JPWO2017090167A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1.極端紫外光生成システムの全体説明
1.1 構成
1.2 動作
2.比較例に係るEUV光生成装置
2.1 構成
2.1.1 ターゲット供給部
2.1.2 レーザ装置
2.1.3 レーザ光進行方向制御部
2.1.4 レーザ光集光光学系
2.2 動作
2.2.1 ターゲットの出力
2.2.2 プラズマの生成
2.3 課題
3.ガイドレーザを備えたEUV光生成装置
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用
4.ターゲットによる反射光を検出するEUV光生成装置
4.1 構成
4.2 反射光によるレーザ光路軸の検出原理
4.3 動作
4.4 作用
5.アクチュエータの応答性能を向上したEUV光生成装置
6.ガイドレーザ光とドライブレーザ光の位置を同時に調整するEUV光生成装置
6.1 構成
6.2 動作
7.センサの例
7.1 第1の例
7.1.1 構成
7.1.2 動作
7.2 第2の例
7.3 第3の例
7.3.1 構成
7.3.2 動作
8.制御部の構成
1.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2及びターゲット供給部26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過して、チャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33としてターゲット27に照射されてもよい。
2.1 構成
図2は、本開示の比較例に係るEUV光生成システムの構成を概略的に示す。図2に示されるように、EUV光の出力方向をZ方向としてもよい。ターゲットの出力方向と反対の方向をY方向としてもよい。Z方向とY方向との両方に垂直な方向をX方向としてもよい。図2は−X方向の位置からX方向に見たEUV光生成システムを示す。
ターゲット供給部26は、チャンバ2aの壁面に形成された貫通孔2bを貫通するように配置されていてもよい。貫通孔2bの周囲のチャンバ2aの壁面と、ターゲット供給部26との間には、図示しないシール手段が配置されてもよい。シール手段により、貫通孔2bの周囲のチャンバ2aの壁面とターゲット供給部26との間が密閉されてもよい。
レーザ装置3は、プリパルスレーザ3pと、メインパルスレーザ3mとを含んでもよい。プリパルスレーザ3pは、EUV光生成制御部5から出力される制御信号に従い、プリパルスレーザ光31pを出力するように構成されてもよい。メインパルスレーザ3mは、EUV光生成制御部5から出力される制御信号に従い、メインパルスレーザ光31mを出力するように構成されてもよい。プリパルスレーザ光31pの波長よりも、メインパルスレーザ光31mの波長が長くてもよい。プリパルスレーザ光31pのエネルギーよりも、メインパルスレーザ光31mのエネルギーが大きくてもよい。プリパルスレーザ3p及びメインパルスレーザ3mの各々は、本開示におけるドライブレーザに相当し得る。プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mの各々は、本開示におけるドライブレーザ光に相当し得る。
チャンバ2aの外部に配置されたレーザ光進行方向制御部34aは、高反射ミラー341及び342を含んでもよい。高反射ミラー341及び342は、プリパルスレーザ3pから出力されるプリパルスレーザ光31pの光路に配置されていてもよい。高反射ミラー341は、ホルダ343によって支持されていてもよい。高反射ミラー342は、ホルダ344によって支持されていてもよい。ホルダ343には、アクチュエータP1が取付けられていてもよい。ホルダ344には、アクチュエータP2が取付けられていてもよい。高反射ミラー341は、プリパルスレーザ光31pを反射するように構成されていてもよい。高反射ミラー342は、高反射ミラー341によって反射されたプリパルスレーザ光31pを反射するように構成されていてもよい。
高反射ミラー405は、高反射ミラー346によって反射されたメインパルスレーザ光31mの光路に配置されてもよい。高反射ミラー405は、ホルダ407によって支持されていてもよい。高反射ミラー405は、メインパルスレーザ光31mを反射するように構成されてもよい。
チャンバ2aの内部には、レーザ光集光光学系22aと、EUV集光ミラーホルダ81と、プレート82及びプレート83とが設けられてもよい。
2.2.1 ターゲットの出力
上述のターゲット供給部26において、不活性ガスによって加圧されたターゲットの材料は、上記開口部を介して出力されてもよい。上述の加振装置によってターゲット供給部26に振動が与えられることにより、ターゲットの材料は複数のドロップレットに分離されてもよい。それぞれのドロップレットが、ターゲット27として、ターゲット供給部26からプラズマ生成領域25までの軌道に沿って移動してもよい。
プリパルスレーザ3pから出力されたプリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ3mから出力されたメインパルスレーザ光31mは、レーザ光進行方向制御部34aを経て、パルスレーザ光32としてレーザ光集光光学系22aに導かれてもよい。
