JP2003518730A

JP2003518730A - 極短波放射線を発生する方法、前記放射線によって装置を製造する方法、極短波放射線源装置およびこのような放射線源装置が装備されたリソグラフィ投影装置

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Publication number: JP2003518730A
Application number: JP2001549064A
Authority: JP
Inventors: テオドルス、エイチ．ジェイ．ビショップス
Original assignee: Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1999-12-24
Filing date: 2000-12-13
Publication date: 2003-06-10
Also published as: WO2001049086A1; TW502559B; US6493423B1; EP1157596A1

Abstract

(57)【要約】媒体（３９）の流れを生成するステップと、この媒体を真空ポンプ（７５）に接続された放射線源空間（６０）を通して移送するステップと、媒体の一部を媒体の一部に集束された強力なパルス化レーザビーム（４１）で照射し、したがってＥＵＶ放射線を放射するプラズマ（４７）を形成するステップとを含むＥＵＶ放射線を発生する方法が記載されている。ＥＵＶ放射線空間の真空度を維持し、水蒸気又は初期粒子等の媒体の要素が、レーザビームそしてＥＵＶ放射線を通過させるために空間の壁に設けた開口から放出されないようにするために、媒体の流れを希ガス流で覆う。この方法およびＩＣ装置ような装置の製造およびリソグラフィ投影装置での方法の用途を実現するＥＵＶ放射線源装置も記載されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】

本発明は、媒体が真空空間を通って移送され、真空空間の媒体のある部分が毎
回パルス化され、集束された高エネルギーのレーザビームで照射され、前記媒体
の一部が極短波放射線を放射するプラズマに変換される極短波放射線を発生する
方法に関するものである。

【０００２】本発明も、この放射線によって装置を製造する方法に関するものである。さら
に、本発明は、極短波放射線源装置およびこのような放射線源装置が装備された
リソグラフィ投影装置に関するものである。

【０００３】

【従来の技術】

極短波放射線は、リソグラフィ投影装置で使用できる極端な紫外線（ＥＵＶ）
放射およびいろいろの用途のためのＸ線放射線を示すものと理解される。

【０００４】上記媒体は移動可能な媒体、例えば、定まった形状は持たず、その形状は媒体
を移送するための保持手段部又は案内手段に応じて決まるものでもよい。媒体は
、また、レーザビームの照射により部分的に崩壊するような金属などの固体媒体
でもよい。この場合、放たれた粒子が極短波放射線を放射するプラズマを形成す
る。金属媒体は、真空あるいは放射線源空間を通して移送されるテープあるいは
ワイヤであってもよい。

【０００５】リソグラフィ装置は、とりわけ、マスクにあるＩＣマスクパターンを毎回基板
の異なるＩＣ領域上に描画する集積電子回路あるいはＩＣの製造で使用される。
放射線に敏感な層で被覆されるこの基板は、多数のＩＣ領域に対する空間を提供
する。リソグラフィ装置は、例えば、液晶画像ディスプレイパネル、集積あるい
は平面光学系、電荷結合検出器（ＣＣＤ）あるいは磁気ヘッドの製造でも使用さ
れてもよい。

【０００６】ますます多数の電子部品がＩＣに収容されるべきであるので、ＩＣパターンの
ますますより小さい細部、すなわち線幅が描画されねばならない。したがって、
ますますより厳しい要求が、投影システムが一般的に最新のリソグラフィ装置に
おけるレンズシステムである装置の投影システムの描画画質および解像力に課さ
れる。なお描画できる最小細部の目安である解像力は、λ／ＮＡに比例し、ここ
で、λは描画ビームあるいは投影の波長であり、ＮＡは投影システムの開口数で
ある。解像力を増加させるために、開口数が、原則として大きくされてもよいし
、および／または波長が減少されてもよい。λ／ＮＡ^２に比例する投影システム
の焦点の深さは、あまりも小さくなり、必要とされる画像視野に対する補正はあ
まりにも困難であるために、現在既にかなり大きい開口数の増加は、実際はもは
やあまり十分可能でない。

【０００７】投影システムに課されるべき要求は軽減されてもよいし、あるいは解像力は、
ステップ・アンド・スキャンリソグラフィ装置がステップ式リソグラフィ装置の
代わりに使用される場合、これらの要求が保持されている間、解像力は増加され
てもよい。ステッピング装置では、全視野照明が使用される、すなわち全マスク
パターンが１回の実行で照明され、まとめて基板のＩＣ領域上に描画される。第
１のＩＣ領域が照明された後、次のＩＣ領域に対する工程が行われる、すなわち
基板ホルダは、次のＩＣ領域がマスクパターンの下に置かれるように移動され、
その後、基板の全ＩＣ領域はマスクパターンを装備されるまで、この領域は照明
等される。ステップ・アンド・スキャン装置では、マスクパターンの矩形あるい
は環状のセグメント状領域だけ、したがって基板ＩＣの対応するサブ領域は照明
され、マスクパターンおよび基板は、投影システムの倍率を考慮する一方同期し
て照明ビームによって移動される。次に、マスクパターンの次の領域は、毎回基
板の関連ＩＣ領域の対応するサブ領域上に描画される。全マスクパターンがこの
ようにＩＣ領域上に描画された後、基板ホルダは１つの工程を実行する、すなわ
ち、次のＩＣ領域の始めは投影ビームに導入され、マスクは、例えば、その初期
位置に設定され、その後、前記次のＩＣ領域は、マスクパターンを介して走査照
明される。

【０００８】さらに小さい細部がステップ・アンド・スキャンリソグラフィ装置で十分に描
画されるべきである場合、唯一の可能性は投影ビームの波長を減らすことにある
。最新のステップ・アンド・スキャン装置では、深い紫外線（ＤＵＶ）放射線、
すなわち約数百ナノメートルの波長、例えば、エキシマレーザからの例えば２４
８ｎｍあるいは１９３ｎｍを有する放射線が既に使用されている。他の可能性は
、数ｎｍ乃至数十ｎｍの波長を有する軟Ｘ線放射線とも呼ばれる、極端な紫外線
（ＥＵＶ）放射である。約０．１μｍの極端に小さい細部は、このような放射線
で十分描画できる。

