JP2003229298A - Ｘ線発生装置及び露光装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置及び露光装置Info
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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-
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマを含む容器の内壁からの反射・散乱
を低減し、容器内に収納されている部品の温度上昇を抑
制することのできるＸ線発生装置を提供する。 【解決手段】 本発明のＸ線発生装置は、真空容器１０
７を具備し、該真空容器１０７に組み込まれたガラス製
の窓１０２を通してレーザ光源から放出されたパルスレ
ーザ光１００が標的材料上に集光され、プラズマ１０４
が生成され、このプラズマ１０４からＸ線が輻射され
る。真空容器１０７の内側に、カーボンブラック膜１０
８が形成されている。これにより、真空容器１０７内壁
からの赤外からＸ線領域の電磁波の光の反射・散乱によ
るミラー１０５などの部品の加熱を防止できる。
を低減し、容器内に収納されている部品の温度上昇を抑
制することのできるＸ線発生装置を提供する。 【解決手段】 本発明のＸ線発生装置は、真空容器１０
７を具備し、該真空容器１０７に組み込まれたガラス製
の窓１０２を通してレーザ光源から放出されたパルスレ
ーザ光１００が標的材料上に集光され、プラズマ１０４
が生成され、このプラズマ１０４からＸ線が輻射され
る。真空容器１０７の内側に、カーボンブラック膜１０
８が形成されている。これにより、真空容器１０７内壁
からの赤外からＸ線領域の電磁波の光の反射・散乱によ
るミラー１０５などの部品の加熱を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線露光装置の光
源として用いて好適なＸ線発生装置、及び露光装置に関
するものである。特には、プラズマを含む容器の内壁か
らの反射・散乱を低減し、容器内に収納されている部品
の温度上昇を抑制することのできるＸ線発生装置に関す
るものである。
源として用いて好適なＸ線発生装置、及び露光装置に関
するものである。特には、プラズマを含む容器の内壁か
らの反射・散乱を低減し、容器内に収納されている部品
の温度上昇を抑制することのできるＸ線発生装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｘ線分析装置やＸ線露光装置等の
Ｘ線機器の光源として、レーザプラズマＸ線源や放電プ
ラズマＸ線源が注目されている。レーザプラズマＸ線源
（以下、ＬＰＸと呼ぶ）は、励起用のパルスレーザ光を
真空容器内の標的材料に集光照射してプラズマを生成
し、このプラズマからＸ線を輻射させる光源である。こ
のＬＰＸは、小型でありながらアンジュレータ（シンク
ロトロンラジエーション）に匹敵するほどの輝度をも
つ。
Ｘ線機器の光源として、レーザプラズマＸ線源や放電プ
ラズマＸ線源が注目されている。レーザプラズマＸ線源
（以下、ＬＰＸと呼ぶ）は、励起用のパルスレーザ光を
真空容器内の標的材料に集光照射してプラズマを生成
し、このプラズマからＸ線を輻射させる光源である。こ
のＬＰＸは、小型でありながらアンジュレータ（シンク
ロトロンラジエーション）に匹敵するほどの輝度をも
つ。
【０００３】また、Dense Plasma Focus (DPF)などの放
電プラズマを用いたＸ線源は、電極にパルス高電圧を印
加して放電を起こし、この放電で動作ガスをイオン化し
てプラズマを生成し、このプラズマから輻射されるＸ線
を利用する光源である。この放電プラズマＸ線源は、小
型であり、輻射されるＸ線量が多く、低コストであると
いう特徴がある。放電プラズマＸ線源の代表的なもの
は、デンスプラズマフォーカス（以下、ＤＰＦと呼ぶ）
やホローカソード型、キャピラリー型である。
電プラズマを用いたＸ線源は、電極にパルス高電圧を印
加して放電を起こし、この放電で動作ガスをイオン化し
てプラズマを生成し、このプラズマから輻射されるＸ線
を利用する光源である。この放電プラズマＸ線源は、小
型であり、輻射されるＸ線量が多く、低コストであると
いう特徴がある。放電プラズマＸ線源の代表的なもの
は、デンスプラズマフォーカス（以下、ＤＰＦと呼ぶ）
やホローカソード型、キャピラリー型である。
【０００４】上述したような、ＬＰＸや放電プラズマＸ
線源は、次世代半導体露光装置として期待されている波
長１３ｎｍのＥＵＶ（Extreme Ultra Violet)光を用い
た縮小露光装置の光源として近年注目を集めている。
線源は、次世代半導体露光装置として期待されている波
長１３ｎｍのＥＵＶ（Extreme Ultra Violet)光を用い
た縮小露光装置の光源として近年注目を集めている。
【０００５】ＥＵＶ露光装置においては光学素子に多層
膜ミラーを用いるのが通常である。このような多層膜ミ
ラーとしては、反射波長が１３ｎｍ近傍になるように、
Ｍｏ層とＳｉ層とを交互に積層した多層膜ミラーがもっ
とも有望と考えられている。このような多層膜ミラーの
反射帯域は約２％であり、従って、中心波長が１３．５
ｎｍであるとすると、反射帯域は１３．３６５〜１３．
６３５ｎｍである。上記反射帯域以外のＥＵＶ光は結像
（パターン転写）には全く寄与していない。
膜ミラーを用いるのが通常である。このような多層膜ミ
ラーとしては、反射波長が１３ｎｍ近傍になるように、
Ｍｏ層とＳｉ層とを交互に積層した多層膜ミラーがもっ
とも有望と考えられている。このような多層膜ミラーの
反射帯域は約２％であり、従って、中心波長が１３．５
ｎｍであるとすると、反射帯域は１３．３６５〜１３．
６３５ｎｍである。上記反射帯域以外のＥＵＶ光は結像
（パターン転写）には全く寄与していない。
【０００６】上述した、プラズマＸ線源は、投入パワー
から多層膜ミラーへの反射帯域内への変換効率はあまり
高くなく、例えばＸｅガスをターゲットとして用いたＬ
ＰＸにおいては、レーザーエネルギーから立体角２πｓ
ｒの中へ放出される、波長が１３ｎｍ、バンド幅（Ｂ
