TW202337272A - 閥門系統、液體靶材供應設備、燃料發射器、輻射源、微影設備及流調節方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種用於用於將一靶材供應至一輻射源之一設備的閥門系統，該靶材具有高於室溫之一熔融溫度且處於至少200巴之一壓力下，其中該閥門系統包含：
- 一腔室，其具有一圓形橫截面，
- 一圓形閥體，其配置於該腔室中且匹配該腔室之該圓形橫截面，
其中該腔室包含一第一埠及一第二埠，其中該閥體可圍繞一旋轉軸在平行於該圓形橫截面之一平面的一平面中在一打開位置與一關閉位置之間旋轉，在該打開位置中，該閥體中之一通道在該第一埠與該第二埠之間提供一流動路徑，在該關閉位置中，該閥體中之該通道至少與該第一埠斷開連接。
Description
本發明係關於一種用於用於將一靶材供應至一微影設備之一設備的閥門系統。本發明亦係關於一種包括此類閥門系統之用於將一靶材供應至一微影設備的設備、包括此類設備之燃料發射器、包括此類燃料發射器之輻射源，及包括此類輻射源之微影設備。本發明進一步係關於一種用於使用一閥門系統來調節固體或液體靶材流的方法。
微影設備為經建構以將所要之圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。舉例而言，微影設備可將圖案化裝置(例如，遮罩)處之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
EUV輻射用於微影程序中以在基板或矽晶圓中產生極小特徵。用以產生EUV輻射之方法包括但不限於在電漿狀態下藉由在EUV範圍中之發射譜線轉換具有例如氙、鋰或錫的元素之材料。在一種常常稱為雷射產生電漿(「LPP」)之此類方法中，可藉由用經放大光束輻照例如呈液滴、板、帶、串流或群集之材料之形式的靶材來產生所需電漿。對於此程序，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監測電漿。
在用於供應呈液滴形式之錫靶材之當前技術設備中，使用經加壓至大約200至700巴之壓力之氬氣對含有液體錫之儲集器加壓。接著將經加壓液體錫輸送至噴嘴，該噴嘴經組態以提供待由輻射源輻照以形成電漿之液體錫之液滴流。
為調節液體錫流，使用所謂的凍結閥門。凍結閥門可實施於管段中，其中溫度可經控制以高於錫之熔融溫度以允許液體流動，或低於熔融溫度，藉此使液體錫在管段中凝固且防止任何進一步錫流動。凍結閥門之缺點為冷卻或加熱在管段中包括靶材之管段花費相當長的時間。另一缺點可為：液化及凝固會歸因於靶材在液化及凝固期間之擴張或收縮而造成靶材之體積改變。此等體積改變可導致非所要壓力改變。又一缺點可為，在相對較高壓力下，固體錫可能會不合需要地經由凍結閥門擠出。
考慮到以上內容，本發明之一目標為使用一閥門來快速且準確地調節液體靶材流。
根據本發明之一實施例，提供一種用於用於將一靶材供應至一輻射源之一設備的閥門系統，該靶材具有高於室溫之一熔融溫度且處於至少200巴之一壓力下，其中該閥門系統包含：
- 一腔室，其具有一圓形橫截面，
- 一圓形閥體，其配置於該腔室中且匹配該腔室之該圓形橫截面，
其中該腔室包含一第一埠及一第二埠，其中該閥體可圍繞一旋轉軸在平行於該圓形橫截面之一平面的一平面中在一打開位置與一關閉位置之間旋轉，在該打開位置中，該閥體中之一通道在該第一埠與該第二埠之間提供一流動路徑，在該關閉位置中，該閥體中之該通道至少與該第一埠斷開連接。
根據本發明之另一實施例，提供一種用於將一靶材供應至一輻射源之設備，其包含：一儲集器系統，其包括經組態以連接至一噴嘴供應系統之一儲集器；及一加壓系統，其對該儲集器中之靶材加壓，其中該靶材具有高於室溫之一熔融溫度，其中該加壓系統經組態以將至少200巴之一壓力提供至該靶材，且其中該設備進一步包含根據本發明之一閥門系統以調節自或至該儲集器之一靶材流。
根據本發明之另一實施例，提供一種燃料發射器，其包含根據本發明之一設備及一噴嘴供應系統。
根據本發明之又一實施例，提供一種用於包含根據本發明之一燃料發射器的一微影工具之輻射源。
根據本發明之另一實施例，提供一種微影設備，其包含根據本發明之一輻射源。
