JP2007207574A - 極端紫外光源装置 - Google Patents
極端紫外光源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007207574A JP2007207574A JP2006024943A JP2006024943A JP2007207574A JP 2007207574 A JP2007207574 A JP 2007207574A JP 2006024943 A JP2006024943 A JP 2006024943A JP 2006024943 A JP2006024943 A JP 2006024943A JP 2007207574 A JP2007207574 A JP 2007207574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- light source
- extreme ultraviolet
- source device
- ultraviolet light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】ターゲット物質を供給するターゲットノズル4と、該ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質にレーザビームを照射してプラズマを生成するレーザ発振部1と、該プラズマから放射される極端紫外光を集光するEUV集光ミラー5と、ターゲット物質にレーザビームを照射する位置に磁場を形成する電磁石コイルであって、該磁場の磁束線の中心軸が通る領域に開口が形成されている電磁石コイル6及び7とを含み、上記ターゲットノズルの中心軸が、電磁石コイル6及び7によって形成される磁場中の磁束線の中心軸に対して直交する方向に配置されている。
【選択図】図1
Description
さらに、上記極端紫外光源装置は、上記1組の磁石の内の少なくとも1つに形成されている開口を介して、1組の磁石の間の空間から排気を行う吸引部をさらに具備しても良い。
図1の(a)は、本発明の第1の実施形態に係る極端紫外(EUV)光源装置の構成を示す模式図である。また、図1の(b)は、図1の(a)に示す一点鎖線1B−1B'における断面図である。このEUV光源装置は、レーザビームをターゲット物質に照射して励起させることによりEUV光を生成するレーザ励起プラズマ(LPP)方式を採用している。
以下において、電磁石コイル6及び7の開口中心を結ぶ軸をZ軸とし、紙面の下方向をプラス方向とする。また、ターゲット物質11の噴射方向をX軸のプラス方向とし、レーザビームの射出方向をY軸のプラス方向とする。
図2に示すように、本実施形態に係る極端紫外光源装置は、図1に示す構成部品の一部を真空チャンバ20内に配置したものである。即ち、図1に示す構成部品の内の集光レンズ2と、ターゲット供給装置3の一部と、ターゲットノズル4と、EUV集光ミラー5と、電磁石コイル6及び7が、真空チャンバ20内に配置されている。これらの構成部品の動作及び配置関係については、第1の実施形態におけるものと同様である。また、本実施形態に係る極端紫外光源装置は、そのような構成に加えて、鉄芯21と、ターゲット排気管22と、ターゲット循環装置23と、ターゲット供給管24とを更に有している。
なお、図2においては、電磁石コイル6及び7に挿入されている鉄芯21は一体化されているが、それらのコイルに1つずつ鉄芯を挿入しても良い。
図3の(a)及び(b)に示すように、本実施形態に係る極端紫外光源装置は、図1に示す極端紫外光源装置に対して、ターゲット回収筒30をさらに付加したものである。その他の構成については、図1に示すものと同様である。
図4の(a)及び(b)に示すように、本実施形態に係る極端紫外光源装置は、図2に示す極端紫外光源装置に対して、ターゲット回収筒40及びターゲット回収配管41をさらに付加したものである。その他の構成については、図2に示すものと同様である。
図5に示すように、本実施形態に係る極端紫外光源装置は、図4に示す極端紫外光源装置に対して、吸引用配管50をさらに付加したものである。その他の構成については、図4に示すものと同様である。
なお、図5には、電磁石コイル6及び7の両方に吸引用配管50が配置されているが、いずれか一方のみに配置しても良い。
図7の(a)に示すように、本実施形態に係る極端紫外光源装置は、図5に示す電磁石コイル6及び7並びに鉄芯21の替わりに、永久磁石71及び72を有している。その他の構成については、図5に示すものと同様である。
本実施形態によれば、電磁石を用いる場合には必要であった電源装置や配線等が不要になるので、装置構成を簡単にすることができる。
Claims (9)
- レーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置であって、
ターゲット物質を供給するターゲットノズルと、
前記ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質にレーザビームを照射してプラズマを生成するレーザ発振部と、
該プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光光学系と、
前記ターゲット物質にレーザビームを照射する位置に磁場を形成する1組の磁石であって、該磁場の磁束線の中心軸が通る領域に開口が形成されている前記1組の磁石と、
を具備し、
前記ターゲットノズルの中心軸が、前記1組の磁石によって形成される磁場中の磁束線の中心軸に対して直交する方向に配置されている、
前記極端紫外光源装置。 - 前記1組の磁石が、プラズマから放出されるイオンを含む荷電粒子をトラップするミラー磁場を形成する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質を回収するターゲット回収筒であって、前記ターゲット物質にレーザビームを照射する位置を挟み前記ターゲットノズルに対向する位置に、前記1組の磁石によって形成される磁場中の磁束線の中心軸に対して直交する方向に中心軸が配置されている前記ターゲット回収筒をさらに具備する請求項1又は2記載の極端紫外光源装置。
- 前記1組の磁石の内の少なくとも1つに形成されている開口を介して、前記1組の磁石の間の空間を排気する吸引部をさらに具備する1〜3のいずれか1項記載の極端紫外光源装置。
- 前記ターゲット回収筒又は前記吸引部によって収集される物質に基づいてターゲット物質を生成する装置をさらに具備する請求項3又は4記載の極端紫外光源装置。
- 前記1組の磁石が、電流が供給されたときに磁場を発生する1組のコイルを含む、請求項1〜5のいずれか1項記載の極端紫外光源装置。
- 前記1組のコイルの中心に形成されている開口に挿入される1組の鉄芯であって、前記1組のコイルによって形成される磁場の磁束線の中心軸が通る領域に開口が形成されている前記1組の鉄芯をさらに具備する請求項6記載の極端紫外光源装置。
- 前記1組の磁石が、超伝導物質によって形成されており、電流が供給されたときに磁場を発生する1組のコイルを含む、請求項1〜5のいずれか1項記載の極端紫外光源装置。
- 前記1組の磁石が、磁束線の中心軸が通る領域に開口が形成されている1組の永久磁石を含む、請求項1〜5のいずれか1項記載の極端紫外光源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006024943A JP5156193B2 (ja) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | 極端紫外光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006024943A JP5156193B2 (ja) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | 極端紫外光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207574A true JP2007207574A (ja) | 2007-08-16 |
JP5156193B2 JP5156193B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=38486844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006024943A Expired - Fee Related JP5156193B2 (ja) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | 極端紫外光源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5156193B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080940A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及び極端紫外光の生成方法 |
JP2010123928A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-06-03 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP2011009183A (ja) * | 2008-09-29 | 2011-01-13 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
WO2011027717A1 (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社Ihi | Lpp方式のeuv光源とその発生方法 |
US8648536B2 (en) | 2009-09-01 | 2014-02-11 | Ihi Corporation | Plasma light source |
WO2014106356A1 (zh) * | 2013-01-05 | 2014-07-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置 |
US8901524B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-12-02 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
US9078334B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Extreme ultraviolet light source devices |
WO2019102526A1 (ja) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
CN111399346A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-10 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于等离子体约束的lpp-euv光源系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817371A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Kansai Electric Power Co Inc:The | レーザープラズマx線源のデブリス除去方法及び装置 |