Ｗ）が２％であるＥＵＶ光への変換効率は、約０．６％
／２πｓｒ／２％ＢＷである。
から多層膜ミラーへの反射帯域内への変換効率はあまり
高くなく、例えばＸｅガスをターゲットとして用いたＬ
ＰＸにおいては、レーザーエネルギーから立体角２πｓ
ｒの中へ放出される、波長が１３ｎｍ、バンド幅（Ｂ
Ｗ）が２％であるＥＵＶ光への変換効率は、約０．６％
／２πｓｒ／２％ＢＷである。
【０００７】一方、ＥＵＶ露光装置に必要とされる照明
光学系に入射されるＥＵＶ光のパワーは約５０Ｗであ
り、プラズマからのＥＵＶ光の取り込み立体角をπｓｒ
とすると、レーザー光の投入パワーは１５ｋＷとなる。
このレーザー光の投入パワーの大部分はプラズマに吸収
され、吸収されたレーザー光のパワーのうち数１０％程
度は標的材料を吹き飛ばす運動エネルギーとして消費さ
れ、残りのパワーは赤外域からＸ線領域の広い波長範囲
の輻射として周囲に放出される。また、照射レーザー光
の一部はプラズマや標的材料により散乱される。
光学系に入射されるＥＵＶ光のパワーは約５０Ｗであ
り、プラズマからのＥＵＶ光の取り込み立体角をπｓｒ
とすると、レーザー光の投入パワーは１５ｋＷとなる。
このレーザー光の投入パワーの大部分はプラズマに吸収
され、吸収されたレーザー光のパワーのうち数１０％程
度は標的材料を吹き飛ばす運動エネルギーとして消費さ
れ、残りのパワーは赤外域からＸ線領域の広い波長範囲
の輻射として周囲に放出される。また、照射レーザー光
の一部はプラズマや標的材料により散乱される。
【０００８】照明光学系の最初のミラー（以下、Ｃ１ミ
ラーと呼ぶ）は、プラズマＸ線源からのＥＵＶ光をでき
る限り多く取り込み、かつミラーの大きさをできる限り
小さくするため、すなわちミラーの製作を容易にするた
めに、プラズマ近傍（例えばプラズマから１０〜２０ｃ
ｍの距離）に配置される。多層膜の反射率は７０％程度
であり、このためＣ１に入射するin-band ＥＵＶパワ
ー５０Ｗのうち１５Ｗは多層膜ミラーに吸収されてしま
う。また、多層膜の帯域外の赤外から軟Ｘ線の領域にわ
たる広い範囲の輻射の大部分も多層膜ミラーにより吸収
される。
ラーと呼ぶ）は、プラズマＸ線源からのＥＵＶ光をでき
る限り多く取り込み、かつミラーの大きさをできる限り
小さくするため、すなわちミラーの製作を容易にするた
めに、プラズマ近傍（例えばプラズマから１０〜２０ｃ
ｍの距離）に配置される。多層膜の反射率は７０％程度
であり、このためＣ１に入射するin-band ＥＵＶパワ
ー５０Ｗのうち１５Ｗは多層膜ミラーに吸収されてしま
う。また、多層膜の帯域外の赤外から軟Ｘ線の領域にわ
たる広い範囲の輻射の大部分も多層膜ミラーにより吸収
される。
【０００９】上述のように吸収されたエネルギーは多層
膜やミラー基板の温度を上昇させる。多層膜の温度が、
吸収したエネルギーにより上昇すると、多層膜ミラーを
構成する物質間の境界面（上記の例においてはＭｏとＳ
ｉとの境界）での拡散が激しくなり、ＥＵＶ光に対する
反射率が低下してしまう。例えば、投入レーザーパワー
が１０ｋＷでありプラズマから１５ｃｍの距離に配置さ
れた多層膜ミラーの温度は数１００℃に上昇すると予想
される。例えば、多層膜ミラーがＭｏ／Ｓｉからなる多
層膜を備える場合は、３００℃程度の温度でＭｏ／Ｓｉ
製多層膜の界面拡散が起こり、ミラーの反射率が著しく
低下する。また、３００℃程度の高温に達しなくても、
ある程度の高温状態が長時間続くと、次第にＭｏ／Ｓｉ
製多層膜の界面拡散が起こって反射率が徐々に低下す
る。
膜やミラー基板の温度を上昇させる。多層膜の温度が、
吸収したエネルギーにより上昇すると、多層膜ミラーを
構成する物質間の境界面（上記の例においてはＭｏとＳ
ｉとの境界）での拡散が激しくなり、ＥＵＶ光に対する
反射率が低下してしまう。例えば、投入レーザーパワー
が１０ｋＷでありプラズマから１５ｃｍの距離に配置さ
れた多層膜ミラーの温度は数１００℃に上昇すると予想
される。例えば、多層膜ミラーがＭｏ／Ｓｉからなる多
層膜を備える場合は、３００℃程度の温度でＭｏ／Ｓｉ
製多層膜の界面拡散が起こり、ミラーの反射率が著しく
低下する。また、３００℃程度の高温に達しなくても、
ある程度の高温状態が長時間続くと、次第にＭｏ／Ｓｉ
製多層膜の界面拡散が起こって反射率が徐々に低下す
る。
【００１０】上述した内容は、プラズマから直接ミラー
に入射する輻射による温度の上昇であるが、実際には、
プラズマから直接ミラーに入射する輻射による温度上昇
以外に、間接的にミラーにプラズマからの輻射が照射さ
れて更に多層膜ミラーの温度が上昇する。
に入射する輻射による温度の上昇であるが、実際には、
プラズマから直接ミラーに入射する輻射による温度上昇
以外に、間接的にミラーにプラズマからの輻射が照射さ
れて更に多層膜ミラーの温度が上昇する。
【００１１】ＬＰＸや放電Ｘ線源等のプラズマＸ線源で
はプラズマを生成し、かつ発生したＥＵＶ光を伝播させ
るためには真空環境が必要となる。このため、標的材料
や放電電極を真空容器内に配置する必要がある。従来の
プラズマＸ線源では、真空容器としてステンレスやアル
ミニウム製容器が用いられており、その内表面、は特に
処理をされずに金属光沢になっているか、又は高真空ま
で排気することができるように電解研磨等が行われて鏡
面になっている。
はプラズマを生成し、かつ発生したＥＵＶ光を伝播させ
るためには真空環境が必要となる。このため、標的材料
や放電電極を真空容器内に配置する必要がある。従来の
プラズマＸ線源では、真空容器としてステンレスやアル
ミニウム製容器が用いられており、その内表面、は特に
処理をされずに金属光沢になっているか、又は高真空ま
で排気することができるように電解研磨等が行われて鏡
面になっている。
【００１２】そのため、プラズマから輻射された赤外か
ら紫外域の輻射は真空容器の内壁によって、反射・散乱
され、真空容器内に配置されているＣ１ミラーを照射
し、ミラーの温度を不必要に上昇させる。真空容器内に
配置されている部品としては、上述した多層膜ミラーの
他に、ターゲット材料供給部材（ＸｅガスジェットＬＰ
Ｘの場合はガスを噴出させるノズル）、放電電極（放電
プラズマＸ線源の場合）、可視光カットＸ線透過用フィ
ルター等がある。可視光カットＸ線透過フィルターは微
細パターン形成に支障を来すプラズマから放射される赤
外・可視・紫外域の光を遮断し、必要なＥＵＶ光のみを
透過させるものである。一般に物質のＥＵＶ光に対する
吸収は大きいため、フィルターの厚さは非常に薄く、例
えば１５０ｎｍ程度に作成されている。このため、フィ
ルターに過度の熱負荷がかかった場合、フィルターが破
損してしまう可能性もある。
ら紫外域の輻射は真空容器の内壁によって、反射・散乱
され、真空容器内に配置されているＣ１ミラーを照射
し、ミラーの温度を不必要に上昇させる。真空容器内に
配置されている部品としては、上述した多層膜ミラーの
他に、ターゲット材料供給部材（ＸｅガスジェットＬＰ
Ｘの場合はガスを噴出させるノズル）、放電電極（放電
プラズマＸ線源の場合）、可視光カットＸ線透過用フィ
ルター等がある。可視光カットＸ線透過フィルターは微
細パターン形成に支障を来すプラズマから放射される赤
外・可視・紫外域の光を遮断し、必要なＥＵＶ光のみを
透過させるものである。一般に物質のＥＵＶ光に対する
吸収は大きいため、フィルターの厚さは非常に薄く、例
えば１５０ｎｍ程度に作成されている。このため、フィ
ルターに過度の熱負荷がかかった場合、フィルターが破
損してしまう可能性もある。
【００１３】上述したような真空容器内の部品の不必要
な加熱は、多層膜ミラーの反射特性のみならず、様々な
部品の性能の低下を引き起こす。このため、ガスジェッ
トノズルが効率的にＸｅクラスターや液滴状のターゲッ
ト材料を作成するためには、ノズルの温度を下げておく
必要がある。また、放電電極の溶融を回避するために放
電電流以外の要因による温度の上昇をできる限り抑制す
る必要がある。
な加熱は、多層膜ミラーの反射特性のみならず、様々な
部品の性能の低下を引き起こす。このため、ガスジェッ
トノズルが効率的にＸｅクラスターや液滴状のターゲッ
ト材料を作成するためには、ノズルの温度を下げておく
必要がある。また、放電電極の溶融を回避するために放
電電流以外の要因による温度の上昇をできる限り抑制す
る必要がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
事情を考慮してなされたものであり、その目的は、プラ
ズマを含む容器の内壁からの反射・散乱を低減し、容器
内に収納されている部品の温度上昇を抑制することので
きるＸ線発生装置を提供することにある。
事情を考慮してなされたものであり、その目的は、プラ
ズマを含む容器の内壁からの反射・散乱を低減し、容器
内に収納されている部品の温度上昇を抑制することので
きるＸ線発生装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明にかかるＸ線発生装置は、標的材料をプラズ
マ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該
Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置
であって、上記真空容器の内側に、赤外からＸ線領域の
電磁波に対して吸収率が高い材料で形成された内壁が設
けられていることを特徴とする。上記Ｘ線発生装置によ
れば、真空容器の内側に、赤外からＸ線領域の電磁波に
対して吸収率が高い材料で形成された内壁が設けられて
おり、赤外からＸ線領域までの広いスペクトルの範囲の
光を吸収する。それにより、真空容器内壁から反射・散
乱する赤外からＸ線領域の光によりミラーなどの部品が
加熱されることを防止できる。
め、本発明にかかるＸ線発生装置は、標的材料をプラズ
マ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該
Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置
であって、上記真空容器の内側に、赤外からＸ線領域の
電磁波に対して吸収率が高い材料で形成された内壁が設
けられていることを特徴とする。上記Ｘ線発生装置によ
れば、真空容器の内側に、赤外からＸ線領域の電磁波に
対して吸収率が高い材料で形成された内壁が設けられて
おり、赤外からＸ線領域までの広いスペクトルの範囲の
光を吸収する。それにより、真空容器内壁から反射・散
乱する赤外からＸ線領域の光によりミラーなどの部品が
加熱されることを防止できる。
【００１６】また、本発明にかかるＸ線発生装置は、標
的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させ
るＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備す
るＸ線発生装置であって、上記真空容器の内側に、針
状、細線状又はブレード状の部材を、その先端がプラズ
マに向くように配列されていることを特徴とする。上記
Ｘ線発生装置によれば、真空容器の内側に、針状、細線
状又はブレード状の部材が設けられており、プラズマか
ら輻射された光が針状、細線状又はブレード状の部材の
側面に当たり、反射を繰り返して結果として内壁に吸収
されてしまう。それにより、真空容器内壁からの赤外か
らＸ線領域の光の反射・散乱によりミラーなどの部品が
加熱されることを防止できる。
的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させ
るＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備す
るＸ線発生装置であって、上記真空容器の内側に、針
状、細線状又はブレード状の部材を、その先端がプラズ
マに向くように配列されていることを特徴とする。上記
Ｘ線発生装置によれば、真空容器の内側に、針状、細線
状又はブレード状の部材が設けられており、プラズマか
ら輻射された光が針状、細線状又はブレード状の部材の
側面に当たり、反射を繰り返して結果として内壁に吸収
されてしまう。それにより、真空容器内壁からの赤外か
らＸ線領域の光の反射・散乱によりミラーなどの部品が
加熱されることを防止できる。
【００１７】また、本発明にかかるＸ線発生装置は、標
的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させ
るＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備す
るＸ線発生装置であって、上記真空容器が、赤外から紫
外域に対して透過率の高い材料で形成されていることを
特徴とする。上記Ｘ線発生装置によれば、真空容器が、
赤外から紫外域に対して透過率の高い材料で形成されて
おり、赤外から紫外域までの広いスペクトルの範囲の光
が透過するため、壁面で反射することがなく、真空容器
内の部品が加熱されることを防止できる。
的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させ
るＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備す
るＸ線発生装置であって、上記真空容器が、赤外から紫
外域に対して透過率の高い材料で形成されていることを
特徴とする。上記Ｘ線発生装置によれば、真空容器が、
赤外から紫外域に対して透過率の高い材料で形成されて
おり、赤外から紫外域までの広いスペクトルの範囲の光
が透過するため、壁面で反射することがなく、真空容器
内の部品が加熱されることを防止できる。
【００１８】また、本発明にかかる露光装置は、上記本
発明にかかるＸ線発生装置と、該Ｘ線発生装置から発生
したＸ線をマスクに照射させる照明光学系と、該マスク
から反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学
系と、を具備することを特徴とする。
発明にかかるＸ線発生装置と、該Ｘ線発生装置から発生
したＸ線をマスクに照射させる照明光学系と、該マスク
から反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学
系と、を具備することを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態に
ついては、本発明をレーザープラズマＸ線源に適用した
例について述べる。図１は、本発明の第１の実施の形態
に係る露光装置のＸ線発生装置を模式的に示す断面図で
ある。図１のＸ線発生装置は、真空容器１０７を備えて
いる。この真空容器１０７には、図示しない真空ポンプ
（真空排気装置）が付設されており、真空容器１０７内
は、真空ポンプにより排気されて数Ｔｏｒｒ以下に減圧
されている。真空容器１０７内が真空ポンプによって減
圧されることで、パルスレーザ光１００が途中で気中放
電せず、プラズマ１０４から輻射されたＸ線が吸収によ
り著しく減衰しないようになっている。
施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態に
ついては、本発明をレーザープラズマＸ線源に適用した
例について述べる。図１は、本発明の第１の実施の形態
に係る露光装置のＸ線発生装置を模式的に示す断面図で
ある。図１のＸ線発生装置は、真空容器１０７を備えて
いる。この真空容器１０７には、図示しない真空ポンプ
（真空排気装置）が付設されており、真空容器１０７内
は、真空ポンプにより排気されて数Ｔｏｒｒ以下に減圧
されている。真空容器１０７内が真空ポンプによって減
圧されることで、パルスレーザ光１００が途中で気中放
電せず、プラズマ１０４から輻射されたＸ線が吸収によ
り著しく減衰しないようになっている。
【００２０】真空容器１０７には、ガラス製の窓１０２
が組み込まれており、この窓１０２の外側にはレンズ１
０１が配置されている。レーザ光源（図示せず）から放
出されたパルスレーザ光１００は、レンズ１０１で集光
され窓１０２を通して標的材料に集光され、プラズマ１
０４が生成され、このプラズマ１０４からＸ線が輻射さ
れる。なお、この際、プラズマに吸収されなかったレー
ザ光は真空容器の壁面に当たって真空容器内１０７を加
熱しないように、窓１１０を透過して真空容器１０７の
外に導かれる。
が組み込まれており、この窓１０２の外側にはレンズ１
０１が配置されている。レーザ光源（図示せず）から放
出されたパルスレーザ光１００は、レンズ１０１で集光
され窓１０２を通して標的材料に集光され、プラズマ１
０４が生成され、このプラズマ１０４からＸ線が輻射さ
れる。なお、この際、プラズマに吸収されなかったレー
ザ光は真空容器の壁面に当たって真空容器内１０７を加
熱しないように、窓１１０を透過して真空容器１０７の
外に導かれる。
【００２１】なお、この例では、標的材料はノズル１０
３から超音速で噴出されているＸｅガスである。ガスジ
ェットノズル１０３は、Ｘｅガスが紙面垂直方向に噴出
されるように配置されており、ガスジェットノズル１０
３から噴出されたＸｅガスは、プラズマ１０４が生成さ
れた後に、真空ポンプ（図示せず）により真空容器１０
７の外に排気される。
３から超音速で噴出されているＸｅガスである。ガスジ
ェットノズル１０３は、Ｘｅガスが紙面垂直方向に噴出
されるように配置されており、ガスジェットノズル１０
３から噴出されたＸｅガスは、プラズマ１０４が生成さ
れた後に、真空ポンプ（図示せず）により真空容器１０
７の外に排気される。
【００２２】プラズマ１０４の近くには、集光用の多層
膜楕円ミラー（以下、単にミラーという）１０５が配置
されており、このミラーは、反射面にＭｏ／Ｓｉ製の多
層膜が施されている。この多層膜は、波長１３．４ｎｍ
のＸ線を反射するように構成されており、反射面の各点
で反射率が最大となるように周期長が変えられている。
ミラー１０５の裏面は冷却水により冷却されており（図
示せず）、ミラー１０５によって反射されたＥＵＶ光１
０６は可視光カットＸ線フィルター１０９を透過し、次
段の照明光学系に誘導される。可視光カットＸ線フィル
ター１０９は、微細パターン形成の際に支障となる、プ
ラズマから放射される赤外・可視・紫外域の光を遮断
し、必要なＥＵＶ光のみを透過させるためのフィルター
である。
膜楕円ミラー（以下、単にミラーという）１０５が配置
されており、このミラーは、反射面にＭｏ／Ｓｉ製の多
層膜が施されている。この多層膜は、波長１３．４ｎｍ
のＸ線を反射するように構成されており、反射面の各点
で反射率が最大となるように周期長が変えられている。