図3A〜図3Eは、図2に示されるEUV光生成システムにおけるアクチュエータの制御とEUVエネルギーの安定性との関係を示す。
3.1 構成
図4は、本開示の第1の実施形態に係るEUV光生成システムの構成を概略的に示す。第1の実施形態において、EUV光生成システムは、第1のガイドレーザ3pgと、第2のガイドレーザ3mgと、をさらに含んでもよい。第1のガイドレーザ3pgは、第1のガイドレーザ光G1を出力するように構成されてもよい。第2のガイドレーザ3mgは、第2のガイドレーザ光G2を出力するように構成されてもよい。第1のガイドレーザ光G1のエネルギーは、プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mのいずれよりも小さくてよい。第2のガイドレーザ光G2のエネルギーは、プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mのいずれよりも小さくてよい。
他の点については、図2を参照しながら説明した比較例の構成と同様でよい。
第1のガイドレーザ光G1及び第2のガイドレーザ光G2は、センサ413に入射してもよい。センサ413は、第1のガイドレーザ光G1及び第2のガイドレーザ光G2を検出し、検出結果をEUV光生成制御部5に出力してもよい。EUV光生成制御部5は、センサ413の出力に基づいて第1のガイドレーザ光G1のビームポジション及びポインティングを算出してもよい。EUV光生成制御部5は、センサ413の出力に基づいて第2のガイドレーザ光G2のビームポジション及びポインティングを算出してもよい。以下に説明するように、EUV光生成制御部5は、休止期間において、第1のガイドレーザ光G1及び第2のガイドレーザ光G2のビームポジション及びポインティングに基づいて高反射ミラーのアクチュエータを制御してもよい。
以上の処理により、プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mの光路軸を調整することにより、これらのレーザ光がターゲット27に適切に照射されるようにしてもよい。
S106の後、EUV光生成制御部5は、処理をS100に戻してもよい。
このとき、EUV光生成制御部5は、アクチュエータPGの調整量と、アクチュエータMGの調整量と、を記憶装置に記憶させてもよい。記憶装置は、後述のメモリ1002であってもよい。
S111〜S114の処理によれば、プリパルスレーザ光31pが出力されていない休止期間中においても、第1のガイドレーザ光G1の検出結果に基づいて、アクチュエータP2の調整を行うことができる。
S111〜S114の処理によれば、メインパルスレーザ光31mが出力されていない休止期間中においても、第2のガイドレーザ光G2の検出結果に基づいて、アクチュエータM2の調整を行うことができる。
S120の処理によれば、メインパルスレーザ光31mを出力していない休止期間中においても、アクチュエータMGの調整量に基づいて、アクチュエータM1の調整を行うことができる。
S120の後、EUV光生成制御部5は、処理をS100に戻してもよい。
図6A〜図6Fは、図4に示されるEUV光生成システムにおけるアクチュエータの制御とEUVエネルギーの安定性との関係を示す。上述の図3A〜図3Eに対して、図6A〜図6Fにおいては、アクチュエータMGの位置の変化を示すグラフが加えられている。
休止期間においては、図6C及び図6Dに示されるように、第2のガイドレーザ光G2の検出結果に基づいて、アクチュエータMG及びアクチュエータM2の両方が制御されてもよい。これにより、熱負荷による光学系の変形が解消されるのに応じて、アクチュエータM2が制御され得る。すなわち、第2のガイドレーザ光G2の検出結果に基づく制御ができるので、メインパルスレーザ光31mの検出結果に基づく制御ができなくてもよい。
これにより、図6Fに示されるように、第2のバースト期間の開始時から、所望のEUV光エネルギーが得られる可能性がある。
4.1 構成
図7及び図8は、本開示の第2の実施形態に係るEUV光生成システムの構成を概略的に示す。図7は、−X方向の位置からX方向に見たEUV光生成システムを示す。図8は、Z方向の位置から−Z方向に見たEUV光生成システムを示す。
他の点については、図4を参照しながら説明した第1の実施形態と同様の構成でよい。
ターゲット供給部26からプラズマ生成領域25に向けて移動するドロップレット状のターゲット27は、ほぼ球状の形を有してもよい。ドロップレット状のターゲット27にガイドレーザ光が照射されると、ガイドレーザ光はターゲット27の球面状の表面によって多方向に反射され得る。この反射光を含むターゲット27の像をターゲットカメラ80によって観察した場合、以下の原理により、ターゲット27に対するガイドレーザ光の照射位置を推定し得る。
図10は、第2の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。第2の実施形態において、バースト期間中であるか、休止期間中であるかを判定する処理と、バースト期間における光路軸調整の処理は、図5を参照しながら説明したS100〜S106と同様でよい。
