JP2007529869A - 高繰返し数レーザを生成するプラズマｅｕｖ光源 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ生成プラズマと、パルスレーザビームによる照射のために照射サイトに送出された固形粒子又は液滴又は液滴に埋め込まれた固形粒子の形態の個別のターゲットとを用いるＥＵＶ光の発生のためのシステムを提供する。
【解決手段】選択パルス繰返し数で望ましいターゲット点火サイトに集束されるレーザパルスを供給するパルスレーザと、レーザパルス繰返し数に調整された選択間隔で個別のターゲットを供給するターゲット形成システムと、ターゲット形成システムと望ましいターゲット点火サイトとの中間にあるターゲットステアリングシステムと、ターゲットステアリングシステムがターゲットを望ましいターゲット点火サイトに向けることを可能にする、ターゲット形成システムとターゲットステアリングシステムとの間のターゲットの移動に関する情報を提供するターゲット追跡システムとを含むことができるＥＵＶ光源機器及び方法。ターゲット追跡システムは、レーザ発射制御信号の作成を可能にする情報を提供することができ、かつ、ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含んでそれぞれの点を通るターゲットの通過を検出するそれぞれ対向配置の光検出器を有する液滴検出器、又は座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器を含むことができ、光源からの光は、ターゲットの投射送出経路と交差し、そのうちの１つは、平面遮断検出装置を含むことができる。液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器、又は視野と視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを有するカメラを含むことができる。機器及び方法は、点火時にターゲット点火サイトで又はその近くにプラズマ封じ込み場をもたらす静電プラズマ封じ込み機器を含むことができ、ターゲット追跡システムは、静電プラズマ封じ込み機器の制御を可能にする信号を提供する。機器及び方法は、低圧トラップを備えた中間壁を有してＥＵＶ光の通過を可能にして低圧トラップにわたる差圧を維持する容器を含むことができる。機器及び方法は、パルス駆動されてターゲット追跡システムからの出力を用いて制御することができるプラズマをターゲット点火サイトに閉じ込めるための磁場をターゲット点火サイトの近くに作り出す磁気プラズマ封じ込み機構を含むことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ生成プラズマと、パルスレーザビームによる照射のために照射サイトに送出された固形粒子又は液滴又は液滴に埋め込まれた固形粒子の形態の個別のターゲットとを用いるＥＵＶ光の発生のためのシステムに関する。
関連出願
本出願は、開示内容が引用により本明細書に組み込まれている、代理人整理番号第２００３−００８３−０１号である２００４年３月１０日出願の「ＥＵＶ光源のための集光器」という名称の現在特許出願中の出願に関連する２００４年３月１７日出願の「高繰返し数レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の米国特許出願出願番号第１０／８０３，５２６号に対する優先権を主張するものである。

ＬＰＰのＥＵＶ光源は、暫くの間議論の対象になっている。例えば益々小さくなる集積回路限界寸法リソグラフィに対する要件、及び数十ナノメートル（例えば、１０から３０）の範囲での益々短い波長の光源に対する付随要件、及び電力、繰返し数、及び線量安定性に対する要件及び同様の要件の全てを満たすこともできる機能可能なＥＵＶ光源の必要性として、例えばリソグラフィ光源として使用されるＥＵＶ光源の実際の要件はより明確になっている。一例として、電力要件が何であり得るかの何らかの指示が存在する。これを見る１つの方法は、システム要件のように見えるある一定のリソグラフィパラメータを組み込むレーザ生成プラズマ（ＬＬＰ）システム、例えばＴＲＷ／ＣＥＯシステムの報告された性能を深プラズマ集束システム、様々な放電生成プラズマ（ＤＰＰ）システムに対する提案と比較することである。ＴＲＷ／ＣＥＯシステムの報告された数値を表Ｉに示している。

（表Ｉ）

例えば集積回路製造施設で使用される一部のシステムでは、キロワット範囲の電力が必要であるが、やはりこの種の投射入力電力を必要とする例えばイオン注入機又は高速熱アニールシステムよりも製造当たりでＥＵＶ光源を用いる遥かに多くのスキャナが必要になる可能性が高い。ＥＵＶ光源効率に対する提案に対する改善の明らかな必要性が存在する。
このようなＥＵＶ光源の全体的効率に決定的に重要な１つの分野は、集光器である。例えば、時間と共にデブリ堆積を制御することができないためにデブリが集光器の頻繁な交換を必要とする場合、中間焦点に所要光エネルギを送出する機能を妨げかつ光源の経済効率も下げる可能性がある、デブリ管理を含む集光器効率に関する多くの問題に対処すべきである。集光器システムに関する提案に対しては、代理人整理番号第２００３−００８３−０１号である２００４年３月１０日出願の「ＥＵＶ光源のための集光器」という名称の現在特許出願中の出願に説明されており、その開示内容は、引用により本明細書に組み込まれている。

例えば、１０％の電気からレーザへの変換効率では、所要壁コンセント電力は、２２７，０００Ｗになる。この値は、本質的には放電生成プラズマ（ＤＰＰ）の場合と同じである。ＴＲＷ／ＣＥＯもレーザからＥＵＶへの効率を倍加するという定まった目的を達成することができる場合、所要壁コンセント電力は、１１３，５００Ｗになる。勿論、この変換効率を上げる様々な方法が、恐らくＤＰＰに適用されることになり、従って、ＤＰＰ壁コンセント電力要件も半減することになる。

ＥＵＶリソグラフィ光源の設計、及び、例えば、ターゲット材料、集光器手法、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）、例えば、深プラズマ集束（ＤＰＦ）、又はレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）などの選択の背後にある原動力の１つは、例えば２４８ｎｍ駆動レーザを用いてＬＰＰ光源によって例えば生成された帯域外放射線のレベルに関するリソグラフィツール製造業者からの要件である。ＥＵＶ多層膜ミラーは、ＵＶ領域に対して高い反射率を示し、かつ提案されたＥＵＶフォトレジストの多くは、ＵＶ／ＤＵＶに敏感であるので、光源は、例えば１３０から４００ｎｍの範囲で多量の放射線を生成しないことが極めて重要である。２４８ｎｍ駆動レーザでは、赤外線駆動レーザとは対照的に、少量の散乱レーザ光でもＥＵＶ光源からの高レベルのＵＶ放射線をもたらす場合がある。

関連の波長範囲及び例えば１３．５ｎｍでの帯域内エネルギに対する許容比率における製品ＥＵＶ光源に対する帯域外放射線に関する現在企図されている完全な仕様を以下に示している。

（表）

従って、例えば１３０ｎｍと４００ｎｍの間の全ての放射線は、帯域内１３．５ｎｍ放射線の１％未満でなければならない。従って、例えば帯域内ＥＵＶ内への２％の寄与を仮定した場合、１３０から１４０ｎｍ帯域内への０．０２％だけの変換効率も有するべきである。これは、ＬＰＰ及びＤＰＰのいずれにも非常に厳しい要件である。
例えば、開示内容が引用により本明細書に組み込まれている、Ｈ．Ｐａｎｔ著「磁場における膨張レーザ生成プラズマの挙動」、Ｐｈｙｓｉｃａ Ｓｃｒｉｐｔａ、Ｔ７５巻（１９９８年）、１０４から１１１頁、Ｔｉｌｌｍａｃｋ著「ＬＰＰの磁気封じ込み」、ＵＣＳＤ報告書、及びＡｂｒａｍｏｖａ著「トルネードトラップ」に説明されているように、膨張レーザ生成プラズマの挙動及び／又はプラズマに与える磁場の影響は、モデル化されて研究されている。

米国特許出願出願番号第１０／８０３，５２６号 米国特許第６，６２５，１９１号 米国特許第６，５４９，５５１号 米国特許第６，５６７，４５０号 米国特許出願出願番号第１０／６０７，４０７号 米国特許出願出願番号第１０／７４２，２３３号 米国特許出願出願番号第１０／７３９，９６１号 米国特許出願出願番号第１０／７１２，６８８号 米国特許出願出願番号第１０／４２５，３６１号 米国特許出願出願番号第１０／４０９，２５４号 Ｈ．Ｐａｎｔ著「磁場における膨張レーザ生成プラズマの挙動」、Ｐｈｙｓｉｃａ Ｓｃｒｉｐｔａ、Ｔ７５巻（１９９８年）、１０４から１１１頁 Ｔｉｌｌｍａｃｋ著「ＬＰＰの磁気封じ込み」、ＵＣＳＤ報告書 Ａｂｒａｍｏｖａ著「トルネードトラップ」 Ｍ．Ｏｒｍｅ他著「直接書込み技術としての帯電溶融金属液滴堆積」、ＭＲＳ春季会議、サンフランシスコ（２００１） Ｏｒｍｅ他著「毛細管流れ崩壊から形成された非従来的液滴流れの静電帯電及び偏向」、流体の物理学、第１２巻、第９号（２０００年９月）、２２２４から２２３５頁

選択パルス繰返し数で望ましいターゲット点火サイトに集束されるレーザパルスを供給するパルスレーザと、レーザパルス繰返し数に調整された選択間隔で個別のターゲットを供給するターゲット形成システムと、ターゲット形成システムと望ましいターゲット点火サイトとの中間にあるターゲットステアリングシステムと、ターゲットステアリングシステムがターゲットを望ましいターゲット点火サイトに向けることを可能にする、ターゲット形成システムとターゲットステアリングシステムとの間のターゲットの移動に関する情報を提供するターゲット追跡システムとを含むことができるＥＵＶ光源機器及び方法を開示する。ターゲット追跡システムは、レーザ発射制御信号の作成を可能にする情報を提供することができ、かつ、ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含んでそれぞれの点を通るターゲットの通過を検出するそれぞれ対向配置の光検出器を有する液滴検出器、又は座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器を含むことができ、光源からの光は、ターゲットの投射送出経路と交差し、そのうちの１つは、平面遮断検出装置を含むことができる。液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器、又は視野と視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを有するカメラを含むことができる。機器及び方法は、点火時にターゲット点火サイトで又はその近くにプラズマ封じ込み場をもたらす静電プラズマ封じ込み機器を含むことができ、ターゲット追跡システムは、静電プラズマ封じ込み機器の制御を可能にする信号を提供する。機器及び方法は、低圧トラップを備えた中間壁を有してＥＵＶ光の通過を可能にして低圧トラップにわたる差圧を維持する容器を含むことができる。機器及び方法は、パルス駆動されてターゲット追跡システムからの出力を用いて制御することができるプラズマをターゲット点火サイトに閉じ込めるための磁場をターゲット点火サイトの近くに作り出す磁気プラズマ封じ込み機構を含むことができる。

ここで図１を参照すると、ＥＵＶ光源、例えば本発明の実施形態の態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０の全体的な広義の概念の概略図が示されている。光源２０は、パルスレーザシステム２２、例えば高電力及び高パルス繰返し数で作動するガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザを含むことができ、例えば、米国特許第６，６２５，１９１号、米国特許第６，５４９，５５１号、及び米国特許第６，５６７，４５０号に示すように、ＭＯＰＡ構成レーザシステムとすることができる。光源２０はまた、例えば、液滴、固形粒子、又は液滴内に含まれた固形粒子の形でターゲットを送出するターゲット送出システム２４を含むことができる。ターゲットは、ターゲット送出システム２４により、例えば、チャンバ２６内に入れ、他に点火サイト又は火の玉の景色としても公知である照射サイト２８に至るように送出することができる。ターゲット送出システム２４の実施形態に関して以下でより詳細に説明する。

レーザパルスは、ターゲットの材料に従って生成されたＸ線の波長、点火中又は後にプラズマから放出されたデブリの種類及び量を含むある一定の特性を有するＸ線放出プラズマを形成する点火又は火の玉を作り出すために、ターゲット送出システム２４によって生成されたターゲットの到着と共に以下により詳細に説明するように、適切に集束させた照射サイトにチャンバ２６内の窓（図示せず）を通じてレーザ光軸５５に沿ってパルスレーザシステム２２から送出される。

