WO2017164251A1 - 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の重心位置の制御方法 - Google Patents

Abstract

極端紫外光生成装置は、チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成された極端紫外光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサと、所定領域に供給されたターゲットに対するレーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、複数のＥＵＶ光センサの計測結果から特定された極端紫外光の重心位置が目標重心位置となるよう照射位置調節部を制御する制御部と、を備え、制御部は、互いに位置が異なる複数の走査水準に従って照射位置が走査されるよう照射位置調節部を制御し、複数の走査水準のそれぞれで取得された計測結果に基づいて目標重心位置を較正する。

Description

極端紫外光生成装置及び極端紫外光の重心位置の制御方法

　本開示は、極端紫外光生成装置及び極端紫外光の重心位置の制御方法に関する。 

　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。 

　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。 

米国特許第８５９８５５２号明細書 米国特許第８９９３９７６号明細書

概要

　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成された極端紫外光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサと、所定領域に供給されたターゲットに対するレーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、複数のＥＵＶ光センサの計測結果から特定された極端紫外光の重心位置が目標重心位置となるよう照射位置調節部を制御する制御部と、を備え、制御部は、互いに位置が異なる複数の走査水準に従って照射位置が走査されるよう照射位置調節部を制御し、複数の走査水準のそれぞれで取得された計測結果に基づいて目標重心位置を較正する。 

　本開示の他の観点に係る極端紫外光の重心位置の制御方法は、ターゲットにレーザ光が照射されることによって生成された極端紫外光の重心位置を制御する方法であって、互いに位置が異なる複数の走査水準に従ってターゲットに対するレーザ光の照射位置を走査して、複数の走査水準のそれぞれで極端紫外光のエネルギを取得する第１ステップと、第１ステップによって取得されたエネルギから、複数の走査水準のそれぞれでの重心位置の評価値を特定する第２ステップと、第１ステップによって取得されたエネルギと、第２ステップによって特定された評価値との少なくとも一方に基づいて、重心位置の目標重心位置を較正する第３ステップと、を備える。 

　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。 
図１は、比較例のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図２は、図１に示されたＥＵＶ光センサの配置を説明するための図を示す。 図３は、図２に示されたＥＵＶ光センサの配置をＸ軸方向の逆方向から視た図を示す。 図４は、第１実施形態に係る制御部によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図５は、図４のステップＳ１において設定される走査水準群の例を示す。 図６は、図４のステップＳ７において作成されるＥＵＶ光のエネルギの分布図の例を示す。 図７は、図４のステップＳ７において作成されるＥＵＶ光の重心位置のＸ軸座標成分における評価値の分布図の例を示す。 図８は、図４のステップＳ７において作成されるＥＵＶ光の重心位置のＹ軸座標成分における評価値の分布図の例を示す。 図９は、図６に示された走査水準Ａを中心としてＸ軸及びＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光センサの計測結果とを示す。 図１０は、図６に示された走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光の重心位置のＸ軸座標成分における評価値とを示す。 図１１は、図６に示された走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光の重心位置のＹ軸座標成分における評価値とを示す。 図１２は、Ｘ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光のエネルギ分布と重心位置の評価値の分布とを示す。 図１３は、Ｙ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光のエネルギ分布と重心位置の評価値の分布とを示す。 図１４は、図６に示された走査水準Ｂを中心としてＸ軸及びＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光センサの計測結果とを示す。 図１５は、図６に示された走査水準Ｂ中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光の重心位置のＸ軸座標成分における評価値とを示す。 図１６は、図６に示された走査水準Ｂを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光の重心位置のＹ軸座標成分における評価値とを示す。 図１７は、走査水準Ｂを中心としＸ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光のエネルギ分布と重心位置の評価値の分布とを示す。 図１８は、走査水準Ｂを中心としＹ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光のエネルギ分布と重心位置の評価値の分布とを示す。 図１９は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置を備えるＥＵＶ光生成システムの構成を説明するための図を示す。 図２０は、第３実施形態に係る制御部によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図２１は、第４実施形態に係る制御部が目標重心位置の較正処理を実行する時期を説明するためのフローチャートを示す。 図２２は、第５実施形態においてなされるＥＵＶ光のバースト発光を説明するための図を示す。 図２３は、第５実施形態において測定されるＥＵＶ光エネルギのばらつき指標の分布図の例を示す。 図２４は、第５実施形態において測定されるＥＵＶ光の重心位置のＸ軸座標成分に関する評価値の分布図の例を示す。 図２５は、第５実施形態において測定されるＥＵＶ光の重心位置のＹ軸座標成分に関する評価値の分布図の例を示す。 図２６は、図２３に示された走査水準Ａを中心としてＸ軸及びＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光エネルギのばらつき指標とを示す。 図２７は、図２３に示された走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光の重心位置のＸ軸座標成分に関する評価値とを示す。 図２８は、図２３に示された走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光の重心位置のＹ軸座標成分に関する評価値とを示す。 図２９は、Ｘ軸に沿った方向に関するＥＵＶ光エネルギのばらつき指標分布及び、ＥＵＶ光重心位置の評価値の分布をそれぞれ曲線に近似させた例を示す。 図３０は、Ｙ軸に沿った方向に関するＥＵＶ光エネルギのばらつき指標分布及び、ＥＵＶ光重心位置の評価値の分布をそれぞれ曲線に近似させた例を示す。 図３１は、第５実施形態における目標重心位置の較正処理を説明するための図を示す。 図３２は、第１実施形態における目標重心位置の較正処理を説明するための図を示す。 図３３は、第６実施形態における目標重心位置の較正処理を説明するための図を示す。 図３４は、第７実施形態における目標重心位置の較正処理を説明するための図を示す。

実施形態

＜内容＞ 
　１．用語の説明 
　２．課題 
　　２．１　比較例の構成 
　　２．２　比較例の動作 
　　２．３　ＥＵＶ光センサ及びＥＵＶ光重心制御 
　　２．４　課題 
　３．第１実施形態 
　　３．１　構成 
　　３．２　動作 
　　３．３　目標重心位置の決定 
　　３．４　作用効果 
　４．第２実施形態 
　５．第３実施形態 
　　５．１　構成 
　　５．２　動作 
　　５．３　作用効果 
　６．第４実施形態 
　７．第５実施形態 
　　７．１　構成 
　　７．２　動作 
　　７．３　作用効果 
　８．第６実施形態 
　９．第７実施形態 
　１０．その他 

　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。 

［１．用語の説明］ 
　「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光を放射する。 
　「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。 
　「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差する。 
　「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。 
　「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれる。 
　「Ｚ軸方向」は、チャンバ内に導入されたレーザ光がプラズマ生成領域に向かって進行する際の当該レーザ光の進行方向である。Ｚ軸方向は、ＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出力する方向と略同一であってもよい。 
　「Ｙ軸方向」は、ターゲット供給器がチャンバ内にターゲットを出力する方向の逆方向である。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。 
　「Ｘ軸方向」は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。 
　ＥＵＶ光生成装置による「バースト発光」とは、ある所定の期間、比較的高い周波数で繰り返しＥＵＶ光を発光することである。上記所定の期間は「バースト発光期間」とも言われる。通常、このバースト発光期間は、所定の休止期間を間に置いて繰り返すように設定される。つまり各バースト発光期間には、高周波数でパルス状に発光する一まとまりのＥＵＶ光が出力される。
　「走査水準」は、ターゲットに対するレーザ光の照射位置内でレーザ光を走査させた際の、相異なる複数の走査位置の各々を指す。

［２．課題］ 
　図１乃至図３を用いて、比較例のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　比較例のＥＵＶ光生成装置１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置である。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられる。 
　ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１ともいう。 

　ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３から出力された少なくとも１つのパルスレーザ光３１をターゲット２７に照射することによって、ターゲット２７のプラズマ２７５を生成する。生成されたプラズマ２７５は、放射光２７６を放射する。放射光２７６は、ＥＵＶ光２７７の他、様々な波長の光を含む。ＥＵＶ光生成装置１は、放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７を捕集して、露光装置９に出力する。 
　このようにして、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２７７を生成し得る。 

　［２．１　比較例の構成］ 
　図１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。 
　比較例のＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、レーザ光集光光学系２２と、ＥＵＶ光集光光学系２３と、接続部２４と、レーザ光伝送光学系３３とを備える。加えて、比較例のＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給器２５と、ステージ２６と、ターゲット回収器２８と、ターゲット検出センサ４１と、ＥＵＶ光センサ４３と、制御部８とを備える。 

　チャンバ２は、内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３１が照射されることで、ターゲット２７からプラズマ２７５が生成され、ＥＵＶ光２７７が生成される容器である。 
　チャンバ２の壁２１１は、チャンバ２の内部空間を形成し、チャンバ２の内部空間を外界から隔絶する。壁２１１には、パルスレーザ光３１をチャンバ２内に導入するためのウインドウ２１５が設けられている。 
　また、チャンバ２は、チャンバ２内にターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２１２を含む。 

　レーザ光伝送光学系３３は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１を、ウインドウ２１５を介してチャンバ２内に導入する光学系である。 
　レーザ光伝送光学系３３は、チャンバ２の外部に配置される。レーザ光伝送光学系３３は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の光路上であって、レーザ装置３とウインドウ２１５との間に配置される。 
　レーザ光伝送光学系３３は、高反射ミラー３３１と、高反射ミラー３３２とを含む。 
　高反射ミラー３３１及び３３２のそれぞれは、それらの位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する不図示のステージに搭載される。高反射ミラー３３１及び３３２を搭載するステージの動作は、制御部８によって制御される。 

　レーザ光集光光学系２２は、ウインドウ２１５を介してチャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に集光する光学系である。 
　レーザ光集光光学系２２は、チャンバ２の内部に配置される。レーザ光集光光学系２２は、ウインドウ２１５を透過したパルスレーザ光３１の光路上であって、ウインドウ２１５とプラズマ生成領域Ｒ１との間に配置される。 
　レーザ光集光光学系２２は、レーザ光集光ミラー２２１と、マニピュレータ２２４とを含む。 

　レーザ光集光ミラー２２１は、ウインドウ２１５を透過したパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に向けて反射する。レーザ光集光ミラー２２１は、反射されたパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に集光する。 
　レーザ光集光ミラー２２１は、マニピュレータ２２４に搭載される。 
　レーザ光集光ミラー２２１は、軸外放物面ミラー２２２及び平面ミラー２２３を用いて構成される。 

　マニピュレータ２２４は、レーザ光集光ミラー２２１の位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する機構である。マニピュレータ２２４は、プラズマ生成領域Ｒ１においてパルスレーザ光３１がターゲット２７に照射されるよう、レーザ光集光ミラー２２１の位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する機構である。 
　マニピュレータ２２４の駆動は、制御部８によって制御される。 
　マニピュレータ２２４は、Ｘ軸及びＹ軸の少なくとも１つに沿った方向において、レーザ光集光ミラー２２１を移動させる機構であってもよい。マニピュレータ２２４は、Ｘ軸及びＹ軸に加えてＺ軸に沿った方向において、レーザ光集光ミラー２２１を移動させる機構であってもよい。マニピュレータ２２４は、レーザ光集光ミラー２２１の位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する機構であるステージであってもよい。 

　ＥＵＶ光集光光学系２３は、放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７を捕集し、中間集光点ＩＦに集光する光学系である。 
　ＥＵＶ光集光光学系２３は、チャンバ２の内部に配置される。 
　ＥＵＶ光集光光学系２３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３１を含む。 

　ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、プラズマ生成領域Ｒ１においてプラズマ２７５から放射された放射光２７６のうちから選択的にＥＵＶ光２７７を反射する。ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、選択的に反射されたＥＵＶ光２７７を、接続部２４内に位置する中間集光点ＩＦに集光する。 
　ＥＵＶ光集光ミラー２３１の反射面は、例えば、モリブデン及びシリコンが交互に積層された多層反射膜によって形成される。ＥＵＶ光集光ミラー２３１の反射面は、例えば、第１及び第２焦点を有する回転楕円面の一部で形成される。 
　ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、第１焦点がプラズマ生成領域Ｒ１に位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置される。 
　ＥＵＶ光集光ミラー２３１の中央部には、貫通孔２３２が形成される。貫通孔２３２は、レーザ光集光ミラー２２１で反射されたパルスレーザ光３１をプラズマ生成領域Ｒ１に向けて通過させるための孔である。 

　接続部２４は、チャンバ２と露光装置９との接続部である。 
　接続部２４は、中間集光点ＩＦに集光されたＥＵＶ光２７７を露光装置９に出力するための不図示のゲートバルブを含む。接続部２４に含まれるゲートバルブは、チャンバ２の内部と露光装置９の内部とを気密的に連通又は隔絶させる。 
　接続部２４の内部には、壁２４１が設けられる。壁２４１には、アパーチャ２４２が形成される。アパーチャ２４２は、中間集光点ＩＦに位置するように形成される。 

　ターゲット供給器２５は、チャンバ２内に供給されるターゲット２７を溶融させ、ドロップレットの形態で、プラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力する機器である。ターゲット供給器２５は、いわゆるコンティニュアスジェット方式でターゲット２７を出力する機器である。 
　ターゲット供給器２５によって供給されるターゲット２７は、金属材料で形成される。ターゲット２７を形成する金属材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含む材料である。好適には、ターゲット２７を形成する金属材料は、スズである。 
　ターゲット供給器２５は、ステージ２６に搭載される。 
　ターゲット供給器２５は、タンク２５１、ノズル２５２、ヒータ２５３、圧力調節器２５４及びピエゾ素子２５５を用いて構成される。 
　ターゲット供給器２５の動作は、制御部８によって制御される。 

　ステージ２６は、ターゲット供給器２５の位置を調節する機構である。ステージ２６は、Ｘ軸及びＺ軸の少なくとも１つに沿った方向において、ターゲット供給器２５を移動させる機構である。 
　ステージ２６は、ターゲット供給器２５から出力されたターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に供給されるよう、ターゲット供給器２５の位置を調節する機構である。 
　ステージ２６の駆動は、制御部８によって制御される。 

　ターゲット回収器２８は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７のうち、パルスレーザ光３１が照射されなかったターゲット２７を回収する機器である。 
　ターゲット回収器２８は、ターゲット軌道Ｑの延長線上にあるチャンバ２の壁２１１に設けられる。 

　ターゲット検出センサ４１は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出するセンサである。 
　ターゲット検出領域Ｒ２は、チャンバ２内の所定領域であって、ターゲット供給器２５とプラズマ生成領域Ｒ１との間にあるターゲット軌道Ｑ上の所定位置に位置する領域である。 
　ターゲット検出センサ４１は、照明部４１０と、検出部４２０とを含む。 

　照明部４１０及び検出部４２０は、それぞれウインドウ２１６及びウインドウ２１７を介して、ターゲット供給路２１２の壁２１１に接続される。 
　照明部４１０及び検出部４２０は、ターゲット軌道Ｑ上のターゲット検出領域Ｒ２を挟んで互いに対向するように配置される。 
　照明部４１０及び検出部４２０は、照明部４１０の照明光軸及び検出部４２０の検出光軸が、図１に示されるように、互いに略同軸でターゲット検出領域Ｒ２を通るように配置される。 
　なお、照明部４１０の照明光軸とは、照明部４１０からターゲット検出領域Ｒ２に向けて出力された照明光の光路軸である。検出部４２０の検出光軸とは、照明部４１０からターゲット検出領域Ｒ２に向けて出力された照明光のうち、検出部４２０によって検出される照明光の光路軸である。 

　照明部４１０は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように、ターゲット検出領域Ｒ２に向けて照明光を出力する。 
　照明部４１０は、光源４１１及び照明光学系４１２を用いて構成される。 

　検出部４２０は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように出力された照明光の光強度を検出することで、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出する。 
　検出部４２０は、光センサ４２１及び受光光学系４２２を用いて構成される。 

　ＥＵＶ光センサ４３は、プラズマ２７５から放射された放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７のエネルギを計測するセンサである。 
　ＥＵＶ光センサ４３は、複数のＥＵＶ光センサ４３から構成される。 
　複数のＥＵＶ光センサ４３のそれぞれは、互いに異なる方向からＥＵＶ光２７７のエネルギを計測し、その計測値を制御部８に送信する。 
　複数のＥＵＶ光センサ４３のそれぞれの動作は、制御部８によって制御される。 
　ＥＵＶ光センサ４３の詳細な構成については、図２及び図３を用いて後述する。 

　制御部８は、外部装置である露光装置９からの各種指令に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１の各構成要素の動作を統括的に制御する。 
　制御部８は、レーザ装置３を制御し、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力を制御する。 
　制御部８は、ターゲット供給器２５を制御し、ターゲット供給器２５からのターゲット２７の出力を制御する。 
　制御部８は、高反射ミラー３３１及び３３２を搭載する不図示のステージを制御し、高反射ミラー３３１及び３３２のそれぞれの位置及び姿勢の少なくとも１つを制御する。 
　制御部８は、マニピュレータ２２４を制御し、レーザ光集光ミラー２２１の位置及び姿勢の少なくとも１つを制御する。それにより、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１におけるパルスレーザ光３１の集光位置を制御する。 
　制御部８は、ステージ２６を制御し、ターゲット供給器２５の位置を制御する。それにより、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置を制御する。 

　なお、制御部８は、プロセッサ等のハードウェアとプログラムモジュール等のソフトウェアとを組み合わせたコンピュータで構成される。制御部８に含まれるソフトウェアによる情報処理は、制御部８に含まれるハードウェアを用いて具体的に実現される。 

　［２．２　比較例の動作］ 
　制御部８は、ターゲット供給器２５を制御し、ターゲット供給器２５からプラズマ生成領域Ｒ１に向けてターゲット２７を出力させる。 
　具体的には、制御部８は、ターゲット供給器２５のヒータ２５３をターゲット２７の融点以上の温度まで加熱させ、ターゲット供給器２５のタンク２５１に収容された固体のターゲット２７を溶融させる。ターゲット２７を形成する金属材料がスズである場合、スズの融点が２３２℃であることから、制御部８は、例えば２５０℃以上２９０℃以下の温度でヒータ２５３を加熱させる。 
　制御部８は、ターゲット供給器２５の圧力調節器２５４を制御して、タンク２５１内のターゲット２７が所定速度で連続的にノズル２５２から出力されるよう、タンク２５１内のターゲット２７に所定圧力を加える。 
　制御部８は、ターゲット供給器２５のピエゾ素子２５５を所定波形で振動させ、連続的に出力されたターゲット２７を所定周期で分断してドロップレット状のターゲット２７を形成し、ノズル２５２から所定周波数で出力させる。 

　チャンバ２内へ出力されたターゲット２７は、ドロップレットの形態でターゲット軌道Ｑ上を進行し、ターゲット検出領域Ｒ２を通過する。ターゲット検出領域Ｒ２を通過したターゲット２７は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給される。 

　ターゲット検出センサ４１は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを検出する。 
　具体的には、照明部４１０の光源４１１は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように、照明光学系４１２を介して、ターゲット検出領域Ｒ２に向けて照明光を出力する。 
　検出部４２０の光センサ４２１は、ターゲット検出領域Ｒ２に出力された照明光を受光光学系４２２を介して検出することで、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出する。光センサ４２１で検出された照明光の光強度は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過する毎に低下し得る。光センサ４２１は、検出された照明光の光強度の変化に応じた出力信号を生成し、制御部８に送信する。 
　なお、光センサ４２１によって検出された照明光の光強度の変化に応じた出力信号を、通過タイミング信号ともいう。 

　制御部８は、ターゲット検出センサ４１から送信された通過タイミング信号を受信する。 
　制御部８は、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングを、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングと判定する。すなわち、制御部８は、ターゲット検出センサ４１の検出結果に基づいて、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを特定する。 
　制御部８は、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングで、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したことを示すターゲット検出信号を生成する。 
　なお、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを、単に、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングともいう。 

　制御部８は、ターゲット検出信号を生成したタイミングから遅延時間Ｔｄだけ遅延したタイミングで、パルスレーザ光３１を出力する契機を与えるトリガ信号をレーザ装置３に送信する。すなわち、制御部８は、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングに遅延時間Ｔｄを付加したタイミングで、レーザ装置３からパルスレーザ光３１を出力させる。 
　遅延時間Ｔｄは、パルスレーザ光３１がプラズマ生成領域Ｒ１に集光されるタイミングを、ターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に供給されるタイミングに略一致させるための時間である。遅延時間Ｔｄは、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３１が照射されるタイミングを規定する。遅延時間Ｔｄは、制御部８に予め記憶されている。 
　なお、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射タイミングを、単に、パルスレーザ光３１の照射タイミングともいう。 

　レーザ装置３は、トリガ信号を受信すると、パルスレーザ光３１を出力する。 

　レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送光学系３３の高反射ミラー３３１及び３３２で反射され、ウインドウ２１５を透過して、チャンバ２内に導入される。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３１は、レーザ光集光光学系２２によってプラズマ生成領域Ｒ１に集光される。プラズマ生成領域Ｒ１に集光されたパルスレーザ光３１は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に照射される。 

　プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７は、パルスレーザ光３１が照射されることによって、プラズマ化し、放射光２７６を放射する。放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７は、ＥＵＶ光集光光学系２３のＥＵＶ光集光ミラー２３１で選択的に反射され、接続部２４の中間集光点ＩＦに集光される。中間集光点ＩＦに集光されたＥＵＶ光２７７は、露光装置９に向かって出力される。 

　［２．３　ＥＵＶ光センサ及びＥＵＶ光重心制御］ 
　図２は、図１に示されたＥＵＶ光センサ４３の配置を説明するための図を示す。図３は、図２に示されたＥＵＶ光センサ４３の配置をＸ軸方向の逆方向から視た図を示す。 
　比較例に係る複数のＥＵＶ光センサ４３は、少なくとも３つのＥＵＶ光センサ４３から構成される。複数のＥＵＶ光センサ４３は、図２及び図３に示されるように、例えばＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃから構成される。 
　複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、互いに異なる方向からプラズマ生成領域Ｒ１と対向するようにチャンバ２の壁２１１に設けられる。複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光集光ミラー２３１によって反射されたＥＵＶ光２７７の光路を遮らないように配置される。複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光集光ミラー２３１の外周縁に沿って配置される。複数のＥＵＶセンサ光４３ａ乃至４３ｃは、プラズマ生成領域Ｒ１においてプラズマ２７５が生成された際にそれらによって計測されるエネルギの差が小さくなるよう、プラズマ生成領域Ｒ１に対して互いに等距離に配置される。 

　複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光２７７の重心位置を評価し易いような位置に配置される。 
　例えば、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃは、図２に示されるような直角二等辺三角形の各頂点にそれぞれ配置される。図２に示された直角二等辺三角形は、その長辺の中点がプラズマ生成領域Ｒ１に位置し、その頂角がＺ軸上に位置し、その２つの短辺がＸ軸及びＹ軸にそれぞれ沿うように配置された直角二等辺三角形である。
　ＥＵＶ光センサ４３ａは、図２に示された直角二等辺三角形のＹ軸に沿った軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。ＥＵＶ光センサ４３ｂは、図２に示された直角二等辺三角形のＸ軸に沿った軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。ＥＵＶ光センサ４３ｃは、図２に示された直角二等辺三角形のＺ軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。 

　ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の重心位置である。すなわち、ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギ分布における加重平均の位置である。具体的には、ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギを複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃで計測して得られた複数の計測値から特定された空間的な位置である。 
　ＥＵＶ光２７７の重心位置は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置を反映する指標である。ＥＵＶ光２７７の重心位置は、パルスレーザ光３１の照射条件がＥＵＶ光２７７の性能を満たすような条件であるかを評価する指標である。ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置となるように制御されることは、パルスレーザ光３１がターゲット２７に適切に照射されることを意味する。目標重心位置は、例えば、プラズマ生成領域Ｒ１における所定位置である。 

　比較例に係る制御部８は、数式１の計算値を、ＥＵＶ光２７７の重心位置におけるＸ軸座標成分を評価する指標を示す評価値として定義する。制御部８は、数式２の計算値を、ＥＵＶ光２７７の重心位置におけるＹ軸座標成分を評価する指標を示す評価値として定義する。なお、この評価値の定義は、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置が、図２に示すＥＵＶ光センサ４３ａ、４３ｂ及び４３ａの各々から等距離の位置にあることを前提とする。

　Ｅ１は、ＥＵＶ光センサ４３ａの計測値である。Ｅ２は、ＥＵＶ光センサ４３ｂの計測値である。Ｅ３は、ＥＵＶ光センサ４３ｃの計測値である。 
　ＥＵＶＣｅｎｔｒｏｉｄ_ｘは、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置におけるＸ軸座標成分と、目標重心位置におけるＸ軸座標成分との偏差を規格化した値である。ＥＵＶＣｅｎｔｒｏｉｄ_ｘは、Ｘ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の偏在性を示す。ＥＵＶＣｅｎｔｒｏｉｄ_ｙは、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置におけるＹ軸座標成分と、目標重心位置におけるＹ軸座標成分との偏差を規格化した値である。ＥＵＶＣｅｎｔｒｏｉｄ_ｙは、Ｙ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の偏在性を示す。 

　制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行可能に構成される。 
　ＥＵＶ光重心制御とは、ＥＵＶ光２７７の生成中に複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの計測結果に基づいてＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置となるようレーザ光集光光学系２２をフィードバック方式で制御することである。 
　具体的には、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御として、次のような処理を実行する機能を備える。 

　制御部８は、ターゲット検出信号を生成したタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれに第１ゲート信号を送信する。 
　第１ゲート信号は、ＥＵＶ光２７７のエネルギを計測する契機を複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれに与える信号である。 
　複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃは、それぞれ第１ゲート信号を受信すると、それぞれＥＵＶ光２７７のエネルギを計測し、その計測値Ｅ１乃至Ｅ３を制御部８に送信する。 
　制御部８は、数式１及び数式２を用いて、ＥＵＶ光２７７の重心位置を評価する。 
　制御部８は、数式１及び数式２のそれぞれの計算値から、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置と目標重心位置との偏差を特定する。 
　制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置となるよう、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置の目標照射位置を設定する。そして、制御部８は、設定された目標照射位置に応じてレーザ光集光光学系２２を制御する。具体的には、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対する現在のパルスレーザ光３１の照射位置と、目標重心位置に応じたパルスレーザ光３１の目標照射位置との偏差を特定する。そして、制御部８は、現在のパルスレーザ光３１の集光位置と、目標照射位置に応じたパルスレーザ光３１の目標集光位置との偏差を特定する。そして、制御部８は、パルスレーザ光３１の集光位置における偏差が無くなるようなマニピュレータ２２４の駆動量を決定する。制御部８は、決定された駆動量に応じてマニピュレータ２２４を駆動させ、パルスレーザ光３１の集光位置を移動させる。 
　それにより、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置を目標照射位置に略一致させ、ＥＵＶ光２７７の重心位置を目標重心位置に略一致させ得る。 

　なお、ＥＵＶ光重心制御において、制御部８は、マニピュレータ２２４の代わりに、高反射ミラー３３１を搭載する上述のステージ及び高反射ミラー３３２を搭載する上述のステージを駆動させることによって、パルスレーザ光３１の集光位置を移動させてもよい。また、制御部８は、パルスレーザ光３１の集光位置の移動量や移動速度に応じて、マニピュレータ２２４、高反射ミラー３３１を搭載する上述のステージ、及び、高反射ミラー３３２を搭載する上述のステージ、の何れかを駆動させてもよい。 

　制御部８がＥＵＶ光重心制御を実行することにより、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係が適切な位置関係となる。すなわち、制御部８がＥＵＶ光重心制御を実行することにより、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置が適切な位置となる。 

　プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係がずれると、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２７７の性能が劣化することがある。 
　ＥＵＶ光２７７の性能を評価する指標は、例えば、ＥＵＶ光２７７のエネルギ又はエネルギ安定性である。ＥＵＶ光２７７の性能が劣化するとは、例えば、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２７７のエネルギ又はエネルギ安定性がそれらの許容範囲から外れることである。ＥＵＶ光２７７のエネルギ安定性とは、ＥＵＶ光２７７のエネルギのばらつきであり、例えば３σで記述される。 

　なお、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置を、単に、パルスレーザ光３１の照射位置ともいう。 
　プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対してパルスレーザ光３１を照射することを、シューティングともいう。 
　プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係がずれることを、シューティングずれともいう。 

　［２．４　課題］ 
　プラズマ２７５から放射された放射光２７６は、プラズマ生成領域Ｒ１を中心として等方的に発散すると考えられる。 
　このため、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの検出感度が略同じである場合、ＥＵＶ光２７７の生成効率の高いシューティング条件においては、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの計測値Ｅ１乃至Ｅ３が、略同じ値となる。この場合、ＥＵＶ光２７７の重心位置を評価する指標である数式１及び数式２のそれぞれの計算値は、略ゼロになる。 
　数式１及び数式２のそれぞれの計算値が略ゼロになることは、ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置に略一致することを意味する。言い換えると、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの検出感度が略同じである場合、数式１及び数式２のそれぞれの計算値に対応した目標重心位置は、ゼロに設定される。 

　一方、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれには個体差があることが多い。このため、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの検出感度には有意な差がある場合がある。この場合、ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置に略一致していたとしても、数式１及び数式２のそれぞれの計算値は略ゼロにならないことがある。 
　また、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光２７７の生成に寄与しないターゲット２７であるデブリによって汚染されることがある。この際、ＥＵＶ光センサ４３の汚染のされ方は、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれによって異なる場合がある。この場合、ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置に略一致していたとしても、数式１及び数式２のそれぞれの計算値は略ゼロにならないことがある。 
　よって、比較例に係る制御部８は、数式１及び数式２の各計算値に対応した目標重心位置を一意的にゼロに設定してＥＵＶ光重心制御を実行しても、パルスレーザ光３１の照射位置が適切な位置とならず、シューティングずれを抑制できないことがある。 

　したがって、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正することでＥＵＶ光重心制御を適切に実行し、シューティングずれを抑制し得る技術が望まれている。 

［３．第１実施形態］ 
　図２乃至図１３を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正する機能を備える。 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。 

　［３．１　構成］ 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、照射位置調節部７を備えてもよい。 
　照射位置調節部７は、パルスレーザ光３１の照射位置を調節する機構である。 
　照射位置調節部７は、図２に示されたレーザ光集光光学系２２を用いて構成される。 
　なお、照射位置調節部７は、ＥＵＶ光重心制御において、マニピュレータ２２４の代わりに、高反射ミラー３３１を搭載する上述のステージ及び高反射ミラー３３２を搭載する上述のステージを駆動させる場合、これらのステージを用いて構成されてもよい。或いは、照射位置調節部７は、高反射ミラー３３１及び３３２を搭載するこれらのステージと、レーザ光集光光学系２２とを用いて構成されてもよい。 
　照射位置調節部７の動作は、制御部８によって制御される。 

　第１実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行するにあたって、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正する機能を含む。 
　具体的には、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行するにあたって、互いに位置が異なる複数の走査水準を含む走査水準群に従ってパルスレーザ光３１の照射位置が走査されるよう照射位置調節部７を制御する。そして、制御部８は、複数の走査水準のそれぞれでＥＵＶ光センサ４３の計測結果を取得する。そして、制御部８は、取得されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果から、複数の走査水準のそれぞれでのＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値を特定する。そして、制御部８は、取得されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果と、特定された重心位置の評価値とに基づいて、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正する。 

　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様である。 

　［３．２　動作］ 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。具体的には、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正する際に、第１実施形態に係る制御部８が実行する処理について説明する。なお、この「重心位置における目標重心位置」とは、言い換えれば、重心位置の目標値である。
　ＥＵＶ光重心制御を実行するにあたって、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正するために制御部８が実行する処理を、単に、目標重心位置の較正処理ともいう。 

　図４は、第１実施形態に係る制御部８によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するためのフローチャートを示す。図５は、図４のステップＳ１において設定される走査水準群の例を示す。図６は、図４のステップＳ７において作成されるＥＵＶ光２７７のエネルギの分布図の例を示す。図７は、図４のステップＳ７において作成されるＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値の分布図の例を示す。図８は、図４のステップＳ７において作成されるＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値の分布図の例を示す。 
　制御部８が目標重心位置の較正処理を実行する時期については、図２１を用いて後述する。 

　ステップＳ１において、制御部８は、走査水準群を設定する。 
　制御部８は、パルスレーザ光３１の照射位置がプラズマ生成領域Ｒ１に交差するＸＹ平面上で走査されるよう照射位置調節部７を制御する。そして、制御部８は、走査毎にＥＵＶ光センサ４３の計測結果を取得する。 
　パルスレーザ光３１のプラズマ生成領域Ｒ１におけるレイリー長は、１００μｍ以上１０００μｍ以下である。このため、パルスレーザ光３１の照射位置がＺ軸方向に走査されても、取得される計測結果の走査毎での変化量は小さくなり得る。言い換えると、パルスレーザ光３１の照射位置をＺ軸方向において走査させても、ＥＵＶ光重心制御には大きな影響を及ぼさない。よって、制御部８は、照射位置調節部７に、プラズマ生成領域Ｒ１に交差するＸＹ平面上でパルスレーザ光３１の照射位置を走査させる。なお、ＸＹ平面は、プラズマ生成領域Ｒ１に向かって進行するパルスレーザ光３１の進行方向に垂直な平面である。 

　制御部８は、パルスレーザ光３１の照射位置を走査させる場合、図５に示されるような、互いに位置が異なる複数の走査水準を含む走査水準群に従って走査させる。すなわち、走査水準群に含まれる複数の走査水準のそれぞれは、パルスレーザ光３１の照射位置が走査される位置である。図５の矢印は、走査水準の進行順番を示している。 
　走査水準群は、図５に示されるように、現在の照射位置を中心としてマトリックス状に配列されたテーブルを用いて作成される。走査水準群に含まれる複数の走査水準は、プラズマ生成領域Ｒ１に交差するＸＹ平面上においてＸ軸及びＹ軸に沿って配列された複数の位置を示す。 
　走査水準群は、走査幅Ｒ及び間隔Ｓによって決定される。走査幅Ｒは、走査水準群全体が示す走査範囲のＸ軸及びＹ軸に沿った方向における各幅である。間隔Ｓは、複数の走査水準のそれぞれの走査間隔である。 
　走査幅Ｒは、プラズマ生成領域Ｒ１におけるパルスレーザ光３１の照射径Ｄに応じて決定される。照射径Ｄは、予め実験又はシミュレーション等により決定される。或いは、照射径Ｄは、レーザ光集光光学系２２又はレーザ光伝送光学系３３に含まれる光学素子の配置角度等から推定されてもよい。走査幅Ｒは、例えば、（１／３）Ｄ以上（２／３）Ｄ以下の範囲に含まれる長さである。走査幅Ｒは、例えば（２／３）Ｄである。 
　間隔Ｓは、（Ｒ／Ｎ）から算出される。Ｎは、走査幅ＲをＸ軸及びＹ軸に沿った方向においてそれぞれ複数の走査水準に分割する場合の分割数である。すなわち、分割数がＮである場合、Ｘ軸及びＹ軸方向における走査水準の数は、それぞれＮ＋１となる。分割数Ｎは、例えば２以上６以下の自然数である。 
　具体例を挙げると、照射径Ｄは、例えば１２０μｍである。走査幅Ｒは、照射径Ｄが１２０μｍである場合、例えば８０μｍである。分割数Ｎは、図５に示されるように、例えば６である。間隔Ｓは、走査幅Ｒが８０μｍであると共に分割数Ｎが６である場合、例えば１３μｍである。 
　なお、走査幅Ｒは、パルスレーザ光３１のビームウエスト部分におけるビーム径であるパルスレーザ光３１のスポット径に応じて決定されてもよい。この場合、走査幅Ｒは、上述の照射径Ｄをパルスレーザ光３１のスポット径に置き換えることで決定される。 

