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the droplet 27, and the like.
- the laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
- the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 passes through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enters the chamber 2. May be.
- the pulsed laser beam 32 may travel through the chamber 2 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collecting mirror 22, and irradiate at least one droplet 27 as the pulsed laser beam 33.
- the target supply device 7 may be configured to output the droplet 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
- the droplet 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 33.
- the droplet 27 irradiated with the pulsed laser light is turned into plasma, and radiation light 251 can be emitted from the plasma.
- the EUV light 252 included in the radiation light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
- the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
- a single droplet 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
- the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
- the EUV light generation controller 5 may be configured to process the image data of the droplet 27 captured by the target sensor 4.
- the EUV light generation controller 5 may be configured to control, for example, the timing at which the droplet 27 is output, the output direction of the droplet 27, and the like.
- the EUV light generation control unit 5 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 3, the traveling direction of the pulse laser light 32, the condensing position of the pulse laser light 33, and the like.
- the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
- the filter may be formed of glass containing lead.
- materials that are difficult to react with the liquid target material are Al 2 O 3 (aluminum oxide), Cr 2 O 3 (chromium oxide (III)), Y 2 O 3 (oxidation). Yttrium) or TiB 2 (titanium boride).
- the target supply device includes a support member that supports the filter by contacting a surface on the nozzle hole side of the filter, and a positioning unit that positions the filter and the support member in the target generator.
- the support member may have a plurality of second through holes that are formed to have a diameter larger than the diameter of the first through holes and allow the liquid target material flowing out from the first through holes to flow therethrough.
- the support member may be formed of molybdenum, quartz glass, or sapphire.
- FIG. 2 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the first embodiment.
- FIG. 3 schematically shows the configuration of the target supply apparatus.
- FIG. 4 shows the attachment state of the filter part and the support part of the target supply device.
- FIG. 5 is a perspective view schematically showing the third filter and the support plate.
- the EUV light generation apparatus 1A may include a chamber 2 and a target supply apparatus 7A as shown in FIG.
- the target supply device 7A may include a target generation unit 70A and a target control device 71A.
- the laser apparatus 3, the target sensor 4, and the EUV light generation control system 5A may be electrically connected to the target control apparatus 71A.
- the target generation unit 70A includes a target generator 8A, a filter unit 72A, a support unit 73A, a positioning unit 74A, a pressure regulator 76A, a temperature control unit 78A, and a piezo. 79A may be provided.
- the target generator 8A may include a tank 81A, a nozzle base end portion 83A, and a nozzle tip end portion 85A.
- the tank 81A, the nozzle base end portion 83A, and the nozzle tip end portion 85A may be made of a material having low reactivity with the target material 270 such as molybdenum.
- the tank 81A may include a tank body 811A and a lid 812A.
- the tank body 811A may be formed in a substantially cylindrical shape having a wall surface on the second surface on the ⁇ Z direction side.
- the hollow portion of the tank main body 811A may be an accommodation space 810A.
- a concave portion 813A that is recessed in a substantially circular shape toward the + Z direction may be provided at the center of the second surface of the tank body 811A.
- a through hole 814A that communicates with the accommodation space 810A may be provided in the center of the recess 813A.
- the entire second surface of the tank body 811A may be polished.
- the lid 812A may be formed in a substantially disk shape that closes the first surface on the + Z direction side of the tank body 811A.
- the lid 812A may be fixed to the first surface of the tank body 811A by a plurality of bolts 815A. At this time, the space between the tank body 811A and the lid portion 812A may be sealed by fitting an O-ring 816A into a groove provided on the first surface of the tank body 811A.
- the nozzle base end portion 83A may be formed in a substantially cylindrical shape.
- the outer diameter of the nozzle base end portion 83A may be substantially equal to the outer diameter of the tank body 811A.
- a first convex portion 831A similar to the shape of the concave portion 813A of the tank body 811A may be provided on the first surface on the + Z direction side of the nozzle base end portion 83A.
- the nozzle base end portion 83A may be fixed to the second surface of the tank main body 811A by a bolt 746A described later of the positioning portion 74A. At this time, the space between the tank main body 811A and the nozzle base end portion 83A may be sealed by fitting an O-ring 832A into a groove provided on the first surface on the + Z direction side of the first convex portion 831A.
- a through hole 833A penetrating in the vertical direction (Z-axis direction) may be provided in the center of the nozzle base end portion 83A.
- the through hole 833A may communicate with the through hole 814A.
- the + Z direction side in the through hole 833A may be the accommodating portion 834A.
- a holder 741A (described later) of the positioning portion 74A may be accommodated in the accommodating portion 834A.
- the accommodating portion 834A may include a first contact portion 835A and a second contact portion 836A.
- the first contact portion 835A may contact the outer peripheral surface of the holder 741A.
- the second contact portion 836A may contact the second surface of the holder 741A.
- the contact surface that contacts the holder 741A in the second contact portion 836A may be polished.
- a convex portion 837A may be provided on the second surface on the ⁇ Z direction side of the nozzle base end portion 83A.
- the convex portion 837A may protrude in a substantially disc shape toward the ⁇ Z direction.
- An opening of the through hole 833A may exist in the convex portion 837A.
- the nozzle tip 85A may be formed in a substantially disc shape as shown in FIG.
- the outer diameter of the nozzle distal end portion 85A may be smaller than the outer diameter of the nozzle base end portion 83A.
- a concave portion 851A that is recessed in a substantially circular shape in the ⁇ Z direction may be provided at the center of the first surface of the nozzle tip portion 85A.
- the convex portion 837A of the nozzle base end portion 83A may be fitted into the concave portion 851A.
- a portion of the concave portion 851A that comes into contact with the convex portion 837A may be polished.
- the nozzle distal end portion 85A may be fixed to the second surface of the nozzle proximal end portion 83A by a plurality of bolts 852A penetrating the nozzle distal end portion 85A.
- a through-hole 853A penetrating in the vertical direction (Z-axis direction) may be provided in the center of the nozzle tip portion 85A.
- the through hole 853A may communicate with the through hole 833A.
- the through hole 853A may have a shape in which the diameter is reduced toward the ⁇ Z direction.
- the end of the through hole 853A on the ⁇ Z direction side may be a nozzle hole 854A.
- the diameter of the nozzle hole 854A may be 1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
- the nozzle base end portion 83 ⁇ / b> A and the nozzle front end portion 85 ⁇ / b> A may constitute a nozzle 82 ⁇ / b> A for outputting the target material 270 in the accommodation space 810 ⁇ / b> A as the droplet 27 into the chamber 2.
- the nozzle 82A may be made of a material having low wettability with the target material 270.
- the material having low wettability with the target substance 270 may be a material having a contact angle with the target substance 270 of 90 ° or more.
- the material having a contact angle of 90 ° or more may be SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , molybdenum, tungsten, or tantalum.
- the target generator 8A may be provided such that the tank 81A and the nozzle base end portion 83A are located outside the chamber 2 and the nozzle tip end portion 85A is located inside the chamber 2.
- the preset output direction of the droplet 27 does not necessarily coincide with the gravity direction 10B.
- the output direction of the droplet 27 set in advance may be the central axis direction of the nozzle hole 854A, and is hereinafter referred to as a set output direction 10A.
- the droplet 27 may be configured to be output obliquely or horizontally with respect to the gravity direction 10B.
- the chamber 2 may be installed so that the set output direction 10A matches the gravity direction 10B.
- the target material 270 may include particles as foreign matter.
- the particles can be generated by the reaction of the target material 270 with impurities or oxygen, can be included in the raw material of the target material 270, or can be generated by physical wear of the target material 270 and the tank 81A.
- the filter unit 72A may include a first filter 721A, a second filter 722A, and a third filter 723A.
- the first and second filters 721A and 722A may be made of a porous material to collect particles contained in the target material 270.
- the first filter 721A may be provided with countless through pores having a diameter of, for example, about 10 ⁇ m.
- the second filter 722A may be provided with innumerable through pores having a diameter of, for example, about 3 ⁇ m.
- the size of the through-holes of the first filter 721A and the second filter 722A may be different.
- the through pores of the first and second filters 721A and 722A may be bent in various directions and penetrate each filter.
- the first and second filters 721A and 722A may be formed in a substantially disk shape, and the diameter thereof may be larger than the maximum inner diameter of the through hole 833A.
- the first and second filters 721A and 722A may be formed of a material having low reactivity with the target material 270.
- the difference between the linear thermal expansion coefficient of the material constituting the first and second filters 721A and 722A and the linear thermal expansion coefficient of the material constituting the target generator 8A is the linear thermal expansion coefficient of the material constituting the target generator 8A. It may be smaller than 20%.
- the target generator 8A may be formed of molybdenum having low reactivity with tin.
- the first and second filters 721A and 722A may be made of any of the materials shown in Table 1 below.
- the coefficient of linear thermal expansion of molybdenum is 5.2 ⁇ 10 ⁇ 6 .
- the linear thermal expansion coefficient of tungsten is 4.6 ⁇ 10 ⁇ 6 .
- the material of the first and second filters 721A and 722A may be, for example, shirasu porous glass (SPG) provided by SPG Techno Co., Ltd.
- SPG may be a porous glass made from volcanic ash shirasu.
- the SPG may be a ceramic of the present disclosure.
- the first and second filters 721A and 722A may be formed in a substantially disk shape.
- the dimension in the Z-axis direction which is the thickness dimension of the first and second filters 721A and 722A, may be about 3 mm, and the diameter of the first and second filters 721A and 722A is about 20 mm. It may be.
- the SPG composition ratio may be the ratio shown in Table 2 below.
- the first and second filters 721A and 722A can be provided with innumerable through pores having a diameter of 3 ⁇ m to 20 ⁇ m and bent in various directions.
- the third filter 723A may be a filter according to the present disclosure.
- the third filter 723A is disposed in the target generator 8A and may be made of a plurality of capillaries to collect particles contained in the target material 270.
- the third filter 723A may be formed in a substantially disk shape, and the diameter thereof may be approximately 20 mm, which is substantially equal to the first and second filters 721A and 722A.
- the dimension in the Z-axis direction, which is the thickness dimension of the third filter 723A, may be about 0.5 mm. As shown in FIGS.
- the third filter 723 ⁇ / b> A may be provided with a number of first through holes 724 ⁇ / b> A penetrating in the Z-axis direction that is the thickness direction.
- the diameter of the first through hole 724A may be 0.1 ⁇ m to 2 ⁇ m.
- the third filter 723A may be formed by bundling a plurality of capillaries having the first through-holes 724A.
- the aperture ratio of the third filter 723A may be about 30%. The aperture ratio may be obtained by dividing the total area of the openings of the multiple first through holes 724A by the area of the first surface on the + Z direction side of the third filter 723A.
- the third filter 723A may be formed of glass that reacts with the liquid target material 270 to generate a solid reaction product.
- the glass constituting the capillary tube of the third filter 723A may have a low melting point.
- By configuring the capillary tube with a glass having a low melting point it may be possible to form a capillary tube having a smaller diameter than when the capillary tube is configured with a quartz glass having a high melting point.
- the third filter 723A in which the diameter of the first through hole 724A is smaller than when the third filter 723A is formed of quartz glass.
- the low melting point glass may contain lead.
- the composition, softening point, and linear thermal expansion coefficient of the glass containing lead may be those shown in Table 3, Table 4, and Table 5 below.
- the target material 270 is tin
- the third filter 723A is formed of the low melting point glass shown in Tables 3 to 5
- tin and PbO can undergo a reduction reaction as in the following formulas (1) and (2). .
- the third filter 723A is formed of glass having a low melting point
- the third filter 723A contains SiO 2 and PbO, solid lead can be precipitated. If solid lead precipitates out of the low melting glass, the remaining glass structure can be damaged and solid SiO 2 can be produced. As a result, particles such as SnO, SnO 2 , and SiO 2 may be generated when the low melting point glass constituting the third filter 723A reacts with tin that is the target material 270.
- a coating film 725A may be provided on the inner surface of the first through hole 724A in the third filter 723A.
- the coating film 725 ⁇ / b> A may be formed by coating a material that does not easily react with the liquid target material 270.
- the reaction of the low melting point glass lead constituting the third filter 723A and the tin, which is the target material 270 is suppressed, and SnO, SnO 2 , generation of particles such as SiO 2 can be suppressed.
- the material that does not easily react with the liquid target substance 270 may be any of the materials shown in Table 6 below.
- the linear thermal expansion coefficient of the third filter 723A is 7.4 ⁇ 10 ⁇ 6 .
- the coating film 725A may be formed of any one of Al 2 O 3 (aluminum oxide), Cr 2 O 3 (chromium oxide (III)), Y 2 O 3 (yttrium oxide), and TiB 2 (titanium boride). Good. In this case, the linear thermal expansion coefficient of the coating film 725A can be substantially equal to the linear thermal expansion coefficient of the third filter 723A.
- the coating film 725A may be formed of any one of Al 2 O 3 (aluminum oxide), Y 2 O 3 (yttrium oxide), SiO 2 (silicon dioxide), AlN (aluminum nitride), and ZrO 2 (zirconium oxide). Good. In this case, a uniform coating film 725A having a thin thickness of 5 nm to 30 nm can be formed on the inner surface of the first through hole 724A by an ALD (Automatic Layer Deposition) method.
- ALD Automatic Layer Deposition
- the coating film 725A is formed by a normal film forming method such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or a PVD (Physical Vapor Deposition) method
- the coating film 725A having a uniform film thickness is formed as in the case of using the ALD method. Can be difficult.
- the coating film 725A by the ALD method compared with the case where the coating film 725A is formed by the CVD method or the PVD method, the low melting point glass lead constituting the third filter 723A and the target material 270 are formed. It can be suppressed that tin reacts.
- the coating film 725A is made of Al 2 O 3 (aluminum oxide), from the viewpoint of the difficulty of peeling the coating film 725A from the third filter 723A and the ease of forming the coating film 725A having a uniform film thickness. It may be formed of any of Y 2 O 3 (yttrium oxide).
- the support portion 73A may include a support plate 731A.
- the support plate 731A may be a support member of the present disclosure. As shown in FIGS. 3 to 5, the support plate 731A may be formed in a substantially disc shape, and the diameter thereof may be about 20 mm which is substantially equal to the first and second filters 721A, 722A and 723A. Good.
- the support plate 731A may be formed of a material having low reactivity with the target material 270. When the target material 270 is tin, the support plate 731A may be formed of molybdenum having low reactivity with tin.
- the support plate 731A may be provided with a second through hole 732A penetrating in the Z-axis direction that is the thickness direction.
- the number of second through holes 732A may be smaller than the number of first through holes 724A.
- the diameter of the second through hole 732A may be larger than the diameter of the first through hole 724A of the third filter 723A.
- the diameter of the second through hole 732A may be 1 mm to 2 mm.
- the positioning unit 74A may position the filter unit 72A and the support unit 73A in the target generator 8A.
- the positioning unit 74A may include a holder 741A, a shim 745A, and a bolt 746A.
- the holder 741 ⁇ / b> A may include a cylindrical portion 742 ⁇ / b> A and a contact portion 743 ⁇ / b> A.
- the first surface on the + Z direction side and the second surface on the ⁇ Z direction side of the holder 741A may be polished.
- the holder 741A may be housed in the housing portion 834A of the nozzle base end portion 83A.
- the shim 745A may be formed of a material having low reactivity with the target material 270.
- the difference between the linear thermal expansion coefficient of the material constituting the first, second and third filters 721A, 722A, 723A and the support plate 731A and the linear thermal expansion coefficient of the material constituting the shim 745A constitutes the shim 745A. It may be smaller than 20% of the linear thermal expansion coefficient of the material.
- the first and second filters 721A and 722A are filters formed of SPG
- the third filter 723A is a filter formed of low-melting glass containing lead
- the support plate 731A is formed of molybdenum.
- the shim 745A may be formed of molybdenum.
- the shim 745A may be formed in a substantially annular plate shape.
- the support plate 731A may be accommodated in the holder 741A.
- the support plate 731A may be placed on the contact portion 743A of the holder 741A.
- the first, second, and third filters 721A, 722A, and 723A may be accommodated on the + Z direction side of the support plate 731A in the holder 741A so as to overlap in the Z-axis direction.
- the first filter 721A may be located on the + Z direction side
- the third filter 723A may be located on the ⁇ Z direction side.
- the filter may be arranged so that the size of the through-hole and the first through-hole 724A gradually decreases along the output direction of the target material 270.
- two shims 745A may be stacked on the + Z direction side of the first filter 721A in the holder 741A.
- two shims 745A may be stacked inside the accommodating portion 834A.
- their thicknesses may be the same or different.
- the bolt 746A may pass through the nozzle base end portion 83A and be screwed into the tank body 811A. Accordingly, between the support plate 731A and the contact portion 743A, between the shim 745A on the ⁇ Z direction side and the first filter 721A, between the plurality of shims 745A, between the shim 745A on the + Z direction side and the tank body 811A.
- the gap can be sealed.
- the support plate 731A can contact the entire surface of the third filter 723A on the nozzle hole 854A side to support the third filter 723A.