JP2001217096A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線源 |
JP2004327213A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Komatsu Ltd | Euv光発生装置におけるデブリ回収装置 |
JP2005197456A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Komatsu Ltd | 光源装置及びそれを用いた露光装置 |
WO2005089130A2 (en) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Cymer, Inc. | A high repetition rate laser produced plasma euv light source |
JP2006013033A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Nikon Corp | Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
-
2006
- 2006-02-01 JP JP2006024943A patent/JP5156193B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817371A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Kansai Electric Power Co Inc:The | レーザープラズマx線源のデブリス除去方法及び装置 |
JP2001217096A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線源 |
JP2004327213A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Komatsu Ltd | Euv光発生装置におけるデブリ回収装置 |
JP2005197456A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Komatsu Ltd | 光源装置及びそれを用いた露光装置 |
WO2005089130A2 (en) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Cymer, Inc. | A high repetition rate laser produced plasma euv light source |
JP2006013033A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Nikon Corp | Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080940A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及び極端紫外光の生成方法 |
US8710475B2 (en) | 2008-08-29 | 2014-04-29 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source device and method for generating extreme ultraviolet light |
JP2011009183A (ja) * | 2008-09-29 | 2011-01-13 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
JP2010123928A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-06-03 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光光源装置 |
US7999241B2 (en) | 2008-10-23 | 2011-08-16 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
US8569723B2 (en) | 2008-10-23 | 2013-10-29 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
US8901524B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-12-02 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
US8648536B2 (en) | 2009-09-01 | 2014-02-11 | Ihi Corporation | Plasma light source |
TWI422286B (zh) * | 2009-09-01 | 2014-01-01 | Ihi Corp | 雷射產生電漿方式之極端紫外光源及其產生方法 |
CN102484937A (zh) * | 2009-09-01 | 2012-05-30 | 株式会社Ihi | Lpp方式的euv光源及其产生方法 |
WO2011027717A1 (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社Ihi | Lpp方式のeuv光源とその発生方法 |
US9000402B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-04-07 | Ihi Corporation | LPP EUV light source and method for producing the same |
WO2014106356A1 (zh) * | 2013-01-05 | 2014-07-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置 |
US9078334B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Extreme ultraviolet light source devices |
WO2019102526A1 (ja) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
JPWO2019102526A1 (ja) * | 2017-11-21 | 2021-03-11 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
US11036143B2 (en) | 2017-11-21 | 2021-06-15 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus and electronic device manufacturing method |
CN111399346A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-10 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于等离子体约束的lpp-euv光源系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5156193B2 (ja) | 2013-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5156193B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP4954584B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP5312837B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP5865339B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP5246916B2 (ja) | Euv光発生装置におけるイオン回収装置および方法 | |
US7297968B2 (en) | Debris collector for EUV light generator | |
JP5426317B2 (ja) | 極端紫外光光源装置 | |
JP5248315B2 (ja) | イオンがeuv光源の内部部品に到達することを防ぐための、プラズマ生成イオンを偏向するシステム | |
JP5448775B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
US7705333B2 (en) | Extreme ultra violet light source apparatus | |
JP4578901B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
KR101357231B1 (ko) | Lpp 방식의 euv 광원과 그 발생 방법 | |
US20100176312A1 (en) | Extreme ultra violet light source apparatus | |
JP2005197456A (ja) | 光源装置及びそれを用いた露光装置 | |
JP2010123929A (ja) | 極端紫外光光源装置 | |
JP4937616B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP5156202B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP5486797B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
RU2743572C1 (ru) | Высокояркостный источник коротковолнового излучения (варианты) | |
WO2022050875A1 (en) | Short- wavelength radiation source with multisectional collector module | |
JP2011054402A (ja) | Lpp方式のeuv光源とその発生方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120417 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121210 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5156193 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |