JP6685914B2 - Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法 - Google Patents

Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6685914B2
JP6685914B2 JP2016551259A JP2016551259A JP6685914B2 JP 6685914 B2 JP6685914 B2 JP 6685914B2 JP 2016551259 A JP2016551259 A JP 2016551259A JP 2016551259 A JP2016551259 A JP 2016551259A JP 6685914 B2 JP6685914 B2 JP 6685914B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive
conductive member
conductive surface
euv
electrically
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016551259A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017515136A (ja
JP2017515136A5 (ja
Inventor
イーゴレヴィッチ エルショフ，アレクサンダー
イーゴレヴィッチ エルショフ，アレクサンダー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2017515136A publication Critical patent/JP2017515136A/ja
Publication of JP2017515136A5 publication Critical patent/JP2017515136A5/ja
Priority to JP2020066317A priority Critical patent/JP6944565B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6685914B2 publication Critical patent/JP6685914B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/18—Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0006—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 with means to keep optical surfaces clean, e.g. by preventing or removing dirt, stains, contamination, condensation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
    • H01J37/32339—Discharge generated by other radiation using electromagnetic radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/335—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Lenses (AREA)

Description

［関連出願の相互参照］
[0001] 本出願は、２０１４年３月１８日に出願された米国特許出願第１４／２１８，７０７号に対する優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本開示は、ターゲット材料から作り出され、かつ、例えば、リソグラフィスキャナ／ステッパによるＥＵＶ光源チャンバ外での利用のためにＥＵＶ光学部品によって集光されて中間領域に誘導される、プラズマからのＥＵＶ光を提供する極端紫外線（「ＥＵＶ」）光源に関する。
[0003] リソグラフィは、半導体装置の製造において使用される。リソグラフィでは、「フォトレジスト」と呼ばれる光感受性材料でシリコン等のウェーハ基板をコーティングする。フォトレジストがマスクから反射された光で露光されることによりマスクの像を再現することができ、このマスク像を使用してウェーハ上にパターンが画定される。ウェーハとマスクとが照明されると、フォトレジストは化学反応を起こし、その後、現像されてウェーハ上にマスクの複製されたパターンを形成する。
[0004] およそ５０ｎｍ以下の波長を有する電磁放射線（軟Ｘ線とも呼ばれる）等の極端紫外線（「ＥＵＶ」）光であって、約１１ｎｍ〜約１５ｎｍの範囲の波長、例えば、１３．５ｎｍの波長の光を含むＥＵＶ光は、これをフォトリソグラフィープロセスに用いてシリコンウェーハ等の基板内に極めて小さいフィーチャを形成することができる。ここで、「光」との用語は、スペクトルの可視部分にあるかどうかを問わない電磁放射線を包含するものとして使用されることが本明細書およびその他の箇所で理解されるだろう。
