JPWO2020100269A1 - 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 331
- 239000013076 target substance Substances 0.000 claims description 31
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 23
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 69
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 25
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 102100031798 Protein eva-1 homolog A Human genes 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 102100022441 Sperm surface protein Sp17 Human genes 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N stannane Chemical compound [SnH4] KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000080 stannane Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 101100365087 Arabidopsis thaliana SCRA gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000737052 Homo sapiens Coiled-coil domain-containing protein 54 Proteins 0.000 description 1
- 101100333868 Homo sapiens EVA1A gene Proteins 0.000 description 1
- 101000824971 Homo sapiens Sperm surface protein Sp17 Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001067830 Mus musculus Peptidyl-prolyl cis-trans isomerase A Proteins 0.000 description 1
- 101100310674 Tenebrio molitor SP23 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100438139 Vulpes vulpes CABYR gene Proteins 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component
-
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- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
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Abstract
極端紫外光生成装置は、極端紫外光生成装置は、内部空間のプラズマ生成領域に照射されるレーザ光によりターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる極端紫外光を集光させる集光ミラーと、チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、極端紫外光の光路を横切る磁場軸を含む磁場を発生させる磁場発生部と、チャンバにおける磁場軸が通る位置に設けられる第１排気口と、第１排気口を通り集光ミラーの光軸に垂直な面を基準としてチャンバにおける集光ミラー側と反対側の位置に設けられる第２排気口と、第１排気口から排気される第１排ガスの排気量と第２排気口から排気される第２排ガスの排気量との比を調節するガス排気量調節部と、を備えてもよい。
Description
本開示は、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、内部空間のプラズマ生成領域に照射されるレーザ光によりターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる極端紫外光を集光させる集光ミラーと、チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、極端紫外光の光路を横切る磁場軸を含む磁場を発生させる磁場発生部と、チャンバにおける磁場軸が通る位置に設けられる第１排気口と、第１排気口を通り集光ミラーの光軸に垂直な面を基準としてチャンバにおける集光ミラー側と反対側の位置に設けられる第２排気口と、第１排気口から排気される第１排ガスの排気量と第２排気口から排気される第２排ガスの排気量との比を調節するガス排気量調節部と、を備えてもよい。
また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光し、極端紫外光生成装置は、内部空間のプラズマ生成領域に照射されるレーザ光によりターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる極端紫外光を集光させる集光ミラーと、チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、極端紫外光の光路を横切る磁場軸を含む磁場を発生させる磁場発生部と、チャンバにおける磁場軸が通る位置に設けられる第１排気口と、第１排気口を通り集光ミラーの光軸に垂直な面を基準としてチャンバにおける集光ミラー側と反対側の位置に設けられる第２排気口と、第１排気口から排気される第１排ガスの排気量と第２排気口から排気される第２排ガスの排気量との比を調節するガス排気量調節部と、を備えてもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。
図２は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。
図３は、比較例におけるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバを含む一部の概略構成を示す模式図である。
図４は、実施形態１におけるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバを含む一部の概略構成を示す模式図である。
図５は、初期状態からＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出射するまでの制御部の動作を示すフローチャートである。
図６は、ＥＵＶ光生成装置からＥＵＶ光が出射している状態での制御部の動作を示すフローチャートである。
図７は、実施形態２におけるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバを含む一部の概略構成を示す模式図である。
図８は、実施形態３におけるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバを含む一部の概略構成を示す模式図である。
図９は、実施形態４におけるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバを含む一部の概略構成を示す模式図である。
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３の極端紫外光生成装置の説明
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態４の極端紫外光生成装置の説明
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３の極端紫外光生成装置の説明
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態４の極端紫外光生成装置の説明
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下本明細書では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下本明細書では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
２．電子デバイスの製造装置の説明
図１に示すように、電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
図１に示すように、電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
比較例の極端紫外光生成装置について説明する。図２は、本例の極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００には、レーザ装置３０が接続されている。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０、制御部２０、及びレーザ光デリバリ光学系３５を含む。
３．１ 構成
比較例の極端紫外光生成装置について説明する。図２は、本例の極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００には、レーザ装置３０が接続されている。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０、制御部２０、及びレーザ光デリバリ光学系３５を含む。
チャンバ１０は、密閉可能な容器である。チャンバ１０にはサブチャンバ１５が連設されており、サブチャンバ１５にターゲット供給部４０が設けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１と、ノズル４２とを含む。ターゲット供給部４０は、ドロップレットＤＬをチャンバ１０の内部空間に供給するよう構成され、例えば、サブチャンバ１５の壁を貫通するように取り付けられている。ドロップレットＤＬは、ターゲットとも呼ばれ、ターゲット供給部４０から供給される。
タンク４１は、その内部にドロップレットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノンのいずれか、または、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。また、タンク４１の内部は、ガス圧を調節する圧力調節器４３と配管を介して連通している。また、タンク４１にはヒータ４４が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４５から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。圧力調節器４３及びヒータ電源４５は、制御部２０に接続されている。
ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４６が取り付けられている。ピエゾ素子４６は、ピエゾ電源４７に接続されており、ピエゾ電源４７から印加される電圧で駆動する。ピエゾ電源４７は、制御部２０に接続されている。このピエゾ素子４６の動作により、ノズル４２から突出されるターゲット物質はドロップレットＤＬにされる。
また、チャンバ１０には、ターゲット回収部１４が設けられている。ターゲット回収部１４は不要なドロップレットＤＬを回収する。
チャンバ１０の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置３０から出射されるパルス状のレーザ光３０１が透過する。
また、チャンバ１０内には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂを有する。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光３０１を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光する光を反射する。これらレーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ１０内でのレーザ集光位置が制御部２０から指定された位置になるように調節される。
