WO2011027717A1 - Ｌｐｐ方式のｅｕｖ光源とその発生方法 - Google Patents

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gas jet
target material
laser
vacuum chamber
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一 桑原
一彦 堀岡
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株式会社Ihi
国立大学法人東京工業大学
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    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the present invention relates to an LPP type EUV light source and a generation method thereof.
  • Lithography using an extreme ultraviolet light source is expected for microfabrication of next-generation semiconductors.
  • Lithography is a technique for forming an electronic circuit by exposing a resist material to light and a beam by reducing and projecting them onto a silicon substrate through a mask on which a circuit pattern is drawn.
  • the minimum processing dimension of a circuit formed by photolithography basically depends on the wavelength of the light source. Therefore, it is essential to shorten the wavelength of the light source for next-generation semiconductor development, and research for this light source development is underway.
  • EUV extreme ultra violet
  • the most promising next generation lithography light source is an extreme ultra violet (EUV) light source, which means light in the wavelength region of about 1 to 100 nm.
  • the light in this region has a high absorptance with respect to all substances, and a transmissive optical system such as a lens cannot be used. Therefore, a reflective optical system is used.
  • the optical system in the extreme ultraviolet region is very difficult to develop, and exhibits a reflection characteristic only at a limited wavelength.
  • Light source plasma generation can be broadly classified into light source plasma generation (LPP: Laser Produced Plasma) by a laser irradiation method and light source plasma generation (DPP: Discharge Produced Plasma) by a gas discharge method driven by a pulse power technique.
  • LPP Laser Produced Plasma
  • DPP Discharge Produced Plasma
  • the present invention relates to an LPP type EUV light source.
  • the LPP EUV light source is disclosed in, for example, Patent Documents 1 and 2.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a conventional LPP EUV light source disclosed in Patent Document 1.
  • at least one target 57 is generated in the chamber, and at least one pulsed laser beam 53 is focused on the target 57 in the chamber.
  • the target is generated in the form of a liquid jet, and the laser beam 53 is focused on a spatially continuous portion of the jet.
  • the apparatus also includes means for generating at least one laser beam 53, a chamber, means 50 for generating at least one target 57 in the chamber, and collecting the laser beam 53 on the target 57 in the chamber.
  • Means 54 for light The target generating unit 50 generates a liquid jet, and the condensing unit 54 condenses the laser beam 53 on a spatially continuous portion of the jet.
  • 51 is a condensing point
  • 52 is a droplet
  • 55 is a droplet forming point.
  • FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional LPP EUV light source disclosed in Patent Document 2.
  • This apparatus includes a laser oscillation unit 61, a condensing optical system 62 such as a condensing lens, a target supply device 63, a target nozzle 64, and an EUV condensing mirror 65.
  • the laser oscillation unit 61 is a laser light source that pulsates a laser beam for exciting the target material.
  • the laser beam emitted from the laser oscillator 61 is condensed at a predetermined position by the condenser lens 62.
  • the target supply device 63 supplies the target material to the target nozzle 64, and the target nozzle 64 injects the supplied target material to a predetermined position.
  • the target material When the target material is irradiated with a laser beam, the target material is excited to generate plasma 66, from which extreme ultraviolet light 67 (EUV) light is emitted.
  • EUV extreme ultraviolet light
  • a film Mo / Si multilayer film in which molybdenum and silicon are alternately laminated is formed in order to selectively reflect EUV light having a wavelength of around 13.5 nm. ing.
  • the EUV light 67 radiated from the plasma 66 is collected and reflected by the EUV collector mirror 65, and is output to the exposure apparatus or the like as output EUV light.
  • JP 2000-509190 A “Method and apparatus for generating X-ray radiation or extreme ultraviolet radiation” Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-207574, “Extreme Ultraviolet Light Source Device”
  • the above-described conventional LPP EUV light source uses a high-power pulse laser (for example, 0.1 J / Pulse) as a laser light source, and irradiates the target material at a high repetition rate (for example, 100 kHz) to achieve a practical output (for example, 100 J / pulse).
  • a high-power pulse laser for example, 0.1 J / Pulse
  • a high repetition rate for example, 100 kHz
  • a practical output for example, 100 J / pulse
  • an object of the present invention is to provide an LPP-type EUV light source and a method for generating the same that can greatly increase the efficiency of utilization of the target material and energy, and can suppress the generation of debris and the deterioration of the vacuum degree of the chamber. There is to do.
  • a vacuum chamber maintained in a vacuum environment;
  • a gas jet device for recovering and circulating a hypersonic steady gas jet of the target material in the vacuum chamber;
  • a laser device for condensing and irradiating laser light on the hypersonic stationary gas jet,
  • an LPP EUV light source characterized by exciting a target material at a condensing point of the laser light to generate plasma and emitting extreme ultraviolet light therefrom.
  • the gas jet device includes a hypersonic nozzle and a hypersonic diffuser disposed opposite to each other with the condensing point in the vacuum chamber, and the hypersonic steady gas jet. And a gas recirculation device that circulates and circulates from the hypersonic nozzle and collects it from the hypersonic diffuser.
  • the gas jet device steadily forms a high-density target material region suitable for absorption of laser light and emission of EUV light without increasing the back pressure of the vacuum chamber.
  • the inside of the vacuum chamber is maintained in a vacuum environment
  • a hypersonic steady gas jet of the target material is collected and circulated in the vacuum chamber, Condensing and irradiating laser light to the hypersonic stationary gas jet,
  • an LPP EUV light generation method characterized in that a target material is excited at a condensing point of the laser light to generate plasma, and extreme ultraviolet light is emitted therefrom.
