JP2014235805A

JP2014235805A - 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システムにおけるレーザシステムの制御方法

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Publication number: JP2014235805A
Application number: JP2013114964A
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Inventors: 英行林; Hideyuki Hayashi; 鈴木　一洋; Kazuhiro Suzuki; 一洋鈴木; 若林　理; Osamu Wakabayashi; 理若林
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Current assignee: Gigaphoton Inc
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Filing date: 2013-05-31
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Abstract

【課題】ＥＵＶ光生成システムおけるパルスレーザ光の発光間隔を適切に制御する。
【解決手段】本開示の一例は、ターゲットにパルスレーザ光を照射することによってプラズマを生成して極端紫外光を生成する、極端紫外光生成装置であってもよい。レーザ制御部は、ターゲット検出部からのターゲット検出を示す検出信号に従って、レーザシステムに含まれるレーザ装置にパルスレーザ光の発光を指示する発光トリガを生成してレーザシステムに出力してもよい。レーザ制御部は、レーザシステムに連続して出力する発光トリガの時間間隔が所定の範囲内に入るように、生成する発光トリガを調整してもよい。
【選択図】図６

Description

本開示は、極端紫外光を生成するための装置及び極端紫外光生成システムにおけるレーザシステムの制御方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（ＬａｓｅｒＰｒｏｄｕｃｅｄＰｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（ＤｉｓｃｈａｒｇｅＰｒｏｄｕｃｅｄＰｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（ＳｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎＲａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許第７０６８３６７号明細書米国特許第７５８９３３７号明細書米国特許出願公開第２０１２／００８０５８４号明細書

概要

本開示の一例は、ターゲットにパルスレーザ光を照射することによってプラズマを生成して極端紫外光を生成する、極端紫外光生成装置であってもよい。前記極端紫外光生成装置は、レーザシステムからのパルスレーザ光が入射するプラズマ生成領域を収容するチャンバと、前記チャンバ内の前記プラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から出力され、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間の所定位置を通過したターゲット検出するように構成された、ターゲット検出部と、前記レーザシステムを制御するように構成されたレーザ制御部と、を含んでもよい。前記レーザ制御部は、前記ターゲット検出部からのターゲット検出を示す検出信号に従って、前記レーザシステムに含まれるレーザ装置にパルスレーザ光の発光を指示する発光トリガを生成して前記レーザシステムに出力してもよい。前記レーザ制御部は、前記レーザシステムに連続して出力する発光トリガの時間間隔が所定の範囲内に入るように、生成する発光トリガを調整してもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。図２は、ＥＵＶ光生成システムの構成の一部断面図を示す。図３は、ＥＵＶ光生成制御部による、ターゲット供給部及びレーザシステムの制御を説明するブロック図を示す。図４は、レーザ制御部の構成の比較例を模式的に示す。図５Ａは、図４に示す光トリガ信号生成部の信号のタイミングチャート例を示す。図５Ｂは、図４に示す光トリガ信号生成部の信号のタイミングチャート例を示す。図６は、第１の実施形態における、レーザ制御部及びレーザシステムの構成例を模式的に示す。図７は、第１の実施形態における、図６に示す発光トリガ信号生成部の信号のタイミングチャート例を示す。図８は、第１の実施形態における、レーザ制御部及びレーザシステムの他の構成例を模式的に示す。図９は、第１の実施形態における、図８に示す発光トリガ信号生成部における信号のタイミングチャート例を示す図１０は、第２の実施形態における、レーザ制御部及びレーザシステムの構成例を模式的に示す。図１１は、第２の実施形態における、発光トリガ信号生成部における信号のタイミングチャート例を示す。図１２は、第３の実施形態における、レーザ制御部及びレーザシステムの構成例を模式的に示す。図１３は、第３の実施形態における、発光トリガ信号生成部の信号及びレーザシステムにおけるパルスレーザ光のタイミングチャート例を示す。図１４は、第４の実施形態における、レーザ制御部及びレーザシステムの構成例を模式的に示す。

実施形態

＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１構成
３．２動作
４．ＥＵＶ光生成装置におけるターゲット供給部及びレーザシステムの制御
４．１ＥＵＶ光生成システムの構成
４．２動作
４．３課題
５．レーザ装置への発光トリガの制御
５．１第１の実施形態
５．２第２の実施形態
５．３第３の実施形態（光シャッタを含むレーザシステム）
５．４第４の実施形態（プリパルスレーザ装置を含むレーザシステム）

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムにおいては、ターゲット供給部がターゲットを出力し、チャンバ内のプラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時点で、レーザ装置がターゲットにパルスレーザ光を照射することで、ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。

ＥＵＶ光生成システムにおいては、所定の繰り返し周波数で、所定の時間にわたってＥＵＶ光を生成することが求められ得る。所定の繰り返し周波数は、例えば、１００ｋＨｚであってよい。ＥＵＶ光生成システムが所定の繰り返し周波数でＥＵＶ光を生成するために、ターゲット供給部が上記所定の繰り返し周波数でターゲットを出力してもよい。

ＥＵＶ光生成システムは、ターゲット供給部とプラズマ生成領域との間において、ターゲット供給部から出力されたターゲットを検出するセンサを含んでいてもよい。センサは、ターゲットの通過タイミングを計測してもよい。ＥＵＶ光生成システムは、センサによるターゲットの検出タイミングと同期させてレーザシステムからパルスレーザ光を出力し、ターゲットにパルスレーザ光を照射してもよい。

ＥＵＶ光生成システムは、所定の位置を通過するターゲットを検出し、ターゲットの通過タイミングに応じて、レーザシステムに発光トリガを出力することによって、ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時に高精度にパルスレーザ光をターゲットに照射し得る。

しかし、ターゲット供給部から出力されるターゲットの生成は不安定になり得る。このため、ターゲット出力の時間間隔が所定範囲より長くなったり短くなったりし得る。また、ターゲット供給部によるターゲット生成においては、サテライトが生成され得る。サテライトとは、本来のターゲットから分離した小さいドロップレットであり、センサによりターゲットとして検出され得る。また、ターゲットの材料に異物が含まれている場合、異物がノズル内部を通過する際に一時的にターゲットの材料の流量が低下し得る。

このため、パルスレーザ光の出力時間間隔が長くなったり短くなったりし得る。パルスレーザ光の出力時間間隔が所定の範囲より短い場合、パルスレーザ光エネルギが低下し、パルス波形が歪み得る。これにより、ターゲットが適切にプラズマ化されないという問題が起こり得る。さらに、パルスレーザ光の出力時間間隔が所定の範囲より短い場合、レーザ発振が不安定となりレーザシステムが破損し得る。

一方、パルスレーザ光の出力時間間隔が所定の範囲より長い場合、パルスレーザ光エネルギが増加し、パルス波形が歪み得る。これにより、ＥＵＶ光エネルギの変動が大きくなり得る。

本開示の１つの観点によれば、ＥＵＶ光生成装置は、ターゲット検出部からのターゲット検出を示す検出信号に従って、レーザシステムに含まれるレーザ装置にパルスレーザ光の発光を指示する発光トリガを、生成し、出力してもよい。ＥＵＶ光生成装置は、レーザシステムに連続して出力する発光トリガの時間間隔が所定の範囲内に入るように、生成する発光トリガを調整してもよい。

２．用語の説明
本願において使用される用語を以下に説明する。「プラズマ生成領域」は、ＥＵＶ光を生成するためのプラズマの生成が開始される領域を意味し得る。プラズマ生成領域においてプラズマの生成が開始されるためには、プラズマ生成領域にターゲットが供給され、かつ、ターゲットがプラズマ生成領域に到達するタイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光される必要があり得る。「発光トリガ」は、レーザ光を生成、発光（出力）するレーザ装置に、レーザ光の発光を指示する信号であり得る。「発光トリガ信号」は、発光トリガを含み、時間により変化する信号であり得る。

３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。

チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。

ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の少なくとも一つを検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

３．２動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。

放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が供給されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザシステム３の発光タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御および、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内少なくとも一つを行うよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

４．ＥＵＶ光生成システムにおけるターゲット供給部及びレーザシステムの制御
４．１ＥＵＶ光生成システムの構成
図２は、ＥＵＶ光生成システムの構成例の一部断面図を示す。図２に示されるように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及び８３とが設けられてもよい。

チャンバ２には、プレート８２が固定されてもよい。プレート８２には、プレート８３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２と、ホルダ２２３及び２２４とを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれ、ホルダ２２３及び２２４によって保持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。

軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光されるように、これらのミラーの位置及び姿勢が保持されてもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置されてもよい。