チャンバ１０の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ光集光ミラー５０が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー５０は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー５０は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、その第２の焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。ＥＵＶ光集光ミラー５０の中央部には貫通孔が設けられ、貫通孔を上記のパルス状のレーザ光３０１が通過する。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間と露光装置２００の内部空間とを連通させる接続部１９を含む。接続部１９内部には、アパーチャが形成された壁が設けられる。この壁は、アパーチャがＥＵＶ光集光ミラー５０の第２の焦点位置に位置するように配置されることが好ましい。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６を含む。圧力センサ２６は、チャンバ１０の内部空間の圧力を計測する。また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０に取り付けられるターゲットセンサ２７を含む。ターゲットセンサ２７は、例えば撮像機能を有し、ドロップレットＤＬの存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成される。圧力センサ２６及びターゲットセンサ２７は、制御部２０に接続されている。
レーザ装置３０は、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光３０１を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合された気体を放電によって励起することで、レーザ光を出射するレーザ装置である。あるいは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光３０１を出射する。なお、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を有してもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続したパルス状のレーザ光を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光３０１の出射が抑制される動作を意味する。
レーザ装置３０から出射するレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系３５で進行方向が調節される。レーザ光デリバリ光学系３５は、レーザ光３０１の進行方向を調節するための複数のミラー３５Ａ，３５Ｂを含み、これらミラー３５Ａ，３５Ｂの少なくとも一部が不図示のアクチュエータで位置が調節される。このようにミラー３５Ａ，３５Ｂの少なくとも一部の位置が調節されることで、レーザ光３０１がウィンドウ１２から適切にチャンバ１０内に伝搬し得る。
制御部２０は、ＣＰＵ（中央処理装置）等を有するコンピュータから成る。この制御部２０は、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御するよう構成され、さらにレーザ装置３０をも制御する。制御部２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力に係る信号や、ターゲットセンサ２７によって撮像されたドロップレットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からのバースト信号等が入力する。制御部２０は、上記イメージデータ等を処理するよう構成され、例えば、ドロップレットＤＬが出力されるタイミング、ドロップレットＤＬの出力方向等を制御するよう構成される。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、後述のように他の制御が追加される。
次に、チャンバ１０の構成についてより詳細に説明する。
図３は、比較例におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を示す模式図である。なお、図３では、レーザ集光光学系１３が省略されている。図２、図３に示すように、チャンバ１０には、エッチングガスをチャンバ１０の内部空間に供給する第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３が配置されている。第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３は、配管を介してエッチングガスを供給するガス供給タンク７４に接続されている。ターゲット物質がスズである場合、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスである。バランスガスには、窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれてもよい。以下、ターゲット物質がスズであり、エッチングガスが水素を含有するものとして説明をする。
第１ガス供給部７２は、チャンバ１０内に供給するエッチングガスがＥＵＶ光集光ミラー５０の外周部から反射面に沿って流れるように調節されている。また、第２ガス供給部７３は、円錐台状の筒形状をしており、コーンと呼ばれる場合がある。第２ガス供給部７３のガス供給口はＥＵＶ光集光ミラー５０に形成された貫通孔に挿入され、第２ガス供給部７３は当該貫通孔からエッチングガスをＥＵＶ光集光ミラー５０から離れる方向に供給する。また、レーザ光３０１は、第２ガス供給部７３を介して、上記のようにＥＵＶ光集光ミラー５０の貫通孔を通過する。したがって、第２ガス供給部７３のウィンドウ１２側はレーザ光３０１が透過可能な構成である。
ドロップレットＤＬを構成するターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化するとスズ微粒子及びスズイオンが生じる。第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスは、これらスズ微粒子及びスズイオンと反応する水素を含む。具体的には、スズ微粒子及びスズイオンが水素と反応すると常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。なお、第１ガス供給部７２及びと第２ガス供給部７３の少なくとも一方とガス供給タンク７４との間の配管には、不図示の供給ガス流量調節部が設けられてもよい。
また、チャンバ１０には、一対の排気部８１が設けられている。排気部８１は、チャンバ１０内の残留ガスを排気する構成である。図３に示すように、それぞれの排気部８１の排気口８１Ｅは、例えばチャンバ１０の壁の互いに対向する位置に形成されている。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じた微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応した生成物と、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ１０内で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。この残留ガスが排気される排気部８１は排気管８１Ｐに接続されている。排気管８１Ｐは、排気ポンプ８５に接続されており、排気口８１Ｅから排気される残留ガスは、排気管８１Ｐを介して排気ポンプ８５に流入し、排気ポンプ８５で所定の排気処理が施される。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、磁場発生部６５を含む。磁場発生部６５は、プラズマ生成領域ＡＲで生じる荷電粒子が排気口８１Ｅに収束するための磁場ＭＬを発生する構成である。磁場発生部６５は、例えば、互いに対向するチャンバ１０の壁を挟むように配置した一対の電磁石６５Ｍにより構成し得る。一対の電磁石６５Ｍは、それぞれの電磁石６５Ｍの中間にプラズマ生成領域ＡＲが位置するように配置される。一方の電磁石６５Ｍの超電導コイルを流れる電流の方向と、他方の電磁石６５Ｍの超電導コイルを流れる電流の方向とは互いに同じ方向である。このような電流が一対の超電導コイルに印加されると、それぞれの電磁石６５Ｍの近傍で磁束密度が最も高く、プラズマ生成領域ＡＲに向かうほど磁束密度が低くなる磁場ＭＬが発生する。この磁場ＭＬの磁場軸ＭＡは、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射光路を横切り、プラズマ生成領域ＡＲを通ることが好ましい。この磁場ＭＬはミラー磁場と呼ばれることもある。
なお、磁場発生部６５は、一方の電磁石６５Ｍ側からプラズマ生成領域ＡＲを介して他方の電磁石６５Ｍ側に荷電粒子が収束するための磁場を発生するようにしてもよい。また、磁場発生部６５は、一対の電磁石６５Ｍにより構成されたが、一対の永久磁石により構成されてもよい。また、磁場を発生するための磁石である電磁石６５Ｍもしくは永久磁石がチャンバ１０の内部にあってもよい。
また、上記のように、本比較例では、排気口８１Ｅがチャンバ１０の壁の互いに対向する位置に設けられ、これら排気口８１Ｅから荷電粒子を排気させる。このため、一対の排気口８１Ｅは、図３に示す例では磁場軸ＭＡに沿って対向し、チャンバ１０における磁場軸ＭＡが通る位置に設けられている。
また、一対の排気部８１の少なくとも一方に、微粒子をトラップするヒータ等のトラップ機構が設けられてもよい。
３．２ 動作
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ１０内の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ１０内のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素（Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスが用いられることが好ましい。その後、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力以下になると、制御部２０は、第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３からチャンバ１０内へのエッチングガスの導入を開始する。このとき制御部２０は、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、不図示の供給ガス流量調節部や排気ポンプ８５を制御してもよい。その後、制御部２０は、エッチングガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機する。
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ１０内の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ１０内のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素（Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスが用いられることが好ましい。その後、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力以下になると、制御部２０は、第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３からチャンバ１０内へのエッチングガスの導入を開始する。このとき制御部２０は、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、不図示の供給ガス流量調節部や排気ポンプ８５を制御してもよい。その後、制御部２０は、エッチングガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機する。
また、制御部２０は、磁場発生部６５の電磁石６５Ｍを駆動し、磁場ＭＬを発生させる。また、制御部２０は、排気部８１から排気ポンプ８５にチャンバ１０の内部空間内の気体を排気させ、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力の信号に基づいて、チャンバ１０の内部空間内の圧力を略一定に保つ。このときのチャンバ１０の内部空間内の圧力は、例えば１０Ｐａ〜１６０Ｐａの範囲内である。