S128の後、EUV光生成制御部5は、処理をS100に戻してもよい。
第2の実施形態によれば、プラズマ生成領域25におけるガイドレーザ光の位置に基づいてレーザ光集光光学系アクチュエータ84を調整できるので、レーザ光の光路軸制御の精度が向上し得る。
図11は、本開示の第3の実施形態に係るEUV光生成システムの構成を概略的に示す。第3の実施形態においては、図7を参照しながら説明したレーザ光集光光学系アクチュエータ84の代わりに、アクチュエータ412が、高反射ミラー406のホルダ408に取付けられていてもよい。EUV光生成制御部5は、レーザ光集光光学系アクチュエータ84を制御する代わりに、アクチュエータ412を制御してもよい。
他の点については、図7〜図10を参照しながら説明した第2の実施形態と同様でよい。
第3の実施形態においては、アクチュエータ412が高反射ミラー406のホルダ408に取付けられる場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、プリパルスレーザ光を反射する高反射ミラー402のホルダ404と、メインパルスレーザ光を反射する高反射ミラー405のホルダ407と、にそれぞれアクチュエータが設けられてもよい。プリパルスレーザ光を反射する高反射ミラー402のホルダ404には、冷却装置が不要であり得る。従って、高反射ミラー402のホルダ404に設けられたアクチュエータは、さらなる応答速度の向上が期待され得る。
6.1 構成
図12は、本開示の第4の実施形態に係るEUV光生成システムの構成を概略的に示す。第4の実施形態は、アクチュエータPG及びMGの調整量に基づいてアクチュエータP2及びM2を調整する処理(S120)を省略した点で、第2の実施形態又は第3の実施形態と異なってもよい。
図13は、第4の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。第4の実施形態においては、バースト期間中に、S105及びS106の処理(図10)は行われなくてもよい。従って、図13においては、バースト期間中に第1及び第2のガイドレーザ3pg及び3mgを発振させなくてもよい。但し、本実施形態は、バースト期間中に第1及び第2のガイドレーザ3pg及び3mgを発振させない場合には限定されない。バースト期間中に、第1及び第2のガイドレーザ3pg及び3mgを発振させて、ドライブレーザ光とガイドレーザ光との光路軸が合っているか否かを確認できるようにしてもよい。
他の点については、図7〜図10を参照しながら説明した第2の実施形態又は図11を参照しながら説明した第3の実施形態と同様でよい。
7.1 第1の例
図14は、上述の実施形態において用いられるセンサ413の第1の例を概略的に示す。センサ413は、プリパルスレーザ光31pと、メインパルスレーザ光31mと、第1及び第2のガイドレーザ光G1及びG2と、の各々についてビームポジション及びポインティングを算出可能なデータを取得するため、以下の構成を有してもよい。
第1の例に係るセンサ413は、ビームスプリッタ90aと、高反射ミラー90bと、バンドパスフィルタ91pm及び91gと、ビームスプリッタ92pm及び92gと、高反射ミラー93pm及び93gと、を含んでもよい。センサ413は、さらに、転写光学系94pm及び94gと、集光光学系95pm及び95gと、ビームプロファイラ96pm、96g、97pm及び97gと、を含んでもよい。
EUV光生成制御部5は、ビームプロファイラ96pmの受光面に転写されたプリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mの光強度分布のデータを受信してもよい。EUV光生成制御部5は、この光強度分布のデータに含まれるビーム断面の像に基づいて、プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mのビームポジションを計算してもよい。
EUV光生成制御部5は、ビームプロファイラ97pmの受光面に集光されたプリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mの光強度分布のデータを受信してもよい。EUV光生成制御部5は、この光強度分布のデータから集光位置を算出し、算出された集光位置に基づいて、プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mのポインティングを計算してもよい。
EUV光生成制御部5は、ビームプロファイラ97gの受光面に集光された第1及び第2のガイドレーザ光G1及びG2の光強度分布のデータを受信してもよい。EUV光生成制御部5は、この光強度分布のデータから集光位置を算出し、算出された集光位置に基づいて、第1及び第2のガイドレーザ光G1及びG2のポインティングを計算してもよい。
図15は、上述の実施形態において用いられるセンサ413の第2の例を概略的に示す。第2の例において、センサ413は、ビームスプリッタ92a及び92bによって分けられた後の光路に、バンドパスフィルタ91apm、91ag、91bpm及び91bgが配置されてもよい。具体的には、センサ413は、以下の構成を有してもよい。
