DE102009020776B4 - Anordnung zur kontinuierlichen Erzeugung von flüssigem Zinn als Emittermaterial in EUV-Strahlungsquellen - Google Patents
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Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung auf Basis eines heißen Plasmas unter Verwendung von flüssigem Emittermaterial, mit einer Emittermaterialbereitstellungseinheit, die mindestens einen Vorratsbehälter für Emittermaterial enthält, einer evakuierten Wechselwirkungskammer, in der ein fokussierter gepulster Energiestrahl auf einen Wechselwirkungspunkt gerichtet ist, sowie einer Injektionseinrichtung zum reproduzierbaren Bereitstellen von Tropfen des Emittermaterials im Wechselwirkungspunkt synchronisiert zum gepulsten Energiestrahl, um die Tropfen in heißes Plasma zur EUV-Emission zu konvertieren.
- Die Erfindung findet Anwendung für Gasentladungsquellen (GDP) und Laserplasmaquellen (LPP) sowie für Elektrodenbeschichtungen in kombinierten EUV-Quellen, die insbesondere in der Halbleiterlithographie zum Einsatz kommen.
- Es hat sich in der jüngsten Vergangenheit gezeigt, dass die für die Halbleiterlithographie im extrem ultravioletten Spektralbereich um 13 nm bisher noch nicht ausreichenden Strahlungsleistungen offenbar nur durch effizientere Emittersubstanzen, wie z. B. Zinn oder Lithium bzw. Verbindungen davon (
DE 102 19 173 A1 ), wesentlich weiter erhöht werden können. In derDE 102 19 173 A1 wird auch bereits auf das technische Problem hingewiesen, dass bei der Verwendung von metallischen Emittern sehr hohe Temperaturen der Entladungsquelle für die Verdampfung erforderlich sind und eine Kondensation der Metalldämpfe im Quelleninneren vermieden werden muss, da ansonsten kurzfristig mit einem Funktionsausfall zu rechnen ist. Bei einer elektrischen Entladung zeigt sich dabei noch das Zusatzproblem, dass die Elektroden infolge der hohen Ströme und der unmittelbaren Plasmanähe so hohe Temperaturen annehmen, dass sowohl das hochschmelzende Elektrodenmaterial (z. B. Wolfram) nahe dem Schmelzpunkt belastet wird als auch weiteres Emittermaterial, das nicht direkt im Anregungsort zur Plasmaerzeugung vorgesehen ist, ebenfalls verdampft und einen unerwünschten Debrisanteil erzeugt. - Wird Zinn in Form gasförmiger Zinnverbindungen, wie z. B. als SnCl4 zugeführt, besteht ebenfalls der Nachteil, dass in die Entladungskammer mehr Emittermaterial eingeleitet wird als für den EUV-Emissionsprozess nötig wäre. Übrigbleibende Restmengen führen infolge von Kondensation zu Ablagerungen von Zinnschichten und – bei Verwendung von SnCl4 – zusätzlich von Chloriden, die nach relativ kurzer Betriebsdauer einen Ausfall der Quelle bewirken.
- Ein wesentlicher Lösungsansatz zur Vermeidung überschüssigen Emittermaterials in der Plasmakammer der gepulst betriebenen Strahlungsquelle besteht darin, zur Erzeugung des Plasmas am Anregungsort für jeden Impuls nur soviel Emittermaterial zur Verfügung zu stellen, wie durch den Energieeintrag (durch elektrische Entladung (GDP), Laserstrahl (LPP) oder Elektronenstrahl) vollständig in strahlendes Plasma konvertiert werden kann.
- Wird metallisches Emittermaterial als eine regelmäßige Folge von Flüssigkeitstropfen bereitgestellt, die durch eine Düse unter einem gewissen Druck erzeugt oder zur Beschichtung auf die Elektroden gerichtet wird, muss die Düse mit einem Reservoir von flüssigem Emittermaterial verbunden sein. Dabei ist für das Befüllen des Reservoirs eine Unterbrechung der Zufuhr des Emittermaterials zur Düse erforderlich, weil das Druckniveau zur konstanten Erzeugung der Tropfen während der Reservoirbefüllung nicht gleich bleibt.
- Während feststehende Elektroden bei Repetitionsraten im Kilohertzbereich nach wenigen Impulsen eine Oberflächentemperatur über der Schmelztemperatur des Elektrodenmaterials selbst (für Wolfram immerhin 3650 K) erreichen, kann durch die Rotation der Elektrode eine Gleichgewichtstemperatur so niedrig gehalten werden, dass auch die Temperaturspitzen auf der Elektrodenoberfläche deutlich unterhalb der Schmelztemperatur von Wolfram bleiben. Die Temperaturspitzen werden dabei immer noch weit über der Schmelztemperatur des Emittermaterials (Zinn 505 K) liegen, so dass es zusätzlich zur kontrollierten Laserverdampfung zu einem unkontrollierten Zinnabtrag von den Elektroden kommt.