また、制御部２０は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱および維持するために、ヒータ電源４５から電流を供給してヒータ４４を昇温する。このとき、不図示の温度センサからの出力に基づいて、ヒータ電源４５からヒータ４４へ供給する電流量を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質にスズを用いた場合、例えば２５０℃〜２９０℃の範囲内の温度である。
また、制御部２０は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の速度で出力するように、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を制御する。ノズル４２の孔から吐出するターゲット物質はジェットの形態をとってもよい。このとき、制御部２０は、ドロップレットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４７を介してピエゾ素子４６に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ素子４６の振動は、ノズル４２を経由してノズルの孔から出力されるターゲット物質のジェットへと伝搬し得る。ターゲット物質のジェットは、この振動により所定周期で分断され、ターゲット物質から液滴のドロップレットＤＬが生成される。
また、制御部２０は、発光トリガをレーザ装置３０に出力する。発光トリガが入力されると、レーザ装置３０は、パルス状のレーザ光３０１を出射する。出射されたレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系３５とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射される。このとき、制御部２０は、レーザ光３０１がプラズマ生成領域ＡＲで集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、制御部２０は、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射されるように、ターゲットセンサ２７からの信号に基づいて、レーザ装置３０からレーザ光３０１を出射させる。このため、レーザ光集光ミラー１３Ａで収束されるレーザ光３０１は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬに照射される。この照射により生成されたプラズマから、ＥＵＶ光を含む光が放射される。
プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー５０によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射される。従って、接続部１９は、ＥＵＶ光生成装置１００におけるＥＵＶ光の出射口であると理解し得る。
ところで、ターゲット物質がプラズマ化する際、上記のように荷電粒子が生じる。荷電粒子は、磁場ＭＬからローレンツ力を受けることで磁力線に垂直な面内で回転する軌道を描いて運動する。このように運動する荷電粒子が排気口８１Ｅの方向に速度成分を有している場合、荷電粒子は磁力線に沿って螺旋軌道を描いて収束しながらチャンバ１０の壁に向かう。従って、荷電粒子の多くは、磁場ＭＬの収束部付近のチャンバ１０の壁に設けられた排気口８１Ｅに誘導され、排気口８１Ｅに流入する。排気口８１Ｅから排気管８１Ｐ内に達した荷電粒子は排ガスの気流に乗って排気ポンプ８５に流入する。
また、ターゲット物質がプラズマ化する際、上記荷電粒子の他に電気的に中性な微粒子が生じる。この微粒子は、磁場発生部６５により発生される磁場ＭＬの影響を受けないためチャンバ１０内に拡散する。チャンバ１０内に拡散した微粒子の一部はＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面に付着する。反射面に付着した微粒子は、第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスと反応し、この反応により所定の生成物となる。上記のようにターゲット物質がスズであり、エッチングガスが水素を含むガスである場合、生成物は常温で気体のスタンナンである。エッチングガスとの反応により得られた生成物の多くは、未反応のエッチングガスの流れにのって、排気部８１の排気口８１Ｅから排気管８１Ｐに流入する。また、磁場ＭＬによって排気口８１Ｅに収束しなかった荷電粒子、及び、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面に付着しなかった微粒子の少なくとも一部は、チャンバ１０内を流れる未反応のエッチングガスの一部と反応し得る。この反応により得られる生成物の多くは、未反応のエッチングガスの流れにのって、排気口８１Ｅから排気管８１Ｐに流入する。また、未反応のエッチングガスの少なくとも一部は、排気口８１Ｅから排気管８１Ｐに流入する。
排気部８１の排気口８１Ｅに流入した未反応のエッチングガス、微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子、及び上記の生成物等は、排ガスとして排気管８１Ｐから排気ポンプ８５に流入し無害化等の所定の排気処理が施される。
３．３ 課題
ドロップレットＤＬのプラズマ化により生じた荷電粒子、微粒子の多くは、上記のように排気口８１Ｅから排出される。しかし、チャンバ１０内の一部の荷電粒子や微粒子は、排気口８１Ｅから排出されずにチャンバ１０内に残留する場合がある。チャンバ１０内に荷電粒子が滞留すると、当該荷電粒子は中性化し易くなる。また、チャンバ１０内に滞留する荷電粒子がチャンバ１０内の微粒子と衝突して新たな微粒子を生じさせ得る。チャンバ１０内に微粒子が残留すると、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５に微粒子が堆積する傾向が強くなる。その結果、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射率が低下するという不具合が生じ得る。ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射率が低下すると、ＥＵＶ光生成装置１００からのＥＵＶ光の出力が低下するという懸念がある。
ドロップレットＤＬのプラズマ化により生じた荷電粒子、微粒子の多くは、上記のように排気口８１Ｅから排出される。しかし、チャンバ１０内の一部の荷電粒子や微粒子は、排気口８１Ｅから排出されずにチャンバ１０内に残留する場合がある。チャンバ１０内に荷電粒子が滞留すると、当該荷電粒子は中性化し易くなる。また、チャンバ１０内に滞留する荷電粒子がチャンバ１０内の微粒子と衝突して新たな微粒子を生じさせ得る。チャンバ１０内に微粒子が残留すると、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５に微粒子が堆積する傾向が強くなる。その結果、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射率が低下するという不具合が生じ得る。ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射率が低下すると、ＥＵＶ光生成装置１００からのＥＵＶ光の出力が低下するという懸念がある。
そこで、以下の実施形態では、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る極端紫外光生成装置が例示される。
４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態１の極端紫外光生成装置の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態１の極端紫外光生成装置の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
４．１ 構成
図４は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を示す模式図である。なお、図３と同様に図４では、レーザ集光光学系１３が省略されている。本実施形態のチャンバ１０は、第２排気部８３が設けられている点において比較例のチャンバ１０と主に異なる。なお、以下の説明では、比較例で説明した排気部８１を第１排気部８１と呼び、排気口８１Ｅを第１排気口８１Ｅと呼び、排気管８１Ｐを第１排気管８１Ｐと呼ぶ。本実施形態では、第１排気部８１及び第２排気部８３が設けられるため、チャンバ１０内の残留ガスは、第１排気部８１から第１排ガスとして排気され、第２排気部８３から第２排ガスとして排気される。
図４は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を示す模式図である。なお、図３と同様に図４では、レーザ集光光学系１３が省略されている。本実施形態のチャンバ１０は、第２排気部８３が設けられている点において比較例のチャンバ１０と主に異なる。なお、以下の説明では、比較例で説明した排気部８１を第１排気部８１と呼び、排気口８１Ｅを第１排気口８１Ｅと呼び、排気管８１Ｐを第１排気管８１Ｐと呼ぶ。本実施形態では、第１排気部８１及び第２排気部８３が設けられるため、チャンバ１０内の残留ガスは、第１排気部８１から第１排ガスとして排気され、第２排気部８３から第２排ガスとして排気される。
図４に示すように、第２排気部８３は第２排気口８３Ｅを含む。第２排気口８３Ｅは、第１排気口８１Ｅを通りＥＵＶ光集光ミラー５０の光軸に垂直な面を基準としてチャンバ１０におけるＥＵＶ光集光ミラー５０側と反対側の位置に設けられている。上記のように一対の第１排気口８１Ｅは、チャンバ１０における磁場軸ＭＡが通る位置に設けられている。従って、この磁場軸ＭＡが、プラズマ生成領域ＡＲを通ってＥＵＶ光集光ミラー５０の反射光路を横切るのであれば、第２排気口８３Ｅは、プラズマ生成領域ＡＲよりもＥＵＶ光の出射口である接続部１９側に設けられている。
第２排気口８３Ｅは、第２排気管８３Ｐに接続されている。第２排気管８３Ｐは、ガス排気量調節部８６に接続されている。また、本実施形態では、第１排気管８１Ｐも、第２排気管８３Ｐと同様に、ガス排気量調節部８６に接続されている。ガス排気量調節部８６は、排気管８７に接続されている。排気管８７は排気ポンプ８５に接続されている。
ガス排気量調節部８６は、第１排気管８１Ｐから排気管８７に排気される第１排ガスと第２排気管８３Ｐから排気管８７に排気される第２排ガスとの比を調節する。上記のように、第１排気管８１Ｐは第１排気口８１Ｅに接続され、第２排気管８３Ｐは第２排気口８３Ｅに接続されている。このため、ガス排気量調節部８６は、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスと第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスとの比を調節する。
本実施形態では、第１排ガスが流れかつ第２排ガスの流れが抑制される経路を第１排気経路とすると、第１排気口８１Ｅからガス排気量調節部８６までが第１排気経路となる。また、第２排ガスが流れかつ第１排ガスの流れが抑制される経路を第２排気経路とすると、第２排気口８３Ｅからガス排気量調節部８６までが第２排気経路となる。
排気ポンプ８５は、排気管８７からガスを排気させるポンプである。従って、排気ポンプ８５は、排気管８７及びガス排気量調節部８６を介して、チャンバ１０内の残留ガスの一部を第１排ガスとして第１排気口８１Ｅから第１排気管８１Ｐに排気させ、当該残留ガスの他の一部を第２排ガスとして第２排気口８３Ｅから第２排気管８３Ｐに排気させる。
また、本実施形態では、ガス供給タンク７４と第１ガス供給部７２との間の配管、及び、ガス供給タンク７４と第２ガス供給部７３との間の配管に供給ガス流量調節部７６が設けられている。供給ガス流量調節部７６は、ガス供給タンク７４から第１ガス供給部７２に流れるエッチングガスの流量、ガス供給タンク７４から第２ガス供給部７３に流れるエッチングガスの流量をそれぞれ調節する。
また、本実施形態では、チャンバ１０にＥＵＶ光計測部２８が設けられている。ＥＵＶ光計測部２８は、プラズマ生成領域ＡＲで発生した光のうち、プラズマ生成領域ＡＲから放射される一部のＥＵＶ光の強度を検知して、この強度に応じた信号を出力する。
また、本実施形態では、ＥＵＶ光計測部２８、ガス排気量調節部８６、及び供給ガス流量調節部７６は制御部２０に接続されている。本実施形態では、制御部２０は、比較例の動作に加えて、ガス排気量調節部８６及び供給ガス流量調節部７６を制御する。