他の点については、図14を参照しながら説明した第1の例と同様でよい。
図16A及び図16Bは、上述の実施形態において用いられるセンサ413の第3の例を概略的に示す。第3の例において、センサ413は、ステージ91sによって切替え可能なバンドパスフィルタ91pm及び91gを含んでもよい。図16Aは、バンドパスフィルタ91gに切り替えられた状態を示し、図16Bは、バンドパスフィルタ91pmに切り替えられた状態を示す。具体的には、センサ413は、以下の構成を有してもよい。
第3の例に係るセンサ413は、高反射ミラー90bと、バンドパスフィルタ91pm及び91gと、ステージ91sと、ビームスプリッタ92と、を含んでもよい。センサ413は、さらに、転写光学系94と、集光光学系95と、ビームプロファイラ96及び97と、を含んでもよい。
ステージ91sは、バンドパスフィルタ91pm及び91gのいずれが高反射ミラー90bの反射光の光路に位置するかを切替え可能に構成されてもよい。ステージ91sは、EUV光生成制御部5によって制御されるドライバ91dによって駆動されてもよい。
ビームスプリッタ92の反射光の光路に、集光光学系95及びビームプロファイラ97が配置されてもよい。集光光学系95は、ビームスプリッタ92の反射光をビームプロファイラ97の受光面に集光するように構成されてもよい。
ビームスプリッタ92の透過光の光路に、転写光学系94及びビームプロファイラ96が配置されてもよい。転写光学系94は、バンドパスフィルタ91pm及び91gのいずれかを透過した光の光路上の位置Aにおけるビーム断面の像をビームプロファイラ96の受光面に転写するように構成されてもよい。
図16Bに示されるように、高反射ミラー90bの反射光の光路にバンドパスフィルタ91pmが位置する場合、バンドパスフィルタ91pmは、プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mを透過させ、その他の光を吸収又は反射してもよい。
この場合、EUV光生成制御部5は、ビームプロファイラ96の受光面に転写されたプリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mの光強度分布のデータを受信してもよい。EUV光生成制御部5は、この光強度分布のデータに含まれるビーム断面の像に基づいて、プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mのビームポジションを計算してもよい。
また、EUV光生成制御部5は、ビームプロファイラ97の受光面に集光されたプリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mの光強度分布のデータを受信してもよい。EUV光生成制御部5は、この光強度分布のデータから集光位置を算出し、算出された集光位置に基づいて、プリパルスレーザ光31p及びメインパルスレーザ光31mのポインティングを計算してもよい。
この場合、EUV光生成制御部5は、ビームプロファイラ96の受光面に転写された第1及び第2のガイドレーザ光G1及びG2の光強度分布のデータを受信してもよい。EUV光生成制御部5は、この光強度分布のデータに含まれるビーム断面の像に基づいて、第1及び第2のガイドレーザ光G1及びG2のビームポジションを計算してもよい。
また、EUV光生成制御部5は、ビームプロファイラ97の受光面に集光された第1及び第2のガイドレーザ光G1及びG2の光強度分布のデータを受信してもよい。EUV光生成制御部5は、この光強度分布のデータから集光位置を算出し、算出された集光位置に基づいて、第1及び第2のガイドレーザ光G1及びG2のポインティングを計算してもよい。
他の点については、図14を参照しながら説明した第1の例と同様でよい。
図17は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるEUV光生成制御部5等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。
制御部は、処理部1000と、処理部1000に接続される、ストレージメモリ1005と、ユーザインターフェイス1010と、パラレルI/Oコントローラ1020と、シリアルI/Oコントローラ1030と、A/D、D/Aコンバータ1040とによって構成されてもよい。また、処理部1000は、CPU1001と、CPU1001に接続された、メモリ1002と、タイマー1003と、GPU1004とから構成されてもよい。
処理部1000は、ストレージメモリ1005に記憶されたプログラムを読出してもよい。また、処理部1000は、読出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ1005からデータを読出したり、ストレージメモリ1005にデータを記憶させたりしてもよい。
シリアルI/Oコントローラ1030に接続される、シリアルI/Oポートを介して通信可能な機器1031〜103xは、ターゲット供給部26、レーザ光集光光学系アクチュエータ84等であってもよい。
A/D、D/Aコンバータ1040に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器1041〜104xは、ターゲットカメラ80等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。
