CN113273314A - 用于控制将euv目标材料引入到euv腔室中的装置 - Google Patents

Abstract

一种用于控制将EUV目标材料引入EUV腔室的装置，其中流限制器的孔口被放置在目标材料通过微滴生成器的流动路径中，例如，在微滴生成器内过滤器的上游位置处。此外，液态锡传感器(例如，传导探针或电负载检测器)可以位于微滴生成器的加热器块的体积中。流限制器可以被配置为附加地用作例如用于过滤器的密封件。因此，流限制器可以被配置为金属盘，该金属盘还可以用作密封垫圈。例如，金属可以是未经退火的钽、钽‑钨合金、经退火的钼、钼‑铼合金、或经退火的铼。

Description

用于控制将EUV目标材料引入到EUV腔室中的装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月31日提交的美国申请62/786,622的优先权，该申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本申请涉及极紫外(“EUV”)光源及其操作方法。这些光源通过从目标材料产生等离子体来提供EUV光。在一种应用中，可以收集EUV光，并且该EUV光用于光刻工艺以生产半导体集成电路。

背景技术

经图案化EUV光束可以用于曝光涂覆有抗蚀剂的衬底，诸如硅晶片，以在衬底中产生极小特征。EUV光(有时也称为软X射线)通常被定义为波长在约5nm至约100nm范围内的电磁辐射。光刻的一个感兴趣特定波长出现在13.5nm处。

产生EUV光的方法包括但不一定限于将目标材料(也称为源材料)转换为等离子体状态，该等离子体状态具有在EUV范围内有发射谱线的化学元素。这些元素可以包括但不限于氙、锂和锡。

在一种通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的这样方法中，期望等离子体可以通过使用激光束照射例如呈微滴、流或线的形式的目标材料来产生。在另一种通常称为放电产生等离子体(“DPP”)的方法中，所需等离子体可以通过在一对电极之间放置具有适当发射谱线的源材料并且使得放电在电极之间发生来生成。

一种用于生成微滴的技术包括：熔化诸如锡之类的目标材料，然后在高压下迫使其通过微滴生成器中相对较小直径的孔口，诸如直径为约0.1μm至约30μm的孔口，以产生速度在约30m/s至约200m/s范围内的层状流体射流。在大多数情况下，由于称为瑞利-普拉托不稳定性的流体动力学不稳定性，射流会分解成微滴。这些微滴可以具有不同的速度并且可以彼此组合以聚结成较大微滴。

通过将容纳目标材料的储存器连接到高压气体(诸如惰性气体，例如，氩气)源，熔融目标材料维持在高压下。在这种布置中，存在微滴生成器以泄漏并准许目标材料在压力下不受控制地流入包含诸如收集器反射镜之类的系统光学器件的腔室的方式发生故障的风险，因此使光学器件受到目标材料的污染。

对于在EUV源中以3,000PSI至4,000PSI压力操作的微滴生成器，使用了故障安全系统，该故障安全系统使用称为快速排气系统(RVS)的设备。RVS使用来自气流开关的信号来检测微滴生成器部件中的微滴生成器部件的故障所引起的严重锡泄漏，以通过关闭向储存器供应高压气体并且快速地对微滴生成器排气以进入称为快速排气罐(RVT)的大型气体罐，来防止对源真空腔室的大量污染。在没有RVS的情况下，喷嘴故障会在几分之一秒内将严重锡污染引入腔室。

诸如刚刚描述的RVS系统之类的RVS系统可能存在几个缺点和限制。例如，在为微滴生成器加压期间，气体体积流率发生改变(质量流恒定)。在气压达到约400PSI之前，气体流率超过RVS流动开关的阈值，这会导致RVS被激活。因此，实际上，通常在微滴生成器加压开始时禁用RVS系统，从而准许加压继续进行，但使EUV源无法针对例如喷嘴损坏的状况进行保护。

此外，必须选择RVS流动开关的激活阈值以对预期故障敏感，但对正常操作期间可能会遇到的状况不敏感。试图同时满足这些准则会迫使折衷，导致开关在它应该操作的时候并不一直操作，或有时在它不应该操作的时候(例如，在如上文所描述的初始加压期间)操作。对于检测锡泄漏的流动开关，锡流动必须超过最小值。存在检测失败的情况，诸如毛细管直径太小的时候、孔口有缺口的时候或毛细管仅部分断裂的时候。