根據本發明之另一實施例，提供一種用於使用根據本發明之一閥門系統來調節一固體或液體靶材流之方法，該靶材具有高於室溫之一熔融溫度且處於至少200巴之一壓力下，該方法包含以下步驟：
a) 將該閥體自該打開位置移動至該關閉位置，及
b) 將該閥體自該關閉位置移動至該打開位置。
圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B，且將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11共同提供具有所需橫截面形狀及所需強度分佈之EUV輻光束B。除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11以外或代替該等裝置，照明系統IL可包括其他鏡面或裝置。
在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將減縮因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管投影系統PS經說明為在圖1中僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影設備LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如氫氣)。
圖1中所展示之輻射源SO為例如可稱為雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括CO
2雷射之雷射系統1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至燃料中，該燃料替代地稱作靶材，諸如自例如燃料發射器3提供之錫(Sn)。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器3可包含經組態以沿著軌道朝向電漿形成區4引導例如呈液滴形式之錫的噴嘴供應系統。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量沈積至錫中在電漿形成區4處產生錫電漿7。包括EUV輻射之輻射在電子之去激發及電子與電漿之離子之重組期間自電漿7發射。
由收集器5收集且聚焦來自電漿之EUV輻射。集光器5包含例如接近正入射輻射集光器5 (有時更一般稱為正入射輻射集光器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EVU輻射)之多層鏡面結構。收集器5可具有橢球形組態，該橢球形組態具有兩個焦點。如下文所述，該等焦點中之第一者可處於電漿形成區4，且該等焦點中之第二者可處於中間焦點6。
雷射系統1可在空間上與輻射源SO分隔。在此種情況下，雷射光束2可憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(未展示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統可共同地認為係輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻光束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處之電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。
圖2示意性地描繪可實施於圖1之微影設備LA中之根據本發明之一實施例的輻射源SO。輻射源SO包括類似於圖1中之燃料發射器3之燃料發射器1111。燃料發射器1111發射目標T之串流ST，使得在低壓力氫氣環境1101下將目標Tp遞送至電漿形成位置PF。目標Tp包括靶材。靶材為當處於電漿狀態時發射EUV輻射之任何材料。舉例而言，靶材可包括水、錫、鋰及/或氙。