- Die
US 2007/0085044 A1 - Ein Verfahren zur Tropfeninjektion ist aber in der
WO 2006/93687 A1 - Für eine stabile Strahlungserzeugung aus einer Tropfenfolge (geringe Puls-zu-Puls-Schwankungen und keine Ausfälle) muss aber jeder Tröpfen an einem von der Düse entfernten Ort (typischer Abstand 50 ... 1000 mm) mit der gewünschten Wiederholrate zur Verfügung gestellt werden. Das erfordert eine sehr stabile Tropfenerzeugung, d. h. konstante Tropfengröße, Flugrichtung und Tropfengeschwindigkeit. Eine notwendige Voraussetzung dafür ist insbesondere ein sehr konstanter, geregelter hoher Druck des Emittermaterials im Tropfengenerator (in der Düse).
- Die Einstellung eines geeigneten Drucks bei einem flüssigen Emittermaterial kann durch die Beaufschlagung der Flüssigkeit mittels eines Druckgases geschehen, wie es z. B. in der
US 7,122,816 B2 beschrieben ist. Dort wird ein bestimmter Druck in dem Tropfengenerator sowie zusätzlich in einem Emittermaterialreservoir aufrechterhalten. Eine Verbindungsleitung mit einem steuerbaren Ventil zwischen beiden Gefäßen ist dazu vorgesehen, um den Tropfengenerator bei laufendem Betrieb nachfüllen zu können und zugleich eine kontrollierte Erschmelzung festen Emittermaterials im Emittermaterialreservoir je nach abgegebener Menge des Emittermaterials an den Tropfengenerator ständig verfügbar zu halten und die Nachfüllung ebenfalls bei laufendem Tropfengenerator zu ermöglichen. Die dafür kommerziell verfügbaren technischen Druckregler zur Einstellung und Regelung eines definierten Gasdruckes lösen jedoch nicht das Problem, das sich bei Beaufschlagung eines flüssigen metallischen Emittermaterials, wie z. B. Zinn, mit Gas unter erhöhtem Druck infolge der Löslichkeit des Gases (die Durchmischung der Flüssigkeit) im flüssigen Metall ergibt, da die Gaslösung in großen Mengen Emittermaterials im Reservoir erheblich zunimmt. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine neue Möglichkeit zur Erzeugung von EUV-Strahlung zu finden, die eine kontinuierliche Bereitstellung von flüssigem, insbesondere metallischem Emittermaterial unter einem definierten hohen Druck gestattet, ohne dass die kontinuierliche Bereitstellung des Emittermaterials unterbrochen werden muss, wenn verbrauchtes Emittermaterial nachgefüllt werden muss.
- Des Weiteren soll bei der kontinuierlichen und konstanten Bereitstellung von Emittermaterial die bei der Druckbeaufschlagung auftretende Lösung von Druckgas im Emittermaterial verringert oder vermieden werden.
- Ferner besteht bei Verwendung flüssigen Metalls als Emittermaterial die Aufgabe, die Korrosion insbesondere beim Nachfüllvorgang (Ersatz verbrauchten Emittermaterials) zu unterbinden.
- Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einer Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung auf Basis eines heißen Plasmas unter Verwendung von flüssigem Emittermaterial, mit einer Emittermaterial-Bereitstellungseinheit, die mindestens einen Vorratsbehälter für Emittermaterial enthält, einer evakuierten Wechselwirkungskammer, in der ein fokussierter gepulster Energiestrahl auf einen Wechselwirkungspunkt gerichtet ist, sowie einer Injektionseinrichtung zum reproduzierbaren Bereitstellen von Tropfen des Emittermaterials im Wechselwirkungspunkt synchronisiert zum gepulsten Energiestrahl, um die Tropfen in heißes Plasma zur EUV-Emission zu konvertieren, dadurch gelöst, dass die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit zwischen Vorratsbehälter und Injektionseinrichtung mindestens einen ersten und einen zweiten Druckbehälter zur Erzeugung eines hohen Emittermaterialdruckes für die Injektionseinheit aufweist, dass die Druckbehälter von einem Hochdruck-Gassystem mit einem Gasdruck im Megapascal-Bereich beaufschlagt sind, um einen permanenten konstanten Emittermaterialdruck in der Injektionseinrichtung aufrechtzuerhalten, und dass die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit Mittel zum Umschalten des Hochdruck-Gassystems von einem auf den anderen Druckbehälter und zum entsprechend wechselnden Umschalten der Injektionseinheit auf den konstanten Emittermaterialdruck des jeweils druckbeaufschlagten Druckbehälters aufweist, wobei wenigstens einer der Druckbehälter bei kontinuierlichem Betrieb der Tropfen- und Plasmaerzeugung mit Emittermaterial aus dem Vorratsbehälter nachfüllbar ist.
- Vorteilhaft ist die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit weiterhin an ein Vakuumsystem angeschlossen, das wahlweise mit wenigstens einem der Druckbehälter, der nicht für das Hochdruck-Gassystem freigeschaltet ist, verbunden ist, um das Befüllen mit Emittermaterial aus dem Vorratsbehälter auszuführen.