限制的示例是当前RVS部件的压力额定值有效地将微滴生成器操作限制到约4,000PSI的压力。可以开发压力更高的系统，但增加压力额定值的代价是降低部件的传导性，因此降低减压速率，从而使得上文所描述的快速减压方案在保护源时失效。

缺点的示例是RVS体积大且重，并且需要连接到坚硬软管。这增加了微滴生成器转向系统上的额外负载并且降低了控制性能。此外，RVT的尺寸非常大(约300L)并且在制造设施中占据了大量空间。为了在更大的微滴生成器压力下操作，必须使软管更坚硬并且使RVT更大。此外，快速减压可操作微滴生成器会对微滴生成器造成破坏性冲击，这可能会导致其在下次启动时发生故障。

因此，仍然存在解决从微滴生成器泄漏目标材料，而微滴生成器避免这些限制和缺点的需求。

发明内容

为了提供对实施例的基本理解，以下呈现了对一个或多个实施例的简化概述，以便提供对各实施例的基本理解。该发明内容并非所有预期实施例的广泛概述，也并不旨在标识所有实施例的关键元素或重要要素，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实施例的一些概念，作为稍后呈现的具体实施方式的序言。

根据实施例的一个方面，流限制器的孔口被放置在目标材料通过微滴生成器的流动路径中，例如，在微滴生成器内的过滤器上游的位置处。此外，可以使用液体目标材料的液位传感器，例如，传导探针或电负载检测器(ELD)，并且该传感器可以位于微滴生成器的加热器块的体积中。流限制器可以被配置为附加地用作例如用于过滤器的密封件。因此，流限制器可以被配置为还可以用作密封垫圈的盘。例如，盘可以由诸如未经退火的钽、钽-钨合金、经退火的钼、钼-铼合金和经退火的铼之类的金属或耐火材料制成。

下文参考附图对本发明的其他实施例、特征和优点以及各个实施例的结构和操作进行详细描述。

附图说明

并入本文并形成说明书的一部分的附图通过示例而非限制的方式图示了本发明的实施例的方法和系统。与具体实施方式一起，附图还用来解释本文中所呈现的方法和系统的原理并且使得相关领域的技术人员能够制造并使用本文中所呈现的方法和系统。在附图中，相同的附图标记指示相同或功能相似的元件。

图1是与曝光设备耦合的EUV光源的简化示意图。

图1A是包括具有LPPEUV光辐射器的EUV光源的装置的简化示意图。

图2为EUV光源的微滴生成子系统的示意图。

图3是EUV生产系统中用于限制目标材料泄漏的传统系统的示意图。

图4是根据实施例的一个方面的用于限制EUV目标材料泄漏到EUV腔室中的布置的不按比例绘制的图。

图5A至图5D是根据实施例的各方面的流限制器的各种示例性实现方式的平面图。

图6是根据实施例的一个方面的用于限制EUV生产系统中的目标材料泄漏的系统的一部分的局部剖视图。

下文参照附图对本发明的其他特征和优点以及本发明各种实施例的结构和操作进行详细描述。应当指出，本发明不限于本文中所描述的特定实施例。这样的实施例在本文中仅出于说明的目的而呈现。基于本文中所包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。

具体实施方式

现在，参考附图对各种实施例进行描述，其中相同的附图标记始终用于指代相同的元件。在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以促进对一个或多个实施例的透彻理解。然而，在一些或所有实例中，可能显而易见的是，下文所描述的任何实施例可以在没有采用下文所描述的特定设计细节的情况下实施。在其他实例中，众所周知的结构和设备以框图形式示出，以便于对一个或多个实施例的描述。以下呈现并非所有预期实施例的广泛概述，并不旨在标识所有实施例的关键要素或重要要素，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。

首先，参考图1，示出了通常指定为10”的EUV光刻装置的一个示例的选定部分的简化示意性截面图。装置10”可以用于例如使用图案化EUV光束曝光衬底11，诸如涂覆有抗蚀剂的晶片。对于装置10”，可以提供利用EUV光的曝光设备12”(例如，集成电路光刻工具，诸如步进机、扫描仪、步进扫描系统、直接写入系统、使用接触式掩模和/或接近式掩模的设备等)，该曝光设备12”具有一个或多个光学器件13a、13b，该一个或多个光学器件13a、13b例如使用诸如掩模版之类的EUV光束照射图案化光学器件13c，以产生图案化束；以及一个或多个减小的投影光学器件13d、13e，该一个或多个减小的投影光学器件13d、13e用于将图案化束投影到衬底11上。可以提供机械组件(未示出)用于在衬底11与图案化器件13c之间生成受控的相对移动。如图1进一步所示，装置10”可以包括EUV光源20”，该EUV光源20”包括在腔室26”中发射EUV光的EUV光辐射器22，该EUV光被光学器件24沿着路径反射进入曝光设备12”中以照射衬底11。照明系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射部件、反射部件、电磁部件、静电部件或其他类型的光学部件、或其任何组合。