光源はまた、集光器３０、例えばレーザ光が照射サイト２８に入るための開口を有する例えば先端を切った楕円の形態の反射体を含むことができる。集光器システムの実施形態に関して以下により詳細に説明する。集光器３０は、例えば、照射サイト２８に第１の焦点を有し、ＥＵＶ光が光源から出力されて例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力されるいわゆる中間点４０（中間焦点４０とも呼ばれる）に第２の焦点を有する楕円ミラーとすることができる。システム２０はまた、ターゲット位置検出システム４２を含むことができる。パルスシステム２２は、例えば、発振器レーザシステム４４と増幅器レーザシステム４８とを有する例えば主発振器電力増幅器（ＭＯＰＡ）構成二重チャンバガス放電レーザシステムと、例えば、発振器レーザシステム４４のための磁気反応器切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５０と、増幅器レーザシステム４８のための磁気反応器切換式パルス圧縮及びタイミング回路５２と、発振器レーザシステム４４のためのパルス電力タイミングモニタリングシステム５４と、増幅器レーザシステム４８のためのパルス電力タイミングモニタリングシステム５６とを含むことができる。システム２０はまた、例えば、レーザビーム位置決めシステム６６と共に、例えば、ターゲット位置検出フィードバックシステム６２及び発射制御システム６５も含むことができるＥＵＶ光源コントローラシステム６０を含むことができる。

ターゲット位置検出システムは、ターゲット液滴の位置に対して、例えば、点火サイトに対して入力を供給し、かつこれらの入力をターゲット位置検出フィードバックシステムに供給する複数の液滴撮像器７０、７２、７４を含むことができ、ターゲット位置検出フィードバックシステムは、例えば、ターゲット位置及び軌跡を計算することができ、ターゲット位置及び軌跡から液滴毎ではない場合は平均でターゲット誤差を計算することができ、ターゲット誤差は、次に、入力としてシステムコントローラ６０に供給され、システムコントローラ６０は、レーザビーム位置決めシステムが例えばレーザ位置及び方向変更器６８の位置及び方向を制御する、例えば、レーザビームの焦点を異なる点火サイト２８に変更するために使用することができる例えばレーザ位置及び方向補正信号を例えばレーザビーム位置決めシステム６６に供給することができる。

撮像器７２は、例えば、ターゲット送出機構９２から望ましい点火サイト２８へのターゲット液滴９４の望ましい軌跡経路に整列した撮像線７５に沿って例えば照準することができ、撮像器７４及び７６を望ましい点火サイト２８前の経路に沿った何らかの点８０で例えば望ましい軌跡経路だけと交差する交差撮像線７６及び７８に沿って例えば照準することができる。
ターゲット送出制御システム９０は、システムコントローラ６０からの信号に応答して、ターゲット送出機構９２によって放出されたターゲット液滴９４の放出点を例えば修正して望ましい点火サイト２８に到着するターゲット液滴内の誤差を矯正することができる。
また、中間焦点４０に又はその近くにあるＥＵＶ光源検出器１００は、例えば、有効かつ効率的なＬＰＰのＥＵＶ光生成に対する適正な場所及び時間にターゲット液滴を適正に割り込ませるために、レーザパルスのタイミング及び焦点などの事柄の誤差を示すことができるシステムコントローラ６０にフィードバックを提供することができる。

ここで図１Ａを参照すると、コントローラシステム６０及び図１に示すような付随のモニタリング及び制御システム６２、６４、及び６６の更に別の詳細が概略的に示されている。コントローラは、例えば、複数の位置信号１３４、１３６、クロックバス１１５でシステム構成要素にシステムクロック１１６によって供給されたシステムクロック信号と例えば相関付けられたターゲット位置検出フィードバックシステムからの軌跡信号１３６を受信することができる。コントローラ６０は、例えば、システム時間における何らかの時点でターゲットの実際の位置を計算することができる到着前追跡及びタイミングシステム１１０と、例えば、何らかのシステム時間でのターゲット液滴の実際の軌跡を計算することができるターゲット軌跡計算システムと、点火が発生する空間及び時間における何らかの望ましい点と比較された時間的及び空間的誤差信号を計算することができる照射サイト時間的及び空間的誤差計算システム１１４とを有することができる。

コントローラ６０は、次に、例えば時間的誤差信号１４０を発射制御システム６４に、かつ空間誤差信号１３８をレーザビーム位置決めシステム６６に供給することができる。発射制御システムは、共振充電器開始信号１２２を計算して、発振器レーザ４４磁気反射体切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５０の共振充電器部分１１８に供給することができ、かつ、例えば共振充電器開始信号をＰＡ磁気反射体切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５２の共振充電器部分１２０に供給することができ、これらの信号は、共に同じ信号とすることができ、かつ、トリガ信号１３０を発振器レーザ４４反射体切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５０の圧縮回路部１２６に、トリガ信号１３３を増幅器レーザシステム４８磁気反射体切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５２の圧縮回路部１２８に供給することができ、これらの信号は、同じ信号とすることができず、それぞれ、発振器レーザシステム及び増幅器レーザシステムのために、時間誤差信号１４０から及び光出検出装置５４及び５６からの入力から計算することができる。
空間誤差信号は、レーザビーム位置及び方向制御システム６６に供給することができ、レーザビーム位置及び方向制御システム６６は、例えば、発射点信号及び照準線信号をレーザビーム位置決め器に供給することができ、レーザビーム位置決め器は、例えば、発射時のレーザシステム増幅器４８の出力部の位置とレーザ出力ビームの照準方向のいずれか又は両方を変更することによってレーザを位置決めすることができる。

ここで図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、それぞれ、集光器ミラー１５０内を見る集光器３０の概略側面図と、図２Ａの横断面線２Ｂに沿った回転対称集光器ミラー１５０配置の横断面図が示されている（ただし、横断面図は、図２Ａのあらゆる半径方向の軸に沿って同じになる）。
図２Ａに示すように、楕円集光ミラー１５０は、ミラーを見ると断面が円形であり、これは、ターゲット液滴９４が焦点２８にあるように設計された開始点に到達するのを妨げないように、殆ど楕円ミラー１５０の焦点２８寄りになっているように図１Ａに示されているミラーの最も大きい拡張部での横断面とすることができる。しかし、ターゲット液滴の焦点までの通過を可能にするために適切な穴をミラー（図示せず）に付加すると、ミラーは、中間焦点のために更に延びることができることを理解すべきである。また、楕円ミラーは、例えば、集束光学器械１５６を通じて、ミラー１５０を通って楕円ミラーの焦点にあることが望ましい点火サイト２８に集束されるＬＰＰレーザビームの進入を可能にするために、例えば、図２Ａでは円形であると示めされる開口５１２を有することができる。また、開口１５２は、例えば、使用される制御システム種類によっては、開始点上でレーザビーム１５４の焦点の補正を行うようにビーム光路を修正するという要件（もしあれば）内でビームプロフィールに合わせて例えばほぼ矩形に作ることができる。

また、本発明の実施形態の態様によるデブリ遮蔽体１８０を図２Ａ及び図２Ｂに示している。デブリ遮蔽体１８０は、望ましい点火サイトから半径方向に外方に延びかつデブリ遮蔽体１８０を通る狭い平面の半径方向に延びるチャンネル１８４を構成する例えばモリブデン製の例えば複数の薄箔で作られた複数の薄板で構成することができる。図２Ａの図は、非常に概略的であり、縮尺通りではなく、実際には、チャンネルは、できるだけ肉薄なものである。箔板１８２は、照射サイト２８上に集束されたレーザビーム１５５によってターゲット液滴９４の点火によって形成されたプラズマから放出されたＸ線光の殆どを阻止しないようにチャンネル１８４よりもずっと肉薄に作ることができることが好ましい。

図２Ｂに見られるように、横断面にあるデブリ遮蔽体１８０内のチャンネル１８２の機能を見ることができる。単一の半径方向のチャンネルが図２Ｂに見られ、同じものは、集光器ミラー１５０の回転対称回転軸及びデブリ遮蔽体１８０のチャンネル内のデブリ遮蔽体１８０を通じて集光器３０のどの断面にも見ることができる。照射サイト２８から半径方向に外方に伝わる照射サイト２８から放出されたＥＵＶ光の各光線１９０（及び他の光エネルギ）は、図２Ｂに示すように、必要に応じて集光器ミラー１５０反射面まで通して延びることができるデブリ遮蔽体１８０内のそれぞれのチャンネル１８２を通過することになる。光線１９０は、あらゆる入射角で楕円ミラー１５０の表面に当たり、図１に示す中間焦点４０上に照らされる反射光線１９２として同じチャンネル１８０内で反射される。

ここで図３を参照すると、本発明の実施形態の態様によるターゲット形成／送出システム２４の可能な実施形態が示されている。ターゲット送出システム２４は、例えば、本体２０２及びキャップ２０４を有することができる例えばターゲット形成／送出機器２００を含むことができ、本体２０２及びキャップ２０４は、例えば、比較的純粋な状態かつ例えば液体の形態で又は固体の形態でターゲット材料、例えばリチウム、例えば直径が約２０μｍの例えば比較的均一な半径の小球を収容することができる内部空洞２０６を例えば構成することができる。図３に示すように、原料は、液体の形態であるリチウムであり、これは、原料入力（図示せず）を通じて、例えば液体又は固体の形態で空洞２０６に供給することができ、例えばアルゴンとすることができる例えば加圧ガスのための原料を通じて錫とリチウムの間の質量及び速度の差異に基づいて、例えばターゲットとしての液体錫の場合には、例えば１０ｐｓｉから２０ｐｓｉ、リチウムの場合は場合によっては遥かに小さい数値の例えば圧力下に維持することができる。

ターゲット形成／送出機器２００はまた、例えば、本体２０２を環状に取り囲みかつ例えば本体を加熱して例えばリチウムの場合では約５００℃又はそれよりも高い温度で材料を空洞内に維持することによって液体ターゲット材料、例えば液体リチウムを液体の形態に維持する役目をする加熱器、例えばカートリッジ加熱器２１０を有することができる。
例えばその下端での空洞２０６は、ノズル２２０内に開くことができ、ノズル２２０は、例えば固体ターゲット小球原料の代替的な実施形態ではノズル２２０の終端でのノズル開口部２２６の前で本質的に１つのターゲット小球のサイズまで狭窄化し、液体ターゲット材料を用いる実施形態の場合では、例えばターゲット液滴９４に分離する役目をすることができる直径が約例えば２０μｍの流れ２２０を本質的に構成するサイズまで狭窄化する役目をすることができる狭窄化部分２２２を有することができる。

ターゲット液滴９４の形成は、例えば摂動器２２６を通じて行うことができ、摂動器２２６は、例えばターゲット送出システムコントローラ９０からの信号、例えば周期的信号、例えば図３に概略的に示すような正弦波の影響を受けると、ノズルを圧搾して、摂動不連続部を液体流れ２２４に追加することができ、最終的に流れ２２４から実際に形成されるターゲット液滴９４のサイズ及び分布を例えば選択することができる。ターゲット送出コントローラは、全体システムコントローラ６０から制御することができる。

全体システムコントローラ６０はまた、例えば、望ましい点火サイトに対する例えば過去に送出された液滴の位置誤差に関して全体システムコントローラ６０に供給される情報に基づいて、ターゲット送出システム位置コントローラ２４０を制御することができる。位置コントローラ２４０は、例えば、出力流れ２２４の軸線に直交する平面で、ターゲット形成／送出機器を移動させ、例えばその平面でノズル出力２２６の場所を調整することができる。これは、例えば緩やかな照準制御ループ及び高速照準制御ループが得られるように、又は例えば進路及び照準微制御を行うために、サーボモータ又は圧電アクチュエータ又はその両方の組合せによって行うことができる。

本出願人は、例えば約５０μｍの距離にわたって（より長い距離もプラズマ及びそのデブリからのノズルの保護に必要であると考えられる）望ましいターゲット模擬点火サイトに例えば２０μｍ径の液滴を送出する場合、望ましいターゲット点火サイトに対する到着点において、約．２５ｍｍの誤差が発生する可能性があることを実験で注目した。本出願人は、これは、液滴がターゲット点までの適切な軌跡経路に対して斜めに、通常は真に垂直に（図３に例示するように）ターゲット形成機器２００のノズルから初めに出るためであると考えている。本出願人はまた、これは、形成された状態で比較的一定の状態である可能性があるノズル全体にわたる温度の横方向の差異などのいくつかの影響による可能性があると考えている。この趣旨で、本出願人は、例えばターゲット点火サイトに対するターゲット到着位置の誤差を取り除くために、例えばこの液滴形成軸線傾斜誤差の影響を測定するターゲット位置誤差信号のフィードバックに基づいて、液滴形成軸線傾斜誤差から離れて等しくかつ対向してノズルを傾ける例えばターゲット形成システム９２位置コントローラ２４０に組み込まれた傾き機構（図示せず）を提案する。これは、例えば圧電素子で行うことができ、圧電素子は、ターゲット点火サイトへの適切な飛行経路が得られるようにノズル出力時に液滴形成軸線誤差に対抗するために、例えばノズル内で５ステラジアンから１０ステラジアンの傾きを導入しさえすればよいであろう。