チャンバ２には、ターゲット供給部２６が取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６は、リザーバ６１を有していてもよい。リザーバ６１は、図３に示すヒータ２６１を用いてターゲットの材料を溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。リザーバ６１には、ノズル孔６２としての開孔が形成されていてもよい。

リザーバ６１の一部が、チャンバ２の壁面に形成された貫通孔２ａを貫通しており、リザーバ６１に形成されたノズル孔６２の位置がチャンバ２の内部に位置していてもよい。ターゲット供給部２６は、ノズル孔６２を介して、溶融したターゲットの材料をドロップレット状のターゲット２７としてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給してもよい。貫通孔２ａの周囲のチャンバ２の壁面には、リザーバ６１のフランジ部６１ａが密着して固定されてもよい。

チャンバ２には、ターゲットセンサ４と発光部４５とが取り付けられてもよい。ターゲットセンサ４は、光センサ４１と、集光光学系４２と、容器４３とを含んでもよい。容器４３はチャンバ２の外部に固定され、この容器４３内に、光センサ４１及び結像光学系４２が固定されてもよい。発光部４５は、光源４６と、集光光学系４７と、容器４８とを含んでもよい。

容器４８はチャンバ２の外部に固定され、この容器４８内に、光源４６及び集光光学系４７が固定されてもよい。光源４６の出力光は、集光光学系４７によって集光され得る。その集光位置はターゲット２７のほぼ軌道上であってもよい。

ターゲットセンサ４と発光部４５とは、ターゲット２７の軌道を挟んで互いに反対側に配置されていてもよい。チャンバ２にはウインドウ２１ａ及び２１ｂが取り付けられていてもよい。ウインドウ２１ａは、発光部４５とターゲット２７の軌道との間に位置していてもよい。

発光部４５は、ウインドウ２１ａを介してターゲット２７の軌道の所定位置に光を集光してもよい。ウインドウ２１ｂは、ターゲット２７の軌道とターゲットセンサ４との間に位置していてもよい。ターゲット２７が発光部４５による光の集光位置を通過するときに、ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の軌道及びその周囲を通る光の変化を検出し、ターゲット２７の検出信号として通過タイミング信号を出力してもよい。１つのターゲット２７が検出される毎に、通過タイミング信号として１つの検出パルスが出力されてもよい。結像光学系４２は、ターゲット２７の検出精度を向上させるために、ターゲット２７の軌道及びその周囲における像をターゲットセンサ４の受光面に結像してもよい。

ターゲットセンサ４によって検出されるターゲット２７の中心位置を、以下の説明においてターゲット検出位置４０とする。図２に示された例において、ターゲット検出位置４０は、発光部４５による光の集光位置とほぼ一致し得る。

チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５とが設けられてもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び３４２と、ホルダ３４３及び３４４とを含んでもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、それぞれ、ホルダ３４３及び３４４によって保持されてもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、レーザシステム３が出力するパルスレーザ光を、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに導いてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６からのＥＵＶ光生成信号を受信してもよい。ＥＵＶ光生成信号は、所定時間においてＥＵＶ光を生成すべきことをＥＵＶ光生成システム１１に指示する信号であってもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、当該所定時間の間、ＥＵＶ光を露光装置６に出力するための制御動作を行ってもよい。

４．２動作
図３は、ＥＵＶ光生成制御部５による、ターゲット供給部２６及びレーザシステム３の制御を説明するブロック図を示す。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給制御部５１とレーザ制御部５５とを含んでもよい。ターゲット供給制御部５１は、ターゲット供給部２６の動作を制御してもよい。レーザ制御部５５は、レーザシステム３の動作を制御してもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲットの材料を溶融した状態で内部に貯蔵するリザーバ６１に加え、ヒータ２６１、温度センサ２６２、圧力調節器２６３、ピエゾ素子２６４、及び、ノズル２６５を含んでいてもよい。

ヒータ２６１と温度センサ２６２とは、リザーバ６１に固定されていてもよい。ピエゾ素子２６４は、ノズル２６５に固定されていてもよい。ノズル２６５は、例えば液体Ｓｎであるターゲット２７を出力する、図２に示したノズル孔６２を有していてもよい。圧力調節器２６３は不活性ガス供給部とリザーバ６１の間の配管上に設置されていてもよい。

ターゲット供給制御部５１は、温度センサ２６２の検出値に基づいてヒータ２６１を制御してもよい。例えば、ターゲット供給制御部５１は、リザーバ６１内のＳｎが融点以上の所定の温度になるように、ヒータ２６１を制御してもよい。その結果、リザーバ６１に貯蔵されたＳｎは融解し得る。所定の温度は、例えば、２３２℃〜３００℃の温度であってよい。

ターゲット供給制御部５１は、圧力調節器２６３によりリザーバ６１内の圧力を制御してもよい。圧力調節器２６３は、ターゲット供給制御部５１の制御により、ターゲット２７が所定の速度でプラズマ生成領域２５に到達するように、リザーバ６１内の圧力を調節してもよい。

ターゲット供給制御部５１は、ピエゾ素子２６４に所定周波数の電気信号を送ってもよい。ピエゾ素子２６４は、受信した電気信号により振動し、ノズル２６５を上記周波数で振動させ得る。

その結果、ノズル孔６２からＪＥＴ状の液体Ｓｎが出力され、ピエゾ素子２６４によるノズル孔６２の振動によって、ドロップレット状のターゲット２７が生成され得る。このようなドロップレットの生成方法は、コンティニュアスジェット法と呼ばれる場合がある。このように、ターゲット供給部２６は、所定速度及び所定間隔ｄで、プラズマ生成領域２５にドロップレット状のターゲット２７を供給し得る。このとき、所定速度及び所定間隔ｄを用いて、所定時間間隔Ｔが算出しうる。

４．３課題
ターゲット供給制御部５１がドロップレット状のターゲット２７を生成するとき、サテライト２７１が生成され得る。サテライト２７１は、本来のターゲット２７から分離した、ターゲット２７よりも小さいドロップレットであり得る。サテライト２７１は、プラズマ生成領域２５に向かう本来のターゲット２７の直前又は直後に位置し得る。サテライト２７１は、望ましくないターゲットであり得る。

ターゲットセンサ４は、発光部４５が出力する光により、本来のターゲット２７の他に、サテライト２７１もターゲットとして検出し得る。ターゲットセンサ４は、本来のターゲット２７に加え、サテライト２７１の検出により、ターゲットの検出を示す検出信号を出力し得る。ターゲットの検出を示す検出信号は、下記における通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルスであってよい。

ターゲットセンサ４は、ターゲットの検出を示す検出信号を、レーザ制御部５５に出力してもよい。上述のように、サテライト２７１は、検出信号の時間間隔を短くし得る。また、ターゲットの材料に異物が含まれている場合、異物がノズル２６５内部を通過する際に、一時的にターゲットの材料の流量が低下して、ターゲット２７の出力時間間隔が長くなり得る。このように、ターゲット供給制御部５１からのターゲット２７の出力時間間隔は変動し、それに伴い検出信号の時間間隔も変動し得る。

図４は、レーザ制御部５５の構成の比較例を模式的に示している。レーザ制御部５５は、発光トリガ制御部５５１及び発光トリガ信号生成部５５２を含んでもよい。発光トリガ信号生成部５５２は、レーザシステム３に入力される発光トリガ信号ＳＤを生成し、レーザシステム３に出力してもよい。

発光トリガ信号生成部５５２は、遅延回路５６４を含んでもよい。遅延回路５６４の入力は発光トリガ制御部５５１に接続し、出力はレーザシステム３に接続していてもよい。発光トリガ制御部５５１は、遅延時間設定信号ＳＤＴにより、遅延回路５６４の遅延時間ｔｄを設定してもよい。発光トリガ制御部５５１は、ターゲットセンサ４からの通過タイミング信号ＳＡを受信して、発光トリガ信号生成部５５２に出力してもよい。

遅延回路５６４は、通過タイミング信号ＳＡを受信し、通過タイミング信号ＳＡを遅延時間ｔｄだけ遅延させた発光トリガ信号ＳＤを生成し、レーザシステム３に出力してもよい。発光トリガ信号ＳＤは、レーザシステム３に含まれるレーザ装置にパルスレーザ光の発光を指示する発光トリガを含んでいてもよい。発光トリガは、パルス信号である発光トリガパルスであってもよい。

図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、発光トリガ信号生成部５５２における信号のタイミングチャート例を示す。具体的には、図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、通過タイミング信号ＳＡ及び遅延回路５６４からの発光トリガ信号ＳＤのタイミングチャート例を示す。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、発光トリガ信号ＳＤにおける各パルスは、通過タイミング信号ＳＡにおける対応パルスに対して遅延時間ｔｄだけ遅延し得る。

