WO2016170658A1 - ドロップレット検出器及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

ドロップレット検出器及び極端紫外光生成装置 Download PDF

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WO2016170658A1
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timing
droplet
light
signal
determination circuit
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佐藤　功一
能史 植野
隆之 薮
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ギガフォトン株式会社
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    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements

Definitions

  • the present disclosure relates to an apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV) light.
  • EUV extreme ultraviolet
  • an extreme ultraviolet (EUV) light generation device that generates extreme ultraviolet (EUV) light with a wavelength of about 13 nm and a reduced projection reflection optical system (Reduced Projection Reflective Optics) are provided to meet the demand for fine processing of 32 nm or less.
  • EUV extreme ultraviolet
  • Reduced Projection Reflective Optics Reduced Projection Reflective Optics
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge
  • Three types of devices have been proposed: a Produced (Plasma) system and an SR (Synchrotron Radiation) system using orbital radiation.
  • a droplet detector includes a light source unit that emits illumination light to a droplet that is output into a chamber and is irradiated with laser light and generates extreme ultraviolet light, and receives the illumination light. Based on a light receiving unit that detects a change in the amount of light, a first timing at which the light amount of the illumination light irradiated to one droplet decreases, and a second timing at which the light amount of the illumination light increases, And a timing determination circuit that outputs a droplet detection signal indicating that the droplet has been detected at a predetermined position in the chamber.
  • An extreme ultraviolet light generation device includes a chamber in which extreme ultraviolet light is generated in a predetermined region inside, a target supply unit that supplies droplets to the predetermined region, and the target supply unit that A light source unit that irradiates the droplet with illumination light at a predetermined position up to a predetermined region, a light receiving unit that receives the illumination light and detects a change in the amount of light, and the illumination light irradiated to one of the droplets Determination of timing for outputting a droplet detection signal indicating that the droplet has been detected at the predetermined position based on a first timing at which the amount of light decreases and a second timing at which the amount of illumination light increases.
  • FIG. 1 schematically illustrates the configuration of an exemplary LPP EUV light generation system.
  • FIG. 2 shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a droplet detector.
  • FIG. 3 is a time chart relating to the input of the passage timing signal and the output of the trigger signal in the control unit shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration of the passage timing signal system included in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 5 shows a time chart relating to the input of the passage timing signal and the output of the trigger signal in the control unit shown in FIG.
  • FIG. 1 schematically illustrates the configuration of an exemplary LPP EUV light generation system.
  • FIG. 2 shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a droplet detector.
  • FIG. 3 is a time chart relating to the input of the passage timing signal and the output of the trigger signal in the control unit shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration of the passage timing signal system included in the EUV light generation apparatus shown
  • FIG. 6 shows an example of a projected image of a droplet on the light receiving surface of the optical sensor of the droplet detector shown in FIGS.
  • FIG. 7 shows an example of an optical sensor output signal based on the projected image of the droplet shown in FIG.
  • FIG. 8 shows an example of a projected image of a droplet on the light receiving surface of the optical sensor of the droplet detector shown in FIGS.
  • FIG. 9 shows an example of an optical sensor output signal based on the projected image of the droplet shown in FIG.
  • FIG. 10 shows an example of a projected image of a droplet on the light receiving surface of the optical sensor of the droplet detector shown in FIGS.
  • FIG. 11 shows an example of an optical sensor output signal based on the projected image of the droplet shown in FIG. FIG.
  • FIG. 12 shows an example of fluctuations in the amount of light until the illumination light output from the light source of the droplet detector shown in FIGS. 2 and 4 is input to the optical sensor.
  • FIG. 13 shows an example of fluctuations in the amount of light in the droplet detector shown in FIG.
  • FIG. 14 shows an example of an optical sensor output signal based on fluctuations in the amount of light in the droplet detector shown in FIGS.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining a configuration of an EUV light generation apparatus including a timing determination circuit according to the first embodiment.
  • FIG. 16A is a diagram for explaining a configuration of a passage timing signal system included in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 16B is a diagram for explaining a timing determination circuit that outputs a droplet detection signal based on the input passage timing signal.
  • FIG. 16A is a diagram for explaining a configuration of a passage timing signal system included in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 16B is a diagram for explaining a timing determination circuit that output
  • FIG. 17 is a time chart relating to the output of a trigger signal based on the input of the passage timing signal in the control unit of the EUV light generation apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a time chart relating to generation of a droplet detection signal in the delay processing circuit of the control unit in the first embodiment.
  • FIG. 19A is a diagram for explaining the time relationship between the moving distance of the droplet and the setting contents of each delay time in the timing determination circuit and the delay processing circuit in the first embodiment.
  • FIG. 19B shows a table for explaining an example of specific set values of the delay time TD in the first embodiment.
  • FIG. 20 is a diagram for explaining a configuration of a timing determination circuit included in the EUV light generation apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 21 is a time chart relating to generation of a droplet detection signal in the timing determination circuit according to the second embodiment.
  • FIG. 22 is a diagram for explaining a configuration of a timing determination circuit included in the EUV light generation apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 23 is a time chart relating to generation of a droplet detection signal in the timing determination circuit of the third embodiment.
  • FIG. 24 is a diagram for explaining the configuration of the optical sensor in the droplet detector included in the EUV light generation apparatus according to the fourth embodiment.
  • FIG. 25 shows an example of a projected image of the droplet on the light receiving surface of the optical sensor of the droplet detector shown in FIG.
  • FIG. 26 is a time chart relating to the output of the droplet detection signal in the control unit of the EUV light generation apparatus according to the fourth embodiment.
  • FIG. 27 is a diagram for explaining a configuration of a droplet detector and a control unit included in the EUV light generation apparatus according to the fifth embodiment.
  • FIG. 28 is a time chart relating to the output of the droplet detection signal in the control unit of the EUV light generation apparatus according to the fifth embodiment.
  • FIG. 29 is a block diagram illustrating a hardware environment of each control unit.
  • EUV light generation apparatus including timing determination circuit of first embodiment 6.1 Configuration: Overall 6.2 Configuration: Droplet detector and passage timing signal system 6.3 Operation: Control unit 6.4 Operation: Timing determination circuit 6 4.4.1 Operation: Passing center time point calculation process 6.4.2 Operation: Delay time TD calculation process 6.4.2 Operation: Droplet detection signal generation process 6.4.4 Others: Specific example of delay time TD 6 .5 Action EUV light generation apparatus including the timing determination circuit according to the second embodiment 7.1 Configuration 7.2 Operation 8. 8. EUV light generation apparatus including timing determination circuit of third embodiment 8.1 Configuration 8.2 Operation 9. 9. EUV light generation apparatus including the droplet detector and the optical sensor according to the fourth embodiment 9.1 Configuration 9.2 Operation 10. 10. 10. EUV light generation apparatus including the droplet detector and control unit of the fifth embodiment 10.1 Configuration 10.2 Operation 11. Hardware environment of each control unit
  • the droplet detector 41 in the present disclosure includes a light source unit 411 that emits illumination light to the droplet 271 that generates extreme ultraviolet light 251 when it is output into the chamber 2 and irradiated with the laser light 33, and the illumination light.
  • a light receiving unit 412 that receives light and detects a change in the amount of light, a first timing at which the amount of illumination light irradiated to one droplet 271 decreases, and a second timing at which the amount of illumination light increases. Based on this, a timing determination circuit 70, 71, or 72 that outputs a droplet detection signal indicating that the droplet 271 has been detected at a detection point P that is a predetermined position in the chamber 2 may be provided.
  • the timing at which the trigger signal is output to the laser device 3 with respect to the timing at the center of passage of the droplet 271 is irrespective of the size of the droplet 271 or the like. It can be set appropriately. For this reason, in the plasma generation region 25, the pulse laser beam 33 can be accurately condensed and irradiated on the droplet 271.
  • the “target” is an object to be irradiated with laser light introduced into the chamber. By irradiating the target with laser light, the target can be turned into plasma to emit EUV light.
  • a “droplet” is a form of target supplied into the chamber.
  • “Plasma light” is radiation light emitted from a plasma target. The emitted light includes EUV light.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like.
  • the target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other.
  • a wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29.
  • the wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enter the chamber 2.
  • the pulse laser beam 32 may travel through the chamber 2 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and be irradiated to the at least one target 27 as the pulse laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulse laser beam is turned into plasma, and EUV light 251 can be emitted from the plasma along with the emission of light of other wavelengths.
  • the EUV light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • a single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4.
  • the EUV light generation controller 5 may perform at least one of timing control for outputting the target 27 and control of the output direction of the target 27, for example.
  • the EUV light generation control unit 5 performs at least one of, for example, control of the oscillation timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser light 32, and control of the focusing position of the pulse laser light 33. Also good.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • EUV light generation apparatus with droplet detector [4.1 Configuration: Overall] The configuration of the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 41 will be described with reference to FIG. In FIG. 2, the direction in which the EUV light 252 is led out from the chamber 2 of the EUV light generation apparatus 1 toward the exposure apparatus 6 is defined as an X axis.
  • the Z axis and the Y axis are orthogonal to the X axis and orthogonal to each other.
  • the subsequent drawings are the same as the coordinate axes in FIG.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a chamber 2, a laser beam traveling direction control unit 34, an EUV light generation control unit 5 to which a signal output from the exposure apparatus control unit 61 of the exposure apparatus 6 is input, and a control unit 8. , May be included.
  • the chamber 2 includes a target supply unit 26, a droplet detector 41, a window 21, a laser beam focusing optical system 22a, a plate 223, a plate 232, an EUV collector mirror holder 231, and an EUV collector mirror. 23 and the target recovery unit 28.
  • the target supply unit 26 includes a tank 261 that stores a target material such as liquid tin Sn, a nozzle 262 that includes a nozzle hole 263 through which the target material is output, a piezo element 264 provided in the nozzle 262, and a tank 261. And a heater 265 provided on the head.
  • a target material such as liquid tin Sn
  • a nozzle 262 that includes a nozzle hole 263 through which the target material is output
  • a piezo element 264 provided in the nozzle 262
  • a heater 265 provided on the head.
  • the pressure adjusting mechanism 30 may adjust the pressure applied to the target material in the tank 261 based on the control signal from the control unit 8.
  • the droplet detector 41 may include a light source unit 411 and a light receiving unit 412.
  • the light source unit 411 may include a light source 411a and an illumination optical system 411b.
  • the light source unit 411 is arranged so as to irradiate illumination light to the droplet 271 that moves substantially along the droplet trajectory F at the droplet detection point P between the target supply unit 26 and the plasma generation region 25. It's okay.
  • the illumination optical system 411b may include a condenser lens and a window.
  • the light receiving unit 412 may include a light receiving optical system 412a and an optical sensor 412b.
  • the light receiving unit 412 may be arranged so that the illumination light output from the light source unit 411 is input at the droplet detection point P between the target supply unit 26 and the plasma generation region 25.
  • the light receiving optical system 412a may include a condensing lens and a window.
  • the passage timing signal system 42 shown in FIG. 2 may be a signal transmission system related to the passage timing signal.
  • the passage timing signal system 42 will be described later.
  • the laser beam condensing optical system 22 a may include a high reflection off-axis parabolic mirror 221 and a high reflection flat mirror 222.
  • the high-reflection off-axis parabolic mirror 221 and the high-reflection flat mirror 222 may be provided on a plate 223 that can be moved by the stage 224.
  • the EUV collector mirror 23 may be provided on the plate 232 in the chamber 2 via the EUV collector mirror holder 231.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may include high reflection mirrors 341 and 342 for propagating the pulse laser beam 31 output from the laser device 3 toward the chamber 2.
  • FIG. 3 is a time chart relating to the control of the control unit 8 shown in FIG. 2, and a trigger signal for outputting the pulse laser beam 31 based on the detection of the droplet 271 by the droplet detector 41 is shown in FIG. 4 is a time chart when outputting to the device 3;
  • the controller 8 may receive the droplet generation signal output from the EUV light generation controller 5. Based on the input of the droplet generation signal, the control unit 8 heats the temperature of the target material in the tank 261 in the target supply unit 26 to a temperature of 250 to 290 ° C., which is 232 ° C. or higher, which is the melting point of the target material. In addition, a control signal may be output to the heater 265.
  • the control unit 8 may output a control signal to the pressure adjusting mechanism 30 that adjusts the pressure in the tank 261 so that the target material in the tank 261 is output from the nozzle hole 263 in a jet shape at a predetermined speed. .
  • control unit 8 may output a signal for supplying a voltage having a predetermined waveform to the piezo element 264 so that the target material is output in a droplet shape from the nozzle hole 263.
  • the nozzle hole 263 can vibrate by the operation of the piezo element 264 by a voltage signal having a predetermined waveform.
  • the target supply unit 26 can output the target material in a droplet shape by the vibration of the nozzle hole 263.
  • the illumination light to the droplet 271 output from the light source unit 411 may be received by the optical sensor 412 b of the light receiving unit 412. For this reason, the amount of light received by the optical sensor 412b can be reduced by the passage of the detection point P of the droplet 271 as shown in FIG.
  • the light receiving unit 412 Based on the optical sensor output signal based on the change in the amount of light, the light receiving unit 412 receives the passage timing signal as shown in FIG. 3 at a timing when the optical sensor output signal falls below a threshold value that is a preset voltage value. May be generated. The light receiving unit 412 may output the generated passage timing signal to the control unit 8.
  • control unit 8 may output a trigger signal for outputting the pulsed laser light 31 to the laser device 3 after a predetermined delay time TL has elapsed with respect to the input passage timing signal.
