JP4623009B2 - 露光装置および露光方法 - Google Patents

Description

本発明は、露光装置に係わり、特にターゲット材料をプラズマ化してパルス光を発生させパルス光で露光を行う露光装置および露光方法に関する。

従来、パルス光を使用した露光装置では、露光装置側から光源に発光の指示（トリガー）を行い、光源はこれに応じて露光光を発光している。すなわち、露光装置側は装置のステージ駆動にタイミングを合わせるように光源にトリガーをかけて露光動作を行っている。これにより露光フィールド内で均一な露光量を得ることができる。
一方、ある種のＥＵＶ光源では間歇的にターゲット材料を供給しこれをプラズマ化し、このプラズマから輻射されるＸ線（ＥＵＶ光）を用いている。このような光源として、例えばノズル先端から液滴を落下させ、この液滴にレーザ光を照射しプラズマ化するドロプレット・レーザプラズマエックス線源がある。
特開２０００−２１５９９８号公報

しかしながら、このような光源においては、ＥＵＶ光が発光する時刻は、ターゲット材料が供給されるタイミングに依存し、露光装置内部のタイミングとは無関係となる。このため、露光装置側から光源にトリガーをかけても、露光装置が所望しているタイミングでＥＵＶ光が発光しない。このタイミングのズレ（遅れ）は最大で光源の繰り返し周波数の逆数になる。例えば繰り返し周波数が１ｋＨｚであれば、最大の遅れは１ｍｓになる。

このため、露光装置のステージの動き出しとＥＵＶ光の発光時刻のズレにより露光フィールド内のスキャン開始部分およびスキャン終端部で照射されるパルス数が最悪の場合１パルス分不足してしまい、フィールド内の露光量均一性が悪化してしまう。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、露光用の光源にターゲット材料をプラズマ化して発生したパルス光を使用する場合にも、良好な露光量均一性を得ることができる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。

請求項１の露光装置は、間歇的に供給されるターゲット材料をプラズマ化しパルス光を発生させる発光手段と、前記パルス光が照射されるレチクルを備えたレチクルステージと、前記レチクルでパターン化されたパルス光が照射される感応基板が配置される感応基板ステージと、前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記感応基板ステージの駆動タイミングと前記パルス光の発光タイミングとに基づいて露光開始点または露光終了点と前記発光タイミングとが一致するように前記感応基板ステージを制御する制御手段とを有することを特徴とする。

請求項２の露光方法は、間歇的に供給されるターゲット材料をプラズマ化しパルス光を発生させる発光手段と、前記パルス光が照射されるレチクルを備えたレチクルステージと、前記レチクルでパターン化されたパルス光が照射される感応基板が配置される感応基板ステージと、前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記感応基板ステージの駆動タイミングと前記パルス光の発光タイミングとに基づいて露光開始点または露光終了点と発光タイミングとが一致するように前記発光タイミングを制御する制御手段とを有することを特徴とする。

請求項３の露光装置は、請求項２記載の露光装置において、前記発光タイミングの調整を、前記パルス光の位相を変化させて行うことを特徴とする。
請求項４の露光装置は、請求項２記載の露光装置において、前記発光タイミングの調整を、前記パルス光の発光周波数を変化させて行うことを特徴とする。
請求項５の露光装置は、請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の露光装置において、前記パルス光の発光タイミングを、検出手段により予め検出することを特徴とする。

請求項６の露光装置は、請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の露光装置において、前記パルス光の発光タイミングを、前記供給手段の前記ターゲット材料の供給タイミングに基づいて求めることを特徴とする。
請求項７の露光装置は、請求項６記載の露光装置において、前記ターゲット材料の供給タイミングを、前記ターゲット材料の供給時刻を検出することにより求めることを特徴とする。

請求項８の露光装置は、請求項６記載の露光装置において、前記ターゲット材料の供給タイミングを、前記ターゲット材料を供給する供給手段の駆動制御信号により求めることを特徴とする。
請求項９の露光装置は、請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載の露光装置において、前記感応基板ステージは、一定の制御周期で駆動制御されることを特徴とする。