全体的なシステムコントローラ６０はまた、例えばアルゴン加圧ガスの圧力を制御するためにターゲット送出システム９２信号（図示せず）を供給することができ、アルゴン加圧ガスは、点火サイト２８に最終的に送出されるように、例えば最終的な液滴９４のサイズ、液滴９４の送出速度、液滴９４の間隔、又は液滴９４の形成／送出の何らかの他の作動パラメータを望ましい点火サイト２８又は以下でより詳細に説明するターゲット追跡及びステアリングシステム３５０に合わせる役目をすることができる。

ここで図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、本発明の実施形態の態様による可能なターゲット追跡システム４２の実施形態の態様が示されている。ターゲット追跡システム４２は、例えば相対的な経済性が得られるように選択された例えばヘリウムネオン（ＨｅＮｅ）レーザ２５０を含むことができる。ＨｅＮｅレーザは、例えば６３２ｎｍから３８ｎｍ波長／周波数で光のビーム２５６を生成することができ、例えばやはりレーザ光源２２ビーム１５４が当たる光学器械２５２に送出することができ、例えばビーム１５４を本質的に１００％透過することができ、例えば望ましい点火サイト２８に集束されたビーム１５４の場合と同じ集束光学器械１５６を通じてビーム２５６の一部を反射することができる。

ターゲット追跡システム４２はまた、例えば点火サイト２８にある焦点を通過する光を例えば検出器２６２上に集束させることができる例えば別の集束光学器械２６０を含むことができる。検出器２６２は、ＨｅＮｅレーザの帯域内であるがレーザ２２の帯域内ではない光に感応するように選択された例えばフォトダイオード又はフォトダイオードのアレイ、例えばフォトダイオードの線形アレイとすることができる。検出器２６２は、例えば点火サイト２８で又はその近くで例えばＨｅＮｅレーザからの光の経路内への液滴９４の通過によって例えば選択的に感応するＨｅＮｅレーザ２５０の光が例えば検出器の１つ又はそれよりも多くのフォトダイオードに至る途中で遮断される度に、例えば高低を問わず出力信号を供給することができる。

検出器は、例えばＨｅＮｅレーザの波長に感応するフォトダイオードの線形アレイを含み、かつ点火サイト２８を通じて例えば何らかの平面、例えば水平面（水平面が紙の平面と直交するように配向されると仮定して、図４Ａに示すように水平に配向された）での例えば真の点火サイト２８のいずれかの側を通るか又はその上でのターゲット液滴の通過を示す例えばアレイの横軸において、例えば横方向のアレイに向うか又は離れるか又はアレイを横切る方向でアレイ内の何らかの変位を判断するように分析することができる信号をコントローラ６０又は何らかのフィードバックシステム、例えば位置フィードバックシステム６２に供給することができることが理解されるであろう。
また、検出器２６２が例えば垂直方向に（図示のように）配向されたフォトダイオードの別の線形アレイを含む場合、アレイからの強度信号の何らかの分布を利用すると、例えば図４Ａにおいて位置９４ａ及び９４ａに例示するように、例えば点火サイトからの強度信号の横方向の変位を判断することができることも理解されるであろう。

変動する強度からの水平方向又は垂直方向のこのような誤差変位、又は例えばこのようなアレイ（水平方向又は垂直方向）における中央フォトダイオード以外への強度信号の変位を認識する機能を妨げると、位置９４ａ又は９４ｂのいずれかへの例えば図４に示すような液滴の変位は、例えば位置９４ａ及び９４ｂによって概略的であるが縮尺通りでなく示すように、例えば誤った位置にある液滴によってでさえも十分なＨｅＮｅ光が検出器から妨げられた場合に、液滴９４がターゲット上にあるという偽の表示を単に与える場合がある。次に、検出器２６２内のフォトダイオードの出力信号は、依然として液滴９４が点火サイト２８にあることを示す上述の低（又は高）信号であると解釈されるであろう。

図４Ｂを参照すると、例えば複数のこのような交差信号、例えば２つ又は３つの信号が液滴９４が点火サイト２８と交差したことを示すように要求することにより、追跡システム４２におけるこのような誤差発生の可能性を緩和する役目をすることができる本発明の実施形態の態様による別の可能な配置が示されている。図４Ｂの実施形態は、図４Ａに関して説明するように、ここでもまた、図４Ａに示すように照射レーザビーム１５４集束光学器械１５６を通過するビーム２５６を組み込むことができる。この光学要素１５６を通過する１つの利点は、以下でより詳細に説明するように、例えば点火サイト２８に集束されるように、例えば液滴が上述のようなターゲット送出システム９２及び／又は以下に説明するようなターゲット追跡及びステアリングシステム３５０によってどこに送出されるのかに従って光学要素１５６を移動させるか、又は可能でありかつ有利であればレーザ２２を移動させるか、又は以下でより詳細に説明するようなビームポインティング器具を用いることにより、以下でより詳細に説明するように、集束光学器械１５６を用いるフィードバックがあることを仮定すると、ＨｅＮｅビーム２５６が常に望ましい点火サイト２８に集束されるということである。

図４Ｂの実施形態はまた、例えば、それぞれ別の検出器、例えば２６２ａ及び２６２ｂ上にそれぞれ集束される例えばＨｅＮｅレーザ、例えば２５６ａ及び２５６ｂから別の集束光学器械、例えば２６０ａ及び２６０ｂにレーザビームを例えば送出する例えば少なくとも１つの更に別のターゲット追跡レーザシステムを含むことができる。このようにすると、液滴９４が例えば点火サイト２８を撮像する更に別の角度から点火サイトを通過したことを示す２つ又はそれよりも多くの低（又は高）信号がフィードバックシステム６２によって受信されるべきである。上述のように、それぞれの検出器２６２、２６２ａ、２６２ｂは、例えば望ましい点火サイトに関して液滴９４の水平方向又は垂直方向又はその両方において位置誤差を判断するのに使用することができるこのようなアレイのフォトダイオード内の強度データを供給することができるフォトダイオードの線形アレイ又は直交する線形アレイを有することができる。これは、例えば集光器の焦点上の固定した望ましい点火サイトにターゲット液滴を送出する際のターゲット送出システム誤差のためにレーザ２２が新しい点２８’に集束された場合に、強度データを使用して何らかの固定された望ましい点火サイトと異なる点火サイト２８’（図示せず）から液滴の位置誤差を検出することを可能にすることさえも可能である。

また、ＨｅＮｅレーザビーム２５６、２５６ａ、又は２５６ｂの１つは、点火サイト２８に到達する前に何らかの場所（図示せず）のターゲット液滴の通過を検出することができるように、図４に示すように紙の平面の上方にあるように配向することができることが理解されるであろう。これは、例えばフィードバックシステム６２及び／又は主コントローラ６０によって利用され、例えば３つの検出器２６２、２６２ａ、及び２６２ｂのうちの他の２つによって検出されるように、例えば点火サイト２８の上方にある液滴経路内の位置から点火サイト２８までの飛行時間を計算することができる。

例えば検出器、例えば２６２、２６２ａ、及び２６２ｂの応答時間、応答感度などの制限のために、先に参照した追跡システムは、十分に応答しない場合があり、又は十分なデータ又は少なくとも液滴単位で本発明の実施形態の態様によるターゲット追跡システム４２の望ましい機能性の一部又は全てを達成するために十分に迅速に処理することができるデータを供給することができないであろう。
撮像装置及び検出器２５６、２５６ａ、及び２５６ｂ、及び２６２、２６２ａ、及び２６２ｂの１つに例えば細長い円筒形レンズを設置すると、例えば図４ａに示すように、例えば平面検出器面を点火サイトの面の上方に形成して、この平面を通る液滴９４の通過を検出することができる。このような場合、図５に概略的に示すシステムを使用すると、図４Ａ及び図４Ｂに関して説明したターゲット追跡システムの一部又は全ての態様を補うか又はその代用とすることができる。

レーザビーム２５６、２５６ａ、及び２５６ｂは、ＨｅＮｅレーザと異なるレーザで生成することができ、又は例えば特定の周波数だけに感応するフォトダイオードを用いて、例えば検出器２６２、２６２ａ、及び２６２ｂの交差照射を排除することにより、検出器２６２、２６２ａ、及び２６２ｂで検出画像光を区別することができるように周波数倍増及び増強して、例えば高調波を取得することができる。

図５においては、可能な高解像度ターゲット追跡システム４２が概略的に示されている。図５は、図１で例示する例えば３つの撮像カメラ、例えば７０、７２、及び７４の視野２７０ａ、２７２ａ、及び２７４ａの点火サイト周辺での交差を概略的に示すが、図５においては、カメラ視野の全ては互いに交差し、かつ例えば全て点火サイト２８で交差することができるという変更が異なる点である。図５に示す例と同様に、視野の各々は、相互に直交することができる。また、図５は、視野の１つ、例えば２７０が、例えば撮像カメラ７２内で検出器ピクセル２７０の例えば正方形アレイに延びることを示すものであり、撮像カメラは、例えば各々がデジタルカメラ技術分野が公知であるような電荷結合素子又はＣＭＯＳ撮像集積回路又は単一チップＣＣＤ又はＣＭＯＳ撮像器などによって形成された例えばピクセルの正方形アレイ２７０を使用する例えばデジタルカメラとすることができる。

撮像カメラ７０、７２、及び７４は、例えば図４Ａ及び図４Ｂに関して又は図９に関して先に説明したような平面交差検出器、又は例えば点火サイト２８近くの例えばターゲット液滴の軌跡の計算のために点火サイト２８の上方に視野を有して例えば飛行時間情報及び点火サイト２８上方の位置決め情報を取得することを目的とした別のカメラで補うことができることが理解されるであろう。
このような機器を用いて、例えばアレイ２７０からのほぼ円形のピクセルグループによってかつ適切な画像処理ソフトウエアを用いて形成された例えば液滴９４の画像を形成し、アレイにわたって液滴の「斑点」画像を追跡することができる。画像処理及び対象追跡の技術分野に携わる当業者は、３つの交差視野、例えば２７０ａ、２７２ｂ、及び２７４ａの全体にわたるこのような追跡では、点火サイト２８に到達する前に液滴９４の追跡を行うと共に、ターゲット液滴の実際の位置とターゲット点火サイト２８の間の位置誤差を示す例えばフィードバックコントローラ６２が誤差信号を生成することができる元になる情報を得ることができ、その情報は、特定の液滴に対してはその特定のターゲット液滴９４のレーザビーム１５４の照準点に基づくものとすることができ、その特定のターゲット液滴９４は、本出願で説明するように、例えばフィードバック制御、例えばレーザ集準システム６８のために何らかの予め選択された望ましい点火サイト、例えば集光器焦点にある場合もない場合もあることを理解するであろう。

また、点火サイト２８に照準することができるのは、２つのカメラだけであることが理解されるであろう。更に、カメラ、例えば７０、７２、及び７４の感度は、一度に１つのピクセルのみがターゲット液滴の画像によって照らされ、及び／又は視野２７０ａ、２７２ａ、及び２７４ａは、ターゲット液滴を見るために非常に高い解像度（低ピクセルピッチ）でありかつ視野が比較的小さいものとすることができる可能性があり、従って、例えば点火サイト２８周辺でターゲット液滴の飛行を実質的に追跡する機能が小さくなり、点火サイトの上方でのターゲット液滴の検出の利用の方がターゲット追跡システム４２の全体的な機能性に重要なものになる。