ミラー１０５の裏面は冷却水により冷却されており（図
示せず）、ミラー１０５によって反射されたＥＵＶ光１
０６は可視光カットＸ線フィルター１０９を透過し、次
段の照明光学系に誘導される。可視光カットＸ線フィル
ター１０９は、微細パターン形成の際に支障となる、プ
ラズマから放射される赤外・可視・紫外域の光を遮断
し、必要なＥＵＶ光のみを透過させるためのフィルター
である。
【００２３】図１に示すＸ線発生装置においては、内側
にカーボンブラックから形成された膜１０８が形成され
ている。カーボンブラックは、赤外からＸ線領域の電磁
波に対して吸収率が高い材料である。従って、カーボン
ブラック膜１０８が形成されることにより、真空容器１
０７の内壁からの赤外からＸ線領域の電磁波の光の反射
・散乱によるミラー１０５などの部品が加熱されること
が防止できる。
にカーボンブラックから形成された膜１０８が形成され
ている。カーボンブラックは、赤外からＸ線領域の電磁
波に対して吸収率が高い材料である。従って、カーボン
ブラック膜１０８が形成されることにより、真空容器１
０７の内壁からの赤外からＸ線領域の電磁波の光の反射
・散乱によるミラー１０５などの部品が加熱されること
が防止できる。
【００２４】カーボンブラック膜１０８によりプラズマ
１０４からの輻射が壁面で吸収されるため、真空容器１
０７の壁の温度が上昇するので、真空容器１０７の壁面
を冷却することができるように、冷却用のジャケットが
取り付けられている（図示せず）。赤外からＸ線領域の
電磁波に対して吸収率が高い材料としては、カーボンブ
ラック以外のものも使用可能であり、このような材料と
しては、例えばベンゼン煤やアクアダック等が挙げられ
る。
１０４からの輻射が壁面で吸収されるため、真空容器１
０７の壁の温度が上昇するので、真空容器１０７の壁面
を冷却することができるように、冷却用のジャケットが
取り付けられている（図示せず）。赤外からＸ線領域の
電磁波に対して吸収率が高い材料としては、カーボンブ
ラック以外のものも使用可能であり、このような材料と
しては、例えばベンゼン煤やアクアダック等が挙げられ
る。
【００２５】また、赤外からＸ線領域の電磁波に対して
吸収率が高い材料としては、多孔質のものを用いてもよ
い。このような多孔質材料の表面には微小の孔が無数に
存在している。この無数の孔の中に入った光は孔の内壁
で反射・散乱を繰り返し孔の外に再び出ることはない。
すなわち理想的な黒体とみなすことができ、このため赤
外からＸ線領域までの全ての輻射を吸収することができ
る。このような多孔質の材料としては、例えば活性炭が
挙げられる。
吸収率が高い材料としては、多孔質のものを用いてもよ
い。このような多孔質材料の表面には微小の孔が無数に
存在している。この無数の孔の中に入った光は孔の内壁
で反射・散乱を繰り返し孔の外に再び出ることはない。
すなわち理想的な黒体とみなすことができ、このため赤
外からＸ線領域までの全ての輻射を吸収することができ
る。このような多孔質の材料としては、例えば活性炭が
挙げられる。
【００２６】カーボンブラック膜１０８は、カーボンブ
ラックを真空容器１０７の内壁に塗布することにより形
成することができるが、塗布ではなく内壁自身を改質し
て、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率が高い材
料で作成してもよい。例えば、真空容器１０７がアルミ
ニウム製である場合には真空容器１０７をアルマイト処
理し黒色に変化させてもよい。
ラックを真空容器１０７の内壁に塗布することにより形
成することができるが、塗布ではなく内壁自身を改質し
て、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率が高い材
料で作成してもよい。例えば、真空容器１０７がアルミ
ニウム製である場合には真空容器１０７をアルマイト処
理し黒色に変化させてもよい。
【００２７】また、赤外からＸ線領域の電磁波に対して
吸収率が高い材料で作成されている板やシートを真空容
器１０７の内壁に貼り付けてもよい。例えば、黒色の板
（カーボンの板）やシート、表面に無数の孔のある板
（ポーラスシリコン等）を真空容器１０７の内壁に貼り
付けてもよい。
吸収率が高い材料で作成されている板やシートを真空容
器１０７の内壁に貼り付けてもよい。例えば、黒色の板
（カーボンの板）やシート、表面に無数の孔のある板
（ポーラスシリコン等）を真空容器１０７の内壁に貼り
付けてもよい。
【００２８】上述したような、多孔質材料を用いる場
合、真空容器１０７内の真空度は高くならないが、プラ
ズマＸ線源ではプラズマを生成し、かつ発生したＥＵＶ
光１０６を伝播させるのに必要な真空度があればよい。
一般に、そのために必要な圧力は数１０分の１Ｔｏｒｒ
〜数Ｔｏｒｒであるので、多孔質材料等を用いることに
は問題はない。多孔質材料やシート等は、真空容器１０
７の内壁全面に塗布又は貼り付けてもよいが、プラズマ
１０４からの輻射があたる部分にのみ塗布又は貼り付け
てもよい。
合、真空容器１０７内の真空度は高くならないが、プラ
ズマＸ線源ではプラズマを生成し、かつ発生したＥＵＶ
光１０６を伝播させるのに必要な真空度があればよい。
一般に、そのために必要な圧力は数１０分の１Ｔｏｒｒ
〜数Ｔｏｒｒであるので、多孔質材料等を用いることに
は問題はない。多孔質材料やシート等は、真空容器１０
７の内壁全面に塗布又は貼り付けてもよいが、プラズマ
１０４からの輻射があたる部分にのみ塗布又は貼り付け
てもよい。
【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態に係る露
光装置のＸ線発生装置について図面を参照して説明す
る。図２は、本発明の第２の実施の形態に係る露光装置
のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。図２に示
すＸ線発生装置は、大部分は図１に示すＸ線発生装置と
同様であるので、全体的な説明は省略する。図２に示す
Ｘ線発生装置及び図１に示すＸ線発生装置の異なる点
は、図２に示すＸ線発生装置においては、真空容器２０
７の内側に、多数の針状部材２０８が、針の先端がプラ