　制御部８は、予め複数の走査水準群を保持し、パルスレーザ光３１の照射条件及び照射径Ｄに応じて読み込んでもよい。或いは、制御部８は、パルスレーザ光３１の照射条件及び照射径Ｄに応じて走査水準群を作成してもよい。そして、制御部８は、読み込まれた走査水準群、又は、作成された走査水準群を設定する。 

　ステップＳ２において、制御部８は、設定された走査水準群に従ってパルスレーザ光３１の照射位置が走査されるよう、照射位置調節部７を制御する。 

　ステップＳ３において、制御部８は、トリガ信号をレーザ装置３に送信し、パルスレーザ光３１をターゲット２７に照射させる。ＥＵＶ光２７７が生成される。 

　ステップＳ４において、制御部８は、ＥＵＶ光センサ４３の計測結果を取得する。 
　具体的には、制御部８は、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれから送信された複数の計測値に統計処理を施し、ＥＵＶ光２７７のエネルギを取得する。ＥＵＶ光２７７のエネルギは、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれから送信された複数の計測値の平均値であってもよい。 
　制御部８は、ＥＵＶ光２７７のエネルギを、ＥＵＶセンサ４３の計測結果として取得し、現在の走査水準に対応付けて記憶する。 
　なお、制御部８は、ＥＵＶ光２７７のエネルギだけに加えて、ＥＵＶ光２７７のエネルギのばらつきを、ＥＵＶセンサ４３の計測結果として取得してもよい。ＥＵＶ光２７７のエネルギのばらつきは、例えば３σであってもよい。 

　ステップＳ５において、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値を特定する。 
　具体的には、制御部８は、ステップＳ４において取得されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果から、数式１及び数式２を計算する。そして、制御部８は、数式１の計算値を、ＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値として特定する。制御部８は、数式２の計算値を、ＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値として特定する。そして、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値として特定された数式１及び数式２のそれぞれの計算値を、現在の走査水準に対応付けて記憶する。 

　ステップＳ６において、制御部８は、設定された走査水準群に含まれる複数の走査水準の全てが走査されたか否かを判定する。 
　制御部８は、全ての走査水準が走査されていなければ、ステップＳ２に移行する。一方、制御部８は、全ての走査水準が走査されたならば、ステップＳ７に移行する。 

　ステップＳ７において、制御部８は、各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果に基づいて、図６に示されるようなＥＵＶ光２７７のエネルギの分布図を作成する。加えて、制御部８は、各走査水準に対応付けて記憶された数式１の計算値に基づいて、図７に示されるようなＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値の分布図を作成する。加えて、制御部８は、各走査水準に対応付けて記憶された数式２の計算値に基づいて、図８に示されるようなＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値の分布図を作成する。 

　ステップＳ８において、制御部８は、ステップＳ７において作成された各分布図に基づいて、目標重心位置を決定する。 
　制御部８が目標重心位置を決定する処理については、図６乃至図１３を用いて後述する。 

　ステップＳ９において、制御部８は、ステップＳ８において決定された目標重心位置を新たな目標重心位置に設定する。そして、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御に移行する。 
　制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置が新たな目標重心位置となるよう、パルスレーザ光３１の照射位置の目標照射位置を設定する。そして、制御部８は、設定された目標照射位置に応じて照射位置調節部７を制御する。 

　具体的には、制御部８は、現在のパルスレーザ光３１の照射位置と、新たな目標重心位置に応じたパルスレーザ光３１の新たな目標照射位置との偏差を特定する。 
　そして、制御部８は、現在のパルスレーザ光３１の集光位置と、新たな目標照射位置に応じたパルスレーザ光３１の新たな目標集光位置との偏差を特定する。そして、制御部８は、パルスレーザ光３１の集光位置における偏差が無くなるような照射位置調節部７の調節量を決定する。 
　或いは、制御部８は、パルスレーザ光３１の照射位置における偏差と、照射位置調節部７の調節量との対応関係を示すテーブルを予め保持している。そして、制御部８は、このテーブルを参照することで、パルスレーザ光３１の照射位置における偏差が無くなるような照射位置調節部７の調節量を決定する。また、制御部８は、パルスレーザ光３１の照射位置における偏差と照射位置調節部７の調節量との対応関係が定義された関数を予め保持していてもよい。そして、制御部８は、この関数を計算することで、パルスレーザ光３１の照射位置における偏差が無くなるような照射位置調節部７の調節量を決定してもよい。 
　そして、制御部８は、決定された調節量に応じて照射位置調節部７を制御し、パルスレーザ光３１の集光位置を移動させる。それにより、制御部８は、パルスレーザ光３１の照射位置を新たな目標照射位置に略一致させ、ＥＵＶ光２７７の重心位置を新たな目標重心位置に略一致させ得る。 
　このようにして、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行するにあたって、その都度、目標重心位置を較正し得る。 

　［３．３　目標重心位置の決定］ 
　図６乃至図１３を用いて、図４のステップＳ８において制御部８が目標重心位置を決定する処理について説明する。 
　図９は、図６に示された走査水準Ａを中心としてＸ軸及びＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果とを示す。図１０は、図６に示された走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値とを示す。図１１は、図６に示された走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値とを示す。図１２は、Ｘ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７のエネルギ分布と重心位置の評価値の分布とを示す。図１３は、Ｙ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７のエネルギ分布と重心位置の評価値の分布とを示す。 
　制御部８は、図４のステップＳ７において作成された分布図に基づいて次のような処理を行うことによって、目標重心位置を決定する。 

　具体的には、制御部８は、図６に示されるように、設定された走査水準群に含まれる複数の走査水準のそれぞれで取得されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果のうちで、ＥＵＶ光２７７のエネルギが所定範囲内にある走査水準の範囲Ｋを特定する。所定範囲は、例えば、ＥＵＶ光２７７のエネルギが上位１０％以内にある範囲である。 
　続いて、制御部８は、特定された範囲Ｋ内にある各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光センサ４３の各計測結果についての加重平均値を計算する。そして、制御部８は、図６に示されるように、この加重平均値に最も近いＥＵＶ光センサ４３の計測結果が取得された走査水準Ａを特定する。 
　続いて、制御部８は、図９に示されるように、特定された走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、特定された走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準とを特定する。 

　続いて、制御部８は、図１０に示されるように、走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値を特定する。加えて、制御部８は、図１１に示されるように、走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値を特定する。 
　そして、制御部８は、図１２の実線で示されるように、図１０のように特定された評価値から、走査水準Ａを中心としＸ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の分布を求める。加えて、制御部８は、図１３の実線で示されるように、図１１のように特定された評価値から、走査水準Ａを中心としＹ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の分布を求める。 

　ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の各分布は、それぞれ図１２及び図１３の実線で示されるように、走査水準Ａ及びその付近の位置においてそれぞれ線形的に変化し、走査水準Ａから離れた位置においてそれぞれ非線形的に変化する。ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の分布が非線形的に変化する部分は、パルスレーザ光３１の照射位置が適切な位置から外れ、比較的大きなシューティングずれが発生する照射位置と考えられる。 
　そこで、制御部８は、図１２及び図１３の各破線で示されるように、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の各分布を、それぞれ３次関数でフィッティングする。そして、制御部８は、フィッティングされたそれぞれの３次関数が示す３次曲線における各変曲点に対応する位置を、目標重心位置に決定する。すなわち、制御部８は、図１２の破線で示された３次曲線の変曲点に対応する位置を、目標重心位置のＸ軸座標成分に決定する。制御部８は、図１３の破線で示された３次曲線の変曲点に対応する位置を、目標重心位置のＹ軸座標成分に決定する。 
　或いは、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の各分布を、それぞれ１次関数でフィッティングしてもよい。そして、制御部８は、フィッティングされたそれぞれの１次関数が示す線分における各中点に対応する位置を、目標重心位置のＸ軸及びＹ軸座標成分に決定してもよい。 
　或いは、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の各分布における最大値及び最小値を特定してもよい。そして、制御部８は、特定されたそれぞれの最大値及び最小値における各平均値に対応する位置を、目標重心位置のＸ軸及びＹ軸座標成分に決定してもよい。 

　また、制御部８は、図９に示されるように、走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果を特定する。加えて、制御部８は、図９に示されるように、走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果を特定する。 
　そして、制御部８は、図１２の太い一点鎖線で示されるように、図９のように特定されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果から、走査水準Ａを中心としＸ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７のエネルギ分布を求める。加えて、制御部８は、図１３の太い一点鎖線で示されるように、図９のように特定されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果から、走査水準Ａを中心としＹ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７のエネルギ分布を求める。 
　そして、制御部８は、図１２及び図１３のそれぞれの細い一点鎖線で示されるように、ＥＵＶ光２７７の各エネルギ分布を、それぞれ２次関数又はガウス関数でフィッティングする。 

　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様である。 

　［３．４　作用効果］ 
　第１実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行するにあたって、その都度、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正し得る。すなわち、制御部８は、検出感度や汚染のされ方等の影響でＥＵＶ光センサ４３の計測精度が安定していなくても、その計測精度を考慮した最適な位置に目標重心位置を較正し得る。 
　それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、適切なＥＵＶ光重心制御を恒常的に実行し得るため、パルスレーザ光３１の照射位置を適切な位置に制御し得る。 
　その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、シューティングずれを抑制し得るため、ＥＵＶ光２７７の性能劣化を抑制し得る。 

［４．第２実施形態］ 
　図６乃至図８及び図１４乃至図１８を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備える。 
　但し、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を決定する処理に関する制御部８の動作が異なる。 
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。 

　図１４は、図６に示された走査水準Ｂを中心としてＸ軸及びＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果とを示す。図１５は、図６に示された走査水準Ｂ中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値とを示す。図１６は、図６に示された走査水準Ｂを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値とを示す。図１７は、走査水準Ｂを中心としＸ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７のエネルギ分布と重心位置の評価値の分布とを示す。図１８は、走査水準Ｂを中心としＹ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７のエネルギ分布と重心位置の評価値の分布とを示す。 

　第２実施形態に係る制御部８は、図４のステップＳ７において作成された分布図に基づいて次のような処理を行うことによって、目標重心位置を決定する。

　具体的には、制御部８は、図６に示されるように、設定された走査水準群に含まれる複数の走査水準のそれぞれで取得されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果のうちで、ＥＵＶ光２７７のエネルギが最大である走査水準Ｂを特定する。 
　続いて、制御部８は、図１４に示されるように、特定された走査水準Ｂを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、特定された走査水準Ｂを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準とを特定する。 

　続いて、制御部８は、図１５に示されるように、走査水準Ｂを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値を特定する。加えて、制御部８は、図１６に示されるように、走査水準Ｂを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値を特定する。 
　そして、制御部８は、図１７の実線で示されるように、図１５のように特定された評価値から、走査水準Ｂを中心としＸ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の分布を求める。加えて、制御部８は、図１８の実線で示されるように、図１６のように特定された評価値から、走査水準Ｂを中心としＹ軸に沿った方向においてのＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の分布を求める。 