【０００９】ＥＵＶ放射線に適する利用可能なレンズ材料は全然ないので、ミラー投影シス
テムは、これまでの従来のレンズ投影システムの代わりに、マスクパターンを基
板上に描画するために使用されねばならない。ＥＵＶ放射線源からの放射線の適
当な照明ビームを形成するために、ミラーが照明システムでも使用される。Ａｐ
ｐｌｉｅｄＯｐｔｉｃｓ，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．３４，０１−１２−９３、ｐ
ｐ.７０５０−５６の論文「軟Ｘ線リソグラフィのフロントエンド設計問題」は
、ＥＵＶ放射線が使用され、その照明システムが３つのミラーを含み、描画、あ
るいは投影システムが４つのミラーを含むリソグラフィ装置を記載している。

【００１０】ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＬａｓｅｒｐｌａｓｍｒａｄｉａｔｉ
ｏｎＩＩ、ＳＰＩＥ２５２３、１９９５、ｐｐ.８８−９３の論文「液体
粒子レーザプラズマタ−ゲットを用いた崩壊のない軟Ｘ線の発生」によれば、水
滴にレーザビームを照射することによりＥＵＶ発生が起こるとされている。ピエ
ゾ発振器により毛細管ガラス管を振動することにより個々が非常に小さい水滴の
安定した流束を得ることができる。高温で、レーザビームを各水滴に照射するこ
とにより、ＥＵＶを放射するプラズマを連続して生成することができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ＥＵＶリソグラフィ装置では、十分高い強度で基板を照明することは大きな問
題である。全ＥＵＶ装置に対するこの問題の第１の原因は、使用されるミラーが
１００％よりもかなり小さく反射している。これらのミラーの各々は、その組成
が使用される投影ビームの波長にできるだけ十分に適合される多層構造を有する
。このような多層構造の例は米国特許第５，１５３，８９８号に記載されている
。頻繁に文献に示されている多層構造は、モリブデン層と互い違いにするシリコ
ン層からなる構造である。プラズマ供給源から得られる放射線の場合、これらの
層は理論的には約７３％〜７５％の反射率を有するが、実際には反射率は現在の
ところ６５％よりも大きくない。各々が６８％の反射を有する前記７つのミラー
数が使用される場合、この供給源によって放射される放射線の６．７％だけが基
板に到達する。リソグラフィ装置の場合、これは、実際には、照明時間が基板上
で所望の放射エネルギー量を得るために比較的長くあるべきであり、走査速度が
特に走査装置に対して比較的小さいことを意味している。しかしながら、走査速
度をできるだけ高くし、照明時間は、できるだけ短くして、スループット、すな
わち単位時間毎に照明される基板数をできるだけ大きくすることはこれらの装置
にとってきわめて重要である。これは十分な強度を供給するＥＵＶ放射供給源に
よってのみ達成される。

【００１２】十分高い強度で基板を照明するということに対する問題の第１の原因は、発生
したＥＵＶ放射は少しずつしか吸収できないということである。これは、ＥＵＶ
放射が通過する対象物の通過距離とその放射が伝播する空間での圧力が所定値を
超えることができないということである。この通過距離が１ｍ程度であれば空間
の真空度は、例えば、０．１ｍｂａｒである。通過距離が長くなると、真空度も
厳しくなり、例えば、１０^−３ｍｂａｒ以上であってはならない。水滴を用いた
プラズマ源では室温での水蒸気圧は約２３ｍｂａｒであり、これは放射源の保持
手段で維持しなければならない真空度を満足しない。さらには、保持手段に設け
れたレーザビーム通過用開口を水蒸気が通過して照明システム及び投影システム
のミラーに付着して反射率を低下されるという問題がある。ＥＵＶ放射を起こさ
せるための媒体として他の液体やガス（例えばクラスタ状のキセノン）を用いて
も同様な問題が生じる。物理的な状態として、クラスタ状のキセノンは分子と固
体の中間となる。クラスタを高パワーレーザビームで放射させるとクラスタより
ＥＵＶ放射が起きる。高エネルギーのイオンを発生させると大きなダメージが生
じる。さらに、レーザビームで金属テープやワイヤを照射してＥＵＶ放射を起こ
させようとすると、粒子が放たれ、ダメージが生じそしてＥＵＶ放射を吸収して
しまう。

【００１３】本発明の目的は、ＥＵＶ放射線源の前記問題およびＸ線放射線源の同様な問題
を取り除くことができる方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】

この目的のために、この方法は、媒体が、媒体の移送方向と平行な真空中を通
過する粘性の希ガス流の中に媒体が置かれることを特徴とする。

【００１５】移動する媒体からの水蒸気、つまり、プラズマにはならない媒体の過剰部分と
、生成されたプラズマからの粒子が希ガス流によって取り込まれ、放射源の真空
ポンプに移送される。従って、真空又は放射源空間が極短波放射に対して十分ト
ランスパレントとなり、さらには、照明システムと投影システムのミラーが備え
られている装置の他の空間に媒体の上記要素が入り込むことが防止される。希ガ
スの流れは粘性流であるので、取り除くべき物質を十分大きな力で吸引する。こ
の流れは、好ましくは層流するので、希ガスの戻り流およびその中にある媒体の
要素は非常に効率的に抑制される。

【００１６】この方法は、好ましくはさらに希ガスの２つの粘性流がまだ照射されていない
媒体の一部が伝達する真空空間の一部を通過することを特徴とする。

【００１７】希ガスの２つのあるいはそれ以上の追加流を使用することによって、そのプロ
フィールが可動媒体と希ガスとの相互作用によってかき乱され得る希ガスの速度
プロフィールが回復できる。

【００１８】この方法は、好ましくはさらにヘリウムが希ガスとして使用されることを特徴
とする。

【００１９】思い描かれている目的は、希ガスの中で最も軽く、殆ど極短波放射線を吸収し
ないヘリウムで大いに実現できる。ヘリウムの代わりに、例えば、一方媒体要素
をいっそうよく放出できるが他方ヘリウムよりも多く吸収するアルゴンも使用さ
れてもよい。