  • the target material can be recovered and circulated as compared with the conventional example in which the plasma and target material generated every shot are exhausted, so that the utilization efficiency of the target material is greatly increased.
  • the energy utilization efficiency can be greatly increased. Thereby, generation
  • FIG. 1 It is a block diagram of the conventional LPP system EUV light source disclosed by patent document 1.
  • FIG. 2 It is a block diagram of the conventional LPP system EUV light source disclosed by patent document 2.
  • FIG. 2 It is a block diagram of the LPP type EUV light source by this invention. It is the elements on larger scale of the plasma light source of FIG.
  • FIG. 3 is a configuration diagram of an LPP EUV light source according to the present invention.
  • the LPP EUV light source 10 of the present invention includes a vacuum chamber 12, a gas jet device 14, and a laser device 16.
  • the vacuum chamber 12 includes a vacuum pump 13, thereby maintaining the inside in a vacuum environment.
  • the vacuum chamber 12 is provided with an optical window 12a through which laser light 3 (described later) is transmitted.
  • the vacuum environment needs to be 10 ⁇ 2 Torr or less, and preferably in the range of 10 ⁇ 5 to 10 ⁇ 4 Torr.
  • the gas jet device 14 continuously forms and recovers the hypersonic steady gas jet 1 of the target material in the vacuum chamber 12.
  • the target material is preferably a gas or cluster such as Xe (xenon), Sn (tin), Li (lithium).
  • the constituent material of the gas jet does not need to be a normal temperature gaseous material, and a metal gas jet can be formed by raising the temperature of the gas supply unit.
  • the gas jet is formed by a hypersonic nozzle, but the recovery side does not need to be a hypersonic diffuser and can be recovered as a liquid metal by a temperature-controlled recovery plate or the like.
  • the metal atoms may not be completely dissociated in the laser irradiation region, but may be a cluster jet in which a plurality of atoms are aggregated.
  • the gas jet device 14 includes a hypersonic nozzle 14a, a hypersonic diffuser 14b, and a gas recirculation device 15.
  • the hypersonic nozzle 14a and the hypersonic diffuser 14b are disposed to face the vacuum chamber 12 with the condensing point 2 interposed therebetween.
  • the end of the hypersonic nozzle 14a (upper end in the figure) and the tip of the hypersonic diffuser 14b (lower end in the figure) are spaced apart from each other by a predetermined gap. This gap communicates with the vacuum environment in the vacuum chamber 12.
  • the hypersonic nozzle 14a is a Laval nozzle having a throat portion, and accelerates the gas (target material) flowing in at subsonic speed to the hypersonic speed and injects it toward the condensing point 2.
  • the hypersonic diffuser 14b has a Laval nozzle shape having a throat portion, and accepts most of the hypersonic gas (target material) that has passed through the condensing point 2 and decelerates it to subsonic speed. It has become.
  • the gas recirculation device 15 includes a suction pump 15a, a target chamber 15b, and a discharge pump 15c.
  • the gas recirculation device 15 supplies the target material to the hypersonic nozzle 14a through the supply line 17a at the subsonic speed, and the hypersonic steady gas jet 1 of the target material is hypersonic (M) from the hypersonic nozzle 14a. > 5) and the target material is recovered at hypersonic speed (M> 5) from the hypersonic diffuser 14b, decelerated to subsonic speed and returned to the suction pump 15a via the return line 17b. Material is recycled.
  • the target material is supplied to the target chamber 15b from the outside.
  • the gas jet device 14 does not increase the back pressure of the vacuum chamber 12 and steadily forms a high-density target material region suitable for absorption of the laser light 3 and emission of the EUV light 4 at the focal point 2. As such, it is designed gasdynamically.
  • the hypersonic and hypersonic steady gas jet 1 means a hypersonic flow of M> 5. In the present invention, as long as the above requirement is satisfied, M> 1. Good.
  • a target heating device 18 between the hypersonic nozzle 14a and the gas recirculation device 15 in order to heat the target material.
  • the target heating device 18 heats the temperature of the target material to a temperature suitable for forming the hypersonic diffuser 14b. This heating means is optional.
  • the laser device 16 includes a laser oscillator 16a that oscillates the laser beam 3 continuously or in pulses, and a condensing lens 16b that condenses the laser beam 3 at a condensing point 2, and the hypersonic steady gas jet 1.
  • the laser beam 3 is condensed and irradiated.
  • the optical path of the laser beam 3 is orthogonal to the flow path of the hypersonic steady gas jet 1, but the present invention is not limited to this, and may cross obliquely.
  • the laser device 16 and the laser beam 3 are not limited to one each, and two or more may be used.
  • a CO 2 laser (wavelength of about 10 ⁇ m), a CO laser (wavelength of about 5 ⁇ m), a YAG laser (wavelength of about 1 ⁇ m and about 0.5 ⁇ m), or the like can be used.
  • a YAG laser or a CO laser it is preferable to use a YAG laser or a CO laser, but the present invention is not limited to a YAG laser or a CO laser, and may be a CO 2 laser.
  • the condensing lens 16b may be a convex lens system capable of condensing the diameter of the condensing point 2 to about 10 ⁇ m or less, more preferably about 5 ⁇ m or less.
  • FIG. 4 is a partially enlarged view of the plasma light source of FIG.
  • the optimum temperature condition for this plasmaization temperature is about 30 eV for xenon gas and about 10 eV for lithium gas.
  • the total radiation amount of the luminescent plasma that emits extreme ultraviolet light 4 when converted into plasma is the maximum in the case of a blackbody radiator, and when the plasma size (that is, the diameter of the condensing point 2) is 10 ⁇ m, The amount of radiation reaches about 150 kW, and the amount of radiation from 10 eV lithium gas is about 1/80 (about 1.9 kW).
  • the actual light-emitting plasma is not a black body, and the total amount of radiation from the EUV light-emitting plasma is lower than this. From the viewpoint of adjusting the energy balance, it is desirable that the minimum focused diameter of the laser can supply energy corresponding to the total plasma radiation amount from the laser oscillator 16a to the focused point 2.
  • the diameter of the condensing point 2 that can be condensed by the condensing lens 16b substantially corresponds to the wavelength of the laser beam, about 10 ⁇ m for the CO 2 laser, about 5 ⁇ m for the CO laser, and about 1 ⁇ m for the YAG laser. Or about 0.5 micrometer.
  • the diameter of the condensing point 2 is preferably as small as possible. From this viewpoint, it is preferable to use a YAG laser or a CO laser.
  • the amount of radiation from 30 eV xenon gas is about 9.4 kW (1/4 2 in the case of 150 kW).
  • the radiation amount from 10 eV lithium gas is about 470 W (150 kW ⁇ 1/80 ⁇ 1/2 2 ).
  • the heat input of the light-emitting plasma from the laser is energy received from the laser oscillator 16a while the hypersonic steady gas jet 1 passes through the plasma size (that is, the diameter of the condensing point 2). And the output of the laser oscillator 16a are not affected by the diameter of the focal point 2.
  • the laser oscillator 16a having a relatively small output (for example, 1 to 10 kW) has an output.
  • the target material is excited at the condensing point 2 to generate plasma, and the extreme ultraviolet light 4 can be emitted therefrom.
  • the hypersonic steady gas jet 1 of the target material is retrievably formed in the vacuum chamber 12 by the gas jet device 14, and the hypersonic velocity is obtained by the laser device 16.
  • the stationary gas jet 1 is condensed and irradiated with the laser beam 3, the target material is excited at the laser beam condensing point 2 to generate plasma, and the extreme ultraviolet light 4 can be emitted therefrom.
  • the target material can be recovered and recycled, so that the utilization efficiency of the target material is greatly increased and the energy utilization efficiency is greatly increased. Can be increased. Thereby, generation

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Abstract

　真空環境に保持された真空チャンバー１２と、真空チャンバー内にターゲット物質の極超音速定常ガスジェット１を回収可能に形成するガスジェット装置１４と、極超音速定常ガスジェットにレーザー光３を集光して照射するレーザー装置１６と、を備え、レーザー光の集光点２においてターゲット物質を励起してプラズマを発生させ、そこから極端紫外光４を発光させる。

Description

ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源とその発生方法
　本発明は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源とその発生方法に関する。
