JP2023121488A - 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下が抑制され得るＥＵＶ光生成装置。【解決手段】ＥＵＶ光生成装置は、チャンバとチャンバの内部空間からチャンバの外部に延在し。内部空間におけるドロップレットターゲットの軌道上及び内部空間におけるプラズマ生成領域へのレーザ光の光路上以外においてプラズマ生成領域を囲い、プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口を含む筐体と、内部空間における筐体の外側の第１空間に配置され、第１開口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、チャンバに設けられ、ガスをチャンバの外部から第１空間に供給するガス供給口と、チャンバの外部において筐体に設けられ、第１空間から第１開口を通じて筐体の内部の第２空間に流れるガスをチャンバの外部に排気するガス排気口とを備え、ドロップレットターゲットに照射される際のレーザ光の光軸はプラズマ生成領域でのガスが流れる方向に沿う。【選択図】図７

Description

本開示は、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。

米国特許出願公開第２０１２／０３１３０１６号明細書

概要

本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、内部空間からチャンバの外部に延在し、内部空間におけるドロップレットターゲットの軌道上及び内部空間におけるプラズマ生成領域へのレーザ光の光路上以外においてプラズマ生成領域を囲い、プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口を含む筐体と、内部空間における筐体の外側の第１空間に配置され、第１開口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、チャンバに設けられ、ガスをチャンバの外部から第１空間に供給するガス供給口と、チャンバの外部において筐体に設けられ、第１空間から第１開口を通じて筐体の内部の第２空間に流れるガスをチャンバの外部に排気するガス排気口と、を備え、ドロップレットターゲットに照射される際のレーザ光の光軸は、プラズマ生成領域でのガスが流れる方向に沿ってもよい。

本開示の他の一態様による極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、プラズマ生成領域にドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、プラズマ生成領域においてドロップレットターゲットからプラズマが生成されるようにドロップレットターゲットにレーザ光を照射するレーザ装置と、制御部と、を備え、チャンバは、内部空間からチャンバの外部に延在し、内部空間におけるプラズマ生成領域へのレーザ光の光路上以外においてプラズマ生成領域を囲い、プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口、及びターゲット供給部からプラズマ生成領域に供給されるドロップレットターゲットが通過するドロップレット供給開口、及びプラズマ生成領域を通過したドロップレットターゲットが通過するドロップレット排出開口を含む筐体と、内部空間のうちのチャンバ及び筐体の間の第１空間に配置され、第１開口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する回転楕円面形状の反射面を含む集光ミラーと、チャンバに設けられ、ガスをチャンバの外部から第１空間に供給するガス供給口と、筐体に設けられ、チャンバの外部に位置し、第１空間から第１開口を通じて筐体の内部の第２空間に流れるガスをチャンバの外部に排気するガス排気口と、第１空間に配置され、ターゲット供給部から供給されるドロップレットターゲットの軌道を囲うターゲット供給配管と、ターゲット供給配管に設けられ、ターゲット供給配管及びドロップレット供給開口を通じてガスをプラズマ生成領域に供給するターゲットガス供給口と、ターゲット供給部からプラズマ生成領域に供給されるドロップレットターゲットに照明光を照射する照明部と、照明光を受光する受光部と、を備え、制御部は、照明光を受光した受光部からドロップレットターゲットの通過タイミングに係る信号を受信し、当該信号に対して所定時間遅延させた発光トリガ信号をレーザ装置に出力してもよい。

また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、内部空間からチャンバの外部に延在し、内部空間におけるドロップレットターゲットの軌道上及び内部空間におけるプラズマ生成領域へのレーザ光の光路上以外においてプラズマ生成領域を囲い、プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口を含む筐体と、内部空間における筐体の外側の第１空間に配置され、第１開口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、チャンバに設けられ、ガスをチャンバの外部から第１空間に供給するガス供給口と、チャンバの外部において筐体に設けられ、第１空間から第１開口を通じて筐体の内部の第２空間に流れるガスをチャンバの外部に排気するガス排気口と、を備え、ドロップレットターゲットに照射される際のレーザ光の光軸は、プラズマ生成領域でのガスが流れる方向に沿う極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含んでもよい。

また、本開示の他の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、内部空間からチャンバの外部に延在し、内部空間におけるドロップレットターゲットの軌道上及び内部空間におけるプラズマ生成領域へのレーザ光の光路上以外においてプラズマ生成領域を囲い、プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口を含む筐体と、内部空間における筐体の外側の第１空間に配置され、第１開口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、チャンバに設けられ、ガスをチャンバの外部から第１空間に供給するガス供給口と、チャンバの外部において筐体に設けられ、第１空間から第１開口を通じて筐体の内部の第２空間に流れるガスをチャンバの外部に排気するガス排気口と、を備え、ドロップレットターゲットに照射される際のレーザ光の光軸は、プラズマ生成領域でのガスが流れる方向に沿う極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、図１に示す電子デバイスの製造装置とは別の電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、比較例の極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図４は、比較例におけるドロップレットターゲットの軌道に垂直なチャンバの断面図である。 図５は、ドロップレットターゲットを照射する際のレーザ光の光軸に垂直な断面図である。 図６は、レーザ光の照射位置がずれたドロップレットターゲットにレーザ光を照射した直後に生成されるＥＵＶ光の強度の変化を示す図である。 図７は、実施形態１におけるドロップレットターゲットの軌道に垂直なチャンバの断面図である。 図８は、実施形態２におけるドロップレットターゲットの軌道に垂直なチャンバの断面図である。 図９は、実施形態３におけるドロップレットターゲットの軌道に垂直なチャンバの断面図である。 図１０は、実施形態３の変形例１におけるドロップレットターゲットの軌道に垂直なチャンバの断面図である。 図１１は、実施形態３の変形例２におけるドロップレットターゲットの軌道に垂直なチャンバの断面図である。 図１２は、実施形態４におけるドロップレットターゲットを照射する際のレーザ光の光軸に垂直な断面図である。 図１３は、実施形態４におけるドロップレットターゲットの軌道に垂直なチャンバの断面図である。

実施形態

１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
４．１ 構成
４．２ 作用・効果
５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
５．１ 構成
５．２ 作用・効果
６．実施形態３の極端紫外光生成装置の説明
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態４の極端紫外光生成装置の説明
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。

２．電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。

図２は、図１に示す電子デバイス製造装置とは別の電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び検査装置３００を含む。検査装置３００は、反射光学系である複数のミラー３１１，３１３，３１５を含む照明光学系３１０と、照明光学系３１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー３２１，３２３、及び検出器３２５を含む検出光学系３２０とを含む。照明光学系３１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１をミラー３１１，３１３，３１５で反射して、マスクステージ３３１に配置されているマスク３３３を照射する。マスク３３３は、パターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系３２０は、マスク３３３からのパターンを反映したＥＵＶ光１０１をミラー３２１，３２３で反射して検出器３２５の受光面に結像させる。ＥＵＶ光１０１を受光した検出器３２５は、マスク３３３の画像を取得する。検出器３２５は、例えばＴＤＩ（Time Delay Integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク３３３の画像により、マスク３３３の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置２００を用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造することができる。

３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように外部装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように外部装置としての検査装置３００にＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。

図３は、本例のＥＵＶ光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図３に示すように、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０、レーザ装置ＬＤ、プロセッサ１２０、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。

チャンバ１０は、密閉可能な容器である。チャンバ１０は、低圧雰囲気の内部空間を囲う内壁１０ｂを含む。また、チャンバ１０はサブチャンバ１５を含み、サブチャンバ１５には、サブチャンバ１５の壁を貫通するようにターゲット供給部４０が取り付けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１、ノズル４２、及び圧力調節器４３を含み、ドロップレットターゲットＤＬをチャンバ１０の内部空間に供給する。ドロップレットターゲットＤＬは、ドロップレットやターゲットと省略して呼ばれる場合がある。