制御部２０には、メモリ２５が接続されている。メモリ２５には、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量と第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量とが関連つけられたテーブルが記憶されている。このエッチングガスの量は、レーザ装置３０から出射されるレーザ光３０１の強度に基づいて定められている。このため、メモリ２５には、さらに、レーザ光３０１の強度とチャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量とが関連つけられたテーブルが記憶されている。本実施形態では、レーザ光３０１の強度が高い程、チャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量が多くなる。なお、本実施形態では、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量がレーザ光３０１の強度によらず一定である。このため、メモリ２５に記憶されているテーブルには、レーザ光３０１の強度に応じた第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量のみが記憶されていてもよい。なお、本実施形態と異なり、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量がレーザ光３０１の強度に応じて変動してもよい。
また、メモリ２５には、第１排気部８１から排気される第１排ガスの量と第２排気部８３から排気される第２排ガスの量との比が記憶されている。この比は、チャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量に基づいて定められている。従って、メモリ２５には、エッチングガスの量と上記比とが関連つけられたテーブルが記憶されている。例えば、第１排ガスの量：第２排ガスの量が７０％：３０％から３０％：７０％と定められる。
４．２ 動作
次に、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。図５は、初期状態からＥＵＶ光生成装置１００がＥＵＶ光を出射するまでの制御部２０の動作を示すフローチャートである。
次に、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。図５は、初期状態からＥＵＶ光生成装置１００がＥＵＶ光を出射するまでの制御部２０の動作を示すフローチャートである。
（ステップＳＰ１１）
比較例と同様に、例えば、新規導入時やメンテナンス時等では、ステップＳＰ１１において、チャンバ１０内の大気が排気され、チャンバ１０内は減圧される。
比較例と同様に、例えば、新規導入時やメンテナンス時等では、ステップＳＰ１１において、チャンバ１０内の大気が排気され、チャンバ１０内は減圧される。
（ステップＳＰ１２）
チャンバ１０内の圧力が初期状態として規定された所定の圧力以下になると、本ステップでは、制御部２０は、第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３からチャンバ１０内へのエッチングガスの供給を開始する。この段階では、レーザ装置３０からはレーザ光３０１が出射していない。ただし、本実施形態では、後述のステップＳＰ１７においてレーザ装置３０からレーザ光３０１が所定の強度で出射される場合におけるエッチングガスの量となるように、制御部２０はメモリ２５を参照して供給ガス流量調節部７６を制御する。また、このとき、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量と第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量とが所定の比となるように、制御部２０はメモリ２５を参照して供給ガス流量調節部７６を制御する。供給ガス流量調節部７６は、制御部２０からの制御信号に基づいて、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量及び第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量を調節する。
チャンバ１０内の圧力が初期状態として規定された所定の圧力以下になると、本ステップでは、制御部２０は、第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３からチャンバ１０内へのエッチングガスの供給を開始する。この段階では、レーザ装置３０からはレーザ光３０１が出射していない。ただし、本実施形態では、後述のステップＳＰ１７においてレーザ装置３０からレーザ光３０１が所定の強度で出射される場合におけるエッチングガスの量となるように、制御部２０はメモリ２５を参照して供給ガス流量調節部７６を制御する。また、このとき、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量と第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量とが所定の比となるように、制御部２０はメモリ２５を参照して供給ガス流量調節部７６を制御する。供給ガス流量調節部７６は、制御部２０からの制御信号に基づいて、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量及び第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量を調節する。
（ステップＳＰ１３）
本ステップでは、制御部２０は、チャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量と同量のガスが排気されるようガス排気量調節部８６を制御する。このとき、制御部２０は、メモリ２５に記憶されたテーブルを参照し、第１排ガスの量と第２排ガスの量との比が所定の比となるように、ガス排気量調節部８６を制御する。上記のように第１排ガスの量と第２排ガスの量との比は、チャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量に基づいて定められている。従って、このときの所定の比は、後述のステップＳＰ１７においてレーザ装置３０からレーザ光３０１が所定の強度で出射される場合においてチャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量での比である。
本ステップでは、制御部２０は、チャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量と同量のガスが排気されるようガス排気量調節部８６を制御する。このとき、制御部２０は、メモリ２５に記憶されたテーブルを参照し、第１排ガスの量と第２排ガスの量との比が所定の比となるように、ガス排気量調節部８６を制御する。上記のように第１排ガスの量と第２排ガスの量との比は、チャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量に基づいて定められている。従って、このときの所定の比は、後述のステップＳＰ１７においてレーザ装置３０からレーザ光３０１が所定の強度で出射される場合においてチャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量での比である。
（ステップＳＰ１４）
本ステップでは、制御部２０は、圧力センサ２６からの信号に基づき、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力の範囲内である場合にはステップＳＰ１５に進み、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力の範囲内にない場合にはステップＳＰ１２に戻る。このときのチャンバ１０の内部空間内の圧力は、例えば１０Ｐａ〜１６０Ｐａの範囲内である。
本ステップでは、制御部２０は、圧力センサ２６からの信号に基づき、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力の範囲内である場合にはステップＳＰ１５に進み、チャンバ１０内の圧力が所定の圧力の範囲内にない場合にはステップＳＰ１２に戻る。このときのチャンバ１０の内部空間内の圧力は、例えば１０Ｐａ〜１６０Ｐａの範囲内である。
（ステップＳＰ１５）
本ステップでは、制御部２０は、比較例と同様に、磁場発生部６５の電磁石６５Ｍを駆動し、磁場ＭＬを発生させる。
本ステップでは、制御部２０は、比較例と同様に、磁場発生部６５の電磁石６５Ｍを駆動し、磁場ＭＬを発生させる。
（ステップＳＰ１６）
本ステップでは、制御部２０は、比較例と同様に、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の速度で出力するように、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を制御する。
本ステップでは、制御部２０は、比較例と同様に、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の速度で出力するように、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を制御する。
（ステップＳＰ１７）
本ステップでは、制御部２０は、比較例と同様に、発光トリガをレーザ装置３０に出力する。発光トリガが入力されると、レーザ装置３０は、所定の強度のパルス状のレーザ光３０１を出射する。出射されたレーザ光３０１は、比較例と同様に、プラズマ生成領域ＡＲで集光されて、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射される。なお、このとき、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量、及び、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量は、ステップＳＰ１２において供給されるエッチングガスの量のままである。
本ステップでは、制御部２０は、比較例と同様に、発光トリガをレーザ装置３０に出力する。発光トリガが入力されると、レーザ装置３０は、所定の強度のパルス状のレーザ光３０１を出射する。出射されたレーザ光３０１は、比較例と同様に、プラズマ生成領域ＡＲで集光されて、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射される。なお、このとき、第１ガス供給部７２から供給されるエッチングガスの量、及び、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量は、ステップＳＰ１２において供給されるエッチングガスの量のままである。
（ステップＳＰ１８）
本ステップでは、ステップＳＰ１７におけるドロップレットＤＬへのレーザ光３０１の照射により生成されたプラズマから、ＥＵＶ光を含む光が放射される。比較例と同様にして、プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、接続部１９から露光装置２００に入射される。
本ステップでは、ステップＳＰ１７におけるドロップレットＤＬへのレーザ光３０１の照射により生成されたプラズマから、ＥＵＶ光を含む光が放射される。比較例と同様にして、プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、接続部１９から露光装置２００に入射される。
次に、ＥＵＶ光生成装置１００からＥＵＶ光１０１が出射している状態でのＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。図６は、ＥＵＶ光生成装置１００からＥＵＶ光１０１が出射している状態での制御部２０の動作を示すフローチャートである。
（ステップＳＰ２１）
図５のステップＳＰ１８でＥＵＶ光生成装置１００からＥＵＶ光１０１が出射している状態が図６に示すスタートの状態である。本ステップでは、ＥＵＶ光生成装置１００から出射しているＥＵＶ光１０１の強度が計測される。具体的には、ＥＵＶ光計測部２８が、プラズマ生成領域ＡＲで発生した光のうち、プラズマ生成領域ＡＲから放射される一部のＥＵＶ光の強度を検知して、この強度に応じた信号を出力する。出力された信号は、制御部２０に入力する。ＥＵＶ光計測部２８で計測されるＥＵＶ光の強度は、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度とは異なる。しかし、プラズマ生成領域ＡＲから放射されＥＵＶ光計測部２８で検知されるＥＵＶ光の強度は、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度と相関する。従って、本実施形態では、プラズマ生成領域ＡＲから放射されＥＵＶ光計測部２８で検知されるＥＵＶ光の強度を用いて、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度を計測している。