[0005] ＥＵＶ光は、所望の波長で効率よく放射する小さな高温プラズマを用いて生成することができる。そのようなプラズマは、真空チャンバ内で、通常、ターゲット材料を通してパルス放電を駆動させるか（放電生成プラズマまたは「ＤＰＰ」）、または、ターゲット材料上にパルスレーザビームの焦点を合わせる（レーザ生成プラズマまたは「ＬＰＰ」）ことによって作り出すことができる。ターゲット材料は、スペクトルのＥＵＶ部分に１以上の輝線を有する少なくとも１種の元素、例えば、キセノン、リチウムまたはスズを含むことが好ましい。プラズマによって生成された光は、その後、近傍のミラー等のＥＵＶ光学部品によって集光され、下流へと送られリソグラフィツールの残りの部分へと向けられる。
[0006] 高温プラズマは、例えば、放電源の電極や、レーザ生成プラズマにおけるガス供給システムコンポーネント等の近傍にある物質を腐食しやすい。腐食された物質がＥＵＶ光学部品を覆うことにより、反射率の低下が生じ、リソグラフィに使用可能な光の量が減少する場合がある。また、未気化のターゲット材料というデブリによってＥＵＶ光学部品の表面が汚染される可能性もある。そのため、ＥＵＶ光学部品の表面を洗浄することが必要になる。公知のＥＵＶ光学部品洗浄技術としては、高周波ＲＦ電界により発生するプラズマ、すなわち、ＲＦプラズマを使用するものがある。しかし、プラズマ洗浄を実際に実施する場合、大きな技術的問題が生じる。現実のＬＰＰ放射源の空間的制約により、ＥＵＶ集光角の望ましくない低下や、ＲＦプラズマを作り出すために新たに導入されるコンポーネントから散乱するデブリといった、放射源のその他の機能に対するマイナスの影響を引き起こすことなくプラズマ洗浄を実施することは極めて難しい。
[0007] 上記に鑑み、本出願人は、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源の光学部品を洗浄するためのシステムおよび方法を開示する。
[0008] 以下は、１つまたは複数の実施形態の簡単な概要であって、当該実施形態の基本的な理解をもたらすための概要である。この概要は、想定される全ての実施形態を幅広く概説するものではなく、全ての実施形態の主たる要素または決定的要素を特定することを意図しておらず、いかなる実施形態についてもその範囲を描写することを意図していない。以降に提示されるより詳細な説明の導入部として、１つまたは複数の実施形態のいくつかの概念を簡略的に提示することのみを目的としている。
[0009] 一態様によれば、導電性表面と、この導電性表面に隣接して配置され、かつこの導電性表面と電気的に結合された導電性部材とを有するＥＵＶ光学要素であって、ＲＦ出力が導電性部材に供給されると、導電性表面の少なくとも一部分から汚染物質を取り除くことが可能なプラズマが生成されるように導電性表面と導電性部材とが互いに配置されたＥＵＶ光学要素が提供される。導電性部材は、導電性表面にＲＦエネルギーを結合することができるように導電性表面に対して十分近接しており、導電性表面に物理的に接触していてもよい。導電性部材には、無線周波数駆動回路を含む電源が電気的に接続され得る。
[0010] 導電性部材はプレート状であってよく、導電性表面の形状に合致するような形状であってよい。導電性表面は中央開口を有する円形であってよく、この場合、導電性部材は、中央開口を除く導電性表面の直径にわたって広がり得る。また、導電性表面は、オブスキュレーション領域を有してよく、この場合、導電性部材はオブスキュレーション領域内に位置決めされてよい。
[0011] 上記の装置はさらにシールドを含んでよく、このシールドは、導電性表面がシールドと導電性部材との間に置かれるように位置決めされる。このシールドは電気的に接地接続されてよい。
[0012] 別の態様によれば、円形であり、かつ中央開口を有する、極端紫外線光学要素の導電性ミラー表面と、このミラー表面に隣接して配置され、かつミラー表面に電気的に結合された電極プレートであって、ミラー表面の隣接部分の形状に合致し、かつ中央開口を除くミラー表面にわたって広がり、ミラー表面の上記隣接部分はミラー表面のオブスキュレーション領域である、電極プレートとが提供される。
[0013] 別の態様によれば、ＲＦ駆動回路と、ＥＵＶ生成プラズマからの放射の焦点を合わせるように配置されたコレクタミラーの導電性表面を含むＲＦ電極と、導電性表面の一部分に近接して配置された導電性部材であって、ＲＦ駆動回路と電気的に接続され、導電性表面にＲＦエネルギーを結合させるように配置された導電性部材と、を備える極端紫外線生成モジュールが提供される。
[0014] 別の態様によれば、ＥＵＶ光源における導電性ミラー表面の洗浄方法が提供され、この導電性表面には導電性部材が取り付けられており、該方法は、導電性部材にＲＦ出力を供給するステップと、導電性部材からのＲＦ出力を導電性ミラー表面に結合させて、導電性ミラー表面に容量結合ＲＦプラズマを生成することで導電性ミラー表面を洗浄するステップと、を含む。
[0015] 別の態様によれば、放射ビームを生成するための照明システムと、放射ビームにパターンを付与するパターニングデバイスを放射ビームの経路内で支持するための支持構造と、基板を支持するための支持テーブルと、基板上に上記パターンを投影するように適合された投影システムと、を備える装置が提供され、この照明システムは、導電性表面と、この導電性表面に隣接して配置され、かつこの導電性表面と電気的に結合された導電性部材とを有するＥＵＶ光学要素を備え、導電性表面と導電性部材とは、ＲＦ出力が導電性部材に供給されると、導電性表面の少なくとも一部分から汚染物質を取り除くことが可能なプラズマが生成されるように互いに配置される。