- the first through hole 724A of the third filter 723A can communicate with the second through hole 732A of the support plate 731A.
- a pipe 764 ⁇ / b> A may be provided on the lid 812 ⁇ / b> A of the tank 81 ⁇ / b> A.
- One end of the pipe 768A may be connected to an end of the pipe 764A on the + Z direction side through a joint (not shown).
- the other end of the pipe 768A may be connected to the inert gas cylinder 761A via the pressure regulator 76A. With such a configuration, the inert gas in the inert gas cylinder 761A can be supplied to the target generator 8A.
- a pressure regulator 76A may be provided in the pipe 768A.
- the pressure regulator 76A may include a first valve V1, a second valve V2, a pressure control unit 762A, and a pressure sensor 763A.
- the first valve V1 may be provided in the pipe 768A.
- a pipe 769A may be connected to the tank 81A side from the first valve V1 in the pipe 768A.
- a first end of the pipe 769A may be coupled to a side surface of the pipe 768A.
- the second end of the pipe 769A may be opened.
- the second valve V2 may be provided in the middle of the pipe 769A.
- the first valve V1 and the second valve V2 may be any one of a gate valve, a ball valve, a butterfly valve, and the like.
- the first valve V1 and the second valve V2 may be the same type of valve or different types of valves.
- the pressure control unit 762A may be electrically connected to the first valve V1 and the second valve V2.
- the target control device 71A may transmit signals related to the first valve V1 and the second valve V2 to the pressure control unit 762A.
- the opening and closing of the first valve V1 and the second valve V2 may be switched independently based on a signal transmitted from the pressure control unit 762A.
- the pipes 764A, 768A, 769A, and 770A may be formed of stainless steel, for example.
- the inert gas in the inert gas cylinder 761A can be supplied into the target generator 8A via the pipes 768A and 764A.
- the second valve V2 is closed, the inert gas existing in the pipes 768A and 764A and the target generator 8A can be prevented from being discharged from the second end of the pipe 769A to the outside of the pipe 769A.
- the pressure in the target generator 8A can be increased to the pressure in the inert gas cylinder 761A. Thereafter, the pressure in the target generator 8A can be maintained at the pressure in the inert gas cylinder 761A.
- the inert gas in the inert gas cylinder 761A can be prevented from being supplied into the target generator 8A via the pipes 768A and 764A.
- the second valve V2 is opened, the pipes 768A and 764A and the target generator are generated due to a pressure difference between the pipes 768A and 764A and the target generator 8A and the pipes 768A and 764A and the target generator 8A.
- the inert gas present in the vessel 8A can be discharged from the second end of the pipe 769A to the outside of the pipe 769A. Accordingly, when the first valve V1 is closed and the second valve V2 is opened, the pressure in the target generator 8A can be reduced.
- the piping 770A may be connected to the tank 81A side from the piping 769A in the piping 768A.
- a first end of the pipe 770A may be connected to a side surface of the pipe 768A.
- a pressure sensor 763A may be provided at the second end of the pipe 770A.
- the pressure control unit 762A may be electrically connected to the pressure sensor 763A.
- the pressure sensor 763A may detect the pressure of the inert gas present in the pipe 770A and transmit a signal corresponding to the detected pressure to the pressure control unit 762A.
- the pressure in the pipe 770A can be substantially the same as the pressure in the pipe 768A, the pipe 764A, and the target generator 8A.
- the temperature control unit 78A may be configured to control the temperature of the target material 270 in the tank 81A.
- the temperature control unit 78A may include a heater 781A, a heater power supply 782A, a temperature sensor 783A, and a temperature controller 784A.
- the heater 781A may be provided on the outer peripheral surface of the tank 81A.
- the heater power supply 782A may supply power to the heater 781A based on a signal from the temperature controller 784A to cause the heater 781A to generate heat. Thereby, the target material 270 in the tank 81A can be heated via the tank 81A.
- the temperature sensor 783A may be provided on the nozzle 82A side on the outer peripheral surface of the tank 81A, or may be provided in the tank 81A.
- the temperature sensor 783A may be configured to detect mainly the temperature of the installation position of the temperature sensor 783A and the position near the temperature sensor 783A in the tank 81A and transmit a signal corresponding to the detected temperature to the temperature controller 784A.
- the temperature of the installation position of the temperature sensor 783A and the position in the vicinity thereof can be substantially the same as the temperature of the target material 270 in the tank 81A.
- the temperature controller 784A may be configured to output a signal for controlling the temperature of the target material 270 to a predetermined temperature based on a signal from the temperature sensor 783A to the heater power supply 782A.
- the piezo unit 79A may include a piezo element 791A and a power source 792A.
- the piezo element 791A may be provided in the outer peripheral surface of the nozzle tip portion 85A of the nozzle 82A in the chamber 2. Instead of the piezo element 791A, a mechanism capable of applying vibration to the nozzle tip portion 85A of the nozzle 82A at high speed may be provided.
- the power source 792A may be electrically connected to the piezo element 791A via the feedthrough 793A.
- the power source 792A may be electrically connected to the target control device 71A.
- the target generation unit 70A may be configured to generate the droplet 27 by generating the jet 27A by a continuous jet method and vibrating the jet 27A output from the nozzle 82A.
- FIG. 6 schematically illustrates a problem that occurs when a target material is heated to a predetermined temperature above the melting point of the target material.
- the operation of the target supply device 7A will be described by exemplifying the case where the target material 270 is tin.
- the target supply device applies a target generator 8P, a filter 721P, and a holder 741P instead of the target generator 8A, the filter unit 72A, and the positioning unit 74A, and does not have the support unit 73A.
- the configuration may be the same as that of the target supply device 7A of the first embodiment.
- the target generator 8P may include a nozzle 82P having a nozzle hole 854P formed therein, and may be configured to accommodate the target material 270.
- the diameter of the nozzle hole 854P may be 1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
- the holder 741P may be formed in a substantially annular shape.
- the filter 721P may be formed of a porous material, for example, like the first filter 721A.
- the filter 721P may be provided with innumerable through pores having a diameter of 3 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less and bent in various directions.
- the filter 721P may be held by the holder 741P so as to close the through hole 821P of the nozzle 82P.
- the target material 270 may be accommodated in the target generator 8P, and the target material 270 may be filled in the through-hole of the filter 721P and the through-hole 821P of the nozzle 82P.
- the target control device 71A may send a signal to the temperature control unit 78A to heat the target material 270 in the target generator 8P to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point of the target material 270.
- fragments of the filter 721P may be generated and clog the nozzle hole 854P. Since the diameter of the through-hole of the filter 721P is larger than the diameter of the nozzle hole 854P, the size of the particle 279P included in the target material 270 is smaller than the diameter of the through-hole of the filter 721P and the diameter of the nozzle hole 854P. If larger than that, the nozzle hole 854P may be clogged without being collected by the filter 721P.
- a plurality of capillaries made of low-melting glass containing lead are used to form a filter. It can be considered.
- the filter formed in this way can collect the particles 279P that the filter 721P could not collect.
- the low melting point glass constituting the filter and the target material 270 react with tin, and new particles such as SnO, SnO 2 and SiO 2 are generated from the inner surface of the through hole of the filter. obtain.
- the generated particles can clog the nozzle hole 854P.
- the third filter 723A of the target supply device 7A may be configured as shown in FIGS.
- the target material 270 is accommodated in the target generator 8A, and the through holes of the first and second filters 721A and 722A, the first through of the third filter 723A.
- the target material 270 may be filled in the hole 724A, the second through hole 732A of the support plate 731A, and the through holes 833A and 853A.
- the target controller 71 ⁇ / b> A may heat the target material 270 to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point of the target material 270.
- the predetermined temperature above the melting point of the target material 270 may be 232 ° C. or higher when the target material 270 is tin, 1312 ° C.
- the target control device 71A may transmit a signal having a predetermined frequency to the piezo element 791A. Thereby, the piezo element 791A can vibrate so as to periodically generate the droplet 27 from the jet 27A.
- the target control device 71A may transmit a signal to the pressure control unit 762A to set the pressure in the target generator 8A to the target pressure Pt.
- the target pressure Pt may be 10 MPa or more.
- the pressure controller 762A may control the opening and closing of the first valve V1 and the second valve V2 so that the difference ⁇ P between the pressure P measured by the pressure sensor 763A and the target pressure Pt becomes small.
- the inert gas in the inert gas cylinder 761A is supplied into the target generator 8A, and the pressure in the target generator 8A can be stabilized at the target pressure Pt.
- the jet 27A is output from the nozzle 82A, and the droplet 27 can be generated according to the vibration of the nozzle 82A.
- the target material 270 in the accommodation space 810A can pass through the first filter 721A.
- the first filter 721A can collect particles larger than the diameter of the through-hole.
- the target material 270 that has passed through the first filter 721A can pass through the second filter 722A.
- the second filter 722A can collect particles larger than the diameter of the through pore.
- the target material 270 that has passed through the second filter 722A can pass through the third filter 723A.
- the third filter 723A can collect particles larger than the diameter of the first through hole 724A.
- the third filter 723A can collect fragments of the first filter 721A and the second filter 722A.
- the third filter 723A can collect particles that are smaller than the through pores of the first filter 721A and the second filter 722A and larger than the diameter of the nozzle hole 854A.
- the coating film 725A can suppress the reaction between tin, which is the target material 270, and lead on the inner surface of the first through hole 724A in the third filter 723A.
- the support plate 731A is in contact with the entire surface of the third filter 723A on the nozzle hole 854A side and supports the third filter 723A, even when the target pressure Pt is applied to the third filter 723A, Damage to the third filter 723A can be suppressed.
- the target material 270 that has passed through the third filter 723A can pass through the second through hole 732A of the support plate 731A and be output from the nozzle hole 854A.
- FIG. 7 schematically illustrates a configuration of a main part of a target supply device according to a second embodiment.
- the target supply device 7B of the second embodiment may apply the same configuration as the target supply device 7A of the first embodiment, except for the target generator 8B, the filter unit 72B, and the support unit 73B. .
- the target generator 8B may include a tank 81A, a nozzle base end portion 83B, and a nozzle front end portion 85B.
- the nozzle base end portion 83B and the nozzle front end portion 85B may be formed of, for example, low-melting glass containing lead.
- the nozzle base end portion 83B may be formed in a substantially cylindrical shape.
- the first surface on the + Z direction side of the nozzle base end portion 83B may be fixed to the surface on the ⁇ Z direction side of the tank 81A.
- the through hole 833B of the nozzle base end portion 83B and the through hole 814A of the tank 81A may communicate with each other.
- the inner diameter of the through hole 833B may be substantially equal to the outer diameter of the third filter 723A.
- the nozzle tip 85B may be formed in a substantially cylindrical shape having a wall surface on the second surface on the ⁇ Z direction side.
- the outer diameter and inner diameter of the nozzle distal end portion 85B may be substantially equal to the outer diameter and inner diameter of the nozzle base end portion 83B.
- a frustoconical protrusion 855B may be provided at the center of the wall surface on the ⁇ Z direction side of the nozzle tip 85B.
- the protruding portion 855B may be provided to make it easier for the electric field to concentrate there.
- a through-hole 853B penetrating in the Z-axis direction may be provided in the central portion of the wall surface on the ⁇ Z direction side in the nozzle tip portion 85B.
- the through hole 853B may be formed in a conical shape having a diameter that decreases in the ⁇ Z direction.
- the opening in the ⁇ Z direction side of the through hole 853B and the opening in the center of the tip of the protrusion 855B may constitute the nozzle hole 854A.
- the nozzle base end portion 83B and the nozzle tip end portion 85B may constitute the nozzle 82B.
- the filter unit 72B may include only the third filter 723A.
- the third filter 723A may be formed of low melting point glass containing lead.
- the outer peripheral surface of the third filter 723A may be fused to the inner peripheral surface of the nozzle base end portion 83B.
- the support portion 73B may include a support plate 731B having the same shape as the support plate 731A.
- the support plate 731B may be a support member of the present disclosure.
- the support plate 731B may have a second through hole 732B provided in the same manner as the second through hole 732A.
- the support plate 731B may be formed of low-melting glass containing lead, like the third filter 723A.
- the outer peripheral surface of the support plate 731B may be melt bonded to the inner peripheral surface of the nozzle base end portion 83B.
- the support plate 731B may contact the entire surface of the third filter 723A on the nozzle hole 854A side to support the third filter 723A.
- the first through hole 724A of the third filter 723A may communicate with the second through hole 732B of the support plate 731B.
- the fusion bonding portion between the third filter 723A and the nozzle base end portion 83B and the fusion bonding portion between the support plate 731B and the nozzle base end portion 83B may be the positioning portion of the present disclosure.
- the surfaces of the nozzle base end portion 83B, the nozzle tip end portion 85B, the third filter 723A, and the support plate 731B that are in contact with the liquid target material 270 may be coated with a material that does not easily react with the liquid target material 270.
- the material that does not easily react with the liquid target substance 270 may be any of the materials shown in Table 6 above.
- the target material 270 is accommodated in the target generator 8B, inside the nozzle base end portion 83B, the first through hole 724A of the third filter 723A, and the second through hole of the support plate 731B.
- the target material 270 may be filled inside the nozzle tip portion 732B and the nozzle tip portion 732B.
- the target control apparatus 71A may heat the target material 270 to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point of the target material 270 and adjust the pressure in the target generator 8B to generate the droplet 27.
- the target material 270 in the target generator 8B can pass through the third filter 723A.
- the third filter 723A can collect particles larger than the diameter of the first through hole 724A.
- the coating film 725A can suppress the reaction between tin, which is the target material 270, and lead on the inner surface of the first through hole 724A in the third filter 723A.
- the target material 270 passes through the nozzle base end portion 83B, the second through hole 732B of the support plate 731B, and the nozzle tip end portion 85B, the target material 270 and the nozzle base end portion are formed by a coating film that does not easily react with the liquid target material 270.
- the second through hole 732B of the support plate 731B, and the lead at the nozzle tip 85B can be prevented from reacting.
- the nozzle base end portion 83B, the nozzle tip end portion 85B, the third filter 723A, and the support plate 731B are made of glass having a low melting point, so that generation of particles is suppressed as compared with the case where these are made of molybdenum. Can do. Since the nozzle tip portion 85B is made of glass having a low melting point, the diameter of the nozzle hole 854A can be made smaller than when the nozzle tip portion 85B is made of molybdenum.
- FIG. 8 schematically illustrates a configuration of a main part of a target supply device according to a third embodiment.
- the target supply device 7C of the third embodiment may apply the same configuration as the target supply device 7A of the first embodiment, except for the target generator 8C and the positioning unit 74C.
- the target generator 8C may include a tank (not shown), a nozzle base end portion 83C, and a nozzle front end portion 85C.
- the nozzle base end portion 83C and the output portion 86C and the fixing member 87C, which will be described later, of the nozzle tip end portion 85C may be made of a material having low reactivity with the target material 270 such as molybdenum, for example.
- the nozzle base end portion 83C may be formed in a substantially cylindrical shape. In the nozzle base end portion 83C, the first surface on the + Z direction side of the nozzle base end portion 83C may be fixed to the surface on the ⁇ Z direction side of the tank.
- the nozzle base end portion 83C may be formed integrally with the tank.
- the through hole 833C of the nozzle base end portion 83C may communicate with the tank.
- the accommodating portion 834C On the ⁇ Z direction side in the through hole 833C, the accommodating portion 834C may be provided.
- a holder 741C, which will be described later, of the positioning portion 74C may be accommodated in the accommodating portion 834C.
- the nozzle tip portion 85C may include an output portion 86C and a fixing member 87C.
- the output part 86C may be formed in a substantially disc shape.
- the output portion 86C may be fixed by a fixing member 87C so as to be in close contact with the distal end surface of the positioning portion 74C.
- the output portion 86C may be provided with a protruding portion 855C and a through hole 853C having the same configuration as the protruding portion 855B and the through hole 853B.
- the opening on the ⁇ Z direction side of the through hole 853C may constitute a nozzle hole 854A.
- the nozzle base end portion 83C and the nozzle tip end portion 85C may constitute the nozzle 82C.
- the fixing member 87C may be formed in a substantially cylindrical shape, and the outer diameter dimension of the plane portion may be substantially equal to the outer diameter dimension of the nozzle base end portion 83C.
- a recess 871C may be provided on the upper surface of the fixing member 87C.
- a conical hole 872C penetrating in the vertical direction may be provided at the center of the nozzle tip fixing member 87C.
- the conical hole 872C may be formed in a conical shape having a diameter that increases in the ⁇ Z direction.
- 86 C of output parts may be accommodated in the recessed part 871C of the fixing member 87C so that the protrusion part 855C may be located inside the conical hole 872C.
- the positioning unit 74C may position the filter unit 72A and the support unit 73A in the target generator 8C.
- the positioning unit 74C may include a holder 741C, a shim 745A, and a bolt 746A.
- the holder 741C may include a cylindrical portion 742C and a contact portion 743C.
- the first surface on the + Z direction side and the second surface on the ⁇ Z direction side of the holder 741C may be polished.
- the ⁇ Z direction side of the holder 741C may be formed in a conical shape having a diameter that increases toward the ⁇ Z direction.