請求項１０の露光装置は、請求項９記載の露光装置において、前記制御手段は、前記制御周期を前記パルス光の周期に同期させて露光を開始することを特徴とする。
請求項１１の露光装置は、請求項１０記載の露光装置において、前記制御手段は、前記同期を、前記感応基板ステージの助走開始時刻を遅らせて行うことを特徴とする。
請求項１２の露光装置は、請求項１１記載の露光装置において、前記制御手段は、前記助走開始時刻の遅れ時間が最小となるように探索して、前記同期を行うことを特徴とする。

請求項１３の露光方法は、間歇的に供給されるターゲット材料をプラズマ化し、発生したパルス光を用いて感応基板上にパターンを走査露光する露光方法において、前記パターンが形成されたレチクルをレチクルステージに搬送するステップと、前記感応基板を感光基板ステージに配置するステップと、前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記感応基板ステージの駆動タイミングと前記パルス光の発光タイミングとに基づいて、前記発光タイミングと露光開始点または露光終了点とが一致するように、前記感応基板ステージを制御するステップとを含むことを特徴とする。また、請求項１４の露光方法は、請求項１３に記載の前記感応基板ステージを制御するステップの代わりに、前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記感応基板ステージの駆動タイミングと前記パルス光の発光タイミングとに基づいて、前記発光タイミングと露光開始点または露光終了点とが一致するように、発光タイミングを制御するステップを含むことを特徴とする。

請求項１５の露光方法は、請求項１３または１４に記載の露光方法において、前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記パルス光の発光タイミングを測定することを特徴とする。請求項１６の露光方法は、請求項１３または１４の露光方法において、前記ターゲット材料の供給タイミングに基づいて、前記パルス光の発光タイミングを求めることを特徴とする。請求項１７の露光方法は、請求項１３または１４に記載の露光方法において、前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記パルス光の強度を検出することにより、前記パルス光の発光タイミングを求めることを特徴とする。請求項１８の露光方法は、請求項１３または１４に記載の露光方法において、前記ターゲット材料の供給部に出力される材料供給信号と、前記ターゲット材料の供給タイミングとの相関により、前記パルス光の発光タイミングを推定することを特徴とする。

本発明では、感応基板上への走査露光を開始する前に、感応基板ステージの駆動タイミングとパルス光の発光タイミングとに基づいて露光開始点または露光終了点と発光タイミングとが一致するように感応基板ステージを制御するようにしたので、露光用の光源にターゲット材料をプラズマ化して発生したパルス光を使用する場合にも、良好な露光量均一性を得ることができる。

本発明では、感応基板上への走査露光を開始する前に、感応基板ステージの駆動タイミングとパルス光の発光タイミングとに基づいて露光開始点または露光終了点と発光タイミングとが一致するように発光タイミングを制御するようにしたので、露光用の光源にターゲット材料をプラズマ化して発生したパルス光を使用する場合にも、良好な露光量均一性を得ることができる。

本発明の露光方法では、ターゲット材料の供給部に出力される材料供給信号と、前記ターゲット材料の供給タイミングとの相関により、パルス光の発光タイミングを推定するようにしたので、露光用の光源にターゲット材料をプラズマ化して発生したパルス光を使用する場合にも、良好な露光量均一性を得ることができる。

本発明の露光方法では、露光開始前にパルス光の発光タイミングを測定するようにしたので、露光用の光源にターゲット材料をプラズマ化して発生したパルス光を使用する場合にも、発光タイミングを把握することができ、これに基づいて露光量均一性の制御をすることが可能となる。

本発明の露光装置の第１の実施形態を示す説明図である。 図１の制御装置のウエハステージ制御のタイムチャートを示す説明図である。 本発明の露光装置の第２の実施形態におけるウエハステージ制御のタイムチャートを示す説明図である。 本発明の露光装置の第３の実施形態を示す説明図である。