ターゲット追跡システム４２の出力は、特に、点火サイト２８で又はその近くでのターゲット液滴９４に関する情報であることが望まれ、その理由は、点火サイト２８から、ターゲット追跡フィードバック制御システム６２が例えば現在選択されている照準点を予測点に移動させることができるように、例えば点火サイト２８に到達する前の何らかの時点でのターゲット液滴位置及び軌跡、及び例えば点火サイト２８への検出ターゲット液滴９４の予測到着時間及びレーザビーム１５４の現在選択されている照準点に対するその到着時間での位置を示す情報を主コントローラ６０に供給することができるからである。また、例えば点火サイトへのターゲット液滴到着の実際の観察、及び例えば点火サイト２８でのレーザビーム１５４と特定のターゲット液滴９８との相互作用、及び場合によっては点火サイト２８から出るデブリの撮像も必要であろう。次に、上述の全てをシステムが使用すると、主コントローラ６０が例えばターゲット形成／送出システム２４によるターゲット液滴送出を及び／又はレーザビーム１５４の照射サイトの位置決めを例えば集束光学器械１５６を制御することにより、また、照射サイト２８でのレーザビーム１５４の発射のタイミングを例えばＭＯ及びＰＡレーザチャンバの磁気反射体切換式パルス圧縮及びタイミング回路５０、５２のパルス電力システム共振充電器の初期充電をトリガすることにより、及び例えばターゲット液滴９４の到着に合わせて時間調節した点火サイト２８でのビーム１５４内のレーザ光のパルスを送出するためにＭＯ及びＰＡチャンバのそれぞれの発射のトリガを修正するように制御信号を生成する役目をすることができるように、例えば主コントローラ６０に例えばフィードバックを生成することができる。ターゲット液滴９４及びレーザ光１５６は、約１０μｍ未満の組合せ位置誤差でその液滴９４及びそのビーム１５６の特に指定された点火サイト２８に到着しなければならず、その結果、レーザ光の集束パルス１５６は、例えばＥＵＶ光源システム２０内の例えば反射面に例えば穴を作り、又は覆い、及び光学的に劣化及び／又は損傷するような例えば金属デブリの塊を回避するために、液滴のどこも何らかの選択されたレベルの強度よりも小さいパルス１５６内のエネルギの空間分布外にあることなく、ターゲット液滴９４全体を照射する。システム２０は、特に、約１マイクロ秒の精度のＭＯＰＡ構成、例えばＫｒＦのＭＯＰＡである場合、２５０マイクロ秒毎に一回、例えば４ＫＨｚの繰返し数で、及び１０ｋＨｚの繰返し数の場合では１００マイクロ秒毎に一回、例えばレーザ２２の適切な発射をトリガするための５０マイクロ秒のリードタイムを設ける必要があるであろう。液滴９４は、例えば約２０メートル／秒の速度で到着しかつ６Ｋｈｚパルス繰返し数で約１ｍｍ分離されることになる。

何らかの種類のトリガ信号の何らかの発生から及びその時間の長さ及び他の要素、例えば計算時間、追跡装置、及び回路時間などのために、レーザパルスビーム１５４を生成するのにある程度の有限の時間が掛かるので、現在の技術では、液滴単位で、特により高い繰返し数で、例えば約４ｋＨｚ又はそれよりも大きいものでこのようなトリガに対処することはできない。このような場合、検出システム４２及びフィードバックコントローラ、例えば６０、６２は、例えば平均化、例えば一連の連続的な液滴、例えば液滴の最後のｘ個に関する位置決め及びタイミング情報に基づく例えばタイミング及び位置制御などに頼ると共に、そのようにして判断された平均化された位置からの例えばある程度の比較的緩やかに変動するずれの範囲内にあり続ける連続的な液滴に関する仮定を行わなければならないであろう。このような場合、システムには、依然として例えばレーザシステム２２の発射制御に対して例えば点火サイトの上方での所定の液滴の位置／タイミングの検出が必要である場合がある。

ここで図６を参照すると、いくつかの本発明の実施形態の他の態様、例えば冷間フィンガ２８０、圧力遮蔽体２９０、及び真空ポンプ３００を含む圧力インタフェースを含む特徴が概略的に示されている。冷間フィンガ２８０は、その一部だけが示されているが、例えば、開示内容が引用により本明細書に組み込まれている本出願の本出願人に譲渡された代理人整理番号第２００３−００５１−０１号である２００３年６月２５日出願の「磁気回路素子を冷却する方法及び機器」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１０／６０７，４０７号で示すように、各冷間フィンガ２８０を形成するために２つの部分を融着することによって行われる要領で例えば図示のように湾曲状態とすることができるマグネシウム被覆銅板で構成することができ、中間焦点４０に向うほど長い距離を隔てて分離することができ、例えば熱交換器システム（図示せず）で、また、例えば冷間フィンガ２８０（やはり図示せず）の内側にあるマイクロチャンネルで水冷することができる。図６に部分的に概略的に示されているこれらの冷間フィンガは、容器２６内の中間壁まで全体的に又は途中まで、中間焦点に集束されるＥＵＶ光の円錐部を除き容器２６を通して延びることができる。これらの冷間フィンガは、容器２６内でバッファガス、例えばアルゴンから膨張する時にプラズマ内で形成されたか又はプラズマで運ばれた原料原子をメッキする役目をし、その結果、これらの原子は、ＥＵＶ光源内で光学面上にメッキされない。

また、ＥＵＶ光の吸収を制限するために真空状態に維持することができる、例えば中間焦点の外側にあるＥＵＶ光源の外部との可能な境界面が示されている。しかし、ＥＵＶ光が生成されるチャンバの他の部分における真空状態は、様々な理由でより高い真空状態に維持すべきである。境界面は、例えば圧力が印加されている介在壁２８２の一方の側にある容器２６の部分から中間焦点を超えてハウジング、例えば真空ポンプ３００によって真空に又は真空近くに維持されている他方の側までの圧力降下を維持しながら、例えば中間焦点へのＥＵＶビームの透過を可能にするように設計することができる介在壁と圧力遮蔽体、すなわち差動排気トラップ２９０を含むことができる。差圧トラップは、開示内容が引用により本明細書に組み込まれている本出願の本出願人に譲渡された代理人整理番号第２００３−００９９−０１号である２００３年１２月１８日出願の「放電生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１０／７４２，２３３号に開示されている１つの形態のデブリ遮蔽体と同様に作製することができる。これは、中間焦点までの集光ＥＵＶ光の通過のためのチャンネルを有するように作製することができるが、各チャンネルに対しては、サイズは、差動排気トラップにわたる圧力降下を持続することができるのに十分な小さいものである。また、こういう主旨で、差動排気トラップ２９０を作製することもでき、その方法は、例えば、ここでもまた先に参照した米国特許出願出願番号第１０／７４２，２３３号で開示するように、例えば球の材料、例えばセラミック材の断面を用いて例えばレンズ及びメッシュスクリーンを通る光を集束させ、例えば球の一部を貫通する集束通路を穿設して圧力降下を持続しながらＥＵＶ光の通過を可能にするというものである。

ここで図６を参照すると、本発明の実施形態の態様によるフィードバック及び制御システムの態様がより詳細に示されている。
全２πステラジアンの多層集光器を用いて、幾何学的集光面積を５ステラジアンから２πステラジアンに大きくするために、レーザを生成してプラズマを作り出すためのレーザへの所要の入力電力を２５％低減することができる。例えば、２．０％のレーザ／ＥＵＶ光変換率（例えば、短い波長による二重効果を基本とする）、４％の電気／レーザ変換率、２πステラジアンの集光、及びＴＲＷ／ＣＥＯシステムと同じＥＵＶ透過率を仮定したＫｒＦエキシマベースのＬＬＰ光源の場合、得られる電力は、２２７，２７２Ｗであり、これは、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）を用いた代替手法と遜色のないものである。例えば、（２．０％／１．０％）・（４．０％／３．０％）・（２πｓｔｒ／５πｓｔｒ）＝３．３でこのような改善になり、例えば、現在公開されているＴＲＷ／ＣＥＯのＬＰＰの結果で示されている値に優るものである。

このような可能なＣＥの結果を用いて、中間焦点で例えば１００ＷのＥＵＶ光電力を満たすことを必要とするレーザ電力を以下のように見積ることができる。

（表）

第１及び第２の縦列を合計すると、９，０１７Ｗのレーザ電力の場合、１２９ＷのＥＵＶがＩＦで得られ、これは、例えば必要なレーザ電力が６，９８９Ｗに過ぎないことを意味する。縦列１及び３に同じことをすると、ＩＦで１００Ｗになるには所要量が単に５，６３６Ｗという結論になる。それでも多量のレーザ電力であるが、例えばＴＲＷからの結果に説明されているような２０，０００Ｗから４０，０００Ｗの範囲ではない。第２の球形ミラーと他の方法で増大したレーザ電力との間の可能な経済的トレードオフが呈示されている。

本出願人は、例えばリチウムターゲット／ＫｒＦ駆動ＬＰＰに関する状況を考察し、中間焦点の地点まで伝わる放射線の実質的に全ては（フォトダイオード検出器による実験でシミュレーションを実施）、帯域内１３．５ｎｍ放射線かＵＶ−Ｖｉｓ放射線であると最初に結論した。多層膜ミラー（ＭＬＭ）集光器配置（やはり平坦なＭＬＭでシミュレーションを実施）を使用したために帯域外ＥＵＶはない。また、４０ｎｍから１３０ｎｍの間の領域では実質的な放射線はないように見える。更に、帯域内１３．５ｎｍ放射線への変換効率は、ＵＶ−Ｖｉｓ領域の４．３倍のように見える。しかし、所要量は、１３０ｎｍから４００ｎｍの範囲では帯域内１３．５ｎｍの１／１００（１％）に過ぎず、本出願人の最初の実験による測定結果によれば、ＵＶ−Ｖｉｓ範囲での含有エネルギは、帯域内１３．５ｎｍ放射線の２２％である。しかし、この大部分は、１２０ｎｍから９０００ｎｍの範囲内の他の光と共に中性リチウムから６７０で強い赤い線になるためのＵＶ−Ｖｉｓ範囲のように見える。更に、本出願人による実験での測定対象は、ＥＵＶ光源点の周りの全ての点からの放射線であり、一方、例えば本出願人によって企図された構成における真の光源は、楕円撮像ミラー及び中間焦点での開口を有すると考えられ、この後者は、例えばＥＵＶ光源点から離れた領域からの全ての放射線を阻止することができる。

例えば、ＭＬＭ一次集光器を用いた全てのＬＰＰシステムに対しては、１０ｎｍから４０ｎｍの範囲は、例えばグレージング入射集光器を用いたＤＰＰシステムとは異なって、ＭＬＭの狭帯域反射率によって対処することができ、ＤＰＰシステムでは、例えば全てのＥＵＶ放射線は、中間焦点に再撮像され、従って、この範囲は、例えばスペクトルフィルタがなければ帯域外放射線に関しては問題になる恐れがあり、このスペクトルフィルタは、特に錫及びキセノンプラズマ源放出元素材料の場合には、例えばスペクトルフィルタなしでシステムを作動させることよりもＣＥを低減することができる。しかし、リチウムの場合はこれは当て嵌まらない可能性がある。同じことは、４０ｎｍから１３０ｎｍの範囲に対しても言えるが、その理由は、ＬＰＰシステム内のＭＬＭ一次集光器もこの領域では反射率が低いからであるが、ＤＰＰにおけるグレージング入射集光器は、４０ｎｍから１３０ｎｍの範囲で比較的高い反射率を有することができる。

１３０ｎｍと４００ｎｍの間では、ＭＬＭ一次集光器は、反射性が帯域内１３．５ｎｍ放射線程度であり、従って、例えば、光源は、この波長範囲では帯域内エネルギとして１００倍少ないエネルギを放射すべきである。この制約は、主として、殆どのＥＵＶフォトレジストが１３．５ｎｍと同様にこの波長範囲に感受性であるという事実によるものである。露光ツール内のＭＬＭは、帯域内１３．５ｎｍと同様程度に４００ｎｍから８００ｎｍの範囲の光を反射するが、フォトレジストは、感受性ではなく、従ってミラー加熱のみが問題となっている。従って、本発明のシステムは、１３．５ｎｍでの帯域内とこの範囲で等量に耐えることができる。８００ｎｍを超える波長に対して反射性が高いが、フォトレジストは、これらの波長には反応度が高くないので、８００ｎｍを超える範囲であれば、４００ｎｍから８００ｎｍの範囲と同じ制約になるように見える。ＹＡＧベースのＬＰＰに対しては、１０６４ｎｍがこの最終範囲に含まれ、従って、帯域内１３．５ｎｍに対する２％の変換効率が８００ｎｍを超える範囲で要件になる場合には、ポンプレーザの０．００１％の散乱を有するだけで達成することができる。
以上からＣＥ及び帯域内ＣＥがそれほど重要である理由が明らかである。