  • the laser device 3 may output the pulse laser beam 31 when a trigger signal is input.
  • the pulsed laser light 31 can be input into the chamber 2 via the laser light traveling direction control unit 34 and the window 21.
  • the pulsed laser beam 31 can be condensed by the laser beam condensing optical system 22 a and irradiated onto the droplet 271 that has reached the plasma generation region 25.
  • the passage timing signal system 42 may include a droplet detector 41, a control unit 8, a laser device 3, and a signal line that connects these devices so as to communicate with each other.
  • the light receiving unit 412 of the droplet detector 41 may include a signal converter 412c to which an optical sensor output signal from the optical sensor 412b is input.
  • the optical sensor output signal may be an analog voltage signal.
  • the signal converter 412c may output a passage timing signal generated based on the input optical sensor output signal to the control unit 8.
  • the control unit 8 may include a delay processing circuit 8a for outputting a trigger signal to the laser device 3 with a predetermined time delay with respect to the timing when the passage timing signal is input.
  • FIG. 5 is a time chart related to the control of the control unit 8 shown in FIG. 4, and shows a trigger signal for outputting the pulsed laser light 31 based on the input of the passage timing signal from the droplet detector 41. 4 is a time chart when outputting to the laser device 3;
  • the light sensor output signal may be lowered by the illumination light from the light source unit 411 being blocked by the droplet 271 passing through the detection point P.
  • the signal converter 412c may amplify the optical sensor output signal.
  • the signal converter 412c may convert the optical sensor output signal as a binarized signal based on a preset threshold value.
  • the signal converter 412c may generate a passage timing signal that is a digital signal by binarizing the optical sensor output signal.
  • the control unit 8 may generate the trigger signal at a timing when a predetermined delay time TL has elapsed from the timing at which the passage timing signal is input.
  • the control unit 8 may appropriately change the width of the generated trigger signal.
  • the control unit 8 may output the generated trigger signal to the laser device 3.
  • the control unit 8 may appropriately delay the timing at which the trigger signal is output.
  • the projected image of the droplet 271 projected onto the light receiving surface of the optical sensor 412b is obtained by the optical sensor 412b as the droplet 271 travels substantially along the droplet trajectory F as shown in FIG.
  • the proportion of the light receiving surface can be changed.
  • the signal waveform indicated by the optical sensor output signal corresponds to the droplet 271 or the light receiving surface as the projected image of the droplet 271 occupies the light receiving surface of the optical sensor 412 b. It can change with a waveform that reflects the shape of.
  • the droplet trajectory F along which the droplet 271 travels may vary in the Z-axis direction. Due to the variation of the droplet trajectory F in the Z-axis direction, the trajectory position of the droplet projection trajectory of the droplet projected image on the light receiving surface of the optical sensor 412b can vary with respect to the light receiving surface as shown in FIG.
  • the proportion of the area of the droplet projected image in the light receiving surface of the optical sensor 412b is as shown in FIG. Or a waveform reflecting the shape of the light receiving surface.
  • the peak value of the signal waveform indicated by the optical sensor output signal can vary as shown in FIG.
  • the width of the passage timing signal acquired using a certain threshold for the signal waveform varies as shown in FIG. obtain.
  • the droplet diameter of the droplet 271 output from the target supply unit 26 may vary.
  • the droplet trajectory F along which the droplet 271 travels may vary in the X-axis direction.
  • the diameter of the droplet projection image on the light receiving surface of the optical sensor 412b can vary as shown in FIG.
  • the ratio of the area of the droplet projection image to the light receiving surface of the optical sensor 412b can be changed.
  • the ratio of the area of the droplet projected image occupying the light receiving surface of the optical sensor 412b varies, as shown in FIG. 11, the peak value and width of the signal waveform indicated by the optical sensor output signal can vary.
  • the width of the passage timing signal acquired using a certain threshold for the signal waveform is as shown in FIG. Can vary.
  • the peak value of the signal waveform indicated by the optical sensor output signal may vary as shown in FIG. Then, as the peak value of the signal waveform indicated by the optical sensor output signal fluctuates, the width of the passage timing signal acquired using a certain threshold for the signal waveform fluctuates as shown in FIG. obtain.
  • the speed of the droplet 271 output from the target supply unit 26 can be arbitrarily set. Alternatively, the speed of the droplet 271 output from the target supply unit 26 may vary. When the speed of the droplet 271 varies, the shape of the signal waveform of the optical sensor output signal shown in FIGS. 9, 11, and 14 may vary.
  • the width of the passage timing signal acquired using a certain threshold with respect to the signal waveform can vary.
  • the width of the generated passage timing signal can vary. More specifically, as shown in FIG. 5, when a plurality of droplets 271 are to be compared, the timing of the start of passage of each droplet 271 with respect to the center of passage of the droplet 271. Can fluctuate. That is, the timing at which the signal waveform of the optical sensor output signal falls below the threshold value may vary with respect to the center of passage of the droplet 271.
  • the center time of passage may coincide with the timing of the center time from the start time of passage to the end time of passage in any of the droplets 271.
  • control unit 8 outputs the trigger signal to the laser device 3 at a timing when a predetermined delay time TL has elapsed from the timing at which the passage timing signal is generated. You can do it.
  • the timing at which the signal waveform of the optical sensor output signal falls below the threshold value may vary with respect to the passing center point.
  • the timing at which the droplet 271 arrives may not coincide with the timing at which the pulse laser beam 33 is irradiated.
  • the pulse laser beam 33 cannot be accurately focused and irradiated on the droplet 271 that has reached the plasma generation region 25.
  • the emission efficiency of the EUV light 252 generated by irradiating the droplet 271 with the pulsed laser light 33 can be reduced or varied.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus 1 including the timing determination circuit 70.
  • the EUV light generation apparatus 1 in the first embodiment may be provided with a timing determination circuit 70.
  • the timing determination circuit 70 by providing the timing determination circuit 70, it is possible to appropriately calculate the timing at the center of passage of the droplet 271. For this reason, the timing at which the trigger signal is output to the laser device 3 can be appropriately set regardless of the size of the droplet 271.
  • the timing determination circuit 70 may be provided in the control unit 8A as shown in FIG. Further, the timing determination circuit 70 may be provided at any position between the droplet detector 41 and the control unit 8A in the passage timing signal system 42.
  • the timing determination circuit 70 may perform a passage center time point calculation process, which will be described later with reference to FIG. 5, based on the passage timing signal output from the optical sensor 412b. Then, the timing determination circuit 70 may perform a delay time TD calculation process, which will be described later, for calculating a predetermined delay time TD for the calculated passage center point. Furthermore, the timing determination circuit 70 may perform a droplet detection signal generation process for generating a later-described droplet detection signal after a predetermined delay time has elapsed with respect to the calculated passage center point.
  • the passage center time point calculation process, the delay time TD calculation process, and the droplet detection signal generation process in the timing determination circuit 70 are collectively referred to as MPD process (Mid Point Delay process).
  • MPD process Mel Point Delay process
  • the timing determination circuit 70 is described as “MPD” or “MPD processing” in the drawings as appropriate.
  • the timing determination circuit 70 is included in the electronic circuit of the optical sensor 412b, in the passage timing signal system 42, or May be provided in the electronic circuit of the control unit 8A.
  • the passing center time point calculation process, the delay time TD calculation process, and the droplet detection signal generation process are performed with a logic function, they are used in an integrated circuit used in the electronic circuit of the optical sensor 412b or in the electronic circuit of the control unit 8A. It may be provided in an integrated circuit.
  • the timing determination circuit 70 is provided in the control unit 8A.
  • FIG. 16A is a diagram for explaining the configuration of the passage timing signal system 42 included in the EUV light generation apparatus 1.
  • FIG. 16B is a diagram for explaining a timing determination circuit that outputs a droplet detection signal based on the input passage timing signal.
  • control unit 8 ⁇ / b> A in the first embodiment may include a timing determination circuit 70.
  • the timing determination circuit 70 may be provided on the input side of the delay processing circuit 8a.
  • Other configurations in the passage timing signal system 42 of the first embodiment may be the same as the configurations shown in FIG. In the configuration of the passage timing signal system 42 of the first embodiment, the description of the same configuration shown in FIG. 4 is omitted.
  • the timing determination circuit 70 may receive the passage timing signal output from the light receiving unit 412 of the droplet detector 41.
  • the timing determination circuit 70 may perform MPD processing that performs passage center time point calculation processing, delay time TD calculation processing, and droplet detection signal generation processing based on the input passage timing signal.
  • the timing determination circuit 70 may output the generated droplet detection signal to the delay processing circuit 8a.
  • Control unit 8A included in the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. In the control of the control unit 8A illustrated in FIG. 17, the description of the same control and operation as those of the EUV light generation apparatus 1 illustrated in FIGS. 3 and 5 is omitted.
  • FIG. 17 is a time chart related to the control of the control unit 8A according to the first embodiment, and is a time chart related to the output of the trigger signal based on the input of the passage timing signal from the droplet detector 41.
  • the timing when the optical sensor output signal from the optical sensor 412b falls below the threshold is referred to as a first timing.
  • the timing at which the optical sensor output signal exceeds the threshold is referred to as the second timing. Therefore, in the first embodiment, the first timing may be regarded as the passage start time as shown in FIG.
  • the second timing may be regarded as the end point of passage.
  • the intermediate timing from the passage start time to the passage end time is referred to as the passage center time.
  • the delay detection circuit 8a of the control unit 8A may receive a droplet detection signal (described later) output from the timing determination circuit 70. Based on the input droplet detection signal, the delay processing circuit 8a may generate a trigger signal after a predetermined delay time TS has elapsed with respect to the timing at which the droplet detection signal is input.
  • the droplet detection signal can be a signal based on the passage center time of each droplet 271 regardless of the variation in the generation timing of the passage timing signal.
  • Timing determination circuit 70 The control of the timing determination circuit 70 provided in the control unit 8A of the first embodiment will be described with reference to FIG.
  • FIG. 18 is a time chart related to the control of the timing determination circuit 70 of the control unit 8A according to the first embodiment, and is a time chart related to generation of a droplet detection signal based on the input passage timing signal.
  • the timing determination circuit 70 may receive a passage timing signal from the droplet detector 41.
  • the timing determination circuit 70 may generate a passage start signal and a passage end signal based on the inputted passage timing signal.
  • the timing determination circuit 70 may specify the passage start point (t1) and the passage end point (t2) based on the generated passage start signal and passage end signal.
  • the timing determination circuit 70 specifies the halfway time (0.5 W) from the passage start time (t1) to the passage end time (t2) as the passage center time (tc) of the droplet 271. You can do it.
  • the timing determination circuit 70 may perform a first integration process of integrating a constant value at a constant speed with respect to a time from the passage start time (t1) to the passage end time (t2). That is, the first integration process may be a process of integrating a predetermined value every unit time.
  • the predetermined value which is a constant value may be stored in a memory in the control unit 8A.
  • the predetermined value that is a constant value may be input to the control unit 8A via a network or the like.
  • the predetermined value that is a constant value may be input to the control unit 8A by manual input from an operator or the like.
  • the timing determination circuit 70 accumulates a constant value at a constant speed (W) from the passage start time (t1) to the passage end time (t2).
  • W a constant speed
  • V the first integrated value
  • the timing determination circuit 70 integrates a value that is twice that in the first integration process at a constant speed similar to that in the first integration process for the time after the specified passage end time (t2).
  • the second integration process may be performed. That is, the second integration process may be a process of integrating a value twice the predetermined value in the first integration process every unit time.
  • the timing determination circuit 70 integrates a value twice as much as that in the first integration process in the time (R) after the passage end time (t2) to obtain the second value.
  • the timing determination circuit 70 sums the first integrated value (V) calculated by the first integrating process and the second integrated value (S) calculated by the second integrating process, and calculates the total integrated value (C). You can do it.
  • the timing determination circuit 70 may perform the second integration process after performing the first integration process.
  • the timing determination circuit 70 may calculate the second integrated value (S) until the calculated total integrated value (C) exceeds a predetermined reference value.
  • the predetermined reference value may be stored in a memory in the control unit 8A.
  • the predetermined reference value may be input to the control unit 8A via a network or the like.
  • the predetermined reference value may be input to the control unit 8A by manual input from an operator or the like.
  • the timing determination circuit 70 may specify the length of time after the passage end time (t2) when the total integrated value (C) exceeds a predetermined reference value. Specifically, as shown in FIG. 18, the time (R) after the passage end time (t2) may be specified.
  • the time (W) from the passage start time (t1) to the passage end time (t2) and the time (R) after the passage end time (t2) have the following relationship:
  • the formula can hold.
  • W + R 0.5W + TD (Equation 4) That is, the time (TD) from the passage center time point (tc) to the time point when the total integrated value (C) is determined to exceed the predetermined reference value can be specified.
  • the time (TD) can also be a constant value.
  • the timing determination circuit 70 may specify the calculated time (TD) as the delay time TD shown in FIG.
  • the timing determination circuit 70 may store the calculated delay time TD in a memory or the like in the control unit 8A.
  • the timing determination circuit 70 can specify the timing when the delay time (TD) has further elapsed from the passage center time (tc) after 0.5 W has elapsed from the passage start time (t1).
  • the timing determination circuit 70 elapses a predetermined delay time TD corresponding to the delay time (TD) with respect to the passage center time point (tc) of the droplet 271 based on the specified delay time (TD). Later, a droplet detection signal may be generated.
