JP2023538660A - レチクル－ペリクルアセンブリを処理するための装置及び方法 - Google Patents

Abstract

部分的に酸化されたレチクル－ペリクルアセンブリを還元するための装置が、サポートと、水素供給と、電子源とを備える。サポートはレチクル－ペリクルアセンブリを支持するためのものである。水素供給は、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの近くに水素を供給するように動作可能である。電子源は、電子をサポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように誘導するように動作可能である。【選択図】 図２

Description

関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０２０年８月２４日出願の欧州出願２０１９２４２６．３及び２０２０年９月２９日出願の欧州出願２０１９９００８．２の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置内で使用されるレチクル－ペリクルアセンブリを処理するための装置及び関連方法に関する。本発明はまた、レチクル－ペリクルアセンブリを処理するための装置及び方法での使用に特に適し得るレチクル－ペリクルアセンブリにも関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。

[0004] 基板にパターンを投影するためリソグラフィ装置が用いる放射の波長は、その基板上に形成することができるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍ内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を使用すると、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用できる）よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。

[0005] リソグラフィ装置において放射ビームにパターンを付与するのに使用されるパターニングデバイス（例えばマスク）がマスクアセンブリの一部を構成することがある。マスクアセンブリは、パターニングデバイスを粒子汚染から保護するペリクルを備えることがある。ペリクルはペリクルフレームによって支持されることがある。

[0006] 従来技術に関連する１つ以上の問題を未然に防ぐ又は緩和する装置を提供することが望ましい場合がある。

[0007] 本発明の第１の態様によれば、レチクル－ペリクルアセンブリを支持するためのサポートと、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの近くに水素を供給するように動作可能な水素供給と、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように電子を誘導するように動作可能な電子源とを備えた装置が提供される。

[0008] 本発明の第１の態様に係る装置は、これより考察するように有利である。

[0009] レチクルは空気にさらされると部分的に酸化するものである。この部分酸化はレチクルの反射率に影響を及ぼし、望ましいものではない。具体的には、一般に反射率への影響はレチクルの全体で異なるものである。ＥＵＶリソグラフィ装置内で、レチクルステージの近くに水素が提供されることがある。ペリクルのないレチクルの場合、ＥＵＶ放射の存在下でこの水素ガスは、部分的に酸化された表面を還元し、反射率を一貫した公称レベルに戻すことになるプラズマを形成するものである。通常、ペリクルのないレチクルの反射率は、以前に空気にさらされたレチクルが最初にＥＵＶにさらされた後に定常状態に達する場合にいくつかのダイで変動する。かかる反射率変動の生産性損失は許容できるものである。

[00010] しかしながら、ペリクル付きレチクルの場合、水素プラズマからの活性種のフラックスが大幅に減少する。これは、ペリクルフィルムがＥＵＶビームで生成される種に対するバリアをペリクル前面に隣接して形成するためである。更に、レチクルとペリクルの間の体積内に生成される活性種は、レチクルとペリクルの表面で部分的に急冷（再結合、会合）されるものであり、この効果は酸素引き抜きに使用可能な活性種のフラックスを更に減少させる。

[00011] また、レチクルの前面及びペリクルの背面から放出される水及び／又は酸素は、ペリクルとレチクルの間の体積から容易に出ることができない（通常はペリクルフレームとレチクルの前面との間には非常に狭いスリットのみが設けられる）。更に、ペリクルフィルムとレチクルの前面との間に閉じ込められた酸素及び水が、取り戻される（レチクル及びペリクルを再酸化させるか又は吸着される）可能性があり、透過率回復時間が延びる可能性がある。ペリクル（の前面及び背面）とレチクル（の前面）の両方に表面酸化物があるため、システム全体の透過率は、ペリクルのないシステムより２～３倍大きく変化する。ペリクル付きレチクルが定常状態に達するのにかかる時間は、ペリクルのないレチクルの場合より約１０～１００倍長い。結果として透過率は、定常状態に達するまでに約２～２０個のウェーハで変動することがある。これは大きな生産性損失である。

[00012] 第１の態様に係る装置の電子源は、電子をサポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように誘導するように動作可能である。かかる入射電子の少なくとも一部分は、ペリクルを通ってレチクルに伝搬することになる。電子は水素源からの水素と相互作用して、レチクルの前面などの（部分的に）酸化された表面を還元し得る、及び／又は吸着された酸素の脱着を促進し得るＨ^＊、Ｈ^＋、Ｈ_２ ^＋、Ｈ_３ ^＋などの活性種を生成することができる。

[00013] 水素供給は、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルとペリクルの間に水素を誘導するように動作可能である場合がある。

[00014] つまり水素供給は、水素の流れをペリクルとレチクルの間に提供するように動作可能である場合がある。かかる流れは、実質的に一方向である場合があり、例えば交差流と呼ばれることがある。有利にはこれは、レチクルとペリクルの間の体積内のガスをリフレッシュし、ひいては水分除去を加速させ、重要表面上及び重要表面間の（還元中に活性種により生成される）水分子の滞留時間を短縮することができる。ペリクルは通常、最大１００Ｐａの過圧に耐えることができるため、ペリクルにかかる圧力差が約１０～５０Ｐａ（安全のために２倍の余裕を持たせた）の大きな流れが提供される可能性がある。一部の実施形態では、レチクルとペリクルの間に約１０～１００Ｐａの圧力で水素が提供されることもある。

[00015] 水素供給は、水素を５０～１００Ｐａ範囲内の圧力で供給するように動作可能である場合がある。

[00016] 具体的には水素供給は、水素をサポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルとペリクルの間に５０～１００Ｐａ範囲内の圧力で誘導するように動作可能である場合がある。

[00017] かかる構成によって、ペリクルとレチクルの間（及び、任意選択的にペリクルの前面より上）の水素圧力は、ＥＵＶリソグラフィ装置内の典型的な値である５～１０Ｐａから引き上げられることがある。有利には、これは電子源からの照射及び／又は制動放射として放出され得るＤＵＶ又はＶＵＶ放射の下で活性種の生成を増やすことができる。

[00018] 装置は、サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を制御するように動作可能な熱調節ユニットを更に備えることがある。

[00019] 熱調節ユニットは、サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を上げるように動作可能なヒータを備えることがある。

[00020] 電子源によってレチクル－ペリクルアセンブリにいくらかの熱が提供されることになる。かかるヒータにより提供される追加の熱は、水のガス放出を促進して関連表面上に水が滞留する時間を短縮することがある。滞留時間が、レチクル－ペリクルアセンブリの温度が１０℃上昇するごとに２分の１～１０分の１に短縮され得ることが予想される。

[00021] ヒータは、例えばペリクル及び／又はレチクルを照射するように動作可能な放射源を備えることがある。

[00022] 熱調節ユニットは、サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を下げるように動作可能な冷却システムを備えることがある。

[00023] かかる冷却がない場合、本発明の第１の態様の装置を使用してレチクル－ペリクルアセンブリを洗浄するプロセスが、レチクル－ペリクルアセンブリの温度を上昇させ得ることが理解されるであろう。例えば使用時に、電子源はアセンブリに約１０～１００Ｗの熱負荷を与えることがある。ただし、レチクル－ペリクルアセンブリが、レチクルステージにクランプされリソグラフィプロセスの一部として使用され得る前に、レチクルステージと実質的に同じ温度であることが重要である場合がある。冷却システムを設けることは、レチクル－ペリクルアセンブリがレチクルステージに安全にクランプされ得るまでの洗浄プロセス後にかかる時間を短縮することがある。

[00024] サポートは、使用時にレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに接触するように構成されることがある。

[00025] 使用時にレチクル－ペリクルアセンブリに接触するサポートの一部は電子シンクを含むことがある。

[00026] 例えば、使用時にレチクル－ペリクルアセンブリに接触するサポートの一部は接地されている場合がある。使用時にレチクル－ペリクルアセンブリに接触するサポートの一部は、ペリクルの一部及び／又はレチクルの一部を含むことがある。かかる電子シンクは、ペリクルがレチクル及び／又はペリクルに発生する静電圧又はスパーク損傷に起因して破裂するほどの電荷を蓄積するのを防ぐことがある。

[00027] 一部の実施形態では、少なくともペリクルの一部上に導電性コーティングが設けられる。例えば導電性コーティングが、ペリクルのボーダー上に、任意選択的にペリクルの膜に延びているがレチクルの品質エリアのＥＵＶ照射を妨げないように設けられることがある。導電性コーティングはペリクルボーダーの前面に設けられることがある。

[00028] サポートによってレチクル－膜アセンブリが支持されるとき、サポートはレチクルの前面とペリクル膜との電気的接続を提供することがある。

[00029] 有利には、これは、レチクル及びペリクルにかかる（ペリクルに静電圧をかける可能性がある）バイアス電圧を減らすことができる。

[00030] 電子源は、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、ペリクルを通って伝搬する電子の一部分が５００ｅＶ未満のエネルギーを有するように電子を誘導するように構成されることがある。

[00031] 一部の実施形態では、電子源は、ペリクルを通って伝搬する電子の一部分が１００ｅＶ未満のエネルギーを有するように構成されることがある。これによって、ペリクルがレチクルへの静電引力によって破裂しないことが保証されることがある（ペリクルは、レチクルに約２００Ｖの電圧降下がある場合に破損することが知られている）。

[00032] 装置は、電磁放射をペリクルに誘導するように動作可能な電磁放射源を更に備えることがある。

[00033] 例えば、かかる電磁放射源は、レーザ、例えば紫外線（ＵＶ）又は深紫外線（ＤＵＶ）レーザを含むことがある。かかる電磁放射源は、（例えば、光電効果を介して電子を放出することによって）電子源による帯電を補償するために光電流をペリクルに提供するように動作可能である。

[00034] 電子源は、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、ペリクルを通って伝搬する電子の一部分が１より大きい二次電子収率を達成するように電子を誘導するように構成されることがある。

[00035] これは、ペリクルにより一旦減衰された電子源からの電子ビームが約１００～３００ｅＶのエネルギーを有する場合に達成されることがある。有利には、かかる構成によって、レチクル及びペリクルにかかるバイアス電圧が、ペリクルのみが接地されている間に最小限に抑えられることがある。

[00036] 装置はエンクロージャを更に備えることがある。サポートはエンクロージャ内に配設されることがあり、水素供給は水素をエンクロージャに供給するように動作可能である場合がある。

[00037] エンクロージャに１つ以上のポンプが設けられることがある。水素供給及びポンプは、エンクロージャ内の圧力を制御するのに使用されることがある。水素供給及びポンプは、圧力制御システムの一部を構成すると見なされることがある。

[00038] 電子源は電子銃を備えることがある。

[00039] 電子銃は高圧電子銃である場合がある。電子銃は、約１～１００Ｐａの圧力を有する動作環境で動作するように動作可能である場合がある。

[00040] 装置は、電子源により放出された電子が、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの様々な部分の範囲に誘導され得るように、電子源及びサポートの少なくとも一方を移動させるように動作可能なスキャン機構を更に備えることがある。

[00041] 例えば、電子銃により出力される電子ビームを、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に走査するためにサポートに対して移動可能な電子銃が提供されることがある。これは、市販の電子源が実質的にペリクルの全エリアを処理することを可能にする場合がある。

[00042] 装置は、電子源から電子ビームを受け取り、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に電子ビームを分配するように構成された電子光学系を更に備えることがある。

[00043] 電子光学系は静電集束光学系を含むことがある。電子光学系は、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に電子ビームを実質的に均一に分配するように動作可能である場合がある。つまり、電子光学系は、レチクル－ペリクルアセンブリの全エリアの均一な照射を提供するように構成されることがある。

[00044] 本発明の第２の態様によれば、先行する請求項のいずれかの装置を備えたリソグラフィ装置が提供される。

[00045] リソグラフィ装置は、放射源とともにリソグラフィシステムの一部を構成することがある。放射源は、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを発生させるように構成されることがある。リソグラフィ装置は、照明システムと、レチクル－ペリクルアセンブリを支持するように構成されたサポート構造と、投影システムと、基板を支持するように構成された基板テーブルとを備えることがある。照明システムは、（放射源から受け取られた）放射ビームをレチクルに入射する前に調節するように構成されることがある。投影システムは、（いまやレチクルによりパターン付与された）放射ビームを基板に投影するように構成されることがある。

[00046] 本発明の第２の態様に係るリソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の制御環境にある間に、レチクル－ペリクルアセンブリが第１の態様に係る装置を使用して処理されることを可能にするため特に有利である。これは、レチクル－ペリクルアセンブリをリソグラフィ装置から取り外し、部分酸化を還元するためにこれを処理した後に、レチクル－ペリクルアセンブリをリソグラフィ装置内の元の位置に戻す必要がない。レチクル－ペリクルアセンブリが空気又はかなりの量の酸素及び／もしくは水を含有する環境にさらされるたびに、反射率変動を避けるために部分酸化を還元することが望ましい場合がある。

[00047] 装置は、リソグラフィ装置のレチクルライブラリ内又はリソグラフィ装置のレチクル交換デバイスアーム上に提供されることがある。

[00048] 本発明の第３の態様によれば、レチクルと、ペリクルボーダーで囲まれた中央ペリクル膜を含むペリクルと、ペリクルを支持するように構成され、ペリクルがレチクルに隣接して配設されるようにレチクルと係合するように構成されたペリクルフレームとを備え、ペリクルフレームが、概ね矩形の開口を取り囲む概ね矩形の本体を提供するように構成された壁部を含み、壁部に、壁部の外面から概ね矩形の開口に隣接した壁部の内面に及ぶ少なくとも１つの非線形流路が設けられたアセンブリが提供される。

[00049] 本発明の第３の態様に係るアセンブリは、これより考察するように有利である。

[00050] ペリクルフレームは、（例えばプリテンション予張力下で）支持するペリクルのボーダーに接着されるかあるいは機械的に取り付けられることがある。ペリクルフレームがレチクルと係合されるとき、ペリクルフレームの壁部はレチクルの非像形成部に隣接する。ペリクルを支持することに加えて、ペリクルフレームは、レチクルとペリクルの間に画定される体積を概ね取り囲む。これは、レチクルとペリクルの間に画定される体積に進入し得る微粒子デブリの量を制限し、（基板上に形成されるレチクルの像に誤差を生じ得る）デブリのレチクルへの衝突を防ぐことができるため有利である。しかしながら、アセンブリが、レチクル及びペリクルの表面上の酸化を還元するために（例えば、本発明の第１の態様に係る装置を使用して）処理されているとき、フレームの存在は、レチクルの前面及びペリクルの背面から放出される水及び／又は酸素がペリクルとレチクルの間の体積から容易に出ることができない（通常はペリクルフレームとレチクルの前面との間には非常に狭いスリットのみが設けられる）ことを意味する。更に、ペリクル膜とレチクルの前面との間に閉じ込められた酸素及び水が、取り戻される（レチクル及びペリクルを再酸化させるか又は吸着される）可能性があり、透過率回復時間が延びる可能性がある。ペリクル（の前面及び背面）とレチクル（の前面）の両方に表面酸化物があるため、システム全体の透過率は、ペリクルのないシステムより２～３倍大きく変化する。ペリクル付きレチクルが定常状態に達するのにかかる時間は、ペリクルのないレチクルの場合より約１０～１００倍長い。結果として透過率は、定常状態に達するまでに約２～２０個のウェーハで変動することがある。これは大きな生産性損失である。

[00051] しかしながら、壁部の外面から概ね矩形の開口に隣接する壁部の内面に及ぶ少なくとも１つの非線形流路を設けることによって、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間により良好な流体連通を提供することが可能になる。例えば、少なくとも１つの流路は、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間の水蒸気の分子流の流体コンダクタンスを増加させることができる。少なくとも１つの流路は非線形であるため、（例えば、アセンブリのポンプダウン及びベント中の）少なくとも１つの流路による粒子の弾道輸送を妨げることができる。

[00052] 少なくとも１つの流路は、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間のガス交換を加速させることによって、本発明の第１の態様に係る装置を使用した処理における又はリソグラフィ露光プロセス内のＥＵＶ露光中の使用時のアニールされたペリクル付きレチクルからの水分除去を促進することがある。