如本文中所使用的，术语“光学器件”及其派生词意在广义地解释为包括但不一定限于反射和/或透射和/或作用于入射光的一个或多个部件，并且包括但不限于一个或多个透镜、窗口、滤光片、棱镜、棱栅、光栅、传输光纤、标准量具、漫射器、均质器、检测器和其他仪器部件、孔径、轴棱镜和反射镜，这些反射镜包括多层反射镜、近法向入射反射镜、掠入射反射镜、镜面反射器、漫反射器及其组合。而且，除非另有指出，本文中所使用的术语“光学器件”及其派生词均意在不限于仅在一个或多个特定波长范围(诸如在EUV输出光波长下、照射激光波长、适于量测的波长或任何其他特定波长)内操作或有利地操作的部件。

图1A图示了包括具有LPP EUV光辐射器的EUV光源20的装置10的具体示例。如所示出的，装置10可以包括系统21，该系统21用于生成一连串光脉冲并且将光脉冲传送到光源腔室26中。对于装置10，光脉冲可以从系统21沿着一个或多个光束路径行进并且进入腔室26，以在照射区域48照射源材料以产生EUV光输出，用于在曝光设备12中曝光衬底。

用于图1A所示的系统21中的合适激光器可以包括脉冲激光器设备，例如，例如使用DC激励或RF激励产生9.3μm或10.6μm的辐射的脉冲气体放电CO₂激光器设备，该脉冲激光器设备在相对较高的功率(例如，10kW或更高和高脉冲重复率(例如，50kHz或更高频率))下操作。在一个特定实现方式中，激光器可以是轴流式RF泵浦式CO₂激光器，该轴流式RF泵浦式CO₂激光器具有带有多个放大级的振荡器-放大器配置(例如，主振荡器/功率放大器(MOPA)或功率振荡器/功率放大器(POPA))并且具有种子脉冲，该种子脉冲由例如能够在100kHz下操作的具有相对较低能量和高重复率的调Q振荡器启动。来自振荡器的激光脉冲然后可以在到达照射区域48之前被放大、成形和/或聚焦。连续泵浦式CO₂放大器可以用于激光器系统21。可替代地，激光器可以被配置为所谓“自瞄准”激光器系统，其中微滴作为光学空腔的一个反射镜。

依据应用，其他类型的激光器也可能是合适的，例如，以高功率和高脉冲重复率操作的准分子或分子氟激光器。其他示例包括固态激光器，该固态激光器例如具有光纤、杆、板或盘状活性介质，其他激光器架构可能是合适的，该其他激光器架构具有一个或多个腔室，例如，振荡器腔室和一个或多个放大腔室(其中放大腔室并联或串联)、主振荡器/功率振荡器(MOPO)布置、主振荡器/功率环形放大器(MOPRA)布置、或如下的固态激光器，该固态激光器供给撒一个或多个准分子、分子氟或CO₂放大器或振荡器腔室。其他设计可能是合适的。

在一些实例中，源材料可以首先被预脉冲照射，然后被主脉冲照射。预脉冲种子和主脉冲种子可以由单个振荡器或两个单独振荡器生成。在一些设置中，可以使用一个或多个公共放大器来放大预脉冲种子和主脉冲种子两者。对于其他布置，可以使用单独放大器来放大预脉冲种子和主脉冲种子。

图1A还示出了装置10可以包括光束调节单元50，该光束调节单元50具有用于诸如在激光源系统21与照射部位48之间扩展、转向和/或聚焦光束之类的光束调节的一个或多个光学器件。例如，可以提供和布置可以包括一个或多个反射镜、棱镜、透镜等的转向系统，以将激光焦斑引导到腔室26中的不同位置。例如，转向系统可以包括第一平面反射镜，该第一平面反射镜安装在顶部倾斜(tip-tilt)致动器上，该顶部倾斜致动器可以在两个维度上独立移动第一反射镜；以及第二平面反射镜，该第二平面反射镜安装在顶部倾斜致动器上，该顶部倾斜致动器可以在两个维度上独立移动第二反射镜。通过这种布置，转向系统可以在与光束传播方向(光束轴)基本正交的方向上以可控方式移动焦斑。

