JP2023011243A - ターゲット物質補給装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによりプラズマ化して極端紫外光を出力する極端紫外光生成装置に用いるターゲット物質補給装置を提供する。【解決手段】固体ターゲット物質２７ａを収容する第１の容器Ｃ１と、第１の容器から供給された固体ターゲット物質が通過する第１の経路４１と、第１の容器から第１の経路への固体ターゲット物質の供給を抑制する第１の状態及び第１の容器から第１の経路への固体ターゲット物質の供給を許容する第２の状態を切り替え可能な第１の供給切替装置６１と、第１の経路に接続された第１のバルブＶ１と、第１のバルブに接続され、第１のバルブを通過した固体ターゲット物質が通過する第２の経路４２と、第２の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第１の検出信号を出力する第１の検出器８１と、第１の検出信号に基づいて第１の供給切替装置を第１の状態に制御するプロセッサ８０と、を備える。【選択図】図４

Description

本開示は、ターゲット物質補給装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０１５－０５３２９２号公報 特開２００７－０１４８２２号公報 特開２０００－３５４６５２号公報 特開平０６－０５４９４２号公報 特開２００２－１７７６０７号公報 特開平１０－３１４３７５号公報

概要

本開示の１つの観点に係るターゲット物質補給装置は、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を出力する極端紫外光生成装置に用いるターゲット物質補給装置であって、固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器から供給された固体ターゲット物質が通過する第１の経路と、第１の容器から第１の経路への固体ターゲット物質の供給を抑制する第１の状態及び第１の容器から第１の経路への固体ターゲット物質の供給を許容する第２の状態を切り替え可能な第１の供給切替装置と、第１の経路に接続された第１のバルブと、第１のバルブに接続され、第１のバルブを通過した固体ターゲット物質が通過する第２の経路と、第２の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第１の検出信号を出力する第１の検出器と、第１の検出信号に基づいて第１の供給切替装置を第１の状態に制御するプロセッサと、を備える。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器から供給された固体ターゲット物質が通過する第１の経路と、第１の容器から第１の経路への固体ターゲット物質の供給を抑制する第１の状態及び第１の容器から第１の経路への固体ターゲット物質の供給を許容する第２の状態を切り替え可能な第１の供給切替装置と、第１の経路に接続された第１のバルブと、第１のバルブに接続され、第１のバルブを通過した固体ターゲット物質が通過する第２の経路と、第２の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第１の検出信号を出力する第１の検出器と、第１の検出信号に基づいて第１の供給切替装置を第１の状態に制御するプロセッサと、を備えるターゲット物質補給装置と、ターゲット物質補給装置によって補給された固体ターゲット物質を溶融して溶融ターゲット物質を生成するリザーバと、溶融ターゲット物質を出力するノズルと、ノズルから出力されて所定領域に到達した溶融ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器から供給された固体ターゲット物質が通過する第１の経路と、第１の容器から第１の経路への固体ターゲット物質の供給を抑制する第１の状態及び第１の容器から第１の経路への固体ターゲット物質の供給を許容する第２の状態を切り替え可能な第１の供給切替装置と、第１の経路に接続された第１のバルブと、第１のバルブに接続され、第１のバルブを通過した固体ターゲット物質が通過する第２の経路と、第２の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第１の検出信号を出力する第１の検出器と、第１の検出信号に基づいて第１の供給切替装置を第１の状態に制御するプロセッサと、を備えるターゲット物質補給装置と、ターゲット物質補給装置によって補給された固体ターゲット物質を溶融して溶融ターゲット物質を生成するリザーバと、溶融ターゲット物質を出力するノズルと、ノズルから出力されて所定領域に到達した溶融ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図３は、供給管とそれらの間に配置されたバルブの断面を概略的に示す。 図４は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図５は、ロードロック室の構成を概略的に示す。 図６は、ロードロック室の構成を概略的に示す。 図７は、第１の実施形態におけるＥＵＶ光の生成手順を示すフローチャートである。 図８は、第１の実施形態における固体ターゲット物質の詰まりの検出手順を示すフローチャートである。 図９は、第１の実施形態の変形例に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１０は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１１は、供給管に配置される検出器及び加振装置の一例を示す。 図１２は、第２の実施形態における固体ターゲット物質の詰まりの検出手順を示すフローチャートである。 図１３は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１４は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１５は、第５の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１６は、第６の実施形態における検出器の構成を概略的に示す。 図１７は、第７の実施形態における検出器の構成を概略的に示す。 図１８は、第８の実施形態における検出器の構成を概略的に示す。 図１９は、第９の実施形態における検出器の構成を概略的に示す。 図２０は、ＥＵＶ光生成システムに接続された露光装置の構成を概略的に示す。 図２１は、ＥＵＶ光生成システムに接続された検査装置の構成を概略的に示す。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．１．１ リザーバタンクＣ１
２．１．２ ロードロック室Ｃ２
２．１．３ 圧力タンクＣ３
２．２ 動作
２．３ 課題
３．固体ターゲット物質２７ａが詰まった場合に固体ターゲット物質２７ａの供給を停止するターゲット供給装置２６
３．１ 構成
３．２ 動作
３．２．１ 固体ターゲット物質２７ａの補給
３．２．２ 固体ターゲット物質２７ａの詰まりの検出
３．３ 変形例
３．４ 作用
４．固体ターゲット物質２７ａが詰まった場合に加振装置９１～９３を作動させるターゲット供給装置２６
４．１ 構成
４．２ 固体ターゲット物質２７ａの詰まりの検出
４．３ 作用
５．バルブＶ１を取り外すための継手Ｆ１、Ｆ２、Ｍ１、及びＭ２を備えたターゲット供給装置２６
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．ロードロック室Ｃ２及びバルブＶ２を取り外すための継手Ｆ３～Ｆ６及びＭ３～Ｍ６を備えたターゲット供給装置２６
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
７．継手Ｆ１～Ｆ６及びＭ１～Ｍ６と、加振装置９１～９３とを備えたターゲット供給装置２６
７．１ 構成
７．２ 動作
８．検出器８１の構成例
８．１ 渦電流式の検出器８１ａ
８．１．１ 構成
８．１．２ 作用
８．２ 静電容量式の検出器８１ｂ
８．２．１ 構成
８．２．２ 作用
８．３ 光学式の検出器８１ｄ
８．３．１ 構成
８．３．２ 作用
８．４ 光ファイバ８１ｊ及び８１ｋを含む検出器８１ｉ
８．４．１ 構成
８．４．２ 作用
９．その他

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。

チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。

ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部とＥＵＶ光利用装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。ＥＵＶ光利用装置６の例については、図２０及び図２１を参照しながら後述する。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。

１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。

ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、ＥＵＶ光利用装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。図２に示されるように、比較例に係るターゲット供給装置２６は、ターゲット物質補給装置２６ａと、圧力タンクＣ３と、を含む。ターゲット物質補給装置２６ａは、リザーバタンクＣ１と、ロードロック室Ｃ２と、ターゲット供給プロセッサ６０と、供給管４１～４４と、ガスボンベＧ１及びＧ２と、圧力調節器６２と、を含む。

ターゲット供給プロセッサ６０は、制御プログラムが記憶されたメモリ６０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ６０２と、を含む処理装置である。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示におけるプロセッサに相当する。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。