[00053] 少なくとも１つの流路は、壁部の外面から概ね矩形の開口に隣接する壁部の内面に及ぶ複雑な流路又はラビリンス流路を画定することがある。

[00054] 少なくとも１つの流路は、２つの対向した壁部のそれぞれに壁部の外面から壁部の内面にかけて設けられることがある。

[00055] 有利には、かかる構成はペリクルとレチクルの間に水素の流れを提供する適切な構成を提供する。一方の壁部にある少なくとも１つの流路は、かかる流れの入口を形成することがあり、対向した壁部はかかる流れの出口を形成することがある。これは、流れが実質的に一方向であることを可能にし、例えば交差流と呼ばれることがある。有利にはこれは、レチクルとペリクルの間の体積内のガスをリフレッシュし、ひいては水分除去を加速させ、重要表面上及び重要表面間の（還元中に活性種により生成される）水分子の滞留時間を短縮することができる。ペリクルは通常、最大１００Ｐａの過圧に耐えることができるため、ペリクル全体にかかる圧力差が約１０～５０Ｐａ（安全のため２倍の余裕を持たせた）の大きな流れが提供される可能性がある。一部の実施形態では、レチクルとペリクルの間に約１０～１００Ｐａの圧力で水素が提供されることもある。

[00056] 少なくとも１つの流路は、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間の流体コンダクタンスを少なくとも１０倍増加させることがある。

[00057] この文脈で使用されるとき、２つの体積間の流体コンダクタンスがそれらの２つの体積間におけるガスの流れやすさの測度であることが理解されるであろう。例えば、流体コンダクタンスは、２つの体積間のガスの総通過量の２つの体積間の圧力差に対する比に比例することがある。

[00058] 少なくとも１つの流路は、レチクルとペリクルの間のガスを約１０秒以内に置換できるように、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間の十分に高い流体コンダクタンスを提供することがある。レチクルとペリクルの間の体積は、約２ｍｍ×１５ｃｍ×１５ｃｍの寸法を有することがある。つまり、体積は約０．０４５リットルである場合がある。したがって、もしこのガスが１０秒で置換されるならば、これは０．２７ｌ／分の実際流量に相当することになる。ガスが１０Ｐａの圧力である場合、これは０．０２７正常ｍｌ／分の正常流量に相当する。１ｍｍ×１ｍｍの寸法を有する流路の場合、これは４．５ｍ／ｓの流速に相当する。好ましくは、少なくとも１つの流路は、少なくとも０．０１正常ｍｌ／分の流れを可能にするために、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間の十分に高い流体コンダクタンスを提供することがある。より好ましくは、少なくとも１つの流路は、少なくとも０．０３正常ｍｌ／分、より好ましくは、より高速な水蒸気除去を行うべく少なくとも０．３正常ｍｌ／分の流れを可能にするために、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間の十分に高い流体コンダクタンスを提供することがある。好ましくは、使用時にレチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間の正常流量は、ペリクル上の過圧及びペリクル破裂のリスクを回避するために５正常ｍｌ／分未満である。

[00059] 上述のように、レチクルとペリクルの間に画定される約０．０４５リットルの体積を約１０秒以内に置換するために、１ｍｍ×１ｍｍの寸法を有する流路の場合、流速は約４．５ｍ／ｓである。これはレチクルとペリクルの間のガスに良好な混合／渦度をもたらすはずである。好ましくは流体ジェット速度は、１００ｍ／ｓ未満、より好ましくは１０ｍ／ｓ未満である。好ましくは流体ジェット速度は、３ｍ／ｓ以上など、少なくとも１ｍ／ｓである。かかるジェットは、レチクルとペリクルの間のガスに良好な混合／渦度をもたらすことになる。ただし所望の速度値は、流路の数及び流路の寸法によって異なることがある。より高い流量を達成するために、流速を所望の範囲内に維持しながら、より多くの流路を提供し得る、又は流路の寸法を大きくし得ることが理解されるであろう。

[00060] ペリクルの少なくとも一部上に導電性コーティングが設けられることがある。

[00061] 例えば導電性コーティングが、ペリクルのボーダー上に、任意選択的にペリクルの膜に延びているがレチクルの品質エリアのＥＵＶ照射を妨げないように設けられることがある。導電性コーティングはペリクルボーダーの前面に設けられることがある。

[00062] 本発明の第４の態様によれば、本発明の第１の態様に係る装置と、本発明の第３の態様に係る少なくとも１つのアセンブリとを備えたシステムが提供される。

[00063] 本発明の第５の態様によれば、リソグラフィ装置用のレチクル－ペリクルアセンブリを処理する方法であって、レチクル－ペリクルアセンブリを提供すること、レチクル－ペリクルアセンブリを支持すること、レチクル－ペリクルアセンブリの近くに水素を供給すること、及び電子をレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、入射電子の少なくとも一部分がペリクルを通ってレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルに向かって伝搬するように誘導することを含む方法が提供される。

[00064] 本発明の第５の態様に係る方法は、ペリクルを通ってレチクルに伝搬する入射電子の少なくとも一部分が、レチクル－ペリクルアセンブリの近くに供給される水素と相互作用してＨ^＊、Ｈ^＋、Ｈ_２ ^＋、Ｈ_３ ^＋などの活性種を生成するため、レチクル－ペリクルアセンブリが還元されることを可能にする。これらの活性種は、レチクルの前面などの（部分的に）酸化された表面を還元する、及び／又は吸着された酸素の脱着を促進することができる。

[00065] 方法は、本発明の第１の態様に係る装置を使用して実行されることがある。

[00066] レチクル－ペリクルアセンブリは、本発明の第３の態様に係るアセンブリである場合がある。

[00067] 水素は、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルとペリクルの間に誘導されることがある。

[00068] つまり水素は、ペリクルとレチクルの間の水素の流れとして提供される。かかる流れは、実質的に一方向である場合があり、例えば交差流と呼ばれることがある。有利には、これは、レチクルとペリクルの間の体積内のガスをリフレッシュし、ひいては水分除去を加速させ、重要表面上及び重要表面間の（還元中に活性種により生成される）水分子の滞留時間を短縮することができる。ペリクルは通常、最大１００Ｐａの過圧に耐えることができるため、ペリクルにかかる圧力差が約１０～５０Ｐａ（安全のために２倍の余裕を持たせた）の大きな流れが提供される可能性がある。一部の実施形態では、レチクルとペリクルの間に約１０～１００Ｐａの圧力で水素が提供されることもある。

[00069] 水素は５０～１００Ｐａ範囲内の圧力で供給されることがある。

[00070] かかる構成によって、ペリクルとレチクルの間（及び、任意選択的にペリクルの前面より上）の水素圧力は、ＥＵＶリソグラフィ装置内の典型的な値である５～１０Ｐａから引き上げられることがある。有利には、これは電子源からの照射及び／又は制動放射として放出され得るＤＵＶ又はＶＵＶ放射の下で活性種の生成を増やすことができる。

[00071] 方法は、レチクル－ペリクルアセンブリの温度を制御することを更に含むことがある。これがレチクル－ペリクルアセンブリの加熱又は冷却を伴い得ることが理解されるであろう。

[00072] 方法は、レチクル－ペリクルアセンブリに電子シンクを設けることを更に含むことがある。

[00073] 方法は、レチクルの前面とペリクル膜との間に電気的接続を提供することを更に含むことがある。

[00074] 有利には、これは、レチクル及びペリクルにかかる（ペリクルに静電圧をかける可能性がある）バイアス電圧を減らすことができる。

[00075] 入射電子のペリクルを通って伝搬する部分は５００ｅＶ未満のエネルギーを有することがある。

[00076] 一部の実施形態では、入射電子のペリクルを通って伝搬する部分は１００ｅＶ未満のエネルギーを有する。これによって、ペリクルがレチクルへの静電引力によって破裂しないことが保証されることがある（ペリクルは、レチクルに約２００Ｖの電圧降下がある場合に破損することが知られている）。

[00077] 方法は、電子源による帯電を少なくとも部分的に補償するために、電磁放射をペリクルに誘導して光電流をペリクルに提供することを更に含むことがある。

[00078] ペリクルを通って伝搬する入射電子の一部分は、ペリクルにおいて１より大きい二次電子収率を達成するのに十分なエネルギーを有することがある。

[00079] これは、ペリクルにより一旦減衰された電子が約１００～３００ｅＶのエネルギーを有する場合に達成されることがある。有利には、かかる構成によって、レチクル及びペリクルにかかるバイアス電圧が、ペリクルのみが接地されている間に最小限に抑えられることがある。

[00080] 方法は、内部にレチクル－ペリクルアセンブリを支持し水素が供給されるエンクロージャを提供することを含むことがある。

[00081] 電子をレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、入射電子の少なくとも一部分がペリクルを通ってレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルに向かって伝搬するように誘導することは、レチクル－ペリクルアセンブリの表面に電子ビームを走査することを含むことがある。

[00082] 電子をレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、入射電子の少なくとも一部分がペリクルを通ってレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルに向かって伝搬するように誘導することは、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に電子ビームを分配することを含むことがある。

[00083] これは電子光学系を使用して達成されることがある。電子光学系は静電集束光学系を含むことがある。電子光学系は、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に電子ビームを実質的に均一に分配するように動作可能である場合がある。つまり、電子光学系は、レチクル－ペリクルアセンブリの全エリアの均一な照射を提供するように構成されることがある。

[00084] 本発明の第６の態様によれば、オブジェクトを支持するためのサポートと、サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに水素を供給するように動作可能な水素供給と、サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに磁場を発生させるように動作可能な磁場発生器とを備えた装置が提供される。

[00085] 本発明の第６の態様に係る装置は、これより考察するように有利である。装置は、ＥＵＶリソグラフィ装置内に提供されることがある。サポートはレチクルステージである場合がある。オブジェクトはレチクル－ペリクルアセンブリである場合がある。

[00086] オブジェクトは、サポートに背向する表面を有することがある。水素供給は、サポートにより支持されているときのオブジェクトのこの表面の近くに水素を供給するように動作可能である場合がある。磁場発生器は、サポートにより支持されているときのオブジェクトのこの表面の近くに磁場を発生させるように動作可能である場合がある。

[00087] 水素供給は、オブジェクト（例えばレチクル－ペリクルアセンブリ）の表面に洗浄効果をもたらすことができる。水素の流れは、オブジェクトの表面に入射するデブリの量を減らすことがある。装置は、ＥＵＶリソグラフィ装置内で利用されることがあり、ＥＵＶ放射の存在下において、水素供給からの水素ガスはオブジェクトの近くにプラズマを形成することがある。このプラズマは、オブジェクトの表面に洗浄効果をもたらすことになり、（表面を還元するために）オブジェクトの表面上の酸素と反応し、かかるデブリの除去を助けるために表面上のデブリと反応する。

[00088] ＥＵＶリソグラフィ装置で使用されるペリクルは通常、シリコンと炭素の化合物から形成される。これらの材料は、水素誘起ガス放出（ＨＩＯ）に悩まされる。いくつかの反応段階を経て、水素はかかるペリクルの（自然）酸化物シェルを除去し、次いでシリコン又は炭素コアを除去する。シリコンベースのペリクルの場合、この水素プラズマによるシリコンコアのエッチングはシランＳｉＨ_４を形成するのに対して、炭素ベースのペリクルの場合、この水素プラズマによる炭素コアのエッチングはメタン化合物を形成する。このプラズマエッチングを防ぐ又は減らすために、ペリクルを保護し得るエッチ耐性のあるキャッピング材料を開発することが望ましい場合がある。ただし、水素不透過性が十分なかかるキャッピング材料を見つけることは簡単ではない。

[00089] ペリクルをエッチングするプラズマは水素イオン及び電子を含む。有利には、第６の態様に係る装置の磁場源は、ローレンツ力を介してこれらの荷電粒子に作用するように動作可能であり、そうする際にこれらの荷電粒子（具体的には水素イオン）をペリクルの表面から離れる方に誘導することができる。有利には、これはプラズマエッチング速度を減少させることによって、ペリクルの寿命を延長することができる。

[00090] 磁場発生器は、サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに磁場を発生させるように動作可能である場合があり、磁場の強度は、サポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下する。

[00091] 例えば磁場発生器は、双極子軸又は双極子磁石の平面がサポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に垂直になるように配置された１つ以上の双極子磁石を備えることがある。１つ以上の双極子磁石は、サポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に又は表面の後に配設されることがある。かかる構成によって、磁力線は、サポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に平行な成分を有することになる。

[00092] 有利には、サポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下する磁場を作り出すことによって、粒子がオブジェクトの表面に向かって移動するときに、磁場の増加を経験することになる。次いで、粒子の磁場に垂直な速度は上昇し、粒子の磁場に平行な速度は低下する。荷電粒子の少なくともある部分について、粒子の磁場に平行な速度はゼロまで減少することになり、粒子は方向が逆になる。かかる構成は磁気ミラーとして知られている。

[00093] 磁場発生器は、コイルと、コイルに電流を発生させるように動作可能な電源とを備えることがある。コイルの平面は、サポート及びサポートにより支持されるオブジェクトの平面に概ね平行である場合がある。

[00094] コイルは、サポート及び／又はサポートにより支持されたオブジェクトを概ね取り囲むことがある。かかる構成によって、磁場は、コイルの中心に概ね垂直でこれを通過するライン又は軸に関して対称となり、磁場強度はサポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下することになる。

[00095] 磁場発生器は、サポートの平面に分布させた複数の磁石を備えることがある。複数の磁石のそれぞれは、サポート及びサポートにより支持されたオブジェクトの平面に概ね垂直に配向された双極子を有することがある。

[00096] 各磁石は、その双極子モーメントに垂直な方向に細長い場合がある。

[00097] かかる構成によって、各磁石は、その磁石の双極子モーメントに概ね平行である平面に関して局所的に対称となり、サポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下することになる磁場強度を有する磁場を生成することになる。

[00098] サポートの平面に分布させた複数の磁石のうちの隣接する磁石の各対の双極子モーメントは逆平行である場合がある。

[00099] かかる構成によって、各磁石からの磁力線は、（反対の極性の）隣接する磁石間に延び、磁場強度は、サポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下することになる。磁石のそれぞれに隣接した磁場カスプが存在することになる。

[000100] 磁場発生器は、サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに磁場を発生させるように動作可能である場合があり、磁場はサポートにより支持されているときのオブジェクトの平面に概ね平行である。

[000101] この構成によって、荷電粒子が磁場を通ってオブジェクトの表面に向かって伝搬するときに、磁場内の螺旋路に向かって進むことになる。有利には、かかる粒子の少なくとも一部分は磁場内のこの螺旋路に閉じ込められることになり、オブジェクトの表面に入射することはない。

[000102] （サポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に概ね平行である）磁場の磁場強度は概ね均一である場合がある。

[000103] 磁場発生器は、一対の対向したコイルを備えることがあり、各コイルの平面は、サポートにより支持されているときのオブジェクトの平面に概ね垂直である。

[000104] 磁場発生器は、一対の対向したコイルのそれぞれに電流を発生させるように構成された１つ以上の電源を更に備えることがある。

[000105] 一対のコイルは概ね円形又は正方形である場合がある。一対の対向したコイルは、一般にヘルムホルツコイルの形態をしている場合がある。

[000106] 磁場発生器は、水素供給により供給された水素から形成されたプラズマ中に電流を発生させるように構成されている電源を備えることがある。

[000107] プラズマは、例えば水素ガスを通過するＥＵＶ放射によってオブジェクトの近くに形成されることがある。電源がプラズマに電流を流すとき、プラズマは電流密度ベクトルに垂直に寸法が収縮することになる。これはＺピンチ閉じ込めとして知られている。

[000108] 磁場発生器は、プラズマ中に配設された２つの電極を備えることがあり、電源は、２つの電極間に電圧を印加するように動作可能である場合がある。つまり、電源とプラズマとが直接接触することがある。代替的に、電源はプラズマに誘導結合されることがあり、プラズマ中に電流を誘導するように構成されることがある。

[000109] 磁場発生器は、サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに、０．２Ｔ以上の磁場強度を有する磁場を発生させるように動作可能である場合がある。

[000110] 本発明の第７の態様によれば、サポートがレチクル－ペリクルアセンブリを支持するためのものである、本発明の第６の態様に係る装置を備えたリソグラフィ装置が提供される。

[000111] 磁場発生器が一対の対向したコイルを備え、各コイルの平面がサポートにより支持されているときのオブジェクトの平面に概ね垂直である実施形態において、一対の対向したコイルは、リソグラフィ装置のレチクルマスキングブレード上に配設されることがある。

[000112] 本発明の第８の態様によれば、オブジェクトを支持すること、オブジェクトの表面の近くに水素プラズマを発生させること、及びオブジェクトの表面の近くに、オブジェクトの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるように構成された磁場を発生させることを含む方法が提供される。