ズマ２０４に向くように備えられている点である。
光装置のＸ線発生装置について図面を参照して説明す
る。図２は、本発明の第２の実施の形態に係る露光装置
のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。図２に示
すＸ線発生装置は、大部分は図１に示すＸ線発生装置と
同様であるので、全体的な説明は省略する。図２に示す
Ｘ線発生装置及び図１に示すＸ線発生装置の異なる点
は、図２に示すＸ線発生装置においては、真空容器２０
７の内側に、多数の針状部材２０８が、針の先端がプラ
ズマ２０４に向くように備えられている点である。
【００３０】針状部材２０８の拡大図を図３に示す。図
３に示すように、プラズマ２０４から輻射された光２０
６は、針状部材２０８の側面に当たり、反射を繰り返し
て針状部材２０８の内部に進み、いずれは針状部材２０
８に吸収されてしまう。従って、ほぼ理想的な黒体とし
て赤外からＸ線領域の広い波長域の光を吸収することが
できる。なお、針状部材２０８の材質としては、特に制
限はないが、例えばステンレス鉄又はアルミニウム等の
金属を用いることができ、またガラス、カーボン又は有
機物等を用いることもできる。
３に示すように、プラズマ２０４から輻射された光２０
６は、針状部材２０８の側面に当たり、反射を繰り返し
て針状部材２０８の内部に進み、いずれは針状部材２０
８に吸収されてしまう。従って、ほぼ理想的な黒体とし
て赤外からＸ線領域の広い波長域の光を吸収することが
できる。なお、針状部材２０８の材質としては、特に制
限はないが、例えばステンレス鉄又はアルミニウム等の
金属を用いることができ、またガラス、カーボン又は有
機物等を用いることもできる。
【００３１】また、図２及び図３において、針状部材２
０８は先端が尖った形状をしているが、必ずしも先端が
尖った形状でなくてもよく、直径が十分に小さい形状で
あればよい。また、針状部材２０８に代え、細線状又は
ブレード状の部材としてもよい。例えば、グラスファイ
バー、カーボンファイバー又は金属製の細線を束ねたよ
うなものであってもよく、ブレード状の板を複数並べた
ものであってもよい。
０８は先端が尖った形状をしているが、必ずしも先端が
尖った形状でなくてもよく、直径が十分に小さい形状で
あればよい。また、針状部材２０８に代え、細線状又は
ブレード状の部材としてもよい。例えば、グラスファイ
バー、カーボンファイバー又は金属製の細線を束ねたよ
うなものであってもよく、ブレード状の板を複数並べた
ものであってもよい。
【００３２】次に、本発明の第３の実施の形態に係る露
光装置のＸ線発生装置について図面を参照して説明す
る。図４は、本発明の第３の実施の形態に係る露光装置
のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。図４に示
すＸ線発生装置は、大部分は図１に示すＸ線発生装置と
同様であるので、全体的な説明は省略する。
光装置のＸ線発生装置について図面を参照して説明す
る。図４は、本発明の第３の実施の形態に係る露光装置
のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。図４に示
すＸ線発生装置は、大部分は図１に示すＸ線発生装置と
同様であるので、全体的な説明は省略する。
【００３３】図４に示すＸ線発生装置及び図１に示すＸ
線発生装置の異なる点は、図４に示すＸ線発生装置にお
いては、真空容器４０７が石英ガラスで形成されている
点である。石英ガラスは、赤外から紫外域に対して透過
率の高い材料である。従って、真空容器４０７を石英ガ
ラスで形成することにより、ＥＵＶ光４０６が壁面で反
射して真空容器４０７内の部品を加熱することが防止で
きる。赤外から紫外域に対して透過率の高い材料として
は、石英ガラス以外のものを用いてもよく、そのような
材料としては、例えばフッ化マグネシウム（MgF2）、フ
ッ化カルシウム（CaF2）等が挙げられる。
線発生装置の異なる点は、図４に示すＸ線発生装置にお
いては、真空容器４０７が石英ガラスで形成されている
点である。石英ガラスは、赤外から紫外域に対して透過
率の高い材料である。従って、真空容器４０７を石英ガ
ラスで形成することにより、ＥＵＶ光４０６が壁面で反
射して真空容器４０７内の部品を加熱することが防止で
きる。赤外から紫外域に対して透過率の高い材料として
は、石英ガラス以外のものを用いてもよく、そのような
材料としては、例えばフッ化マグネシウム（MgF2）、フ
ッ化カルシウム（CaF2）等が挙げられる。
【００３４】また、図４に示すＸ線発生装置の真空容器
４０７の内壁及び／又は外壁に反射防止膜をコートして
もよい。真空容器４０７の内壁及び／又は外壁に反射防
止膜をコートすることにより、更に反射光量が減少する
ので好ましい。図４に示すＸ線発生装置においては、真
空容器４０７は全体が石英ガラス製であるが、機械的に
強度が必要な部分を金属部品で形成し、石英ガラス部と
接合した複合的なものであってもよい。上記説明におい
ては、本発明のＸ線発生装置をレーザープラズマＸ線源
に適用したものについて説明したが、本発明のＸ線発生
装置は放電プラズマＸ線源に適用することもできる。
４０７の内壁及び／又は外壁に反射防止膜をコートして
もよい。真空容器４０７の内壁及び／又は外壁に反射防
止膜をコートすることにより、更に反射光量が減少する
ので好ましい。図４に示すＸ線発生装置においては、真
空容器４０７は全体が石英ガラス製であるが、機械的に
強度が必要な部分を金属部品で形成し、石英ガラス部と
接合した複合的なものであってもよい。上記説明におい
ては、本発明のＸ線発生装置をレーザープラズマＸ線源
に適用したものについて説明したが、本発明のＸ線発生
装置は放電プラズマＸ線源に適用することもできる。
【００３５】次に、本発明の露光装置の一例について図
面を参照して説明する。図５は、本発明の実施の形態に
係る露光装置１９９の全体構成を示す図である。なお、
図５における露光装置においては、図の右上に示すＸ線
発生装置１９９として図２に示すＸ線発生装置を用いて
いる。図５に示すように、Ｘ線発生装置１９９は、露光
チャンバ５０の上部に設置されている。露光チャンバ５
