TW202405570A - 液體靶材供應設備、燃料發射器、輻射源、微影設備以及液體靶材供應方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種用於將一液體靶材供應至一輻射源之設備，其包含一貯器系統，該貯器系統包括：一貯器，其經組態以連接至一噴射系統；及一加壓系統，其用以對該貯器中之液體靶材加壓，其中該加壓系統包含經組態以將壓力傳送至該液體靶材之一裝置，其中該加壓系統經組態以施加至少700巴之一壓力。本發明亦係關於一種燃料發射器、輻射源、微影設備及液體靶材供應方法。

Description

液體靶材供應設備、燃料發射器、輻射源、微影設備以及液體靶材供應方法

本發明係關於一種用於將液體靶材供應至輻射源之設備。本發明進一步係關於一種包括此設備之燃料發射器、包括此燃料發射器之輻射源、包括此輻射源之微影設備及用於將液體靶材供應至輻射源之方法。

微影設備為經建構以將所要圖案塗覆至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，遮罩)處之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。相較於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用於在基板上形成較小特徵。

EUV輻射用於微影製程中以在基板或矽晶圓中產生極小特徵。用以產生EUV輻射之方法包括但不限於在電漿狀態下藉由在EUV範圍中之發射譜線轉換具有例如氙、鋰或錫的元素之材料。在一種常常稱為雷射產生電漿(「LPP」)之此類方法中，可藉由用經放大光束輻照例如呈液滴、板、帶、串流或群集之材料之形式的靶材來產生所需電漿。對於此程序，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監測電漿。

在用於供應錫靶材之當前技術設備中。在液滴之形式中，含有液體錫之貯器係使用經加壓至大約200至700巴之壓力的氬氣加壓。接著將經加壓液體運送至噴嘴，該噴嘴經組態以提供待由輻射源輻照以形成電漿之液體錫之液滴流。

所產生之EUV輻射之量取決於每時間週期所產生之電漿的量，此取決於提供至待由輻照轉換成電漿之輻照位點之液體錫的量。用於供應錫靶材之當前技術設備之缺點為：供應至輻照位點之液體錫之量不可容易地增加以滿足未來較高EUV輻射位準需求。另一缺點可為：液體錫在相對較高溫度下且在相對高壓力下反應。

考慮到以上內容，本發明之一目標為能夠將較高EUV輻射位準提供至用於微影程序之設備。

根據本發明之一實施例，提供一種將一液體靶材供應至一輻射源之設備，其包含一貯器系統，該貯器系統包括：一貯器，其經組態以連接至一噴射系統；及一加壓系統，其用以對該貯器中之液體靶材加壓，其中該加壓系統包含經組態以將壓力傳送至該液體靶材之一裝置。

根據本發明之另一實施例，提供一種燃料發射器，其包括根據本發明之一設備及一噴射系統。

根據本發明之又一實施例，提供一種用於一微影工具之輻射源，其包含根據本發明之一燃料發射器。

根據本發明之又另一實施例，提供一種微影設備，其包含根據本發明之一輻射源。

根據本發明之又一實施例，提供一種用於將液體靶材供應至一輻射源之方法，其中藉由對與該液體靶材接觸之一裝置加壓或藉由使用一裝置將一壓力傳送至與該液體靶材接觸之一壓力流體來對一貯器中的液體靶材加壓。

圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將該EUV輻射光束B供應至微影設備。微影設備LA包含照射系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。

照射系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照射系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11一起為EUV輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要強度分佈。除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11以外或代替該等裝置，照射系統IL可包括其他鏡面或裝置。

在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上之複數個鏡面13、14。投影系統PS可將減縮因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，由此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用減縮因數4或8。儘管投影系統PS被說明為僅具有圖1中之兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。

基板W可包括先前形成之圖案。在此種情況下，微影設備LA將由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。

可在輻射源SO中、在照射系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如氫氣)。

圖1中所展示之輻射源SO屬於例如可稱為雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括CO ₂雷射之雷射系統1配置成經由雷射光束2將能量沈積至燃料中，該燃料替代地稱作靶材，諸如自例如燃料發射器3提供之錫(Sn)。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器3可包含經組態以沿著軌跡朝向電漿形成區4導引例如呈液滴形式之噴射系統。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區4處產生錫電漿7。在電子與電漿之離子之去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。

藉由收集器5收集且聚焦來自電漿之EUV輻射。收集器5包含例如接近正入射輻射收集器5 (有時稱為更一般正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如具有諸如13.5 nm之所要波長之EUV輻射)之多層鏡面結構。收集器5可具有橢球形組態，其具有兩個焦點。焦點中之第一者可在電漿形成區4處，且焦點中之第二者可在中間焦點6處，如下文所論述。

雷射系統1可與輻射源SO在空間上分離。在此情況下，雷射光束2可藉助於包含例如適合的導向鏡面及/或光束擴展器及/或其他光學器件之光束遞送系統(未展示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統可一起經視為輻射系統。

由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處的電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照射系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置成使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。

圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例之可實施於圖1之微影設備LA中的輻射源SO。輻射源SO包括類似於圖1中之燃料發射器3之燃料發射器1111。燃料發射器1111發射目標T之串流ST，使得在低壓力氫氣環境1101下將目標Tp遞送至電漿形成位置PF。目標Tp包括靶材。靶材為當處於電漿狀態時發射EUV輻射之任何材料。舉例而言，靶材可包括水、錫、鋰及/或氙。