在操作期間，藉助於氫氣供應系統及泵系統(兩者均未展示)將輻射源SO之容器1107保持在低壓力氫氣環境1101下。輻射源SO包含光源OS，該光源OS經組態以產生諸如雷射光束之光束LB，且沿著光程OP將光束LB遞送至低壓氫氣環境1101。光源OS可包括脈衝雷射裝置，例如以例如10 kW或更高之相對較高功率及例如40 kHz或更大之高脈衝重複率操作，例如藉由RF激發產生約9300 nm或約10600 nm之輻射的脈衝氣體放電CO2雷射裝置。脈衝重複率可為例如50 kHz、60 kHz、70 kHz、80 kHz、90 kHz、100 kHz或更大。電漿形成位置PF接收光束LB。光束LB與目標Tp中之靶材之間的相互作用產生發射EUV輻射之電漿PL。
燃料發射器1111包括噴射系統1104，其可包括流體地耦接至儲集器系統1112之毛細管1104ct。毛細管1104ct界定孔口1104o。儲集器系統1112含有處於高壓Pn下之靶材。移轉總成可設置於儲集器系統1112與噴射系統1104之間。靶材處於熔融狀態且能夠流動，且低壓氫氣環境1101中之壓力Pext比壓力Pn低得多。由此，靶材流動穿過孔口1104o。毛細管可由壓電元件(未展示)包圍，該壓電元件激勵管中之靶材以使得產生聲學駐波。靶材102可作為靶材之射流或連續串流1104cs退出孔口1104o。靶材之射流分解成個別目標T (其可為液滴)。射流1104cs之分解可經控制以使得個別液滴聚結成較大液滴，該較大液滴以所要速率到達電漿形成位置PF，例如幾十kHz，例如50 kHz或更大。串流ST中之目標T可為大致球形的，其直徑在約15至40微米之範圍中，例如約30微米。目標T之串流可藉由儲集器系統1112內之壓力與由壓電元件(未展示)施加至噴射系統1104之振動的組合自噴射系統1104噴射。
在操作中，可為雷射能量之光束LB與燃料發射器1111之操作同步地遞送，以遞送輻射脈衝以使各液滴Tp變成電漿PL。實務上，可以至少兩個脈衝來遞送雷射能量LB：具有有限能量之預脈衝可在其到達電漿形成位置PF之前被遞送至液滴，以便將靶材液滴變換成圓盤樣形狀。接著，雷射能量LB之主脈衝可在電漿形成位置PF處遞送至經變換靶材，以產生電漿PL。貯體1130可與噴射系統1104相對地設置，以捕捉未變成電漿之任何靶材。
輻射源SO可包括收集器鏡面1105，該收集器鏡面具有允許光束LB穿過且到達電漿形成位置PF之孔隙1140。收集器鏡面1105可為例如具有在電漿形成位置PF處之主焦點及在中間位置1106 (亦稱為中間焦點或IF)處之次級焦點之橢球形鏡面，其中EUV輻射可自輻射源SO輸出且輸入至例如微影工具，諸如圖1之微影設備LA。
輻射源SO可進一步包括監測系統1150以量測一或多個參數。監測系統1150可例如包括提供指示液滴例如關於電漿形成位置PF之定位之輸出且將此輸出提供至主控制器1160的一或多個目標或液滴成像器。主控制器1160可接著經組態以計算液滴定位及/或軌跡，自該液滴定位及/或軌跡可基於逐液滴或平均地計算液滴定位誤差。監測系統1150可另外或替代地包括量測一或多個EUV輻射參數之一或多個輻射源偵測器，該一或多個EUV輻射參數包括但不限於脈衝能量、依據波長而變化之能量分佈、特定波長帶內之能量、特定波長帶外之能量，及EUV強度及/或平均功率之角度分佈。
主控制器1160可經組態以控制光源OS以調整或設定例如光束定位、方向、塑形及/或定時，以便調整或設定光束焦點在低壓氫氣環境1101內之位置及/或焦度。主控制器1160可另外或替代地經組態以控制燃料發射器1111之噴射系統1104及/或儲集器系統1112以調整或設定例如儲集器系統1112中之壓力Pn及/或如藉由噴射系統1104釋放之目標T的釋放點以允許在所要時刻遞送正確量之靶材至電漿形成位置PF。
圖3a、圖3b、圖4a及圖4b示意性地描繪根據本發明之一實施例之閥門系統400。閥門系統400適合作為例如用於將靶材供應至微影輻射裝置之設備(例如圖2中之燃料發射器1111之設備1112)中的調節裝置。用於此類設備之典型條件為：靶材具有高於室溫之熔融溫度，亦即熔點，且靶材處於至少200巴之壓力下。
閥門系統400包含具有圓形橫截面之腔室410，及配置於腔室410中且匹配腔室410之圓形橫截面的圓形閥體420。