ターゲット２７が正常に供給されている場合、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルスの時間間隔Ｔは、所定の範囲内となり得る。つまり、Ｔｍｉｎ≦Ｔ≦Ｔｍａｘが成立し得る。発光トリガ信号ＳＤにおける発光トリガパルスも、同じ周期で生成され得る。以下、検出パルスの時間間隔Ｔにおける所定の範囲を、許容範囲と呼称する。

しかし、上述のように、サテライト生成や異物の混入等、ドロップレットの生成異常により、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルスの時間間隔Ｔが、Ｔｍｉｎより短く又はＴｍａｘより長くなり得る。

例えば、図５Ａにおいて、通過タイミング信号におけるパルス５０１とパルス５０２との間の時間間隔Ｔは、Ｔｍｉｎ未満であり得る。同様に、パルス５０５とパルス５０６との間の時間間隔Ｔは、Ｔｍｉｎ未満であり得る。通過タイミング信号ＳＡにおけるパルスの時間間隔に応じて、発光トリガ信号ＳＤにおいて、パルス５３１とパルス５１５との間の時間間隔Ｔは、Ｔｍｉｎ未満であり得る。さらに、パルス５１８とパルス５１９との間の時間間隔Ｔは、Ｔｍｉｎ未満であり得る。

図５Ｂにおいて、検出パルス９０１と検出パルス９０２との間の時間間隔Ｔは、Ｔｍａｘより長くあり得る。通過タイミング信号ＳＡにおけるパルスの時間間隔に応じて、発光トリガパルス９１５と発光トリガパルス９１７との間の時間間隔Ｔは、Ｔｍａｘより長くあり得る。

上述のように、レーザシステム３への発光トリガの時間間隔が許容範囲（Ｔｍｉｎ≦Ｔ≦Ｔｍａｘ）を外れている場合、レーザシステム３からプラズマ生成領域２５に出力されるパルスレーザ光のエネルギ及び波形が変形し、ＥＵＶ光のエネルギが大きく変化し得る。以下に説明するように、本開示における発光トリガ信号生成部５５２は、発光トリガの出力間隔が許容範囲に入るように、発光トリガ信号ＳＤを生成し得る。

５．レーザ装置への発光トリガの制御
５．１第１の実施形態
（構成）
図６は、第１の実施形態における、レーザ制御部５５及びレーザシステム３の構成例を模式的に示している。本実施形態のレーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＳＡにおける連続する第１及び第２の検出パルスの時間間隔が所定時間よりも短い場合に、第２の検出パルスに対応する発光トリガパルスの出力を省いてもよい。これにより、レーザ装置３におけるマスタオシレータ３５１の発光間隔が短いことによるパルスレーザ光の変動を抑制し得る。

レーザ制御部５５は、発光トリガ制御部５５１及び発光トリガ信号生成部５５２を含んでもよい。発光トリガ信号生成部５５２は、ワンショット回路５６１、インバータ５６２、ＡＮＤ回路５６３、遅延回路５６４を含んでもよい。発光トリガ信号生成部５５２は、発光トリガ信号ＳＤを生成し、レーザシステム３に出力してもよい。

発光トリガ制御部５５１は、発光トリガ信号ＳＤの生成を制御してもよい。発光トリガ制御部５５１は、パルス幅設定信号ＳＰＷを介して、ワンショット回路５６１のパルス幅Ｔｓｈを設定してもよい。発光トリガ制御部５５１は、遅延時間設定信号ＳＤＴにより、遅延回路５６４の遅延時間ｔｄを設定してもよい。発光トリガ制御部５５１は、ターゲットセンサ４からの通過タイミング信号ＳＡを受信してもよい。あるいは、発光トリガ信号生成部５５２は、発光トリガ制御部５５１を介することなく、通過タイミング信号ＳＡを受信してもよい。

ワンショット回路５６１の入力は、発光トリガ制御部５５１の出力に接続してもよい。ワンショット回路５６１は、発光トリガ制御部５５１から通過タイミング信号ＳＡを受信してもよい。ワンショット回路５６１は、入力信号の立下りエッジに応答して、パルス幅Ｔｓｈのパルス信号を出力してもよい。インバータ５６２の入力は、ワンショット回路５６１の出力に接続してもよい。

ＡＮＤ回路５６３の一つの入力は、インバータ５６２の出力に接続してもよい。ＡＮＤ回路５６３の他の一つの入力は、発光トリガ制御部５５１の出力に接続してもよい。ＡＮＤ回路５６３は、発光トリガ制御部５５１から通過タイミング信号ＳＡを受信してもよい。遅延回路５６４の入力は、ＡＮＤ回路５６３の出力に接続してもよい。遅延回路５６４は、レーザシステム３に、発光トリガ信号ＳＤを出力してもよい。発光トリガ信号生成部５５２における信号ＳＡ〜ＳＤの詳細は後述する。

レーザシステム３は、マスタオシレータ３５１、並びに、第１の増幅器３５２、第２の増幅器３５３及び第３の増幅器３５４を含んでもよい。マスタオシレータ３５１は、パルスレーザ光を生成し、出力するレーザ装置であり得る。マスタオシレータ３５１、第１の増幅器３５２、第２の増幅器３５３及び第３の増幅器３５４は、直列に接続されてもよいマスタオシレータ３５１は、Ｑスイッチを含むＣＯ₂レーザであってもよい。増幅器３５２〜３５４は、ＣＯ₂レーザガスを含む増幅器であってもよい。増幅器の数は設計に依存し得る。増幅器３５２〜３５４は省略されていてもよい。

（動作）
図６を参照すると、発光トリガ制御部５５１は、ターゲットセンサ４から通過タイミング信号ＳＡを受信し、ワンショット回路５６１及びＡＮＤ回路５６３に出力してもよい。たとえば、ワンショット回路５６１は、通過タイミング信号ＳＡの立下りエッジにおいて、パルス幅Ｔｓｈのパルスを出力してもよい。つまり、ワンショット回路５６１は、通過タイミング信号ＳＡがＨｉｇｈレベルであるＯＮからＬｏｗレベルであるＯＦＦに変化するタイミングを検出し、その検出タイミングを示すパルスを生成してもよい。

インバータ５６２は、ワンショット回路５６１からの出力信号を受信し、受信した信号を反転した出力信号ＳＢを生成してもよい。インバータ５６２からの出力信号ＳＢは、ＡＮＤ回路５６３に入力されてもよい。

ＡＮＤ回路５６３は、発光トリガ制御部５５１からの通過タイミング信号ＳＡとインバータ５６２からの出力信号ＳＢとを受信してもよい。ＡＮＤ回路５６３は、受信した通過タイミング信号ＳＡ及びインバータ出力信号ＳＢのＡＮＤ信号ＳＣを生成してもよい。ＡＮＤ回路５６３から出力されるＡＮＤ信号ＳＣは、二つの入力信号ＳＡ、ＳＢが共にＯＮのときＯＮであり、少なくとも一方がＯＦＦのときにＯＦＦであり得る。

ＡＮＤ回路５６３は、ＡＮＤ信号ＳＣを、遅延回路５６４に出力してもよい。遅延回路５６４は、ＡＮＤ信号ＳＣに応じて発光トリガ信号ＳＤを生成し、マスタオシレータ３５１に出力してもよい。遅延回路５６４は、受信したＡＮＤ信号ＳＣを遅延時間ｔｄだけ遅延させて生成される発光トリガ信号ＳＤ、を出力してもよい。

発光トリガ信号ＳＤは、ＡＮＤ信号ＳＣに規定の遅延時間ｔｄが与えられた信号であってもよい。遅延時間ｔｄは、ターゲットセンサ４によって検出されたターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングで、パルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるような遅延時間であり得る。

遅延時間ｔｄは、例えば、以下の式によって与えられ得る。
ｔｄ＝Ｌ／ｖ−α
Ｌは、ターゲット検出位置４０からプラズマ生成領域２５の中心位置までの距離でもよい。ｖは、ターゲット２７の速度でもよい。αは、レーザシステム３にパルスレーザ光の発光を指示する発光トリガが出力されてから、パルスレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光されるまでの所要時間でもよい。

レーザシステム３のマスタオシレータ３５１は、レーザ制御部５５の遅延回路５６４から発光トリガ信号ＳＤを受信してもよい。マスタオシレータ３５１は、発光トリガ信号ＳＤに従って、パルスレーザ光を出力してもよい。マスタオシレータ３５１は、例えば、発光トリガ信号ＳＤにおけるパルスの立下りエッジに応答してパルスレーザ光を出力してもよい。発光トリガ信号におけるパルスは、マスタオシレータ３５１にパルスレーザ光の発光（出力）を指示する発光トリガであり得る。

