JP2006086110A - 短波長電磁放射線の生成用のターゲット材料を測定するための装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 所望の波長領域の放射プラズマに効率的に変換することができるプラズマ生成用のターゲット材料の量のみが相互作用チャンバに達するため、相互作用チャンバにおけるデブリ生成および気体負担を最小限に抑えることができるように、再現可能に供給される質量制限ターゲットを提供することができるプラズマを誘発するエネルギビームから短波長電磁放射線の生成用のターゲット材料を測定する。注入装置がターゲット生成のために設けられ、必要なときのみ個別のターゲットを相互作用チャンバに導入するために、規定の一時的な圧力増大のための手段がノズルチャンバにおけるノズルの上流に配置され、副室が相互作用チャンバの上流に準静的圧力を生成するために、ノズルの周囲に配置され、副室中の平衡圧力がノズルチャンバの圧力増大がない限り、ターゲット材料を排出しないようにする。
【選択図】 図1
Description
連続的な液体ジェット、可能であれば凍結していてもよい(固体粘稠性)(特許文献1)
・連続的な液体ジェット、可能であれば凍結していてもよい(固体粘稠性)(特許文献1)
−1つの長さ寸法においてターゲットのサイズが大きいため、質量制限はある限られた範囲に限って実現されることができることから、デブリの増大および真空チャンバにおける望ましくない気体負担の結果となる。
−ターゲットノズルの方向におけるターゲットジェット中のプラズマ膨張(わずかな減衰を伴う)から生じる衝撃波は、ターゲット流のある種の破壊を生じ、したがって、レーザ励起のパルス繰り返し率の制限を生じる。
・クラスタ(特許文献2)、ガスパフ(非特許文献1)およびエアロゾル(特許文献3;特許文献4)
−相互作用点とターゲットノズルとの間が短距離であると、著しいノズルの侵食を生じ、ノズルからの距離が大きい(ターゲットの平均密度が劇的に減少するため)と、効率の低いプラズマの放射線放出を生じる。
・個別の液滴の連続流(特許文献5)
−励起レーザとの正確な同期を必要とする
−プラズマ付近の冷却ターゲット材料(ターゲットジェットに関してより少ないが、依然として存在する)が気化され、吸収性ガス雰囲気および増大するデブリを生じる。
−ターゲット生成装置の動作不能状態では、ターゲット材料がノズルから排出されないように、ノズルに準静的平衡圧力を生成するステップと、
−ターゲット材料がノズルを通じてノズルチャンバから発射され、エネルギビームによって相互作用点の方向において個別のターゲットとして加速されるように、ノズルの上流へ流体工学的(流体的、流動的)に配置されるノズルチャンバに一時的なパルス圧力の増大を生成するステップと、
−すべての個別のターゲットがエネルギビームのパルスによって正確に衝突されるように、エネルギビームのパルスとノズルチャンバにおけるパルス圧力の増大を同期させるステップと、によって実現される。
pHd=ρ・g・h1
式中、ρはターゲット材料32の密度であり、gは重力による加速度である。次に、最小において、すなわち、p1がターゲット材料32の蒸気圧に対応するとき、注入装置21の受動状態においてノズル211からターゲット材料32が流出しないようにするために、副室の要件における圧力p2がさらにノズルチャンバ212においてノズル211に沿ってターゲット材料32の静水圧
pSd=ρ・g・h2
のみを補償する。
pHd=ρ・g・h1
を首尾よく調整することができる場合には、理論上は、副室23は必要ではない。このため、図9では、副室23は点線で示されている。
2 ターゲット生成装置
21 注入装置
211 ノズル
212 ノズルチャンバ
213 圧電素子
214 絞り
215 加熱素子
22 貯槽
221 真空ポンプ
23 副室
231 気体供給路
232 開口部
3 個別のターゲット
31 ターゲット経路
32 ターゲット材料
33 気泡
34 犠牲ターゲット
35 メインターゲット
36 気化スクリーン
4 エネルギビーム
41 軸
42 レーザビーム
43 焦点
5 プラズマ
51 相互作用点
h1、h2 高さの差
p1、p2、p3 圧力
pDk 液圧(ノズルチャンバ中)
ΔV 容積変化
α 角度
Claims (33)
- 短波長電磁放射線、特にEUV放射線の生成用のターゲット材料を測定するための装置であって、
所定のターゲット経路に沿ってターゲット材料を供給するために配置されるターゲット生成装置と、
前記ターゲット経路に向けられる、放射線放射プラズマを生成するためのエネルギビームと、
プラズマの生成に必要なときのみ、相互作用点で相互作用チャンバに個別ターゲットを導入するために、前記ノズルチャンバにおける規定の一時的な圧力増大をもたらすための手段と、
前記相互作用チャンバにおける真空圧と前記貯槽中の前記ターゲット材料に及ぼされる圧力の間の圧力差から生じる前記注入装置の前記ノズルでの圧力低下を補償するために、前記ノズルに配置され平衡圧力を調整するための手段と、を具備し、