　次世代半導体の微細加工のために極端紫外光源を用いるリソグラフィが期待されている。リソグラフィとは回路パターンの描かれたマスクを通して光やビームをシリコン基盤上に縮小投影し、レジスト材料を感光させることで電子回路を形成する技術である。光リソグラフィで形成される回路の最小加工寸法は基本的には光源の波長に依存している。従って、次世代の半導体開発には光源の短波長化が必須であり、この光源開発に向けた研究が進められている。
　次世代リソグラフィ光源として最も有力視されているのが、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光源であり、およそ１～１００ｎｍの波長領域の光を意味する。この領域の光はあらゆる物質に対し吸収率が高く、レンズ等の透過型光学系を利用することができないので、反射型光学系を用いることになる。また極端紫外光領域の光学系は非常に開発が困難で、限られた波長にしか反射特性を示さない。
　現在、１３．５ｎｍに感度を有するＭｏ／Ｓｉ多層膜反射鏡が開発されており、この波長の光と反射鏡を組み合わせたリソグラフィ技術が開発されれば３０ｎｍ以下の加工寸法を実現できると予測されている。さらなる微細加工技術の実現のために、波長１３．５ｎｍのリソグラフィ光源の開発が急務であり、高エネルギー密度プラズマからの輻射光が注目されている。
　光源プラズマ生成はレーザー照射方式による光源プラズマ生成（ＬＰＰ：Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）とパルスパワー技術によって駆動されるガス放電方式による光源プラズマ生成（ＤＰＰ：Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）に大別できる。
　本発明は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源に関する。ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源は、例えば、特許文献１，２に開示されている。
　図１は、特許文献１に開示された従来のＬＰＰ方式ＥＵＶ光源の構成図である。この方法は、少なくとも１つのターゲット５７をチャンバー内で発生させるとともに、少なくとも１つのパルスレーザービーム５３をチャンバー内でターゲット５７に集光させるものである。ターゲットは液体の噴流の形態で発生し、レーザービーム５３は噴流の空間的に連続した部分に集光される。
　またこの装置は、少なくとも１つのレーザービーム５３を発生するための手段と、チャンバーと、少なくとも１つのターゲット５７をチャンバー内で発生するための手段５０と、レーザービーム５３をチャンバー内でターゲット５７に集光させるための手段５４とを含む。ターゲット発生手段５０は、液体の噴流を発生し、集光手段５４は、レーザービーム５３を噴流の空間的に連続した部分に集光させるようになっている。
　なお、この図で、５１は集光点、５２は液滴、５５は液滴形成点である。
　図２は、特許文献２に開示された従来のＬＰＰ方式ＥＵＶ光源の構成図である。
　この装置は、レーザー発振部６１と、集光レンズ等の集光光学系６２と、ターゲット供給装置６３と、ターゲットノズル６４と、ＥＵＶ集光ミラー６５とを含んでいる。レーザー発振部６１は、ターゲット物質を励起させるためのレーザービームをパルス発振するレーザー光源である。レーザー発振部６１から射出したレーザービームは、集光レンズ６２によって所定の位置に集光される。一方、ターゲット供給装置６３は、ターゲット物質をターゲットノズル６４に供給し、ターゲットノズル６４は、供給されたターゲット物質を所定の位置に噴射する。
　ターゲット物質にレーザービームを照射することにより、ターゲット物質が励起してプラズマ６６が発生し、そこから極端紫外光６７（ＥＵＶ）光が放射される。ＥＵＶ集光ミラー６５の反射面には、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を選択的に反射するために、例えば、モリブデン及びシリコンを交互に積層した膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）が形成されている。プラズマ６６から放射されたＥＵＶ光６７は、ＥＵＶ集光ミラー６５により集光反射され、出力ＥＵＶ光として露光装置等に出力される。
特表２０００－５０９１９０号公報、「Ｘ線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置」 特開２００７－２０７５７４号公報、「極端紫外光源装置」
　上述した従来のＬＰＰ方式ＥＵＶ光源は、レーザー光源として高出力のパルスレーザー（例えば０．１Ｊ／Ｐｕｌｓｅ）を用い、これをターゲット物質に高繰り返し（例えば１００ｋＨｚ）で照射し、実用出力（例えば１００Ｊ／ｓ＝１００Ｗ）のＥＵＶ光源を得ることが原理的に可能である。
　しかし、引用文献１及び２に記載されたＥＵＶ光源では、ターゲット物質のショット毎に生成されたプラズマを排気しているため、ターゲット物質（錫、リチウム、キセノン等）の蒸気化、プラズマ化に要したエネルギーをショット毎に廃棄することとなり、ターゲット物質及びエネルギーの利用効率が低い問題点があった。
　また、実用出力を目指す、高繰り返し運転化（１０～１００ｋＨｚ）においては、発光源物質（すなわちターゲット物質）の廃棄は、デブリ発生、チャンバーの真空度悪化などの大きな問題を引き起こしていた。
　本発明は、上述した問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、ターゲット物質及びエネルギーの利用効率を大幅に高めることができ、かつデブリの発生とチャンバーの真空度悪化を抑制することができるＬＰＰ方式のＥＵＶ光源とその発生方法を提供することにある。
　本発明によれば、真空環境に保持された真空チャンバーと、
　該真空チャンバー内にターゲット物質の極超音速定常ガスジェットを回収し循環可能に形成するガスジェット装置と、
　前記極超音速定常ガスジェットにレーザー光を集光して照射するレーザー装置と、を備え、
　前記レーザー光の集光点においてターゲット物質を励起してプラズマを発生させ、そこから極端紫外光を発光させる、ことを特徴とするＬＰＰ方式ＥＵＶ光源が提供される。
　本発明の好ましい実施形態によれば、前記ガスジェット装置は、前記真空チャンバー内に前記集光点を挟んで対向配置された極超音速ノズル及び極超音速ディフューザーと、前記極超音速定常ガスジェットを極超音速ノズルから噴射しかつ極超音速ディフューザーから回収して循環させるガス再循環装置とからなる。
　また、前記ガスジェット装置は、前記真空チャンバーのバックプレッシャーを高めず、かつレーザー光の吸収とＥＵＶ光の放出に適した高密度のターゲット物質領域を定常的に形成する。
　また本発明によれば、真空チャンバー内を真空環境に保持し、
　該真空チャンバー内にターゲット物質の極超音速定常ガスジェットを回収し循環可能に形成し、
　前記極超音速定常ガスジェットにレーザー光を集光して照射し、