【００２０】ＡｐｐｌｉｅｄＯｐｔｉｃｓ、Ｖｏｌ.３２、Ｎｏ.４、０１−１２−９３、
ｐｐ６９１０−６９３０の論文「軟Ｘ線リソグラフィのためのレーザプラズマ流
動パラメータの特性把握および制御」が金属から得られる粒子によって生じ得る
問題を取り扱っていることに注目すべきである。一方、衝突が放射線源粒子が放
射線源から離れて移動することを防止し、最少量のＥＵＶ放射線がヘリウムによ
って吸収されるような圧力で放射線源空間をヘリウムで充填することが提案され
る。この目的のために、ヘリウムは、全放射線源空間を充填しなければならない
ので、より多くのヘリウムが必要とされ、ＥＵＶ放射線の吸収の危険が本発明に
よる放射線源によるよりも大きい。この問題は、この論文では触れていないが、
液体又はガス状の媒体を用いたときに起きる。

【００２１】さらに、ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＬａｓｅｒｐｌａｓｍｒａｄ
ｉａｔｉｏｎＩＩ、ＳＰＩＥ２５２３、１９９５、ｐｐ.８８−９３の論
文「液体粒子レーザプラズマタ−ゲットを用いた崩壊のない軟Ｘ線の発生」によ
れば、エタノールや水滴によるＥＵＶ放射時に汚染されて生成される粒子の数は
、固体媒体を照射するときの粒子数の１/３となる。しかし、放射源粒子はＥＵ
Ｖ放射が行われる装置内の光学的要素には到達しうる。これを防止するのに、上
記論文では希ガスの局部的流れを用いることを推奨している。しかし、この流れ
は保護すべき光学的要素表面を通過するが、放射源空間は通過しない。ところが
、これには多量のヘリウムを必要とし吸収も大きい。

【００２２】本発明の方法の第１の実施形態は、媒体として金属を用い、レーザビームを照
射して極短波放射を行うためのプラズマを生成することを特徴とする。

【００２３】この金属媒体には、鉄、錫、カーボンなどが適する。この媒体は、好ましくは
、テープ又はワイヤ形状を有する。

【００２４】本発明の方法の第２の実施形態は、媒体として液体を用い、レーザビームを照
射して極短波放射を行うためのプラズマを生成することを特徴とする。この実施
形態では、好ましくは、液体媒体として、水滴の連続した流れを用いる。水は比
較的、清浄な媒体であり放射源に水滴を用いると効果がある。

【００２５】本発明の方法の第３の実施形態は、媒体としてクラスタ状ガスを用い、レーザ
ビームを照射して極短波放射を行うためのプラズマを生成することを特徴とする
。この実施形態では、好ましくは、ガス媒体として、キセノンを用いる。このガ
スを極短波放射源に用いると効果がある。

【００２６】本発明は、最小細部の寸法が基板上で０．２５μｍよりも小さい装置を製造す
る方法にも関連し、この方法において、この装置の異なる層は、ＥＵＶ放射線に
よって、各層ごとに最初に特定のマスクパターンを放射線に敏感な層で被覆され
る基板上に描画し、その後材料をマスク像によってマークされる領域から取り除
きあるいは材料をマスク像によってマークされる領域に加えることによって連続
工程で形成される。この方法は、ＥＵＶ放射線が前述された方法によって生成さ
れることを特徴とする。

【００２７】本発明は、さらに第１の側面で真空ポンプに接続された放射線源空間と、放射
線源空間の第２の側面に設けられ、媒体を放射線源空間内に導入する導入装置と
、パルス化高電力レーザと、媒体が通過する放射線源空間内の固体位置にレーザ
によって供給されたレーザビームを集束する光学系とを備えている極短波放射線
源装置に関するものである。この放射線源空間は第２の側面において希ガス注入
口に接続され、媒体を包み込む放射線源空間に、媒体の移動方向と平行に希ガス
の粘性流を生じさせる。

【００２８】放射線源空間がレーザビームを放射線源空間に入り、放射線源空間から出させ
、生成された極短波放射線を前記放射線源空間から出させる開口を有する壁によ
って囲まれる放射線源装置の第１の実施形態は、チューブが放射線源空間で放射
線源空間の第２の側面に配置され、媒体の移動方向に平行であり、そのチューブ
が前記注入口に接続され、希ガスの粘性流を生じさせることを特徴とする。

【００２９】この実施形態は、好ましくはさらに、第２のチューブが放射線源空間で第１の
チューブに平行に配置され、その第２のチューブが前記注入口に接続され、媒体
の移動方向に平行に希ガスの第２の粘性流を生じさせることを特徴とする。

【００３０】放射線源装置の第２の実施形態は、放射線源空間が、第１の側面の第１の閉鎖
部、第２の側面の第２の閉鎖部および外界と通じている中央部によって形成され
、第２の放射線源空間部の壁が前記希ガス注入口に接続されているチューブによ
って形成され、かつチューブの壁および第１の放射線源空間部の壁が、エジェク
タ形状を構成する放射線源空間の中央部の領域でこのような形状を有することを
特徴とする。

【００３１】エジェクタ形状あるいはジェットポンプ形状によって引き起こされた追加吸引
のために、希ガスが装置内にリークし、光学部品を収容する装置空間内圧が上昇
することが防止される。

【００３２】放射線源装置の第３の実施形態は、放射線源空間が、第１の側面の第１の閉鎖
部、第２の側面の第２の閉鎖部および外界と通じている中央部によって形成され
、第２の放射線源空間部の壁が前記希ガス入口に接続されている環状チューブに
よって形成され、かつチューブの壁および第１の放射線源空間部の壁が、エジェ
クタ形状を構成する放射線源空間の中央部の領域でこのような形状を有すること
を特徴とする。

【００３３】第２の実施形態と比較すると、この実施形態は、このポンプの満足な動作が保
証されるようにジェットポンプの一部であるチューブが狭く、レーザビームの焦
点と媒体が通過する位置との若干の距離を形成する可能性も生じるという長所を
有する。媒体が液体粒子又はガスのクラスタである場合特に、液体粒子又はガス
のクラスタがレーザビームによって当てられない危険はより小さい。したがって
、この液体粒子又はガスのクラスタのレーザエネルギーの密度は制限されたまま
であるので、プラズマからはじかれた高エネルギーのイオンやラジカルの数も制
限されたままであってもよい。