前記ターゲット生成装置は、ノズルを備えたノズルチャンバを含み且つ貯槽と連結される注入装置を有し、
前記調整された平衡圧力は、前記ノズルチャンバにおける一時的な圧力増大がない場合に限り、ターゲット材料の排出を防止する、装置。 - 圧電素子が、前記ノズルチャンバにおける圧力を増大させるための手段として設けられ、前記圧電素子が前記ノズルチャンバの壁を内側に移動する、請求項1に記載の装置。
- 前記ノズルチャンバは、電圧が前記圧電素子に印加されるときに、内側に押し込まれる膜壁を有する、請求項2に記載の装置。
- 圧電スタックが、前記チャンバの容積を減少させるために、前記ノズルチャンバの内側に配置されている、請求項2に記載の装置。
- 絞りが前記ノズルチャンバに設けられ、前記絞りの内側で前記ターゲット材料を気化する加熱素子が前記絞りの周囲に配置され、ターゲットの容積が熱膨張によって前記ノズルチャンバの中に移動させられ、圧力の一時的な増大を生じる、請求項1に記載の装置。
- 前記ノズルチャンバに隣接して位置する前記貯槽への連結線の一部が、前記ノズルチャンバの絞りとして設けられている、請求項5に記載の装置。
- 50mbarを超える圧力で液体であるターゲット材料の場合には、液化のために、さらなる圧力が前記貯槽に加えられる、請求項1に記載の装置。
- キセノンがターゲット材料として用いられる、請求項7に記載の装置。
- 50mbar未満の圧力におけるプロセス温度下で液体であるターゲット材料の場合には、圧力を調整するために、前記貯槽中の前記ターゲット材料の静水圧がもたらされる、請求項1に記載の装置。
- スズを用いるターゲット材料が用いられる、請求項9に記載の素子。
- 金属スズ合金がターゲット材料として用いられる、請求項10に記載の素子。
- 塩化スズ(IV)がターゲット材料として用いられる、請求項10に記載の素子。
- 前記ターゲット材料が塩化スズ(II)の水溶液である、請求項10に記載の素子。
- 前記ターゲット材料が塩化スズ(II)のアルコール溶液である、請求項10に記載の素子。
- プラズマ生成のために工程条件下で50mbar未満の圧力で液体であるターゲット材料の場合には、前記ノズルの出口で平衡圧力を最小限に抑えるために、前記ターゲット材料の静水圧がもたらされ、圧力を減少させるために、前記ノズルにおける前記ターゲット材料の液面と前記貯槽の前記ターゲット材料の液面との高さの差が、前記貯槽の液面が重力方向で前記ノズルの出口より下にあるように調整される、請求項9に記載の装置。
- それが重力方向に配置される、請求項15に記載の装置。
- 前記ノズルの出口方向が、重力方向に対向して配置されている、請求項15に記載の装置。
- 前記個別ターゲットの出口のために、前記ターゲット経路に沿って開口部を有する副室が、平衡圧力を生成するための手段として前記相互作用チャンバの上流で前記注入装置の前記ノズルの周囲に配置され、前記ノズルチャンバにおける一時的な圧力増大がない場合に限り、ターゲット材料を逃さないように、平衡圧力として準静的圧力が前記副室に存在する、請求項1に記載の装置。
- 緩衝気体が、前記プラズマからの高い運動エネルギ粒子用の減速材として、前記副室に供給される気体として用いられる、請求項18に記載の装置。
- 前記副室に供給される前記気体が不活性気体である、請求項19に記載の装置。
- 前記副室に供給される前記気体が窒素を含有する、請求項20に記載の装置。
- 前記副室に供給される前記気体が少なくとも1つの希ガスを含有する、請求項20に記載の装置。
- 前記エネルギビームが集光レーザビームである、請求項1に記載の装置。
- 前記相互作用チャンバにおける前記エネルギビームのパルスが、正確に1つの個別ターゲットの放出と同期される、請求項1に記載の装置。
- 前記相互作用チャンバにおける前記エネルギビームのパルスが、前記注入装置の前記ノズルからの少なくとも2つの個別ターゲットの放出と同期され、少なくとも第1のターゲットが、前記エネルギビームによって衝突されるメインターゲットのための蒸気スクリーンを生成するための犠牲ターゲットとして形成される、請求項1に記載の装置。
- 前記相互作用チャンバにおける前記エネルギビームのパルスが、前記注入装置の複数のノズルからの少なくとも2つの個別ターゲットの放出と同期され、前記ノズルが、前記エネルギビームの軸および平均ターゲット経路によって定められる平面に対して3°〜90°の角度を成す少なくとも1つの平面に配置される、請求項1に記載の装置。
- 前記ノズルが共用ノズルチャンバに配置される、請求項26に記載の装置。
- 前記ノズルが独立ノズルチャンバに配置される、請求項26に記載の装置。
- 前記相互作用チャンバにおける前記エネルギビームのパルスが、前記注入装置のすべてのノズルから互いに接近して連続する複数の個別ターゲットの放出と同期され、各ノズルからの少なくとも第1の個別ターゲットが、前記エネルギビームによって衝突される少なくとも1つのメインターゲットのための蒸気スクリーンを生成するための犠牲ターゲットである、請求項26に記載の装置。