マスタオシレータ３５１から出力されたパルスレーザ光は、第１の増幅器３５２によって増幅されてもよい。第１の増幅器３５２によって増幅されて出力されたパルスレーザ光は、第２の増幅器３５３によってさらに増幅され、第２の増幅器３５３によって増幅されて出力されたパルスレーザ光が、第３の増幅器３５４によってさらに増幅されてもよい。

図７は、発光トリガ信号生成部５５２における信号のタイミングチャート例を示す。本タイミングチャート例は、発光トリガ信号生成部５５２における信号間の関係を示す。具体的には、図７は、通過タイミング信号ＳＡ、インバータ５６２の出力信号ＳＢ、ＡＮＤ回路５６３の出力信号ＳＣ、遅延回路５６４からの発光トリガ信号ＳＤのタイミングチャートを示す。

通過タイミング信号ＳＡにおいて、検出パルス５０１〜５０６は、ターゲットの検出を示す検出信号であり得る。検出パルス５０１、５０３〜５０５は、所望のターゲット２７の検出により生成されたパルスであり得る。一方、検出パルス５０２、５０６は、所望のターゲット２７とは異なるターゲットの検出により生成されたパルスであり得る。例えば、検出パルス５０２は、出力が早すぎるドロップレットの検出により生成されたパルスであり、検出パルス５０６はサテライトの検出により生成されたパルスであり得る。

上述のように、ターゲット２７が正常に供給されている場合、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルスの時間間隔Ｔは、許容範囲内となり得る。つまり、Ｔｍｉｎ≦Ｔ≦Ｔｍａｘが成立し得る。発光トリガ信号ＳＤにおける発光トリガのパルスも、同じ周期で生成され得る。

Ｔｍｉｎは発光トリガの時間間隔の最小許容値であり得る。Ｔｍａｘは発光トリガの時間間隔の最大許容値であり得る。

一方、上述のように、ドロップレットの生成異常により、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルスの時間間隔Ｔが、Ｔｍｉｎより短い又はＴｍａｘより長くなり得る。図７において、検出パルス５０１と検出パルス５０２との間の時間間隔Ｔは、Ｔｍｉｎ未満であり得る。同様に、検出パルス５０５と検出パルス５０６との間の時間間隔Ｔは、Ｔｍｉｎ未満であり得る。後述するように、発光トリガ信号生成部５５２は、発光トリガの出力間隔がＴｍｉｎ未満となることがないように、発光トリガ信号ＳＤを生成し得る。

通過タイミング信号ＳＡの検出パルス５０１は、Ｔｗのパルス幅を有し得る。Ｔｗは、正常に生成された各ターゲット２７の検出により生成されるパルスのパルス幅である。検出パルス５０１の立下りエッジにおいて、ワンショット回路５６１の出力信号は、ＯＦＦからＯＮに変化してもよい。インバータ出力信号ＳＢは、ワンショット回路５６１の出力信号の反転信号であってもよい。検出パルス５０１の立下りエッジにおいて、インバータ出力信号ＳＢは、ＯＮからＯＦＦに変化してもよい。

通過タイミング信号ＳＡの検出パルス５０２の立下りエッジは、インバータ出力信号ＳＢがＯＦＦである間に存在し得る。ワンショット回路５６１は、入力信号の立下りエッジを検出すると、パルス幅Ｔｓｈのカウント値をリセットしてもよい。つまり、ワンショット回路５６１からの出力信号のパルス幅Ｔｓｈは、直前の入力信号ＳＡの立下りエッジからの時間であり得る。

Ｔｓｈ、Ｔｍｉｎ、Ｔｗの間において、例えば、次の関係、Ｔｓｈ＝Ｔｍｉｎ−Ｔｗが成立してもよい。パルス幅Ｔｓｈは、設計者により予め設定される値であってもよい。設計者は、システム構成に応じてＴｍｉｎ及びＴｗを決定し、それらの値からＴｓｈを決定してもよい。

検出パルス５０２の立下りエッジからＴｓｈの時間が経過したときに、ワンショット回路５６１の出力信号は、ＯＮからＯＦＦに変化してもよい。つまり、検出パルス５０２の立下りエッジからＴｓｈの時間が経過した時に、インバータ出力信号ＳＢはＯＦＦからＯＮに変化してもよい。検出パルス５０２の立下りエッジからインバータ出力信号ＳＢのパルス５０７の立上りエッジまでの時間は、Ｔｓｈであってもよい。

ＡＮＤ回路出力信号ＳＣは、インバータ出力信号ＳＢと通過タイミング信号ＳＡの双方がＯＮであるとき、ＯＮであり得る。したがって、検出パルス５０２に対応するパルス５１０は、生成され得なくてもよい。同様に、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣのパルス５１０に対応する発光トリガ信号の発光トリガパルス５１５も、生成され得なくてもよい。

通過タイミング信号ＳＡの検出パルス５０３は、インバータ出力信号ＳＢがＯＮである間に、出力され得る。したがって、検出パルス５０３から、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣのパルス５１１が生成され得る。

発光トリガ信号ＳＤの発光トリガパルス５１６は、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣのパルス５１１から生成され得る。発光トリガパルス５１６は、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣのパルス５１１に対して、遅延回路５６４により遅延時間ｔｄだけ遅延し得る。

インバータ出力信号ＳＢは、パルス５０７の立下りエッジからＴｓｈ経過した時に、ＯＦＦからＯＮに変化してもよい。パルス５０７の立下りエッジからインバータ出力信号ＳＢのパルス５０８の立上りエッジまでの時間は、Ｔｓｈであってもよい。インバータ出力信号ＳＢは、通過タイミング信号ＳＡのパルス５０４の立下りエッジにおいて、ＯＮからＯＦＦに変化してパルス５０８の立下りエッジを形成してもよい。

通過タイミング信号ＳＡのパルス５０４は、インバータ出力信号ＳＢがＯＮである時間に、出力され得る。したがって、パルス５０４から、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣのパルス５１２が生成され得る。

発光トリガ信号ＳＤの発光トリガパルス５１７は、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣのパルス５１２から生成され得る。発光トリガパルス５１７は、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣのパルス５１２に対して、遅延回路５６４により遅延時間ｔｄだけ遅延し得る。

パルス５０５、５０９、５１３及び５１８の間の関係は、パルス５０４、５０８、５１２及び５１７の間の関係と同様であり得る。パルス５０６、存在しないパルス５１４及び存在しない５１９の間の関係は、パルス５０２、存在しない５１０及び存在しない５１５の間の関係と同様であり得る。

（作用）
上記構成によれば、ターゲット（ドロップレット）の検出パルスの時間間隔Ｔが許容最小値Ｔｍｉｎよりも短い場合に、発光トリガパルスを出力することを抑制し得る。その結果、レーザシステム３から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギの減少とパルス幅の変化を抑制し得る。これにより、ＥＵＶ光のパルスエネルギの変動とレーザシステム３の破損を抑制し得る。

（他の構成例）
図８及び図９は、第１の実施形態における他の構成例を示す。以下においては、図６及び図７を参照して説明した構成例との相違点について主に説明する。図８は、レーザ制御部５５及びレーザシステム３の他の構成例を模式的に示している。図９は、図８の構成例の発光トリガ信号生成部５５２における信号のタイミングチャート例を示す。

（構成）
図８を参照して、発光トリガ信号生成部５５２は、図６に示す構成例におけるワンショット回路５６１及びインバータ５６２に代えて、ＡＮＤ回路５６６、タイマ５６７、ＲＳフリップフロップ５６８及び立下りエッジ検出回路５６９を含んでいてもよい。発光トリガ制御部５５１は、タイマ設定信号ＳＴにより、タイマ５６７の設定時間を設定してもよい。設定される時間は、Ｔｍｉｎであってもよい。

立下りエッジ検出回路５６９の入力は、発光トリガ制御部５５１の出力に接続してもよい。立下りエッジ検出回路５６９は、発光トリガ制御部５５１から通過タイミング信号ＳＡを受信してもよい。立下りエッジ検出回路５６９は、入力信号の立下りエッジに応答して比較的短いパルス幅のパルスを出力してもよい。

ＡＮＤ回路５６６の一つの入力は、立下りエッジ検出回路５６９の出力に接続していてもよい。ＡＮＤ回路５６６の他の一つの入力は、ＲＳフリップフロップ５６８の反転出力である反転Ｑ端子に接続していてもよい。タイマ５６７の入力は、ＡＮＤ回路５６６の出力に接続していてもよい。

