JP6634015B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許第７０６８３６７号 米国特許第７５８９３３７号 米国特許出願公開第２０１２／０８０５８４号 特願２０１３−１１４９６４号

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることで発生するプラズマから極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲットをドロップレットとしてチャンバの内部に供給するターゲット生成器と、ターゲット生成器からチャンバの内部に供給されたドロップレットを計測するドロップレット計測器と、プラズマから放射される電磁波からドロップレット計測器を遮蔽する遮蔽部材と、を備え、ドロップレット計測器は、ドロップレットに連続光を照射する光源と、チャンバに設けられ連続光を透過するウインドウと、ウインドウを介して連続光を受光する光センサと、を含み、遮蔽部材は、ウインドウのチャンバ内部側に対して設けられ連続光の光路を覆うように形成された遮蔽体を含んでもよい。

本開示の他の観点に係る極端紫外光生成装置は、内部に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることで発生するプラズマから極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲットをドロップレットとしてチャンバの内部に供給するターゲット生成器と、ターゲット生成器からチャンバの内部に供給されたドロップレットを計測するドロップレット計測器と、を備え、ドロップレット計測器は、ドロップレットに連続光を照射する光源と、チャンバに設けられ連続光を透過するウインドウと、ウインドウを介して連続光を受光する光センサと、ウインドウと光センサとの間に配置され連続光が照射されたドロップレットの像を光センサに転写すると共にプラズマから放射される電磁波に含まれる光が光センサに入射することを抑制する転写光学系と、を含み、チャンバの内部の所定位置を通過するドロップレットを計測してドロップレットが所定位置を通過したタイミングを示す通過タイミング信号を出力し、ドロップレット計測器から出力された通過タイミング信号が伝送される信号線には、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズを減衰させるラインフィルタが設けられてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ドロップレット計測器を含むＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図３は、ＥＵＶ光生成装置が備える出力トリガ制御システムの構成を説明するための図を示す。 図４は、制御部によって制御されるレーザ装置の出力タイミングを説明するための図である。 図５は、制御部によって制御されるレーザ装置の出力タイミングにおいて、プラズマから放射される電磁波に含まれる光の影響を説明するための図である。 図６は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図７は、第１実施形態の変形例１に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図８は、第１実施形態の変形例２に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図９は、第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１０は、第１実施形態の変形例４に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１１は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１２は、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１３は、制御部によって制御されるレーザ装置の出力タイミングにおいて、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズの影響を説明するための図である。 図１４は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１５は、第３実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１６は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１７は、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１８は、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１９は、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図２０は、第７実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図２１は、通過タイミング信号に含まれ得るノイズの成分を説明するための図を示す。 図２２は、第８実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図２３は、第８実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図２４は、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図２５は、第９実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図２６Ａは、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図２６Ｂは、図２６Ａに示されたＡ−Ａ線の断面方向からシールドを視て拡大した図を示す。 図２７Ａは、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置の光源部から出射される連続レーザ光を説明するための図を示す。 。図２７Ｂは、図２７Ａに示された連続レーザ光のＸ軸方向及びＹ軸方向におけるビーム幅を説明するための図を示す。 図２７Ｃは、図２７Ａに示された連続レーザ光のビーム断面形状を説明するための図を示す。 図２８Ａは、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置の受光部を説明するための図を示す。 図２８Ｂは、図２８Ａに示されたＢ−Ｂ線の断面方向からシールド及びスリット板を視て拡大した図を示す。 図２８Ｃは、図２８Ａに示されたＣ−Ｃ線の断面方向からシールド及びスリット板を視て拡大した図を示す。 図２９Ａは、ラインフィルタを構成するフィルタ回路としてローパスフィルタを用いる場合におけるラインフィルタの回路構成例を説明するための図を示す。 図２９Ｂは、ラインフィルタを構成するフィルタ回路としてバンドパスフィルタを用いる場合におけるラインフィルタの回路構成例を説明するための図を示す。 図２９Ｃは、ラインフィルタを構成するフィルタ回路としてバンドエリミネートフィルタを用いる場合のラインフィルタの回路構成例を説明するための図を示す。 図２９Ｄは、ラインフィルタを構成するフィルタ回路としてローパスフィルタを用いる場合のラインフィルタの他の回路構成例を説明するための図を示す。 図３０は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。

実施形態

〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ドロップレット計測器を含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題
５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置
５．１ 構成
５．２ 変形例１
５．３ 変形例２
５．４ 変形例３
５．５ 変形例４
６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置
６．１ 構成
６．２ 変形例
７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置
７．１ 構成
７．２ 変形例
８．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置
９．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置
１０．第６実施形態のＥＵＶ光生成装置
１１．遮蔽部材、遮蔽板及び遮蔽体について
１２．第７実施形態のＥＵＶ光生成装置
１２．１ 構成
１２．２ 変形例
１３．第８実施形態のＥＵＶ光生成装置
１３．１ 構成
１３．２ 変形例
１４．第９実施形態のＥＵＶ光生成装置
１４．１ 構成
１４．２ 動作
１４．３ 作用
１４．４ 変形例
１５．第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置
１６．第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置
１６．１ 構成
１６．２ 動作
１６．３ 作用
１７．その他
１７．１ ラインフィルタの詳細構成
１７．２ 各制御部のハードウェア環境
１７．３ その他の変形例

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。

ＥＵＶ光生成装置１は、内部に供給されたターゲット２７にレーザ光が照射されることで発生するプラズマからＥＵＶ光２５２が生成されるチャンバ２と、ターゲット２７をドロップレット２７１としてチャンバ２の内部に供給するターゲット生成器７と、ターゲット生成器７からチャンバ２の内部に供給されたドロップレット２７１を計測するドロップレット計測器４１と、プラズマから放射される電磁波からドロップレット計測器４１を遮蔽する遮蔽部材９と、を備え、ドロップレット計測器４１は、ドロップレット２７１に連続光を照射する光源４１１ａと、チャンバ２に設けられ連続光を透過するウインドウ４１２ｃと、ウインドウ４１２ｃを介して連続光を受光する光センサ４１２ａと、を含み、遮蔽部材９は、ウインドウ４１２ｃのチャンバ２内部側に対して設けられ連続光の光路を覆うように形成された遮蔽体９１Ａを含んでもよい。
このような構成により、ＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させ得る。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［４．ドロップレット計測器を含むＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成］
図２〜図４を用いて、ドロップレット計測器４１を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
図２は、ドロップレット計測器４１を含むＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。図３は、ＥＵＶ光生成装置１が備える出力トリガ制御システムの構成を説明するための図を示す。
図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を出力する方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、Ｚ軸方向に直交し、且つ、互いに直交する軸方向とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。

ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ出力する方向と略同一の方向であってもよい。

筒形状のチャンバ２の側面部には、チャンバ２外からチャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２ａが設けられてもよい。
ターゲット供給路２ａは、筒形状に形成されてもよい。
ターゲット供給路２ａの先端には、ターゲット供給孔２ｂが設けられてもよい。
筒形状のターゲット供給路２ａの中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ出力する方向に略直交してもよい。
チャンバ２が中空の球形状であれば、ターゲット供給路２ａは、チャンバ２の壁面部であってウインドウ２１及び接続部２９の設置されていない位置に設けられてもよい。

チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５及びプレート２３５とが備えられてもよい。
チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット生成器７と、ドロップレット計測器４１と、制御部８とが備えられてもよい。
なお、ターゲット生成器７と、ドロップレット計測器４１と、制御部８とは、ＥＵＶ光生成装置１の出力トリガ制御システムを構成し得る。出力トリガ制御システムは、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１に対してパルスレーザ光３３が適切なタイミングで照射されるよう、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御するためのシステムであってもよい。

プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。
プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、図１における貫通孔２４及びプラズマ生成領域２５を通る軸と略同一の方向であってもよい。
プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
プレート２３５の他方の面には、プレート２２５が設けられてもよい。

プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ホルダ２３１とを含んでもよい。
ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。

プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、図示しない３軸ステージによって位置及び姿勢が変更可能であってもよい。
３軸ステージは、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の３軸方向にプレート２２５を動かすアクチェータを含んでもよい。
３軸ステージのアクチュエータは、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御によって、プレート２２５を動かしてもよい。それにより、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されてもよい。
プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３と、ホルダ２２４とを含んでもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２とを含んでもよい。

ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。
軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。
平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。

軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５が３軸ステージを介してプレート２２５の位置及び姿勢を変更することに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２に入射したパルスレーザ光３２の反射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５で集光するように実行され得る。

ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられていてもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１と、高反射ミラー３４２と、ホルダ３４３と、ホルダ３４４とを含んでもよい。

ホルダ３４３は、高反射ミラー３４１を保持してもよい。
ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。
ホルダ３４３及びホルダ３４４は、ＥＵＶ光生成制御部５に接続された図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢が変更可能であってもよい。

高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出射されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御によりホルダ３４３及びホルダ３４４の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２に入射したパルスレーザ光３１の反射光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行され得る。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６に設けられた露光装置制御部６１との間で各種信号を送受信してもよい。例えば、ＥＵＶ光生成制御部５には、露光装置６に出力されるＥＵＶ光２５２の目標パルスエネルギーや目標出力タイミングに関する信号が、露光装置制御部６１から送信されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６から送信された各種信号に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１の各構成要素の動作を統括的に制御してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａを動かすそれぞれのアクチェータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１〜３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、制御部８との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、温度調節機構７１、圧力調節機構７２、ドロップレット形成機構７３、ドロップレット計測器４１の動作を間接的に制御してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図３０を用いて後述する。

ターゲット生成器７は、チャンバ２内に供給するターゲット２７を生成し、ドロップレット２７１としてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給する装置であってもよい。
ターゲット生成器７は、チャンバ２のターゲット供給路２ａの端部に設けられていてもよい。
ターゲット生成器７は、ターゲット供給部２６と、温度調節機構７１と、圧力調節機構７２と、ドロップレット形成機構７３とを備えてもよい。

ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２とを含んでもよい。
タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク２６１の内部には、ターゲット２７が収容されてもよい。
ターゲット２７を収容するタンク２６１の少なくともターゲット２７と接触する部分は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット２７と反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。

ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられていてもよい。
ノズル２６２は、チャンバ２のターゲット供給孔２ｂを通してチャンバ２の内部に配置されてもよい。ターゲット供給孔２ｂは、ターゲット供給部２６が設置されることで塞がれ得る。それにより、チャンバ２の内部は大気と隔絶され得る。
ノズル２６２の少なくともターゲット２７と接触する面は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。
パイプ状のノズル２６２の一端は、中空のタンク２６１に固定されてもよい。パイプ状のノズル２６２の他端には、図３に示すように、ノズル孔２６２ａが設けられていてもよい。
ノズル２６２の一端側にあるタンク２６１がチャンバ２の外部に位置し、ノズル２６２の他端側にあるノズル孔２６２ａがチャンバ２の内部に位置してもよい。ノズル２６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５が位置してもよい。
タンク２６１、ノズル２６２、ターゲット供給路２ａ、及びチャンバ２は、その内部が互いに連通してもよい。
ノズル孔２６２ａは、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。

温度調節機構７１は、タンク２６１の温度を調節してもよい。
温度調節機構７１は、図３に示すように、ヒータ７１１と、ヒータ電源７１２と、温度センサ７１３と、温度制御部７１４とを含んでもよい。

ヒータ７１１は、タンク２６１を加熱してもよい。
ヒータ７１１は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。
ヒータ７１１は、ヒータ電源７１２に接続されてもよい。ヒータ７１１は、ヒータ電源７１２からの電力供給によって、タンク２６１を加熱してもよい。

ヒータ電源７１２は、温度制御部７１４に接続されてもよい。ヒータ電源７１２は、温度制御部７１４からの制御によって、ヒータ７１１に電力を供給してもよい。

温度センサ７１３は、筒形状のタンク２６１の外側側面部であって、ノズル２６２付近に固定されてもよい。
温度センサ７１３は、温度制御部７１４に接続されてもよい。温度センサ７１３は、タンク２６１の温度を検出し、検出信号を温度制御部７１４に出力してもよい。

温度制御部７１４は、ヒータ電源７１２からヒータ７１１へ供給する電力を制御してもよい。
温度制御部７１４は、制御部８に接続されてもよい。温度制御部７１４は、温度センサ７１３から出力されたタンク２６１の温度の検出信号を制御部８に出力してもよい。温度制御部７１４には、制御部８から出力されたタンク２６１内の目標温度に関する制御信号が入力されてもよい。
温度制御部７１４は、入力された当該制御信号に基づいて、ヒータ７１１へ供給する電力を制御してもよい。それにより、タンク２６１内の温度は、目標温度に調節され得る。
なお、温度制御部７１４のハードウェア構成については、図３０を用いて後述する。

圧力調節機構７２は、タンク２６１内の圧力を調節してもよい。
圧力調節機構７２は、図３に示すように、圧力調節器７２１と、配管７２２と、ガスボンベ７２３とを含んでもよい。