[0016] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィシステムを示す。 [0017] 図２は、図１のリソグラフィシステムにおいて使用することができるような放射源の一実施形態を示す。 [0018] 図３は、図２の放射源において使用することができるようなＥＵＶ光学部品の一実施形態を示す。 [0019] 図４も、図２の放射源において使用することができるようなＥＵＶ光学部品の一実施形態を示す。
[0020] 以下、図面を参照して様々な実施形態について説明する。これらの図面において、同じ参照番号は、全体を通して、同じ要素を意味するように使用される。以下の記述では、１つまたは複数の実施形態の十分な理解を促すために数多くの詳細な事項が説明を目的として記載される。ただし、いくつかの場合、または全ての場合において、以下に記載されるいずれの実施形態も、以下に記載される特定の詳細な設計事項を採用することなく実施できることが明らかであろう。また場合により、１つまたは複数の実施形態の説明の便宜上、周知の構造および装置がブロック図の形式で示されることもある。
[0021] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。
このリソグラフィ装置は、放射ビームＢを調整するように構成された照明システム（照明システム）ＩＬを備える。また、このリソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折または反射投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。
[0022] 照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0023] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
[0024] 図１を参照すると、照明システムＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯおよび照明システムＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0025] 照明システムＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタを含むことができる。一般に、照明システムの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、照明システムＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。照明システムを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[0026] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
[0027] 図２は、図１のリソグラフィ装置において使用することができるような放射源ＳＯの一実施形態をより詳細に示している。この放射源ＳＯは、プラズマ形成部位または照射領域２８で形成されるプラズマからＥＵＶ放射を発生させる。プラズマは、液滴ジェネレータ９０によって発生した、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇｄまたはその他の好適な材料の液滴にレーザビームを誘導することによって作り出される。レーザビームが液滴を気化させることでプラズマが生成される。すでに述べたように、このタイプの放射源は、レーザ生成プラズマ放射源またはＬＰＰ放射源と呼ばれることもある。ＬＰＰ光源ＳＯは、光パルス列を生成し、これら光パルスをチャンバ２６内に供給するためのシステム２２を含んでよい。以下で詳細に示す通り、各光パルスは、システム２２からビーム経路に沿って進み、チャンバ２６内に入って照射領域２８にあるそれぞれのターゲット液滴を照明するものであってよい。なお、本明細書において使用される「照射領域」とは、放射源材料の照射を起こすための領域であり、実際に照射が生じていない場合であっても照射領域と呼ぶことに留意されたい。
[0028] 図２に示すシステムＳＯで好適に使用されるレーザとしては、例えば、ＤＣまたはＲＦ励起によって９．３μｍまたは１０．６μｍの放射を生成する、比較的高出力（例えば、１０ｋＷ以上）かつ高パルス繰り返し数（例えば、５０ｋＨｚ以上）で動作するパルスガス放電ＣＯ2レーザ装置などのパルスレーザ装置が挙げられる。特定の一実施において、上記レーザは、複数の増幅段を有する発振器−増幅器構成（例えば、主発振器／出力増幅器（ＭＯＰＡ））または出力発振器／出力増幅器（ＰＯＰＡ））を有し、比較的低エネルギーかつ高繰り返し数、例えば、１００ｋＨｚでの動作が可能なＱスイッチ式発振器によって開始されるシードパルスを有する軸流ＲＦポンプ式ＣＯ2レーザとすることができる。発振器を出た後、レーザパルスは、照射領域２８に達する前に増幅、整形および／または集束され得る。連続ポンプ式ＣＯ2増幅器をシステムＳＯに使用することもできる。