【００３４】請求項１５乃至２１に規定されているように、上記放射源装置において、ガス
又は液体を移動可能なプラズマ生成媒体として用いてもよい。

【００３５】最後に、本発明は、放射線に敏感な層で装備された基板上にマスクパターンを
描画するリソグラフィ投影装置に関し、この装置は、マスクパターンを照明する
照明システムと、照明されたマスクパターンを基板上に描画する投影システムと
を備え、照明システムがＥＵＶ放射線源を含み、一方照明システムの光学部品お
よび投影システムの光学部品が真空空間にある。この装置は、ＥＵＶ放射線源が
前述されたようなＥＵＶ放射線源であることを特徴とする。

【００３６】本発明のこれらの態様および他の態様は、後述される実施形態から明らかであ
り、この後述される実施形態を参照して明らかにされる。

【００３７】

【発明の実施の形態】

図１は、本発明によるＥＵＶ放射線源が使用されてもよく、本発明による方法
が実行されてもよいステップ・アンド・スキャンリソグラフィ投影装置１の実施
形態を概略で示している。この装置は、マスクＭＡを照明する照明システムと、
マスクにあるマスクパターンを基板Ｗ、例えばＥＵＶ放射線に敏感なフォトレジ
ストＷＲが装備されている半導体基板上に描画するミラー投影システムとを含む
。図１の左側部分に示された照明システム１０は、マスクＭＡの領域にシステム
によって供給された照明ビームＩＢが環状セグメントあるいは矩形の形の断面を
有し、均一の強度を有するように公知の方法で設計されている。この照明システ
ムは、３つのミラーがモリブデン層を互い違いにする多層構造、例えばシリコン
層を有するために、例えば約１３ｎｍの波長でＥＵＶ放射線を最大に反射する、
例えば、３つのミラー１１、１２および１３を含む。マスクＭＡは、マスクテー
ブルＭＴの一部を形成するマスクホルダＭＨに配置される。このテーブルによっ
て、このマスクは、マスクパターンの全領域が照明ビームＩＢによって形成され
た照明スポットの下に導入できるように走査方向ＳＤに、図の平面に垂直な第２
の方向に移動できる。マスクテーブルおよびマスクホルダは、概略だけで示され
、異なる方法で構成されてもよい。照明される基板Ｗは、ステージとも呼ばれる
基板テーブルＷＴによって支持される基板ホルダＷＨに配置されている。このテ
ーブルは、基板を走査方向ＳＤに移動させることができるが、図の平面に垂直な
方向にも移動させることができる。基板テーブルは、例えば、テーブルベアリン
グＳＴによって支持される。ステップ・アンド・スキャン装置の他の細部に関し
ては、例としてＰＣＴ特許出願第ＷＯ９７／３３２０４号（ＰＨＱ９６００４）
に関する参照が行われる。

【００３８】例えば、４ｘの縮小でマスクパターンを基板上に描画することによって、例え
ば、４つのミラー２１、２２、２３および２４を含むミラー投影システム２０は
、マスクと基板との間に配置される。簡単にするために、このミラーは平面鏡と
して示されているが、実際は照明システム１０のミラーと同様にこれらのミラー
は、凹面鏡および凸面鏡であり、ミラー投影システム２０は、所望の鮮明な像が
例えば４ｘの縮小で実現されるように設計される。ミラー投影システムの設計は
本特許出願の一部を形成していない。照明システムのミラーと同様に、各ミラー
２１、２２、２３および２４には、第２の屈折率を有する第２の層を互い違いに
する第１の屈折率を有する第１の層の多層構造が装備されている。

【００３９】４つのミラーの代わりに、ミラー投影システムは、その代わりに例えば、３つ
、５つあるいは６つの異なる数のミラーを含んでもよい。通常、像の精度は、ミ
ラーの数が大きくなるにつれて大きくなるが、放射線損失も多くなる。したがっ
て、基板上の画質と放射線強度との間で妥協点を見つけなければならなく、その
強度は基板を照射し、この装置を通過する速度も決定する。リソグラフィ装置の
ための４つ、５つあるいは６つのミラーを有するミラー投影システムは、それ自
体は公知である。例えば、６つのミラーシステムはＥＰ−Ａ０７７９５２８号に
示されている。

【００４０】ＥＵＶ放射線は大気で吸収されるので、この放射線が伝搬する空間は非常に真
空度の高い空間でなければならない。ほんの少しだけに、放射線源からマスク間
において照明システムは、またマスクから基板間において投影システムは、図１
の枠１６によって示される真空空間に配置されねばならない。同じ枠で示される
空間に収容される代わりに、照明システムおよび投影システムは代わりに別の空
間に収容されてもよい。

【００４１】マスクＭＡおよび基板Ｗは、図２に示されるように互いに対向する代わりに図
２に示されるように並置されてもよい。この図では、図１の構成要素に対応する
構成要素は、同じ参照番号又は記号を有する。照明システムの個々のミラーは、
図２に示していないが、照明ビームが所望の形状および均一強度となるような照
明システムを示すブロック１０の一部を形成する。図２は、マスクパターンＣを
有するマスクの平面図および基板フィールドを有する基板Ｗの平面図である。マ
スクパターンＣの像は各フィールド上に形成される。マスクおよび基板は、それ
ぞれ２つあるいはそれ以上の整列マークＭ１およびＭ２、およびＰ１およびＰ２
を含み、この整列マークＭ１およびＭ２、およびＰ１およびＰ２の各々は、マス
クパターンが投影される前に基板に対してあるいは各基板フィールドに対して別
々にマスクパターンを整列させるために使用される。マークおよび基板の移動を
検知するために、リソグラフィ投影装置は、非常に精度の高い測定システムであ
る干渉計システムＩＦ１およびＩＦ２であるとよい。