　第２実施形態に係る制御部８は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の各分布を、図１７及び図１８の各破線で示されるように、それぞれ３次関数でフィッティングする。そして、制御部８は、フィッティングされたそれぞれの３次関数が示す３次曲線における各変曲点に対応する位置を、目標重心位置に決定する。 
　或いは、制御部８は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の各分布を、それぞれ１次関数でフィッティングしてもよい。そして、制御部８は、フィッティングされたそれぞれの１次関数が示す線分における各中点に対応する位置を、目標重心位置に決定してもよい。 
　或いは、制御部８は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の各分布における最大値及び最小値を特定してもよい。そして、制御部８は、特定されたそれぞれの最大値及び最小値における各平均値に対応する位置を、目標重心位置に決定してもよい。 

　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。 

　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を都度較正し、適切なＥＵＶ光重心制御を恒常的に実行し得る。 
　その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様に、シューティングずれを抑制し、ＥＵＶ光２７７の性能劣化を抑制し得る。 

［５．第３実施形態］ 
　図１９及び図２０を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、プラズマ生成領域Ｒ１に供給された１つのターゲット２７に対して複数のパルスレーザ光３１が照射される。そのために、第３実施形態に係るレーザ装置３は、第１又は第２実施形態に係るレーザ装置３と異なる構成を備える。 
　更に、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１又は第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、レーザ光伝送光学系３３及び照射位置調節部７の構成が異なると共に、遅延回路８１が追加された構成を備える。 
　また、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１又は第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、目標重心位置の較正処理に関する制御部８の動作が異なる。 
　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第１又は第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。 

　［５．１　構成］ 
　図１９は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を備えるＥＵＶ光生成システム１１の構成を説明するための図を示す。 
　第３実施形態に係るレーザ装置３は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給された１つのターゲット２７を照射するために複数のパルスレーザ光を出力する。レーザ装置３は、この複数のパルスレーザ光として、例えば、第１プリパルスレーザ光３１ｂ、第２プリパルスレーザ光３１ｃ及びメインパルスレーザ光３１ａの３つのパルスレーザ光をこの順番で出力する。 
　レーザ装置３は、メインパルスレーザ装置３ａと、第１プリパルスレーザ装置３ｂと、第２プリパルスレーザ装置３ｃとを備える。 

　メインパルスレーザ装置３ａは、メインパルスレーザ光３１ａを出力するレーザ装置３である。メインパルスレーザ装置３ａは、ＣＯ_２レーザ装置等のガスレーザ装置である。 
　メインパルスレーザ光３１ａは、プラズマ２７５を生成してＥＵＶ光２７７を生成するためにターゲット２７に照射されるレーザ光である。 

　第１及び第２プリパルスレーザ装置３ｂ及び３ｃは、それぞれ、第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃを出力するレーザ装置３である。第１及び第２プリパルスレーザ装置３ｂ及び３ｃのそれぞれは、ＹＡＧレーザ装置等の固体レーザ装置である。 
　第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃのそれぞれは、メインパルスレーザ光３１ａがターゲット２７に照射される前段階として、ターゲット２７に照射されるレーザ光である。 
　第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃの波長は、互いに異なってもよい。 
　なお、第１プリパルスレーザ光３１ｂ、第２プリパルスレーザ光３１ｃ及びメインパルスレーザ光３１ａを総称して、パルスレーザ光３１ともいう。 

　第３実施形態に係るレーザ光伝送光学系３３は、高反射ミラー３４１と、ミラー３４２と、第１ミラー光学系３４３と、ビームコンバイナ３５１とを含む。 

　高反射ミラー３４１は、メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａをビームコンバイナ３５１に向けて反射するミラーである。 

　ミラー３４２は、第１プリパルスレーザ装置３ｂから出力された第１プリパルスレーザ光３１ｂをビームコンバイナ３５１に向けて反射するミラーである。加えて、ミラー３４２は、第１ミラー光学系３４３で反射された第２プリパルスレーザ光３１ｃをビームコンバイナ３５１に向けて透過させるミラーである。 

　第１ミラー光学系３４３は、第２プリパルスレーザ装置３ｃから出力された第２プリパルスレーザ光３１ｃを、第１プリパルスレーザ光３１ｂと略同一の光路軸でビームコンバイナ３５１に導入する光学系である。 
　第１ミラー光学系３４３は、レーザ光集光光学系２２に入射する前の第２プリパルスレーザ光３１ｃの光路上に配置される。 
　第１ミラー光学系３４３は、高反射ミラー３４４と、ステージ３４５とを含む。 
　高反射ミラー３４４は、第２プリパルスレーザ装置３ｃから出力された第２プリパルスレーザ光３１ｃを、ミラー３４２を介して、ビームコンバイナ３５１に向けて反射するミラーである。 
　高反射ミラー３４４は、ステージ３４５に搭載される。 
　ステージ３４５は、高反射ミラー３４４の位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する機構である。ステージ３４５は、高反射ミラー３４４で反射された第２プリパルスレーザ光３１ｃの光路軸が、ミラー３４２で反射された第１プリパルスレーザ光３１ｂの光路軸と略同一となるよう、高反射ミラー３４４の位置及び姿勢を調節する機構である。 
　ステージ３４５の駆動は、制御部８によって制御される。 

　ビームコンバイナ３５１は、第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃとメインパルスレーザ光３１ａとを略同一の光路軸に結合してチャンバ２内に導入する光学系である。 
　ビームコンバイナ３５１は、ダイクロイックミラー３５２と、第２ミラー光学系３５３とを含む。 
　ダイクロイックミラー３５２は、ミラー３４２で反射された第１プリパルスレーザ光３１ｂ及びミラー３４２を透過した第２プリパルスレーザ光３１ｃを、ウインドウ２１５に向けて反射するミラーである。ダイクロイックミラー３５２は、第２ミラー光学系３５３で反射されたメインパルスレーザ光３１ａをウインドウ２１５に向けて透過させるミラーである。 
　第２ミラー光学系３５３は、高反射ミラー３４１で反射されたメインパルスレーザ光３１ａを、ダイクロイックミラー３５２で反射された第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃと略同一の光路軸でチャンバ２内に導入する光学系である。 
　第２ミラー光学系３５３は、レーザ光集光光学系２２に入射する前のメインパルスレーザ光３１ａの光路上に配置される。 
　第２ミラー光学系３５３は、高反射ミラー３５４と、ステージ３５５とを含む。 
　高反射ミラー３５４は、高反射ミラー３４１で反射されたメインパルスレーザ光３１ａを、ダイクロイックミラー３５２を介して、ウインドウ２１５に向けて反射するミラーである。 
　高反射ミラー３５４は、ステージ３５５に搭載される。 
　ステージ３５５は、高反射ミラー３５４の位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する機構である。ステージ３５５は、高反射ミラー３５４で反射されたメインパルスレーザ光３１ａの光路軸が、ダイクロイックミラー３５２で反射された第１プリパルスレーザ光３１ｂの光路軸と略同一となるよう、高反射ミラー３５４の位置及び姿勢を調節する機構である。 
　ステージ３５５の駆動は、制御部８によって制御される。 

　第３実施形態に係る照射位置調節部７は、第１実施形態と同様に、レーザ光集光光学系２２を用いて構成される。或いは、照射位置調節部７は、第１及び第２ミラー光学系３４３及び３５３を用いて構成される。或いは、照射位置調節部７は、第１及び第２ミラー光学系３４３及び３５３と、レーザ光集光光学系２２とを用いて構成される。 

　第３実施形態に係る遅延回路８１は、制御部８によって設定された遅延時間に応じて、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力タイミングを調節する回路である。 

　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、第１又は第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。 

　［５．２　動作］ 
　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。 
　まず、第３実施形態に係るレーザ装置３の動作を制御する制御部８及び遅延回路８１の動作について説明する。 
　第３実施形態に係る制御部８は、遅延時間Ｔｄ１乃至Ｔｄ３を遅延回路８１に設定する。 
　遅延時間Ｔｄ１は、第１プリパルスレーザ光３１ｂがプラズマ生成領域Ｒ１に集光されるタイミングを、ターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に供給されるタイミングに略一致させるための時間である。 
　遅延時間Ｔｄ２は、第２プリパルスレーザ光３１ｃがプラズマ生成領域Ｒ１に集光されるタイミングを、第１プリパルスレーザ光３１ｂが照射されたターゲット２７が適切に拡散するタイミングに略一致させるための時間である。 
　遅延時間Ｔｄ３は、メインパルスレーザ光３１ａがプラズマ生成領域Ｒ１に集光されるタイミングを、第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射されたターゲット２７が適切に拡散するタイミングに略一致させるための時間である。 

　制御部８は、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングで生成されたターゲット検出信号を、そのまま遅延回路８１に送信する。 

　遅延回路８１は、ターゲット検出信号を受信したタイミングから遅延時間Ｔｄ１だけ遅延したタイミングで、第１プリパルスレーザ光３１ｂを出力する契機を与える第１トリガ信号を第１プリパルスレーザ装置３ｂに送信する。すなわち、遅延回路８１は、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングに遅延時間Ｔｄ１を付加したタイミングで、第１プリパルスレーザ装置３ｂから第１プリパルスレーザ光３１ｂを出力させる。 
　それにより、第１プリパルスレーザ装置３ｂから出力された第１プリパルスレーザ光３１ｂは、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に照射される。第１プリパルスレーザ光３１ｂが照射されたターゲット２７は、マイクロドロップレット及びクラスタ等の微粒子がミスト状に拡散した状態となる。 

　遅延回路８１は、第１プリパルスレーザ光３１ｂと同様に、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングに遅延時間Ｔｄ２を付加したタイミングで、第２プリパルスレーザ装置３ｃから第２プリパルスレーザ光３１ｃを出力させる。 
　それにより、第２プリパルスレーザ装置３ｃから出力された第２プリパルスレーザ光３１ｃは、第１プリパルスレーザ光３１ｂが照射され適切に拡散したターゲット２７に照射される。第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射されたターゲット２７は、更に微細になった微粒子と、ターゲット２７の蒸気とを含んで拡散した状態となる。第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射されたターゲット２７は、ターゲット２７の一部がプラズマ化してイオン又は中性粒子を含むプリプラズマを含んた状態であってもよい。 

　遅延回路８１は、第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｂ及び３１ｃと同様に、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングに遅延時間Ｔｄ３を付加したタイミングで、メインパルスレーザ装置３ａからメインパルスレーザ光３１ａを出力させる。 
　それにより、メインパルスレーザ装置３ａから出力されたメインパルスレーザ光３１ａは、第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射され適切に拡散したターゲット２７に照射される。メインパルスレーザ光３１ａが照射されたターゲット２７は、プラズマ化して、ＥＵＶ光２７７を含む放射光２７６を放射する。 
　第２プリパルスレーザ光３１ｃが照射されたターゲット２７に対するメインパルスレーザ光３１ａの照射は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するメインパルスレーザ光３１ａの照射に比べて、ＥＵＶ光２７７の生成効率を高め得る。 

　続いて、図２０を用いて、第３実施形態に係る制御部８が実行する目標重心位置の較正処理について説明する。 
　図２０は、第３実施形態に係る制御部８によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するためのフローチャートを示す。 

　ステップＳ１１において、制御部８は、図４に示されたステップＳ１と同様の処理を実行する。 

　ステップＳ１２において、制御部８は、設定された走査水準群に従って、第１及び第２プリパルス並びにメインパルスレーザ光３１ａ乃至３１ｃの照射位置が走査されるよう、照射位置調節部７を制御する。 
　具体的には、制御部８は、第１及び第２プリパルス並びにメインパルスレーザ光３１ａ乃至３１ｃの照射位置が走査されるよう、レーザ光集光光学系２２を制御する。この際、制御部８は、レーザ光集光光学系２２に加えて、第１及び第２ミラー光学系３４３及び３５３を制御してもよい。 