例えば、１台の発振器と３台の増幅器（Ｏ−ＰＡ１−ＰＡ２−ＰＡ３構成）を有する好適なＣＯ2レーザ装置が、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる２００８年１０月２１日発行の米国特許第７，４３９，５３０号に開示されている。また、上記レーザは、液滴が光共振器の１つのミラーとして機能する、いわゆる「自己ターゲット式」レーザシステムとして構成されてもよい。いくつかの「自己ターゲット式」配置では発振器が不要となる場合がある。「自己ターゲット式」レーザシステムは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる２００９年２月１７日発行の米国特許第７，４９１，９５４号に開示され、同特許においてクレームされている。
[0029] 用途に応じて、その他のタイプのレーザ、例えば、高出力かつ高パルス繰り返し数で動作するエキシマレーザまたはフッ素分子レーザ等が好適となる場合もある。その他の例としては、例えば、ファイバー状、ロッド状、スラブ状またはディスク状の活性媒体を有する固体レーザや、例えば、１つの発振器チャンバと１つ以上の（並列または直列に配置された）増幅チャンバといった、１つ以上のチャンバを有するその他のレーザアーキテクチャ、主発振器／出力発振器（ＭＯＰＯ）配置、主発振器／出力リング増幅器（ＭＯＰＲＡ）配置が挙げられ、また、１以上のエキシマ、フッ素分子またはＣＯ2の増幅器または発振器チャンバにシードを与える固体レーザが好適となる場合もある。その他の設計が好適である場合もある。
[0030] 図２にさらに示されるように、ＥＵＶ光源ＳＯは、チャンバ２６内部の照射領域２８にターゲット材料の液滴を供給するターゲット材料供給システム２４を含んでよく、この照射領域２８において、液滴は、例えば、ゼロ、１またはそれ以上のプレパルスとその後に続く１またはそれ以上の主パルスといった、１またはそれ以上の光パルスと相互作用し、最終的にプラズマを生成してＥＵＶ発光を発生させる。スズ、リチウム、キセノン等のＥＵＶ発光元素は、液体の液滴および／または液体の液滴に含まれる固体粒子の形態であってよい。例えば、スズ元素は、純スズとして使用されても、ＳｎＢｒ4、ＳｎＢｒ2、ＳｎＨ4等のスズ化合物として使用されても、スズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金等のスズ合金として使用されても、これらの組み合わせとして使用されてもよい。使用する材料によって、ターゲット材料は、室温または室温に近い温度を含む様々な温度で（スズ合金、ＳｎＢｒ4等）、または高温で（純スズ等）、または室温より低い温度（ＳｎＨ4等）で照射領域２８に置かれ、場合によっては、ターゲット材料は比較的揮発性の材料、例えば、ＳｎＢｒ4とすることができる。ＬＰＰ・ＥＵＶ光源におけるこれらの材料の使用についての詳細は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる２００８年１２月１６日発行の米国特許第７，４６５，９４６号に書かれている。場合によっては、ターゲット材料が照射領域２８に向かう方向に、または照射領域２８から離れる方向に誘導されるように、ターゲット材料に電荷がかけられる。
[0031] 続けて図２を参照すると、光源ＳＯは、ＥＵＶ光学部品３０のような、１つまたは複数のＥＵＶ光学要素をさらに含んでよい。ＥＵＶ光学部品３０は、例えば、多層ミラー（ＭＬＭ）、すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜でコーティングされたＳｉＣ基板の各界面に追加の薄膜バリア層を堆積させて熱誘導層間拡散を効果的に防止したものとして実現される、法線入射リフレクタの形態のコレクタミラーであってよい。その他の基板材料、例えば、ＡｌまたはＳｉを使用することもできる。ＥＵＶ光学部品３０は、レーザ光を通過させて照射領域２８に到達させるための開口３５を有する長楕円形であってよい。ＥＵＶ光学部品３０は、例えば、照射領域２８に第１の焦点を持つとともに、いわゆる中間点４０（中間焦点４０とも呼ばれる）に第２の焦点を持つ楕円形状であってもよく、ＥＵＶ光はＥＵＶ光源ＳＯから出力され、例えば、上述のような集積回路リソグラフィツールに入力され得る。
[0032] すでに述べたように、ＥＵＶ光学部品の表面は、時間の経過とともに、ＬＰＰプロセスからの残留物、例えば、コンポーネントのプラズマ浸食による生成物、未気化のターゲット材料、およびその他の可能性のある汚染物質源などによって覆われるようになる。そのため、ＥＵＶ光学部品３０を、好ましくはその場で洗浄するための手段を設ける必要がある。ＲＦプラズマを使用してＥＵＶ光学部品３０の表面から汚染物質をエッチング処理することが知られているが、実際には、ＲＦプラズマを作り出すための追加のコンポーネントを導入することは既に概説したような追加の問題を引き起こす。したがって、追加のコンポーネントを最小限に抑えてプラズマ洗浄を実現できることが望ましい。本発明では、ＥＵＶ光学部品３０自体の導電性表面を、容量結合ＲＦプラズマを発生させるシステムのための電極として使用することでこれを達成している。