- the holder 741C may be housed in the housing portion 834C of the nozzle base end portion 83C.
- a support plate 731A may be accommodated in the holder 741C.
- the support plate 731A may be placed on the contact portion 743C of the holder 741C.
- the first, second, and third filters 721A, 722A, 723A, and two shims 745A may be stacked on the + Z direction side of the support plate 731A in the holder 741C.
- the bolt 746A may pass through the fixing member 87C and be screwed into the nozzle base end portion 83C. Accordingly, between the output portion 86C and the holder 741C, between the support plate 731A and the contact portion 743C, between the shim 745A on the ⁇ Z direction side and the first filter 721A, between the plurality of shims 745A, and in the + Z direction. A seal may be provided between the side shim 745A and the nozzle proximal end 83C.
- the support plate 731A can contact the entire surface of the third filter 723A on the nozzle hole 854A side to support the third filter 723A.
- the first through hole 724A of the third filter 723A can communicate with the second through hole 732A of the support plate 731A.
- the target material 270 is accommodated in the target generator 8C, and the through holes of the first and second filters 721A and 722A, the first through holes 724A of the third filter 723A,
- the target material 270 may be filled in the second through hole 732A and the through holes 833C and 853C of the support plate 731A.
- the target control device 71A may heat the target material 270 to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point of the target material 270 and adjust the pressure in the target generator 8C to generate the droplet 27.
- the target material 270 in the target generator 8C can pass through the first, second, and third filters 721A, 722A, and 723A.
- the third filter 723A can collect particles larger than the diameter of the first through hole 724A.
- FIG. 9 schematically illustrates a configuration of a main part of a target supply device according to a fourth embodiment.
- the same configuration as the target supply device 7C of the third embodiment may be applied except for the configuration of the support portion 73D.
- the support portion 73D may include a support plate 731D.
- the support plate 731D may be a support member of the present disclosure.
- the support plate 731D may include a disk portion 733D.
- the disc portion 733D may be formed in a substantially disc shape substantially the same as the shape of the support plate 731A of the third embodiment.
- a substantially disc-shaped convex portion 734D may be provided on the second surface on the ⁇ Z direction side of the disc portion 733D.
- the outer diameter of the convex part 734D may be smaller than the outer diameter of the disk part 733D. You may have 2nd through-hole 732D provided similarly to 2nd through-hole 732A.
- the support plate 731D may be formed of quartz glass having low reactivity with the target material 270.
- the support plate 731D may be provided with a second through hole 732D penetrating in the Z-axis direction that is the thickness direction.
- the number of second through holes 732D may be smaller than the number of first through holes 724A.
- the diameter of the second through hole 732D may be substantially equal to the diameter of the second through hole 732A of the third embodiment.
- the support plate 731D may be accommodated in the holder 741C.
- the second surface on the ⁇ Z direction side of the disc portion 733D of the support plate 731D may be placed on the contact portion 743C of the holder 741C.
- the convex portion 734D of the support plate 731D may be located on the ⁇ Z direction side with respect to the contact portion 743C, and may be located on the + Z direction side with respect to the second surface on the ⁇ Z direction side of the cylindrical portion 742C.
- the first, second, and third filters 721A, 722A, 723A, and two shims 745A may be stacked on the + Z direction side of the support plate 731D in the holder 741C.
- the space between the support plate 731D and the contact portion 743C can be sealed.
- the support plate 731D can contact the entire surface of the third filter 723A on the nozzle hole 854A side to support the third filter 723A.
- the first through hole 724A of the third filter 723A can communicate with the second through hole 732D of the support plate 731D.
- the target material 270 is accommodated in the target generator 8C, and each through-hole and the first through-hole 724A of the filter portion 72A, the second through-hole 732D of the support plate 731D,
- the target material 270 may be filled in the through holes 833C and 853C.
- the target control device 71A may heat the target material 270 to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point of the target material 270 and adjust the pressure in the target generator 8C to generate the droplet 27.
- the target material 270 in the target generator 8C can pass through the filter portion 72A and the support plate 731D.
- the liquid target material 270 flows in the space between the filter portion 72A and the nozzle hole 854A, physical wear of the target material 270 with the support plate 731D, the holder 741C and the output portion 86C that form the space, Particles can be generated. Since the surface of quartz glass is smoother than the surface of molybdenum, when the support plate 731D is formed of quartz glass, the support plate 731D is shaved compared to the case where the support plate 731D is formed of molybdenum. Can be difficult.
- the thickness dimension of the support plate 731D is larger than the thickness dimension of the support plate 731A of the third embodiment, breakage of the support plate 731D formed of quartz glass can be suppressed.
- FIG. 10 schematically illustrates a configuration of a main part of a target supply device according to a fifth embodiment.
- the target supply device 7E of the fifth embodiment may apply the same configuration as the target supply device 7C of the third embodiment, except for the filter unit 72E.
- the filter unit 72E includes the first filter 721A and the second filter 722A, and may not include the third filter 723A.
- the second filter 722A may be the filter of the present disclosure.
- a support plate 731A may be accommodated in the holder 741C.
- the support plate 731A may be placed on the contact portion 743C of the holder 741C.
- the first and second filters 721A and 722A and two shims 745A may be overlapped on the + Z direction side of the support plate 731A in the holder 741C.
- the space between the support plate 731A and the contact portion 743C can be sealed by screwing the bolt 746A and the nozzle base end portion 83C.
- the support plate 731A can contact the entire surface of the second filter 722A on the nozzle hole 854A side to support the second filter 722A.
- the through hole of the second filter 722A can communicate with the second through hole 732A of the support plate 731A.
- the target material 270 is accommodated in the target generator 8C, and the through holes of the first and second filters 721A and 722A, the second through holes 732A of the support plate 731A, the through holes
- the target material 270 may be filled in the holes 833C and 853C.
- the target control device 71A may heat the target material 270 to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point of the target material 270 and adjust the pressure in the target generator 8C to generate the droplet 27.
- the support plate 731A is in contact with the entire surface of the second filter 722A on the nozzle hole 854A side to support the second filter 722A, the pressure for generating the droplet 27 is generated on the second filter 722A. Even when it is applied, damage to the second filter 722A can be suppressed.
- FIG. 11 schematically illustrates the configuration of a filter breakage suppression device including a target supply device according to a sixth embodiment.
- the filter breakage suppression device 9F may include a chamber 2F, a target supply device 7F, a photographing unit 91F, and a timer 92F.
- a target recovery unit 28 may be provided on a wall on the ⁇ Z direction side in the chamber 2F.
- a circular window 211F may be provided on the ⁇ X direction side wall of the chamber 2F.
- the target supply device 7F may include a target generation unit 70A and a target control device 71F.
- the target generator 8A of the target generator 70A may be provided so as to pass through the + Z direction side wall of the chamber 2F and to face the target recovery unit 28.
- the target generator 8A may be provided such that the tank 81A and the nozzle base end portion 83A are located outside the chamber 2F, and the nozzle tip portion 85A is located inside the chamber 2F.
- a pressure control unit 762A, a temperature controller 784A, a power source 792A, and a camera 912F (described later) of the imaging unit 91F may be electrically connected to the target control device 71F.
- the photographing unit 91F may include a lens 911F and a camera 912F.
- the lens 911F may be provided outside the window 211F of the chamber 2F.
- the lens 911F may be provided so that the axis of the lens 911F substantially coincides with the axis of the window 211F.
- the camera 912F may be a CCD camera.
- the camera 912F may be provided so as to be able to photograph the droplet 27 output from the nozzle hole 854A via the lens 911F and the window 211F.
- the camera 912F may transmit a signal corresponding to the captured image to the target control apparatus 71F.
- the timer 92F may be electrically connected to the target control device 71F.
- the timer 92F may measure time and transmit a signal corresponding to the measured time to the target control device 71F.
- the timer 92F may be a clock that measures the current time, or may be a stopwatch that measures the time from the start of operation of the timer 92F.
- FIG. 12 is a flowchart showing a filter breakage suppression method.
- FIG. 13 is a timing chart showing a filter breakage suppression method in the filter breakage suppression apparatus.
- FIG. 14 is a graph showing the relationship between the diameter of the first through hole of the third filter and the infiltration pressure.
- the target control device 71F may receive a signal transmitted from the timer 92F and determine the time based on the received signal.
- the target material 270 may be accommodated in the target generator 8A. At this time, the target material 270 is placed in the through holes of the first and second filters 721A and 722A, the first through hole 724A of the third filter 723A, the second through hole 732A of the support plate 731A, and the through holes 833A and 853A. It does not have to be satisfied.
- the pressure in the target generator 8A may be atmospheric pressure. In FIG. 11, the reference numerals of the first and second through holes 724A and 732A and the through hole 853A are not shown.
- the target control device 71F may heat the target material 270 to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point of the target material 270 (step S1).
- the process of step S1 may be performed at time T0 in FIG.
- the predetermined temperature above the melting point of the target material 270 may be 232 ° C. or higher, for example, 240 ° C. to 270 ° C. when the target material 270 is tin.
- the target pressure Pt in the target generator 8A may be set to the first pressure P1, as shown in FIG. (Step S2).
- the process of step S2 may be performed at time T1 in FIG.
- the first pressure P1 may be of a size that allows the tin that is the target material 270 to enter the first through hole 724A of the third filter 723A.
- the first pressure P1 may be set based on the relationship shown in FIG. Based on the surface tension of tin, which is the target material 270, the penetration pressure of the target material 270 when the first through hole 724A provided with the coating film 725A has a predetermined diameter can be obtained by calculation. As shown in FIG. 14, the calculated intrusion pressure value and the actually measured intrusion pressure value can substantially match. Based on the relationship shown in FIG. 14, the first pressure P1 may be set according to the diameter of the first through hole 724A.
- the first pressure P1 may be set to 2 MPa.
- the first pressure P1 may be set to 4 MPa, and when the diameter of the first through hole 724A is 2 ⁇ m, the first pressure P1 is set to 1 MPa. Also good.
- the liquid target material 270 accommodated in the target generator 8A passes through the through pores of the first and second filters 721A and 722A, and The three filters 723A can enter the first through hole 724A.
- the target material 270 that has entered the first through hole 724A passes through the first through hole 724A, the second through hole 732A of the support plate 731A, and the through holes 833A and 853A, and can be output from the nozzle hole 854A.
- the target material 270 fills the through pores of the first and second filters 721A and 722A, the first through hole 724A of the third filter 723A, the second through hole 732A and the through holes 833A and 853A of the support plate 731A. Can be done.
- the target control device 71F may receive a signal from the camera 912F and determine whether or not the target material 270 is output from the nozzle hole 854A (step S3).
- the process of step S3 may be performed after time T2 in FIG. 13, or may be performed between time T1 and time T2. As illustrated in FIG.
- step S3 when the target control device 71F determines that the target material 270 is not output from the nozzle hole 854A in step S3, the process of step S3 may be performed again after a predetermined time has elapsed.
- the target control device 71F may set the target pressure Pt in the target generator 8A to the second pressure P2 (step S4). .
- the process of step S4 may be performed at time T3 in FIG.
- the second pressure P2 may be large enough to output the target material 270 from the nozzle hole 854A as the jet 27A.
- the second pressure P2 may be 10 MPa to 20 MPa.
- the target control apparatus 71F may receive a signal from the camera 912F and determine whether or not the jet 27A has been output from the nozzle hole 854A (step S5).
- the process of step S5 may be performed after time T4 in FIG. 13, or may be performed between time T3 and time T4.
- the target control device 71F may perform the process of step S5 again after a predetermined time has elapsed.
- the target control device 71F may transmit a signal having a predetermined frequency to the piezo element 791A (step S6). Thereby, the piezo element 791A can vibrate so as to periodically generate the droplet 27 from the jet 27A.
- the target control device 71F may receive the signal from the camera 912F and determine whether or not the droplet 27 having a predetermined speed has been generated (step S7).
- the processes of steps S6 and S7 may be performed after time T4 in FIG.
- the target control apparatus 71F may measure the speed and diameter of the droplet 27 and determine whether or not the droplet 27 having a predetermined speed has been generated based on the measurement result.
- the generation of the droplet 27 may be terminated (step S8).
- the target control device 71F may end the transmission of the signal to the piezo element 791A and return the pressure in the target generator 8A to atmospheric pressure.
- the target control device 71F may end the heating of the target material 270 in the target generator 8A and solidify the target material 270.
- the target material 270 includes through-holes of the first and second filters 721A and 722A, a first through-hole 724A of the third filter 723A, a second through-hole 732A of the support plate 731A, and a through-hole. It can be solidified with the holes 833A and 853A filled.
- the target supply device 7F in which the target material 270 is solidified is removed from the chamber 2F.
- the chamber of the EUV light generation apparatus 1A as shown in FIG. 2 may be attached.
- step S9 the target control device 71F determines in step S7 that the droplet 27 of the predetermined speed has not been generated, the target control device 71F notifies the outside that the target supply device 7F is abnormal (step S9), and step S8. You may perform the process of.
- step S8 When the process of step S8 is performed after the process of step S9 is performed, maintenance for bringing the target supply apparatus 7F into a normal state may be performed on the target supply apparatus 7F in which the target material 270 is solidified.
- the minimum pressure at which the target material 270 can enter the first through hole 724A is set to the minimum pressure. Since it is applied to the target material 270, the first through hole 724A can be filled with the target material 270 while suppressing damage to the third filter 723A. After the first through hole 724A is filled with the target material 270, a pressure large enough to output the target material 270 as the jet 27A is applied to the target material 270, and the + Z direction side opening of the first through hole 724A and ⁇ The pressure difference in the opening on the Z direction side is reduced, and the third filter 723A can be prevented from being damaged.
- the target supply device and the filter breakage suppression device may have the following configurations.
- the target material 270 may be filled in the through-holes and the holes 724A, 732A, 833A, and 853A using the filter breakage suppression method of the sixth embodiment.
- the filter breakage suppressing method of the sixth embodiment may be used.
- the support plate 731A may be formed of quartz glass or sapphire.
- the support plate 731D may be formed of molybdenum or sapphire.
- both the first filter 721A and the second filter 722A may not be provided, or only one of them may be provided.
- only one of the first filter 721A and the second filter 722A may be provided.
- the target supply devices 7B, 7C, 7D, and 7E of the second, third, fourth, and fifth embodiments may be used instead of the target supply device 7A.