以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
(第１の実施形態)
図１は本発明の露光装置の第１の実施形態を示している。この実施形態では、露光用の光源にドロプレット(液滴)ターゲットを用いたレーザプラズマエックス線源が使用される。

この実施形態の露光装置は、ＥＵＶ光発生部１１と露光部１３とを有している。
ＥＵＶ光発生部１１はターゲット材料をプラズマ化しＥＵＶ光からなるパルス光を発生させる。このＥＵＶ光発生部１１は真空チャンバ１５を有している。真空チャンバ１５内には、ＥＵＶ光を反射する集光ミラー１７と、ＥＵＶ光を検出するＥＵＶ光検出器１９が配置されている。

真空チャンバ１５の上側には、ターゲット材料を供給するターゲット材料供給装置２１が配置されている。このターゲット材料供給装置２１は、真空チャンバ１５内に開口されるノズル２３と、ノズル２３へターゲット材料を供給する供給部２５とを有している。真空チャンバ１５の下側には、ターゲット材料を回収する回収機構２７が配置されている。
真空チャンバ１５の側方には、レーザ光を発生するレーザ装置２９からのレーザ光３１を真空チャンバ１５内に導くレーザ光光学系３３が配置されている。レーザ装置２９からのレーザ光３１は、反射ミラー３５，３７により反射した後、レンズ３９により集光され、真空チャンバ１５に形成されるレーザ導入窓４１を介して真空チャンバ１５内に導かれる。

レーザ装置２９およびターゲット材料供給装置２１の供給部２５は、レーザ・ターゲット材料制御装置４３により制御される。
露光部１３は、真空チャンバ４５を有している。真空チャンバ４５内には、レチクルステージ４７およびウエハステージ４９が配置されている。ＥＵＶ光発生部１１で発生したＥＵＶ光はＥＵＶ光導入部５１から真空チャンバ４５内の照明光学系５３に導入され、照明光学系５３によりレチクルステージ４７の下側に配置されるレチクル５５の下面に導かれる。レチクル５５でパターン化され反射されたＥＵＶ光は、投影光学系５７を介してウエハステージ４９の上面に載置される感応基板であるウエハ５９に照射され露光が行われる。この実施形態では、レチクルステージ４７およびウエハステージ４９を駆動してスキャン露光が行われる。

図１において、符号６１は制御装置を示している。この制御装置６１は、ＥＵＶ光検出器１９およびレーザ・ターゲット材料制御装置４３からの信号を入力する。また、レチクルステージ４７およびウエハステージ４９から駆動制御信号を入力する。そして、レチクルステージ４７、ウエハステージ４９およびレーザ・ターゲット材料制御装置４３を制御する。

上述した露光装置では、ターゲット材料供給装置２１の供給部２５により、ノズル２３の先端から、例えば液化キセノンからなるドロプレットターゲット６３が間歇的に噴出される。噴出されたターゲット６３が所定の位置（集光ミラー１７の焦点）に到達した時に、レーザ装置２９からレーザ光３１が出射され、レンズ３９を介してターゲット６３上に集光し、ターゲット材料をプラズマ化する。

プラズマ６５から放出されたＥＵＶ光６７は集光ミラー１７により集光され、露光部１３の照明光学系５３に導かれる。照明光学系５３から出射されたＥＵＶ光６７はレチクルステージ４７のレチクル５５に入射して反射される。レチクル５５の反射光は投影光学系５７に入射し、レチクル５５上の微細パターンをレジストが塗布されたウエハ５９上に結像する。