タンク４１は、その内部にドロップレットターゲットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。タンク４１の内部は、タンク４１内の圧力を調節する圧力調節器４３と連通している。タンク４１には、ヒータ４４及び温度センサ４５が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４６から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。温度センサ４５は、タンク４１を介してタンク４１内のターゲット物質の温度を測定する。圧力調節器４３、温度センサ４５、及びヒータ電源４６は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。

ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４７が取り付けられている。ピエゾ素子４７は、ピエゾ電源４８に電気的に接続されており、ピエゾ電源４８から印加される電圧で駆動される。ピエゾ電源４８は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。ピエゾ素子４７の動作により、ノズル４２から吐出するターゲット物質はドロップレットターゲットＤＬにされる。

チャンバ１０は、ターゲット回収部１４を含む。ターゲット回収部１４は、チャンバ１０の内壁１０ｂに取り付けられる箱体であり、チャンバ１０の内壁１０ｂに設けられる開口１０ａを介してチャンバ１０の内部空間に連通している。開口１０ａはノズル４２の直下に設けられ、ターゲット回収部１４は、開口１０ａを通過してターゲット回収部１４に到達する不要なドロップレットターゲットＤＬを回収するドレインタンクである。

チャンバ１０の内壁１０ｂには、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。この貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光９０が透過する。

また、チャンバ１０の内部空間には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを含む。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光９０を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光するレーザ光９０を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ１０の内部空間でのレーザ光９０の集光位置がプロセッサ１２０から指定された位置になるように調節される。当該集光位置はノズル４２の直下に位置するように調節されており、レーザ光９０が当該集光位置においてターゲット物質を照射すると、照射によってプラズマが生成されると共に、プラズマからＥＵＶ光１０１が放射される。プラズマが生成される領域をプラズマ生成領域ＡＲと呼ぶことがある。プラズマ生成領域ＡＲは、プラズマ点を中心に半径が例えば４０ｍｍの領域であり、チャンバ１０の内部空間に位置する。

チャンバ１０の内部空間には、例えば、回転楕円面形状の反射面７５ａを含むＥＵＶ光集光ミラー７５が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー７５は、チャンバ１０の内部空間におけるレーザ光９０と重ならない位置に設けられている。反射面７５ａは、プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから放射されるＥＵＶ光１０１を反射する。反射面７５ａは、第１焦点及び第２焦点を含む。反射面７５ａは、例えば、第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。図３では、第１焦点及び第２焦点を通る直線が焦点直線Ｌ０として示されている。

また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間及び露光装置２００の内部空間を連通させる接続部１９を含む。接続部１９の内部には、アパーチャが形成された壁が配置されている。この壁は、アパーチャが第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。接続部１９はＥＵＶ光生成装置１００におけるＥＵＶ光１０１の出射口であり、ＥＵＶ光１０１は接続部１９から出射されて露光装置２００に入射する。

また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６及びターゲットセンサとしての検出部２７を含む。圧力センサ２６及び検出部２７は、チャンバ１０に取り付けられ、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。圧力センサ２６は、チャンバ１０の内部空間の圧力を計測し、この圧力を示す信号をプロセッサ１２０に出力する。

検出部２７は、例えば撮像機能を含み、プロセッサ１２０からの指示によってノズル４２のノズル孔から吐出するドロップレットターゲットＤＬの存在、軌跡、位置、流速等を検出する。検出部２７は、チャンバ１０の内部に配置されてもよいし、チャンバ１０の外部に配置されてチャンバ１０の壁に設けられる不図示のウィンドウを介してドロップレットターゲットＤＬを検出してもよい。検出部２７は、不図示の受光光学系と、例えばＣＣＤ（Charge-Coupled Device）又はフォトダイオード等の不図示の撮像部とを含む。受光光学系は、ドロップレットターゲットＤＬの検出精度を向上させるために、ドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲における像を撮像部の受光面に結像する。検出部２７の視野内のコントラストを向上させるために配置される検出部２７の不図示の光源による光の集光領域をドロップレットターゲットＤＬが通過するときに、撮像部はドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲を通る光の変化を検出する。撮像部は、検出した光の変化を、ドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号としての電気信号に変換する。撮像部は、この電気信号をプロセッサ１２０に出力する。

レーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光９０を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合される気体を放電によって励起することで、レーザ光９０を出射するレーザ装置である。或いは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光９０を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を含んでもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続するパルス状のレーザ光９０を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光９０の出射を抑制する動作である。

レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光９０の進行方向は、レーザ光デリバリ光学系３０によって調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光９０の進行方向を調節する複数のミラー３１，３２を含む。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置は、不図示のアクチュエータで調節される。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光９０がウィンドウ１２から適切にチャンバ１０の内部空間に伝搬し得る。

本開示のプロセッサ１２０は、制御プログラムが記憶された記憶装置と、当該制御プログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）とを含む処理装置である。プロセッサ１２０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされ、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御する。プロセッサ１２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力に係る信号や、検出部２７によって撮像されたドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からバースト動作を指示するバースト信号等が入力される。プロセッサ１２０は、上記各種信号を処理し、例えば、ドロップレットターゲットＤＬが吐出されるタイミング、ドロップレットターゲットＤＬの吐出方向等を制御してもよい。また、プロセッサ１２０は、レーザ装置ＬＤの出射タイミング、レーザ光９０の進行方向や集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて後述のように他の制御が追加されてもよい。

図４は比較例におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面図であり、図５はドロップレットターゲットＤＬを照射する際のレーザ光９０の光軸に垂直な断面図である。図４では、図示の簡略化のために、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを省略し、ウィンドウ１２からプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の進行経路を簡単に図示している。

ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間に配置される筐体５００を含む。図４及び図５では、チャンバ１０の内部空間のうちの筐体５００の外部の空間を第１空間１１ａとし、筐体５００の内部の空間を第２空間１１ｂとして示している。なお、図３では、筐体５００の図示を省略している。

筐体５００は、例えば、ステンレスまたは金属モリブデンで構成される。筐体５００は、プラズマ生成領域ＡＲを囲っている。つまり、プラズマ生成領域ＡＲは、第２空間１１ｂに位置する。筐体５００は、チャンバ１０の内部空間からチャンバ１０の内壁１０ｂを貫通してチャンバ１０の外部空間に直線状に延在している。筐体５００のうちのチャンバ１０の内部空間に位置する一端には第１開口５０１が設けられ、筐体５００のうちのチャンバ１０の外部に位置する他端にはガス排気口５０３が設けられている。

第１開口５０１には、プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから生成されるＥＵＶ光１０１が第２空間１１ｂから第１空間１１ａに向かって通過する。そして、ＥＵＶ光１０１は、第１空間１１ａに配置されるＥＵＶ光集光ミラー７５に進行する。ＥＵＶ光集光ミラー７５は、ＥＵＶ光１０１をＥＵＶ光１０１の入射方向と異なる方向に位置する中間集光点ＩＦに向かって反射する。図４及び図５では、図示の明瞭化のために、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって反射されたＥＵＶ光１０１の図示を省略している。第１開口５０１はガス排気口５０３に向かい合い、第１開口５０１とガス排気口５０３との間にはプラズマ生成領域ＡＲが位置する。ガス排気口５０３は、排気ポンプを含む第１排気装置５３１に接続されている。