２．１．１ リザーバタンクＣ１
リザーバタンクＣ１は、スズなどの固体ターゲット物質２７ａを収容する容器である。固体ターゲット物質２７ａは、例えば、互いにほぼ同じ大きさの球形の粒であってもよい。リザーバタンクＣ１は本開示における第１の容器に相当する。リザーバタンクＣ１の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。リザーバタンクＣ１は、配管Ｌ９を介してガスボンベＧ２に接続されている。ガスボンベＧ２は、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの希ガスをパージガスとして収容している。ガスボンベＧ２に収容されたパージガスは、リザーバタンクＣ１の内部に供給される。リザーバタンクＣ１の内部の圧力は、大気圧と同程度の圧力である。

リザーバタンクＣ１は、供給管４１及び４２を介してロードロック室Ｃ２に接続されている。供給管４１及び４２の間にバルブＶ１が接続されている。供給管４１及び４２はそれぞれ本開示における第１及び第２の経路に相当し、バルブＶ１は本開示における第１のバルブに相当する。

２．１．２ ロードロック室Ｃ２
ロードロック室Ｃ２は、リザーバタンクＣ１から供給される固体ターゲット物質２７ａを収容する容器である。ロードロック室Ｃ２は本開示における第２の容器に相当する。ロードロック室Ｃ２の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。
ロードロック室Ｃ２は、供給管４３及び４４を介して圧力タンクＣ３に接続されている。供給管４３及び４４の間にバルブＶ２が接続されている。供給管４３及び４４はそれぞれ本開示における第３及び第４の経路に相当し、バルブＶ２は本開示における第２のバルブに相当する。

２．１．３ 圧力タンクＣ３
圧力タンクＣ３は、ロードロック室Ｃ２から供給されるターゲット物質を収容する容器である。圧力タンクＣ３は本開示における第３の容器に相当する。圧力タンクＣ３は、加圧ガス配管Ｌ０を介してガスボンベＧ１に接続されている。ガスボンベＧ１は、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの高圧の希ガスを加圧ガスとして収容している。加圧ガス配管Ｌ０には圧力調節器６２が配置されている。圧力計Ｐの出力に基づいてターゲット供給プロセッサ６０が圧力調節器６２を制御することにより、圧力タンクＣ３の内部の圧力が大気圧より高い所定の圧力に調節される。

圧力タンクＣ３には、ヒーター７１と、ノズル７２と、レベルセンサ７４と、が配置されている。
ヒーター７１は、図示しない電源に接続されており、圧力タンクＣ３の内部をターゲット物質の融点より高い所定温度にまで加熱する。圧力タンクＣ３に配置された図示しない温度センサの出力に基づいて電源が制御されることにより、圧力タンクＣ３の内部の温度が制御される。これにより、圧力タンクＣ３において固体ターゲット物質２７ａが溶融されて溶融ターゲット物質が生成される。

ノズル７２は、圧力タンクＣ３の重力方向における下端部に配置されている。ノズル７２の先端は、チャンバ２（図１参照）の内部に開口している。圧力タンクＣ３の内部の溶融ターゲット物質は、圧力調節器６２から供給される加圧ガスとチャンバ２の内部の圧力との圧力差によって、ノズル７２の先端の開口から出力される。ピエゾ素子７３によってノズル７２に振動を与えると、ノズル７２から出力されたジェット状の溶融ターゲット物質が液滴状に分離され、ターゲット２７となる。レベルセンサ７４は、圧力タンクＣ３の内部の溶融ターゲット物質の液面位置を検出する。

２．２ 動作
圧力タンクＣ３の内部の溶融ターゲット物質の液面位置が閾値未満になったことをレベルセンサ７４が検出した場合に、リザーバタンクＣ１からの固体ターゲット物質２７ａの供給が行われる。
比較例においては、以下のようにして、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａがロードロック室Ｃ２を介して圧力タンクＣ３に供給される。

リザーバタンクＣ１に収容された固体ターゲット物質２７ａの一部をロードロック室Ｃ２に供給するために、ターゲット供給プロセッサ６０がバルブＶ１を開ける。このとき、圧力タンクＣ３の内部を高圧に維持するために、バルブＶ２は閉められている。固体ターゲット物質２７ａは、リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２まで移動する。所望量の固体ターゲット物質２７ａがリザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２に移動したら、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を閉める。

次に、ロードロック室Ｃ２に収容された固体ターゲット物質２７ａを圧力タンクＣ３に供給するために、ターゲット供給プロセッサ６０がバルブＶ２を開ける。固体ターゲット物質２７ａは、ロードロック室Ｃ２から圧力タンクＣ３まで移動する。圧力タンクＣ３に供給された固体ターゲット物質２７ａは溶融し、すでに圧力タンクＣ３に収容され溶融していたターゲット物質と混ざり合う。ヒーター７１によって、圧力タンクＣ３の内部の温度の低下が抑制される。

バルブＶ２を開けたときには、圧力タンクＣ３の内部のガスの一部がロードロック室Ｃ２に移動して、圧力タンクＣ３の内部の圧力が一時的に低下する。バルブＶ２を開ける前にバルブＶ１を閉めれば、圧力タンクＣ３の内部の高圧のガスがバルブＶ１からリザーバタンクＣ１へ向けて流れることを防止できる。また、ガスボンベＧ１の内部の加圧ガスが圧力調節器６２を介して圧力タンクＣ３に供給されることにより、圧力タンクＣ３の内部の圧力が回復する。

比較例によれば、ほぼ大気圧であるリザーバタンクＣ１の内部に収容されている固体ターゲット物質２７ａを、高圧の圧力タンクＣ３の内部に供給できる。圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質が消費されても、圧力タンクＣ３を交換せずにターゲット物質を補給できるので、ＥＵＶ光生成装置１の停止時間を低減することができる。

２．３ 課題
図３は、供給管４１及び４２とそれらの間に配置されたバルブＶ１の断面を概略的に示す。供給管４１～４４において固体ターゲット物質２７ａが詰まる場合がある。固体ターゲット物質２７ａが詰まると、後続の固体ターゲット物質２７ａがその供給方向と逆方向に堆積する。固体ターゲット物質２７ａがバルブＶ１の配置箇所にまで堆積すると、バルブＶ１を閉めることができず、ロードロック室Ｃ２及び圧力タンクＣ３の内部の圧力制御ができなくなる場合がある。また、バルブＶ１が固体ターゲット物質２７ａを噛みこむことによりバルブＶ１が破損する可能性がある。

以下に説明する幾つかの実施形態においては、固体ターゲット物質２７ａが詰まった場合にリザーバタンクＣ１から供給管４１への固体ターゲット物質２７ａの供給を停止するように構成されている。

３．固体ターゲット物質２７ａが詰まった場合に固体ターゲット物質２７ａの供給を停止するターゲット供給装置２６
３．１ 構成
図４は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。第１の実施形態に係るターゲット供給装置２６はターゲット物質補給装置２６ｂを含む。ターゲット物質補給装置２６ｂは、比較例の構成に加えて、バルブＶ３及びＶ４、シャッタ５０、計量器６１、詰まり検出プロセッサ８０、検出器８１～８３、レベルセンサ８４、及び表示部８５を含む。