腔室410包含第一埠411及第二埠412。閥體420包含通道421，且可圍繞旋轉軸422在平行於圓形橫截面之平面的平面中旋轉。平行於圓形橫截面之平面的該平面亦平行於圖3a及圖3b中之圖式平面。閥體420可在如圖3a及圖4a中所示之打開位置與如圖3b及圖4b中所示之關閉位置之間旋轉。在打開位置中，通道421在第一埠411與第二埠412之間提供流動路徑。換言之，第一埠411與第二埠412流體連通。在關閉位置中，通道421旋轉離開第一埠411及第二埠412兩者，使得閥體420中之通道421與第一埠411及第二埠412兩者斷開連接。
閥門系統400之優勢在於，切換僅需要腔室410中之閥體420之旋轉，此可相對快速地進行且並不需要溫度改變。因此，切換可在不造成容積變化之情況下進行。另一優勢可為在閥體之關閉位置中的閥門系統400能夠耐受相對高的壓力，甚至足夠高以推動/強制/擠壓固體靶材通過打開位置中之通道421的壓力。
在一實施例中，在使用閥門系統用於液體靶材之情況下，閥門系統自身亦可充當凍結閥門。舉例而言，閥門系統可經組態以在關閉位置中將靶材冷卻至熔點以下。其益處可為凝固靶材充當閥體420與第一埠411及第二埠412之間的密封件。凝固可在旋轉至關閉位置之後發生，但亦可在旋轉至關閉位置之前發生。因此，閥體可包含溫度控制系統420b以將閥體中之靶材加熱或冷卻至分別高於或低於靶材之熔融溫度的溫度。
閥體420經由輪軸423連接至致動器424，從而允許致動器424使閥體在打開位置與關閉位置之間旋轉。然而，亦設想致動器424與閥體420之間的其他連接，例如，齒輪可連接至具有相同旋轉軸422之閥體420，該齒輪可藉由鏈輪驅動，其益處在於引入傳動比以減小所需致動器力且增大位置準確性。
圖5a及圖5b示意性地描繪根據本發明之另一實施例之閥門系統400的橫截面側視圖。閥門系統400適合作為例如用於將靶材供應至微影輻射裝置之設備(例如圖2中之燃料發射器1111之設備1112)中的調節裝置。用於此類設備之典型條件為：靶材具有高於室溫之熔融溫度，亦即熔點，且靶材處於至少200巴之壓力下。
閥門系統400包含具有圓形橫截面之腔室410，及配置於腔室410中且匹配腔室410之圓形橫截面的圓形閥體420。
閥體420可圍繞旋轉軸422在平行於圓形橫截面之平面的平面中在如圖5a中所示之打開位置與如圖5b中所示之關閉位置之間旋轉。閥體420為可在平行於旋轉軸422之方向上在腔室410中移動的活塞或柱塞(或為其部分)。
腔室410包含第一埠411、第二埠412及第三埠413。閥體420包括在閥體之打開位置中在第一埠411與第二埠412之間提供流動路徑的第一通道421a。閥體420進一步在閥體之打開位置中在第三埠413與第二埠412之間提供流動路徑的第二通道421b。
當閥體420自如圖5a中所展示之打開位置旋轉至如圖5b中所示之關閉位置時，例如藉由如圖5a中之箭頭A指示之閥體420之旋轉，第一通道421a與第一埠411斷開連接，且第二通道421b與第三埠413斷開連接，同時第一通道421a及第二通道421b保持連接至第二埠412。
根據實施例，在閥體之打開位置中，將經由第一埠及第二埠供應靶材及壓力介質(例如氬氣、氬氣與氫氣之混合物，或氦氣)。該閥門系統經組態以在閥體已移動至關閉位置之後使活塞或柱塞向下移動。此將增大壓力，例如增大至超過200、500、700、1400或2000巴，以使錫移動至液滴產生器。
替代地或另外，歸因於閥體420在平行於旋轉軸422之方向上的可移動性，可變儲集器容積設置於閥體420與第二埠412之間。因此，當閥體處於打開位置中時，有可能使用第一埠及/或第三埠以靶材填充儲集器容積，且隨後使閥體旋轉至關閉位置且將靶材推出第二埠412。
圖3a至圖5b之實施例可經組態以在通道421及/或421a及/或421b分別包含液體靶材時起作用。另外或替代地，圖3a至圖5b之實施例可經組態以在通道421及/或421a及/或421b分別包含固體靶材時起作用。
上文所描述之實施例的腔室410及閥體420可包含以下材料中之一或多者：聚醯亞胺、聚四氟乙烯、鎢、鉭、鉬，或其合適合金。
所描述之閥門系統400可進一步包含與第一埠411或第二埠412連通之凍結閥門，該凍結閥門包含溫度控制系統以將凍結閥門中之靶材加熱或冷卻至分別高於或低於靶材之熔融溫度的溫度。
儘管在圖5a及圖5b之實施例中，第二埠412連接至第一通道421a及第二通道421b兩者，但亦有可能腔室包含第四埠，其中第一通道在第一埠與第二埠之間提供流動路徑，且第二通道在第三埠與第四埠之間提供流動路徑。