配管７２２は、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２の反対側と、圧力調節器７２１とを連結してもよい。配管７２２は、タンク２６１を含むターゲット供給部２６と圧力調節器７２１とを連通させ得る。
配管７２２は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管７２２には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管７２２内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。

ガスボンベ７２３は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されていてもよい。
ガスボンベ７２３は、圧力調節器７２１を介して、タンク２６１内に不活性ガスを給気してもよい。

圧力調節器７２１は、上述のように、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２とは反対側に配管７２２を介して設けられてもよい。
圧力調節器７２１は、給気及び排気用の電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器７２１は、圧力センサを用いてタンク２６１内の圧力を検出してもよい。
圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に連結されてもよい。圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に充填された不活性ガスを、タンク２６１内に給気してもよい。
圧力調節器７２１は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器７２１は、排気ポンプを動作させて、タンク２６１内のガスを排気してもよい。
圧力調節器７２１は、タンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気することによって、タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧し得る。

圧力調節器７２１は、制御部８に接続されてもよい。圧力調節器７２１は、タンク２６１内の圧力の検出信号を制御部８に出力してもよい。圧力調節器７２１には、制御部８から出力されたタンク２６１内の目標圧力に関する制御信号が入力されてもよい。
圧力調節器７２１は、入力された当該制御信号に基づいて、タンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気してもよい。それにより、タンク２６１内の圧力は、目標圧力に調節され得る。

ドロップレット形成機構７３は、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット２７１を形成してもよい。具体的には、ドロップレット形成機構７３は、ノズル２６２からジェット状に噴出したターゲット２７の流れであるジェット２７３を周期的に分断して、ドロップレット２７１を形成してもよい。
ドロップレット形成機構７３は、図３に示すように、ピエゾ素子７３１と、ピエゾ電源７３２とを含んでもよい。

ピエゾ素子７３１は、パイプ状のノズル２６２の外側側面部に固定されてもよい。
ピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与えてもよい。
ピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２に接続されてもよい。

ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。
ピエゾ電源７３２は、制御部８に接続されてもよい。ピエゾ電源７３２には、制御部８から出力された所定波形で電力を供給するための制御信号が入力されてもよい。
ピエゾ電源７３２は、入力された当該制御信号に基づいて、ピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２からの電力供給に応じて、ノズル２６２に所定波形で振動を与えてもよい。それにより、ノズル２６２から噴出したジェット２７３には定在波が与えられ、当該ジェット２７３が周期的に分離され得る。分離されたジェット２７３は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。その結果、ドロップレット２７１は、所定の「生成周波数」で生成され、チャンバ２内に出力され得る。
なお、生成周波数とは、単位時間当たりに生成されるドロップレット２７１の個数であってもよい。

ドロップレット計測器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を計測してもよい。
具体的には、ドロップレット計測器４１は、当該ドロップレット２７１がチャンバ２内の所定位置Ｐを通過したタイミングを計測してもよい。或いは、ドロップレット計測器４１は、当該ドロップレット２７１がチャンバ２内で進行した軌跡や、当該ドロップレット２７１の直径及び速度等を計測してもよい。
図２及び図３に示されたドロップレット計測器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングを計測してもよい。
当該ドロップレット計測器４１は、図２に示すように、ターゲット供給路２ａの側面部の所定位置Ｐに設けられてもよい。ドロップレット計測器４１は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間に位置し得る。

ドロップレット計測器４１は、図３に示すように、光源部４１１と、受光部４１２とを備えてもよい。
光源部４１１と受光部４１２とは、チャンバ２内に出力されたターゲット２７の進行経路であるターゲット進行経路２７２を挟んで互いに対向して配置されてもよい。
光源部４１１と受光部４１２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２と略直交してもよい。

なお、図２では、光源部４１１と受光部４１２との対向方向がＺ軸方向であるように便宜的に記載されているが、図２の記載は、光源部４１１と受光部４１２との対向方向を特定するための記載ではない。光源部４１１と受光部４１２との対向方向は、図３に示すようにＸ軸方向であってもよく、ＸＺ平面に対して傾斜した方向であってもよい。

光源部４１１は、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１に連続光を照射してもよい。ドロップレット２７１に照射される連続光は、連続レーザ光であってもよい。
光源部４１１は、光源４１１ａと、照明光学系４１１ｂと、ウインドウ４１１ｃとを含んでもよい。

光源４１１ａは、例えば、ＣＷ（Continuous Wave）レーザ出力器等の連続レーザ光を出射する光源であってもよい。

照明光学系４１１ｂは、レンズ等を含む光学系であってもよい。当該レンズは、例えばシリンドリカルレンズであってもよい。
照明光学系４１１ｂは、光源４１１ａから出射された連続レーザ光を、ウインドウ４１１ｃを介してターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐに集光してもよい。所定位置Ｐにおける連続レーザ光の集光ビームサイズは、ドロップレット２７１の直径（例えば２０μｍ）よりも十分に大きくてもよい。

受光部４１２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光を受光し、連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
受光部４１２は、光センサ４１２ａと、受光光学系４１２ｂと、ウインドウ４１２ｃとを含んでもよい。

受光光学系４１２ｂは、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子によって構成されてもよい。
受光光学系４１２ｂは、光源部４１１から出射された連続レーザ光を、ウインドウ４１２ｃを介して光センサ４１２ａに導いてもよい。

光センサ４１２ａは、フォトダイオードを含む受光素子であってもよい。
光センサ４１２ａは、受光光学系４１２ｂによって導かれた連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
光センサ４１２ａは、制御部８に接続されてもよい。光センサ４１２ａは、検出された光強度の検出信号を制御部８に出力してもよい。

上記構成によって、光源部４１１は、連続レーザ光をターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐに向かって出射し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過すると、光源部４１１から出射された連続レーザ光が当該ドロップレット２７１を照射し得る。
受光部４１２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光強度を検出し得る。
ドロップレット２７１がチャンバ２内の所定位置Ｐを通過すると、光源部４１１から出射された連続レーザ光は当該ドロップレット２７１により遮蔽され、受光部４１２は当該ドロップレット２７１の影を検出することとなり得る。そして、当該ドロップレット２７１により遮蔽された連続レーザ光の受光部４１２における光強度は、当該ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していないときに比べて顕著に低下し得る。受光部４１２は、当該光強度の変化に応じた検出信号を生成し、制御部８に出力し得る。
それにより、ドロップレット計測器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングを計測し得る。
なお、受光部４１２によって生成される当該光強度の変化に応じた検出信号を、「通過タイミング信号」ともいう。

制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５との間で制御信号の送受を行ってもよい。制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて、温度調節機構７１、圧力調節機構７２、ドロップレット形成機構７３、及びドロップレット計測器４１の動作を制御してもよい。
制御部８は、温度制御部７１４に制御信号を出力して、温度制御部７１４を含む温度調節機構７１の動作を制御してもよい。
制御部８は、圧力調節器７２１に制御信号を出力して、圧力調節器７２１を含む圧力調節機構７２の動作を制御してもよい。
制御部８は、ピエゾ電源７３２に制御信号を出力して、ドロップレット形成機構７３の動作を制御してもよい。

また、制御部８は、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御してもよい。
図４は、制御部８によって制御されるレーザ装置３の出力タイミングを説明するための図である。

制御部８には、ドロップレット計測器４１から出力された通過タイミング信号が入力されてもよい。
ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過した場合に入力される通過タイミング信号の光強度は、上述したように、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していない場合に入力される通過タイミング信号の光強度に比べて、低い値を示し得る。
制御部８は、入力された通過タイミング信号の光強度が、「ドロップレット検出信号生成閾値」よりも低い値を示した場合に、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したと判定してもよい。この場合、制御部８は、所定位置Ｐを通過したドロップレット２７１が検出されたとして「ドロップレット検出信号」を生成してもよい。
なお、ドロップレット検出信号生成閾値は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過した場合に通過タイミング信号の光強度が取り得る範囲に基づいて予め定められた閾値であってもよい。
ドロップレット検出信号は、所定位置Ｐを通過したドロップレット２７１が検出されたことを示す信号であってもよい。

制御部８は、ドロップレット検出信号が生成されたタイミングから「遅延時間Ｔｄ」だけ遅延したタイミングで「トリガ信号」をレーザ装置３に出力してもよい。
トリガ信号は、レーザ装置３がパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。
遅延時間Ｔｄは、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに同期させるための遅延時間であってもよい。

上記構成により、制御部８は、入力された通過タイミング信号の光強度の変化に同期してトリガ信号をレーザ装置３に出力することにより、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御し得る。制御部８は、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを、所定位置Ｐを通過したドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングでパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるようなタイミングに制御し得る。
それにより、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、当該ドロップレット２７１に対してパルスレーザ光３３が照射され得る。
なお、制御部８のハードウェア構成については、図３０を用いて後述する。

［４．２ 動作］
ドロップレット計測器４１を含むＥＵＶ光生成装置１の動作の概要について説明する。
制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット生成信号が入力されたか否かを判定してもよい。
ターゲット生成信号は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５へのターゲットの供給をターゲット生成器７に実行させるための制御信号であってもよい。
制御部８は、ターゲット生成信号が入力されると、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット生成停止信号が入力されるまで、以下のような処理を行ってもよい。
ターゲット生成停止信号は、プラズマ生成領域２５へのターゲットの供給をターゲット生成器７に停止させるための制御信号であってもよい。

制御部８は、目標温度に関する制御信号を温度制御部７１４に出力し、温度制御部７１４に目標温度値を設定してもよい。目標温度値は、タンク２６１内のターゲット２７の温度が、ターゲット２７の融点以上となるような設定値であってもよい。目標温度値は、例えば２３２℃以上３００℃未満の温度、又は、２５０℃以上２９０℃以下の温度であってもよい。温度制御部７１４は、設定された目標温度値となるように、ヒータ電源７１２及びヒータ７１１を介してタンク２６１の加熱を制御してもよい。
なお、制御部８は、タンク２６１内の温度がターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されるように、タンク２６１の加熱を継続して制御してもよい。

制御部８は、目標圧力に関する制御信号を圧力調節器７２１に出力し、圧力調節器７２１に目標圧力値を設定してもよい。目標圧力値は、タンク２６１内の圧力が、ノズル孔２６２ａからジェット２７３が所定速度で出力されるような圧力となるような設定値であってもよい。所定速度は、例えば６０ｍ／ｓ〜１００ｍ／ｓであってもよい。圧力調節器７２１は、設定された目標圧力値となるように、タンク２６１へのガスの給気又は排気を制御してもよい。

制御部８は、所定波形で電力を供給するための制御信号をピエゾ電源７３２に出力してもよい。この所定波形は、ドロップレット２７１が所定の生成周波数で生成されるような波形であってもよい。所定の生成周波数は、例えば５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであってもよい。ピエゾ電源７３２は、所定波形でピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２からの電力供給に応じて、ノズル２６２に所定波形で振動を与えてもよい。それにより、ノズル２６２から噴出したジェット２７３には定在波が与えられ周期的に分離され得る。その結果、所定の生成周波数でドロップレット２７１が形成され、チャンバ２内へ出力され得る。

チャンバ２内へ出力したドロップレット２７１は、ターゲット進行経路２７２上を進行し、所定位置Ｐを通過し得る。ドロップレット計測器４１は、当該ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングで、光強度が低下した通過タイミング信号を制御部８に出力し得る。

制御部８は、入力された通過タイミング信号の光強度がドロップレット検出信号生成閾値よりも低い値を示した場合に、ドロップレット検出信号を生成してもよい。
制御部８は、ドロップレット検出信号が生成されたタイミングから遅延時間Ｔｄだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。

レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、レーザ出力を行ってパルスレーザ光３１を出力してもよい。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、パルスレーザ光３２としてチャンバ２内に導入され得る。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａにて集光され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれ得る。当該パルスレーザ光３３は、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに同期してプラズマ生成領域２５に導かれ得る。プラズマ生成領域２５に導かれたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１はプラズマ化し、プラズマからＥＵＶ光２５１を生成し得る。

［４．３ 課題］
ＥＵＶ光生成装置１の制御部８は、ドロップレット計測器４１から出力された通過タイミング信号の光強度の変化に同期してトリガ信号をレーザ装置３に出力することにより、レーザ装置３の出力タイミングを制御し得る。それにより、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１にはパルスレーザ光３３が照射され、プラズマが生成され得る。プラズマが生成されると、当該プラズマから電磁波が放射され得る。プラズマから放射される電磁波には、ＥＵＶ光２５１の他にも、可視光をはじめとする種々の波長を有する電磁波が含まれ得る。
このとき、プラズマから放射された電磁波に含まれる光は、ドロップレット計測器４１に入射することがあり得る。そして、当該電磁波に含まれる光は、ドロップレット計測器４１によって誤って検出され、図５に示すように、ドロップレット計測器４１から出力される通過タイミング信号にノイズを生じさせることがあり得る。
すると、ＥＵＶ光生成装置１の制御部８は、図５に示すように、ノイズが含まれる通過タイミング信号に基づいて、ドロップレット検出信号を生成しトリガ信号を生成し得る。よって、制御部８からレーザ装置３にトリガ信号が出力されるタイミングには誤差が生じる虞れがあり得る。
それにより、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングと、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングとがずれる虞れがあり得る。その結果、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２５２のパルスエネルギーは、パルス毎で大きくばらつく虞れがあり得る。
したがって、プラズマから放射された電磁波に含まれる光の影響を抑制してＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させる技術が望まれている。
なお、図５の一点鎖線は、通過タイミング信号がノイズを含むことで、不適切なタイミングでドロップレット検出信号及びトリガ信号が生成されたことを模式的に示している。

