JPWO2017090167A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

極端紫外光生成装置は、ターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットに照射されるドライブレーザ光を出力するドライブレーザと、ガイドレーザ光を出力するガイドレーザと、ドライブレーザから出力されたドライブレーザ光の光路と、ガイドレーザから出力されたガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力するビームコンバイナと、ビームコンバイナに入射するドライブレーザ光の光路を調整する第１のアクチュエータを備えた第１の光学素子と、ビームコンバイナに入射するガイドレーザ光の光路を調整する第２のアクチュエータを備えた第２の光学素子と、ビームコンバイナから出力されたガイドレーザ光を検出して検出データを出力するセンサと、センサによるガイドレーザ光の検出データを受信し、検出データに基づいて第２のアクチュエータを制御し、第２のアクチュエータの制御量に基づいて第１のアクチュエータを制御する制御部と、を備えてもよい。

Description

本開示は、極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許出願公開第２０１０／１１７００９号明細書 米国特許出願公開第２０１０／１４０５１２号明細書

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットに照射されるドライブレーザ光を出力するドライブレーザと、ガイドレーザ光を出力するガイドレーザと、ドライブレーザから出力されたドライブレーザ光の光路と、ガイドレーザから出力されたガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力するビームコンバイナと、ビームコンバイナに入射するドライブレーザ光の光路を調整する第１のアクチュエータを備えた第１の光学素子と、ビームコンバイナに入射するガイドレーザ光の光路を調整する第２のアクチュエータを備えた第２の光学素子と、ビームコンバイナから出力されたガイドレーザ光を検出して検出データを出力するセンサと、センサによるガイドレーザ光の検出データを受信し、検出データに基づいて第２のアクチュエータを制御し、第２のアクチュエータの制御量に基づいて第１のアクチュエータを制御する制御部と、を備えてもよい。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、ターゲットにプリパルスレーザ光が照射された後にターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、第１のガイドレーザ光を出力する第１のガイドレーザと、第２のガイドレーザ光を出力する第２のガイドレーザと、プリパルスレーザから出力されたプリパルスレーザ光の光路と、第１のガイドレーザから出力された第１のガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力する第１のビームコンバイナと、メインパルスレーザから出力されたメインパルスレーザ光の光路と、第２のガイドレーザから出力された第２のガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力する第２のビームコンバイナと、第１のビームコンバイナに入射するプリパルスレーザ光の光路を調整する第１のアクチュエータを備えた第１の光学素子と、第１のビームコンバイナに入射する第１のガイドレーザ光の光路を調整する第２のアクチュエータを備えた第２の光学素子と、第１のビームコンバイナから出力されたプリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光の両方の光路を調整する第３のアクチュエータを備えた第３の光学素子と、第２のビームコンバイナに入射するメインパルスレーザ光の光路を調整する第４のアクチュエータを備えた第４の光学素子と、第２のビームコンバイナに入射する第２のガイドレーザ光の光路を調整する第５のアクチュエータを備えた第５の光学素子と、第２のビームコンバイナから出力されたメインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光の両方の光路を調整する第６のアクチュエータを備えた第６の光学素子と、第３の光学素子から出力されたプリパルスレーザ光の光路と第６の光学素子から出力されたメインパルスレーザ光の光路とを略一致させ、第３の光学素子から出力された第１のガイドレーザ光の光路と第６の光学素子から出力された第２のガイドレーザ光の光路とを略一致させる第３のビームコンバイナと、第３のビームコンバイナから出力された第１及び第２のガイドレーザ光を検出して検出データを出力するセンサと、センサによる第１のガイドレーザ光の検出データに基づいて第２及び第３のアクチュエータを制御し、第２のアクチュエータの制御量に基づいて第１のアクチュエータを制御し、センサによる第２のガイドレーザ光の検出データに基づいて第５及び第６のアクチュエータを制御し、第５のアクチュエータの制御量に基づいて第４のアクチュエータを制御する制御部と、を備えてもよい。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットに照射されるドライブレーザ光を出力するドライブレーザと、ターゲットに照射されるガイドレーザ光を出力するガイドレーザと、ドライブレーザから出力されたドライブレーザ光及びガイドレーザから出力されたガイドレーザ光の両方の光路を調整するアクチュエータを備えた光学素子と、ガイドレーザ光が照射されたターゲットによって反射された光の像を検出する画像センサと、画像センサの出力に基づいて、アクチュエータを制御する制御部と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図３Ａ〜図３Ｅは、図２に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるアクチュエータの制御とＥＵＶエネルギーの安定性との関係を示す。 図４は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図５は、第１の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。 図６Ａ〜図６Ｆは、図４に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるアクチュエータの制御とＥＵＶエネルギーの安定性との関係を示す。 図７は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図８は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図９Ａは、ターゲット２７の軌道とターゲットカメラ８０の配置との関係を示す。図９Ｂは、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸が理想的な位置に調整された場合にターゲットカメラ８０によって撮影される画像の例を示す。図９Ｃは、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸が理想的な位置よりもＹ方向にずれた場合にターゲットカメラ８０によって撮影される画像の例を示す。図９Ｄは、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸が理想的な位置よりもＸ方向にずれた場合にターゲットカメラ８０によって撮影される画像の例を示す。 図１０は、第２の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。 図１１は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１２は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１３は、第４の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。 図１４は、上述の実施形態において用いられるセンサ４１３の第１の例を概略的に示す。 図１５は、上述の実施形態において用いられるセンサ４１３の第２の例を概略的に示す。 図１６Ａ及び図１６Ｂは、上述の実施形態において用いられるセンサ４１３の第３の例を概略的に示す。 図１７は、制御部の概略構成を示すブロック図である。

実施形態

＜内容＞
１．極端紫外光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
２．１ 構成
２．１．１ ターゲット供給部
２．１．２ レーザ装置
２．１．３ レーザ光進行方向制御部
２．１．４ レーザ光集光光学系
２．２ 動作
２．２．１ ターゲットの出力
２．２．２ プラズマの生成
２．３ 課題
３．ガイドレーザを備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用
４．ターゲットによる反射光を検出するＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 反射光によるレーザ光路軸の検出原理
４．３ 動作
４．４ 作用
５．アクチュエータの応答性能を向上したＥＵＶ光生成装置
６．ガイドレーザ光とドライブレーザ光の位置を同時に調整するＥＵＶ光生成装置
６．１ 構成
６．２ 動作
７．センサの例
７．１ 第１の例
７．１．１ 構成
７．１．２ 動作
７．２ 第２の例
７．３ 第３の例
７．３．１ 構成
７．３．２ 動作
８．制御部の構成

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．極端紫外光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５及びターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、パルスレーザ光の進行方向を規定するための光学系と、この光学系の配置、姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。

１．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
２．１ 構成
図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。図２に示されるように、ＥＵＶ光の出力方向をＺ方向としてもよい。ターゲットの出力方向と反対の方向をＹ方向としてもよい。Ｚ方向とＹ方向との両方に垂直な方向をＸ方向としてもよい。図２は−Ｘ方向の位置からＸ方向に見たＥＵＶ光生成システムを示す。

２．１．１ ターゲット供給部
ターゲット供給部２６は、チャンバ２ａの壁面に形成された貫通孔２ｂを貫通するように配置されていてもよい。貫通孔２ｂの周囲のチャンバ２ａの壁面と、ターゲット供給部２６との間には、図示しないシール手段が配置されてもよい。シール手段により、貫通孔２ｂの周囲のチャンバ２ａの壁面とターゲット供給部２６との間が密閉されてもよい。

ターゲット供給部２６は、溶融されたターゲットの材料を、内部に貯蔵してもよい。このターゲットの材料は、ターゲット供給部２６の内部に供給される不活性ガスによって加圧されてもよい。ターゲット供給部２６は、チャンバ２ａの内部に位置する図示しない開口部を有してもよい。ターゲット供給部２６の上記開口部付近に、図示しない加振装置が配置されてもよい。ターゲット供給部２６は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、プラズマ生成領域２５に向けてターゲット２７を出力するように構成されてもよい。

２．１．２ レーザ装置
レーザ装置３は、プリパルスレーザ３ｐと、メインパルスレーザ３ｍとを含んでもよい。プリパルスレーザ３ｐは、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、プリパルスレーザ光３１ｐを出力するように構成されてもよい。メインパルスレーザ３ｍは、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、メインパルスレーザ光３１ｍを出力するように構成されてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐの波長よりも、メインパルスレーザ光３１ｍの波長が長くてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐのエネルギーよりも、メインパルスレーザ光３１ｍのエネルギーが大きくてもよい。プリパルスレーザ３ｐ及びメインパルスレーザ３ｍの各々は、本開示におけるドライブレーザに相当し得る。プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの各々は、本開示におけるドライブレーザ光に相当し得る。

２．１．３ レーザ光進行方向制御部
チャンバ２ａの外部に配置されたレーザ光進行方向制御部３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２を含んでもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、プリパルスレーザ３ｐから出力されるプリパルスレーザ光３１ｐの光路に配置されていてもよい。高反射ミラー３４１は、ホルダ３４３によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４２は、ホルダ３４４によって支持されていてもよい。ホルダ３４３には、アクチュエータＰ１が取付けられていてもよい。ホルダ３４４には、アクチュエータＰ２が取付けられていてもよい。高反射ミラー３４１は、プリパルスレーザ光３１ｐを反射するように構成されていてもよい。高反射ミラー３４２は、高反射ミラー３４１によって反射されたプリパルスレーザ光３１ｐを反射するように構成されていてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４ａは、さらに、高反射ミラー３４５及び３４６を含んでもよい。高反射ミラー３４５及び３４６は、メインパルスレーザ３ｍから出力されるメインパルスレーザ光３１ｍの光路に配置されていてもよい。高反射ミラー３４５は、ホルダ３４７によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４６は、ホルダ３４８によって支持されていてもよい。ホルダ３４７には、アクチュエータＭ１が取付けられていてもよい。ホルダ３４８には、アクチュエータＭ２が取付けられていてもよい。高反射ミラー３４５は、メインパルスレーザ光３１ｍを反射するように構成されていてもよい。高反射ミラー３４６は、高反射ミラー３４５によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍを反射するように構成されていてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４ａは、さらに、ビームコンバイナモジュール４０を含んでもよい。ビームコンバイナモジュール４０は、高反射ミラー４０１、４０２、４０５及び４０６と、ビームコンバイナ４０９と、センサ４１３と、を含んでもよい。高反射ミラー４０１は、高反射ミラー３４２によって反射されたプリパルスレーザ光３１ｐの光路に配置されてもよい。高反射ミラー４０１は、ホルダ４０３によって支持されていてもよい。高反射ミラー４０１は、プリパルスレーザ光３１ｐを反射するように構成されてもよい。高反射ミラー４０２は、高反射ミラー４０１によって反射されたプリパルスレーザ光３１ｐの光路に配置されてもよい。高反射ミラー４０２は、ホルダ４０４によって支持されていてもよい。高反射ミラー４０２は、プリパルスレーザ光３１ｐを反射するように構成されてもよい。
高反射ミラー４０５は、高反射ミラー３４６によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍの光路に配置されてもよい。高反射ミラー４０５は、ホルダ４０７によって支持されていてもよい。高反射ミラー４０５は、メインパルスレーザ光３１ｍを反射するように構成されてもよい。

ビームコンバイナ４０９は、高反射ミラー４０２によって反射されたプリパルスレーザ光３１ｐの光路と、高反射ミラー４０５によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍの光路とが交差する位置に配置されてもよい。光路が交差する位置とは、光路の中心軸が交差する場合に限られず、２つのレーザ光のビーム幅で規定される光路のそれぞれ少なくとも一部が交差する場合に、その交差する位置をいう。ビームコンバイナ４０９は、ホルダ４１０によって支持されていてもよい。ビームコンバイナ４０９は、プリパルスレーザ光３１ｐを高い反射率で反射し、メインパルスレーザ光３１ｍを高い透過率で透過させるように構成されてもよい。ビームコンバイナ４０９は、プリパルスレーザ光３１ｐとメインパルスレーザ光３１ｍの光路軸をほぼ一致させるように構成されてもよい。光路軸は、光路の中心軸であってもよい。ビームコンバイナ４０９は、さらに、プリパルスレーザ光３１ｐの一部をセンサ４１３に向けて透過させ、メインパルスレーザ光３１ｍの一部をセンサ４１３に向けて反射するように構成されてもよい。

高反射ミラー４０６は、ビームコンバイナ４０９によって反射されたプリパルスレーザ光３１ｐ及びビームコンバイナ４０９を透過したメインパルスレーザ光３１ｍの光路に配置されてもよい。高反射ミラー４０６は、ホルダ４０８によって支持されてもよい。高反射ミラー４０６は、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍを、チャンバ２ａの内部に向けて反射するように構成されてもよい。本明細書においては、高反射ミラー４０６によって反射されたプリパルスレーザ光３１ｐ及び高反射ミラー４０６によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍをまとめてパルスレーザ光３２と称することがある。

２．１．４ レーザ光集光光学系
チャンバ２ａの内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及びプレート８３とが設けられてもよい。

プレート８２は、チャンバ２ａに固定されてもよい。プレート８２には、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してＥＵＶ集光ミラー２３が固定されてもよい。さらに、プレート８２には、プレート８３が支持されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面凸面ミラー２２１及び楕円面凹面ミラー２２２を含んでもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１は、ホルダ２２３によって支持されてもよい。楕円面凹面ミラー２２２は、ホルダ２２４によって支持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。

軸外放物面凸面ミラー２２１は、回転放物面の凸面を反射面とするミラーであってもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１は、回転放物面の軸が、軸外放物面凸面ミラー２２１に入射するパルスレーザ光３２の光路の中心軸とほぼ平行となるように配置されてもよい。

楕円面凹面ミラー２２２は、回転楕円面の凹面を反射面とするミラーであってもよい。楕円面凹面ミラー２２２は、第１の焦点と第２の焦点を有してもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１の焦点と、楕円面凹面ミラー２２２の第１の焦点とがほぼ一致するように、楕円面凹面ミラー２２２が配置されてもよい。楕円面凹面ミラー２２２の第２の焦点は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。

２．２ 動作
２．２．１ ターゲットの出力
上述のターゲット供給部２６において、不活性ガスによって加圧されたターゲットの材料は、上記開口部を介して出力されてもよい。上述の加振装置によってターゲット供給部２６に振動が与えられることにより、ターゲットの材料は複数のドロップレットに分離されてもよい。それぞれのドロップレットが、ターゲット２７として、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５までの軌道に沿って移動してもよい。

２．２．２ プラズマの生成
プリパルスレーザ３ｐから出力されたプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ３ｍから出力されたメインパルスレーザ光３１ｍは、レーザ光進行方向制御部３４ａを経て、パルスレーザ光３２としてレーザ光集光光学系２２ａに導かれてもよい。

センサ４１３は、ビームコンバイナ４０９を透過したプリパルスレーザ光３１ｐを検出し、検出結果をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３の出力に基づいてプリパルスレーザ光３１ｐのビームポジション及びポインティングを算出してもよい。ビームポジションは、センサ４１３に入射したパルスレーザ光の位置を示してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、プリパルスレーザ光３１ｐのビームポジションに基づいて、アクチュエータＰ１を制御してもよい。ポインティングは、センサ４１３に入射したパルスレーザ光の方向を示してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、プリパルスレーザ光３１ｐのポインティングに基づいて、アクチュエータＰ２を制御してもよい。

センサ４１３は、ビームコンバイナ４０９によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍを検出し、検出結果をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３の出力に基づいてメインパルスレーザ光３１ｍのビームポジション及びポインティングを算出してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ｍのビームポジションに基づいて、アクチュエータＭ１を制御してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ｍのポインティングに基づいて、アクチュエータＭ２を制御してもよい

パルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａに含まれる軸外放物面凸面ミラー２２１によって反射されることによりビーム拡大されてもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１によって反射されたパルスレーザ光３２は、楕円面凹面ミラー２２２によって反射され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光されてもよい。パルスレーザ光３３は、プリパルスレーザ光３１ｐとメインパルスレーザ光３１ｍとを含んでもよい。

１つのターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングで、プリパルスレーザ光３１ｐがターゲット２７に照射されてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐが照射されたターゲット２７は膨張又は拡散して、二次ターゲットとなってもよい。二次ターゲットが所望の大きさに膨張又は拡散したタイミングで、メインパルスレーザ光３１ｍが二次ターゲットに照射されてもよい。メインパルスレーザ光３１ｍが照射された二次ターゲットはプラズマ化して、このプラズマからＥＵＶ光を含む放射光２５１が放射されてもよい。

２．３ 課題
図３Ａ〜図３Ｅは、図２に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるアクチュエータの制御とＥＵＶエネルギーの安定性との関係を示す。

図３Ａは、ＥＵＶバースト出力指令を示す。ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６から出力されるＥＵＶバースト出力指令を受信してもよい。ＥＵＶバースト出力指令は、所定の繰り返し周波数によりＥＵＶ光を出力するバースト期間と、ＥＵＶ光の出力を休止する休止期間と、を指令する信号でもよい。図３Ａにおいては、第１のバースト期間と、第１のバースト期間の後の休止期間と、休止期間の後の第２のバースト期間と、が示されている。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶバースト出力指令がＯＮである場合、すなわち第１又は第２のバースト期間である場合に、プリパルスレーザ３ｐ及びメインパルスレーザ３ｍからそれぞれパルスレーザ光を出力させてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶバースト出力指令がＯＦＦである場合、すなわち休止期間である場合に、プリパルスレーザ３ｐ及びメインパルスレーザ３ｍからのパルスレーザ光の出力を停止させてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、第１及び第２のバースト期間及び休止期間のいずれにおいても、ターゲット供給部２６からのターゲット２７の出力を続けさせてもよい。

図３Ｂ及び図３Ｃは、それぞれ、アクチュエータＭ１及びＭ２の制御量に応じたアクチュエータＭ１及びＭ２の位置の、時間に応じた変化を示す。第１及び第２のバースト期間においては、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路に配置された光学系が、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのエネルギーを吸収して熱膨張し、変形し得る。ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３によるメインパルスレーザ光３１ｍの検出結果に基づいてアクチュエータＭ１及びＭ２を制御することにより、熱負荷による光学系の変形を補償してもよい。

アクチュエータＰ１及びＰ２の制御については、図３Ａ〜図３Ｅに示されていないが、プリパルスレーザ光３１ｐの検出結果に基づいて制御されること以外は、アクチュエータＭ１及びＭ２の制御と同様でもよい。メインパルスレーザ光３１ｍはプリパルスレーザ光３１ｐよりエネルギーが大きいので、光学系に対する熱負荷が大きいことがある。アクチュエータＭ１及びＭ２の制御量は、アクチュエータＰ１及びＰ２の制御量より大きくてもよい。

第１及び第２のバースト期間においては、光学系に蓄積される熱負荷が次第に大きくなり得る。図３Ｂ及び図３Ｃにおいて、例えば第１のバースト期間に関して示されているように、バースト期間の終了時には、アクチュエータＭ１及びＭ２の制御量がバースト期間の開始時よりそれぞれ大きくなっていてもよい。

図３Ｄは、ターゲット２７とメインパルスレーザ光３１ｍの集光位置とのずれ量の、時間に応じた変化を示す。上述のようにアクチュエータＰ１、Ｐ２、Ｍ１及びＭ２を制御することにより、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路軸を所望の範囲に制御し得る。図３Ｄにおいて、例えば第１のバースト期間に関して示されているように、ターゲット２７の位置に対するメインパルスレーザ光３１ｍの集光位置のずれが抑制され得る。プリパルスレーザ光３１ｐについても同様の制御が可能であり得る。

図３Ｅは、ＥＵＶ光のエネルギーの時間に応じた変化を示す。上述のようにアクチュエータＰ１、Ｐ２、Ｍ１及びＭ２を制御することにより、例えば第１のバースト期間に関して示されているように、ＥＵＶ光のエネルギーが安定化し得る。

図３Ａに示されるＥＵＶバースト出力指令がＯＦＦである期間、すなわち休止期間においては、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍが出力されないので、熱負荷による光学系の変形が解消し得る。

しかしながら、休止期間においては、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍが出力されないので、センサ４１３でレーザ光を検出できないことがある。従って、休止期間においては、アクチュエータＰ１、Ｐ２、Ｍ１及びＭ２をフィードバック制御できないことがある。

その場合、図３Ｂ及び図３Ｃにおいて、休止期間に関して示されているように、アクチュエータＭ１及びＭ２の制御量は、ほとんど変化せずほぼ一定値のままであり得る。休止期間におけるアクチュエータＭ１及びＭ２の制御量は、第１のバースト期間の終了時における制御量とほぼ同じであり得る。アクチュエータＰ１及びＰ２に関しても同様であり得る。

休止期間の後、図３Ａに示されるＥＵＶバースト出力指令がＯＮとなり得る。すなわち第２のバースト期間が開始され得る。第２のバースト期間の開始時には、熱負荷による光学系の変形が解消していたとしても、図３Ｂ及び図３Ｃに示されるように、熱負荷による光学系の変形が解消する前のアクチュエータＭ１及びＭ２の位置を起点として制御が開始され得る。従って、第２のバースト期間の開始時に、図３Ｄに示されるように、ターゲット２７の位置に対するメインパルスレーザ光３１ｍの集光位置がずれていることがある。プリパルスレーザ光３１ｐについても同様であり得る。これにより、図３Ｅに示されるように、第２のバースト期間の開始時には、所望のＥＵＶ光エネルギーが得られないことがある。

以下に説明する実施形態においては、プリパルスレーザ光の光路に一致する第１のガイドレーザ光と、メインパルスレーザ光の光路に一致する第２のガイドレーザ光とを用いて、休止期間においても光学系の制御ができるようにしてもよい。

３．ガイドレーザを備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
図４は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。第１の実施形態において、ＥＵＶ光生成システムは、第１のガイドレーザ３ｐｇと、第２のガイドレーザ３ｍｇと、をさらに含んでもよい。第１のガイドレーザ３ｐｇは、第１のガイドレーザ光Ｇ１を出力するように構成されてもよい。第２のガイドレーザ３ｍｇは、第２のガイドレーザ光Ｇ２を出力するように構成されてもよい。第１のガイドレーザ光Ｇ１のエネルギーは、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのいずれよりも小さくてよい。第２のガイドレーザ光Ｇ２のエネルギーは、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのいずれよりも小さくてよい。

第１のガイドレーザ光Ｇ１の光路には、高反射ミラー３５１及び３５２と、ビームコンバイナ３６１と、が配置されてもよい。ビームコンバイナ３６１は、高反射ミラー３４１と高反射ミラー３４２との間のプリパルスレーザ光３１ｐの光路に位置してもよい。高反射ミラー３５１はホルダ３５３に支持されてもよい。高反射ミラー３５２はホルダ３５４に支持されてもよい。ビームコンバイナ３６１はホルダ３６２に支持されてもよい。ホルダ３５３には、アクチュエータＰＧが取付けられていてもよい。アクチュエータＰ１は本開示における第１のアクチュエータに相当し、アクチュエータＰＧは本開示における第２のアクチュエータに相当し、アクチュエータＰ２は本開示における第３のアクチュエータに相当し得る。

高反射ミラー３５１及び３５２は、第１のガイドレーザ光Ｇ１を順次反射するように構成されていてもよい。ビームコンバイナ３６１は、プリパルスレーザ光３１ｐを高い透過率で透過させ、第１のガイドレーザ光Ｇ１を高い反射率で反射するように構成されてもよい。ビームコンバイナ３６１は、プリパルスレーザ光３１ｐと第１のガイドレーザ光Ｇ１の光路の中心軸をほぼ一致させるように構成されてもよい。

第２のガイドレーザ光Ｇ２の光路には、高反射ミラー３５５及び３５６と、ビームコンバイナ３６３と、が配置されてもよい。ビームコンバイナ３６３は、高反射ミラー３４５と高反射ミラー３４６との間のメインパルスレーザ光３１ｍの光路に位置してもよい。高反射ミラー３５５はホルダ３５７に支持されてもよい。高反射ミラー３５６はホルダ３５８に支持されてもよい。ビームコンバイナ３６３はホルダ３６４に支持されてもよい。ホルダ３５７には、アクチュエータＭＧが取付けられていてもよい。アクチュエータＭ１は本開示における第４のアクチュエータに相当し、アクチュエータＭＧは本開示における第５のアクチュエータに相当し、アクチュエータＭ２は本開示における第６のアクチュエータに相当し得る。

高反射ミラー３５５及び３５６は、第２のガイドレーザ光Ｇ２を順次反射するように構成されていてもよい。ビームコンバイナ３６３は、メインパルスレーザ光３１ｍを高い透過率で透過させ、第２のガイドレーザ光Ｇ２を高い反射率で反射するように構成されてもよい。ビームコンバイナ３６３は、メインパルスレーザ光３１ｍと第２のガイドレーザ光Ｇ２の光路の中心軸をほぼ一致させるように構成されてもよい。

ビームコンバイナモジュール４０に含まれるビームコンバイナ４０９は、第１のガイドレーザ光Ｇ１を高い透過率で透過させるように構成されてもよい。ビームコンバイナ４０９は、第２のガイドレーザ光Ｇ２を高い反射率で反射するように構成されてもよい。センサ４１３は、第１のガイドレーザ光Ｇ１及び第２のガイドレーザ光Ｇ２を検出するように構成されてもよい。
他の点については、図２を参照しながら説明した比較例の構成と同様でよい。

３．２ 動作
第１のガイドレーザ光Ｇ１及び第２のガイドレーザ光Ｇ２は、センサ４１３に入射してもよい。センサ４１３は、第１のガイドレーザ光Ｇ１及び第２のガイドレーザ光Ｇ２を検出し、検出結果をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３の出力に基づいて第１のガイドレーザ光Ｇ１のビームポジション及びポインティングを算出してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３の出力に基づいて第２のガイドレーザ光Ｇ２のビームポジション及びポインティングを算出してもよい。以下に説明するように、ＥＵＶ光生成制御部５は、休止期間において、第１のガイドレーザ光Ｇ１及び第２のガイドレーザ光Ｇ２のビームポジション及びポインティングに基づいて高反射ミラーのアクチュエータを制御してもよい。

図５は、第１の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。ＥＵＶ光生成制御部５は、以下の処理により、休止期間における光路軸調整と、バースト期間における光路軸調整と、を行ってもよい。

Ｓ１００において、ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト期間中であるか、休止期間中であるかを判定してもよい。例えば、露光装置６から受信したＥＵＶバースト出力指令がＯＮである場合には、バースト期間中であると判定してもよい。また、露光装置６から受信したＥＵＶバースト出力指令がＯＦＦである場合には、休止期間中であると判定してもよい。

次に、Ｓ１００においてバースト期間中であると判定された場合について説明する。バースト期間中である場合（Ｓ１００；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１０１に進めてもよい。バースト期間においては、プリパルスレーザ光３１ｐと、メインパルスレーザ光３１ｍと、第１のガイドレーザ光Ｇ１と、第２のガイドレーザ光Ｇ２とが、各レーザ装置から出力されてもよい。

Ｓ１０１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３による出力結果を受信して、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのビームポジションを計測してもよい。

次に、Ｓ１０２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、プリパルスレーザ光３１ｐのビームポジションが所定範囲に入るように、アクチュエータＰ１を調整してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ｍのビームポジションが所定範囲に入るように、アクチュエータＭ１を調整してもよい。

次に、Ｓ１０３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３による出力結果を再度受信して、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのポインティングを計測してもよい。

次に、Ｓ１０４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、プリパルスレーザ光３１ｐのポインティングが所定範囲に入るように、アクチュエータＰ２を調整してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ｍのポインティングが所定範囲に入るように、アクチュエータＭ２を調整してもよい。
以上の処理により、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路軸を調整することにより、これらのレーザ光がターゲット２７に適切に照射されるようにしてもよい。

