JP2013535824A - 光源焦点のアラインメント - Google Patents
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- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 127
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
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- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
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- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
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- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
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- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
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Abstract
【選択図】 図1
Description
105 光源
110 ステアリングシステム
115 検出システム
120 波面修正システム
Claims (29)
- 極紫外線システムであって、
伝播方向に沿って進む増幅光ビームを生成する光源と、
前記増幅光ビームをターゲット場所の近くの焦点面に誘導して集束させるステアリングシステムと、
極紫外線コレクターと前記ターゲット場所におけるターゲット材料とを含む極紫外線チャンバと、
前記ターゲット材料の少なくとも一部分から反射されたレーザビームの像を検出するように位置決めされた少なくとも1つの検出器を含む検出システムと、
前記反射レーザビームの経路内で前記ターゲット場所と前記検出システムの間にあり、該反射レーザビームの波面を前記伝播方向に沿ったターゲット焦点面位置の関数として修正するように構成された波面修正システムと、
前記検出システムと前記ステアリングシステムとに結合され、前記反射レーザビームの前記検出像に基づいて前記伝播方向に沿って前記ターゲット材料に対する前記増幅光ビームの前記焦点面の場所を調節するための論理を含むコントローラと、
を含むことを特徴とする極紫外線システム。 - 前記波面修正システムは、透過光学要素を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記透過光学要素は、非点収差レンズであることを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記透過光学要素は、円柱レンズであることを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記波面修正システムは、反射光学要素を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記反射光学要素は、円柱ミラー又は鞍形ミラーを含むことを特徴とする請求項5に記載のシステム。
- 前記反射レーザビームの前記検出像のサイズ及び向きが、前記ターゲット場所に対する前記ターゲット焦点面位置と共に変化することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記波面修正システムは、前記光源の出力窓と前記検出システムの間にあることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記波面修正システムは、前記ターゲット場所と前記光源の出力窓との間にあることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記検出システムによって検出される前記反射レーザビームは、前記ターゲット材料から反射された前記増幅光ビームであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記ターゲット焦点面は、前記増幅光ビームの前記焦点面であることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記増幅光ビームと整列する案内レーザビームを生成する案内レーザを更に含み、
前記案内レーザビームは、前記増幅光ビームの波長とは異なる波長で作動する、
ことを特徴とする請求項11に記載のシステム。 - 前記検出システムによって検出される前記反射レーザビームは、前記ターゲット材料から反射された前記案内レーザビームであることを特徴とする請求項12に記載のシステム。
- 前記ターゲット焦点面は、前記案内レーザビームの焦点面であることを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記光源は、少なくとも電力増幅器を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記光源は、少なくとも主発振器を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 極紫外線を発生させる方法であって、
伝播方向に沿って進む増幅光ビームによって該増幅光ビームの焦点面でターゲット材料を照射する段階と、
前記ターゲット材料から反射されたレーザビームの波面を修正し、該修正が、前記伝播方向に沿ったターゲット焦点面の位置の関数である段階と、
前記修正された反射レーザビームの像を検出する段階と、
前記検出像に基づいて前記増幅光ビームの前記焦点面の場所を判断する段階と、
前記判断された焦点面の場所がターゲット場所に重ならない場合に前記ターゲット材料に対する該焦点面の前記位置を調節する段階と、
前記調節された焦点面位置を有する前記増幅光ビームで前記ターゲット材料を照射する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記反射レーザビームは、前記ターゲット材料から反射された前記増幅光ビームであることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記ターゲット材料を前記増幅光ビームで照射する段階は、光源を作動させて該増幅光ビームのパルスを発生させる段階を含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記反射レーザビームの前記波面を修正する段階は、前記パルスが発生している間だけ該波面を修正する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記反射レーザビームは、前記ターゲット材料から反射された案内レーザビームであることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記波面を修正する段階は、前記伝播方向に対するそれぞれの横断方向に焦点を各々が有する焦点面の間に該伝播方向に沿って分離を導入する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記波面を修正する段階は、前記反射レーザビームの波面の曲率及び形状のうちの1つ又はそれよりも多くを修正する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記波面を修正する段階は、前記反射レーザビームの前記波面に非点収差を導入する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記焦点面の前記場所を判断する段階は、前記検出像を測定基準に適合させる段階、及び該測定基準に基づいて像強度の中心と該検出像の向きとを判断する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記焦点面の前記場所を判断する段階は、像強度の中心と向きとの所定の組に対して前記判断された像強度の中心と前記向きとを比較する段階を含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記焦点面の前記場所を判断する段階は、
前記像強度の小さい及び大きい慣性モーメント間の比が所定の値よりも大きいか否かを確認する段階と、
前記検出像の前記向きが所定の角度よりも大きいか否かを確認する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 前記焦点面の前記場所を判断する段階は、前記検出像を前記測定基準に適合させる段階、及び該測定基準に基づいて楕円率を判断する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記焦点面の前記場所を判断する段階は、前記判断された楕円率の特性を1組の所定の値と比較する段階を含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/841,728 | 2010-07-22 | ||
US12/841,728 US8648999B2 (en) | 2010-07-22 | 2010-07-22 | Alignment of light source focus |
PCT/US2011/044058 WO2012012267A1 (en) | 2010-07-22 | 2011-07-14 | Alignment of light source focus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013535824A true JP2013535824A (ja) | 2013-09-12 |
JP2013535824A5 JP2013535824A5 (ja) | 2014-09-04 |
JP5952274B2 JP5952274B2 (ja) | 2016-07-13 |
Family
ID=45493359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013520753A Active JP5952274B2 (ja) | 2010-07-22 | 2011-07-14 | 光源焦点のアラインメント |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8648999B2 (ja) |
EP (1) | EP2595702A4 (ja) |
JP (1) | JP5952274B2 (ja) |
KR (1) | KR101885748B1 (ja) |
TW (1) | TWI519209B (ja) |
WO (1) | WO2012012267A1 (ja) |
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- 2011-07-14 WO PCT/US2011/044058 patent/WO2012012267A1/en active Application Filing
- 2011-07-14 EP EP11810187.2A patent/EP2595702A4/en not_active Withdrawn
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EP2595702A4 (en) | 2016-03-16 |
JP5952274B2 (ja) | 2016-07-13 |
TW201215245A (en) | 2012-04-01 |
WO2012012267A1 (en) | 2012-01-26 |
US8648999B2 (en) | 2014-02-11 |
KR20130129351A (ko) | 2013-11-28 |
US20120019826A1 (en) | 2012-01-26 |
TWI519209B (zh) | 2016-01-21 |
US9832853B2 (en) | 2017-11-28 |
US20140151583A1 (en) | 2014-06-05 |
KR101885748B1 (ko) | 2018-09-10 |
EP2595702A1 (en) | 2013-05-29 |
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