加圧ガス配管Ｌ０は、配管Ｌ１と配管Ｌ２とに分岐している。
配管Ｌ１は、圧力タンクＣ３に接続され、圧力タンクＣ３に加圧ガスを供給するように構成されている。配管Ｌ１には、バルブＶ３が配置されている。圧力計Ｐは圧力タンクＣ３とバルブＶ３との間の配管Ｌ１に配置されている。
配管Ｌ２は、ロードロック室Ｃ２に接続され、ロードロック室Ｃ２に加圧ガスを供給するように構成されている。配管Ｌ２には、バルブＶ４が配置されている。

計量器６１はリザーバタンクＣ１の下端の供給管４１との接続部に配置されている。
計量器６１は、通常時は固体ターゲット物質２７ａの供給管４１への供給を抑制している。この状態を第１の状態とする。
計量器６１は、固体ターゲット物質２７ａを計量しながら供給管４１に供給することができる。固体ターゲット物質２７ａの計量は、固体ターゲット物質２７ａの粒の数を数えることを含む。計量された固体ターゲット物質２７ａは重力によって移動し、供給管４１、バルブＶ１、及び供給管４２をこの順で通過してロードロック室Ｃ２に移動する。計量器６１が固体ターゲット物質２７ａの供給を許容している状態を第２の状態とする。計量器６１は本開示における第１の供給切替装置に相当する。

ガスボンベＧ２に収容されるパージガスは、固体ターゲット物質２７ａと反応しにくいガスであればよく、希ガスに限られず乾燥空気でもよい。

検出器８１～８３は、それぞれ供給管４２～４４に配置されている。検出器８１～８３は、それぞれ供給管４２～４４で固体ターゲット物質２７ａが詰まったことを示す検出信号を出力する。検出器８１～８３はそれぞれ本開示における第１～第３の検出器に相当し、検出器８１～８３が出力する検出信号はそれぞれ本開示における第１～第３の検出信号に相当する。検出器８１～８３の具体的な例については図１６～図１９を参照しながら後述する。
表示部８５は、情報を視覚的に認識できるように表示する装置であり、画像表示装置でもよいし、発光素子でもよい。

詰まり検出プロセッサ８０は、制御プログラムが記憶されたメモリ８０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ８０２と、を含む処理装置である。詰まり検出プロセッサ８０は本開示におけるプロセッサに相当する。詰まり検出プロセッサ８０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。

詰まり検出プロセッサ８０は、検出器８１～８３が出力する検出信号に基づいて供給管４２～４４における固体ターゲット物質２７ａの詰まりの有無を判定する。詰まり検出プロセッサ８０は、固体ターゲット物質２７ａの詰まりが発生した箇所を特定し、表示部８５に表示させる。詰まりが発生した箇所は、検出器８１が詰まりを検出した場合は供給管４２であり、検出器８２が詰まりを検出した場合は供給管４３であり、検出器８３が詰まりを検出した場合は供給管４４である。

図５及び図６は、ロードロック室Ｃ２の構成を概略的に示す。シャッタ５０及びレベルセンサ８４は、ロードロック室Ｃ２に配置されている。

シャッタ５０は、受け板５１と、アクチュエータ５２と、を含む。受け板５１は、ロードロック室Ｃ２の下端付近に位置する。アクチュエータ５２は、受け板５１を移動させることにより、図５に示される第３の状態と、図６に示される第４の状態とに、シャッタ５０を切り替えられるように構成されている。

第３の状態において、受け板５１は、ロードロック室Ｃ２と供給管４３との接続部分を塞ぐように配置される。これにより、供給管４３への固体ターゲット物質２７ａの供給が抑制される。
第４の状態において、受け板５１は、ロードロック室Ｃ２と供給管４３との接続部分から離れた位置に配置される。これにより、供給管４３への固体ターゲット物質２７ａの供給が許容される。固体ターゲット物質２７ａは重力によって移動し、供給管４３、バルブＶ２、及び供給管４４をこの順で通過して圧力タンクＣ３に移動する。
シャッタ５０は、通常時は第３の状態とされ、固体ターゲット物質２７ａを供給管４３に移動させるときに、一時的に第４の状態とされる。シャッタ５０は本開示における第２の供給切替装置に相当する。

レベルセンサ８４は、ロードロック室Ｃ２の内部に収容された固体ターゲット物質２７ａが所定量以上であるか否かを検出する。

３．２ 動作
３．２．１ 固体ターゲット物質２７ａの補給
図７は、第１の実施形態におけるＥＵＶ光の生成手順を示すフローチャートである。図７に示されるＥＵＶ光の生成手順は固体ターゲット物質２７ａの補給手順を含む。図７に示される処理は主にターゲット供給プロセッサ６０（図４参照）により実行されるが、一部はプロセッサ５（図１参照）により実行されてもよい。

Ｓ１０１において、ターゲット供給プロセッサ６０は、図示しない投入装置を用いて固体ターゲット物質２７ａをリザーバタンクＣ１に投入する。このとき、ターゲット供給プロセッサ６０は計量器６１を第１の状態とし、シャッタ５０を第３の状態とし、バルブＶ１～Ｖ４を閉じた状態とする。固体ターゲット物質２７ａをリザーバタンクＣ１に投入したら、ガスボンベＧ２からリザーバタンクＣ１にパージガスを供給する。

Ｓ１０２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を開け、計量器６１を第２の状態とすることにより、固体ターゲット物質２７ａをロードロック室Ｃ２に供給する。レベルセンサ８４で検出されるロードロック室Ｃ２内の固体ターゲット物質２７ａの量に応じて、Ｓ１０２の動作を繰り返してもよい。

Ｓ１０３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を閉じ、バルブＶ４を開けてロードロック室Ｃ２内を不活性ガスである希ガスに置換する。図示しない排気装置によるロードロック室Ｃ２内の排気とバルブＶ４を介した希ガスの導入とを交互に複数回実行することにより、ロードロック室Ｃ２内の酸素分圧を低減してもよい。

Ｓ１０４において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ４を閉じ、バルブＶ２を開け、シャッタ５０を第４の状態とすることにより、固体ターゲット物質２７ａを圧力タンクＣ３に供給する。その後、ターゲット供給プロセッサ６０は、シャッタ５０を第３の状態とし、バルブＶ２を閉じる。

Ｓ１０５において、ターゲット供給プロセッサ６０は、固体ターゲット物質２７ａの圧力タンクＣ３への投入が初期投入であるか否かを判定する。すでに圧力タンクＣ３の内部に溶融ターゲット物質が収容され、ノズル７２からターゲット２７が出力されている場合は初期投入ではないと判定され（Ｓ１０５：ＮＯ）、ターゲット供給プロセッサ６０はＳ１１１に処理を進める。ノズル７２からターゲット２７が出力されていない場合は初期投入であると判定され（Ｓ１０５：ＹＥＳ）、ターゲット供給プロセッサ６０はＳ１０６に処理を進める。