ここで、レーザ装置２９およびターゲット材料供給装置２１の供給部２５は、レーザ・ターゲット制御装置４３により、ターゲット６３が所定の位置（集光ミラー１７の焦点）に位置したときにレーザ光３１がターゲット６３を照射するようにタイミングを制御されている。例えば、レーザ装置２９からターゲット６３へ向かうレーザ光３１の発光タイミングを調整することにより制御される。なお、この調整は、例えば、ＥＵＶ光の発光状態をＥＵＶ光検出器１９等の検出器によって検出することによって行うことが可能となる。また、レーザ装置２９から射出されるレーザ光のパルス周期とターゲット材料の供給周期(集光ミラー１７の焦点をターゲット６３が通過する周期と同じ)は設計した周期となるように調整しておく。

一方、図２に示すように、ウエハステージ４９の軌道追従制御は離散的であり、その駆動制御の周期はＤｓである。また、プラズマ６５の発光も離散的であり、そのＥＵＶ光(パルス光ともいう)の発光周期はＤｅであり、両者は同期していない。
そして、１ショットのスキャン露光において、ウエハステージ４９の助走開始から露光開始までの時間Ｔｓｅは、ウエハステージ４９の軌道を生成する時点において既知である。また、助走開始直前の駆動制御タイミングを時間原点０とし、ここから直後のパルス光の発光点までの時間差Ｔｏｆは何らかのハードウェア的な計測手段において測定可能でありこれも既知とすることができる。

この実施形態では、時間差Ｔｏｆを知るために露光開始前にプラズマ６５を発光させて、パルス光の発光タイミングとウエハステージ４９の駆動制御のタイミングとの遅延時間を検出する。この時間差ＴｏｆはＥＵＶ光検出器１９によりパルス光をモニターすることにより行われる。この実施形態ではＥＵＶ光検出器１９にフォトダイオードを用いている。パルス光が発生するとフォトダイオードから電流（電圧）が出力され、この信号をモニターすることによりパルス光の発光タイミングを知ることができる。このフォトダイオードからの信号と、露光装置内部で有しているウエハステージ４９の駆動制御タイミングの制御周期との時間差を調べることによりＴｏｆを知ることができる。

ここで、ｎを整数とするとパルス光の発光タイミングＴｆ（ｎ）は下式で表される。
Ｔｆ（ｎ）＝ｎ×Ｄｅ＋Ｔｏｆ
また、ｍを整数とすると露光開始の駆動制御タイミングＴｓ（ｍ）は下式で表される。
Ｔｓ（ｍ）＝ｍ×Ｄｓ＋Ｔｓｅ
図２の直線ａに示したように、最初の時間原点０でウエハステージ４９の助走を開始すると、パルス光の発光タイミングは必ずしもウエハステージ４９が露光開始点に到達するタイミングとは一致しない。これを一致させるために、図２の直線ｂに示すように、ウエハステージ４９の助走開始を遅らせる（駆動制御は離散的であるので遅れは１サンプルＤｓ毎になる）。

ここで、｜Ｔｆ（ｎ）一Ｔｓ（ｍ）｜＜Δ（Δは許容される時間差）となる最小のｎ，ｍを探索する。このｍを使用して、すなわち、先の時間原点０よりｍサンプルだけウエハステージ４９の助走開始の駆動制御タイミングを遅らすことにより、露光開始点の近傍にパルス光の発光開始点がくるように制御する(同期をとる)ことができる。
なお、周期Ｄｅと周期Ｄｓの値とタイミングの初期値によってはｎとｍの値が大きくなり過ぎ、露光開始できる状態になるまで時間がかかる恐れがある。これが問題になる場合には、予め発光のタイミングあるいはウエハステージ４９の駆動制御のタイミングつまり位相をずらしてｎ、ｍの値が小さい値で同期をとれるようにすることも可能である。位相をずらす手段としては、例えば、軌道の開始位置(初期位置)を変えたり、軌道生成のパラメータ(加速度)を調整したりする等の方法を用いることができる。

