JP2023083302A - 極端紫外線光源のチャンバ内の光学系の表面の洗浄 - Google Patents

Abstract

【課題】極端紫外線光源のチャンバ内の光学系の表面を洗浄するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】極端紫外線（ＥＵＶ）光源（１００）のチャンバ（１２５）内の光学系（１１５）の表面を洗浄する方法が記載される。チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持されている。方法は、光表面（１１０）に隣接したチャンバ内の位置においてプラズマ状態の材料を発生させることを含む。発生させることは、真空チャンバ内で光表面に隣接してすでに存在しているネイティブ材料（１３５）を第１の状態からプラズマ状態（１３０）に変換することを含む。材料のプラズマ状態は材料のフリーラジカルを含む。プラズマ状態の材料を発生させるため、プラズマ状態の材料を光表面全体へ移動させて、ＥＵＶ光源から光学系を取り出すことなく光表面からのデブリ（１０７）の除去を可能とする。
【選択図】図１

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１７年１１月２日に出願されたＵＳ出願第６２／５８０，８２７号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。

[0002] 開示される主題は、極端紫外線光源のチャンバ内の光学系の表面を洗浄するためのシステム及び方法に関する。

[0003] 例えば、約５０ｎｍ以下の波長を有し（時として軟ｘ線とも称される）、約１３ｎｍの波長の光を含む電磁放射のような極端紫外線（ＥＵＶ）光は、フォトリソグラフィプロセスで使用して、例えばシリコンウェーハのような基板に極めて小さいフィーチャを生成することができる。

[0004] ＥＵＶ光を生成する方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲に輝線を持つ元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」：laser produced plasma）と呼ばれる１つのそのような方法では、例えば材料の小滴、プレート、テープ、流れ、又はクラスタの形態であるターゲット材料を、増幅光ビームで照射することにより、必要なプラズマを生成できる。このプロセスのため、プラズマは通常、例えば真空チャンバのような密閉容器内で生成され、様々なタイプのメトロロジ機器を用いて監視される。

[0005] いくつかの全体的な態様において、極端紫外線（ＥＵＶ）光源のチャンバ内の光学系の表面を洗浄する方法が用いられる。チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持されている。この方法は、光表面に隣接したチャンバ内の位置においてプラズマ状態の材料を発生させることを含む。発生させることは、真空チャンバ内で光表面に隣接してすでに存在しているネイティブ材料（native material）を第１の状態からプラズマ状態に変換することを含む。材料のプラズマ状態は材料のフリーラジカルを含む。プラズマ状態の材料を発生させるため、少なくとも、プラズマ状態の材料を光表面全体へ移動させて、ＥＵＶ光源から光学系を取り出すことなく光表面からのデブリの除去を可能とする。

[0006] 実施は以下の特徴（feature）のうち１つ以上を含み得る。例えば、プラズマ状態の材料は、チャンバ内の光表面に隣接した位置で電流を電磁誘導することによって発生できる。チャンバ内の光表面に隣接した位置の電流は、チャンバ内の光学系の近傍で時変磁界を生成することによって誘導できる。チャンバ内の時変磁界は、光表面の外周の外側に配置されている導電体に時変電流を流すことによって生成できる。

[0007] プラズマ状態の材料は、酸素の存在なしで、光表面全体へ移動して光表面からデブリを除去することが可能である。

[0008] プラズマ状態の材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含み得る。

[0009] 材料のフリーラジカルを光表面上のデブリと化学的に反応させて、光表面から解放される化学物質を形成することによって、デブリを除去できる。また、方法は、ＥＵＶチャンバから解放された化学物質を除去することも含み得る。光表面から解放される化学物質が水素化スズを含むように、フリーラジカルは水素のフリーラジカルであると共に光表面上のデブリはスズを含み得る。

[00010] 光表面全体にわたって少なくとも１ナノメートル／分の速度で光表面からデブリをエッチングすることによって、デブリを除去できる。

[00011] 他の全体的な態様において、システムは、極端紫外線（ＥＵＶ）光源及び洗浄装置を含む。ＥＵＶ光源は、大気圧よりも低い圧力に保持されたＥＵＶチャンバと、真空チャンバ内の相互作用領域の方へターゲットを誘導するターゲットデリバリシステムであって、相互作用領域は増幅光ビームを受光し、ターゲットは、プラズマに変換された場合に極端紫外線光を放出する物質を含む、ターゲットデリバリシステムと、放出された極端紫外線光の少なくとも一部と相互作用する表面を含む光コレクタと、を含む。洗浄装置は、光コレクタ表面に隣接し、ＥＵＶチャンバからコレクタを取り出すことなく光コレクタ表面からデブリを除去するよう構成されている。洗浄装置は、光コレクタ表面に隣接したＥＵＶチャンバ内のプラズマジェネレータを含む。プラズマジェネレータは、ＥＵＶチャンバ内で光コレクタ表面に隣接して第１の状態ですでに存在しているネイティブ材料から、光コレクタ表面に隣接した位置でプラズマ状態のプラズマ材料を発生させる。プラズマ材料は、光コレクタ表面上のデブリと化学的に反応するフリーラジカルを含む。

[00012] 実施は以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。例えば、光コレクタの表面は反射面であり、光コレクタ表面と放出された極端紫外線光との相互作用は、光コレクタ表面からの放出された極端紫外線光の反射を含み得る。

[00013] プラズマジェネレータは、光コレクタ表面に隣接して配置された導電体を含むことができる。導電体は電源に接続されている。電源は、導電体を介して時変電流を供給することによって、光コレクタ表面に隣接した時変磁界を生成すると共に、光コレクタ表面に隣接した位置で電流を誘導する。誘導された電流は、ＥＵＶチャンバ内に第１の状態ですでに存在するネイティブ材料から光コレクタ表面に隣接した位置でプラズマ状態の材料を発生させるのに充分な大きさとすることができる。導電体は、光コレクタ表面の形状と一致する形状とすることができる。プラズマジェネレータは、導電体を少なくとも部分的に包囲する誘電材料を含み得る。誘電材料は、導電体の少なくとも一部を包囲する管（tubing）を含み得る。管は導電体の一部に接触している場合がある。

[00014] 導電体は、光コレクタ表面のエッジにおけるリムの形状と一致する形状とすることができる。

[00015] 光コレクタ表面は楕円形状であり、導電体は光コレクタ表面の円周よりも大きい直径を有する円形を含み得る。

[00016] チャンバ内に第１の状態ですでに存在するネイティブ材料は水素を含み、プラズマ状態の材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含み得る。

[00017] フリーラジカルと光コレクタ表面上のデブリとの化学反応は、光コレクタ表面から解放される化学物質を形成することができる。また、システムは、ＥＵＶチャンバから解放された化学物質を除去するように構成された除去装置も含むことができる。

[00018] 洗浄装置は、誘導結合（ＩＣＰ：inductively-coupled）プラズマ源を含むことができる。

[00019] 他の全体的な態様において、極端紫外線（ＥＵＶ）光源のチャンバ内の光学系の表面を洗浄するための方法が実行される。チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持されている。この方法は、光表面に隣接したチャンバ内の位置においてプラズマ状態の材料を発生させることを含む。発生させることは、チャンバ内の光表面に隣接した位置で電流を電磁誘導することにより、真空チャンバ内の材料を第１の状態からプラズマ状態に変換することを含む。材料のプラズマ状態は材料のフリーラジカルを含む。プラズマ状態の材料を発生させるため、少なくとも、プラズマ状態の材料を光表面全体へ移動させて、ＥＵＶ光源から光学系を取り出すことなく光表面からのデブリの除去を可能とする。

[0020] 実施は以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。例えば、材料は、第１の状態であって変換される前に、光表面に隣接することができる。

[0021] チャンバ内の光表面に隣接した位置における電流は、チャンバ内の光学系の近傍で時変磁界を生成することによって誘導できる。チャンバ内の時変磁界は、光表面の外周の外側に配置されている導電体に時変電流を流すことによって生成できる。

[0022] プラズマ状態の材料は、酸素の存在なしで、光表面全体へ移動して光表面からデブリを除去することが可能である。

[0023] プラズマ状態の材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含み得る。

[0024] 材料のフリーラジカルを光表面上のデブリと化学的に反応させて、光表面から解放される化学物質を形成することによって、光学表面からデブリを除去できる。また、方法は、ＥＵＶチャンバから解放された化学物質を除去することも含み得る。光表面から解放される化学物質が水素化スズを含むように、フリーラジカルは水素のフリーラジカルであると共に光表面上のデブリはスズを含み得る。