　前記レーザー光の集光点においてターゲット物質を励起してプラズマを発生させ、そこから極端紫外光を発光させる、ことを特徴とするＬＰＰ方式ＥＵＶ光発生方法が提供される。
　上記本発明の装置と方法によれば、ショット毎に生成されたプラズマ及びターゲット物質を排気する従来例と比較して、ターゲット物質を回収し循環使用できるので、ターゲット物質の利用効率を大幅に高めると共に、エネルギーの利用効率を大幅に高めることができる。またこれにより、デブリの発生とチャンバーの真空度悪化を抑制することができる。
特許文献１に開示された従来のＬＰＰ方式ＥＵＶ光源の構成図である。 特許文献２に開示された従来のＬＰＰ方式ＥＵＶ光源の構成図である。 本発明によるＬＰＰ方式ＥＵＶ光源の構成図である。 図３のプラズマ光源の部分拡大図である。
　以下、本発明の好ましい実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
　図３は、本発明によるＬＰＰ方式ＥＵＶ光源の構成図である。この図において、本発明のＬＰＰ方式ＥＵＶ光源１０は、真空チャンバー１２、ガスジェット装置１４及びレーザー装置１６を備える。
　真空チャンバー１２は、真空ポンプ１３を備え、これにより内部を真空環境に保持する。真空チャンバー１２には、レーザー光３（後述する）を透す光学窓１２ａが設けられている。
　なお、本発明において、上記真空環境は１０－２Torr以下である必要があり、１０－５～１０－４Torrの範囲内であることが好ましい。
　ガスジェット装置１４は、真空チャンバー１２内にターゲット物質の極超音速定常ガスジェット１を連続的に形成し回収する。
　ターゲット物質は、Ｘｅ（キセノン），Ｓｎ（スズ），Ｌｉ（リチウム）等のガスもしくはクラスターであることが好ましい。
　また、ガスジェットの構成物質は常温気体物質である必要はなく、ガス供給部を高温にすることにより、金属ガスジェットを形成する事も可能である。この場合、ガスジェット形成は極超音速ノズルによりなされるが、回収側は極超音速ディフーザーである必要は無く、温度制御された回収プレート等により液体金属として回収する事も可能である。さらに、金属ガスジェットの場合、レーザー照射領域において金属原子が完全にバラバラのガス状でなく、複数原子が凝集したクラスタージェットとなる事もある。
　この例において、ガスジェット装置１４は、極超音速ノズル１４ａ、極超音速ディフューザー１４ｂ及びガス再循環装置１５を有する。
　極超音速ノズル１４ａと極超音速ディフューザー１４ｂは、真空チャンバー１２に集光点２を挟んで対向配置されている。
　極超音速ノズル１４ａの末端（図で上端）と極超音速ディフューザー１４ｂの先端（図で下端）とは、集光点２を挟んで所定の隙間を隔てている。この隙間は、真空チャンバー１２内の真空環境に連通している。
　極超音速ノズル１４ａは、スロート部を有するラバールノズルであり、亜音速で流入するガス（ターゲット物質）を極超音速まで加速して集光点２に向けて噴射する。また、極超音速ディフューザー１４ｂは、スロート部を有するラバールノズル形状を持ち、集光点２を通過した極超音速のガス（ターゲット物質）の大部分を内部に受け入れ、これを亜音速まで減速するようになっている。
　ガス再循環装置１５は、この例では、吸引ポンプ１５ａ、ターゲットチャンバー１５ｂ、及び吐出ポンプ１５ｃからなる。
　ガス再循環装置１５は、ターゲット物質を供給ライン１７ａを介して極超音速ノズル１４ａまで亜音速で供給し、極超音速ノズル１４ａからターゲット物質の極超音速定常ガスジェット１を極超音速（Ｍ＞５）で噴射し、かつ極超音速ディフューザー１４ｂからターゲット物質を極超音速（Ｍ＞５）で回収し、亜音速まで減速して戻りライン１７ｂを介して吸引ポンプ１５ａまで戻すことにより、ターゲット物質を循環使用するようになっている。なお、ターゲットチャンバー１５ｂには、ターゲット物質が外部から補給される。
　さらに、ガスジェット装置１４は、真空チャンバー１２のバックプレッシャーを高めず、かつレーザー光３の吸収とＥＵＶ光４の放出に適した高密度のターゲット物質領域を集光点２に定常的に形成するように、気体力学的に設計されている。
　なお、一般的に、極超音速及び極超音速定常ガスジェット１とは、Ｍ＞５の極超音速流を意味するが、本発明では、上記要件を満たす限りで、Ｍ＞１であればよい。
　また、ターゲット物質を加熱するために、極超音速ノズル１４ａとガス再循環装置１５の間にターゲット加熱装置１８を設けるのが好ましい。ターゲット加熱装置１８はターゲット物質の温度を極超音速ディフューザー１４ｂを形成するのに適した温度まで加熱する。この加熱手段は、任意である。
　レーザー装置１６は、レーザー光３を連続的あるいはパルス的に発振するレーザー発振器１６ａと、レーザー光３を集光点２に集光する集光レンズ１６ｂとを有し、極超音速定常ガスジェット１にレーザー光３を集光して照射する。
　この例において、レーザー光３の光路は、極超音速定常ガスジェット１の流路に直交しているが、本発明はこれに限定されず、斜めに交差してもよい。また、レーザー装置１６及びレーザー光３は、それぞれ１つずつに限定されず、２以上を用いてもよい。
　レーザー発振器１６ａには、ＣＯ２レーザー（波長約１０μｍ）、ＣＯレーザー（波長約５μｍ）、ＹＡＧレーザー（波長約１μｍ及び約０．５μｍ）等を用いることができる。特に、ＹＡＧレーザー又はＣＯレーザーを用いるのが好ましいが、本発明は、ＹＡＧレーザー又はＣＯレーザーに限定されず、ＣＯ２レーザーであってもよい。
　集光レンズ１６ｂは、集光点２の直径を、約１０μｍ以下、さらに好ましくは約５μｍ以下に集光できる凸レンズ系であるのがよい。
　上述した装置を用い、本発明のＬＰＰ方式ＥＵＶ光発生方法では、
（Ａ）　真空チャンバー１２内を所定の真空環境に保持し、
（Ｂ）　真空チャンバー１２内にターゲット物質の極超音速定常ガスジェット１を回収可能に形成し、
（Ｃ）　極超音速定常ガスジェット１にレーザー光３を集光して照射して、レーザー光の集光点２においてターゲット物質を励起してプラズマを発生させ、そこから極端紫外光４を発光させる。
　図４は、図３のプラズマ光源の部分拡大図である。
　ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光４を発光させるには、集光点２においてターゲット物質がプラズマ化する温度まで加熱する必要がある。このプラズマ化温度の最適温度条件は、キセノンガスの場合は約３０ｅＶであり、リチウムガスの場合は約１０ｅＶである。
　プラズマ化して極端紫外光４を発光する発光プラズマの総輻射量は、黒体輻射体の場合最大であり、プラズマサイズ（すなわち集光点２の直径）が１０μｍの場合、３０ｅＶのキセノンガスからの輻射量は約１５０ｋＷに達し、１０ｅＶのリチウムガスからの輻射量はその１／８０程度（約１．９ｋＷ）となる。実際の発光プラズマは黒体ではなく、ＥＵＶ発光プラズマからの総輻射量はこれより低くなる。エネルギーバランス調整の観点から、レーザーの最小集光径は、プラズマ総輻射量に相当するエネルギーを、レーザー発振器１６ａから集光点２に供給できる事が望ましい。