在操作期間，藉助於氫氣供應系統及泵系統(兩者均未展示)將輻射源SO之容器1107保持在低壓力氫氣環境1101下。輻射源SO包含光源OS，該光源OS經組態以產生諸如雷射光束之光束LB，且沿著光程OP將光束LB遞送至低壓氫氣環境1101。光源OS可包括脈衝雷射裝置，例如以例如10 kW或更高之相對較高功率及例如40 kHz或更大之高脈衝重複率操作，例如藉由RF激發產生約9300 nm或約10600 nm之輻射的脈衝氣體放電CO2雷射裝置。脈衝重複率可為例如50 kHz、60 kHz、70 kHz、80 kHz、90 kHz、100 kHz或更大。電漿形成位置PF接收光束LB。光束LB與目標Tp中之靶材之間的相互作用產生發射EUV輻射之電漿PL。

燃料發射器1111包括噴射系統1104，其可包括流體地耦接至貯器系統1112之毛細管1104ct。毛細管1104ct界定孔口1104o。貯器系統1112含有在高壓Pn下之靶材。傳送總成可設置於貯器系統1112與噴射系統1104之間。靶材處於熔融狀態且能夠流動，且低壓氫氣環境1101中之壓力Pext比壓力Pn低得多。由此，靶材流動穿過孔口1104o。毛細管可由壓電元件(未展示)包圍，該壓電元件激勵管中之靶材以使得產生聲學駐波。靶材102可作為靶材之射流或連續串流1104cs退出孔口1104o。靶材之射流分解成個別目標T (其可為液滴)。射流1104cs之分解可經控制以使得個別液滴聚結成較大液滴，該較大液滴以所要速率到達電漿形成位置PF，例如幾十kHz，例如50 kHz或更大。串流ST中之目標T可為大致球形的，其直徑在約15至40微米之範圍中，例如約30微米。目標T之串流可藉由貯器系統1112內之壓力與由壓電元件(未展示)施加至噴射系統1104之振動的組合自噴射系統1104噴射。

在操作中，可為雷射能量之光束LB與燃料發射器1111之操作同步地遞送，以遞送輻射脈衝以使各液滴Tp變成電漿PL。實務上，可以至少兩個脈衝來遞送雷射能量LB：具有有限能量之預脈衝可在其到達電漿形成位置PF之前被遞送至液滴，以便將靶材液滴變換成圓盤狀形狀。接著，雷射能量LB之主脈衝可在電漿形成位置PF處遞送至經變換靶材，以產生電漿PL。桶1130可與噴射系統1104相對地設置，以捕捉未變成電漿之任何靶材。

輻射源SO可包括收集器鏡面1105，收集器鏡面1105具有允許光束LB穿過且到達電漿形成位置PF之孔徑1140。收集器鏡面1105可為例如具有在電漿形成位置PF處之主焦點及在中間位置1106 (亦稱為中間焦點或IF)處之次級焦點之橢球形鏡面，其中EUV輻射可自輻射源SO輸出且輸入至例如微影工具，諸如圖1之微影設備LA。

輻射源SO可進一步包括液滴監測系統1150以量測一或多個參數。監測系統1150可例如包括提供指示液滴例如關於電漿形成位置PF之定位之輸出且將此輸出提供至主控制器1160的一或多個目標或液滴成像器。主控制器1160可接著經組態以運算液滴定位及/或軌跡，自該液滴定位及/或軌跡可基於逐液滴或平均地運算液滴定位誤差。監測系統1150可另外或替代地包括量測一或多個EUV輻射參數之一或多個輻射源偵測器，該一或多個EUV輻射參數包括但不限於脈衝能量、依據波長而變化之能量分佈、特定波長帶內之能量、特定波長帶外之能量，及EUV強度及/或平均功率之角度分佈。

主控制器1160可經組態以控制光源OS以調整或設定例如光束定位、方向、塑形及/或定時，以便調整或設定光束焦點在低壓氫氣環境1101內之位置及/或焦度。主控制器1160可另外或替代地經組態以控制燃料發射器1111之噴射系統1104及/或貯器系統1112以調整或設定例如貯器系統1112中之壓力Pn及/或如藉由噴射系統1104釋放之目標T的釋放點以允許在所要時刻遞送正確量之靶材至電漿形成位置PF。

圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備400。設備400可為圖2中之燃料發射器1111之設備1112。

設備400包含貯器系統410，該貯器系統包括具有入口421及出口422之貯器420。出口422經組態以連接至噴射系統。設備進一步包含加壓系統以對貯器420中之液體靶材411加壓。加壓系統包含呈柱塞形式之分離裝置430，該分離裝置430將貯器420劃分成延伸於柱塞430與入口421之間的入口側腔室420a及延伸於柱塞430與出口422之間的出口側腔室420b。出口側腔室420b經組態以接收液體靶材411以補充由噴射系統(未展示)消耗之液體靶材。出口側腔室420b經組態以輸出液體靶材通過出口422。入口側腔室420a經組態以自連接至入口421之壓力流體供應系統(未展示)接收壓力流體。柱塞430經組態以與出口側腔室410b中之液體靶材411接觸，且經組態以在此情況下將壓力自壓力流體傳送至液體靶材。