束调节单元50可以包括聚焦组件，以将束聚焦到照射部位48并且沿着束轴调整焦斑的位置。对于聚焦组件，可以使用光学器件，诸如聚焦透镜或反射镜，该光学器件耦合到致动器，用于在沿着束轴的方向上移动，以沿着束轴移动焦斑。

如图1A进一步所示，EUV光源20还可以包括源材料递送系统90，例如，将目标材料或源材料(诸如锡微滴)递送到腔室26的内部中到达照射区域或主焦点48，微滴在照射区域或主焦点48与来自系统21的光脉冲相互作用，以最终产生等离子体并且生成EUV发射以在曝光设备12中曝光诸如涂覆有抗蚀剂的晶片的衬底。关于各种微滴分配器配置及其相对优点的更多细节可以例如在以下各项中的找到：于2011年1月18日发布的题为“Systems andMethods for Target Material Delivery in a Laser Produced Plasma EUV LightSource”的美国专利号7,872,245、于2008年7月29日发布的题为“Method and ApparatusFor EUV Plasma Source Target Delivery”的美国专利号7,405,416、以及于2008年5月13日发布的题为“LPP EUV Plasma Source Material Target Delivery System”的美国专利号7,372,056，这些专利各自的内容通过引用整体并入本文。

用于产生用于曝光衬底的EUV光输出的源材料可以包括但不必限于包括锡、锂、氙或其组合的材料。EUV发射元素(例如，锡、锂、氙等)可以呈液体微滴和/或液体微滴内包含的固体颗粒的形式。例如，元素锡可以作为纯锡使用，作为锡化合物(例如，SnBr₄、SnBr₂、SnH₄)使用，作为锡合金(例如，锡-镓合金、锡-铟合金、锡-铟-镓合金)使用，或其组合。依据所使用的材料，源材料可以在各种温度下提供至照射区域，并且在一些情况下，可以相对容易挥发(例如，SnBr₄)，该各种温度包括室温或接近室温(例如，锡合金、SnBr₄)、升高的温度(例如，纯锡)或低于室温的温度(例如，SnH₄)。

继续参考图1A，装置10还可以包括EUV控制器60，该EUV控制器60还可以包括驱动激光器控制系统65，用于控制系统21中的设备，从而生成用于递送到腔室26中的光脉冲，和/或用于控制光学器件在光束调节单元50中的移动。装置10还可以包括微滴位置检测系统，该微滴位置检测系统可以包括一个或多个微滴成像器70，该一个或多个微滴成像器70提供指示一个或多个微滴(例如，相对于照射区域48)的位置的输出。一个或多个成像器70可以将该输出提供给微滴位置检测反馈系统62，该微滴位置检测反馈系统62可以例如计算微滴位置和轨迹，由此可以例如在逐个微滴的基础上或平均计算微滴误差。然后，微滴误差可以作为输入提供给控制器60，该控制器60可以例如向系统21提供位置、方向和/或时序校正信号以控制激光器触发时序和/或控制光学器件在光束调节单元50中的移动，例如，以改变递送到腔室26中的照射区域48的光脉冲的位置和/或聚焦功率。此外，对于EUV光源20，源材料递送系统90可以具有控制系统，该控制系统可操作为响应于来自控制器60的信号(其在一些实现方式中可以包括上文所描述的微滴误差，或从中导出的一些量)而例如修改释放点、初始微滴流方向、微滴释放时序和/或微滴调制，以校正到达期望照射区域48的微滴中的误差。

继续参考图1A，装置10还可以包括诸如近法向入射收集器反射镜的光学器件24”，该光学器件具有呈扁长球体形式(即，绕其主轴旋转的椭圆)的反射表面，该反射表面例如具有带有钼层和硅层的交替排列的梯度(graded)多层涂层并且在一些情况下具有一个或多个高温扩散阻挡层、平滑层、覆盖层和/或蚀刻停止层。图1A示出光学器件24”可以形成有孔径以允许系统21所生成的光脉冲穿过并到达照射区域48。如所示出的，光学器件24”可以是例如扁长球体反射镜，其在照射区域48内或附近具有第一焦点或主焦点而在所谓的中间区域40处具有第二焦点，其中EUV光可以从EUV光源20输出并且输入到利用EUV光的曝光设备12(例如，集成电路光刻工具)。应当领会，可以使用其他光学器件代替扁长球体反射镜来收集光并且将光引导到中间位置，以便随后递送到利用EUV光的设备。