一方、プラズマから放射される電磁波には、可視光以外にも種々の波長を有する電磁波が含まれ得る。
このため、プラズマから放射される電磁波に含まれる光が受光部４１２に入射することを抑制しても、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズが大きい場合、受光部４１２は、当該電磁ノイズを検出してしまう虞れがあり得る。この場合、図１３に示すように、ドロップレット計測器４１から出力される通過タイミング信号のベース部分に、当該電磁ノイズが重畳することがあり得る。
すると、ＥＵＶ光生成装置１の制御部８は、図１３に示すように、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していないにもかからず、誤ったタイミングでドロップレット検出信号を生成しトリガ信号を生成し得る。よって、制御部８からレーザ装置３に誤ったタイミングでトリガ信号が出力される虞れがあり得る。
それにより、レーザ装置３は、不要なタイミングでレーザ出力を繰り返すこととなり、出力が不安定となる虞れがあり得る。加えて、レーザ装置３に増幅器が含まれる場合には、その増幅率が変動して出力が不安定となる虞れがあり得る。その結果、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２５２のパルスエネルギーは、パルス毎で大きくばらつく虞れがあり得る。
したがって、プラズマから放射された電磁波の電磁ノイズを抑制してＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させる技術が望まれている。
なお、図１３の一点鎖線は、通過タイミング信号がノイズを含むことで、不適切なタイミングでドロップレット検出信号及びトリガ信号が生成されたことを模式的に示している。

［５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図６〜図１０を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図２及び図３に示されたＥＵＶ光生成装置１に対して遮蔽部材９を追加した構成であってもよい。
遮蔽部材９は、プラズマから放射される電磁波からドロップレット計測器４１を遮蔽するための部材であってもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２及び図３に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［５．１ 構成］
図６は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える遮蔽部材９は、遮蔽板９１によって構成されてもよい。

遮蔽板９１は、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１に入射することを抑制してもよい。
遮蔽板９１は、プラズマから放射される電磁波に含まれる光を透過しない材料を用いて形成されてもよい。好適には、遮蔽板９１は、金属材料を用いて形成されてもよい。
遮蔽板９１は、ドロップレット計測器４１の受光部４１２付近に設けられてもよい。
遮蔽板９１は、ターゲット進行経路２７２に沿った線における断面形状が略Ｌ字状となるように形成されてもよい。
当該断面形状が略Ｌ字状に形成された遮蔽板９１は、底面部９１１と、側面部９１２と、開口部９１３とを含んでもよい。

底面部９１１は、プラズマが生成されるプラズマ生成領域２５に対向して配置されてもよい。
底面部９１１は、ターゲット進行経路２７２に対して略垂直となるように形成されてもよい。底面部９１１は、光源部４１１と受光部４１２との対向方向に対して略平行となるように形成されてもよい。
底面部９１１は、受光部４１２が配置された付近のチャンバ２の壁に固定されてもよい。底面部９１１は、受光部４１２よりプラズマ生成領域２５側の当該壁を基端として、先端がターゲット進行経路２７２側に向かって延びるように形成されてもよい。底面部９１１の先端は、ターゲット進行経路２７２に交わらないように形成されてもよい。

側面部９１２は、ターゲット進行経路２７２に対して略平行となるように形成されてもよい。側面部９１２は、光源部４１１と受光部４１２との対向方向に対して略垂直となるように形成されてもよい。
側面部９１２は、受光部４１２のウインドウ４１２ｃとターゲット進行経路２７２との間に位置するように形成されてもよい。
側面部９１２は、底面部９１１の先端を基端として、先端が受光部４１２を超えてターゲット供給部２６側に延びるように形成されてもよい。側面部９１２の先端は、ターゲット供給部２６のノズル孔２６２ａよりもプラズマ生成領域２５側に位置するように形成されてもよい。

開口部９１３は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路が側面部９１２と交差する側面部９１２の部分に設けられてもよい。
開口部９１３の大きさは、側面部９１２に交差する位置での当該連続レーザ光のビーム径よりも十分に大きくてもよい。開口部９１３の大きさは、プラズマから放射される電磁波に含まれる光の受光部４１２への入射を抑制する大きさであってもよい。
開口部９１３が円形である場合の開口部９１３の中心は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路軸上に位置してもよい。

なお、図６では図示していないが、底面部９１１の図６の紙面に略平行な２つの端面のそれぞれに対して、開口部９１３が設けられていない側面部９１２と同様の板が、当該紙面に略平行に設けられてもよい。

上記構成により、遮蔽板９１は、光源部４１１から出射された連続レーザ光を遮ることなく、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを抑制し得る。
このため、ドロップレット計測器４１から出力される通過タイミング信号には、ノイズが含まれ難くなり得る。よって、制御部８からレーザ装置３にトリガ信号が出力されるタイミングには誤差が生じ難くなり得る。それにより、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングと、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングとは、略一致し得る。
その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させ得る。
なお、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２及び図３に示されたＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［５．２ 変形例１］
図７は、第１実施形態の変形例１に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第１実施形態の変形例１に係るＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽板９１の構成が、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第１実施形態の変形例１に係るＥＵＶ光生成装置１の構成において、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図７の遮蔽板９１の側面部９１２は、図６の遮蔽板９１の側面部９１２よりも受光部４１２側に傾斜するように形成されてもよい。具体的には、図７の遮蔽板９１の側面部９１２は、プラズマ生成領域２５と底面部９１１の先端とを結ぶ直線Ｌよりも受光部４１２側にφ°だけ傾斜するように形成されてもよい。
プラズマ生成領域２５と底面部９１１の先端とを結ぶ直線Ｌは、プラズマから放射される電磁波に含まれる光のうち底面部９１１によって直接的に遮られる光の範囲の境界線を示し得る。

上記構成により、図７の遮蔽板９１の開口部９１３は、プラズマから放射される電磁波に含まれる光の影に隠れ得る。
そのため、図７の遮蔽板９１は、図６の遮蔽板９１に比べて、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを更に抑制し得る。
その結果、第１実施形態の変形例１に係るＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を更に向上させ得る。
なお、第１実施形態の変形例１に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［５．３ 変形例２］
図８は、第１実施形態の変形例２に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第１実施形態の変形例２に係るＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽板９１の構成が、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第１実施形態の変形例２に係るＥＵＶ光生成装置１の構成において、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図８の遮蔽板９１は、ドロップレット計測器４１とプラズマ生成領域２５との間でチャンバ２の内部空間を仕切るように形成されてもよい。
図８の遮蔽板９１は、底面部９１１と、通過孔９１４とを含んでもよい。

図８の遮蔽板９１の底面部９１１は、先端が、ターゲット進行経路２７２を超えて光源部４１１側のチャンバ２の壁まで延びるように形成されてもよい。
図８の遮蔽板９１の通過孔９１４は、ターゲット進行経路２７２が底面部９１１と交差する底面部９１１の部分に設けられてもよい。
通過孔９１４の大きさは、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の直径よりも十分に大きくてもよい。通過孔９１４の大きさは、プラズマから放射される電磁波に含まれる光の受光部４１２への入射を抑制する大きさであってもよい。
通過孔９１４が円形である場合の通過孔９１４の中心軸は、ターゲット進行経路２７２と略一致してもよい。

上記構成により、図８の遮蔽板９１は、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がチャンバ２の壁等に反射してドロップレット計測器４１に向かってきても、当該光が受光部４１２に入射することを抑制し得る。
そのため、図８の遮蔽板９１は、図６の遮蔽板９１に比べて、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを更に抑制し得る。
その結果、第１実施形態の変形例２に係るＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を更に向上させ得る。
なお、第１実施形態の変形例２に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［５．４ 変形例３］
図９は、第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽板９１の構成が、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１の構成において、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図９の遮蔽板９１は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路を覆うように形成されてもよい。
図９の遮蔽板９１は、筒部９１５と、開口部９１３とを含んでもよい。

図９の遮蔽板９１の筒部９１５は、上底及び下底が開放された中空の円錐台形状に形成されてもよい。
当該円錐台形状の筒部９１５の下底側端面は、受光部４１２のウインドウ４１２ｃの周縁外側に配置されてもよい。当該円錐台形状の筒部９１５の上底側端面は、ターゲット進行経路２７２側に配置されてもよい。当該円錐台形状の筒部９１５の側面は、ターゲット進行経路２７２に交わらないように配置されてもよい。
筒部９１５の中心軸は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路軸と略一致してもよい。

図９の遮蔽板９１の開口部９１３は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路を閉鎖しないよう筒部９１５の上底部分に設けられてもよい。

上記構成により、図９の遮蔽板９１は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の進行方向以外の方向からドロップレット計測器４１に向かってくる光を低減し得る。プラズマから放射される電磁波に含まれる光の進行方向は、チャンバ２の壁等で反射したとしても、光源部４１１から出射された連続レーザ光の進行方向と一致することは非常に困難であり得る。
そのため、図９の遮蔽板９１は、図６の遮蔽板９１に比べて、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを更に抑制し得る。
その結果、第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を更に向上させ得る。
なお、第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図６に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［５．５ 変形例４］
図１０は、第１実施形態の変形例４に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第１実施形態の変形例４に係るＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽板９１の構成が、図９に示された第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第１実施形態の変形例４に係るＥＵＶ光生成装置１の構成において、図９に示された第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１０の遮蔽板９１は、筒部９１５と、開口部９１３と、光学フィルタ９１６とを含んでもよい。

図１０の遮蔽板９１の光学フィルタ９１６は、開口部９１３を塞ぐように配置されてもよい。
光学フィルタ９１６は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の波長に対して高い透過率を有する光学部品であってもよい。光学フィルタ９１６は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の波長を透過するバンドパスフィルタであってもよい。
光学フィルタ９１６は、プラズマから放射される電磁波に含まれる様々な光の波長の多くに対して低い透過率を有する光学部品であってもよい。
なお、光学フィルタ９１６は、受光部４１２のウインドウ４１２ｃの代りに設けられてもよい。この場合、遮蔽板９１の筒部９１５は省かれてもよい。

上記構成により、図１０の遮蔽板９１の光学フィルタ９１６は、光源部４１１から出射された連続レーザ光を受光部４１２に透過させ、プラズマから放射される電磁波に含まれる光を減衰させ得る。
そのため、図１０の遮蔽板９１は、図９の遮蔽板９１に比べて、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを更に抑制し得る。
その結果、第１実施形態の変形例４に係るＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を更に向上させ得る。
なお、第１実施形態の変形例４に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図９に示された第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１１及び図１２を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット計測器４１の受光部４１２の構成が、図２及び図３に示されたＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２及び図３に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［６．１ 構成］
図１１は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
図１１の受光部４１２は、光センサ４１２ａと、転写光学系４１２ｄと、ウインドウ４１２ｃとを含んでもよい。
すなわち、第２実施形態に係る受光部４１２は、受光光学系４１２ｂの代りに転写光学系４１２ｄを含んでもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽部材９を備えていなくてもよい。

転写光学系４１２ｄは、光源部４１１から出射された連続レーザ光の所定位置Ｐ及びその付近での像を光センサ４１２ａの受光面に転写して結像してもよい。
転写光学系４１２ｄは、当該転写光学系４１２ｄにおける物体の位置が所定位置Ｐと略一致するように配置されてもよい。加えて、転写光学系４１２ｄは、当該転写光学系４１２ｄにおける像の位置が光センサ４１２ａの受光面の位置と略一致するように配置されてもよい。
転写光学系４１２ｄは、２つの凸レンズを組み合わせて構成されてもよい。転写光学系４１２ｄは、当該２つの凸レンズに限定されず、例えば凸レンズ及び凹レンズを組み合わせて構成されてもよい。或いは、転写光学系４１２ｄは、１つのレンズで構成されてもよい。或いは、転写光学系４１２ｄは、ミラー光学系で構成されてもよい。

上記構成により、第２実施形態に係る受光部４１２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の所定位置Ｐ及びその付近での像だけを光センサ４１２ａに受光させ得る。
それにより、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽部材９を備えなくても、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを抑制し得る。
その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を簡易な構成で向上させ得る。
なお、第２実施形態に係る受光部４１２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路上であって、転写光学系４１２ｄと光センサ４１２ａとの間にスリットやアパーチャプレートを更に備えてもよい。この場合、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを更に抑制し得る。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２及び図３に示されたＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［６．２ 変形例］
図１２は、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、受光部４１２の構成が、図１１に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１１に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１２の受光部４１２は、光センサ４１２ａと、空間フィルタ４１２ｅと、ウインドウ４１２ｃとを含んでもよい。
すなわち、第２実施形態の変形例に係る受光部４１２は、転写光学系４１２ｄの代りに空間フィルタ４１２ｅを含んでもよい。