上述した露光装置では、ウエハ５９上への走査露光を開始する前に、ウエハステージ４９の駆動制御タイミングとパルス光の発光タイミングとに基づいて、露光開始点と発光タイミングとが一致(同期)するようにウエハステージ４９の移動開始のタイミングを制御するようにしたので、露光用の光源にターゲット材料をプラズマ化して発生したパルス光を使用する場合にも、良好な露光量均一性を得ることができる。ここで言う、一致(同期)とは装置の仕様上問題のない程度の時間差を許容したものである。

すなわち、ウエハステージ４９の露光開始時刻とパルス光の発光時刻とのズレを低減し、露光フィールド内のスキャン開始部分で照射されるパルス光の露光フィールド内でのパルス数を常に一定のパルス数にすることが可能になり、露光フィールド内の露光量を均一にすることが本質である。
なお、上述した露光装置ではＥＵＶ光検出器１９を用いてＥＵＶ光の発光タイミングを検出しているが、他の方法で発光タイミングを検出しても良い。例えば、上述したように、ターゲット６３の供給タイミングとレーザ装置２９から射出するプラズマ励起用のパルスレーザ光のパルスのタイミングとが同期を取るように予め調整することができる。このような場合、レーザ装置２９のレーザ光の発光タイミングをＥＵＶ光の発光タイミングとして制御することができる。このような制御を行う場合、レーザ装置２９のレーザ光発光周期とターゲット６３の供給周期が異なる場合には、この違いについて考慮することが好ましい。
(第２の実施形態)
図３は本発明の露光装置の第２の実施形態のタイムチャートを示している。

なお、この実施形態において第１の実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、ウエハ５９上への走査露光を開始する前に、ウエハステージ４９の駆動制御タイミングとパルス光の発光タイミングとに基づいて発光タイミングが調整され、露光開始と発光タイミングとを一致させる。

この実施形態では、発光タイミングの調整が、パルス光の位相を変化させることにより行われる。すなわち、制御装置６１は、図３の時刻Ａにおいて、ウエハステージ４９の駆動制御タイミングとパルス光の発光タイミングとのズレ量Ｔｏｆを検出する(第１の実施形態と同様)。そして、この結果に基づいて、パルス光の発光タイミングをどのくらいずらせば、最短の時間でウエハステージ４９の駆動制御タイミングとが一致するかを計算する。そして、この計算結果をレーザ・ターゲット材料制御装置４３にフィードバックする。これにより、ターゲット材料供給装置２１の供給部２５によりノズル２３から噴出されるターゲット６３の噴出タイミングが変更され、パルス光の発光タイミング(位相)がずらされる(図では時刻Ａの発光と次の発光までのタイミングを調整している)。なお、この実施形態では、パルス光の発光周波数(繰り返し周波数)は変化されない。

この実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができるが、この実施形態では、第１の実施形態に比較して、より短い時間でウエハステージ４９の駆動制御タイミングとパルス光の発光タイミングとを一致させることができる。従って、待ち時間を少なくし露光装置のスループットを向上させることができる。
なお、この実施形態では、パルス光の発光タイミング(位相)をずらした例について説明したが、パルス光の発光周波数(繰り返し周波数)を変化するようにしても良い。

すなわち、ウエハ５９上の１点に照射されるパルス光のパルス数が十分に多く、露光量均一性が十分な場合には、パルス光の発光周波数を多少変化させても問題ない。従って、このような場合には、ウエハステージ４９の駆動制御タイミングとパルス光の発光タイミングとが一致するようにパルス光の発光周波数を変化するようにしても良い。また、ステージの駆動制御タイミングの位相や周波数を変化させることも可能である。
(第３の実施形態)
図４は本発明の露光装置の第３の実施形態を示している。