また、筐体５００は、第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、及びドロップレット排出開口５０９を含む。第２開口５０５は、チャンバ１０の内部空間におけるプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の光路上に設けられ、プラズマ生成領域ＡＲに向かい合う。第２開口５０５には、レーザ光９０が第１空間１１ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かって通過する。ドロップレット供給開口５０７及びドロップレット排出開口５０９は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道上に設けられ、互いに向かい合う。ドロップレット供給開口５０７には、ターゲット供給部４０からプラズマ生成領域ＡＲに供給されるドロップレットターゲットＤＬが通過する。ドロップレット排出開口５０９にはプラズマ生成領域ＡＲを通過したドロップレットターゲットＤＬが通過し、ドロップレット排出開口５０９はターゲット回収部１４に繋がる開口１０ａに向かい合う。このように筐体５００は、チャンバ１０の内部空間におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道上及び当該内部空間におけるプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の光路上以外においてプラズマ生成領域ＡＲを囲う。

チャンバ１０の内壁１０ｂにはガス供給口６０１ａが設けられており、ガス供給口６０１ａには第１ガス供給装置６０１のガス配管６０１ｂが接続されている。第１ガス供給装置６０１及びガス配管６０１ｂは、チャンバ１０の外部に配置されている。第１ガス供給装置６０１は、プロセッサ１２０によって駆動を制御される。ガス配管６０１ｂには、バルブである不図示の供給ガス流量調節部が配置されてもよい。第１ガス供給装置６０１はガス配管６０１ｂにエッチングガスを供給し、ガス配管６０１ｂが接続するガス供給口６０１ａはエッチングガスを第１空間１１ａに供給する。図４及び図５では、ガス配管６０１ｂにおけるエッチングガスの流れを矢印Ｆ１で示している。ガス供給口６０１ａから第１空間１１ａに流入するエッチングガスの流量は、例えば、４０ｎｌｍ以上６０ｎｌｍ以下である。ｎｌｍは、１分あたりに流れるエッチングガスの０℃、１気圧に換算した体積を示す。第１空間１１ａに流入したエッチングガスは、第１開口５０１、第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、及びドロップレット排出開口５０９を通じて第２空間１１ｂに流入する。図４及び図５では、それぞれから第２空間１１ｂに流入するエッチングガスの流れを矢印Ｆ２で示している。

上記のように、ターゲット物質はスズを含むため、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が１００％と見做せる水素含有ガスである。或いは、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスでもよい。バランスガスには、窒素（Ｎ_２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれている。ところで、ターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。これら微粒子及び荷電粒子を構成するスズは、チャンバ１０の第２空間１１ｂに供給されたエッチングガスに含まれる水素と反応する。スズが水素と反応すると、常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ_４）になる。また、ターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化する際、排ガスとしての残留ガスが第２空間１１ｂに生成される。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部は第２空間１１ｂで中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。ガス排気口５０３は、第１空間１１ａから第１開口５０１、第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、及びドロップレット排出開口５０９を通じて第２空間１１ｂに流れたエッチングガスを残留ガスと共に、チャンバ１０の外部に排気する。具体的には、ガス排気口５０３は、第１排気装置５３１の吸引によってエッチングガス及び残留ガスを第１排気装置５３１に排気する。以下では、第２空間１１ｂにおけるエッチングガス及び残留ガスを、単にガスと呼ぶ場合がある。図４及び図５では、第２空間１１ｂにおいて第１排気装置５３１に向かうガスの流れを矢印Ｆ３で示している。

ガス排気口５０３の面積は第１開口５０１の面積より大きく、第１開口５０１の面積は第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、及びドロップレット排出開口５０９のそれぞれの面積よりも大きい。ドロップレット供給開口５０７及びドロップレット排出開口５０９のそれぞれの面積は、互いに概ね同じであり、第２開口５０５の面積よりも大きい。

以下では、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿う方向をＹ方向、プラズマ生成領域ＡＲから第１排気装置５３１に向かう方向でありＹ方向に直交する方向をＸ方向、Ｙ方向及びＸ方向に直交する方向をＺ方向として説明することがある。

３．２ 動作
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。

ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ１０の内部空間の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ１０の内部空間のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが用いられることが好ましい。その後、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力以下になると、プロセッサ１２０は、第１ガス供給装置６０１からガス供給口６０１ａを通じてチャンバ１０の第１空間１１ａへのエッチングガスの導入を開始させる。このときプロセッサ１２０は、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、不図示の供給ガス流量調節部や第１排気装置５３１を制御してもよい。その後、プロセッサ１２０は、エッチングガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機する。

また、プロセッサ１２０は、第１排気装置５３１により、チャンバ１０の内部空間の気体をガス排気口５０３から排気させ、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力を示す信号に基づいて、チャンバ１０の内部空間の圧力を略一定に保つ。

また、プロセッサ１２０は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持するために、ヒータ電源４６からヒータ４４に電流を供給させ、ヒータ４４を昇温させる。このとき、プロセッサ１２０は、温度センサ４５からの出力に基づいて、ヒータ電源４６からヒータ４４へ供給される電流の値を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質がスズである場合、スズの融点２３１．９３℃以上の温度であり、例えば２４０℃以上２９０℃以下である。こうしてドロップレットターゲットＤＬを吐出する準備が完了する。

準備が完了すると、プロセッサ１２０は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の流速で吐出するように、圧力調節器４３によって、不図示のガス供給源から不活性ガスをタンク４１内に供給し、タンク４１内の圧力を調節する。この圧力下で、ターゲット物質は、ノズル４２のノズル孔からチャンバ１０の第１空間１１ａに吐出する。ノズル孔から吐出するターゲット物質は、ジェットの形態をとってもよい。このとき、プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４８からピエゾ素子４７に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ電源４８は、電圧値の波形が例えば正弦波状、矩形波状、或いはのこぎり波状となるように、電圧を印加する。ピエゾ素子４７の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２のノズル孔から吐出するターゲット物質へと伝搬し得る。ターゲット物質は、この振動により所定周期で分断され、液滴のドロップレットターゲットＤＬとなる。ドロップレットターゲットＤＬの直径は、概ね１０μｍ以上３０μｍ以下である。

ドロップレットターゲットＤＬは、吐出されると、ドロップレット供給開口５０７を通過してプラズマ生成領域ＡＲに進行する。検出部２７は、チャンバ１０の第２空間１１ｂの所定位置を通過するドロップレットターゲットＤＬの通過タイミングを検出する。プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０が照射されるように、検出部２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０が出射するタイミングを制御して、トリガ信号を出力する。プロセッサ１２０から出力されたトリガ信号は、レーザ装置ＬＤに入力する。レーザ装置ＬＤは、トリガ信号が入力されると、レーザ光９０を出射する。

出射されたレーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射する。また、レーザ光９０は、レーザ集光光学系１３から第２開口５０５を通過してプラズマ生成領域ＡＲに向かって進行する。そして、レーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射される。このとき、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲに集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬに照射されるように、検出部２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０を出射するタイミングを制御する。これにより、レーザ光集光ミラー１３Ａによって集光するレーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射される。当該照射によりプラズマが生成され、当該プラズマからＥＵＶ光１０１を含む光が放射される。

プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光１０１を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、第１開口５０１を通過してＥＵＶ光集光ミラー７５に進行し、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。

上記のように、第１ガス供給装置６０１は、ガス配管６０１ｂ及びガス供給口６０１ａを通じてチャンバ１０の第１空間１１ａにエッチングガスを供給する。エッチングガスは、第１開口５０１、第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、及びドロップレット排出開口５０９を通じて第２空間１１ｂに流入する。第１排気装置５３１は、エッチングガスを第２空間１１ｂにおける残留ガスと共に、ガス排気口５０３を通じて吸引する。これにより、第２空間１１ｂにおけるガスは、チャンバ１０の外部に排気される。このようなガスの排気によって、第２空間１１ｂの圧力は第１空間１１ａの圧力よりも低い状態となる。従って、第１空間１１ａにおけるエッチングガスは、第１空間１１ａから第１開口５０１、第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、及びドロップレット排出開口５０９を通じて第２空間１１ｂに流れ易くなる。エッチングガスが第２空間１１ｂに流れ易くなると、第１空間１１ａにおけるエッチングガスの淀みが抑制され、ＥＵＶ光集光ミラー７５へのプラズマ化されない未反応のターゲット物質といったデブリの堆積が抑制される。また、第２空間１１ｂから第１空間１１ａへのガスの逆流が抑制される。第１排気装置５３１に吸引されたガスは、無害化等の所定の排気処理が施される。