図５のステップＳＰ１８でＥＵＶ光生成装置１００からＥＵＶ光１０１が出射している状態が図６に示すスタートの状態である。本ステップでは、ＥＵＶ光生成装置１００から出射しているＥＵＶ光１０１の強度が計測される。具体的には、ＥＵＶ光計測部２８が、プラズマ生成領域ＡＲで発生した光のうち、プラズマ生成領域ＡＲから放射される一部のＥＵＶ光の強度を検知して、この強度に応じた信号を出力する。出力された信号は、制御部２０に入力する。ＥＵＶ光計測部２８で計測されるＥＵＶ光の強度は、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度とは異なる。しかし、プラズマ生成領域ＡＲから放射されＥＵＶ光計測部２８で検知されるＥＵＶ光の強度は、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度と相関する。従って、本実施形態では、プラズマ生成領域ＡＲから放射されＥＵＶ光計測部２８で検知されるＥＵＶ光の強度を用いて、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度を計測している。
（ステップＳＰ２２）
本ステップでは、制御部２０は、ＥＵＶ光計測部２８から入力する信号を用いて、接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内にあるか否かを判断する。制御部２０は、ＥＵＶ光計測部２８から入力する信号を用いて、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度を算出して上記判断をしてもよい。或いは、制御部２０は、ＥＵＶ光計測部２８で検知されるＥＵＶ光の強度が所定の範囲内にあるか否かを判断し、この判断を接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内にあるか否かの判断とする。ＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内であれば、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１を変化させる必要がない。従って、レーザ装置３０から出射されるレーザ光３０１を変化させる必要がない。この場合、制御部２０は、ステップＳＰ２１に戻り、ＥＵＶ光計測部２８から出力する信号を受ける。一方、制御部２０が、ＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内にないと判断する場合、ステップＳＰ２３に進む。
本ステップでは、制御部２０は、ＥＵＶ光計測部２８から入力する信号を用いて、接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内にあるか否かを判断する。制御部２０は、ＥＵＶ光計測部２８から入力する信号を用いて、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度を算出して上記判断をしてもよい。或いは、制御部２０は、ＥＵＶ光計測部２８で検知されるＥＵＶ光の強度が所定の範囲内にあるか否かを判断し、この判断を接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内にあるか否かの判断とする。ＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内であれば、ＥＵＶ光生成装置１００の接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１を変化させる必要がない。従って、レーザ装置３０から出射されるレーザ光３０１を変化させる必要がない。この場合、制御部２０は、ステップＳＰ２１に戻り、ＥＵＶ光計測部２８から出力する信号を受ける。一方、制御部２０が、ＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内にないと判断する場合、ステップＳＰ２３に進む。
（ステップＳＰ２３）
本ステップでは、制御部２０は、レーザ装置３０からレーザ光３０１の出射を中止するか否かを判断する。まず、制御部２０は、ステップＳＰ２２において、接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度と上記の所定の範囲との差が一定の強度以上であるか否かを判断する。ＥＵＶ光１０１の強度と上記の所定の範囲との差が一定の強度以上である場合、つまり接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度が想定された範囲と大きく異なる場合、ＥＵＶ光生成装置１００に何らかの故障が生じている可能性がある。従って、この場合、制御部２０は、レーザ装置３０を制御し、レーザ装置３０からのレーザ光３０１の出射を停止させ、ステップＳＰ２８に進む。ステップＳＰ２８において、ＥＵＶ光生成装置１００は停止する。一方、制御部２０は、ＥＵＶ光１０１の強度と上記の所定の範囲との差が一定の強度未満と判断する場合、ステップＳＰ２４に進む。
本ステップでは、制御部２０は、レーザ装置３０からレーザ光３０１の出射を中止するか否かを判断する。まず、制御部２０は、ステップＳＰ２２において、接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度と上記の所定の範囲との差が一定の強度以上であるか否かを判断する。ＥＵＶ光１０１の強度と上記の所定の範囲との差が一定の強度以上である場合、つまり接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度が想定された範囲と大きく異なる場合、ＥＵＶ光生成装置１００に何らかの故障が生じている可能性がある。従って、この場合、制御部２０は、レーザ装置３０を制御し、レーザ装置３０からのレーザ光３０１の出射を停止させ、ステップＳＰ２８に進む。ステップＳＰ２８において、ＥＵＶ光生成装置１００は停止する。一方、制御部２０は、ＥＵＶ光１０１の強度と上記の所定の範囲との差が一定の強度未満と判断する場合、ステップＳＰ２４に進む。
（ステップＳＰ２４）
本ステップでは、制御部２０は、ＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内となるために必要なレーザ装置３０から出射されるレーザ光３０１の強度を算出する。例えば、上記のように、ターゲット物質がプラズマ化する際、荷電粒子や電気的に中性な微粒子等の粒子が生じ、これらの微粒子の一部はＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面に付着する場合がある。すると、ＥＵＶ光集光ミラー５０反射率が低下して、接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度が上記の所定の範囲よりも低下する場合がある。このようにＥＵＶ光１０１の強度が上記の所定の範囲よりも低下する場合、制御部２０は、レーザ光３０１の強度が高くなるように上記算出をする。逆に、ＥＵＶ光１０１の強度が上記の所定の範囲よりも高くなる場合、制御部２０は、レーザ光３０１の強度が低くなるように上記算出をする。こうして、ＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内となるためのレーザ光３０１の強度が求められる。
本ステップでは、制御部２０は、ＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内となるために必要なレーザ装置３０から出射されるレーザ光３０１の強度を算出する。例えば、上記のように、ターゲット物質がプラズマ化する際、荷電粒子や電気的に中性な微粒子等の粒子が生じ、これらの微粒子の一部はＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面に付着する場合がある。すると、ＥＵＶ光集光ミラー５０反射率が低下して、接続部１９から出射するＥＵＶ光１０１の強度が上記の所定の範囲よりも低下する場合がある。このようにＥＵＶ光１０１の強度が上記の所定の範囲よりも低下する場合、制御部２０は、レーザ光３０１の強度が高くなるように上記算出をする。逆に、ＥＵＶ光１０１の強度が上記の所定の範囲よりも高くなる場合、制御部２０は、レーザ光３０１の強度が低くなるように上記算出をする。こうして、ＥＵＶ光１０１の強度が所定の範囲内となるためのレーザ光３０１の強度が求められる。
（ステップＳＰ２５）
本ステップでは、ステップＳＰ２４で算出されたレーザ光３０１の強度に基づいて、供給されるエッチングガスの量が求められる。レーザ光３０１の強度が高くなる場合、レーザ光３０１がターゲット物質に照射されると、より多くの荷電粒子や電気的に中性な微粒子等が放出される傾向がある。このため、レーザ光３０１の強度が高くなる場合、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量は増やされ、レーザ光３０１の強度が低くなる場合、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量は減らされる。上記のように、本実施形態では、第１ガス供給部７２から供給されるガスの量はレーザ光３０１の強度にかかわらず一定である。従って、本ステップでは、メモリ２５に記憶されたテーブルに基づいて、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量が求められる。このため、本ステップでは、必然的に、第１ガス供給部７２から供給されるガスの量と、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量との比が求められる。
本ステップでは、ステップＳＰ２４で算出されたレーザ光３０１の強度に基づいて、供給されるエッチングガスの量が求められる。レーザ光３０１の強度が高くなる場合、レーザ光３０１がターゲット物質に照射されると、より多くの荷電粒子や電気的に中性な微粒子等が放出される傾向がある。このため、レーザ光３０１の強度が高くなる場合、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量は増やされ、レーザ光３０１の強度が低くなる場合、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量は減らされる。上記のように、本実施形態では、第１ガス供給部７２から供給されるガスの量はレーザ光３０１の強度にかかわらず一定である。従って、本ステップでは、メモリ２５に記憶されたテーブルに基づいて、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量が求められる。このため、本ステップでは、必然的に、第１ガス供給部７２から供給されるガスの量と、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量との比が求められる。
（ステップＳＰ２６）
本ステップでは、ステップＳＰ２５で求められたエッチングガスの量に基づいて、第１排気部８１から排気される第１排ガスの量と第２排気部８３から排気される第２排ガスの量との比が求められる。制御部２０は、メモリ２５におけるエッチングガスの量とこの比とが関連つけられたテーブルから読み出すことで、この比を求める。なお、メモリ２５がこのようなテーブルを記憶していない場合、制御部２０は、所定のアルゴリズムに基づいて、エッチングガスの量から上記比を算出してもよい。
本ステップでは、ステップＳＰ２５で求められたエッチングガスの量に基づいて、第１排気部８１から排気される第１排ガスの量と第２排気部８３から排気される第２排ガスの量との比が求められる。制御部２０は、メモリ２５におけるエッチングガスの量とこの比とが関連つけられたテーブルから読み出すことで、この比を求める。なお、メモリ２５がこのようなテーブルを記憶していない場合、制御部２０は、所定のアルゴリズムに基づいて、エッチングガスの量から上記比を算出してもよい。
（ステップＳＰ２７）
本ステップでは、制御部２０は、ステップＳＰ２４で算出された強度のレーザ光３０１がレーザ装置３０から出射されるようにレーザ装置３０を制御する。従って、レーザ装置３０は、ステップＳＰ２４で算出された強度のパルス状のレーザ光３０１を出射する。この新たな強度のレーザ光３０１が、プラズマ生成領域ＡＲで集光されて、ターゲット物質に照射される。このため、上記の所定の範囲内の強度のＥＵＶ光１０１が接続部１９から出射する。例えば、ＥＵＶ光集光ミラー５０反射率が低下している場合、新たな強度のレーザ光３０１の強度はそれまでのレーザ光３０１の強度よりも高くされ、プラズマ生成領域ＡＲから放射されるＥＵＶ光の総量が増加される。このため、ＥＵＶ光集光ミラー５０反射率が低下しても所定の範囲内の強度のＥＵＶ光１０１が接続部１９から出射し得る。