[000113] 本発明の第８の態様に係る方法は、これより考察するように有利である。方法は、ＥＵＶリソグラフィ装置内で利用されることがある。オブジェクトはレチクル－ペリクルアセンブリである場合がある。水素プラズマは、オブジェクト（例えば、レチクル－ペリクルアセンブリ）の表面に洗浄効果をもたらすことができる。ただし、シリコンと炭素の化合物から形成されるオブジェクト（ＥＵＶリソグラフィ装置で使用されるペリクルなど）は水素誘起ガス放出（ＨＩＯ）に悩まされる。いくつかの反応段階を経て、水素プラズマはかかるオブジェクトの（自然）酸化物シェルを除去し、次いでシリコン又は炭素コアを除去する可能性がある。シリコンベースのペリクルの場合、この水素プラズマによるシリコンコアのエッチングはシランＳｉＨ_４を形成するのに対して、炭素ベースのペリクルの場合、この水素プラズマによる炭素コアのエッチングはメタン化合物を形成する。

[000114] 有利には、オブジェクトの表面の近くに、オブジェクトの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるように構成されている磁場を発生させることによって、プラズマエッチング速度を減少させ、これによってオブジェクトの寿命が延長される。磁場がローレンツ力を介してプラズマ中の荷電粒子に作用し、そうする際にこれらの荷電粒子（具体的には水素イオン）をペリクルの表面から離れる方に誘導することができることが理解されるであろう。

[000115] オブジェクトの表面の近くに水素プラズマを発生させることは、オブジェクトの表面の近くに水素を供給すること、及びプラズマを形成するために水素をＥＵＶ放射で照射することを含むことがある。

[000116] 発生させた磁場の強度は、オブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下することがある。

[000117] 有利には、オブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下する磁場を作り出すことによって、粒子がオブジェクトの表面に向かって移動するときに、磁場の増加を経験することになる。次いで、粒子の磁場に垂直な速度は上昇し、粒子の磁場に平行な速度は低下する。荷電粒子の少なくともある部分について、粒子の磁場に平行な速度はゼロまで減少することになり、粒子は方向が逆になる。かかる構成は磁気ミラーとして知られている。

[000118] 磁場は、コイルと、コイルに電流を発生させるように動作可能な電源とによって発生されることがあり、コイルの平面は、オブジェクトの表面の平面に概ね平行である場合がある。

[000119] コイルは、オブジェクト及び／又はオブジェクトを支持するためのサポートを概ね取り囲むことがある。かかる構成によって、磁場は、コイルの中心に概ね垂直でこれを通過するライン又は軸に関して対称になり、磁場強度はオブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下することになる。

[000120] 磁場は、オブジェクトの表面と反対の側に配設され、オブジェクトの表面に平行な平面に分布させた複数の磁石によって発生されることがある。各磁石は、オブジェクトの表面の平面に概ね垂直に配向された双極子を有することがある。

[000121] 各磁石は、その双極子モーメントに垂直な方向に細長い場合がある。かかる構成によって、各磁石は、その磁石の双極子モーメントに概ね平行である平面に関して局所的に対称になり、オブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下することになる磁場強度を有する磁場を生成することになる。

[000122] 複数の磁石のうちの隣接する磁石の各対の双極子モーメントは逆平行である場合がある。

[000123] かかる構成によって、各磁石からの磁力線は（反対の極性の）隣接する磁石間に延び、磁場強度は、オブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下することになる。磁石のそれぞれに隣接した磁場カスプが存在することになる。

[000124] 発生させた磁場は、オブジェクトの表面に概ね平行である場合がある。

[000125] この構成によって、荷電粒子が磁場を通ってオブジェクトの表面に向かって伝搬するときに、磁場内の螺旋路に向かって進むことになる。有利には、かかる粒子の少なくとも一部分は磁場内のこの螺旋路に閉じ込められることになり、オブジェクトの表面に入射することはない。

[000126] （オブジェクトの表面に概ね平行である）磁場の磁場強度は概ね均一である場合がある。

[000127] 磁場は一対の対向したコイルによって発生されることがあり、各コイルが延在する平面はオブジェクトの表面に概ね垂直である。

[000128] 一対のコイルは概ね円形又は正方形である場合がある。一対の対向したコイルは、一般にヘルムホルツコイルの形態をしている場合がある。

[000129] 磁場は、オブジェクトの表面の近くでプラズマ中に電流を発生させることによって発生されることがある。

[000130] 電流がプラズマ中を流れるとき、プラズマは電流密度ベクトルに垂直に寸法が収縮することになる。これはＺピンチ閉じ込めとして知られている。

[000131] 発生させた磁場は０．２Ｔ以上の磁場強度を有することがある。

[000132] 上述されているか又は以下の説明で言及される１つ以上の態様又は特徴が、１つ以上の他の態様又は特徴と組み合わせられ得ることが理解されるであろう。

[000133] 本発明の実施形態を、添付の図面を参照して、単なる例示として以下に説明する。

リソグラフィ装置及び放射源を備えたリソグラフィシステムの概略図である。 レチクル－ペリクルアセンブリを処理するための装置の第１の実施形態を示す。 レチクル－ペリクルアセンブリを処理するための装置の第２の実施形態を示す。 既知のレチクル－ペリクルアセンブリの互いに直交する２つの断面図を示す。 既知のレチクル－ペリクルアセンブリの互いに直交する２つの断面図を示す。 新規のレチクル－ペリクルアセンブリの互いに直交する２つの断面図を示す。 新規のレチクル－ペリクルアセンブリの互いに直交する２つの断面図を示す。 オブジェクトの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるために磁場を用いる本発明のある実施形態に係る装置の概略図である。 オブジェクトの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるために磁場を用いる本発明のある実施形態に係る別の装置の概略図である。 複数の磁石のレチクルの平面に対する位置を示す図７Ａに示す装置の一部の概略平面図である。 オブジェクトの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるために磁場を用いる本発明のある実施形態に係る別の装置の概略図である。

[000134] 図１はリソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを発生するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル又はマスク）を含むレチクルアセンブリ１５を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡに入射する前に放射ビームＢを調整するように構成されている。投影システムは、放射ビームＢ（今やマスクＭＡによってパターニングされている）を基板Ｗ上に投影するように構成されている。基板Ｗは先に形成されたパターンを含んでいてもよい。その場合、リソグラフィ装置は、パターニングされた放射ビームＢを先に基板Ｗ上に形成されたパターンと位置合わせする。

[000135] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳは全て外部環境から隔離できるように構築及び配置されることがある。放射源ＳＯ内に、大気圧よりも低い圧力のガス（例えば水素）が提供されることがある。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に真空が提供されることがある。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に、大気圧よりも十分に低い圧力の少量のガス（例えば水素）が提供されることがある。

[000136] 図１に示されている放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプである。例えばＣＯ２レーザであり得るレーザ１は、レーザビーム２を介して、燃料放出器３から与えられるスズ（Ｓｎ）などの燃料にエネルギーを付与するように配置されている。以下の記載ではスズに言及するが、任意の適切な燃料が使用されることがある。燃料は、例えば液体の形態である場合や、例えば金属又は合金である場合がある。燃料放出器３は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って誘導するように構成されたノズルを備えることがある。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４でスズに入射する。レーザエネルギーのスズへの付与は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を生成する。プラズマイオンの脱励起及び再結合の間に、プラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。

[000137] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることがある）によって収集及び集束される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置されている多層構造を有することがある。コレクタ５は、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有することがある。以下で考察するように、第１の焦点はプラズマ形成領域４にある場合があり、第２の焦点は中間焦点６にある場合がある。

[000138] レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源の他の実施形態では、コレクタ５は、ＥＵＶ放射を斜入射角で受け取ってこのＥＵＶ放射を中間焦点に集束するように構成されている、いわゆる斜入射型コレクタである場合がある。斜入射型コレクタは、例えば複数の斜入射リフレクタを含む入れ子型コレクタである場合がある。斜入射リフレクタは、光軸を中心として軸対称に配置されることがある。

[000139] 放射源ＳＯは、１つ以上の汚染トラップ（図示せず）を備えることがある。例えば汚染トラップは、プラズマ形成領域４と放射コレクタ５との間に位置することがある。汚染トラップは、例えば回転フォイルトラップであるか、又は他の任意の適切な形態の汚染トラップである場合がある。

[000140] レーザ１は放射源ＳＯから分離していてもよい。その場合、レーザビーム２は、例えば適当な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビーム送出システム（図示しない）及び／又は他の光学部品の助けを借りて、レーザ１から放射源ＳＯへと渡されてもよい。レーザ１及び放射源ＳＯは、併せて放射システムと見なされ得る。

[000141] コレクタ５によって反射された放射は放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは点６で集束されてプラズマ形成領域４の画像を形成し、これは照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射ビームＢが集束される点６は、中間焦点と称され得る。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの内包構造体９の開口８に又はその付近に位置するように配置される。

[000142] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調節するように構成されている照明システムＩＬ内に進む。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることがある。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、放射ビームＢに所望の断面形状と所望の角度分布を与える。放射ビームＢは、照明システムＩＬから出射し、支持構造ＭＴにより保持されたレチクルアセンブリ１５に入射する。レチクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡ及びペリクル１９を含む。ペリクルは、ペリクルフレーム１７を介してパターニングデバイスＭＡに取り付けられる。レチクルアセンブリ１５は、レチクル及びペリクルアセンブリ１５と呼ぶことができる。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射しこれにパターンを付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを備えることもある。

[000143] パターニングデバイスＭＡからの反射に続き、パターニングされた放射ビームＢは、投影システムＰＳに進入する。投影システムは、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗに放射ビームＢを投影するように構成された複数のミラー１３，１４を備える。投影システムＰＳはある縮小係数を放射ビームに適用してもよく、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを有する画像を形成する。例えば、４という縮小係数が適用され得る。図１では投影システムＰＳは２つのミラー１３，１４を有しているが、投影システムＰＳは任意の数のミラー（例えば６つのミラー）を含んでいてもよい。

[000144] リソグラフィ装置は、例えばスキャンモードで使用されることがある。スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンしながら、放射ビームに付与されたパターンを基板Ｗに投影する（すなわち動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小及び像反転特性によって決定されることがある。基板Ｗに入射するパターン付与された放射ビームは、ある放射帯を含むことがある。この放射帯は露光スリットと呼ばれることがある。スキャン露光中、露光スリットが基板Ｗの露光フィールド上を進んでいくように基板テーブルＷＴ及び支持構造ＭＴが移動することがある。

[000145] 図１に示されている放射源ＳＯ及び／又はリソグラフィ装置は、図示されていないコンポーネントを備えることがある。例えば、放射源ＳＯ内にスペクトルフィルタが提供されることがある。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、赤外線放射のような他の波長の放射を実質的に阻止することがある。

[000146] リソグラフィシステムの他の実施形態では、放射源ＳＯは他の形態をとることもある。例えば代替的な実施形態では、放射源ＳＯは１つ以上の自由電子レーザを含むことがある。１つ以上の自由電子レーザは、１つ以上のリソグラフィ装置に提供され得るＥＵＶ放射を放出するように構成されることがある。

[000147] 以上で簡単に述べたように、レチクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡに隣接して設けられているペリクル１９を備える。ペリクル１９は放射ビームＢの経路内に設けられているので、放射ビームＢは、照明システムＩＬからパターニングデバイスＭＡに近付く時、及びパターニングデバイスＭＡによって反射されて投影システムＰＳに向かう時の両方でペリクル１９を通過する。ペリクル１９は、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性である（が、少量のＥＵＶ放射を吸収することになる）薄膜又は膜を含む。本明細書において、ＥＵＶ透過ペリクル又はＥＵＶ放射に対して実質的に透過性である膜とは、ペリクル１９がＥＵＶ放射の少なくとも６５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくはＥＵＶ放射の少なくとも９０％に対して透過性であることを意味する。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡを粒子汚染から保護する役割を果たす。

[000148] リソグラフィ装置ＬＡ内部でクリーンな環境を維持するように努力しても、リソグラフィ装置ＬＡ内部に依然として粒子が存在する場合がある。ペリクル１９がなければ、粒子がパターニングデバイスＭＡ上に付着されることがある。パターニングデバイスＭＡ上の粒子は、放射ビームＢに付与されるパターン、ひいては基板Ｗに転写されるパターンに悪影響を及ぼす恐れがある。ペリクル１９は、有利なことにパターニングデバイスＭＡ上に粒子が付着されるのを防止するために、パターニングデバイスＭＡとリソグラフィ装置ＬＡ内の環境との間にバリアを与える。

[000149] ペリクル１９は、ペリクル１９の表面に入射する粒子がリソグラフィ装置ＬＡのフィールド面内に存在しないように十分な距離だけパターニングデバイスＭＡから離して位置決めされている。ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間のこの間隔は、ペリクル１９の表面上の粒子が基板Ｗ上に結像される放射ビームＢにパターンを付与する程度を抑える役割を果たす。粒子が放射ビームＢ内に存在しても、その位置が放射ビームＢのフィールド面内でない（すなわちパターニングデバイスＭＡの表面でない）場合、この粒子の像は基板Ｗの表面で焦点外になることが理解されるであろう。他に考慮すべき事項が存在しないならば、ペリクル１９をパターニングデバイスＭＡからかなり離れた距離に位置決めすることが望ましい場合がある。しかしながら実際は、リソグラフィ装置ＬＡ内に他のコンポーネントが存在するので、ペリクルを収容するために利用可能な空間は限られている。一部の実施形態では、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の間隔は、例えば約１ｍｍ～１０ｍｍ、例えば１ｍｍ～５ｍｍ、例えば２ｍｍ～２．５ｍｍである場合がある。

[000150] ペリクルはボーダー部及び膜を含むことがある。ペリクルのボーダー部は中空で概ね矩形である場合があり、膜はボーダー部によって囲まれていることがある。当技術分野で知られているように、ペリクルは１つ以上の薄い材料層を概ね矩形のシリコン基板上に堆積させることによって形成されることがある。シリコン基板は、ペリクルの構築のこの段階の間１つ以上の薄層を支持する。層の所望の又は目標厚さ及び組成が一旦適用されると、シリコン基板の中央部がエッチングによって除去される（これはバックエッチングと呼ばれることがある）。矩形のシリコン基板の周辺部はエッチングされない（代替的には中央部よりエッチングの程度が少ない）。この周辺部は最終ペリクルのボーダー部を形成する一方、１つ以上の薄層はペリクルの（ボーダー部により囲まれている）膜を形成する。ペリクルのボーダー部はシリコンから形成されていることがある。

[000151] かかるペリクルは、より剛性の高いペリクルフレームからのある程度のサポートを必要とすることがある。ペリクルフレームは２つの機能を提供することがある。第１に、ペリクルフレームはペリクルを支持することがあり、またペリクル膜をぴんと張ることがある。第２に、ペリクルフレームは、ペリクルのパターニングデバイス（レチクル）との接続を促進することがある。１つの既知の構成では、ペリクルフレームは、ペリクルのボーダー部に糊付けされている概ね矩形の本体部及びこの本体の側部に糊付けされているチタン取付機構を備えることがある。パターニングデバイス（レチクル）には中間固定部材（スタッドとして知られている）が固定されている。パターニングデバイス（レチクル）上の中間固定部材（スタッド）は、ペリクルフレームの取付部材と係合する（例えば解放可能に係合する）ことがある。

[000152] レチクルアセンブリが、ペリクルをペリクルフレームに取り付けることによって、またペリクルフレームをパターニングデバイスに取り付けることによって、リソグラフィ装置での使用のために用意されることがある。パターニングデバイスＭＡと、ペリクルフレームによりパターニングデバイスに隣接して支持されるペリクルとを備えたレチクルアセンブリが、リソグラフィ装置ＬＡから遠隔で用意されることがあり、レチクルアセンブリは、リソグラフィ装置ＬＡでの使用のためにリソグラフィ装置ＬＡに輸送されることがある。例えば、ペリクルを支持するペリクルフレームが、レチクルアセンブリを形成するために、パターンがパターニングデバイス上に付与される場所においてパターニングデバイスに取り付けられることがある。次いでレチクルアセンブリは、リソグラフィ装置ＬＡが位置する別の場所に輸送されることがあり、レチクルアセンブリはリソグラフィ装置ＬＡでの使用のためにリソグラフィ装置ＬＡに提供されることがある。