Ｓ１０４の次に、Ｓ１０５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３による出力結果を再度受信して、第１のガイドレーザ光Ｇ１及び第２のガイドレーザ光Ｇ２のビームポジションを計測してもよい。

次に、Ｓ１０６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１のガイドレーザ光Ｇ１のビームポジションが所定範囲に入るように、アクチュエータＰＧを調整してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、第２のガイドレーザ光Ｇ２のビームポジションが所定範囲に入るように、アクチュエータＭＧを調整してもよい。
Ｓ１０６の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１００に戻してもよい。

次に、Ｓ１００において休止期間中であると判定された場合について説明する。休止期間中である場合（Ｓ１００；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１１１に進めてもよい。休止期間においては、プリパルスレーザ光３１ｐと、メインパルスレーザ光３１ｍとは、出力されなくてもよい。第１のガイドレーザ光Ｇ１と、第２のガイドレーザ光Ｇ２とが、各ガイドレーザ装置から出力されてもよい。

Ｓ１１１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３による出力結果を受信して、第１のガイドレーザ光Ｇ１及び第２のガイドレーザ光Ｇ２のビームポジションを計測してもよい。

次に、Ｓ１１２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１のガイドレーザ光Ｇ１のビームポジションが所定範囲に入るように、アクチュエータＰＧを調整してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、第２のガイドレーザ光Ｇ２のビームポジションが所定範囲に入るように、アクチュエータＭＧを調整してもよい。
このとき、ＥＵＶ光生成制御部５は、アクチュエータＰＧの調整量と、アクチュエータＭＧの調整量と、を記憶装置に記憶させてもよい。記憶装置は、後述のメモリ１００２であってもよい。

次に、Ｓ１１３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、センサ４１３による出力結果を再度受信して、第１のガイドレーザ光Ｇ１及び第２のガイドレーザ光Ｇ２のポインティングを計測してもよい。

次に、Ｓ１１４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１のガイドレーザ光Ｇ１のポインティングが所定範囲に入るように、アクチュエータＰ２を調整してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、第２のガイドレーザ光Ｇ２のポインティングが所定範囲に入るように、アクチュエータＭ２を調整してもよい。

Ｓ１１１〜Ｓ１１４の処理により、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路軸が調整される代わりに、第１のガイドレーザ光Ｇ１及び第２のガイドレーザ光Ｇ２の光路軸が調整されてもよい。
Ｓ１１１〜Ｓ１１４の処理によれば、プリパルスレーザ光３１ｐが出力されていない休止期間中においても、第１のガイドレーザ光Ｇ１の検出結果に基づいて、アクチュエータＰ２の調整を行うことができる。
Ｓ１１１〜Ｓ１１４の処理によれば、メインパルスレーザ光３１ｍが出力されていない休止期間中においても、第２のガイドレーザ光Ｇ２の検出結果に基づいて、アクチュエータＭ２の調整を行うことができる。

Ｓ１１４の次に、Ｓ１２０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、アクチュエータＰＧの調整量に基づいて、アクチュエータＰ１を調整してもよい。アクチュエータＰＧの調整量は、記憶装置から読み出したものでもよい。アクチュエータＰ１の調整量は、アクチュエータＰＧの調整量と同じでもよい。あるいは、アクチュエータＰ１の調整量は、アクチュエータＰＧの調整量に一定の比例定数を乗算したものでもよい。一定の比例定数は、高反射ミラー３５１からセンサ４１３までの第１のガイドレーザ光Ｇ１の光路長と、高反射ミラー３４１からセンサ４１３までのプリパルスレーザ光３１ｐの光路長と、の比に基づいて決められてもよい。

また、Ｓ１２０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、アクチュエータＭＧの調整量に基づいて、アクチュエータＰ２を調整してもよい。アクチュエータＭＧの調整量は、記憶装置から読み出したものでもよい。アクチュエータＰ２の調整量は、アクチュエータＭＧの調整量と同じでもよい。あるいは、アクチュエータＰ２の調整量は、アクチュエータＭＧの調整量に一定の比例定数を乗算したものでもよい。一定の比例定数は、高反射ミラー３５５からセンサ４１３までの第２のガイドレーザ光Ｇ２の光路長と、高反射ミラー３４５からセンサ４１３までのメインパルスレーザ光３１ｍの光路長と、の比に基づいて決められてもよい。

Ｓ１２０の処理によれば、プリパルスレーザ光３１ｐを出力していない休止期間中においても、アクチュエータＰＧの調整量に基づいて、アクチュエータＰ１の調整を行うことができる。
Ｓ１２０の処理によれば、メインパルスレーザ光３１ｍを出力していない休止期間中においても、アクチュエータＭＧの調整量に基づいて、アクチュエータＭ１の調整を行うことができる。
Ｓ１２０の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１００に戻してもよい。

３．３ 作用
図６Ａ〜図６Ｆは、図４に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるアクチュエータの制御とＥＵＶエネルギーの安定性との関係を示す。上述の図３Ａ〜図３Ｅに対して、図６Ａ〜図６Ｆにおいては、アクチュエータＭＧの位置の変化を示すグラフが加えられている。

図６Ａ〜図６Ｃ、図６Ｅ及び図６Ｆに示されるように、第１のバースト期間における動作は、上述の図３Ａ〜図３Ｅと同様でよい。図６Ｄに示されるように、第１のバースト期間において、さらにアクチュエータＭＧが制御されてもよい。アクチュエータＭＧは、第２のガイドレーザ光の検出結果に基づいて制御されてもよい。図６Ａ〜図６Ｆには示されていないが、アクチュエータＭＧの制御と同様に、アクチュエータＰＧが、第１のガイドレーザ光の検出結果に基づいて制御されてもよい。

第１のバースト期間の後、休止期間においては、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍが出力されないので、熱負荷による光学系の変形が解消し得る。
休止期間においては、図６Ｃ及び図６Ｄに示されるように、第２のガイドレーザ光Ｇ２の検出結果に基づいて、アクチュエータＭＧ及びアクチュエータＭ２の両方が制御されてもよい。これにより、熱負荷による光学系の変形が解消されるのに応じて、アクチュエータＭ２が制御され得る。すなわち、第２のガイドレーザ光Ｇ２の検出結果に基づく制御ができるので、メインパルスレーザ光３１ｍの検出結果に基づく制御ができなくてもよい。

また、休止期間においては、図６Ｂに示されるように、アクチュエータＭＧの制御量に基づいて、アクチュエータＭ１が制御されてもよい。これにより、熱負荷による光学系の変形が解消されるのに応じて、アクチュエータＭ１が制御され得る。すなわち、アクチュエータＭＧの制御量に基づく制御ができるので、メインパルスレーザ光３１ｍの検出結果に基づく制御ができなくてもよい。

休止期間の後、第２のバースト期間の開始時には、図６Ｂ〜図６Ｄに示されるように、熱負荷による光学系の変形が緩和されるのに応じて、アクチュエータＭＧの位置だけでなく、アクチュエータＭ１及びＭ２の位置も調整されていてもよい。従って、第２のバースト期間においては、適切なアクチュエータ位置を起点として制御が開始され得る。アクチュエータＰＧ、Ｐ１及びＰ２に関しても同様であり得る。

従って、図６Ｅに示されるように、第２のバースト期間の開始時におけるターゲット２７の位置に対するメインパルスレーザ光３１ｍの集光位置のずれが抑制され得る。プリパルスレーザ光３１ｐについても同様であり得る。
これにより、図６Ｆに示されるように、第２のバースト期間の開始時から、所望のＥＵＶ光エネルギーが得られる可能性がある。

４．ターゲットによる反射光を検出するＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
図７及び図８は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。図７は、−Ｘ方向の位置からＸ方向に見たＥＵＶ光生成システムを示す。図８は、Ｚ方向の位置から−Ｚ方向に見たＥＵＶ光生成システムを示す。

第２の実施形態においては、ビームコンバイナ４０９が、第１のガイドレーザ光Ｇ１の一部をセンサ４１３に向けて透過させるだけでなく、第１のガイドレーザ光Ｇ１の他の一部を高反射ミラー４０６に向けて反射してもよい。ビームコンバイナ４０９は、第２のガイドレーザ光Ｇ２の一部をセンサ４１３に向けて反射するだけでなく、第２のガイドレーザ光Ｇ２の他の一部を高反射ミラー４０６に向けて透過させてもよい。すなわち、ビームコンバイナモジュール４０は、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光だけでなく、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２も、チャンバ２ａに入射させてもよい。

また、第２の実施形態においては、チャンバ２ａの内部に、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４が設けられてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４は、プレート８２に対してプレート８３の位置を変更可能に構成されてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。これにより、レーザ光集光光学系２２ａの位置が変更されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａの位置が変更されることにより、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を含むパルスレーザ光３３の光路と、第１及び第２のガイドレーザ光の光路とが変更されてもよい。

図８に示されるように、第２の実施形態においては、チャンバ２ａにターゲットカメラ８０が設けられていてもよい。チャンバ２ａの壁面には、ターゲットカメラ８０が取り付けられる位置に、ウインドウ２１ｃが配置されていてもよい。ターゲットカメラ８０は、画像センサ７４と、転写光学系７５と、筐体７３と、を含んでもよい。画像センサ７４及び転写光学系７５が、筐体７３に収容されてもよい。筐体７３には、図示しない高速シャッタがさらに収容されていてもよい。チャンバ２ａ内には、ターゲット２７を撮影するために、図示しない光源が設けられていてもよい。転写光学系７５は、プラズマ生成領域２５に位置する物体の像を画像センサ７４の受光面に結像するように構成されてもよい。
他の点については、図４を参照しながら説明した第１の実施形態と同様の構成でよい。