- Dabei ist das Vakuumsystem in der Emittermaterial-Bereitstellungseinheit zweckmäßig mit dem Vorratsbehälter verbunden, um das Befüllen des Vorratbehälters aus unterschiedlichen Quellen zu ermöglichen. Der Vorratsbehälter kann dabei durch Ansaugen flüssigen Emittermaterials von außen oder aus einem Recyclingbehälter befüllt werden oder ist durch Ansaugen festen Emittermaterials von außen befüllbar.
- Zweckmäßig ist die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit weiterhin an ein Niederdruck-Gassystem angeschlossen, das wahlweise mit dem Vorratsbehälter oder dem Recyclingbehälter verbunden wird, um Emittermaterial des Vorratsbehälters in einen der Druckbehälter umzufüllen oder den Vorratsbehälter mit recyceltem Emittermaterial aufzufüllen. Das Niederdruck-Gassystem ist vorzugsweise inertgasgefüllt, um einer Oxidation des Emittermaterials entgegenzuwirken.
- In der Emittermaterial-Bereitstellungseinheit sind vorteilhaft Füllstandssensoren zur Messung des Füllstandes mindestens der Druckbehälter vorhanden, die ein rechtzeitiges Umschalten der Druckbeaufschlagung des Emittermaterials von einem der Druckbehälter auf einen anderen Druckbehälter steuern und die Auffüllung des jeweils leeren Druckbehälters auslösen. Dabei sind für die Füllstandssensoren verschiedene Gestaltungsformen einsetzbar.
- In einer ersten zweckmäßigen Ausführung ist der Füllstandssensor als Kraftmesser ausgebildet, so dass der Füllstand anhand des Gewichts des jeweiligen Behälters feststellbar ist, wobei der jeweilige Behälter am Kraftmesser aufgehängt ist und flexible Anschlussleitungen aufweist.
- In einer zweiten Variante ist der Füllstandssensor als Dehnungsmessstreifen ausgebildet, wobei der Behälter am freien Ende einer einseitig fest eingespannten, mit dem Dehnungsmessstreifen versehenen Biegefeder aufgehängt ist und flexible Anschlussleitungen aufweist und der Füllstand aufgrund des Gewichts des jeweiligen Behälters anhand der Dehnung des Dehnungsmessstreifens feststellbar ist.
- In einer dritten Ausführungsform ist der Füllstandssensor als induktiver Füllstandsmesser aus zwei außenliegenden Zylinderspulen ausgebildet.
- Eine vierte Gestaltung sieht den Füllstandssensor als Widerstandsdraht vor, wobei der mit metallischem Emittermaterial befüllte Behälter als elektrische Zuleitung zu dem im Behälter elektrisch isoliert vertikal angebrachten Widerstandsdraht dient.
- In einer fünften Ausgestaltung ist der Füllstandssensor als kapazitiver Füllstandsmesser mit Widerstandsdraht, Koppelelektrode und Kollektorbahn ausgebildet, wobei die Koppelelektrode als Kreisring um den Widerstandsdraht und die Kollektorbahn schwimmend mit dem Flüssigkeitsspiegel des Emittermaterials mitbewegbar ist.
- Gemäß einer sechsten Ausführungsform weist der Füllstandssensor zwei elektrisch isolierte Kontakte unterschiedlicher Länge auf, wobei die elektrischen Kontakte mittels des metallischen Emittermaterials bei unterschiedlichen Füllständen geschlossen sind, um einen minimalen und einen maximalen Füllstand anzuzeigen.
- Die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit kann vorteilhaft innerhalb der Druckbehälter ein Trennmittel zur Separierung des Emittermaterials vom Druckgas aufweisen, das die Lösung von Druckgas im Emittermaterial vermindert.
- Dabei kann das Trennmittel zweckmäßig eine Barriereschicht sein, die vorzugsweise durch ein viskoses Abdecköl ausgebildet ist.
- Eine zweite mögliche Realisierung für das Trennmittel ist ein Kolben, der in einem zylindrisch ausgebildeten Druckbehälter auf und ab bewegbar ist.
- In einer dritten Ausführungsform ist das Trennmittel als eine elastische Membran zwischen Emittermaterial und Druckgas vorhanden.
- Die elastische Membran kann dabei vorteilhaft als druckgasgefüllter Well- oder Faltenbalg ausgebildet sein, der das Emittermaterial im Druckbehälter verdrängt, oder die elastische Membran ist als Well- oder Faltenbalg (
464 ) mit Emittermaterial gefüllt und wird vom Druckgas zusammengepresst. - Dabei ist der Well- oder Faltenbalg vorzugsweise als metallischer Wellbalg ausgebildet.