Ｓ１０６において、ターゲット供給プロセッサ６０は、ヒーター７１の電源を制御し、圧力タンクＣ３内の固体ターゲット物質２７ａを溶融させる。
Ｓ１０７において、ターゲット供給プロセッサ６０は、レベルセンサ７４から出力される圧力タンクＣ３内の溶融ターゲット物質の液面位置が閾値以上であるか否かを判定する。溶融ターゲット物質の液面位置が閾値未満である場合（Ｓ１０７：ＮＯ）、ターゲット供給プロセッサ６０はＳ１０２に処理を戻す。溶融ターゲット物質の液面位置が閾値以上である場合（Ｓ１０７：ＹＥＳ）、ターゲット供給プロセッサ６０はＳ１０８に処理を進める。

Ｓ１０８において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ３を開け、圧力調節器６２を制御することにより圧力タンクＣ３内を加圧する。圧力タンクＣ３内を加圧すると、ノズル７２から溶融ターゲット物質がジェット状に出力される。

Ｓ１０９において、ターゲット供給プロセッサ６０は、ピエゾ素子７３の図示しないドライバを制御し、ノズル７２に振動を与えることにより、液滴状のターゲット２７の生成を開始する。
Ｓ１１０において、プロセッサ５は、レーザ装置３を制御してパルスレーザ光をターゲット２７に照射することにより、ＥＵＶを生成する。

Ｓ１１１において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光の生成を継続するか否かを判定する。ＥＵＶ光の生成を継続する場合（Ｓ１１１：ＹＥＳ）、プロセッサ５はＳ１１２に処理を進める。ＥＵＶ光の生成を継続しない場合（Ｓ１１１：ＮＯ）、プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了する。

Ｓ１１２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、固体ターゲット物質２７ａを補給するか否かを判定する。例えば、レベルセンサ７４から出力される液面位置が閾値未満である場合は固体ターゲット物質２７ａを補給すると判定し（Ｓ１１２：ＹＥＳ）、プロセッサ５はＳ１０２に処理を戻す。液面位置が閾値以上である場合は固体ターゲット物質２７ａを補給しないと判定し（Ｓ１１２：ＮＯ）、プロセッサ５はＳ１１０に処理を戻す。
以上のようにして、固体ターゲット物質２７ａの補給とＥＵＶ光の生成とが行われる。

３．２．２ 固体ターゲット物質２７ａの詰まりの検出
図８は、第１の実施形態における固体ターゲット物質２７ａの詰まりの検出手順を示すフローチャートである。図８に示される処理は詰まり検出プロセッサ８０（図４参照）により実行される。

Ｓ１において、詰まり検出プロセッサ８０は検出器８１～８３を起動させる。
Ｓ２において、詰まり検出プロセッサ８０は検出器８１～８３の作動を停止するか否かを判定する。検出器８１～８３の作動を停止する場合（Ｓ２：ＹＥＳ）、詰まり検出プロセッサ８０はＳ１０に処理を進める。検出器８１～８３の作動を停止しない場合（Ｓ２：ＮＯ）、詰まり検出プロセッサ８０はＳ３に処理を進める。検出器８１～８３の起動及び停止は、プロセッサ５からの信号に基づいて行われる。

Ｓ３において、詰まり検出プロセッサ８０は、詰まり箇所があるか否かを判定する。検出器８１～８３の少なくとも１つが詰まりを検出した場合、詰まり検出プロセッサ８０は詰まり箇所があると判定し（Ｓ３：ＹＥＳ）、Ｓ４に処理を進める。検出器８１～８３がいずれも詰まりを検出しなかった場合、詰まり検出プロセッサ８０は詰まり箇所がないと判定し（Ｓ３：ＮＯ）、Ｓ２に処理を戻す。

Ｓ４において、詰まり検出プロセッサ８０は、固体ターゲット物質２７ａの供給の停止を要求する信号をターゲット供給プロセッサ６０に送信する。固体ターゲット物質２７ａの供給の停止は、以下のように行われる。

（１）検出器８１が詰まりを検出した場合、計量器６１を第１の状態として供給管４１への固体ターゲット物質２７ａの供給を停止させる。これにより、バルブＶ１を動作させたときの噛みこみを防止し得る。バルブＶ１を動作させる前に、供給管４２の詰まりが解消されるまで待機し、検出器８１が詰まりを検出しなくなったことを確認してもよい。

（２）検出器８２が詰まりを検出した場合、計量器６１を第１の状態として供給管４１への固体ターゲット物質２７ａの供給を停止させる。これにより、シャッタ５０を動作させたときの噛みこみを防止し得る。シャッタ５０を動作させる前に、供給管４３の詰まりが解消されるまで待機し、検出器８２が詰まりを検出しなくなったことを確認してもよい。

（３）検出器８３が詰まりを検出した場合、計量器６１を第１の状態として供給管４１への固体ターゲット物質２７ａの供給を停止させる。これにより、バルブＶ２を動作させたときの噛みこみを防止し得る。バルブＶ２を動作させる前に、供給管４４の詰まりが解消されるまで待機し、検出器８３が詰まりを検出しなくなったことを確認してもよい。

詰まり検出プロセッサ８０は、さらに、詰まりが発生した箇所を特定してメンテナンス情報として表示部８５に表示させる。詰まりが発生した箇所を特定して表示することにより、オペレータによる復帰作業を効率よく行うことができる。オペレータによる復帰作業は、供給管４２～４４のうちの詰まりが発生した箇所を叩くこと、あるいは部品を交換することを含む。

詰まり検出プロセッサ８０は、詰まりの解消に長時間を要する場合には、圧力タンクＣ３に接続された図示しない排気装置を用いて圧力タンクＣ３の内部のガスの一部を排気することにより、ノズル７２からのターゲット２７の出力を抑制してもよい。圧力タンクＣ３の内部の溶融ターゲット物質をすべてターゲット２７として出力してしまうと、ノズル７２の内部が溶融ターゲット物質で満たされなくなり、ノズル７２の内部にターゲット物質の酸化物が固着することがある。ターゲット２７の出力を抑制することにより、ノズル７２が閉塞することを抑制し得る。

Ｓ４の後、詰まり検出プロセッサ８０はＳ２に処理を戻す。
Ｓ１０において、詰まり検出プロセッサ８０は検出器８１～８３の作動を停止させ、本フローチャートの処理を終了する。

３．３ 変形例
図９は、第１の実施形態の変形例に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。変形例に係るターゲット供給装置２６はターゲット物質補給装置２６ｃを含む。リザーバタンクＣ１とバルブＶ１との間の固体ターゲット物質２７ａの経路は、供給管４１（図４参照）に限られず、全部又は一部が外部に露出した経路４１ａであってもよい。例えば、経路４１ａは、互いに離れて位置するフレキシブル管４１ｂ及び漏斗４１ｃを含み、フレキシブル管４１ｂの下端から漏斗４１ｃに固体ターゲット物質２７ａが自由落下するように構成されていてもよい。

３．４ 作用
第１の実施形態によれば、ターゲット供給プロセッサ６０は、検出器８１が出力する検出信号に基づいて計量器６１を第１の状態に制御する。これにより、バルブＶ１を動作させたときの噛みこみを防止し得る。

第１の実施形態によれば、ターゲット供給プロセッサ６０は、検出器８２が出力する検出信号に基づいて計量器６１を第１の状態に制御する。これにより、シャッタ５０を動作させたときの噛みこみを防止し得る。