[000153] レチクルアセンブリ１５が空気にさらされると、アセンブリの表面は部分的に酸化するものである。この部分酸化はレチクルＭＡの反射率及びペリクル１９の透過率に影響を及ぼし、望ましいものではない。更に、反射率への影響は一般にレチクルＭＡの全体で異なるものとなり、透過率への影響は一般にペリクル１９の全体で異なるものとなる。ＥＵＶリソグラフィ装置内において、基板テーブルＷＴ（レチクルステージとも呼ばれる）の近くに水素が提供されることがある。ペリクルのないレチクルの場合、ＥＵＶ放射の存在下でこの水素ガスは、レチクルの部分的に酸化された表面を還元し、反射率を一貫した公称レベルに戻すことになるプラズマを形成するものである。通常、ペリクルのないレチクルの反射率は、以前に空気にさらされたレチクルが最初にＥＵＶにさらされた後に定常状態に達する場合にいくつかのダイで変動する。かかる反射率変動の生産性損失は、約数１０分である場合があり、したがって許容できる場合がある。

[000154] しかしながら、以下で考察するように、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の部分的に酸化された表面の還元はより困難である。本発明の実施形態は、具体的にはかかるレチクル－ペリクルアセンブリ１５を還元し、そこから酸化を取り除くために、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置内で使用されるレチクル－ペリクルアセンブリ１５を処理するための装置及び関連方法に関する。本発明の実施形態はまた、レチクル－ペリクルアセンブリ１５を処理するためのかかる装置及び方法での使用に特に適し得るレチクル－ペリクルアセンブリ１５に関する。

[000155] レチクル－ペリクルアセンブリ１５（ペリクル付きレチクルとしても知られている）の場合、レチクルＭＡの前面及びペリクル１９の対向面に入射する水素プラズマからの活性種のフラックスは大幅に減少する。これは、ペリクル１９の膜がＥＵＶビームで生成される種に対するバリアをペリクル１９の前面に隣接して形成するためである。更に、レチクルＭＡとペリクル１９の間の体積内に生成される活性種は、レチクルＭＡとペリクル１９の表面で部分的に急冷（再結合、会合）されるものであり、この効果は酸素引き抜きに使用可能な活性種のフラックスを更に減少させる。

[000156] また、レチクルＭＡの前面及びペリクル１９の背面から放出される水及び／又は酸素は、ペリクル１９とレチクルＭＡの間の体積から容易に出ることができない（通常はペリクルフレームとレチクルＭＡの前面との間には非常に狭いスリットのみが設けられる）。更に、ペリクル膜とレチクルＭＡの前面との間に閉じ込められた酸素及び水が、取り戻される（レチクルＭＡ及びペリクル１９を再酸化させるか又は吸着される）可能性があり、透過率回復時間が延びる可能性がある。ペリクル１９（の前面及び背面）とレチクルＭＡ（の前面）の両方に表面酸化物があるため、システム全体の透過率は、ペリクルのないシステムより２～３倍大きく変化する。ペリクル付きレチクルが定常状態に達するのにかかる時間は、ペリクルのないレチクルの場合より約１０～１００倍長い。結果として透過率は、定常状態に達するまでに約２～２０個のウェーハで変動することがある。これは大きな生産性損失である。

[000157] 図２は、レチクル－ペリクルアセンブリを処理するための装置２００の第１の実施形態を示している。図２には、装置２００において処理されるレチクル－ペリクルアセンブリも示されている。

[000158] 装置は、サポート２２０と、水素供給２５０と、電子源２１０とを備える。

[000159] サポート２２０は、レチクル－ペリクルアセンブリを支持するためのものである。図２では、レチクル－ペリクルアセンブリがサポート２２０によって支持されている様子が示されている。

[000160] レチクル－ペリクルアセンブリはレチクル及びペリクルを含む。

[000161] レチクルは、前面及び後面２３１を有するレチクル基板２３０を含む。前面には中央品質エリア２３３（像形成部とも呼ばれる）が設けられ、周辺非結像エリア２３４によって囲まれている。中央品質エリア２３３及び周辺非結像エリア２３４は、それぞれレチクル基板上に配設された多層ミラーを備えることがある。多層ミラーはＥＵＶ放射を反射するように構成されることがある。中央品質エリア２３３には、（使用時に中央品質エリア２３３から反射されたＥＵＶ放射ビームに付与されたパターンを形成するために）多層ミラー上にパターン化された吸収層が設けられることも理解されるであろう。中央品質エリア２３３及び周辺非結像エリア２３４は、（通常は非反射材料を含む）黒枠２３２によって分離されている。

[000162] ペリクルは、ペリクルボーダー２４１により囲まれたペリクル膜２４０を含む。ペリクルはペリクルフレーム２４５によって支持されている。例えば、ペリクルボーダー２４１は、例えばペリクル膜２４０をピンと張った状態でペリクルフレーム２４５に接着されていることがある。

[000163] ペリクルフレーム２４５は、ペリクルのレチクルとの接続を容易にするためにレチクルの非結像エリア２３４に接続されている。この接続は、接続２４４としてかなり概略的に示されている。ペリクルフレーム２４５が取付機構を備え得ること、及び中間固定部材（スタッドとして知られている）がレチクルの非結像エリア２３４に固定され得ることが理解されるであろう。レチクル上の中間固定部材（スタッド）は、接続２４４を提供するためにペリクルフレーム２４５の取付部材と係合する（例えば解放可能に係合する）ことがある。

[000164] 図２に示すレチクル－ペリクルアセンブリは、使用時に、例えば装置２００で処理された後に、図１に示したサポート構造ＭＴ上に取り付けられることがある。

[000165] サポート２２０は複数のシェルフ部２２２を備え、シェルフ部２２２は、レチクル－ペリクルアセンブリがペリクルをペリクルボーダー２４５の近くでシェルフ部と接触した状態で支持され得るように構成されている。サポート２２０は、ペリクルの反対側の縁部を支持するように構成されたかかる２つのシェルフ部２２２を備えることがある。代替的にサポート２２０は、ペリクルの４つの全ての縁部を支持するように構成されたかかる４つのシェルフ部２２２を備えることがある。

[000166] 水素供給２５０は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの近くに水素２５２を供給するように動作可能である。任意選択的に、装置２００は、サポート２２０が配設されているエンクロージャ２６０を更に備えることがある。水素供給２５０は、水素２５２をエンクロージャに供給するように動作可能である場合がある。エンクロージャには１つ以上のポンプ２６２（例えば真空ポンプ）が設けられ得ることが理解されるであろう。水素供給２５０及びポンプ２６２は、エンクロージャ２６０内の圧力を制御するのに使用されることがある。水素供給２５０及びポンプ２６２は、装置２００の圧力制御システムの一部を構成するものと見なされることがある。

[000167] 代替的に装置２００は、エンクロージャを有するのではなくむしろ、別の装置内の制御環境内に設けられることがある。例えば装置２００は、図１に示すタイプのリソグラフィ装置の一部内に設けられることがある。

[000168] 電子源２１０は電子銃を備えることがある。電子銃は高圧電子銃である場合がある。電子銃は、約１～１００Ｐａの圧力を有する動作環境で動作するように動作可能である場合がある。

[000169] 電子源２１０は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように電子２１２を誘導するように動作可能である。具体的には電子源２１０は、電子２１２をペリクル膜２４０の一部２４３に誘導するように動作可能である。

[000170] 装置２００は、電子源２１０及びサポート２２０の少なくとも一方を移動させるように動作可能なスキャン機構を更に備える。電子源２１０は、矢印２１１で概略的に示されるように、サポート２００により支持されたペリクル膜２４０に概ね平行な平面内で移動可能である場合がある。図２の一重矢印２１１で示されているが、一般に電子源２１０がペリクル膜２４０に概ね平行な平面内で２次元で移動可能であり得ることが理解されるであろう。付加的に又は代替的に、サポート２２０は、矢印２２１で概略的に示されるように、サポート２２０により支持されたペリクル膜２４０に概ね平行な平面内で移動可能である場合がある。図２の一重矢印２２１で示されているが、一般にサポート２２０がペリクル膜２４０に概ね平行な平面内で２次元で移動可能であり得ることが理解されるであろう。かかるスキャン機構によって、電子源２１０により放出された電子２１２は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの異なる部分のある範囲２４３に誘導される可能性がある。

[000171] 一実施形態では、電子源２１０により出力された電子ビーム２１２を、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に走査するためにサポート２２０に対して移動可能な電子銃２１０が提供されることがある。これによって、市販の電子源がペリクル膜２４０の実質的に全エリアを処理することが可能になることがある。

[000172] 図２に示す装置２００の電子源２１０は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように電子２１２を誘導するように動作可能である。かかる入射電子の少なくとも一部分はペリクルを通ってレチクルに伝搬することになる。電子は水素源２５０からの水素２５２と相互作用して、レチクルの前面などの（部分的に）酸化された表面を還元し得る、及び／又は吸着された酸素の脱着を促進し得るＨ^＊、Ｈ^＋、Ｈ_２ ^＋、Ｈ_３ ^＋などの活性種を生成することができる。

[000173] 装置２００には、これより考察する電子シンクが更に設けられる。具体的には、使用時にレチクル－ペリクルアセンブリに接触するサポート２２０の一部が電子シンクを備える。例えば、使用時にレチクル－ペリクルアセンブリに接触するサポート２２０の一部（例えばシェルフ部２２２）は接地されていることがある。この例では、使用時にレチクル－ペリクルアセンブリに接触するサポート２２０の一部は、ペリクルの一部に接触するシェルフ部２２２を含む。ただし一般には、使用時にレチクル－ペリクルアセンブリに接触するサポートの一部は、ペリクルの一部及び／又はレチクルの一部に接触することがある。かかる電子シンクは、ペリクルがレチクル及び／又はペリクルに発生する静電圧又はスパーク損傷によって破裂するほどの電荷を蓄積するのを防ぐことがある。また、ペリクルが電子源２１０から放出される以降の電子２１２に影響を及ぼすほどの電荷を蓄積するのを防ぐこともある。

[000174] この実施形態では、ペリクルの一部上に導電性コーティング２４２が設けられる。例えば導電性コーティング２４２が、ペリクルのペリクルボーダー２４１の一部分を含む一部分上に設けられる。導電性コーティング２４２はまた、ペリクル膜２４０上に部分的に延びる。ただし導電性コーティング２４２は、レチクルの品質エリア２３３を遮るほど遠くに延びることはない（リソグラフィ露光中の品質エリア２３３のＥＵＶ照射を遮らない）。導電性コーティング２３３はペリクルの前面に設けられ、サポート２２０に接触する。

[000175] 図３は、レチクル－ペリクルアセンブリを処理するための装置３００の第２の実施形態を示している。図３には、装置３００において処理されるレチクル－ペリクルアセンブリも示されている。図３に示す装置３００は、図２に示した装置２００と共通の多くの特徴を共有する。図２に示した装置２００と図３に示す装置３００の両方に共通のかかる特徴はいずれも共通の参照番号を共有し、以下で詳細に考察されることはない。以下では、図３に示す装置３００と図２に示した装置２００との相違点が説明されることになる。

[000176] 装置はサポート２２０と、水素供給２５０と、電子源３１０とを備える。

[000177] レチクル－ペリクルアセンブリはレチクル及びペリクルを含み、ペリクルが変更されたペリクルフレーム３４５を介してレチクルに接続されていることを除いて、図２を参照して以上で説明したのと実質的に同じである。

[000178] 水素供給２５０は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの近くに水素２５２を供給するように動作可能である。具体的にこの実施形態では、水素供給２５０は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルとペリクルの間に水素を誘導するように構成された１つ以上のノズル３６０を備える。これを容易にするために、変更されたペリクルフレーム３４５に１つ以上の流路３６２が設けられる。１つ以上の流路３６２は、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間により良好な流体連通を提供する。１つ以上のノズル３６０のそれぞれは、これらの流路３６２のうちの隣接する１つの流路であり、水素を流路３６２を通ってサポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルとペリクルの間に誘導するように構成されている。ノズル３６０と隣接する流路３６２とのかかる構成は、レチクルとペリクルの間に画定される体積への入口を構成するものと見なされることがある。かかる入口に加えて、１つ以上の流路３６２には関連するノズルが設けられないことがあり、これらの流路３６２は、レチクルとペリクルの間に画定される体積からの出口を構成するものと見なされることがある。入口はレチクル－ペリクルアセンブリの一方の側に配置されることがあり、出口はレチクル－ペリクルアセンブリの反対側に配置されることがある。

[000179] 一実施形態では、変更されたレチクルフレーム３４５は、概ね図５Ａ及び図５Ｂを参照して以下で説明されるレチクルフレームの形態をしている場合がある。

[000180] この実施形態では、水素供給２５０は、水素３６１の流れをペリクルとレチクルの間（上記の入口と出口の間）に提供するように動作可能である。かかる流れは、実質的に一方向である場合があり、例えば交差流と呼ばれることがある。有利にはこれは、レチクルとペリクルの間の体積内のガスをリフレッシュし、ひいては水分除去を加速させ、重要表面上及び重要表面間の（還元中に活性種により生成される）水分子の滞留時間を短縮することができる。ペリクルは通常、最大１００Ｐａの過圧に耐えることができるため、ペリクルにかかる圧力差が約１０～５０Ｐａ（安全のために２倍の余裕を持たせた）の大きな流れが提供される可能性がある。一部の実施形態では、レチクルとペリクルの間に約１０～１００Ｐａの圧力で水素が提供されることもある。

[000181] 図２に示した装置２００と同様に、図３の装置３００は、図２を参照して実質的に以上で説明したように、エンクロージャ２６０及び関連するポンプ２６２を更に備えることがある。１つ以上のノズルで水素を供給することに加えて、水素供給２５０が水素の流れをかかるエンクロージャ２６０の主要部に提供するように動作可能であり得ることが理解されるであろう。代替的に、装置３００はエンクロージャを有するのではなくむしろ、別の装置内の制御環境内に設けられることがある。例えば装置３００は、図１に示すタイプのリソグラフィ装置の一部内に設けられることがある。

[000182] 電子源３１０は電子銃を備えることがある。電子銃は高圧電子銃である場合がある。電子銃は、約１～１００Ｐａの圧力を有する動作環境で動作するように動作可能である場合がある。電子源３１０は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように電子３１１を誘導するように動作可能である。

[000183] この実施形態では、装置３００は、電子源から電子ビーム３１１を受け取り、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル膜２４０の表面に電子ビームを分配するように構成された電子光学系３１２を更に備える。電子光学系３１２は電子源から電子ビーム３１１を受け取り、空間的に拡大した電子ビーム３１３を出力する。

[000184] 電子光学系３１２は、静電集束光学系を含むことがある。電子光学系３１２は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル膜２４０の表面に電子ビームを実質的に均一に分配するように動作可能である場合がある。つまり、電子光学系３１２は、レチクル－ペリクルアセンブリの全エリアの均一な照射を提供するように構成されることがある。

[000185] 図３に示す装置３００の電子源３１０は、サポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように電子３１３を誘導するように動作可能である。かかる入射電子の少なくとも一部分はペリクルを通ってレチクルに伝搬することになる。電子は水素源２５０からの水素３６１の流れと相互作用して、レチクルの前面などの（部分的に）酸化された表面を還元し得る、及び／又は吸着された酸素の脱着を促進し得るＨ^＊、Ｈ^＋、Ｈ_２ ^＋、Ｈ_３ ^＋などの活性種を生成することができる。

[000186] 装置３００には、これより考察する電子シンクが更に設けられる。

[000187] 装置３００は、電磁放射をペリクルに誘導するように動作可能な電磁放射源３７０を更に備える。例えば、かかる電磁放射源は、レーザ、例えば紫外線（ＵＶ）又は深紫外線（ＤＵＶ）レーザを含むことがある。かかる電磁放射源は、（例えば、光電効果を介して電子を放出することによって）電子源による帯電を補償するために光電流をペリクルに提供するように動作可能である。

[000188] 付加的に又は代替的に、電子シンクが（図２を参照して以上で説明したように）接地されたサポートとの電気的接触を介して設けられることがある。

[000189] 図２に示した装置２００又は図３に示した装置３００に適用され得る一部の特徴及びパラメータは考察しない。

[000190] 電子源２１０、３１０により生成される電子が、洗浄効果をもたらし酸化物層を除去するために単一エネルギーである必要はないことに留意されたい。更に、電子源２１０、３１０からの一次電子は、物質中を伝搬するときに電磁シャワーを生じさせ、二次電子及び制動放射を生じさせることがある。かかる二次電子及び制動放射はまた、一般に洗浄効果をもたらし酸化物層を除去することになる。