空間フィルタ４１２ｅは、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路上を通らない光の通過を抑制してもよい。
空間フィルタ４１２ｅは、２つの凸レンズとアパーチャプレートとを含んでもよい。
空間フィルタ４１２ｅの２つの凸レンズは、略同一の焦点距離を有するレンズであってもよい。当該２つの凸レンズは、焦点距離の２倍の長さだけ間隔を開けて対向して配置されてもよい。当該２つの凸レンズは、それらの光軸が、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路軸と略一致するように配置されてもよい。
空間フィルタ４１２ｅのアパーチャプレートは、当該２つの凸レンズの中間に配置されてもよい。当該アパーチャプレートの中央にはアパーチャが形成されてもよい。当該アパーチャプレートは、当該アパーチャの位置が当該２つの凸レンズのそれぞれの焦点位置と略一致するように配置されてもよい。

上記構成により、第２実施形態の変形例に係る受光部４１２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光以外の光の入射が抑制され得る。
それにより、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽部材９を備えなくても、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを抑制し得る。
その結果、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を簡易な構成で向上させ得る。
第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１１に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１３〜図１５を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。

上述したように、第１及び第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを抑制し得る。
このため、第１及び第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、ドロップレット計測器４１から出力される通過タイミング信号にノイズが含まれ難くなり、トリガ信号の出力タイミングには誤差が生じ難くなり得る。
その結果、第１及び第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、プラズマ生成領域２５においてドロップレット２７１が到達するタイミングとパルスレーザ光３３が集光されるタイミングとが略一致し、ＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させ得る。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマから放射された電磁波の電磁ノイズを抑制してＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させてもよい。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽部材９の構成が、図６〜図１０に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図６〜図１０に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［７．１ 構成］
図１４は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の遮蔽部材９は、遮蔽板９１ではなくシールド９２によって構成されてもよい。

シールド９２は、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズがドロップレット計測器４１に入射することを抑制してもよい。
シールド９２は、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズを減衰させることによって、当該電磁ノイズがドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを抑制してもよい。シールド９２は、当該電磁ノイズを制御部８がドロップレット２７１の通過と誤認しない程度に、当該電磁ノイズを減衰させてもよい。
シールド９２は、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズを減衰させる材料を用いて形成されてもよい。好適には、シールド９２は、網状の金属、パンチングメタル、エキスパンドメタルを用いて形成されてもよい。当該シールド９２の開孔率は、受光部４１２の光センサ４１２ａがドロップレット２７１の通過を検出するのに必要な光量と、減衰されるべき電磁ノイズを検出したときのノイズ成分の周波数との関係に基づいて、適宜設計されてもよい。

シールド９２は、ドロップレット計測器４１の受光部４１２付近に設けられてもよい。
シールド９２は、底面が開放された中空の半球形状に形成されてもよい。
当該半球形状のシールド９２の底面側端面は、受光部４１２のウインドウ４１２ｃの周縁外側に配置されてもよい。当該半球形状のシールド９２の頂点は、ターゲット進行経路２７２側に向かうように配置されてもよい。当該半球形状のシールド９２は、ターゲット進行経路２７２に交わらないように配置されてもよい。

シールド９２は、グランドに接続されてもよい。シールド９２は、直接グランドに接続されてもよいし、チャンバ２の壁等の導体を介してグランドに接続されてもよい。

上記構成により、シールド９２は、受光部４１２がドロップレット２７１の通過を検出することに支障を来すことなく、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズがドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを抑制し得る。
このため、ドロップレット計測器４１から出力される通過タイミング信号には、制御部８がドロップレット２７１の通過と誤認するようなノイズが含まれ難くなり得る。よって、制御部８からレーザ装置３に誤ったタイミングでトリガ信号が出力され難くなり得る。それにより、レーザ装置３は、不要なタイミングでレーザ出力を繰り返したり増幅器の増幅率が変動したりして、出力が不安定となることが抑制され得る。
その結果、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させ得る。
なお、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図６〜図１０に示された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［７．２ 変形例］
図１５は、第３実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第３実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、シールド９２の構成が、図１４に示された第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第３実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１４に示された第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１５のシールド９２は、ドロップレット計測器４１とプラズマ生成領域２５との間でチャンバ２の内部空間を仕切るように形成されてもよい。
図１５のシールド９２は、本体部９２１と、通過孔９２２とを含んでもよい。

図１５のシールド９２の本体部９２１は、ターゲット進行経路２７２に対して略垂直となるように形成されてもよい。本体部９２１は、光源部４１１と受光部４１２との対向方向に対して略平行となるように形成されてもよい。
本体部９２１は、受光部４１２が配置された付近のチャンバ２の壁に固定されてもよい。本体部９２１は、受光部４１２よりプラズマ生成領域２５側の当該壁を基端として、先端がターゲット進行経路２７２を超えて光源部４１１側のチャンバ２の壁まで延びるように形成されてもよい。

図１５のシールド９２の通過孔９２２は、ターゲット進行経路２７２が本体部９２１と交差する本体部９２１の部分に設けられてもよい。
通過孔９２２の大きさは、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の直径よりも十分に大きくてもよい。
通過孔９２２が円形である場合の通過孔９２２の中心軸は、ターゲット進行経路２７２と略一致してもよい。

上記構成により、図１５のシールド９２は、図１４のシールド９２と同様に、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズがドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを抑制し得る。
その結果、第３実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させ得る。
なお、第３実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１４に示された第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［８．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１６及び図１７を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図６〜図１５に示された変形例を含む第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を組み合わせた構成であってもよい。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図６〜図１５に示された変形例を含む第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１６は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の遮蔽部材９は、遮蔽板９１及びシールド９２によって構成されてもよい。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、例えば、図９に示された第１実施形態の変形例３に係る遮蔽板９１と、図１１に示された第２実施形態に係る転写光学系４１２ｄと、図１４に示された第３実施形態に係るシールド９２と、を組み合わせた構成を備えてもよい。
更に、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ラインフィルタ４２を備えてもよい。

図１６のシールド９２は、遮蔽板９１の開口部９１３を塞ぐように配置されてもよい。

図１６のラインフィルタ４２は、ドロップレット計測器４１から出力された信号が伝送される信号線に設けられてもよい。ラインフィルタ４２は、ドロップレット計測器４１と制御部８との間を接続する信号線であって、通過タイミング信号が伝送される信号線に設けられてもよい。
ラインフィルタ４２は、所望の周波数の信号成分を通過させ、所望の周波数の信号成分を減衰させる機能を備えてもよい。ラインフィルタ４２は、通過タイミング信号において、ドロップレット２７１の通過に応じた光強度の変化を示す信号成分を通過させ、それ以外の信号成分を減衰させてもよい。
ラインフィルタ４２は、ローパスフィルタやバンドパスフィルタ等のフィルタ回路であってもよい。当該フィルタ回路は、ＬＣＲ回路やオペアンプから構成されてもよい。
ラインフィルタ４２は、フェライトコアやチョークコイル等であってもよい。

上記構成により、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽部材９が遮蔽板９１及びシールド９２を含むため、プラズマから放射される電磁波に含まれる光及び電磁ノイズがドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを抑制し得る。
加えて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、受光部４１２が転写光学系４１２ｄを含むため、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを更に抑制し得る。
更に、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ラインフィルタ４２を備えることにより、ドロップレット計測器４１から出力された通過タイミング信号がノイズを含んでいても、当該ノイズを減衰させて当該通過タイミング信号を制御部８に入力させ得る。
このため、制御部８に入力される通過タイミング信号は、更にノイズが含まれ難くなり得る。よって、制御部８からレーザ装置３に出力されるトリガ信号は、所望のタイミングでより正確に出力され得る。それにより、レーザ装置３から不要なタイミングでパルスレーザ光３１が出力されることなく、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５にて正確にドロップレット２７１を照射し得る。
その結果、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより一層向上させ得る。
なお、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図６〜図１５に示された変形例を含む第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［９．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１７は、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット計測器４１の構成が、図１６に示された第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１６に示された第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１７のドロップレット計測器４１は、光源部４１１と受光部４１２とがターゲット進行経路２７２を挟んで互いに対向して配置されていなくてもよい。
図１７のドロップレット計測器４１における光源部４１１と受光部４１２とは、光源部４１１のウインドウ４１１ｃと受光部４１２のウインドウ４１２ｃとが、平行でない同じ方向から所定位置Ｐを向くように配置してもよい。光源部４１１のウインドウ４１１ｃと受光部４１２のウインドウ４１２ｃとの配置は、受光部４１２がドロップレット２７１からの反射光を検出し得るような配置であればよい。

図１７の受光部４１２は、ドロップレット２７１の影ではなくドロップレット２７１からの反射光を検出してもよい。
図１７の受光部４１２は、転写光学系４１２ｄの代りに受光光学系４１２ｂを含んでもよい。
ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していないとき、光源部４１１から出射された連続レーザ光は、ドロップレット２７１によって反射されずに直進し得る。
このとき、当該連続レーザ光は、受光部４１２には直接入射しない。或いは、当該連続レーザ光は、受光部４１２に入射する際には、チャンバ２の壁で反射等されて著しく減衰された光となって受光部４１２に入射し得る。そのため、このときに受光部４１２によって検出される光の光強度は、低い値であり得る。
一方、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過すると、光源部４１１から出射された連続レーザ光の一部は、ドロップレット２７１によって反射されて受光部４１２に入射し得る。
このとき、当該連続レーザ光のドロップレット２７１による反射光は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していないときよりも多い光量で、受光部４１２に入射し得る。そのため、このときに受光部４１２によって検出される光の光強度は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過していないときに比べて顕著に上昇し得る。
よって、図１７の受光部４１２は、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングに同期して当該光強度が上昇するような通過タイミング信号を生成し、制御部８に出力し得る。

図１７の制御部８は、入力された通過タイミング信号の光強度が、ドロップレット検出信号生成閾値よりも高い値を示した場合に、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したと判定してもよい。そして、制御部８は、所定位置Ｐを通過したドロップレット２７１が検出されたとしてドロップレット検出信号を生成してもよい。
そして、制御部８は、ドロップレット検出信号が生成されたタイミングから遅延時間Ｔｄだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。

上記構成により、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させ得る。
なお、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１６に示された第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［１０．第６実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１８を用いて、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット計測器４１の構成が、図１６に示された第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１６に示された第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図１８は、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
図１８のドロップレット計測器４１は、当該ドロップレット２７１がチャンバ２内の所定位置Ｐを通過したタイミングの他に、当該ドロップレット２７１がチャンバ２内で進行した軌跡や、当該ドロップレット２７１の直径及び速度等も計測してもよい。
図１８のドロップレット計測器４１は、光源部４１１及び受光部４１２の代りに、光源部４１３と、撮像部４１４とを備えてもよい。

光源部４１３は、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１にパルス光を照射してもよい。
光源部４１３は、光源４１３ａと、照明光学系４１３ｂと、ウインドウ４１３ｃとを含んでもよい。

光源４１３ａは、例えば、キセノンフラッシュランプやレーザ光源等のパルス点灯する光源であってもよい。
図１８では図示していないが、光源４１３ａは、制御部８と接続されてもよい。光源４１３ａには、制御部８から出力された、所定の点灯タイミングで光源４１３ａがパルス点灯するための制御信号が入力されてもよい。光源４１３ａは、入力された当該制御信号に基づいて、パルス光を出射してもよい。
光源４１３ａが点灯している時間及び点灯する間隔は、ドロップレット２７１がターゲット供給部２６から出力される周期よりも十分に短くてもよい。

照明光学系４１３ｂは、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子によって構成されてもよい。
照明光学系４１３ｂは、光源４１３ａから出射されたパルス光を、ウインドウ４１３ｃを介してターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐに導いてもよい。

撮像部４１４は、光源部４１３によってパルス光が照射されたドロップレット２７１の影を撮像してもよい。
撮像部４１４は、イメージセンサ４１４ａと、転写光学系４１４ｂと、ウインドウ４１４ｃとを含んでもよい。

転写光学系４１４ｂは、光源部４１３から出射されたパルス光の所定位置Ｐ付近での像をイメージセンサ４１４ａの受光面に転写して結像してもよい。
転写光学系４１４ｂは、当該転写光学系４１２ｄにおける物体の位置が所定位置Ｐと略一致するように配置されてもよい。加えて、転写光学系４１４ｂは、当該転写光学系４１２ｄにおける像の位置がイメージセンサ４１４ａの受光面の位置と略一致するように配置されてもよい。
転写光学系４１４ｂは、図１１及び図１６に示された転写光学系４１２ｄと同様に、２つの凸レンズを組み合わせて構成されてもよい。