加壓系統進一步包含：第一密封件431，其在柱塞430之靶材端處配置於柱塞430與貯器420之間；及第二密封件432，其在柱塞430之相對壓力流體端處配置於柱塞430與貯器410之間。第一密封件431與第二密封件432之間存在空間433。通道434設置於柱塞431中以允許入口側面腔室420a與空間433之間的流體連通，藉此允許壓力流體到達第一密封件431。優勢為第一密封件431上方之壓力差最小。

在一替代實施例中，第二密封件432由柱塞430在貯器420內部之導引部件導引移動替代，其中導引部件允許壓力流體通過以到達第一密封件431。

圖4示意性地描繪根據本發明之另一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備500。設備500可為圖2中之燃料發射器1111之設備1112。

設備500包含彼此並聯連接之第一貯器系統510、第二貯器系統520及第三貯器系統530。第一貯器系統510包含貯器511及加壓系統512。第二貯器系統520包含貯器521及加壓系統522。第三貯器系統530包含貯器531及加壓系統532。第一貯器系統510、第二貯器系統520及第三貯器系統530在此實施例中彼此相等，但至少類似。並行地使用兩個貯器系統之優勢在於一個貯器系統能夠在填充另一貯器系統時將液體靶材供應至噴射系統，藉此允許液體靶材之連續供應。使用三個貯器系統之優勢在於當一個貯器系統發生故障、失效或無序達至較長時間週期時，仍可提供液體靶材之連續供應。

設備500進一步包含：起動注給系統540，其經組態以接收包括靶材之固體物質；及運送系統545，其自起動注給系統540延伸至第一貯器系統510、第二貯器系統520及第三貯器系統530以提供用於起動注給系統540與各別貯器系統之間的靶材之流動路徑。各貯器系統具有對應調節設備541作為運送系統之一部分以控制靶材自起動注給系統至各別貯器系統之流動。

加壓系統512、522及532各自包含分離裝置550，該分離裝置550可移動地配置於各別貯器511、521、531中且連接至可圍繞樞軸560樞轉之連桿機構555，且經組態以將以自樞軸560之第一距離施加之輸入力Fin變換成以自樞軸之第二距離的輸出力Fout，此輸出力Fout施加至裝置550以由裝置550傳送為對液體靶材之壓力。因為第二距離小於第一距離，輸入力小於輸出力，此係有益的，因為相對較小力能夠施加相對較大壓力。輸入力Fin可藉由任何適合致動器施加。

設備500亦包含：第二運送系統570，其在第一貯器系統510、第二貯器系統520及第三貯器系統530之間延伸；及噴射系統(未展示)，其用以提供用於各別貯器系統與噴射系統之間的液體靶材之流動路徑。各貯器系統具有對應調節設備542作為第二運送系統570之一部分以控制靶材自各別貯器系統至噴射系統之流動。

儘管調節設備541及/或542可為任何調節設備，但在此實施例中調節設備541及542為能夠藉由固化靶材之一部分而防止液體靶材之流動的冷凍閥，藉此在運送系統或第二運送系統中形成插塞。

第二運送系統570可進一步包括阻尼裝置580以阻尼第二運送系統570中之非所要壓力波動。

圖5示意性地描繪根據本發明之另一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備600。設備600可為圖2中之燃料發射器1111之設備1112。

設備600包含貯器系統610，該貯器系統610具有貯器611及用以使用可在貯器611內部移動之分離裝置630對貯器611中之液體靶材加壓的加壓系統620。裝置630經由第一側630a與液體靶材接觸以將壓力傳送至液體靶材。第一側630a具有第一橫截面積。裝置630具有待與壓力流體接觸之第二側630b。第二側630b具有第二橫截面積。第二橫截面積大於第一橫截面積，使得施加至液體靶材之壓力大於壓力流體中之壓力。因此，此實施例之優勢在於相對較小壓力可用於在液體靶材中提供相對較大壓力。

包圍貯器611之出口612為第一調節設備641、第二調節設備642及第三調節設備643。各調節設備可為冷凍閥。第一調節設備641經組態以控制自起動注給系統(未展示)至貯器611之流體流動。第二調節設備642經組態以控制自貯器611至噴射系統(未展示)之流體流動。第三調節設備643可用於對設備600之維護或服務。

圖6示意性地描繪根據本發明之另一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備700。設備700可為圖2中之燃料發射器1111之設備1112。

設備700包含具有貯器710之貯器系統。貯器710具有：第一部分710a，其具有用於接收液體靶材715之第一橫截面積；及第二部分710b，其具有大於第一橫截面積之第二橫截面積。可移動地配置於貯器710內部的係作為加壓系統之一部分之裝置730，此裝置730具有與第一部分710a匹配之第一部分730a及與貯器710之第二部分710b匹配的第二部分730b。壓力流體可經由入口711供應以施加壓力至裝置730之第二部分730b。因為第二橫截面積大於第一橫截面積，施加至液體靶材之壓力大於壓力流體中之壓力。因此，此實施例之優勢在於相對較小壓力可用於在液體靶材中提供相對較大壓力。