  • the timing determination circuit 70 may generate a droplet detection signal at a timing when it is determined that the total integrated value (C) exceeds a predetermined reference value.
  • the timing determination circuit 70 does not perform the delay time TD calculation process when generating the droplet detection signal, and based on the delay time TD stored in the memory or the like in the control unit 8A, After the elapse of time, a droplet detection signal may be generated.
  • the delay time TD is a time (0.5 W) that is half the time (W) from the passage start time (t1) to the passage end time (t2), as shown in FIG. Regardless of the width of the passing timing signal, the time can always be constant (TD).
  • the droplet detection is always performed after a certain time (TD) has elapsed with respect to the passage center time point (tc) of the droplet 271 without being affected by the size of the droplet 271 passing through the detection point P.
  • a signal can be generated.
  • the passage center time point calculation process, the delay time TD calculation process, and the droplet detection signal generation process in the timing determination circuit 70 are the same as described above even when the passage timing signal from the light receiving unit 412 is input with its polarity inverted. The effect of can be obtained. Further, even when the droplet detection signal generated by the timing determination circuit 70 is output with its polarity inverted, the same effect as described above can be obtained.
  • FIG. 19A is a diagram for explaining the time relationship between the moving distance YM of the droplet and the setting contents of each delay time that can occur in the timing determination circuit 70 and the delay processing circuit 8a.
  • FIG. 19B shows a table for explaining an example of a specific set value of the delay time TD.
  • TW means the signal width of the passage timing signal input from the droplet detector 41.
  • TD + TS ⁇ TM-TU TM- (TP + TG + TL + TB) ...
  • TS means a delay time until an arbitrarily set trigger signal is generated as shown in FIG.
  • TM means the travel time required for the droplet 271 to reach the plasma generation region 25 from the detection point P detected by the droplet detector 41.
  • TM YM / VM (Equation 10)
  • YM means the movement distance of the droplet 271.
  • VM means the moving speed of the droplet 271.
  • TU means a delay time that can be inherently generated, and may include the following TP, TG, TL, and TB.
  • TP means electric signal propagation delay time.
  • TG means signal processing delay time.
  • TL means the laser light generation delay time.
  • TB means the laser light propagation delay time.
  • the delay time TD may be set to a value close to the minimum value in comparison with the delay time TS.
  • a specific example of each delay time is shown in FIG. 19B.
  • TP, TG, TL, and TB can be constants specific to the passage timing signal system 42. Therefore, the maximum value and the minimum value of TD can be defined depending on how much TS is secured.
  • the maximum value at which TD can be set may vary with respect to the variation of the system such as the movement speed of the droplet 271 being changed. This can be the same even when the distance from the detection point P to the plasma generation region 25 is changed.
  • TD can depend on a predetermined reference value of the total integrated value (C).
  • the predetermined reference value of the total integrated value (C) may require time and labor to change depending on the timing determination circuit 70. Therefore, the TD may be set constant, and the TS may be adapted to the system fluctuation. For example, the TS may be set to a maximum value in advance so as to ensure a large TS fluctuation range. In this case, TD may be set to a minimum value. Alternatively, TD may be set to a value close to the minimum value in consideration of jitter. In the case of FIG. 19B, TD may be set to 2.0 ⁇ 10 ⁇ 6 [sec], for example.
  • the timing at which a trigger signal is output to the laser apparatus 3 with respect to the timing of the passing center point of the droplet 271 is irrespective of the size of the droplet 271 or the like. It can be set appropriately.
  • the pulse laser beam 33 can be accurately condensed and irradiated on the droplet 271. Therefore, the emission efficiency of the EUV light 251 generated when the droplet 271 is irradiated with the pulsed laser light 33 can be improved. And since the position and timing which the pulsed laser beam 33 is irradiated to the droplet 271 become accurate, debris etc. can be reduced.
  • the passage center time calculation process, the delay time TD calculation process, and the droplet detection signal generation process in the timing determination circuit 70 can be configured with simple circuit elements such as a counter, an integrator, and an adder.
  • the increase in logic number can be reduced. For this reason, it can be realized without causing a reduction in reliability due to circuit complexity.
  • FIG. 20 is a diagram for explaining the configuration of the timing determination circuit 71 provided in the EUV light generation apparatus 1 of the second embodiment.
  • the timing determination circuit 71 of the second embodiment may use a general-purpose logic integrated circuit or a circuit composed of individual semiconductor components as the timing determination circuit 70 in the control unit 8A of the first embodiment shown in FIG. 16A.
  • Other configurations of the timing determination circuit 71 of the second embodiment may be the same as the configuration of the timing determination circuit 70 of the first embodiment shown in FIG. 16A.
  • the description of the same configuration as the timing determination circuit 70 shown in FIG. 16A is omitted.
  • the timing determination circuit 71 in the second embodiment includes a timing generation unit 71a, a counter unit 71b, and a comparison unit 71c, as shown in FIG. 20, in order to perform MPD processing as in the first embodiment. Good.
  • the timing determination circuit 71 may include an integrated circuit such as an FPGA (Field Programmable Gate Array) on which a timing generation unit 71a as a logical element, a counter unit 71b, and a comparison unit 71c are mounted. Further, the timing determination circuit 71 may include an integrated circuit such as an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) in which a timing generation unit 71a as a logical element, a counter unit 71b, and a comparison unit 71c are mounted.
  • FPGA Field Programmable Gate Array
  • ASIC Application Specific Integrated Circuit
  • FIG. 21 is a time chart relating to generation of a droplet detection signal based on MPD processing in the timing determination circuit 71 of the second embodiment.
  • the description of the same control and operation as those of the timing determination circuit 70 of the first embodiment shown in FIGS. 17 and 18 is omitted.
  • the description of the same control and operation as the MPD process shown in FIGS. 17 and 18 is omitted.
  • the timing generation unit 71a may receive a passage timing signal from the droplet detector 41 as an input pulse signal (IN).
  • the timing generation unit 71a may specify the timing when the change of the passage timing signal that is the input pulse signal (IN) starts based on the input pulse signal (IN).
  • the timing generation unit 71a may generate the passage start signal (IN1) based on the start timing of the change of the identified passage timing signal.
  • the timing generation unit 71a may output the generated passage start signal (IN1) to the counter unit 71b.
  • the timing generation unit 71a may specify the timing at which the change of the passage timing signal that is the input pulse signal (IN) ends based on the input pulse signal (IN).
  • the timing generation unit 71a may generate a passage end signal (IN2) based on the end timing of the change of the identified passage timing signal.
  • the timing generation unit 71a may output the generated passage end signal (IN2) to the counter unit 71b.
  • One integration process may be performed. That is, the first integration process may be a process of integrating a predetermined value every unit time.
  • the predetermined value which is a constant value may be stored in a memory in the control unit 8A.
  • the predetermined value that is a constant value may be input to the control unit 8A via a network or the like.
  • the predetermined value that is a constant value may be input to the control unit 8A by manual input from an operator or the like.
  • the counter unit 71b may sum the first integrated value calculated by the first integrating process and the second integrated value calculated by the second integrating process to calculate a total integrated value (CV).
  • the counter unit 71b may output the calculated total integrated value (CV) as a digital signal to the comparison unit 71c.
  • the comparison unit 71c may receive a predetermined reference value (CC) set in advance.
  • the comparison unit 71c may compare whether or not the input total integrated value (CV) exceeds the reference value (CC).
  • the predetermined reference value (CC) may be stored in a memory in the control unit 8A.
  • the predetermined reference value may be input to the control unit 8A via a network or the like.
  • the predetermined reference value may be input to the control unit 8A by manual input from an operator or the like.
  • the comparison unit 71c may specify the time when the total integration value (CV) exceeds the reference value (CC).
  • the timing determination circuit 71 may output the droplet detection signal to the delay processing circuit 8a by the same control and operation as the MPD processing shown in FIGS.
  • the comparison unit 71c may generate the droplet detection signal (OUT) based on the timing when the total integrated value (CV) exceeds the predetermined reference value (CC). And the comparison part 71c may output a droplet detection signal to the delay processing circuit 8a.
  • the comparison unit 71c outputs (OUT) that the total integrated value (CV) exceeds the reference value (CC) or that the total integrated value (CV) does not reach the reference value (CC). May be.
  • the timing determination circuit 71 includes, in addition to the logic elements shown in FIG. 20, a clock circuit that is a time reference for integration processing, a reset circuit that sets the integration value to 0, and a control circuit that controls these circuits. Good.
  • FIG. 22 is a diagram for explaining the configuration of the timing determination circuit 72 provided in the EUV light generation apparatus 1 of the third embodiment.
  • the timing determination circuit 72 of the third embodiment may use a circuit configured by analog components such as an operational amplifier as the timing determination circuit 70 in the control unit 8A of the first embodiment shown in FIG. 16A.
  • Other configurations of the timing determination circuit 72 of the third embodiment may be the same as the configuration of the timing determination circuit 70 of the first embodiment shown in FIG. 16A.
  • the description of the same configuration as the timing determination circuit 70 illustrated in FIG. 16A is omitted.
  • timing determination circuit 72 in the third embodiment performs MPD processing as in the first embodiment, as shown in FIG. 22, a timing generation unit 72a, an adder 72b, an integrator 72c, and a comparator 72d. And may be included.
  • FIG. 23 is a time chart relating to generation of a droplet detection signal based on MPD processing in the timing determination circuit 72 of the third embodiment.
  • the description of the same control and operation as those of the timing determination circuit 70 of the first embodiment shown in FIG. In the control of the timing determination circuit 72 shown in FIG. 23, the description of the same control and operation as the MPD process shown in FIGS. 17 and 18 is omitted.
  • the timing generation unit 72a may receive a passage timing signal from the droplet detector 41 as an input pulse signal (IN).
  • the timing generation unit 72a may specify the timing when the change of the passage timing signal that is the input pulse signal (IN) starts based on the input pulse signal (IN).
  • the timing generation unit 72a may generate the passage start signal (IN1) based on the start timing of the change of the identified passage timing signal.
  • the timing generator 72a may output the generated passage start signal (IN1) to the adder 72b.
  • the timing generation unit 72a may specify the timing at which the change of the passage timing signal that is the input pulse signal (IN) ends based on the input pulse signal (IN).
  • the timing generation unit 72a may generate the passage end signal (IN2) based on the end timing of the change of the specified passage timing signal.
  • the timing generation unit 72a may output the generated passage end signal (IN2) to the adder 72b.
  • a double voltage signal (VA) may be output with respect to the output voltage signal.
  • the integrator 72c may integrate the input voltage signal (VA) with time as shown in FIG.
  • the integrator 72c may output the integrated voltage value (CV) of the total voltage signal (VA) by the first integration process and the second integration process to the comparator 72d as a voltage signal.
  • the comparator 72d may receive a predetermined reference value (CC) signal.
  • the comparator 72d may compare whether or not the input integral voltage value (CV) exceeds the reference value (CC).
  • the predetermined reference value (CC) may be stored in a memory or the like in the control unit 8A.
  • the predetermined reference value may be input to the control unit 8A via a network or the like.
  • the predetermined reference value may be input to the control unit 8A by manual input from an operator or the like.
  • the comparator 72d may specify the time when the integrated voltage value (CV) exceeds the reference value (CC).
  • the timing determination circuit 72 may output the droplet detection signal to the delay processing circuit 8a by the same control and operation as the MPD processing shown in FIGS.
  • the comparator 72d may generate the droplet detection signal (OUT) based on the timing at which the integrated voltage value (CV) exceeds the reference value (CC). Then, the comparator 72d may output the droplet detection signal to the delay processing circuit 8a.
  • the comparator 72d may output that the integrated voltage value (CV) has exceeded the reference value (CC) or that the integrated voltage value (CV) has not reached the reference value (CC). .
  • the timing determination circuit 72 controls a digital-analog conversion circuit that presents a reference value (CC), a reset circuit that sets an integrated voltage value (CV) to 0, and these circuits. And a control circuit.
  • CC reference value
  • CV integrated voltage value
  • FIG. 24 is a diagram for explaining the configuration of the optical sensor 412ba in the droplet detector 41 included in the EUV light generation apparatus 1.
  • FIG. 24 is a diagram for explaining the configuration of the optical sensor 412ba in the droplet detector 41 included in the EUV light generation apparatus 1.
  • a photodiode array (PDA: Photo Diode Array), which is a multi-element sensor, may be applied as the optical sensor 412b illustrated in FIG. 2, FIG. 4, FIG. 15, and FIG.
  • Other configurations of the optical sensor 412ba of the fourth embodiment may be the same as the configuration of the optical sensor 412b illustrated in FIGS. 2, 4, 15, and 16A.
  • the description of the same configuration as the optical sensor 412b shown in FIGS. 2, 4, 15, and 16A is omitted.
  • the optical sensor 412ba includes a large number of light receiving elements 412ba-1, etc., a comparator 412d including a large number of comparators 412d-1, etc., a logic coupling circuit 412e, and a threshold voltage generator 412f. It's okay.
  • the timing determination circuit 70 or 71 or 72 may be provided in the control unit 8B as shown in FIG.
  • the multiple light receiving elements 412ba-1 and the like may output an optical sensor output signal to the comparator 412d when illumination light enters.
  • a large number of comparators 412d-1 and the like may receive a signal related to the threshold voltage from the threshold voltage generator 412f.
  • a large number of comparators 412d-1, etc. may receive optical sensor output signals from a large number of light receiving elements 412ba-1, etc.