【００４２】図１および図２の参照番号２に示されたブロックは、ＥＵＶ照射が、水滴又は
キセノンを高強度レーザビームで照射することによって発生されるＥＵＶ放射線
源装置を含む。図３は、このような放射線源装置の実施形態の断面を示す。この
装置は、例えば水タンク３２の水注入口に一端が接続され、他端が真空空間３３
に突き出ている毛細管チューブ３１を含む。矢印３５に示されるように、高圧下
で水がこのチューブを介して真空空間に移送される。この空間３３は、ターボポ
ンプ、例えば、空間３３を１０^−４ｍｂａｒまで真空にする、例えば１０００ｄ
ｍ^３／ｓｅｃの出力を有するポンプ３４に接続される。毛細管チューブ３１は例
えばピエゾ・ドライバ３７により振動する。ある振動周波数例えば０．３ＭＨｚ
で、個々の水滴３９の連続した流れを供給する。この水滴の生成は、各種のイン
クジェット・プリンタでインク溶滴を生成するのと原理的には同様である。ピエ
ゾ・パルスのみならず、かねる加熱パルス又は超音波手段によっても水滴を生成
することができる。例えば、５．４ｍｌ/ｈｏｕｒの水流では水滴の直径は２０
μｍ程度となる。

【００４３】放射線源装置は、例えば、１０Ｈｚの周波数、および例えば８ｎｓのパルス持
続時間、ならびに０．４５ジュールのエネルギー容量のレーザパルスを供給する
高出力レーザ４０、例えばＮｄ−ＹＡＧレーザをさらに含む。レーザ放射線の光
学的周波数は、約５３０ｎｍの波長を有するレーザ放射線が得られるように公知
の方法により２倍にしてもよい。エキシマレーザ、例えば２４８ｎｍの波長で放
射するＫｒ−Ｆレーザを、代わりにレーザ源として使用してもよい。レーザ４０
によって放射されるビーム４１は、窓４３を通って放射線源空間３４の壁の中に
入る。このビームは、単一レンズ要素によって示されたレンズ系４２によって、
水滴が通過するチューブ３１の中心線に沿う平面の位置４６の放射スポット４５
に集束される。真空空間３３の壁内の第２の窓後方に吸収手段５５が設けられ、
空間３３から励起したレーザビームが、放射源装置がその一部を成す装置内に進
入することを防止する。ビーム４２は、瞬時に位置４６にある水滴に毎回ほぼ集
束される。放射スポット４５は、水滴が完全に放出されるように例えば３０μｍ
の直径を有する。ドライバ３７は遅延要素を含む電子回路４８を介してレーザド
ライバと同期する。これにより、水滴が位置４６に到達した瞬間にレーザパルス
が発生するようになる。水滴に印加されたレーザエネルギにより、酸素イオンを
含むプラズマ４７がこの水滴の場所で発生する。水滴の場所でのレーザビームの
エネルギが例えば１０^２１Ｗ/ｍ^３程度の非常の高いエネルギ密度を有するので
、プラズマは約３０ｅＶのエネルギーに対応する温度に達する。このような高温
では、酸素Ｏの主たるイオン化状態はＶＩである。そのとき、ＥＵＶ放射線は、
１１．６ｎｍから１３ｎｍの範囲の波長で発生される。ＥＵＶ放射線が形成され
る方法および条件についての詳細は、ＨｅａｔａｎｄＭａｓｓＴｒａｎｓ
ｆｅｒｕｎｄｅｒＰｌａｓｍａｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓに関する２回目のシン
ポジウムで提出された論文「レーザによる酸素プラズマの生成」に記載されてい
る。

【００４４】発生したＥＵＶ放射を集束し、所定方向に向けさせる一つないしはそれ以上の
ミラー４９が空間３３内に設けられる。なお、このミラーは空間３３外に設けて
もＥＵＶ放射を集束し、所定方向に向けさせることができる。プラズマにより全
方向に放射されるＥＵＶ放射量の割合に応じてミラー数が決まる。

【００４５】ＥＵＶ放射プロセスにおいてはすべての水滴がプラズマに変換されるわけでは
ない。放射線源空間において水滴から水蒸気が発せられる。室温における水蒸気
圧は約２３ｍｂａｒであるので、発生したＥＵＶが自由に放射できる真空条件と
の関係から、水蒸気と変換されなかった水滴は放射源空間３３から取り除かねば
ならない。上記論文に記載されているように、細管５１を介して過剰な水滴を第
２の真空空間５０に導入することができる。例えば、７０ｄｍ^３/ｓｅｃ．のパ
ワーの真空ポンプ５３により空間５０は例えば０．５ｍｂａｒ程度の比較的低真
空度に保たれる。このように、異なったポンプ即ち二つの連通した空間でのそれ
ぞれでのポンピングにより、２ｘ１０^−４ｍｂａｒ程度の真空度が放射源空間３
３内に保たれる。さらに、これらのポンプは、残留水滴を水蒸気として排出でき
るものが選ばれる。このようにして、放射源は一定の圧力レベルで動作すること
ができる。

【００４６】この圧力レベルは、チューブから空間５０へ移動する水滴の水蒸気圧に応じて
決まる。しかし、この水蒸気圧は室温で２３ｍｂａｒであり、さらなる手段なし
に、依然として多くの水粒子が空間３３内に存在し、プラズマ４７からのＥＵＶ
放射がこの空間内に吸収されてその放射強度が低下する。

【００４７】真空空間３３の壁にはさらに少なくとも一つの開口が設けられ、この開口を介
してＥＵＶ放射が空間３３から放出されて、図３に示す照明装置１０，１２，１
４のミラーが存在する空間に入り込む。この開口は図３に示す窓４３の位置に設
けられることがある。この開口により、前述の論文「レーザによる酸素プラズマ
の生成」では議論されていない問題即ちこの開口から出た水が照明装置並びに投
影装置のミラー上に落ちて反射率を低下させる場合がある。

【００４８】このミラーの反射率の低下は、リソグラフィ投影装置で重要な問題であり、そ
れによってあまり放射線はマスク、特に基板に到達できなく、このような装置の
重要な性能パラメータ、すなわち基板が照明できる速度に直接影響を及ぼす。