　ステップＳ１３において、制御部８は、第１乃至第３トリガ信号を第１及び第２プリパルス並びにメインパルスレーザ装置３ａ乃至３ｃにそれぞれ送信し、第１及び第２プリパルス並びにメインパルスレーザ光３１ａ乃至３１ｃをターゲット２７に照射させる。 

　ステップＳ１４乃至Ｓ１９において、制御部８は、図４に示されたステップＳ４乃至Ｓ９と同様の処理を実行する。 

　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第１又は第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。 

　［５．３　作用効果］ 
　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３１が複数のパルスレーザ光から構成されていても、第１又は第２実施形態と同様に、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を都度較正し、適切なＥＵＶ光重心制御を恒常的に実行し得る。 
　その結果、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１又は第２実施形態と同様に、シューティングずれを抑制し、ＥＵＶ光２７７の性能劣化を抑制し得る。 

［６．第４実施形態］ 
　図２１を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。 
　第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１、第２又は第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備える。 
　第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１、第２又は第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、目標重心位置の較正処理に関する制御部８の動作が異なる。 
　第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第１、第２又は第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。 

　第４実施形態に係る制御部８は、第１、第２又は第３実施形態と同様に、ＥＵＶ光重心制御を実行する。 
　第４実施形態に係る制御部８は、所定事象が発生した際に、目標重心位置の較正処理を実行する。すなわち、制御部８が目標重心位置の較正処理を実行する時期は、所定事象が発生した際である。 
　所定事象とは、ＥＵＶ光生成装置１が起動すること、ＥＵＶ光２７７が所定パルス数だけ生成されたこと、ＥＵＶ光２７７の性能が劣化したこと、及び、ＥＵＶ光生成装置１が起動してから所定時間だけ経過したこと、のうちの少なくとも１つの事象である。 
　所定パルス数は、例えば、０．５Ｂｐｌｓ（Billion pulse）以上５Ｂｐｌｓ以下の範囲に含まれるパルス数である。所定パルス数は、例えば０．５Ｂｐｌｓである。所定時間は、例えば１日である。ＥＵＶ光２７７の性能は、上述のように、ＥＵＶ光２７７のエネルギ及びＥＵＶ光２７７のエネルギのばらつきの少なくとも１つである。 

　図２１は、第４実施形態に係る制御部８が目標重心位置の較正処理を実行する時期を説明するためのフローチャートを示す。 
　図２１には、上述の所定事象のうち、ＥＵＶ光生成装置１が起動すること、及び、ＥＵＶ光２７７が所定パルス数だけ生成されたことの２つの事象が発生した際に、制御部８が目標重心位置の較正処理を実行することが代表して示されている。 
　制御部８は、ＥＵＶ光生成装置１が起動する際、以下の処理を行う。 

　ステップＳ２１において、制御部８は、目標重心位置の較正処理を実行する旨を露光装置９に通知する。 

　ステップＳ２２において、制御部８は、目標重心位置の較正処理を実行する。 
　目標重心位置の較正処理の内容については、第１、第２又は第３実施形態に係る較正処理と同様の処理である。 
　すなわち、制御部８は、互いに位置が異なる複数の走査水準に従ってパルスレーザ光３１の照射位置を走査して、複数の走査水準のそれぞれでＥＵＶ光センサ４３の計測結果を取得する。続いて、制御部８は、取得されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果から、複数の走査水準のそれぞれでのＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値を特定する。続いて、制御部８は、取得されたＥＵＶ光センサ４３の計測結果と、特定された重心位置の評価値とに基づいて、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正する。 

　ステップＳ２３において、制御部８は、目標重心位置の較正処理が終了した旨を露光装置９に通知する。 

　ステップＳ２４において、制御部８は、生成されたＥＵＶ光２７７のパルス数をカウントする。 
　制御部８は、例えば、ターゲット検出信号を生成した回数をカウントすることによって、ＥＵＶ光２７７のパルス数をカウントする。或いは、制御部８は、例えば、ＥＵＶ光センサ４３の計測結果を取得した回数をカウントすることにとって、ＥＵＶ光２７７のパルス数をカウントしてもよい。 

　ステップＳ２５において、制御部８は、ＥＵＶ光２７７が所定パルス数だけ生成されたか否かを判定する。 
　所定パルス数は、上述のように、例えば、０．５Ｂｐｌｓ（Billion pulse）以上５Ｂｐｌｓ以下の範囲に含まれるパルス数である。所定パルス数は、例えば０．５Ｂｐｌｓである。 
　制御部８は、ＥＵＶ光２７７が所定パルス数だけ生成されていなければ、ステップＳ２４に移行する。一方、制御部８は、ＥＵＶ光２７７が所定パルス数だけ生成されたならば、ステップＳ２１に移行する。 

　制御部８は、上述の所定事象のうちの他の事象が発生した際も、図２１と同様に目標重心位置の較正処理を実行し得る。 
　例えば、ＥＵＶ光２７７の性能が劣化した際に目標重心位置の較正処理を実行する場合には、制御部８は、ステップＳ２４において、ＥＵＶ光センサ４３の計測結果を取得する処理を実行すればよい。そして、制御部８は、ステップＳ２５において、ＥＵＶ光２７７のエネルギ及びＥＵＶ光２７７のエネルギのばらつきの少なくとも１つが許容範囲から外れたか否かを判定する処理を実行すればよい。 
　また、ＥＵＶ光生成装置１が起動してから所定時間だけ経過した際に目標重心位置の較正処理を実行する場合には、制御部８は、ステップＳ２４においてＥＵＶ光生成装置１の起動時からの経過時間をカウントする処理を実行すればよい。そして、制御部８は、ステップＳ２５において、この経過時間が所定時間に達したか否かを判定する処理を実行すればよい。 

　第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第１、第２又は第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。 

　第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１、第２又は第３実施形態と同様に、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を都度較正し、適切なＥＵＶ光重心制御を恒常的に実行し得る。 
　その結果、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１、第２又は第３実施形態と同様に、シューティングずれを抑制し、ＥＵＶ光２７７の性能劣化を抑制し得る。 

［７．第５実施形態］ 
　次に図２２乃至図３１を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。なお、この第５実施形態、並びに後述する第６実施形態及び第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１においては、ＥＵＶ光２７７はバースト発光する。

　［７．１　構成］ 
　第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２７７をバースト発光させるために、図１に示されるレーザ装置３として、所定の高周波数でパルスレーザ光３１を発生し得るレーザ装置が用いられる。また第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１においては、ＥＵＶ光２７７の重心位置を求める処理、および目標重心位置の較正処理が第１乃至第４実施形態における各処理と異なっている。制御部８は、これらの異なる処理を行い得る構成を備える。以上述べた３つの点以外、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、基本的に第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様に構成されてもよい。また、この第５実施形態、並びに後述する第６実施形態及び第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１においては、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様に、プリパルスによるターゲット照射を行う構成が適用されてもよい。

　［７．２　動作］
　図２２は、この第５実施形態、並びに後述する第６実施形態及び第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１においてなされるバースト発光の様子を概略的に示している。この図２２に示される通り、「バースト１」、「バースト２」、「バースト３」・・・として示される各バースト発光期間は、所定の休止期間を間に置いて繰り返す。各バースト発光期間の縦線は、例えば図１に示されるＥＵＶ光２７７のエネルギを示している。つまり各バースト発光期間においては、高周波数でパルス状に発光する一まとまりのＥＵＶ光２７７が出力される。

　本第５実施形態でも、制御部８が行う処理は、基本的に第１実施形態における処理と同様に、図４に示すフローチャートに従ってなされるが、いくつかのステップにおける処理が第１実施形態における処理と異なる。以下では、主に、この異なる処理について説明する。

　また本第５実施形態では、図５に示すような複数の走査水準を順次照射するように、ターゲット２７に対してパルスレーザ光３１が走査される。このパルスレーザ光３１は、ＥＵＶ光２７７をバースト発光させるために、所定の高周波数でバースト発振される。こうして１つの走査水準において、複数のパルス状ＥＵＶ光２７７が発せられる。

　以下、制御部８による処理について、図４を参照して詳しく説明する。制御部８はステップＳ４において、ＥＵＶ光センサ４３の計測結果を取得する。 具体的には、制御部８は、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれから送信された複数の計測値に統計処理を施し、１つの走査水準毎に、複数のＥＵＶ光２７７のエネルギを取得する。ここで、パルス状に発光する１つのＥＵＶ光２７７のエネルギは、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれから送信された複数の計測値の平均値であってもよい。

　本実施形態において制御部８は、ステップＳ５において、複数のＥＵＶ光２７７のエネルギのばらつきを示す指標を、ＥＵＶセンサ４３の計測結果に基づいて取得する。この指標は、より詳しくは、１つの走査水準における複数のパルス状ＥＵＶ光２７７について、エネルギのばらつきを示す指標である。この指標は、一例として、以下で述べるＥＵＶエネルギ３σ[％]とされる。

　このＥＵＶエネルギ３σ[％]は、以下のように求められる。例えば１つのバースト発光期間において、パルスレーザ光３１は１０，０００パルス発振される。つまり１つのバーストにおいて、ＥＵＶ光２７７は１０，０００回パルス状に発せられる。制御部８はステップＳ４において、１つの走査水準毎に、バースト発光するＥＵＶ光２７７のエネルギの平均値と、標準偏差σとを求める。そして制御部８は、それらの平均値と標準偏差σとから、各バーストの（３σ／平均値）x１００[％]の値を求め、その値の１０バースト分の平均値を求めて、ＥＵＶエネルギ３σ[％]とする。制御部８は、このＥＵＶエネルギ３σ[％]の値を、各走査水準と対応付けて記憶する。

　ステップＳ５において、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値を特定する。この評価値の特定は、第１実施形態におけるのと同様に、例えば数式１及び数式２を計算してなされる。そして、制御部８は、数式１の計算値を、ＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値として特定する。また制御部８は、数式２の計算値を、ＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値として特定する。そして制御部８は、特定された上記２つの評価値を、各走査水準と対応付けて記憶する。ステップＳ６において、制御部８は、設定された走査水準群に含まれる複数の走査水準の全てが走査されたか否かを判定する。制御部８は、全ての走査水準が走査されていなければ、ステップＳ２に移行して処理を続行する。一方、制御部８は、全ての走査水準が走査されたならば、ステップＳ７に移行して処理を続行する。 

　ステップＳ７において、制御部８は、各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶエネルギ３σ[％]の値に基づいて、図２３に示されるようなＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布図を作成する。さらに制御部８は、各走査水準に対応付けて記憶された数式１の計算値に基づいて、図２４に示されるような分布図を作成する。この分布図は、ＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値の分布を示す。加えて制御部８は、各走査水準に対応付けて記憶された数式２の計算値に基づいて、図２５に示されるような分布図を作成する。この分布図は、ＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値の分布を示す。

　なお、図２４及び図２５において、Ｘと共に記された－２１、－１４、－７、０、７、１４及び２１の値は、Ｘ軸方向に並ぶ複数の走査水準の、基準位置からのＸ軸方向距離を示す。同様に図２４及び図２５において、Ｙと共に記された－２１、－１４、－７、０、７、１４及び２１の値は、Ｙ軸方向に並ぶ複数の走査水準の、基準位置からのＹ軸方向距離を示す。それらの距離の単位はμｍである。また、距離０の位置が上記基準位置である。

　ステップＳ８において、制御部８は、ステップＳ７において作成された各分布図に基づいて、目標重心位置を決定する。制御部８が目標重心位置を決定する処理については、図２３乃至図３０を参照して後述する。 