在實務實施例中，液體靶材可在貯器710與裝置730之間的滲漏。藉由配置設備700，使得貯器或裝置之縱軸716相對於豎直方向G成一角度，且在貯器之第二部分710b處為貯器提供汲極717，可使用重力經由汲極717容易地自貯器710移除進入貯器710之第二部分710b之液體靶材。可提供加熱系統以保持滲漏靶材液體以允許其流動通過汲極717。

圖7a及圖7b示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備800。設備800可為圖2中之燃料發射器1111之設備1112。

設備800包含貯器系統，該貯器系統具有：貯器810；及加壓系統，其具有可在貯器810中移動之柱塞830、電動機820及連桿機構840。柱塞830經由連桿機構840連接至電動機820，以將電動機820之旋轉運動變換成由柱塞830形成之裝置的平移運動。柱塞830可在如圖7a中所展示之回縮定位與如圖7b中所展示之延伸定位之間移動，該回縮定位提供貯器810中待由液體靶材佔據之自由空間的最大體積，該延伸定位提供待由液體靶材佔據之自由空間的最小體積。圖7a由此對應於貯器中已經由液體靶材填充之情形，而圖7b對應於貯器中幾乎為空之情形。

圖8示意性地描繪根據本發明之又一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備900。設備900可為圖2中之燃料發射器1111之設備1112。設備900類似於上文所描述之設備中之任一者，且因此上文所描述之設備之任何特徵亦可適用於圖8中所描繪之設備900。

設備900包含具有貯器911、第一加壓系統920及第二加壓系統930之貯器系統910。第二加壓系統920經組態以與貯器系統910及第一加壓系統920串聯連接。舉例而言，第一加壓系統920連接至第二加壓系統930，且第二加壓系統930連接至貯器系統910。以不同方式表述，第二加壓系統930可連接於與第一加壓系統920與貯器系統910之間。貯器系統910經組態以連接至噴射系統，諸如圖2中之噴射系統1104。

第一加壓系統920包含第一裝置940。第一裝置940經配置以可在第一加壓系統940中移動。第一裝置940可以第一柱塞之形式提供。第一加壓系統920包含入口920a及出口920b。第一裝置940配置於第一加壓系統920中以將第一加壓系統920劃分成入口側腔室920c及出口側腔室920d。入口側腔室920c在第一裝置940與入口920a之間延伸。出口側腔室920d在第一裝置940與出口920b之間延伸。入口側腔室920c經組態以自可連接至入口920a之壓力流體供應系統(未展示)接收壓力流體。出口側腔室920d經組態以例如經由出口920b將壓力流體提供至第二加壓系統930。第一裝置940經組態以與入口側腔室920c及出口側腔室920d中之壓力流體接觸。第一裝置940經組態以將壓力自入口側腔室920c中之壓力流體傳送至出口側腔室920d中之壓力流體，例如，使得以第一壓力對出口側腔室920d中之壓力流體加壓。

第二加壓系統930包含第二裝置950。第二裝置950經配置以可在第二加壓系統950中移動。第二裝置950可以第二柱塞之形式提供。第二加壓系統930包含入口930a及出口930b。第二加壓系統930之入口930a連接至第一加壓系統920之出口920b。第二加壓系統930之入口930a與第一加壓系統920之出口920b流體連通。第二裝置950配置於第二加壓系統930中以將第二加壓系統930劃分成入口側腔室930c及出口側腔室930d。入口側腔室930c在第二裝置950與入口930a之間延伸。出口側腔室930d在第二裝置950與出口930b之間延伸。第二裝置950經組態以與第二加壓系統930之入口側腔室930c及出口側腔室930d中之壓力流體接觸。入口側腔室930c經組態以以第一壓力自例如第一加壓系統920之出口920b接收壓力流體。第二裝置950經組態以將入口側腔室930c中之壓力流體之第一壓力傳送至第二加壓系統930的出口側腔室930d中之壓力流體，例如使得以第二壓力對第二加壓系統930之出口側腔室930d中之壓力流體加壓。在此實施例中，第二壓力大於第一壓力。以不同方式表述，第二裝置950經組態以將壓力流體之壓力自第一壓力增加至第二壓力。

第二加壓系統930經組態以例如經由出口930b以第二壓力將壓力流體提供至貯器911。貯器911包含入口911a及出口911b。舉例而言，貯器之出口911b經組態以連接至噴射系統。第二加壓系統930之出口930b連接至貯器911之入口911a。因此，第二加壓系統930之出口側腔室930d與貯器911流體連通。貯器911包含第一部分911c，其在使用中含有以第二壓力由第二加壓系統930提供之壓力流體。貯器911包含第二部分911d，其在使用中含有液體靶材。貯器911之第一部分911c中之壓力流體與貯器911之第二部分911d中之液體靶材接觸。此允許壓力流體之第二壓力傳送至貯器911中之液體靶材。以不同方式表述，第二裝置950經組態以將壓力流體之第一壓力作為第二壓力傳送至液體靶材。因此，第一裝置940及第二裝置950可視為經組態以藉由對與液體靶材接觸之壓力流體加壓而對貯器911中之液體靶材加壓。第一裝置940及第二裝置950亦可視為經組態以例如經由壓力流體將壓力傳送至貯器911中之液體靶材。圖8中藉由短劃線指示貯器911之第一部分與第二部分之間的劃分。