- Die Erfindung basiert auf der Grundidee, dass zur Erzeugung eines stabilen reproduzierbaren Tropfenstromes für die Plasmaerzeugung in einer EUV-Quelle ein konstanter und geeignet hoher Druck des Emittermaterials an der Düsenöffnung erforderlich ist, der in bekannter Weise durch Beaufschlagung mit einem Druckgas in der Größenordnung von 1 ... 50 MPa erfolgen kann. Nach dem Henry-Gesetz steigt jedoch proportional zum Gasdruck der Anteil von gelöstem Gas im flüssigen Material. Dieser Anteil gelösten Gases erzeugt ein erhebliches Problem bei der Injektion von flüssigem Emittermaterial in eine Vakuumkammer. Beim Austritt des flüssigen Emittermaterials aus der Düse ins Vakuum nimmt der Umgebungsdruck des freien Flüssigkeitsstrahls schlagartig auf nahezu Null ab. Das gelöste Gas kann dadurch erheblich leichter aus dem Emittermaterial austreten und ruft im Bereich der Düse, d. h. zwischen der Düsenöffnung und dem Zerfallspunkt des kontinuierlichen Strahls in Tropfen, erhebliche Instabilitäten bei der Tropfenerzeugung hervor, die keine stabile Strahlungserzeugung mehr zulassen.
- Die Erfindung sieht deshalb Maßnahmen vor, die die Aufnahme von Gas in flüssigen, und insbesondere metallischen Emittermaterialien unterbinden bzw. erheblich behindern und dennoch eine hohe Druckbeaufschlagung des Emittermaterials in unterschiedlichen Vorrats- und Recyclinggefäßen bei ununterbrochener und stabiler Erzeugung des Emitterstromes auch beim Nachfüllen des verbrauchten Emittermaterials ermöglichen.
- Mit der erfindungsgemäßen Lösung ist es möglich, eine stabile Erzeugung von EUV-Strahlung durch konstante Tropfenerzeugung für die Wechselwirkung mit einem gepulsten Energiestrahl zu realisieren, indem eine ununterbrochene Beaufschlagung von flüssigem, insbesondere metallischem Emittermaterial mit einem definierten hohen Druck gewährleistet wird, ohne dass die kontinuierliche Bereitstellung des Emittermaterials unterbrochen werden muss, wenn verbrauchtes Emittermaterial nachgefüllt werden muss.
- Des Weiteren wird bei der kontinuierlichen und konstanten Bereitstellung von Emittermaterial die bei der Druckbeaufschlagung auftretende Lösung von Druckgas im Emittermaterial vermieden oder zumindest stark verringert.
- Mit der Erfindung wird außerdem beim Nachfüllen von Emittermaterial in Form von flüssigem Metall dessen Korrosion verhindert.
- Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Die Zeichnungen zeigen:
-
1 : eine Prinzipansicht des Gesamtsystems zur plasmabasierten Strahlungserzeugung mit regenerativer Elektrodenbeschichtung, -
2 : ein Ausführungsbeispiel der Erfindung für kontinuierlichen (ununterbrochenen) Betrieb der EUV-Strahlungserzeugung für die Plasmaerzeugung aus flüssigem Emittermaterial durch laserinitiierte elektrische Entladung, -
3 und4 : Varianten der Füllstandsmessung durch Wägung, -
5 : eine induktive Variante der Füllstandsmessung, -
6 und7 : Kontakt-Varianten der Füllstandsmessung (Widerstandsmessung), -
8 : eine Ausführungsform der Trennung von Emittermaterial und Druckgas mittels flüssiger Barriereschicht, -
9 : eine Ausführung der Trennung von Emittermaterial und Druckgas mittels eines schwimmenden Kolbens, -
10 und11 : Varianten der Trennung von Emittermaterial und Druckgas mittels Faltenbalg, -
12 eine Ausgestaltung der Erfindung mit Trennung des Massenflusses von Emittermaterial in zwei Richtungen zur Anregung in die Wechselwirkungskammer und zur Wiederverwendung im Emittermaterialkreislauf. - Eine Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung
15 auf Basis eines heißen Plasmas14 enthält in ihrem Grundaufbau – wie in1 dargestellt – ein EUV-Quellenmodul1 , in dem eine vollständige Ionisierung eines Emittermaterials2 innerhalb einer Wechselwirkungskammer13 zu einem annähernd punktförmigen heißen Plasma14 erfolgt, um aus dem Plasma14 EUV-Strahlung15 zu emittieren. - Das Emittermaterial
2 für das strahlungsemittierende Plasma14 wird – unabhängig von einem eventuell zusätzlich gewählten Hauptprozess der Plasmaerzeugung, der durch elektrische Entladung, Laser-, Elektronen- oder Ionenstrahl, Mikrowellen oder induktive Anregung erfolgen kann – in Form von Tropfen22 zugeführt, die von einer Injektionseinrichtung5 auf einen Ort der gewünschten Plasmaerzeugung gerichtet werden. - Die Energie zur Aufheizung des tropfenförmigen Emittermaterials