[0033] そのような構成を図３に示す。同図は、本発明の現時点での好適な一実施形態に係るＥＵＶ光学部品３０の平面図である。図３の実施形態では、ＥＵＶ光学部品３０の一例としてコレクタミラーが使用されているが、本発明の原理はその他の種類のＥＵＶ光学部品にも同様に適用可能であることが当業者であれば理解されるだろう。ＥＵＶ光学部品３０は中央開口３５を有し、レーザ放射はこの開口を通過して照射領域２８（図３においては不図示）まで進む。図３は、ＥＵＶ光学部品３０のオブスキュレーション領域３８も示している。図３の実施形態において、ＥＵＶ光学部品３０の導電性表面は、ＥＵＶ光学部品３０の表面の汚染物質を洗浄することとなる容量結合ＲＦプラズマ生成のための電極として使用される。
[0034] そのため、図３に示す実施形態は、ＥＵＶ光学部品３０の導電性表面にＲＦ出力を結合させるための導電性部材も含む。図３の例では、電極プレートがそのような導電性部材となっている。なお、要素４２は電極プレートと呼ばれるが、ここで使用される「プレート」との用語は、その形状にかかわらず１片の導電材料を広く意味していることに留意されたい。電極プレート４２は、ＥＵＶ光学部品３０の表面のうちオブスキュレーション領域３８の部分に位置していることが好ましい。中央開口３５は、主たるＥＵＶ生成プラズマを生成するレーザビームが通過できるように開放されていなければならないため、電極プレート４２は、かかる中央開口３５を除いたオブスキュレーション領域３８にわたって広がることが好ましい。
[0035] この配置において、ＥＵＶ光学部品３０自体の表面が、容量結合プラズマを生成するための電源電極として使用される。図４に示すように、ＥＵＶ３０の表面へのＲＦ出力は、ＲＦ供給路４５を通じて供給される。図４はまた、ＲＦ電源５０およびＲＦマッチング回路５２も示している。ＥＵＶ光学部品が多層コレクタミラーとして実施される場合、ＲＦ供給路４５は開口４７を通ってコレクタ基板内に入る。図４にはそのような開口が２つ示されているが、任意の好適な数の開口を使用してよい。
[0036]
各ＲＦ供給路４５は、それぞれの開口４７を通って電極プレート４２に接続される。電極プレート４２は、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｌといった好適な導電材料からなることが好ましい。また、電極プレート４２は、ＥＵＶ３０の表面の形状に合致することが好ましく、ＥＵＶ光学部品３０の表面に接触することが好ましい。ただし、電極プレート４２は、ＥＵＶ光学部品３０の導電性表面に実際に触れている必要はないことに留意されたい。電極プレート４２は、ＥＵＶ光学部品３０の表面にＲＦ出力を結合できるようにＥＵＶ光学部品３０の導電性表面に十分近接していればよい。
[0037] 電極プレート４２は、中央開口３５を除く、ＥＵＶ光学部品３０の直径全体にわたって広がることが好ましい。電極プレート４２の厚さは、好ましくは、約１ｍｍ〜約２０ｍｍの範囲である。電極プレート４２の幅は、好ましくは、約１ｍｍ〜４０ｍｍの範囲である。その他の寸法の電極プレート４２も可能である。すでに述べたように、電極プレート４２は、ＥＵＶ光学部品３０の水平オブスキュレーション領域全体に位置していることが好ましい。
[0038] 使用時、電極プレート４２は、ＲＦ出力の良好な導体であるＥＵＶ光学部品３０の表面にＲＦエネルギーを結合する。すると、ＥＵＶ光学部品３０の表面は、その表面全体にＲＦ出力を分配することで、ターゲット材料デブリのような汚染物質を表面から洗浄する。ＲＦ出力電源は、約１００Ｗ〜約１０００Ｗの範囲の出力量を供給することが好ましい。
[0039] 図４にはシールド部材４９も示されている。シールド部材４９は、接地された「暗」シールドであって、ＥＵＶ光学部品３０の背後のエリア、すなわち、ＥＵＶ光学部品の照射領域２８に対向しない側でプラズマにぶつかることを避けるために設けられたシールドである。
[0040] 上述の説明は、１つまたは複数の実施形態の例示を含んでいる。当然のことながら、上述の実施形態を説明するために、それぞれの部品やそれぞれの方法の考えられ得る全ての組み合わせについて説明することは不可能であるが、当業者であれば、さまざまな実施形態の数多くの別の組み合わせや置き換えが可能であることが認識されるだろう。したがって、説明された実施形態は、添付の特許請求の範囲の精神とその範囲に該当するそのような全ての改変、修正および変更を包含することが意図される。さらに、「含む（includes）」との用語は、詳細な説明または請求項において使用される限り、「備える（comprising）」との用語が請求項における移行語として使用される場合の解釈と同様に、包括的な意味であることが意図されている。また、記載された態様および／または実施形態の各要素は、単数形で記載されている場合であっても、単数形との限定が明示されていない限り複数形も想定される。さらに、別段の記載がない限り、いずれの態様および／または実施形態も、その全部または一部が、他の任意の態様および／または実施形態の全部または一部とともに使用され得る。

Claims (9)

  1. 導電性表面を有するＥＵＶ光学要素と、
    前記導電性表面に隣接して配置された導電性部材と、を備え、
    前記導電性表面と前記導電性部材とは、ＲＦ出力が前記導電性部材に供給されると、前記導電性表面と前記導電性部材との間に、前記導電性表面の少なくとも一部分から汚染物質を取り除くことが可能なプラズマが生成されるように互いに近接して配置され、