タイマ５６７は、入力信号の立上りエッジを計測開始トリガとして検出すると、時間の計測を開始してもよい。タイマ５６７は、入力信号の立上りエッジから設定時間が経過したとき、パルスを出力してもよい。設定時間は、Ｔｍｉｎであってもよい。タイマ５６７は、時間を計測している間に入力信号の立上りエッジを検出すると、時間の計測値をリセットし、時間の計測を最初からやり直してもよい。

ＲＳフリップフロップ５６８のセット入力であるＳ端子は、立下りエッジ検出回路５６９の出力に接続していてもよい。ＲＳフリップフロップ５６８のリセット入力であるＲ端子は、タイマ５６７の出力に接続していてもよい。ＲＳフリップフロップ５６８の反転出力は、ＡＮＤ回路５６３の一つの入力に接続していてもよい。ＲＳフリップフロップ５６８の反転出力信号ＳＦは、ＡＮＤ回路５６３及びＡＮＤ回路５６６に入力されてもよい。

（動作）
ターゲットが検出されると、発光トリガ制御部５５１は、通過タイミング信号ＳＡを受信し、検出パルスを出力してもよい。ＲＳフリップフロップ５６８は、検出パルスに対応するＯＮ信号をＡＮＤ回路５６３に出力してもよい。ＡＮＤ回路５６３は、ＲＳフリップフロップ５６８からのＯＮ信号及び通過タイミング信号ＳＡにおけるパルスから、パルスを生成して遅延回路５６４に出力してもよい。

タイマ５６７は、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルスに応答して、時間計測を開始してもよい。タイマ５６７が時間計測している間、ＲＳフリップフロップ５６８は、セット入力への入力信号のＯＮ／ＯＦＦによらず、反転出力においてＯＦＦ信号を維持してもよい。したがって、タイマ５６７が時間を計測している間、ターゲットが検出されて通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルスが入力されても、ＡＮＤ回路５６３及び遅延回路５６４は発光トリガパルスを生成しなくてもよい。

タイマ５６７は、計測時間が設定時間になると、パルスを出力してもよい。ＲＳフリップフロップ５６８は、リセット入力信号のＯＦＦからＯＮへの変化に応じて、ＡＮＤ回路５６３に入力される反転出力信号を、ＯＦＦからＯＮに変化させてもよい。その後、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルスが入力されると、ＡＮＤ回路５６３及び遅延回路５６４は発光トリガパルスを生成し、出力してもよい。また、タイマ５６７は、時間計測を開始してもよい。

図８のブロック図及び図９のタイミングチャートを参照して、本例の発光トリガ信号生成部５５２の動作の一例を説明する。図８に示すように、発光トリガ制御部５５１は、通過タイミング信号ＳＡを受信して検出パルス５０１を、立下りエッジ検出回路５６９及びＡＮＤ回路５６３に出力してもよい。検出パルス５０１の立下りエッジにおいて、変化前のＲＳフリップフロップ５６８の反転出力信号ＳＦは、ＯＮであってもよい。

ＡＮＤ回路５６６は、ＲＳフリップフロップ５６８の反転出力信号ＳＦと、立下りエッジ検出回路５６９の出力信号とを受信してもよい。検出パルス５０１の立下りエッジにおいて、変化前のＲＳフリップフロップ５６８の反転出力信号ＳＦはＯＮであってもよい。

立下りエッジ検出回路５６９は、検出パルス５０１の立下りエッジを検出し、パルス７０１を出力してもよい。つまり、立下りエッジ検出回路５６９の出力信号は、ＯＦＦからＯＮに変化し得る。したがって、ＡＮＤ回路５６６は、出力信号をＯＦＦからＯＮに変化させ得る。

タイマ５６７は、ＡＮＤ回路５６６からの出力信号の立上りエッジを検出すると、時間計測を開始してもよい。時間計測の間、タイマ５６７の出力信号はＯＦＦであってもよい。つまり、パルス５０１の立下りエッジにおいて、ＲＳフリップフロップ５６８のリセット入力信号は、ＯＦＦであってもよい。

ＲＳフリップフロップ５６８のセット入力信号は、立下りエッジ検出回路５６９の出力信号ＳＧであってもよい。したがって、検出パルス５０１の立下りエッジにおいて、ＲＳフリップフロップ５６８のセット入力信号ＳＧは、ＯＦＦからＯＮに変化し得る。この結果、ＲＳフリップフロップ５６８の反転出力信号ＳＦは、ＯＮからＯＦＦに変化し得る。

パルス５０１からＴｍｉｎの時間が経過する前に、検出パルス５０２が入力されてもよい。立下りエッジ検出回路５６９は、検出パルス５０２の立下りエッジを検出して、パルス７０２を出力してもよい。ＲＳフリップフロップ５６８のセット入力信号は、ＯＦＦからＯＮに変化し得る。

ＲＳフリップフロップ５６８のリセット入力信号はＯＦＦであり、ＲＳフリップフロップ５６８は、反転出力信号ＳＦをＯＦＦに維持し得る。このため、検出パルス５０２に対応するＡＮＤ回路出力信号ＳＣにおけるパルス５１０及び発光トリガ信号ＳＤにおける発光トリガパルス５１５は、生成されなくてもよい。

タイマ５６７は、検出パルス５０１の立下りエッジからＴｍｉｎ経過したとき、パルスを出力してもよい。ＲＳフリップフロップ５６８のリセット入力信号は、ＯＦＦからＯＮに変化し得る。このとき、ＲＳフリップフロップ５６８のセット入力信号は、ＯＦＦであり得る。ＲＳフリップフロップ５６８の反転出力信号ＳＦは、立上りエッジ７０７として示すように、ＯＦＦからＯＮに変化し得る。その後、ＲＳフリップフロップ５６８のセット入力信号は、通過タイミング信号ＳＡの検出パルスが入力されるとＯＮからＯＦＦに変化し得る。

ＲＳフリップフロップ５６８の反転出力信号ＳＦがＯＦＦからＯＮに変化した後、通過タイミング信号ＳＡのパルス５０３が入力されてもよい。ＲＳフリップフロップ５６８の反転出力信号ＳＦがＯＮであるので、ＡＮＤ回路５６３は、パルス５０３からパルス５１１を生成し、出力し得る。

遅延回路５６４は、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣにおけるパルス５１１から、パルス５１１よりも遅延時間ｔｄだけ遅延した発光トリガパルス５１６を生成し、レーザシステム３に出力してもよい。

図９において、パルス５０４、７０４、５１２、５１７の関係及びこれらパルスの生成に関する発光トリガ信号生成部５５２の動作は、パルス５０３、７０３、５１１、５１６と同様であり得る。パルス５０５、７０５、５１３、５１８の関係及びこれらパルスの生成に関する発光トリガ信号生成部５５２の動作は、パルス５０３、７０３、５１１、５１６と同様であり得る。

パルス５０６、７０６、存在しないパルス５１４、存在しないパルス５１９の関係及びこれらパルスの生成に関する発光トリガ信号生成部５５２の動作は、パルス５０２、７０２、存在しないパルス５１０、存在しないパルス５１５と同様であり得る。

（作用）
上記構成によれば、ターゲットの検出パルスの時間間隔Ｔが許容最小値Ｔｍｉｎよりも短い場合に、発光トリガパルスを出力することを抑制し得る。その結果、レーザシステム３から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギの減少とパルス幅の変化を抑制し得る。これにより、ＥＵＶ光のパルスエネルギの変動とレーザシステム３の破損を抑制し得る。

上記構成は、検出パルスに対応する発光トリガパルスを生成した後、当該検出パルスからタイマに設定されたＴｍｉｎが経過した直後の検出パルスに応答して、次の発光トリガパルスを生成し得る。このため、発光トリガパルスの時間間隔が長くなり過ぎることを抑制し得る。

５．２第２の実施形態
図１０及び図１１を参照して、第２の実施形態を説明する。以下においては、主に、第１の実施形態の相違点を説明する。第２の実施形態のレーザ制御部５５は、サテライトを含むターゲットの検出に応じた発光トリガパルスに加え、ダミーの発光トリガパルスを生成してレーザシステム３へ出力してもよい。これにより、レーザシステム３から出力されるパルスレーザ光の安定性を改善し得る。

（構成）
図１０は、第２の実施形態におけるレーザ制御部５５及びレーザシステム３の構成例を模式的に示している。発光トリガ制御部５５１は、図６に示す構成に加え、ＯＲ回路５７５、５７７及びタイマ５７６を含んでいてもよい。

タイマ５７６は、計測開始トリガの検出から、設定されている時間が経過したときに、パルスを出力してもよい。発光トリガ制御部５５１は、タイマ設定信号ＳＴ２によって、タイマ５７６の設定時間を設定してもよい。設定時間は、例えば、レーザシステム３に出力する発光トリガパルスの最大許容時間間隔Ｔｍａｘでもよい。