本ステップでは、制御部２０は、ステップＳＰ２４で算出された強度のレーザ光３０１がレーザ装置３０から出射されるようにレーザ装置３０を制御する。従って、レーザ装置３０は、ステップＳＰ２４で算出された強度のパルス状のレーザ光３０１を出射する。この新たな強度のレーザ光３０１が、プラズマ生成領域ＡＲで集光されて、ターゲット物質に照射される。このため、上記の所定の範囲内の強度のＥＵＶ光１０１が接続部１９から出射する。例えば、ＥＵＶ光集光ミラー５０反射率が低下している場合、新たな強度のレーザ光３０１の強度はそれまでのレーザ光３０１の強度よりも高くされ、プラズマ生成領域ＡＲから放射されるＥＵＶ光の総量が増加される。このため、ＥＵＶ光集光ミラー５０反射率が低下しても所定の範囲内の強度のＥＵＶ光１０１が接続部１９から出射し得る。
また、本ステップでは、制御部２０は、ステップＳＰ２５で求められた第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量が第２ガス供給部７３から供給されるように、供給ガス流量調節部７６を制御する。供給ガス流量調節部７６は、制御部２０の制御に基づいて、第２ガス供給部７３からエッチングガスを供給する。たとえば、新たな強度のレーザ光３０１の強度がそれまでのレーザ光３０１の強度よりも高い場合、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量は、それまで第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量よりも多くされる。
また、本ステップでは、制御部２０は、第１排気部８１から排気される第１排ガスの量及び第２排気部８３から排気される第２排ガスの量が、ステップＳＰ２６で求めた比となるようにガス排気量調節部８６を制御する。従って、第１排気部８１と第２排気部８３とからは、第１排ガスと第２排ガスとがステップＳＰ２６で求められた比で排気される。排気された第１排ガスと第２排ガスとは、排気管８７を介して排気ポンプ８５に排気される。なお、上記のように第１排ガスの量と第２排ガスの量の総量が、第１ガス供給部７２及び第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの総量に等しくなるように、制御部２０はガス排気量調節部８６を制御する。従って、チャンバ１０内が概ね一定の圧力を保つ。
次に再びステップＳＰ２１に戻り、制御部２０には、ＥＵＶ光計測部２８で計測されたＥＵＶ光の強度が入力される。
４．３ 作用・効果
本実施形態では、チャンバ１０における磁場軸ＭＡが通る位置に第１排気口８１Ｅが設けられる。また、第１排気口８１Ｅを通りＥＵＶ光集光ミラー５０の光軸に垂直な面を基準としてチャンバ１０におけるＥＵＶ光集光ミラー５０側と反対側の位置に第２排気口８３Ｅが設けられる。さらに、ＥＵＶ光生成装置１００は、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの排気量と第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスの排気量との比を調節するガス排気量調節部８６を備える。
本実施形態では、チャンバ１０における磁場軸ＭＡが通る位置に第１排気口８１Ｅが設けられる。また、第１排気口８１Ｅを通りＥＵＶ光集光ミラー５０の光軸に垂直な面を基準としてチャンバ１０におけるＥＵＶ光集光ミラー５０側と反対側の位置に第２排気口８３Ｅが設けられる。さらに、ＥＵＶ光生成装置１００は、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの排気量と第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスの排気量との比を調節するガス排気量調節部８６を備える。
従って、比較例のＥＵＶ光生成装置１００のように、チャンバ１０に第１排気口８１Ｅが設けられ第２排気口８３Ｅが設けられない場合と比べて、チャンバ１０内の残留ガスをＥＵＶ光集光ミラー５０側と反対側に流れやすくし得る。さらに、ガス排気量調節部８６により、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの排気量と第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスの排気量との比が調節される。このため、チャンバ１０内の残留ガスがＥＵＶ光集光ミラー５０側と反対側に流れる量を調節し得る。このため、比較例のＥＵＶ光生成装置１００と比べて、ＥＵＶ光集光ミラー５０がＥＵＶ光発生の際に生じる微粒子で汚染されることを抑制し得、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る。
また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、一対の第１排気口８１Ｅが、チャンバ１０における磁場軸ＭＡに沿って対向する位置に設けられている。このため、磁力線に沿って螺旋軌道を描いて収束しながらチャンバ１０の壁に向かう荷電粒子を効果的に第１排気口８１Ｅから排気し得る。なお、本実施形態では、第１排気口８１Ｅが一対の場合を例示したが、例えば、チャンバ１０に第１排気口８１Ｅが１つ設けられてもよい。
また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、制御部２０は、ガス排気量調節部８６を制御し、チャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量に基づいて、第１排ガスの排気量と第２排ガスの排気量との比を調節する。チャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量が異なる場合、チャンバ１０内におけるガスの流れが変化する。そこで、制御部２０がガス排気量調節部８６を制御してチャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量に基づいて上記比を調節することで、チャンバ１０内の残留ガスがＥＵＶ光集光ミラー５０側と反対側に流れる量をより適切に調節し得る。
また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、制御部２０は、供給ガス流量調節部７６を制御し、レーザ光３０１の強度に基づいてチャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量を調節する。レーザ光３０１の強度が高い場合、レーザ光３０１の強度が低い場合よりも、レーザ光３０１が照射されるターゲット物質から微粒子が飛散し易くなる。従って、レーザ光３０１の強度に基づいてチャンバ１０内に供給されるエッチングガスの量が調節されることで、飛散した微粒子を含む残留ガスをより効果的にチャンバ１０から排出し得る。
さらに本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、制御部２０は、供給ガス流量調節部７６を制御し、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量を調節する。この第２ガス供給部７３は、ＥＵＶ光集光ミラー５０から離れる方向に向かってエッチングガスを供給する。従って、第２ガス供給部７３から供給されるエッチングガスの量が調節されることで、ターゲット物質からＥＵＶ光集光ミラー５０側に向かって飛散する微粒子の量を適切に低減し得る。なお、第２ガス供給部７３はエッチングガスをＥＵＶ光集光ミラー５０から離れる方向以外に供給してもよい。
なお、上記説明では、エッチングガスを例に説明をしたが、第１ガス供給部７２、第２ガス供給部７３から供給されるガスはエッチングガスに限らず、例えば、不活性ガスやエッチングガスと不活性ガスとの混合ガス等であってもよい。
５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態２の極端紫外光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態２の極端紫外光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
５．１ 構成
図７は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を図４と同様の方法で示す模式図である。図７に示すように本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１排気口８１Ｅから第１排ガスを排気させる第１排気ポンプ８５Ａが第１排気管８１Ｐに接続され、第１排気管８１Ｐに第１バルブ８１Ｖが設けられている。さらに、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第２排気口８３Ｅから第２排ガスを排気させる第２排気ポンプ８５Ｂが第２排気管８３Ｐに接続され、第２排気管８３Ｐに第２バルブ８３Ｖが設けられている。ここで、実施形態１の説明のように、第１排ガスが流れかつ第２排ガスの流れが抑制される経路を第１排気経路とし、第２排ガスが流れかつ第１排ガスの流れが抑制される経路を第２排気経路とする。本実施形態では、第１排気口８１Ｅから第１排気ポンプ８５Ａに至る経路が第１排気経路であり、第２排気口８３Ｅから第２排気ポンプ８５Ｂに至る経路が第２排気経路である。従って、第１バルブ８１Ｖは第１排気経路に設けられ、第２バルブ８３Ｖは第２排気経路に設けられている。また、本実施形態では、ガス排気量調節部８６は、第１バルブ８１Ｖ及び第２バルブ８３Ｖを含む。このため、第１バルブ８１Ｖの開度及び第２バルブ８３Ｖの開度は、制御部２０により制御される。
図７は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を図４と同様の方法で示す模式図である。図７に示すように本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１排気口８１Ｅから第１排ガスを排気させる第１排気ポンプ８５Ａが第１排気管８１Ｐに接続され、第１排気管８１Ｐに第１バルブ８１Ｖが設けられている。さらに、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第２排気口８３Ｅから第２排ガスを排気させる第２排気ポンプ８５Ｂが第２排気管８３Ｐに接続され、第２排気管８３Ｐに第２バルブ８３Ｖが設けられている。ここで、実施形態１の説明のように、第１排ガスが流れかつ第２排ガスの流れが抑制される経路を第１排気経路とし、第２排ガスが流れかつ第１排ガスの流れが抑制される経路を第２排気経路とする。本実施形態では、第１排気口８１Ｅから第１排気ポンプ８５Ａに至る経路が第１排気経路であり、第２排気口８３Ｅから第２排気ポンプ８５Ｂに至る経路が第２排気経路である。従って、第１バルブ８１Ｖは第１排気経路に設けられ、第２バルブ８３Ｖは第２排気経路に設けられている。また、本実施形態では、ガス排気量調節部８６は、第１バルブ８１Ｖ及び第２バルブ８３Ｖを含む。このため、第１バルブ８１Ｖの開度及び第２バルブ８３Ｖの開度は、制御部２０により制御される。
５．２ 動作
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、図５及び図６を用いて説明した実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００と同様の動作をする。ただし、本実施形態では、ステップＳＰ１３及びステップＳＰ２７における第１排ガスと第２排ガスとの比は、制御部２０で開度が制御される第１バルブ８１Ｖと第２バルブ８３Ｖとにより調節される。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、図５及び図６を用いて説明した実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００と同様の動作をする。ただし、本実施形態では、ステップＳＰ１３及びステップＳＰ２７における第１排ガスと第２排ガスとの比は、制御部２０で開度が制御される第１バルブ８１Ｖと第２バルブ８３Ｖとにより調節される。