　集光レンズ１６ｂで集光可能な集光点２の直径は、レーザー光の波長にほぼ相当し、ＣＯ２レーザーの場合は約１０μｍ、ＣＯレーザーの場合は約５μｍ、ＹＡＧレーザーの場合は約１μｍ又は約０．５μｍである。
　上述した輻射量に相当するエネルギーを集光点２に集光させるために、集光点２の直径は、小さいほど好ましく、その観点から、ＹＡＧレーザー又はＣＯレーザーを用いるのが好ましい。
　例えば、ＹＡＧレーザーを用い、集光点２の直径が２．５μｍの場合、３０ｅＶのキセノンガスからの輻射量は約９．４ｋＷ（１５０ｋＷの場合の１／４２）となる。同様に、例えば、ＣＯレーザーを用い、集光点２の直径が５μｍの場合、１０ｅＶのリチウムガスからの輻射量は約４７０Ｗ（１５０ｋＷ×１／８０×１／２２）となる。
　一方、レーザーからの発光プラズマの入熱は、プラズマサイズ（すなわち集光点２の直径）を極超音速定常ガスジェット１が通過する間にレーザー発振器１６ａから受けるエネルギーであり、これはガスジェット１の速度及びレーザー発振器１６ａの出力から計算でき、集光点２の直径には影響されない。
　従って、ＹＡＧレーザー又はＣＯレーザーを用い、集光点２の直径をできるだけ小さく（例えば、２．５μｍ～５μｍ）することにより、出力を有する比較的小出力（例えば１～１０ｋＷ）のレーザー発振器１６ａで、集光点２においてターゲット物質を励起してプラズマを発生させ、そこから極端紫外光４を発光させることができる。
　ＥＵＶ光の総収量を増やすには、レーザー出力、レーザー波長、発光物質の組み合わせで、ＥＵＶ光の発生効率の高いエネルギーバランスを保ちながら、プラズマサイズ（集光サイズ）を大きくする事で増加させる事ができる。
　上述した本実施形態の装置と方法によれば、ガスジェット装置１４により、真空チャンバー１２内にターゲット物質の極超音速定常ガスジェット１を回収可能に形成し、かつレーザー装置１６により、極超音速定常ガスジェット１にレーザー光３を集光して照射して、レーザー光の集光点２においてターゲット物質を励起してプラズマを発生させ、そこから極端紫外光４を発光させることができる。
　従って、ショット毎に生成されたプラズマ及びターゲット物質を排気する従来例と比較して、ターゲット物質を回収し循環使用できるので、ターゲット物質の利用効率を大幅に高めると共に、エネルギーの利用効率を大幅に高めることができる。またこれにより、デブリの発生とチャンバーの真空度悪化を抑制することができる。
　なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
１　極超音速定常ガスジェット、
２　集光点、３　レーザー光、
１０　ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源、１２　真空チャンバー、
１２ａ　光学窓、１３　真空ポンプ、
１４　ガスジェット装置、
１４ａ　極超音速ノズル、１４ｂ　極超音速ディフューザー、
１５　ガス再循環装置、１５ａ　吸引ポンプ、
１５ｂ　ターゲットチャンバー、１５ｃ　吐出ポンプ、
１６　レーザー装置、
１６ａ　レーザー発振器、１６ｂ　集光レンズ、
１７ａ　供給ライン、１７ｂ　戻りライン、
１８　ターゲット加熱装置
 

Claims (4)

  1. 　真空環境に保持された真空チャンバーと、
    　該真空チャンバー内にターゲット物質の極超音速定常ガスジェットを回収し循環使用可能に形成するガスジェット装置と、
    　前記極超音速定常ガスジェットにレーザー光を集光して照射するレーザー装置と、を備え、
    　前記レーザー光の集光点においてターゲット物質を励起してプラズマを発生させ、そこから極端紫外光を発光させる、ことを特徴とするＬＰＰ方式ＥＵＶ光源。
  2. 　前記ガスジェット装置は、前記真空チャンバー内に前記集光点を挟んで対向配置された極超音速ノズル及び極超音速ディフューザーと、前記極超音速定常ガスジェットを極超音速ノズルから噴射しかつ極超音速ディフューザーから回収して循環させるガス再循環装置とからなる、ことを特徴とする請求項１に記載のＬＰＰ方式ＥＵＶ光源。
  3. 　前記ガスジェット装置は、前記真空チャンバーのバックプレッシャーを高めず、かつレーザー光の吸収とＥＵＶ光の放出に適した高密度のターゲット物質領域を定常的に形成する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のＬＰＰ方式ＥＵＶ光源。
  4. 　真空チャンバー内を真空環境に保持し、
    　該真空チャンバー内にターゲット物質の極超音速定常ガスジェットを回収し循環可能に形成し、
    　前記極超音速定常ガスジェットにレーザー光を集光して照射し、
    前記レーザー光の集光点においてターゲット物質を励起してプラズマを発生させ、そこから極端紫外光を発光させる、ことを特徴とするＬＰＰ方式ＥＵＶ光発生方法。
     
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US13/388,165 US9000402B2 (en) 2009-09-01 2010-08-27 LPP EUV light source and method for producing the same
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103858176A (zh) * 2011-10-06 2014-06-11 浜松光子学株式会社 放射线产生装置以及放射线产生方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2976440B1 (fr) * 2011-06-09 2014-01-17 Ecole Polytech Procede et agencement pour engendrer un jet de fluide, procede et systeme de transformation du jet en un plasma et applications de ce systeme
DE102012103777A1 (de) * 2012-05-22 2013-11-28 Reinhausen Plasma Gmbh Verfahren und vorrichtung zur beständigkeitsprüfung eines werkstoffs
DE102012217120A1 (de) * 2012-09-24 2014-03-27 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh EUV-Strahlungserzeugungsvorrichtung und Betriebsverfahren dafür
NL2011580A (en) 2012-11-07 2014-05-08 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for generating radiation.