タイマ５７６は、例えば、計測開始トリガとしての入力信号の立上りエッジに応答して、時間計測を開始してもよい。時間計測中に計測開始トリガを検出すると、タイマ５７６は、計測時間をリセットし、最初から時間計測をやり直してもよい。

ＯＲ回路５７５の一方の入力は発光トリガ制御部５５１の出力に接続し、もう一方の入力はタイマ５７６の出力に接続していてもよい。発光トリガ制御部５５１からＯＲ回路５７５には、通過タイミング信号ＳＡが入力されてもよい。タイマ５７６の入力はＯＲ回路５７５の出力に接続されていてもよい。

ＯＲ回路５７７の一方の入力は発光トリガ制御部５５１の出力に接続し、もう一方の入力はタイマ５７６の出力に接続していてもよい。発光トリガ制御部５５１からＯＲ回路５７７には、通過タイミング信号ＳＡが入力されてもよい。ＯＲ回路５７７の出力は、ワンショット回路５６１の入力及びＡＮＤ回路５６３の入力に接続していてもよい。

図１０に示すように、ＯＲ回路５７５、５７７及びタイマ５７６からなる前段回路と、ワンショット回路５６１、インバータ５６２及びＡＮＤ回路５６３からなる後段回路とは、直列に接続されていてもよい。

（動作）
ＯＲ回路５７５、５７７及びタイマ５７６からなる前段回路の動作を説明する。後段回路の動作は、第１の実施形態において図６及び図７を参照して説明した通りである。ＯＲ回路５７５、５７７及びタイマ５７６からなる前段回路は、通過タイミング信号ＳＡにおける前回の検出パルスからタイマ５７６に設定されている設定時間が経過すると、ダミー検出パルスを生成し、後段回路に出力してもよい。ここで、ダミー検出パルスとは、サテライトを含むターゲットの検出に対応ぜずに生成されるパルスを意味する。

図１１は、発光トリガ信号生成部５５２における信号のタイミングチャート例を示している。具体的には、図１１は、通過タイミング信号ＳＡ、ＯＲ回路５７７の出力信号ＳＨ、ＡＮＤ回路５６３の出力信号ＳＣ、そして、発光トリガ信号ＳＤのタイミングチャート例を示している。

通過タイミング信号の検出パルス９０１が入力されると、ＯＲ回路５７７は、出力信号ＳＨにおいてパルス９０５を出力してもよい。後段回路において、ＡＮＤ回路５６３は、出力信号ＳＣにおいて、パルス９０５に対応するパルス９１０を出力してもよい。遅延回路５６４は、パルス９１０を遅延させた発光トリガパルス９１５を出力してもよい。

タイマ５７６は、ＯＲ回路５７５を介して、検出パルス９０１を受信してもよい。タイマ５７６は、検出パルス９０１の立上りエッジから、設定時間Ｔｍａｘの計測を開始してもよい。タイマ５７６は、時間計測中に新たなパルスを受信すると、計測時間をリセットして、時間の計測を始めからやり直してもよい。

タイマ５７６が時間Ｔｍａｘの計測を終了するまで、通過タイミング信号ＳＡにおける新たな検出パルスが入力されない場合、タイマ５７６は、計測終了時に、パルスを出力してもよい。タイマ５７６からのパルスは、ダミー検出パルスであり得る。

ＯＲ回路５７７は、タイマ５７６からのダミー検出パルスに対応するパルス９０６を、出力してもよい。後段回路において、ＡＮＤ回路５６３は、出力信号ＳＣにおいて、パルス９０６に対応するパルス９１１を出力してもよい。遅延回路５６４は、パルス９１１を遅延させたダミー発光トリガパルス９１６をダミー発光トリガとして出力してもよい。

パルス９０２、９０７、９１２、９１７の関係及びこれらパルスの生成に関する発光トリガ信号生成部５５２の動作は、パルス９０１、９０５、９１０、９１５と同様であり得る。

（作用）
第１の実施形態における図６及び図７を参照しても説明したように、上記構成におけるワンショット回路５６１、インバータ５６２及びＡＮＤ回路５６３は、一部のターゲット検出パルスに対応した発光トリガパルスの出力を省略し得る。これにより、発光トリガパルスの時間間隔が最小許容値より小さくなることを抑制し得る。

一方、上記構成におけるＯＲ回路５７５、５７７及びタイマ５７６は、前回の発光トリガパルスの出力から所定時間経過すると、ダミー発光トリガパルスを生成し得る。これにより、レーザシステム３に出力する発光トリガパルスの時間間隔が最大許容値よりも大きくなることを抑制し得る。このように、本実施形態の構成によれば、発光トリガパルスの時間間隔Ｔを、最大許容値と最小許容地の間に維持し得る。

なお、上記構成例において、発光トリガパルスの時間間隔が最小許容値よりも小さくなることを抑制する後段回路を省略してもよい。この構成によっても、発光トリガパルスの時間間隔が最大許容値以下の範囲に維持し得る。後段回路は、図８に示す構成を有していてもよい。

５．３第３の実施形態
図１２及び図１３を参照して第３の実施形態を説明する。以下においては、第２の実施形態との相違点を主に説明する。本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１は、ダミー発光トリガパルスに応じて出力されたパルスレーザ光を遮蔽してもよい。これによって、ダミー発光トリガパルスによる望ましくないパルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に照射されることを抑制し得る。

（構成）
図１２は、第３の実施形態におけるレーザ制御部５５及びレーザシステム３の構成例を模式的に示している。発光トリガ制御部５５１は、図１０に示す構成に加え、ワンショット回路５８１及びインバータ５８２を含んでいてもよい。レーザシステム３は、図１０に示す構成に加え、光シャッタ３５５を含んでいてもよい。

ワンショット回路５８１の入力は、タイマ５７６の出力に接続していてもよい。ワンショット回路５８１の出力はインバータ５８２の入力に接続していてもよい。インバータ５８２の出力は、光シャッタ３５５の入力に接続していてもよい。

ワンショット回路５８１は、入力信号の立上りエッジを検出すると、パルス幅Ｔｓｈ２のパルスを出力してもよい。パルス幅Ｔｓｈ２は、パルスレーザ光を遮蔽する時間を示し得る。パルス幅Ｔｓｈ２は、ワンショット回路５８１に立上りエッジが入力されてから、増幅器３５４からのダミー発光トリガパルスによるパルスレーザ光出力が停止するまでの時間以上の長さを有していてもよい。

ワンショット回路５８１には、予めパルス幅Ｔｓｈ２の値が設定されていてもよい。発光トリガ制御部５５１が、パルス幅Ｔｓｈ２の値をワンショット回路５８１に設定してもよい。

レーザシステム３は、マスタオシレータ３５１により生成されたパルスレーザ光の光路上に配置された光シャッタ３５５を含んでもよい。光シャッタ３５５は、例えば、増幅器３５４によって増幅されて出力されたパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。若しくは、光シャッタ３５５は、マスタオシレータ３５１と増幅器３５２との間、増幅器３５２と増幅器３５３との間、又は、増幅器３５３と増幅器３５４との間のパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。

光シャッタ３５５は、パルスレーザ光を吸収し又は反射することでパルスレーザ光を遮蔽してもよい。例えば、光シャッタ３５５は、パルスレーザ光の透過と反射を切り替えて、パルスレーザ光の光路を、第１の光路と不図示の第２の光路とに切り替えてもよい。

第１の光路は、パルスレーザ光が、プラズマ生成領域２５で集光される光路であってもよい。第２の光路は、パルスレーザ光が、プラズマ生成領域２５の外を通って不図示のレーザダンパに吸収される光路であってもよい。光シャッタ３５５は、このようにパルスレーザ光の光路を切り替えることにより、プラズマ生成領域２５への光路を開閉してもよい。

光シャッタ３５５が開いているとき、パルスレーザ光は光シャッタ３５５を透過して、プラズマ生成領域２５への第１の光路を進み得る。光シャッタ３５５が閉じているとき、パルスレーザ光は光シャッタ３５５により反射されて、第２の光路を進み得る。光シャッタ３５５への制御信号がＯＮのとき光シャッタ３５５は開いており、制御信号がＯＦＦのとき光シャッタ３５５は閉じていてもよい。光シャッタ３５５が閉じているとき、パルスレーザ光は遮蔽され得る。

光シャッタ３５５は、どのような構成を有していてもよい。例えば、光シャッタ３５５は、ポッケルスセルと、偏光子とを含んで構成されていてもよい。ポッケルスセルは印加電圧によりλ／２板として機能し得る。光シャッタ３５５は、音響光学素子と、圧電素子とを含んで構成されていてもよい。音響光学素子は、与えられた振動に応じてパルスレーザ光を回折させ得る。