【００４９】この問題は、本発明の放射源装置を用いることにより除去あるいは少なくとも
十分減少できる。図４は、この放射源装置の実施形態の断面図を示している。こ
の図では、図３の要素に対応する要素は同一参照番号によって示される。さらに
、本発明にとって重要でない放射線源装置の構成要素は、この図および次の図に
もはや示されていない。図４では、参照番号６１は、例えばシリンダの形状を有
し、水流３５がチューブ３１を介して導入され、水滴（図示しない）が移動する
放射線源空間６０の壁を示している。この壁は、例えば２．５ｍｍの直径を有し
、それを介してパルス化レーザビーム４１がこの空間６０に入る（６３）又はこ
の空間から出る（６４）ことができる、例えば狭い開口６３、６４が装備されて
いる。発生されたＥＵＶ放射線は、この開口あるいは他の開口（図示せず）を介
して放射線源空間６０を離れ、空間６５に入り得る。概略で示されているだけで
あり、例えば、１０^−４ｍｂａｒの高真空の図３の参照番号３５によって示され
た真空ポンプによって保持されるこの空間では、ＥＵＶ放射線は、照明システム
のミラーを介してマスクの方へ案内される。この空間６５は、ヘリウムのような
希ガスあるいは例えば１０^−１ｍｂａｒの低圧の水素で充填してもよい。

【００５０】本発明によれば、水滴の流れのみならず、希ガス、例えばヘリウムの流れ７７
、７８は、ヘリウムの流れがチューブ６０から出る水滴の移動方向に平行である
ように放射線源空間６０へ導入される。この目的のために、放射線源空間は、例
えば、タンク７３であるヘリウム供給口と通じているチューブ７０を有する。こ
のチューブは、例えば５ｍｍの直径を有する。放射線源に接続された真空ポンプ
７５は、ヘリウムの連続流が保持され、放射線源空間のヘリウム圧力が例えば、
１０^−１ｍｂａｒを超えないことを保証する。この低ヘリウム圧力では発生され
たＥＵＶ放射線が吸収されない。この水滴は、チューブそして十分な吸引力を有
する粘性のヘリウムの流れの中にさらされる。結果として、水滴からの水蒸気は
、ヘリウム円柱内に囲まれ、ヘリウムの流れによって案内され、真空ポンプ７５
へ移送される。これは、プラズマには変換されなかった水滴も同様である。チュ
ーブ７０は、その中にあるヘリウムガスおよびヘリウム粒子が逆流できないよう
にヘリウム流が層流であることを保証する。

【００５１】水滴とヘリウム流との相互作用のために、ヘリウム流の所望のフロープロフィ
ールが乱されることがある。これを防止するために、ヘリウムタンク７３に接続
された第２のチューブ７１が放射線源空間６０に配置されてるので、第２のヘリ
ウム流７８は、第１の流れ７７と同軸方向へ生じさせられる。フロープロフィー
ルは第２の流れにより再び回復される。

【００５２】ヘリウムの代わりに、他の希ガスにより、水蒸気および過剰の小さな水滴を放
射線源空間から排出してもよい。他のガスの例としては、ヘリウムよりもさらに
よい吸引力を有するようにヘリウムの分子よりも大きい分子を有するアルゴンが
ある。しかしながら、アルゴンは、ヘリウムよりも多くのＥＵＶ放射線を吸収す
る。ガスの選択においては、最小吸収力と最大吸引力との間で妥協点を見つけな
ければならない。

【００５３】チューブ７０，７１の直径とポンプのスピードを正しく選択することにより、
開口６３，６４を介して空間６５へリークする希ガス量を十分少なくして、空間
内のヘリウム圧を０.１ｍｂａｒ程度に保持することができる。

【００５４】図５は、希ガス流が使用される放射線源装置の第２の実施形態の一部の断面図
である。この実施形態は、とりわけ、放射線源空間６０がより小さい直径、例え
ば５ｍｍを有し、３つの部分からなる点において図９の実施形態とは異なる。壁
８１は下部を囲む。上部は、希ガスの供給のためのテープ３３を囲むチューブ８
８の壁８２によって囲まれる。レーザビーム４１の放射線経路の領域の放射線源
空間の中央部８５は外界と通じている。この中央部の領域で、壁８１および８２
は、わずかに外側に曲げられるので、いわゆるエジェクタ形状が得られる。真空
ポンプ７５および放射線源空間の中央部の領域のこのポンプの特定の壁形状の組
合せは、いわゆるエジェクタポンプあるいはジェットポンプとして作動する。こ
のようなポンプは、この外界に存在しうる媒体も吸収し、この媒体を取り除くた
めに、ヘリウムあるいは他の粒子が放射線源空間の外界に漏洩することを防止す
る。放射線源空間６０の開放中央部８５は、集束レーザビーム４１が制約されず
に放射線源空間に入ることができるような高さを有することが必要となるだけで
ある。

【００５５】ヘリウムガスあるいは他の希ガスが、テープ３３と壁８２との間のヘリウム注
入口７３から供給される。このヘリウムガスは、層流として真空ポンプ７５によ
って下方へ吸引され、水蒸気及び水滴を案内する。放射線源空間のジェットポン
プ形状のために、高真空空間６５への水蒸気の拡散およびヘリウムガスの損失が
防止され、これは図４の実施形態の場合よりも強い程度まで防止される。このよ
うに、この空間６５のヘリウムガス圧力はさらに減少される。

【００５６】ジェットポンプとして作動することができるために、放射線源空間６０の直線
部は、小さい直径、例えば５ｍｍでなければならない。したがって、レーザビー
ムは、水滴が通過する位置にほぼ集束されねばならない。そのとき、レーザビー
ムが前記位置からある距離に集束されるので、このビームはこの位置でより大き
い直径を有する場合と比較して、ビーム放射線がこの所望の水滴に当たらないと
いう可能性が大きい。さらに、前記位置にレーザビームを集束する場合、レーザ
放射線はこの位置で大きなエネルギー密度を有する。

【００５７】水滴に照射してプラズマを生成するとき、高エネルギーのイオンとラジカル等
の粒子が放出される可能性がある。この場合、これらの粒子数はレーザエネルギ
密度が高まるとともに多くなる。これらの粒子は高真空空間６５に入り、照明装
置並びに投影装置のミラーに到達して、ミラーのコーティングに当たり反射率を
低下させる。