Claims (20)
- 所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
前記ターゲットに照射されるドライブレーザ光を出力するドライブレーザと、
ガイドレーザ光を出力するガイドレーザと、
前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光の光路と、前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力するビームコンバイナと、
前記ビームコンバイナに入射する前記ドライブレーザ光の光路を調整する第1のアクチュエータを備えた第1の光学素子と、
前記ビームコンバイナに入射する前記ガイドレーザ光の光路を調整する第2のアクチュエータを備えた第2の光学素子と、
前記ビームコンバイナから出力された前記ガイドレーザ光を検出して検出データを出力するセンサと、
前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データを受信し、前記検出データに基づいて前記第2のアクチュエータを制御し、前記第2のアクチュエータの制御量に基づいて前記第1のアクチュエータを制御する制御部と、
を備える極端紫外光生成装置。 - 前記制御部は、前記ドライブレーザ光が出力されていないときに、前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データを受信し、前記検出データに基づいて前記第2のアクチュエータを制御し、前記第2のアクチュエータの制御量に基づいて前記第1のアクチュエータを制御する、請求項1記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ビームコンバイナから出力された前記ドライブレーザ光及び前記ガイドレーザ光の両方の光路を調整する第3のアクチュエータを備えた第3の光学素子をさらに備え、
前記センサは、前記第3の光学素子から出力された前記ガイドレーザ光を検出して前記検出データを出力するように構成され、
前記制御部は、前記検出データに基づいて前記第2のアクチュエータを制御した後の前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データである第2の検出データを受信し、前記第2の検出データに基づいて前記第3のアクチュエータを制御する、請求項1記載の極端紫外光生成装置。 - 前記センサは、さらに、前記第3の光学素子から出力された前記ドライブレーザ光を検出して検出データを出力するように構成され、
前記制御部は、前記ドライブレーザ光が出力されているときに、前記センサによる前記ドライブレーザ光の検出データである第3の検出データを受信し、前記第3の検出データに基づいて前記第1のアクチュエータを制御し、前記第3の検出データに基づいて前記第1のアクチュエータを制御した後の前記センサによる前記ドライブレーザ光の検出データである第4の検出データを受信し、前記第4の検出データに基づいて前記第3のアクチュエータを制御し、前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データである第5の検出データを受信し、前記第5の検出データに基づいて前記第2のアクチュエータを制御する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。 - 所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、
前記ターゲットに前記プリパルスレーザ光が照射された後に前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、
第1のガイドレーザ光を出力する第1のガイドレーザと、
第2のガイドレーザ光を出力する第2のガイドレーザと、
前記プリパルスレーザから出力された前記プリパルスレーザ光の光路と、前記第1のガイドレーザから出力された前記第1のガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力する第1のビームコンバイナと、
前記メインパルスレーザから出力された前記メインパルスレーザ光の光路と、前記第2のガイドレーザから出力された前記第2のガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて出力する第2のビームコンバイナと、
前記第1のビームコンバイナに入射する前記プリパルスレーザ光の光路を調整する第1のアクチュエータを備えた第1の光学素子と、
前記第1のビームコンバイナに入射する前記第1のガイドレーザ光の光路を調整する第2のアクチュエータを備えた第2の光学素子と、
前記第1のビームコンバイナから出力された前記プリパルスレーザ光及び前記第1のガイドレーザ光の両方の光路を調整する第3のアクチュエータを備えた第3の光学素子と、
前記第2のビームコンバイナに入射する前記メインパルスレーザ光の光路を調整する第4のアクチュエータを備えた第4の光学素子と、