本出願人の実験から比較を目的として固体錫とリチウムのターゲットに対して以下の結果が得られた。

（表）

ここで図７Ａから図７Ｃを参照すると、本発明の実施形態の態様によるプラズマ、例えばレーザ生成プラズマを静電気的に閉じ込めるための機器及び方法が示されている。図７Ａに示すように、点火サイト２８の近くに延びる細い針３１０を設置することができる。針３１０は、レーザビーム１５４集束光学器械１５６を通過するレーザ光１５４の入射パルスの方向と反対の方向から延びるように図７Ａから図７Ｃに示されているが、当業者は、この特定の方位は例示的であるに過ぎず、針は、他の方向からも図示の点火サイト近傍まで延びることができることを認めるであろう。

針３１０に例えば高電圧、例えば負の高電圧３１２を供給し、かつレーザビーム１５４からの照射による点火サイトでのターゲット液滴の点火時に又は点火直後にターゲット液滴９４の照射により生成されたプラズマ３１６の封じ込みを助けるために静電場が形成されるように、ターゲット液滴９４及びレーザパルス１５４の点火サイト２８への到着に負の高電圧パルスの供給を調整するために、例えば全体システムコントローラ６０により又は例えばレーザトリガ制御の一部として針の制御を行うことができる。これは、いくつかの有用な結果を有し、例えば、プラズマ生成デブリが例えば集光器光学器械に到達するのを制限又は本質的に排除し、ターゲット液滴の材料のイオン化を増加させるほど十分に小さくプラズマを維持して結果的にＣＥを改善し、すなわち、全てレーザビーム１５４による照射中にプラズマ３１６のプラズマ密度を維持するのを助けることができる。

電圧は、約例えば１０００とすることができ、これは、プラズマイオンの範囲である約１ｋｅＶまでのエネルギのイオンを維持することができる場の生成に十分であるはずである。更に、例えば針３１０への負電荷を有する電子の導入によって場が形成され始める時に、場が静電場３１４を形成することがあったり又は迅速に消し去ったりするのを防止するのに十分なほど、ターゲット材料のイオン化によるプラズマ内の正電荷を針に引き付ける可能性がある。これに対処するために、本出願人は、プラズマ内に形成される正電荷イオンが、静電場が点火時又は点火後にプラズマの意図する封じ込みを行うのを妨げるのを防止するのに十分な負電荷を針３１０に迅速に放り込むように、電源３１２に比較的大きなコンデンサ、例えばコンデンサ列を例えば並列に設けてキャパシタンスを結合し、例えば１００μＦ又はできる限り大きくすることを提案する。

本発明の実施形態の態様の上述の説明は、例示的なものに過ぎず、特許請求の範囲は、開示された実施形態に限定されないと考えるべきである。特許請求の範囲及び意図から逸脱することなく、多くの変更及び修正を開示された実施形態に行うことができる。図８Ａは、点火後にプラズマを点火サイト２８の近くに閉じ込める磁気機器及び方法を概略的に示している。図８Ａは、例えば一対の棒磁石３２６、３２８によって確立された磁場３２０を示している。図８Ｂは、図８Ｃに示すレーザビーム、例えば１５４によってターゲットが照射された時に点火サイト２８に形成されたプラズマを閉じ込める役目をするリング状磁石３２２の磁場を概略的に示す磁場線３２０を示している。図８Ｂはまた、共に例えば「Ｐｅｒｍａｇ型ＮｄＦｅＢ４０」及び「Ｐｅｒｍａｇ型ＳｍＣｏ２２」という名称で例えば流動冷却流体、例えば水を収容する例えば冷却コイル３２４を使用する例えばリング状磁石３２２の形で「Ｄｅｘｔｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ」によって製造された永久磁石、例えばネオジウム鉄ボロン磁石又はサマリウムコバルト磁石のための冷却の使用を示している。図８Ｃは、４極配置３２９によって確立された磁場３２０を概略的に示している。

ここで図８Ａから図８Ｇを参照すると、本発明の実施形態の態様が概略的に示されている。磁場３２０はまた、例えば図８Ｄから図８Ｇの実施形態に示すようなパルス電流によって確立することができる。図８Ｄにおいては、紙の平面に流れ込みかつ３３１で紙の平面から出る電流によって示される電線のコイルの例えば中を流れる例えばパルス電流によって確立された磁場３２０を有する図８Ｂのリング状磁石の電気的均等物の概略図が示されている。同様に、図８Ｅは、いずれかの端部でより多くの巻線があるようにコイルを磁場発生器の長さ方向に分配することによってほぼ瓶形状の磁場が確立された実施形態を示している。同様に、図８Ｅにおいては、例えばコイル内の電流の流れの方向を一端から他端にかけて交互にする、すなわち、電流の流れを一端ではコイルを通る一方の方向に、他端では反対方向に伝播させることによってこれと同じ形状の磁場３２０を確立することができ、同様の目的で、例えば図８Ｇに概略的に示すように、ほぼ球形のコイル配置を用いることができる。

レーザ生成プラズマの領域に磁場を作り出すように例えば約１テスラの磁場を点火サイトの近隣に印加することにより、プラズマを少なくとも部分的には閉じ込めることができ、その理由は、プラズマのそれぞれの部分の近くにおける磁場形状及び強度次第で少なくとも一部の方向にプラズマの膨張を減速させることができるからである。このようなプラズマ封じ込みの促進は、特にレーザ照射の移動するターゲットに対してはいくつかの利点を有する可能性がある。例えば、放射イオンは、次により多くの放射サイクルを経て、従って放射線放出量を増加させる傾向がある。例えば、イオン膨張エネルギではなく放射線により多くのレーザエネルギを変換することができ、その結果、ＥＵＶ光への入射レーザエネルギのＣＥが高くなる。

磁場及びそれを作り出すのに使用される機構３１８は、磁場の適切な部分内に点火サイトを包含し、ターゲット、例えば液滴及び照射レーザビームを点火サイトにアクセスさせるように好都合に配置することができる。レーザビームがターゲット液滴を照射及び点火した時に形成されたレーザプラズマ領域は、本発明の実施形態による磁場内にある。一般的に、磁場は、約１テスラとすることができるが、約０．２テスラと１０テスラの間の範囲を本出願人は企図している。磁場の生成は、上述の永久磁石を用いて又は例えば上述のように導電コイルを流れる高（キロアンペア）パルス電流を利用して、上述のパルス法で行うことができる。このようなパルス生成磁場の生成は、例えばミリ秒の時間尺度で行い、例えば数十ｎｓの例えば程度で入射レーザパルスによるターゲット液滴の照射時間を通じて本質的に一定のままであるようにすることができる。その時間中、例えば磁場線にわたるプラズマ膨張は減速され、磁場線に沿った運動は実質的には減速されず、正味の効果は、恐らくプラズマ不安定性を誘発し、これよりも例えばＣＥの増加の方が上回っている。

磁気圧力が高くなると、例えばプラズマ内の衝突回数が多くなり、それによって例えば磁場がない場合よりも少量かつ高温のプラズマを発生させることができる。その結果、ターゲット材料及びプラズマ特性に応じて、ＥＵＶ及びその他のより多くの放射線が放出される。１つの可能な実施形態は、例えば図８Ａに示すような横磁場を用いるというものである。別の実施形態は、例えばターゲット液滴伝播経路に沿って磁場線を生成し、かつ例えば点火サイト２８の周辺での軸線方向の封じ込みに至ることができる点火サイト周り及びその近くで強いリング状磁石又は磁気コイルを用いるというものである。好ましい実施形態は、例えば横移動（例えば図８Ｃに示すターゲット液滴経路に対して）を伴うターゲットイオンが閉じ込められる例えば磁気トラップが形成される、例えば図８Ｃ、図８Ｅ、図８Ｆ、及び図８Ｇに示すような構成である。

本発明の実施形態の態様によれば、磁場生成機構、例えば永久磁石の極、例えば３２６、３２８は、例えば極間で約１０ｍｍの間隙を伴って比較的ＬＰＰ近くでなければならないであろう。例えば極間の長い距離を通じて十分に高い磁場強度を作り出すことは、例えば不可能ではないにしても困難であると考えられる。このような近接接近構成要素が必要であることで、例えばＬＰＰの最大の利点の１つ、すなわち、電極損耗又はこの場合は永久磁石損耗がないことが損われる可能性がある。本出願人は、例えば約５０ｍｍであると考えられる確実な位置安定性を保証するためのノズル位置を検証した。これらの構成要素、例えばノズル及び永久磁石に関する損耗の問題を緩和するために、本出願人は、例えば、全ての近接接近要素を例えばモリブデン又はルテニウムで被覆することにより、損耗は許すがその損耗が問題のない材料のものとすることを提案する。このようにすれば、例えば集光器ミラーに当たる可能性があるこれらの構成要素の材料が損耗しても、ミラー反射率は急速には劣化しないであろう。また、例えば、これらの２つの材料は、リチウムイオンによりスパッタリングに対して高い耐性を有することが予想される。

ここで図９を参照すると、６度のフィードバック及び制御、すなわち、ターゲット液滴を案内するための３軸制御及びレーザを案内するための３軸制御を行うフィードバック及び制御に関する本発明の実施形態の態様のブロック図が示されている。レーザビームは、例えば、ビームポインティング及び位置決め制御、例えば、代理人整理番号第２００３−００８２−０１号である２００３年１２月１７日出願の「ガス放電レーザ光源ビーム送出ユニット」という名称の現在特許出願中の出願番号第１０／７３９，９６１号、代理人整理番号第２００２−００３９−０６号である２００２年１１月１２日出願の「ビーム送出を伴うレーザリソグラフィ光源」という名称の出願番号第１０／７１２，６８８号、及び代理人整理番号第２００３−００４０−０１号である２００３年４月２９日出願の「ビーム送出及びビームポインティング制御を伴うリソグラフィレーザ」という名称の第１０／４２５，３６１号に説明されているような例えばレーザビーム送出ユニットで使用されるものを利用することによって案内することができることが理解されるであろう。図９は、本発明の実施形態の態様によって使用される様々な制御ループを概略的かつブロック図形式で示す図である。例えば、制御システム構成で使用することができる本発明の実施形態の態様によるＥＵＶ光源で利用することができる例えばいくつかの異なるアクチュエータがある。例えば、１０ＫＨｚの繰返し数であれば、液滴は、１００マイクロ秒毎に到着して、約１０ｍ／ｓから３０ｍ／ｓで移動することになり、その結果、レーザビームは、同じ速度で望ましいターゲット点火サイト地点を照射するように時間調節すべきである。レーザビームは、ターゲット液滴よりも若干大きくなるように集束させることができ、この液滴は、ある程度の照準精度、例えば±１０μｍで直径が約１０μｍから５０μｍとすることができるが、ビーム焦点サイズに組み込まれた許容誤差の程度が大きいほど液滴ターゲットを照射する電力が小さくなり、これは、二乗関数で減少する。しかし、液滴は、それが仮にも照射期間中に移動を続ける範囲では、数１０分の１ナノメートルを移動するだけであることになる。

一組のアクチュエータは、例えばｘ軸磁場及びｙ軸磁場を含むことができ、ｘ軸磁場及びｙ軸磁場の生成は、例えばターゲット、例えばリチウム液滴９４をレーザビームで正しい交差点（望ましい点火サイト）に案内することができる磁場作成に使用される例えばターゲットステアリング及び加速機構３６０に含まれた例えば何組もの電極又はコイル（図示せず）によって行うことができる。これは、例えば一組の電極で実行することができるが、他の実施例では、これらの複数の組を用いてより良好な軌跡制御を行うことができる。更に、例えばターゲット、例えばリチウム液滴をｚ軸に沿って加速させるために使用される例えばｚ軸磁場を作り出す一組の電極（図示せず）がある場合がある。また、この照準及び加速機能は、液滴を例えばそれぞれのコイルのために又はそれぞれのコイルから離れるように偏向し、及び／又はコイルの長さ方向に加速させるように液滴の経路に配置された電気コイルで実行することができることが理解されるであろう。加速及び偏向は、当業技術で理解されるように開始が磁気的であるか、又は静電的であるとすることができる。ターゲットステアリングでは、開示内容が本明細書において引用により組み込まれている、Ｍ．Ｏｒｍｅ他著「直接書込み技術としての帯電溶融金属液滴堆積」、ＭＲＳ春季会議、サンフランシスコ（２００１）、及びＯｒｍｅ他著「毛細管流れ崩壊から形成された非従来的液滴流れの静電帯電及び偏向」、流体の物理学、第１２巻、第９号（２０００年９月）、２２２４から２２３５頁に説明されているような技術を使用することができる。