在圖5a及圖5b之實施例中，第一通道421a與第二通道421b可用於不同材料。第一通道421a可例如經組態以用於供應靶材，而第二通道421b可例如經組態以用於供應受壓流體。
圖6a、圖6b、圖7a及圖7b示意性地描繪根據本發明之又一實施例之閥門系統400。閥門系統400適合作為例如用於將靶材供應至微影輻射裝置之設備(例如圖2中之燃料發射器1111之設備1112)中的調節裝置。用於此類設備之典型條件為：靶材具有高於室溫之熔融溫度，亦即熔點，且靶材處於至少200巴之壓力下。
閥門系統400包含具有圓形橫截面之球面腔室410及配置於腔室410中且匹配腔室410之圓形橫截面的球形閥體420。
腔室410包含第一埠411及第二埠412。閥體420包含通道421，且可圍繞旋轉軸422在平行於圓形橫截面之平面的平面中旋轉。平行於圓形橫截面之平面的該平面亦平行於圖6a及圖6b中之圖式平面。閥體420可在如圖6a及圖7a中所示之打開位置與如圖6b及圖7b中所示之關閉位置之間旋轉。在打開位置中，通道421在第一埠411與第二埠412之間提供流動路徑。換言之，第一埠411與第二埠412流體連通。在關閉位置中，通道421旋轉離開第一埠411及第二埠412兩者，使得閥體420中之通道421與第一埠411及第二埠412兩者斷開連接。
閥門系統400之優勢在於，切換僅需要腔室410中之閥體420之旋轉，此可相對快速地進行且並不需要溫度改變。因此，切換可在不造成容積變化之情況下進行。另一優勢可為在閥體之關閉位置中的閥門系統400能夠耐受相對高的壓力，甚至足夠高以推動/強制/擠壓固體靶材通過打開位置中之通道421的壓力。
在一實施例中，在使用閥門系統用於液體靶材之情況下，閥門系統自身亦可充當凍結閥門。舉例而言，閥門系統可經組態以在關閉位置中將靶材冷卻至熔點以下。其益處可為凝固靶材充當閥體420與第一埠411及第二埠412之間的密封件。凝固可在旋轉至關閉位置之後發生，但亦可在旋轉至關閉位置之前發生。因此，該閥體可包含溫度控制系統以將閥體中之靶材加熱或冷卻至分別高於或低於靶材之熔融溫度的溫度。
閥體420經由輪軸423連接至致動器424，從而允許致動器424使閥體在打開位置與關閉位置之間旋轉。然而，亦設想致動器424與閥體420之間的其他連接，例如，齒輪可連接至具有相同旋轉軸422之閥體420，該齒輪可藉由鏈輪驅動，其益處在於引入傳動比以減小所需致動器力且增大位置準確性。
閥體具有球形而非如在圖3a、圖3b、圖4a及圖4b之實施例中具有圓盤形狀之優勢為，相較於圓盤形閥體，閥門密封對於球形閥體之偏斜較不敏感。在關閉位置中，球形閥體將自動地在低壓側埠之整個圓周上推動，藉此產生對偏斜不敏感的密封。高壓側處之區域亦自動地大於低壓側處之區域，且因此將在關閉方向上產生淨力，從而維持密封。
儘管在上述實施例中，壓力已指定為至少200巴，但壓力可高於300巴、較佳高於500巴、更佳高於700巴、甚至更佳至少900巴、甚至更佳至少1100巴，且最佳至少1300巴，例如1400巴。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部件。此等設備可一般性地稱為微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。
儘管上文可能已經特定地參考在光學微影之上下文中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，在上下文允許之情況下，本發明不限於光學微影，且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
在上下文允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，運算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；傳播信號之電學、光學、聲學或其他形式(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由運算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起，且如此進行可引起致動器或其他裝置與實體世界相互作用。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。上方描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
