JPWO2016170972A1 - ドロップレット検出器及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

ＥＵＶ光生成装置の動作の安定性を向上させ得る。ドロップレット検出器は、チャンバ内に出力されレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるドロップレットに照明光を照射する光源部と、前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、１つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記チャンバ内の所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、を備えてもよい。

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

国際公開ＷＯ２０１４／０４２００３号

概要

本開示の１つの観点に係るドロップレット検出器は、チャンバ内に出力されレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるドロップレットに照明光を照射する光源部と、前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、１つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記チャンバ内の所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、を備えてもよい。

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部の所定領域で極端紫外光が生成されるチャンバと、ドロップレットを前記所定領域に供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から前記所定領域までの間の所定位置で前記ドロップレットに照明光を照射する光源部と、前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、１つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、前記ドロップレット検出信号に基づいて、前記所定領域にレーザ光が出力されるようレーザ装置に信号を出力する制御部と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３は、図２に示された制御部における通過タイミング信号の入力及びトリガ信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図４は、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備える通過タイミング信号系統の構成を説明するための図を示す。 図５は、図４に示された制御部における通過タイミング信号の入力及びトリガ信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図６は、図２及び図４に示されたドロップレット検出器の光センサの受光面におけるドロップレットの射影像の例を示す。 図７は、図６に示されたドロップレットの射影像に基づく光センサ出力信号の例を示す。 図８は、図２及び図４に示されたドロップレット検出器の光センサの受光面におけるドロップレットの射影像の例を示す。 図９は、図８に示されたドロップレットの射影像に基づく光センサ出力信号の例を示す。 図１０は、図２及び図４に示されたドロップレット検出器の光センサの受光面におけるドロップレットの射影像の例を示す。 図１１は、図１０に示されたドロップレットの射影像に基づく光センサ出力信号の例を示す。 図１２は、図２及び図４に示されたドロップレット検出器の光源から出力された照明光が光センサに入力されるまでの光量の変動の例を示す。 図１３は、図１２に示されたドロップレット検出器における光量の変動の例を示す。 図１４は、図１２及び図１３に示されたドロップレット検出器における光量の変動に基づく光センサ出力信号の例を示す。 図１５は、第１実施形態におけるタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１６Ａは、図１５に示されたＥＵＶ光生成装置が備える通過タイミング信号系統の構成を説明するための図を示す。 図１６Ｂは、入力された通過タイミング信号に基づいてドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路を説明するための図を示す。 図１７は、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部における通過タイミング信号の入力に基づくトリガ信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図１８は、第１実施形態における制御部の遅延処理回路におけるドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。 図１９Ａは、第１実施形態におけるドロップレットの移動距離とタイミング決定回路及び遅延処理回路等における各遅延時間の設定内容等との時間関係を説明するための図を示す。 図１９Ｂは、第１実施形態における遅延時間ＴＤの具体的な設定値の例を説明するための表を示す。 図２０は、第２実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるタイミング決定回路の構成を説明するための図を示す。 図２１は、第２実施形態のタイミング決定回路におけるドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。 図２２は、第３実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるタイミング決定回路の構成を説明するための図を示す。 図２３は、第３実施形態のタイミング決定回路におけるドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。 図２４は、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器における光センサの構成を説明するための図を示す。 図２５は、図２４に示されたドロップレット検出器の光センサの受光面におけるドロップレットの射影像の例を示す。 図２６は、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレット検出信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図２７は、第５実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び制御部の構成を説明するための図を示す。 図２８は、第５実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレット検出信号の出力に係るタイムチャートを示す。 図２９は、第６実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器における光センサの構成を説明するための図を示す。 図３０は、第６実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備える通過タイミング信号系統の構成を説明するための図を示す。 図３１は、第６実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレット速度計測に係るタイムチャートを示す。 図３２は、第７実施形態における圧力調節機構及びタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図３３は、図３２に示されたＥＵＶ光生成装置が備える通過タイミング信号系統の構成を説明するための図を示す。 図３４は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。

実施形態

＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成：全体
４．２ 動作：全体
４．３ 構成：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統
４．４ 動作：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統
５．課題
６．第１実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置
６．１ 構成：全体
６．２ 構成：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統
６．３ 動作：制御部
６．４ 動作：タイミング決定回路
６．４．１ 動作：通過中心時点算出処理
６．４．２ 動作：遅延時間ＴＤ算出処理
６．４．３ 動作：ドロップレット検出信号生成処理
６．４．４ その他：遅延時間ＴＤの具体例
６．５ 作用
７．第２実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置
７．１ 構成
７．２ 動作
８．第３実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置
８．１ 構成
８．２ 動作
９．第４実施形態のドロップレット検出器及び光センサを備えるＥＵＶ光生成装置
９．１ 構成
９．２ 作用
１０．第５実施形態のドロップレット検出器及び制御部を備えるＥＵＶ光生成装置
１０．１ 構成
１０．２ 動作
１１．第６実施形態の通過タイミング信号系統を備えるＥＵＶ光生成装置
１１．１ 構成
１１．２ 動作
１１．３ 作用
１２．第７実施形態の圧力調節機構及びタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置
１２．１ 構成
１２．２ 動作
１２．３ 作用
１３．各制御部のハードウェア環境

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。

本開示におけるドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されレーザ光３３が照射されると極端紫外光２５１が生成されるドロップレット２７１に照明光を照射する光源部４１１と、前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部４１２と、１つの前記ドロップレット２７１に照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記チャンバ２内の所定位置である検出点Ｐで前記ドロップレット２７１が検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路７０または７１または７２を備えてもよい。
よって、本開示におけるドロップレット検出器４１によれば、ドロップレット２７１の通過中心時点のタイミングに対して、レーザ装置３へトリガ信号が出力されるタイミングが、ドロップレット２７１の大小等にかかわらず、適正に設定され得る。
このため、プラズマ生成領域２５において、パルスレーザ光３３がドロップレット２７１に正確に集光されるとともに、照射され得る。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。ターゲットにレーザ光を照射することで、ターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を放射させることができる。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［４．ドロップレット検出器を備えるＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成：全体］
図２を用いて、ドロップレット検出器４１を備えるＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出させる方向をＸ軸とする。Ｚ軸及びＹ軸は、Ｘ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。

ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、レーザ光進行方向制御部３４と、露光装置６の露光装置制御部６１から出力された信号が入力されるＥＵＶ光生成制御部５と、制御部８と、を含んでよい。

チャンバ２は、ターゲット供給部２６と、ドロップレット検出器４１と、ウインドウ２１と、レーザ光集光光学系２２ａと、プレート２２３と、プレート２３２と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３１と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、を含んでよい。

ターゲット供給部２６は、液体の錫Ｓｎ等であるターゲット物質を貯蔵するタンク２６１と、ターゲット物質が出力されるノズル孔２６３を含むノズル２６２と、ノズル２６２に設けられたピエゾ素子２６４と、タンク２６１に設けられたヒータ２６５と、を含んでよい。

圧力調節機構３０は、制御部８からの制御信号に基づいて、タンク２６１内のターゲット物質に加える圧力を調節してよい。

ドロップレット検出器４１は、光源部４１１と、受光部４１２と、を含んでよい。
光源部４１１は、光源４１１ａと、照明光学系４１１ｂと、を含んでよい。光源部４１１は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間であるドロップレット検出点Ｐにおいて、ドロップレット軌道Ｆに略沿って移動するドロップレット２７１に照明光を照射するように、配置されてよい。
照明光学系４１１ｂは、集光レンズと、ウインドウと、を含んでよい。
受光部４１２は、受光光学系４１２ａと、光センサ４１２ｂと、を含んでよい。受光部４１２は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間であるドロップレット検出点Ｐにおいて、光源部４１１から出力された照明光が入力されるように配置されてよい。
受光光学系４１２ａは、集光レンズと、ウインドウと、を含んでよい。

ここで、図２に示す通過タイミング信号系統４２は、通過タイミング信号に係わる信号伝達系統であってよく、ドロップレット検出器４１と、制御部８と、レーザ装置３と、これらを接続する信号線とを含んでよい。通過タイミング信号系統４２については後述する。

レーザ光集光光学系２２ａは、高反射軸外放物面ミラー２２１と、高反射平面ミラー２２２と、を含んでよい。
高反射軸外放物面ミラー２２１及び高反射平面ミラー２２２は、ステージ２２４により移動が可能なプレート２２３に設けられてよい。

ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３１を介して、チャンバ２内のプレート２３２に設けられてよい。

レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１をチャンバ２に向けて伝播させる高反射ミラー３４１，３４２を含んでよい。

［４．２ 動作：全体］
図３を用いて、ＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８の制御について、説明する。
図３に示す制御部８の制御において、図１及び図２に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。

図３は、図２に示した制御部８の制御に係るタイムチャートであって、ドロップレット検出器４１におけるドロップレット２７１の検出に基づいて、パルスレーザ光３１を出力させるためのトリガ信号をレーザ装置３へ出力する場合のタイムチャートである。