  • the multiple comparators 412d-1 and the like may each output an individual passage timing signal to the logic coupling circuit 412e based on the input signal relating to the threshold voltage and the optical sensor output signal.
  • the logic coupling circuit 412e may output a passage timing signal to the timing determination circuit 70, 71, or 72 in the control unit 8B based on the input multiple individual passage timing signals.
  • the timing determination circuit 70, 71, or 72 is not limited to the control unit 8B as long as the passage timing signal output from the logic coupling circuit 412e is input, but also within the optical sensor 412ba or the passage timing signal. You may arrange
  • FIG. 25 shows an example of a projected image of the droplet 271 on the light receiving surface of the optical sensor 412ba shown in FIG.
  • FIG. 26 is a time chart relating to the output of a droplet detection signal based on droplet detection in the control unit 8B of the EUV light generation apparatus 1 in the fourth embodiment.
  • the droplet projection trajectory on the light receiving surface of the optical sensor 412ba may pass near the center of the light receiving surface such as each light receiving element 412ba-1. Further, as shown in FIG. 25, the droplet projecting trajectory may pass near the boundary between a plurality of adjacent light receiving elements 412ba-1.
  • the upper part of FIG. 26 shows a time chart for generating a droplet detection signal based on the detection of the droplet 271 when the droplet projection trajectory passes near the center of the light receiving surface of each light receiving element 412ba-1, etc. Indicates.
  • the lower part of FIG. 26 shows a time chart for generating a droplet detection signal based on the detection of the droplet 271 when the droplet projection trajectory passes near the boundary of a plurality of adjacent light receiving elements 412ba-1.
  • the position of the droplet projection trajectory with respect to the plurality of light receiving elements 412ba-1 may be indicated.
  • a time chart when the MPD process by the timing determination circuit 70, 71, or 72 is not applied to the optical sensor 412ba may be shown.
  • a time chart when the MPD process by the timing determination circuit 70, 71, or 72 is applied to the optical sensor 412ba may be shown.
  • the passage timing signal output by each of the light receiving elements 412ba-1 etc. as shown in the center column can vary from the state in the upper part of the center column to the state shown in the lower part.
  • the timing at which the droplet 271 reaches the plasma generation region 25 may not match the timing at which the pulse laser beam 33 is irradiated.
  • the droplet 271 does not depend on the variation of the droplet projection trajectory position with respect to a plurality of light receiving elements.
  • the timing at which the droplet detection signal is generated can be always constant with respect to the passing center point of time.
  • FIG. 27 is a diagram for explaining the configuration of the droplet detector 41 ⁇ / b> A and the control unit 8 ⁇ / b> C included in the EUV light generation apparatus 1.
  • the droplet detector 41 ⁇ / b> A of the fifth embodiment is configured such that the light source unit 411 and the light receiving unit 412 in the droplet detector 41 are integrated. Good.
  • the droplet detector 41 ⁇ / b> A of the fifth embodiment shown in FIG. 27 is a reflected light detection that detects reflected light from the droplet 271. It may be a mold.
  • the droplet detector 41 ⁇ / b> A of the fifth embodiment may be provided with a partial reflection mirror 412 j.
  • a light source 412i and an illumination optical system 412h may be disposed in the light receiving unit 412 illustrated in FIGS.
  • Other configurations of the droplet detector 41A of the fifth embodiment may be the same as the configurations of the droplet detector 41 shown in FIGS.
  • the description of the same configuration as the configuration of the droplet detector 41 shown in FIGS. 2 and 15 is omitted.
  • the droplet detector 41A may include a partial reflection mirror 412j.
  • the droplet detector 41A may include an optical sensor 412b, a light receiving optical system 412g, a partial reflection mirror 412j, a light source 412i, and an illumination optical system 412h in the same casing (not shown).
  • the partial reflection mirror 412j may reflect the illumination light output from the light source 412i toward the droplet 271 via the illumination optical system 412h.
  • the partial reflection mirror 412j may transmit the reflected light from the droplet 271 that has been irradiated with the illumination light to the light receiving optical system 412g.
  • the window 412k may reflect the illumination light output from the light source 412i and transmit the reflected light from the droplet 271.
  • the optical sensor 412b may generate a passage timing signal based on reception of reflected light from the droplet 271.
  • the optical sensor 412b may output the generated passage timing signal to the control unit 8C.
  • control unit 8C of the fifth embodiment includes a polarity inversion circuit 8b. Good.
  • Other configurations of the control unit 8C according to the fifth embodiment may be the same as the configurations of the control units 8, 8A, and 8B illustrated in FIGS. 4, 16A, and 24.
  • the description of the same configuration as that of the control units 8, 8A, and 8B illustrated in FIGS. 4, 16A, and 24 is omitted.
  • the polarity inversion circuit 8b may receive a passage timing signal from the optical sensor 412b.
  • the polarity inversion circuit 8b may invert the input passage timing signal to generate a polarity inversion signal described later.
  • the polarity inversion circuit 8b may output the generated polarity inversion signal to the timing determination circuit 70, 71, or 72.
  • the timing determination circuit 70, 71, or 72 in the fifth embodiment may perform MPD processing based on the input of the polarity inversion signal, as in the first embodiment.
  • the timing determination circuit 70, 71, or 72 is not limited to the control unit 8C as long as the polarity inversion signal is input, and may be disposed in the optical sensor 412b or in the passage timing signal system 42. Good.
  • FIG. 28 is a time chart related to the control of the control unit 8C according to the fifth embodiment, and is a time chart related to the output of a droplet detection signal based on the detection of the droplet 271.
  • the description of the same control and operation as those of the timing determination circuit 70 of the first embodiment shown in FIG. In the control of the timing determination circuit 70, 71, or 72 shown in FIG. 28, the description of the same control and operation as the MPD process shown in FIGS. 17 and 18 is omitted.
  • the timing at which the optical sensor output signal from the optical sensor 412b falls below the threshold is referred to as the first timing.
  • the timing at which the optical sensor output signal exceeds the threshold is referred to as the second timing.
  • the first timing may be the end point of passage as shown in FIG.
  • the second timing may be a passage start time.
  • the optical sensor 412b Based on the signal waveform of the optical sensor output signal, the optical sensor 412b generates a passing timing signal obtained by inverting the passing timing signal shown in FIGS. 3, 5, 17, and 18 as shown in FIG. You can do it.
  • the optical sensor 412b may output the generated passage timing signal to the polarity inversion circuit 8b.
  • the polarity inversion circuit 8b may generate a polarity inversion signal obtained by inverting the input passage timing signal.
  • the polarity inversion circuit 8b may output the generated polarity inversion signal to the timing determination circuit 70, 71, or 72.
  • the timing determination circuit 70, 71, or 72 may calculate the passing center point of the polarity inversion signal based on the input polarity inversion signal. As shown in FIG. 28, the timing determination circuit 70, 71, or 72 generates a droplet detection signal after a delay time TD, which is a predetermined time, with respect to the calculated passing center point. It's okay.
  • the droplet detection signal can always be generated at the same time as the passage center point of each droplet 271 regardless of the variation in the timing at which the input of the passage timing signal is started. .
  • FIG. 29 is a block diagram illustrating an example hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter may be implemented.
  • the exemplary hardware environment 100 of FIG. 29 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, D / A.
  • the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.
  • the processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004.
  • the memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM).
  • the CPU 1001 may be any commercially available processor. A dual microprocessor or other multiprocessor architecture may be used as the CPU 1001.
  • FIG. 29 may be interconnected to perform the process described in this disclosure.
  • the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005, or the processing unit 1000 may read data together with the program from the storage unit 1005.
  • the unit 1000 may write data to the storage unit 1005.