３．３ 課題
筐体５００の第２空間１１ｂにはプラズマ生成領域ＡＲが位置しており、第２空間１１ｂではガスが第１排気装置５３１の吸引によって第１排気装置５３１に向かってＸ方向に流れる。これにより、プラズマ生成領域ＡＲにおいて、レーザ光９０を照射されるドロップレットターゲットＤＬは、第２空間１１ｂでのガスの流れによってガスが流れるＸ方向にずれる傾向にある。ところで、プラズマ生成領域ＡＲにてドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０を照射できるよう、ドロップレットターゲットＤＬを吐出するノズル４２の位置が調整されている。この状態でドロップレットターゲットＤＬに対してレーザ光９０を照射すると、ドロップレットターゲットＤＬは加熱されプラズマ化する。その影響でプラズマ生成領域ＡＲ周辺のガスも加熱されて膨張し、その圧力波はプラズマ生成領域ＡＲを中心に例えば半径４０ｍｍ程度の範囲に外向きに伝搬する。圧力波が当該範囲を通過することにより、第２空間１１ｂでのガス流れの分布は時間的に変化し、この間に通過するドロップレットターゲットＤＬがガスの流れによってＸ方向にずれる量も時間的に変化する。ドロップレットターゲットＤＬのずれ量が時間変動することによって、ドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置がずれ、レーザ光９０を照射されたドロップレットターゲットＤＬから生成されるＥＵＶ光１０１の強度が安定化しないことがある。なお、ドロップレットターゲットＤＬは、第１開口５０１からのガスの流れによってＸ方向にずれ、ドロップレット供給開口５０７及びドロップレット排出開口５０９からのガスの流れによってＹ方向にずれる傾向にある。また、ドロップレットターゲットＤＬは、第２開口５０５からのガスの流れによってチャンバ１０の内部空間におけるレーザ光９０の進行方向にずれる傾向にある。しかし、第１開口５０１の面積が第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、及びドロップレット排出開口５０９のそれぞれの面積よりも大きいため、ドロップレットターゲットＤＬは、他の方向よりもＸ方向に大きくずれる傾向にある。図６は、上記のようにレーザ光９０の照射位置がずれたドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０を照射した直後に生成されるＥＵＶ光１０１の強度の変化を示す図である。図６の横軸はレーザ光９０のパルス数を示し、縦軸はＥＵＶ光１０１の強度を示す。ドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置がずれると、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬを照射し続けても、ＥＵＶ光１０１の強度が安定化しない懸念が生じる。ＥＵＶ光１０１の強度が安定化しないと、露光装置２００や検査装置３００から要求される性能を満たすＥＵＶ光１０１が出射されず、ＥＵＶ光生成装置１００の信頼性が低下するという懸念が生じる。

そこで、以下の実施形態では、信頼性の低下が抑制され得るＥＵＶ光生成装置１００が例示される。

４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

４．１ 構成
図７は、本実施形態におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面図である。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、筐体５００の構成が比較例の筐体５００と異なり、ドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸の沿う方向が比較例のレーザ光９０の光軸の沿う方向と異なる。なお、比較例では、ドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸の沿う方向はＺ方向である。比較例と同様に、本実施形態のプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向は、Ｘ方向である。

本実施形態の筐体５００には、第２開口５０５が設けられていない。このため、本実施形態のレーザ光９０は、第１空間１１ａにおいてＥＵＶ光集光ミラー７５の側方を通過し、第１開口５０１からプラズマ生成領域ＡＲに進行する。また、本実施形態では、ドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸がプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿うように、当該レーザ光９０はプラズマ生成領域ＡＲに進行する。プラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に対するドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸の傾き角度は、例えば２０度以内であることが好ましい。

４．２ 作用・効果
本実施形態のチャンバ１０装置では、ドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸は、プラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿う。

ガスが第２空間１１ｂをＸ方向に流れると、プラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットターゲットＤＬは、Ｘ方向にずれる傾向にあり、レーザ照射の影響でドロップレットターゲットＤＬのＸ方向のずれ量が時間的に変化する。この構成によれば、レーザ光９０を照射されるドロップレットターゲットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向にずれても、当該ドロップレットターゲットＤＬは当該ドロップレットターゲットＤＬを照射するレーザ光９０の光軸上に位置する。従って、ドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置のずれが抑制され得る。当該ずれの抑制により、レーザ光９０を照射されたドロップレットターゲットＤＬから生成されるＥＵＶ光１０１の強度が安定化し得る。従って、露光装置２００や検査装置３００から要求される性能を満たすＥＵＶ光１０１が出射され得、ＥＵＶ光生成装置１００の信頼性の低下が抑制され得る。

また、レーザ光９０は、第１開口５０１からプラズマ生成領域ＡＲに進行する。この構成によれば、第１開口５０１から第２空間１１ｂに流れるガスの大部分はＸ方向に進行するため、ドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸をプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿い易くし得る。

５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

５．１ 構成
図８は、本実施形態におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面図である。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ＥＵＶ光集光ミラー７５の構成及びＥＵＶ光集光ミラー７５に対するレーザ光９０の通過位置が実施形態１とは異なる。

本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー７５は、第１開口５０１に進行するレーザ光９０が通過するミラー開口７５ｃを含む。ミラー開口７５ｃは、ＥＵＶ光集光ミラー７５の中央に設けられ、第１開口５０１に対向する。従って、レーザ光９０は、ＥＵＶ光集光ミラー７５の中央を通過する。なお、ミラー開口７５ｃは、第１開口５０１に対向すればＥＵＶ光集光ミラー７５においてどこに設けられていてもよい。ミラー開口７５ｃの面積は、第１開口５０１の面積よりも小さいが、第１開口５０１の面積以上であってもよい。

５．２ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー７５は、ミラー開口７５ｃを含む。この構成によれば、レーザ光９０がミラー開口７５ｃ及び第１開口５０１を通過してプラズマ生成領域ＡＲに進行するため、ＥＵＶ光集光ミラー７５や筐体５００といったチャンバ１０の内部空間に配置される機器の配置の自由度が向上し得る。また、ミラー開口７５ｃは、第１開口５０１に対向する。この構成によれば、ドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸をプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向により沿い易くし得る。なお、ドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸がプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿うのであれば、ミラー開口７５ｃは第１開口５０１に対向してなくてもよい。

６．実施形態３の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

６．１ 構成
図９は、本実施形態におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面図である。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ＥＵＶ光生成装置１００の構成が比較例とは異なる。

本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１空間１１ａにおいてレーザ光９０の光路を囲う第１配管５５１と、筐体５００に設けられ、第２開口５０５に向かい合う第１ガス通過口５１３と、第１ガス通過口５１３に接続される第２配管５５５とをさらに備える。

第１配管５５１は、第１空間１１ａからチャンバ１０の外部に延在しており、チャンバ１０の外部においてガス配管６０３ｂの内側に位置している。ガス配管６０３ｂはチャンバ１０の外壁に接続されており、ガス配管６０３ｂには第１配管５５１の内部を通過するレーザ光９０が透過するウィンドウ６０３ｃが設けられている。また、ガス配管６０３ｂは、チャンバ１０の外部において第２ガス供給装置６０３に接続されている。第２ガス供給装置６０３は、ガス配管６０３ｂを通じて第１配管５５１にガスを供給する。このガスは、エッチングガスである。第２ガス供給装置６０３は、プロセッサ１２０によって駆動を制御される。ガス配管６０３ｂには、バルブである不図示の供給ガス流量調節部が配置されてもよい。図９では、ガス配管６０３ｂ及び第１配管５５１におけるガスの流れを矢印Ｆ４で示している。第１配管５５１に流入するガスの流量は、例えば、４０ｎｌｍ以上６０ｎｌｍ以下である。