條項
1. 一種用於用於將一靶材供應至一輻射源之一設備的閥門系統，該靶材具有高於室溫之一熔融溫度且處於至少200巴之一壓力下，其中該閥門系統包含：
- 一腔室，其具有一圓形橫截面，
- 一圓形閥體，其配置於該腔室中且匹配該腔室之該圓形橫截面，
其中該腔室包含一第一埠及一第二埠，其中該閥體可圍繞一旋轉軸在平行於該圓形橫截面之一平面的一平面中在一打開位置與一關閉位置之間旋轉，在該打開位置中，該閥體中之一通道在該第一埠與該第二埠之間提供一流動路徑，在該關閉位置中，該閥體中之該通道至少與該第一埠斷開連接。
2. 如條項1之閥門系統，其中該閥體為一柱塞或一活塞或為該柱塞或該活塞之部分，其可在該腔室中在平行於該旋轉軸之一方向上移動，從而在該閥體與該第二埠之間提供一可變儲集器容積。
3. 如條項1之閥門系統，其中該腔室及該閥體經組態使得在該閥體之該關閉位置中，該閥體中之該通道與該第二埠斷開連接。
4. 如條項1至3中任一項之閥門系統，其經組態以在該通道包含液體靶材時使該閥體旋轉。
5. 如條項1至3中任一項之閥門系統，其經組態以在該通道包含固體靶材時使該閥體旋轉。
6. 如條項1至5中任一項之閥門系統，其中該靶材為錫。
7. 如條項1至6中任一項之閥門系統，其中該腔室及該閥體包含以下材料中之一或多者：聚醯亞胺、聚四氟乙烯、鎢、鉭、鉬。
8. 如條項1至7中任一項之閥門系統，其進一步包含與該第一埠或該第二埠連通之一凍結閥門，該凍結閥門包含一溫度控制系統以將該凍結閥門中之靶材加熱或冷卻至分別高於或低於該靶材之該熔融溫度的一溫度。
9. 如條項1至8中任一項之閥門系統，其中該腔室包含一第三埠，且其中該閥體具有一打開位置，在該打開位置中，該第三埠連接至該閥體中之該通道。
10. 如條項9之閥門系統，其中該腔室及該閥體經組態使得在該閥體之該關閉位置中，該閥體中之該通道與該第三埠斷開連接。
11. 如條項1至8中任一項之閥門系統，其中該腔室包含一第三埠及一第四埠，且其中該閥體具有一第二通道以在一打開位置中在該第三埠與該第四埠之間提供一流動路徑，且其中在一關閉位置中，該第二通道至少與該第三埠斷開連接。
12. 如條項1之閥門系統，其中該閥體中之該通道經組態以用於該靶材，且其中該閥體中之該第二通道經組態以用於一受壓流體。
13. 如條項1至12中任一項之閥門系統，其中該閥門系統經組態以用於處於至少300巴、較佳高於700巴、更佳至少900巴、甚至更佳至少1100巴且最佳至少1300巴之一壓力下的靶材。
14. 一種用於將一靶材供應至一輻射源之設備，其包含：一儲集器系統，其包括經組態以連接至一噴嘴供應系統之一儲集器；及一加壓系統，其對該儲集器中之靶材加壓，其中該靶材具有高於室溫之一熔融溫度，其中該加壓系統經組態以將至少200巴之一壓力提供至該靶材，且其中該設備進一步包含如條項1至13中任一項之一閥門系統以調節自或至該儲集器之一靶材流。
15. 如條項14之設備，其中該閥門系統為如條項5之一閥門系統，且其中該閥門系統配置於該溫度低於該靶材之該熔融溫度的一位置處。
16. 如條項15之設備，其中該加壓系統經組態以對該儲集器中之固體靶材加壓，其中該設備進一步包含一加熱系統，該加熱系統配置於該儲集器與該噴嘴供應系統之間以在該固體靶材在該儲集器中加壓之後液化該固體靶材，且其中該閥門系統配置於該儲集器與該加熱系統之間。
17. 如條項14之設備，其中該閥門系統為如條項4之一閥門系統，且其中該閥門系統配置於該溫度高於該靶材之該熔融溫度的一位置處。
18. 如條項14或17之設備，其中該加壓系統經組態以對該儲集器中之液體靶材加壓，其中該閥門系統為如條項4之一閥門系統，其中該設備進一步包含：一啟動注給系統，其經組態以接收包括該靶材之固體物質；及一輸送系統，其自該啟動注給系統延伸至該儲集器系統，其中該輸送系統經組態以在該啟動注給系統與該儲集器系統之間提供一流動路徑，且其中該閥門系統配置於由該輸送系統提供之該流動路徑中以控制自該啟動注給系統之一靶材流。