  • the CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005.
  • the memory 1002 may be a work area for temporarily storing programs executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001.
  • the timer 1003 may measure the time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program.
  • the GPU 1004 may process the image data according to a program read from the storage unit 1005 and output the processing result to the CPU 1001.
  • the parallel I / O controller 1020 is a parallel capable of communicating with the processing unit 1000 such as the EUV light generation control unit 5, the control unit 8, the control units 8A to C, the timing determination circuits 70 to 72, and the laser beam traveling direction control unit 34. It may be connected to an I / O device and may control communication between the processing unit 1000 and these parallel I / O devices.
  • the serial I / O controller 1030 may be connected to serial I / O devices that can communicate with the processing unit 1000, such as the light source 411a, the light source 412i, the pressure adjustment mechanism 30, and the stage 224. The communication with the / O device may be controlled.
  • the A / D and D / A converter 1040 may be connected to analog devices such as a temperature sensor, a pressure sensor, various vacuum gauge sensors, a target sensor 4, an optical sensor 412b, and an optical sensor 412ba via an analog port. Communication between the processing unit 1000 and these analog devices may be controlled, or A / D and D / A conversion of communication contents may be performed.
  • the user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
  • the exemplary hardware environment 100 may be applied to the configurations of the EUV light generation control unit 5, the control unit 8, the control units 8A to C, the timing determination circuits 70 to 72, and the laser beam traveling direction control unit 34 in the present disclosure.
  • controllers may be implemented in a distributed computing environment, i.e., an environment where tasks are performed by processing units connected via a communications network.
  • the EUV light generation control unit 5, the control unit 8, the control units 8A to C, the timing determination circuits 70 to 72, and the laser beam traveling direction control unit 34 are connected to each other via a communication network such as Ethernet or the Internet. Also good.
  • program modules may be stored in both local and remote memory storage devices.

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Abstract

ＥＵＶ光生成装置の動作の安定性を向上させ得る。　ドロップレット検出器は、チャンバ内に出力されレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるドロップレットに照明光を照射する光源部と、前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、１つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記チャンバ内の所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、を備えてもよい。

Description

ドロップレット検出器及び極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
国際公開ＷＯ２０１４／０４２００３号
概要
　本開示の１つの観点に係るドロップレット検出器は、チャンバ内に出力されレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるドロップレットに照明光を照射する光源部と、前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、１つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記チャンバ内の所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、を備えてもよい。
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部の所定領域で極端紫外光が生成されるチャンバと、ドロップレットを前記所定領域に供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から前記所定領域までの間の所定位置で前記ドロップレットに照明光を照射する光源部と、前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、１つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、前記ドロップレット検出信号に基づいて、前記所定領域にレーザ光が出力されるようレーザ装置に信号を出力する制御部と、を備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３は、図２に示された制御部における通過タイミング信号の入力及びトリガ信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図４は、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備える通過タイミング信号系統の構成を説明するための図を示す。 図５は、図４に示された制御部における通過タイミング信号の入力及びトリガ信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図６は、図２及び図４に示されたドロップレット検出器の光センサの受光面におけるドロップレットの射影像の例を示す。 図７は、図６に示されたドロップレットの射影像に基づく光センサ出力信号の例を示す。 図８は、図２及び図４に示されたドロップレット検出器の光センサの受光面におけるドロップレットの射影像の例を示す。 図９は、図８に示されたドロップレットの射影像に基づく光センサ出力信号の例を示す。 図１０は、図２及び図４に示されたドロップレット検出器の光センサの受光面におけるドロップレットの射影像の例を示す。 図１１は、図１０に示されたドロップレットの射影像に基づく光センサ出力信号の例を示す。 図１２は、図２及び図４に示されたドロップレット検出器の光源から出力された照明光が光センサに入力されるまでの光量の変動の例を示す。 図１３は、図１２に示されたドロップレット検出器における光量の変動の例を示す。 図１４は、図１２及び図１３に示されたドロップレット検出器における光量の変動に基づく光センサ出力信号の例を示す。 図１５は、第１実施形態におけるタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１６Ａは、図１５に示されたＥＵＶ光生成装置が備える通過タイミング信号系統の構成を説明するための図を示す。 図１６Ｂは、入力された通過タイミング信号に基づいてドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路を説明するための図を示す。 図１７は、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部における通過タイミング信号の入力に基づくトリガ信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図１８は、第１実施形態における制御部の遅延処理回路におけるドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。 図１９Ａは、第１実施形態におけるドロップレットの移動距離とタイミング決定回路及び遅延処理回路等における各遅延時間の設定内容等との時間関係を説明するための図を示す。 図１９Ｂは、第１実施形態における遅延時間ＴＤの具体的な設定値の例を説明するための表を示す。 図２０は、第２実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるタイミング決定回路の構成を説明するための図を示す。 図２１は、第２実施形態のタイミング決定回路におけるドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。 図２２は、第３実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるタイミング決定回路の構成を説明するための図を示す。 図２３は、第３実施形態のタイミング決定回路におけるドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。 図２４は、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器における光センサの構成を説明するための図を示す。 図２５は、図２４に示されたドロップレット検出器の光センサの受光面におけるドロップレットの射影像の例を示す。 図２６は、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレット検出信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図２７は、第５実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び制御部の構成を説明するための図を示す。 図２８は、第５実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレット検出信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図２９は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。
実施形態
～内容～
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　３．１　構成
　３．２　動作
４．ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置
　４．１　構成：全体
　４．２　動作：全体
　４．３　構成：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統
　４．４　動作：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統
５．課題
６．第１実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置
　６．１　構成：全体
　６．２　構成：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統
　６．３　動作：制御部
　６．４　動作：タイミング決定回路
　６．４．１　動作：通過中心時点算出処理
　６．４．２　動作：遅延時間ＴＤ算出処理
　６．４．３　動作：ドロップレット検出信号生成処理
　６．４．４　その他：遅延時間ＴＤの具体例
　６．５　作用
７．第２実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置
　７．１　構成
　７．２　動作
８．第３実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置
　８．１　構成
　８．２　動作
９．第４実施形態のドロップレット検出器及び光センサを備えるＥＵＶ光生成装置
　９．１　構成
　９．２　作用
１０．第５実施形態のドロップレット検出器及び制御部を備えるＥＵＶ光生成装置
　１０．１　構成
　１０．２　動作
１１．各制御部のハードウェア環境
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．概要］
　本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。
　本開示におけるドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されレーザ光３３が照射されると極端紫外光２５１が生成されるドロップレット２７１に照明光を照射する光源部４１１と、前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部４１２と、１つの前記ドロップレット２７１に照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記チャンバ２内の所定位置である検出点Ｐで前記ドロップレット２７１が検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路７０または７１または７２を備えてもよい。
　よって、本開示におけるドロップレット検出器４１によれば、ドロップレット２７１の通過中心時点のタイミングに対して、レーザ装置３へトリガ信号が出力されるタイミングが、ドロップレット２７１の大小等にかかわらず、適正に設定され得る。
　このため、プラズマ生成領域２５において、パルスレーザ光３３がドロップレット２７１に正確に集光されるとともに、照射され得る。
［２．用語の説明］
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。ターゲットにレーザ光を照射することで、ターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を放射させることができる。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
　「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
　［３．１　構成］
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　［３．２　動作］
　図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
［４．ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置］
　［４．１　構成：全体］
　図２を用いて、ドロップレット検出器４１を備えるＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
　図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出させる方向をＸ軸とする。Ｚ軸及びＹ軸は、Ｘ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。
　ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、レーザ光進行方向制御部３４と、露光装置６の露光装置制御部６１から出力された信号が入力されるＥＵＶ光生成制御部５と、制御部８と、を含んでよい。
　チャンバ２は、ターゲット供給部２６と、ドロップレット検出器４１と、ウインドウ２１と、レーザ光集光光学系２２ａと、プレート２２３と、プレート２３２と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３１と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、を含んでよい。
　ターゲット供給部２６は、液体の錫Ｓｎ等であるターゲット物質を貯蔵するタンク２６１と、ターゲット物質が出力されるノズル孔２６３を含むノズル２６２と、ノズル２６２に設けられたピエゾ素子２６４と、タンク２６１に設けられたヒータ２６５と、を含んでよい。
　圧力調節機構３０は、制御部８からの制御信号に基づいて、タンク２６１内のターゲット物質に加える圧力を調節してよい。
　ドロップレット検出器４１は、光源部４１１と、受光部４１２と、を含んでよい。
　光源部４１１は、光源４１１ａと、照明光学系４１１ｂと、を含んでよい。光源部４１１は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間であるドロップレット検出点Ｐにおいて、ドロップレット軌道Ｆに略沿って移動するドロップレット２７１に照明光を照射するように、配置されてよい。
　照明光学系４１１ｂは、集光レンズと、ウインドウと、を含んでよい。
　受光部４１２は、受光光学系４１２ａと、光センサ４１２ｂと、を含んでよい。受光部４１２は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間であるドロップレット検出点Ｐにおいて、光源部４１１から出力された照明光が入力されるように配置されてよい。
　受光光学系４１２ａは、集光レンズと、ウインドウと、を含んでよい。
　ここで、図２に示す通過タイミング信号系統４２は、通過タイミング信号に係わる信号伝達系統であってよく、ドロップレット検出器４１と、制御部８と、レーザ装置３と、これらを接続する信号線とを含んでよい。通過タイミング信号系統４２については後述する。
　レーザ光集光光学系２２ａは、高反射軸外放物面ミラー２２１と、高反射平面ミラー２２２と、を含んでよい。
　高反射軸外放物面ミラー２２１及び高反射平面ミラー２２２は、ステージ２２４により移動が可能なプレート２２３に設けられてよい。
　ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３１を介して、チャンバ２内のプレート２３２に設けられてよい。
　レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１をチャンバ２に向けて伝播させる高反射ミラー３４１，３４２を含んでよい。
　［４．２　動作：全体］
　図３を用いて、ＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８の制御について、説明する。