なお、この実施形態において第１の実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、ノズル２３からターゲット材料が噴出されるタイミングをモニターすることによりパルス光の発光タイミングがモニターされる。
すなわち、この実施形態では、ターゲット６３の通過位置の片側に光照射器７１が配置され、光照射器７１に対向して光検出器７３が配置されている。光照射器７１は発光ダイオード７５と集光レンズ７７とを有している。発光ダイオード７５から放出された光は、集光レンズ７７によりターゲット６３が通過する位置で焦点を結ぶように設計されている。ターゲット６３が通過した時刻には、発光ダイオード７５からの光がターゲット６３により遮られたり散乱されるため、光検出器７３で検出される光量が低下し光検出器７３からの出力信号が低下する。

従って、光検出器７３の出力信号をモニターすることにより、ターゲット６３が通過した時刻をモニターすることができる。そして、ターゲット６３の通過からターゲット６３が発光するまでの時間は一定であるので、光検出器７３の検出信号からパルス光の発光タイミングを推定することができる。
この実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

なお、この実施形態では、ターゲット６３が通過する時刻を光検出器７３によりモニターした例について説明したが、レーザ・ターゲット材料制御装置４３からターゲット材料供給装置２１の供給部２５に出力される材料供給信号と、ターゲット材料の滴下のタイミングの相関を求め、ターゲット材料供給装置２１への材料供給信号からパルス光の発光タイミングを推定するようにしても良い。

例えば、ターゲット材料供給装置２１の供給部２５にパルス電圧を印加するとそれに応じてノズル２３から液滴が所定の応答時間で落下する。従って、パルス電圧の印加の時刻とパルス光の発光までの時間差を予め測定することにより、パルス電圧の印加のタイミングのみを知ることによりパルス光の発光時刻を知ることができる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。

(１)上述した実施形態では、露光開始点とパルス光の発光点とを同期させた例について説明したが、露光終了点とパルス光の発光点とを同期させるようにしても良い。いずれの制約が重要であるかは露光するショットの形状等によって決まり、両方を同期させることができない場合には、重要な方だけを同期させるように制御するのが望ましい。例えば、ショットのエッジ近傍のパターンの有無や照明均一性がより要求されるパターンの有無等によってどちらを優先するか決めれば良い。

(２)上述した実施形態では、パルス光の発光タイミングをＥＵＶ光検出器１９によりモニターした例について説明したが、例えば、可視光、赤外域に感度を有する光検出器によりモニターしても良い。すなわち、プラズマ６５からはＥＵＶ光６７と同時に、紫外線、可視光、赤外光等が発生するため、これをモニターすることによりＥＵＶ光６７の発光タイミングを知ることができる。

(３)上述した実施形態では、ＥＵＶ光６７の光源にレーザ生成プラズマ光源を用いた例について説明したが、例えば、間歇的にターゲット材料を電極間に供給し、それに合わせて放電を行ってＥＵＶ光を発生する放電プラズマエックス線源であっても良い。また、間歇的なターゲット材料の供給方法としては、間歇的にガスを電極間に噴出したり、液的状あるいは微小粒子状のターゲット材料を電極間に供給する方法がある。

(４)上述した実施形態では、ターゲット材料に液化キセノンを用いた例について説明したが、例えば、錫(Ｓｎ)を使用しても良い。この場合には、例えばポリスチレン樹脂中にＳｎ固体微粒子を分散させたものを加熱して液体状で使用するのが望ましい。
(５)上述した実施形態では、感応基板のステージに制御タイミングと発光タイミングの同期を取っているが、同様にして、レチクルステージの制御タイミングと発光タイミングの同期を取ることができる。

Claims (18)