[0025] 真空チャンバ内の材料は、真空チャンバ内でネイティブであり真空チャンバ内に存在することができる。

[0026] 開示される洗浄装置及び方法によって、ＩＣＰプラズマ源を真空内に配置することができ、ＥＵＶチャンバを変更する必要性が最小限に抑えられるか又は低減する。ＩＣＰプラズマ源の設計は動作時に大気中に配置されないので、プラズマ又はフリーラジカルをＥＵＶチャンバ内へ輸送する必要がなく、これにより本明細書に記載されるＩＣＰプラズマ源の複雑さが軽減する。いくつかの実施においてＩＣＰプラズマ源は、磁器、セラミック、マイカ、ポリエチレン、ガラス、又はクォーツのような誘電材料から成るセグメント化ビードを用いて作製されることによって、ＥＵＶチャンバの真空環境内で動作するよう設計されている。このような設計は、ＩＣＰプラズマ源の破損による空気漏れのリスクを低減させる。開示される洗浄装置及び方法は、フィラメント洗浄（ＨＲＧ）及びマイクロ波洗浄システムのような従来の技法に比べ、光表面からスズ等のデブリを少なくとも１０倍速く、又は少なくとも１００倍速く除去（エッチング等）することを可能とする。

[00027] 極端紫外線（ＥＵＶ）光源内の光学系の表面からデブリを除去する洗浄装置のブロック図である。 [00028] 洗浄装置が誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）洗浄装置として設計されている例示的なＥＵＶ光源のブロック図である。 [00029] 図１又は図２の洗浄装置を用いて洗浄することができるコレクタミラーの第１の側面斜視図である。 [00030] 図３Ａのコレクタミラーの第２の側面斜視図である。 [00031] 図３Ａのコレクタミラーの側断面図である。 [00032] 図３Ｂのコレクタミラーの第２の側面に沿った平面図である。 [00033] 図１又は図２のＥＵＶ光源において使用することができるＩＣＰ洗浄装置の斜視図である。 [00034] 図４ＡのＩＣＰ洗浄措置の面Ｂ－Ｂに沿った側断面図である。 [00035] 図４ＢのＩＣＰ洗浄装置のセクションＣの側断面図である。 [00036] 図４Ａから図４ＣのＩＣＰ洗浄装置の平面図である。 [00037] 図１又は図２のＥＵＶ光源において使用することができるＩＣＰ洗浄装置の斜視図である。 [00038] 図５ＡのＩＣＰ洗浄措置の面Ｂ－Ｂに沿った側断面図である。 [00039] 図５ＢのＩＣＰ洗浄装置のセクションＣの側断面図である。 [00040] 図５Ａから図５ＣのＩＣＰ洗浄装置の平面図である。 [00041] 図５ＤのＩＣＰ洗浄装置のセクションＥの平面図である。 [00042] 図１又は図２のＥＵＶ光源において使用することができるＩＣＰ洗浄装置の平面図である。 [00043] 図６ＡのＩＣＰ洗浄措置の斜視図である。 [00044] 図６ＡのＩＣＰ洗浄装置のセクションＣの平面図である。 [00045] 図１及び図２の洗浄装置を用いて光学系の表面を洗浄するための手順のフローチャートである。 [00046] 図７の手順のステップを示す概略図である。 [00047] 図７の手順のステップを示す概略図である。 [00048] ＥＵＶチャンバ内の材料を第１の状態からプラズマ状態へ変換するための手順のフローチャートである。 [00049] 従来の洗浄技法と比較した場合の図１及び図２の洗浄装置による除去速度対距離のグラフであり、縦軸は線形スケールである。 [00050] 従来の洗浄技法と比較した場合の図１及び図２の洗浄装置による除去速度対距離のグラフであり、縦軸は非線形スケールである。 [00051] 図２のＥＵＶ光源の出力を受光するリソグラフィ装置のブロック図である。 [00052] 図２のＥＵＶ光源の出力を受光するリソグラフィ装置のブロック図である。

[00053] 図１を参照すると、洗浄装置１０５は、極端紫外線（ＥＵＶ）光源１００内の光学系１１５の表面１１０からのデブリ１０７を除去するように構成されている。光学系１１５は、真空圧すなわち大気圧よりも低い圧力に保持されたＥＵＶチャンバ１２５のキャビティ内に収容されている。洗浄装置１０５はプラズマジェネレータ１８０を含み、これは、ＥＵＶチャンバ１２５内にすでに存在するネイティブの材料（ネイティブ材料１３５）から、光表面１１０にローカルな又は隣接した位置に、プラズマ状態の材料（プラズマ材料１３０）を生成又は発生させることができる。材料１３５は、ＥＵＶチャンバ１２５外部からＥＵＶチャンバ１２５内へ輸送する必要なくＥＵＶチャンバ１２５内に存在する場合、ＥＵＶチャンバ１２５内でネイティブであるか又はＥＵＶチャンバ１２５内に存在する。プラズマ材料１３０はデブリ１０７と化学的に反応し、これによってデブリ１０７を光表面１１０から除去し、ＥＵＶチャンバ１２５から除去できる新たな化学物質１３７を形成する。新たな化学物質１３７は、形成されると光表面１１０から解放されるような気体状態とすることができる。ＥＵＶチャンバ１２５からの除去は、ＥＵＶチャンバ１２５から新たな化学物質１３７をポンピングすることを含む。

[00054] ＥＵＶ光源１００は、ＥＵＶチャンバ１２５内でターゲット１５０の流れ１４５を相互作用領域１５５の方へ誘導するターゲットデリバリシステム１４０を含む。相互作用領域１５５は増幅光ビーム１６０を受光する。ターゲット１５０は、プラズマ状態である場合にＥＵＶ光を放出する物質を含む。相互作用領域１５５におけるターゲット１５０内のこの物質と増幅光ビーム１６０との相互作用が、ターゲット１５０内の物質の一部をプラズマ状態に変換する。この変換された物質を光放出プラズマ１７０と呼ぶことができる。光放出プラズマ１７０はＥＵＶ光１６５を放出する。光放出プラズマ１７０はＥＵＶ波長範囲内に輝線を持つ元素を有する。生成された光放出プラズマ１７０は、ターゲット１５０の組成に依存する特定の特徴を有する。これらの特徴には、光放出プラズマ１７０によって生成されるＥＵＶ光１６５の波長が含まれる。

[00055] 明確にするために述べると、ターゲット１５０の光放出プラズマ１７０は以下の点でプラズマ材料１３０とは異なる。光放出プラズマ１７０は、ターゲット１５０と増幅光ビーム１６０との相互作用によって生成される。更に、ターゲット１５０の光放出プラズマ１７０はＥＵＶ光１６５を生成するものである。これに対してプラズマ材料１３０は、チャンバ１２５内部に存在するネイティブ材料１３５から生成される。ネイティブ材料１３５もプラズマ材料１３０も、ＥＵＶ光１６５の生成に寄与しない。更に、プラズマ材料１３０は、ネイティブ材料１３５と増幅光ビーム１６０との相互作用から生成されるわけではない。

[00056] ターゲット１５０の存在、及びターゲット１５０と増幅光ビーム１６０との相互作用によって、ターゲット１５０内に存在する物質の粒子、蒸気残留物、又は物質片の形態のデブリ１０７が発生する可能性がある。このデブリは、光放出プラズマ１７０の経路内の物体の表面上に蓄積することがある。例えばターゲット１５０がスズの溶融金属を含む場合、スズ粒子が光表面１１０上に蓄積する可能性がある。従って、光表面１１０上に形成されるデブリ１０７は、ターゲット１５０から形成された物質の蒸気残留物、イオン、粒子、及び／又はクラスタを含み得る。デブリ１０７の存在は光表面１１０の性能を低下させ、更に、ＥＵＶ光源１００の全体的な効率を低下させる恐れがある。従って、ＥＵＶ光源１００の性能を向上させるために、光表面１１０を洗浄装置１０５で洗浄することが有益である。光学系１１５はＥＵＶチャンバ１２５内部に配置されており、光学系１１５を取り出すことはＥＵＶ光源１００の動作にとって時間の損失となる。開示されている洗浄装置１０５は、光表面１１０にローカルにプラズマ材料１３０を生成する。このため、プラズマ材料１３０をＥＵＶチャンバ１２５外部から光表面１１０にローカルな又は隣接した位置まで輸送する必要はない。更に、ＥＵＶチャンバ１２５から光表面１１０及び光学系１１５を取り出す必要なく、光表面１１０からデブリ１０７を除去することができる。洗浄装置１０５は、その相対的な位置のため、これまでの洗浄技法よりも速い速度でデブリ１０７を除去することができる。更に洗浄装置１０５は、真空環境で酸素の存在を必要とすることなくプラズマ材料１３０を生成することができる。