　図３に示す制御部８の制御において、図１及び図２に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　図３は、図２に示した制御部８の制御に係るタイムチャートであって、ドロップレット検出器４１におけるドロップレット２７１の検出に基づいて、パルスレーザ光３１を出力させるためのトリガ信号をレーザ装置３へ出力する場合のタイムチャートである。
　先ず、制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたドロップレット生成信号が入力されてよい。制御部８は、ドロップレット生成信号の入力に基づき、ターゲット供給部２６におけるタンク２６１内のターゲット物質の温度が、ターゲット物質の融点である２３２℃以上の２５０～２９０℃の温度に加熱されるように、ヒータ２６５に制御信号を出力してよい。
　制御部８は、タンク２６１内のターゲット物質が、ジェット状にノズル孔２６３から所定の速度で出力されるように、タンク２６１内の圧力を調節する圧力調節機構３０に制御信号を出力してよい。
　次に、制御部８は、ターゲット物質がノズル孔２６３からドロップレット状に出力されるように、ピエゾ素子２６４に所定の波形の電圧を供給するための信号を出力してよい。
　その結果、ノズル孔２６３は、所定の波形の電圧の信号によるピエゾ素子２６４の動作により、振動し得る。
　ターゲット供給部２６は、ノズル孔２６３の振動により、ターゲット物質をドロップレット状に出力し得る。
　ここで、ドロップレット検出器４１において、光源部４１１から出力されたドロップレット２７１への照明光は、受光部４１２の光センサ４１２ｂに受光されてよい。
　このため、光センサ４１２ｂにおいて受光される光量は、光センサ出力信号として図３に示すように、ドロップレット２７１の検出点Ｐの通過により低下し得る。
　受光部４１２は、光量の変化に基づく光センサ出力信号に基づいて、当該光センサ出力信号が予め設定された電圧値である閾値を下回ったタイミングで、図３に示すように、通過タイミング信号を生成してよい。受光部４１２は、生成された通過タイミング信号を制御部８へ出力してよい。
　制御部８は、図３に示すように、入力された通過タイミング信号に対して所定の遅延時間ＴＬの経過後に、パルスレーザ光３１を出力させるためのトリガ信号をレーザ装置３へ出力してよい。
　レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３１を出力してよい。
　パルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４及びウインドウ２１を経由して、チャンバ２内に入力され得る。パルスレーザ光３１は、レーザ光集光光学系２２ａにより集光され、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１に照射され得る。
　［４．３　構成：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統］
　図４を用いて、ＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成について、説明する。
　図４に示す通過タイミング信号系統４２の構成において、図２に示した通過タイミング信号系統４２と同一の構成については、説明を省略する。
　通過タイミング信号系統４２は、図４に示すように、ドロップレット検出器４１と、制御部８と、レーザ装置３と、これらを通信可能に接続する信号線とを含んでよい。
　ドロップレット検出器４１の受光部４１２は、光センサ４１２ｂからの光センサ出力信号が入力される信号変換器４１２ｃを含んでよい。
　光センサ出力信号は、アナログの電圧信号であってよい。
　信号変換器４１２ｃは、入力された光センサ出力信号に基づいて生成された通過タイミング信号を、制御部８へ出力してよい。
　制御部８は、通過タイミング信号が入力されたタイミングに対して所定の時間遅延させて、トリガ信号をレーザ装置３に出力するための遅延処理回路８ａを含んでよい。
　［４．４　動作：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統］
　図５～図７を用いて、ドロップレット検出器４１及び通過タイミング信号系統４２の動作に関連する制御部８の具体的な制御について、説明する。
　図５～図７に示す制御部８の制御において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　図５は、図４に示した制御部８の制御に係るタイムチャートであって、ドロップレット検出器４１からの通過タイミング信号の入力に基づいて、パルスレーザ光３１を出力させるためのトリガ信号をレーザ装置３へ出力する場合のタイムチャートである。
　光センサ出力信号は、図５に示すように、ドロップレット２７１が検出点Ｐを通過することにより、光源部４１１からの照明光が遮られ、低下し得る。
　信号変換器４１２ｃは、光センサ出力信号を増幅してよい。信号変換器４１２ｃは、予め設定された閾値に基づき、光センサ出力信号を二値化された信号として変換してよい。信号変換器４１２ｃは、光センサ出力信号を二値化することで、デジタル信号である通過タイミング信号を生成してよい。
　制御部８は、通過タイミング信号が入力されるタイミングから予め定められた遅延時間ＴＬを経過したタイミングで、トリガ信号を生成してよい。制御部８は、生成されたトリガ信号の幅を適宜変更してもよい。制御部８は、生成されたトリガ信号をレーザ装置３へ出力してよい。制御部８は、トリガ信号が出力されるタイミングを適宜遅延させてもよい。
　ここで、光センサ４１２ｂの受光面に射影されるドロップレット２７１の射影像は、図６に示すように、ドロップレット２７１がドロップレット軌道Ｆに略沿って進行するに応じて、光センサ４１２ｂの受光面に占める割合を変化させ得る。
　このため、図７に示すように、ドロップレット２７１の射影像が光センサ４１２ｂの受光面に占める割合を変化させるのに応じて、光センサ出力信号が示す信号波形は、ドロップレット２７１や受光面の形状を反映した波形を持って変化し得る。
［５．課題］
　ここで、ドロップレット２７１が進行するドロップレット軌道Ｆは、Ｚ軸方向に変動する場合があり得る。
　ドロップレット軌道ＦのＺ軸方向の変動により、光センサ４１２ｂの受光面におけるドロップレット射影像のドロップレット射影軌道の軌道位置は、図８に示すように、当該受光面に対して変動し得る。
　ここで、通常、ドロップレット２７１がドロップレット軌道Ｆに略沿って進行することで、光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合は、図９に示すように、ドロップレット２７１や受光面の形状を反映した波形を示して推移し得る。
　しかし、光センサ４１２ｂの受光面に対してドロップレット射影軌道の軌道位置が変動することにより、光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合は、図９に示すように、変動し得る。
　光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合が変動することにより、光センサ出力信号が示す信号波形の波高値は、図９に示すように、変動し得る。
　そして、光センサ出力信号が示す信号波形の波高値が変動することにより、当該信号波形に対して一定の閾値を用いて取得される通過タイミング信号の幅は、図９に示すように、変動し得る。
　また、ターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１のドロップレット径の大きさは、変動する場合があり得る。
　あるいは、ドロップレット２７１が進行するドロップレット軌道Ｆは、Ｘ軸方向に変動する場合があり得る。
　ドロップレット径の変動ならびにドロップレット軌道ＦのＸ軸方向への変動により、光センサ４１２ｂの受光面におけるドロップレット射影像の径は、図１０に示すように、変動し得る。
　光センサ４１２ｂの受光面に対してドロップレット射影像の径が変動することにより、光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合は、変動し得る。
　光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合が変動することにより、図１１に示すように、光センサ出力信号が示す信号波形の波高値及び幅は、変動し得る。
　そして、光センサ出力信号が示す信号波形の波高値及び幅が変動することにより、当該信号波形に対して一定の閾値を用いて取得される通過タイミング信号の幅は、図１１に示すように、変動し得る。
　さらに、ドロップレット検出器４１においては、光源４１１ａの出力の変動、照明光学系４１１ｂ及び受光光学系４１２ａの透過率の低下、光センサ４１２ｂの出力信号への変換効率の低下などの要因が発生し得る。
　このため、図１２及び図１３に示すように、光センサ出力信号が低下し得る。
　光センサ４１２ｂからの光センサ出力信号が低下することにより、図１４に示すように、光センサ出力信号が示す信号波形の波高値は、変動し得る。
　そして、光センサ出力信号が示す信号波形の波高値が変動することにより、当該信号波形に対して一定の閾値を用いて取得される通過タイミング信号の幅は、図１４に示すように、変動し得る。
　その他、ターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１の速度は、任意に設定され得る。
　あるいは、ターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１の速度は、変動する場合があり得る。
　ドロップレット２７１の速度が変動する場合、図９、図１１及び図１４に示される光センサ出力信号は、その信号波形の形が変動し得る。
　そして、光センサ出力信号が示す信号波形の形が変動することにより、信号波形に対して一定の閾値を用いて取得される通過タイミング信号の幅は、変動し得る。
　以上の各種要因により、生成される通過タイミング信号の幅は、変動し得る。
　より具体的に説明すると、図５に示すように、複数のドロップレット２７１を比較の対象とした際に、ドロップレット２７１の通過中心時点に対して、それぞれのドロップレット２７１の通過開始時点のタイミングが変動し得る。
　つまり、ドロップレット２７１の通過中心時点に対して、光センサ出力信号の信号波形が閾値を下回るタイミングが変動し得る。
　ここで、通過中心時点は、いずれのドロップレット２７１においても、通過開始時点から通過終了時点までの中心の時点のタイミングとして、一致してよい。
　ここで、図３を用いて述べたように、制御部８は、通過タイミング信号が生成されるタイミングから予め定められた一定の遅延時間ＴＬを経過したタイミングで、トリガ信号をレーザ装置３へ出力してよい。
　しかし、図５に示すように、ドロップレット２７１毎に、通過中心時点に対して、光センサ出力信号の信号波形が閾値を下回るタイミングが変動し得る。
　このため、プラズマ生成領域２５において、ドロップレット２７１が到達するタイミングと、パルスレーザ光３３が照射されるタイミングとが一致しないことが起こり得る。
　この場合、プラズマ生成領域２５において、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１に正確に集光及び照射させることができない。
　この結果、ドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射により発生するＥＵＶ光２５２の発光効率が低下もしくは変動し得る。
　以上の問題点から、検出点Ｐにおいてドロップレット２７１の通過を正確に検出するためには、ドロップレット２７１の通過中心時点を正確に検出することが必要となり得る。
　しかし、光センサ出力信号の信号波形が閾値を下回るタイミングで生成される通過タイミング信号のみから、通過中心時点を特定することは困難であった。
［６．第１実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置］
　［６．１　構成：全体］
　図１５を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７０の構成について説明する。
　ここで、図１５は、タイミング決定回路７０を備えるＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
　第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１は、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１と異なり、タイミング決定回路７０が設けられてよい。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、タイミング決定回路７０を設けたことにより、ドロップレット２７１の通過中心時点のタイミングを適正に算出し得る。
　このため、レーザ装置３へトリガ信号が出力されるタイミングが、ドロップレット２７１の大小等にかかわらず、適正に設定され得る。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１におけるその他の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってよい。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
　タイミング決定回路７０は、図１５に示すように、制御部８Ａ内に設けられてよい。
　また、タイミング決定回路７０は、通過タイミング信号系統４２におけるドロップレット検出器４１から制御部８Ａまでの間のいずれかの位置に設けられてもよい。
　ここで、タイミング決定回路７０は、光センサ４１２ｂから出力される通過タイミング信号に基づいて、図５を用いて述べた通過中心時点を算出する後述の通過中心時点算出処理を行ってよい。
　そして、タイミング決定回路７０は、算出された通過中心時点に対する所定の遅延時間ＴＤを算出する後述の遅延時間ＴＤ算出処理を行ってよい。
　さらに、タイミング決定回路７０は、算出された通過中心時点に対して所定の遅延時間経過後に後述のドロップレット検出信号を生成するドロップレット検出信号生成処理を行ってよい。
　以下、タイミング決定回路７０における通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理をまとめて、ＭＰＤ処理（Ｍｉｄ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｌａｙ処理）という。また、適宜、図面においてタイミング決定回路７０を「ＭＰＤ」または「ＭＰＤ処理」と記載する。
　通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理を専用回路で実施する場合、タイミング決定回路７０は、光センサ４１２ｂの電子回路内、又は、通過タイミング信号系統４２内、あるいは、制御部８Ａの電子回路内に設けられてよい。
　通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理を論理機能で実施する場合、光センサ４１２ｂの電子回路で使用する集積回路内、又は、制御部８Ａの電子回路で使用する集積回路内に設けられてよい。
　以下、タイミング決定回路７０が制御部８Ａ内に設けられた構成について、説明する。
　［６．２　構成：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統］
　図１６Ａ及び図１６Ｂを用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成について説明する。
　ここで、図１６Ａは、ＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成を説明するための図を示す。
　図１６Ｂは、入力された通過タイミング信号に基づいてドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路を説明するための図を示す。
　第１実施形態における制御部８Ａは、図４に示した制御部８と異なり、タイミング決定回路７０を含んでよい。
　タイミング決定回路７０は、遅延処理回路８ａの入力側に設けられてよい。
　第１実施形態の通過タイミング信号系統４２におけるその他の構成は、図４に示した構成と同様であってもよい。
　第１実施形態の通過タイミング信号系統４２の構成において、図４に示した同様の構成については説明を省略する。
　タイミング決定回路７０は、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、ドロップレット検出器４１の受光部４１２から出力された通過タイミング信号が入力されてよい。
　タイミング決定回路７０は、入力された通過タイミング信号に基づいて、通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理を行う、ＭＰＤ処理を行ってよい。
　タイミング決定回路７０は、生成されたドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａに出力してよい。
　［６．３　動作：制御部］
　図１７を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ａの制御について、説明する。
　図１７に示す制御部８Ａの制御において、図３及び図５に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　図１７は、第１実施形態に係る制御部８Ａの制御に係るタイムチャートであって、ドロップレット検出器４１からの通過タイミング信号の入力に基づく、トリガ信号の出力に係るタイムチャートである。
　ここで、図１７に示すように、以下、光センサ４１２ｂからの光センサ出力信号が閾値を下回ったタイミングを第１タイミングという。光センサ出力信号が閾値を上回ったタイミングを第２タイミングという。
　このため、第１実施形態においては、第１タイミングは、図１７に示すように、通過開始時点と見做してよい。
　第２タイミングは、図１７に示すように、通過終了時点と見做してよい。
　また、通過開始時点から通過終了時点までの中間のタイミングを通過中心時点という。
　制御部８Ａの遅延処理回路８ａは、タイミング決定回路７０から出力された後述するドロップレット検出信号が入力されてよい。
　遅延処理回路８ａは、入力されたドロップレット検出信号に基づいて、当該ドロップレット検出信号が入力されたタイミングに対して、所定の遅延時間ＴＳの経過後に、トリガ信号を生成してよい。
　図１７に示すように、ドロップレット検出信号は、通過タイミング信号の生成タイミングの変動にかかわらず、各ドロップレット２７１の通過中心時点に基づいた信号となり得る。
　［６．４　動作：タイミング決定回路］
　図１８を用いて、第１実施形態の制御部８Ａが備えるタイミング決定回路７０の制御について、説明する。
　図１８は、第１実施形態に係る制御部８Ａのタイミング決定回路７０の制御に係るタイムチャートであって、入力された通過タイミング信号に基づくドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートである。
　［６．４．１　動作：通過中心時点算出処理］
　ここで、図１８を用いて、タイミング決定回路７０における通過中心時点算出処理について説明する。
　タイミング決定回路７０は、ドロップレット検出器４１から通過タイミング信号が入力されてよい。タイミング決定回路７０は、入力された通過タイミング信号に基づいて、通過開始信号及び通過終了信号を生成してよい。
　タイミング決定回路７０は、生成された通過開始信号及び通過終了信号に基づいて、通過開始時点（ｔ１）及び通過終了時点（ｔ２）を特定してよい。
　タイミング決定回路７０は、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの間の時間（Ｗ）の半分の時間（０．５Ｗ）について、ドロップレット２７１の通過中心時点（ｔｃ）として特定してよい。
　［６．４．２　動作：遅延時間ＴＤ算出処理］
　タイミング決定回路７０は、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの時間について、一定の速度で一定の値を積算する第１積算処理を行ってよい。
　つまり、第１積算処理は、所定値を単位時間毎に積算する処理であってよい。
　一定の値である所定値は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。一定の値である所定値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。一定の値である所定値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。
　より具体的には、タイミング決定回路７０は、図１８に示すように、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの間の時間（Ｗ）、一定の速度で一定の値を積算して第１積算値（Ｖ）を算出してよい。
　例えば、図１８に示すような一次関数として、以下の関係式が成立し得る。