诸如氢气、氦气、氩气或其组合之类的缓冲气体可以引入到腔室26中、补充到腔室26中和/或从腔室26中移除。缓冲气体可以在等离子体放电期间存在于腔室26中并且可以用来减慢等离子体产生的离子以减少光学退化和/或增加等离子体效率。可替代地，磁场和/或电场(未示出)可以单独使用，或与缓冲气体组合使用，以减少快离子损伤。

图2更详细地图示了微滴生成系统。源材料递送系统90将微滴递送到腔室26内的辐照部位/主焦点48。波形生成器230向微滴生成器90中的电致动元件提供驱动波形，该驱动波形诱致速度扰动进入微滴流中。波形生成器至少部分在来自数据处理模块252的数据的基础上在控制器250的控制下操作。数据处理模块从一个或多个检测器接收数据。在所示的示例中，检测器包括相机254和光电二极管256。微滴由一个或多个激光器258照射。在这种典型布置中，检测器对流中预期聚结发生的点处的微滴进行检测/成像。此外，检测器和激光器被布置在真空腔室26外部并且通过真空腔室26的壁中的窗口观察流。

图3以示意形式图示了简化微滴源92的部件。如所示出的，微滴源可以包括储存器94，该储存器94在压力下容纳流体96，诸如锡液。还如所示出的，储存器94可以形成有孔口，该孔口允许加压流体96流过至喷嘴95，从而建立随后分解成多个微滴的流。微滴源92还包括在流体中产生扰动的子系统98，该子系统98具有与流体96可操作地耦合的电致动元件。微滴源92还包括过滤器100，该过滤器100用于防止流体96中的污染物到达微滴源92下游的部件并污染它们。微滴源92还包括加热器块104，用于将位于由加热器块104限定的空腔中的微滴生成器的部件维持处于足够高的温度，以至于保持流体96处于其熔融状态。

如上文所描述的，储存器94中的流体96通过连接到气体源106而被加压。气体通过阀门108供应到储存器94。如上文所描述的，阀门108是三部件阀门，其如果确定流体96正在泄漏，则能够使得储存器94排气进入保持罐110。诸如所描述的泄漏控制系统之类的泄露控制系统的各种缺点和限制如上所述。

图4示出了用于防止微滴源92的泄漏过度污染EUV腔室的改进系统。可以看出，图4的布置包括位于导管中的流限制器200，该导管将流体96从储存器94携载通过微滴源92。在所示的布置中，流限制器200位于过滤器100的上游。流限制器200的功能可以与过滤器100的密封件的功能结合。换言之，流限制器200可以呈金属盘的形式，该金属盘还可以用作密封垫圈。

图5A至图5D是根据实施例的各方面的流限制器200的各种示例性实现方式的平面图。图5A示出了被配置为具有单个孔口220的盘210的流限制器200。图5B示出了被配置为具有孔口组230的盘210的流限制器200。图5C示出了被配置为保持多孔膜250的环形盘240的流限制器200。图5D示出了被配置为孔口220被销260部分阻塞的盘210的流限制器200。销260可以是锥形销并且孔口220可以被诸如短管之类的柱形元件围绕，该柱形元件可以渐缩从而为圆锥形，以便锥形销和圆锥形管一起限定节流阀。本领域普通技术人员应当明白，其他配置也可以工作。

流限制器200被设计为允许锡充分流动以填充微滴生成器喷嘴体积，而不会影响喷射性能，但是当微滴生成器下游的元件中的一个元件发生故障时，该流限制器200必须具有足够的限制性以限制流体流动。另外，流限制器200被配置为当微滴生成器第一次被加热时，使得能够有足够的气体流以排空新微滴生成器喷嘴和过滤器的体积。如果传导性太小，则诸如水蒸气之类的污染物可能无法去除，并且可能与锡反应并形成可能堵塞喷嘴的颗粒。例如，在如图5A所示配置的流限制器和以8,000PSI操作的微滴生成器的情况下，孔口直径可能在约65μm至约75μm的范围内。在锡液作为流体26的情况下，该锡液在通过破裂的毛细管(内径为500μm)的流动足够得慢，以致于在不逃离微滴生成器加热器块空腔的情况下而减小。该流动速率还提供了用于减压的相对较长的时间(量级为100秒至180秒)，而无需空腔内的锡位到达锡液可以从中溢出的孔洞。