（動作）
第２の実施形態において説明したように、通過タイミング信号における検出パルス間隔ＴがＴｍａｘよりも長い場合、タイマ５７６は、パルスを出力してもよい。当該パルスは、ダミー検出パルスであり得る。

ワンショット回路５８１は、タイマ５７６から、ダミー検出パルスを受信してもよい。ワンショット回路５８１は、ダミー検出パルスの立上りエッジに応答して、パルス幅Ｔｓｈ２のパルスを出力してもよい。インバータ５８２は、ワンショット回路５８１からの信号を反転して出力してもよい。

インバータ５８２は、光シャッタ制御信号ＳＫにおいて、ワンショット回路５８１からのパルスを反転したパルスを光シャッタ３５５に出力してもよい。光シャッタ３５５に入力される反転パルスは、パルス幅Ｔｓｈ２を有し得る。光シャッタ３５５は、反転パルスを受信しているパルス幅Ｔｓｈ２の間、閉じていていもよい。閉じた光シャッタ３５５により、パルスレーザ光の透過が抑制され得る。

タイマ５７６からのダミー検出パルスに応じたダミー発光トリガが、マスタオシレータ３５１に入力され得る。マスタオシレータ３５１は、入力されたダミー発光トリガパルスに応答して、パルスレーザ光を発光し得る。マスタオシレータ３５１からのパルスレーザ光は、増幅器３５２〜３５４により増幅され、増幅器３５４から増幅されたパルスレーザ光が出力され得る。光シャッタ３５５は、インバータ５８２からの光シャッタ制御信号ＳＫに従って閉じており、増幅器３５４からの増幅パルスレーザ光の透過を抑制し得る。

一方、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルス間隔ＴがＴｍａｘ以下の場合、タイマ５７６からのダミー検出パルスの出力はなく、光シャッタ制御信号ＳＫはＯＮであり得る。つまり、光シャッタ３５５は開いており、増幅器３５４からの増幅パルスレーザ光は光シャッタ３５５を透過し得る。

図１３は、発光トリガ信号生成部５５２の信号及びレーザシステム３におけるパルスレーザ光のタイミングチャート例を示している。図１３は、図１１が示すタイミングチャート例に加え、マスタオシレータ３５１から出力されるパルスレーザ光ＬＡ、光シャッタ３５５への制御信号ＳＫ及びレーザシステム３から露光装置６へ出力されるパルスレーザ光ＬＢのタイミングチャートを示す。

図１３において、マスタオシレータ発光パルスレーザ光ＬＡ、光シャッタ制御信号ＳＫ及び出力パルスレーザ光ＬＢのタイミングチャート以外のタイミングチャートは、図１１におけるタイミングチャートと同様である。マスタオシレータ３５１は、発光トリガパルス９１５〜９１９のそれぞれに応答して、レーザ光パルス１１０１〜１１０５を出力してもよい。

タイマ５７６からのダミー検出パルスに応じて、ＯＲ回路出力信号ＳＨにおけるパルス９０６、ＡＮＤ回路出力信号ＳＣにおけるパルス９１１、発光トリガ信号ＳＤにおけるダミー発光トリガパルス９１６、そして、マスタオシレータ発光パルスレーザ光ＬＡにおけるレーザ光パルス１１０２が生成され得る。

光シャッタ制御信号ＳＫは、タイマ５７６からのダミー検出パルスに従って、ＯＮからＯＦＦに変化し得る。光シャッタ制御信号ＳＫがＯＦＦである時間は、ワンショット回路５８１のパルス幅Ｔｓｈ２であり得る。マスタオシレータ発光パルスレーザ光ＬＡにおけるレーザ光パルス１１０２は、光シャッタ制御信号ＳＫがＯＦＦである時間内に出力され、光シャッタ３５５により遮蔽され得る。そのため、マスタオシレータ３５１からのレーザ光パルス１１０２によるレーザシステム３からの出力レーザ光パルスは、抑制され得る。

（作用）
本実施形態の構成によれば、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルス間隔Ｔが、Ｔｍａｘよりも長い場合、ダミー発光トリガパルスによって、マスタオシレータ３５１はパルスレーザ光を発光し得る。これにより、マスタオシレータ３５１からのパルスレーザ光の変動を抑制し得る。

さらに、ダミー発光トリガパルスによってマスタオシレータ３５１から出力されたパルスレーザ光は、光シャッタによって遮蔽され得る。その結果、ダミー発光トリガパルスによって、プラズマ生成領域２５にパルスレーザ光が照射されるのを抑制し得る。これにより、ダミー発光トリガパルスによるパルスレーザ光によるデブリの増加を抑制し得る。チャンバ２内部に存在するガスや検出されなかったターゲットの飛沫等がプラズマ生成領域２５に存在する場合、パルスレーザ光が照射されるとプラズマが生成しデブリが発生し得る。デブリは、プラズマから飛散する高速イオンや中性粒子等の飛散粒子のことであってもよく、ＥＵＶ集光ミラー２３等の光学部品をスパッタあるいは付着して光学性能を劣化させ得る。

５．４第４の実施形態
図１４を参照して第４の実施形態を説明する。以下においては、第３の実施形態との相違点を主に説明する。本実施形態のレーザシステム３は、メインレーザ装置に加え、プリパルスレーザ装置を含んでいていてもよい。

本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１は、ダミー発光トリガパルスによりメインレーザ装置から出力されるメインパルスレーザ光に加え、ダミー発光トリガパルスによりプリパルスレーザ装置から出力されるプリパルスレーザ光を遮蔽してもよい。これにより、ダミー発光トリガパルスによる望ましくないパルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に照射されることを抑制し得る。

（構成）
図１４は、第４の実施形態におけるレーザ制御部５５及びレーザシステム３の構成例を模式的に示している。レーザシステム３は、図１２に示す構成に加え、プリパルスレーザ装置３６１、光シャッタ３６２、高反射ミラー３６３及びダイクロイックミラー３６４を含んでいてもよい。プリパルスレーザ装置３６１は、ＹＡＧレーザ装置等の固体レーザ装置であってもよい。

本実施形態において、マスタオシレータ３５１を、メインパルスレーザ装置と称することがある。マスタオシレータ３５１、増幅器３５２、３５３及び３５４並びに光シャッタ３５５を含んで構成される装置を、メインパルスレーザシステムと称することがある。マスタオシレータ３５１が発光したレーザ光及びその増幅光を、メインパルスレーザ光と称することがある。

図１４を参照して、光シャッタ３５５は、マスタオシレータ３５１と増幅器３５２との間の光路上に配置されていてもよい。メインパルスレーザ光の光路には、ダイクロイックミラー３６４が配置されていてもよい。メインパルスレーザ光は、ダイクロイックミラー３６４に入射してもよい。ダイクロイックミラー３６４は、メインパルスレーザ光を高い透過率で、露光装置６への光路に透過させてもよい。

プリパルスレーザ装置３６１は、プリパルスレーザ光を出力してもよい。プリパルスレーザ光は、メインパルスレーザ光に含まれる波長成分と異なる波長成分を含んでもよい。プリパルスレーザ光の光路には、光シャッタ３６２が配置されていてもよい。光シャッタ３６２は、光シャッタ３５５と同様に、光シャッタ制御信号ＳＫに応じて、プリパルスレーザ光の光路を切り替えることで、プリパルスレーザ光を遮蔽してもよい。

プリパルスレーザ光の光路には、高反射ミラー３６３が配置されてもよい。高反射ミラー３６３は、プリパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー３６３によって反射されたプリパルスレーザ光は、ダイクロイックミラー３６４に入射してもよい。ダイクロイックミラー３６４は、プリパルスレーザ光を高い反射率で露光装置６への光路に反射してもよい。これにより、メインパルスレーザ光と、プリパルスレーザ光とは、いずれもプラズマ生成領域２５に導かれ得る。ダイクロイックミラー３６４は、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光の光路が略一致するように配置されていてもよい。

発光トリガ制御部５５１は、図１２に示す構成に加え、遅延回路５８４を含んでいてもよい。遅延回路５８４の入力は遅延回路５６４の出力に接続していてもよい。遅延回路５８４からの出力信号は、マスタオシレータ３５１に入力されてもよい。

遅延回路５６４の出力信号は、プリパルスレーザ装置３６１に入力されてもよい。遅延回路５８４の遅延時間は、プリパルスレーザ装置３６１への発光トリガの入力とメインパルスレーザ装置への発光トリガの入力との間の遅延時間であり得る。発光トリガ制御部５５１は、遅延回路５８４に所定の遅延時間を設定してもよい。