【００５８】このような問題は、図６に示された実施形態によって軽減される。この実施形
態もジェットポンプも含む。しかしながら、注入口チューブ９０は環状断面を有
し、リングの幅、例えば１ｍｍは、例えば１０ｍｍであるリングの内径よりもか
なり小さい。壁部９２および壁８１の上部はさらにエジェクタ形状を構成する。
チューブ９０を通して供給されるカーテン状のガスにより、水滴からの水蒸気と
プラズマには変換されない水滴さらにはプラズマからの高エネルギイオン及びラ
ジカルが取り込まれ、ポンプ７５へ排出される。ジェットポンプ形状は、カーテ
ン状のガスが高速度で下方へ移動し、希ガスが高真空空間６５に漏洩することを
防止する。ジェットチューブは環状断面を有するので、放射線源空間６０は、水
滴が通過しても蒸発しないように指定所定位置からある距離にレーザビームが集
束できるように比較的大きい直径を有してもよい。さらに、水滴内へのレーザ照
射エネルギ密度は図５に示す実施形態ではかなり小さく、従って、プラズマより
放たれた高エネギのイオンやラジカル数も少ない。したがって、図６の実施形態
は、図５の実施形態の長所と図４の実施形態の長所とを持ち合わせる。

【００５９】ジェットポンプについての理論的な背景および詳細に関しては、Ｊｏｕｒｎａ
ｌｏｆｔｈｅＣｈｉｎｅｓｅＳｏｃｉｅｔｙｏｆＭｅｃｈａｎｉｃ
ａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｓ，Ｖｏｌ．１８，Ｎｏ．２ｐｐ．１１１３−１
２５、１９９７の論文「環状ジェット拡散器エジェクタの出口フロー特性」に記
載されている。

【００６０】水滴を本発明の実施形態においてプラズマ生成用媒体に用いたが、本発明はこ
れに限定されるものではない。Ｒｅｖ.、Ｓｃｉ.Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ６６
（１０）、Ｏｃｔｏｂｅｒ１９９５、ｐｐ４９１６−４９２０の論文「溶滴タ
ーゲット・レーザ・プラズマ軟Ｘ線における崩壊物除去」に開示されているよう
に、ＥＵＶ放射プラズマ生成用媒体としてエタノール溶滴を用いることができる
。

【００６１】水滴のときに生じるのと同様な問題が生じるが、それは本発明により解決される
。

【００６２】水とエタノールだけが高パワーパルスレーザを照射した場合に、ＥＵＶ放射プ
ラズマを生成することができる液体媒体の例である。通常、この発明は、液体媒
体から高パワーパルスレーザによりＥＵＶ放射プラズマを生成し、媒体が放射源
内圧を上昇させ、生成されたプラズマが、高真空空間を通過する汚染粒子をはじ
き出し、この空間内にあるミラーの反射率を低下させる問題を抱えるすべてのＥ
ＵＶ放射源に用いることができる。

【００６３】液体媒体に代えてガス状媒体をＥＵＶ放射源に用いることができる。ここ数年
、十分なＥＵＶ放射がなされるプラズマ生成のための高レーザとキセノン・クラ
スタの相互反応についての理論が確立されており、また、実験も色々行われてき
た。最近では、高電界、極短波源の応用ＶＩＩＩについてのＯＳＡ会議でも報告
がなされている。しかし、キセノンガスはＥＵＶ放射を吸収しすぎるので、さら
なる手段なしには、キセノンプラズマ源からのＥＵＶ放射は、プロジェクション
・リソグラヒフィを行うには小さすぎる。本発明のように、ヘリウム等の希ガス
流又は希ガスカーテンでキセノンガスを包み込んで引き抜くことによりＥＵＶ放
射の吸収を十分に少なくすることができる。図４，５，６に示す実施形態では、
キセノン・クラスタが、振動しないチューブ（図ではチューブ３１）を介して供
給される。

【００６４】物理敵状態としては、キセノン・クラスタは分子と固体の中間となる。このよ
うなクラスタは、例えば、２ｍｍ径の開口を有するパルス制御バルブにより放射
源空間に導入することができる。もし、この空間内のこのクラスタを例えば０．
３５ｐ/ｓｅｃ、２０ｍＪｏｕｌｅの短波Ｋｒ−Ｆエキシマレーザパルスで励起
するとクラスタのイオン化が生じて１１ｎｍ程度の波長のＥＵＶ放射が行われる
。本発明とその各実施形態により、ＥＵＶ放射の吸収が防止され、高エネルギの
イオンを取り出すことができる。

【００６５】本発明はさらに、金属のテープ又はワイヤを媒体とするＥＵＶ放射源にも適用
できる。金属媒体を用いた場合は、プラズマを得るためにレーザを媒体に照射す
ると金属が部分的に崩壊し金属粒子が放出される。これらの粒子がＥＵＶ放射源
空間外に飛び出すと、放射源装置と組み合わさる装置の光学的要素にダメージを
与えることとなる。しかし、このような問題は本発明により解決される。

【００６６】ＥＵＶ放射線源は、リソグラフィ投影装置でばかりでなく、非常に高い解像力
を有するＥＵＶ顕微鏡でも使用されてもよい。このような顕微鏡のＥＵＶ放射線
の放射線経路は高真空になければならない。この真空状態が放射線源や光学部品
により侵されることを防止するために、本発明および本発明のいろいろの示され
た実施形態がそれらの顕著な長所のために使用される。

【００６７】ＥＵＶ放射線の波長は約１ｎｍあるいはそれよりも小さい波長を有する実際の
Ｘ線放射線の波長に近いために、ＥＵＶ放射線は軟Ｘ線放射線としても公知であ
ることは前述に示されている。前述された放射線源で発生された放射線の波長は
、特に使用される媒体によって決まる。Ｘ線放射線を発生するために、ＥＵＶ放
射線を発生するときに生じる問題と同様な問題を抱える放射線源を用いることは
可能である。このために、本発明は、Ｘ線放射線源に用いても顕著な長所を有す
る。さらに、本発明は、Ｘ線顕微鏡あるいはＸ線解析装置のような放射線源およ
び装置に関するものであるので、クレームで使用される用語である極短波放射線
はＥＵＶ放射線およびＸ線放射線と解釈される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による放射線源が使用されてもよいステップ・アンド・スキャンリソグ
ラフィ投影システムの第１の実施形態を示す。