先ず、制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたドロップレット生成信号が入力されてよい。制御部８は、ドロップレット生成信号の入力に基づき、ターゲット供給部２６におけるタンク２６１内のターゲット物質の温度が、ターゲット物質の融点である２３２℃以上の２５０〜２９０℃の温度に加熱されるように、ヒータ２６５に制御信号を出力してよい。

制御部８は、タンク２６１内のターゲット物質が、ジェット状にノズル孔２６３から所定の速度で出力されるように、タンク２６１内の圧力を調節する圧力調節機構３０に制御信号を出力してよい。

次に、制御部８は、ターゲット物質がノズル孔２６３からドロップレット状に出力されるように、ピエゾ素子２６４に所定の波形の電圧を供給するための信号を出力してよい。
その結果、ノズル孔２６３は、所定の波形の電圧の信号によるピエゾ素子２６４の動作により、振動し得る。
ターゲット供給部２６は、ノズル孔２６３の振動により、ターゲット物質をドロップレット状に出力し得る。

ここで、ドロップレット検出器４１において、光源部４１１から出力されたドロップレット２７１への照明光は、受光部４１２の光センサ４１２ｂに受光されてよい。
このため、光センサ４１２ｂにおいて受光される光量は、光センサ出力信号として図３に示すように、ドロップレット２７１の検出点Ｐの通過により低下し得る。

受光部４１２は、光量の変化に基づく光センサ出力信号に基づいて、当該光センサ出力信号が予め設定された電圧値である閾値を下回ったタイミングで、図３に示すように、通過タイミング信号を生成してよい。受光部４１２は、生成された通過タイミング信号を制御部８へ出力してよい。

制御部８は、図３に示すように、入力された通過タイミング信号に対して所定の遅延時間ＴＬの経過後に、パルスレーザ光３１を出力させるためのトリガ信号をレーザ装置３へ出力してよい。

レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３１を出力してよい。
パルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４及びウインドウ２１を経由して、チャンバ２内に入力され得る。パルスレーザ光３１は、レーザ光集光光学系２２ａにより集光され、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１に照射され得る。

［４．３ 構成：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統］
図４を用いて、ＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成について、説明する。
図４に示す通過タイミング信号系統４２の構成において、図２に示した通過タイミング信号系統４２と同一の構成については、説明を省略する。

通過タイミング信号系統４２は、図４に示すように、ドロップレット検出器４１と、制御部８と、レーザ装置３と、これらを通信可能に接続する信号線とを含んでよい。

ドロップレット検出器４１の受光部４１２は、光センサ４１２ｂからの光センサ出力信号が入力される信号変換器４１２ｃを含んでよい。
光センサ出力信号は、アナログの電圧信号であってよい。

信号変換器４１２ｃは、入力された光センサ出力信号に基づいて生成された通過タイミング信号を、制御部８へ出力してよい。

制御部８は、通過タイミング信号が入力されたタイミングに対して所定の時間遅延させて、トリガ信号をレーザ装置３に出力するための遅延処理回路８ａを含んでよい。

［４．４ 動作：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統］
図５〜図７を用いて、ドロップレット検出器４１及び通過タイミング信号系統４２の動作に関連する制御部８の具体的な制御について、説明する。
図５〜図７に示す制御部８の制御において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。

図５は、図４に示した制御部８の制御に係るタイムチャートであって、ドロップレット検出器４１からの通過タイミング信号の入力に基づいて、パルスレーザ光３１を出力させるためのトリガ信号をレーザ装置３へ出力する場合のタイムチャートである。

光センサ出力信号は、図５に示すように、ドロップレット２７１が検出点Ｐを通過することにより、光源部４１１からの照明光が遮られ、低下し得る。

信号変換器４１２ｃは、光センサ出力信号を増幅してよい。信号変換器４１２ｃは、予め設定された閾値に基づき、光センサ出力信号を二値化された信号として変換してよい。信号変換器４１２ｃは、光センサ出力信号を二値化することで、デジタル信号である通過タイミング信号を生成してよい。

制御部８は、通過タイミング信号が入力されるタイミングから予め定められた遅延時間ＴＬを経過したタイミングで、トリガ信号を生成してよい。制御部８は、生成されたトリガ信号の幅を適宜変更してもよい。制御部８は、生成されたトリガ信号をレーザ装置３へ出力してよい。制御部８は、トリガ信号が出力されるタイミングを適宜遅延させてもよい。

ここで、光センサ４１２ｂの受光面に射影されるドロップレット２７１の射影像は、図６に示すように、ドロップレット２７１がドロップレット軌道Ｆに略沿って進行するに応じて、光センサ４１２ｂの受光面に占める割合を変化させ得る。

このため、図７に示すように、ドロップレット２７１の射影像が光センサ４１２ｂの受光面に占める割合を変化させるのに応じて、光センサ出力信号が示す信号波形は、ドロップレット２７１や受光面の形状を反映した波形を持って変化し得る。

［５．課題］
ここで、ドロップレット２７１が進行するドロップレット軌道Ｆは、Ｚ軸方向に変動する場合があり得る。
ドロップレット軌道ＦのＺ軸方向の変動により、光センサ４１２ｂの受光面におけるドロップレット射影像のドロップレット射影軌道の軌道位置は、図８に示すように、当該受光面に対して変動し得る。

ここで、通常、ドロップレット２７１がドロップレット軌道Ｆに略沿って進行することで、光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合は、図９に示すように、ドロップレット２７１や受光面の形状を反映した波形を示して推移し得る。

しかし、光センサ４１２ｂの受光面に対してドロップレット射影軌道の軌道位置が変動することにより、光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合は、図９に示すように、変動し得る。

光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合が変動することにより、光センサ出力信号が示す信号波形の極値は、図９に示すように、変動し得る。

そして、光センサ出力信号が示す信号波形の極値が変動することにより、当該信号波形に対して一定の閾値を用いて取得される通過タイミング信号の幅は、図９に示すように、変動し得る。

また、ターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１のドロップレット径の大きさは、変動する場合があり得る。
あるいは、ドロップレット２７１が進行するドロップレット軌道Ｆは、Ｘ軸方向に変動する場合があり得る。

ドロップレット径の変動ならびにドロップレット軌道ＦのＸ軸方向への変動により、光センサ４１２ｂの受光面におけるドロップレット射影像の径は、図１０に示すように、変動し得る。

光センサ４１２ｂの受光面に対してドロップレット射影像の径が変動することにより、光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合は、変動し得る。
光センサ４１２ｂの受光面に占めるドロップレット射影像の面積の割合が変動することにより、図１１に示すように、光センサ出力信号が示す信号波形の極値及び幅は、変動し得る。

そして、光センサ出力信号が示す信号波形の極値及び幅が変動することにより、当該信号波形に対して一定の閾値を用いて取得される通過タイミング信号の幅は、図１１に示すように、変動し得る。

さらに、ドロップレット検出器４１においては、光源４１１ａの出力の変動、照明光学系４１１ｂ及び受光光学系４１２ａの透過率の低下、光センサ４１２ｂの出力信号への変換効率の低下などの要因が発生し得る。
このため、図１２及び図１３に示すように、光センサ出力信号が低下し得る。

光センサ４１２ｂからの光センサ出力信号が低下することにより、図１４に示すように、光センサ出力信号が示す信号波形の極値は、変動し得る。
そして、光センサ出力信号が示す信号波形の極値が変動することにより、当該信号波形に対して一定の閾値を用いて取得される通過タイミング信号の幅は、図１４に示すように、変動し得る。

その他、ターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１の速度は、任意に設定され得る。
あるいは、ターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１の速度は、変動する場合があり得る。
ドロップレット２７１の速度が変動する場合、図９、図１１及び図１４に示される光センサ出力信号は、その信号波形の形が変動し得る。

そして、光センサ出力信号が示す信号波形の形が変動することにより、信号波形に対して一定の閾値を用いて取得される通過タイミング信号の幅は、変動し得る。

以上の各種要因により、生成される通過タイミング信号の幅は、変動し得る。
より具体的に説明すると、図５に示すように、複数のドロップレット２７１を比較の対象とした際に、ドロップレット２７１の通過中心時点に対して、それぞれのドロップレット２７１の通過開始時点のタイミングが変動し得る。
つまり、ドロップレット２７１の通過中心時点に対して、光センサ出力信号の信号波形が閾値を下回るタイミングが変動し得る。

ここで、通過中心時点は、いずれのドロップレット２７１においても、通過開始時点から通過終了時点までの中心の時点のタイミングとして、一致してよい。

ここで、図３を用いて述べたように、制御部８は、通過タイミング信号が生成されるタイミングから予め定められた一定の遅延時間ＴＬを経過したタイミングで、トリガ信号をレーザ装置３へ出力してよい。

しかし、図５に示すように、ドロップレット２７１毎に、通過中心時点に対して、光センサ出力信号の信号波形が閾値を下回るタイミングが変動し得る。

このため、プラズマ生成領域２５において、ドロップレット２７１が到達するタイミングと、パルスレーザ光３３が照射されるタイミングとが一致しないことが起こり得る。

この場合、プラズマ生成領域２５において、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１に正確に集光及び照射させることができない。
この結果、ドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射により発生するＥＵＶ光２５２の発光効率が低下もしくは変動し得る。