　　　Ｖ＝Ｗ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（式１）
　次に、タイミング決定回路７０は、特定された通過終了時点（ｔ２）以降の時間について、第１積算処理のときと同様の一定の速度で、第１積算処理のときの２倍の値を積算する第２積算処理を行ってよい。
　つまり、第２積算処理は、第１積算処理における所定値の２倍の値を単位時間毎に積算する処理であってよい。
　より具体的には、タイミング決定回路７０は、図１８に示すように、通過終了時点（ｔ２）以降の時間（Ｒ）に、第１積算処理のときの２倍の値を積算して第２積算値（Ｓ）を算出してよい。
　式１の例にならえば、図１８に示すような一次関数として、以下の関係式が成立し得る。
　　　Ｓ＝２Ｒ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（式２）
　タイミング決定回路７０は、第１積算処理により算出された第１積算値（Ｖ）と第２積算処理により算出された第２積算値（Ｓ）とを合計し、合計積算値（Ｃ）を算出してよい。
　タイミング決定回路７０は、第１積算処理を行った後に、第２積算処理を行ってよい。
　タイミング決定回路７０は、第２積算処理による第２積算値（Ｓ）の算出を続けるとともに、関係式（式３）として以下に記載するように、合計積算値（Ｃ）を算出し続けてよい。
　　　Ｃ＝Ｖ＋Ｓ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（式３）
　タイミング決定回路７０は、算出される合計積算値（Ｃ）が予め定められた所定の基準値を超えるまで第２積算値（Ｓ）の算出を行ってよい。
　ここで、所定の基準値は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。所定の基準値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。所定の基準値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。
　タイミング決定回路７０は、合計積算値（Ｃ）が所定の基準値を超えた時点で、通過終了時点（ｔ２）以降の時間の長さを特定してよい。
　具体的には、図１８に示すように、通過終了時点（ｔ２）以降の時間（Ｒ）が特定されてよい。
　ここで、図１８に示すように、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの間の時間（Ｗ）、通過終了時点（ｔ２）以降の時間（Ｒ）には、以下の関係式が成立し得る。
　　　Ｗ＋Ｒ＝０．５Ｗ＋ＴＤ・・・・・・・・・・・・・・・・（式４）
　つまり、通過中心時点（ｔｃ）から、合計積算値（Ｃ）が所定の基準値を超えたと判定された時点までの時間（ＴＤ）が特定され得る。
　さらに、関係式（式４）に基づいて、以下の関係式が成立し得る。
　　　ＴＤ＝０．５Ｗ＋Ｒ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（式５）
　また、上記の式１と、式２と、式３と、式５と、に基づいて、以下の関係式が成立し得る。
　　　Ｃ＝Ｖ＋Ｓ＝Ｗ＋２Ｒ＝２×（０．５Ｗ＋Ｒ）＝２ＴＤ・・（式６）
　関係式（式６）に基づいて、以下の関係式が常に成立し得る。
　　　Ｃ＝２ＴＤ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（式７）
　このため、合計積算値（Ｃ）の所定の基準値を一定値に設定した場合、時間（ＴＤ）も一定値となり得る。
　タイミング決定回路７０は、算出された時間（ＴＤ）を、図１７において示された遅延時間ＴＤとして特定してよい。
　タイミング決定回路７０は、算出された遅延時間ＴＤを制御部８Ａ内のメモリ等に記憶してよい。
　［６．４．３　動作：ドロップレット検出信号生成処理］
　タイミング決定回路７０は、通過開始時点（ｔ１）から０．５Ｗ経過した通過中心時点（ｔｃ）より、さらに遅延時間（ＴＤ）経過したときのタイミングを特定し得る。
　よって、タイミング決定回路７０は、特定された遅延時間（ＴＤ）に基づいて、ドロップレット２７１の通過中心時点（ｔｃ）に対して、当該遅延時間（ＴＤ）に相当する所定の遅延時間ＴＤの経過後に、ドロップレット検出信号を生成してよい。
　ここで、タイミング決定回路７０は、図１８に示すように、合計積算値（Ｃ）が所定の基準値を超えたと判定されたタイミングにおいて、ドロップレット検出信号を生成してもよい。
　タイミング決定回路７０は、ドロップレット検出信号を生成する際に、遅延時間ＴＤ算出処理を行うことなく、制御部８Ａ内のメモリ等に記憶されている遅延時間ＴＤに基づいて、当該遅延時間ＴＤの経過後に、ドロップレット検出信号を生成してもよい。
　ここで、遅延時間ＴＤは、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの間の時間（Ｗ）の半分の時間（０．５Ｗ）であるため、図１８に示すように、入力される通過タイミング信号の幅の大小にかかわらず、常に一定の時間（ＴＤ）となり得る。
　このため、検出点Ｐを通過するドロップレット２７１の大小等の影響を受けることなく、ドロップレット２７１の通過中心時点（ｔｃ）に対して、常に、一定の時間（ＴＤ）経過後に、ドロップレット検出信号が生成され得る。
　タイミング決定回路７０における通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理は、受光部４１２からの通過タイミング信号が正負反転させて入力された場合であっても、上記と同様の効果を奏し得てよい。
　また、タイミング決定回路７０により生成されるドロップレット検出信号が正負反転されて出力された場合であっても、上記と同様の効果を奏し得る。
［６．４．４　その他：遅延時間ＴＤの具体例］
　以下、タイミング決定回路７０により算出及び設定される遅延時間ＴＤの具体例について、図１９Ａ及び図１９Ｂを用いて、説明する。
　図１９Ａは、ドロップレットの移動距離ＹＭと、タイミング決定回路７０及び遅延処理回路８ａ等において発生し得る各遅延時間の設定内容等と、の時間関係を説明するための図を示す。
　図１９Ｂは、遅延時間ＴＤの具体的な設定値の例を説明するための表を示す。
　遅延時間ＴＤの最小値については、以下の関係式が成立し得る。
　　　ＴＤ＞ＴＷ／２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（式８）
　ここで、ＴＷは、ドロップレット検出器４１から入力される通過タイミング信号の信号幅を意味する。
　遅延時間ＴＤの最大値については、図１９Ａに示すように、以下の関係式が成立し得る。
　　　ＴＤ＋ＴＳ＜ＴＭ－ＴＵ＝ＴＭ－（ＴＰ＋ＴＧ＋ＴＬ＋ＴＢ）
　　　　　　　　　　　　　　・・・・・・・・・・・・・・（式９）
　ここで、ＴＳは、図１７において示したように、任意に設定されるトリガ信号が生成されるまでの遅延時間を意味する。
　ＴＭは、ドロップレット２７１がドロップレット検出器４１により検出される検出点Ｐから、プラズマ生成領域２５まで到達するまでに要する移動時間を意味する。
　ＴＭは、以下の関係式が成立し得る。
　　　ＴＭ＝ＹＭ／ＶＭ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（式１０）
　ここで、ＹＭは、ドロップレット２７１の移動距離を意味する。
　ＶＭは、ドロップレット２７１の移動速度を意味する。
　また、ＴＵは、固有に発生し得る遅延時間を意味し、以下のＴＰと、ＴＧと、ＴＬと、ＴＢと、を含んでよい。
　ＴＰは、電気信号伝搬遅延時間を意味する。
　ＴＧは、信号処理遅延時間を意味する。
　ＴＬは、レーザ光発生遅延時間を意味する。
　ＴＢは、レーザ光伝搬遅延時間を意味する。
　遅延時間ＴＤは、遅延時間ＴＳとの対比において最小値に近い値に設定されてもよい。
　各遅延時間の具体的な例を図１９Ｂに示す。ＴＰ、ＴＧ、ＴＬ、ＴＢは通過タイミング信号系統４２に固有の定数となり得る。このため、ＴＤは、ＴＳをどの程度確保するかによって最大値と最小値とが定義され得る。ドロップレット２７１の移動速度が変更される等の系の変動に対して、ＴＤを設定可能な最大値が変動し得る。これは、検出点Ｐからプラズマ生成領域２５までの距離が変更される場合であっても同様であり得る。上述の様に、ＴＤは合計積算値（Ｃ）の所定の基準値に依存し得る。合計積算値（Ｃ）の所定の基準値は、タイミング決定回路７０によっては変更に時間及び手間を要する場合がある。そこでＴＤは一定に設定し、ＴＳによって系の変動に対応するようにしてもよい。たとえばＴＳの変動幅を大きく確保するよう、予めＴＳを最大値に設定してもよい。この場合、ＴＤは最小値に設定してもよい。またはＴＤはジッターを考慮して最小値に近い値に設定してもよい。図１９Ｂの場合、ＴＤは、たとえば２．０×１０－６［ｓｅｃ］に設定されてよい。
　［６．５　作用］
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、ドロップレット２７１の通過中心時点のタイミングに対して、レーザ装置３へトリガ信号が出力されるタイミングが、ドロップレット２７１の大小等にかかわらず、適正に設定され得る。
　このため、プラズマ生成領域２５において、パルスレーザ光３３がドロップレット２７１に正確に集光されるとともに、照射され得る。
　よって、ドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射により発生するＥＵＶ光２５１の発光効率が向上し得る。そして、ドロップレット２７１へパルスレーザ光３３が照射される位置及びタイミングが正確になるため、デブリ等の低減を図ることが可能となり得る。
　また、タイミング決定回路７０における通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理は、カウンタもしくは積分器・加算器等、単純な回路要素で構成可能であるため、部品点数や論理数の増加を低減し得る。
　このため、回路の複雑化による信頼性の低下を生じさせることなく、実現可能となり得る。
［７．第２実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置］
　［７．１　構成］
　図２０を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７１の構成について説明する。
　ここで、図２０は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７１の構成を説明するための図を示す。
　第２実施形態のタイミング決定回路７１は、図１６Ａに示した第１実施形態の制御部８Ａ内のタイミング決定回路７０として、汎用論理集積回路や個別半導体部品で構成した回路を用いてよい。
　第２実施形態のタイミング決定回路７１におけるその他の構成は、図１６Ａに示した第１実施形態のタイミング決定回路７０の構成と同様であってよい。
　第２実施形態のタイミング決定回路７１の構成において、図１６Ａに示したタイミング決定回路７０と同様の構成については、説明を省略する。
　第２実施形態におけるタイミング決定回路７１は、第１実施形態と同様にＭＰＤ処理を行うため、図２０に示すように、タイミング生成部７１ａと、カウンタ部７１ｂと、比較部７１ｃと、を含んでよい。
　タイミング決定回路７１は、論理要素としてのタイミング生成部７１ａと、カウンタ部７１ｂと、比較部７１ｃと、を実装したＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）などの集積回路を備えてもよい。
　また、タイミング決定回路７１は、論理要素としてのタイミング生成部７１ａと、カウンタ部７１ｂと、比較部７１ｃと、を実装したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの集積回路を備えてもよい。
　［７．２　動作］
　図２１は、第２実施形態のタイミング決定回路７１におけるＭＰＤ処理に基づいたドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。
　図２１に示すタイミング決定回路７１の制御において、図１７及び図１８に示した第１実施形態のタイミング決定回路７０と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　図２１に示すタイミング決定回路７１の制御において、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　タイミング生成部７１ａは、入力パルス信号（ＩＮ）として、ドロップレット検出器４１から通過タイミング信号が入力されてよい。
　タイミング生成部７１ａは、入力パルス信号（ＩＮ）に基づいて、当該入力パルス信号（ＩＮ）である通過タイミング信号の変化が開始したタイミングを特定してよい。タイミング生成部７１ａは、特定された通過タイミング信号の変化の開始のタイミングに基づいて、通過開始信号（ＩＮ１）を生成してよい。タイミング生成部７１ａは、生成された通過開始信号（ＩＮ１）をカウンタ部７１ｂへ出力してよい。
　タイミング生成部７１ａは、入力パルス信号（ＩＮ）に基づいて、当該入力パルス信号（ＩＮ）である通過タイミング信号の変化が終了したタイミングを特定してよい。タイミング生成部７１ａは、特定された通過タイミング信号の変化の終了のタイミングに基づいて、通過終了信号（ＩＮ２）を生成してよい。タイミング生成部７１ａは、生成された通過終了信号（ＩＮ２）をカウンタ部７１ｂへ出力してよい。
　カウンタ部７１ｂは、入力された通過開始信号（ＩＮ１）に基づいて、当該通過開始信号（ＩＮ１）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ１＝ＯＮ）から、一定の速度で一定の値を積算する第１積算処理を行ってよい。
　つまり、第１積算処理は、所定値を単位時間毎に積算する処理であってよい。
　一定の値である所定値は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。一定の値である所定値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。一定の値である所定値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。
　カウンタ部７１ｂは、入力された通過終了信号（ＩＮ２）に基づいて、当該通過終了信号（ＩＮ２）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ２＝ＯＮ）から、第１積算処理のときと同様の一定の速度で、第１積算処理のときの２倍の値を積算する第２積算処理を行ってよい。
　つまり、第２積算処理は、第１積算処理における所定値の２倍の値を単位時間毎に積算する処理であってよい。
　カウンタ部７１ｂは、第１積算処理により算出された第１積算値と第２積算処理により算出された第２積算値とを合計し、合計積算値（ＣＶ）を算出してよい。カウンタ部７１ｂは、算出された合計積算値（ＣＶ）をデジタル信号として比較部７１ｃへ出力してよい。
　比較部７１ｃは、予め定められた所定の基準値（ＣＣ）が入力されてよい。比較部７１ｃは、入力された合計積算値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超えたか否か比較してよい。
　ここで、所定の基準値（ＣＣ）は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。所定の基準値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。所定の基準値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。
　比較部７１ｃは、合計積算値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超過したと判定した場合に、その超過した時点を特定してよい。
　タイミング決定回路７１は、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作により、ドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａへ出力してよい。
　また、比較部７１ｃは、合計積算値（ＣＶ）が所定の基準値（ＣＣ）を超過したタイミングに基づいて、ドロップレット検出信号（ＯＵＴ）を生成してもよい。そして、比較部７１ｃは、ドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａへ出力してもよい。
　なお、比較部７１ｃは、合計積算値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超えたこと、又は、合計積算値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）に達していないことを、出力（ＯＵＴ）してもよい。
　タイミング決定回路７１は、図２０に示す論理要素の他に、積算処理の時間基準となるクロック回路と、積算値を０にするリセット回路と、それらの回路を制御する制御回路と、を含んでよい。
［８．第３実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置］
　［８．１　構成］
　図２２を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７２の構成について説明する。
　ここで、図２２は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７２の構成を説明するための図を示す。
　第３実施形態のタイミング決定回路７２は、図１６Ａに示した第１実施形態の制御部８Ａ内のタイミング決定回路７０として、オペアンプ等のアナログ部品で構成した回路を用いてよい。
　第３実施形態のタイミング決定回路７２におけるその他の構成は、図１６Ａに示した第１実施形態のタイミング決定回路７０の構成と同様であってよい。
　第３実施形態のタイミング決定回路７２の構成において、図１６Ａに示したタイミング決定回路７０と同様の構成については、説明を省略する。
　第３実施形態におけるタイミング決定回路７２は、第１実施形態と同様にＭＰＤ処理を行うため、図２２に示すように、タイミング生成部７２ａと、加算器７２ｂと、積分器７２ｃと、比較器７２ｄと、を含んでよい。
　［８．２　動作］
　図２３は、第３実施形態のタイミング決定回路７２におけるＭＰＤ処理に基づいたドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。
　図２３に示すタイミング決定回路７２の制御において、図１８に示した第１実施形態のタイミング決定回路７０と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　図２３に示すタイミング決定回路７２の制御において、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　タイミング生成部７２ａは、入力パルス信号（ＩＮ）として、ドロップレット検出器４１から通過タイミング信号が入力されてよい。
　タイミング生成部７２ａは、入力パルス信号（ＩＮ）に基づいて、当該入力パルス信号（ＩＮ）である通過タイミング信号の変化が開始したタイミングを特定してよい。タイミング生成部７２ａは、特定された通過タイミング信号の変化の開始のタイミングに基づいて、通過開始信号（ＩＮ１）を生成してよい。タイミング生成部７２ａは、生成された通過開始信号（ＩＮ１）を加算器７２ｂへ出力してよい。
　タイミング生成部７２ａは、入力パルス信号（ＩＮ）に基づいて、当該入力パルス信号（ＩＮ）である通過タイミング信号の変化が終了したタイミングを特定してよい。タイミング生成部７２ａは、特定された通過タイミング信号の変化の終了のタイミングに基づいて、通過終了信号（ＩＮ２）を生成してよい。タイミング生成部７２ａは、生成された通過終了信号（ＩＮ２）を加算器７２ｂへ出力してよい。
　加算器７２ｂは、入力された通過開始信号（ＩＮ１）に基づいて、当該通過開始信号（ＩＮ１）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ１＝ＯＮ）から、一定の電圧信号（ＶＡ）を積分器７２ｃへ出力してよい。
　一定の所定値である電圧信号（ＶＡ）は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。一定の所定値である電圧信号は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。一定の所定値である電圧信号は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。
　加算器７２ｂは、入力された通過終了信号（ＩＮ２）に基づいて、当該通過終了信号（ＩＮ２）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ２＝ＯＮ）から、通過開始信号（ＩＮ１）の入力に基づいて出力した電圧信号に対して、２倍の電圧信号（ＶＡ）を出力してよい。
　積分器７２ｃは、図２３に示すように、入力された電圧信号（ＶＡ）を時間経過とともに積分してよい。