イメージセンサ４１４ａは、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の２次元イメージセンサであってもよい。イメージセンサ４１４ａは、転写光学系４１４ｂによって結像されたパルス光の所定位置Ｐ付近での像を、撮像してもよい。
図１８では図示していないが、イメージセンサ４１４ａは、制御部８と接続されてもよい。イメージセンサ４１４ａには、制御部８から出力された、所定のタイミングで当該パルス光の像を撮像するための制御信号が入力されてもよい。イメージセンサ４１４ａが撮像するタイミングである当該所定タイミングは、光源４１３ａが点灯するタイミングに同期していてもよい。イメージセンサ４１４ａは、入力された当該制御信号に基づいて、当該パルス光の像を撮像してもよい。
イメージセンサ４１４ａが露光している時間及び撮像する間隔は、ドロップレット２７１がターゲット供給部２６から出力される周期よりも十分に短くてもよい。イメージセンサ４１４ａが露光している時間及び撮像する間隔は、光源４１３ａが点灯している時間及び点灯する間隔に対応付けられてもよい。

図１８では図示していないが、イメージセンサ４１４ａは、撮像された当該パルス光の像に係る画像データを解析する画像解析制御部を含んでもよい。当該画像解析制御部は、当該画像データに基づいて、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミング、並びにドロップレット２７１の軌跡、直径、及び速度等を計測してもよい。
ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過すると、光源部４１３から出射されたパルス光は当該ドロップレット２７１により遮蔽され、イメージセンサ４１４ａは当該ドロップレット２７１の影の像を撮像することとなり得る。
画像解析制御部は、当該画像データ内の所定位置Ｐに相当する位置にドロップレット２７１の影の像が到達したタイミングを、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングとして計測してもよい。
画像解析制御部は、異なるタイミングで同一のドロップレット２７１の影の像を撮像して取得された複数の画像データにおける特定のドロップレット２７１の影の像の軌跡を、ドロップレット２７１の軌跡として計測してもよい。
画像解析制御部は、当該画像データ内のドロップレット２７１の影の像の幅を、ドロップレット２７１の直径として計測してもよい。
画像解析制御部は、異なるタイミングで同一のドロップレット２７１の影の像を撮像して取得された複数の画像データ間における特定のドロップレット２７１の影の像の変位を撮像間隔で除算した値を、ドロップレット２７１の速度として計測してもよい。
イメージセンサ４１４ａは、これらの計測結果を制御部８に出力してもよい。イメージセンサ４１４ａは、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングに係る計測結果に応じた通過タイミング信号を生成し、制御部８に出力してもよい。

上記構成により、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性を向上させ得る。
第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１６に示された第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［１１．遮蔽部材、遮蔽板及び遮蔽体について］
上述のように、遮蔽部材９は、プラズマから放射される電磁波からドロップレット計測器４１を遮蔽するための部材であってもよい。
遮蔽部材９は、上述の第１〜第６実施形態で説明したように、遮蔽板９１及びシールド９２の少なくとも１つによって構成されてもよい。
遮蔽部材９を構成する遮蔽板９１は、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１に入射することを抑制してもよい。遮蔽部材９を構成するシールド９２は、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズがドロップレット計測器４１に入射することを抑制してもよい。

ここで、遮蔽板９１は、図６〜図８に示されるように、板形状の部材で形成されてもよいし、図９、図１０、図１６〜図１８に示されるように、筒形状の部材で形成されてもよい。すなわち、上述の第１〜第６実施形態で説明したように、遮蔽板９１の形状は、板形状に限定されない。
但し、遮蔽板９１の形状が板形状であると限定的に解釈される虞れを無くすために、以降の第７〜第１１実施形態の説明では、遮蔽板９１の代りに遮蔽体９１Ａという用語を用いる。
当然ながら、遮蔽体９１Ａは、遮蔽板９１と同様に遮蔽部材９の下位概念であり、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１に入射することを抑制し得る。

［１２．第７実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図１９及び図２０を用いて、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、受光部４１２の構成が、図１１及び図１２に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１１及び図１２に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［１２．１ 構成］
図１９は、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第７実施形態に係る受光部４１２は、図１１に示された第２実施形態に係る受光部４１２に対して、遮蔽体９１Ａが追加された構成を備えてもよい。
図１９の遮蔽体９１Ａは、図９に示された第１実施形態の変形例３に係る遮蔽板９１と同様の構成を備えてもよい。
すなわち、図１９の遮蔽体９１Ａは、筒部９１５Ａと、開口部９１３Ａとを含んでもよい。そして、筒部９１５Ａ及び開口部９１３Ａは、図９の遮蔽板９１に含まれる筒部９１５及び開口部９１３と同様の構成を備えてもよい。

より具体的には、図１９の筒部９１５Ａは、図９の筒部９１５と同様に、ウインドウ４１２ｃのチャンバ２内部側に対して設けられてもよい。筒部９１５Ａは、図９の筒部９１５と同様に、中空の円錐台形状に形成されてもよい。筒部９１５Ａは、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路を覆うように形成されてもよい。筒部９１５Ａは、図９の筒部９１５と同様に、チャンバ２の内部であって所定位置Ｐとウインドウ４１２ｃとの間に配置されてもよい。

図１９の開口部９１３Ａは、図９の開口部９１３と同様に、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路が交差する筒部９１５の部分に設けられてもよい。開口部９１３Ａは、図９の開口部９１３と同様に、筒部９１５Ａの所定位置Ｐ側の端部に形成されてもよい。開口部９１３Ａは、図９の開口部９１３と同様に、筒部９１５Ａの上底部分である、筒部９１５Ａの所定位置Ｐ側の端部にある底面に形成されてもよい。

このように、第７実施形態に係る受光部４１２は、図１１に示された第２実施形態に係る受光部４１２に含まれる転写光学系４１２ｄと、図９に示された第１実施形態の変形例３に係る遮蔽板９１に相当する遮蔽体９１Ａとを組み合わせて構成されてもよい。
それにより、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１よりも、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを、より効果的に抑制し得る。
その結果、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより向上させ得る。
なお、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１１に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１２．２ 変形例］
図２０は、第７実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第７実施形態の変形例に係る受光部４１２は、図１２に示された第２実施形態の変形例に係る受光部４１２に対して、遮蔽体９１Ａが追加された構成を備えてもよい。
図２０の遮蔽体９１Ａは、図１９に示された第７実施形態に係る遮蔽体９１Ａと同様の構成を備えてもよい。

このように、第７実施形態の変形例に係る受光部４１２は、図１２に示された第２実施形態の変形例に係る受光部４１２に含まれる空間フィルタ４１２ｅと、遮蔽体９１Ａとを組み合わせて構成されてもよい。
それにより、第７実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１よりも、プラズマから放射される電磁波に含まれる光がドロップレット計測器４１の受光部４１２に入射することを、より効果的に抑制し得る。
その結果、第７実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１では、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより向上させ得る。
なお、第７実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１２に示された第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１３．第８実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図２１〜図２３を用いて、第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
上述のように、転写光学系４１２ｄは、ウインドウ４１２ｃと光センサ４１２ａとの間に配置され、連続レーザ光が照射されたドロップレット２７１の所定位置Ｐでの像を光センサ４１２ａの受光面に転写してもよい。また、空間フィルタ４１２ｅは、ウインドウ４１２ｃと光センサ４１２ａとの間に配置され、連続レーザ光の光路上を通らない光の通過を抑制してもよい。それにより、転写光学系４１２ｄや空間フィルタ４１２ｅは、プラズマから放射される電磁波に含まれる光が光センサ４１２ａに入射することを抑制し得る。
すなわち、転写光学系４１２ｄや空間フィルタ４１２ｅを備えるＥＵＶ光生成装置１は、図１１又は図１２を用いて説明したように、遮蔽部材９を備えなくても、プラズマから放射される電磁波に含まれる光が受光部４１２に入射することを抑制し得る。
しかしながら、遮蔽部材９を備えていない図１１又は図１２のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズが受光部４１２に入射する場合、当該電磁ノイズを十分に抑制し得ないことがあり得る。

また、上述のように、通過タイミング信号が伝送される信号線に設けられたラインフィルタ４２は、通過タイミング信号のうち、ドロップレット２７１の通過に応じた光強度の変化を示す信号成分を通過させ、それ以外の信号成分を減衰させてもよい。それにより、ラインフィルタ４２は、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズが通過タイミング信号に混入しても、当該電磁ノイズを減衰させることによって、当該電磁ノイズが制御部８に伝送されることを抑制し得る。
しかしながら、遮蔽部材９を備えていないＥＵＶ光生成装置１は、プラズマから放射される電磁波に含まれる光が多く受光部４１２に入射する場合、ラインフィルタ４２を備えるだけは、当該電磁波に含まれる光に起因するノイズを十分に抑制し得ないことがあり得る。

図２１は、通過タイミング信号に含まれ得るノイズの成分を説明するための図を示す。
例えば、図２１に示されるように、通過タイミング信号に含まれ得るノイズには、プラズマから放射される電磁波に含まれる光に起因する成分と、当該電磁波に含まれる光以外の電磁波における電磁ノイズの成分とから構成され得る。
このため、ＥＵＶ光生成装置１は、転写光学系４１２ｄや空間フィルタ４１２ｅを備えるだけでは、当該電磁波に含まれる光に起因する成分は抑制し得ても、当該電磁波の電磁ノイズの成分は十分に抑制し得ないことがあり得る。
同様に、ＥＵＶ光生成装置１は、ラインフィルタ４２を備えるだけでは、当該電磁波の電磁ノイズの成分は抑制し得ても、当該電磁波に含まれる光に起因する成分は十分に抑制し得ないことがあり得る。

第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽部材９を備えずとも、転写光学系４１２ｄや空間フィルタ４１２ｅと、ラインフィルタ４２との両方を備えるように構成されてもよい。
第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１１及び図１２に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［１３．１ 構成］
図２２は、第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図１１に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、ラインフィルタ４２が追加された構成を備えてもよい。
図２２のラインフィルタ４２は、図１６に示された第４実施形態に係るラインフィルタ４２と同様の構成を備えてもよい。
図２２のチャンバ２の壁は、グランドに接続されてもよい。

このように、第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図１１に示された第２実施形態に係る転写光学系４１２ｄと、図１６に示された第４実施形態に係るラインフィルタ４２との両方を備えるように構成されてもよい。
それにより、第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽部材９を備えずとも、通過タイミング信号に含まれるノイズのうち、プラズマから放射される電磁波に含まれる光に起因する成分と当該電磁波の電磁ノイズの成分との両方を十分に抑制し得る。
その結果、第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより向上させ得る。
なお、第８実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１１に示された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１３．２ 変形例］
図２３は、第８実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第８実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、図１２に示された第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１に対して、ラインフィルタ４２が追加された構成を備えてもよい。
図２３のラインフィルタ４２は、図２２に示された第７実施形態に係るラインフィルタ４２と同様の構成を備えてもよい。
図２３のチャンバ２の壁は、グランドに接続されてもよい。

このように、第８実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、図１２に示された第２実施形態の変形例に係る空間フィルタ４１２ｅと、ラインフィルタ４２との両方を備えるように構成されてもよい。
それにより、第８実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽部材９を備えずとも、通過タイミング信号に含まれるノイズのうち、プラズマから放射される電磁波に含まれる光に起因する成分と当該電磁波の電磁ノイズの成分との両方を十分に抑制し得る。
その結果、第８実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１では、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより向上させ得る。
なお、第８実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１２に示された第２実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１４．第９実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図２４及び図２５を用いて、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図９に示された第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１に対して、ガスロック機構９１０を追加した構成を備えてもよい。そして、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図９に示された第１実施形態の変形例３に係る遮蔽板９１に相当する遮蔽体９１Ａが、ガスロック機構９１０の一部を兼ねていてもよい。
また、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、受光部４１２の構成が、図９に示された第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図９に示された第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［１４．１ 構成］
図２４は、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１がプラズマ化してＥＵＶ光２５２が生成される際、ドロップレット２７１は、破壊されて複数の微細なターゲット２７となり、プラズマの膨張圧力による衝撃によって拡散し得る。拡散したターゲット２７の一部は、デブリとして、受光部４１２のウインドウ４１２ｃに飛来し得る。
デブリがウインドウ４１２ｃに付着する場合、光源部４１１から出射された連続レーザ光は、ウインドウ４１２ｃに付着したデブリによって乱反射され得る。この場合、光センサ４１２ａに入射する連続レーザ光の光量が低下し、適切な通過タイミング信号が出力されないことがあり得る。
図２４のガスロック機構９１０は、受光部４２０のウインドウ４１２ｃに対してデブリが付着することを抑制する機構であってもよい。
ガスロック機構９１０は、ガス供給器９１７と、流量調節器９１８と、ガス配管９１９と、遮蔽チューブとを含んでもよい。