また、第１配管５５１は、第１空間１１ａにおいて第２開口５０５に向かって延在している。第１配管５５１は、第２開口５０５に接続されている。このように延在する第１配管５５１は、第２ガス供給装置６０３からガス配管６０３ｂを通じて流れるガスを、第２開口５０５を通じてプラズマ生成領域ＡＲに供給する。第２空間１１ｂにおいてプラズマ生成領域ＡＲ側に位置する第１配管５５１の先端は、プラズマ生成領域ＡＲから例えば２０ｍｍ以上離れている。第１配管５５１は、プラズマ生成領域ＡＲに向かって徐々に先細にされてもよい。なお、第１配管５５１は、第２開口５０５に接続されている必要はなく、第１配管５５１の先端が第１空間１１ａにおいて第２開口５０５に向かい合ってもよい。

第１配管５５１からプラズマ生成領域ＡＲに進行するガスのプラズマ生成領域ＡＲにおける第１流速は、第１空間１１ａから第１開口５０１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに進行するガスのプラズマ生成領域ＡＲにおける第２流速より速い。第１流速は、例えば、２００ｍ／ｓ以上６００ｍ／ｓ以下であり、４００ｍ／ｓが好ましい。また、第２流速は、例えば、４０ｍ／ｓ以上８０ｍ／ｓ以下であり、６０ｍ／ｓが好ましい。

第１ガス通過口５１３は、プラズマ生成領域ＡＲを基準にして第２開口５０５とは反対側に設けられる。第１ガス通過口５１３の面積は、第２開口５０５の面積以上であることが好ましいが、第２開口５０５の面積より小さくてもよい。

第２配管５５５は、第１空間１１ａからチャンバ１０の外部に延在する。また、第２配管５５５は、チャンバ１０の外部に配置される第２排気装置５３３に接続される。第２排気装置５３３は、吸引ポンプを含む。本実施形態では、第２排気装置５３３が設けられておらず、第２配管５５５は第１排気装置５３１に接続されてもよい。

６．２ 動作
次に、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。

第２ガス供給装置６０３は、ガス配管６０３ｂを通じて第１配管５５１にガスを供給する。当該ガスは、第１配管５５１を流れ、第１配管５５１からプラズマ生成領域ＡＲに向かって流れる。このため、プラズマ生成領域ＡＲでのガスは、実施形態１とは異なり、Ｘ方向よりも第１配管５５１の延在方向に流れ易い。そしてガスの大部分は、プラズマ生成領域ＡＲ及び第１ガス通過口５１３を通過して、第２配管５５５に流れる。第２配管５５５に流れたガスは、第２排気装置５３３の吸引によって第２排気装置５３３に排気される。図９では、第２配管５５５におけるガスの流れを矢印Ｆ５で示している。また、ガスの別の一部は、実施形態１と同様にＸ方向に流れて、第１排気装置５３１の吸引によって第１排気装置５３１に排気される。

レーザ光９０は、第１配管５５１を通りプラズマ生成領域ＡＲに進行する。このＥＵＶ光生成装置１００では、ドロップレットターゲットＤＬに照射される際のレーザ光９０の光軸は、プラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向、つまり、第１配管５５１の延在方向に沿う。このため、第１配管５５１を通るレーザ光９０を照射されるドロップレットターゲットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向にずれても、当該ドロップレットターゲットＤＬはレーザ光９０の光軸上に位置する。これにより、ドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置のずれが抑制される。そして、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬを照射すると、プラズマが生成されると共に、プラズマからＥＵＶ光１０１が放射される。ＥＵＶ光１０１は、第１開口５０１を通過してＥＵＶ光集光ミラー７５に進行し、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって入射方向と異なる方向に反射して露光装置２００に進行する。

６．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１空間１１ａにおいてレーザ光９０の光路を囲う第１配管５５１をさらに備える。第１配管５５１は、第２開口５０５に向かって延在し、ガスをチャンバ１０の外部からプラズマ生成領域ＡＲに供給する。この構成によれば、レーザ光９０の光軸をプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿い易くし得る。従って、レーザ光９０を照射されるドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置のずれがより抑制され得る。

また、第１流速は、第２流速より速い。この構成によれば、レーザ光９０を照射されるドロップレットターゲットＤＬは、第１空間１１ａから第１開口５０１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに進行するガスが流れるＸ方向より第１配管５５１からプラズマ生成領域ＡＲに進行するガスが流れる方向にずれ易くなり得る。そして、この構成では、第１配管５５１に沿ってレーザ光９０が進行する。従って、上記のようにドロップレットターゲットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向にずれても、当該ドロップレットターゲットＤＬはレーザ光９０の光軸上に位置するため、ドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置のずれが抑制され得る。当該ずれが抑制されると、レーザ光９０を照射されたドロップレットターゲットＤＬから生成されるＥＵＶ光１０１の強度が安定化し得る。なお、第１流速は、第２流速以下であってもよい。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、筐体５００に設けられ、第２開口５０５に向かい合う第１ガス通過口５１３と、第１ガス通過口５１３に接続され、第１空間１１ａからチャンバ１０の外部に延在する第２配管５５５とをさらに備える。この構成によれば、第１配管５５１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに供給されたガスは、プラズマ生成領域ＡＲを通過して、第１ガス通過口５１３及び第２配管５５５を通じてチャンバ１０の外部に排気され得る。これにより、プラズマ生成領域ＡＲを通過したガスが筐体５００の内壁１０ｂに衝突することが抑制され得、衝突によるプラズマ生成領域ＡＲにおけるガスの流れの乱れが抑制され得る。従って、レーザ光９０の光軸をプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿い易くし得る。

なお、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００において、第１ガス通過口５１３、第２配管５５５、及び第２排気装置５３３は、設けられていなくてもよい。

図１０は、本実施形態の変形例１におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面図である。本変形例の第１配管５５１は、第２開口５０５を通り第２空間１１ｂにおいてプラズマ生成領域ＡＲに向かって延在する。この構成によれば、レーザ光９０の光軸をプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向にさらに沿い易くし得る。

図１１は、本実施形態の変形例２におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面図である。本変形例のＥＵＶ光生成装置１００では、第２排気装置５３３が設けられておらず、ＥＵＶ光生成装置１００及び筐体５００の構成が実施形態３とは異なる。

本変形例のＥＵＶ光生成装置１００は、筐体５００に設けられる第２ガス通過口５１５と、第１空間１１ａに配置され、第１ガス通過口５１３及び第２ガス通過口５１５に接続される第３配管５５７とを備える。第２ガス通過口５１５は、筐体５００における第１開口５０１、ガス排気口５０３、第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、ドロップレット排出開口５０９、及び第１ガス通過口５１３と異なる位置に設けられる。

この構成によれば、第１配管５５１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに供給されたガスは、プラズマ生成領域ＡＲを通過して、第１ガス通過口５１３、第３配管５５７、及び第２ガス通過口５１５を通じて第２空間１１ｂに進行する。図１１では、第３配管５５７におけるガスの流れを矢印Ｆ６で示している。そして、ガスは、ガス排気口５０３からチャンバ１０の外部に排気され得る。また、この構成によれば、第２配管５５５をチャンバ１０の外部に延在させる開口をチャンバ１０に設ける必要がなく、第２排気装置５３３が不要となり得、チャンバ１０の構成を簡素にし得る。