４．２ 反射光によるレーザ光路軸の検出原理
ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて移動するドロップレット状のターゲット２７は、ほぼ球状の形を有してもよい。ドロップレット状のターゲット２７にガイドレーザ光が照射されると、ガイドレーザ光はターゲット２７の球面状の表面によって多方向に反射され得る。この反射光を含むターゲット２７の像をターゲットカメラ８０によって観察した場合、以下の原理により、ターゲット２７に対するガイドレーザ光の照射位置を推定し得る。

図９Ａは、ターゲット２７の軌道とターゲットカメラ８０の配置との関係を示す。ターゲット２７は、プラズマ生成領域２５を通るＹ軸と平行な軌道に沿って、−Ｙ方向に移動してもよい。第１のガイドレーザ光Ｇ１が、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７に、Ｚ方向に照射されてもよい。ターゲットカメラ８０は、第１のガイドレーザ光Ｇ１の光路軸とほぼ直交する方向からプラズマ生成領域２５に位置する物体を撮像するように配置されてもよい。ここでは、ターゲットカメラ８０が−Ｘ方向の位置からプラズマ生成領域２５に位置する物体を撮像する場合について説明するが、本開示はこの配置に限定されない。また、ここでは第１のガイドレーザ光Ｇ１がターゲット２７に照射される場合について説明するが、第２のガイドレーザ光Ｇ２についても同様でよい。

図９Ｂは、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸が理想的な位置に調整された場合にターゲットカメラ８０によって撮影される画像の例を示す。ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸の理想的な位置は、Ｙ＝０の位置にあってもよい。ターゲットカメラ８０の画像センサ７４の受光面には、転写光学系７５によってターゲット２７の倒立像が結像されてもよいが、その場合に、図９Ｂ及び後述の図９Ｃ及び図９Ｄの画像は、倒立像を正立像に変換したものであってよい。

チャンバ２ａ内において、上述の図示しない光源が点灯された場合、ターゲットカメラ８０によって撮影される画像には、Ｙ方向に引き伸ばされたターゲット２７の像２７ａが写ってもよい。像２７ａのＹ方向の長さは、ターゲットカメラ８０の露光時間と、ターゲット２７の速度と、に依存し得る。チャンバ２ａ内において、上述の図示しない光源が点灯されない場合、あるいはそのような光源が設けられない場合、像２７ａは写らなくてもよい。

ガイドレーザ光Ｇ１は、ターゲット２７の−Ｚ方向側の表面に照射されてもよい。ガイドレーザ光Ｇ１は、ターゲット２７の球面状の表面によって多方向に反射され、その反射光の一部がターゲットカメラ８０に到達してもよい。これにより、ターゲットカメラ８０によって撮影される画像には、ガイドレーザ光Ｇ１の照射位置に対応する明るい像２７ｂが写ってもよい。ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸がＹ＝０の理想的な位置にあるとき、像２７ｂはＹ＝０に対応する位置に形成されてもよい。

図９Ｃは、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸が理想的な位置よりもＹ方向にずれた場合にターゲットカメラ８０によって撮影される画像の例を示す。ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸がＹ方向にずれると、ガイドレーザ光Ｇ１の多くの部分がターゲット２７のＹ方向側の面に照射され得る。これにより、ターゲットカメラ８０によって撮影される画像には、Ｙ＝０よりもＹ方向にずれた位置に、明るい像２７ｃが写ってもよい。

逆に、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸が理想的な位置よりも−Ｙ方向にずれた場合には、ターゲットカメラ８０によって撮影される画像には、Ｙ＝０よりも−Ｙ方向にずれた位置に、明るい像２７ｃが写ってもよい。従って、像２７ｃがＹ方向のどこに形成されたかを検出し、この検出結果に基づいてガイドレーザ光Ｇ１の光路軸がＹ方向又は−Ｙ方向にどの程度ずれているかが算出されてもよい。このように、像２７ｃの位置に基づいて、ターゲットカメラ８０の撮像方向と交差する方向のガイドレーザ光Ｇ１の推定位置が算出されてもよい。

図９Ｄは、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸が理想的な位置よりもＸ方向にずれた場合にターゲットカメラ８０によって撮影される画像の例を示す。ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸がＸ方向にずれると、ガイドレーザ光Ｇ１の多くの部分が、ターゲットカメラ８０から見えないターゲット２７のＸ方向側の面に照射され得る。従って、ターゲット２７の表面によって反射されたガイドレーザ光Ｇ１の多くの部分が、ターゲットカメラ８０に到達しなくなり得る。これにより、ターゲットカメラ８０によって撮影される画像には、図９Ｂの像２８ｂよりも暗い像又は小さい像２７ｄが写ってもよい。

逆に、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸が理想的な位置よりも−Ｘ方向にずれた場合には、ガイドレーザ光Ｇ１の多くの部分が、ターゲットカメラ８０から見えるターゲット２７の−Ｘ方向側の面に照射され得る。従って、ターゲット２７の表面によって反射されたガイドレーザ光Ｇ１の多くの部分が、ターゲットカメラ８０に到達し得る。これにより、ターゲットカメラ８０によって撮影される画像には、図９Ｂの像２８ｂよりも明るい像又は大きい像が写ってもよい。従って、像２７ｄの明るさ又は大きさを検出し、この検出結果に基づいて、ガイドレーザ光Ｇ１の光路軸がＸ方向にどの程度ずれているかが算出されてもよい。このように、像２７ｃの明るさ又は大きさに基づいて、ターゲットカメラ８０の撮像方向に沿った方向のガイドレーザ光Ｇ１の推定位置が算出されてもよい。

プリパルスレーザ光がターゲット２７に照射されるとターゲット２７は膨張又は拡散してしまうため、上記と同じ原理で光路軸のずれを検出しなくてもよい。メインパルスレーザ光がターゲット２７に照射されるとターゲット２７はプラズマ化してしまうため、上記と同じ原理で光路軸のずれを検出しなくてもよい。

ここでは、ターゲットカメラ８０を１つだけ用いる場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。ガイドレーザ光の光路軸とほぼ直交する複数の方向からプラズマ生成領域２５を撮像するように、複数のカメラが配置されてもよい。

４．３ 動作
図１０は、第２の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。第２の実施形態において、バースト期間中であるか、休止期間中であるかを判定する処理と、バースト期間における光路軸調整の処理は、図５を参照しながら説明したＳ１００〜Ｓ１０６と同様でよい。

第２の実施形態において、休止期間における光路軸調整の処理は、Ｓ１１１〜Ｓ１２０については図５を参照しながら説明したものと同様でよい。第２の実施形態の休止期間における処理は、Ｓ１２０の後、以下の処理が行われる点で、第１の実施形態と異なってもよい。

Ｓ１２０の後、Ｓ１２５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットカメラ８０の画像センサ７４から画像データを取得してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、画像センサ７４から取得した画像データに基づいて、ターゲット２７による反射光の像の位置を取得してもよい。ターゲット２７による反射光の像の位置からは、ガイドレーザ光のＹ方向の位置が推定されてもよい。

次に、Ｓ１２６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット２７による反射光の像の位置が所定範囲に入るように、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を調整してもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、ガイドレーザ光のＹ方向の位置が所望範囲に入るように、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を調整してもよい。

次に、Ｓ１２７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、画像センサ７４から取得した画像データに基づいて、ターゲット２７による反射光の像の大きさを取得してもよい。ターゲット２７による反射光の像の大きさからは、ガイドレーザ光のＸ方向の位置が推定されてもよい。Ｓ１２７においては、反射光の像の大きさの代わりに、反射光の像の明るさを取得し、反射光の像の明るさから、ガイドレーザ光のＸ方向の位置が推定されてもよい。

次に、Ｓ１２８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット２７による反射光の像の大きさ又は明るさが所定範囲に入るように、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を調整してもよい。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、ガイドレーザ光のＸ方向の位置が所望範囲に入るように、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を調整してもよい。

Ｓ１２５〜Ｓ１２８の処理において、第１のガイドレーザ光Ｇ１の位置と第２のガイドレーザ光Ｇ２の位置とが異なる場合は、その平均の値を用いて、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を調整してもよい。あるいは、第１のガイドレーザ光Ｇ１の位置を用いてレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を調整することとしてもよい。
Ｓ１２８の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１００に戻してもよい。

４．４ 作用
第２の実施形態によれば、プラズマ生成領域２５におけるガイドレーザ光の位置に基づいてレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を調整できるので、レーザ光の光路軸制御の精度が向上し得る。

５．アクチュエータの応答性能を向上したＥＵＶ光生成装置
図１１は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。第３の実施形態においては、図７を参照しながら説明したレーザ光集光光学系アクチュエータ８４の代わりに、アクチュエータ４１２が、高反射ミラー４０６のホルダ４０８に取付けられていてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御する代わりに、アクチュエータ４１２を制御してもよい。
他の点については、図７〜図１０を参照しながら説明した第２の実施形態と同様でよい。