５．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１バルブ８１Ｖの開度と第２バルブ８３Ｖの開度とにより、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの量と第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスの量との比を調節することができる。したがって、当該比の微調整をし得る。また、第１排気管８１Ｐに第１排気ポンプ８５Ａが接続され、第２排気管８３Ｐに第２排気管８３Ｐが接続されている。つまり、第１排気経路と第２排気経路とが独立して、排気ポンプに接続されている。このため、第１排ガスの量を調節する場合に第２排ガスの量に影響が及ぶことを抑制し得、第２排ガスの量を調節する場合に第１排ガスの量に影響が及ぶことを抑制し得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１バルブ８１Ｖの開度と第２バルブ８３Ｖの開度とにより、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの量と第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスの量との比を調節することができる。したがって、当該比の微調整をし得る。また、第１排気管８１Ｐに第１排気ポンプ８５Ａが接続され、第２排気管８３Ｐに第２排気管８３Ｐが接続されている。つまり、第１排気経路と第２排気経路とが独立して、排気ポンプに接続されている。このため、第１排ガスの量を調節する場合に第２排ガスの量に影響が及ぶことを抑制し得、第２排ガスの量を調節する場合に第１排ガスの量に影響が及ぶことを抑制し得る。
６．実施形態３の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態３の極端紫外光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態３の極端紫外光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
６．１ 構成
図８は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を図４と同様の方法で示す模式図である。図８に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１排気口８１Ｅに接続される第１排気管８１Ｐ及び第２排気口８３Ｅに接続される第２排気管８３Ｐがそれぞれ排気管８７の一端に接続され、排気管８７の他端が排気ポンプ８５に接続されている。ここで、実施形態１の説明のように、第１排ガスが流れかつ第２排ガスの流れが抑制される経路を第１排気経路とし、第２排ガスが流れかつ第１排ガスの流れが抑制される経路を第２排気経路とする。この場合、本実施形態では、第１排気口８１Ｅから排気管８７の手前に至る経路が第１排気経路であり、第２排気口８３Ｅから排気管８７の手前に至る経路が第２排気経路である。また、第１排気管８１Ｐ及び第２排気管８３Ｐには、実施形態２と同様に、第１バルブ８１Ｖと第２バルブ８３Ｖが設けられている。従って、本実施形態においても、第１バルブ８１Ｖは第１排気経路に設けられ、第２バルブ８３Ｖは第２排気経路に設けられている。また、本実施形態においても実施形態２と同様に、ガス排気量調節部８６は、第１バルブ８１Ｖ及び第２バルブ８３Ｖを含む。このため、第１バルブ８１Ｖの開度及び第２バルブ８３Ｖの開度は、制御部２０により制御される。
図８は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を図４と同様の方法で示す模式図である。図８に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１排気口８１Ｅに接続される第１排気管８１Ｐ及び第２排気口８３Ｅに接続される第２排気管８３Ｐがそれぞれ排気管８７の一端に接続され、排気管８７の他端が排気ポンプ８５に接続されている。ここで、実施形態１の説明のように、第１排ガスが流れかつ第２排ガスの流れが抑制される経路を第１排気経路とし、第２排ガスが流れかつ第１排ガスの流れが抑制される経路を第２排気経路とする。この場合、本実施形態では、第１排気口８１Ｅから排気管８７の手前に至る経路が第１排気経路であり、第２排気口８３Ｅから排気管８７の手前に至る経路が第２排気経路である。また、第１排気管８１Ｐ及び第２排気管８３Ｐには、実施形態２と同様に、第１バルブ８１Ｖと第２バルブ８３Ｖが設けられている。従って、本実施形態においても、第１バルブ８１Ｖは第１排気経路に設けられ、第２バルブ８３Ｖは第２排気経路に設けられている。また、本実施形態においても実施形態２と同様に、ガス排気量調節部８６は、第１バルブ８１Ｖ及び第２バルブ８３Ｖを含む。このため、第１バルブ８１Ｖの開度及び第２バルブ８３Ｖの開度は、制御部２０により制御される。
６．２ 動作
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、実施形態２と同様に、図５及び図６を用いて説明した実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００と同様の動作をする。ただし、本実施形態では、排気ポンプ８５により、第１排気口８１Ｅからの第１排ガス及び第２排気口８３Ｅからの第２排ガスが排気される。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、実施形態２と同様に、図５及び図６を用いて説明した実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００と同様の動作をする。ただし、本実施形態では、排気ポンプ８５により、第１排気口８１Ｅからの第１排ガス及び第２排気口８３Ｅからの第２排ガスが排気される。
６．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、実施形態２と同様に、第１バルブ８１Ｖの開度と第２バルブ８３Ｖの開度とにより、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの量と第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスの量との比を調節することができる。したがって、当該比の微調整をし得る。また、第１排ガスと第２排ガスとを共通の排気ポンプ８５で排気している。従って、実施形態２のＥＵＶ光生成装置１００と比べて、構成を簡易にし得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、実施形態２と同様に、第１バルブ８１Ｖの開度と第２バルブ８３Ｖの開度とにより、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの量と第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスの量との比を調節することができる。したがって、当該比の微調整をし得る。また、第１排ガスと第２排ガスとを共通の排気ポンプ８５で排気している。従って、実施形態２のＥＵＶ光生成装置１００と比べて、構成を簡易にし得る。
７．実施形態４の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態４の極端紫外光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態４の極端紫外光生成装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
７．１ 構成
図９は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を図４と同様の方法で示す模式図である。図９に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、実施形態３のＥＵＶ光生成装置１００と同様に、第１排気口８１Ｅに接続される第１排気管８１Ｐ及び第２排気口８３Ｅに接続される第２排気管８３Ｐがそれぞれ排気管８７の一端に接続されている。ここで、実施形態１の説明のように、第１排ガスが流れ第２排ガスの流れが抑制される経路を第１排気経路とし、第２排ガスが流れ第１排ガスの流れが抑制される経路を第２排気経路とする。、本実施形態では、第１排気口８１Ｅから排気管８７の手前に至る経路が第１排気経路であり、第２排気口８３Ｅから排気管８７の手前に至る経路が第２排気経路である。また、排気管８７の他端が排気ポンプ８５に接続されている。また、第２排気管８３Ｐには、実施形態２、３と同様に、第２バルブ８３Ｖが設けられている。従って、本実施形態では、第２排気経路に第２バルブ８３Ｖは設けられている。ただし、本実施形態では、第１排気管８１Ｐにはバルブが非配置である。従って、第１排気経路にはバルブが非配置である。また、本実施形態では、ガス排気量調節部８６は、第２バルブ８３Ｖを含む。このため、第２バルブ８３Ｖの開度は、制御部２０により制御される。
図９は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１００におけるチャンバ１０を含む一部の概略構成を図４と同様の方法で示す模式図である。図９に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、実施形態３のＥＵＶ光生成装置１００と同様に、第１排気口８１Ｅに接続される第１排気管８１Ｐ及び第２排気口８３Ｅに接続される第２排気管８３Ｐがそれぞれ排気管８７の一端に接続されている。ここで、実施形態１の説明のように、第１排ガスが流れ第２排ガスの流れが抑制される経路を第１排気経路とし、第２排ガスが流れ第１排ガスの流れが抑制される経路を第２排気経路とする。、本実施形態では、第１排気口８１Ｅから排気管８７の手前に至る経路が第１排気経路であり、第２排気口８３Ｅから排気管８７の手前に至る経路が第２排気経路である。また、排気管８７の他端が排気ポンプ８５に接続されている。また、第２排気管８３Ｐには、実施形態２、３と同様に、第２バルブ８３Ｖが設けられている。従って、本実施形態では、第２排気経路に第２バルブ８３Ｖは設けられている。ただし、本実施形態では、第１排気管８１Ｐにはバルブが非配置である。従って、第１排気経路にはバルブが非配置である。また、本実施形態では、ガス排気量調節部８６は、第２バルブ８３Ｖを含む。このため、第２バルブ８３Ｖの開度は、制御部２０により制御される。
７．２ 動作
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、実施形態２と同様に、図５及び図６を用いて説明した実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００と同様の動作をする。ただし、本実施形態では、ステップＳＰ１３及びステップＳＰ２７において、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスと第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスとの比は、制御部２０で開度が制御される第２バルブ８３Ｖにより調節される。第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの量は、第１排気経路にバルブが非配置であるため、概ね一定である。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、実施形態２と同様に、図５及び図６を用いて説明した実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００と同様の動作をする。ただし、本実施形態では、ステップＳＰ１３及びステップＳＰ２７において、第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスと第２排気口８３Ｅから排気される第２排ガスとの比は、制御部２０で開度が制御される第２バルブ８３Ｖにより調節される。第１排気口８１Ｅから排気される第１排ガスの量は、第１排気経路にバルブが非配置であるため、概ね一定である。
７．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１排ガスと第２排ガスとを共通の排気ポンプ８５で排気している。従って、実施形態３のＥＵＶ光生成装置１００と同様に、構成を簡易にし得る。また、本実施形態では、第２排気経路に第２バルブ８３Ｖが設けられているが、第１排気経路にバルブが非配置であるため、ＥＵＶ光生成装置１００をより簡易な構成とし得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、第１排ガスと第２排ガスとを共通の排気ポンプ８５で排気している。従って、実施形態３のＥＵＶ光生成装置１００と同様に、構成を簡易にし得る。また、本実施形態では、第２排気経路に第２バルブ８３Ｖが設けられているが、第１排気経路にバルブが非配置であるため、ＥＵＶ光生成装置１００をより簡易な構成とし得る。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態や変形例に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