液滴は、例えば帯電リングをターゲット送出システム２４のノズル２２０の周りに置くことにより、例えば帯電させることができる。液滴は小さいので、液滴全体にわたる電荷の分布は、比較的均一であると考えることができるが、電荷は、曲率が高い方の地点に蓄積される傾向があり、その結果、液滴の歪がある場合には、その歪によって電荷の分布が変わってしまう可能性がある。これに対処するために、本発明の実施形態の態様によれば、液滴をターゲット送出システム２４とターゲットステアリング及び加速機構３６０との中間にある差動電荷分析器（図示せず）に通すことができ、ターゲットステアリング及び加速機構３６０は、例えば反対方向に液滴を偏向する一対の電極を含むことができ、偏向の差は、電荷不均一性の尺度である。この変位の差の検出は、本出願で説明するような検出器（図示せず）を用いて行うことができる。システム３５０が電荷不均一性の量を使用すると、ターゲットステアリング及び加速機構３６０内の液滴のｘ軸及びｙ軸での偏向及びｚ軸での加速も制御することができる。

本発明の実施形態の態様によれば、レーザビームシステム２２、すなわち、ＭＯ４４とＰＡ４８を収容する２チャンバエキシマレーザ光源は、例えば電圧制御モードで作動させることができ、制御システム３５０コントローラ３６２は、アクチュエータの役目をするＭＯ及びＰＡに電圧指令を供給し、ＥＵＶ光源２０から出るエネルギを調節することができる。代替的に、ＭＯＰＡ２２は、例えば一定エネルギモードで作動させることができ、その場合、制御システムは、例えばＥＵＶ光源２０から出るエネルギを調節するのに使用されるアクチュエータとすることができるＭＯＰＡにエネルギ指令を供給することができる。制御システムは、例えば望ましい液滴点火サイトへのレーザパルスの到着時間を制御するために、レーザパルスを供給するアクチュエータの役目をするようにレーザシステム２２にレーザトリガ信号を供給することができる。更に別の代案として、レーザの制御は、例えば、本出願人の譲受人によって販売されているＭＯＰＡレーザ製品、例えばＸＬＡレーザモデルにおいてレーザタイミング制御システムで利用されるＭＯＰＡのＴＥＭに直接に制御信号を発することによってコントローラ３６２から行うことができる。電圧制御及び出力エネルギ制御信号は、一斉に又は別々に指令することができる。

本発明の実施形態の態様によれば、追跡と共に及び／又は追跡に加えて、上述の位置検出器センサ、例えばいくつかの異なるセンサを例えば制御構成で使用されるように図９に示すＥＵＶ光源２０制御システム３５０内で供給することができる。一例として、何組ものフォトセル、例えば第１のｘ軸フォトセルアレイ３６４と第２のｘ軸フォトセルアレイ３６５、及び第１のｙ軸フォトセルアレイ３６６と第２のｙ軸フォトセルアレイ３６７を例えば液滴経路に垂直方向に配置することができ、かつ、例えば液滴軌跡を判断するのに使用することができ、その方法は、例えばターゲット送出システム２４を出た後にｘ及びｙフォトセルアレイ３６４、３６６の地点での予測ｘ軸及びｙ軸位置に照らして液滴のｘ及びｙの位置を判断するか、又はアレイ３６４、３６６及びアレイ３６５、３６７での液滴のｘ及びｙ位置を検出して、両者間の距離が分った上で両者を比較するというものである。ｘ及びｙフォトアレイ３６４、３６６も、ｘ及びｙフォトセルアレイ３６５、３６７も、どちらも同一平面上でなくてもよいが、好都合に同一平面上にある場合もある。別の代案は、それぞれのアレイを利用して、例えばｚ平面交差指示として使用することができるセンサ３６４、３６５、３６６、及び／又は３６７への液滴到着時間を判断するというものである。これらの検出器３６４〜３６７は、上述のように、例えば側面撮像レーザによって実行することができる。これらの検出器は、例えば液滴通過毎に１回読み取ることができ、かつこれらの検出器は、出力として、フォトダイオードアレイが配向される軸線内での液滴中心の位置を示す長さが単に２０個ほどのフォトダイオード（ピクセル）程度である可能性がある例えばフォトダイオード上の位置を示す例えばこれらの照射強度の逆数のピークを伴う例えば選択された期間にわたってアレイ内の各フォトセルによって検出された光の積算値を供給することができる。時間領域内のこのピーク、又は恐らくはフォトダイオードアレイからの統合信号のスペクトルの前縁又は後縁は、ｚ平面交差時間も示すことができることが理解されるであろう。

それに加えて、代替的に、例えば１つ又はそれよりも多くのｚ軸レーザ、例えば上述のようなＨｅＮｅレーザを使用すると、例えば液滴が、ビーム、例えば７３０、３７２、３７３、３７４、又は３７６と交差する時間を測定することができ、このビームは、ｚ軸の平面に、すなわち、ターゲット供給システム２４から点火サイト２８へのターゲット、例えばリチウムの液滴の移動に対して横送りの方向に配向された平面ビームを含むことができる。本発明の実施形態の態様によれば、複数のこのようなｚ軸検出面、例えば３７０、３７２、３７４、及び３７６を例えば液滴ステアリング及び加速機構３６０に包含された例えば磁場に印加されたパルスのタイミングを制御するのに使用することができる。磁場は、例えば液滴がそれぞれのビーム、例えば３７０、３７２の平面と交差した後に固定した間隔でパルス駆動させることができるであろう。更に、ビーム、例えば３７４、３７６を望ましい点火サイトに更に近づけて位置決めすることができる。このビーム３７４の交差を利用すると、例えば、ビーム交差後にプログラムされた間隔でレーザシステム２２をトリガさせることができる。また、複数のｚ軸レーザ面、例えば３７０、３７２、及び３７３４の交差を利用すると、液滴速度を判断することができる。検出器３６４ａ、３６６ａ及び３６５ａ、３６７ａを例えばステアリング及び加速機構３６０の下方での軌跡及び／又は速度検出に利用することができる。また、例えばレーザトリガに使用するのに必要な平面交差は１つだけとすることができ、ＭＯＰＡレーザタイミング制御システム技術分野で十分に理解されているように、例えばレーザ制御システム４６自体を使用すると、ＭＯとＰＡ間のタイミングを制御してこのようなトリガ信号の後に何らかの定められた時間間隔でターゲット９４と同時に到着するように時間調節されたレーザパルスを点火サイト２８に有効に送出することができることが理解されるであろう。

本発明の実施形態の態様によれば、例えば、液滴がｘ軸又はｙ軸のフォトセルアレイ、例えば３６４、３６６の平面を通過した時、電池は、フォトセルの出力部で各個々のフォトセル（図示せず）での光強度レベルを示す電圧パターンを供給するものであり、この情報を、例えばコントローラ３６２に供給することができる。次に、アルゴリズムをコントローラ３６２が用いると、例えば上述のようなｘ及びｙ平面においてこの情報を液滴位置に変えることができる。手頃な経費及び満足できる解像度による従来技術で利用可能なフォトセルアレイが与えられると、アルゴリズムは、レーザ波長及び帯域幅検出分野におけるこのようなフォトダイオードアレイ利用の分野で理解されているように、例えばアレイ、例えば３６４、３６６のフォトセル（図示せず）のピッチよりも高い測定精度を達成すべきであることになる。更に、本発明の実施形態の態様によれば、アルゴリズムはまた、例えばｘ及びｙ検出器、例えば３６４、３６６の出力を利用して、例えば２つの軸線内で液滴幅を検出することによって液滴サイズ及び液滴変形を測定可能にすることができる。

本発明の実施形態の態様によれば、例えば、位置制御の２つの可能な段階があるとすることができる。第１の段階において、ｘ及びｙフォトセルアレイ３６４、３６６、３６５、及び３６７を使用すると、例えば液滴軌跡と共に液滴ステアリング及び加速機構３６０内のｘ軸及びｙ軸の磁場電極に入る前の液滴のｚ平面での位置を判断することができる。次に、この情報をコントローラ３６２が使用すると、例えば現在の液滴及び恐らくは次のその後の液滴のために例えば電極（図示せず）で印加される磁場のサイズも調整することができる。第２の段階において、例えばｘ及びｙフォトセル３６４ａ、３６６ａを使用すると、例えば、液滴ステアリング及び加速機構内のｘ軸及びｙ軸の磁場を通過した後及び例えば望ましい点火サイトでのレーザビームとの交差直前の液滴の位置を判断することができる。この情報を使用すると、例えば連続発射のためにｘ及びｙの磁場を調節して、例えば点火サイトに先に到着する液滴のあらゆる位置誤差に対して調節することができる。

また、ｚ軸レーザ面検出器３７４、３７６、又はｘ軸及びｙ軸フォトセルアレイ３６４ａと３６６ａ及び３６５ａと３６７ａ、又はその組合せを用いると、例えば、液滴ステアリング及び加速機構３６０内のｚ軸磁場を出た後の例えば液滴速度及び軌跡を判断することができる。次に、これを利用すると、例えば望ましい点火サイトに到着する以前の発射における液滴の検出ターゲット位置／速度誤差に基づいて、例えば連続発射のためにｚ軸磁場を調節することができる。更に、例えば単一のフォトダイオード素子（ピクセル）を含むに過ぎない例えば一対の検出器（図示せず）は、１つのビームが望ましいターゲット点火サイト又は望ましいターゲット点火サイトに非常に近いところにある地点を通過し、１つのビームがそのすぐ上にある一対のビームによって照射されると、例えばこれらの２つのそれぞれの検出器（図示せず）の各々を阻止する液滴の後縁により、望ましいターゲット点火サイトのできるだけ近くでターゲット速度を検出することができる。これを利用すると、例えば以前の液滴ターゲットの点火によるプラズマ生成の影響、磁場の影響などのために、例えば望ましいターゲット点火サイト又は望ましいターゲット点火サイトの非常に近くでターゲット液滴内で発生する速度の変化を示すことができる。

また、例えばエキシマターゲット照射レーザのエネルギ設定値にディザを適用することができる。ディザ信号は、不規則信号又は周期的信号とすることができる。ディザは、例えばＥＵＶ出力エネルギと相関付けると、プラズマ形成レーザのエネルギ出力に対するＥＵＶ出力の感度を判断することができる。この情報を利用すると、例えばプラズマ形成レーザエネルギ制御ループ内の指令を一定の基準で決めてループ利得を一定に維持することができる。

本発明の実施形態の態様によれば、各々が同時に到着するように時間調節されたレーザパルスを望ましい点火サイトに供給する２つのレーザシステム２２がある場合があり、その場合、液滴交差直前の地点への各レーザパルスの到着時間を測定することができる。この値を利用すると、例えば最終的なｚ軸レーザビーム面と交差する液滴に対する各レーザのトリガ時間を調節することができる。また、２つのレーザ２２を使用した場合、独立したディザ信号をエキシマレーザ２２の各トリガ時間に印加することができる。これらのディザのＥＵＶ出力との相関付けを例えば各エキシマレーザのトリガ時間に対するＥＵＶエネルギの感度を決めるために行うことができる。次に、各エキシマレーザのトリガ時間を独立に調節し、感度をゼロにしてＥＵＶ効率を最大にすることができる。