19. 如條項14至18中任一項之設備，其中該靶材為錫。
20. 一種燃料發射器，其包含如條項14至19中任一項之一設備及一噴嘴供應系統。
21. 如條項20之燃料發射器，其中該噴嘴供應系統經組態以將一液滴流噴射至一電漿形成位置。
22. 如條項21之燃料發射器，其進一步包含用以監測該液滴流之一液滴監測裝置。
23. 如條項22之燃料發射器，其進一步包含一控制單元，該控制單元用以基於該液滴監測裝置之一輸出而調整由該加壓系統施加至該儲集器中之該固體靶材之一壓力。
24. 如條項22之燃料發射器，其進一步包含一控制單元，該控制單元用以基於該液滴監測裝置之一輸出而調整該噴嘴供應系統之操作。
25. 一種用於一微影工具之輻射源，其包含如條項20至24中任一項之一燃料發射器。
26. 如條項25之輻射源，其中該輻射源經組態以輸出EUV輻射。
27. 如條項25或26之輻射源，其中該輻射源為一雷射產生電漿源。
28. 一種微影設備，其包含如條項25至27中任一項之一輻射源。
29. 一種用於使用如條項1至13中任一項之一閥門系統來調節一固體或液體靶材流的方法，該靶材具有高於室溫之一熔融溫度且處於至少200巴之一壓力下，該方法包含以下步驟：
a. 將該閥體自該打開位置移動至該關閉位置，及
b. 將該閥體自該關閉位置移動至該打開位置。
30. 如條項29之方法，其中該靶材處於至少300巴、較佳高於700巴、更佳至少900巴、甚至更佳至少1100巴且最佳至少1300巴之一壓力下。
1:雷射系統
2:雷射光束
3:燃料發射器
4:電漿形成區
5:收集器
6:中間焦點
7:錫電漿
8:開口
9:圍封結構
10:琢面化場鏡面裝置
11:琢面化光瞳鏡面裝置
13:鏡面
14:鏡面
400:閥門系統
410:腔室
411:第一埠
412:第二埠
413:第三埠
420:閥體
420b:溫度控制系統
421:通道
421a:第一通道
421b:第二通道
422:旋轉軸
423:輪軸
424:致動器
1101:低壓力氫氣環境
1104:噴射系統
1104ct:毛細管
1104cs:射流/串流
1104o:孔口
1105:收集器鏡面
1106:中間位置
1107:容器
1111:燃料發射器
1112:儲集器系統/設備
1130:貯體
1140:孔隙
1150:監測系統
1160:主控制器
A:箭頭
B:EUV輻射光束
B':經圖案化EUV輻射光束
IL:照明系統
LA:微影設備
LB:光束/雷射能量
MA:圖案化裝置
MT:支撐結構
OP:光程
OS:光源
Pext:壓力
PF:電漿形成位置
PL:電漿
Pn:高壓
PS:投影系統
SO:輻射源
ST:串流
T:目標
Tp:目標/液滴
W:基板
WT:基板台
現將僅作為實例參考隨附示意圖來描述本發明之實施例，其中：
- 圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統；
- 圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例之輻射源；
- 圖3a示意性地描繪處於打開位置的根據本發明之一實施例之閥門系統的橫截面俯視圖；
- 圖3b示意性地描繪處於關閉位置的圖3a之閥門系統之橫截面俯視圖；
- 圖4a示意性地描繪處於打開位置的圖3a之閥門系統之橫截面側視圖；
- 圖4b示意性地描繪處於關閉位置的圖3b之閥門系統之橫截面側視圖；
- 圖5a示意性地描繪處於打開位置的根據本發明之另一實施例之閥門系統的橫截面側視圖；
- 圖5b示意性地描繪處於關閉位置的圖6a之閥門系統之橫截面側視圖；
- 圖6a示意性地描繪處於打開位置的根據本發明之另一實施例之閥門系統的橫截面俯視圖；
- 圖6b示意性地描繪處於關閉位置的圖6a之閥門系統之橫截面俯視圖；
- 圖7a示意性地描繪處於打開位置的圖6a之閥門系統之橫截面側視圖；及
- 圖7b示意性地描繪處於關閉位置的圖6b之閥門系統之橫截面側視圖。
400:閥門系統
410:腔室
411:第一埠
412:第二埠
420:閥體