レーザ光集光光学系アクチュエータ８４は、複数のミラーを含むレーザ光集光光学系２２ａと、プレート８３と、図示しない冷却装置とを移動させるので、応答速度の向上が困難な場合があり得る。これに対し、第３の実施形態においては、アクチュエータ４１２が一枚の高反射ミラー４０６とホルダ４０８を移動させるので、応答速度の向上が期待できる。
第３の実施形態においては、アクチュエータ４１２が高反射ミラー４０６のホルダ４０８に取付けられる場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、プリパルスレーザ光を反射する高反射ミラー４０２のホルダ４０４と、メインパルスレーザ光を反射する高反射ミラー４０５のホルダ４０７と、にそれぞれアクチュエータが設けられてもよい。プリパルスレーザ光を反射する高反射ミラー４０２のホルダ４０４には、冷却装置が不要であり得る。従って、高反射ミラー４０２のホルダ４０４に設けられたアクチュエータは、さらなる応答速度の向上が期待され得る。

６．ガイドレーザ光とドライブレーザ光の位置を同時に調整するＥＵＶ光生成装置
６．１ 構成
図１２は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。第４の実施形態は、アクチュエータＰＧ及びＭＧの調整量に基づいてアクチュエータＰ２及びＭ２を調整する処理（Ｓ１２０）を省略した点で、第２の実施形態又は第３の実施形態と異なってもよい。

図１２に示されるように、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、高反射ミラー３５５及び３５６と、ビームコンバイナ３６５及び３６６と、それらのホルダ３５７、３５８、３６７及び３６８と、を含んでもよい。図７及び図１１に示される高反射ミラー３５１、３５２、３５５及び３５６と、ビームコンバイナ３６１及び３６３と、それらのホルダ３５３、３５４、３５７、３５８、３６２及び３６４と、アクチュエータＰＧ及びＭＧとは、設けられなくてもよい。

高反射ミラー３５５は、第１のガイドレーザ３ｐｇから出力される第１のガイドレーザ光Ｇ１の光路に配置されてもよい。ビームコンバイナ３６５は、高反射ミラー３５５によって反射された第１のガイドレーザ光Ｇ１の光路に配置されてもよい。ビームコンバイナ３６５は、プリパルスレーザ３ｐと高反射ミラー３４１との間のプリパルスレーザ光３１ｐの光路に位置してもよい。ビームコンバイナ３６５は、プリパルスレーザ光３１ｐを高い透過率で透過させ、第１のガイドレーザ光Ｇ１を高い反射率で反射するように構成されてもよい。ビームコンバイナ３６５は、プリパルスレーザ光３１ｐと第１のガイドレーザ光Ｇ１の光路の中心軸をほぼ一致させるように構成されてもよい。

高反射ミラー３５６は、第２のガイドレーザ３ｍｇから出力される第２のガイドレーザ光Ｇ２の光路に配置されてもよい。ビームコンバイナ３６６は、高反射ミラー３５６によって反射された第２のガイドレーザ光Ｇ２の光路に配置されてもよい。ビームコンバイナ３６６は、メインパルスレーザ３ｍと高反射ミラー３４５との間のメインパルスレーザ光３１ｍの光路に位置してもよい。ビームコンバイナ３６６は、メインパルスレーザ光３１ｍを高い透過率で透過させ、第２のガイドレーザ光Ｇ２を高い反射率で反射するように構成されてもよい。ビームコンバイナ３６６は、メインパルスレーザ光３１ｍと第２のガイドレーザ光Ｇ２の光路の中心軸をほぼ一致させるように構成されてもよい。

以上の構成によれば、アクチュエータＰ１を制御することにより、第１のガイドレーザ光Ｇ１とプリパルスレーザ光３１ｐの両方の光路軸の位置が同時に移動してもよい。アクチュエータＭ１を制御することにより、第２のガイドレーザ光Ｇ２とメインパルスレーザ光３１ｍの両方の光路軸の位置が同時に移動してもよい。

６．２ 動作
図１３は、第４の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。第４の実施形態においては、バースト期間中に、Ｓ１０５及びＳ１０６の処理（図１０）は行われなくてもよい。従って、図１３においては、バースト期間中に第１及び第２のガイドレーザ３ｐｇ及び３ｍｇを発振させなくてもよい。但し、本実施形態は、バースト期間中に第１及び第２のガイドレーザ３ｐｇ及び３ｍｇを発振させない場合には限定されない。バースト期間中に、第１及び第２のガイドレーザ３ｐｇ及び３ｍｇを発振させて、ドライブレーザ光とガイドレーザ光との光路軸が合っているか否かを確認できるようにしてもよい。

第４の実施形態においては、休止期間中に、Ｓ１１２の処理（図１０）の代わりに、Ｓ１１２ａの処理が行われてもよい。Ｓ１１２ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２のビームポジションが所定範囲に入るように、アクチュエータＰ１及びＭ１を調整してもよい。従って、第４の実施形態においては、休止期間中に、Ｓ１２０の処理（図１０）が行われなくてもよい。
他の点については、図７〜図１０を参照しながら説明した第２の実施形態又は図１１を参照しながら説明した第３の実施形態と同様でよい。

７．センサの例
７．１ 第１の例
図１４は、上述の実施形態において用いられるセンサ４１３の第１の例を概略的に示す。センサ４１３は、プリパルスレーザ光３１ｐと、メインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２と、の各々についてビームポジション及びポインティングを算出可能なデータを取得するため、以下の構成を有してもよい。

７．１．１ 構成
第１の例に係るセンサ４１３は、ビームスプリッタ９０ａと、高反射ミラー９０ｂと、バンドパスフィルタ９１ｐｍ及び９１ｇと、ビームスプリッタ９２ｐｍ及び９２ｇと、高反射ミラー９３ｐｍ及び９３ｇと、を含んでもよい。センサ４１３は、さらに、転写光学系９４ｐｍ及び９４ｇと、集光光学系９５ｐｍ及び９５ｇと、ビームプロファイラ９６ｐｍ、９６ｇ、９７ｐｍ及び９７ｇと、を含んでもよい。

ビームスプリッタ９０ａは、センサ４１３に図中の下側から入射した光を反射光と透過光とに分けるように構成されてもよい。反射光と透過光との各々に、プリパルスレーザ光３１ｐと、メインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とが含まれてもよい。

ビームスプリッタ９０ａの反射光の光路に、バンドパスフィルタ９１ｐｍが配置されてもよい。バンドパスフィルタ９１ｐｍは、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍを透過し、その他の光を吸収又は反射するように構成されてもよい。第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２は、バンドパスフィルタ９１ｐｍによって吸収又は反射されてもよい。

バンドパスフィルタ９１ｐｍを透過したプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路に、ビームスプリッタ９２ｐｍが配置されてもよい。ビームスプリッタ９２ｐｍはプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの各々を反射光と透過光とに分けるように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９２ｐｍの反射光の光路に、高反射ミラー９３ｐｍ、集光光学系９５ｐｍ及びビームプロファイラ９７ｐｍが配置されてもよい。高反射ミラー９３ｐｍは、ビームスプリッタ９２ｐｍの反射光を集光光学系９５ｐｍに向けて反射するように構成されてもよい。集光光学系９５ｐｍは、ビームスプリッタ９２ｐｍの反射光をビームプロファイラ９７ｐｍの受光面に集光するように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９２ｐｍの透過光の光路に、転写光学系９４ｐｍ及びビームプロファイラ９６ｐｍが配置されてもよい。転写光学系９４ｐｍは、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路上の位置Ａにおけるビーム断面の像をビームプロファイラ９６ｐｍの受光面に転写するように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９０ａの透過光の光路に、高反射ミラー９０ｂ及びバンドパスフィルタ９１ｇが配置されてもよい。高反射ミラー９０ｂは、ビームスプリッタ９０ａの透過光をバンドパスフィルタ９１ｇに向けて反射するように構成されてもよい。バンドパスフィルタ９１ｇは、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２を透過し、その他の光を吸収又は反射するように構成されてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍは、バンドパスフィルタ９１ｇによって吸収又は反射されてもよい。

バンドパスフィルタ９１ｇを透過した第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２の光路に、ビームスプリッタ９２ｇが配置されてもよい。ビームスプリッタ９２ｇは第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２の各々を反射光と透過光とに分けるように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９２ｇの反射光の光路に、高反射ミラー９３ｇ、集光光学系９５ｇ及びビームプロファイラ９７ｇが配置されてもよい。高反射ミラー９３ｇは、ビームスプリッタ９２ｇの反射光を集光光学系９５ｇに向けて反射するように構成されてもよい。集光光学系９５ｇは、ビームスプリッタ９２ｇの反射光をビームプロファイラ９７ｇの受光面に集光するように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９２ｇの透過光の光路に、転写光学系９４ｇ及びビームプロファイラ９６ｇが配置されてもよい。転写光学系９４ｇは、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２の光路上の位置Ｂにおけるビーム断面の像をビームプロファイラ９６ｇの受光面に転写するように構成されてもよい。

７．１．２ 動作
ＥＵＶ光生成制御部５は、ビームプロファイラ９６ｐｍの受光面に転写されたプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光強度分布のデータを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、この光強度分布のデータに含まれるビーム断面の像に基づいて、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのビームポジションを計算してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ビームプロファイラ９７ｐｍの受光面に集光されたプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光強度分布のデータを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、この光強度分布のデータから集光位置を算出し、算出された集光位置に基づいて、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのポインティングを計算してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ビームプロファイラ９６ｇの受光面に転写された第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２の光強度分布のデータを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、この光強度分布のデータに含まれるビーム断面の像に基づいて、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２のビームポジションを計算してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ビームプロファイラ９７ｇの受光面に集光された第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２の光強度分布のデータを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、この光強度分布のデータから集光位置を算出し、算出された集光位置に基づいて、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２のポインティングを計算してもよい。