[000191] 一部の実施形態では、水素供給２５０は、水素を５０～１００Ｐａ範囲内の圧力で供給するように動作可能である。具体的に図３に示す装置３００では、水素供給２５０は、５０～１００Ｐａ範囲内の圧力でサポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルとペリクルの間に水素を誘導するように動作可能である場合がある。

[000192] かかる構成によって、ペリクルとレチクルの間（及び、任意選択的にペリクルの前面より上）の水素圧力は、ＥＵＶリソグラフィ装置内の典型的な値である５～１０Ｐａから引き上げられることがある。有利には、これは電子源からの照射及び／又は制動放射として放出され得るＤＵＶ又はＶＵＶ放射の下で活性種の生成を増やすことができる。

[000193] 一部の実施形態では、装置２００、３００は、サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を制御するように動作可能な熱調節ユニットを更に備えることがある。

[000194] 例えば、かかる熱調節ユニットは、サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を上げるように動作可能なヒータを備えることがある。電子源によってレチクル－ペリクルアセンブリにいくらかの熱が提供されることになる。ヒータにより提供される追加の熱は、水のガス放出を促進して関連表面上に水が滞留する時間を短縮することがある。滞留時間が、レチクル－ペリクルアセンブリの温度が１０℃上昇するごとに２分の１～１０分の１に短縮され得ることが予想される。

[000195] ヒータは、例えばペリクル及び／又はレチクルを照射するように動作可能な放射源を備えることがある。例えば図３に示す実施形態の放射源３７０は、かかるヒータを提供するものと見なされることがある。付加的に又は代替的に、熱は任意の他の方法で（例えば、レチクル基板２３０の後面２３１との熱的接触を介して）提供されることがある。

[000196] 一部の実施形態では、熱調節ユニットは、サポート２２０により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を下げるように動作可能な冷却システムを備えることがある。かかる冷却がない場合、上記の装置２００、３００を使用してレチクル－ペリクルアセンブリを洗浄するプロセスが、レチクル－ペリクルアセンブリの温度を上昇させ得ることが理解されるであろう。例えば使用時に、電子源２１０、３１０はアセンブリに約１０～１００Ｗの熱負荷を与えることがある。ただし、レチクル－ペリクルアセンブリが、レチクルステージにクランプされリソグラフィプロセスの一部として使用され得る前に、レチクルステージＭＴと実質的に同じ温度であることが重要である場合がある。冷却システムを設けることは、レチクル－ペリクルアセンブリがレチクルステージＭＴに安全にクランプされ得るまでの洗浄プロセス後にかかる時間を短縮することがある。

[000197] 一部の実施形態では、サポート２２０によりレチクル－膜アセンブリが支持されているとき、サポート２２０はレチクルの前面とペリクル膜との電気的接続を提供することがある。有利には、これは、レチクル及びペリクルにかかる（ペリクルに静電圧をかける可能性がある）バイアス電圧を減らすことができる。

[000198] 一部の実施形態では、電子源は２１０、３１０は、電子をサポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように誘導して、ペリクルを通って伝搬する電子の一部分が５００ｅＶ未満のエネルギーを有するように構成されている。一部の実施形態では、電子源２１０、３１０は、ペリクルを通って伝搬する電子の一部分が１００ｅＶ未満のエネルギーを有するように構成されることがある。これによって、ペリクル膜２４０がレチクルへの静電引力によって破裂しないことが保証されることがある（ペリクルは、レチクルに約２００Ｖの電圧降下がある場合に破損することが知られている）。

[000199] 一部の実施形態では、電子源は２１０、３１０は、電子をサポート２２０により支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように誘導して、ペリクル膜２４０を通って伝搬する電子の一部分がレチクルにおいて１より大きい二次電子収率を達成するように構成されている。これは、ペリクルにより一旦減衰された電子源からの電子ビームが約１００～３００ｅＶのエネルギーを有する場合に達成されることがある。有利には、かかる構成によって、レチクル及びペリクルにかかるバイアス電圧が、ペリクルのみが接地されている間に最小限に抑えられることがある。

[000200] 一部の実施形態では、レチクルに衝突する電子のエネルギーは、電子がレチクル上の多層ミラー構造の最初の数層に吸収されるように選択されることがある。電子が（超低膨張材料から形成され得る）レチクル基板２３０内に伝搬することは望ましくない場合がある。

[000201] 一部の実施形態では、レチクル－ペリクルアセンブリに衝突する電子は、約１０ｍＡの電流を有することがある。

[000202] 以上で既に考察したように、一部の実施形態では、装置２００、３００は、図１に示したタイプのリソグラフィ装置ＬＡ内に設けられることがある。

[000203] かかるリソグラフィ装置は、レチクル－ペリクルアセンブリがリソグラフィ装置ＬＡの制御環境にある間に上記の装置２００、３００を使用して処理されることを可能にするため特に有利である。これは、レチクル－ペリクルアセンブリをリソグラフィ装置ＬＡから取り外し、これを部分酸化を還元するために処理した後、レチクル－ペリクルアセンブリをリソグラフィ装置ＬＡ内の元の位置に戻す必要がない。レチクル－ペリクルアセンブリが空気又はかなりの量の酸素及び／もしくは水を含有する環境にさらされるたびに、反射率変動を避けるために部分酸化を還元することが望ましい場合がある。

[000204] 一般に、リソグラフィ装置には複数のレチクル－ペリクルアセンブリが設けられる。これらはリソグラフィ露光の一部として使用されていないときはレチクルライブラリに保管される。所望される又は必要とされるときに、レチクル－ペリクルアセンブリが、レチクル交換デバイスアームを使用してレチクルライブラリから取り出され、レチクルライブラリからサポート構造ＭＴに移動される可能性がある。

[000205] 一部の実施形態では、上記の装置２００、３００の一方（又はそれらの変形例）が、リソグラフィ装置のレチクルライブラリ内又はリソグラフィ装置のレチクル交換デバイスアーム上に提供されることがある。

[000206] 本発明の一部の実施形態は、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂを参照してこれより考察される新規のレチクル－ペリクルアセンブリに関する。

[000207] 図４Ａ及び図４Ｂは、既知のレチクル－ペリクルアセンブリ４００の互いに直交する２つの断面図を示している。図４Ａに示すように、既知のレチクル－ペリクルアセンブリ４００は、概ね図２に示したレチクル－ペリクルアセンブリの形態をしている。レチクル－ペリクルアセンブリ４００は、ペリクル膜４０１及びペリクルボーダー４０２を含むペリクルを備える。ペリクルボーダーは、ペリクルアセンブリを形成するために（例えば接着剤を使用して）ペリクルフレーム４０３に取り付けられている。

[000208] レチクル－ペリクルアセンブリ４００は、レチクル基板４０８及びレチクル前面構造４１０を含むレチクルを更に備える。

[000209] ペリクルフレーム４０３は、ペリクルのレチクルとの接続を容易にするためにレチクルのレチクル前面構造４１０に接続されている。ただし、この接続は図４Ａの断面には示されていない。ペリクルフレーム４０３が取付機構を備え得ること、及び中間固定部材（スタッドとして知られている）がレチクルのレチクル前面構造４１０に固定され得ることが理解されるであろう。レチクル上の中間固定部材（スタッド）は、接続を提供するためにペリクルフレーム４０３の取付部材と係合する（例えば解放可能に係合する）ことがある。

[000210] 図４Ｂは、平面Ａ－Ａ（図４Ａ参照）におけるペリクルフレーム４０３の断面を示している。

[000211] 接続はペリクルフレーム４０３とレチクルのレチクル前面構造４１０との間に約０．１ｍｍのギャップｈが設けられる。図４Ａの平面におけるペリクルフレームの厚さＨは通常、ギャップｈより大幅に大きい（すなわち、通常はｈ＜＜Ｈ）。例えば、図４Ａの平面におけるペリクルフレームの厚さＨは約１～５ｍｍである場合がある。

[000212] かかる構成によって、ペリクルとレチクルの間の体積と周辺環境との間の（還元生成物である水蒸気又は脱着生成物である酸素に関連した）分子領域におけるガスコンダクタンスは、ペリクルフレームとレチクルとの間の狭いスリットによって制限される。このスリット又は流路は、高さ約ｈ、（図４Ｂの平面における）フレームの厚さに対応する長さ、すなわち長さ約（ＷＦ、ＵＦ）、及びペリクルフレーム４０３の外周の幅、すなわち長さ約（Ｌ＿フレーム＋Ｗ＿フレーム）＊２を有する。通常、図４Ｂの平面におけるフレームの幅は約５～１０ｍｍである。したがって、ペリクルとレチクルの間の体積と周辺環境との間の分子領域における流体コンダクタンスは、Ｃ?ｈ^３＊Ｌ／Ｗとしてスケーリングされる。

[000213] 図５Ａ及び図５Ｂは、本発明のある実施形態に係る新規のレチクル－ペリクルアセンブリ５００の互いに直交する２つの断面図を示している。レチクル－ペリクルアセンブリ５００は、変更されたペリクルフレーム５０３を有することを除いて、概ね図４Ａ及び図４Ｂに示したレチクル－ペリクルアセンブリの形態をしている。

[000214] 図５Ｂから分かるように、ペリクルフレーム５０３は、（その上にペリクル膜４０１が延在する）概ね矩形の開口５０６を取り囲む概ね矩形の本体を提供するように配置された４つの壁部５０５を備える。２つの対向した壁部５０５には、壁部５０５の外面５０７から概ね矩形の開口５０６に隣接する壁部５０５の内面５０９に及ぶ３つの流路５０４が設けられる。

[000215] 流路５０４は非線形である。具体的には各流路は、壁部５０５の外面５０７から壁部５０５内に延びる第１の部分と、壁部５０５の外面５０７から壁部５０５内に延びる第２の部分とを有する。第１及び第２の部分は、第１及び第２の部分に概ね垂直である第３の中央部分（すなわち、第３の部分は壁部５０５に概ね平行である）によって接続されている。

[000216] 新規のレチクル－ペリクルアセンブリ５００は、これより考察するように有利である。

[000217] ペリクルフレーム５０３がレチクルと係合されるとき、ペリクルフレーム５０３の壁部５０５はレチクルの非像形成部に隣接している。ペリクルを支持することに加えて、ペリクルフレームはレチクルとペリクルの間に画定される体積を概ね取り囲む（図５Ａ参照）。これは、レチクルとペリクルの間に画定される体積に進入し得る微粒子デブリの量を制限し、（基板上に形成されるレチクルの像に誤差を生じさせ得る）デブリのレチクルへの衝突を防ぐことができるために有利である。しかしながら、レチクル－ペリクルアセンブリ５００が、レチクル及びペリクルの表面上の酸化を還元するために（例えば、図２及び図３を参照して以上で説明した装置２００、３００を使用して）処理される場合、図４Ａ及び図４Ｂに示したタイプのペリクルフレーム４０３の存在は、レチクルの前面及びペリクルの背面から放出される水及び／又は酸素がペリクルとレチクルの間の体積から容易に出ることができないことを意味する。更に、ペリクル膜とレチクルの前面との間に閉じ込められた酸素及び水は、取り戻される（レチクル及びペリクルを再酸化させるか又は吸着される）可能性があり、透過率回復時間が延びる可能性がある。

[000218] しかしながら、壁部５０５の外面５０７から概ね矩形の開口５０６に隣接する壁部５０５の内面５０９に及ぶ非線形流路５０４を設けることによって、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間により良好な流体連通を提供することが可能になる。例えば、流路５０４は、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間の水蒸気の分子流の流体コンダクタンスを増加させることができる。流路５０４は非線形であるため、（例えば、レチクル－ペリクルアセンブリ５００のポンプダウン及びベント中の）流路５０４を経由した粒子の弾道輸送を妨げることができる。

[000219] 流路５０４は、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間のガス交換を加速させることによって、図２及び図３を参照して以上で説明した装置２００、３００を使用した処理における又はリソグラフィ露光プロセス中のＥＵＶ露光における使用時のアニールされたペリクル付きレチクルからの水分除去を促進することがある。

[000220] 一般に流路５０４は任意の適切な形状を有することがあり、一般に壁部５０５の外面５０７から概ね矩形の開口５０６に隣接する壁部５０５の内面５０９に及ぶ複雑な流路又はラビリンス流路を画定する。

[000221] この実施形態では、３つの流路５０４は、２つの対向した壁部５０５のそれぞれに壁部５０５の外面５０７から壁部５０５の内面５０９にかけて設けられる。有利には、かかる構成はペリクルとレチクルの間に水素の流れを提供する適切な構成を提供する。一方の壁部にある流路５０４は、かかる流れの入口を形成することがあり、対向した壁部にある流路５０４はかかる流れの出口を形成することがある。これは、流れが実質的に一方向であることを可能にし、例えば交差流と呼ばれることがある。有利には、これは、レチクルとペリクルの間の体積内のガスをリフレッシュし、ひいては水分除去を加速させ、重要表面上及び重要表面間の（還元中に活性種により生成される）水分子の滞留時間を短縮することができる。ペリクルは通常、最大１００Ｐａの過圧に耐えることができるため、ペリクルにかかる圧力差が約１０～５０Ｐａ（安全のため２倍の余裕を持たせた）の大きな流れが提供される可能性がある。一部の実施形態では、レチクルとペリクルの間に約１０～１００Ｐａの圧力で水素が提供されることもある。

[000222] 図５Ａ及び図５Ｂに示すレチクル－ペリクルアセンブリ５００は、図３に示した装置３００での使用に特に適している場合がある。

[000223] 図４Ａ及び図４Ｂに示した既知のレチクル－ペリクルアセンブリ４００と同様に、ペリクルフレーム５０３とレチクル前面構造４１０との間のギャップｈは約０．１ｍｍであるのに対して、図５Ａの平面におけるペリクルフレーム５０３の厚さＨは通常、ギャップｈより大幅に大きい（すなわち、通常はｈ＜＜Ｈ）。例えば図５Ａの平面におけるペリクルフレーム５０３の厚さＨは約１～５ｍｍである場合がある。

[000224] 図４Ａ及び図４Ｂに示した既知のレチクル－ペリクルアセンブリ４００と同様に、レチクルとペリクルの間の体積と周辺環境との間にはギャップｈを介した流体コンダクタンスが存在する。ただし、２つの対向した壁部５０５のそれぞれに設けられた流路５０４は、これより考察されるように追加の流体コンダクタンスを提供する。

[000225] （還元生成物である水蒸気又は脱着生成物である酸素に関連した）分子領域における追加のガスコンダクタンスは、Ｃ_{ｅｘｔｒａ}?Ｎ＊（Ｑ^３＊Ｐ／Ｚ）としてスケーリングされ、ここでＮは流路５０４の数であり、Ｐは（壁部５０５に概ね平行である）流路５０４の中央部分である第３の部分の幅であり、Ｚは（壁部５０５に概ね平行である）流路５０４の中央部分である第３の部分の長さであり、Ｑは（壁部５０５に概ね平行である）流路５０４の中央部分である第３の部分の高さである。これは、入力及び出力（Ｒ＿ｉｎ、Ｒ＿ｏｕｔ）開口（すなわち、流路５０４の第１及び第２の部分）のコンダクタンスが中央の第３の部分のコンダクタンスより大幅に大きいためプロセス限定しないと仮定する。流路５０４のパラメータの適切な選択によって、Ｃ_{ｅｘｔｒａ}が約１００＊Ｃ、すなわち流路により提供される追加のコンダクタンスがギャップｈにより提供されるコンダクタンスより１００倍大きく構成することが可能である。

[000226] ペリクルフレーム５０３の剛性を保つことが望ましい。したがって、好ましくは流路５０４の中央部分である第３の部分の高さは、ペリクルフレーム５０３の高さの約０．２～０．８倍（すなわち、Ｑは約０．２～０．８＊Ｈ）である。

[000227] 新規のペリクルフレーム５０３のジオメトリは、既存のペリクルフレームより洗浄が困難である場合がある。したがって、新規のペリクルフレーム５０３が鋭い縁を取り除くために製造後に電解研磨されることが望ましい場合がある。

[000228] 一部の実施形態では、少なくとも１つの流路は、レチクルとペリクルの間に画定される体積と周辺環境との間の流体コンダクタンスを少なくとも１０倍増加させる。