    前記導電性表面はオブスキュレーション領域を有し、前記導電性部材は、前記オブスキュレーション領域内に位置決めされる、極端紫外線生成装置。
  2. 前記導電性部材に電気的に接続された電源をさらに備え、前記電源は、無線周波数駆動回路を備える、請求項１に記載の極端紫外線生成装置。
  3. 前記導電性表面は、円形であり、かつ中央開口を有し、前記導電性部材は、前記中央開口を除く前記導電性表面の直径に沿って線状に形成される、請求項１に記載の極端紫外線生成装置。
  4. ＥＵＶ光学要素は、電気絶縁性表面と導電性表面とを含む、請求項１に記載の極端紫外線生成装置。
  5. 前記ＥＵＶ光学要素の導電性表面の背後のエリアをシールドするシールドをさらに備え、前記シールドは、前記導電性表面が前記シールドと前記導電性部材との間に置かれるように位置決めされる、請求項１に記載の極端紫外線生成装置。
  6. 前記シールドは、電気的に接地接続される、請求項５に記載の極端紫外線生成装置。
  7. 極端紫外線生成モジュールであって、
    ＲＦ駆動回路と
    ＥＵＶ生成プラズマからの放射の焦点を合わせるように配置されたコレクタミラーの導電性表面を含むＲＦ電極と、
    前記導電性表面の一部分に隣接して配置された導電性部材であって、前記ＲＦ駆動回路と電気的に接続された導電性部材と、を備え、
    前記導電性表面と前記導電性部材とは、ＲＦ出力が前記導電性部材に供給されると、前記導電性表面と前記導電性部材との間に、前記導電性表面の少なくとも一部分から汚染物質を取り除くことが可能なプラズマが生成されるように互いに近接して配置され、
    前記導電性表面はオブスキュレーション領域を有し、前記導電性部材は、前記オブスキュレーション領域内に位置決めされる、
    極端紫外線生成モジュール。
  8. ＥＵＶ光源における導電性ミラー表面の洗浄方法であって、前記導電性ミラー表面に近接して導電性部材が配置されており、前記洗浄方法は、
    前記導電性部材にＲＦ出力を供給するステップと、
    前記導電性部材と前記導電性ミラー表面との間に容量結合ＲＦプラズマを生成することで前記導電性ミラー表面を洗浄するステップと、を含み、
    前記導電性ミラー表面はオブスキュレーション領域を有し、前記導電性部材は、前記オブスキュレーション領域内に位置決めされる、
    方法。
  9. 放射ビームを生成するための照明システムと、
    前記放射ビームにパターンを付与するパターニングデバイスを前記放射ビームの経路内で支持するための支持構造と、
    基板を支持するための支持テーブルと、
    前記パターンを前記基板上に投影するように適合された投影システムと、を備え、
    前記照明システムは、導電性表面と、前記導電性表面に隣接して配置された導電性部材とを有するＥＵＶ光学要素を備え、前記導電性表面と前記導電性部材とは、ＲＦ出力が前記導電性部材に供給されると、前記導電性表面と前記導電性部材との間に、前記導電性表面の少なくとも一部分から汚染物質を取り除くことが可能なプラズマが生成されるように互いに近接して配置され、
    前記導電性表面はオブスキュレーション領域を有し、前記導電性部材は、前記オブスキュレーション領域内に位置決めされる、
    装置。
JP2016551259A 2014-03-18 2015-03-05 Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法 Active JP6685914B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020066317A JP6944565B2 (ja) 2014-03-18 2020-04-01 Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/218,707 US9539622B2 (en) 2014-03-18 2014-03-18 Apparatus for and method of active cleaning of EUV optic with RF plasma field
US14/218,707 2014-03-18
PCT/EP2015/054588 WO2015139964A1 (en) 2014-03-18 2015-03-05 Apparatus for and method of active cleaning of euv optic with rf plasma field

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020066317A Division JP6944565B2 (ja) 2014-03-18 2020-04-01 Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017515136A JP2017515136A (ja) 2017-06-08
JP2017515136A5 JP2017515136A5 (ja) 2019-12-19
JP6685914B2 true JP6685914B2 (ja) 2020-04-22

Family

ID=52627218