以上の問題点から、検出点Ｐにおいてドロップレット２７１の通過を正確に検出するためには、ドロップレット２７１の通過中心時点を正確に検出することが必要となり得る。
しかし、光センサ出力信号の信号波形が閾値を下回るタイミングで生成される通過タイミング信号のみから、通過中心時点を特定することは困難であった。

［６．第１実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置］
［６．１ 構成：全体］
図１５を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７０の構成について説明する。
ここで、図１５は、タイミング決定回路７０を備えるＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。

第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１は、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１と異なり、タイミング決定回路７０が設けられてよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、タイミング決定回路７０を設けたことにより、ドロップレット２７１の通過中心時点のタイミングを適正に算出し得る。
このため、レーザ装置３へトリガ信号が出力されるタイミングが、ドロップレット２７１の大小等にかかわらず、適正に設定され得る。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１におけるその他の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

タイミング決定回路７０は、図１５に示すように、制御部８Ａ内に設けられてよい。
また、タイミング決定回路７０は、通過タイミング信号系統４２におけるドロップレット検出器４１から制御部８Ａまでの間のいずれかの位置に設けられてもよい。

ここで、タイミング決定回路７０は、光センサ４１２ｂから出力される通過タイミング信号に基づいて、図５を用いて述べた通過中心時点を算出する後述の通過中心時点算出処理を行ってよい。
そして、タイミング決定回路７０は、算出された通過中心時点に対する所定の遅延時間ＴＤを算出する後述の遅延時間ＴＤ算出処理を行ってよい。
さらに、タイミング決定回路７０は、算出された通過中心時点に対して所定の遅延時間経過後に後述のドロップレット検出信号を生成するドロップレット検出信号生成処理を行ってよい。

以下、タイミング決定回路７０における通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理をまとめて、ＭＰＤ処理（Ｍｉｄ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｌａｙ処理）という。また、適宜、図面においてタイミング決定回路７０を「ＭＰＤ」または「ＭＰＤ処理」と記載する。

通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理を専用回路で実施する場合、タイミング決定回路７０は、光センサ４１２ｂの電子回路内、又は、通過タイミング信号系統４２内、あるいは、制御部８Ａの電子回路内に設けられてよい。

通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理を論理機能で実施する場合、光センサ４１２ｂの電子回路で使用する集積回路内、又は、制御部８Ａの電子回路で使用する集積回路内に設けられてよい。
以下、タイミング決定回路７０が制御部８Ａ内に設けられた構成について、説明する。

［６．２ 構成：ドロップレット検出器及び通過タイミング信号系統］
図１６Ａ及び図１６Ｂを用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成について説明する。
ここで、図１６Ａは、ＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成を説明するための図を示す。
図１６Ｂは、入力された通過タイミング信号に基づいてドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路を説明するための図を示す。

第１実施形態における制御部８Ａは、図４に示した制御部８と異なり、タイミング決定回路７０を含んでよい。
タイミング決定回路７０は、遅延処理回路８ａの入力側に設けられてよい。
第１実施形態の通過タイミング信号系統４２におけるその他の構成は、図４に示した構成と同様であってもよい。
第１実施形態の通過タイミング信号系統４２の構成において、図４に示した同様の構成については説明を省略する。

タイミング決定回路７０は、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、ドロップレット検出器４１の受光部４１２から出力された通過タイミング信号が入力されてよい。
タイミング決定回路７０は、入力された通過タイミング信号に基づいて、通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理を行う、ＭＰＤ処理を行ってよい。
タイミング決定回路７０は、生成されたドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａに出力してよい。

［６．３ 動作：制御部］
図１７を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ａの制御について、説明する。
図１７に示す制御部８Ａの制御において、図３及び図５に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。

図１７は、第１実施形態に係る制御部８Ａの制御に係るタイムチャートであって、ドロップレット検出器４１からの通過タイミング信号の入力に基づく、トリガ信号の出力に係るタイムチャートである。

ここで、図１７に示すように、以下、光センサ４１２ｂからの光センサ出力信号が閾値を下回ったタイミングを第１タイミングという。光センサ出力信号が閾値を上回ったタイミングを第２タイミングという。
このため、第１実施形態においては、第１タイミングは、図１７に示すように、通過開始時点と見做してよい。
第２タイミングは、図１７に示すように、通過終了時点と見做してよい。
また、通過開始時点から通過終了時点までの中間のタイミングを通過中心時点という。

制御部８Ａの遅延処理回路８ａは、タイミング決定回路７０から出力された後述するドロップレット検出信号が入力されてよい。
遅延処理回路８ａは、入力されたドロップレット検出信号に基づいて、当該ドロップレット検出信号が入力されたタイミングに対して、所定の遅延時間ＴＳの経過後に、トリガ信号を生成してよい。

図１７に示すように、ドロップレット検出信号は、通過タイミング信号の生成タイミングの変動にかかわらず、各ドロップレット２７１の通過中心時点に基づいた信号となり得る。

［６．４ 動作：タイミング決定回路］
図１８を用いて、第１実施形態の制御部８Ａが備えるタイミング決定回路７０の制御について、説明する。

図１８は、第１実施形態に係る制御部８Ａのタイミング決定回路７０の制御に係るタイムチャートであって、入力された通過タイミング信号に基づくドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートである。

［６．４．１ 動作：通過中心時点算出処理］
ここで、図１８を用いて、タイミング決定回路７０における通過中心時点算出処理について説明する。
タイミング決定回路７０は、ドロップレット検出器４１から通過タイミング信号が入力されてよい。タイミング決定回路７０は、入力された通過タイミング信号に基づいて、通過開始信号及び通過終了信号を生成してよい。

タイミング決定回路７０は、生成された通過開始信号及び通過終了信号に基づいて、通過開始時点（ｔ１）及び通過終了時点（ｔ２）を特定してよい。

タイミング決定回路７０は、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの間の時間（Ｗ）の半分の時間（０．５Ｗ）について、ドロップレット２７１の通過中心時点（ｔｃ）として特定してよい。

［６．４．２ 動作：遅延時間ＴＤ算出処理］
タイミング決定回路７０は、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの時間について、一定の速度で一定の値を積算する第１積算処理を行ってよい。
つまり、第１積算処理は、所定値を単位時間毎に積算する処理であってよい。
一定の値である所定値は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。一定の値である所定値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。一定の値である所定値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。

より具体的には、タイミング決定回路７０は、図１８に示すように、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの間の時間（Ｗ）、一定の速度で一定の値を積算して第１積算値（Ｖ）を算出してよい。
例えば、図１８に示すような一次関数として、以下の関係式が成立し得る。
Ｖ＝Ｗ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（式１）

次に、タイミング決定回路７０は、特定された通過終了時点（ｔ２）以降の時間について、第１積算処理のときと同様の一定の速度で、第１積算処理のときの２倍の値を積算する第２積算処理を行ってよい。
つまり、第２積算処理は、第１積算処理における所定値の２倍の値を単位時間毎に積算する処理であってよい。

より具体的には、タイミング決定回路７０は、図１８に示すように、通過終了時点（ｔ２）以降の時間（Ｒ）に、第１積算処理のときの２倍の値を積算して第２積算値（Ｓ）を算出してよい。
式１の例にならえば、図１８に示すような一次関数として、以下の関係式が成立し得る。
Ｓ＝２Ｒ・・・・・・・・・・・・・・・・・（式２）

タイミング決定回路７０は、第１積算処理により算出された第１積算値（Ｖ）と第２積算処理により算出された第２積算値（Ｓ）とを合計し、合計積算値（Ｃ）を算出してよい。

タイミング決定回路７０は、第１積算処理を行った後に、第２積算処理を行ってよい。
タイミング決定回路７０は、第２積算処理による第２積算値（Ｓ）の算出を続けるとともに、関係式（式３）として以下に記載するように、合計積算値（Ｃ）を算出し続けてよい。
Ｃ＝Ｖ＋Ｓ・・・・・・・・・・・・・・・・（式３）

タイミング決定回路７０は、算出される合計積算値（Ｃ）が予め定められた所定の基準値を超えるまで第２積算値（Ｓ）の算出を行ってよい。
ここで、所定の基準値は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。所定の基準値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。所定の基準値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。

タイミング決定回路７０は、合計積算値（Ｃ）が所定の基準値を超えた時点で、通過終了時点（ｔ２）以降の時間の長さを特定してよい。
具体的には、図１８に示すように、通過終了時点（ｔ２）以降の時間（Ｒ）が特定されてよい。

ここで、図１８に示すように、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの間の時間（Ｗ）、通過終了時点（ｔ２）以降の時間（Ｒ）には、以下の関係式が成立し得る。
Ｗ＋Ｒ＝０．５Ｗ＋ＴＤ・・・・・・・・・・（式４）
つまり、通過中心時点（ｔｃ）から、合計積算値（Ｃ）が所定の基準値を超えたと判定された時点までの時間（ＴＤ）が特定され得る。