第１の実施形態によれば、ターゲット供給プロセッサ６０は、検出器８３が出力する検出信号に基づいて計量器６１を第１の状態に制御する。これにより、バルブＶ２を動作させたときの噛みこみを防止し得る。

第１の実施形態によれば、詰まり検出プロセッサ８０は、検出器８１～８３のいずれかが出力する検出信号に基づいて供給管４２～４４のうちの固体ターゲット物質２７ａが詰まった供給管を特定する。詰まり検出プロセッサ８０は、特定した結果を表示するように表示部８５に信号を出力する。これにより、オペレータ等による復帰作業を効率よく行うことができる。

第１の実施形態によれば、ターゲット供給プロセッサ６０は、検出器８１～８３のいずれかが出力する検出信号に基づいて圧力タンクＣ３の内部のガスの一部を排気させることにより、ノズル７２からのターゲット２７の出力を抑制する。これにより、ノズル７２の内部にターゲット物質の酸化物が固着してノズル７２を閉塞することを抑制し得る。
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。

４．固体ターゲット物質２７ａが詰まった場合に加振装置９１～９３を作動させるターゲット供給装置２６
４．１ 構成
図１０は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。第２の実施形態に係るターゲット供給装置２６はターゲット物質補給装置２６ｄを含む。ターゲット物質補給装置２６ｄは、第１の実施形態の構成に加えて、加振装置９１～９３を備えている。加振装置９１～９３は、それぞれ供給管４２～４４に設けられている。加振装置９１～９３は、それぞれ供給管４２～４４を挟んで検出器８１～８３と対向する位置に配置されていてもよい。加振装置９１～９３の各々は、ピエゾ素子などの図示しない振動部と、図示しないドライバとを含む。加振装置９１～９３は、それぞれ本開示における第１～第３の加振装置に相当する。

図１１は、供給管４２に配置される検出器８１及び加振装置９１の一例を示す。検出器８１及び加振装置９１はそれぞれベース部８１０及びベース部９１０に取り付けられている。ベース部８１０及びベース部９１０はそれぞれ円環の半分の形状を有する。供給管４２を挟んで対向する位置にベース部８１０及びベース部９１０を配置して互いに固定することにより、検出器８１及び加振装置９１が供給管４２に対して固定される。

４．２ 固体ターゲット物質２７ａの詰まりの検出
図１２は、第２の実施形態における固体ターゲット物質２７ａの詰まりの検出手順を示すフローチャートである。図１２に示される処理は詰まり検出プロセッサ８０により実行される。

Ｓ１からＳ４までの処理は、図８を参照しながら説明したものと同様である。第２の実施形態においては、Ｓ４の後、詰まり検出プロセッサ８０はＳ５に処理を進める。
Ｓ５において、詰まり検出プロセッサ８０は、加振装置９１～９３を一定時間作動させる。検出器８１が詰まりを検出した場合に加振装置９１を作動させ、検出器８２が詰まりを検出した場合に加振装置９２を作動させ、検出器８３が詰まりを検出した場合に加振装置９３を作動させるようにしてもよい。あるいは、検出器８１～８３のいずれか１つが詰まりを検出した場合に加振装置９１～９３をすべて作動させてもよい。

加振装置９１～９３のいずれかを作動させるときに、プロセッサ５は、レーザ装置３によるパルスレーザ光の照射を停止させてもよい。加振装置９１～９３のいずれかを作動したことに起因してノズル７２が振動すると、ターゲット２７の安定した生成が困難となり得る。パルスレーザ光の照射を停止させることにより、ＥＵＶ光の生成を停止させ、ＥＵＶ光の品質低下を抑制し得る。

Ｓ６において、詰まり検出プロセッサ８０は、詰まり箇所があるか否かを判定する。この処理はＳ３と同様である。検出器８１～８３の少なくとも１つが詰まりを検出した場合、詰まり検出プロセッサ８０は詰まり箇所があると判定し（Ｓ６：ＹＥＳ）、Ｓ８に処理を進める。検出器８１～８３がいずれも詰まりを検出しなかった場合、詰まり検出プロセッサ８０は詰まり箇所がないと判定し（Ｓ６：ＮＯ）、Ｓ７に処理を進める。

Ｓ７において、詰まり検出プロセッサ８０は、詰まりの解消を示す情報を表示部８５に表示させ、計量器６１を用いた固体ターゲット物質２７ａの供給を再開させる。Ｓ７の後、詰まり検出プロセッサ８０はＳ２に処理を戻す。

Ｓ８において、詰まり検出プロセッサ８０は、加振回数が規定回数以上であるか否かを判定する。加振回数が規定回数未満である場合は（Ｓ８：ＮＯ）、さらに加振して詰まりを解消できる可能性があるため、詰まり検出プロセッサ８０はＳ５に処理を戻す。加振回数が規定回数以上である場合は（Ｓ８：ＹＥＳ）、詰まり検出プロセッサ８０は処理をＳ９に進める。

Ｓ９において、詰まり検出プロセッサ８０は、メンテナンス情報を表示部８５に表示させる。Ｓ９の後、詰まり検出プロセッサ８０はＳ１０に処理を進める。
Ｓ１０の処理は、図８を参照しながら説明したものと同様である。

４．３ 作用
第２の実施形態によれば、ターゲット物質補給装置２６ｄは、供給管４２を振動させる加振装置９１を備え、詰まり検出プロセッサ８０は、検出器８１が出力する検出信号に基づいて加振装置９１を作動させる。これにより、供給管４２の詰まりをオペレータによる復帰作業を行うことなく自動で解消することができる。

第２の実施形態によれば、検出器８１と加振装置９１とが供給管４２を挟んで対向して配置されている。検出器８１と加振装置９１とが互いに近い位置に配置されるため、供給管４２への取り付けを少ない作業量で行うことができ、検出器８１及び加振装置９１のための電気配線もまとめて配置できる。検出器８２及び加振装置９２の配置と、検出器８３及び加振装置９３の配置も同様である。

第２の実施形態によれば、ターゲット物質補給装置２６ｄは、供給管４３を振動させる加振装置９２を備え、詰まり検出プロセッサ８０は、検出器８２が出力する検出信号に基づいて加振装置９２を作動させる。これにより、供給管４３の詰まりを自動で解消することができる。

第２の実施形態によれば、ターゲット物質補給装置２６ｄは、供給管４４を振動させる加振装置９３を備え、詰まり検出プロセッサ８０は、検出器８３が出力する検出信号に基づいて加振装置９３を作動させる。これにより、供給管４４の詰まりを自動で解消することができる。

第２の実施形態によれば、詰まり検出プロセッサ８０が検出器８１～８３のいずれかから出力される検出信号に基づいて加振装置９１～９３のいずれかを作動させるときに、プロセッサ５は、レーザ装置３によるパルスレーザ光の照射を停止させる。これにより、ＥＵＶ光の生成を停止させ、ＥＵＶ光の品質低下を抑制し得る。
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。

５．バルブＶ１を取り外すための継手Ｆ１、Ｆ２、Ｍ１、及びＭ２を備えたターゲット供給装置２６
５．１ 構成
図１３は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６はターゲット物質補給装置２６ｅを含む。ターゲット物質補給装置２６ｅは、第１の実施形態の構成に加えて、継手Ｆ１、Ｆ２、Ｍ１、及びＭ２を備えている。