在各种实现方式中，当微滴生成器下游的元件中的一个元件发生故障时，流限制器200能够承受可能施加在流限制器两端的高压差。这可以通过流限制器200的适当设计和材料选择来实现。材料必须足够软以致于通过配件而被变形，以形成密封件，但它必须具有足够的强度来承担所施加的最大压力。该材料可以是诸如未经退火的钽、钽钨合金、经退火的钼、钼-铼合金和经退火的铼之类的金属或耐火材料。

图6是示出了还用作连接到储存器94(未示出)的导管部分600的一部分与连接到过滤器100(未示出)的导管部分610之间的密封件的流限制器200的定位细节的部分剖视图。可以看出，流限制器200在界面处限制导管，并且还用作两个导管部分之间的密封构件。

再次参考图4，其中还示出了被设计为检测流体是否正在在微滴源92内泄漏的液位传感器300。液位传感器300可以是用于检测微滴生成器的底座中的液位的任何适当传感器。在流体96是导电的情况下，如同锡液的情况一样，液位传感器300可以是例如导电型传感器或电负载检测器。液位传感器300产生由箭头A指示的输出信号，该输出信号可以供应给例如数据处理模块252(图2)，以减压微滴生成器，并且当液位传感器300确定流体已经积累在微滴生成器中时，关闭源的操作。

如所示出的，液位传感器300可以被配置为微滴生成器加热器块空腔中的锡泄漏传感器。它可以被配置为供应有电压的触点，并且通过例如绝缘体块310支撑在与微滴源92的导电金属底盘隔开的位置中。如果锡位上升，则液态锡将完成触点300与底盘之间的电路，从而使电路短路并且在返回信号上示出0V。

上文已经在功能构建块的帮助下对本发明进行了描述，这些功能构建块图示了特定功能及其关系的实现。为了便于描述，本文中已经对这些功能构建块的边界进行了任意限定。只要适当执行指定功能及其关系，就可以定义备选边界。

特定实施例的上述描述如此充分地揭示本发明的一般性质，以至于其他人在没有背离本发明的一般概念的情况下，可以通过应用本领域技术内的知识容易针对各种应用修改和/或调整这些特定实施例，而无需过度实验。因此，基于本文中所呈现的教导和指导，这样的调整和修改旨在处于所公开实施例的等同物的含义和范围之内。应当理解，本文中的措辞或术语是为了描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由本领域技术人员根据教导和指导来解释。本发明的广度和范围不应受上文所描述的示例性实施例中的任一示例性实施例的限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来限定。在以下带编号的条款中对本发明的其他方面进行阐述。

1.一种装置，包括：

真空腔室；

光学元件，位于该真空腔室内，该光学元件在真空腔室内具有主焦点；以及

目标材料分配器，被布置为将目标材料分配到真空腔室中主焦点处的照射部位，该目标材料分配器包括目标材料储存器、喷嘴、用于将目标材料从目标材料储存器输送到喷嘴的导管、以及位于导管中用于限制目标材料通过该导管的流的流限制器。