第１の例によれば、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とで、別々のビームプロファイラ９７ｐｍとビームプロファイラ９７ｇとを用いている。また、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とで、別々のビームプロファイラ９６ｐｍとビームプロファイラ９６ｇとを用いている。これにより、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２と、を並行して観測することができ、制御の周期を早くし得る。また、もし、ビームプロファイラ９７ｐｍ又はビームプロファイラ９６ｐｍが故障したとしても、例えばバンドパスフィルタ９１ｇを交換すれば、ビームプロファイラ９７ｇ又はビームプロファイラ９６ｇによって必要最低限の測定もなし得る。

７．２ 第２の例
図１５は、上述の実施形態において用いられるセンサ４１３の第２の例を概略的に示す。第２の例において、センサ４１３は、ビームスプリッタ９２ａ及び９２ｂによって分けられた後の光路に、バンドパスフィルタ９１ａｐｍ、９１ａｇ、９１ｂｐｍ及び９１ｂｇが配置されてもよい。具体的には、センサ４１３は、以下の構成を有してもよい。

第２の例に係るセンサ４１３は、ビームスプリッタ９０ａと、高反射ミラー９０ｂと、バンドパスフィルタ９１ａｐｍ、９１ａｇ、９１ｂｐｍ及び９１ｂｇと、ビームスプリッタ９２ａ及び９２ｂと、高反射ミラー９３ａ及び９３ｂと、を含んでもよい。センサ４１３は、さらに、転写光学系９４ｐｍ及び９４ｇと、集光光学系９５ｐｍ及び９５ｇと、ビームプロファイラ９６ｐｍ、９６ｇ、９７ｐｍ及び９７ｇと、を含んでもよい。

ビームスプリッタ９０ａは、センサ４１３に図中の下側から入射した光を反射光と透過光とに分けるように構成されてもよい。反射光と透過光との各々に、プリパルスレーザ光３１ｐと、メインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とが含まれてもよい。

ビームスプリッタ９０ａの反射光の光路に、ビームスプリッタ９２ａが配置されてもよい。ビームスプリッタ９２ａは、ビームスプリッタ９０ａの反射光を、さらに反射光と透過光とに分けるように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９２ａの反射光の光路に、高反射ミラー９３ａ、バンドパスフィルタ９１ａｐｍ、集光光学系９５ｐｍ及びビームプロファイラ９７ｐｍが配置されてもよい。高反射ミラー９３ａは、ビームスプリッタ９２ａの反射光をバンドパスフィルタ９１ａｐｍに向けて反射するように構成されてもよい。バンドパスフィルタ９１ａｐｍは、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍを透過し、その他の光を吸収又は反射するように構成されてもよい。第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２は、バンドパスフィルタ９１ａｐｍによって吸収又は反射されてもよい。集光光学系９５ｐｍは、バンドパスフィルタ９１ａｐｍを透過した光をビームプロファイラ９７ｐｍの受光面に集光するように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９２ａの透過光の光路に、バンドパスフィルタ９１ａｇ、集光光学系９５ｇ及びビームプロファイラ９７ｇが配置されてもよい。バンドパスフィルタ９１ａｇは、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２を透過し、その他の光を吸収又は反射するように構成されてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍは、バンドパスフィルタ９１ａｇによって吸収又は反射されてもよい。集光光学系９５ｇは、バンドパスフィルタ９１ａｇを透過した光をビームプロファイラ９７ｇの受光面に集光するように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９０ａの透過光の光路に、高反射ミラー９０ｂ及びビームスプリッタ９２ｂが配置されてもよい。高反射ミラー９０ｂは、ビームスプリッタ９０ａの透過光をビームスプリッタ９２ｂに向けて反射するように構成されてもよい。ビームスプリッタ９２ｂは、ビームスプリッタ９０ａの透過光を、さらに反射光と透過光とに分けるように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９２ｂの反射光の光路に、高反射ミラー９３ｂ、バンドパスフィルタ９１ｂｐｍ、転写光学系９４ｐｍ及びビームプロファイラ９６ｐｍが配置されてもよい。高反射ミラー９３ｂは、ビームスプリッタ９２ｂの反射光をバンドパスフィルタ９１ｂｐｍに向けて反射するように構成されてもよい。バンドパスフィルタ９１ｂｐｍは、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍを透過し、その他の光を吸収又は反射するように構成されてもよい。第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２は、バンドパスフィルタ９１ｂｐｍによって吸収又は反射されてもよい。転写光学系９４ｐｍは、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路上の位置Ａにおけるビーム断面の像をビームプロファイラ９６ｐｍの受光面に転写するように構成されてもよい。

ビームスプリッタ９２ｂの透過光の光路に、バンドパスフィルタ９１ｂｇ、転写光学系９４ｇ及びビームプロファイラ９６ｇが配置されてもよい。バンドパスフィルタ９１ｂｇは、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２を透過し、その他の光を吸収又は反射するように構成されてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍは、バンドパスフィルタ９１ｂｇによって吸収又は反射されてもよい。転写光学系９４ｇは、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２の光路上の位置Ｂにおけるビーム断面の像をビームプロファイラ９６ｇの受光面に転写するように構成されてもよい。

第２の例によれば、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とで、別々のビームプロファイラ９７ｐｍとビームプロファイラ９７ｇとを用いている。また、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とで、別々のビームプロファイラ９６ｐｍとビームプロファイラ９６ｇとを用いている。これにより、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２と、を並行して観測することができ、制御の周期を早くし得る。また、もし、ビームプロファイラ９７ｐｍが故障したとしても、例えばバンドパスフィルタ９１ａｇを交換すれば、ビームプロファイラ９７ｇによって必要最低限の測定もなし得る。また、もし、ビームプロファイラ９６ｐｍが故障したとしても、例えばバンドパスフィルタ９１ｂｇを交換すれば、ビームプロファイラ９６ｇによって必要最低限の測定もなし得る。
他の点については、図１４を参照しながら説明した第１の例と同様でよい。

７．３ 第３の例
図１６Ａ及び図１６Ｂは、上述の実施形態において用いられるセンサ４１３の第３の例を概略的に示す。第３の例において、センサ４１３は、ステージ９１ｓによって切替え可能なバンドパスフィルタ９１ｐｍ及び９１ｇを含んでもよい。図１６Ａは、バンドパスフィルタ９１ｇに切り替えられた状態を示し、図１６Ｂは、バンドパスフィルタ９１ｐｍに切り替えられた状態を示す。具体的には、センサ４１３は、以下の構成を有してもよい。

７．３．１ 構成
第３の例に係るセンサ４１３は、高反射ミラー９０ｂと、バンドパスフィルタ９１ｐｍ及び９１ｇと、ステージ９１ｓと、ビームスプリッタ９２と、を含んでもよい。センサ４１３は、さらに、転写光学系９４と、集光光学系９５と、ビームプロファイラ９６及び９７と、を含んでもよい。

高反射ミラー９０ｂは、センサ４１３に入射した光を反射するように構成されてもよい。高反射ミラー９０ｂの反射光には、プリパルスレーザ光３１ｐと、メインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とが含まれてもよい。
ステージ９１ｓは、バンドパスフィルタ９１ｐｍ及び９１ｇのいずれが高反射ミラー９０ｂの反射光の光路に位置するかを切替え可能に構成されてもよい。ステージ９１ｓは、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されるドライバ９１ｄによって駆動されてもよい。

ビームスプリッタ９２は、バンドパスフィルタ９１ｐｍ及び９１ｇのいずれかを透過した光を反射光と透過光とに分けるように構成されてもよい。
ビームスプリッタ９２の反射光の光路に、集光光学系９５及びビームプロファイラ９７が配置されてもよい。集光光学系９５は、ビームスプリッタ９２の反射光をビームプロファイラ９７の受光面に集光するように構成されてもよい。
ビームスプリッタ９２の透過光の光路に、転写光学系９４及びビームプロファイラ９６が配置されてもよい。転写光学系９４は、バンドパスフィルタ９１ｐｍ及び９１ｇのいずれかを透過した光の光路上の位置Ａにおけるビーム断面の像をビームプロファイラ９６の受光面に転写するように構成されてもよい。

７．３．２ 動作
図１６Ｂに示されるように、高反射ミラー９０ｂの反射光の光路にバンドパスフィルタ９１ｐｍが位置する場合、バンドパスフィルタ９１ｐｍは、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍを透過させ、その他の光を吸収又は反射してもよい。
この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、ビームプロファイラ９６の受光面に転写されたプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光強度分布のデータを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、この光強度分布のデータに含まれるビーム断面の像に基づいて、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのビームポジションを計算してもよい。
また、ＥＵＶ光生成制御部５は、ビームプロファイラ９７の受光面に集光されたプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光強度分布のデータを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、この光強度分布のデータから集光位置を算出し、算出された集光位置に基づいて、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍのポインティングを計算してもよい。

図１６Ａに示されるように、高反射ミラー９０ｂの反射光の光路にバンドパスフィルタ９１ｇが位置する場合、バンドパスフィルタ９１ｇは、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２を透過させ、その他の光を吸収又は反射してもよい。
この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、ビームプロファイラ９６の受光面に転写された第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２の光強度分布のデータを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、この光強度分布のデータに含まれるビーム断面の像に基づいて、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２のビームポジションを計算してもよい。
また、ＥＵＶ光生成制御部５は、ビームプロファイラ９７の受光面に集光された第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２の光強度分布のデータを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、この光強度分布のデータから集光位置を算出し、算出された集光位置に基づいて、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２のポインティングを計算してもよい。