前記第2のビームコンバイナに入射する前記第2のガイドレーザ光の光路を調整する第5のアクチュエータを備えた第5の光学素子と、
前記第2のビームコンバイナから出力された前記メインパルスレーザ光及び前記第2のガイドレーザ光の両方の光路を調整する第6のアクチュエータを備えた第6の光学素子と、
前記第3の光学素子から出力された前記プリパルスレーザ光の光路と前記第6の光学素子から出力された前記メインパルスレーザ光の光路とを略一致させ、前記第3の光学素子から出力された前記第1のガイドレーザ光の光路と前記第6の光学素子から出力された前記第2のガイドレーザ光の光路とを略一致させる第3のビームコンバイナと、
前記第3のビームコンバイナから出力された前記第1及び第2のガイドレーザ光を検出して検出データを出力するセンサと、
前記センサによる前記第1のガイドレーザ光の検出データに基づいて前記第2及び第3のアクチュエータを制御し、前記第2のアクチュエータの制御量に基づいて前記第1のアクチュエータを制御し、前記センサによる前記第2のガイドレーザ光の検出データに基づいて前記第5及び第6のアクチュエータを制御し、前記第5のアクチュエータの制御量に基づいて前記第4のアクチュエータを制御する制御部と、
を備える極端紫外光生成装置。 - 前記制御部は、前記ドライブレーザ光が出力されていないときに、前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データを受信し、前記検出データに基づいて前記第2のアクチュエータを制御し、前記第2のアクチュエータの制御量に基づいて前記第1のアクチュエータを制御する、請求項5記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ビームコンバイナから出力された前記ドライブレーザ光及び前記ガイドレーザ光の両方の光路を調整する第3のアクチュエータを備えた第3の光学素子をさらに備え、
前記センサは、前記第3の光学素子から出力された前記ガイドレーザ光を検出して前記検出データを出力するように構成され、
前記制御部は、前記検出データに基づいて前記第2のアクチュエータを制御した後の前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データである第2の検出データを受信し、前記第2の検出データに基づいて前記第3のアクチュエータを制御する、請求項5記載の極端紫外光生成装置。 - 前記センサは、さらに、前記第3の光学素子から出力された前記ドライブレーザ光を検出して検出データを出力するように構成され、
前記制御部は、前記ドライブレーザ光が出力されているときに、前記センサによる前記ドライブレーザ光の検出データである第3の検出データを受信し、前記第3の検出データに基づいて前記第1のアクチュエータを制御し、前記第3の検出データに基づいて前記第1のアクチュエータを制御した後の前記センサによる前記ドライブレーザ光の検出データである第4の検出データを受信し、前記第4の検出データに基づいて前記第3のアクチュエータを制御し、前記センサによる前記ガイドレーザ光の検出データである第5の検出データを受信し、前記第5の検出データに基づいて前記第2のアクチュエータを制御する、請求項7記載の極端紫外光生成装置。 - 所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
前記ターゲットに照射されるドライブレーザ光を出力するドライブレーザと、
前記ターゲットに照射されるガイドレーザ光を出力するガイドレーザと、
前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光及び前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の両方の光路を調整するアクチュエータを備えた光学素子と、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像を検出する画像センサと、
前記画像センサの出力に基づいて、前記アクチュエータを制御する制御部と、
を備える極端紫外光生成装置。 - 前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光の光路と、前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて前記光学素子に向けて出力するビームコンバイナをさらに含む、請求項9記載の極端紫外光生成装置。
- 前記画像センサは、前記ドライブレーザ光が出力されていないときに、前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像を検出する、請求項9記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ドライブレーザは、前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、前記ターゲットに前記プリパルスレーザ光が照射された後に前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、を含み、