[00057] 光学系１１５は、表面１１０が放出ＥＵＶ光１６５の少なくとも一部と相互作用する光コレクタとすることができる。例えば、光コレクタ１１５の表面１１０は、ＥＵＶ光１６５の少なくとも一部を受光すると共にこのＥＵＶ光１７５をＥＵＶ光源１００の外部で使用するため反射するように位置決めされた反射面とすることができる。例えば、ＥＵＶ光１７５はリソグラフィ装置の方へ誘導することができる。反射面１１０は、ＥＵＶ波長範囲内の光を反射するがＥＵＶ波長範囲外の光を吸収又は拡散又は阻止するように構成できる。

[00058] 洗浄装置１０５は、光表面１１０に隣接すると共に全体がＥＵＶチャンバ１２５内に位置決めされたプラズマジェネレータ１８０を含む。また、洗浄装置１０５は、プラズマジェネレータ１８０に電力を供給する電源１８５も含む。ネイティブ材料１３５はＥＵＶチャンバ１２５内にすでに存在し、このネイティブ材料１３５の少なくとも一部は光表面１１０に隣接すると共に第１の物質状態で存在する。プラズマジェネレータ１８０は、ネイティブ材料１３５から、光表面１１０に隣接した位置でプラズマ材料１３０を発生させる。プラズマ材料１３０は、光表面１１０上でデブリ１０７と化学的に反応するフリーラジカルを含む。これらのフリーラジカルはネイティブ材料１３５から生成される。フリーラジカルは不対価電子又は空いた電子殻を有する原子、分子、又はイオンであり、従って、ダングリング共有結合（dangling covalent bond）を有すると考えられる。ダングリングボンド（dangling bond）はフリーラジカルの化学反応性を高くすることができる。すなわち、フリーラジカルは他の物質と容易に反応できる。この反応性の性質のため、フリーラジカルを用いて、光表面１１０のような物体から物質（デブリ１０７等）を除去することができる。プラズマ材料１３０のフリーラジカルは、例えばデブリ１０７のエッチング、デブリ１０７との反応、及び／又はデブリ１０７の燃焼によって、デブリ１０７を除去することができる。

[00059] フリーラジカルに加えて、プラズマ材料１３０は、ネイティブ材料１３５から形成されるイオン、ネイティブ材料１３５から生成される電子、及び化学的に中性の物質（item）等、デブリ１０７と反応しない他の成分も含み得る。プラズマ材料１３０内に存在するフリーラジカルの数が増えれば増えるほど、洗浄装置１０５は多くのデブリ１０７を除去することができる。別の言い方をすると、プラズマ材料１３０内のフリーラジカルの密度が高くなればなるほど、デブリ除去速度が速くなる。

[00060] いくつかの実施において、ネイティブ材料１３５は気体状態の水素分子から構成されている。これらの実施におけるプラズマジェネレータ１８０は、水素分子から水素のフリーラジカルを含むプラズマ材料を発生させる。また、プラズマ材料は、水素のイオン、電子、及び水素分子も含み得る。

[00061] 上述したように、ＥＵＶチャンバ１２５内のキャビティは、真空すなわち大気圧よりも低い圧力に保持される。例えばＥＵＶチャンバ１２５は、ＥＵＶ光１６５の発生のために選択された圧力である約０．５トル（Ｔ）～約１．５Ｔの低圧（例えば１Ｔ）に保持することができる。洗浄装置１０５は、ＥＵＶチャンバ１２５内でプラズマ材料１３０を生成するように構成されており、これは、真空（１Ｔ等）で機能するように設計されていることを意味する。更に、洗浄装置１０５はネイティブ材料１３５に対して作用するように構成されており、いくつかの実施では、利用可能なネイティブ材料１３５は分子水素（molecular hydrogen）である。洗浄装置１０５はターゲット１５０に対しては作用しない。更に洗浄装置１０５は、ＥＵＶチャンバ１２５の設計又は動作を変更する必要なく使用できるように設計されている。従って洗浄装置１０５は、ＥＵＶ光１６５が最も効率的に生成される環境で動作するように構成されている。

[00062] 上述したように、ターゲットデリバリシステム１４０は、ターゲット１５０の流れ１４５をＥＵＶチャンバ１２５内の相互作用領域１５５の方へ誘導する。ターゲットデリバリシステム１４０は、液体小滴、液体の流れ、固体粒子、もしくはクラスタ、液体小滴に含まれる固体粒子、又は液体の流れに含まれる固体粒子の形態である流れ１４５内のターゲット１５０を、送出、制御、及び誘導する。ターゲット１５０は、プラズマ状態である場合にＥＵＶ光を放出する任意の材料とすればよい。例えばターゲット１５０は、水、スズ、リチウム、及び／又はキセノンを含み得る。ターゲット１５０は、ターゲット物質と非ターゲット粒子のような不純物とを含むターゲット混合物としてもよい。ターゲット物質は、プラズマ状態である場合にＥＵＶ範囲内に輝線を有する物質である。ターゲット物質は例えば、液体もしくは溶融金属の小滴、液体の流れの一部、固体粒子もしくはクラスタ、液体小滴に含まれる固体粒子、ターゲット材料の泡、又は液体の流れの一部に含まれる固体粒子とすることができる。ターゲット物質は例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換された場合にＥＵＶ範囲内に輝線を有する任意の材料とすればよい。例えばターゲット物質はスズ元素とすることができ、純スズ（Ｓｎ）として、例えばＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４のようなスズ化合物として、例えばスズ－ガリウム合金、スズ－インジウム合金、スズ－インジウム－ガリウム合金、又はこれらの合金の任意の組み合わせのようなスズ合金として、使用することができる。更に、不純物が存在しない状況では、ターゲット１５０はターゲット物質のみを含む。

[00063] 光放出プラズマ１７０は、数十電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高度に電離したプラズマであると考えられる。例えばテルビウム（Ｔｂ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のような他の燃料材料（他の種類のターゲット１５０）によって、より高いエネルギのＥＵＶ光１６５を発生させることも可能である。これらのイオンの脱励起及び再結合中に発生した高エネルギ放射がプラズマから放出され、次いで光学系１１５によって収集される。

[00064] プラズマ材料１３０のフリーラジカルの一部は、プラズマジェネレータ１８０で形成された後、拡散の作用によって光表面１１０を流れる。しかしながら、ＥＵＶチャンバ１２５内の圧力が比較的高いので（真空の場合もあるが高い真空ではない）、プラズマ材料１３０のフリーラジカルが追加の支援なしで光表面１１０に分散するのは難しい場合がある。従って洗浄装置１０５は、プラズマ材料１３０のフリーラジカルを光表面１１０の表面全体に押しやるか又は分散させるように構成されたガス流機構１８４も含むことができる。

[00065] 図２を参照すると、例示的なＥＵＶ光源２００が示されている。ＥＵＶ光源２００において、洗浄装置１０５は、コレクタミラー２１５の反射面２１０からデブリ２０７を洗浄するように設計された誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）洗浄装置２０５として設計されている。洗浄装置２０５は、反射面２１０に隣接すると共に全体がＥＵＶチャンバ２２５内に位置決めされたプラズマジェネレータ２８０を含む。また、洗浄装置２０５は、プラズマジェネレータ２８０に電力を供給する電源２８５も含む。