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016551259A Active JP6685914B2 (ja) 2014-03-18 2015-03-05 Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法
JP2020066317A Active JP6944565B2 (ja) 2014-03-18 2020-04-01 Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020066317A Active JP6944565B2 (ja) 2014-03-18 2020-04-01 Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9539622B2 (ja)
JP (2) JP6685914B2 (ja)
KR (1) KR102397027B1 (ja)
CN (2) CN106104383B (ja)
WO (1) WO2015139964A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111266368B (zh) * 2020-01-20 2020-09-22 哈尔滨工业大学 一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法
KR20220132731A (ko) 2021-03-23 2022-10-04 삼성전자주식회사 극자외선 광원 시스템의 컬렉터 세정 방법
KR20220132302A (ko) 2021-03-23 2022-09-30 삼성전자주식회사 Euv 컬렉터 검사 장치 및 검사 방법
CN114200778A (zh) * 2021-06-25 2022-03-18 四川大学 一种极紫外光刻机lpp光源收集镜的等离子体原位清洗结构

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
EP1429189B1 (en) * 2002-12-13 2008-10-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116394B2 (en) * 2002-12-20 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system
US8075732B2 (en) * 2004-11-01 2011-12-13 Cymer, Inc. EUV collector debris management
TWI305296B (en) * 2004-07-27 2009-01-11 Cymer Inc Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an euv light source
US8317929B2 (en) * 2005-09-16 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising an electrical discharge generator and method for cleaning an element of a lithographic apparatus
US7989786B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-02 Energetiq Technology, Inc. Laser-driven light source
WO2008107166A1 (de) 2007-03-07 2008-09-12 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum reinigen einer euv-lithographievorrichtung, verfahren zur messung der restgasatmosphäre bzw. der kontamination sowie euv-lithographievorrichtung
JP5341071B2 (ja) * 2007-06-12 2013-11-13 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Ｅｕｖ光学部品に低下した反射率を高めるための処理をその場で施す光学装置及び方法
DE102007033701A1 (de) * 2007-07-14 2009-01-22 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Anordnung zur Reinigung von optischen Oberflächen in plasmabasierten Strahlungsquellen
US7894037B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036769A1 (nl) * 2008-04-23 2009-10-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, cleaning system and method for cleaning a patterning device.