[000229] 一部の実施形態では、ペリクルの少なくとも一部上に導電性コーティングが設けられる。この導電性コーティングは、図２に示したペリクル上に設けられた導電性コーティング２４２と同様である場合がある。

[000230] 本発明の一部の実施形態は、リソグラフィ装置用のレチクル－ペリクルアセンブリを処理する方法に関する。概して、かかる方法は、レチクル－ペリクルアセンブリを提供すること、レチクル－ペリクルアセンブリを支持すること、レチクル－ペリクルアセンブリの近くに水素を供給すること、及び電子をレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、入射電子の少なくとも一部分がペリクルを通ってレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルに向かって伝搬するように誘導することを含むことがある。

[000231] かかる方法は、レチクル－ペリクルアセンブリが還元されることを可能にする。なぜなら、ペリクルを通ってレチクルに伝搬する入射電子の少なくとも一部分は、Ｈ^＊、Ｈ^＋、Ｈ_２ ^＋、Ｈ_３ ^＋などの活性種を生成するためにレチクル－ペリクルアセンブリの近くに供給される水素と相互作用することができるためである。これらの活性種は、レチクルの前面などの（部分的に）酸化された表面を還元する、及び／又は吸着された酸素の脱着を促進することができる。

[000232] これらの方法が以上で説明した装置２００、３００を使用して実行され得ることが理解されるであろう。したがってこれらの方法は、以上で説明した装置２００、３００の上記の機能のいずれかを含むことがある。

[000233] これらの方法が以上で説明したレチクル－ペリクルアセンブリ５００を使用して実行され得ることが理解されるであろう。したがってこれらの方法は、以上で説明したレチクル－ペリクルアセンブリ５００の上記の機能のいずれかを含むことがある。

[000234] 以上で考察したように、リソグラフィ装置内で水素ガスの供給がレチクル－ペリクルアセンブリの近くで行われることがある。この水素ガスはレチクル－ペリクルアセンブリの表面に洗浄効果をもたらすことができる。例えば水素の流れは、オブジェクトの表面に入射するデブリの量を減らすことがある。更に、リソグラフィ装置内での基板の露光中、ＥＵＶ放射の存在下において、水素供給からの水素ガスはレチクル－ペリクルアセンブリの近くにプラズマを形成することがある。このプラズマは、オブジェクトの表面に洗浄効果をもたらすことになり、（表面を還元するために）オブジェクトの表面上の酸素と反応し、かかるデブリの除去を助けるために表面上のデブリと反応する。

[000235] ＥＵＶリソグラフィ装置で使用されるペリクルは通常、シリコンと炭素の化合物から形成される。これらの材料は水素誘起ガス放出（ＨＩＯ）に悩まされる。いくつかの反応段階を経て、水素はかかるペリクルの（自然）酸化物シェルを除去し、次いでシリコン又は炭素コアを除去する。シリコンベースのペリクルの場合、この水素プラズマによるシリコンコアのエッチングはシランＳｉＨ_４を形成するのに対して、炭素ベースのペリクルの場合、この水素プラズマによる炭素コアのエッチングはメタン化合物を形成する。このプラズマエッチングを防ぐ又は減らすために、ペリクルを保護し得るエッチ耐性のあるキャッピング材料を開発することが望ましい場合がある。ただし、水素不透過性が十分なかかるキャッピング材料を見つけることは簡単ではない。

[000236] 本発明の一部の実施形態は、磁場を用いてペリクルアセンブリの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるための装置及び関連方法に関する。ペリクルを水素プラズマエッチングから保護することに関連した説明が行われているが、本発明のこれらの実施形態が、かかるプラズマ環境から任意のオブジェクトの表面を保護するのに代替的に使用され得ることが理解されるであろう。具体的にはリソグラフィ装置内で、本発明のこれらの実施形態は、センサ、ミラー、壁又はその他のコンポーネントなどの他のオブジェクトの表面を保護するのに使用されることがある。

[000237] これより考察するように、ＥＵＶリソグラフィ装置内の典型的な条件で、水素プラズマが、例えば約０．２Ｔの磁場強度を有する適度な強度の磁場の影響を受ける可能性があると推測される。

[000238] まず我々はペリクルの近くの粒子の典型的な密度を推定する。典型的な水素ガス密度を約５Ｐ、温度を２７３Ｋと仮定すると、単位体積当たりの分子数は理想気体の法則を用いて次式のように推定される可能性がある。

ここでｎは分子数であり、Ｖは体積であり、Ｐは圧力であり、ｋはボルツマン定数であり、Ｔは温度である。

[000239] プラズマ密度は、１０^６個の粒子中の１個だけがイオン化されているために約１０^１５イオン／ｍ^－３である。イオンの数が中性分子と比較してごくわずかであるため、我々はイオンの中性種との衝突を考える。

[000240] 次に我々は水素イオン及び電子の平均自由行程（ｍｆｐ）を推定する。我々は水素イオンの平均自由行程を気体運動論を用い、衝突がほとんど中性水素分子とのものであると仮定して推定する。我々は原子分子衝突のための次のｍｆｐを与える、Ｈ_２分子の分子径ｄを０．３ｎｍとする。

ここでＲは一般気体定数であり、Ｎ_Ａはアボガドロ定数である。

[000241] 電子と水素分子との衝突について、我々は１０^－２０ｍ^２の衝突断面積σを仮定する。これによって、我々は電子の平均自由行程を次式のように推定することが可能である。

[000242] 最後に、水素イオンと電子の両方について、我々はラーモア半径を計算し、これを平均自由行程と比較する。磁場において、荷電粒子のラーモア半径Ｒは次式によって与えられる。

ここでｍは荷電粒子の質量であり、ｖは粒子の速度であり、ｑは粒子の電荷であり、Ｂは磁場強度（テスラ）である。粒子の速度は気体運動論から次式のように推定される可能性がある

ここで温度Ｔは、イオン及び電子のそれぞれについて３００Ｋ及び１１６００Ｋ（１ｅＶ）である。

[000243] これらから、０．２Ｔの磁場強度について、水素イオンのラーモア半径はＲ_Ｈ３＋＝２．０＊１０^－４ｍと推定され、電子のラーモア半径はＲ_ｅ－＝１．７＊１０^－５ｍと推定される。

[000244] イオンについて、ラーモア半径は平均自由行程より１桁小さい。電子について、ラーモア半径は平均自由行程より４桁小さい。これは、０．２Ｔの磁場においてイオンが通常、中性ガス種と衝突する前に磁力線の周りにいくつかの円形のラーモア軌道を回るものであることを意味する。更に、電子は通常、中性ガス種と衝突する前に何千もの軌道を回るものであり、これは電子が磁場の影響をかなり受けること（及びたとえ磁場強度が１～２桁低いとしてもそうであること）を意味する。更に、イオン移動の主な駆動力は両極性拡散によるものである。体積内の電荷の中性を保つために、遅い（正の電荷を帯びた）イオンは、たとえその間により速い負の電荷を帯びた電子が中性種から散乱したとしてもその動きを常に追っている。これは、電子の効果的な制御がイオンをも制御することを意味する。

[000245] したがって、我々は０．２Ｔの磁場強度では水素プラズマが磁化され、水素プラズマが磁場の影響をかなり受けると結論することがある。しかしながら、解決策が効果的なものとなるように、追加の閉じ込めによるリソグラフィ装置における過剰なプラズマ蓄積を防止しながら、磁場がイオンフラックスのかなりの割合がペリクルに到達するのを妨げるように構成されることが望ましい。

[000246] ペリクルアセンブリの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるために磁場を用いる本発明の実施形態の例を、図６～図８を参照してこれより考察する。

[000247] 図６は、本発明のある実施形態に係る装置６００の概略図である。図６に示す装置６００は、オブジェクトを支持するためのサポート６１０を備える。この例ではサポート６１０はレチクルステージであり、例えば図１に示したサポート構造ＭＴである場合がある。オブジェクトはレチクル－ペリクルアセンブリであり、例えば図１に示したレチクルアセンブリ１５である場合がある。具体的にはオブジェクトは、レチクル又はパターニングデバイス６２０とペリクルとを備え、そしてペリクルはペリクルフレーム６２２及びペリクル膜６２４を備える。

[000248] 図６に示す装置６００は、水素６３２をペリクル膜６２４の近くに供給するように動作可能な水素供給６３０を更に備える。水素ガスは、例えば約５Ｐａの圧力で供給されることがある。

[000249] 図６に示す装置６００は、コイル６４０と、コイル６４０に電流を発生させるように動作可能な電源６４２とを更に備える。コイルの平面は、サポート６１０、レチクル６２０及びペリクル膜６２４の平面に概ね平行である。コイル６４０はペリクル膜６２４を概ね取り囲む。

[000250] かかる構成によって、電源６４２がコイル６４０に電流を供給するとき、（矢印付きの実線で示された）磁場６４４を、サポート６１０により支持されているときのペリクル膜６２４の近くに発生させる。コイル６４０に電流を供給する電源６４２は、サポート６１０により支持されているときのペリクル膜６２４の近くに磁場を発生させるように動作可能な磁場発生器と見なされることがある。

[000251] 磁場６４４は、コイル６４０の中心に概ね垂直でこれを通過するライン又は軸６４６に関して対称である。磁場６４４の磁場強度は、サポート６１０により支持されているときのペリクル膜６２４の表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に（すなわち、矢印６４８で示された方向に）低下する。

[000252] 電源６４２及びコイル６４０は、その双極子軸６４６がサポート６１０により支持されているときのペリクル膜６２４の表面に垂直となるように配置された双極子磁石と見なされることがある。かかる構成によって、磁力線６４４は、サポート６１０により支持されているときのペリクル膜６２４の表面に平行な成分を有する。

[000253] 有利には、サポート６１０により支持されているときのペリクル膜６２４の表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向６４８に低下する磁場６４４を作り出すことによって、粒子がペリクル膜６２４の表面に向かって移動するときに、磁場の増加を経験することになる。次いで、粒子の磁場６４４に垂直な速度は上昇し、粒子の磁場６４４に平行な速度は低下する。荷電粒子の磁場６４４における例示的な軌道６５０も図６に示されている（矢印付きの破線）。荷電粒子の少なくともある割合について、粒子の磁場６４４に平行な速度はゼロまで減少することになり、粒子は方向が逆になる。かかる構成は磁気ミラーとして知られており、以下で更に考察される。

[000254] 荷電粒子（イオン又は電子）は、磁力線６４４に対してある角度をなして移動するとき、回転し始めることになる。これはラーモア歳差運動として知られている。荷電粒子が、より高い磁場６４４によってコイル６４０に更に近づくとき、より多くのエネルギーが前進推進力から回転に変換される。これは、減速し最終的には粒子の方向を（コイル６４０の軸６４６に平行な方向に）逆転させるコイル６４０から遠ざかる有効力を構成する。これは、一部のプラズマ溶融炉におけるプラズマ閉じ込めに使用される磁気ミラーマシン（磁気瓶としても知られている）の半分に類似している。かかる磁気瓶では、それぞれが磁気ミラーとして機能する２つのコイルが使用され、プラズマはこれらの２つの磁気ミラーの間に閉じ込められる。これに対して、レチクル又はペリクル表面を遮蔽するために、かかる磁気ミラーを１つだけ使用することが提案される。

[000255] コイル６４０により形成される磁気ミラーについて、我々は開口角θを有するいわゆる損失コーンを定義することができる。損失コーン内の粒子はコイル６４０を通過することになるのに対して、損失コーンの外部の粒子は以上で説明したように磁場６４４によって反射されることになる。反射粒子は次の基準を満たす。

ここでｖ_ｐｅｒｐは粒子の初期速度の磁場に垂直な成分であり、ｖ_ｔｏｔは粒子の全速度であり、Ｂ_ｍａｘはコイル６４０における磁場強度であり、Ｂ_ｍｉｎは最初に磁場を経験した位置における磁場強度である。ミラー比Ｒ_ｍを次式で定義することが有用である。

[000256] 磁場内にあるプラズマからの荷電粒子の速度の初期ランダム性を所与として、できるだけ多くの粒子を反射するためにミラー比ができるだけ高いことが望ましい。

[000257] 単一のコイル６４０が使用されるため、イオンがＥＵＶ放射ビームによって生成される場所における磁場は、Ｂ_ｍｉｎに最も有用なメトリックであり、一方Ｂ_ｍａｘはコイル６４０における磁場によって与えられる。通常、イオンは、ペリクル膜６２４及びコイル６４０から約１～１０ｃｍの範囲でＥＵＶ放射によって生成されることがある。

[000258] 半径ａを有するコイルの場合、中心から軸方向に離れた距離ｚにある磁場は、以下としてとしてスケーリングされる。

[000259] ペリクル膜６２４からの距離ａ＝１０ｃｍに生成される粒子について、Ｂ_ｍｉｎは、以下よりも３倍小さい

これが停止させる粒子の割合は、１マイナス損失コーン内にある粒子の割合である。損失コーン内にある粒子の割合は、π／２で割ったθによって与えられる。したがって、反射される粒子の割合は次式によって与えられる。

[000260] ペリクル膜６２４からの距離ａ＝１０ｃｍに生成される粒子について、Ｂ_ｍｉｎは、Ｂ_ｍａｘより１．０５倍小さいため、粒子フラックスの１４％しか反射されない。

[000261] 図６に示す装置６００は、コイル６４０及び電源６４２が発生させる磁場６４４がローレンツ力を介してプラズマ内の荷電粒子に作用するように動作可能であるために有利である。そうする際に磁場６４４は、これらの荷電粒子（具体的には水素イオン）をペリクル膜６２４の表面から離れる方に誘導することができる。有利には、これはプラズマエッチング速度を減少させることによって、ペリクルの寿命を延長することができる。

[000262] 図７Ａは、本発明のある実施形態に係る装置７００の概略図である。図７に示す装置７００は、オブジェクトを支持するためのサポート７１０を備える。この例ではサポート７１０はレチクルステージであり、例えば図１に示したサポート構造ＭＴである場合がある。オブジェクトはレチクル－ペリクルアセンブリであり、例えば図１に示したレチクルアセンブリ１５である場合がある。具体的にはオブジェクトは、レチクル又はパターニングデバイス７２０とペリクルとを備える。そしてペリクルはペリクルフレーム７２２及びペリクル膜７２４を備える。

[000263] 図７に示す装置７００は、水素７３２をペリクル膜７２４の近くに供給するように動作可能な水素供給７３０を更に備える。水素ガスは、例えば約５Ｐａの圧力で供給されることがある。

[000264] 図７に示す装置７００は、サポート７２０の平面に分布させた複数の磁石７４０、７４２を更に備える。磁石７４０、７４２は、例えばサポート７２０の本体内に埋め込まれていることがある。磁石７４０、７４２のそれぞれは、サポート７２０の平面、レチクル７２２の平面及びペリクル膜７２４の平面に概ね垂直に配向された双極子を有する。

[000265] 複数の磁石７４０、７４２は、磁場７４４（点線で示される）をサポート７１０により支持されているときのペリクル膜７２４の近くに発生させるように動作可能な磁場発生器と見なされることがある。磁場７４４の磁場強度は、サポート７１０により支持されているときのペリクル膜７２４の表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に（すなわち、矢印７４８で示された方向に）低下する。

[000266] 磁石７４０、７４２は電磁石の永久磁石を含むことがある。

[000267] 磁石７４０、７４２は、サポート７２０の平面に分布させた複数の磁石７４０、７４２のうちの隣接する磁石７４０、７４２の各対の双極子モーメントが逆平行になるように構成されている。これを達成するために、複数の磁石７４０、７４２は、第１の極性を有する第１の磁石セット７４０と、第２の反対の極性を有する第２の磁石セット７４２とを含む。第１及び第２の磁石セット７４０、７４２は、第１及び第２のセット７４０、７４２のいずれか一方の各磁石が他方のセットの磁石のみに隣接するように交互に配置されている。

[000268] かかる構成によって、各磁石７４０、７４２からの磁力線は（反対の極性の）隣接する磁石７４０、７４２間に延びることになる。更に、磁場強度は、サポート７２０により支持されているときのペリクル膜７２４の表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に（すなわち、矢印６４８で示された方向に）低下することになる。かかる構成によって、磁力線７４４は、サポート７１０により支持されているときのペリクル膜７２４の表面に平行な成分を有する。