[00066] ＥＵＶ光源１００と同様、ＥＵＶ光源２００は、ターゲット２５０の流れ２４５を相互作用領域２５５の方へ供給するターゲットデリバリシステム２４０と、相互作用領域２５５の方へ誘導される増幅光ビーム２６０とを含む。相互作用領域２５５において、増幅光ビーム２６０とターゲット２５０との相互作用が、ターゲット２５０の少なくとも一部を、ＥＵＶ光２６５を生成するプラズマ状態２７０に変換する。ＥＵＶ光源２００を説明した後に洗浄装置２０５について検討する。ＥＵＶ光源２００は、例えば、ＥＵＶ光２６５の生成の態様を監視するためのコンポーネント、又は増幅光ビーム２６０に関連した態様を制御するためのコンポーネント等、図２に示されていない他のコンポーネントを含み得る。

[00067] ＥＵＶ光源２００は、１又は複数の利得媒体内の反転分布によって増幅光ビーム２６０を生成する光学系２６１を含む。光学系２６１は、光ビームを生成する光源と、光ビームの方向制御及び変更を行うと共に光ビームを相互作用領域２５５に合焦させるビームデリバリシステムと、を含むことができる。光学系２６１内の光源は、増幅光ビーム２６０を形成する１つ以上のメインパルスを提供し、場合によっては前駆体増幅光ビーム（図示せず）を形成する１つ以上のプレパルスも提供する、１つ以上の光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含む。各光増幅器は、所望の波長を高い利得で光学的に増幅することができる利得媒体、励起源、及び内部光学系を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有する場合も有しない場合もある。従って光学系２６１は、レーザキャビティが存在しない場合であっても、増幅器の利得媒体における反転分布によって増幅光ビーム２６０を生成する。更に光学系２６１は、光学系２６１に充分なフィードバックを与えるレーザキャビティが存在する場合、コヒーレントなレーザビームである増幅光ビーム２６０を生成できる。従って「増幅光ビーム」という言葉は、増幅されているだけで必ずしもコヒーレントなレーザ発振でない光学系２６１からの光、及び増幅されていると共にコヒーレントなレーザ発振である光学系２６１からの光のうち１つ以上を包含する。

[00068] 光学系２６１で用いられる光増幅器は、利得媒質として二酸化炭素（ＣＯ_２）を含むガスを含み、波長が約９１００～約１１０００ナノメートル（ｎｍ）、例えば約１０６００ｎｍの光を、１００以上の粒（grain）で増幅できる。光学系２６１で使用するのに適した増幅器及びレーザはパルスレーザデバイスを含む。これは例えば、ＤＣ又はＲＦ励起によって約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍの放射を生成し、例えば１０ｋＷ以上の比較的高いパワーで、例えば４０ｋＨｚ以上の高いパルス繰り返し率で動作するパルスガス放電ＣＯ_２レーザデバイスである。

[00069] いくつかの実施では、上記で検討したようにターゲット２５０はスズ（Ｓｎ）を含み、これらの実施では、反射面２１０上のデブリ２０７はスズ粒子を含む。上記で検討したように、ＥＵＶチャンバ２２５は制御された環境であり、ＥＵＶチャンバ２２５内に存在し許容され得る材料の１つは分子水素（Ｈ_２）２３５である。この場合、洗浄装置２０５は分子水素２３５からプラズマ材料２３０を生成する。このプラズマ材料２３０は、反射面２１０上の（スズ粒子を含む）デブリ２０７と相互作用する水素のフリーラジカルを含む。水素のフリーラジカルは単一水素元素（Ｈ＊）である。この化学プロセスは以下の化学式によって表すことができる。

ここで、ｇは化学物質が気体状態であることを示す。

[00070] 具体的に述べると、発生した水素Ｈ＊のフリーラジカルは、反射面２１０上のスズ粒子（Ｓｎ）と結合し、水素化スズ（ＳｎＨ_４）と呼ばれる新たな化学物質２３７を形成し、これは反射面２１０から解放される。この化学プロセスは以下の化学式によって表される。

ここで、ｓは化学物質が固体状態であることを示す。

[00071] デブリ２０７は、洗浄装置２０５に最も近い領域だけでなく反射面２１０全体にわたって、少なくとも１ナノメートル／分の速度で反射面２１０からエッチング又は除去することができる。これは、プラズマ材料２３０がＥＵＶチャンバ２２５外部で生成された後にＥＵＶチャンバ２２５内へ輸送されるのではなく、反射面２１０に隣接した位置で生成されるからである。水素ラジカルＨ＊は寿命が短く、再結合して分子水素を再形成する傾向があるので、これは重要である。洗浄装置２０５の設計は、できる限り反射面２１０の近くで水素ラジカルＨ＊を形成することを可能とし、これによって、相互に再結合して分子水素を再形成する機会を持つよりも前に、より多くの水素ラジカルＨ＊がスズ粒子と結合できる。

[00072] 図３Ａから図３Ｄも参照すると、コレクタミラー２１５は、増幅光ビーム２６０が貫通して相互作用領域２５５に到達することを可能とする開口２１６を含む。コレクタミラー２１５は、相互作用領域２５５におけるターゲット２５０と増幅光ビーム２６０との相互作用から生成されたＥＵＶ光２６５と相互作用する反射面２１０を含む。反射面２１０は、ＥＵＶ光２６５の少なくとも一部であるＥＵＶ光２７５を二次焦点面２６６へ反射し、二次焦点面２６６においてＥＵＶ光２７５は、ＥＵＶ光源２００外部のツール２９０（リソグラフィ装置等）によって使用するためキャプチャされる。ＥＵＶ光源１００、２００の詳細な説明の後に、図１１及び図１２を参照して、例示的なリソグラフィ装置１１９０、１２９０について検討する。コレクタミラー２１５は、例えば、相互作用領域２５５に一次焦点を有すると共に二次焦点面２６６に二次焦点を有する楕円ミラーとすることができる。これは、平面セクション（平面セクションＣ－Ｃ等）が楕円又は円の形状であることを意味する。従って、平面セクションＣ－Ｃは反射面２１０を横断し、楕円の一部から形成されている。コレクタミラー２１５の平面図は、反射面２１０のエッジ２１１が円形を形成することを示している。

[00073] 本明細書に示されているコレクタミラー２１５は単一の曲面鏡であるが、コレクタミラー２１５は他の形態をとってもよい。例えばコレクタミラー２１５は、２つの放射収集面を有するシュヴァルツシルトコレクタとしてもよい。１つの実施においてコレクタミラー２１５は、相互に入れ子状になった複数の実質的に円筒形のリフレクタを含む斜入射型コレクタである。

[00074] また、ＥＵＶ光源２００は、ＥＵＶ光源２００の１つ以上の制御可能コンポーネント又はシステムと通信している制御装置２９２も含む。制御装置２９２は、光学系２６１及びターゲットデリバリシステム２４０と通信している。ターゲットデリバリシステム２４０は、制御装置２９２内の１つ以上のモジュールからの信号に応答して動作可能とすることができる。例えば制御装置２９２は、所望の相互作用領域２５５に到達するターゲット２５０のエラーを補正するため、ターゲット２５０の放出点を変更する信号をターゲットデリバリシステム２４０に送信できる。光学系２６１は、制御装置２９２内の１つ以上のモジュールからの信号に応答して動作可能とすることができる。制御装置２９２は、洗浄装置２０５の電源２８５を制御するためのモジュールを含み得る。制御装置２９２の様々なモジュールは、モジュール間のデータがモジュールからモジュールへ転送されないという点で、独立したモジュールとすることができる。あるいは、制御装置２９２内のモジュールのうち１つ以上は相互に通信することができる。制御装置２９２内のモジュールは、物理的に同一の場所に配置するか又は相互に分離することができる。例えば、電源２８５を制御するモジュールは電源２８５と同一の場所に配置することができる。

[00075] また、ＥＵＶシステム２００は、放出された化学物質２３７をＥＵＶチャンバ２２５から除去すると共に、ＥＵＶチャンバ２２５内で形成され得る他の気体副産物も除去するように構成された除去又は排出装置２９５も含む。除去装置２９５は、放出された化学物質２３７をＥＵＶチャンバ２２５から除去するポンプとすればよい。例えば、化学物質２３７は形成されると放出されるが、化学物質２３７は揮発性であり得るので、放出された化学物質２３７をＥＵＶチャンバ２２５から除去する除去装置２９５に吸引される。