本発明の実施形態の態様によれば、上述のセンサを使用して、ターゲット位置及び軌跡を判断し、かつレーザパルスの可能な経路内での望ましい点火サイトを予測してフィードバックを行い、レーザ位置決め及び集束光学器械（図示せず）へのレーザ２２の照準又はレーザ位置決め及び集束光学器械（図示せず）の照準を制御し、又は予測した望ましい交差地点（予測した望ましい点火サイト）でのレーザビームパルスによるそれぞれの液滴の交差及び照射を引き起こすという目的で上述のようなビームポインティングを利用することができ、予測した望ましい交差地点は、例えば以前の点火サイトと異なるが、それでも集光ＥＵＶ光から大幅にずれないように集光器３０の焦点から満足できる距離内であると考えられる。これはまた、ターゲット点火サイトでの平均到着時間及び位置の緩やかなドリフトのシステム表示を補正するために比較的緩やかなフィードバックループで行うことができ、すなわち、発射毎ではない。従って、例えば容器内の作動環境、例えばバッファガス圧力の変化のために、望ましいターゲット点火サイトは、時間と共に若干移動し、例えば集光器３０の焦点から約±１０μｍ内に留まり、依然として満足できるレベルでＥＵＶ光を生成することができる。上述のシステムを使用してこの変化を時間と共に検出し、ステアリング機構が平均すると環境の変化のためにターゲット液滴を例えば集光器３０の焦点での元のターゲット点火地点に向けることはできないと仮定して、レーザの焦点を新しい望ましいターゲット点火地点に向け直すことができる。
ターゲット送出はまた、代理人整理番号第２００２−００３０−０１号である２００３年４月８日出願の「極紫外線光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１０／４０９，２５４号に開示されているもののような技術を利用して達成することができ、その開示内容は、引用により本明細書に組み込まれている。

ここで図１０を参照すると、チャンバ容器２６の壁内に形成されかつレーザビーム１４６が進入して点火地点２８に到達する時に通過する入力窓３８０を含む本発明の実施形態の態様が示されている。窓３８０を例えば加熱すると、例えば窓上に付加された蒸発デブリにより、例えばリチウム、錫、又はキセノン原子をプラズマから除去することができる。窓３８０の加熱は、例えば加熱要素により、例えば窓３８０取付けフランジの金属本体に取り付けられた外部加熱取付具又は加熱ランプ３８２、例えばミラー３８４によって窓３８０上に反射させることができる例えば赤外線加熱ランプの使用により行うことができる。この３８４は、図１０に示すように、例えばそのミラー３８４表面がパルスへの直接的な視線内にあることを避けるためにレーザプラズマから離れているとすることができる。これにより、例えばプラズマからこのミラー３８４の反射面上への粒子の影響を防止することができる。
当業者は、本発明の実施形態の上述の態様に多くの修正及び変更を行うことができ、特許請求の範囲は、開示した実施形態だけに限定されるものではなく、このような実施形態及びその均等物を含むように解釈すべきであることを認めるであろう。

本発明の態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源の全体的な広義の概念の概略図である。 本発明の実施形態の態様によるシステムコントローラの作動を概略的に示す図である。 本発明の実施形態による集光器の実施形態の方向に照射点火点から見た本発明の態様によるＥＵＶ光集光器の実施形態の側面図である。 図２Ａの線２Ｂに沿った図２Ａの実施形態の横断面図である。 本発明の実施形態の態様によるターゲット送出システムの可能な実施形態を概略的な形で示す図である。 実施形態の態様の概略側面図として本発明の実施形態の態様によるターゲット追跡システムの可能な実施形態を概略的に示す図である。 実施形態の態様の平面図として本発明の実施形態の態様によるターゲット追跡システムの可能な実施形態を概略的に示す図である。 本発明の実施形態の態様によるターゲット追跡システムの代替的な実施形態の態様の概略斜視図である。 デブリ収集のための冷間フィンガを含む本発明の実施形態の態様による横断面図である。 プラズマ、例えば本発明の実施形態の態様によるレーザ生成プラズマを静電気的に閉じ込めるための機器及び方法を示す図である。 プラズマ、例えば本発明の実施形態の態様によるレーザ生成プラズマを静電気的に閉じ込めるための機器及び方法を示す図である。 プラズマ、例えば本発明の実施形態の態様によるレーザ生成プラズマを静電気的に閉じ込めるための機器及び方法を示す図である。 本発明の実施形態の態様を概略的に示す図である。 本発明の実施形態の態様を概略的に示す図である。 本発明の実施形態の態様を概略的に示す図である。 本発明の実施形態の態様を概略的に示す図である。 本発明の実施形態の態様を概略的に示す図である。 本発明の実施形態の態様を概略的に示す図である。 本発明の実施形態の態様を概略的に示す図である。 フィードバック及び制御に関する本発明の実施形態の態様のブロック図である。 本発明の実施形態の態様を示す図である。

符号の説明

２０ レーザ生成プラズマＥＵＶ光源
２２ パルスレーザシステム
２４ ターゲット送出システム
２６ チャンバ
２８ 照射サイト

Claims (92)