　制御部８によるステップＳ９の処理は、基本的に、第１実施形態における処理と同様になされる。

　次に、主に図２３乃至図３０を参照して、図４のステップＳ８において制御部８が目標重心位置を決定する処理について説明する。図２６は、図２３に示された走査水準Ａを中心としてＸ軸及びＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準の各々に対応付けて記憶されたＥＵＶエネルギ３σ[％]の値とを示す。図２７は、図２３に示された走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準の各々に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分における評価値とを示す。図２８は、図２３に示された走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準と、これらの走査水準の各々に対応付けて記憶されたＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分における評価値とを示す。

　図２９は、Ｘ軸に沿った方向におけるＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布と、重心位置の評価値の分布とを示す。この評価値は、前述した数式１による計算結果である。また図３０は、Ｙ軸に沿った方向におけるＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布と、重心位置の評価値の分布とを示す。この評価値は、前述した数式２による計算結果である。なお図２９及び図３０には、それぞれ、ＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布を次数２次の多項式近似を用いてフィッティングした曲線を実線で、また重心位置の評価値の分布を次数３次の多項式近似を用いてフィッティングした曲線を破線で示している。

　制御部８は、図４のステップＳ７において作成された分布図に基づいて次のような処理を行うことによって、目標重心位置を決定する。すなわち制御部８は、図２３に示されるように、設定された走査水準群に含まれる複数の走査水準のそれぞれで取得されたＥＵＶエネルギ３σ[％]の値が所定範囲内にある走査水準の範囲Ｋを特定する。この範囲Ｋは、例えばＥＵＶエネルギ３σ[％]の値が下位１０％以内にある範囲である。より詳しく言えば範囲Ｋは、ＥＵＶエネルギ３σ[％]の値が、最小値以上で、最小値よりも１０％大の値以下となる範囲である。

　制御部８は、図２３に示された走査水準Ａを、下記のように範囲Ｋに基づいて求める。すなわち制御部８は、特定された範囲Ｋ内にある各走査水準に対応付けて記憶されたＥＵＶエネルギ３σ[％]の値を、それらの値の平均値で重み付けした幾何学重心を求め、その幾何学重心に最も近い走査水準を走査水準Ａと特定する。続いて制御部８は、図２６に示されるように、特定された走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準と、特定された走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準とを特定する。 

　続いて制御部８は、図２７に示されるように、走査水準Ａを中心としてＸ軸に沿って配列された複数の走査水準に対応付けて記憶された、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値を特定する。加えて、制御部８は、図２８に示されるように、走査水準Ａを中心としてＹ軸に沿って配列された複数の走査水準に対応付けて記憶された、ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値を特定する。 

　続いて制御部８は、図２７のように特定された評価値の分布、つまり走査水準Ａを中心としＸ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の分布を求める。制御部８は、この分布を次数３次の多項式近似を用いてフィッティングする。このフィッティングによる３次曲線は、前述した通り、図２９に破線で示された曲線である。さらに制御部８は、走査水準Ａを中心としＸ軸に沿った方向におけるＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布を求める。制御部８は、この分布を次数２次の多項式近似を用いてフィッティングする。このフィッティングによる２次曲線は、前述した通り、図２９に実線で示された曲線である。

　加えて制御部８は、図２８のように特定された評価値の分布、つまり走査水準Ａを中心としＹ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の分布を求める。制御部８は、この分布を次数３次の多項式近似を用いてフィッティングする。このフィッティングによる３次曲線は、前述した通り、図３０に破線で示された曲線である。さらに制御部８は、走査水準Ａを中心としＹ軸に沿った方向におけるＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布を求める。制御部８は、この分布を次数２次の多項式近似を用いてフィッティングする。このフィッティングによる２次曲線は、前述した通り、図３０に実線で示された曲線である。

　ＥＵＶ光２７７の重心位置の評価値の分布は、各々図２９及び図３０の破線で示されるように、走査水準Ａ及びその付近の位置において線形的に変化し、走査水準Ａから離れた位置において非線形的に変化し得る。この評価値の分布が非線形的に変化する部分は、パルスレーザ光３１の照射位置が適切な位置から外れ、比較的大きなシューティングずれが発生し得る照射位置と考えられる。 

　そこで制御部８は、図２９及び図３０の各破線で示される３次曲線における各変曲点に基づいて、目標重心位置を決定する。本実施形態において制御部８は、この変曲点だけでなく、ＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布にも基づいて、目標重心位置を決定する。図３１は、この目標重心位置を決定する処理を説明する図である。なおこの図３１では、図２９及び図３０における３次曲線および２次曲線を、典型的な曲線としてそれぞれ破線、実線で概略的に示している。

　制御部８は、以下の通りにして目標重心位置を決定する。すなわち制御部８は、図３１に示す３次曲線の変曲点に対応するＥＵＶ重心位置C_center,sを求める。なお、ＥＵＶ重心位置C_center,sとしては、ＥＵＶ重心計測値の最大・最小値の中点を選んでもよく、1次近似の計測範囲における中点を選んでもよい。また制御部８は、図３１に示す２次曲線から、その頂点となるレーザ照射位置に対応するＥＵＶ重心位置C_3σを求める。このＥＵＶ重心位置C_3σは、上記頂点となるレーザ照射位置における３次曲線上の点に対応する、上記重心位置の評価値と等価である。そして制御部８は、下記の数式３から得るC_targetを、目標重心位置として求める。制御部８は、このC_targetを求める処理を、例えば図４のステップＳ８において行う。

　ここで、ｋ_center,s及びｋ_3σは例えば共に１とされ、その場合ｋ＝２となる。

　なお、数式３からC_targetを求める処理は、図２９に示すX軸方向に関する重心位置の評価値の分布、並びにＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布に基づいてなされる。またC_targetを求める処理は、図３０に示すY軸方向に関する重心位置の評価値の分布、並びにＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の分布に基づいて同様になされる。

　制御部８は、例えば図４のステップＳ９において、ステップＳ８で決定された目標重心位置を新たな目標重心位置に設定する。そして、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御に移行する。制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置が新たな目標重心位置となるよう、パルスレーザ光３１の照射位置の目標照射位置を設定する。そして、制御部８は、設定された目標照射位置に応じて照射位置調節部７を制御する。 

　具体的には、制御部８は、現在のパルスレーザ光３１の照射位置と、新たな目標重心位置に応じたパルスレーザ光３１の新たな目標照射位置との偏差を特定する。そして、制御部８は、現在のパルスレーザ光３１の集光位置と、新たな目標照射位置に応じたパルスレーザ光３１の新たな目標集光位置との偏差を特定する。次に制御部８は、パルスレーザ光３１の集光位置における偏差が無くなるような照射位置調節部７の調節量を決定する。このようにして、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行するにあたって、その都度、目標重心位置を較正し得る。

　［７．３　作用効果］ 
　以上の通り、第５実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行するにあたって、その都度、ＥＵＶ光２７７の重心位置における目標重心位置を較正し得る。それによって得られる作用効果は、基本的に第１実施形態における作用効果と同じである。それに加えて、本第５実施形態においては、複数のＥＵＶ光２７７のばらつきを示す指標であるＥＵＶエネルギ３σ[％]の値の最小値に近いＥＵＶ重心位置C_3σの値も考慮して目標重心位置を較正している。上記指標がより小さいということは、複数のＥＵＶ光２７７がより安定して発せられているということである。そこで、ＥＵＶ重心位置C_3σの値も考慮して目標重心位置を較正すれば、バースト発光するＥＵＶ光２７７の出力がより安定化され得る。

　なお、前述した第１実施形態においては、図３２に概略を示すように、下記の数式４から得るC_targetを、目標重心位置として求めている。ここで、図３２において１点鎖線で示す２次曲線は、図１２或いは図１３に示すＥＵＶ光２７７のエネルギ分布を、次数２次の多項式近似を用いてフィッティングして得られる。また、図３２において破線で示す３次曲線は、図３１において破線で示す３次曲線と同等である。

　ここで、ＥＵＶ重心位置C_centerは、図３１におけるＥＵＶ重心位置C_center,sに相当する。またｋ_centerは例えば１とされる。

［８．第６実施形態］ 
　次に図３３を参照して、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。この第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、上述した第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１と対比すると、目標重心位置となるC_targetの求め方が異なる。第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１の制御部８は、この異なるC_targetを求めるための構成を備え得る。

　図３３において１点鎖線で示す２次曲線は、図３２において１点鎖線で示す２次曲線に相当する曲線である。また、図３３において破線で示す３次曲線は、図３１及び図３２において破線で示す３次曲線に相当する。また、図３３に示すＥＵＶ重心位置C_center,ｅは、図３１に示すＥＵＶ重心位置C_center,sと同等である。この場合も、ＥＵＶ重心位置C_center,ｅとしては、ＥＵＶ重心計測値の最大・最小値の中点を選んでもよく、1次近似の計測範囲における中点を選んでもよい。制御部８は、ＥＵＶ光２７７のエネルギ分布をフィッティングして上記の２次曲線を求める。このエネルギ分布は例えば、ＥＵＶ光２７７のエネルギの上位１０％以内の範囲を抽出した値の重心点から求められる。その場合、ＥＵＶ光２７７のエネルギとしては、例えばＥＵＶ光２７７の１０バースト分の平均値が適用される。また、このＥＵＶ光２７７のエネルギ分布に代えて、ＥＵＶ光の発光効率の分布が用いられてもよい。ＥＵＶ光の発光効率は、ターゲットを照射するレーザ光のエネルギに対するＥＵＶ光のエネルギの比率である。

　制御部８は、以上のようにして得た２次曲線から、その頂点に基づいてＥＵＶ重心位置C_energyを求める。つまりこのＥＵＶ重心位置C_energyは、上記頂点に対応するパルスレーザ照射位置において、上記３次曲線が取る値である。そして制御部８は、下記の数式５から得るC_targetを、目標重心位置として求める。制御部８は、このC_targetを求める処理を、例えば図４のステップＳ８において行う。

　ここで、ｋ_center,ｅ及びｋ_energyは例えば共に１とされ、その場合ｋ＝２となる。

　本第６実施形態による作用効果は、基本的に第１実施形態における作用効果と同じである。それに加えて本第６実施形態においては、ＥＵＶ重心位置C_energyの値も考慮して目標重心位置を較正している。そこで、バースト発光するＥＵＶ光２７７がより高出力化され得る。

［９．第７実施形態］ 
　次に図３４を参照して、第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。この第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、上述した第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１と対比すると、目標重心位置となるC_targetの求め方が異なる。第７実施形態のＥＵＶ光生成装置１の制御部８は、この異なるC_targetを求めるための構成を備え得る。

　図３４において１点鎖線で示す２次曲線は、図３２及び図３３において１点鎖線で示す２次曲線に相当する。図３４において破線で示す３次曲線は、図３１乃至図３３において破線で示す３次曲線に相当する。図３４において実線で示す２次曲線は、図３１において実線で示す２次曲線に相当する。図３４に示すＥＵＶ重心位置C_center,ｅ及びC_energyは、図３３に示すＥＵＶ重心位置C_center,ｅ及びC_energyとそれぞれ同等である。また図３４に示すＥＵＶ重心位置Ｃ_3σは、図３１に示すＥＵＶ重心位置Ｃ_3σと同等である。

　制御部８は、下記の数式６から得るC_targetを、目標重心位置として求める。制御部８は、このC_targetを求める処理を、例えば図４のステップＳ８において行う。

　ここで、ｋ_center,ｓ、ｋ_center,ｅ、ｋ_3σ及びｋ_energyは例えば全て１とされ、その場合ｋ＝４となる。

　本第７実施形態による作用効果は、基本的に第１実施形態における作用効果と同じである。それに加えて本第７実施形態においては、ＥＵＶ重心位置C_3σの値及びＥＵＶ重心位置C_energyの値も考慮して目標重心位置を較正している。そこで、バースト発光するＥＵＶ光２７７の出力がより安定し、また高出力化され得る。