[00076] 図示されていないＥＵＶ光源２００の他のコンポーネントには、例えば、生成されたＥＵＶ光２６５に関連したパラメータを測定するための検出器が含まれる。検出器を用いて、増幅光ビーム２６０のエネルギ又はエネルギ分布を測定できる。検出器を用いて、ＥＵＶ光２６５の強度の角度分布を測定できる。検出器は、増幅光ビーム２６０のパルスのタイミング又は焦点のエラーを測定できる。これらの検出器からの出力を制御装置２９２に提供することができる。制御装置２９２は、この出力を分析し、光学系２６１及びターゲットデリバリシステム２４０のようなＥＵＶ光源２００の他のコンポーネントの態様を調整するモジュールを含み得る。

[00077] 要約すると、増幅光ビーム２６０は光学系２６１によって生成され、ビーム経路に沿って誘導されて、相互作用領域２５５でターゲット２５０を照射することで、ターゲット２５０内の材料を、ＥＵＶ波長範囲内の光を放出するプラズマに変換する。増幅光ビーム２６０は、光学系２６１の設計及び特性に基づいて決定される特定の波長（ソース波長）で動作する。

[00078] 図４Ａから図４Ｄを参照すると、いくつかの実施において、洗浄装置１０５は誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）洗浄装置４０５として設計されている。洗浄装置４０５は、電源４８５からエネルギ又は電力を受けるプラズマジェネレータ４８０を含む。プラズマジェネレータ４８０はＥＵＶチャンバ２２５の内部にあるが、電源４８５はＥＵＶチャンバ２２５の外部に置くことができる。プラズマジェネレータ４８０は、コレクタミラー２１５の反射面２１０のエッジ２１１と同様の形状である。従って、エッジ２１１は円形であるのでプラズマジェネレータ４８０も円形である。

[00079] プラズマジェネレータ４８０は、コレクタミラー２１５の反射面２１０に隣接して配置された導電体４８１を含む。導電体４８１は電源４８５に接続されている。導電体４８１は金属等の導電性材料で作製されている。導電体４８１は管４８２内に収容されており、導電体４８１と管４８２との間には大気圧を維持することができる。管４８２は、磁器、セラミック、マイカ、ポリエチレン、ガラス、又はクォーツのような誘電材料で作製することができる。導電体４８１は、（導電体４８１の内部に水を流すことによる）水冷が可能であるように、中空とすることができる。導電体４８１の経路は反射面２１０のエッジ２１１の形状と一致しており、プラズマジェネレータ４８０から生成されたエネルギが反射面２１０及びエッジ２１１に隣接したネイティブ材料２３５といっそう効率的に相互作用することを可能とする。ＥＵＶ光源２００の動作中に反射面２１０から反射されるＥＵＶ光２７５の量を妨げないように、プラズマジェネレータ４８０の内径を反射面２１０のエッジ２１１の直径よりもわずかに大きくすることができる。

[00080] 導電体４８１には任意の幾何学的構成が可能である。例えば導電体４８１は、反射面２１０のエッジ２１１よりも約数センチメートル（ｃｍ）小さい内径を有することができる。図示のように、導電体４８１は円形である。反射面２１０が矩形である他の実施では、導電体４８１を矩形とすることができる。従って、反射面２１０が三角形である場合は導電体４８１も三角形とすることができ、あるいは、反射面２１０が線形もしくは直線の形態である場合は導電体４８１を線形とすることができる。

[00081] 図５Ａから図５Ｄを参照すると、いくつかの実施において、洗浄装置１０５は誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）洗浄装置５０５として設計されている。洗浄装置４０５と同様、洗浄装置５０５は電源５８５からエネルギ又は電力を受けるプラズマジェネレータ５８０を含む。プラズマジェネレータ５８０はＥＵＶチャンバ２２５の内部にあるが、電源５８５はＥＵＶチャンバ２２５の外部に置くことができる。プラズマジェネレータ５８０は、コレクタミラー２１５の反射面２１０のエッジ２１１と同様の形状である。従って、エッジ２１１は円形であるのでプラズマジェネレータ５８０も円形である。

[00082] プラズマジェネレータ５８０は、コレクタミラー２１５の反射面２１０に隣接して配置された導電体５８１を含む。導電体５８１は電源５８５に接続されている。導電体５８１は金属等の導電性材料で作製されている。導電体５８１は管５８２内に収容されているが、導電体５８１と管５８２との間にギャップは存在しない。従って、管５８２は導電体５８１に接触した状態であり、導電体５８１に触れている。

[00083] 管５８２は、磁器、セラミック、マイカ、ポリエチレン、ガラス、又はクォーツのような誘電材料で作製することができる。導電体５８１は、（導電体５８１の内部に水を流すことによる）水冷が可能であるように、中空とすることができる。導電体５８１の経路は反射面２１０のエッジ２１１の形状と一致しており、プラズマジェネレータ５８０から生成されたエネルギが反射面２１０及びエッジ２１１に隣接したネイティブ材料２３５といっそう効率的に相互作用することを可能とする。ＥＵＶ光源２００の動作中に反射面２１０から反射されるＥＵＶ光２７５の量を妨げないように、プラズマジェネレータ５８０の内径を反射面２１０のエッジ２１１の直径よりもわずかに大きくすることができる。

[00084] いくつかの実施では、図５Ｅに示されているように、管５８２の代わりに、各々が誘電材料で構成されている複数のセグメント化ビード５８３が用いられる。ビード５８３は相互に接触し、導電体５８１にも接触している。更に、ビード５８３内部に空気は存在しない。従って、プラズマジェネレータ５８０が外部からの衝撃により破損した場合であっても、空気漏れの可能性はない。

[00085] 固体（充填）管５８２又はビード５８３を使用することの１つの利点は、導電体５８１と誘電材料（管５８２又はビード５８３）との間に、（プラズマジェネレータ４８０にあったような）空気ギャップが存在しないことである。このギャップは実質的には、空気（ほとんどは酸素）で満たされたギャップである。例えば、管４８２は外部からの衝撃によって破損するリスクがあり、これが発生した場合、管４８２と導電体４８１との間の領域内の空気がＥＵＶチャンバ１２５内へ放出される。図５Ａから図５Ｅに示されている設計は、ＥＵＶチャンバ１２５が空気及び酸素に暴露されるこのリスクを低減する。

[00086] 図６Ａ及び図６Ｂに例示的なプラズマジェネレータ６８０が示され、図６Ｃにプラズマジェネレータ６８０のセグメントのクローズアップが示されている。プラズマジェネレータ６８０は、コレクタミラー２１５の反射面２１０に隣接して配置された導電体６８１を含む。導電体６８１は電源６８５に接続され、金属等の導電性材料で作製されている。導電体６８１は、ビードに似た複数の固体セグメント６８３で構成された外装６８２内に収容されている。固体セグメント６８３は、相互に絡み合うことで導電体６８１の周囲に連続的な形状を形成するよう構成されている。上記で検討したように、外装６８２と導電体６８１との間に実質的な空気ギャップは存在しない。外装６８２の固体セグメント６８３は、磁器、セラミック、マイカ、ポリエチレン、ガラス、又はクォーツのような誘電材料で作製することができる。

[00087] 図７を参照して、大気圧よりも低い圧力に保持されたＥＵＶチャンバ１２５内にある光学系１１５の表面１１０を洗浄するための手順７００が実行される。手順７００のステップを概略的に示す図８Ａ及び図８Ｂを参照する。図示のように、光表面１１０に隣接した位置でプラズマ状態の材料（プラズマ材料１３０）を発生させる。この発生はＥＵＶチャンバ１２５内で生じる（７０５）。上記で検討したように、プラズマ材料１３０は少なくとも材料のイオン、電子、及びフリーラジカルを含む。プラズマ材料１３０の発生は、ＥＵＶチャンバ１２５内で光表面１１０に隣接してすでに存在している材料を、第１の状態（ネイティブ材料１３５）からプラズマ状態（プラズマ材料１３０）へ変換することを含む（７１０）。材料（プラズマ材料１３０）のプラズマ状態は材料のフリーラジカルを含む。例えばネイティブ材料１３５が分子水素を含む場合、ステップ７１０は、この分子水素を、水素フリーラジカルＨ＊を含むプラズマ状態に変換することを含む。プラズマ状態の材料を光表面１１０全体へ移動させて、ＥＵＶチャンバ１２５から光学系１１５を取り出すことなく光表面１１０からデブリ１０７を除去することができる（７１５）。