０内には、Ｘ線発生装置１９９からのＥＵＶ光照射を受
ける照明光学系５６が配置されている。照明光学系５６
は、コンデンサー系の反射鏡、フライアイ光学系の反射
鏡等で構成されており、ミラー２０５で反射したＸ線を
円弧状に整形し、図５の左方に向かって照射する。
面を参照して説明する。図５は、本発明の実施の形態に
係る露光装置１９９の全体構成を示す図である。なお、
図５における露光装置においては、図の右上に示すＸ線
発生装置１９９として図２に示すＸ線発生装置を用いて
いる。図５に示すように、Ｘ線発生装置１９９は、露光
チャンバ５０の上部に設置されている。露光チャンバ５
０内には、Ｘ線発生装置１９９からのＥＵＶ光照射を受
ける照明光学系５６が配置されている。照明光学系５６
は、コンデンサー系の反射鏡、フライアイ光学系の反射
鏡等で構成されており、ミラー２０５で反射したＸ線を
円弧状に整形し、図５の左方に向かって照射する。
【００３６】照明光学系５６の図５の左方には、Ｘ線反
射鏡５２が配置されている。Ｘ線反射鏡５２は、図５の
右側の反射面５２ａが凹型をした円形をしており、図示
せぬ保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射鏡
５２の図５の右方には、光路折り曲げ反射鏡５１が斜め
に配置されている。光路折り曲げ反射鏡５１の上方に
は、反射型マスク５３が、反射面が下になるように水平
に配置されている。照明光学系５６から放出されたＸ線
は、Ｘ線反射鏡５２により反射集光された後に、光路折
り曲げ反射鏡５１を介して、反射型マスク５３の反射面
に達する。
射鏡５２が配置されている。Ｘ線反射鏡５２は、図５の
右側の反射面５２ａが凹型をした円形をしており、図示
せぬ保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射鏡
５２の図５の右方には、光路折り曲げ反射鏡５１が斜め
に配置されている。光路折り曲げ反射鏡５１の上方に
は、反射型マスク５３が、反射面が下になるように水平
に配置されている。照明光学系５６から放出されたＸ線
は、Ｘ線反射鏡５２により反射集光された後に、光路折
り曲げ反射鏡５１を介して、反射型マスク５３の反射面
に達する。
【００３７】反射鏡５１、５２の基体は、反射面５２ａ
が高精度に加工された石英の基板からなる。この反射面
５２ａには、Ｘ線発生装置のミラー２０５の反射面と同
様に、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜が形成されている。なお、波
長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合には、Ｒｕ（ル
テニウム）、Ｒｈ（ロジウム）等の物質と、Ｓｉ、Ｂｅ
（ベリリウム）、Ｂ4Ｃ（４ホウ化炭素）等の物質とを
組み合わせた多層膜でもよい。
が高精度に加工された石英の基板からなる。この反射面
５２ａには、Ｘ線発生装置のミラー２０５の反射面と同
様に、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜が形成されている。なお、波
長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合には、Ｒｕ（ル
テニウム）、Ｒｈ（ロジウム）等の物質と、Ｓｉ、Ｂｅ
（ベリリウム）、Ｂ4Ｃ（４ホウ化炭素）等の物質とを
組み合わせた多層膜でもよい。
【００３８】反射型マスク５３の反射面にも多層膜から
なる反射鏡が形成されている。この反射膜には、ウェハ
５９に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成
されている。マスクステージ５５は、少なくともＹ方向
に移動可能であり、光路折り曲げ反射鏡５１で反射され
たＸ線を順次マスク５３上に照射する。
なる反射鏡が形成されている。この反射膜には、ウェハ
５９に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成
されている。マスクステージ５５は、少なくともＹ方向
に移動可能であり、光路折り曲げ反射鏡５１で反射され
たＸ線を順次マスク５３上に照射する。
【００３９】反射型マスク５３の下部には、順に投影光
学系５７、ウェハ５９が配置されている。投影光学系５
７は、複数の反射鏡等からなり、反射型マスク５３で反
射されたＸ線を所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小
し、ウェハ５９上に結像する。ウェハ５９は、ＸＹＺ方
向に移動可能なウェハステージ５４に吸着等により固定
されている。
学系５７、ウェハ５９が配置されている。投影光学系５
７は、複数の反射鏡等からなり、反射型マスク５３で反
射されたＸ線を所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小
し、ウェハ５９上に結像する。ウェハ５９は、ＸＹＺ方
向に移動可能なウェハステージ５４に吸着等により固定
されている。
【００４０】露光動作を行う際には、照明光学系５６に
より反射型マスク５３の反射面にＸ線を照射する。その
際、投影光学系５７に対して反射型マスク５３及びウェ
ハ５９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度
比で相対的に同期走査する。これにより、反射型マスク
５３の回路パターンの全体をウェハ５９上の複数のショ
ット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写す
る。なお、ウェハ５９のチップは例えば２５×２５ｍｍ
角であり、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパタ
ーンが露光できる。
より反射型マスク５３の反射面にＸ線を照射する。その
際、投影光学系５７に対して反射型マスク５３及びウェ
ハ５９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度
比で相対的に同期走査する。これにより、反射型マスク
５３の回路パターンの全体をウェハ５９上の複数のショ