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Abstract
ターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第1貫通孔を有し、第1貫通孔の内表面には、液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされている。
Description
本開示は、ターゲット供給装置に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、45nm~70nmの微細加工、さらには32nm以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば32nm以下の微細加工の要求に応えるべく、波長13nm程度の極端紫外(EUV)光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
EUV光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるLPP(Laser Produced Plasma)式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるDPP(Discharge Produced Plasma)式の装置と、軌道放射光が用いられるSR(Synchrotron Radiation)式の装置との3種類の装置が提案されている。
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第1貫通孔を有し、第1貫通孔の内表面には、液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされていてもよい。
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、ガラスまたはセラミックで形成されたフィルタと、フィルタにおけるノズル孔側の面に当接してフィルタを支持する支持部材と、フィルタおよび支持部材をターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第1貫通孔を有し、支持部材は、第1貫通孔の口径より口径が大きく形成され、第1貫通孔から流出する液体ターゲット物質を流通させるための第2貫通孔を有してもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図1は、LPP方式のEUV光生成装置の構成を概略的に示す。
図2は、第1実施形態に係るターゲット供給装置を含むEUV光生成装置の構成を概略的に示す。
図3は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
図4は、ターゲット供給装置のフィルタ部および支持部の取り付け状態を示す。
図5は、第3フィルタおよび支持プレートを概略的に示す斜視図である。
図6は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じる問題を概略的に示す。
図7は、第2実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
図8は、第3実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
図9は、第4実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
図10は、第5実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
図11は、第6実施形態に係るターゲット供給装置を含むフィルタ破損抑制装置の構成を概略的に示す。
図12は、フィルタ破損抑制方法を示すフローチャートである。
図13は、フィルタ破損抑制装置におけるフィルタ破損抑制方法を示すタイミングチャートである。
図14は、第3フィルタの第1貫通孔の口径と浸入圧力との関係を示すグラフである。
内容
1.概要
2.EUV光生成装置の全体説明
2.1 構成
2.2 動作
3.ターゲット供給装置を含むEUV光生成装置
3.1 用語の説明
3.2 第1実施形態
3.2.1 構成
3.2.2 動作
3.3 第2実施形態
3.3.1 構成
3.3.2 動作
3.4 第3実施形態
3.4.1 構成
3.4.2 動作
3.5 第4実施形態
3.5.1 構成
3.5.2 動作
3.6 第5実施形態
3.6.1 構成
3.6.2 動作
3.7 第6実施形態
3.7.1 構成
3.7.2 動作
3.8 変形例
1.概要
2.EUV光生成装置の全体説明
2.1 構成
2.2 動作
3.ターゲット供給装置を含むEUV光生成装置
3.1 用語の説明
3.2 第1実施形態
3.2.1 構成
3.2.2 動作
3.3 第2実施形態
3.3.1 構成
3.3.2 動作
3.4 第3実施形態
3.4.1 構成
3.4.2 動作
3.5 第4実施形態
3.5.1 構成
3.5.2 動作
3.6 第5実施形態
3.6.1 構成
3.6.2 動作
3.7 第6実施形態
3.7.1 構成
3.7.2 動作
3.8 変形例
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。また、図1以外の図面を用いて説明する実施形態において、図1に示す構成要素のうち、本開示の説明に必須でない構成については、図示を省略する場合がある。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
1.概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第1貫通孔を有し、第1貫通孔の内表面には、液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされていてもよい。
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第1貫通孔を有し、第1貫通孔の内表面には、液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされていてもよい。
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、ターゲット生成器内に配置され、ガラスまたはセラミックで形成されたフィルタと、フィルタにおけるノズル孔側の面に当接してフィルタを支持する支持部材と、フィルタおよび支持部材をターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、フィルタは、液体ターゲット物質を流通させるための第1貫通孔を有し、支持部材は、第1貫通孔の口径より口径が大きく形成され、第1貫通孔から流出する液体ターゲット物質を流通させるための第2貫通孔を有してもよい。
2.EUV光生成装置の全体説明
2.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1およびレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給装置7を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置7は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置7から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
2.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1およびレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給装置7を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置7は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置7から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ2の壁には、少なくとも1つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ21が設けられてもよく、ウインドウ21をレーザ装置3から出力されるパルスレーザ光32が透過してもよい。チャンバ2の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するEUV集光ミラー23が配置されてもよい。EUV集光ミラー23は、第1および第2の焦点を有し得る。EUV集光ミラー23の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。EUV集光ミラー23は、例えば、その第1の焦点がプラズマ生成領域25に位置し、その第2の焦点が中間集光点(IF)292に位置するように配置されるのが好ましい。EUV集光ミラー23の中央部には貫通孔24が設けられていてもよく、貫通孔24をパルスレーザ光33が通過してもよい。
EUV光生成装置1は、EUV光生成制御部5、ターゲットセンサ4等を含んでもよい。ターゲットセンサ4は、撮像機能を有してもよく、ターゲットとしてのドロップレット27の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
また、EUV光生成装置1は、チャンバ2の内部と露光装置6の内部とを連通させる接続部29を含んでもよい。接続部29内部には、アパーチャ293が形成された壁291が設けられてもよい。壁291は、そのアパーチャ293がEUV集光ミラー23の第2の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
さらに、EUV光生成装置1は、レーザ光進行方向制御部34、レーザ光集光ミラー22、ドロップレット27を回収するためのターゲット回収部28等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部34は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
2.2 動作
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのドロップレット27に照射されてもよい。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのドロップレット27に照射されてもよい。
ターゲット供給装置7は、ドロップレット27をチャンバ2内部のプラズマ生成領域25に向けて出力するよう構成されてもよい。ドロップレット27には、パルスレーザ光33に含まれる少なくとも1つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたドロップレット27はプラズマ化し、そのプラズマから放射光251が放射され得る。放射光251に含まれるEUV光252は、EUV集光ミラー23によって選択的に反射されてもよい。EUV集光ミラー23によって反射されたEUV光252は、中間集光点292で集光され、露光装置6に出力されてもよい。なお、1つのドロップレット27に、パルスレーザ光33に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
EUV光生成制御部5は、EUV光生成システム11全体の制御を統括するよう構成されてもよい。EUV光生成制御部5は、ターゲットセンサ4によって撮像されたドロップレット27のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、EUV光生成制御部5は、例えば、ドロップレット27が出力されるタイミング、ドロップレット27の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、EUV光生成制御部5は、例えば、レーザ装置3の発振タイミング、パルスレーザ光32の進行方向、パルスレーザ光33の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
3.ターゲット供給装置を含むEUV光生成装置
3.1 用語の説明
以下、図1以外の図面を用いた説明において、方向に関する用語は各図に示したXYZ軸を基準として説明する場合がある。なお、この表現は、重力方向10Bとの関係を表すものではない。
ターゲット物質270に印加する圧力であって、当該ターゲット物質270を所定の口径の貫通孔内に浸入させることができる最小の圧力を、「浸入圧力」と表現する場合があり得る。ターゲット物質270の表面張力に基づいて計算で求めた浸入圧力の値を、「浸入圧力計算値」と表現する場合があり得る。実験を行って求めた浸入圧力の値を、「浸入圧力実測値」と表現する場合があり得る。
3.1 用語の説明
以下、図1以外の図面を用いた説明において、方向に関する用語は各図に示したXYZ軸を基準として説明する場合がある。なお、この表現は、重力方向10Bとの関係を表すものではない。
ターゲット物質270に印加する圧力であって、当該ターゲット物質270を所定の口径の貫通孔内に浸入させることができる最小の圧力を、「浸入圧力」と表現する場合があり得る。ターゲット物質270の表面張力に基づいて計算で求めた浸入圧力の値を、「浸入圧力計算値」と表現する場合があり得る。実験を行って求めた浸入圧力の値を、「浸入圧力実測値」と表現する場合があり得る。
3.2 第1実施形態
3.2.1 概略
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、フィルタは、鉛を含むガラスにより形成されていてもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、液体ターゲット物質と反応し難い材料は、Al2O3(酸化アルミニウム)、Cr2O3(酸化クロム(III))、Y2O3(酸化イットリウム)、または、TiB2(ホウ化チタン)であってもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、液体ターゲット物質と反応し難い材料は、Al2O3(酸化アルミニウム)、Y2O3(酸化イットリウム)、SiO2(二酸化珪素)、AlN(窒化アルミニウム)、または、ZrO2(酸化ジルコニウム)であってもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置は、フィルタにおけるノズル孔側の面に当接してフィルタを支持する支持部材と、フィルタおよび支持部材をターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、支持部材は、第1貫通孔の口径より口径が大きく形成され、第1貫通孔から流出する液体ターゲット物質を流通させるための複数の第2貫通孔を有してもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、支持部材は、モリブデン、石英ガラス、または、サファイヤで形成されていてもよい。
3.2.1 概略
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、フィルタは、鉛を含むガラスにより形成されていてもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、液体ターゲット物質と反応し難い材料は、Al2O3(酸化アルミニウム)、Cr2O3(酸化クロム(III))、Y2O3(酸化イットリウム)、または、TiB2(ホウ化チタン)であってもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、液体ターゲット物質と反応し難い材料は、Al2O3(酸化アルミニウム)、Y2O3(酸化イットリウム)、SiO2(二酸化珪素)、AlN(窒化アルミニウム)、または、ZrO2(酸化ジルコニウム)であってもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置は、フィルタにおけるノズル孔側の面に当接してフィルタを支持する支持部材と、フィルタおよび支持部材をターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、支持部材は、第1貫通孔の口径より口径が大きく形成され、第1貫通孔から流出する液体ターゲット物質を流通させるための複数の第2貫通孔を有してもよい。
本開示の第1実施形態のターゲット供給装置において、支持部材は、モリブデン、石英ガラス、または、サファイヤで形成されていてもよい。
3.2.2 構成
図2は、第1実施形態に係るターゲット供給装置を含むEUV光生成装置の構成を概略的に示す。図3は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図4は、ターゲット供給装置のフィルタ部および支持部の取り付け状態を示す。図5は、第3フィルタおよび支持プレートを概略的に示す斜視図である。
図2は、第1実施形態に係るターゲット供給装置を含むEUV光生成装置の構成を概略的に示す。図3は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図4は、ターゲット供給装置のフィルタ部および支持部の取り付け状態を示す。図5は、第3フィルタおよび支持プレートを概略的に示す斜視図である。
EUV光生成装置1Aは、図2に示すように、チャンバ2と、ターゲット供給装置7Aとを備えてもよい。ターゲット供給装置7Aは、ターゲット生成部70Aと、ターゲット制御装置71Aとを備えてもよい。ターゲット制御装置71Aには、レーザ装置3と、ターゲットセンサ4と、EUV光生成制御システム5Aとが電気的に接続されてもよい。
ターゲット生成部70Aは、図2および図3に示すように、ターゲット生成器8Aと、フィルタ部72Aと、支持部73Aと、位置決め部74Aと、圧力調節器76Aと、温度制御部78Aと、ピエゾ部79Aとを備えてもよい。
ターゲット生成器8Aは、タンク81Aと、ノズル基端部83Aと、ノズル先端部85Aとを備えてもよい。タンク81Aと、ノズル基端部83Aと、ノズル先端部85Aとは、例えばモリブデンなどのターゲット物質270との反応性が低い材料で構成されてもよい。
タンク81Aは、タンク本体811Aと、蓋部812Aとを備えてもよい。
タンク本体811Aは、-Z方向側の第2面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。タンク本体811Aの中空部は、収容空間810Aであってもよい。タンク本体811Aの第2面中央には、+Z方向に向かって略円形に凹む凹部813Aが設けられてもよい。凹部813Aの中央には、収容空間810Aと連通する貫通孔814Aが設けられてもよい。タンク本体811Aの第2面全体は、研磨されてもよい。
蓋部812Aは、タンク本体811Aの+Z方向側の第1面を閉塞する略円板状に形成されてもよい。蓋部812Aは、複数のボルト815Aによってタンク本体811Aの第1面に固定されてもよい。このとき、タンク本体811Aの第1面に設けられた溝にOリング816Aを嵌め込むことで、タンク本体811Aと蓋部812Aとの間をシールしてもよい。
タンク81Aは、タンク本体811Aと、蓋部812Aとを備えてもよい。
タンク本体811Aは、-Z方向側の第2面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。タンク本体811Aの中空部は、収容空間810Aであってもよい。タンク本体811Aの第2面中央には、+Z方向に向かって略円形に凹む凹部813Aが設けられてもよい。凹部813Aの中央には、収容空間810Aと連通する貫通孔814Aが設けられてもよい。タンク本体811Aの第2面全体は、研磨されてもよい。
蓋部812Aは、タンク本体811Aの+Z方向側の第1面を閉塞する略円板状に形成されてもよい。蓋部812Aは、複数のボルト815Aによってタンク本体811Aの第1面に固定されてもよい。このとき、タンク本体811Aの第1面に設けられた溝にOリング816Aを嵌め込むことで、タンク本体811Aと蓋部812Aとの間をシールしてもよい。
ノズル基端部83Aは、略円柱状に形成されてもよい。ノズル基端部83Aの外径は、タンク本体811Aの外径と略等しくてもよい。ノズル基端部83Aの+Z方向側の第1面には、タンク本体811Aの凹部813Aの形状に相似する第1凸部831Aが設けられてもよい。ノズル基端部83Aは、位置決め部74Aの後述するボルト746Aによってタンク本体811Aの第2面に固定されてもよい。このとき、第1凸部831Aの+Z方向側の第1面に設けられた溝にOリング832Aを嵌め込むことで、タンク本体811Aとノズル基端部83Aとの間をシールしてもよい。
ノズル基端部83Aの中央には、図3および図4に示すように、上下方向(Z軸方向)に貫通する貫通孔833Aが設けられてもよい。貫通孔833Aは、貫通孔814Aに連通してもよい。貫通孔833Aにおける+Z方向側は、収容部834Aであってもよい。収容部834Aには、位置決め部74Aの後述するホルダ741Aが収容されてもよい。収容部834Aは、第1当接部835Aと、第2当接部836Aとを備えてもよい。第1当接部835Aは、ホルダ741Aの外周面に当接してもよい。第2当接部836Aは、ホルダ741Aの第2面に当接してもよい。第2当接部836Aにおけるホルダ741Aと当接する当接面は、研磨されてもよい。