[00088] 図８Ａ及び図８Ｂに示されているように、プラズマ材料１３０はデブリ１０７と化学的に反応して新たな化学物質１３７を形成する。新たな化学物質１３７は気体状態であり、光表面１１０から解放される。例えば、ネイティブ材料１３５が分子水素を含むと共にデブリ１０７がスズ粒子を含む場合、ステップ６１５は、水素フリーラジカルＨ＊とスズＳｎとの反応によって新たな化学物質として水素化スズ２３７を生成することを含む。

[00089] 図９を参照して、洗浄装置１０５がＩＣＰ洗浄装置（洗浄装置２０５、４０５、又は５０５等）であるいくつかの実施において、ネイティブ材料１３５をプラズマ材料１３０に変換するための手順９１０が実行される。ＩＣＰプロセスでは、導電体４８１、５８１（光表面１１０の外周の外側に配置されている）に、（電源２８５、４８５、５８５から）時変電流を流す（９１１）。時変電流の流れは、ＥＵＶチャンバ２２５内で電流の周りに時変磁界を生成する（９１２）。また、電流の周りに生成された時変磁界は、光表面２１０に隣接したＥＵＶチャンバ２２５内の位置に電界又は電流を誘導する（９１３）。誘導された電流（９１３）は、ＥＵＶチャンバ１２５内のネイティブ材料１３５から、反射面２１０に隣接した位置でプラズマ材料１３０を発生させるのに充分な大きさである。具体的には、変化する又は時変磁界（９１２）は、導電体４８１、５８１の周りの領域に電流を誘導する。更に、この誘導電流は、９１３で生成される時変磁界とは反対のそれ自身の磁界を生成し、この反対の磁界はそれ自身の電流又は誘導電界を発生し、これはプラズマジェネレータ近傍のネイティブ材料１３５に流れる。この誘導電界から生成されるエネルギが、ネイティブ材料１３５をプラズマ材料１３０に変換する（これはＥＵＶチャンバ１２５内でプラズマ材料１３０を誘導する）。

[00090] 更に、導電体４８１、５８１の周りのエリアの誘導電界の大きさは導電体４８１、５８１の大きさに比例する。従って、プラズマ材料１３０の面積又は体積を増大させるためには、導電体４８１、５８１の大きさを増大させなければならない。

[00091] 手順７００及び９１０は、反応に対する触媒又は元素としての酸素が存在することなく実行される。また、手順７００は、例えば排出装置２９５を用いてＥＵＶチャンバ１２５から放出された化学物質を除去するステップも含むことができる。

[00092] 図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、グラフ１０００及び１０５０はそれぞれ、手順７００及び９１０並びにＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５（ＩＣＰ）を用いて光表面１１０からデブリ１０７を除去する速度を決定するために実行した試験の結果を、２つの従来の技法（グラフではＨＲＧ及びＭＷと示されている）と比較して示す。グラフ１０００及び１０５０の横軸は、ＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５からの距離に対応する。グラフ１０００及び１０５０の縦軸は、除去速度（任意の単位）に対応する。このデータから、ＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５を用いた除去速度には、従来の技法に比べて顕著な向上が見られる。例えば、ＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５から５任意単位の値において、ＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５は、ＨＲＧ及びＭＷ技法の除去速度よりも１００倍速い速度でデブリ１０７を除去した。また、ＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５からの距離が増大しても、ＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５を用いた除去速度は安定し、目に見える低下はない。いくつかの実施では、ＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５から１～１２センチメートル（ｃｍ）で、１００ｎｍ／分よりも速い除去速度に到達することができる。ＥＵＶ光源で用いられる典型的なコレクタミラーの光表面２１０の外径は約６０ｃｍである。

[00093] 洗浄装置１０５、２０５、４０５、５０５では、従来の技法よりもはるかに高い除去デブリ除去速度が得られるが、これは一部には、光表面１１０、２１０におけるプラズマ材料１３０内のフリーラジカルの密度が従来技術よりも大幅に高いからである。また、これは一部には、プラズマ材料１３０のフリーラジカルが（ＥＵＶチャンバ１２５外部から輸送されるのではなく）光表面１１０、２１０にローカルに効率的に生成されること、及び、ＩＣＰ洗浄装置２０５、４０５、５０５の設計が、真空環境内で、酸素も水も用いずに、更にはＥＵＶチャンバ１２５内でネイティブに存在しない他の追加材料も用いずに動作できることに起因する。

[00094] 図１１を参照すると、いくつかの実施において、洗浄装置１０５（又は２０５、４０５、５０５）は、ＥＵＶ光１１７５をリソグラフィ装置１１９０に供給するＥＵＶ光源１１００内で実施されている。リソグラフィ装置１１９０は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ光１１７５）を調節するよう構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするよう構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳと、を含む。

[00095] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折、反射、磁気、電磁、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。

[00096] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[00097] 投影システムＰＳは、照明システムＩＬと同様に、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供することができる。

[00098] 本明細書で示すように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。

[00099] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。

[000100] イルミネータＩＬは、ＥＵＶ光源１０００から極端紫外線放射ビーム（ＥＵＶ光１１７５）を受光する。ＥＵＶ光を発生する方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲に１つ以上の輝線を有する少なくとも１つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる１つのそのような方法では、例えば、必要な光放出元素を有する材料の小滴、流れ、又はクラスタ等の燃料をレーザビームで照射することにより、必要なプラズマを生成できる。ＥＵＶ光源１１００は、ＥＵＶ光源１００又は２００のように設計することができる。上記で検討したように、得られたプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を放出し、これは光学系１１５、２１５（又は放射コレクタ）を用いて収集される。

[000101] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ又は容量性センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

[000102] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[000103] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[000104] 図１２は、ＥＵＶ光源１２００、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１２９０の実施を更に詳しく示す。ＥＵＶ光源１２００は、ＥＵＶ光源１００、２００を説明する際に上記で検討したように構築及び構成されている。

[000105] システムＩＬ及びＰＳは同様に、それら自身の真空環境内に収容されている。ＥＵＶ光源１２００の中間焦点（ＩＦ）は、これが閉鎖構造の開口に又はその近傍に位置するように構成されている。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ（例えばＥＵＶ光１６５）の像である。

[000106] 中間焦点ＩＦにおける開口から、放射ビームは、この例ではファセットフィールドミラーデバイス１２２２及びファセット瞳ミラーデバイス１２２４を含む照明システムＩＬを横断する。これらのデバイスはいわゆる「フライアイ（fly’s eye）」イルミネータを形成する。これは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム１２２１の所望の角度分布を与えると共に、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与える（参照番号１２６０で示されている）ように配置されている。支持構造（マスクテーブル）ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡでビーム１２２１が反射されると、パターン付きビーム１２２６が形成される。このパターン付きビーム１２２６は、投影システムＰＳによって、反射要素１２２８、１２３０を介して、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。基板Ｗ上のターゲット部分Ｃを露光するため、基板テーブルＷＴ及びパターニングデバイステーブルＭＴが同期した移動を行って照明スリットを通してパターニングデバイスＭＡ上のパターンをスキャンすると同時に、放射パルスを発生させる。

[000107] 各システムＩＬ及びＰＳは、ＥＵＶチャンバ１２５と同様の閉鎖構造によって画定されたそれら自身の真空環境又は近真空（near-vacuum）環境内に配置されている。一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内には、図示するよりも多くの要素が存在し得る。更に、図示するよりも多くのミラーが存在する場合がある。例えば、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内には、図１２に示すもの以外に１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。

[000108] 再び図１を参照すると、ターゲットデリバリシステム１４０は、ＥＵＶチャンバ１２５内に配置されると共に高周波数の小滴の流れ１４５を相互作用領域１５５の方へ発射するよう配置された小滴ジェネレータを含むことができる。動作の際、増幅光ビーム１６０は小滴ジェネレータの動作と同期して送出されて、各小滴（各ターゲット１５０）を光放出プラズマ１７０に変えるための放射パルスを送出する。小滴送出の周波数は数キロヘルツとすることができ、例えば５０ｋＨｚである。

[000109] いくつかの実施では、増幅光ビーム１６０からのエネルギは少なくとも２つのパルスで送出される。すなわち、燃料材料を小さいクラウドに気化させるため、限られたエネルギのプレパルスが相互作用領域１５５に到達する前の小滴へ送出され、次いで、光放出プラズマ１７０を発生させるため、エネルギのメインパルスが相互作用領域１５５のクラウドへ送出される。ＥＵＶチャンバ１２５の反対側にトラップ（例えばレセプタクルとすることができる）が設けられ、何らかの理由でプラズマに変わらない燃料（すなわちターゲット１５０）を捕捉する。