前記光学素子は、前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光のうちのいずれかの光路と、前記ガイドレーザ光の光路と、を調整する、請求項9記載の極端紫外光生成装置。 - 前記制御部は、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の位置に基づいて、前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の大きさに基づいて、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置と、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置と、に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
請求項9記載の極端紫外光生成装置。 - 前記制御部は、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の位置に基づいて、前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の明るさに基づいて、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置と、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置と、に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
請求項9記載の極端紫外光生成装置。 - 前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光及び前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の両方の光路を調整する第3のアクチュエータを備えた第3の光学素子と、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像を検出する画像センサと、
をさらに備え、
前記制御部は、前記画像センサの出力に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
請求項1記載の極端紫外光生成装置。 - 前記ドライブレーザから出力された前記ドライブレーザ光の光路と、前記ガイドレーザから出力された前記ガイドレーザ光の光路と、をほぼ一致させて前記光学素子に向けて出力するビームコンバイナをさらに含む、請求項9記載の極端紫外光生成装置。
- 前記画像センサは、前記ドライブレーザ光が出力されていないときに、前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像を検出する、請求項15記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ドライブレーザは、前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、前記ターゲットに前記プリパルスレーザ光が照射された後に前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、を含み、
前記第3の光学素子は、前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光のうちのいずれかの光路と、前記ガイドレーザ光の光路と、を調整する、請求項15記載の極端紫外光生成装置。 - 前記制御部は、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の位置に基づいて、前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の大きさに基づいて、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置と、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置と、に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
請求項15記載の極端紫外光生成装置。 - 前記制御部は、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の位置に基づいて、前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
前記ガイドレーザ光が照射された前記ターゲットによって反射された光の像の明るさに基づいて、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置を算出し、
前記画像センサの撮像方向と交差する方向の前記ガイドレーザ光の位置と、前記画像センサの撮像方向に沿った方向の前記ガイドレーザ光の位置と、に基づいて、前記アクチュエータを制御する、
請求項15記載の極端紫外光生成装置。
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