インバータ５８２の出力は、光シャッタ３５５及び３６２の双方の入力に接続していてもよい。光シャッタ３５５及び３６２の双方に、同一の光シャッタ制御信号ＳＫが入力されてもよい。光シャッタ３５５への光シャッタ制御信号は、光シャッタ３６２への光制御信号に対して所定の遅延時間だけ遅延されていてもよい。

インバータ５８２は、光シャッタ制御信号ＳＫにおいて、ワンショット回路５８１からのパルスを反転したパルスを光シャッタ３６２及び３５５に出力してもよい。光シャッタ３６２及び３５５に入力される反転パルスは、パルス幅Ｔｓｈ２を有し得る。

光シャッタ３６２及び３５５は、反転パルスを受信しているパルス幅Ｔｓｈ２の間、閉じていていもよい。閉じた光シャッタ３６２及び３５５により、それぞれ、メインパルスレーザ光及びプリパルスレーザ光の透過が抑制され得る。つまり、メインパルスレーザ光及びプリパルスレーザ光が遮蔽され得る。

タイマ５７６からのダミー検出パルスに対応するダミー発光トリガパルスが、プリパルスレーザ装置３６１及びマスタオシレータ３５１に入力され得る。マスタオシレータ３５１へのダミー発光トリガパルスは、プリパルスレーザ装置３６１へのダミー発光トリガパルスに対して、遅延回路５８４により遅延されていてもよい。

プリパルスレーザ装置３６１は、入力されたダミー発光トリガパルスに応答して、プリパルスレーザ光を発光し得る。光シャッタ３６２は、インバータ５８２からの光シャッタ制御信号ＳＫに従って閉じており、プリパルスレーザ装置３６１からのプリパルスレーザ光の透過を抑制し得る。

マスタオシレータ３５１は、入力されたダミー発光トリガパルスに応答して、メインパルスレーザ光を発光し得る。光シャッタ３５５は、インバータ５８２からの光シャッタ制御信号ＳＫに従って閉じており、マスタオシレータ３５１からのメインパルスレーザ光の透過を抑制し得る。

一方、通過タイミング信号における検出パルス間隔ＴがＴｍａｘ以下の場合、タイマ５７６からのダミー検出パルスの出力はなく、光シャッタ３６２及び３５５の光シャッタ制御信号ＳＫはＯＮであり得る。つまり、光シャッタ３６２及び３５５は開いており、プリパルスレーザ装置３６１及びマスタオシレータ３５１からのパルスレーザ光は、それぞれ、光シャッタ３６２及び３５５を透過し得る。

（作用）
本実施形態によれば、通過タイミング信号ＳＡにおける検出パルス間隔ＴがＴｍａｘよりも長い場合、ダミー発光トリガパルスによって、マスタオシレータ３５１及びプリパルスレーザ装置３６１はパルスレーザ光を発光し得る。これにより、マスタオシレータ３５１及びプリパルスレーザ装置３６１からのパルスレーザ光の変動を抑制し得る。

さらに、ダミー発光トリガパルスによってマスタオシレータ３５１及びプリパルスレーザ装置３６１から出力されたパルスレーザ光は、光シャッタによって遮蔽され得る。その結果、ダミー発光トリガパルスによって、プラズマ生成領域２５にパルスレーザ光を照射するのを抑制し得る。これにより、ダミー発光トリガパルスによるパルスレーザ光によるデブリの増加を抑制し得る。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請
求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業
者には明らかであろう。

上記実施形態において図示されている各構成要素の構成は一例であって、各要素は他の構成を有していてもよい。上記の各構成要素及び機能等は、それらの一部又は全部を、例えば電気回路で設計する等によりハードウェアで実現してもよい。また、上記の各構成要素及び機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実効することによりソフトウェアで実現してもよい。

ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換え得る。ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加え得る。各実施形態の構成の一部について、削除、他の構成の追加、他の構成による置換をし得る。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と
解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるも
のとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用
語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。ま
た、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも
１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ＥＵＶ光生成装置、２チャンバ、３レーザシステム、４ターゲットセンサ、５光生成制御部、６露光装置、１１ＥＵＶ光生成システム、２５プラズマ生成領域、２６ターゲット供給部、２７ターゲット、５１ターゲット供給制御部、５５レーザ制御部、２７１サテライト、３５１マスタオシレータ、３５２〜３５４増幅器、３５５光シャッタ、３６１プリパルスレーザ装置、３６２光シャッタ、５５１発光トリガ制御部、５５２発光トリガ信号生成部、５６１ワンショット回路、５６２インバータ、５６３ＡＮＤ回路、５６４遅延回路、５６６ＡＮＤ回路、５６７タイマ、５６８ＲＳフリップフロップ、５６９エッジ検出回路、５７５ＯＲ回路、５７６タイマ、５７７ＯＲ回路、５８１ワンショット回路、５８２インバータ、５８４遅延回路

Claims

ターゲットにパルスレーザ光を照射することによってプラズマを生成して極端紫外光を生成する、極端紫外光生成装置であって、
レーザシステムからのパルスレーザ光が入射するプラズマ生成領域を収容するチャンバと、
前記チャンバ内の前記プラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部から出力され、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間の所定位置を通過したターゲット検出するように構成された、ターゲット検出部と、
前記レーザシステムを制御するように構成されたレーザ制御部と、を含み、
前記レーザ制御部は、
前記ターゲット検出部からのターゲット検出を示す検出信号に従って、前記レーザシステムに含まれるレーザ装置にパルスレーザ光の発光を指示する発光トリガを生成して前記レーザシステムに出力し、
前記レーザシステムに連続して出力する発光トリガの時間間隔が所定の範囲内に入るように、生成する発光トリガを調整する、極端紫外光生成装置。
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記レーザ制御部は、前記ターゲット検出部からの連続する第１及び第２の検出信号の間の時間間隔が第１の時間よりも短い場合に、前記第２の検出信号に対応する発光トリガの出力を省く、極端紫外光生成装置。
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記レーザ制御部は、前記ターゲット検出部から受信した前回の検出信号から次の検出信号を受信することなく第２の時間が経過した後に、ダミー発光トリガを生成して前記レーザシステムに出力する、極端紫外光生成装置。
請求項３に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記レーザシステムは、前記レーザ装置からのパルスレーザ光の透過を制御する光シャッタをさらに含み、
前記レーザ制御部は、前記ダミー発光トリガに従って前記レーザ装置により発光されたパルスレーザ光を遮蔽するように前記光シャッタを制御する、極端紫外光生成装置。
請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記レーザ装置はメインパルスレーザ装置であり、
前記レーザシステムは、前記メインレーザ装置からのメインパルスレーザ光の発光前にプリパルスレーザ光を発光するプリパルスレーザ装置と、前記プリパルスレーザ光の透過を制御する第２の光シャッタと、をさらに含み、
前記レーザ制御部は、
前記ターゲット検出部からターゲットの検出を示す検出信号を受信すると、前記プリパルスレーザ装置に発光トリガを出力した後に、前記メインパルスレーザ装置に発光トリガを出力し、
前記ターゲット検出部から受信した前回の検出信号から前記第２の時間が経過すると、前記プリパルスレーザ装置に第１のダミー発光トリガを出力した後に、前記メインパルスレーザ装置に第２のダミー発光トリガを出力し、
前記第１のダミー発光トリガに従って前記プリパルスレーザ装置により発光されたパルスレーザ光を遮蔽するように前記第２の光シャッタを制御し、
前記第２のダミー発光トリガに従って前記メインレーザ装置により発光されたパルスレーザ光を遮蔽するように前記光シャッタを制御する、極端紫外光生成装置。
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記レーザ制御部は、前記第１の検出信号から前記第１の時間が経過した直後の検出信号に応答して、前記レーザシステムに前記発光トリガを出力する、極端紫外光生成装置。
パルスレーザ光を出力するレーザシステムと、
前記レーザシステムからのパルスレーザ光が入射するプラズマ生成領域を収容するチャンバと、
前記チャンバ内の前記プラズマ生成領域にターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、を含み、
前記ターゲット供給部からのターゲットに前記パルスレーザ光を照射することによってプラズマを生成して極端紫外光を生成する極端紫外光生成システムおいて、前記レーザシステムを制御する方法であって、
前記ターゲット供給部から出力され、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間の所定位置を通過したターゲット検出し、
前記所定位置を通過したターゲットの検出に基づき、前記レーザシステムに含まれるレーザ装置にパルスレーザ光の発光を指示する発光トリガを生成して前記レーザシステムに出力し、
前記レーザシステムに連続して出力する発光トリガの時間間隔が所定の範囲内に入るように、生成する発光トリガを調整する、方法。