ノズル基端部83Aの-Z方向側の第2面には、凸部837Aが設けられてもよい。凸部837Aは、-Z方向に向けて略円板状に突出してもよい。凸部837Aには、貫通孔833Aの開口が存在してもよい。
ノズル先端部85Aは、図3に示すように、略円板状に形成されてもよい。ノズル先端部85Aの外径は、ノズル基端部83Aの外径よりも小さくてもよい。ノズル先端部85Aの第1面中央には、-Z方向に向かって略円形に凹む凹部851Aが設けられてもよい。凹部851Aには、ノズル基端部83Aの凸部837Aが嵌合してもよい。凹部851Aにおける凸部837Aと当接する部分は、研磨されてもよい。ノズル先端部85Aは、当該ノズル先端部85Aを貫通する複数のボルト852Aによって、ノズル基端部83Aの第2面に固定されてもよい。
ノズル先端部85Aの中央には、上下方向(Z軸方向)に貫通する貫通孔853Aが設けられてもよい。貫通孔853Aは、貫通孔833Aに連通してもよい。貫通孔853Aは、-Z方向に向かうにしたがって径寸法が小さくなる形状であってもよい。貫通孔853Aの-Z方向側の端部は、ノズル孔854Aであってもよい。ノズル孔854Aの直径は、1μm~3μmであってもよい。
ノズル基端部83Aとノズル先端部85Aとは、収容空間810A内のターゲット物質270を、ドロップレット27としてチャンバ2内に出力するためのノズル82Aを構成してもよい。ノズル82Aは、ターゲット物質270との濡れ性が低い材料で構成されてもよい。具体的には、ターゲット物質270との濡れ性が低い材料とは、ターゲット物質270との接触角が90°以上材料であってもよい。接触角が90°以上の材料は、SiC、SiO2、Al2O3、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。ターゲット生成器8Aは、タンク81Aとノズル基端部83Aとがチャンバ2外部に位置し、ノズル先端部85Aがチャンバ2内部に位置するように設けられてもよい。
チャンバ2の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット27の出力方向は、必ずしも重力方向10Bと一致するとは限らない。予め設定されるドロップレット27の出力方向は、ノズル孔854Aの中心軸方向であってもよく、以降、設定出力方向10Aと称する。重力方向10Bに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット27が出力されるよう構成されてもよい。なお、第1実施形態では、設定出力方向10Aが重力方向10Bと一致するようにチャンバ2が設置されてもよい。
ターゲット物質270には、異物としてのパーティクルが含まれることがあってもよい。パーティクルは、ターゲット物質270と不純物または酸素とが反応することによって生成され得る、またはターゲット物質270の原材料に含まれ得る、またはターゲット物質270とタンク81Aとの物理的な摩耗によって生成され得る。
フィルタ部72Aは、図3および図4に示すように、第1フィルタ721Aと、第2フィルタ722Aと、第3フィルタ723Aとを備えてもよい。
第1,第2フィルタ721A,722Aは、ターゲット物質270に含まれるパーティクルを捕集するために、多孔質の材料で作られてもよい。第1フィルタ721Aには、口径が例えば10μm程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。第2フィルタ722Aには、口径が例えば3μm程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。このように、第1フィルタ721A、第2フィルタ722Aの貫通細孔のサイズは異なってよい。また、第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔は、様々な方向に屈曲して各フィルタを貫通してもよい。
第1,第2フィルタ721A,722Aは略円板状に形成されてもよく、その直径は、貫通孔833Aの最大内径より大きくてもよい。
第1,第2フィルタ721A,722Aは、ターゲット物質270に含まれるパーティクルを捕集するために、多孔質の材料で作られてもよい。第1フィルタ721Aには、口径が例えば10μm程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。第2フィルタ722Aには、口径が例えば3μm程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。このように、第1フィルタ721A、第2フィルタ722Aの貫通細孔のサイズは異なってよい。また、第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔は、様々な方向に屈曲して各フィルタを貫通してもよい。
第1,第2フィルタ721A,722Aは略円板状に形成されてもよく、その直径は、貫通孔833Aの最大内径より大きくてもよい。
第1,第2フィルタ721A,722Aは、ターゲット物質270との反応性が低い材料で形成されてもよい。第1,第2フィルタ721A,722Aを構成する材料の線熱膨張係数とターゲット生成器8Aを構成する材料の線熱膨張係数との差は、ターゲット生成器8Aを構成する材料の線熱膨張係数の20%より小さくてもよい。
ターゲット物質270がスズの場合、ターゲット生成器8Aは、スズとの反応性が低いモリブデンにより形成されてもよい。ターゲット生成器8Aがモリブデンまたはタングステンにより形成されている場合、第1,第2フィルタ721A,722Aは、以下の表1で示す材料のうち、いずれかの材料で形成されてもよい。モリブデンの線熱膨張係数は、5.2×10-6である。タングステンの線熱膨張係数は、4.6×10-6である。
ターゲット物質270がスズの場合、ターゲット生成器8Aは、スズとの反応性が低いモリブデンにより形成されてもよい。ターゲット生成器8Aがモリブデンまたはタングステンにより形成されている場合、第1,第2フィルタ721A,722Aは、以下の表1で示す材料のうち、いずれかの材料で形成されてもよい。モリブデンの線熱膨張係数は、5.2×10-6である。タングステンの線熱膨張係数は、4.6×10-6である。
第1,第2フィルタ721A,722Aの材料は、例えば、SPGテクノ株式会社より提供されるシラス多孔質ガラス(SPG)であってもよい。SPGは火山灰シラスを原料とする多孔質ガラスであってもよい。SPGは、本開示のセラミックであってもよい。SPGが材料として使用された場合、第1,第2フィルタ721A,722Aは、略円板状に形成されてもよい。この場合、例えば、第1,第2フィルタ721A,722Aの厚さ寸法であるZ軸方向の寸法は、約3mmであってもよく、第1,第2フィルタ721A,722Aの直径は、約20mmであってもよい。
SPGの組成の比は、以下の表2で示す比であってもよい。
SPGの組成の比は、以下の表2で示す比であってもよい。
SPGが材料として使用された場合、第1,第2フィルタ721A,722Aには、口径が3μm以上20μm以下であり、かつ、様々な方向に屈曲する無数の貫通細孔が設けられ得る。
第3フィルタ723Aは、本開示のフィルタであってもよい。第3フィルタ723Aは、ターゲット生成器8A内に配置され、ターゲット物質270に含まれるパーティクルを捕集するために、複数の毛細管から作られてもよい。第3フィルタ723Aは、図5に示すように、略円板状に形成されてもよく、その直径は、第1,第2フィルタ721A,722Aと略等しい約20mmであってもよい。第3フィルタ723Aの厚さ寸法であるZ軸方向の寸法は、約0.5mmであってもよい。第3フィルタ723Aには、図4および図5に示すように、厚さ方向であるZ軸方向に貫通する多数の第1貫通孔724Aが設けられてもよい。第1貫通孔724Aの口径は、0.1μm~2μmであってもよい。第3フィルタ723Aは、第1貫通孔724Aを有する毛細管を、複数束ねて固めることにより形成されてもよい。第3フィルタ723Aの開口率は、約30%であってもよい。開口率は、多数の第1貫通孔724Aの開口の合計面積を第3フィルタ723Aの+Z方向側の第1面の面積で除することで求められてもよい。
第3フィルタ723Aは、液体のターゲット物質270と反応して、固体の反応生成物を生成するガラスで形成されてもよい。第3フィルタ723Aの毛細管を構成するガラスは、低融点であってもよい。毛細管を低融点のガラスで構成することにより、毛細管を高融点の石英ガラスで構成する場合と比べて、口径が小さい毛細管を形成することが可能となり得る。その結果、第3フィルタ723Aを石英ガラスで形成する場合と比べて、第1貫通孔724Aの口径が小さい第3フィルタ723Aを形成することが可能となり得る。低融点のガラスは、鉛を含んでもよい。鉛を含むガラスの組成、軟化点、線熱膨張係数は、以下の表3、表4、表5に示すものであってもよい。
本開示の第3フィルタ723Aの組成は、表3の1行目に示すように、SiO2:PbO=60:40(モル%)であってもよい。ターゲット物質270がスズの場合、第3フィルタ723Aを表3~表5に示す低融点のガラスで形成すると、スズとPbOとが以下の式(1)、(2)のように還元反応し得る。
PbO+Sn→Pb+SnO(固体)・・・(1)
2PbO+Sn→2Pb+SnO2(固体)・・・(2)
2PbO+Sn→2Pb+SnO2(固体)・・・(2)
第3フィルタ723Aを低融点のガラスで形成すると、第3フィルタ723Aには、SiO2とPbOとが含まれているため、固体の鉛が析出し得る。低融点のガラスから固体の鉛が析出すると、残りのガラス構造が損傷し、固体のSiO2が生成され得る。
その結果、第3フィルタ723Aを構成する低融点のガラスと、ターゲット物質270であるスズとが反応すると、SnO、SnO2、SiO2等のパーティクルが生成され得る。
その結果、第3フィルタ723Aを構成する低融点のガラスと、ターゲット物質270であるスズとが反応すると、SnO、SnO2、SiO2等のパーティクルが生成され得る。
第3フィルタ723Aにおける第1貫通孔724Aの内表面には、図5に示すように、コーティング膜725Aが設けられてもよい。コーティング膜725Aは、液体のターゲット物質270と反応し難い材料をコーティングすることにより形成されてもよい。コーティング膜725Aを第1貫通孔724Aの内表面に設けることで、第3フィルタ723Aを構成する低融点のガラスの鉛と、ターゲット物質270であるスズとが反応することが抑制され、SnO、SnO2、SiO2等のパーティクルの生成が抑制され得る。液体のターゲット物質270と反応し難い材料は、以下の表6で示す材料のうち、いずれかの材料であってもよい。
第3フィルタ723Aの組成がSiO2:PbO=60:40(モル%)の場合、第3フィルタ723Aの線熱膨張係数は、7.4×10-6である。コーティング膜725Aは、Al2O3(酸化アルミニウム)、Cr2O3(酸化クロム(III))、Y2O3(酸化イットリウム)、TiB2(ホウ化チタン)のいずれかで形成されてもよい。この場合、コーティング膜725Aの線熱膨張係数が第3フィルタ723Aの線熱膨張係数と略等しくなり得る。その結果、ターゲット生成器8Aの加熱、冷却が繰り返されても、第3フィルタ723Aとコーティング膜725Aとの伸縮の大きさが略等しくなり、コーティング膜725Aが第3フィルタ723Aから剥がれることを抑制し得る。
コーティング膜725Aは、Al2O3(酸化アルミニウム)、Y2O3(酸化イットリウム)、SiO2(二酸化珪素)、AlN(窒化アルミニウム)、ZrO2(酸化ジルコニウム)のいずれかで形成されてもよい。この場合、ALD(Automatic Layer Deposition)法により、厚さ寸法が5nm~30nmと薄くて均一のコーティング膜725Aが、第1貫通孔724Aの内表面に形成され得る。CVD(Chemical Vapor Deposition)法やPVD(Physical Vapor Deposition)法などの通常の成膜法によりコーティング膜725Aを形成する場合、ALD法を用いる場合のように膜厚が均一のコーティング膜725Aを形成することが困難となり得る。その結果、ALD法でコーティング膜725Aを形成することで、CVD法やPVD法でコーティング膜725Aを形成する場合と比べて、第3フィルタ723Aを構成する低融点のガラスの鉛と、ターゲット物質270であるスズとが反応することが抑制され得る。
コーティング膜725Aは、コーティング膜725Aの第3フィルタ723Aからの剥がれにくさの観点、および、膜厚が均一のコーティング膜725Aの形成のしやすさの観点から、Al2O3(酸化アルミニウム)、Y2O3(酸化イットリウム)のいずれかで形成されてもよい。
支持部73Aは、支持プレート731Aを備えてもよい。支持プレート731Aは、本開示の支持部材であってもよい。支持プレート731Aは、図3~図5に示すように、略円板状に形成されてもよく、その直径は、第1,第2フィルタ721A,722A,723Aと略等しい約20mmであってもよい。支持プレート731Aは、ターゲット物質270との反応性が低い材料で形成されてもよい。ターゲット物質270がスズの場合、支持プレート731Aは、スズとの反応性が低いモリブデンにより形成されてもよい。支持プレート731Aには、厚さ方向であるZ軸方向に貫通する第2貫通孔732Aが設けられてもよい。第2貫通孔732Aの数は、第1貫通孔724Aの数より少なくてもよい。第2貫通孔732Aの口径は、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aの口径より大きくてもよい。第2貫通孔732Aの口径は、1mm~2mmであってもよい。
位置決め部74Aは、フィルタ部72Aおよび支持部73Aをターゲット生成器8A内で位置決めしてもよい。位置決め部74Aは、図3および図4に示すように、ホルダ741Aと、シム745Aと、ボルト746Aとを備えてもよい。
ホルダ741Aは、図4に示すように、筒部742Aと、当接部743Aとを備えてもよい。ホルダ741Aの+Z方向側の第1面および-Z方向側の第2面は、研磨されてもよい。ホルダ741Aは、ノズル基端部83Aの収容部834Aに収容されてもよい。
ホルダ741Aは、図4に示すように、筒部742Aと、当接部743Aとを備えてもよい。ホルダ741Aの+Z方向側の第1面および-Z方向側の第2面は、研磨されてもよい。ホルダ741Aは、ノズル基端部83Aの収容部834Aに収容されてもよい。
シム745Aは、ターゲット物質270との反応性が低い材料で形成されてもよい。第1,第2,第3フィルタ721A,722A,723A、および、支持プレート731Aを構成する材料の線熱膨張係数とシム745Aを構成する材料の線熱膨張係数との差は、シム745Aを構成する材料の線熱膨張係数の20%より小さくてもよい。例えば、第1,第2フィルタ721A,722AがSPGによって形成されたフィルタであり、第3フィルタ723Aが鉛を含む低融点のガラスで形成されたフィルタであり、支持プレート731Aがモリブデンで形成されたプレートであり、ターゲット物質270がスズの場合、シム745Aは、モリブデンによって形成されてもよい。シム745Aは、略円環板状に形成されてもよい。
ホルダ741A内には、支持プレート731Aが収容されてもよい。支持プレート731Aは、ホルダ741Aの当接部743Aに載置されてもよい。ホルダ741A内における支持プレート731Aの+Z方向側には、第1,第2,第3フィルタ721A,722A,723Aが、Z軸方向に重なるように収容されてもよい。このとき、第1フィルタ721Aが+Z方向側に位置し、第3フィルタ723Aが-Z方向側に位置してもよい。このように、ターゲット物質270の出力方向に沿って、貫通細孔および第1貫通孔724Aの大きさが徐々に小さくなるように、フィルタが配置されるようにしてもよい。ホルダ741A内における第1フィルタ721Aの+Z方向側には、例えば2枚のシム745Aが重ねられてもよい。収容部834Aの内部には、例えば、2枚のシム745Aが重ねられてもよい。シム745Aを複数用いる場合は、それらの厚さは同じでも異なっていてもよい。
ボルト746Aは、ノズル基端部83Aを貫通してタンク本体811Aに螺合されてもよい。これにより、支持プレート731Aと当接部743Aとの間、-Z方向側のシム745Aと第1フィルタ721Aとの間、複数のシム745Aの間、+Z方向側のシム745Aとタンク本体811Aとの間がシールされ得る。支持プレート731Aが、第3フィルタ723Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第3フィルタ723Aを支持し得る。第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aと支持プレート731Aの第2貫通孔732Aとが連通し得る。
タンク81Aの蓋部812Aには、図2および図3に示すように、配管764Aが設けられてもよい。配管764Aの+Z方向側の端部には、図示しない継手を介して配管768Aの一方の端部が接続されてもよい。配管768Aの他方の端部は、圧力調節器76Aを介して不活性ガスボンベ761Aに接続されてもよい。このような構成によって、不活性ガスボンベ761A内の不活性ガスが、ターゲット生成器8Aに供給され得る。
配管768Aには、圧力調節器76Aが設けられてもよい。圧力調節器76Aは、第1バルブV1と、第2バルブV2と、圧力制御部762Aと、圧力センサ763Aとを備えてもよい。
第1バルブV1は、配管768Aに設けられてもよい。
配管768Aにおける第1バルブV1よりタンク81A側には、配管769Aが接続されてもよい。配管769Aは、第1の端が配管768Aの側面に連結されてもよい。配管769Aは、第2の端が開放されてもよい。
第2バルブV2は、配管769Aの途中に設けられてもよい。
第1バルブV1および第2バルブV2は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第1バルブV1と第2バルブV2とは、同じ種類のバルブであってもよいし、異なる種類のバルブであってもよい。
第1バルブV1および第2バルブV2には、圧力制御部762Aが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置71Aは、圧力制御部762Aに第1バルブV1および第2バルブV2に関する信号を送信してもよい。第1バルブV1および第2バルブV2は、圧力制御部762Aから送信される信号に基づいて、それぞれ独立して開閉を切り替えられてもよい。
配管764A,768A,769A,770Aは、例えばステンレス鋼で形成されてもよい。
第1バルブV1は、配管768Aに設けられてもよい。
配管768Aにおける第1バルブV1よりタンク81A側には、配管769Aが接続されてもよい。配管769Aは、第1の端が配管768Aの側面に連結されてもよい。配管769Aは、第2の端が開放されてもよい。
第2バルブV2は、配管769Aの途中に設けられてもよい。
第1バルブV1および第2バルブV2は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第1バルブV1と第2バルブV2とは、同じ種類のバルブであってもよいし、異なる種類のバルブであってもよい。
第1バルブV1および第2バルブV2には、圧力制御部762Aが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置71Aは、圧力制御部762Aに第1バルブV1および第2バルブV2に関する信号を送信してもよい。第1バルブV1および第2バルブV2は、圧力制御部762Aから送信される信号に基づいて、それぞれ独立して開閉を切り替えられてもよい。
配管764A,768A,769A,770Aは、例えばステンレス鋼で形成されてもよい。
第1バルブV1が開くと、不活性ガスボンベ761A内の不活性ガスが、配管768A,764Aを介してターゲット生成器8A内に供給され得る。第2バルブV2が閉じている場合、配管768A,764Aおよびターゲット生成器8A内に存在する不活性ガスが、配管769Aの第2の端から当該配管769Aの外部に排出されることを防止し得る。このことにより、第1バルブV1が開くとともに、第2バルブV2が閉じると、ターゲット生成器8A内の圧力が、不活性ガスボンベ761A内の圧力まで上がり得る。その後、ターゲット生成器8A内の圧力は、不活性ガスボンベ761A内の圧力で維持され得る。
第1バルブV1が閉じると、不活性ガスボンベ761A内の不活性ガスが、配管768A,764Aを介してターゲット生成器8A内に供給されることを防止し得る。そして、第2バルブV2が開くと、配管768A,764Aおよびターゲット生成器8Aの内部と、当該配管768A,764Aおよびターゲット生成器8Aの外部との間の圧力差によって、配管768A,764Aおよびターゲット生成器8A内に存在する不活性ガスが、配管769Aの第2の端から当該配管769Aの外部に排出され得る。これにより、第1バルブV1が閉じるとともに、第2バルブV2が開くと、ターゲット生成器8A内の圧力が下がり得る。
第1バルブV1が閉じると、不活性ガスボンベ761A内の不活性ガスが、配管768A,764Aを介してターゲット生成器8A内に供給されることを防止し得る。そして、第2バルブV2が開くと、配管768A,764Aおよびターゲット生成器8Aの内部と、当該配管768A,764Aおよびターゲット生成器8Aの外部との間の圧力差によって、配管768A,764Aおよびターゲット生成器8A内に存在する不活性ガスが、配管769Aの第2の端から当該配管769Aの外部に排出され得る。これにより、第1バルブV1が閉じるとともに、第2バルブV2が開くと、ターゲット生成器8A内の圧力が下がり得る。