ガス供給器９１７は、遮蔽チューブ内にガスを供給する機器であってもよい。遮蔽チューブ内に供給されるガスは、プラズマの生成に伴って発生するデブリとの反応性が高いガスであってもよい。ターゲット２７がスズである場合、遮蔽チューブ内に供給されるガスは、水素ガスや水素ラジカル等の水素を含むガスであってもよい。スズのデブリと水素を含むガスとが反応すると、スタナン（ＳｎＨ_４）ガスが生成され得る。
ガス供給器９１７は、チャンバ２の外部に配置されてもよい。
ガス供給器９１７は、ガス配管９１９を介して遮蔽チューブに連結されてもよい。
ガス供給器９１７の動作は、制御部８によって制御されてもよい。

流量調節器９１８は、ガス供給器９１７から遮蔽チューブ内に供給されるガスの流量を調節する機器であってもよい。
流量調節器９１８は、バルブ又はオリフィスであってもよい。
流量調節器９１８は、ガス配管９１９上に設けられてもよい。流量調節器９１８は、ガス配管９１９内を流れるガスの流れを規制することによって、ガス供給器９１７から遮蔽チューブ内に供給されるガスの流量を調節してもよい。
流量調節器９１８の動作は、制御部８によって制御されてもよい。

ガスロック機構９１０に含まれる遮蔽チューブは、プラズマの生成に伴ってウインドウ４１２ｃに向かって飛来するデブリから、ウインドウ４１２ｃを保護する部材であってもよい。
遮蔽チューブは、遮蔽体９１Ａによって構成されてもよい。
遮蔽チューブを構成する遮蔽体９１Ａは、筒部９１５Ａと、開口部９１３Ａとを含んでもよい。

図２４の筒部９１５Ａは、内筒部９１５ｃと外筒部９１５ｄとから成る２重筒構造に構成されてもよい。
内筒部９１５ｃ及び外筒部９１５ｄのそれぞれの中心軸は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路軸と略一致してもよい。

内筒部９１５ｃの一端部は、ウインドウ４１２ｃのチャンバ２内部側の面に対向してもよい。ウインドウ４１２ｃのチャンバ２内部側の面は、光源部４１１から出射された連続レーザ光が入射する面であってもよい。内筒部９１５ｃの一端部にある底面の少なくとも一部は、ウインドウ４１２ｃの連続レーザ光が入射する面と外筒部９１５ｄの内表面とに対して離間して形成されてもよい。
内筒部９１５ｃの他端部は、チャンバ２内の所定位置Ｐに対向してもよい。内筒部９１５ｃの他端部にある底面には、開口部９１３Ａが形成されてもよい。内筒部９１５ｃの内部空間は、開口部９１３Ａを通じてチャンバ２の内部空間と連通してもよい。
内筒部９１５ｃの他端部の内径は、ウインドウ４１２ｃ側から開口部９１３Ａに向かうに従って小さくなっていてもよい。

外筒部９１５ｄの一端部は、チャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。外筒部９１５ｄの一端部にある底面は、チャンバ２の壁２ａに接触してもよい。
外筒部９１５ｄの他端部にある底面又はその付近において、外筒部９１５ｄの内表面と内筒部９１５ｃの外表面との間は、閉塞されてもよい。
外筒部９１５ｄの所定位置Ｐ側の外表面には、給気口が設けられてもよい。外筒部９１５ｄの給気口には、ガス配管９１９が接続されてもよい。

ガス流路９１５ｅは、内筒部９１５ｃと外筒部９１５ｄとの間の空間として画定されてもよい。
ガス流路９１５ｅは、外筒部９１５ｄの給気口から流入したガスが、外筒部９１５ｄの内表面に沿ってウインドウ４１２ｃ側に流れるように形成されてもよい。ガス流路９１５ｅは、外筒部９１５ｄの内表面側の全周に亘って形成されてもよい。ガス流路９１５ｅは、所定位置Ｐ側からウインドウ４１２ｃ側に向かって延びるように形成されてもよい。ガス流路９１５ｅは、ウインドウ４１２ｃの連続レーザ光が入射する面と内筒部９１５ｃの一端部にある底面との間隙を介して、内筒部９１５ｃの内部空間に連通してもよい。

図２４の開口部９１３Ａは、光源部４１１から出射された連続レーザ光を通過させるように形成されてもよい。開口部９１３Ａの形状は、通過する連続レーザ光の開口部９１３Ａにおけるビーム断面形状に相似した形で形成されてよく、例えば円形であってもよい。円形形状の開口部９１３Ａの直径は、例えば数ｍｍ程度であってもよい。
開口部９１３Ａは、上述のように、筒部９１５Ａに含まれる内筒部９１５ｃの所定位置Ｐ側の端部に形成されてもよい。

図２４の遮蔽体９１Ａの他の構成については、図１９に示された第７実施形態に係る遮蔽体９１Ａと同様であってもよい。

また、図２４の受光部４１２は、光センサ４１２ａと、受光光学系４１２ｂと、ウインドウ４１２ｃの他に、ミラー４１２ｆを含んでもよい。
ミラー４１２ｆは、光源部４１１から出射されウインドウ４１２ｃを透過した連続レーザ光の光路上に配置されてもよい。ミラー４１２ｆは、ウインドウ４１２ｃ及び受光光学系４１２ｂとそれぞれ対向するように配置されてもよい。
ミラー４１２ｆは、ウインドウ４１２ｃを透過した光を反射し、受光光学系４１２ｂに導いてもよい。
図２４の受光部４１２の他の構成については、図９に示された第１実施形態の変形例３に係る受光部４１２と同様であってもよい。

［１４．２ 動作］
第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。具体的には、ガスロック機構９１０の動作について説明する。
第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作において、図９に示された第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１と同様の動作については説明を省略する。

ガス供給器９１７は、制御部８からの制御により、遮蔽チューブを構成する遮蔽体９１Ａの筒部９１５Ａ内に供給されるガスを、ガス配管９１９内に流してもよい。
流量調節器９１８は、制御部８からの制御により、所定流量のガスが筒部９１５Ａ内に供給されるようガス配管９１９内を流れるガスの流量を調節してもよい。

所定流量に調節されたガスは、ガス配管９１９内から外筒部９１５ｄに設けられた給気口に流入し得る。給気口に流入したガスは、ガス流路９１５ｅ内を流れて内筒部９１５ｃ内に流入し得る。
このとき、内筒部９１５ｃ内に流入したガスは、ウインドウ４１２ｃの全周に亘る周縁部からウインドウ４１２ｃの中央部に向かって、ウインドウ４１２ｃに吹き付けられながら流れ得る。

ウインドウ４１２ｃに吹き付けられたガスは、内筒部９１５ｃの内部空間においてウインドウ４１２ｃ側から所定位置Ｐ側に向かって流れ、開口部９１３Ａから排出され得る。
開口部９１３Ａから排出されるガスは、プラズマの生成に伴ってウインドウ４１２ｃに向かって飛来するデブリを、ウインドウ４１２ｃから遠ざけ得る。

このようにして、ガスロック機構９１０は、遮蔽体９１Ａの筒部９１５Ａ内にガスを供給し、筒部９１５Ａ内に供給されたガスを開口部９１３Ａから排出し得る。
それにより、ガスロック機構９１０は、ウインドウ４１２ｃに対してデブリが付着することを抑制し得る。

また、プラズマから放射される電磁波に含まれる光は、遮蔽体９１Ａの筒部９１５Ａによって遮られ得る。
一方、光源部４１１から出射された連続レーザ光は、遮蔽体９１Ａの開口部９１３Ａを通過し、ウインドウ４１２ｃを透過してミラー４１２ｆによって受光光学系４１２ｂに向かって反射され、光センサ４１２ａに入射し得る。

［１４．３ 作用］
第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽体９１Ａがガスロック機構９１０の遮蔽チューブを兼ね得る。
このため、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、デブリがウインドウ４１２ｃに付着することによって光センサ４１２ａに入射する連続レーザ光の光量が低下することを抑制し得る。
更に、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ガスロック機構９１０がデブリとの反応性が高いガスをウインドウ４１２ｃに吹き付けるため、仮にデブリがウインドウ４１２ｃに付着しても、付着したデブリを当該ガスでエッチングし得る。
このため、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光源部４１１から出射され光センサ４１２ａに入射する連続レーザ光の光量が低下することを更に抑制し得る。
それにより、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光源部４１１から出射された連続レーザ光を受光部４１２が安定的に受光し得るため、ドロップレット計測器４１がドロップレット２７１の計測をより安定的に行い得る。
その結果、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより向上させ得る。
なお、第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図９に示された第１実施形態の変形例３に係るＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［１４．４ 変形例］
図２５は、第９実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第９実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、図２４に示された第９実施形態に係るガスロック機構９１０が、受光部４１２だけではなく光源部４１１に対しても設けられてもよい。
光源部４１１に対して設けられたガスロック機構９１０Ｂは、図２４に示された第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるガスロック機構９１０と同様の構成を備えてもよい。
すなわち、図２５のガスロック機構９１０Ｂの遮蔽チューブは、遮蔽体９１Ｂによって構成されてもよい。
図２５の遮蔽体９１Ｂは、筒部９１５Ｂと、開口部９１３Ｂとを含んでもよい。そして、筒部９１５Ｂ及び開口部９１３Ｂは、図２４の遮蔽体９１Ａに含まれる筒部９１５Ａ及び開口部９１３Ａと同様の構成を備えてもよい。

第９実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、光源部４１１に対してもガスロック機構９１０Ｂが設けられるため、デブリがウインドウ４１１ｃに付着することによって光源部４１１から出射される連続レーザ光の光量が低下することを抑制し得る。
それにより、第９実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１は、光源部４１１から適切な光量の連続レーザ光を安定的に出射し得るため、ドロップレット計測器４１がドロップレット２７１の計測をより安定的に行い得る。
その結果、第９実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１では、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより向上させ得る。
なお、第９実施形態の変形例に係るＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２４に示された第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［１５．第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図２６Ａ及び図２６Ｂを用いて、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、受光部４１２の構成が、図２４に示された第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
更に、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図２４に示された第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、シールド９２及び光学フィルタ９１６が追加された構成を備えてもよい。
また、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、遮蔽チューブを構成する遮蔽体９１Ａの構成が、図２４に示された第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２４に示された第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図２６Ａは、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。図２６Ｂは、図２６Ａに示されたＡ−Ａ線の断面方向からシールド９２を視て拡大した図を示す。
図２６Ａの受光部４１２は、光センサ４１２ａ、受光光学系４１２ｂ、ウインドウ４１２ｃの他に、シールドケース４１２ｈと、ケース保持部材４１２ｉと、コネクタ４１２ｊと、シールド線４１２ｋとを含んでもよい。

シールドケース４１２ｈは、光センサ４１２ａと、受光光学系４１２ｂと、光学フィルタ９１６とを収容する容器であってもよい。
シールドケース４１２ｈは、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズを減衰させる材料を用いて形成されてもよい。シールドケース４１２ｈは、電気伝導材料を用いて形成されてもよい。
シールドケース４１２ｈは、ケース保持部材４１２ｉを介してチャンバ２の壁２ａに接続されてもよい。
シールドケース４１２ｈは、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路上であって、チャンバ２の外部においてウインドウ４１２ｃに対向して配置されてもよい。
シールドケース４１２ｈの一端部にある底面には、光源部４１１から出射された連続レーザ光が入射する入射口が形成されてもよい。シールドケース４１２ｈの入射口は、ウインドウ４１２ｃのチャンバ２外部側の面に対向して配置されてもよい。シールドケース４１２ｈの入射口には、シールド９２が設けられてもよい。
シールドケース４１２ｈの他端部にある底面は、コネクタ４１２ｊが設けられて閉塞されてもよい。
シールドケース４１２ｈは、グランドに接続されてもよい。シールドケース４１２ｈは、直接グランドに接続されてもよい。ケース保持部材４１２ｉが電気伝導材料で形成され、チャンバ２の壁２ａがグランドに接続されている場合、シールドケース４１２ｈは、ケース保持部材４１２ｉ及び壁２ａを介してグランドに接続されてもよい。

ケース保持部材４１２ｉは、シールドケース４１２ｈ及びチャンバ２の壁２ａに固定され、シールドケース４１２ｈをチャンバ２の壁２ａに対して保持する部材であってもよい。
ケース保持部材４１２ｉは、電気伝導材料を用いて形成されてもよい。
ケース保持部材４１２ｉは、シールドケース４１２ｈ及びチャンバ２の壁２ａに電気的に接続されてもよい。

受光光学系４１２ｂは、結像レンズによって構成されてもよい。
受光光学系４１２ｂは、光源部４１０から出射された連続レーザ光の光路上であって、ウインドウ４１２ｃと光センサ４１２ａとの間に配置されてもよい。

コネクタ４１２ｊは、光センサ４１２ａの出力端子とシールド線４１２ｋとを電気的に接続するコネクタであってもよい。
コネクタ４１２ｊは、ＢＮＣコネクタであってもよい。
コネクタ４１２ｊは、シールドケース４１２ｈの入射口とは反対側の端部にある底面に固定されてもよい。
コネクタ４１２ｊの外套は、シールドケース４１２ｈを介してグランドに接続されてもよい。それにより、コネクタ４１２ｊは、シールド処理されてもよい。