[000269] 有利には、サポート７１０により支持されているときのペリクル膜７２４の表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向７４８に低下する磁場７４４を作り出すことによって、粒子が膜７２４の表面に向かって移動するときに、磁場の増加を経験することになる。次いで、粒子の磁場７４４に垂直な速度は上昇し、粒子の磁場７４４に平行な速度は低下する。荷電粒子の磁場７４４における例示的な軌道７５０も図７に示されている（矢印付きの破線）。荷電粒子の少なくとも一部の割合について、粒子の磁場７４４に平行な速度はゼロまで減少することになり、粒子は方向が逆になる。

[000270] 複数の磁石７４０、７４２のアンサンブル磁場７４４は、ペリクル膜に近い高磁場と非常に小さい磁場への急激な移行部（カスプ）の交互領域を含む。具体的には、磁石７４０、７４２のそれぞれに隣接した磁場７４４に磁場カスプが存在する。かかる構成は磁気ピケットフェンスとして知られている場合がある。このタイプの構成は、材料改質のためにプラズマチャンバで、また衛星用のイオンスラスタとして使用される。この概念の成功した適用は概して磁気ミラーよりも効率的であり得ると考えられる。

[000271] 図７Ａは、ペリクル膜７２４の平面に垂直な平面における断面図である。図７Ｂは、磁石７４０、７４２のレチクル７２０の平面に対する位置を示す平面図である。図７Ａ及び図７Ｂは、一貫して一組の右手系のデカルト軸が付されている。この実施形態では、磁石７４０、７４２のそれぞれは、その双極子モーメントに垂直な方向（図７Ａ及び図７Ｂのｙ方向）に細長い。

[000272] かかる構成によって、各磁石７４０、７４２は、その磁石７４０、７４２の双極子モーメントに概ね平行である平面に関して局所的に対称な磁場を生成する（これらの対称面は図７Ａ及び図７Ｂのｚ－ｙ平面に平行である）。複数の磁石７４０、７４２のそれぞれに隣接した線カスプが存在する。磁場強度は、サポート７１０により支持されているときのペリクル膜７２４の表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向７４８に低下する。

[000273] この実施形態では、磁石７４０、７４２が複数の線カスプを生成するために細長いが、代替的な実施形態では、磁石は、ペリクル膜７２４の表面に垂直な双極子モーメントと整列した様々な異なる形状で配置されることがある。例えば磁石の２次元配列に（例えば正方又は六角形配列で）反対の極性を有する隣接する磁石対が設けられることがある。かかる構成は、卵パックの底部にある程度類似した形状を有する磁場を発生させることがある。

[000274] かかる構成では、損失幅ｗは通常、最低磁場のポイントでペリクルに移るイオンフラックスのガウスビームの幅と同じである場合がある。この幅ｗはより高い磁場で狭くなり、以下のハイブリッドジャイロ半径に対応すべきである。

[000275] この損失幅は、典型的な極間距離（例えば、少なくとも１ｃｍであり得る）よりも大幅に（数％）小さい。したがって、図７に示す装置７００を用いれば、粒子の比較的小さい割合がペリクル膜７２４に入射することになることが予想される。

[000276] 図７に示す装置７００は、磁石７４０、７４２が発生させる磁場７４４がローレンツ力を介してプラズマ内の荷電粒子に作用するように動作可能であるために有利である。そうする際に磁場７４４は、これらの荷電粒子（具体的には水素イオン）をペリクル膜７２４の表面から離れる方に誘導することができる。有利には、これはプラズマエッチング速度を減少させることによって、ペリクルの寿命を延長することができる。

[000277] 図８は、本発明のある実施形態に係る装置８００の概略図である。図７に示す装置８００は、オブジェクトを支持するためのサポート８１０を備える。この例ではサポート８１０はレチクルステージであり、例えば図１に示したサポート構造ＭＴである場合がある。オブジェクトはレチクル－ペリクルアセンブリであり、例えば図１に示したレチクルアセンブリ１５である場合がある。具体的には、オブジェクトはレチクル又はパターニングデバイス８２０とペリクルとを備える。そしてペリクルはペリクルフレーム８２２及びペリクル膜８２４を備える。

[000278] 図８に示す装置８００は、水素８３２をペリクル膜８２４の近くに供給するように動作可能な水素供給８３０を更に備える。水素ガスは、例えば約５Ｐａの圧力で供給されることがある。

[000279] 図８に示す装置８００は、一対の対向したコイル８４０、８４２と、一対の関連した電源８４４、８４６とを更に備える。一対のコイル８４０、８４２のそれぞれの平面は、サポートにより支持されているときのペリクル膜８２４の表面に概ね垂直である。図８では、ペリクル膜８２４の平面はｘ－ｙ平面に平行であるのに対して、コイル８４０、８４２のそれぞれの平面はｘ－ｚ平面に平行である。

[000280] 第１の電源８４４は、コイル８４０の１つに電流を発生させるように動作可能であり、第２の電源８４６は、コイル８４２の他の１つに電流を発生させるように動作可能である。この実施形態ではコイル８４０、８４２のそれぞれに別々の電源が設けられているが、他の実施形態では、２つのコイル８４９、８４２は共通の電源を共有することがある。

[000281] ２つのコイル８４０、８４２が発生させる双極子磁場の極性が一般的に反対となるように電源８４４、８４６が構成されることが理解されるであろう。したがって、２つの対向したコイル８４０、８４２は一般にヘルムホルツコイルの形態をしている場合があり、２つのコイル８４０、８４２間に概ね一様な磁場を発生させる。一対のコイル８４０、８４２は一般に円形、正方形又は長方形である場合がある。

[000282] 一対のコイル８４０、８４２（及び関連した電源８４４、８４６）は、磁場８４４（矢印付きの実線で示される）をサポート８１０により支持されているときのペリクル膜８２４の近くに発生させるように動作可能な磁場発生器と見なされることがある。磁場８４４は、サポート８１０により支持されているときのペリクル膜８２４の平面に概ね平行である。

[000283] この構成によって、荷電粒子が磁場８４４を通ってペリクル膜８２４の表面に向かって伝搬するときに、磁場８４４内の螺旋路に向かって進むことになる。荷電粒子の磁場８４４における例示的な軌道８５０も図８に示されている。有利には、かかる粒子の少なくとも一部分が磁場８４４内のこの螺旋路に閉じ込められることになり、ペリクル膜８２４の表面に入射することはない。

[000284] 図８に示す装置８００はペリクル膜８２４の平面に平行な磁場を発生させる。上記のように、これは電子の動きに強く影響を及ぼし、電子を捕獲してペリクル膜８２４の表面に平行な移動に限定することになる。両極性拡散によって、イオンも捕獲されることになる。

[000285] 以上で説明したように、図８に示す装置８００は、図１に示したリソグラフィ装置ＬＡ内に設けられることがある。

[000286] リソグラフィ装置ＬＡには、照明されるパターニングデバイスＭＡ上の磁場の範囲を決める４つのレチクルマスキングブレードが設けられる。照明システムＩＬは、サポート構造ＭＴ上に配設されたときのパターニングデバイスＭＡのある領域を照明するように動作可能である。この領域は照明システムＩＬのスリットと呼ばれることがあり、放射を受け取り得るパターニングデバイスの概ね矩形の領域を規定する４つのレチクルマスキングブレードによって少なくとも部分的に規定される。概ね矩形の領域の、ｘ方向と呼ばれ得る第１の方向の範囲は、一対のｘマスキングブレードによって決められる。概ね矩形の領域の、ｙ方向と呼ばれ得る第２の方向の範囲は、一対のｙマスキングブレードによって決められる。

[000287] マスキングブレードのそれぞれは、サポート構造ＭＴ上のパターニングデバイスの平面の近くであるが、その平面からわずかにずれて配設されている。ｘマスキングブレードは第１の平面内に配設され、ｙマスキングブレードは第２の平面内に配設されている。

[000288] マスキングブレードのそれぞれは、放射を受け取り得るパターニングデバイスＭＡの平面内に矩形の磁場領域の１つの縁部を規定する。各ブレードは、放射ビームの経路に配設されていない後退位置と、照明システムＩＬによりパターニングデバイスＭＡに投影された放射ビームを少なくとも部分的に遮断する挿入位置との間を独立に移動可能である場合がある。マスキングブレードを放射ビームの経路内に移動させることによって、放射ビームＢを（ｘ及び／又はｙ方向に）切り捨て、放射ビームＢを受け取る磁場領域の範囲を制限することができる。

[000289] ｘ方向はリソグラフィ装置ＬＡの非スキャン方向に対応し、ｙ方向はリソグラフィ装置ＬＡのスキャン方向に対応する。パターニングデバイスＭＡは、パターニングデバイスＭＡのより大きい領域を単一の動的スキャン露光において露光するために、ｙ方向に磁場領域内を移動可能である。

[000290] 本発明の一実施形態では、図８に示す装置８００は、一対のコイル８４０、８４２をｙマスキングブレードのそれぞれの上に長方形コイルとして設けることによって、リソグラフィ装置ＬＡ内に設けられる。

[000291] 装置８００のこの実施形態の潜在的な欠点の１つは、（ｙマスキングブレード上にあり得る）コイル８４０、８４２とペリクル膜８２４との間の体積内に発生される全てのイオンが影響を受けるわけでなく、依然としてペリクル膜８２４に移動することになる磁場の配置である。

[000292] 図８に示す装置８００の効率は、（ペリクル膜８２４に平行な）磁場の方向と、（ペリクル膜８２４に入射する）磁場に垂直な方向の拡散係数の比をとることによって推定される可能性がある。磁場の垂直及び平行拡散の比は、次式によって与えられる。

ここでｗ_ｃはラーモア周波数であり、ｔ_ｃは衝突間の時間である。（上記の）リソグラフィ装置におけるプラズマ条件では、電子についての磁場の垂直及び平行拡散の比Ｄ_⊥／Ｄ_||＝４＊１０^－１０であると認められる。つまり、実質的に全ての電子が磁場に沿って拡散する。

[000293] 図６、図７Ａ及び図８にそれぞれ示された装置６００、７００、８００のそれぞれにおいて、磁場をサポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに発生させるように動作可能な磁場発生器が提供される。代替的な実施形態では、磁場は、これより考察されるように水素プラズマに電流を流すことによって発生されることがある。

[000294] 具体的には磁場発生器は、水素供給によりオブジェクトの近くに供給される水素から形成されるプラズマに電流を発生させるように構成されている電源を備えることがある。電源がプラズマに電流を流すとき、プラズマは、電流密度ベクトルに垂直に寸法が収縮することになる。これはＺピンチ閉じ込めとして知られている。このシステムはＺピンチ閉じ込めと呼ばれており、核融合のために広く研究されている。

[000295] 磁場発生器は、プラズマ中に配設された２つの電極を備えることがあり、電源は、２つの電極間に電圧を印加するように動作可能である場合がある。つまり、電源とプラズマとが直接接触することがある。代替的に、電源はプラズマに誘導結合されることがあり、プラズマ中に電流を誘導するように構成されることがある。

[000296] 電源が２つの電極間に電圧を印加するように動作可能であり得る実施形態では、２つの電極はリソグラフィ装置内の任意の適切な位置に配設されることがある。例えば電極は、マスキングブレード上、水素供給の一部を構成するノズル又はペリクル及び／又はレチクルからの特別に設計された延長部の上に設けられることがある。

[000297] 電源が２つの電極間に電圧を印加するように動作可能であり得る実施形態では、非イオン化ガス中の放電を回避するために電極にかかる電圧を少なくとも５０～１００Ｖ未満、好ましくは１０Ｖ未満に維持することが望ましい場合がある。

[000298] 小さい電流がプラズマ（又はガス）を流れるとき、電流密度ベクトル周りに回転磁力線が生成される。この磁場は、荷電粒子を磁場周りの円形軌道に閉じ込めることによってプラズマを閉じ込めることができる。電流の長さに沿ったプラズマの本質的に完全な閉じ込めによって、プラズマ密度は上昇し、不安定及び急速に起こる閉じ込めの破損も引き起こすことがある。ただしこれは、リソグラフィ装置内の低イオン化水素プラズマでは核融合デバイスよりも問題にならなくなる。更にイオン損失の大部分が、電流を発生させるソース・ドレイン電極に向けられる可能性がある場合、ペリクル膜は依然として保護されることがある。

[000299] 図６、図７Ａ及び図８にそれぞれ示された装置６００、７００、８００のそれぞれにおいて、以上で考察したように、磁場発生器がサポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに、０．２Ｔ以上の磁場強度を有する磁場を発生させるように動作可能であることが望ましい場合がある。

[000300] 図６、図７Ａ及び図８にそれぞれ示された装置６００、７００、８００のそれぞれにおいて、以上で考察したように、磁場は荷電粒子（具体的には水素イオン）をペリクル膜の表面から離れる方に誘導することができる。有利には、これはプラズマエッチング速度を減少させることによって、ペリクルの寿命を延長することができる。ペリクル膜の寿命の少なくとも一桁の改善が達成され得ることが推定される。

[000301] 本発明の一部の実施形態は、リソグラフィ装置のレチクル－ペリクルアセンブリ上の荷電粒子のフラックスを減少させるための方法に関する。一般に、かかる方法は、オブジェクトを支持すること、オブジェクトの表面の近くに水素プラズマを発生させること、及びオブジェクトの表面の近くに、オブジェクトの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるように構成された磁場を発生させることを含む。

[000302] かかる方法は、これより考察されるように有利である。方法は、ＥＵＶリソグラフィ装置内で利用されることがある。オブジェクトはレチクル－ペリクルアセンブリである場合がある。水素プラズマは、オブジェクト（例えば、レチクル－ペリクルアセンブリ）の表面に洗浄効果をもたらすことができる。ただし、シリコンと炭素の化合物から形成されるオブジェクト（ＥＵＶリソグラフィ装置で使用されるペリクルなど）は水素誘起ガス放出（ＨＩＯ）に悩まされる。いくつかの反応段階を経て、水素プラズマはかかるオブジェクトの（自然）酸化物シェルを除去し、次いでシリコン又は炭素コアを除去することができる。シリコンベースのペリクルの場合、この水素プラズマによるシリコンコアのエッチングはシランＳｉＨ_４を形成するのに対して、炭素ベースのペリクルの場合、この水素プラズマによる炭素コアのエッチングはメタン化合物を形成する。
有利には、オブジェクトの表面の近くに、オブジェクトの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるように構成されている磁場を発生させることによって、プラズマエッチング速度を減少させ、これによってオブジェクトの寿命が延長される。磁場がローレンツ力を介してプラズマ中の荷電粒子に作用し、そうする際にこれらの荷電粒子（具体的には水素イオン）をペリクルの表面から離れるように誘導することができることが理解されるであろう。

[000303] 本明細書におけるマスク又はレチクルへの言及は、パターニングデバイスへの言及と解釈されることがあり（マスク又はレチクルはパターニングデバイスの例である）、これらの用語は交換可能に使用されることがある。具体的には、マスクアセンブリという用語は、レチクルアセンブリ及びパターニングデバイスアセンブリと同義である。

[000304] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置において用いられることもある。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を構成することがある。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。かかるリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することがある。

[000305] 「ＥＵＶ放射」という用語は、波長が４～２０ｎｍの範囲内、例えば１３～１４ｎｍの範囲内である電磁放射を包含すると考えられることがある。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなど４～１０ｎｍの範囲内の波長を有することがある。

[000306] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。

[000307] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲及び条項から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