421:通道
422:旋轉軸
423:輪軸
424:致動器
Claims (17)
- 一種用於用於將一靶材供應至一輻射源之一設備的閥門系統，該靶材處於至少200巴之一壓力下，其中該閥門系統包含： 一腔室，其具有一圓形橫截面， 一閥體，其配置於該腔室中且具有匹配該腔室之該圓形橫截面之一圓形橫截面， 其中該腔室包含一第一埠及一第二埠，其中該閥體可圍繞一旋轉軸在平行於該圓形橫截面之一平面的一平面中在一打開位置與一關閉位置之間旋轉，在該打開位置中，該閥體中之一通道在該第一埠與該第二埠之間提供一流動路徑，在該關閉位置中，該閥體中之該通道至少與該第一埠斷開連接。
- 如請求項1之閥門系統，其中該閥體為一柱塞或一活塞或為該柱塞或該活塞之部分，其可在該腔室中在平行於該旋轉軸之一方向上移動，從而在該閥體與該第二埠之間提供一可變儲集器容積。
- 如請求項1之閥門系統，其中該腔室及該閥體經組態使得在該閥體之該關閉位置中，該閥體中之該通道與該第二埠斷開連接。
- 如請求項1至3中任一項之閥門系統，其中該腔室及該閥體包含以下材料中之一或多者：聚醯亞胺、聚四氟乙烯、鎢、鉭、鉬。
- 如請求項1至3中任一項之閥門系統，其進一步包含與該第一埠或該第二埠連通之一凍結閥門，該凍結閥門包含一溫度控制系統以將該凍結閥門中之靶材加熱或冷卻至分別高於或低於該靶材之該熔融溫度的一溫度。
- 如請求項1至3中任一項之閥門系統，其中該腔室包含一第三埠，且其中該閥體具有一打開位置，在該打開位置中，該第三埠連接至該閥體中之該通道。
- 如請求項6之閥門系統，其中該腔室及該閥體經組態使得在該閥體之該關閉位置中，該閥體中之該通道與該第三埠斷開連接。
- 如請求項1至3中任一項之閥門系統，其中該閥門系統經組態以用於處於至少300巴、較佳高於700巴、更佳至少900巴、甚至更佳至少1100巴且最佳至少1300巴之一壓力下的靶材。
- 一種用於將一靶材供應至一輻射源之設備，其包含：一儲集器系統，其包括經組態以連接至一噴嘴供應系統之一儲集器；及一加壓系統，其對該儲集器中之靶材加壓，其中該靶材具有高於室溫之一熔融溫度，其中該加壓系統經組態以將至少200巴之一壓力提供至該靶材，且其中該設備進一步包含如請求項1至8中任一項之一閥門系統以調節自或至該儲集器之一靶材流。
- 如請求項9之設備，其中該閥門系統為如請求項1至3中任一項之一閥門系統，且進一步經組態以在該通道包含固體靶材時使該閥體旋轉，且其中該閥門系統配置於該溫度低於該靶材之該熔融溫度的一位置處。
- 如請求項10之設備，其中該加壓系統經組態以對該儲集器中之固體靶材加壓，其中該設備進一步包含一加熱系統，該加熱系統配置於該儲集器與該噴嘴供應系統之間以在該固體靶材在該儲集器中加壓之後液化該固體靶材，且其中該閥門系統配置於該儲集器與該加熱系統之間。
- 如請求項9之設備，其中其包含如請求項1至3中任一項之一閥門，該閥門進一步經組態以在該通道包含液體靶材時使該閥體旋轉，其中該閥門系統配置於該溫度高於該靶材之該熔融溫度的一位置處。
- 如請求項9或12之設備，其中該加壓系統經組態以對該儲集器中之液體靶材加壓，其中該閥門系統為如請求項1至3中任一項之一閥門系統，其進一步經組態以在該通道包含液體靶材時使該閥體旋轉，其中該設備進一步包含：一啟動注給系統，其經組態以接收包括該靶材之固體物質；及一輸送系統，其自該啟動注給系統延伸至該儲集器系統，其中該輸送系統經組態以在該啟動注給系統與該儲集器系統之間提供一流動路徑，且其中該閥門系統配置於由該輸送系統提供之該流動路徑中以控制自該啟動注給系統之一靶材流。
- 一種燃料發射器，其包含如請求項9至13中任一項之一設備，進一步包含一噴嘴供應系統。
- 一種用於一微影工具之輻射源，其包含如請求項14之一燃料發射器。
- 一種微影設備，其包含如請求項15之一輻射源。
- 一種用於使用如請求項1至8中任一項之一閥門系統來調節一固體或液體靶材流的方法，該靶材具有高於室溫之一熔融溫度且處於至少200巴之一壓力下，該方法包含以下步驟： a. 將該閥體自該打開位置移動至該關閉位置，及 b. 將該閥體自該關閉位置移動至該打開位置。
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