シールド線４１２ｋは、光センサ４１２ａから出力された通過タイミング信号を制御部８に伝送するための信号線であってもよい。
シールド線４１２ｋは、ＢＮＣケーブルであってもよい。
シールド線４１２ｋのシールド層は、コネクタ４１２ｊの外套及びシールドケース４１２ｈを介してグランドに接続されてもよい。それにより、シールド線４１２ｋは、シールド処理されてもよい。
図２６Ａの受光部４１２の他の構成については、図２４に示された第９実施形態に係る受光部４１２と同様であってもよい。

図２６Ａ及び図２６Ｂのシールド９２は、上述のように、網状の金属、パンチングメタル、エキスパンドメタルの少なくとも１つを用いて形成されてもよい。当該シールド９２の開孔寸法は、電磁ノイズの波長の１／１００程度の大きさに設計されてもよい。例えば、電磁ノイズの高周波成分の周波数を１ＧＨｚとした場合、電磁ノイズの波長は３０ｃｍとなるため、当該シールド９２の開孔寸法は、３ｍｍ程度であってもよい。
シールド９２は、図２６Ｂに示されるように、略円板形状に形成されてもよい。

シールド９２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路上であって、受光光学系４１２ｂとウインドウ４１２ｃとの間に配置されてもよい。シールド９２は、チャンバ２の外部であって、ウインドウ４１２ｃと光センサ４１２ａとの間に配置され得る。
シールド９２は、シールドケース４１２ｈの入射口を塞ぐように配置されてもよい。
シールド９２は、結像レンズで構成された受光光学系４１２ｂの直近に配置されてもよい。シールドケース４１２ｈの入射口に配置されるシールド９２は、ウインドウ４１２ｃを透過した連続レーザ光のビーム径が出来るだけ大きく、且つ、受光光学系４１２ｂの開口数ＮＡが出来るだけ小さくなるような位置に配置されることが好ましい。
図２６Ａ及び図２６Ｂのシールド９２の他の構成については、図１６に示された第４実施形態に係るシールド９２と同様であってもよい。

図２６Ａの光学フィルタ９１６は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の波長を高い透過率で透過するバンドパスフィルタであってもよい。
光学フィルタ９１６は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路上であって、受光光学系４１２ｂと光センサ４１２ａとの間に配置されてもよい。
図２６Ａの光学フィルタ９１６の他の構成については、図１０に示された第１実施形態の変形例４に係る光学フィルタ９１６と同様であってもよい。

図２６Ａの遮蔽チューブを構成する遮蔽体９１Ａは、筒部９１５Ａが、２重筒構造ではなく、１重筒構造に構成されてもよい。
筒部９１５Ａは、ウインドウ４１２ｃから所定位置Ｐに向かうに従って内径が小さくなるようなテーパ状の内周面を有する筒を用いて形成されてもよい。
筒部９１５Ａのウインドウ４１２ｃ側の端部には、フランジ９１５ｆが形成されてもよい。
フランジ９１５ｆは、チャンバ２の壁２ａの内壁面との間にガス流路９１５ｅを画定してもよい。
フランジ９１５ｆは、チャンバ２の壁２ａの内壁面に対して間隔を開けて、当該内壁面に沿って延びるように形成されてもよい。フランジ９１５ｆの端部は、当該内壁面に固定されてもよい。フランジ９１５ｆの端部には、給気口が設けられてもよい。フランジ９１５ｆの給気口には、ガス配管９１９が接続されてもよい。フランジ９１５ｆと当該内壁面との間の空間は、ガス流路９１５ｅを構成してもよい。
図２６Ａの遮蔽体９１Ａの他の構成については、図２４に示された第９実施形態に係る遮蔽体９１Ａと同様であってもよい。

上記構成により、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、シールド９２を備えることにより、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズが光センサ４１２ａに入射することを抑制し得る。
更に、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、光センサ４１２ａ、受光光学系４１２ｂ及び光学フィルタ９１６が、グランドに接続されたシールドケース４１２ｈ内に収容されるため、当該電磁ノイズが光センサ４１２ａに入射することを更に抑制し得る。
その上、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、光センサ４１２ａが、シールド処理されたコネクタ４１２ｊ及びシールド線４１２ｋで制御部８に接続されるため、光センサ４１２ａから出力される通過タイミング信号に電磁ノイズが混入し難くなり得る。
よって、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより向上させ得る。
なお、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２４に示された第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

なお、第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、受光部４１２の受光光学系４１２ｂが、結像レンズではなくリレーレンズ光学系によって構成されてもよい。このとき、リレーレンズ光学系の経路長が比較的長い場合には、シールド９２は、シールドケース４１２ｈの入射口ではなく、リレーレンズ系に含まれる複数のレンズの間に配置されてもよい。
第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光学フィルタ９１６が省略されてもよい。
第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光源部４１１においても、シールドケース４１２ｈ、ケース保持部材４１２ｉ、コネクタ４１２ｊ、シールド線４１２ｋ、シールド９２、光学フィルタ９１６、ガスロック機構９１０に相当する構成が設けられてもよい。

［１６．第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置］
図２７Ａ〜図２８Ｃを用いて、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光源部４１１の構成が、図２６Ａ及び図２６Ｂに示された第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
更に、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、受光部４１２の構成が、図２６Ａ及び図２６Ｂに示された第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
また、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ガスロック機構９１０の構成が、図２６Ａ及び図２６Ｂに示された第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
そして、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、シールド９２の構成が、図２６Ａ及び図２６Ｂに示された第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なる構成であってもよい。
第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２６Ａ及び図２６Ｂに示された第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

［１６．１ 構成］
図２７Ａは、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の光源部４１１から出射される連続レーザ光を説明するための図を示す。図２７Ｂは、図２７Ａに示された連続レーザ光のＸ軸方向及びＹ軸方向におけるビーム幅を説明するための図を示す。図２７Ｃは、図２７Ａに示された連続レーザ光のビーム断面形状を説明するための図を示す。
図２７Ａの光源部４１１は、非点収差を有する連続レーザ光を出射してもよい。
具体的には、光源部４１１に含まれる照明光学系４１１ｂは、光源４１１ａから出力された連続レーザ光を、非点収差を有する連続レーザ光に変換してもよい。
照明光学系４１１ｂは、１又は複数のシリンドリカルレンズを含む光学系によって構成されてもよい。

光源部４１１から出射された非点収差を有する連続レーザ光は、ドロップレット２７１が計測される所定位置Ｐ及びその付近において、ターゲット進行経路２７２に略直交する方向に長いビーム幅を有するように集光されてもよい。
例えば、非点収差を有する連続レーザ光は、図２７Ｂに示されるように、所定位置Ｐ及びその付近において、ターゲット進行経路２７２に略直交するＸ軸方向に長く、ターゲット進行経路２７２に略平行なＹ軸方向に短いビーム幅を有するように集光されてもよい。
この場合、非点収差を有する連続レーザ光のビーム断面形状は、図２７Ｃに示されるように、光源部４１１から出射直後及び受光部４１２に入射直前の位置において、Ｘ軸方向に短くＹ軸方向に長い形状となり得る。そして、非点収差を有する連続レーザ光のビーム断面形状は、図２７Ｃに示されるように、所定位置Ｐ及びその付近において、Ｘ軸方向に長くＹ軸方向に短い形状となり得る。
図２７Ａの光源部４１１の他の構成については、図２６Ａに示された第１０実施形態に係る光源部４１１と同様であってもよい。

図２８Ａは、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の受光部４１２を説明するための図を示す。図２８Ｂは、図２８Ａに示されたＢ−Ｂ線の断面方向からシールド９２及びスリット板９３を視て拡大した図を示す。図２８Ｃは、図２８Ａに示されたＣ−Ｃ線の断面方向からシールド９２及びスリット板９３を視て拡大した図を示す。
図２８Ａの受光部４１２は、図２６Ａに示されたケース保持部材４１２ｉの代りに、カバー４１２ｍを含んでもよい。

カバー４１２ｍは、チャンバ２の壁２ａ及びウインドウ４１２ｃとシールドケース４１２ｈとの間隙を覆う部材であってもよい。
カバー４１２ｍは、遮光材料を用いて形成されてもよい。カバー４１２ｍは、電気伝導材料を用いて形成されてもよい。
カバー４１２ｍは、シールドケース４１２ｈ及びチャンバ２の壁２ａに固定され、シールドケース４１２ｈをチャンバ２の壁２ａに保持してもよい。
カバー４１２ｍは、シールドケース４１２ｈ及びチャンバ２の壁２ａに電気的に接続されてもよい。

シールドケース４１２ｈは、グランドに接続されたチャンバ２の壁２ａ及びカバー４１２ｍ介して、グランドに接続されてもよい。
図２８Ａの受光部４１２の他の構成については、図２６Ａに示された第１０実施形態に係る受光部４１２と同様であってもよい。

図２８Ａのガスロック機構９１０は、図２６Ａに示された第１０実施形態に係るガスロック機構９１０に対して、スリット板９３が追加された構成を備えてもよい。

スリット板９３は、光源部４１１から出射された連続レーザ光以外の光が受光部４１２に入射することを抑制してもよい。
スリット板９３は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路上であって、遮蔽体９１Ａとウインドウ４１２ｃとの間に配置されてもよい。
スリット板９３は、遮蔽体９１Ａに含まれる筒部９１５Ａのウインドウ４１２ｃ側の端部にある開口を塞ぐように配置されてもよい。スリット板９３は、筒部９１５Ａの端部に熱絶縁性を有する部材を介して固定されてもよい。
スリット板９３は、遮光材料を用いて形成されてもよい。スリット板９３は、熱伝導材料を用いて形成されてもよい。スリット板９３は、電気伝導材料を用いて形成されてもよい。

スリット板９３の中央部には、図２８Ｂに示されるように、スリット９３１が形成されてもよい。
スリット９３１は、スリット板９３における連続レーザ光の光路と交差する部分に形成されてもよい。
スリット９３１は、ターゲット進行経路２７２に沿って延びるような形状に形成されてもよい。
スリット９３１は、スリット９３１を通過する連続レーザ光のビーム断面よりわずかに大きな形状となるように形成されてもよい。

スリット板９３の周縁部には、図２８Ｃに示されるように、ヒータ９３２が配置されてもよい。
ヒータ９３２は、スリット板９３のウインドウ４１２ｃ側の面に配置されてもよい。
ヒータ９３２は、複数配置されてもよい。複数のヒータ９３２は、スリット板９３に接触して設けられたシールド９２の周方向に沿って略等間隔に配置されてもよい。
ヒータ９３２の動作は、不図示のヒータ制御部によって制御されてもよい。ヒータ９３２の動作は、ヒータ制御部を介して、制御部８によって間接的に制御されてもよい。

また、図２８Ａのガスロック機構９１０は、遮蔽チューブを構成する遮蔽体９１Ａが、電気伝導性材料を用いて形成されてもよい。遮蔽体９１Ａに含まれるフランジ９１５ｆは、チャンバ２の壁２ａに電気的に接続されてもよい。
図２８Ａ〜図２８Ｃのガスロック機構９１０の他の構成については、図２６Ａに示された第１０実施形態に係るガスロック機構９１０と同様であってもよい。

図２８Ａのシールド９２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光路上であって、遮蔽体９１Ａとウインドウ４１２ｃとの間に配置されてもよい。
シールド９２は、遮蔽体９１Ａに含まれる筒部９１５Ａのウインドウ４１２ｃ側の端部に、スリット板９３を介して配置されてもよい。
シールド９２は、スリット板９３のウインドウ４１２ｃ側の面に対して、スリット９３１を塞ぐように配置されてもよい。シールド９２は、チャンバ２の内部であって、筒部９１５Ａのウインドウ４１２ｃ側の端部に設けられたスリット９３１を塞ぐように配置にされ得る。
シールド９２は、ヒータ９３２で発生した熱がスリット板９３を介して熱伝導により伝わるよう、スリット板９３に接触して設けられてもよい。
シールド９２は、遮蔽体９１Ａに含まれる筒部９１５Ａと電気的に接続されてもよい。
図２８Ａ〜図２８Ｃのシールド９２の他の構成については、図２６Ａ及び図２６Ｂに示された第１０実施形態に係るシールド９２と同様であってもよい。

［１６．２ 動作］
第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。具体的には、ガスロック機構９１０の動作について説明する。
第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作において、図２６Ａ及び図２６Ｂに示された第１０実施形態並びに図２４に示された第９実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の動作については説明を省略する。

ヒータ９３２を制御する不図示のヒータ制御部は、ヒータ９３２に電力を供給して、ヒータ９３２の加熱動作を制御してもよい。ヒータ制御部は、シールド９２がターゲット２７の融点以上の所定温度となるようヒータ９３２に電力を供給してもよい。ターゲット２７がスズである場合、所定温度は、２３２℃以上の温度であってもよく、例えば２９３℃であってもよい。
ヒータ９３２は、スリット板９３を介してシールド９２を加熱し得る。