2 wird – wie bei rein laserinduzierten plasmabasierten Strahlungsquellen – durch einen Energiestrahl6 eingebracht, der gepulst mit den aufeinanderfolgend injizierten Tropfen22 in Wechselwirkung tritt. - In dem in
1 dargestellten Beispiel wird – ohne Beschränkung der Allgemeinheit – die Energie für den Hauptanregungsprozess des Emittermaterials2 durch elektrische Entladung eingebracht, indem rotierende Elektroden11 , die an einen Entladungsschaltkreis12 angeschlossen sind, in einer Wechselwirkungskammer13 mit einem Vakuumdruck zwischen 10–1 ... 50 Pa (vorzugsweise um 1 Pa) gegenüberliegend angeordnet sind. - Zum Schutz der Elektroden
11 vor Erosion durch die Hochstromentladung wird der Rand der Elektroden11 jeweils regenerativ mit flüssigem Emittermaterial2 (vorzugsweise metallischem Zinn oder Lithium) beschichtet. Für die Beschichtung wird kontinuierlich flüssiges Emittermaterial2 mittels einer zweiseitigen Beschichtungsdüse31 auf den Rand jeder der rotierenden scheibenförmigen Elektroden11 gespritzt. - Der Energiestrahl
6 , der in der Nähe der Ränder der Elektroden11 auf einen Tropfen22 der synchronisierten Tropfenfolge23 von Emittermaterial2 trifft, initiiert die Entladung und lokalisiert den Weg der Entladung zwischen den Elektroden11 . Er ist vorzugsweise ein Laserstrahl, kann aber auch ein Elektronen- oder Ionenstrahl sein. - Zur Erzeugung der zur Impulsfrequenz des Energiestrahls
6 synchronisierten Tropfenfolge23 wird das Emittermaterial2 aus der Emittermaterial-Bereitstellungseinheit4 der Injektionseinrichtung5 zur Verfügung gestellt. Die Injektionseinrichtung5 beinhaltet eine Düse51 , die unter hohem Druck einen Strahl von Emittermaterial2 ausstößt, der durch eine spezielle Beeinflussung der Düse51 bereits nach wenigen Millimetern in eine regelmäßige Reihe von Tropfen22 (nur in12 gezeigt) zerfällt. - Emittermaterial
2 , das nicht bei der Plasmaerzeugung verwertet werden kann, sei es in Form von überschüssigen Tropfen24 , die hydrodynamisch bedingt zu dicht aufeinanderfolgend erzeugt werden, oder als von den Elektroden11 abfliegendes Emittermaterial25 (nur in1 gezeigt), wird gesammelt und in einer Recyclingeinrichtung8 der Emittermaterial-Bereitstellungseinheit4 wieder zugeführt. Das für die Beschichtung nötige flüssige Emittermaterial2 wird, wie bei der Bereitstellung der Tropfen22 , aus einem in der Emittermaterialbereitstellungseinheit4 vorhandenen Vorratsbehälter41 zur Verfügung gestellt. Die doppelseitig arbeitende Beschichtungsdüse31 bespritzt die Ränder der rotierenden Elektroden11 . Davon bleibt infolge der Drehbewegung ein dünner Film von Emittermaterial2 haften und wird bei der Entladung teilweise verdampft. - Ein großer Teil des aufgetragenen Emittermaterials
2 wird jedoch während der Rotation der Elektroden11 wieder abgeschleudert. Das von den rotierenden Elektroden11 abfliegende Emittermaterial25 wird in einem Sammelbehälter32 aufgefangen und ebenfalls über die Recyclingeinrichtung8 wieder zur Emittermaterialbereitstellungseinheit4 zurückgeführt. - In
2 ist eine spezielle Ausführung für die Bereitstellung eines flüssigen metallischen Emittermaterials2 sowohl für die Beschichtung der Elektroden11 als auch für die Bereitstellung von massenlimitierten und zeitlich definiert bereitgestellten Tropfen22 für die Anregung mittels eines Energiestrahls6 gezeigt. Dabei ist große Aufmerksamkeit darauf zu richten, dass nur soviel Emittermaterial2 bereitgestellt wird, wie tatsächlich mittels eines gepulsten Energieeintrags durch Energiestrahl6 und elektrische Entladung in Strahlung konvertiert werden können. Überschüssiges Emittermaterial2 (überschüssige Tropfen24 bzw. abfliegendes Emittermaterial25 ), das im vorliegenden Beispiel – ohne Beschränkung der Allgemeinheit – metallisches Zinn (Sn) sein soll, würde unnötig die Debriserzeugung erhöhen. - Bei einem energiestrahlinduzierten Plasma
14 wird jeweils ein Tropfen22 (als massenlimitiertes Target) durch einen Energiestrahlungsimpuls angeregt. Als gepulster Energiestrahl6 soll – ohne Beschränkung der Allgemeinheit – im Folgenden von einem gepulsten fokussierten Laserstrahl gesprochen werden. - Wird ein Strom von Emittermaterial