[000110] ターゲットデリバリシステム１４０内の小滴ジェネレータは、燃料液体（例えば溶融スズ）を収容するリザーバ、フィルタ、及びノズルを備えている。ノズルは、燃料液体の小滴を相互作用領域１５５の方へ放出するように構成されている。リザーバ内の圧力とピエゾアクチュエータ（図示せず）によってノズルに加えられる振動との組み合わせにより、燃料液体の小滴をノズルから放出させることができる。

[000111] 以下の番号を付けた条項に本発明の他の態様が述べられている。

１． 極端紫外線（ＥＵＶ）光源のチャンバ内の光学系の表面を洗浄する方法であって、チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持され、方法は、
光表面に隣接したチャンバ内の位置においてプラズマ状態の材料を発生させることを含み、発生させることは、真空チャンバ内で光表面に隣接してすでに存在しているネイティブ材料を第１の状態からプラズマ状態に変換することを含み、
材料のプラズマ状態は材料のフリーラジカルを含み、
プラズマ状態の材料を発生させることは、プラズマ状態の材料を光表面全体へ移動させて、ＥＵＶ光源から光学系を取り出すことなく光表面からのデブリの除去を可能とすることを含む、方法。
２． プラズマ状態の材料を発生させることは、チャンバ内の光表面に隣接した位置で電流を電磁誘導することを含む、条項１に記載の方法。
３． チャンバ内の光表面に隣接した位置で電流を誘導することは、チャンバ内の光学系の近傍で時変磁界を生成することを含む、条項２に記載の方法。
４． チャンバ内で時変磁界を生成することは、光表面の外周の外側に配置されている導電体に時変電流を流すことを含む、条項３に記載の方法。
５． プラズマ状態の材料を光表面全体へ移動させて光表面からのデブリの除去を可能とすることは酸素の存在なしで実行される、条項１に記載の方法。
６． プラズマ状態の材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含む、条項１に記載の方法。
７． 光学表面からデブリを除去することは、材料のフリーラジカルを光表面上のデブリと化学的に反応させて、光表面から解放される化学物質を形成することを含む、条項１に記載の方法。
８． ＥＵＶチャンバから解放された化学物質を除去することを更に含む、条項７に記載の方法。
９． 光表面から解放される化学物質が水素化スズを含むように、フリーラジカルは水素のフリーラジカルであると共に光表面上のデブリはスズを含む、条項７に記載の方法。
１０． 光表面からデブリを除去することは、光表面全体にわたって少なくとも１ナノメートル／分の速度で光表面からデブリをエッチングすることを含む、条項１に記載の方法。
１１． 極端紫外線（ＥＵＶ）光源であって、
大気圧よりも低い圧力に保持されたＥＵＶチャンバと、
真空チャンバ内の相互作用領域の方へターゲットを誘導するターゲットデリバリシステムであって、相互作用領域は増幅光ビームを受光し、ターゲットは、プラズマに変換された場合に極端紫外線光を放出する物質を含む、ターゲットデリバリシステムと、
放出された極端紫外線光の少なくとも一部と相互作用する表面を含む光コレクタと、
光コレクタ表面に隣接し、ＥＵＶチャンバからコレクタを取り出すことなく光コレクタ表面からデブリを除去するよう構成された洗浄装置であって、光コレクタ表面に隣接したＥＵＶチャンバ内のプラズマジェネレータを含み、プラズマジェネレータは、ＥＵＶチャンバ内で光コレクタ表面に隣接して第１の状態ですでに存在しているネイティブ材料から、光コレクタ表面に隣接した位置でプラズマ状態のプラズマ材料を発生させ、プラズマ材料は光コレクタ表面上のデブリと化学的に反応するフリーラジカルを含む、洗浄装置と、
を備えるシステム。
１２． 光コレクタの表面は反射面であり、光コレクタ表面と放出された極端紫外線光との相互作用は、光コレクタ表面からの放出された極端紫外線光の反射を含む、条項１１に記載のシステム。
１３． プラズマジェネレータは光コレクタ表面に隣接して配置された導電体を含み、導電体は電源に接続され、電源は、導電体を介して時変電流を供給することによって、光コレクタ表面に隣接した時変磁界を生成すると共に光コレクタ表面に隣接した位置で電流を誘導し、
誘導された電流は、ＥＵＶチャンバ内に第１の状態ですでに存在するネイティブ材料から光コレクタ表面に隣接した位置でプラズマ状態の材料を発生させるのに充分な大きさである、条項１１に記載のシステム。
１４． 導電体は光コレクタ表面の形状と一致する形状である、条項１３に記載のシステム。
１５． プラズマジェネレータは導電体を少なくとも部分的に包囲する誘電材料を含む、条項１３に記載のシステム。
１６． 誘電材料は導電体の少なくとも一部を包囲する管を含む、条項１５に記載のシステム。
１７． 管は導電体の一部に接触している、条項１６に記載のシステム。
１８． 導電体は光コレクタ表面のエッジにおけるリムの形状と一致する形状である、条項１４に記載のシステム。
１９． 光コレクタ表面は楕円形状であり、導電体は光コレクタ表面の円周よりも大きい直径を有する円形を含む、条項１３に記載のシステム。
２０． チャンバ内に第１の状態ですでに存在するネイティブ材料は水素を含み、プラズマ状態の材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含む、条項１１に記載のシステム。
２１． フリーラジカルと光コレクタ表面上のデブリとの化学反応は、光コレクタ表面から解放される化学物質を形成する、条項１１に記載のシステム。
２２． ＥＵＶチャンバから解放された化学物質を除去するように構成された除去装置を更に備える、条項２１に記載のシステム。
２３． 光コレクタ表面から解放される化学物質が水素化スズを含むように、フリーラジカルは水素のフリーラジカルであると共に光コレクタ表面上のデブリはスズを含む、条項２１に記載のシステム。
２４． 光コレクタ表面からのデブリは、光コレクタ表面全体にわたって少なくとも１ナノメートル／分の速度でフリーラジカルによってエッチングで除去される、条項２１に記載のシステム。
２５． 洗浄装置は誘導結合プラズマ源を含む、条項１１に記載のシステム。
２６． 極端紫外線（ＥＵＶ）光源のチャンバ内の光学系の表面を洗浄する方法であって、チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持され、方法は、
光表面に隣接したチャンバ内の位置においてプラズマ状態の材料を発生させることを含み、発生させることは、
チャンバ内の光表面に隣接した位置で電流を電磁誘導することにより、真空チャンバ内の材料を第１の状態からプラズマ状態に変換することを含み、
材料のプラズマ状態は材料のフリーラジカルを含み、
プラズマ状態の材料を発生させることは、プラズマ状態の材料を光表面全体へ移動させて、ＥＵＶ光源から光学系を取り出すことなく光表面からのデブリの除去を可能とすることを含む、方法。
２７． 材料は、第１の状態であって変換される前に、光表面に隣接している、条項２６に記載の方法。
２８． チャンバ内の光表面に隣接した位置で電流を誘導することは、チャンバ内の光学系の近傍で時変磁界を生成することを含む、条項２６に記載の方法。
２９． チャンバ内で時変磁界を生成することは、光表面の外周の外側に配置されている導電体に時変電流を流すことを含む、条項２８に記載の方法。
３０． プラズマ状態の材料を光表面全体へ移動させて光表面からのデブリの除去を可能とすることは酸素の存在なしで実行される、条項２６に記載の方法。
３１． プラズマ状態の材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含む、条項２６に記載の方法。
３２． 光学表面からデブリを除去することは、材料のフリーラジカルを光表面上のデブリと化学的に反応させて、光表面から解放される化学物質を形成することを含み、方法は更にＥＵＶチャンバから解放された化学物質を除去することを含む、条項２６に記載の方法。
３３． 光表面から解放される化学物質が水素化スズを含むように、フリーラジカルは水素のフリーラジカルであると共に光表面上のデブリはスズを含む、条項３２に記載の方法。
３４． 真空チャンバ内の材料は真空チャンバ内でネイティブであり真空チャンバ内に存在する、条項２６に記載の方法。

[000112] 他の実施は以下の特許請求の範囲の範囲内である。

Claims (34)