配管768Aにおける配管769Aよりタンク81A側には、配管770Aが連結されてもよい。配管770Aは、第1の端が配管768Aの側面に接続されてもよい。配管770Aの第2の端には、圧力センサ763Aが設けられてもよい。圧力センサ763Aには、圧力制御部762Aが電気的に接続されてもよい。圧力センサ763Aは、配管770A内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号を圧力制御部762Aに送信してもよい。配管770A内の圧力は、配管768A内、配管764A内およびターゲット生成器8A内の圧力とほぼ同一の圧力となり得る。
温度制御部78Aは、タンク81A内のターゲット物質270の温度を制御するよう構成されてもよい。温度制御部78Aは、ヒータ781Aと、ヒータ電源782Aと、温度センサ783Aと、温度コントローラ784Aとを備えてもよい。ヒータ781Aは、タンク81Aの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源782Aは、温度コントローラ784Aからの信号に基づいて、ヒータ781Aに電力を供給してヒータ781Aを発熱させてもよい。それにより、タンク81A内のターゲット物質270が、タンク81Aを介して加熱され得る。
温度センサ783Aは、タンク81Aの外周面におけるノズル82A側に設けられてもよいし、タンク81A内に設けられてもよい。温度センサ783Aは、タンク81Aにおける主に温度センサ783Aの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ784Aに送信するよう構成されてもよい。温度センサ783Aの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク81A内のターゲット物質270の温度とほぼ同一の温度となり得る。
温度コントローラ784Aは、温度センサ783Aからの信号に基づいて、ターゲット物質270の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源782Aに出力するよう構成されてもよい。
温度センサ783Aは、タンク81Aの外周面におけるノズル82A側に設けられてもよいし、タンク81A内に設けられてもよい。温度センサ783Aは、タンク81Aにおける主に温度センサ783Aの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ784Aに送信するよう構成されてもよい。温度センサ783Aの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク81A内のターゲット物質270の温度とほぼ同一の温度となり得る。
温度コントローラ784Aは、温度センサ783Aからの信号に基づいて、ターゲット物質270の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源782Aに出力するよう構成されてもよい。
ピエゾ部79Aは、ピエゾ素子791Aと、電源792Aとを備えてもよい。ピエゾ素子791Aは、チャンバ2内において、ノズル82Aのノズル先端部85Aの外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子791Aの代わりに、高速でノズル82Aのノズル先端部85Aに振動を加えることが可能な機構が設けられてもよい。電源792Aは、フィードスルー793Aを介してピエゾ素子791Aに電気的に接続されてもよい。電源792Aは、ターゲット制御装置71Aに電気的に接続されてもよい。
ターゲット生成部70Aは、コンティニュアスジェット方式でジェット27Aを生成し、ノズル82Aから出力したジェット27Aを振動させることで、ドロップレット27を生成するよう構成されてもよい。
ターゲット生成部70Aは、コンティニュアスジェット方式でジェット27Aを生成し、ノズル82Aから出力したジェット27Aを振動させることで、ドロップレット27を生成するよう構成されてもよい。
3.2.3 動作
図6は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じる問題を概略的に示す。
なお、以下において、ターゲット物質270がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置7Aの動作を説明する。
図6は、ターゲット物質を当該ターゲット物質の融点以上の所定の温度まで加熱したときに生じる問題を概略的に示す。
なお、以下において、ターゲット物質270がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置7Aの動作を説明する。
ターゲット供給装置は、図6に示すように、ターゲット生成器8A、フィルタ部72A、位置決め部74Aの代わりにターゲット生成器8P、フィルタ721P、ホルダ741Pを適用し、支持部73Aを有しないこと以外は、第1実施形態のターゲット供給装置7Aと同様の構成であってもよい。
ターゲット生成器8Pは、ノズル孔854Pが形成されたノズル82Pを有し、ターゲット物質270を収容するように構成されてもよい。ノズル孔854Pの直径は、1μm~3μmであってもよい。
ホルダ741Pは、略円環状に形成されてもよい。
フィルタ721Pは、例えば第1フィルタ721Aと同様に、多孔質の材料で形成されてもよい。フィルタ721Pには、口径が3μm以上20μm以下であり、かつ、様々な方向に屈曲する無数の貫通細孔が設けられてもよい。フィルタ721Pは、ノズル82Pの貫通孔821Pを塞ぐように、ホルダ741Pで保持されてもよい。
ターゲット生成器8Pは、ノズル孔854Pが形成されたノズル82Pを有し、ターゲット物質270を収容するように構成されてもよい。ノズル孔854Pの直径は、1μm~3μmであってもよい。
ホルダ741Pは、略円環状に形成されてもよい。
フィルタ721Pは、例えば第1フィルタ721Aと同様に、多孔質の材料で形成されてもよい。フィルタ721Pには、口径が3μm以上20μm以下であり、かつ、様々な方向に屈曲する無数の貫通細孔が設けられてもよい。フィルタ721Pは、ノズル82Pの貫通孔821Pを塞ぐように、ホルダ741Pで保持されてもよい。
このようなターゲット供給装置において、ターゲット生成器8P内にターゲット物質270が収容され、かつ、フィルタ721Pの貫通細孔およびノズル82Pの貫通孔821Pにターゲット物質270が満たされていてもよい。ターゲット制御装置71Aは、温度制御部78Aに信号を送信して、ターゲット生成器8P内のターゲット物質270を当該ターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。
このとき、フィルタ721Pの破片が生成されて、ノズル孔854Pを詰まらせることがあり得る。
フィルタ721Pの貫通細孔の口径がノズル孔854Pの直径よりも大きいため、ターゲット物質270に含まれるパーティクル279Pの大きさが、フィルタ721Pの貫通細孔の口径より小さく、かつ、ノズル孔854Pの直径よりも大きい場合、フィルタ721Pで捕集されずに、ノズル孔854Pを詰まらせることがあり得る。
フィルタ721Pの貫通細孔の口径がノズル孔854Pの直径よりも大きいため、ターゲット物質270に含まれるパーティクル279Pの大きさが、フィルタ721Pの貫通細孔の口径より小さく、かつ、ノズル孔854Pの直径よりも大きい場合、フィルタ721Pで捕集されずに、ノズル孔854Pを詰まらせることがあり得る。
フィルタ721Pで捕集できない小さなパーティクル279Pを捕集するために、第1実施形態の第3フィルタ723Aと同様に、鉛を含む低融点のガラスで形成された複数の毛細管を用い、フィルタを形成することが考えられ得る。このように形成されたフィルタは、フィルタ721Pが捕集できなかったパーティクル279Pを捕集し得る。しかし、上述したように、フィルタを構成する低融点のガラスと、ターゲット物質270であるスズとが反応し、フィルタの貫通孔の内表面からSnO、SnO2、SiO2等の新しいパーティクルが生成され得る。この生成されたパーティクルは、ノズル孔854Pを詰まらせることがあり得る。
このような現象を抑制するために、ターゲット供給装置7Aの第3フィルタ723Aを図3~図5に示すように構成してもよい。
このような現象を抑制するために、ターゲット供給装置7Aの第3フィルタ723Aを図3~図5に示すように構成してもよい。
図3~図5に示すターゲット供給装置7Aにおいて、ターゲット生成器8A内にターゲット物質270が収容され、かつ、第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833A,853Aにターゲット物質270が満たされていてもよい。ターゲット制御装置71Aは、ターゲット物質270を当該ターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。ターゲット物質270の融点以上の所定の温度は、ターゲット物質270がスズの場合には232℃以上、ガドリニウムの場合には1312℃以上、テルビウムの場合には1356℃以上であってもよい。
ターゲット制御装置71Aは、ピエゾ素子791Aに所定の周波数の信号を送信してもよい。これにより、ピエゾ素子791Aが、ジェット27Aからドロップレット27を周期的に生成するように振動し得る。
ターゲット制御装置71Aは、ピエゾ素子791Aに所定の周波数の信号を送信してもよい。これにより、ピエゾ素子791Aが、ジェット27Aからドロップレット27を周期的に生成するように振動し得る。
ターゲット制御装置71Aは、圧力制御部762Aに信号を送信して、ターゲット生成器8A内の圧力を目標圧力Ptに設定してもよい。目標圧力Ptは、10MPa以上であってもよい。圧力制御部762Aは、圧力センサ763Aで計測した圧力Pと目標圧力Ptの差ΔPの値が小さくなるように、第1バルブV1および第2バルブV2を開閉制御してもよい。これにより、不活性ガスボンベ761A内の不活性ガスがターゲット生成器8A内に供給され、当該ターゲット生成器8A内の圧力が目標圧力Ptに安定し得る。ターゲット生成器8A内の圧力が目標圧力Ptに到達すると、ノズル82Aからジェット27Aが出力され、ノズル82Aの振動に応じてドロップレット27が生成され得る。
ノズル82Aからドロップレット27が出力されると、収容空間810A内のターゲット物質270は、第1フィルタ721Aを通過し得る。ターゲット物質270が第1フィルタ721Aを通過するとき、当該第1フィルタ721Aは、その貫通細孔の口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
第1フィルタ721Aを通過したターゲット物質270は、第2フィルタ722Aを通過し得る。ターゲット物質270が第2フィルタ722Aを通過するとき、当該第2フィルタ722Aは、その貫通細孔の口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
第2フィルタ722Aを通過したターゲット物質270は、第3フィルタ723Aを通過し得る。ターゲット物質270が第3フィルタ723Aを通過するとき、当該第3フィルタ723Aは、第1貫通孔724Aの口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
第1フィルタ721Aを通過したターゲット物質270は、第2フィルタ722Aを通過し得る。ターゲット物質270が第2フィルタ722Aを通過するとき、当該第2フィルタ722Aは、その貫通細孔の口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
第2フィルタ722Aを通過したターゲット物質270は、第3フィルタ723Aを通過し得る。ターゲット物質270が第3フィルタ723Aを通過するとき、当該第3フィルタ723Aは、第1貫通孔724Aの口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
第3フィルタ723Aは、第1フィルタ721Aや第2フィルタ722Aの破片を捕集し得る。
第3フィルタ723Aは、第1フィルタ721Aの貫通細孔および第2フィルタ722Aの貫通細孔より小さく、かつ、ノズル孔854Aの直径より大きいパーティクルを捕集し得る。
ターゲット物質270が第3フィルタ723Aを通過するとき、コーティング膜725Aによってターゲット物質270であるスズと第3フィルタ723Aにおける第1貫通孔724Aの内表面の鉛とが反応することが抑制され得る。その結果、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aの内表面からSnO、SnO2、SiO2等の新しいパーティクルが生成されることを抑制し得る。
したがって、ノズル孔854Aが詰まることが抑制され得る。
第3フィルタ723Aは、第1フィルタ721Aの貫通細孔および第2フィルタ722Aの貫通細孔より小さく、かつ、ノズル孔854Aの直径より大きいパーティクルを捕集し得る。
ターゲット物質270が第3フィルタ723Aを通過するとき、コーティング膜725Aによってターゲット物質270であるスズと第3フィルタ723Aにおける第1貫通孔724Aの内表面の鉛とが反応することが抑制され得る。その結果、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aの内表面からSnO、SnO2、SiO2等の新しいパーティクルが生成されることを抑制し得る。
したがって、ノズル孔854Aが詰まることが抑制され得る。
支持プレート731Aが第3フィルタ723Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第3フィルタ723Aを支持しているため、第3フィルタ723Aに目標圧力Ptが印加された場合でも、第3フィルタ723Aの破損を抑制し得る。
第3フィルタ723Aを通過したターゲット物質270は、支持プレート731Aの第2貫通孔732Aを通過し、ノズル孔854Aから出力され得る。
第3フィルタ723Aを通過したターゲット物質270は、支持プレート731Aの第2貫通孔732Aを通過し、ノズル孔854Aから出力され得る。
3.3 第2実施形態
3.3.1 構成
図7は、第2実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
第2実施形態のターゲット供給装置7Bは、ターゲット生成器8Bと、フィルタ部72Bと、支持部73B以外の構成については、第1実施形態のターゲット供給装置7Aと同様のものを適用してもよい。
3.3.1 構成
図7は、第2実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
第2実施形態のターゲット供給装置7Bは、ターゲット生成器8Bと、フィルタ部72Bと、支持部73B以外の構成については、第1実施形態のターゲット供給装置7Aと同様のものを適用してもよい。
ターゲット生成器8Bは、図7に示すように、タンク81Aと、ノズル基端部83Bと、ノズル先端部85Bとを備えてもよい。ノズル基端部83Bと、ノズル先端部85Bとは、第3フィルタ723Aと同様に、例えば鉛を含む低融点のガラスで形成されてもよい。
ノズル基端部83Bは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル基端部83Bは、当該ノズル基端部83Bの+Z方向側の第1面がタンク81Aの-Z方向側の面に固定されてもよい。このとき、ノズル基端部83Bの貫通孔833Bと、タンク81Aの貫通孔814Aとが連通してもよい。貫通孔833Bの内径は、第3フィルタ723Aの外径と略等しくてもよい。
ノズル先端部85Bは、-Z方向側の第2面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。ノズル先端部85Bの外径および内径は、ノズル基端部83Bの外径および内径と略等しくてもよい。ノズル先端部85Bにおける-Z方向側の壁面の中央部分には、円錐台状の突出部855Bが設けられてもよい。突出部855Bは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。ノズル先端部85Bにおける-Z方向側の壁面の中央部分には、Z軸方向に貫通する貫通孔853Bが設けられてもよい。貫通孔853Bは、-Z方向に向かうに従って径寸法が小さくなる円錐状に形成されてもよい。貫通孔853Bの-Z方向側の開口であって突出部855Bの先端部中央の開口は、ノズル孔854Aを構成してもよい。
ノズル基端部83Bとノズル先端部85Bとは、ノズル82Bを構成してもよい。
ノズル基端部83Bは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル基端部83Bは、当該ノズル基端部83Bの+Z方向側の第1面がタンク81Aの-Z方向側の面に固定されてもよい。このとき、ノズル基端部83Bの貫通孔833Bと、タンク81Aの貫通孔814Aとが連通してもよい。貫通孔833Bの内径は、第3フィルタ723Aの外径と略等しくてもよい。
ノズル先端部85Bは、-Z方向側の第2面に壁面を備える略円筒状に形成されてもよい。ノズル先端部85Bの外径および内径は、ノズル基端部83Bの外径および内径と略等しくてもよい。ノズル先端部85Bにおける-Z方向側の壁面の中央部分には、円錐台状の突出部855Bが設けられてもよい。突出部855Bは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。ノズル先端部85Bにおける-Z方向側の壁面の中央部分には、Z軸方向に貫通する貫通孔853Bが設けられてもよい。貫通孔853Bは、-Z方向に向かうに従って径寸法が小さくなる円錐状に形成されてもよい。貫通孔853Bの-Z方向側の開口であって突出部855Bの先端部中央の開口は、ノズル孔854Aを構成してもよい。
ノズル基端部83Bとノズル先端部85Bとは、ノズル82Bを構成してもよい。
フィルタ部72Bは、第3フィルタ723Aのみで構成されてもよい。第3フィルタ723Aは、鉛を含む低融点のガラスで形成されてもよい。第3フィルタ723Aは、当該第3フィルタ723Aの外周面がノズル基端部83Bの内周面に溶融着されてもよい。
支持部73Bは、支持プレート731Aと同形状の支持プレート731Bを備えてもよい。支持プレート731Bは、本開示の支持部材であってもよい。支持プレート731Bは、第2貫通孔732Aと同様に設けられた第2貫通孔732Bを有してもよい。支持プレート731Bは、第3フィルタ723Aと同様に、鉛を含む低融点のガラスで形成されてもよい。支持プレート731Bは、当該支持プレート731Bの外周面がノズル基端部83Bの内周面に溶融着されてもよい。支持プレート731Bが、第3フィルタ723Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第3フィルタ723Aを支持してもよい。第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aと支持プレート731Bの第2貫通孔732Bとが連通してもよい。
第3フィルタ723Aとノズル基端部83Bとの溶融着部分、支持プレート731Bとノズル基端部83Bとの溶融着部分は、本開示の位置決め部であってもよい。
支持部73Bは、支持プレート731Aと同形状の支持プレート731Bを備えてもよい。支持プレート731Bは、本開示の支持部材であってもよい。支持プレート731Bは、第2貫通孔732Aと同様に設けられた第2貫通孔732Bを有してもよい。支持プレート731Bは、第3フィルタ723Aと同様に、鉛を含む低融点のガラスで形成されてもよい。支持プレート731Bは、当該支持プレート731Bの外周面がノズル基端部83Bの内周面に溶融着されてもよい。支持プレート731Bが、第3フィルタ723Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第3フィルタ723Aを支持してもよい。第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aと支持プレート731Bの第2貫通孔732Bとが連通してもよい。
第3フィルタ723Aとノズル基端部83Bとの溶融着部分、支持プレート731Bとノズル基端部83Bとの溶融着部分は、本開示の位置決め部であってもよい。
ノズル基端部83B、ノズル先端部85B、第3フィルタ723A、および、支持プレート731Bにおける液体のターゲット物質270と接触する面には、当該液体のターゲット物質270と反応し難い材料がコーティングされてもよい。液体のターゲット物質270と反応し難い材料は、上述の表6で示す材料のうち、いずれかの材料であってもよい。
3.3.2 動作
ターゲット供給装置7Bの動作について説明する。
以下において、第1実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
ターゲット供給装置7Bの動作について説明する。
以下において、第1実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
図7に示すターゲット供給装置7Bにおいて、ターゲット生成器8B内にターゲット物質270が収容され、ノズル基端部83Bの内部、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Bの第2貫通孔732B、ノズル先端部85Bの内部にターゲット物質270が満たされていてもよい。ターゲット制御装置71Aは、ターゲット物質270を当該ターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器8B内の圧力を調節してドロップレット27を生成してもよい。