第３の例によれば、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とで、共通の集光光学系９５及び共通のビームプロファイラ９７を用いることができる。また、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍと、第１及び第２のガイドレーザ光Ｇ１及びＧ２とで、共通の転写光学系９４及び共通のビームプロファイラ９６を用いることができる。これにより、ビームポジションの検出精度を安定化し、ポインティングの検出精度を安定化し得る。
他の点については、図１４を参照しながら説明した第１の例と同様でよい。

８．制御部の構成
図１７は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるＥＵＶ光生成制御部５等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。

（構成）
制御部は、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。

（動作）
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読出してもよい。また、処理部１０００は、読出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。

処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘは、レーザ装置３、露光装置６、他の制御部等であってもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘは、ターゲット供給部２６、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４等であってもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘは、ターゲットカメラ８０等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (20)

1. 所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
   前記ターゲットに照射されるドライブレーザ光を出力するドライブレーザと、
   ガイドレーザ光を出力するガイドレーザと、
   前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光の光路と、前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力するビームコンバイナと、
   前記ビームコンバイナに入射する前記ドライブレーザ光の光路を調整する第１のアクチュエータを備えた第１の光学素子と、
   前記ビームコンバイナに入射する前記ガイドレーザ光の光路を調整する第２のアクチュエータを備えた第２の光学素子と、
   前記ビームコンバイナから出力された前記ガイドレーザ光を検出して検出データを出力するセンサと、
   前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データを受信し、前記検出データに基づいて前記第２のアクチュエータを制御し、前記第２のアクチュエータの制御量に基づいて前記第１のアクチュエータを制御する制御部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 前記制御部は、前記ドライブレーザ光が出力されていないときに、前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データを受信し、前記検出データに基づいて前記第２のアクチュエータを制御し、前記第２のアクチュエータの制御量に基づいて前記第１のアクチュエータを制御する、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記ビームコンバイナから出力された前記ドライブレーザ光及び前記ガイドレーザ光の両方の光路を調整する第３のアクチュエータを備えた第３の光学素子をさらに備え、
   前記センサは、前記第３の光学素子から出力された前記ガイドレーザ光を検出して前記検出データを出力するように構成され、
   前記制御部は、前記検出データに基づいて前記第２のアクチュエータを制御した後の前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データである第２の検出データを受信し、前記第２の検出データに基づいて前記第３のアクチュエータを制御する、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記センサは、さらに、前記第３の光学素子から出力された前記ドライブレーザ光を検出して検出データを出力するように構成され、
   前記制御部は、前記ドライブレーザ光が出力されているときに、前記センサによる前記ドライブレーザ光の検出データである第３の検出データを受信し、前記第３の検出データに基づいて前記第１のアクチュエータを制御し、前記第３の検出データに基づいて前記第１のアクチュエータを制御した後の前記センサによる前記ドライブレーザ光の検出データである第４の検出データを受信し、前記第４の検出データに基づいて前記第３のアクチュエータを制御し、前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データである第５の検出データを受信し、前記第５の検出データに基づいて前記第２のアクチュエータを制御する、請求項３記載の極端紫外光生成装置。
5. 所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
   前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、
   前記ターゲットに前記プリパルスレーザ光が照射された後に前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、
   第１のガイドレーザ光を出力する第１のガイドレーザと、
   第２のガイドレーザ光を出力する第２のガイドレーザと、
   前記プリパルスレーザから出力された前記プリパルスレーザ光の光路と、前記第１のガイドレーザから出力された前記第１のガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力する第１のビームコンバイナと、
   前記メインパルスレーザから出力された前記メインパルスレーザ光の光路と、前記第２のガイドレーザから出力された前記第２のガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力する第２のビームコンバイナと、
   前記第１のビームコンバイナに入射する前記プリパルスレーザ光の光路を調整する第１のアクチュエータを備えた第１の光学素子と、
   前記第１のビームコンバイナに入射する前記第１のガイドレーザ光の光路を調整する第２のアクチュエータを備えた第２の光学素子と、
   前記第１のビームコンバイナから出力された前記プリパルスレーザ光及び前記第１のガイドレーザ光の両方の光路を調整する第３のアクチュエータを備えた第３の光学素子と、
   前記第２のビームコンバイナに入射する前記メインパルスレーザ光の光路を調整する第４のアクチュエータを備えた第４の光学素子と、
   前記第２のビームコンバイナに入射する前記第２のガイドレーザ光の光路を調整する第５のアクチュエータを備えた第５の光学素子と、
   前記第２のビームコンバイナから出力された前記メインパルスレーザ光及び前記第２のガイドレーザ光の両方の光路を調整する第６のアクチュエータを備えた第６の光学素子と、
   前記第３の光学素子から出力された前記プリパルスレーザ光の光路と前記第６の光学素子から出力された前記メインパルスレーザ光の光路とを略一致させ、前記第３の光学素子から出力された前記第１のガイドレーザ光の光路と前記第６の光学素子から出力された前記第２のガイドレーザ光の光路とを略一致させる第３のビームコンバイナと、
   前記第３のビームコンバイナから出力された前記第１及び第２のガイドレーザ光を検出して検出データを出力するセンサと、
   前記センサによる前記第１のガイドレーザ光の検出データに基づいて前記第２及び第３のアクチュエータを制御し、前記第２のアクチュエータの制御量に基づいて前記第１のアクチュエータを制御し、前記センサによる前記第２のガイドレーザ光の検出データに基づいて前記第５及び第６のアクチュエータを制御し、前記第５のアクチュエータの制御量に基づいて前記第４のアクチュエータを制御する制御部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
6. 前記制御部は、前記ドライブレーザ光が出力されていないときに、前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データを受信し、前記検出データに基づいて前記第２のアクチュエータを制御し、前記第２のアクチュエータの制御量に基づいて前記第１のアクチュエータを制御する、請求項５記載の極端紫外光生成装置。
7. 前記ビームコンバイナから出力された前記ドライブレーザ光及び前記ガイドレーザ光の両方の光路を調整する第３のアクチュエータを備えた第３の光学素子をさらに備え、
   前記センサは、前記第３の光学素子から出力された前記ガイドレーザ光を検出して前記検出データを出力するように構成され、
   前記制御部は、前記検出データに基づいて前記第２のアクチュエータを制御した後の前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データである第２の検出データを受信し、前記第２の検出データに基づいて前記第３のアクチュエータを制御する、請求項５記載の極端紫外光生成装置。
8. 前記センサは、さらに、前記第３の光学素子から出力された前記ドライブレーザ光を検出して検出データを出力するように構成され、
   前記制御部は、前記ドライブレーザ光が出力されているときに、前記センサによる前記ドライブレーザ光の検出データである第３の検出データを受信し、前記第３の検出データに基づいて前記第１のアクチュエータを制御し、前記第３の検出データに基づいて前記第１のアクチュエータを制御した後の前記センサによる前記ドライブレーザ光の検出データである第４の検出データを受信し、前記第４の検出データに基づいて前記第３のアクチュエータを制御し、前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データである第５の検出データを受信し、前記第５の検出データに基づいて前記第２のアクチュエータを制御する、請求項７記載の極端紫外光生成装置。
9. 所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
   前記ターゲットに照射されるドライブレーザ光を出力するドライブレーザと、
   前記ターゲットに照射されるガイドレーザ光を出力するガイドレーザと、
   前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光及び前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の両方の光路を調整するアクチュエータを備えた光学素子と、
   前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像を検出する画像センサと、
   前記画像センサの出力に基づいて、前記アクチュエータを制御する制御部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
10. 前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光の光路と、前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて前記光学素子に向けて出力するビームコンバイナをさらに含む、請求項９記載の極端紫外光生成装置。
11. 前記画像センサは、前記ドライブレーザ光が出力されていないときに、前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像を検出する、請求項９記載の極端紫外光生成装置。
12. 前記ドライブレーザは、前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、前記ターゲットに前記プリパルスレーザ光が照射された後に前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、を含み、
    前記光学素子は、前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光のうちのいずれかの光路と、前記ガイドレーザ光の光路と、を調整する、請求項９記載の極端紫外光生成装置。
13. 前記制御部は、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の位置に基づいて、前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の大きさに基づいて、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
    前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置と、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置と、に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
14. 前記制御部は、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の位置に基づいて、前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の明るさに基づいて、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
    前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置と、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置と、に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
15. 前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光及び前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の両方の光路を調整する第３のアクチュエータを備えた第３の光学素子と、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像を検出する画像センサと、
    をさらに備え、
    前記制御部は、前記画像センサの出力に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
16. 前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光の光路と、前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて前記光学素子に向けて出力するビームコンバイナをさらに含む、請求項９記載の極端紫外光生成装置。
17. 前記画像センサは、前記ドライブレーザ光が出力されていないときに、前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像を検出する、請求項１５記載の極端紫外光生成装置。
18. 前記ドライブレーザは、前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、前記ターゲットに前記プリパルスレーザ光が照射された後に前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、を含み、
    前記第３の光学素子は、前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光のうちのいずれかの光路と、前記ガイドレーザ光の光路と、を調整する、請求項１５記載の極端紫外光生成装置。
19. 前記制御部は、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の位置に基づいて、前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の大きさに基づいて、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
    前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置と、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置と、に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
    請求項１５記載の極端紫外光生成装置。
20. 前記制御部は、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の位置に基づいて、前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
    前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の明るさに基づいて、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
    前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置と、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置と、に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
    請求項１５記載の極端紫外光生成装置。

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