1. 極端紫外線（ＥＵＶ）光源のチャンバ内の光学系の表面を洗浄する方法であって、前記チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持され、前記方法は、
   前記光表面に隣接した前記チャンバ内の位置においてプラズマ状態の材料を発生させることを含み、前記発生させることは、前記真空チャンバ内で前記光表面に隣接してすでに存在しているネイティブ材料を第１の状態からプラズマ状態に変換することを含み、
   前記材料の前記プラズマ状態は前記材料のフリーラジカルを含み、
   前記プラズマ状態の前記材料を発生させることは、前記プラズマ状態の前記材料を前記光表面全体へ移動させて、前記ＥＵＶ光源から前記光学系を取り出すことなく前記光表面からのデブリの除去を可能とすることを含む、方法。
2. 前記プラズマ状態の前記材料を発生させることは、前記チャンバ内の前記光表面に隣接した前記位置で電流を電磁誘導することを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記チャンバ内の前記光表面に隣接した前記位置で前記電流を誘導することは、前記チャンバ内の前記光学系の近傍で時変磁界を生成することを含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記チャンバ内で前記時変磁界を生成することは、前記光表面の外周の外側に配置されている導電体に時変電流を流すことを含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記プラズマ状態の前記材料を前記光表面全体へ移動させて前記光表面からのデブリの除去を可能とすることは酸素の存在なしで実行される、請求項１に記載の方法。
6. 前記プラズマ状態の前記材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記光学表面からデブリを除去することは、前記材料のフリーラジカルを前記光表面上の前記デブリと化学的に反応させて、前記光表面から解放される化学物質を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記ＥＵＶチャンバから前記解放された化学物質を除去することを更に含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記光表面から解放される前記化学物質が水素化スズを含むように、前記フリーラジカルは水素のフリーラジカルであると共に前記光表面上の前記デブリはスズを含む、請求項７に記載の方法。
10. 前記光表面から前記デブリを除去することは、前記光表面全体にわたって少なくとも１ナノメートル／分の速度で前記光表面から前記デブリをエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
11. 極端紫外線（ＥＵＶ）光源であって、
    大気圧よりも低い圧力に保持されたＥＵＶチャンバと、
    前記真空チャンバ内の相互作用領域の方へターゲットを誘導するターゲットデリバリシステムであって、前記相互作用領域は増幅光ビームを受光し、前記ターゲットは、プラズマに変換された場合に極端紫外線光を放出する物質を含む、ターゲットデリバリシステムと、
    前記放出された極端紫外線光の少なくとも一部と相互作用する表面を含む光コレクタと、
    前記光コレクタ表面に隣接し、前記ＥＵＶチャンバから前記コレクタを取り出すことなく前記光コレクタ表面からデブリを除去するよう構成された洗浄装置であって、前記光コレクタ表面に隣接した前記ＥＵＶチャンバ内のプラズマジェネレータを含み、前記プラズマジェネレータは、前記ＥＵＶチャンバ内で前記光コレクタ表面に隣接して第１の状態ですでに存在しているネイティブ材料から、前記光コレクタ表面に隣接した位置でプラズマ状態のプラズマ材料を発生させ、前記プラズマ材料は前記光コレクタ表面上の前記デブリと化学的に反応するフリーラジカルを含む、洗浄装置と、
    を備えるシステム。
12. 前記光コレクタの前記表面は反射面であり、前記光コレクタ表面と前記放出された極端紫外線光との前記相互作用は、前記光コレクタ表面からの前記放出された極端紫外線光の反射を含む、請求項１１に記載のシステム。
13. 前記プラズマジェネレータは前記光コレクタ表面に隣接して配置された導電体を含み、前記導電体は電源に接続され、前記電源は、前記導電体を介して時変電流を供給することによって、前記光コレクタ表面に隣接した時変磁界を生成すると共に前記光コレクタ表面に隣接した前記位置で電流を誘導し、
    前記誘導された電流は、前記ＥＵＶチャンバ内に前記第１の状態ですでに存在するネイティブ材料から前記光コレクタ表面に隣接した前記位置で前記プラズマ状態の前記材料を発生させるのに充分な大きさである、請求項１１に記載のシステム。
14. 前記導電体は前記光コレクタ表面の形状と一致する形状である、請求項１３に記載のシステム。
15. 前記プラズマジェネレータは前記導電体を少なくとも部分的に包囲する誘電材料を含む、請求項１３に記載のシステム。
16. 前記誘電材料は前記導電体の少なくとも一部を包囲する管を含む、請求項１５に記載のシステム。
17. 前記管は前記導電体の一部に接触している、請求項１６に記載のシステム。
18. 前記導電体は前記光コレクタ表面のエッジにおけるリムの形状と一致する形状である、請求項１４に記載のシステム。
19. 前記光コレクタ表面は楕円形状であり、前記導電体は前記光コレクタ表面の円周よりも大きい直径を有する円形を含む、請求項１３に記載のシステム。
20. 前記チャンバ内に前記第１の状態ですでに存在する前記ネイティブ材料は水素を含み、前記プラズマ状態の前記材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含む、請求項１１に記載のシステム。
21. 前記フリーラジカルと前記光コレクタ表面上の前記デブリとの前記化学反応は、前記光コレクタ表面から解放される化学物質を形成する、請求項１１に記載のシステム。
22. 前記ＥＵＶチャンバから前記解放された化学物質を除去するように構成された除去装置を更に備える、請求項２１に記載のシステム。
23. 前記光コレクタ表面から解放される前記化学物質が水素化スズを含むように、前記フリーラジカルは水素のフリーラジカルであると共に前記光コレクタ表面上の前記デブリはスズを含む、請求項２１に記載のシステム。
24. 前記光コレクタ表面からの前記デブリは、前記光コレクタ表面全体にわたって少なくとも１ナノメートル／分の速度で前記フリーラジカルによってエッチングで除去される、請求項２１に記載のシステム。
25. 前記洗浄装置は誘導結合プラズマ源を含む、請求項１１に記載のシステム。
26. 極端紫外線（ＥＵＶ）光源のチャンバ内の光学系の表面を洗浄する方法であって、前記チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持され、前記方法は、
    前記光表面に隣接した前記チャンバ内の位置においてプラズマ状態の材料を発生させることを含み、前記発生させることは、
    前記チャンバ内の前記光表面に隣接した前記位置で電流を電磁誘導することにより、前記真空チャンバ内の材料を第１の状態から前記プラズマ状態に変換することを含み、
    前記材料の前記プラズマ状態は前記材料のフリーラジカルを含み、
    前記プラズマ状態の前記材料を発生させることは、前記プラズマ状態の前記材料を前記光表面全体へ移動させて、前記ＥＵＶ光源から前記光学系を取り出すことなく前記光表面からのデブリの除去を可能とすることを含む、方法。
27. 前記材料は、前記第１の状態であって変換される前に、前記光表面に隣接している、請求項２６に記載の方法。
28. 前記チャンバ内の前記光表面に隣接した前記位置で前記電流を誘導することは、前記チャンバ内の前記光学系の近傍で時変磁界を生成することを含む、請求項２６に記載の方法。
29. 前記チャンバ内で前記時変磁界を生成することは、前記光表面の外周の外側に配置されている導電体に時変電流を流すことを含む、請求項２８に記載の方法。
30. 前記プラズマ状態の前記材料を前記光表面全体へ移動させて前記光表面からのデブリの除去を可能とすることは酸素の存在なしで実行される、請求項２６に記載の方法。
31. 前記プラズマ状態の前記材料は、少なくとも、水素のイオン、電子、及びフリーラジカルを含む、請求項２６に記載の方法。
32. 前記光学表面からデブリを除去することは、前記材料のフリーラジカルを前記光表面上の前記デブリと化学的に反応させて、前記光表面から解放される化学物質を形成することを含み、前記方法は更に前記ＥＵＶチャンバから前記解放された化学物質を除去することを含む、請求項２６に記載の方法。
33. 前記光表面から解放される前記化学物質が水素化スズを含むように、前記フリーラジカルは水素のフリーラジカルであると共に前記光表面上の前記デブリはスズを含む、請求項３２に記載の方法。
34. 前記真空チャンバ内の前記材料は前記真空チャンバ内でネイティブであり前記真空チャンバ内に存在する、請求項２６に記載の方法。

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