1. 間歇的に供給されるターゲット材料をプラズマ化しパルス光を発生させる発光手段と、
   前記パルス光が照射されるレチクルを備えたレチクルステージと、
   前記レチクルでパターン化されたパルス光が照射される感応基板が配置される感応基板ステージと、
   前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記感応基板ステージの駆動タイミングと前記パルス光の発光タイミングとに基づいて露光開始点または露光終了点と前記発光タイミングとが一致するように前記感応基板ステージを制御する制御手段と、
   を有することを特徴とする露光装置。
2. 間歇的に供給されるターゲット材料をプラズマ化しパルス光を発生させる発光手段と、
   前記パルス光が照射されるレチクルを備えたレチクルステージと、
   前記レチクルでパターン化されたパルス光が照射される感応基板が配置される感応基板ステージと、
   前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記感応基板ステージの駆動タイミングと前記パルス光の発光タイミングとに基づいて露光開始点または露光終了点と発光タイミングとが一致するように前記発光タイミングを制御する制御手段と、
   を有することを特徴とする露光装置。
3. 請求項２記載の露光装置において、
   前記発光タイミングの調整を、前記パルス光の位相を変化させて行うことを特徴とする露光装置。
4. 請求項２記載の露光装置において、
   前記発光タイミングの調整を、前記パルス光の発光周波数を変化させて行うことを特徴とする露光装置。
5. 請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の露光装置において、
   前記パルス光の発光タイミングを、検出手段により予め検出することを特徴とする露光装置。
6. 請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の露光装置において、
   前記パルス光の発光タイミングを、前記供給手段の前記ターゲット材料の供給タイミングに基づいて求めることを特徴とする露光装置。
7. 請求項６記載の露光装置において、
   前記ターゲット材料の供給タイミングを、前記ターゲット材料の供給時刻を検出することにより求めることを特徴とする露光装置。
8. 請求項６記載の露光装置において、
   前記ターゲット材料の供給タイミングを、前記ターゲット材料を供給する供給手段の供給制御信号により求めることを特徴とする露光装置。
9. 請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載の露光装置において、
   前記感応基板ステージは、一定の制御周期で駆動制御されることを特徴とする露光装置。
10. 請求項９記載の露光装置において、
    前記制御手段は、前記制御周期を前記パルス光の周期に同期させて露光を開始することを特徴とする露光装置。
11. 請求項１０記載の露光装置において、
    前記制御手段は、前記同期を、前記感応基板ステージの助走開始時刻を遅らせて行うことを特徴とする露光装置。
12. 請求項１１記載の露光装置において、
    前記制御手段は、前記助走開始時刻の遅れ時間が最小となるように探索して、前記同期を行うことを特徴とする露光装置。
13. 間歇的に供給されるターゲット材料をプラズマ化し、発生したパルス光を用いて感応基板上にパターンを走査露光する露光方法において、
    前記パターンが形成されたレチクルをレチクルステージに搬送するステップと、
    前記感応基板を感光基板ステージに配置するステップと、
    前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記感応基板ステージの駆動タイミングと前記パルス光の発光タイミングとに基づいて、前記発光タイミングと露光開始点または露光終了点とが一致するように、前記感応基板ステージを制御するステップと、
    を含むことを特徴とする露光方法。
14. 間歇的に供給されるターゲット材料をプラズマ化し、発生したパルス光を用いて感応基板上にパターンを走査露光する露光方法において、
    前記パターンが形成されたレチクルをレチクルステージに搬送するステップと、
    前記感応基板を感光基板ステージに配置するステップと、
    前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記感応基板ステージの駆動タイミングと前記パルス光の発光タイミングとに基づいて、前記発光タイミングと露光開始点または露光終了点とが一致するように、前記発光タイミングを制御するステップと、
    を含むことを特徴とする露光方法。
15. 前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記パルス光の発光タイミングを測定することを特徴とする請求項１３または１４に記載の露光方法。
16. 前記ターゲット材料の供給タイミングに基づいて、前記パルス光の発光タイミングを求めることを特徴とする請求項１３または１４に記載の露光方法。
17. 前記感応基板上への走査露光を開始する前に、前記パルス光の強度を検出することにより、前記パルス光の発光タイミングを求めることを特徴とする請求項１３または１４に記載の露光方法。
18. 前記ターゲット材料の供給部に出力される材料供給信号と、前記ターゲット材料の供給タイミングとの相関により、前記パルス光の発光タイミングを推定することを特徴とする請求項１３または１４に記載の露光方法。

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