2 als periodische Abfolge von Tropfen22 erzeugt, bei der aufgrund der Art der Bereitstellung mehr Tropfen22 generiert werden als von der Impulsfolge des Energiestrahls6 des fokussierten Lasers (nicht dargestellt) getroffen werden können, so müssen nicht verwertbare, überschüssige Tropfen24 , die in den Impulspausen den Wechselwirkungsort des Energiestrahls6 passieren würden, aus der Wechselwirkungskammer13 oder bereits in einer vorgelagerten Tropfenselektionskammer53 der Injektionseinrichtung5 entfernt werden. Dieses überschüssige Emittermaterial24 kann durch Recycling zurückgewonnen und in einem Kreislauf der Emittermaterialbereitstellungseinheit4 erneut zugeführt werden. Andererseits muss für einen kontinuierlichen Betrieb der Plasma- und Strahlungserzeugung das verbrauchte Emittermaterial2 , das also dem Emittermaterialkreislauf durch den Plasmaerzeugungsprozess verloren geht, ersetzt werden, indem zyklisch neues Material dem Kreislauf zugeführt wird, ohne dass die Kontinuität des bereitgestellten Emittermaterialflusses unterbrochen wird. - Für die Erzeugung der synchronisierten Tropfenfolge
23 , die aus der Emittermaterial-Injektionseinrichtung5 mit hoher Geschwindigkeit (Austrittsgeschwindigkeit 20 ... 150 m/s) in die Wechselwirkungskammer13 injiziert werden, muss das flüssige Emittermaterial2 in der Düse51 unter hohem Druck zur Verfügung gestellt werden (Flüssigkeitsdruck 1 ... 50 M Pa). - Diesen hohen Druck auch während des Nachfüllvorganges von Emittermaterial
2 ununterbrochen aufrechtzuerhalten, stellt eine besondere Herausforderung dar. - Bei der an sich einfachen Druckbeaufschlagung des Emittermaterials
2 mittels technischer Gase werden aufgrund des Gaskontakts mit einem flüssigen Emittermaterial2 (wie z. B. erschmolzenem metallischem Zinn) unter hohem Druck jedoch die Anforderungen durch weitere Erfordernisse, wie Vermeidung von Korrosion und Lösung des Gases im Metall, noch deutlich erhöht. - Befüllvorgang
- Das Emittermaterial
2 wird in fester oder flüssiger Form über eine gasdicht verschließbare Zufuhröffnung42 in den Vorratsbehälter41 eingefüllt. Mindestens der untere Teil des Vorratsbehälters41 befindet sich innerhalb einer Heizkammer43 , die alle Teile der Emittermaterialbereitstellungseinheit4 auf einer Temperatur über der Schmelztemperatur des Emittermaterials2 hält. Das sind beispielsweise bei Zinn 232°C. - Anschließend wird die Zufuhröffnung
42 verschlossen und im Drucksystem7 für das Emittermaterial2 bestimmte Ventile wie folgt geschlossen oder geöffnet. An der Niederdruckleitung722 zwischen der Niederdruck-Gasversorgung721 und dem Vorratsbehälter41 wird das Niederdruckventil724 geschlossen. Gleichzeitig werden zwischen dem Vorratsbehälter41 , einem ersten Druckbehälter44 und einem zweiten Druckbehälter44' das erste und das zweite Emittermaterialzulaufventil736 bzw.736' geschlossen sowie das Recycelbehälter-Rücklaufventil831 in der Recycling-Rückführungsleitung84 zum Vorratsbehälter41 geschlossen. - Danach wird das Vakuumventil
714 in der vom Vakuumsystem71 kommenden Vakuumleitung712 geöffnet, um den beim Befüllvorgang eingeschlossenen Sauerstoff abzusaugen. Das gegebenenfalls feste Emittermaterial2 wird durch die Aktivierung der Heizkammer43 aufgeschmolzen. - Ist im Vorratsbehälter
41 ein vorgegebener Vakuum-Enddruck (10–2 ... 10+2 Pa), der mittels eines Drucksensors91 bestimmt wird, erreicht, wird das Vakuumventil714 zum Vorratsbehälter41 geschlossen. - Im kontinuierlichen Betrieb werden beide Druckbehälter
44 und44' jeweils abwechselnd nachgefüllt oder unter Hochdruck (1 ... 50 MPa) gehalten, damit in der Emittermaterial-Injektionseinrichtung5 ein gleichbleibend hoher Druck vom Hochdruck-Gassystem73 auf das flüssige Emittermaterial2 in der Düsenzuleitung52 übertragen wird. - Um den ersten Druckbehälter
44 mit Emittermaterial2 zu befüllen, werden – während das Hochdruckventil733 geschlossen ist – das Vakuumventil715 und das Druckumschaltventil734 des ersten Druckbehälters44 geöffnet und dadurch der erste Druckbehälter44 evakuiert. - Ist ein vorgegebener und durch den zugeordneten Drucksensor
92 gemessener Enddruck erreicht, werden das Vakuumventil715 und das Druckumschaltventil734 wieder geschlossen. Das Ablaufventil737 des ersten Druckbehälters44 ist geschlossen, wenn der erste Druckbehälter44 gefüllt werden soll. - Um das Emittermaterial
2 in den ersten Druckbehälter44 einströmen zu lassen, muss das Emitterzulaufventil736 geöffnet werden und das Niederdruck-Gassystem72 aktiviert sein, indem das Niederdruckventil724 in der Niederdruckleitung723 von der Niederdruck-Gasversorgung721 zum Vorratsbehälter41 geöffnet wird. Das Emittermaterial2 im Vorratsbehälter41 erhält dann durch den Gasdruck (100 ... 500 kPa) der Niederdruck-Gasversorgung721 eine Druckbeaufschlagung und wird über die Emittermaterialzuleitung45 und durch das Filter451 in den ersten Druckbehälter44 befördert. - Beim Erreichen eines gewünschten Füllstandes im ersten Druckbehälter