さらに、関係式（式４）に基づいて、以下の関係式が成立し得る。
ＴＤ＝０．５Ｗ＋Ｒ・・・・・・・・・・・・（式５）

また、上記の式１と、式２と、式３と、式５と、に基づいて、以下の関係式が成立し得る。
Ｃ＝Ｖ＋Ｓ＝Ｗ＋２Ｒ＝２×（０．５Ｗ＋Ｒ）＝２ＴＤ・・（式６）

関係式（式６）に基づいて、以下の関係式が常に成立し得る。
Ｃ＝２ＴＤ・・・・・・・・・・・・・・・・（式７）

このため、合計積算値（Ｃ）の所定の基準値を一定値に設定した場合、時間（ＴＤ）も一定値となり得る。

タイミング決定回路７０は、算出された時間（ＴＤ）を、図１７において示された遅延時間ＴＤとして特定してよい。

タイミング決定回路７０は、算出された遅延時間ＴＤを制御部８Ａ内のメモリ等に記憶してよい。

［６．４．３ 動作：ドロップレット検出信号生成処理］
タイミング決定回路７０は、通過開始時点（ｔ１）から０．５Ｗ経過した通過中心時点（ｔｃ）より、さらに遅延時間（ＴＤ）経過したときのタイミングを特定し得る。

よって、タイミング決定回路７０は、特定された遅延時間（ＴＤ）に基づいて、ドロップレット２７１の通過中心時点（ｔｃ）に対して、当該遅延時間（ＴＤ）に相当する所定の遅延時間ＴＤの経過後に、ドロップレット検出信号を生成してよい。

ここで、タイミング決定回路７０は、図１８に示すように、合計積算値（Ｃ）が所定の基準値を超えたと判定されたタイミングにおいて、ドロップレット検出信号を生成してもよい。

タイミング決定回路７０は、ドロップレット検出信号を生成する際に、遅延時間ＴＤ算出処理を行うことなく、制御部８Ａ内のメモリ等に記憶されている遅延時間ＴＤに基づいて、当該遅延時間ＴＤの経過後に、ドロップレット検出信号を生成してもよい。

ここで、遅延時間ＴＤは、通過開始時点（ｔ１）から通過終了時点（ｔ２）までの間の時間（Ｗ）の半分の時間（０．５Ｗ）であるため、図１８に示すように、入力される通過タイミング信号の幅の大小にかかわらず、常に一定の時間（ＴＤ）となり得る。

このため、検出点Ｐを通過するドロップレット２７１の大小等の影響を受けることなく、ドロップレット２７１の通過中心時点（ｔｃ）に対して、常に、一定の時間（ＴＤ）経過後に、ドロップレット検出信号が生成され得る。

タイミング決定回路７０における通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理は、受光部４１２からの通過タイミング信号が正負反転させて入力された場合であっても、上記と同様の効果を奏し得てよい。
また、タイミング決定回路７０により生成されるドロップレット検出信号が正負反転されて出力された場合であっても、上記と同様の効果を奏し得る。

［６．４．４ その他：遅延時間ＴＤの具体例］
以下、タイミング決定回路７０により算出及び設定される遅延時間ＴＤの具体例について、図１９Ａ及び図１９Ｂを用いて、説明する。
図１９Ａは、ドロップレットの移動距離ＹＭと、タイミング決定回路７０及び遅延処理回路８ａ等において発生し得る各遅延時間の設定内容等と、の時間関係を説明するための図を示す。
図１９Ｂは、遅延時間ＴＤの具体的な設定値の例を説明するための表を示す。

遅延時間ＴＤの最小値については、以下の関係式が成立し得る。
ＴＤ＞ＴＷ／２・・・・・・・・・・・・・・（式８）
ここで、ＴＷは、ドロップレット検出器４１から入力される通過タイミング信号の信号幅を意味する。

遅延時間ＴＤの最大値については、図１９Ａに示すように、以下の関係式が成立し得る。
ＴＤ＋ＴＳ＜ＴＭ−ＴＵ＝ＴＭ−（ＴＰ＋ＴＧ＋ＴＬ＋ＴＢ）
・・・・・・・・・（式９）
ここで、ＴＳは、図１７において示したように、任意に設定されるトリガ信号が生成されるまでの遅延時間を意味する。
ＴＭは、ドロップレット２７１がドロップレット検出器４１により検出される検出点Ｐから、プラズマ生成領域２５まで到達するまでに要する移動時間を意味する。
ＴＭは、以下の関係式が成立し得る。
ＴＭ＝ＹＭ／ＶＭ・・・・・・・・・・・・（式１０）
ここで、ＹＭは、ドロップレット２７１の移動距離を意味する。
ＶＭは、ドロップレット２７１の移動速度を意味する。
また、ＴＵは、固有に発生し得る遅延時間を意味し、以下のＴＰと、ＴＧと、ＴＬと、ＴＢと、を含んでよい。
ＴＰは、電気信号伝搬遅延時間を意味する。
ＴＧは、信号処理遅延時間を意味する。
ＴＬは、レーザ光発生遅延時間を意味する。
ＴＢは、レーザ光伝搬遅延時間を意味する。

遅延時間ＴＤは、遅延時間ＴＳとの対比において最小値に近い値に設定されてもよい。
各遅延時間の具体的な例を図１９Ｂに示す。ＴＰ、ＴＧ、ＴＬ、ＴＢは通過タイミング信号系統４２に固有の定数となり得る。このため、ＴＤは、ＴＳをどの程度確保するかによって最大値と最小値とが定義され得る。ドロップレット２７１の移動速度が変更される等の系の変動に対して、ＴＤを設定可能な最大値が変動し得る。これは、検出点Ｐからプラズマ生成領域２５までの距離が変更される場合であっても同様であり得る。上述の様に、ＴＤは合計積算値（Ｃ）の所定の基準値に依存し得る。合計積算値（Ｃ）の所定の基準値は、タイミング決定回路７０によっては変更に時間及び手間を要する場合がある。そこでＴＤは一定に設定し、ＴＳによって系の変動に対応するようにしてもよい。たとえばＴＳの変動幅を大きく確保するよう、予めＴＳを最大値に設定してもよい。この場合、ＴＤは最小値に設定してもよい。またはＴＤはジッターを考慮して最小値に近い値に設定してもよい。図１９Ｂの場合、ＴＤは、たとえば２．０×１０^−６［ｓｅｃ］に設定されてよい。

［６．５ 作用］
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、ドロップレット２７１の通過中心時点のタイミングに対して、レーザ装置３へトリガ信号が出力されるタイミングが、ドロップレット２７１の大小等にかかわらず、適正に設定され得る。

このため、プラズマ生成領域２５において、パルスレーザ光３３がドロップレット２７１に正確に集光されるとともに、照射され得る。
よって、ドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射により発生するＥＵＶ光２５１の発光効率が向上し得る。そして、ドロップレット２７１へパルスレーザ光３３が照射される位置及びタイミングが正確になるため、デブリ等の低減を図ることが可能となり得る。

また、タイミング決定回路７０における通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理及びドロップレット検出信号生成処理は、カウンタもしくは積分器・加算器等、単純な回路要素で構成可能であるため、部品点数や論理数の増加を低減し得る。
このため、回路の複雑化による信頼性の低下を生じさせることなく、実現可能となり得る。

［７．第２実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置］
［７．１ 構成］
図２０を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７１の構成について説明する。
ここで、図２０は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７１の構成を説明するための図を示す。

第２実施形態のタイミング決定回路７１は、図１６Ａに示した第１実施形態の制御部８Ａ内のタイミング決定回路７０として、汎用論理集積回路や個別半導体部品で構成した回路を用いてよい。
第２実施形態のタイミング決定回路７１におけるその他の構成は、図１６Ａに示した第１実施形態のタイミング決定回路７０の構成と同様であってよい。
第２実施形態のタイミング決定回路７１の構成において、図１６Ａに示したタイミング決定回路７０と同様の構成については、説明を省略する。

第２実施形態におけるタイミング決定回路７１は、第１実施形態と同様にＭＰＤ処理を行うため、図２０に示すように、タイミング生成部７１ａと、カウンタ部７１ｂと、比較部７１ｃと、を含んでよい。

タイミング決定回路７１は、論理要素としてのタイミング生成部７１ａと、カウンタ部７１ｂと、比較部７１ｃと、を実装したＦＰＧＡ（ＦｉｅｌｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）などの集積回路を備えてもよい。
また、タイミング決定回路７１は、論理要素としてのタイミング生成部７１ａと、カウンタ部７１ｂと、比較部７１ｃと、を実装したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの集積回路を備えてもよい。

［７．２ 動作］
図２１は、第２実施形態のタイミング決定回路７１におけるＭＰＤ処理に基づいたドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。
図２１に示すタイミング決定回路７１の制御において、図１７及び図１８に示した第１実施形態のタイミング決定回路７０と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
図２１に示すタイミング決定回路７１の制御において、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作については、説明を省略する。

タイミング生成部７１ａは、入力パルス信号（ＩＮ）として、ドロップレット検出器４１から通過タイミング信号が入力されてよい。

タイミング生成部７１ａは、入力パルス信号（ＩＮ）に基づいて、当該入力パルス信号（ＩＮ）である通過タイミング信号の変化が開始したタイミングを特定してよい。タイミング生成部７１ａは、特定された通過タイミング信号の変化の開始のタイミングに基づいて、通過開始信号（ＩＮ１）を生成してよい。タイミング生成部７１ａは、生成された通過開始信号（ＩＮ１）をカウンタ部７１ｂへ出力してよい。