1. 望ましいターゲット点火サイトに集束させるレーザパルスを選択されたパルス繰返し数で供給するパルスレーザと、
   前記レーザパルス繰返し数に調整された選択された間隔で個別のターゲットを供給するターゲット形成システムと、
   前記ターゲット形成システムと前記望ましいターゲット点火サイトの中間にあるターゲットステアリングシステムと、
   前記ターゲット形成システムと前記ターゲットステアリングシステムの間のターゲットの移動に関する情報を提供し、該ターゲットステアリングシステムが該ターゲットを前記望ましいターゲット点火サイトに向けることを可能にするターゲット追跡システムと、
   を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
2. 前記ターゲット追跡システムは、レーザ発射制御信号の作成を可能にする情報を提供する、
   ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
3. 前記ターゲット追跡システムは、
   前記ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含み、かつそれぞれ対向して配置された光検出器を有して該それぞれの点を通る該ターゲットの通過を検出する液滴検出器、
   を含む、
   ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
4. 前記ターゲット追跡システムは、
   前記ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含み、かつそれぞれ対向して配置された光検出器を有して該それぞれの点を通る該ターゲットの通過を検出する液滴検出器、
   を含む、
   ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の機器。
5. 前記ターゲット追跡システムは、
   視準光源を含む液滴検出器と、座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器と、
   を含み、
   前記光源からの光は、前記ターゲットの投射送出経路と交差する、
   ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
6. 前記ターゲット追跡システムは、
   視準光源を含む液滴検出器と、座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器と、
   を含み、
   前記光源からの光は、前記ターゲットの投射送出経路と交差する、
   ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の機器。
7. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
   ことを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の機器。
8. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
   ことを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の機器。
9. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
   ことを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の機器。
10. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の機器。
11. 前記液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の機器。
12. 前記液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の機器。
13. 前記ターゲット追跡システムは、
    視野を有するカメラと該視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを含む液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
14. 前記ターゲット追跡システムは、
    視野を有するカメラと該視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを含む液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の機器。
15. 点火時にターゲット点火サイト又はその近くで電気プラズマ封じ込み場をもたらす静電プラズマ封じ込み機器、
    を含むことを特徴とするレーザ生成プラズマＥＵＶ源。
16. 前記静電プラズマ封じ込み機器の制御を可能にする信号を供給するターゲット追跡システム、
    を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の機器。
17. 容器と、
    ＥＵＶ生成プラズマ発生器と、
    生成ＥＵＶ光を前記容器の一端で中間焦点に集束させる集光器と、
    ＥＵＶ光通路があり、かつ前記容器を第１の圧力の区域と第２の圧力の区域に分離する、前記プラズマ発生器と前記中間焦点の間の前記容器内の中間壁と、
    を含み、
    前記ＥＵＶ開口部は、集束ＥＵＶ光のための通路を含む低圧トラップをそこに有し、かつ前記第１の圧力と前記第２の圧力の間の差による該低圧トラップにわたる圧力降下を維持するように構成されている、
    ことを特徴とするＥＵＶ光源。
18. 前記低圧トラップは、集束させた細い光通路が形成された中実球体の断面を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の機器。
19. ターゲットを規則的間隔で供給する個別のターゲット形成システムを有するＥＵＶ光源であって、
    ターゲット形成システムからのターゲットの追跡を示す出力を供給し、該出力がターゲット位置及び軌跡を含む第１のターゲット追跡システムと、
    ターゲットステアリングシステムと、
    ターゲット位置及び軌跡の出力を利用して入力を前記ターゲットステアリングシステムに提供し、該ターゲットステアリングシステムが前記ターゲットを望ましいターゲット点火サイトに案内することを可能にするフィードバック及び制御システムと、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
20. 前記ターゲットステアリングシステムからのターゲットの追跡を示す出力を供給する第２のターゲット追跡システム、
    を更に含み、
    前記フィードバック及び制御システムは、前記第２のターゲット追跡システムの出力を利用してレーザ発射制御信号を発生させる、
    ことを特徴とする請求項１９に記載の機器。
21. 前記ターゲットステアリングシステムは、ターゲット照準機構とターゲット加速機構を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の機器。
22. 前記ターゲットステアリングシステムは、ターゲット照準機構とターゲット加速機構を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の機器。
23. 前記第１及び第２のターゲット追跡システムは、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリングシステムの中間及び該ターゲットステアリングシステムと前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の機器。
24. 前記第１及び第２のターゲット追跡システムは、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリングシステムの中間及び該ターゲットステアリングシステムと前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の機器。
25. 前記第１及び第２のターゲット追跡システムは、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリングシステムの中間及び該ターゲットステアリングシステムと前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の機器。
26. 移動ターゲットプラズマ源とパルスレーザプラズマビーム形成機構とを含み、それぞれの該ターゲットと該パルスレーザビームが約±１０μｍの精度で望ましいターゲット点火サイトで交差してプラズマを生成するＥＵＶ光源であって、
    ターゲット点火サイトの近くに磁場を作り出してプラズマを該ターゲット点火サイトに封じ込める磁気プラズマ封じ込み機構、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
27. 移動ターゲットプラズマ源とパルスレーザプラズマビーム形成機構とを含み、それぞれの該ターゲットと該パルスレーザビームが、プラズマを生成するために約±１０μｍの精度で望ましいターゲット点火サイトで交差すべきであるＥＵＶ光源であって、
    実質的にプラズマの存在と同時にターゲット点火サイトの近くに磁場を作り出し、該プラズマの存在中に該プラズマを該ターゲット点火サイトに閉じ込めるパルス磁気プラズマ封じ込み機構、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
28. 前記磁気プラズマ封じ込み機構の制御を可能にする情報を提供するターゲット追跡システム、
    を更に含むことを特徴とする請求項２６に記載の機器。
29. 前記磁気プラズマ封じ込み機構の制御を可能にする情報を提供するターゲット追跡システム、
    を更に含むことを特徴とする請求項２７に記載の機器。
30. 望ましいターゲット点火サイトに集束させるレーザパルスを選択されたパルス繰返し数で供給するためのパルスレーザ手段と、
    前記レーザパルス繰返し数に調整された選択された間隔で個別のターゲットを形成するためのターゲット形成手段と、
    前記ターゲット形成手段と前記望ましいターゲット点火サイトの中間にあるターゲットステアリング手段と、
    前記ターゲット形成手段と前記ターゲットステアリング手段の間のターゲットの移動に関する情報を提供し、該ターゲットステアリング手段が該ターゲットを前記望ましいターゲット点火サイトに向けることを可能にするためのターゲット追跡手段と、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
31. 前記ターゲット追跡手段は、レーザ発射制御信号の作成を可能にする情報を提供するための手段を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３０に記載の機器。
32. 前記ターゲット追跡手段は、
    前記ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含み、かつそれぞれ対向して配置された光検出器を有して該それぞれの点を通る該ターゲットの通過を検出する液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３０に記載の機器。
33. 前記ターゲット追跡手段は、
    前記ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含み、かつそれぞれ対向して配置された光検出器を有して該それぞれの点を通る該ターゲットの通過を検出する液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３１に記載の機器。
34. 前記ターゲット追跡手段は、
    視準光源を含む液滴検出器と、座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器と、
    を含み、
    前記光源からの光は、前記ターゲットの投射送出経路と交差する、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３０に記載の機器。
35. 前記ターゲット追跡手段は、
    視準光源を含む液滴検出器と、座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器と、
    を含み、
    前記光源からの光は、前記ターゲットの投射送出経路と交差する、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３１に記載の機器。
36. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３２に記載の機器。
37. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３３に記載の機器。
38. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３４に記載の機器。
39. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３５に記載の機器。
40. 前記液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３２に記載の機器。
41. 前記液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３３に記載の機器。
42. 前記ターゲット追跡手段は、
    視野を有するカメラと該視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを含む液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３０に記載の機器。
43. 前記ターゲット追跡手段は、
    視野を有するカメラと該視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを含む液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３１に記載の機器。
44. 点火時にターゲット点火サイト又はその近くで電気プラズマ封じ込み場をもたらす静電プラズマ封じ込み機器、
    を含むことを特徴とするレーザ生成プラズマＥＵＶ源。
45. 前記静電プラズマ封じ込み機器の制御を可能にする信号を提供するための手段を含むターゲット追跡手段、
    を更に含むことを特徴とする請求項４４に記載の機器。
46. 容器と、
    ＥＵＶ生成プラズマ発生手段と、
    生成ＥＵＶ光を前記容器の一端で中間焦点に集束させる集光器と、
    ＥＵＶ光通路があり、かつ前記容器を第１の圧力の区域と第２の圧力の区域に分離する、前記プラズマ発生器と前記中間焦点の間の前記容器内の中間壁と、
    を含み、
    前記ＥＵＶ開口部は、集束ＥＵＶ光のための通路を含む低圧トラップ手段と、前記第１の圧力と前記第２の圧力の間の差による該低圧トラップにわたる圧力降下を維持するための手段とをそこに有する、
    ことを特徴とするＥＵＶ光源。
47. 前記低圧トラップ手段は、集束させた細い光通路が形成された中実球体の断面を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項４６に記載の機器。
48. ターゲットを規則的間隔で形成するための個別のターゲット形成手段を有するＥＵＶ光源であって、
    ターゲット形成手段からのターゲットの追跡を示す出力を供給し、該出力がターゲット位置及び軌跡を含む第１のターゲット追跡手段と、
    ターゲットステアリング手段と、
    ターゲット位置及び軌跡の出力を利用して入力を前記ターゲットステアリング手段に提供し、該ターゲットステアリング手段が前記ターゲットを望ましいターゲット点火サイトに案内することを可能にするフィードバック及び制御手段と、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
49. 前記ターゲットステアリングシステムからのターゲットの追跡を示す出力を供給する第２のターゲット追跡手段、
    を更に含み、
    前記フィードバック及び制御手段は、レーザ発射制御信号を発生させるために前記第２のターゲット追跡システムの出力を利用する、
    ことを特徴とする請求項４８に記載の機器。
50. 前記ターゲットステアリング手段は、ターゲット照準手段とターゲット加速手段を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項４８に記載の機器。
51. 前記ターゲットステアリング手段は、ターゲット照準手段とターゲット加速手段を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項４９に記載の機器。
52. 前記第１及び第２のターゲット追跡手段は、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリング機構の中間及び該ターゲットステアリング機構と前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項４８に記載の機器。
53. 前記第１及び第２のターゲット追跡手段は、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリング機構の中間及び該ターゲットステアリング機構と前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項４９に記載の機器。
54. 前記第１及び第２のターゲット追跡手段は、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリング機構の中間及び該ターゲットステアリング機構と前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項５０に記載の機器。
55. 移動ターゲットプラズマ源とパルスレーザプラズマビーム形成機構とを含み、それぞれの該ターゲットと該パルスレーザビームが約±１０μｍの精度で望ましいターゲット点火サイトで交差してプラズマを生成するＥＵＶ光源であって、
    ターゲット点火サイトの近くに磁場を作り出してプラズマを該ターゲット点火サイトに封じ込めるための磁気プラズマ封じ込み手段、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
56. 移動ターゲットプラズマ源とパルスレーザプラズマビーム形成機構とを含み、それぞれの該ターゲットと該パルスレーザビームが、プラズマを生成するために約±１０μｍの精度で望ましいターゲット点火サイトで交差すべきであるＥＵＶ光源であって、
    実質的にプラズマの存在と同時にターゲット点火サイトの近くに磁場を作り出し、該プラズマの存在中に該プラズマを該ターゲット点火サイトに閉じ込めるためのパルス磁気プラズマ封じ込み手段、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
57. 前記磁気プラズマ封じ込み機構の制御を可能にする情報を提供するターゲット追跡システム、
    を更に含むことを特徴とする請求項５５に記載の機器。
58. 前記磁気プラズマ封じ込み機構の制御を可能にする情報を提供するターゲット追跡システム、
    を更に含むことを特徴とする請求項５６に記載の機器。
59. 選択されたパルス繰返し数で望ましいターゲット点火サイトに集束させるレーザパルスを供給するパルスレーザを利用する段階と、
    前記レーザパルス繰返し数に調整された選択された間隔で個別のターゲットを形成する段階と、
    前記ターゲットの前記形成と前記望ましいターゲット点火サイトの中間でターゲットステアリングシステムを利用する段階と、
    前記ターゲット形成と前記ターゲットステアリングシステムの間のターゲットの移動に関する情報を提供し、かつ該ターゲットステアリングシステムが該ターゲットを前記望ましいターゲット点火サイトに向けることを可能にするためのターゲット追跡システムを利用する段階と、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光生成方法。
60. レーザ発射制御信号の作成を可能にする情報を提供する前記ターゲット追跡システムを利用する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項５９に記載の方法。
61. 前記ターゲット追跡システムは、
    前記ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含み、かつそれぞれ対向して配置された光検出器を有して該それぞれの点を通る該ターゲットの通過を検出する液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項５９に記載の方法。
62. 前記ターゲット追跡システムは、
    前記ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含み、かつそれぞれ対向して配置された光検出器を有して該それぞれの点を通る該ターゲットの通過を検出する液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
63. 前記ターゲット追跡システムは、
    視準光源を含む液滴検出器と、座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器と、
    を含み、
    前記光源からの光は、前記ターゲットの投射送出経路と交差する、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項５９に記載の方法。
64. 前記ターゲット追跡システムは、
    視準光源を含む液滴検出器と、座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器と、
    を含み、
    前記光源からの光は、前記ターゲットの投射送出経路と交差する、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
65. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６１に記載の方法。
66. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６２に記載の方法。
67. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６３に記載の方法。
68. 前記液滴検出器の少なくとも１つは、平面遮断検出装置を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６４に記載の方法。
69. 前記液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６１に記載の方法。
70. 前記液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６２に記載の方法。
71. 前記ターゲット追跡システムは、
    視野を有するカメラと該視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを含む液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項５９に記載の方法。
72. 前記ターゲット追跡システムは、
    視野を有するカメラと該視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを含む液滴検出器、
    を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
73. 点火時にターゲット点火サイト又はその近くに電気プラズマ封じ込み場を形成する静電プラズマ封じ込み機器を利用する段階、
    を含むことを特徴とするレーザ生成プラズマＥＵＶ光生成方法。
74. 前記静電プラズマ封じ込み機器の制御を可能にする信号を供給するターゲット追跡システムを利用する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項７３に記載の方法。
75. ＥＵＶ光通路があり、かつ容器を第１の圧力の区域と第２の圧力の区域に分離する中間壁を容器内に有するプラズマ生成容器を利用する段階と、
    集束ＥＵＶ光のための通路を含む低圧トラップを前記壁に設け、前記第１の圧力と前記第２の圧力の間の差による該低圧トラップにわたる圧力降下を維持する段階と、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光生成方法。
76. 前記低圧トラップは、集束させた細い光通路が形成された中実球体の断面を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項７５に記載の方法。
77. ターゲットを規則的な間隔で形成する個別のターゲット形成システムを利用するＥＵＶ光生成方法であって、
    ターゲット位置及び軌跡を含んでターゲット形成システムからのターゲットの追跡を示す出力を供給する第１のターゲット追跡システムを利用する段階と、
    ターゲットステアリングシステムを利用する段階と、
    前記ターゲット位置及び軌跡出力を利用して入力を前記ターゲットステアリングシステムに供給し、該ターゲットステアリングシステムが前記ターゲットを望ましいターゲット点火サイトに案内することを可能にするフィードバック及び制御システムを利用する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
78. 前記ターゲットステアリングシステムからのターゲットの追跡を示す出力を供給する第２のターゲット追跡システムを利用する段階と、
    レーザ発射制御信号を発生させるために前記第２のターゲット追跡システムの前記出力を利用する前記フィードバック及び制御システムを利用する段階と、
    を更に含むことを特徴とする請求項７７に記載の方法。
79. 前記ターゲットステアリングシステムは、ターゲット照準機構とターゲット加速機構を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項７７に記載の方法。
80. 前記ターゲットステアリングシステムは、ターゲット照準手段とターゲット加速手段を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項７８に記載の方法。
81. 前記第１及び第２のターゲット追跡システムは、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリング機構の中間及び該ターゲットステアリング機構と前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項７７に記載の方法。
82. 前記第１及び第２のターゲット追跡システムは、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリング機構の中間及び該ターゲットステアリング機構と前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項７８に記載の方法。
83. 前記第１及び第２のターゲット追跡システムは、前記ターゲット送出システムと前記ターゲットステアリング機構の中間及び該ターゲットステアリング機構と前記望ましいターゲット点火サイトの中間にそれぞれｘ及びｙ軸位置検出器とｚ平面通過検出器を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項７９に記載の方法。
84. 移動ターゲットプラズマ源とパルスレーザプラズマビーム形成機構とを使用する段階を含み、それぞれの該ターゲットと該パルスレーザビームが約±１０μｍの精度で望ましいターゲット点火サイトで交差してプラズマを生成するＥＵＶ光生成方法であって、
    ターゲット点火サイトの近くに磁場を作り出してプラズマを該ターゲット点火サイトに封じ込める磁気プラズマ封じ込み機構を利用する段階、
    を含むことを特徴とする方法。
85. 移動ターゲットプラズマ源とパルスレーザプラズマビーム形成機構とを使用する段階を含み、それぞれの該ターゲットと該パルスレーザビームが、プラズマを生成するために約±１０μｍの精度で望ましいターゲット点火サイトで交差すべきであるＥＵＶ光生成方法であって、
    実質的にプラズマの存在と同時にターゲット点火サイトの近くに磁場を作り出し、該プラズマの存在中に該プラズマを該ターゲット点火サイトに封じ込めるパルス磁気プラズマ封じ込み機構を利用する段階、
    を含むことを特徴とする方法。
86. 前記磁気プラズマ封じ込み機構の制御を可能にする情報を提供するターゲット追跡システムを利用する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項８４に記載の方法。
87. 前記磁気プラズマ封じ込み機構の制御を可能にする情報を提供するターゲット追跡システムを利用する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項８５に記載の方法。
88. 多層反射面を含む集光器ミラーと、
    ＬＰＰのＥＵＶ光源に生成されたプラズマに十分近い近傍にある、該プラズマの影響によって腐食される少なくとも１つの構成要素と、
    前記多層反射面上にスパッタリングされた場合に該多層反射面を損傷しない、前記少なくとも１つの構成要素上のコーティングと、
    を含むことを特徴とする、ＬＰＰのＥＵＶ光源。
89. 前記多層反射面は、前記少なくとも１つの構成要素と同じコーティングで被覆されている、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項８８に記載の機器。
90. 前記多層反射面は、前記少なくとも１つの構成要素の前記コーティングと同じ材料の層を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項８８に記載の機器。
91. ＬＰＰのＥＵＶチャンバと、
    ＬＰＰのＥＵＶ光源のためのプラズマを前記チャンバ内に生成するためにターゲットに向けられた駆動レーザビームを生成する駆動レーザと、
    前記駆動レーザビームが前記チャンバに入る時に通過する入力窓と、
    前記入力窓を加熱する加熱器要素と、
    を含むことを特徴とする、ＬＰＰのＥＵＶ光源。
92. ターゲット液滴又は最終的にターゲット液滴を形成する液体の流れがターゲット形成軸線に沿って放出されるノズルを含むターゲット形成システムと、
    前記ノズルと望ましいターゲット点火サイトの近傍との中間にある該望ましいターゲット点火サイトへの照射ビームの到着に調整されたターゲット飛行経路における１つ又はそれよりも多くの位置で前記ターゲット液滴の位置を検出し、かつ該飛行経路の誤差及び／又は該照射ビームの到着時における該望ましいターゲット点火サイトに対する該ターゲット液滴の該位置の誤差を検出するターゲット追跡システムと、
    前記照射ビームの前記到着時の前記望ましいターゲット点火サイトに対するその後のターゲット液滴の位置の誤差を小さくするために、前記検出された誤差に基づいて前記ターゲット形成軸線を傾けるターゲット形成システム傾斜機構と、
    を含むことを特徴とする、ＬＰＰのＥＵＶ光源。

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