　積分器７２ｃは、通過開始信号（ＩＮ１）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ１＝ＯＮ）から、一定の所定値である電圧信号（ＶＡ）を積分していく第１積算処理を行ってよい。
　つまり、第１積算処理は、所定値である電圧信号（ＶＡ）を単位時間毎に積分する処理であってよい。
　積分器７２ｃは、通過終了信号（ＩＮ２）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ２＝ＯＮ）から、所定値の２倍の値である電圧信号（ＶＡ）を積分していく第２積算処理を行ってよい。
　つまり、第２積算処理は、第１積算処理における所定値の２倍の値を単位時間毎に積分する処理であってよい。
　積分器７２ｃは、第１積算処理及び第２積算処理による合計の電圧信号（ＶＡ）の積分電圧値（ＣＶ）を電圧信号として比較器７２ｄへ出力してよい。
　比較器７２ｄは、予め定められた所定の基準値（ＣＣ）の信号が入力されてよい。比較器７２ｄは、入力された積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超えたか否か比較してよい。
　所定の基準値（ＣＣ）は、制御部８Ａ内のメモリ等に記憶されておいてよい。所定の基準値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。所定の基準値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。
　比較器７２ｄは、積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超過したと判定した場合に、その超過した時点を特定してよい。
　タイミング決定回路７２は、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作により、ドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａへ出力してよい。
　また、比較器７２ｄは、積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超過したタイミングに基づいて、ドロップレット検出信号（ＯＵＴ）を生成してもよい。そして、比較器７２ｄは、ドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａへ出力してもよい。
　なお、比較器７２ｄは、積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超えたこと、又は、積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）に達していないことを、出力してもよい。
　タイミング決定回路７２は、図２２に示す回路要素の他に、基準値（ＣＣ）を提示するデジタル―アナログ変換回路と、積分電圧値（ＣＶ）を０にするリセット回路と、それらの回路を制御する制御回路と、を含んでよい。
［９．第４実施形態のドロップレット検出器及び光センサを備えるＥＵＶ光生成装置］
　［９．１　構成］
　図２４を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１の光センサ４１２ｂａの構成について説明する。
　ここで、図２４は、ＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１における光センサ４１２ｂａの構成を説明するための図を示す。
　第４実施形態における光センサ４１２ｂａは、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂとして、多素子センサであるフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ：Ｐｈｏｔｏ　Ｄｉｏｄｅ　Ａｒｒａｙ）が適用されてよい。
　第４実施形態の光センサ４１２ｂａにおけるその他の構成は、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂの構成と同様であってよい。
　第４実施形態の光センサ４１２ｂａの構成において、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂと同様の構成については説明を省略する。
　光センサ４１２ｂａは、図２４に示すように、多数の受光素子４１２ｂａ－１等と、多数のコンパレータ４１２ｄ－１等を含むコンパレータ４１２ｄと、論理結合回路４１２ｅと、閾値電圧発生器４１２ｆと、を備えてよい。
　タイミング決定回路７０または７１または７２は、図２４に示すように、制御部８Ｂ内に設けられてよい。
　多数の受光素子４１２ｂａ－１等は、照明光が入射されることにより、光センサ出力信号をコンパレータ４１２ｄに出力してよい。
　多数のコンパレータ４１２ｄ－１等は、閾値電圧発生器４１２ｆから、閾値電圧に係る信号が入力されてよい。多数のコンパレータ４１２ｄ－１等は、多数の受光素子４１２ｂａ－１等から、光センサ出力信号が入力されてよい。多数のコンパレータ４１２ｄ－１等は、入力された閾値電圧に係る信号及び光センサ出力信号に基づいて、それぞれ個別通過タイミング信号を論理結合回路４１２ｅへ出力してよい。
　論理結合回路４１２ｅは、入力された多数の個別通過タイミング信号に基づいて、通過タイミング信号を制御部８Ｂ内のタイミング決定回路７０または７１または７２へ出力してよい。
　第４実施形態において、タイミング決定回路７０または７１または７２は、論理結合回路４１２ｅから出力される通過タイミング信号が入力されるかぎり、制御部８Ｂ内に限らず、光センサ４１２ｂａ内や、通過タイミング信号系統４２内に配置されてもよい。
　第４実施形態におけるタイミング決定回路７０または７１または７２は、第１実施形態と同様に、通過タイミング信号の入力に基づいて、ＭＰＤ処理を行ってよい。
　［９．２　作用］
　ここで、図２５は、図２４に示された光センサ４１２ｂａの受光面におけるドロップレット２７１の射影像の例を示す。
　図２６は、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の制御部８Ｂにおけるドロップレット検出に基づくドロップレット検出信号の出力に係るタイムチャートを示す。
　多素子センサのＰＤＡである光センサ４１２ｂａにおいて、当該光センサ４１２ｂａの受光面におけるドロップレット射影軌道は、各受光素子４１２ｂａ－１等の受光面の中心付近を通過することがあり得る。
　また、ドロップレット射影軌道は、図２５に示すように、隣接する複数の受光素子４１２ｂａ－１等の境界付近を通過することもあり得る。
　ここで、図２６の上段は、ドロップレット射影軌道が各受光素子４１２ｂａ－１等の受光面の中心付近を通過する場合に、ドロップレット２７１の検出に基づいてドロップレット検出信号を生成するタイムチャートを示す。
　図２６の下段は、ドロップレット射影軌道が隣接する複数の受光素子４１２ｂａ－１等の境界付近を通過する場合に、ドロップレット２７１の検出に基づいてドロップレット検出信号を生成するタイムチャートを示す。
　また、図２６の左側欄においては、複数の受光素子４１２ｂａ－１等に対するドロップレット射影軌道の位置が示されてよい。
　図２６の中央欄においては、光センサ４１２ｂａに対して、タイミング決定回路７０または７１または７２によるＭＰＤ処理を適用していない場合におけるタイムチャートが示されてよい。
　図２６の右側欄においては、光センサ４１２ｂａに対して、タイミング決定回路７０または７１または７２によるＭＰＤ処理が適用された場合におけるタイムチャートが示されてよい。
　ここで、図２６の左側欄上段から下段の状態に複数の受光素子に対するドロップレット射影軌道の位置が変動する場合、中央欄に示すように各受光素子４１２ｂａ－１等により出力される通過タイミング信号のタイミングは、中央欄上段の状態から下段に示す状態に、変動し得る。
　このため、通過タイミング信号の生成されるタイミングに基づいて、一定の遅延時間ＴＬの経過後にレーザ装置３へトリガ信号を出力した場合には、各ドロップレット２７１の通過中心時点に対するトリガ信号の出力タイミングが変動し得る。
　よって、プラズマ生成領域２５において、ドロップレット２７１が当該プラズマ生成領域２５に到達するタイミングと、パルスレーザ光３３が照射されるタイミングとが一致しないことが起こり得る。
　しかし、光センサ４１２ｂａにタイミング決定回路７０または７１または７２を適用した場合には、図２６の右側欄に示すように、複数の受光素子に対するドロップレット射影軌道位置の変動によらず、ドロップレット２７１の通過中心時点に対して、ドロップレット検出信号の生成されるタイミングが常に一定になり得る。
［１０．第５実施形態のドロップレット検出器及び制御部を備えるＥＵＶ光生成装置］
　［１０．１　構成］
　図２７を用いて、第５実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１Ａ及び制御部８Ｃの構成について説明する。
　ここで、図２７は、ＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１Ａ及び制御部８Ｃの構成を説明するための図を示す。
　第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａは、図２及び図１５に示したドロップレット検出器４１と異なり、ドロップレット検出器４１における光源部４１１及び受光部４１２が一体化された構成とされてよい。
　図２７に示した第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａは、図２及び図１５に示した透過光検出型のドロップレット検出器４１と異なり、ドロップレット２７１による反射光を検出する反射光検出型であってよい。
　第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａは、図２及び図１５に示したドロップレット検出器４１と異なり、部分反射ミラー４１２ｊが設けられてよい。
　第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａは、図２及び図１５に示した受光部４１２内に、光源４１２ｉ及び照明光学系４１２ｈが配置されてよい。
　第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａにおけるその他の構成は、図２及び図１５に示したドロップレット検出器４１の構成と同様であってもよい。
　第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａの構成において、図２及び図１５に示したドロップレット検出器４１の構成と同様の構成については、説明を省略する。
　ドロップレット検出器４１Ａは、図２７に示すように、部分反射ミラー４１２ｊが備えられてよい。
　ドロップレット検出器４１Ａは、光センサ４１２ｂと、受光光学系４１２ｇと、部分反射ミラー４１２ｊと、光源４１２ｉと、照明光学系４１２ｈとを、不図示の同一の筐体内に備えてもよい。
　部分反射ミラー４１２ｊは、光源４１２ｉから出力された照明光を、照明光学系４１２ｈを介してドロップレット２７１に向けて反射してよい。
　部分反射ミラー４１２ｊは、照明光を照射されたことによるドロップレット２７１からの反射光を受光光学系４１２ｇに透過させてよい。
　ウインドウ４１２ｋは、光源４１２ｉから出力された照明光を反射させるとともに、ドロップレット２７１からの反射光を透過させてよい。
　光センサ４１２ｂは、ドロップレット２７１からの反射光の受光に基づいて、通過タイミング信号を生成してよい。光センサ４１２ｂは、生成された通過タイミング信号を制御部８Ｃへ出力してよい。
　ここで、第５実施形態の制御部８Ｃは、図４に示した制御部８、図１６Ａに示した制御部８Ａ及び図２４に示した制御部８Ｂと異なり、極性反転回路８ｂが備えられてよい。
　第５実施形態の制御部８Ｃにおけるその他の構成は、図４、図１６Ａ及び図２４に示した制御部８，８Ａ，８Ｂの構成と同様であってよい。
　第５実施形態の制御部８Ｃの構成において、図４、図１６Ａ及び図２４に示した制御部８，８Ａ，８Ｂの構成と同様の構成については、説明を省略する。
　極性反転回路８ｂは、図２７に示すように、光センサ４１２ｂから通過タイミング信号が入力されてよい。極性反転回路８ｂは、入力された通過タイミング信号を正負反転して、後述の極性反転信号を生成してよい。極性反転回路８ｂは、生成された極性反転信号をタイミング決定回路７０または７１または７２へ出力してよい。
　第５実施形態におけるタイミング決定回路７０または７１または７２は、第１実施形態と同様に、極性反転信号の入力に基づいて、ＭＰＤ処理を行ってよい。
　第５実施形態において、タイミング決定回路７０または７１または７２は、極性反転信号が入力されるかぎり、制御部８Ｃ内に限らず、光センサ４１２ｂ内や、通過タイミング信号系統４２内に配置されてもよい。
　［１０．２　動作］
　図２８を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ｃの制御について、説明する。
　図２８に示す制御部８Ｃの制御において、図３、図５、図１７及び図１８に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　図２８は、第５実施形態に係る制御部８Ｃの制御に係るタイムチャートであって、ドロップレット２７１の検出に基づくドロップレット検出信号の出力に係るタイムチャートである。
　図２８に示すタイミング決定回路７０または７１または７２の制御において、図１８に示した第１実施形態のタイミング決定回路７０と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　図２８に示すタイミング決定回路７０または７１または７２の制御において、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　ここで、第５実施形態においては、第１実施形態の場合と同様に、光センサ４１２ｂからの光センサ出力信号が閾値を下回ったタイミングを第１タイミングという。光センサ出力信号が閾値を上回ったタイミングを第２タイミングという。
　このため、第５実施形態においては、第１タイミングは、図２８に示すように、通過終了時点となってよい。
　第２タイミングは、図２８に示すように、通過開始時点となってよい。
　光センサ４１２ｂは、光センサ出力信号の信号波形に基づいて、図２８に示すように、図３、図５、図１７及び図１８に示した通過タイミング信号を正負反転させた通過タイミング信号を生成してよい。光センサ４１２ｂは、生成された通過タイミング信号を極性反転回路８ｂへ出力してよい。
　極性反転回路８ｂは、図２８に示すように、入力された通過タイミング信号を正負反転させた極性反転信号を生成してよい。極性反転回路８ｂは、生成された極性反転信号をタイミング決定回路７０または７１または７２へ出力してよい。
　タイミング決定回路７０または７１または７２は、入力された極性反転信号に基づいて、当該極性反転信号の通過中心時点を算出してよい。
　タイミング決定回路７０または７１または７２は、図２８に示すように、算出された通過中心時点に対して、予め定められた一定の時間である遅延時間ＴＤの経過後に、ドロップレット検出信号を生成してよい。
　ドロップレット検出信号は、図２８に示すように、通過タイミング信号の入力が開始されたタイミングの変動にかかわらず、各ドロップレット２７１の通過中心時点に対して、生成されるタイミングを常に一致され得る。
［１１．各制御部のハードウェア環境］
　当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
　図２９は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図２９の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
　図２９におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ～Ｃ、タイミング決定回路７０～７２及びレーザ光進行方向制御部３４等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、光源４１１ａ、光源４１２ｉ、圧力調節機構３０及びステージ２２４等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、光センサ４１２ｂ、光センサ４１２ｂａ等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
　例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ～Ｃ、タイミング決定回路７０～７２及びレーザ光進行方向制御部３４の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ～Ｃ、タイミング決定回路７０～７２及びレーザ光進行方向制御部３４は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
　１　　　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置
　２　　　　　　　　　　　…チャンバ
　３　　　　　　　　　　　…レーザ装置
　５　　　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成制御部
　８、８Ａ～Ｃ　　　　　　…制御部
　２５　　　　　　　　　　…プラズマ生成領域
　２５２　　　　　　　　　…ＥＵＶ光
　２６　　　　　　　　　　…ターゲット供給部
　２７１　　　　　　　　　…ドロップレット
　４１　　　　　　　　　　…ドロップレット検出器
　４１１　　　　　　　　　…光源部
　４１２　　　　　　　　　…受光部
　４１２ｂ，４１２ｂａ　　…光センサ
　７０，７１，７２　　　　…タイミング決定回路
　Ｆ　　　　　　　　　　　…ドロップレット軌道
　

Claims (6)

  1. 　チャンバ内に出力されレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるドロップレットに照明光を照射する光源部と、
    　前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、
    　１つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記チャンバ内の所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、
    　を備えるドロップレット検出器。
  2. 　前記タイミング決定回路は、
    　　前記光量が所定の閾値より低下したタイミングを検出することによって前記第１タイミングを特定すると共に、前記光量が前記閾値より増加したタイミングを検出することによって前記第２タイミングを特定し、
    　　前記第１タイミングと前記第２タイミングとの間の時点から所定時間遅延したタイミングに前記ドロップレット検出信号を出力する
    　請求項１に記載のドロップレット検出器。
  3. 　前記タイミング決定回路は、
    　　前記光量が所定の閾値より低下したタイミングを検出することによって前記第１タイミングを特定すると共に、前記光量が前記閾値より増加したタイミングを検出することによって前記第２タイミングを特定し、
    　　前記第１タイミングと前記第２タイミングとの中心時点を決定し、
    　　前記中心時点から所定時間遅延したタイミングに前記ドロップレット検出信号を出力する
    　請求項１に記載のドロップレット検出器。
  4. 　前記タイミング決定回路は、
    　　前記第１タイミングと前記第２タイミングとのうちの一方のタイミングに基づいて所定値を単位時間毎に積算して第１積算値を算出すると共に、前記一方のタイミング後の他方のタイミングに基づいて前記所定値の２倍の値を単位時間毎に積算して第２積算値を算出し、
    　　前記第１積算値及び前記第２積算値の合計積算値が所定の基準値に到達したタイミングを検出することによって前記中心時点から所定時間遅延したタイミングを特定する
    　請求項３に記載のドロップレット検出器。
  5. 　前記受光部は、フォトダイオードアレイを用いて構成されている
    　請求項４に記載のドロップレット検出器。
  6. 　内部の所定領域で極端紫外光が生成されるチャンバと、
    　ドロップレットを前記所定領域に供給するターゲット供給部と、
    　前記ターゲット供給部から前記所定領域までの間の所定位置で前記ドロップレットに照明光を照射する光源部と、
    　前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、
    　１つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、
    　前記ドロップレット検出信号に基づいて、前記所定領域にレーザ光が出力されるようレーザ装置に信号を出力する制御部と、
    　を備える極端紫外光生成装置。
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