また、第２ガス通過口５１５は、Ｘ方向において、第１ガス通過口５１３及びガス排気口５０３の間に位置する。この構成によれば、第３配管５５７を流れるガスは、プラズマ生成領域ＡＲの下流側に進行する。このため、プラズマ生成領域ＡＲを通過したガスによるプラズマ生成領域ＡＲにおけるドロップレットターゲットＤＬの軌道の乱れが抑制され得る。

なお、本変形例においても第１配管５５１は、第２開口５０５を通り抜ける必要はなく、第２開口５０５に接続されてもよいし、第１配管５５１の先端が第１空間１１ａにおいて第２開口５０５に向かい合っていてもよい。

７．実施形態４の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態４のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

７．１ 構成
図１２は本実施形態におけるドロップレットターゲットＤＬを照射する際のレーザ光９０の光軸に垂直な断面図であり、図１３はドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面図である。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ＥＵＶ光生成装置１００の構成が比較例とは異なる。

ＥＵＶ光生成装置１００は、ターゲット供給配管５７１と、ターゲット受け配管５７３と、ガス通過配管５７５とをさらに備える。

ターゲット供給配管５７１は、第１空間１１ａにおいてＹ方向に沿って配置され、チャンバ１０の外部に延在している。ターゲット供給配管５７１は、チャンバ１０の外部に位置するターゲット供給部４０から供給されるドロップレットターゲットＤＬの軌道を囲う。本実施形態のターゲット供給配管５７１は、ドロップレット供給開口５０７を通り第２空間１１ｂにおいてプラズマ生成領域ＡＲに向かって延在する。第２空間１１ｂにおいてプラズマ生成領域ＡＲ側に位置するターゲット供給配管５７１の先端は、プラズマ生成領域ＡＲから例えば２０ｍｍ以上離れている。

チャンバ１０の外部におけるターゲット供給配管５７１には、ターゲットガス供給口５７１ａが設けられている。このターゲットガス供給口５７１ａにはガス配管６０５ｂが接続され、ガス配管６０５ｂにはチャンバ１０の外部において第３ガス供給装置６０５が接続されている。第３ガス供給装置６０５はガス配管６０５ｂを通じてターゲットガス供給口５７１ａにガスを供給し、ターゲットガス供給口５７１ａはターゲット供給配管５７１を通じてガスをプラズマ生成領域ＡＲに供給する。このガスは、エッチングガスである。第３ガス供給装置６０５は、プロセッサ１２０によって駆動を制御される。ガス配管６０５ｂには、バルブである不図示の供給ガス流量調節部が配置されてもよい。図１３では、ガス配管６０５ｂ及びターゲット供給配管５７１におけるガスの流れを矢印Ｆ７で示している。ターゲット供給配管５７１に流入するガスの流量は、例えば、４０ｎｌｍ以上６０ｎｌｍ以下である。

ターゲットガス供給口５７１ａからターゲット供給配管５７１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに進行するガスのプラズマ生成領域ＡＲにおける第３流速は、例えば２００ｍ／ｓ以上６００ｍ／ｓ以下であり、４００ｍ／ｓが好ましい。第３流速は、第１空間１１ａから第１開口５０１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに進行するガスのプラズマ生成領域ＡＲにおける第２流速より速い。

ターゲット受け配管５７３は、第１空間１１ａに配置され、ドロップレット排出開口５０９に接続され、開口１０ａに向かってＹ方向に沿って延在している。このようにしてターゲット受け配管５７３は、ドロップレット排出開口５０９を通過したドロップレットターゲットＤＬの軌道を囲う。

ターゲット受け配管５７３にはターゲット受け排気口５７３ａが設けられ、ターゲット受け排気口５７３ａにはガス通過配管５７５が接続されている。ターゲット受け排気口５７３ａは、筐体５００の第２空間１１ｂからドロップレット排出開口５０９を通じてターゲット受け配管５７３に流れたガスをガス通過配管５７５に排気する。図１２では、ターゲット受け配管５７３におけるガスの流れを矢印Ｆ８で示し、ガス通過配管５７５におけるガスの流れを矢印Ｆ９で示す。

ガス通過配管５７５は、チャンバ１０の外部に延在しており、筐体５００に設けられるガス通過口５１７に接続されている。ガス通過口５１７は、筐体５００における第１開口５０１、ガス排気口５０３、第２開口５０５、ドロップレット供給開口５０７、ドロップレット排出開口５０９と異なる位置に設けられる。ガス通過口５１７は、Ｘ方向において、ドロップレット排出開口５０９及びガス排気口５０３の間に位置する。

本実施形態の検出部２７は、ドロップレットターゲットＤＬに向かって光９２を出射する光源ユニット７１０と、光源ユニット７１０から出射される光９２を検出する撮像ユニット７２０とを含む。光源ユニット７１０と撮像ユニット７２０とは、プロセッサ１２０に電気的に接続される。光源ユニット７１０は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道を基準として撮像ユニット７２０側とは反対側に配置される。つまり、光源ユニット７１０及び撮像ユニット７２０は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道を挟んで対向して配置される。また、光源ユニット７１０及び撮像ユニット７２０が並ぶ方向は、当該軌道と直交しているが、当該軌道と非直交でもよい。光源ユニット７１０は、チャンバ１０の外側においてチャンバ１０の内壁１０ｂに取り付けられ、内壁１０ｂに設けられるウィンドウ７３１ａと同軸上に配置される。撮像ユニット７２０も、チャンバ１０の内壁１０ｂに取り付けられ、内壁１０ｂに設けられるウィンドウ７３１ｂと同軸上に配置される。

光源ユニット７１０は、容器７１５と、容器７１５に収容される光源７１１及び照明光学系７１３とを含む。光源７１１は、例えば、単色のレーザ光を出射する光源でもよいし、複数の波長を含む光を出射するフラッシュランプでもよい。照明光学系７１３は、光源７１１から出射される光９２をウィンドウ７３１ａ及び筐体５００の開口５１９ａを介してドロップレットターゲットＤＬの軌道上に集光する。照明光学系７１３は、例えば、コリメートレンズを含む。

撮像ユニット７２０は、容器７２５と、容器７２５に収容される受光光学系７２１及び撮像部７２３とを含む。受光光学系７２１は、例えば、集光レンズを含む。受光光学系７２１は、第２空間１１ｂからの光９２を筐体５００の開口５１９ｂ及びウィンドウ７３１ｂを介して撮像部７２３に集光する。具体的には、受光光学系７２１は、ドロップレットターゲットＤＬの検出精度を向上させるために、ドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲における像を撮像部７２３の受光面に結像する。光源ユニット７１０による光９２の集光領域をドロップレットターゲットＤＬが通過するときに、撮像部７２３はドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲を通る光９２の変化を検出する。撮像部７２３は、検出した光９２の変化を、ドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号としての電気信号に変換する。撮像部７２３は、この電気信号をプロセッサ１２０に出力する。また、撮像部７２３は、ドロップレットターゲットＤＬの検出タイミングに係る信号をプロセッサ１２０に出力する。プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬの検出タイミングに係る信号に対して所定時間遅延させた発光トリガ信号をレーザ装置ＬＤに出力する。撮像部７２３は、例えば、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）、フォトダイオード等である。光源ユニット７１０、撮像ユニット７２０、開口５１９ａ，５１９ｂ、及びウィンドウ７３１ａ，７３１ｂは、検出部２７によるドロップレットターゲットＤＬの検出地点が第２空間１１ｂにおいてプラズマ生成領域ＡＲからドロップレット供給開口５０７に向かって例えば２ｍｍに位置するように、設けられる。