ノズル82Bからドロップレット27が出力されると、ターゲット生成器8B内のターゲット物質270は、第3フィルタ723Aを通過し得る。ターゲット物質270が第3フィルタ723Aを通過するとき、当該第3フィルタ723Aは、第1貫通孔724Aの口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
ターゲット物質270が第3フィルタ723Aを通過するとき、コーティング膜725Aによってターゲット物質270であるスズと第3フィルタ723Aにおける第1貫通孔724Aの内表面の鉛とが反応することが抑制され得る。ターゲット物質270がノズル基端部83B、支持プレート731Bの第2貫通孔732B、ノズル先端部85Bを通過するとき、液体のターゲット物質270と反応し難いコーティング膜によって、ターゲット物質270とノズル基端部83B、支持プレート731Bの第2貫通孔732B、ノズル先端部85Bの鉛とが反応することが抑制され得る。その結果、ノズル基端部83B、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Bの第2貫通孔732B、ノズル先端部85BからSnO、SnO2、SiO2等の新しいパーティクルが生成されることを抑制し得る。
したがって、ノズル孔854Aが詰まることが抑制され得る。
したがって、ノズル孔854Aが詰まることが抑制され得る。
支持プレート731Bが第3フィルタ723Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第3フィルタ723Aを支持しているため、第3フィルタ723Aに目標圧力Ptが印加された場合でも、第3フィルタ723Aの破損を抑制し得る。
ノズル基端部83B、ノズル先端部85B、第3フィルタ723A、支持プレート731Bを低融点のガラスで形成しているため、これらをモリブデンで形成する場合と比べて、パーティクルが生成されることを抑制し得る。
ノズル先端部85Bを低融点のガラスで形成しているため、ノズル先端部85Bをモリブデンで形成する場合と比べて、ノズル孔854Aの直径を小さくし得る。
ノズル基端部83B、ノズル先端部85B、第3フィルタ723A、支持プレート731Bを低融点のガラスで形成しているため、これらをモリブデンで形成する場合と比べて、パーティクルが生成されることを抑制し得る。
ノズル先端部85Bを低融点のガラスで形成しているため、ノズル先端部85Bをモリブデンで形成する場合と比べて、ノズル孔854Aの直径を小さくし得る。
3.4 第3実施形態
3.4.1 構成
図8は、第3実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
第3実施形態のターゲット供給装置7Cは、ターゲット生成器8Cと、位置決め部74C以外の構成については、第1実施形態のターゲット供給装置7Aと同様のものを適用してもよい。
3.4.1 構成
図8は、第3実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
第3実施形態のターゲット供給装置7Cは、ターゲット生成器8Cと、位置決め部74C以外の構成については、第1実施形態のターゲット供給装置7Aと同様のものを適用してもよい。
ターゲット生成器8Cは、図8に示すように、図示しないタンクと、ノズル基端部83Cと、ノズル先端部85Cとを備えてもよい。ノズル基端部83Cと、ノズル先端部85Cの後述する出力部86Cおよび固定部材87Cとは、例えばモリブデンなどのターゲット物質270との反応性が低い材料で構成されてもよい。
ノズル基端部83Cは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル基端部83Cは、当該ノズル基端部83Cの+Z方向側の第1面がタンクの-Z方向側の面に固定されてもよい。または、ノズル基端部83Cは、タンクと一体的に形成されてもよい。このとき、ノズル基端部83Cの貫通孔833Cと、タンクとが連通してもよい。貫通孔833Cにおける-Z方向側は、収容部834Cであってもよい。収容部834Cには、位置決め部74Cの後述するホルダ741Cが収容されてもよい。
ノズル基端部83Cは、略円筒状に形成されてもよい。ノズル基端部83Cは、当該ノズル基端部83Cの+Z方向側の第1面がタンクの-Z方向側の面に固定されてもよい。または、ノズル基端部83Cは、タンクと一体的に形成されてもよい。このとき、ノズル基端部83Cの貫通孔833Cと、タンクとが連通してもよい。貫通孔833Cにおける-Z方向側は、収容部834Cであってもよい。収容部834Cには、位置決め部74Cの後述するホルダ741Cが収容されてもよい。
ノズル先端部85Cは、出力部86Cと、固定部材87Cとを備えてもよい。出力部86Cは、略円板状に形成されてもよい。出力部86Cは、位置決め部74Cの先端面に密着するように、固定部材87Cによって固定されてもよい。出力部86Cには、突出部855Bおよび貫通孔853Bと同様の構成を有する突出部855Cおよび貫通孔853Cが設けられてもよい。貫通孔853Cの-Z方向側の開口は、ノズル孔854Aを構成してもよい。
ノズル基端部83Cとノズル先端部85Cとは、ノズル82Cを構成してもよい。
ノズル基端部83Cとノズル先端部85Cとは、ノズル82Cを構成してもよい。
固定部材87Cは、略円筒状に形成されてもよく、平面部分の外径寸法がノズル基端部83Cの外径寸法と略等しくてもよい。固定部材87Cの上面には、凹部871Cが設けられてもよい。ノズル先端部固定部材87Cの中央には、上下方向に貫通する錐状孔872Cが設けられてもよい。錐状孔872Cは、-Z方向に向かうに従って径寸法が大きくなる円錐状に形成されてもよい。
固定部材87Cの凹部871Cには、突出部855Cが錐状孔872Cの内部に位置するように、出力部86Cが収容されてもよい。
固定部材87Cの凹部871Cには、突出部855Cが錐状孔872Cの内部に位置するように、出力部86Cが収容されてもよい。
位置決め部74Cは、フィルタ部72Aおよび支持部73Aをターゲット生成器8C内で位置決めしてもよい。位置決め部74Cは、ホルダ741Cと、シム745Aと、ボルト746Aとを備えてもよい。
ホルダ741Cは、筒部742Cと、当接部743Cとを備えてもよい。ホルダ741Cの+Z方向側の第1面および-Z方向側の第2面は、研磨されてもよい。ホルダ741Cの-Z方向側は、-Z方向に向かうに従って径寸法が大きくなる円錐状に形成されてもよい。ホルダ741Cは、ノズル基端部83Cの収容部834Cに収容されてもよい。
ホルダ741C内には、支持プレート731Aが収容されてもよい。支持プレート731Aは、ホルダ741Cの当接部743Cに載置されてもよい。ホルダ741C内における支持プレート731Aの+Z方向側には、第1,第2,第3フィルタ721A,722A,723A、2枚のシム745Aが重ねられてもよい。
ホルダ741Cは、筒部742Cと、当接部743Cとを備えてもよい。ホルダ741Cの+Z方向側の第1面および-Z方向側の第2面は、研磨されてもよい。ホルダ741Cの-Z方向側は、-Z方向に向かうに従って径寸法が大きくなる円錐状に形成されてもよい。ホルダ741Cは、ノズル基端部83Cの収容部834Cに収容されてもよい。
ホルダ741C内には、支持プレート731Aが収容されてもよい。支持プレート731Aは、ホルダ741Cの当接部743Cに載置されてもよい。ホルダ741C内における支持プレート731Aの+Z方向側には、第1,第2,第3フィルタ721A,722A,723A、2枚のシム745Aが重ねられてもよい。
ボルト746Aは、固定部材87Cを貫通してノズル基端部83Cに螺合されてもよい。これにより、出力部86Cとホルダ741Cとの間、支持プレート731Aと当接部743Cとの間、-Z方向側のシム745Aと第1フィルタ721Aとの間、複数のシム745Aの間、+Z方向側のシム745Aとノズル基端部83Cとの間がシールされ得る。支持プレート731Aが、第3フィルタ723Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第3フィルタ723Aを支持し得る。第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aと支持プレート731Aの第2貫通孔732Aとが連通し得る。
3.4.2 動作
ターゲット供給装置7Cの動作について説明する。
以下において、第1実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
ターゲット供給装置7Cの動作について説明する。
以下において、第1実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
図8に示すターゲット供給装置7Cにおいて、ターゲット生成器8C内にターゲット物質270が収容され、かつ、第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833C,853Cにターゲット物質270が満たされていてもよい。ターゲット制御装置71Aは、ターゲット物質270を当該ターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器8C内の圧力を調節してドロップレット27を生成してもよい。
ノズル82Cからドロップレット27が出力されると、ターゲット生成器8C内のターゲット物質270は、第1,第2,第3フィルタ721A,722A,723Aを通過し得る。ターゲット物質270が第3フィルタ723Aを通過するとき、当該第3フィルタ723Aは、第1貫通孔724Aの口径よりも大きいパーティクルを捕集し得る。
フィルタ部72Aとノズル孔854Aとの間の空間に液体のターゲット物質270が流れると、当該空間を形成する支持プレート731A、ホルダ741Cおよび出力部86Cと、ターゲット物質270との物理的な摩耗によって、パーティクルが生成され得る。ノズル孔854Aを有する出力部86Cと、フィルタ部72Aを収容するホルダ741Cとが接触し得るため、フィルタ部72Aとノズル孔854Aとの間の空間が、第1実施形態の構成と比べて小さくなり得る。その結果、第1実施形態の構成と比べて、フィルタ部72Aとノズル孔854Aとの間の空間におけるパーティクルが生成されることを抑制し得る。
3.5 第4実施形態
3.5.1 構成
図9は、第4実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
第4実施形態のターゲット供給装置7Dは、支持部73D以外の構成については、第3実施形態のターゲット供給装置7Cと同様のものを適用してもよい。
3.5.1 構成
図9は、第4実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
第4実施形態のターゲット供給装置7Dは、支持部73D以外の構成については、第3実施形態のターゲット供給装置7Cと同様のものを適用してもよい。
支持部73Dは、支持プレート731Dを備えてもよい。支持プレート731Dは、本開示の支持部材であってもよい。支持プレート731Dは、円板部733Dを備えてもよい。円板部733Dは、第3実施形態の支持プレート731Aの形状と略等しい略円板状に形成されてもよい。円板部733Dの-Z方向側の第2面には、略円板状の凸部734Dが設けられてもよい。凸部734Dの外径は、円板部733Dの外径より小さくてもよい。第2貫通孔732Aと同様に設けられた第2貫通孔732Dを有してもよい。支持プレート731Dは、ターゲット物質270との反応性が低い石英ガラスで形成されてもよい。支持プレート731Dには、厚さ方向であるZ軸方向に貫通する第2貫通孔732Dが設けられてもよい。第2貫通孔732Dの数は、第1貫通孔724Aの数より少なくてもよい。第2貫通孔732Dの口径は、第3実施形態の第2貫通孔732Aの口径と略等しくてもよい。
支持プレート731Dは、ホルダ741C内に収容されてもよい。支持プレート731Dの円板部733Dにおける-Z方向側の第2面は、ホルダ741Cの当接部743Cに載置されてもよい。支持プレート731Dの凸部734Dは、当接部743Cより-Z方向側に位置し、かつ、筒部742Cの-Z方向側の第2面より+Z方向側に位置してもよい。ホルダ741C内における支持プレート731Dの+Z方向側には、第1,第2,第3フィルタ721A,722A,723A、2枚のシム745Aが重ねられてもよい。
ボルト746Aが固定部材87Cを貫通してノズル基端部83Cに螺合されると、支持プレート731Dと当接部743Cとの間がシールされ得る。支持プレート731Dが第3フィルタ723Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第3フィルタ723Aを支持し得る。第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aと支持プレート731Dの第2貫通孔732Dとが連通し得る。
ボルト746Aが固定部材87Cを貫通してノズル基端部83Cに螺合されると、支持プレート731Dと当接部743Cとの間がシールされ得る。支持プレート731Dが第3フィルタ723Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第3フィルタ723Aを支持し得る。第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aと支持プレート731Dの第2貫通孔732Dとが連通し得る。
3.5.2 動作
ターゲット供給装置7Dの動作について説明する。
以下において、第3実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
ターゲット供給装置7Dの動作について説明する。
以下において、第3実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
図9に示すターゲット供給装置7Dにおいて、ターゲット生成器8C内にターゲット物質270が収容され、かつ、フィルタ部72Aの各貫通細孔および第1貫通孔724A、支持プレート731Dの第2貫通孔732D、貫通孔833C,853Cにターゲット物質270が満たされていてもよい。ターゲット制御装置71Aは、ターゲット物質270を当該ターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器8C内の圧力を調節してドロップレット27を生成してもよい。
ノズル82Cからドロップレット27が出力されると、ターゲット生成器8C内のターゲット物質270は、フィルタ部72Aと支持プレート731Dとを通過し得る。フィルタ部72Aとノズル孔854Aとの間の空間に液体のターゲット物質270が流れると、当該空間を形成する支持プレート731D、ホルダ741Cおよび出力部86Cと、ターゲット物質270との物理的な摩耗によって、パーティクルが生成され得る。石英ガラスの表面はモリブデンの表面と比べて滑らかであるため、支持プレート731Dが石英ガラスで形成されている場合、支持プレート731Dがモリブデンで形成されている場合と比べて、支持プレート731Dが削られにくくなり得る。その結果、第3実施形態の構成と比べて、支持プレート731Dとターゲット物質270との物理的な摩耗によってパーティクルが生成されることを抑制し得る。
支持プレート731Dの厚さ寸法が第3実施形態の支持プレート731Aの厚さ寸法より大きいため、石英ガラスで形成された支持プレート731Dの破損を抑制し得る。
支持プレート731Dの厚さ寸法が第3実施形態の支持プレート731Aの厚さ寸法より大きいため、石英ガラスで形成された支持プレート731Dの破損を抑制し得る。
3.6 第5実施形態
3.6.1 構成
図10は、第5実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
第5実施形態のターゲット供給装置7Eは、フィルタ部72E以外の構成については、第3実施形態のターゲット供給装置7Cと同様のものを適用してもよい。
フィルタ部72Eは、第1フィルタ721Aと、第2フィルタ722Aとを備え、第3フィルタ723Aを備えなくてもよい。この場合、第2フィルタ722Aは、本開示のフィルタであってもよい。
ホルダ741C内には、支持プレート731Aが収容されてもよい。支持プレート731Aは、ホルダ741Cの当接部743Cに載置されてもよい。ホルダ741C内における支持プレート731Aの+Z方向側には、第1,第2フィルタ721A,722A、2枚のシム745Aが重ねられてもよい。
ボルト746Aとノズル基端部83Cとの螺合により、支持プレート731Aと当接部743Cとの間がシールされ得る。支持プレート731Aが、第2フィルタ722Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第2フィルタ722Aを支持し得る。第2フィルタ722Aの貫通細孔と支持プレート731Aの第2貫通孔732Aとが連通し得る。
3.6.1 構成
図10は、第5実施形態に係るターゲット供給装置の要部の構成を概略的に示す。
第5実施形態のターゲット供給装置7Eは、フィルタ部72E以外の構成については、第3実施形態のターゲット供給装置7Cと同様のものを適用してもよい。
フィルタ部72Eは、第1フィルタ721Aと、第2フィルタ722Aとを備え、第3フィルタ723Aを備えなくてもよい。この場合、第2フィルタ722Aは、本開示のフィルタであってもよい。
ホルダ741C内には、支持プレート731Aが収容されてもよい。支持プレート731Aは、ホルダ741Cの当接部743Cに載置されてもよい。ホルダ741C内における支持プレート731Aの+Z方向側には、第1,第2フィルタ721A,722A、2枚のシム745Aが重ねられてもよい。
ボルト746Aとノズル基端部83Cとの螺合により、支持プレート731Aと当接部743Cとの間がシールされ得る。支持プレート731Aが、第2フィルタ722Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第2フィルタ722Aを支持し得る。第2フィルタ722Aの貫通細孔と支持プレート731Aの第2貫通孔732Aとが連通し得る。
3.6.2 動作
ターゲット供給装置7Eの動作について説明する。
以下において、第3実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
ターゲット供給装置7Eの動作について説明する。
以下において、第3実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
図10に示すターゲット供給装置7Eにおいて、ターゲット生成器8C内にターゲット物質270が収容され、かつ、第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833C,853Cにターゲット物質270が満たされていてもよい。ターゲット制御装置71Aは、ターゲット物質270を当該ターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱し、ターゲット生成器8C内の圧力を調節してドロップレット27を生成してもよい。
支持プレート731Aが第2フィルタ722Aにおけるノズル孔854A側の面の全体に渡って当接して、第2フィルタ722Aを支持しているため、第2フィルタ722Aにドロップレット27を生成するための圧力が印加された場合でも、第2フィルタ722Aの破損を抑制し得る。
3.7 第6実施形態
3.7.1 構成
図11は、第6実施形態に係るターゲット供給装置を含むフィルタ破損抑制装置の構成を概略的に示す。
3.7.1 構成
図11は、第6実施形態に係るターゲット供給装置を含むフィルタ破損抑制装置の構成を概略的に示す。
フィルタ破損抑制装置9Fは、図11に示すように、チャンバ2Fと、ターゲット供給装置7Fと、撮影部91Fと、タイマ92Fとを備えてもよい。
チャンバ2Fにおける-Z方向側の壁には、ターゲット回収部28が設けられてもよい。チャンバ2Fにおける-X方向側の壁には、円形状のウインドウ211Fが設けられてもよい。ターゲット供給装置7Fは、ターゲット生成部70Aと、ターゲット制御装置71Fとを備えてもよい。ターゲット生成部70Aのターゲット生成器8Aは、チャンバ2Fにおける+Z方向側の壁を貫通し、かつ、ターゲット回収部28と対向するように設けられてもよい。ターゲット生成器8Aは、タンク81Aとノズル基端部83Aとがチャンバ2F外部に位置し、ノズル先端部85Aがチャンバ2F内部に位置するように設けられてもよい。
ターゲット制御装置71Fには、圧力制御部762Aと、温度コントローラ784Aと、電源792Aと、撮影部91Fの後述するカメラ912Fとが電気的に接続されてもよい。
チャンバ2Fにおける-Z方向側の壁には、ターゲット回収部28が設けられてもよい。チャンバ2Fにおける-X方向側の壁には、円形状のウインドウ211Fが設けられてもよい。ターゲット供給装置7Fは、ターゲット生成部70Aと、ターゲット制御装置71Fとを備えてもよい。ターゲット生成部70Aのターゲット生成器8Aは、チャンバ2Fにおける+Z方向側の壁を貫通し、かつ、ターゲット回収部28と対向するように設けられてもよい。ターゲット生成器8Aは、タンク81Aとノズル基端部83Aとがチャンバ2F外部に位置し、ノズル先端部85Aがチャンバ2F内部に位置するように設けられてもよい。