ガス供給器９１７から供給されたガスは、流量調節器９１８で流量が調節され、ガス配管９１９を介してガス流路９１５ｅ内に流入してもよい。
ガス流路９１５ｅを流れるガスは、ウインドウ４１２ｃの全周に亘る周縁部からウインドウ４１２ｃの中央部に向かって、ウインドウ４１２ｃに吹き付けられ得る。
ウインドウ４１２ｃに吹き付けられたガスは、シールド９２の開孔及びスリット９３１を通過し、遮蔽体９１Ａの筒部９１５Ａの内部空間に流入し得る。

筒部９１５Ａの内部空間に流入したガスは、ウインドウ４１２ｃ側から所定位置Ｐ側に向かって流れ、開口部９１３Ａから排出され得る。
開口部９１３Ａから排出されるガスは、プラズマの生成に伴ってウインドウ４１２ｃに向かって飛来するデブリを、ウインドウ４１２ｃから遠ざけ得る。
なお、流量調節器９１８は、加熱されたシールド９２がガスで過度に冷却されないように、ガスの流量を調節してもよい。

また、プラズマから放射される電磁波に含まれる光は、遮蔽体９１Ａの筒部９１５Ａによって遮られ得る。当該電磁波に含まれる光は、仮に筒部９１５Ａ内に入射しても、スリット板９３によって遮られ得る。
一方、光源部４１１から出射された連続レーザ光は、遮蔽体９１Ａの開口部９１３Ａ、スリット９３１及びシールド９２を通過し、ウインドウ４１２ｃを透過して、光センサ４１２ａに入射し得る。

［１６．３ 作用］
第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、筒部９１５Ａだけでなくスリット板９３をも備えることで、プラズマから放射される電磁波に含まれる光が光センサ４１２ａに入射することを更に抑制し得る。
更に、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、筒部９１５Ａの内部に供給されたガスがシールド９２を通過して排出されるため、デブリがシールド９２に付着することによって光センサ４１２ａに入射する連続レーザ光の光量が低下することを抑制し得る。
しかも、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、供給されるガスがデブリとの反応性が高く且つシールド９２が加熱されているため、仮にデブリがシールド９２に付着しても、付着したデブリを当該ガスでエッチングし得る。ターゲット２７がスズであり当該ガスが水素を含むガスである場合、両者の反応によってスタナンガスが生成されシールド９２を通過するガスの流れによって排出されるため、シールド９２に付着したデブリは除去され得る。このため、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光センサ４１２ａに入射する連続レーザ光の光量が低下することを更に抑制し得る。
それにより、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、光源部４１１から出射された連続レーザ光を受光部４１２が安定的に受光し得るため、ドロップレット計測器４１がドロップレット２７１の計測をより安定的に行い得る。
その結果、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、出力されるＥＵＶ光２５２のエネルギー安定性をより向上させ得る。
なお、第１１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２６Ａ及び図２６Ｂに示された第１０実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。

［１７．その他］
［１７．１ ラインフィルタの詳細構成］
図２９Ａ〜図２９Ｄを用いて、ラインフィルタ４２の詳細な構成について説明する。
上述のように、受光部４１２の光センサ４１２ａから出力される通過タイミング信号は、ドロップレット２７１の通過に応じた光強度の変化に応じて変動し得る。

発明者らは、通過タイミング信号のうち、ドロップレット２７１の通過に応じた光強度の変化を示す信号成分について、スペクトル解析を行った。すると、ドロップレット２７１の通過に応じた光強度の変化を示す信号成分は、１〜７ＭＨｚの周波数成分が支配的であることが判明した。

また、発明者らは、プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズが混入した通過タイミング信号のうち、電磁ノイズを示す信号成分について、スペクトル解析を行った。すると、電磁ノイズを示す信号成分は、１５ＭＨｚ及びその周辺の周波数成分が支配的であることが判明した。

これらのスペクトル解析結果により、ラインフィルタ４２は、１〜７ＭＨｚの周波数の信号成分を通過させ、１２〜１８ＭＨｚの周波数の信号成分を減衰させるようなラインフィルタであることが好ましい。
よって、ラインフィルタ４２は、１〜７ＭＨｚの周波数の信号成分を通過させる共に１２〜１８ＭＨｚの周波数の信号成分を減衰させる機能を備えるフィルタ回路であってもよい。ラインフィルタ４２は、このような機能を備えるローパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネートフィルタのうちの何れかのフィルタ回路であってもよい。

図２９Ａは、ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路としてローパスフィルタを用いる場合におけるラインフィルタ４２の回路構成例を説明するための図を示す。
ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路としてローパスフィルタを用いる場合、ラインフィルタ４２は、図２９Ａに示されるような回路で構成されてもよい。ラインフィルタ４２を構成するローパスフィルタは、１〜７ＭＨｚの周波数の信号成分を通過させる共に１２〜１８ＭＨｚの周波数の信号成分を減衰させるよう、抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１の各値が設定されてもよい。

図２９Ｂは、ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路としてバンドパスフィルタを用いる場合におけるラインフィルタ４２の回路構成例を説明するための図を示す。
ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路としてバンドパスフィルタを用いる場合、ラインフィルタ４２は、図２９Ｂに示されるような回路で構成されてもよい。ラインフィルタ４２を構成するバンドパスフィルタは、１〜７ＭＨｚの周波数の信号成分を通過させる共に１２〜１８ＭＨｚの周波数の信号成分を減衰させるよう、抵抗Ｒ２及びＲ３並びにコンデンサＣ２及びＣ３の各値が設定されてもよい。

図２９Ｃは、ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路としてバンドエリミネートフィルタを用いる場合のラインフィルタ４２の回路構成例を説明するための図を示す。
ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路としてバンドエリミネートフィルタを用いる場合、ラインフィルタ４２は、図２９Ｃに示されるような回路で構成されてもよい。ラインフィルタ４２を構成するバンドエリミネートフィルタは、１〜７ＭＨｚの周波数の信号成分を通過させる共に１２〜１８ＭＨｚの周波数の信号成分を減衰させるよう、抵抗Ｒ４、コンデンサＣ４及びインダクタＬの各値が設定されてもよい。

図２９Ｄは、ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路としてローパスフィルタを用いる場合のラインフィルタ４２の他の回路構成例を説明するための図を示す。
ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路は、受動型のフィルタ回路に限定されず、能動型のフィルタ回路であってもよい。
例えば、ラインフィルタ４２を構成するフィルタ回路としてローパスフィルタを用いる場合、ラインフィルタ４２は、図２９Ｄに示されるようにオペアンプを用いた回路で構成されてもよい。バンドパスフィルタやバンドエリミネートフィルタにおいても同様であり得る。

［１７．２ 各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図３０は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図３０の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図３０におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、温度制御部７１４及び制御部８等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、レーザ光進行方向制御部３４、ヒータ電源７１２、ピエゾ電源７３２、圧力調節器７２１、光源４１１ａ、光源４１３ａ、イメージセンサ４１４ａ、ガス供給器９１７、流量調節器９１８及びヒータ９３２等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、ターゲットセンサ４、光センサ４１２ａ及びピエゾ素子７３１等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境１００は、本開示における露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、温度制御部７１４及び制御部８等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、温度制御部７１４及び制御部８等は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

［１７．３ その他の変形例］
図１８に示されたドロップレット計測器４１のイメージセンサ４１４ａに含まれる画像解析制御部は、制御部８と一体の制御部として構成されてもよい。
この場合、当該画像解析制御部の機能のうち、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過したタイミングを計測する機能はドロップレット計測器４１が保持し、それ以外の機能は制御部８が保持するように構成されてもよい。

上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

例えば、図１６に示された第４実施形態にラインフィルタ４２は、変形例を含む第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１に適用し得る。
また、図１７に示された第５実施形態の光源部４１１と受光部４１２との配置は、第１〜第３実施形態に係る光源部４１１と受光部４１２との配置及び第６実施形態に係る光源部４１３と撮像部４１４との配置に適用し得る。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
２７ …ターゲット
２７１ …ドロップレット
４１ …ドロップレット計測器
４１１ …光源部
４１１ａ …光源
４１２ …受光部
４１２ａ …光センサ
４１２ｄ …転写光学系
４１２ｅ …空間フィルタ
４２ …ラインフィルタ
７ …ターゲット生成器
９ …遮蔽部材
９１ …遮蔽板
９１Ａ …遮蔽体
９１０ …ガスロック機構
９１３、９１３Ａ …開口部
９１５、９１５Ａ …筒部
９１６ …光学フィルタ
９２ …シールド
９３ …スリット板
９３１ …スリット
９３２ …ヒータ

Claims (11)

1. 内部に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることで発生するプラズマから極端紫外光が生成されるチャンバと、
   前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバの内部に供給するターゲット生成器と、
   前記ターゲット生成器から前記チャンバの内部に供給された前記ドロップレットを計測するドロップレット計測器と、
   前記プラズマから放射される電磁波から前記ドロップレット計測器を遮蔽する遮蔽部材と、
   を備え、
   前記ドロップレット計測器は、
   前記ドロップレットに連続光を照射する光源と、
   前記チャンバに設けられ前記連続光を透過するウインドウと、
   前記ウインドウを介して前記連続光を受光する光センサと、
   を含み、
   前記遮蔽部材は、前記ウインドウの前記チャンバ内部側に対して設けられ前記連続光の光路を覆うように形成された遮蔽体を含み、
   前記遮蔽体は、前記プラズマから放射される電磁波に含まれる光が前記ドロップレット計測器に入射することを抑制し、
   前記ドロップレット計測器は、前記チャンバの内部の所定位置を通過する前記ドロップレットを計測し、
   前記遮蔽体は、
   前記所定位置と前記ウインドウとの間に配置され前記連続光の光路を覆うように形成された筒部と、
   前記筒部の前記所定位置側の端部に形成された開口部と、
   を含み、
   前記筒部内にガスを供給し、前記筒部内に供給された前記ガスを前記開口部から排出するガスロック機構を更に備える
   極端紫外光生成装置。
2. 前記遮蔽部材は、前記プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズが前記ドロップレット計測器に入射することを抑制するシールドを更に含む
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記ドロップレット計測器は、前記連続光が照射された前記ドロップレットの像を前記光センサに転写する転写光学系を更に含む
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記遮蔽部材は、前記プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズが前記ドロップレット計測器に入射することを抑制するシールドを更に含み、
   前記シールドは、前記ウインドウと前記光センサとの間に配置されている
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
5. 前記遮蔽部材は、前記プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズが前記ドロップレット計測器に入射することを抑制するシールドと、前記電磁ノイズが前記ドロップレット計測器に入射することを抑制するスリットを備えるスリット板とを更に含み、
   前記スリット板は、前記筒部の前記ウインドウ側の端部を塞ぐように設けられ、
   前記シールドは、前記スリットを塞ぐように配置されている
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
6. 前記シールドを加熱するヒータを更に備える
   請求項５に記載の極端紫外光生成装置。
7. 前記ドロップレット計測器は、前記開口部を塞ぐように配置され前記連続光を透過させる光学フィルタを更に含む
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
8. 前記ドロップレット計測器は、前記ウインドウと前記光センサとの間に配置され前記連続光の前記光路上を通らない光の通過を抑制する空間フィルタを更に含む
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
9. 前記ドロップレット計測器は、前記ドロップレットが前記所定位置を通過したタイミン
   グを示す通過タイミング信号を出力し、
   前記ドロップレット計測器から出力された前記通過タイミング信号が伝送される信号線
   には、電磁ノイズを減衰させるラインフィルタが設けられている
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
10. 内部に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることで発生するプラズマから極端紫外光が生成されるチャンバと、
    前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバの内部に供給するターゲット生成器と、
    前記ターゲット生成器から前記チャンバの内部に供給された前記ドロップレットを計測するドロップレット計測器と、
    を備え、
    前記ドロップレット計測器は、
    前記ドロップレットに連続光を照射する光源と、
    前記チャンバに設けられ前記連続光を透過するウインドウと、
    前記ウインドウを介して前記連続光を受光する光センサと、
    前記ウインドウと前記光センサとの間に配置され前記連続光が照射された前記ドロップレットの像を前記光センサに転写すると共に前記プラズマから放射される電磁波に含まれる光が前記光センサに入射することを抑制する転写光学系と、
    前記転写光学系と前記光センサとの間に、前記電磁波に含まれる光が前記光センサに入射することを抑制し、前記ドロップレットの進行経路に沿う形状のスリットを備えるスリット板と、
    を含み、
    前記チャンバの内部の所定位置を通過する前記ドロップレットを計測して前記ドロップレットが前記所定位置を通過したタイミングを示す通過タイミング信号を出力し、
    前記ドロップレット計測器から出力された前記通過タイミング信号が伝送される信号線には、前記プラズマから放射される電磁波の電磁ノイズを減衰させるラインフィルタが設けられている
    極端紫外光生成装置。
11. 前記ラインフィルタは、１２〜１８ＭＨｚの範囲の周波数の電磁ノイズを減衰させる機能を備える請求項１０に記載の極端紫外光生成装置。