継手Ｆ１及びＦ２は雌であり、継手Ｍ１及びＭ２は雄である。対をなす継手Ｆ１及びＭ１が供給管４１の途中に配置され、対をなす継手Ｆ２及びＭ２が供給管４２の途中に配置されている。これによりバルブＶ１が取り外し可能に構成されている。継手Ｆ１及びＭ１は本開示における第１の継手に相当し、継手Ｆ２及びＭ２は本開示における第２の継手に相当する。

供給管４２に詰まりが発生した場合は、詰まりの原因は供給管４２に存在する可能性が高いので、バルブＶ１だけでなく供給管４２の一部も取り外し可能とすることが望ましい。そこで、検出器８１とロードロック室Ｃ２との間の供給管４２に継手Ｆ２及びＭ２を配置してもよい。この場合、検出器８１とバルブＶ１と継手Ｍ１及びＭ２とを一体のユニットＵ１として取り外すことができる。

５．２ 動作
図８のＳ３において検出器８１が詰まりを検出し、オペレータによる復帰作業が部品の交換を要するものであった場合には、ユニットＵ１を取り外して交換することができる。

５．３ 作用
第３の実施形態によれば、ターゲット物質補給装置２６ｅは、計量器６１とバルブＶ１との間の供給管４１に位置する一対の継手Ｆ１及びＭ１と、検出器８１とロードロック室Ｃ２との間の供給管４２に位置する一対の継手Ｆ２及びＭ２と、を備える。継手Ｆ１及びＭ１と継手Ｆ２及びＭ２との間に位置するバルブＶ１及び検出器８１が一体的に取り外し可能に構成されているので、メンテナンス作業を効率よく行うことができる。
その他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様である。あるいは、第２の実施形態において継手Ｆ１、Ｆ２、Ｍ１、及びＭ２が配置されるようにしてもよい。

６．ロードロック室Ｃ２及びバルブＶ２を取り外すための継手Ｆ３～Ｆ６及びＭ３～Ｍ６を備えたターゲット供給装置２６
６．１ 構成
図１４は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。第４の実施形態に係るターゲット供給装置２６はターゲット物質補給装置２６ｆを含む。ターゲット物質補給装置２６ｆは、第３の実施形態の構成に加えて、継手Ｆ３～Ｆ６及びＭ３～Ｍ６を備えている。

継手Ｆ３～Ｆ６は雌であり、継手Ｍ３～Ｍ６は雄である。
対をなす継手Ｆ３及びＭ３が継手Ｆ２とロードロック室Ｃ２との間の供給管４２に配置され、対をなす継手Ｆ４及びＭ４が供給管４３の途中に配置されている。これによりロードロック室Ｃ２が取り外し可能に構成されている。継手Ｆ３及びＭ３は本開示における第３の継手に相当し、継手Ｆ４及びＭ４は本開示における第４の継手に相当する。

継手Ｆ４及びＭ４は、検出器８２とバルブＶ２との間の供給管４３に配置されてもよい。この場合、検出器８２とロードロック室Ｃ２と継手Ｍ３及びＭ４とを一体のユニットＵ２として取り外すことができる。

対をなす継手Ｆ５及びＭ５が継手Ｆ４とバルブＶ２との間の供給管４３に配置され、対をなす継手Ｆ６及びＭ６が供給管４４の途中に配置されている。これによりバルブＶ２が取り外し可能に構成されている。継手Ｆ５及びＭ５は本開示における第５の継手に相当し、継手Ｆ６及びＭ６は本開示における第６の継手に相当する。

継手Ｆ６及びＭ６は、検出器８３と圧力タンクＣ３との間の供給管４４に配置されてもよい。この場合、検出器８３とバルブＶ２と継手Ｍ５及びＭ６とを一体のユニットＵ３として取り外すことができる。

６．２ 動作
図８のＳ３において検出器８２が詰まりを検出し、オペレータによる復帰作業が部品の交換を要するものであった場合には、ユニットＵ２を取り外して交換することができる。検出器８３が詰まりを検出し、オペレータによる復帰作業が部品の交換を要するものであった場合には、ユニットＵ３を取り外して交換することができる。

６．３ 作用
第４の実施形態によれば、ターゲット物質補給装置２６ｆは、継手Ｆ２とロードロック室Ｃ２との間の供給管４２に位置する一対の継手Ｆ３及びＭ３と、検出器８２とバルブＶ２との間の供給管４３に位置する一対の継手Ｆ４及びＭ４と、を備える。継手Ｆ３及びＭ３と継手Ｆ４及びＭ４との間に位置するロードロック室Ｃ２及び検出器８２が一体的に取り外し可能に構成されているので、メンテナンス作業を効率よく行うことができる。

第４の実施形態によれば、ターゲット物質補給装置２６ｆは、継手Ｆ４とバルブＶ２との間の供給管４３に位置する一対の継手Ｆ５及びＭ５と、検出器８３より下流側の供給管４４に位置する一対の継手Ｆ６及びＭ６と、を備える。継手Ｆ５及びＭ５と継手Ｆ６及びＭ６との間に位置するバルブＶ２及び検出器８３が一体的に取り外し可能に構成されているので、メンテナンス作業を効率よく行うことができる。
その他の点については、第４の実施形態は第３の実施形態と同様である。

７．継手Ｆ１～Ｆ６及びＭ１～Ｍ６と、加振装置９１～９３とを備えたターゲット供給装置２６
７．１ 構成
図１５は、第５の実施形態に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。第５の実施形態に係るターゲット供給装置２６はターゲット物質補給装置２６ｇを含む。ターゲット物質補給装置２６ｇは、第２の実施形態の構成に加えて、継手Ｆ１～Ｆ６及びＭ１～Ｍ６を備えている。

継手Ｆ１～Ｆ６及びＭ１～Ｍ６の構成及び動作は図１４を参照しながら説明したものと同様でよい。第５の実施形態においては、加振装置９１～９３がそれぞれ検出器８１～８３と対向する位置に配置されている。

７．２ 動作
加振装置９１～９３がそれぞれ検出器８１～８３と対向する位置に配置されているので、ユニットＵ１～Ｕ３はそれぞれ加振装置９１～９３を含み、ユニットごとに一体的に取り外し可能である。
その他の点については、第５の実施形態は第２の実施形態と同様である。

８．検出器８１の構成例
以下に検出器８１の構成例として検出器８１ａ、８１ｂ、８１ｄ、及び８１ｉについて説明する。固体ターゲット物質２７ａは金属であり、供給管４２～４４も金属の場合がある。供給管４２の内部の固体ターゲット物質２７ａを検出するため、検出器８１ａ、８１ｂ、８１ｄ、及び８１ｉは以下のように構成される。

８．１ 渦電流式の検出器８１ａ
８．１．１ 構成
図１６は、第６の実施形態における検出器８１ａの構成を概略的に示す。検出器８１ａは渦電流式である。

検出器８１ａは、供給管４２の外側から供給管４２にむけてパルス状の第１の磁界を発生させる。第１の磁界によって供給管４２又はその内部に渦電流が発生する。供給管４２の内部に固体ターゲット物質２７ａがあるか否かによって異なる渦電流が発生する。検出器８１ａは渦電流を検出することにより、供給管４２の内部で固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かを判定する。渦電流の検出は、渦電流によって発生する第２の磁界を検出することによって行う。