ターゲット制御装置71Fには、圧力制御部762Aと、温度コントローラ784Aと、電源792Aと、撮影部91Fの後述するカメラ912Fとが電気的に接続されてもよい。
撮影部91Fは、レンズ911Fと、カメラ912Fとを備えてもよい。
レンズ911Fは、チャンバ2Fのウインドウ211Fの外側に設けられてもよい。レンズ911Fは、当該レンズ911Fの軸がウインドウ211Fの軸と略一致するように設けられてもよい。
カメラ912Fは、CCDカメラであってもよい。カメラ912Fは、レンズ911Fおよびウインドウ211Fを介して、ノズル孔854Aから出力されたドロップレット27を撮影可能に設けられてもよい。カメラ912Fは、撮影した画像に対応する信号をターゲット制御装置71Fに送信してもよい。
レンズ911Fは、チャンバ2Fのウインドウ211Fの外側に設けられてもよい。レンズ911Fは、当該レンズ911Fの軸がウインドウ211Fの軸と略一致するように設けられてもよい。
カメラ912Fは、CCDカメラであってもよい。カメラ912Fは、レンズ911Fおよびウインドウ211Fを介して、ノズル孔854Aから出力されたドロップレット27を撮影可能に設けられてもよい。カメラ912Fは、撮影した画像に対応する信号をターゲット制御装置71Fに送信してもよい。
タイマ92Fは、ターゲット制御装置71Fに電気的に接続されてもよい。タイマ92Fは、時間を計時して、計時した時間に対応する信号をターゲット制御装置71Fに送信してもよい。タイマ92Fは、現在時刻を測る時計であってもよいし、当該タイマ92Fの操作開始からの時間を測るストップウォッチであってもよい。
3.7.2 動作
図12は、フィルタ破損抑制方法を示すフローチャートである。図13は、フィルタ破損抑制装置におけるフィルタ破損抑制方法を示すタイミングチャートである。図14は、第3フィルタの第1貫通孔の口径と浸入圧力との関係を示すグラフである。
なお、以下に示す動作において、ターゲット制御装置71Fは、タイマ92Fから送信される信号を受信して、この受信した信号に基づいて、時刻を判断してもよい。
図12は、フィルタ破損抑制方法を示すフローチャートである。図13は、フィルタ破損抑制装置におけるフィルタ破損抑制方法を示すタイミングチャートである。図14は、第3フィルタの第1貫通孔の口径と浸入圧力との関係を示すグラフである。
なお、以下に示す動作において、ターゲット制御装置71Fは、タイマ92Fから送信される信号を受信して、この受信した信号に基づいて、時刻を判断してもよい。
図11に示すフィルタ破損抑制装置9Fにおいて、ターゲット生成器8A内にターゲット物質270が収容されていてもよい。このとき、第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833A,853Aには、ターゲット物質270が満たされていなくてもよい。ターゲット生成器8A内の圧力は、大気圧であってもよい。なお、図11において、第1,第2貫通孔724A,732A、貫通孔853Aについては、符号を図示していない。
ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、ターゲット物質270を当該ターゲット物質270の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい(ステップS1)。ステップS1の処理は、図13における時刻T0において行われてもよい。ターゲット物質270の融点以上の所定の温度は、ターゲット物質270がスズの場合には、232℃以上であってもよく、例えば、240℃から270℃であってもよい。
ターゲット制御装置71Fは、ターゲット物質270の温度が所定の温度で安定したと判断した場合、図12に示すように、ターゲット生成器8A内の目標圧力Ptを第1圧力P1に設定してもよい(ステップS2)。ステップS2の処理は、図13における時刻T1において行われてもよい。第1圧力P1は、ターゲット物質270であるスズが、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A内に浸入可能な大きさであってもよい。第1圧力P1は、図14に示す関係に基づいて設定してもよい。ターゲット物質270であるスズの表面張力に基づいて、コーティング膜725Aが設けられた第1貫通孔724Aが、所定の口径の場合におけるターゲット物質270の浸入圧力を、計算により求め得る。図14に示すように、浸入圧力計算値と浸入圧力実測値とは、略一致し得る。図14に示す関係に基づいて、第1貫通孔724Aの口径の大きさによって第1圧力P1を設定してもよい。例えば、第1貫通孔724Aの口径が1μmの場合、第1圧力P1を2MPaに設定してもよい。第1貫通孔724Aの口径が0.5μmの場合、第1圧力P1を4MPaに設定してもよいし、第1貫通孔724Aの口径が2μmの場合、第1圧力P1を1MPaに設定してもよい。
ターゲット制御装置71Fは、ターゲット物質270の温度が所定の温度で安定したと判断した場合、図12に示すように、ターゲット生成器8A内の目標圧力Ptを第1圧力P1に設定してもよい(ステップS2)。ステップS2の処理は、図13における時刻T1において行われてもよい。第1圧力P1は、ターゲット物質270であるスズが、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A内に浸入可能な大きさであってもよい。第1圧力P1は、図14に示す関係に基づいて設定してもよい。ターゲット物質270であるスズの表面張力に基づいて、コーティング膜725Aが設けられた第1貫通孔724Aが、所定の口径の場合におけるターゲット物質270の浸入圧力を、計算により求め得る。図14に示すように、浸入圧力計算値と浸入圧力実測値とは、略一致し得る。図14に示す関係に基づいて、第1貫通孔724Aの口径の大きさによって第1圧力P1を設定してもよい。例えば、第1貫通孔724Aの口径が1μmの場合、第1圧力P1を2MPaに設定してもよい。第1貫通孔724Aの口径が0.5μmの場合、第1圧力P1を4MPaに設定してもよいし、第1貫通孔724Aの口径が2μmの場合、第1圧力P1を1MPaに設定してもよい。
ターゲット生成器8A内の圧力が第1圧力P1で安定すると、ターゲット生成器8A内に収容された液体のターゲット物質270は、第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔を通過し、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724Aに浸入し得る。第1貫通孔724Aに浸入したターゲット物質270は、当該第1貫通孔724A、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833A,853Aを通過し、ノズル孔854Aから出力され得る。その結果、第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833A,853Aに、ターゲット物質270が満たされ得る。
ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、カメラ912Fからの信号を受信して、ターゲット物質270がノズル孔854Aから出力したか否かを判断してもよい(ステップS3)。ステップS3の処理は、図13における時刻T2以降に行われてもよいし、さらに時刻T1から時刻T2の間にも行われてもよい。ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、ステップS3においてターゲット物質270がノズル孔854Aから出力されていないと判断した場合、所定時間経過後にステップS3の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置71Fは、ステップS3においてターゲット物質270がノズル孔854Aから出力されたと判断した場合、ターゲット生成器8A内の目標圧力Ptを第2圧力P2に設定してもよい(ステップS4)。ステップS4の処理は、図13における時刻T3に行われてもよい。第2圧力P2は、ターゲット物質270をノズル孔854Aからジェット27Aとして出力する大きさであってもよい。ターゲット物質270がスズであり、ジェット27Aの速度が50m/s~100m/sの場合、第2圧力P2は、10MPa~20MPaであってもよい。
ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、カメラ912Fからの信号を受信して、ターゲット物質270がノズル孔854Aから出力したか否かを判断してもよい(ステップS3)。ステップS3の処理は、図13における時刻T2以降に行われてもよいし、さらに時刻T1から時刻T2の間にも行われてもよい。ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、ステップS3においてターゲット物質270がノズル孔854Aから出力されていないと判断した場合、所定時間経過後にステップS3の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置71Fは、ステップS3においてターゲット物質270がノズル孔854Aから出力されたと判断した場合、ターゲット生成器8A内の目標圧力Ptを第2圧力P2に設定してもよい(ステップS4)。ステップS4の処理は、図13における時刻T3に行われてもよい。第2圧力P2は、ターゲット物質270をノズル孔854Aからジェット27Aとして出力する大きさであってもよい。ターゲット物質270がスズであり、ジェット27Aの速度が50m/s~100m/sの場合、第2圧力P2は、10MPa~20MPaであってもよい。
ターゲット生成器8A内の圧力が第2圧力P2で安定すると、ターゲット生成器8A内に収容された液体のターゲット物質270は、ジェット27Aとしてノズル孔854Aから出力され得る。
ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、カメラ912Fからの信号を受信して、ジェット27Aがノズル孔854Aから出力したか否かを判断してもよい(ステップS5)。ステップS5の処理は、図13における時刻T4以降に行われてもよいし、さらに時刻T3から時刻T4の間にも行われてもよい。ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、ステップS5においてジェット27Aがノズル孔854Aから出力されていないと判断した場合、所定時間経過後にステップS5の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置71Fは、ステップS5においてジェット27Aがノズル孔854Aから出力されたと判断した場合、ピエゾ素子791Aに所定の周波数の信号を送信してもよい(ステップS6)。これにより、ピエゾ素子791Aが、ジェット27Aからドロップレット27を周期的に生成するように振動し得る。
ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、カメラ912Fからの信号を受信して、ジェット27Aがノズル孔854Aから出力したか否かを判断してもよい(ステップS5)。ステップS5の処理は、図13における時刻T4以降に行われてもよいし、さらに時刻T3から時刻T4の間にも行われてもよい。ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、ステップS5においてジェット27Aがノズル孔854Aから出力されていないと判断した場合、所定時間経過後にステップS5の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置71Fは、ステップS5においてジェット27Aがノズル孔854Aから出力されたと判断した場合、ピエゾ素子791Aに所定の周波数の信号を送信してもよい(ステップS6)。これにより、ピエゾ素子791Aが、ジェット27Aからドロップレット27を周期的に生成するように振動し得る。
ターゲット制御装置71Fは、カメラ912Fからの信号を受信して、所定の速度のドロップレット27を生成したか否かを判断してもよい(ステップS7)。ステップS6,S7の処理は、図13における時刻T4以降に行われてもよい。ターゲット制御装置71Fは、例えば、ドロップレット27の速度と直径とを計測し、この計測結果に基づいて、所定の速度のドロップレット27を生成したか否かを判断してもよい。ターゲット制御装置71Fは、図12に示すように、ステップS7において所定の速度のドロップレット27を生成したと判断した場合、ドロップレット27の生成を終了してもよい(ステップS8)。ターゲット制御装置71Fは、ステップS8において、例えば、ピエゾ素子791Aへの信号の送信を終了するとともに、ターゲット生成器8A内の圧力を大気圧に戻してもよい。ターゲット制御装置71Fは、ターゲット生成器8A内のターゲット物質270の加熱を終了し、ターゲット物質270を固化させてもよい。このとき、ターゲット物質270は、第1,第2フィルタ第1フィルタ721A,第2フィルタ722Aの貫通細孔、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833A,853Aに満たされた状態で固化し得る。後述するステップS9の処理を行わずにステップS8の処理を行う場合、ターゲット物質270が固化したターゲット供給装置7Fは、チャンバ2Fから取り外され、例えば図2に示すようなEUV光生成装置1Aのチャンバ2に取り付けられてもよい。
一方、ターゲット制御装置71Fは、ステップS7において所定の速度のドロップレット27を生成していないと判断した場合、ターゲット供給装置7Fが異常であることを外部に通知して(ステップS9)、ステップS8の処理を行ってもよい。ステップS9の処理を行った後にステップS8の処理を行う場合、ターゲット物質270が固化したターゲット供給装置7Fに対し、当該ターゲット供給装置7Fを正常の状態にするためのメンテナンスを行ってもよい。
上述のように、第1貫通孔724Aにターゲット物質270が満たされていない第3フィルタ723Aを使用するときに、まずターゲット物質270が第1貫通孔724Aに浸入することができる最小の圧力を当該ターゲット物質270に印加するため、第3フィルタ723Aの破損を抑制しつつ、第1貫通孔724Aにターゲット物質270を満たし得る。
第1貫通孔724Aにターゲット物質270を満たした後に、ターゲット物質270をジェット27Aとして出力する大きさの圧力を当該ターゲット物質270に印加するため、第1貫通孔724Aの+Z方向側の開口と-Z方向側の開口の圧力差が小さくなり、第3フィルタ723Aの破損を抑制し得る。
第1貫通孔724Aにターゲット物質270を満たした後に、ターゲット物質270をジェット27Aとして出力する大きさの圧力を当該ターゲット物質270に印加するため、第1貫通孔724Aの+Z方向側の開口と-Z方向側の開口の圧力差が小さくなり、第3フィルタ723Aの破損を抑制し得る。
3.8 変形例
なお、ターゲット供給装置、フィルタ破損抑制装置としては、以下に示すような構成としてもよい。
第1実施形態において、ターゲット供給装置7Aの第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833A,853Aにターゲット物質270が満たされていない場合、第6実施形態のフィルタ破損抑制方法を用いて、上記貫通細孔および各孔724A,732A,833A,853Aにターゲット物質270を満たしてもよい。第2,第3,第4,第5実施形態のターゲット供給装置7B,7C,7D,7Eにおいても、第6実施形態のフィルタ破損抑制方法を用いてもよい。
支持プレート731Aは、石英ガラスまたはサファイヤで形成されてもよい。支持プレート731Dは、モリブデンまたはサファイヤで形成されてもよい。
第1,第3,第4,第6実施形態において、第1フィルタ721Aおよび第2フィルタ722Aの両方を設けなくてもよいし、一方のみを設けてもよい。第5実施形態において、第1フィルタ721Aおよび第2フィルタ722Aの一方のみを設けてもよい。
第6実施形態において、ターゲット供給装置7Aの代わりに第2,第3,第4,第5実施形態のターゲット供給装置7B,7C,7D,7Eを用いてもよい。
なお、ターゲット供給装置、フィルタ破損抑制装置としては、以下に示すような構成としてもよい。
第1実施形態において、ターゲット供給装置7Aの第1,第2フィルタ721A,722Aの貫通細孔、第3フィルタ723Aの第1貫通孔724A、支持プレート731Aの第2貫通孔732A、貫通孔833A,853Aにターゲット物質270が満たされていない場合、第6実施形態のフィルタ破損抑制方法を用いて、上記貫通細孔および各孔724A,732A,833A,853Aにターゲット物質270を満たしてもよい。第2,第3,第4,第5実施形態のターゲット供給装置7B,7C,7D,7Eにおいても、第6実施形態のフィルタ破損抑制方法を用いてもよい。
支持プレート731Aは、石英ガラスまたはサファイヤで形成されてもよい。支持プレート731Dは、モリブデンまたはサファイヤで形成されてもよい。
第1,第3,第4,第6実施形態において、第1フィルタ721Aおよび第2フィルタ722Aの両方を設けなくてもよいし、一方のみを設けてもよい。第5実施形態において、第1フィルタ721Aおよび第2フィルタ722Aの一方のみを設けてもよい。
第6実施形態において、ターゲット供給装置7Aの代わりに第2,第3,第4,第5実施形態のターゲット供給装置7B,7C,7D,7Eを用いてもよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書および添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」または「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書および添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「1つの」は、「少なくとも1つ」または「1またはそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
7A,7B,7C,7D,7E,7F…ターゲット供給装置、8A,8B,8C…ターゲット生成器、74A,74C…位置決め部、82A,82B,82C…ノズル、270…ターゲット物質、723A…第3フィルタ、724A…第1貫通孔、731A,731B,731D…支持プレート(支持部材)、732A,732B,732D…第2貫通孔、854A…ノズル孔
Claims (7)
- 液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に前記液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
前記ターゲット生成器内に配置され、前記液体ターゲット物質と反応して固体の反応生成物を生成するガラスで形成されたフィルタとを備え、
前記フィルタは、前記液体ターゲット物質を流通させるための第1貫通孔を有し、
前記第1貫通孔の内表面には、前記液体ターゲット物質と反応し難い材料がコーティングされているターゲット供給装置。 - 請求項1に記載のターゲット供給装置において、
前記フィルタは、鉛を含む前記ガラスにより形成されているターゲット供給装置。 - 請求項2に記載のターゲット供給装置において、
前記材料は、Al2O3(酸化アルミニウム)、Cr2O3(酸化クロム(III))、Y2O3(酸化イットリウム)、または、TiB2(ホウ化チタン)であるターゲット供給装置。 - 請求項2に記載のターゲット供給装置において、
前記材料は、Al2O3(酸化アルミニウム)、Y2O3(酸化イットリウム)、SiO2(二酸化珪素)、AlN(窒化アルミニウム)、または、ZrO2(酸化ジルコニウム)であるターゲット供給装置。 - 請求項1に記載のターゲット供給装置において、
前記フィルタにおける前記ノズル孔側の面に当接して前記フィルタを支持する支持部材と、
前記フィルタおよび前記支持部材を前記ターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、
前記支持部材は、前記第1貫通孔の口径より口径が大きく形成され、前記第1貫通孔から流出する前記液体ターゲット物質を流通させるための第2貫通孔を有するターゲット供給装置。 - 液体ターゲット物質が出力されるノズル孔が形成されたノズルを有し、内部に前記液体ターゲット物質を収容するターゲット生成器と、
前記ターゲット生成器内に配置され、ガラスまたはセラミックで形成されたフィルタと、
前記フィルタにおける前記ノズル孔側の面に当接して前記フィルタを支持する支持部材と、
前記フィルタおよび前記支持部材を前記ターゲット生成器内で位置決めする位置決め部とを備え、
前記フィルタは、前記液体ターゲット物質を流通させるための第1貫通孔を有し、
前記支持部材は、前記第1貫通孔の口径より口径が大きく形成され、前記第1貫通孔から流出する前記液体ターゲット物質を流通させるための第2貫通孔を有するターゲット供給装置。 - 請求項6に記載のターゲット供給装置において、
前記支持部材は、モリブデン、石英ガラス、または、サファイヤで形成されているターゲット供給装置。
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