2.根据条款1所述的装置，其中流限制器被配置为密封件。

3.根据条款1所述的装置，其中流限制器被配置为盘。

4.根据条款3所述的装置，其中盘被配置为密封件。

5.根据条款3或4所述的装置，其中盘包括金属。

6.根据条款5所述的装置，其中盘包括未经退火的钽。

7.根据条款5所述的装置，其中金属盘包括钽-钨合金。

8.根据条款5所述的装置，其中盘包括经退火的钼。

9.根据条款5所述的装置，其中盘包括钼-铼合金。

10.根据条款5所述的装置，其中盘包括经退火的铼。

11.根据条款1所述的装置，其中流限制器被配置为具有单个孔口的盘。

12.根据条款1所述的装置，其中流限制器被配置为具有多个孔口的盘。

13.根据条款1所述的装置，其中流限制器被配置为保持多孔膜的环形盘。

14.根据条款1所述的装置，其中流限制器被配置为具有孔口的盘，该孔口被销部分阻塞。

15.根据条款14所述的装置，其中销为锥形。

16.根据条款15所述的装置，其中流限制器包括被柱形元件围绕的孔口。

17.根据条款16所述的装置，其中柱形元件包括管。

18.根据条款17所述的装置，其中管渐缩而为圆锥形。

19.根据条款1所述的装置，还包括液位传感器，该液位传感器被布置为感测目标材料在目标材料分配器中的积聚。

20.根据条款19所述的装置，其中液位传感器包括传导探针。

21.根据条款19所述的装置，其中液位传感器包括电负载检测器。

22.根据条款19所述的装置，其中目标材料分配器还包括加热器块，并且液位传感器位于加热器块中。

23.一种装置，包括：

真空腔室；

光学元件，位于真空腔室内，该光学元件在真空腔室内具有主焦点；以及

目标材料分配器，被布置为将目标材料分配到真空腔室中主焦点处的照射部位，该目标材料分配器包括目标材料储存器、过滤器、在目标材料储存器与过滤器之间并且建立目标材料储存器与过滤器之间的流体连通的流体导管、以及位于导管中用于限制目标材料通过导管的流的流限制器。