タイミング生成部７１ａは、入力パルス信号（ＩＮ）に基づいて、当該入力パルス信号（ＩＮ）である通過タイミング信号の変化が終了したタイミングを特定してよい。タイミング生成部７１ａは、特定された通過タイミング信号の変化の終了のタイミングに基づいて、通過終了信号（ＩＮ２）を生成してよい。タイミング生成部７１ａは、生成された通過終了信号（ＩＮ２）をカウンタ部７１ｂへ出力してよい。

カウンタ部７１ｂは、入力された通過開始信号（ＩＮ１）に基づいて、当該通過開始信号（ＩＮ１）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ１＝ＯＮ）から、一定の速度で一定の値を積算する第１積算処理を行ってよい。
つまり、第１積算処理は、所定値を単位時間毎に積算する処理であってよい。
一定の値である所定値は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。一定の値である所定値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。一定の値である所定値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。

カウンタ部７１ｂは、入力された通過終了信号（ＩＮ２）に基づいて、当該通過終了信号（ＩＮ２）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ２＝ＯＮ）から、第１積算処理のときと同様の一定の速度で、第１積算処理のときの２倍の値を積算する第２積算処理を行ってよい。
つまり、第２積算処理は、第１積算処理における所定値の２倍の値を単位時間毎に積算する処理であってよい。

カウンタ部７１ｂは、第１積算処理により算出された第１積算値と第２積算処理により算出された第２積算値とを合計し、合計積算値（ＣＶ）を算出してよい。カウンタ部７１ｂは、算出された合計積算値（ＣＶ）をデジタル信号として比較部７１ｃへ出力してよい。

比較部７１ｃは、予め定められた所定の基準値（ＣＣ）が入力されてよい。比較部７１ｃは、入力された合計積算値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超えたか否か比較してよい。
ここで、所定の基準値（ＣＣ）は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。所定の基準値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。所定の基準値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。

比較部７１ｃは、合計積算値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超過したと判定した場合に、その超過した時点を特定してよい。
タイミング決定回路７１は、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作により、ドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａへ出力してよい。

また、比較部７１ｃは、合計積算値（ＣＶ）が所定の基準値（ＣＣ）を超過したタイミングに基づいて、ドロップレット検出信号（ＯＵＴ）を生成してもよい。そして、比較部７１ｃは、ドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａへ出力してもよい。

なお、比較部７１ｃは、合計積算値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超えたこと、又は、合計積算値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）に達していないことを、出力（ＯＵＴ）してもよい。

タイミング決定回路７１は、図２０に示す論理要素の他に、積算処理の時間基準となるクロック回路と、積算値を０にするリセット回路と、それらの回路を制御する制御回路と、を含んでよい。

［８．第３実施形態のタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置］
［８．１ 構成］
図２２を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７２の構成について説明する。
ここで、図２２は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるタイミング決定回路７２の構成を説明するための図を示す。

第３実施形態のタイミング決定回路７２は、図１６Ａに示した第１実施形態の制御部８Ａ内のタイミング決定回路７０として、オペアンプ等のアナログ部品で構成した回路を用いてよい。
第３実施形態のタイミング決定回路７２におけるその他の構成は、図１６Ａに示した第１実施形態のタイミング決定回路７０の構成と同様であってよい。
第３実施形態のタイミング決定回路７２の構成において、図１６Ａに示したタイミング決定回路７０と同様の構成については、説明を省略する。

第３実施形態におけるタイミング決定回路７２は、第１実施形態と同様にＭＰＤ処理を行うため、図２２に示すように、タイミング生成部７２ａと、加算器７２ｂと、積分器７２ｃと、比較器７２ｄと、を含んでよい。

［８．２ 動作］
図２３は、第３実施形態のタイミング決定回路７２におけるＭＰＤ処理に基づいたドロップレット検出信号の生成に係るタイムチャートを示す。
図２３に示すタイミング決定回路７２の制御において、図１８に示した第１実施形態のタイミング決定回路７０と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
図２３に示すタイミング決定回路７２の制御において、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作については、説明を省略する。

タイミング生成部７２ａは、入力パルス信号（ＩＮ）として、ドロップレット検出器４１から通過タイミング信号が入力されてよい。

タイミング生成部７２ａは、入力パルス信号（ＩＮ）に基づいて、当該入力パルス信号（ＩＮ）である通過タイミング信号の変化が開始したタイミングを特定してよい。タイミング生成部７２ａは、特定された通過タイミング信号の変化の開始のタイミングに基づいて、通過開始信号（ＩＮ１）を生成してよい。タイミング生成部７２ａは、生成された通過開始信号（ＩＮ１）を加算器７２ｂへ出力してよい。

タイミング生成部７２ａは、入力パルス信号（ＩＮ）に基づいて、当該入力パルス信号（ＩＮ）である通過タイミング信号の変化が終了したタイミングを特定してよい。タイミング生成部７２ａは、特定された通過タイミング信号の変化の終了のタイミングに基づいて、通過終了信号（ＩＮ２）を生成してよい。タイミング生成部７２ａは、生成された通過終了信号（ＩＮ２）を加算器７２ｂへ出力してよい。

加算器７２ｂは、入力された通過開始信号（ＩＮ１）に基づいて、当該通過開始信号（ＩＮ１）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ１＝ＯＮ）から、一定の電圧信号（ＶＡ）を積分器７２ｃへ出力してよい。
一定の所定値である電圧信号（ＶＡ）は、制御部８Ａ内のメモリに記憶されておいてよい。一定の所定値である電圧信号は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。一定の所定値である電圧信号は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。

加算器７２ｂは、入力された通過終了信号（ＩＮ２）に基づいて、当該通過終了信号（ＩＮ２）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ２＝ＯＮ）から、通過開始信号（ＩＮ１）の入力に基づいて出力した電圧信号に対して、２倍の電圧信号（ＶＡ）を出力してよい。

積分器７２ｃは、図２３に示すように、入力された電圧信号（ＶＡ）を時間経過とともに積分してよい。

積分器７２ｃは、通過開始信号（ＩＮ１）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ１＝ＯＮ）から、一定の所定値である電圧信号（ＶＡ）を積分していく第１積算処理を行ってよい。
つまり、第１積算処理は、所定値である電圧信号（ＶＡ）を単位時間毎に積分する処理であってよい。

積分器７２ｃは、通過終了信号（ＩＮ２）の入力が開始されたタイミング（ＩＮ２＝ＯＮ）から、所定値の２倍の値である電圧信号（ＶＡ）を積分していく第２積算処理を行ってよい。
つまり、第２積算処理は、第１積算処理における所定値の２倍の値を単位時間毎に積分する処理であってよい。

積分器７２ｃは、第１積算処理及び第２積算処理による合計の電圧信号（ＶＡ）の積分電圧値（ＣＶ）を電圧信号として比較器７２ｄへ出力してよい。

比較器７２ｄは、予め定められた所定の基準値（ＣＣ）の信号が入力されてよい。比較器７２ｄは、入力された積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超えたか否か比較してよい。
所定の基準値（ＣＣ）は、制御部８Ａ内のメモリ等に記憶されておいてよい。所定の基準値は、ネットワーク等を介して制御部８Ａに入力されてもよい。所定の基準値は、作業員等の手入力により制御部８Ａに入力されてもよい。

比較器７２ｄは、積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超過したと判定した場合に、その超過した時点を特定してよい。
タイミング決定回路７２は、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作により、ドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａへ出力してよい。

また、比較器７２ｄは、積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超過したタイミングに基づいて、ドロップレット検出信号（ＯＵＴ）を生成してもよい。そして、比較器７２ｄは、ドロップレット検出信号を遅延処理回路８ａへ出力してもよい。

なお、比較器７２ｄは、積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）を超えたこと、又は、積分電圧値（ＣＶ）が基準値（ＣＣ）に達していないことを、出力してもよい。

タイミング決定回路７２は、図２２に示す回路要素の他に、基準値（ＣＣ）を提示するデジタル―アナログ変換回路と、積分電圧値（ＣＶ）を０にするリセット回路と、それらの回路を制御する制御回路と、を含んでよい。

［９．第４実施形態のドロップレット検出器及び光センサを備えるＥＵＶ光生成装置］
［９．１ 構成］
図２４を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１の光センサ４１２ｂａの構成について説明する。
ここで、図２４は、ＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１における光センサ４１２ｂａの構成を説明するための図を示す。

第４実施形態における光センサ４１２ｂａは、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂとして、多素子センサであるフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ：Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ Ａｒｒａｙ）が適用されてよい。
第４実施形態の光センサ４１２ｂａにおけるその他の構成は、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂの構成と同様であってよい。
第４実施形態の光センサ４１２ｂａの構成において、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂと同様の構成については説明を省略する。

光センサ４１２ｂａは、図２４に示すように、多数の受光素子４１２ｂａ−１等と、多数のコンパレータ４１２ｄ−１等を含むコンパレータ４１２ｄと、論理結合回路４１２ｅと、閾値電圧発生器４１２ｆと、を備えてよい。

タイミング決定回路７０または７１または７２は、図２４に示すように、制御部８Ｂ内に設けられてよい。

多数の受光素子４１２ｂａ−１等は、照明光が入射されることにより、光センサ出力信号をコンパレータ４１２ｄに出力してよい。
多数のコンパレータ４１２ｄ−１等は、閾値電圧発生器４１２ｆから、閾値電圧に係る信号が入力されてよい。多数のコンパレータ４１２ｄ−１等は、多数の受光素子４１２ｂａ−１等から、光センサ出力信号が入力されてよい。多数のコンパレータ４１２ｄ−１等は、入力された閾値電圧に係る信号及び光センサ出力信号に基づいて、それぞれ個別通過タイミング信号を論理結合回路４１２ｅへ出力してよい。

論理結合回路４１２ｅは、入力された多数の個別通過タイミング信号に基づいて、通過タイミング信号を制御部８Ｂ内のタイミング決定回路７０または７１または７２へ出力してよい。

第４実施形態において、タイミング決定回路７０または７１または７２は、論理結合回路４１２ｅから出力される通過タイミング信号が入力されるかぎり、制御部８Ｂ内に限らず、光センサ４１２ｂａ内や、通過タイミング信号系統４２内に配置されてもよい。
第４実施形態におけるタイミング決定回路７０または７１または７２は、第１実施形態と同様に、通過タイミング信号の入力に基づいて、ＭＰＤ処理を行ってよい。

［９．２ 作用］
ここで、図２５は、図２４に示された光センサ４１２ｂａの受光面におけるドロップレット２７１の射影像の例を示す。
図２６は、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の制御部８Ｂにおけるドロップレット検出に基づくドロップレット検出信号の出力に係るタイムチャートを示す。

多素子センサのＰＤＡである光センサ４１２ｂａにおいて、当該光センサ４１２ｂａの受光面におけるドロップレット射影軌道は、各受光素子４１２ｂａ−１等の受光面の中心付近を通過することがあり得る。
また、ドロップレット射影軌道は、図２５に示すように、隣接する複数の受光素子４１２ｂａ−１等の境界付近を通過することもあり得る。

ここで、図２６の上段は、ドロップレット射影軌道が各受光素子４１２ｂａ−１等の受光面の中心付近を通過する場合に、ドロップレット２７１の検出に基づいてドロップレット検出信号を生成するタイムチャートを示す。
図２６の下段は、ドロップレット射影軌道が隣接する複数の受光素子４１２ｂａ−１等の境界付近を通過する場合に、ドロップレット２７１の検出に基づいてドロップレット検出信号を生成するタイムチャートを示す。
また、図２６の左側欄においては、複数の受光素子４１２ｂａ−１等に対するドロップレット射影軌道の位置が示されてよい。
図２６の中央欄においては、光センサ４１２ｂａに対して、タイミング決定回路７０または７１または７２によるＭＰＤ処理を適用していない場合におけるタイムチャートが示されてよい。
図２６の右側欄においては、光センサ４１２ｂａに対して、タイミング決定回路７０または７１または７２によるＭＰＤ処理が適用された場合におけるタイムチャートが示されてよい。

ここで、図２６の左側欄上段から下段の状態に複数の受光素子に対するドロップレット射影軌道の位置が変動する場合、中央欄に示すように各受光素子４１２ｂａ−１等により出力される通過タイミング信号のタイミングは、中央欄上段の状態から下段に示す状態に、変動し得る。

このため、通過タイミング信号の生成されるタイミングに基づいて、一定の遅延時間ＴＬの経過後にレーザ装置３へトリガ信号を出力した場合には、各ドロップレット２７１の通過中心時点に対するトリガ信号の出力タイミングが変動し得る。

よって、プラズマ生成領域２５において、ドロップレット２７１が当該プラズマ生成領域２５に到達するタイミングと、パルスレーザ光３３が照射されるタイミングとが一致しないことが起こり得る。

しかし、光センサ４１２ｂａにタイミング決定回路７０または７１または７２を適用した場合には、図２６の右側欄に示すように、複数の受光素子に対するドロップレット射影軌道位置の変動によらず、ドロップレット２７１の通過中心時点に対して、ドロップレット検出信号の生成されるタイミングが常に一定になり得る。

［１０．第５実施形態のドロップレット検出器及び制御部を備えるＥＵＶ光生成装置］
［１０．１ 構成］
図２７を用いて、第５実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１Ａ及び制御部８Ｃの構成について説明する。
ここで、図２７は、ＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１Ａ及び制御部８Ｃの構成を説明するための図を示す。

第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａは、図２及び図１５に示したドロップレット検出器４１と異なり、ドロップレット検出器４１における光源部４１１及び受光部４１２が一体化された構成とされてよい。
図２７に示した第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａは、図２及び図１５に示した透過光検出型のドロップレット検出器４１と異なり、ドロップレット２７１による反射光を検出する反射光検出型であってよい。
第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａは、図２及び図１５に示したドロップレット検出器４１と異なり、部分反射ミラー４１２ｊが設けられてよい。
第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａは、図２及び図１５に示した受光部４１２内に、光源４１２ｉ及び照明光学系４１２ｈが配置されてよい。
第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａにおけるその他の構成は、図２及び図１５に示したドロップレット検出器４１の構成と同様であってもよい。
第５実施形態のドロップレット検出器４１Ａの構成において、図２及び図１５に示したドロップレット検出器４１の構成と同様の構成については、説明を省略する。

ドロップレット検出器４１Ａは、図２７に示すように、部分反射ミラー４１２ｊが備えられてよい。
ドロップレット検出器４１Ａは、光センサ４１２ｂと、受光光学系４１２ｇと、部分反射ミラー４１２ｊと、光源４１２ｉと、照明光学系４１２ｈとを、不図示の同一の筐体内に備えてもよい。

部分反射ミラー４１２ｊは、光源４１２ｉから出力された照明光を、照明光学系４１２ｈを介してドロップレット２７１に向けて反射してよい。
部分反射ミラー４１２ｊは、照明光を照射されたことによるドロップレット２７１からの反射光を受光光学系４１２ｇに透過させてよい。
ウインドウ４１２ｋは、光源４１２ｉから出力された照明光を反射させるとともに、ドロップレット２７１からの反射光を透過させてよい。

光センサ４１２ｂは、ドロップレット２７１からの反射光の受光に基づいて、通過タイミング信号を生成してよい。光センサ４１２ｂは、生成された通過タイミング信号を制御部８Ｃへ出力してよい。

ここで、第５実施形態の制御部８Ｃは、図４に示した制御部８、図１６Ａに示した制御部８Ａ及び図２４に示した制御部８Ｂと異なり、極性反転回路８ｂが備えられてよい。
第５実施形態の制御部８Ｃにおけるその他の構成は、図４、図１６Ａ及び図２４に示した制御部８，８Ａ，８Ｂの構成と同様であってよい。
第５実施形態の制御部８Ｃの構成において、図４、図１６Ａ及び図２４に示した制御部８，８Ａ，８Ｂの構成と同様の構成については、説明を省略する。

極性反転回路８ｂは、図２７に示すように、光センサ４１２ｂから通過タイミング信号が入力されてよい。極性反転回路８ｂは、入力された通過タイミング信号を正負反転して、後述の極性反転信号を生成してよい。極性反転回路８ｂは、生成された極性反転信号をタイミング決定回路７０または７１または７２へ出力してよい。

第５実施形態におけるタイミング決定回路７０または７１または７２は、第１実施形態と同様に、極性反転信号の入力に基づいて、ＭＰＤ処理を行ってよい。

第５実施形態において、タイミング決定回路７０または７１または７２は、極性反転信号が入力されるかぎり、制御部８Ｃ内に限らず、光センサ４１２ｂ内や、通過タイミング信号系統４２内に配置されてもよい。

［１０．２ 動作］
図２８を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ｃの制御について、説明する。
図２８に示す制御部８Ｃの制御において、図３、図５、図１７及び図１８に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。

図２８は、第５実施形態に係る制御部８Ｃの制御に係るタイムチャートであって、ドロップレット２７１の検出に基づくドロップレット検出信号の出力に係るタイムチャートである。
図２８に示すタイミング決定回路７０または７１または７２の制御において、図１８に示した第１実施形態のタイミング決定回路７０と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
図２８に示すタイミング決定回路７０または７１または７２の制御において、図１７及び図１８に示したＭＰＤ処理と同一の制御及び動作については、説明を省略する。

ここで、第５実施形態においては、第１実施形態の場合と同様に、光センサ４１２ｂからの光センサ出力信号が閾値を下回ったタイミングを第１タイミングという。光センサ出力信号が閾値を上回ったタイミングを第２タイミングという。
このため、第５実施形態においては、第１タイミングは、図２８に示すように、通過終了時点となってよい。
第２タイミングは、図２８に示すように、通過開始時点となってよい。

光センサ４１２ｂは、光センサ出力信号の信号波形に基づいて、図２８に示すように、図３、図５、図１７及び図１８に示した通過タイミング信号を正負反転させた通過タイミング信号を生成してよい。光センサ４１２ｂは、生成された通過タイミング信号を極性反転回路８ｂへ出力してよい。