應瞭解，在其他實施例中，第二加壓系統及/或貯器系統可經組態以使得第二裝置與液體靶材接觸，例如如關於圖3、圖5及圖6中之任一者所描述。

第一加壓系統920之入口側腔室920c具有第一橫截面積。第一加壓系統920之出口側腔室920d具有第二橫截面積。第一裝置940包含第一部分940a及第二部分940b。第一裝置940之第一部分940a之橫截面積可對應於，例如實質上對應於第一加壓系統920的入口側腔室920c之第一橫截面積。第一裝置940之第二部分940b之橫截面積可對應於，例如實質上對應於第一加壓系統920的出口側腔室920d之第二橫截面積。第一橫截面積大於第二橫截面積。因此，施加至第一加壓系統920之出口側腔室920c中之壓力流體的壓力大於第一加壓系統920之入口側腔室920c中之壓力流體中的壓力。因此，入口側腔室920c中之壓力流體中之相對較小壓力可用於在第一加壓系統920的出口側腔室920d中之壓力流體中提供相對較大壓力。

第二加壓系統930之入口側腔室930c具有第三橫截面積。第二加壓系統930之出口側腔室930d具有第四橫截面積。第二裝置950包含第一部分950a及第二部分950b。第二裝置950之第一部分950a之橫截面積可對應於，例如實質上對應於第二加壓系統930的入口側腔室930c之第三橫截面積。第二裝置950之第二部分950b之橫截面積可對應於，例如實質上對應於第二加壓系統930的出口側腔室930d之第四橫截面積。第四橫截面積小於第三橫截面積。因此，施加至第二加壓系統930之出口側腔室930d中之壓力流體的壓力，該壓力施加至貯器911中之液體靶材，該壓力大於第二加壓系統930之入口側腔室930c中的壓力流體中之壓力。藉由為設備900提供第二加壓系統930，該第二加壓系統930將第一加壓系統920串聯連接至貯器911，施加至貯器中之液體靶材之壓力可進一步例如相對於施加至第一加壓系統920之壓力增加。

在圖8中所描繪之實施例中，第一加壓系統920之入口側腔室920c及第二加壓系統930之入口側腔室930c的第一及第三橫截面分別不同。第一加壓系統920之入口側腔室920c之第一橫截面大於第二加壓系統930的入口側腔室930c之第三橫截面。第一加壓系統920之出口側腔室920d及第二加壓系統930之出口側腔室930d的第二及第四橫截面分別不同。第一加壓系統920之出口側腔室920d之第二橫截面大於第二加壓系統930的入口側腔室930d之第四橫截面。應瞭解，在其他實施例中，第一加壓系統之入口側腔室及第二加壓系統之入口側腔室的第一及第三橫截面可分別相同，及/或第一加壓系統之出口側腔室及第二加壓系統之出口側腔室的第二及第四橫截面可分別相同。

第一加壓系統920及第二加壓系統930可經組態以將至少300巴、較佳地至少700巴、更佳地至少900巴、甚至更佳地至少1100巴、且最佳地至少1300巴(例如，1400巴)之壓力施加至貯器911中之液體靶材。舉例而言，第一加壓系統920之出口側腔室920d中之壓力流體之第一壓力可為至少300巴，較佳地700巴。貯器911之第一部分911c中之壓力流體的第二壓力可為至少600巴、較佳地1400巴，從而對液體靶材產生至少600巴、較佳地1400巴之壓力。設備900可包含調節設備960，其可配置於第一加壓系統920與第二加壓系統930之間。調節設備960可以閥門或控制閥形式提供。調節設備960可經組態以控制，例如減小自第一加壓系統920之出口920b接收於第二加壓系統930之入口側腔室930c中的壓力流體之壓力。

第一加壓系統920包含外殼922。外殼可包含第一部分922a及第二部分922b。入口側腔室920c可為第一加壓系統920之外殼922之第一部分922a的部分。出口側腔室920d可為第一加壓系統920之外殼922之第二部分922b的部分。第一加壓系統920包含配置於第一裝置940與外殼922之間之第一密封件925a。舉例而言，第一密封件925a可配置於第一裝置940之第一部分940a與外殼922之第一部分922a之間。第一加壓系統920包含配置於第一裝置940與外殼922之間之第二密封件925b。舉例而言，第二密封件925b可配置於第一裝置940之第二部分940b與外殼922之第二部分922b之間。第一密封件925a及第二密封件925b可配置於第一裝置940之相對側處。藉由為第一加壓系統920提供第一密封件925a及第二密封件925b，可最小化入口側腔室920c與出口側腔室920d之間的壓力流體之滲漏或通路，同時允許壓力在出口側腔室920d中累積。

第二加壓系統930包含外殼932。外殼932可包含第一部分932a及第二部分932b。入口側腔室930c可為第二加壓系統930之外殼932之第一部分932a的部分。出口側腔室930d可為第二加壓系統930之外殼932之第二部分932b的部分。第二加壓系統930包含配置於第二裝置950與第二加壓系統930之外殼932之間的第一密封件935a。舉例而言，第一密封件935a可配置於第二裝置950之第一部分950a與外殼932之第一部分932a之間。第二加壓系統930包含配置於第二裝置950與第二加壓系統930之外殼932之間的第二密封件935b。舉例而言，第二密封件935b可配置於第二裝置950之第二部分950b與外殼932之第二部分932b之間。第二加壓系統930之第一密封件935a及第二密封件935b可配置於第二裝置950之相對側處。藉由為第二加壓系統930提供第一密封件935a及第二密封件935b，可最小化自入口側腔室930c至出口側腔室930d之壓力流體之滲漏或通路，同時允許壓力在出口側腔室930d中累積。