［１０．その他］ 
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。 

　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。 

　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。 

　１　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置 
　１１　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成システム 
　２　　　　　　　　　…チャンバ 
　２１１　　　　　　　…壁 
　２１２　　　　　　　…ターゲット供給路 
　２１５　　　　　　　…ウインドウ 
　２１６　　　　　　　…ウインドウ 
　２１７　　　　　　　…ウインドウ 
　２２　　　　　　　　…レーザ光集光光学系 
　２２１　　　　　　　…レーザ光集光ミラー 
　２２２　　　　　　　…軸外放物面ミラー 
　２２３　　　　　　　…平面ミラー 
　２２４　　　　　　　…マニピュレータ 
　２３　　　　　　　　…ＥＵＶ光集光光学系 
　２３１　　　　　　　…ＥＵＶ光集光ミラー 
　２３２　　　　　　　…貫通孔 
　２４　　　　　　　　…接続部 
　２４１　　　　　　　…壁 
　２４２　　　　　　　…アパーチャ 
　２５　　　　　　　　…ターゲット供給器 
　２５１　　　　　　　…タンク 
　２５２　　　　　　　…ノズル 
　２５３　　　　　　　…ヒータ 
　２５４　　　　　　　…圧力調節器 
　２５５　　　　　　　…ピエゾ素子 
　２６　　　　　　　　…ステージ 
　２７　　　　　　　　…ターゲット 
　２７５　　　　　　　…プラズマ 
　２７６　　　　　　　…放射光 
　２７７　　　　　　　…ＥＵＶ光 
　２８　　　　　　　　…ターゲット回収器 
　３　　　　　　　　　…レーザ装置 
　３ａ　　　　　　　　…メインパルスレーザ装置 
　３ｂ　　　　　　　　…第１プリパルスレーザ装置 
　３ｃ　　　　　　　　…第２プリパルスレーザ装置 
　３１　　　　　　　　…パルスレーザ光 
　３１ａ　　　　　　　…メインパルスレーザ光 
　３１ｂ　　　　　　　…第１プリパルスレーザ光 
　３１ｃ　　　　　　　…第２プリパルスレーザ光 
　３３　　　　　　　　…レーザ光伝送光学系 
　３３１　　　　　　　…高反射ミラー 
　３３２　　　　　　　…高反射ミラー 
　３４１　　　　　　　…高反射ミラー 
　３４２　　　　　　　…ミラー 
　３４３　　　　　　　…第１ミラー光学系 
　３４４　　　　　　　…高反射ミラー 
　３４５　　　　　　　…ステージ 
　３５１　　　　　　　…ビームコンバイナ 
　３５２　　　　　　　…ダイクロイックミラー 
　３５３　　　　　　　…第２ミラー光学系 
　３５４　　　　　　　…高反射ミラー 
　３５５　　　　　　　…ステージ 
　４１　　　　　　　　…ターゲット検出センサ 
　４１０　　　　　　　…照明部 
　４１１　　　　　　　…光源 
　４１２　　　　　　　…照明光学系 
　４２０　　　　　　　…検出部 
　４２１　　　　　　　…光センサ 
　４２２　　　　　　　…受光光学系 
　４３　　　　　　　　…ＥＵＶ光センサ 
　４３ａ　　　　　　　…ＥＵＶ光センサ 
　４３ｂ　　　　　　　…ＥＵＶ光センサ 
　４３ｃ　　　　　　　…ＥＵＶ光センサ 
　７　　　　　　　　　…照射位置調節部 
　８　　　　　　　　　…制御部 
　８１　　　　　　　　…遅延回路 
　９　　　　　　　　　…露光装置 
　Ａ　　　　　　　　　…走査水準 
　Ｂ　　　　　　　　　…走査水準 
　ＩＦ　　　　　　　　…中間集光点 
　Ｋ　　　　　　　　　…範囲 
　Ｑ　　　　　　　　　…ターゲット軌道 
　Ｒ１　　　　　　　　…プラズマ生成領域 
　Ｒ２　　　　　　　　…ターゲット検出領域 

Claims (25)

1. 　チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成された極端紫外光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサと、 
   　前記所定領域に供給された前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、 
   　前記複数のＥＵＶ光センサの計測結果から特定された前記極端紫外光の重心位置が目標重心位置となるよう前記照射位置調節部を制御する制御部と、 
   　を備え、 
   　前記制御部は、 
   　　互いに位置が異なる複数の走査水準に従って前記照射位置が走査されるよう前記照射位置調節部を制御し、 
   　　前記複数の走査水準のそれぞれで取得された前記計測結果に基づいて前記目標重心位置を較正する 
   　極端紫外光生成装置。 
2. 　前記制御部は、 
   　　前記極端紫外光の前記重心位置が前記目標重心位置となるよう前記照射位置の目標照射位置を設定し、 
   　　設定された前記目標照射位置に応じて前記照射位置調節部を制御する 
   　請求項１に記載の極端紫外光生成装置。 
3. 　前記制御部は少なくとも、前記複数の走査水準のそれぞれで取得された前記計測結果から特定された、前記複数の走査水準のそれぞれでの前記重心位置の評価値に基づいて前記目標重心位置を較正する 
   　請求項２に記載の極端紫外光生成装置。 
4. 　前記制御部は、前記評価値と、前記複数の走査水準のそれぞれで発生した複数の極端紫外光の間のエネルギばらつきとに基づいて前記目標重心位置を較正する 
   　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
5. 　前記制御部は、前記評価値と、前記複数の走査水準のそれぞれで発生した極端紫外光のエネルギとに基づいて前記目標重心位置を較正する 
   　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
6. 　前記制御部は、前記評価値と、前記複数の走査水準のそれぞれで発生した極端紫外光のエネルギと、前記複数の走査水準のそれぞれで発生した複数の極端紫外光の間のエネルギばらつきとに基づいて前記目標重心位置を較正する 
   　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
7. 　前記照射位置調節部は、 
   　　前記レーザ光を前記所定領域に集光する集光ミラーと、 
   　　前記集光ミラーの位置及び姿勢の少なくとも１つを調節するマニピュレータと、 
   　を含む 
   　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
8. 　前記複数のＥＵＶ光センサは、前記所定領域に対して互いに等距離に配置された少なくとも３つのＥＵＶ光センサから構成される 
   　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
9. 　前記レーザ光は、 
   　　前記所定領域に供給されたターゲットに照射される第１プリパルスレーザ光と、 
   　　前記第１プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに照射される第２プリパルスレーザ光と、 
   　　前記第２プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光と、 
   　を含む請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
10. 　前記制御部は、 
    　　前記極端紫外光生成装置が起動すること、 
    　　前記極端紫外光が所定パルス数だけ生成されたこと、 
    　　前記極端紫外光の前記エネルギ及び前記エネルギのばらつきの少なくとも１つが許容範囲から外れたこと、及び、 
    　　前記極端紫外光生成装置が起動してから所定時間だけ経過したこと、 
    　のうちの少なくとも１つの事象が発生した際に、 
    　前記照射位置が走査されるよう前記照射位置調節部を制御すると共に前記目標重心位置を較正する 
    　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
11. 　前記制御部は、前記所定領域における前記レーザ光の照射径に応じて前記複数の走査水準を設定する 
    　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
12. 　前記制御部は、前記所定領域に向かって進行する前記レーザ光の進行方向に垂直であって前記所定領域に交差する平面上の２つの軸に沿って配列された複数の位置を、前記複数の走査水準に設定する 
    　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 
13. 　前記制御部は、 
    　　前記複数の走査水準のそれぞれで取得された前記計測結果のうちで前記エネルギが最大である前記計測結果が取得された前記走査水準を特定し、 
    　　特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の一方に沿って配列された前記複数の走査水準での前記評価値と、特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の他方に沿って配列された前記複数の走査水準での前記評価値とに基づいて前記目標重心位置を較正する 
    　請求項１２に記載の極端紫外光生成装置。 
14. 　前記制御部は、 
    　　前記複数の走査水準のそれぞれで取得された前記計測結果のうちで前記エネルギが所定範囲内にある前記走査水準の範囲を特定し、 
    　　特定された前記範囲内での前記計測結果の加重平均値に最も近い前記計測結果が取得された前記走査水準を特定し、 
    　　特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の一方に沿って配列された前記複数の走査水準での前記評価値と、特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の他方に沿って配列された前記複数の走査水準での前記評価値とに基づいて前記目標重心位置を較正する 
    　請求項１２に記載の極端紫外光生成装置。 
15. 　前記制御部は、 
    　　特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の一方に沿った方向においての前記評価値の分布と、特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の他方に沿った方向においての前記評価値の分布とを、それぞれ３次関数でフィッティングし、 
    　　フィッティングされたそれぞれの前記３次関数が示す３次曲線における各変曲点に対応する位置を前記目標重心位置に決定することによって、前記目標重心位置を較正する 
    　請求項１４に記載の極端紫外光生成装置。 
16. 　前記制御部は、 
    　　特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の一方に沿った方向においての前記評価値の分布と、特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の他方に沿った方向においての前記評価値の分布とを、それぞれ１次関数でフィッティングし、 
    　　フィッティングされたそれぞれの前記１次関数が示す線分における各中点に対応する位置を前記目標重心位置に決定することによって、前記目標重心位置を較正する 
    　請求項１４に記載の極端紫外光生成装置。 
17. 　前記制御部は、 
    　　特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の一方に沿った方向においての前記評価値の分布における最大値及び最小値と、特定された前記走査水準を中心として前記２つの軸の他方に沿った方向においての前記評価値の分布における最大値及び最小値とを特定し、
    　　特定されたそれぞれの前記最大値及び前記最小値における各平均値に対応する位置を前記目標重心位置に決定することによって、前記目標重心位置を較正する 
    　請求項１４に記載の極端紫外光生成装置。 
18. 　ターゲットにレーザ光が照射されることによって生成された極端紫外光の重心位置を制御する方法であって、 
    　互いに位置が異なる複数の走査水準に従って前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射位置を走査して、前記複数の走査水準のそれぞれで前記極端紫外光のエネルギを取得する第１ステップと、 
    　前記第１ステップによって取得された前記エネルギから、前記複数の走査水準のそれぞれでの前記重心位置の評価値を特定する第２ステップと、 
    　前記第１ステップによって取得された前記エネルギと、前記第２ステップによって特定された前記評価値との少なくとも一方に基づいて、前記重心位置の目標重心位置を較正する第３ステップと、 
    　を備える 
    　極端紫外光の重心位置の制御方法。 
19. 　前記極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置が起動する際に、前記第１乃至第３ステップを実行する 
    　請求項１８に記載の極端紫外光の重心位置の制御方法。 
20. 　前記極端紫外光が所定パルス数だけ生成された際に、前記第１乃至第３ステップを実行する 
    　請求項１８に記載の極端紫外光の重心位置の制御方法。 
21. 　前記極端紫外光の前記エネルギ及び前記エネルギのばらつきの少なくとも１つが許容範囲から外れた際に、前記第１乃至第３ステップを実行する 
    　請求項１８に記載の極端紫外光の重心位置の制御方法。 
22. 　前記極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置が起動してから所定時間だけ経過した際に、前記第１乃至第３ステップを実行する 
    　請求項１８に記載の極端紫外光の重心位置の制御方法。
23. 　前記第３ステップとして、前記評価値と、前記複数の走査水準のそれぞれで発生した複数の極端紫外光の間のエネルギばらつきとに基づいて前記目標重心位置を較正するステップを実行する 
    　請求項１８に記載の極端紫外光の重心位置の制御方法。
24. 　前記第３ステップとして、前記評価値と、前記エネルギとに基づいて前記目標重心位置を較正するステップを実行する 
    　請求項１８に記載の極端紫外光の重心位置の制御方法。
25. 　前記第３ステップとして、前記評価値と、前記エネルギと、前記複数の走査水準のそれぞれで発生した複数の極端紫外光の間のエネルギばらつきとに基づいて前記目標重心位置を較正するステップを実行する 
    　請求項１８に記載の極端紫外光の重心位置の制御方法。

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