極性反転回路８ｂは、図２８に示すように、入力された通過タイミング信号を正負反転させた極性反転信号を生成してよい。極性反転回路８ｂは、生成された極性反転信号をタイミング決定回路７０または７１または７２へ出力してよい。

タイミング決定回路７０または７１または７２は、入力された極性反転信号に基づいて、当該極性反転信号の通過中心時点を算出してよい。
タイミング決定回路７０または７１または７２は、図２８に示すように、算出された通過中心時点に対して、予め定められた一定の時間である遅延時間ＴＤの経過後に、ドロップレット検出信号を生成してよい。

ドロップレット検出信号は、図２８に示すように、通過タイミング信号の入力が開始されたタイミングの変動にかかわらず、各ドロップレット２７１の通過中心時点に対して、生成されるタイミングを常に一致され得る。

［１１．第６実施形態の通過タイミング信号系統を備えるＥＵＶ光生成装置］
［１１．１ 構成］
図２９を用いて、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１の光センサ４１２ｂｂの構成について説明する。
ここで、図２９は、第６実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１における光センサ４１２ｂｂの構成を説明するための図を示す。

第６実施形態における光センサ４１２ｂｂは、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂとして、ドロップレット検出器４１に適用されてよい。

光センサ４１２ｂｂは、図２９に示すように、図２４に示した多素子センサであるフォトダイオードアレイ４１２ｂｂ１，４１２ｂｂ２が、ドロップレット２７１が移動する方向に略一致するドロップレット射影軌道の方向に複数並んで配置されてよい。フォトダイオードアレイ４１２ｂｂ１，４１２ｂｂ２は、光センサ４１２ｂｂ内に少なくとも２つあればよい。フォトダイオードアレイ４１２ｂｂ１，４１２ｂｂ２は、ドロップレット射影軌道の方向に所定の間隔Ｄが設けられて配置されてよい。フォトダイオードアレイ４１２ｂｂ１，４１２ｂｂ２は、ドロップレット射影軌道に略直交する方向に略平行に配置されてよい。
フォトダイオードアレイ４１２ｂｂ１は、多数の受光素子４１２ｂｂ１−１等により構成されてよい。フォトダイオードアレイ４１２ｂｂ２は、多数の受光素子４１２ｂｂ２−１等により構成されてよい。
図２９において、光源部４１１からの照明光が光センサ４１２ｂｂ上に照射される領域は、受光ビーム領域として示されてもよい。多数の受光素子４１２ｂｂ１−１，４１２ｂｂ２−１等は、受光ビーム領域内に略全てが配置されてよい。

第６実施形態の光センサ４１２ｂｂにおけるその他の構成は、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂの構成及び図２４に示した光センサ４１２ｂａと同様であってよい。
第６実施形態の光センサ４１２ｂｂの構成において、図２、図４、図１５、図１６Ａに示した光センサ４１２ｂ及び図２４に示した光センサ４１２ｂａと同様の構成については説明を省略する。

図３０を用いて、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成について説明する。
ここで、図３０は、第６実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成を説明するための図を示す。

第６実施形態におけるドロップレット検出器４１は、図１６Ａに示したドロップレット検出器４１と異なり、信号変換器４１２ｃ１，４１２ｃ２を含んでよい。
第６実施形態における制御部８Ａは、図１６Ａに示した制御部８Ａと異なり、タイミング決定回路７０Ａ，７０Ｂ及び速度計測回路８０を含んでよい。

速度計測回路８０は、タイミング決定回路７０Ａ、７０Ｂから入力されたドロップレット検出信号Ａ，Ｂに基づいてドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２を計測する速度計測処理を行ってもよい。

速度計測処理を専用回路で実施する場合、速度計測回路８０は、光センサ４１２ｂｂの電子回路内、又は、通過タイミング信号系統４２内、あるいは、制御部８Ａの電子回路内に設けられてよい。

速度計測処理を論理機能で実施する場合、速度計測回路８０は、光センサ４１２ｂｂの電子回路で使用する集積回路内、又は、制御部８Ａの電子回路で使用する集積回路内に設けられてよい。

第６実施形態の通過タイミング信号系統４２におけるその他の構成は、図１６Ａに示した構成と同様であってもよい。
第６実施形態の通過タイミング信号系統４２の構成において、図１６Ａに示した同様の構成については説明を省略する。

［１１．２ 動作］
信号変換器４１２ｃ１は、光センサ出力信号Ａに基づいて生成された通過タイミング信号Ａを、制御部８Ａへ出力してよい。信号変換器４１２ｃ２は、光センサ出力信号Ｂに基づいて生成された通過タイミング信号Ｂを、制御部８Ａへ出力してよい。

図３１を用いて、第６実施形態の制御部８Ａの動作について、説明する。
図３１に示す制御部８Ａの制御において、図１７に示した制御部８Ａと同一の制御及び動作については、説明を省略する。

ここで、図３１は、第６実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の制御部８Ａにおけるドロップレット速度計測に係るタイムチャートを示す。

タイミング決定回路７０Ａは、信号変換器４１２ｃ１から出力された通過タイミング信号Ａが入力されてよい。タイミング決定回路７０Ａは、図１７及び図１８に示したタイミング決定回路７０と同様に、通過中心時点算出処理、遅延時間ＴＤ算出処理、及びドロップレット検出信号生成処理を含むＭＰＤ処理を行ってもよい。タイミング決定回路７０Ａは、ＭＰＤ処理により、通過タイミング信号Ａに基づきドロップレット検出信号Ａを生成してよい。
タイミング決定回路７０Ａは、ドロップレット検出信号Ａを遅延処理回路８ａに出力してよい。タイミング決定回路７０Ａは、ドロップレット検出信号Ａを速度計測回路８０に出力してよい。

タイミング決定回路７０Ｂは、信号変換器４１２ｃ２から出力された通過タイミング信号Ｂが入力されてよい。タイミング決定回路７０Ｂは、タイミング決定回路７０Ａと同様に、ＭＰＤ処理を行い、通過タイミング信号Ｂに基づきドロップレット検出信号Ｂを生成してよい。
タイミング決定回路７０Ｂは、ドロップレット検出信号Ｂを速度計測回路８０に出力してよい。また、図示されていないが、タイミング決定回路７０Ｂは、ドロップレット検出信号Ｂを遅延処理回路８ａに出力してもよい。

遅延処理回路８ａは、入力されたドロップレット検出信号Ａ，Ｂのいずれかに基づいて、当該ドロップレット検出信号Ａ，Ｂのいずれかが入力されたタイミングに対して、所定の遅延時間ＴＳの経過後に、トリガ信号を生成してよい。

速度計測回路８０は、ドロップレット検出信号Ａ，Ｂの入力に基づいて、ドロップレット検出信号Ａ，Ｂの出力間隔Δｔを計測してよい。ここで、光センサ出力信号Ａ，Ｂを出力したフォトダイオードアレイ４１２ｂｂ１，４１２ｂｂ２の間隔Ｄが既知の値であるため、ドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２は、以下の（式１１）により計測し得る。
ＶＭ２＝Ｄ／Δｔ・・・・・・・・・・・・（式１１）

タイミング決定回路７０Ａ，Ｂは、計測されたドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２を制御部８Ａ内のメモリ等に記憶してよい。

［１１．３ 作用］
第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、フォトダイオードアレイ４１２ｂｂ１，４１２ｂｂ２を含む光センサ４１２ｂｂを備えることにより、ドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２に追従して適切に光センサ出力信号Ａ，Ｂを出力し得る。また、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、ドロップレット射影軌道に沿って間隔Ｄが設けられて配置されているフォトダイオードアレイ４１２ｂｂ１，４１２ｂｂ２により複数位置におけるドロップレット検出信号Ａ，Ｂを生成し得る。

このため、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、速度計測回路８０がドロップレット検出信号Ａ，Ｂに基づいてドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２を精度よく計測し得る。
よって、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、計測された移動速度ＶＭ２に基づきＥＵＶ光２５２の生成に関するパラメータを制御し得るため、ＥＵＶ光２５２のエネルギ安定性、プラズマ生成領域２５におけるＥＵＶ光２５２の位置安定性を高め得る。

［１２．第７実施形態の圧力調節機構及びタイミング決定回路を備えるＥＵＶ光生成装置］
［１２．１ 構成］
図３２を用いて、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える圧力調節機構３０の構成について説明する。
図３２は、第７実施形態における圧力調節機構３０及びタイミング決定回路７０を備えるＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。

第７実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１は、図１５に示されたＥＵＶ光生成装置１と異なり、圧力計測部３１０が設けられてよい。
圧力計測部３１０は、圧力調節機構３０からタンク２６１に至る配管の間に設けられてよい。圧力計測部３１０は、圧力センサのように圧力を計測し得る機構であればよい。圧力計測部３１０は、タンク２６１内の圧力を計測し、計測された圧力を圧力調節機構３０に出力してもよい。

圧力調節機構３０は、タンク２６１内の圧力が制御部８からの制御信号に基づいて設定された値となるよう、圧力計測部３１０から出力された圧力の計測値に基づいてタンク２６１内の圧力を調節してもよい。