設備900可經配置以使得設備900之縱軸960平行，例如實質上平行於豎直方向G。此可防止或減少液體靶材自貯器911滲漏至第二加壓系統930中。第一加壓系統920、第二加壓系統930及貯器系統910可相對於彼此共軸地配置。以不同方式表述，第一加壓系統920、第二加壓系統930及貯器系統910可共用共同縱軸960。然而，應瞭解，設備可在其他實施例中以不同方式配置。

儘管未關於圖2至圖7b中所展示之各實施例提及，但所描述之加壓系統可經組態以將至少300巴、較佳地至少700巴、更佳地至少900巴、甚至更佳地至少1100巴、且最佳地至少1300巴(例如，1400巴)之壓力施加至液體靶材。

儘管上文未明確地提及，但液體靶材之存在可需要存在加熱系統以在適當的情況下維持靶材之溫度高於其熔融溫度。加熱系統可包括一或多個溫度感測器及控制系統，該控制系統用以基於所要溫度及一或多個溫度感測器之輸出而控制靶材之溫度。

儘管上文未明確地提及用於圖4至圖6、圖7a及圖7b，但密封件可經提供以防止或最小化液體靶材及/或壓力流體之滲漏。優勢可在於最小化滲漏亦最小化壓力損失，從而允許累積壓力。另一優勢可在於僅在一個端處施加壓力，從而允許傳送淨力。舉例而言，在圖4中，密封件可設置於裝置550與各別貯器511、521及531之間。在圖5中，密封件可在裝置之第二側630b處設置於裝置630與加壓系統620之外殼之間，以避免壓力流體朝向貯器系統610滲漏，且密封件亦可設置於裝置630與貯器611之間以防止靶材滲漏。在圖6中，密封件可設置於裝置730之第二部分730b與貯器710之第二部分710b之間，以防止壓力流體穿過裝置730之第二部分730b。在圖6中，密封件亦可設置於裝置730之第一部分730a與貯器710之第一部分710a之間以防止或至少最小化靶材進入貯器710的第二部分710b。在圖7a及圖7b中，密封件可設置於柱塞830與貯器810之間以防止靶材進入加壓系統。

儘管上述描述係關於壓力流體，但應瞭解，可以壓力液體及/或壓力氣體形式提供壓力流體。舉例而言，壓力流體可包含液體，例如，超臨界液體，當在大於壓力流體之臨界壓力之壓力下使用時。因此，術語「壓力流體」可與術語「壓力液體」可互換地使用。術語「壓力流體」可另外或替代地與術語「壓力氣體」可互換地使用。應瞭解，本文中所描述之壓力流體供應系統可經組態以供應壓力液體及/或壓力氣體。

儘管上文未明確地提及，但裝置可為剛性、固體或實質上固體的。裝置可包含以下材料中之一或多者：聚醯亞胺、聚四氟乙烯、鎢、鉭及鉬。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中對微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部分。此等設備可通常稱為微影工具。此種微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。

儘管上文可能已經特定地參考在光學微影之上下文中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，在上下文允許之情況下，本發明不限於光學微影，且可用於例如壓印微影之其他應用中。

在上下文允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，運算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)及其他。此外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此等動作實際上由運算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等所引起，且在執行此操作時可造成致動器或其他裝置與實體世界相互作用之其他裝置。

儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。上述描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