CN103064260A (zh) * 2012-12-10 2013-04-24 华中科技大学 一种用于极紫外光刻机光源的锡液滴靶产生装置
CN103079327B (zh) * 2013-01-05 2015-09-09 中国科学院微电子研究所 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置
US9585236B2 (en) * 2013-05-03 2017-02-28 Media Lario Srl Sn vapor EUV LLP source system for EUV lithography
DE102014006265B4 (de) * 2013-05-03 2017-08-24 Media Lario S.R.L. Sn-dampf-euv-llp-quellsystem für die euv-lithographie
DE102014006063A1 (de) * 2014-04-25 2015-10-29 Microliquids GmbH Strahlerzeugungsvorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Flüssigkeitsstrahls
US9301381B1 (en) 2014-09-12 2016-03-29 International Business Machines Corporation Dual pulse driven extreme ultraviolet (EUV) radiation source utilizing a droplet comprising a metal core with dual concentric shells of buffer gas
CN104914680B (zh) * 2015-05-25 2017-03-08 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于溶胶射流靶的lpp‑euv光源系统
US10887974B2 (en) * 2015-06-22 2021-01-05 Kla Corporation High efficiency laser-sustained plasma light source
WO2017187571A1 (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置
KR102529565B1 (ko) * 2018-02-01 2023-05-04 삼성전자주식회사 극자외선 생성 장치
KR102447685B1 (ko) * 2020-07-22 2022-09-27 포항공과대학교 산학협력단 특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 장치 및 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000509190A (ja) 1996-04-25 2000-07-18 ジェテック、アクチボラグ Ｘ線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置
JP2001511311A (ja) * 1997-02-04 2001-08-07 アドヴァンスド、エナジ、システィムズ、インク フォトリソグラフィに使用するための極紫外線を生成するための方法と装置
JP2002544675A (ja) * 1999-05-06 2002-12-24 アドヴァンスド、エナジー、システィムズ、インク 半導体製造工程用のリソグラフィ光源を提供するためのシステムおよび方法
JP2005032510A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp Ｅｕｖ光源、露光装置及び露光方法
JP2006294606A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Xtreme Technologies Gmbh プラズマ放射線源
JP2007207574A (ja) 2006-02-01 2007-08-16 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2007317598A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2008300351A (ja) * 2007-05-16 2008-12-11 Xtreme Technologies Gmbh プラズマベースのｅｕｖ放射線源用のガスカーテンを生成する装置

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62176038A (ja) 1986-01-28 1987-08-01 Hitachi Ltd Ｘ線発光装置
US4817892A (en) * 1986-04-28 1989-04-04 Janeke Charl E Aerospace plane and engine therefor
US4778130A (en) * 1986-05-08 1988-10-18 Kyusik Kim Ultra hypersonic aircraft
US4934632A (en) * 1987-12-03 1990-06-19 Kyusik Kim Aerothermal ultra hypersonic aircraft
JPH01243349A (ja) 1988-03-25 1989-09-28 Hitachi Ltd プラズマ極端紫外光発生装置
US5963616A (en) 1997-03-11 1999-10-05 University Of Central Florida Configurations, materials and wavelengths for EUV lithium plasma discharge lamps
US6232613B1 (en) * 1997-03-11 2001-05-15 University Of Central Florida Debris blocker/collector and emission enhancer for discharge sources
US6541786B1 (en) * 1997-05-12 2003-04-01 Cymer, Inc. Plasma pinch high energy with debris collector
US6566667B1 (en) 1997-05-12 2003-05-20 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
US5763930A (en) * 1997-05-12 1998-06-09 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
US6014252A (en) * 1998-02-20 2000-01-11 The Regents Of The University Of California Reflective optical imaging system
US6180952B1 (en) * 1998-04-03 2001-01-30 Advanced Energy Systems, Inc. Holder assembly system and method in an emitted energy system for photolithography
US6194733B1 (en) * 1998-04-03 2001-02-27 Advanced Energy Systems, Inc. Method and apparatus for adjustably supporting a light source for use in photolithography
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
JP4332648B2 (ja) 1999-04-07 2009-09-16 レーザーテック株式会社 光源装置
JP2001108799A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nikon Corp Ｘ線発生装置、ｘ線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US6469310B1 (en) 1999-12-17 2002-10-22 Asml Netherlands B.V. Radiation source for extreme ultraviolet radiation, e.g. for use in lithographic projection apparatus
TWI246872B (en) * 1999-12-17 2006-01-01 Asml Netherlands Bv Radiation source for use in lithographic projection apparatus
US6711233B2 (en) * 2000-07-28 2004-03-23 Jettec Ab Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
JP5073146B2 (ja) * 2000-07-28 2012-11-14 ジェテック、アクチボラグ Ｘ線発生方法および装置
GB0111204D0 (en) * 2001-05-08 2001-06-27 Mertek Ltd High flux,high energy photon source
JP4995379B2 (ja) * 2001-06-18 2012-08-08 ギガフォトン株式会社 光源装置及びそれを用いた露光装置
US6998785B1 (en) * 2001-07-13 2006-02-14 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Liquid-jet/liquid droplet initiated plasma discharge for generating useful plasma radiation