24.根据条款23所述的装置，其中流限制器被配置为密封件。

25.根据条款23所述的装置，其中流限制器被配置为盘。

26.根据条款25所述的装置，其中盘被配置为密封件。

27.根据条款25或26所述的装置，其中盘包括金属。

28.根据条款27所述的装置，其中盘包括未经退火的钽。

29.根据条款27所述的装置，其中金属盘包括钽-钨合金。

30.根据条款27所述的装置，其中盘包括经退火的钼。

31.根据条款27所述的装置，其中盘包括钼-铼合金。

32.根据条款27所述的装置，其中盘包括经退火的铼。

33.根据条款23所述的装置，其中流限制器被配置为具有单个孔口的盘。

34.根据条款23所述的装置，其中流限制器被配置为具有多个孔口的盘。

35.根据条款23所述的装置，其中流限制器被配置为保持多孔膜的环形盘。

36.根据条款23所述的装置，其中流限制器被配置为具有孔口的盘，该孔口被销部分阻塞。

37.根据条款36所述的装置，其中销为锥形。

38.根据条款23所述的装置，其中流限制器包括孔口，该孔口被柱形元件围绕。

39.根据条款38所述的装置，其中柱形元件包括管。

40.根据条款39所述的装置，其中管渐缩为圆锥形。

41.根据条款23所述的装置，还包括液位传感器，该液位传感器被布置为感测目标材料在目标材料储存器中的液位。

42.根据条款41所述的装置，其中液位传感器包括传导探针。

43.根据条款41所述的装置，其中液位传感器包括电负载检测器。

44.根据条款41所述的装置，其中目标材料分配器还包括加热器块，并且液位传感器位于加热器块中。

45.一种用于分配EUV目标材料的目标材料分配器，该目标材料分配器包括：

目标材料储存器；

喷嘴；

导管，用于将目标材料从目标材料储存器输送到喷嘴；以及

流限制器，位于导管中用于限制目标材料通过导管的流。

46.根据条款45所述的目标材料分配器，其中流限制器被配置为密封件。

47.根据条款45所述的目标材料分配器，其中流限制器被配置为金属盘。

48.根据条款45所述的装置，其中盘被配置为密封件。

49.根据条款47或48所述的装置，其中盘包括金属。

50.根据条款49所述的装置，其中盘包括未经退火的钽。

51.根据条款49所述的装置，其中金属盘包括钽-钨合金。

52.根据条款49所述的装置，其中盘包括经退火的钼。

53.根据条款49所述的装置，其中所述盘包括钼-铼合金。

54.根据条款49所述的装置，其中盘包括经退火的铼。

55.根据条款45所述的装置，其中流限制器被配置为具有单个孔口的盘。

56.根据条款45所述的装置，其中流限制器被配置为具有多个孔口的盘。

57.根据条款45所述的装置，其中流限制器被配置为保持多孔膜的环形盘。

58.根据条款45所述的装置，其中流限制器被配置为具有孔口的盘，所述孔被销部分地阻塞。

59.根据条款58所述的装置，其中销为锥形。

60.根据条款45所述的装置，其中流限制器包括孔口，该孔口被柱形元件围绕。

61.根据条款45所述的装置，其中柱形元件包括管。

62.根据条款61所述的装置，其中管渐缩为圆锥形。

63.根据条款45所述的装置，其中盘被配置为密封件。

64.根据条款45所述的装置，其中盘包括金属。

65.根据条款64所述的装置，其中盘包括未经退火的钽。

66.根据条款64所述的装置，其中金属盘包括钽-钨合金。

67.根据条款64所述的装置，其中盘包括经退火的钼。

68.根据条款64所述的装置，其中盘包括钼-铼合金。

69.根据条款64所述的装置，其中盘包括经退火的铼。

70.根据条款45所述的目标材料分配器，还包括液位传感器，该液位传感器被布置为感测目标材料在目标材料储存器中的液位。

71.根据条款70所述的目标材料分配器，其中液位传感器包括传导探针。

72.根据条款70所述的目标材料分配器，其中液位传感器包括电负载检测器。

73.根据条款70所述的目标材料分配器，其中目标材料分配器还包括加热器块，并且液位传感器位于加热器块中。

74.根据条款45所述的目标材料分配器，其中目标材料分配器还包括过滤器，该过滤器位于目标材料储存器与喷嘴之间，并且其中流限制器位于目标材料储存器与过滤器之间的导管中。

Claims (34)

1.一种装置，包括：

真空腔室；

光学元件，位于所述真空腔室内，所述光学元件在所述真空腔室内具有主焦点；以及

目标材料分配器，被布置为将目标材料分配到所述真空腔室中所述主焦点处的照射部位，所述目标材料分配器包括目标材料储存器、分配器部件、用于将目标材料从所述目标材料储存器输送到所述分配器部件的导管、以及位于所述导管中用于限制目标材料通过所述导管的流的流限制器，所述分配器部件为喷嘴和过滤器中的至少一项。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述流限制器被配置为密封件。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述流限制器被配置为盘。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述盘被配置为密封件。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述盘包括金属。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述盘包括未经退火的钽或钽-钨合金。

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述盘包括经退火的钼、经退火的铼或钼-铼合金。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述流限制器被配置为具有单个孔口的盘。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述流限制器被配置为具有多个孔口的盘。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述流限制器被配置为保持多孔膜的环形盘。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述流限制器被配置为具有孔口的盘，所述孔口被销部分阻塞。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述销为锥形。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述流限制器包括由管围绕的孔口。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述管渐缩为圆锥形。

15.根据权利要求1所述的装置，还包括液位传感器，所述液位传感器被布置为感测目标材料在所述目标材料分配器中的积累。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述液位传感器包括传导探针或电负载检测器。

17.根据权利要求15所述的装置，其中所述目标材料分配器还包括加热器块，并且所述液位传感器位于所述加热器块中。

18.根据权利要求1所述的装置，其中所述分配器部件包括所述过滤器，所述过滤器设置在所述流限制器与所述喷嘴之间。

19.根据权利要求1所述的装置，其中所述分配器部件包括所述喷嘴。

20.一种用于分配EUV目标材料的目标材料分配器，所述目标材料分配器包括：

目标材料储存器；

喷嘴；

导管，用于将目标材料从所述目标材料储存器输送到所述喷嘴；以及

流限制器，位于所述导管中用于限制目标材料通过所述导管的流。

21.根据权利要求20所述的目标材料分配器，其中所述流限制器被配置为密封件。

22.根据权利要求20所述的目标材料分配器，其中所述流限制器被配置为金属盘。

23.根据权利要求20所述的装置，其中所述盘被配置为密封件。

24.根据权利要求22所述的装置，其中所述盘包括金属。

25.根据权利要求22所述的装置，其中所述盘包括钽或钽-钨合金。

26.根据权利要求22所述的装置，其中所述盘包括经退火的钼、经退火的铼或钼-铼合金。

27.根据权利要求20所述的装置，其中所述流限制器被配置为具有多个孔口的盘。

28.根据权利要求20所述的装置，其中所述流限制器被配置为保持多孔膜的环形盘。

29.根据权利要求20所述的装置，其中所述流限制器被配置为具有孔口的盘，所述孔口被锥形销部分阻塞。

30.根据权利要求20所述的装置，其中所述流限制器包括由锥形管围绕的孔口。

31.根据权利要求20所述的目标材料分配器，还包括液位传感器，所述液位传感器被布置为感测所述目标材料储存器中的目标材料的液位。

32.根据权利要求31所述的目标材料分配器，进一步其中所述液位传感器包括传导探针或电负载检测器。

33.根据权利要求31所述的目标材料分配器，其中所述目标材料分配器还包括加热器块，并且所述液位传感器位于所述加热器块中。

34.根据权利要求20所述的目标材料分配器，其中所述目标材料分配器还包括过滤器，所述过滤器位于所述目标材料储存器与所述喷嘴之间，并且其中所述流限制器位于所述目标材料储存器与所述过滤器之间的所述导管中。

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