【図２】このような装置の第２の実施形態を示している。

【図３】従来のＥＵＶ放射線源の断面である。

【図４】本発明による放射線源装置の第１の実施形態の断面である。

【図５】本発明による放射線源装置の第２の実施形態の断面である。

【図６】本発明による放射線源装置の第３の実施形態の断面である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｓ (72)発明者テオドルス、エイチ．ジェイ．ビショップスオランダ国5656、アーアー、アインドーフェン、プロフ．ホルストラーン、６Ｆターム(参考） 2H097 AA02 BA10 CA15 LA10 LA20 4C092 AA06 AA14 AA15 AA17 AB21 AC09 5F046 BA03 GC03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】極短波放射線を発生する方法であって、媒体を、真空空間を移送し、かつ毎回
前記真空空間の前記媒体の一部分を、パルス状の集束された高エネルギー・レー
ザビームで照射して、前記媒体の一部を、極短波放射線を放射するプラズマに変
換する方法であって、前記媒体の移送方向に平行に、前記真空空間を移送される
少なくとも希ガスの粘性流で前記媒体を包み込むことを特徴とする方法。
【請求項２】未だレーザビームにより照射されていない前記媒体の一部が移送される前記空
間の一部を少なくとも希ガスの二つの粘性流を通過させることを特徴とする請求
項１記載の方法。
【請求項３】希ガスとしてヘリウムガスを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の
方法。
【請求項４】媒体として金属を用い、レーザビームの照射により極短波放射線を発生するプ
ラズマを生成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】媒体として個々が液体の溶滴である連続的な流れを用い、レーザビームの照射
により極短波放射線を発生するプラズマを生成することを特徴とする請求項１乃
至３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】液体の溶滴として水滴を用いることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】媒体としてクラスタ状ガスを用い、レーザビームの照射により極短波放射線を
発生するプラズマを生成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載
の方法。
【請求項８】前記ガスはキセノンであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】装置を製造する方法であって、最小細部の寸法が基板上で、０．２５μｍより
も小さく、前記装置の異なる層が、各層に対してＥＵＶ放射線によって、放射線
に敏感な層によって被覆される基板上に最初に特定のマスクパターンを描画し、
かつその後、材料を前記マスク像によってマークされた領域から取り除くかある
いは材料を前記マスク像によってマークされた領域に加えることによって連続工
程で、前記ＥＵＶ放射線が、請求項１乃至８のいずれかに記載の方法によって発
生されることを特徴とする装置を製造する方法。
【請求項１０】極短波放射線源装置であって、第１の側面で真空ポンプに接続された放射線源空間と、前記空間の第２の側面に設けられ、前記媒体を前記放射線空間に導入する導入
装置と、パルス化高電力レーザと、前記レーザによって供給された前記レーザビームを前記移動媒体が通過する前
記放射線空間内の固定位置に集束する光学系とを備え、前記放射線空間が前記第
２の側面において希ガス注入口に接続され、前記媒体を包む前記放射線空間内に
前記媒体の移動に平行な希ガスの粘性流を形成することを特徴とする極短波放射
線源装置。
【請求項１１】前記放射線源空間が、前記レーザビームを前記放射線空間の中に入れ、かつ前
記放射線空間から出させ、かつ発生された極短波放射線を前記放射線源空間から
出させる開口を有する壁によって閉じ込められ、チューブが、前記放射線源空間
の前記第２の側面上の前記放射線源空間で、かつ前記媒体の移動の方向に平行で
、そして前記希ガスの前記粘性流を生じさせる前記注入口に接続されることを特
徴とする請求項１０記載の極短波放射線源装置。
【請求項１２】第２のチューブが、前記放射線源空間で前記第１のチューブに平行に配置され
、そして前記注入口に接続され、前記媒体の移動の方向に平行な希ガスの第２の
粘性流を生じさせることを特徴とする請求項１１記載の極短波放射線源装置。
【請求項１３】前記放射線源空間が、前記第１の側面上の第１の閉鎖部、前記第２の側面上の
第２の閉鎖部および外界に通じている中央部によって形成され、前記第２の放射
線源空間部の前記壁が、前記希ガス注入口に接続されるチューブによって形成さ
れ、かつ前記チューブの壁および前記第１の放射線源空間部の壁が、前記放射線
源空間の前記中央部の領域でエジェクタ形状を有することを特徴とする請求項１
０記載の極短波放射線源装置。
【請求項１４】前記放射線源空間が、前記第１の側面上の第１の閉鎖部、前記第２の側面上の
第２の閉鎖部および外界に通じている中央部によって形成され、前記第２の放射
線源空間部の前記壁が、前記希ガス入口に接続される環状チューブによって形成
され、かつ前記チューブの壁および前記第１の放射線源空間部の壁が、前記放射
線源空間の前記中央部の領域で環状エジェクタ形状を有することを特徴とする請
求項１０記載の極短波放射線源装置。
【請求項１５】前記導入装置が金属テープ又はワイヤを前記放射線源空間を移送させることを
特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載の極短波放射線源装置。
【請求項１６】前記導入装置が、移動媒体を前記放射線源空間を移送させるチューブを備えて
いることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載の極短波放射線源装
置。
【請求項１７】前記移動媒体は液体溶滴により形成されることを特徴とする請求項１６に記載
の極短波放射線源装置。
【請求項１８】前記液体溶滴は水滴であることを特徴とする請求項１７に記載の極短波放射線
源装置。
【請求項１９】前記液体溶滴はクラスタ状ガスにより形成されることを特徴とする請求項１６
に記載の極短波放射線源装置。
【請求項２０】前記ガスはキセノンであることを特徴とする請求項１９に記載の極短波放射線
源装置。
【請求項２１】前記導入装置は、前記チューブが前記移動媒体を振動させる手段を備えている
ことを特徴とする請求項１６乃至２０のいずれかに記載の極短波放射線源装置。
【請求項２２】放射線に敏感な層が設けれている基板上にマスクパターンを描画するリソグラ
フィ投影装置であって、前記マスクパターンを照明する照明システムと、照明マ
スクパターンを前記基板上に描画する投影システムとを備え、前記照明システム
が、ＥＵＶ放射線源を含むと同時に前記照明システムの光学部品および前記投影
システムの光学部品が真空空間にあり、前記ＥＵＶ放射線源が、請求項１０乃至
２１のいずれかに記載の放射線源装置であることを特徴とするリソグラフィ投影
装置。