７．２ 動作
次に、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。

ターゲット供給部４０はドロップレットターゲットＤＬを吐出し、ドロップレットターゲットＤＬはターゲット供給配管５７１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに進行する。そして、不要なドロップレットターゲットＤＬは、プラズマ生成領域ＡＲを通過して、ドロップレット排出開口５０９、ターゲット受け配管５７３、及び開口１０ａを通じてターゲット回収部１４によって回収される。

この状態で、光源ユニット７１０はドロップレットターゲットＤＬに向けて光９２を出射し、撮像ユニット７２０は当該光９２を検出する。

第３ガス供給装置６０５は、ガス配管６０５ｂ及びターゲットガス供給口５７１ａを通じてターゲット供給配管５７１にガスを供給する。当該ガスは、ターゲット供給配管５７１を流れ、ターゲット供給配管５７１からプラズマ生成領域ＡＲに向かって流れる。このため、プラズマ生成領域ＡＲでのガスは、実施形態１とは異なり、Ｘ方向よりもターゲット供給配管５７１の延在方向に流れ易い。そしてガスの大部分は、プラズマ生成領域ＡＲ、ターゲット受け配管５７３、及びターゲット受け排気口５７３ａを通過して、ガス通過配管５７５に流れる。そして、ガス通過配管５７５に流れたガスは、ガス通過口５１７を通じて第２空間１１ｂに流れ第１排気装置５３１の吸引によって第１排気装置５３１に排気される。また、ガスの別の一部は、実施形態１と同様にＸ方向に流れて、第１排気装置５３１の吸引によって第１排気装置５３１に排気される。

本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ターゲット供給部４０からプラズマ生成領域ＡＲに供給されるドロップレットターゲットＤＬの進行方向は、ターゲット供給配管５７１から供給されたプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿う。ガスが第３ガス供給装置６０５からガス配管６０５ｂ及びターゲット供給配管５７１を経由してプラズマ生成領域ＡＲに向かってＹ方向に流れるため、プラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットターゲットＤＬはガスが流れる方向にずれる傾向にある。ガスが流れる方向は、Ｙ方向である。

プロセッサ１２０は、検出部２７からドロップレットターゲットＤＬの検出タイミングに係る信号を受信し、当該信号に対して所定時間遅延させた発光トリガ信号をレーザ装置ＬＤに出力する。検出部２７によるドロップレットターゲットＤＬの検出地点がプラズマ生成領域ＡＲの極めて近くに位置するため、レーザ光９０を照射されるドロップレットターゲットＤＬがガスが流れる方向にずれても、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲに到達するタイミングへの影響は極めて小さい。そのため、ドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置のずれも極めて小さくなる。そして、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬを照射すると、プラズマが生成されると共に、プラズマからＥＵＶ光１０１が放射される。ＥＵＶ光１０１は、第１開口５０１を通過してＥＵＶ光集光ミラー７５に進行し、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって入射方向と異なる方向に反射して露光装置２００に進行する。

７．３ 作用・効果
本実施形態のチャンバ１０装置では、プロセッサ１２０は、検出部２７からドロップレットターゲットＤＬの検出タイミングに係る信号を受信し、当該信号に対して所定時間遅延させた発光トリガ信号をレーザ装置ＬＤに出力する。

ガスが第２空間１１ｂをＹ方向に流れると、上記のようにプラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットターゲットＤＬは、第２空間１１ｂにおけるガスの流れによってガスが流れる方向にずれる傾向にある。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ターゲット供給部４０からプラズマ生成領域ＡＲに供給されるドロップレットターゲットＤＬの進行方向は、ターゲット供給配管５７１から供給されたプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿う。上記の構成では、検出部２７によるドロップレットターゲットＤＬの検出地点がプラズマ生成領域ＡＲの直上に位置し、検出部２７によって検出地点でのドロップレットターゲットＤＬの通過を検出した上で、レーザ装置ＬＤの照射タイミングを決めている。このため、レーザ光９０を照射されるドロップレットターゲットＤＬがガスが流れる方向にずれても、ドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置のずれが抑制され得る。当該ずれの抑制により、レーザ光９０を照射されたドロップレットターゲットＤＬから生成されるＥＵＶ光１０１の強度が安定化し得る。従って、露光装置２００や検査装置３００から要求される性能を満たすＥＵＶ光１０１が出射され得、ＥＵＶ光生成装置１００の信頼性の低下が抑制され得る。

また、ターゲット供給配管５７１は、ドロップレット供給開口５０７を通り第２空間１１ｂにおいてプラズマ生成領域ＡＲに向かって延在する。この構成によれば、ターゲット供給部４０からプラズマ生成領域ＡＲに向かって供給されるドロップレットターゲットＤＬを、ターゲット供給配管５７１を経由してプラズマ生成領域ＡＲに向かうプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿い易くし得る。なお、ターゲット供給配管５７１は、ドロップレット供給開口５０７を通り抜ける必要はなく、ドロップレット供給開口５０７に接続されてもよい。または、ターゲット供給配管５７１の先端は、第１空間１１ａにおいてドロップレット供給開口５０７に向かい合ってもよい。

また、第３流速は、第２流速より速い。この構成によれば、プラズマ生成領域ＡＲにおいてレーザ光９０を照射されるドロップレットターゲットＤＬは、第１空間１１ａから第１開口５０１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに進行するガスが流れる方向よりもターゲット供給配管５７１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに進行するガスが流れる方向にずれ易くなり得る。この構成では、ターゲット供給配管５７１に沿ってレーザ光９０が進行する。従って、上記のように当該ドロップレットターゲットＤＬがガスが流れる方向にずれても、当該ドロップレットターゲットＤＬはレーザ光９０の光軸上に位置するため、ドロップレットターゲットＤＬに対するレーザ光９０の照射位置のずれが抑制され得る。当該ずれが抑制されると、レーザ光９０を照射されたドロップレットターゲットＤＬから生成されるＥＵＶ光１０１の強度が安定化し得る。なお、第３流速は、第２流速以下であってもよい。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、ドロップレット排出開口５０９とターゲット受け配管５７３とを備える。この構成によれば、ターゲット供給配管５７１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに供給されたガスは、プラズマ生成領域ＡＲを通過して、ドロップレット排出開口５０９及びターゲット受け配管５７３を通じてチャンバ１０の外部に排気され得る。これにより、ターゲット供給配管５７１を通じてプラズマ生成領域ＡＲに供給され、プラズマ生成領域ＡＲを通過したガスが筐体５００の内壁１０ｂに衝突することが抑制され得、衝突によるプラズマ生成領域ＡＲにおけるガスの流れの乱れが抑制され得る。従って、レーザ光９０の光軸をプラズマ生成領域ＡＲでのガスが流れる方向に沿い易くし得る。なお、ターゲット受け配管５７３は設けられてなくてもよい。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、ターゲット受け排気口５７３ａと、ガス通過口５１７と、ガス通過配管５７５とをさらに備える。この構成によれば、第２空間１１ｂからターゲット受け配管５７３に流れたガスは、ターゲット受け排気口５７３ａ、第２配管５５５、及びガス通過口５１７を通じて第２空間１１ｂに進行し、ガス排気口５０３からチャンバ１０の外部に排気され得る。従って、ターゲット受け配管５７３にガスが溜まり、ターゲット受け配管５７３にデブリが堆積することが抑制され得る。

また、ガス通過口５１７は、ドロップレット排出開口５０９及びガス排気口５０３の間に位置する。この構成によれば、ターゲット受け配管５７３を流れるガスは、プラズマ生成領域ＡＲの下流側に進行する。このため、プラズマ生成領域ＡＲを通過したガスによるプラズマ生成領域ＡＲにおけるドロップレットターゲットＤＬの軌道の乱れが抑制され得る。