JP2010123929A (ja) * 2008-10-24 2010-06-03 Gigaphoton Inc 極端紫外光光源装置
NL2003610A (en) * 2008-12-22 2010-06-23 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, a radiation system, a device manufacturing method and a radiation generating method.
US8173985B2 (en) * 2009-12-15 2012-05-08 Cymer, Inc. Beam transport system for extreme ultraviolet light source
US8000212B2 (en) * 2009-12-15 2011-08-16 Cymer, Inc. Metrology for extreme ultraviolet light source
JP5705592B2 (ja) * 2010-03-18 2015-04-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2012031841A1 (en) * 2010-09-08 2012-03-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, euv radiation generation apparatus and device manufacturing method
US8822949B2 (en) * 2011-02-05 2014-09-02 Ionsense Inc. Apparatus and method for thermal assisted desorption ionization systems
US8399868B2 (en) * 2011-02-15 2013-03-19 Sematech Inc. Tools, methods and devices for mitigating extreme ultraviolet optics contamination
US9516730B2 (en) * 2011-06-08 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source
EP2732558B1 (en) * 2011-07-13 2019-03-06 USHIO Denki Kabushiki Kaisha Power supply for a discharge produced plasma euv source
WO2013072154A1 (en) * 2011-11-15 2013-05-23 Asml Netherlands B.V. Radiation source and method for operating the same, lithographic apparatus comprising the radiation source, and device manufacturing method
JP6170928B2 (ja) * 2012-09-18 2017-07-26 ギガフォトン株式会社 スラブ型増幅器、それを含むレーザ装置および極短紫外光生成装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015139964A1 (en) 2015-09-24
JP2017515136A (ja) 2017-06-08
CN110058494A (zh) 2019-07-26
JP2020122973A (ja) 2020-08-13
CN110058494B (zh) 2021-09-03
CN106104383B (zh) 2019-03-19
JP6944565B2 (ja) 2021-10-06
US20150266067A1 (en) 2015-09-24
CN106104383A (zh) 2016-11-09
KR102397027B1 (ko) 2022-05-11
US9539622B2 (en) 2017-01-10
US20170095843A1 (en) 2017-04-06
KR20160134648A (ko) 2016-11-23
US10493504B2 (en) 2019-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6944565B2 (ja) Ｒｆプラズマ電界を使用したｅｕｖ光学部品のアクティブ洗浄装置および方法
EP1109427B1 (en) Method for emitting radiation for use in lithographic projection apparatus
KR100777414B1 (ko) 방사선 발생 장치, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및그에 의해 제조되는 디바이스
US7528395B2 (en) Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8368032B2 (en) Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
KR102709891B1 (ko) 패싯형 ｅｕｖ 광학 요소
US7462851B2 (en) Electromagnetic radiation source, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2013524525A (ja) Ｅｕｖ放射源およびｅｕｖ放射生成方法
JP2017515136A5 (ja)
JP2023083302A (ja) 極端紫外線光源のチャンバ内の光学系の表面の洗浄
NL2004816A (en) Euv radiation generation apparatus.
US10871647B2 (en) Apparatus and method for prevention of contamination on collector of extreme ultraviolet light source
JP4920741B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2013072154A1 (en) Radiation source and method for operating the same, lithographic apparatus comprising the radiation source, and device manufacturing method
JP2014533420A (ja) 放射源デバイス、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190418

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190807

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20191105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200306

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6685914

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250