８．１．２ 作用
第６の実施形態によれば、検出器８１ａは供給管４２の外部に位置し、供給管４２及びその内部に渦電流を発生させ、この渦電流を検出する。これにより、供給管４２に孔をあけなくても供給管４２の内部の固体ターゲット物質２７ａを検出可能な検出器８１ａを取り付けることができる。
その他の点については、第６の実施形態は第１～第５の実施形態と同様である。

８．２ 静電容量式の検出器８１ｂ
８．２．１ 構成
図１７は、第７の実施形態における検出器８１ｂの構成を概略的に示す。検出器８１ｂは静電容量式である。

検出器８１ｂは、供給管４２に形成された孔に挿入されており、検出器８１ｂの一端が供給管４２の内部に露出している。検出器８１ｂは固定部８１ｃによって供給管４２に固定されている。検出器８１ｂは、検出器８１ｂと供給管４２の内部の物体との間の静電容量を検出することにより、供給管４２の内部で固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かを検出する。

８．２．２ 作用
第７の実施形態によれば、検出器８１ｂは、供給管４２に形成された孔を介して、供給管４２の内部の固体ターゲット物質２７ａとの間の静電容量を検出する。これにより、供給管４２の内部に固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かを検出することができる。
その他の点については、第７の実施形態は第１～第５の実施形態と同様である。

８．３ 光学式の検出器８１ｄ
８．３．１ 構成
図１８は、第８の実施形態における検出器８１ｄの構成を概略的に示す。検出器８１ｄは光学式であり、光源８１ｅと、光センサ８１ｆと、窓８１ｇ及び８１ｈと、を含む。

光源８１ｅ及び光センサ８１ｆは、供給管４２の外部であって供給管４２を挟んで対向する位置に配置されている。窓８１ｇ及び８１ｈは、光源８１ｅと光センサ８１ｆとの間であって供給管４２の対向する壁面に形成されている。窓８１ｇ及び８１ｈは、それぞれ本開示における第１及び第２の窓に相当する。

光源８１ｅから発生し、窓８１ｇ及び８１ｈを通って光センサ８１ｆに入射する検出光は、供給管４２の内部で固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かによって異なる光量を有する。検出器８１ｄは、光センサ８１ｆで検出される検出光の光量に基づき、供給管４２の内部に固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かを検出することができる。

８．３．２ 作用
第８の実施形態によれば、検出器８１ｄは、供給管４２の対向する壁面にそれぞれ配置された窓８１ｇ及び８１ｈと、窓８１ｇを介して供給管４２の内部に検出光を入射させる光源８１ｅと、窓８１ｈを介して供給管４２の外部に出射する光を検出する光センサ８１ｆと、を含む。これにより、供給管４２の内部に固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かを検出することができる。
その他の点については、第８の実施形態は第１～第５の実施形態と同様である。

８．４ 光ファイバ８１ｊ及び８１ｋを含む検出器８１ｉ
８．４．１ 構成
図１９は、第９の実施形態における検出器８１ｉの構成を概略的に示す。検出器８１ｉは光学式であり、光源８１ｅと、光センサ８１ｆと、光ファイバ８１ｊ及び８１ｋと、を含む。

光源８１ｅ及び光センサ８１ｆは、供給管４２の外部であって供給管４２を挟んで対向する位置に配置されている。光ファイバ８１ｊ及び８１ｋは、光源８１ｅと光センサ８１ｆとの間であって供給管４２の対向する壁面をそれぞれ貫通し、それぞれの一端が供給管４２の外部に露出し、それぞれの他端が供給管４２の内部に露出している。光ファイバ８１ｊ及び８１ｋは、それぞれ本開示における第１及び第２の光ファイバに相当する。

光源８１ｅから発生し、光ファイバ８１ｊ及び８１ｋを通って光センサ８１ｆに入射する検出光は、供給管４２の内部で固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かによって異なる光量を有する。検出器８１ｉは、光センサ８１ｆで検出される検出光の光量に基づき、供給管４２の内部に固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かを検出することができる。

８．４．２ 作用
第９の実施形態によれば、検出器８１ｉは、供給管４２の対向する壁面をそれぞれ貫通した光ファイバ８１ｊ及び８１ｋと、光ファイバ８１ｊを介して供給管４２の内部に検出光を入射させる光源８１ｅと、光ファイバ８１ｋを介して供給管４２の外部に出射する光を検出する光センサ８１ｆと、を含む。これにより、供給管４２の内部に固体ターゲット物質２７ａが詰まっているか否かを検出することができる。
その他の点については、第９の実施形態は第１～第５の実施形態と同様である。

９．その他
図２０は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図２０において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。

図２１は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図２１において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。