第７実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４１の光源部４１１Ｃが、図１５に示された光源部４１１と異なってもよい。光源部４１１Ｃは、光源４１１ａ及び照明光学系４１１ｂに加えて、光源４１１ａから出力された光を伝播する光ファイバ４１１ｃと、伝播された光を出力する光出力部４１１ｄと、を含んでよい。

図３３を用いて、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成について説明する。
図３３は、図３２に示されたＥＵＶ光生成装置１が備える通過タイミング信号系統４２の構成を説明するための図を示す。

第７実施形態におけるドロップレット検出器４１は、図３０に示したドロップレット検出器４１と異なり、速度計測回路８０が、遅延処理回路８ａ及び圧力調節機構３０のいずれか又は両方に接続されてもよい。

［１２．２ 動作］
速度計測回路８０は、ドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２に基づいて、遅延時間補正信号及び圧力補正信号のいずれか又は両方を算出してもよい。

ここで、遅延時間補正信号は、遅延処理回路８ａに設定されるドロップレット検出信号Ａ，Ｂに付加される遅延時間ＴＳを補正するための補正値ΔＴＳを与える信号であってよい。遅延時間ＴＳは、基準となるドロップレット２７１の移動速度である基準ドロップレット速度Ｖ０に基づいて設定されてもよい。

速度計測回路８０は、移動速度ＶＭ２、基準ドロップレット速度Ｖ０、及び検出点Ｐとプラズマ生成領域２５との距離Ｌに基づいて、以下の（式１２）により補正値ΔＴＳを算出してもよい。
ΔＴＳ＝Ｌ｛（１／ＶＭ２）−（１／Ｖ０）｝・・・・（式１２）

ここで、圧力補正信号は、圧力調節機構３０に設定されたタンク２６１内のターゲット２７に加える圧力ＰＴの制御信号に補正値ΔＰＴを与える信号であってよい。圧力ＰＴは、ドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２が基準ドロップレット速度Ｖ０となるように設定されてもよい。また、距離Ｌは、ＥＵＶ光生成装置１の検出点Ｐとプラズマ生成領域２５との実測値であってもＥＵＶ光生成装置１を設計する際の設計値であってもよい。
速度計測回路８０は、移動速度ＶＭ２と基準ドロップレット速度Ｖ０との差分に基づいて、補正値ΔＰＴを算出してもよい。

速度計測回路８０は、補正値ΔＴＳを含む遅延時間補正信号を遅延処理回路８ａに出力してもよい。速度計測回路８０は、補正値ΔＰＴを含む圧力補正信号を圧力調節機構３０に出力してもよい。

遅延処理回路８ａは、補正値ΔＴＳに基づいて遅延時間ＴＳを補正してもよい。圧力調節機構３０は、補正値ΔＰＴに基づいて圧力ＰＴを補正してもよい。

［１２．３ 作用］
第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、速度計測回路８０により計測されたドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２に基づいて、遅延処理回路８ａに設定される遅延時間ＴＳを補正し得る。また、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、速度計測回路８０により計測されたドロップレット２７１の移動速度ＶＭ２に基づいて圧力調節機構３０に設定される圧力ＰＴを補正し得る。
よって、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、移動速度ＶＭ２に基づきＥＵＶ光２５２の生成に関するパラメータを制御し得るため、ドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射精度を向上し得る。このため、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、ＥＵＶ光２５２のエネルギ安定性、プラズマ生成領域２５におけるＥＵＶ光２５２の位置安定性を高め得る。

［１３．各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図３４は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図３４の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図３４におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ〜Ｃ、タイミング決定回路７０〜７２、速度計測回路８０及びレーザ光進行方向制御部３４等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、光源４１１ａ、光源部４１１Ｃ、光源４１２ｉ、圧力調節機構３０及びステージ２２４等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、光センサ４１２ｂ、光センサ４１２ｂａ、光センサ４１２ｂｂ、圧力計測部３１０等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ〜Ｃ、タイミング決定回路７０〜７２、速度計測回路８０及びレーザ光進行方向制御部３４の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ〜Ｃ、タイミング決定回路７０〜７２、速度計測回路８０及びレーザ光進行方向制御部３４は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

符号の説明
１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
３ …レーザ装置
５ …ＥＵＶ光生成制御部
８、８Ａ〜Ｃ …制御部
２５ …プラズマ生成領域
２５２ …ＥＵＶ光
２６ …ターゲット供給部
２７１ …ドロップレット
３０ …圧力調節機構
３１０ …圧力計測部
４１ …ドロップレット検出器
４１１ …光源部
４１２ …受光部
４１２ｂ，４１２ｂａ，４１２ｂｂ …光センサ
７０，７０Ａ，７０Ｂ，７１，７２ …タイミング決定回路
８０ …速度計測回路
Ｆ …ドロップレット軌道

Claims (10)

1. チャンバ内に出力されレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるドロップレットに照明光を照射する光源部と、
   前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、
   １つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記チャンバ内の所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、
   を備えるドロップレット検出器。
2. 前記タイミング決定回路は、
   前記光量が所定の閾値より低下したタイミングを検出することによって前記第１タイミングを特定すると共に、前記光量が前記閾値より増加したタイミングを検出することによって前記第２タイミングを特定し、
   前記第１タイミングと前記第２タイミングとの間の時点から所定時間遅延したタイミングに前記ドロップレット検出信号を出力する
   請求項１に記載のドロップレット検出器。
3. 前記タイミング決定回路は、
   前記光量が所定の閾値より低下したタイミングを検出することによって前記第１タイミングを特定すると共に、前記光量が前記閾値より増加したタイミングを検出することによって前記第２タイミングを特定し、
   前記第１タイミングと前記第２タイミングとの中心時点を決定し、
   前記中心時点から所定時間遅延したタイミングに前記ドロップレット検出信号を出力する
   請求項１に記載のドロップレット検出器。
4. 前記タイミング決定回路は、
   前記第１タイミングと前記第２タイミングとのうちの一方のタイミングに基づいて所定値を単位時間毎に積算して第１積算値を算出すると共に、前記一方のタイミング後の他方のタイミングに基づいて前記所定値の２倍の値を単位時間毎に積算して第２積算値を算出し、
   前記第１積算値及び前記第２積算値の合計積算値が所定の基準値に到達したタイミングを検出することによって前記中心時点から所定時間遅延したタイミングを特定する
   請求項３に記載のドロップレット検出器。
5. 前記受光部は、フォトダイオードアレイを用いて構成されている
   請求項４に記載のドロップレット検出器。
6. 前記ドロップレット検出信号に基づいて前記ドロップレットの移動速度を計測する速度計測回路を備え、
   前記受光部は、前記ドロップレットが移動する方向に沿って間隔が設けられて配置された複数のフォトダイオードアレイを用いて構成され、
   前記タイミング決定回路は、前記複数のフォトダイオードアレイ毎に前記ドロップレット検出信号を出力し、
   前記速度計測回路は、前記複数のフォトダイオードアレイ毎に出力された複数の前記ドロップレット検出信号に基づいて前記移動速度を計測する、
   請求項５記載のドロップレット検出器。
7. 内部の所定領域で極端紫外光が生成されるチャンバと、
   ドロップレットを前記所定領域に供給するターゲット供給部と、
   前記ターゲット供給部から前記所定領域までの間の所定位置で前記ドロップレットに照明光を照射する光源部と、
   前記照明光を受光し光量の変化を検出する受光部と、
   １つの前記ドロップレットに照射された前記照明光の前記光量が低下する第１タイミングと前記照明光の前記光量が増加する第２タイミングとに基づいて、前記所定位置で前記ドロップレットが検出されたことを示すドロップレット検出信号を出力するタイミング決定回路と、
   前記ドロップレット検出信号に基づいて、前記所定領域にレーザ光が出力されるようレーザ装置に信号を出力する制御部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
8. 前記ドロップレット検出信号に基づいて前記ドロップレットの移動速度を計測する速度計測回路を備え、
   前記受光部は、前記ドロップレットが移動する方向に沿って間隔が設けられて配置された複数のフォトダイオードアレイを用いて構成され、
   前記タイミング決定回路は、前記複数のフォトダイオードアレイ毎に前記ドロップレット検出信号を出力し、
   前記速度計測回路は、前記複数のフォトダイオードアレイ毎に出力された複数の前記ドロップレット検出信号に基づいて前記移動速度を計測する、
   請求項７記載の極端紫外光生成装置。
9. 前記制御部は、前記ドロップレット検出信号に遅延時間を付加して前記信号を出力し、
   前記速度計測回路は、
   前記移動速度に基づいて前記遅延時間の補正値を算出し、
   前記遅延時間の補正値を前記制御部に出力する、
   請求項８記載の極端紫外光生成装置。
10. 前記ターゲット供給部は、前記ドロップレットが供給される前のターゲット物質を貯蔵するタンクと、前記タンク内を所定の圧力に調節する圧力調節機構とを備え、
    前記速度計測回路は、
    前記移動速度に基づいて前記圧力の補正値を算出し、
    前記圧力の補正値を前記圧力調節機構に出力する、
    請求項８記載の極端紫外光生成装置。