- 前記注入装置のすべてのノズルチャンバにおける圧力変化が、前記エネルギビームのパルスと同期され、少なくとも1つの犠牲ターゲットと2つのメインターゲットを含むターゲットカラムが、すべてのノズルからの前記エネルギビームのすべてのパルスのために準備される、請求項28に記載の装置。
- ターゲットの放出のために前記注入装置の前記ノズルチャンバが、一時的に増大する圧力のための手段と同相同期する、請求項28に記載の装置。
- 前記注入装置の隣接するノズルチャンバが、一時的に増大する圧力のための手段の交互位相遅延で同期する、請求項28に記載の装置。
- 短波長電磁放射線、特にEUV放射線の生成用のターゲット材料を測定する方法であって、ターゲット材料が所定のターゲット経路に沿ってターゲット生成装置のノズルからもたらされ、放射線を放射するプラズマを生成するためのエネルギビームが、前記ターゲット経路に向けられる、方法にして、
−前記ターゲット生成装置の動作不能状態では、ターゲット材料が前記ノズルから排出されないように前記ノズルに準静的平衡圧力を生成するステップと、
−ターゲット材料が前記ノズルを通じて前記ノズルチャンバから発射され、前記エネルギビームによって相互作用点の方向において個別ターゲットとして加速されるように、前記ノズルの上流側に位置したノズルチャンバに一時的なパルス圧力の増大を生成するステップと、
−すべての個別ターゲットが前記エネルギビームのパルスによって正確に衝突されるように、前記エネルギビームのパルスと前記ノズルチャンバにおけるパルス圧力の増大とを同期させるステップと、
を有する方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006086110A true JP2006086110A (ja) | 2006-03-30 |
JP2006086110A5 JP2006086110A5 (ja) | 2009-01-22 |
JP4264430B2 JP4264430B2 (ja) | 2009-05-20 |
Family
ID=35656182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005202885A Expired - Fee Related JP4264430B2 (ja) | 2004-07-23 | 2005-07-12 | 短波長電磁放射線の生成用のターゲット材料を測定するための装置および方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7368742B2 (ja) |
JP (1) | JP4264430B2 (ja) |
DE (1) | DE102004036441B4 (ja) |
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-
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- 2005-07-12 JP JP2005202885A patent/JP4264430B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-15 US US11/182,362 patent/US7368742B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP7169302B2 (ja) | 2017-06-20 | 2022-11-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外線光源のための供給システム |
JP2023010732A (ja) * | 2017-06-20 | 2023-01-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外線光源のための供給システム |
KR102618009B1 (ko) * | 2017-06-20 | 2023-12-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외선 광원용 공급 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060017026A1 (en) | 2006-01-26 |
JP4264430B2 (ja) | 2009-05-20 |
DE102004036441B4 (de) | 2007-07-12 |
DE102004036441A1 (de) | 2006-02-16 |
US7368742B2 (en) | 2008-05-06 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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