上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。

本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を出力する極端紫外光生成装置に用いるターゲット物質補給装置であって、
   固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、
   前記第１の容器から供給された固体ターゲット物質が通過する第１の経路と、
   前記第１の容器から前記第１の経路への固体ターゲット物質の供給を抑制する第１の状態及び前記第１の容器から前記第１の経路への固体ターゲット物質の供給を許容する第２の状態を切り替え可能な第１の供給切替装置と、
   前記第１の経路に接続された第１のバルブと、
   前記第１のバルブに接続され、前記第１のバルブを通過した固体ターゲット物質が通過する第２の経路と、
   前記第２の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第１の検出信号を出力する第１の検出器と、
   前記第１の検出信号に基づいて前記第１の供給切替装置を前記第１の状態に制御するプロセッサと、
   を備える、ターゲット物質補給装置。
2. 請求項１に記載のターゲット物質補給装置であって、
   前記第２の経路を振動させる第１の加振装置をさらに備え、
   前記プロセッサは、前記第１の検出信号に基づいて前記第１の加振装置を作動させる、
   ターゲット物質補給装置。
3. 請求項１に記載のターゲット物質補給装置であって、
   前記第２の経路を振動させる第１の加振装置をさらに備え、
   前記第１の検出器と前記第１の加振装置とが前記第２の経路を挟んで対向して配置されている、
   ターゲット物質補給装置。
4. 請求項１に記載のターゲット物質補給装置であって、
   前記第２の経路に接続され、前記第２の経路を通過した固体ターゲット物質を収容する第２の容器と、
   前記第２の容器に接続され、前記第２の容器から供給された固体ターゲット物質が通過する第３の経路と、
   前記第２の容器から前記第３の経路への固体ターゲット物質の供給を抑制する第３の状態及び前記第２の容器から前記第３の経路への固体ターゲット物質の供給を許容する第４の状態を切り替え可能な第２の供給切替装置と、
   前記第３の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第２の検出信号を出力する第２の検出器と、
   をさらに備え、前記プロセッサは、
   前記第２の検出信号に基づいて前記第１の供給切替装置を前記第１の状態に制御する、
   ターゲット物質補給装置。
5. 請求項４に記載のターゲット物質補給装置であって、
   前記第３の経路を振動させる第２の加振装置をさらに備え、
   前記プロセッサは、前記第２の検出信号に基づいて前記第２の加振装置を作動させる、
   ターゲット物質補給装置。
6. 請求項４に記載のターゲット物質補給装置であって、
   前記第３の経路に接続された第２のバルブと、
   前記第２のバルブに接続され、前記第２のバルブを通過した固体ターゲット物質が通過する第４の経路と、
   前記第４の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第３の検出信号を出力する第３の検出器と、
   をさらに備え、前記プロセッサは、
   前記第３の検出信号に基づいて前記第１の供給切替装置を前記第１の状態に制御する、
   ターゲット物質補給装置。
7. 請求項６に記載のターゲット物質補給装置であって、
   前記プロセッサは、前記第１～第３の検出信号に基づいて、前記第２～第４の経路のうちの固体ターゲット物質が詰まった経路を特定し、特定した結果を示す信号を出力する、
   ターゲット物質補給装置。
8. 請求項６に記載のターゲット物質補給装置であって、
   前記第４の経路を振動させる第３の加振装置をさらに備え、
   前記プロセッサは、前記第３の検出信号に基づいて前記第３の加振装置を作動させる、
   ターゲット物質補給装置。
9. 請求項６に記載のターゲット物質補給装置であって、
   前記第１の供給切替装置と前記第１のバルブとの間の前記第１の経路に位置する一対の第１の継手と、
   前記第１の検出器と前記第２の容器との間の前記第２の経路に位置する一対の第２の継手と、
   をさらに備え、
   前記第１及び第２の継手の間に位置する前記第１のバルブ及び前記第１の検出器が一体的に取り外し可能に構成された、
   ターゲット物質補給装置。
10. 請求項９に記載のターゲット物質補給装置であって、
    前記第２の継手と前記第２の容器との間の前記第２の経路に位置する一対の第３の継手と、
    前記第２の検出器と前記第２のバルブとの間の前記第３の経路に位置する一対の第４の継手と、
    をさらに備え、
    前記第３及び第４の継手の間に位置する前記第２の容器及び前記第２の検出器が一体的に取り外し可能に構成された、
    ターゲット物質補給装置。
11. 請求項１０に記載のターゲット物質補給装置であって、
    前記第４の継手と前記第２のバルブとの間の前記第３の経路に位置する一対の第５の継手と、
    前記第３の検出器より下流側の前記第４の経路に位置する一対の第６の継手と、
    をさらに備え、
    前記第５及び第６の継手の間に位置する前記第２のバルブ及び前記第３の検出器が一体的に取り外し可能に構成された、
    ターゲット物質補給装置。
12. 請求項１に記載のターゲット物質補給装置であって、
    前記第２の経路は金属管を含み、
    前記固体ターゲット物質は金属であり、
    前記第１の検出器は、前記金属管の外部に位置し、前記金属管及びその内部に渦電流を発生させ、前記渦電流を検出するように構成されている、
    ターゲット物質補給装置。
13. 請求項１に記載のターゲット物質補給装置であって、
    前記第２の経路は金属管を含み、
    前記第１の検出器は、前記金属管に形成された孔を介して、前記金属管の内部の固体ターゲット物質との間の静電容量を検出するように構成されている、
    ターゲット物質補給装置。
14. 請求項１に記載のターゲット物質補給装置であって、
    前記第２の経路は金属管を含み、
    前記第１の検出器は、前記金属管の対向する壁面にそれぞれ配置された第１及び第２の窓と、前記第１の窓を介して前記金属管の内部に検出光を入射させる光源と、前記第２の窓を介して前記金属管の外部に出射する光を検出する光センサと、を含む、
    ターゲット物質補給装置。
15. 請求項１に記載のターゲット物質補給装置であって、
    前記第２の経路は金属管を含み、
    前記第１の検出器は、前記金属管の対向する壁面をそれぞれ貫通した第１及び第２の光ファイバと、前記第１の光ファイバを介して前記金属管の内部に検出光を入射させる光源と、前記第２の光ファイバを介して前記金属管の外部に出射する光を検出する光センサと、を含む、
    ターゲット物質補給装置。
16. 請求項１に記載のターゲット物質補給装置と、
    前記ターゲット物質補給装置によって補給された固体ターゲット物質を溶融して溶融ターゲット物質を生成する第３の容器と、
    溶融ターゲット物質を出力するノズルと、
    前記ノズルから出力されて所定領域に到達した溶融ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、
    前記所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    を備える極端紫外光生成装置。
17. 請求項１６に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記プロセッサは、前記第１の検出信号に基づいて、前記第３の容器の内部のガスの一部を排気して前記ノズルからの溶融ターゲット物質の出力を抑制する、
    極端紫外光生成装置。
18. 請求項１６に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第２の経路を振動させる第１の加振装置をさらに備え、
    前記プロセッサは、前記第１の検出信号に基づいて、前記第１の加振装置を作動させるとともに、前記レーザ装置によるパルスレーザ光の照射を停止させる、
    極端紫外光生成装置。
19. 電子デバイスの製造方法であって、
    固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、
    前記第１の容器から供給された固体ターゲット物質が通過する第１の経路と、
    前記第１の容器から前記第１の経路への固体ターゲット物質の供給を抑制する第１の状態及び前記第１の容器から前記第１の経路への固体ターゲット物質の供給を許容する第２の状態を切り替え可能な第１の供給切替装置と、
    前記第１の経路に接続された第１のバルブと、
    前記第１のバルブに接続され、前記第１のバルブを通過した固体ターゲット物質が通過する第２の経路と、
    前記第２の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第１の検出信号を出力する第１の検出器と、
    前記第１の検出信号に基づいて前記第１の供給切替装置を前記第１の状態に制御するプロセッサと、
    を備えるターゲット物質補給装置と、
    前記ターゲット物質補給装置によって補給された固体ターゲット物質を溶融して溶融ターゲット物質を生成するリザーバと、
    溶融ターゲット物質を出力するノズルと、
    前記ノズルから出力されて所定領域に到達した溶融ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、
    前記所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
    極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
20. 電子デバイスの製造方法であって、
    固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、
    前記第１の容器から供給された固体ターゲット物質が通過する第１の経路と、
    前記第１の容器から前記第１の経路への固体ターゲット物質の供給を抑制する第１の状態及び前記第１の容器から前記第１の経路への固体ターゲット物質の供給を許容する第２の状態を切り替え可能な第１の供給切替装置と、
    前記第１の経路に接続された第１のバルブと、
    前記第１のバルブに接続され、前記第１のバルブを通過した固体ターゲット物質が通過する第２の経路と、
    前記第２の経路で固体ターゲット物質が詰まったことを示す第１の検出信号を出力する第１の検出器と、
    前記第１の検出信号に基づいて前記第１の供給切替装置を前記第１の状態に制御するプロセッサと、
    を備えるターゲット物質補給装置と、
    前記ターゲット物質補給装置によって補給された固体ターゲット物質を溶融して溶融ターゲット物質を生成するリザーバと、
    溶融ターゲット物質を出力するノズルと、
    前記ノズルから出力されて所定領域に到達した溶融ターゲット物質にパルスレーザ光を照射するレーザ装置と、
    前記所定領域に生成されたプラズマから放出される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラーと、
    を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。

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