１０・・・チャンバ、２０・・・制御部、３０・・・レーザ装置、４０・・・ターゲット供給部、５０・・・ＥＵＶ光集光ミラー、７６・・・供給ガス流量調節部、８１・・・第１排気部、８１Ｅ・・・第１排気口、８３・・・第２排気部、８３Ｅ・・・第２排気口、８６・・・ガス排気量調節部、１００・・・極端紫外光生成装置、１０１・・・ＥＵＶ光、２００・・・露光装置、３０１・・・レーザ光、ＭＬ・・・磁場、ＭＡ・・・磁場軸
Claims (11)
- 内部空間のプラズマ生成領域に照射されるレーザ光によりターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
前記ターゲット物質のプラズマ化により生じる極端紫外光を集光させる集光ミラーと、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
前記極端紫外光の光路を横切る磁場軸を含む磁場を発生させる磁場発生部と、
前記チャンバにおける前記磁場軸が通る位置に設けられる第１排気口と、
前記第１排気口を通り前記集光ミラーの光軸に垂直な面を基準として前記チャンバにおける前記集光ミラー側と反対側の位置に設けられる第２排気口と、
前記第１排気口から排気される第１排ガスの排気量と前記第２排気口から排気される第２排ガスの排気量との比を調節するガス排気量調節部と、
を備える極端紫外光生成装置。 - 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１排気口を一対備え、
一対の前記第１排気口は、前記チャンバにおける前記磁場軸に沿って対向する位置に設けられる極端紫外光生成装置。 - 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス排気量調節部は、前記第１排気口から前記第１排ガスを排気させる第１排気ポンプと前記第１排気口との間の第１排気経路に設けられる第１バルブと、前記第２排気口から前記第２排ガスを排気させる第２排気ポンプと前記第２排気口との間の第２排気経路に設けられる第２バルブと、を含む極端紫外光生成装置。 - 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス排気量調節部は、前記第１排気口から前記第１排ガスを排気させ前記第２排気口から前記第２排ガスを排気させる排気ポンプと前記第１排気口との間の前記第１排ガスが流れかつ前記第２排ガスの流れが抑制される第１排気経路に設けられる第１バルブと、前記排気ポンプと前記第２排気口との間の前記第２排ガスが流れかつ前記第１排ガスの流れが抑制される第２排気経路に設けられる第２バルブと、を含む極端紫外光生成装置。 - 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス排気量調節部は、前記第１排気口から前記第１排ガスを排気させ前記第２排気口から前記第２排ガスを排気させる排気ポンプと前記第２排気口との間の前記第２排ガスが流れかつ前記第１排ガスの流れが抑制される第２排気経路に設けられる第２バルブを含み、
前記排気ポンプと前記第１排気口との間の前記第１排ガスが流れかつ前記第２排ガスの流れが抑制される第１排気経路にはバルブが非配置である極端紫外光生成装置。 - 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス排気量調節部を制御し、前記チャンバ内に供給される前記ガスの量に基づいて前記比を調節する制御部を更に備える極端紫外光生成装置。 - 請求項６に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス供給部から供給される前記ガスの流量を調節する供給ガス流量調節部を更に備え、
前記制御部は、前記供給ガス流量調節部を制御し、前記レーザ光の強度に基づいて前記チャンバ内に供給される前記ガスの量を調節する極端紫外光生成装置。 - 請求項７に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス供給部は、前記集光ミラーの外周部から前記集光ミラーの反射面に沿って前記ガスを供給する第１ガス供給部と、前記集光ミラーに形成された貫通孔から前記ガスを供給する第２ガス供給部とを含み、
前記制御部は、前記供給ガス流量調節部を制御し、前記第２ガス供給部から供給される前記ガスの量を調節する極端紫外光生成装置。 - 請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第２ガス供給部は、前記集光ミラーから離れる方向に向かって前記ガスを供給する極端紫外光生成装置。 - 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲット物質はスズであり、前記ガスは水素を含有する極端紫外光生成装置。 - 極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光し、
前記極端紫外光生成装置は、
内部空間のプラズマ生成領域に照射されるレーザ光によりターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
前記ターゲット物質のプラズマ化により生じる前記極端紫外光を集光させる集光ミラーと、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
前記極端紫外光の光路を横切る磁場軸を含む磁場を発生させる磁場発生部と、
前記チャンバにおける前記磁場軸が通る位置に設けられる第１排気口と、
前記第１排気口を通り前記集光ミラーの光軸に垂直な面を基準として前記チャンバにおける前記集光ミラー側と反対側の位置に設けられる第２排気口と、
前記第１排気口から排気される第１排ガスの排気量と前記第２排気口から排気される第２排ガスの排気量との比を調節するガス排気量調節部と、
を備える電子デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/042360 WO2020100269A1 (ja) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020100269A1 true JPWO2020100269A1 (ja) | 2021-10-07 |
| JP7143439B2 JP7143439B2 (ja) | 2022-09-28 |
Family
ID=70731572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020556542A Active JP7143439B2 (ja) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11272608B2 (ja) |
| JP (1) | JP7143439B2 (ja) |
| WO (1) | WO2020100269A1 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277481A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP2013251381A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Gigaphoton Inc | Ｅｕｖ光生成装置の洗浄方法 |
| JP2014523640A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-09-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | レーザ生成プラズマ光源内の緩衝ガス流安定化のためのシステム及び方法 |
| WO2016098193A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| WO2016175031A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成システム |
| WO2017077641A1 (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-11 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| JP2017097382A (ja) * | 2017-02-20 | 2017-06-01 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
| US20180173117A1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme Ultraviolet Lithography System with Debris Trapper on Exhaust Line |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013135033A (ja) | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
| WO2018229838A1 (ja) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置 |
-
2018
- 2018-11-15 JP JP2020556542A patent/JP7143439B2/ja active Active
- 2018-11-15 WO PCT/JP2018/042360 patent/WO2020100269A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-04-09 US US17/226,515 patent/US11272608B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277481A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP2014523640A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-09-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | レーザ生成プラズマ光源内の緩衝ガス流安定化のためのシステム及び方法 |
| JP2013251381A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Gigaphoton Inc | Ｅｕｖ光生成装置の洗浄方法 |
| WO2016098193A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| WO2016175031A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成システム |
| WO2017077641A1 (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-11 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| US20180173117A1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme Ultraviolet Lithography System with Debris Trapper on Exhaust Line |
| JP2017097382A (ja) * | 2017-02-20 | 2017-06-01 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 溝口計 他3名: "半導体製造用短波長光源：エキシマレーザーからLPP-EUV光源への挑戦", KOMATSU TECHNICAL REPORT, vol. 62, no. 169, JPN7022003258, 2016, pages 27 - 37, ISSN: 0004824061 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020100269A1 (ja) | 2020-05-22 |
| JP7143439B2 (ja) | 2022-09-28 |
| US20210235571A1 (en) | 2021-07-29 |
| US11272608B2 (en) | 2022-03-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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