１．レチクル－ペリクルアセンブリを支持するためのサポートと、
サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの近くに水素を供給するように動作可能な水素供給と、
サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように電子を誘導するように動作可能な電子源と、を備えた装置。
２．水素供給が、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルとペリクルの間に水素を誘導するように動作可能である、条項１の装置。
３．水素供給が、水素を５０から１００Ｐａ範囲内の圧力で供給するように動作可能である、条項１又は条項２の装置。
４．サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を制御するように動作可能な熱調節ユニットを更に備えた、条項１から３のいずれかの装置。
５．熱調節ユニットが、サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を上げるように動作可能なヒータを備える、条項４の装置。
６．熱調節ユニットが、サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を下げるように動作可能な冷却システムを備える、条項４又は条項５の装置。
７．サポートが、使用時にレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに接触する、条項１から６のいずれかの装置。
８．使用時にレチクル－ペリクルアセンブリに接触するサポートの一部が電子シンクを含む、条項１から７のいずれかの装置。
９．サポートによりレチクル－膜アセンブリが支持されるとき、サポートがレチクルの前面とペリクル膜との電気的接続を提供する、条項１から８のいずれかの装置。
１０．電子源が、電子をサポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、ペリクルを通って伝搬する電子の一部分が５００ｅＶ未満のエネルギーを有するように誘導する、条項１から９のいずれかの装置。
１１．電磁放射をペリクルに誘導するように動作可能な電磁放射源を更に備えた、条項１から１０のいずれかの装置。
１２．電子源が、電子をサポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、ペリクルを通って伝搬する電子の一部分が１より大きい二次電子収率を達成するように誘導する、条項１から１１のいずれかの装置。
１３．エンクロージャを更に備え、サポートがエンクロージャ内に配設されており、水素供給が水素をエンクロージャに供給するように動作可能である、条項１から１２のいずれかの装置。
１４．電子源が電子銃を備える、条項１から１３のいずれかの装置。
１５．電子源により放出された電子が、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの様々な部分の範囲に誘導され得るように、電子源及びサポートの少なくとも一方を移動させるように動作可能なスキャン機構を更に備えた、条項１から１４のいずれかの装置。
１６．電子源から電子ビームを受け取り、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に電子ビームを分配する電子光学系を更に備えた、条項１から１５のいずれかの装置。
１７．条項１から１６のいずれかの装置を備えたリソグラフィ装置。
１８．装置が、リソグラフィ装置のレチクルライブラリ内又はリソグラフィ装置のレチクル交換デバイスアーム上に提供される、条項１７のリソグラフィ装置。
１９．レチクルと、
ペリクルボーダーで囲まれた中央ペリクル膜を含むペリクルと、
ペリクルを支持し、ペリクルがレチクルに隣接して配設されるようにレチクルと係合するペリクルフレームとを備え、
ペリクルフレームが、概ね矩形の開口を取り囲む概ね矩形の本体を提供する壁部を含み、壁部に、壁部の外面から概ね矩形の開口に隣接した壁部の内面に及ぶ少なくとも１つの非線形流路が設けられたアセンブリ。
２０．少なくとも１つの流路が、壁部の外面から概ね矩形の開口に隣接する壁部の内面に及ぶ複雑な流路又はラビリンス流路を画定する、条項１９のアセンブリ。
２１．少なくとも１つの流路が、２つの対向した壁部のそれぞれに壁部の外面から壁部の内面にかけて設けられる、条項１９又は条項２０のアセンブリ。
２２．少なくとも１つの流路が、レチクルとペリクルの間に画定された体積と周辺環境との間の流体コンダクタンスを少なくとも１０倍増加させる、条項１９から２１のいずれか一項のアセンブリ。
２３．少なくとも１つの流路が、レチクルとペリクルの間に画定された体積及び周辺環境との間の十分に高い流体コンダクタンスを提供し、レチクルとペリクルの間に画定された体積及び周辺環境からの少なくとも０．０１正常ｍｌ／分の正常流量を可能にする、条項１９から２２のいずれか一項のアセンブリ。
２４．ペリクルの少なくとも一部上に導電性コーティングが設けられる、条項１９から２３のいずれか一項のアセンブリ。
２５．条項１から１６のいずれか一項に記載の装置と、
条項１９から２４のいずれか一項に記載の少なくとも１つのアセンブリと、を備えたシステム。
２６．リソグラフィ装置用のレチクル－ペリクルアセンブリを処理する方法であって、
レチクル－ペリクルアセンブリを提供すること、
レチクル－ペリクルアセンブリを支持すること、
レチクル－ペリクルアセンブリの近くに水素を供給すること、及び
電子をレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、入射電子の少なくとも一部分がペリクルを通ってレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルに向かって伝搬するように誘導することを含む方法。
２７．方法が条項１から１６のいずれか一項に記載の装置を使用して実行される、条項２６の方法。
２８．レチクル－ペリクルアセンブリが条項１９から２４のいずれか一項に記載のアセンブリである、条項２６又は条項２７の方法。
２９．水素が、サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルとペリクルの間に誘導される、条項２６から２８のいずれか一項の方法。
３０．水素が５０から１００Ｐａ範囲内の圧力で供給される、条項２６から２９のいずれか一項の方法。
３１．レチクル－ペリクルアセンブリの温度を制御することを更に含む、条項２６から３０のいずれか一項の方法。
３２．レチクル－ペリクルアセンブリに電子シンクを設けることを更に含む、条項２６から３１のいずれか一項の方法。
３３．レチクルの前面とペリクル膜との間に電気的接続を提供することを更に含む、条項２６から３２のいずれか一項の方法。
３４．ペリクルを通って伝搬する入射電子の一部分が５００ｅＶ未満のエネルギーを有する、条項２６から３３のいずれか一項の方法。
３５．電子源による帯電を少なくとも部分的に補償するために、電磁放射をペリクルに誘導して光電流をペリクルに提供することを更に含む、条項２６から３４のいずれか一項の方法。
３６．ペリクルを通って伝搬する入射電子の一部分が、ペリクルにおいて１より大きい二次電子収率を達成するのに十分なエネルギーを有する、条項２６から３５のいずれか一項の方法。
３７．電子をレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、入射電子の少なくとも一部分がペリクルを通ってレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルに向かって伝搬するように誘導することが、レチクル－ペリクルアセンブリの表面に電子ビームを走査することを含む、条項２６から３６のいずれか一項の方法。
３８．電子をレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、入射電子の少なくとも一部分がペリクルを通ってレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルに向かって伝搬するように誘導することが、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に電子ビームを分配することを含む、条項２６から３７のいずれか一項の方法。
３９．オブジェクトを支持するためのサポートと、
サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに水素を供給するように動作可能な水素供給と、
サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに磁場を発生させるように動作可能な磁場発生器と、を備えた装置。
４０．磁場発生器が、サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに磁場を発生させるように動作可能であり、磁場の強度が、サポートにより支持されているときのオブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下する、条項３９の装置。
４１．磁場発生器が、コイルと、コイルに電流を発生させるように動作可能な電源とを備え、コイルの平面が、サポート及びサポートにより支持されたオブジェクトの平面に概ね平行である、条項３９又は条項４０の装置。
４２．磁場発生器が、サポートの平面に分布させた複数の磁石を備え、各磁石が、サポート及びサポートにより支持されたオブジェクトの平面に概ね垂直に配向された双極子を有する、条項３９又は条項４０の装置。
４３．サポートの平面に分布させた複数の磁石のうちの隣接する磁石の各対の双極子モーメントが逆平行である、条項４２の装置。
４４．磁場発生器が、サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに磁場を発生させるように動作可能であり、磁場がサポートにより支持されているときのオブジェクトの平面に概ね平行である、条項３９の装置。
４５．磁場発生器が一対の対向したコイルを備え、各コイルの平面が、サポートにより支持されているときのオブジェクトの平面に概ね垂直である、条項４４の装置。
４６．磁場発生器が、水素供給により供給された水素から形成されたプラズマ中に電流を発生させるように構成されている電源を備える、条項３９の装置。
４７．磁場発生器が、サポートにより支持されているときのオブジェクトの近くに、０．２Ｔ以上の磁場強度を有する磁場を発生させるように動作可能である、条項３９から４６のいずれか一項の装置。
４８．サポートがレチクル－ペリクルアセンブリを支持するためのものである、条項３９から４７のいずれか一項の装置を備えたリソグラフィ装置。
４９．一対の対向したコイルがリソグラフィ装置のレチクルマスキングブレード上に配設されている、条項４５に従属する場合の条項４８のリソグラフィ装置。
５０．オブジェクトを支持すること、
オブジェクトの表面の近くに水素プラズマを発生させること、及び
オブジェクトの表面の近くに、オブジェクトの表面に入射するプラズマからの荷電粒子のフラックスを減少させるように構成された磁場を発生させることを含む方法。
５１．オブジェクトの表面の近くに水素プラズマを発生させることが、オブジェクトの表面の近くに水素を供給すること、及びプラズマを形成するために水素をＥＵＶ放射で照射することを含む、条項５０の方法。
５２．発生させた磁場の強度が、オブジェクトの表面に概ね垂直でこの表面から離れる方向に低下する、条項５０又は５１の方法。
５３．磁場が、コイルと、コイルに電流を発生させるように動作可能な電源とによって発生され、コイルの平面がオブジェクトの表面の平面に概ね平行である、条項５０から５２のいずれか一項の方法。
５４．磁場が、オブジェクトのオブジェクトの表面と反対の側に配設され、オブジェクトの表面に平行な平面に分布させた複数の磁石によって発生され、各磁石がオブジェクトの表面の平面に概ね垂直に配向された双極子を有する、条項５０から５２のいずれか一項の方法。
５５．複数の磁石のうちの隣接する磁石の各対の双極子モーメントが逆平行である、条項５４の方法。
５６．発生させた磁場がオブジェクトの表面に概ね平行である、条項５０又は条項５１の方法。
５７．磁場が一対の対向したコイルによって発生され、各コイルが延在する平面がオブジェクトの表面に概ね垂直である、条項５６の方法。
５８．磁場が、オブジェクトの表面の近くでプラズマ中に電流を発生させることによって発生される、条項５０又は条項５１の方法。
５９．発生させた磁場が０．２Ｔ以上の磁場強度を有する、条項５０から５８のいずれか一項の方法。

Claims (38)

1. レチクル－ペリクルアセンブリを支持するためのサポートと、
   前記サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの近くに水素を供給するように動作可能な水素供給と、
   前記サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射するように電子を誘導するように動作可能な電子源と、を備えた装置。
2. 前記水素供給が、前記サポートにより支持されているときの前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記レチクルと前記ペリクルの間に水素を誘導するように動作可能である、請求項１の装置。
3. 前記水素供給が、水素を５０から１００Ｐａ範囲内の圧力で供給するように動作可能である、請求項１又は請求項２の装置。
4. 前記サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を制御するように動作可能な熱調節ユニットを更に備えた、請求項１から３のいずれかの装置。
5. 前記熱調節ユニットが、前記サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を上げるように動作可能なヒータを備える、請求項４の装置。
6. 前記熱調節ユニットが、前記サポートにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの温度を下げるように動作可能な冷却システムを備える、請求項４又は請求項５の装置。
7. 前記サポートが、使用時に前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに接触する、請求項１から６のいずれかの装置。
8. 使用時に前記レチクル－ペリクルアセンブリに接触する前記サポートの一部が電子シンクを含む、請求項１から７のいずれかの装置。
9. 前記サポートによりレチクル－膜アセンブリが支持されるとき、前記サポートが前記レチクルの前面と前記ペリクル膜との電気的接続を提供する、請求項１から８のいずれかの装置。
10. 前記電子源が、電子を前記サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、前記ペリクルを通って伝搬する前記電子の一部分が５００ｅＶ未満のエネルギーを有するように誘導する、請求項１から９のいずれかの装置。
11. 電磁放射を前記ペリクルに誘導するように動作可能な電磁放射源を更に備えた、請求項１から１０のいずれかの装置。
12. 前記電子源が、電子を前記サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、前記ペリクルを通って伝搬する前記電子の一部分が１より大きい二次電子収率を達成するように誘導する、請求項１から１１のいずれかの装置。
13. エンクロージャを更に備え、前記サポートが前記エンクロージャ内に配設されており、前記水素供給が水素を前記エンクロージャに供給するように動作可能である、請求項１から１２のいずれかの装置。
14. 前記電子源が電子銃を備える、請求項１から１３のいずれかの装置。
15. 前記電子源により放出された電子が、前記サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの様々な部分の範囲に誘導され得るように、前記電子源及び前記サポートの少なくとも一方を移動させるように動作可能なスキャン機構を更に備えた、請求項１から１４のいずれかの装置。
16. 前記電子源から電子ビームを受け取り、前記サポートにより支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの表面に前記電子ビームを分配する電子光学系を更に備えた、請求項１から１５のいずれかの装置。
17. 請求項１から１６のいずれかの装置を備えたリソグラフィ装置。
18. 前記装置が、前記リソグラフィ装置のレチクルライブラリ内又は前記リソグラフィ装置のレチクル交換デバイスアーム上に提供される、請求項１７のリソグラフィ装置。
19. レチクルと、
    ペリクルボーダーで囲まれた中央ペリクル膜を含むペリクルと、
    前記ペリクルを支持し、前記ペリクルが前記レチクルに隣接して配設されるように前記レチクルと係合するペリクルフレームとを備え、
    前記ペリクルフレームが、概ね矩形の開口を取り囲む概ね矩形の本体を提供する壁部を含み、前記壁部に、前記壁部の外面から前記概ね矩形の開口に隣接した前記壁部の内面に及ぶ少なくとも１つの非線形流路が設けられたアセンブリ。
20. 前記少なくとも１つの流路が、前記壁部の前記外面から前記概ね矩形の開口に隣接する前記壁部の前記内面に及ぶ複雑な流路又はラビリンス流路を画定する、請求項１９のアセンブリ。
21. 前記少なくとも１つの流路が、２つの対向した壁部のそれぞれに前記壁部の外面から前記壁部の内面にかけて設けられる、請求項１９又は請求項２０のアセンブリ。
22. 前記少なくとも１つの流路が、前記レチクルと前記ペリクルの間に画定された体積と周辺環境との間の流体コンダクタンスを少なくとも１０倍増加させる、請求項１９から２１のいずれか一項のアセンブリ。
23. 前記少なくとも１つの流路が、前記レチクルと前記ペリクルの間に画定された体積及び周辺環境との間の十分に高い流体コンダクタンスを提供し、前記レチクルと前記ペリクルの間に画定された前記体積及び前記周辺環境からの少なくとも０．０１正常ｍｌ／分の正常流量を可能にする、請求項１９から２２のいずれか一項のアセンブリ。
24. 前記ペリクルの少なくとも一部上に導電性コーティングが設けられる、請求項１９から２３のいずれか一項のアセンブリ。
25. 請求項１から１６のいずれか一項に記載の装置と、
    請求項１９から２４のいずれか一項に記載の少なくとも１つのアセンブリと、を備えたシステム。
26. リソグラフィ装置用のレチクル－ペリクルアセンブリを処理する方法であって、
    レチクル－ペリクルアセンブリを提供すること、
    前記レチクル－ペリクルアセンブリを支持すること、
    前記レチクル－ペリクルアセンブリの近くに水素を供給すること、及び
    電子を前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに入射し、入射電子の少なくとも一部分が前記ペリクルを通って前記レチクル－ペリクルアセンブリのレチクルに向かって伝搬するように誘導することを含む方法。
27. 前記方法が請求項１から１６のいずれか一項に記載の装置を使用して実行される、請求項２６の方法。
28. 前記レチクル－ペリクルアセンブリが請求項１９から２４のいずれか一項に記載のアセンブリである、請求項２６又は請求項２７の方法。
29. 前記水素が、前記サポートにより支持されているときの前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記レチクルと前記ペリクルの間に誘導される、請求項２６から２８のいずれか一項の方法。
30. 前記水素が５０から１００Ｐａ範囲内の圧力で供給される、請求項２６から２９のいずれか一項の方法。
31. 前記レチクル－ペリクルアセンブリの温度を制御することを更に含む、請求項２６から３０のいずれか一項の方法。
32. 前記レチクル－ペリクルアセンブリに電子シンクを設けることを更に含む、請求項２６から３１のいずれか一項の方法。
33. 前記レチクルの前面と前記ペリクル膜との間に電気的接続を提供することを更に含む、請求項２６から３２のいずれか一項の方法。
34. 前記ペリクルを通って伝搬する前記入射電子の一部分が５００ｅＶ未満のエネルギーを有する、請求項２６から３３のいずれか一項の方法。
35. 前記電子源による帯電を少なくとも部分的に補償するために、電磁放射を前記ペリクルに誘導して光電流を前記ペリクルに提供することを更に含む、請求項２６から３４のいずれか一項の方法。
36. 前記ペリクルを通って伝搬する前記入射電子の一部分が、前記ペリクルにおいて１より大きい二次電子収率を達成するのに十分なエネルギーを有する、請求項２６から３５のいずれか一項の方法。
37. 電子を前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルに入射し、前記入射電子の少なくとも一部分が前記ペリクルを通って前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記レチクルに向かって伝搬するように誘導することが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの表面に電子ビームを走査することを含む、請求項２６から３６のいずれか一項の方法。
38. 電子を前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルに入射し、前記入射電子の少なくとも一部分が前記ペリクルを通って前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記レチクルに向かって伝搬するように誘導することが、レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの表面に電子ビームを分配することを含む、請求項２６から３７のいずれか一項の方法。

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