JP5098126B2 (ja) 2001-08-07 2012-12-12 株式会社ニコン Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US6714624B2 (en) * 2001-09-18 2004-03-30 Euv Llc Discharge source with gas curtain for protecting optics from particles
JP3791441B2 (ja) 2002-03-27 2006-06-28 ウシオ電機株式会社 極端紫外光発生装置
JP3759066B2 (ja) * 2002-04-11 2006-03-22 孝晏 望月 レーザプラズマ発生方法およびその装置
WO2004031854A2 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine wellenlänge ≤ 193 nm mit sensoren zur bestimmung der ausleuchtung
JP2004226244A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Ushio Inc 極端紫外光源および半導体露光装置
DE10305701B4 (de) 2003-02-07 2005-10-06 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung mit hohen Repetitionsraten
DE10337667B4 (de) * 2003-08-12 2012-03-22 Xtreme Technologies Gmbh Plasma-Strahlungsquelle und Anordnung zur Erzeugung eines Gasvorhangs für Plasma-Strahlungsquellen
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
TW200613706A (en) 2004-09-29 2006-05-01 Ushio Electric Inc EUV generator
DE102005020521B4 (de) * 2005-04-29 2013-05-02 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Anordnung zur Unterdrückung von Debris bei der Erzeugung kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas
EP1887841A1 (en) 2005-05-06 2008-02-13 Tokyo Institute of Technology Plasma generating apparatus and plasma generating method
JP4667140B2 (ja) * 2005-06-30 2011-04-06 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US7598508B2 (en) * 2005-07-13 2009-10-06 Nikon Corporation Gaseous extreme-ultraviolet spectral purity filters and optical systems comprising same
DE102005041567B4 (de) * 2005-08-30 2009-03-05 Xtreme Technologies Gmbh EUV-Strahlungsquelle mit hoher Strahlungsleistung auf Basis einer Gasentladung
DE102005048670B3 (de) * 2005-10-07 2007-05-24 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Unterdrückung von unerwünschten Spektralanteilen bei einer plasmabasierten EUV-Strahlungsquelle
DE102006003683B3 (de) 2006-01-24 2007-09-13 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von EUV-Strahlung hoher Durchschnittsleistung
JP4954584B2 (ja) 2006-03-31 2012-06-20 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
JP4884152B2 (ja) 2006-09-27 2012-02-29 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
US20080237498A1 (en) * 2007-01-29 2008-10-02 Macfarlane Joseph J High-efficiency, low-debris short-wavelength light sources
JP2008270149A (ja) 2007-03-28 2008-11-06 Tokyo Institute Of Technology 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法
US7737420B2 (en) * 2007-03-30 2010-06-15 Intel Corporation Pixelated modulation of illumination pupil image
US7691755B2 (en) 2007-05-15 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation with highly uniform chamber seasoning process for a toroidal source reactor
WO2008154222A1 (en) 2007-06-06 2008-12-18 Mks Instruments, Inc. Particle reduction through gas and plasma source control
US7709816B2 (en) 2007-08-16 2010-05-04 Sematech, Inc. Systems and methods for monitoring and controlling the operation of extreme ultraviolet (EUV) light sources used in semiconductor fabrication
JP5458243B2 (ja) * 2007-10-25 2014-04-02 国立大学法人大阪大学 Ｅｕｖ光の放射方法、および前記ｅｕｖ光を用いた感応基板の露光方法
US20090218521A1 (en) * 2008-02-08 2009-09-03 Nikon Corporation Gaseous neutral density filters and related methods

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000509190A (ja) 1996-04-25 2000-07-18 ジェテック、アクチボラグ Ｘ線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置
JP2001511311A (ja) * 1997-02-04 2001-08-07 アドヴァンスド、エナジ、システィムズ、インク フォトリソグラフィに使用するための極紫外線を生成するための方法と装置
JP2002544675A (ja) * 1999-05-06 2002-12-24 アドヴァンスド、エナジー、システィムズ、インク 半導体製造工程用のリソグラフィ光源を提供するためのシステムおよび方法
JP2005032510A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp Ｅｕｖ光源、露光装置及び露光方法
JP2006294606A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Xtreme Technologies Gmbh プラズマ放射線源
JP2007207574A (ja) 2006-02-01 2007-08-16 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2007317598A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2008300351A (ja) * 2007-05-16 2008-12-11 Xtreme Technologies Gmbh プラズマベースのｅｕｖ放射線源用のガスカーテンを生成する装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103858176A (zh) * 2011-10-06 2014-06-11 浜松光子学株式会社 放射线产生装置以及放射线产生方法
US9953729B2 (en) 2011-10-06 2018-04-24 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation generating apparatus and radiation generating method

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