なお、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００において、ターゲット受け配管５７３、ガス通過口５１７、及びガス通過配管５７５は、設けられていなくてもよい。或いは、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００において、ターゲット受け排気口５７３ａ、ガス通過口５１７、及びガス通過配管５７５は、設けられていなくてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
   前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記内部空間における前記ドロップレットターゲットの軌道上及び前記内部空間における前記プラズマ生成領域への前記レーザ光の光路上以外において前記プラズマ生成領域を囲い、前記プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口を含む筐体と、
   前記内部空間における前記筐体の外側の第１空間に配置され、前記第１開口を通過した前記極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
   前記チャンバに設けられ、ガスを前記チャンバの外部から前記第１空間に供給するガス供給口と、
   前記チャンバの外部において前記筐体に設けられ、前記第１空間から前記第１開口を通じて前記筐体の内部の第２空間に流れる前記ガスを前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
   を備え、
   前記ドロップレットターゲットに照射される際の前記レーザ光の光軸は、前記プラズマ生成領域での前記ガスが流れる方向に沿う
   極端紫外光生成装置。
2. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記レーザ光は、前記第１開口から前記プラズマ生成領域に進行する。
3. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記集光ミラーは、前記第１開口に進行する前記レーザ光が通過すると共に前記第１開口に対向するミラー開口を含む。
4. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記プラズマ生成領域での前記ガスが流れる方向に対する前記ドロップレットターゲットに照射される際の前記レーザ光の光軸の傾き角度は、２０度以内である。
5. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記第１空間において前記レーザ光を囲い、前記第１空間から前記チャンバの外部に延在する第１配管をさらに備え、
   前記第１配管は、前記レーザ光が前記第１空間から前記プラズマ生成領域に向かって通過する前記筐体における第２開口に向かって延在し、ガスを前記チャンバの外部から前記第２開口を通じて前記プラズマ生成領域に供給する。
6. 請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記第１配管から前記プラズマ生成領域に進行する前記ガスの前記プラズマ生成領域における第１流速は、前記第１空間から前記第１開口を通じて前記プラズマ生成領域に進行する前記ガスの前記プラズマ生成領域における第２流速より速い。
7. 請求項６に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記第１流速は、２００ｍ／ｓ以上６００ｍ／ｓ以下である。
8. 請求項６に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記第２流速は、４０ｍ／ｓ以上８０ｍ／ｓ以下である。
9. 請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記筐体に設けられ、前記第２開口に向かい合う第１ガス通過口と、
   前記第１ガス通過口に接続され、前記第１空間から前記チャンバの外部に延在する第２配管と、
   をさらに備える。
10. 請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１配管は、前記第２開口を通り前記第２空間において前記プラズマ生成領域に向かってさらに延在する。
11. 請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記筐体に設けられ、前記第２開口に向かい合う第１ガス通過口と、
    前記筐体における前記第１開口、前記第２開口、前記ガス排気口、及び前記第１ガス通過口と異なる位置に設けられる第２ガス通過口と、
    前記第１空間に配置され、前記第１ガス通過口及び前記第２ガス通過口に接続される第３配管と、
    をさらに備える。
12. 請求項１１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第２ガス通過口は、前記ガス排気口及び前記第１ガス通過口の間に位置する。
13. プラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
    前記プラズマ生成領域にドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、
    前記プラズマ生成領域において前記ドロップレットターゲットからプラズマが生成されるように前記ドロップレットターゲットにレーザ光を照射するレーザ装置と、
    制御部と、
    を備え、
    前記チャンバは、
    前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記内部空間における前記プラズマ生成領域へのレーザ光の光路上以外において前記プラズマ生成領域を囲い、前記プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口及び前記ターゲット供給部から前記プラズマ生成領域に供給される前記ドロップレットターゲットが通過するドロップレット供給開口を含む筐体と、
    前記内部空間における前記筐体の外側の第１空間に配置され、前記第１開口を通過した前記極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
    前記チャンバに設けられ、ガスを前記チャンバの外部から前記第１空間に供給するガス供給口と、
    前記チャンバの外部において前記筐体に設けられ、前記第１空間から前記第１開口を通じて前記筐体の内部の第２空間に流れる前記ガスを前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    前記第１空間に配置され、前記ターゲット供給部から供給される前記ドロップレットターゲットの軌道を囲うターゲット供給配管と、
    前記ターゲット供給配管に設けられ、前記ターゲット供給配管を通じてガスを前記プラズマ生成領域に供給するターゲットガス供給口と、
    前記ターゲット供給部から前記プラズマ生成領域に供給される前記ドロップレットターゲットを検出する検出部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記検出部から前記ドロップレットターゲットの検出タイミングに係る信号を受信し、当該信号に対して所定時間遅延させた発光トリガ信号を前記レーザ装置に出力する
    極端紫外光生成装置。
14. 請求項１３に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ターゲット供給配管は、前記ドロップレット供給開口を通り前記第２空間において前記プラズマ生成領域に向かって延在する。
15. 請求項１３に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ターゲットガス供給口から前記ターゲット供給配管を通じて前記プラズマ生成領域に進行する前記ガスの前記プラズマ生成領域における第３流速は、前記第１空間から前記第１開口を通じて前記プラズマ生成領域に進行する前記ガスの前記プラズマ生成領域における第２流速より速い。
16. 請求項１３に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記筐体に設けられ、前記プラズマ生成領域を通過した前記ドロップレットターゲットが通過するドロップレット排出開口と、
    前記第１空間に配置され、前記ドロップレット排出開口に接続され、前記ドロップレット排出開口を通過した前記ドロップレットターゲットの軌道を囲うターゲット受け配管と、
    をさらに備える。
17. 請求項１６に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ターゲット受け配管に設けられ、前記第２空間から前記ターゲット受け配管に流れる前記ガスを排気するターゲット受け排気口と、
    前記筐体における前記第１開口、前記ドロップレット供給開口、前記ドロップレット排出開口、及び前記ガス排気口と異なる位置に設けられるガス通過口と、
    前記ターゲット受け排気口及び前記ガス通過口に接続されるガス通過配管と、
    をさらに備える。
18. 請求項１７に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ガス通過口は、前記ドロップレット排出開口及び前記ガス排気口の間に位置する。
19. レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
    前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記内部空間における前記ドロップレットターゲットの軌道上以外において前記プラズマ生成領域を囲い、前記プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口及び前記レーザ光が前記プラズマ生成領域に向かって通過する第２開口を含む筐体と、
    前記内部空間における前記筐体の外側の第１空間に配置され、前記第１開口を通過した前記極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
    前記チャンバに設けられ、ガスを前記チャンバの外部から前記第１空間に供給するガス供給口と、
    前記チャンバの外部において前記筐体に設けられ、前記第１空間から前記第１開口を通じて前記筐体の内部の第２空間に流れる前記ガスを前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    を備え、
    前記ドロップレットターゲットに照射される際の前記レーザ光の光軸は、前記プラズマ生成領域での前記ガスが流れる方向に沿う極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む電子デバイスの製造方法。
20. レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
    前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記内部空間における前記ドロップレットターゲットの軌道上以外において前記プラズマ生成領域を囲い、前記プラズマから生成される極端紫外光が通過する第１開口及び前記レーザ光が前記プラズマ生成領域に向かって通過する第２開口を含む筐体と、
    前記内部空間における前記筐体の外側の第１空間に配置され、前記第１開口を通過した前記極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
    前記チャンバに設けられ、ガスを前記チャンバの外部から前記第１空間に供給するガス供給口と、
    前記チャンバの外部において前記筐体に設けられ、前記第１空間から前記第１開口を通じて前記筐体の内部の第２空間に流れる前記ガスを前記チャンバの外部に排気するガス排気口と、
    を備え、
    前記ドロップレットターゲットに照射される際の前記レーザ光の光軸は、前記プラズマ生成領域での前記ガスが流れる方向に沿う極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
    前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
    前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
    ことを含む電子デバイスの製造方法。

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