條項 1. 一種用於將一液體靶材供應至一輻射源之設備，其包含一貯器系統，該貯器系統包括：一貯器，其經組態以連接至一噴射系統；及一加壓系統，其用以對該貯器中之液體靶材加壓，其中該加壓系統包含經組態以將壓力傳送至該液體靶材之一裝置。 2. 如條項1之設備，其中該加壓系統經組態以將至少300巴、較佳地至少700巴、更佳地至少900巴、甚至更佳地至少1100巴、且最佳地至少1300巴之一壓力施加至該液體靶材。 3. 如條項1或2之設備，其中該加壓系統包含用以提供與該裝置接觸之壓力流體的一壓力流體供應系統，且其中該裝置經組態以將壓力自該壓力流體傳送至該液體靶材。 4. 如條項3之組合之設備，其中該加壓系統包含：一第一密封件，其在該裝置之一液體靶材端處位於該裝置與該貯器之間；及一第二密封件，其在該裝置之一相對壓力流體端處位於該裝置與該貯器之間，且其中該裝置包括在該裝置之該壓力流體端之間延伸至該第一密封件與該第二密封件之間的一空間之一通道以允許壓力流體到達該第一密封件。 5. 如條項3或4之設備，其中該裝置具有：一第一側，其具有待與該液體靶材接觸之一第一橫截面積；及一第二側，其具有待與該壓力流體接觸之一第二橫截面積，且其中該第二橫截面積大於該第一橫截面積以使得施加至該液體靶材之該壓力大於該壓力流體中之該壓力。 6. 如條項5之設備，其中該第二橫截面積與該第一橫截面積之間的一比率為至少1.5、較佳地至少2、更佳地至少4、且最佳地至少6。 7. 如條項1或2之設備，其中該裝置連接至一連桿機構以將一輸入力變換成一輸出力，該輸出力將由該裝置傳送為對該液體靶材之壓力，且其中該輸入力小於該輸出力。 8. 如條項7之設備，其中該輸出力與該輸入力之間的一比率為至少1.5、較佳地至少2、更佳地至少4、且最佳地至少6。 9. 如條項1或2之設備，其中該裝置連接至一連桿機構以將一電動機之一旋轉運動變換成該裝置之一平移運動。 10.   如條項1至9中任一項之設備，其中該加壓系統包含一感測器以判定該貯器中之該裝置之一定位。 11.   如條項1至10中任一項之設備，其中該裝置包含以下材料中之一或多者：聚醯亞胺、聚四氟乙烯、鎢、鉭及鉬。 12.   如條項1至11中任一項之設備，其中該貯器系統為一第一貯器系統，且其中該設備進一步包含經組態以與該第一貯器系統串聯連接至該噴射系統之一第二貯器系統。 13.   如條項1至11中任一項之設備，其中該貯器系統為一第一貯器系統，且其中該設備進一步包含經組態以與該第一貯器系統並聯連接至該噴射系統之一第二貯器系統。 14.   如條項1至13中任一項之設備，其與一液體靶材組合，其中該液體靶材為錫。 15.   如條項1至14中任一項之設備，其進一步包含：一起動注給系統，其經組態以接收包括該液體靶材之一固體物質；及一運送系統，其自該起動注給系統延伸至該貯器系統，該運送系統經組態以提供用於該起動注給系統與該貯器系統之間的該靶材之一流動路徑。 16.   如條項15之設備，其中該運送系統進一步包含經組態以控制自該起動注給系統之液體靶材的一流動之一調節設備。 17.   一種燃料發射器，其包含如條項1至16中任一項之設備及一噴射系統。 18.   如條項17之燃料發射器，其中該噴射系統經組態以將該液體靶材之一液滴流噴射至一電漿形成位置。 19.   如條項18之燃料發射器，其進一步包含一液滴監測系統以監測該液體靶材之該液滴流。 20.   如條項19之燃料發射器，其進一步包含一主控制器以基於該液滴監測系統之一輸出而調整由該加壓系統施加至該貯器中之該液體靶材的一壓力。 21.   如條項19之燃料發射器，其進一步包含一主控制器以基於該液滴監測系統之一輸出而調整該噴射系統的操作。 22.   一種用於一微影工具之輻射源，其包含如條項17至21中任一項之燃料發射器。 23.   如條項22之輻射源，其中該輻射源經組態以輸出EUV輻射。 24.   如條項22或23之輻射源，其中該輻射源為一雷射產生電漿源。 25.   一種微影設備，其包含如條項22至24中任一項之輻射源。 26.   一種將液體靶材供應至一輻射源之方法，其中藉由對與該液體靶材接觸之一裝置加壓或藉由使用該裝置以將一壓力傳送至與該液體靶材接觸之一壓力流體來對一貯器中的液體靶材加壓。 27.   如條項26之方法，其中該液體靶材經加壓至至少300巴、較佳地至少700巴、更佳地至少900巴、甚至更佳地至少1100巴、且最佳地至少1300巴之一壓力。 28.   如條項1至11中任一項之設備，其中該設備包含經組態以與該貯器系統及該加壓系統串聯連接之一另一加壓系統。

1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:收集器 6:中間焦點 7:錫電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 400:設備 410:貯器系統 411:液體靶材 420:貯器 420a:入口側腔室 420b:出口側腔室 421:入口 422:出口 430:分離裝置/柱塞 431:第一密封件 432:第二密封件 433:空間 434:通道 500:設備 510:第一貯器系統 511:貯器 512:加壓系統 520:第二貯器系統 521:貯器 522:加壓系統 530:第三貯器系統 531:貯器 532:加壓系統 540:起動注給系統 541:調節設備 542:調節設備 545:運送系統 550:分離裝置 555:連桿機構 560:樞軸 570:第二運送系統 580:阻尼裝置 600:設備 610:貯器系統 611:貯器 612:出口 620:加壓系統 630:分離裝置 630a:第一側 630b:第二側 641:第一調節設備 642:第二調節設備 643:第三調節設備 700:設備 710:貯器 710a:第一部分 710b:第二部分 711:入口 715:液體靶材 716:縱軸 717:汲極 730:裝置 730a:第一部分 730b:第二部分 800:設備 810:貯器 820:電動機 830:柱塞 840:連桿機構 900:設備 910:貯器系統 911:貯器 911a:入口 911b:出口 911c:第一部分 911d:第二部分 920:第一加壓系統 920a:入口 920b:出口 920c:入口側腔室 920d:出口側腔室 922:外殼 922a:第一部分 922b:第二部分 925a:第一密封件 925b:第二密封件 930:第二加壓系統 930a:入口 930b:出口 930c:入口側腔室 930d:出口側腔室 932:外殼 932a:第一部分 932b:第二部分 935a:第一密封件 935b:第二密封件 940:第一裝置 940a:第一部分 940b:第二部分 950:第二裝置 950a:第一部分 950b:第二部分 960:調節設備/縱軸 1101:低壓力氫氣環境 1104:噴射系統 1104cs:串流 1104ct:毛細管 1104o:孔口 1105:收集器鏡面 1107:容器 1111:燃料發射器 1112:貯器系統 1130:桶 1140:孔徑 1150:液滴監測系統 1160:主控制器 B:EUV輻射光束 B':經圖案化EUV輻射光束 Fin:輸入力 Fout:輸出力 G:豎直方向 IF:中間焦點 IL:照射系統 LA:微影設備 LB:光束 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 OP:光程 OS:光源 Pext:壓力 PF:電漿形成位置 PL:電漿 Pn:壓力 PS:投影系統 SO:輻射源 ST:串流 T:目標 Tp:目標 W:基板 WT:基板台