44 , gemessen mit einem Füllstandssensor94 , wird das Emitterzulaufventil736 geschlossen und damit die Befüllung des ersten Druckbehälters44 abgeschlossen. - In analoger Weise, jedoch in der Regel antizyklisch zum ersten Druckbehälter
44 , werden die entsprechenden Ventile, das Vakuumventil715' , das Druckumschaltventil734' , das Ablaufventil737' , das Emitterzulaufventil736' und das Niederdruckventil724 , gesteuert, um den zweiten Druckbehälter44' zu befüllen. Die Ventilsteuerungen erfolgen dabei stets für Ventile mit derselben Bezugsnummer mit einem Apostroph sowie gemeinsam benutzte Ventile, die nur einmal vorhanden sind. - Hochdruck-Betrieb der Injektionseinrichtung
5 : - Zum Erzeugen der Tropfen
22 in der Injektionseinrichtung5 wird das Drucksystem7 mittels folgender Ventileinstellungen gesteuert. - Die Hochdruckventile
733 und733' , die Vakuumventile715 und715' , die Druckumschaltventile734 und734' sowie die Emittermaterialzulaufventile736 und736' zum ersten44 und zum zweiten Druckbehälter44' sind zunächst geschlossen. Anfangs ebenfalls verschlossen sind die Ablaufventile737 und737' sowie das Sperr- und Ausgleichsventil735 und das Düsenzulaufventil738 . - Die Düse
51 wird über das Emittermaterial2 (flüssiges Zinn) mit dem hohen Druck aus der Hochdruck-Gasversorgung731 beaufschlagt, indem das Hochdruckventil733 , das Druckumschaltventil734 und das Ablaufventil737 des ersten Druckbehälters44 sowie das Düsenzulaufventil738 geöffnet werden. Das Emittermaterial2 wird dann so lange aus dem ersten Druckbehälter44 durch die Düse51 gedrückt, bis ein unterer Schwellwert des Füllstandssensors94 am ersten Druckbehälter44 erreicht ist und der Füllstandssensor94 ein Signal abgibt. - Mit dem abgegebenen Signal des Füllstandssensors
94 werden das Hochdruckventil733' und das Druckumschaltventil734' zum zweiten Druckbehälter44' geöffnet. Hat sich im zweiten Druckbehälter44' der gleiche Druck wie im ersten Druckbehälter44 eingestellt und ist dieser durch die Drucksensoren92 und92' gemessen worden, wird das Ablaufventil737 des ersten Druckbehälters44 geschlossen und das Ablaufventil737' des zweiten Druckbehälters44' geöffnet. - Die Düse
51 in der Injektionseinrichtung5 wird nun vom zweiten Druckbehälter44' unter hohem Druck mit Emittermaterial2 (Zinn) versorgt. - Um den Emittermaterialfluss durch die Düse
51 bei Bedarf zu unterbrechen, kann jederzeit das Düsenzulaufventil738 geschlossen werden. Dadurch kann nach einer anwendungsbedingten Unterbrechung der Plasma- und Strahlungserzeugung im EUV-Quellenmodul1 das Druckregime im gesamten Drucksystem7 unverändert fortgeführt werden, ohne die übrigen Ventileinstellungen zu ändern. - Kontinuierlicher Betrieb
- Um einen kontinuierlichen (unterbrechungsfreien) Betrieb der Injektionseinrichtung
5 zu gewährleisten, wird während der Versorgung der Düse51 durch den zweiten Druckbehälter44' der erste Druckbehälter44 vom Hochdruck-Gassystem73 und von der Injektionseinrichtung5 abgekoppelt und kann dadurch neu mit Emittermaterial2 befüllt werden. - Dazu wird das Hochdruckventil
733 zum ersten Druckbehälter44 geschlossen und das Vakuumventil715 geöffnet. Gegebenenfalls muss in der Vakuumleitung712 ein Druckminderer und/oder ein Überdruckventil eingebaut sein, um die Vakuumpumpe711 nicht zu zerstören. - Sobald der erste Druckbehälter
44 evakuiert ist, d. h. der Enddruck durch den Drucksensor92 signalisiert ist, wird das Vakuumventil715 wieder geschlossen und der Auffüllvorgang wird – wie oben unter der Unterüberschrift „Befüllen” beschrieben – gestartet. - Die Dimensionen der Druckbehälter
44 und44' sowie der Verbindungsleitung45 sind so bemessen, dass der Befüllvorgang deutlich schneller abgeschlossen ist, als der untere Schwellwert des Füllstandssensors94 des zweiten Druckbehälters44' erreicht ist. - Sobald der Füllstandssensor
94 den minimalen Füllstand des zweiten Druckbehälters44' signalisiert, werden die Ventileinstellungen so umgeschaltet, dass die Düse51 wieder vom ersten Druckbehälter44 versorgt und der zweite Druckbehälter44' in den Modus „Befüllen” versetzt wird. Zweckmäßig sind die Dimensionen der Druckbehälter44 und44' so bemessen, dass während der Betriebszeit des ersten Druckbehälters44 nicht nur das Befüllen des zweiten Druckbehälters44' (und umgekehrt) erfolgen kann, sondern auch noch (in größeren Zyklen) die Nachfüllung des Schmelz- und Vorratsbehälters41 problemlos erfolgen kann. - Emittermaterialrecycling