ット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写す
る。なお、ウェハ５９のチップは例えば２５×２５ｍｍ
角であり、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパタ
ーンが露光できる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＸ線発生
装置によれば、真空容器の内側に、赤外からＸ線領域の
電磁波に対して吸収率が高い材料で形成された内壁が設
けられており、赤外からＸ線領域までの広いスペクトル
の範囲の光を吸収する。それにより、真空容器内壁から
の赤外からＸ線領域の光の反射・散乱によりミラーなど
の部品が加熱されることを防止できる。
装置によれば、真空容器の内側に、赤外からＸ線領域の
電磁波に対して吸収率が高い材料で形成された内壁が設
けられており、赤外からＸ線領域までの広いスペクトル
の範囲の光を吸収する。それにより、真空容器内壁から
の赤外からＸ線領域の光の反射・散乱によりミラーなど
の部品が加熱されることを防止できる。
【００４２】また、本発明のＸ線発生装置によれば、真
空容器の内側に、針状、細線状又はブレード状の部材が
設けられており、プラズマから輻射された光が針状、細
線状又はブレード状の部材の側面に当たり、反射を繰り
返して結果として内壁に吸収されてしまう。それによ
り、真空容器内壁からの赤外からＸ線領域の光の反射・
散乱によりミラーなどの部品が加熱されることを防止で
きる。
空容器の内側に、針状、細線状又はブレード状の部材が
設けられており、プラズマから輻射された光が針状、細
線状又はブレード状の部材の側面に当たり、反射を繰り
返して結果として内壁に吸収されてしまう。それによ
り、真空容器内壁からの赤外からＸ線領域の光の反射・
散乱によりミラーなどの部品が加熱されることを防止で
きる。
【００４３】また、本発明のＸ線発生装置によれば、真
空容器が、赤外から紫外域に対して透過率の高い材料で
形成されており、赤外から紫外域までの広いスペクトル
の範囲の光が透過するため、壁面で反射することがな
く、真空容器内の部品が加熱されることを防止できる。
空容器が、赤外から紫外域に対して透過率の高い材料で
形成されており、赤外から紫外域までの広いスペクトル
の範囲の光が透過するため、壁面で反射することがな
く、真空容器内の部品が加熱されることを防止できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る露光装置のＸ
線発生装置を模式的に示す断面図である。
線発生装置を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る露光装置のＸ
線発生装置を模式的に示す断面図である。
線発生装置を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のＸ線発生装置の針
状部材の拡大図を示す図である。
状部材の拡大図を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る露光装置のＸ
線発生装置を模式的に示す断面図である。
線発生装置を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る露光装置の全体構成
を示す図である。
を示す図である。
１００、２００、４００ パルスレーザ光
１０１、２０１、４０１ レンズ
１０２、２０２、４０２ 窓
１０３、２０３、４０３ ノズル
１０４、２０４、４０４ プラズマ
１０５、２０５４０５ 多層膜楕円ミラー
１０６、２０６、４０６ ＥＵＶ光
１０７、２０７、４０７ 真空容器
１０８ カーボンブラック膜
２０８ 針状部材
１０９、２０９、４０９ 可視光カットＸ線フィルター
１９９ Ｘ線発生装置
５０ 露光チャンバ
５１ 光路折り曲げ反射鏡
５２ Ｘ線反射鏡
５３ 反射型マスク
５４ ウェハステージ
５５ マスクステージ
５６ 照明光学系
５７ 投影光学系
５９ ウェハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｇ 1/00 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｓ
// Ｇ２１Ｋ 7/00 Ｈ０５Ｇ 1/00 Ｒ
Claims (4)
- 【請求項１】 標的材料をプラズマ化し、該プラズマか
らＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空
容器と、を具備するＸ線発生装置であって、 上記真空容器の内側に、赤外からＸ線領域の電磁波に対
して吸収率が高い材料で形成された内壁が設けられてい
ることを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項２】 標的材料をプラズマ化し、該プラズマか
らＸ線を輻射させるＸ線源と、 該Ｘ線源を収容する真空容器と、 を具備するＸ線発生装置であって、 上記真空容器の内側に、針状、細線状又はブレード状の
部材を、その先端がプラズマに向くように配列されてい
ることを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項３】 標的材料をプラズマ化し、該プラズマか
らＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空
容器と、を具備するＸ線発生装置であって、上記真空容
器が、赤外から紫外域に対して透過率の高い材料で形成
されていることを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のＸ
線発生装置と、該Ｘ線発生装置から発生したＸ線をマス
クに照射させる照明光学系と、該マスクから反射した光
を感応基板上に投影結像させる投影光学系と、 を具備することを特徴とする露光装置。
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-
2003
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