現在將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等隨附示意性圖式中： -  圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統； -  圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例之輻射源； -  圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備； -  圖4示意性地描繪根據本發明之另一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備； -  圖5示意性地描繪根據本發明之又一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備； -  圖6示意性地描繪根據本發明之又另一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備； -  圖7a示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於將液體靶材供應至具有經填充貯器之輻射源的設備； -  圖7b示意性地具有幾乎空的貯器之圖7a之設備；及 -  圖8示意性地描繪根據本發明之又一實施例之用於將液體靶材供應至輻射源的設備。

400:設備

410:貯器系統

411:液體靶材

420:貯器

420a:入口側腔室

420b:出口側腔室

421:入口

422:出口

430:分離裝置/柱塞

431:第一密封件

432:第二密封件

433:空間

434:通道

Claims (17)

1. 一種用於將一液體靶材供應至一輻射源之設備，其包含一貯器系統，該貯器系統包括：一貯器，其經組態以連接至一噴射系統；及一加壓系統，其用以對該貯器中之液體靶材加壓，其中該加壓系統包含經組態以將壓力傳送至該液體靶材之一裝置。
2. 如請求項1之設備，其中該加壓系統經組態以將至少300巴、較佳地至少700巴、更佳地至少900巴、甚至更佳地至少1100巴、且最佳地至少1300巴之一壓力施加至該液體靶材。
3. 如請求項1之設備，其中該加壓系統包含用以提供與該裝置接觸之壓力流體的一壓力流體供應系統，且其中該裝置經組態以將壓力自該壓力流體傳送至該液體靶材。
4. 如請求項2之設備，其中該加壓系統包含：一第一密封件，其在該裝置之一液體靶材端處位於該裝置與該貯器之間；及一第二密封件，其在該裝置之一相對壓力流體端處位於該裝置與該貯器之間，且其中該裝置包括在該裝置之該壓力流體端之間延伸至該第一密封件與該第二密封件之間的一空間之一通道以允許壓力流體到達該第一密封件。
5. 如請求項2之設備，其中該裝置具有：一第一側，其具有待與該液體靶材接觸之一第一橫截面積；及一第二側，其具有待與該壓力流體接觸之一第二橫截面積，且其中該第二橫截面積大於該第一橫截面積以使得施加至該液體靶材之該壓力大於該壓力流體中之該壓力。
6. 如請求項1之設備，其中該裝置連接至一連桿機構以將一輸入力變換成一輸出力，該輸出力將由該裝置傳送為對該液體靶材之壓力，且其中該輸入力小於該輸出力。
7. 如請求項1之設備，其中該裝置連接至一連桿機構以將一電動機之一旋轉運動變換成該裝置之一平移運動。
8. 如請求項1至7中任一項之設備，其中該設備包含經組態以與該貯器系統及該加壓系統串聯連接之一另一加壓系統。
9. 如請求項1至7中任一項之設備，其中該貯器系統為一第一貯器系統，且其中該設備進一步包含經組態以與該第一貯器系統並聯連接至該噴射系統之一第二貯器系統。
10. 如請求項1至7中任一項之設備，其與該液體靶材組合，其中該液體靶材為錫。
11. 如請求項1至7中任一項之設備，其進一步包含：一起動注給系統，其經組態以接收包括該液體靶材之一固體物質；及一運送系統，其自該起動注給系統延伸至該貯器系統，該運送系統經組態以提供用於該起動注給系統與該貯器系統之間的該靶材之一流動路徑。
12. 一種燃料發射器，其包含如請求項1至11中任一項之設備及一噴射系統。
13. 如請求項12之燃料發射器，其中該噴射系統經組態以將該液體靶材之一液滴流噴射至一電漿形成位置。
14. 一種用於一微影工具之輻射源，其包含如請求項12或13之燃料發射器。
15. 如請求項14之輻射源，其中該輻射源經組態以輸出EUV輻射。
16. 一種微影設備，其包含如請求項14至15中任一項之輻射源。
17. 一種使用一裝置以將一壓力傳送至一液體靶材以將液體靶材供應至一輻射源之方法，其中藉由對與該液體靶材接觸之該裝置加壓或藉由使用該裝置以將一壓力傳送至與該液體靶材接觸之一壓力流體來對一貯器中的液體靶材加壓，其中該液體靶材經加壓至至少700巴、較佳地至少900巴、更佳地至少1100巴、且甚至更佳地至少1300巴之一壓力。