- Durch die Düse
51 wird meist verfahrensbedingt (infolge einer regelmäßig erzeugten Tropfenkette) deutlich mehr Emittermaterial2 gepresst, als bei dem Plasmaerzeugungsprozess (aufgrund der Impulsfrequenz des Energiestrahls6 ) gebraucht wird. Dieses überschüssige Emittermaterial24 wird in einem Sammelbehälter81 innerhalb der Wechselwirkungskammer13 aufgefangen. Die in2 dargestellte Zuführung ist rein schematisch skizziert und kann auch von den rotierenden Elektroden11 abfliegendes Emittermaterial25 (gemäß1 ) oder beliebiges unverbrauchtes Emittermaterial2 aufnehmen, das den Wechselwirkungsort unkonvertiert passiert hat oder das zur Verringerung der Tropfendichte von einer rotierenden Lochscheibe (nicht dargestellt) abgespritzt wird. - Bei einem bestimmten oberen Füllstand im Sammelbehälter
81 , der mit einem Füllstandssensor94 erkannt wird, muss der Sammelbehälter81 wenigstens teilweise geleert werden. Dazu wird bei geschlossenem Sammelbehälterablaufventil811 , Niederdruckventil725 und Recyclingrücklaufventil831 das Vakuumventil716 geöffnet und damit der Recyclingbehälter83 evakuiert (Druck < 2 kPa). Zum Entleeren des Sammelbehälters81 wird das Vakuumventil716 geschlossen und das Sammelbehälterablaufventil811 geöffnet. Das Emittermaterial2 (Zinn) läuft dann infolge der Schwerkraft vom Sammelbehälter81 innerhalb der Wechselwirkungskammer13 (Hochvakuum 10–2... 50 Pa) in den Recyclingbehälter83 außerhalb der Wechselwirkungskammer13 . Das Emittermaterial2 kann jetzt in den Kreislauf zurückgeführt werden. - Dazu wird der Vorratsbehälter
41 über das Vakuumventil714 evakuiert. Der Recyclingbehälter83 wird bei geschlossenem Sammelbehälterablaufventil811 und Vakuumventil716 am Recyclingbehälter83 durch Öffnen des Niederdruckventils725 mit Druck beaufschlagt. Durch Öffnen des Recyclingrücklaufventils831 wird dann das Emittermaterial2 aus dem Recyclingbehälter83 in den Vorratsbehälter41 befördert und steht dort zum Befüllen der beiden Druckbehälter44 und44' (wie oben beschrieben) und somit zur erneuten Injektion in die Wechselwirkungskammer13 durch die Düse51 der Injektionseinrichtung5 zur Verfügung. - Wesentliche Voraussetzungen für die kontinuierliche Bereitstellung von Emittermaterial
2 unter stabilem Druck sind insbesondere die Sensorfunktionen in den beiden Druckbehältern44 und44' . - Eine erste zu messende Größe stellt dabei die Füllstandsmessung in allen Behältern
41 ,44 ,44' ,81 und83 für das darin enthaltene Emittermaterial2 dar. Dafür sind in den3 –7 verschiedene Varianten gezeigt. -
3 und4 stellen technische Realisierungen von Füllstandssensoren94 nach dem Prinzip einer Gewichtsmessung dar und sind – ohne Beschränkung der Anwendbarkeit auf alle anderen Emittermaterialbehälter – für einen ersten Druckbehälter44 gezeigt. Für diese Art der Füllstandsmessung muss die Steifigkeit aller Behälteranschlüsse (Druckleitungen und Emittermaterialzu- und -ableitungen) durch flexible Leitungen452 so verringert werden, dass für die Gewichtsmessung eine gewisse vertikale Verschiebung Δx ermöglicht wird. Die Steifigkeit kann beispielsweise durch Spiralformen der Rohre und/oder durch eine entsprechende Material- oder Strukturwahl verringert werden. - Die Gewichtsmessung des Emittermaterials
2 im Druckbehälter44 wird gemäß3 mittels eines Federkraftmessers941 durchgeführt, der z. B. für schweres metallisches Zink eine hinreichende Genauigkeit bietet. - In einer wesentlich höher auflösenden Ausführungsform gemäß
4 ist der Druckbehälter44 am freien Ende einer einseitig fest eingespannten Biegefeder aufgehängt, deren Biegung mittels eines Dehnungsmessstreifens942 ein Gewichtsäquivalent liefert. - Eine weitere technische Ausführung der Füllstandsmessung gemäß
5 verwendet einen Sensor, der die Induktivität des Druckbehälters44 einschließlich des metallischen Emittermaterials2 misst. Dafür ist ein induktiver Füllstandsmesser943 in Form von zwei Spulen außerhalb des Druckbehälters44 angebracht, der abhängig vom Füllstand des Druckbehälters44 die Änderung der Induktivität als Maß für den Füllstand des Behälters44 erfasst. -
6 zeigt eine andere Möglichkeit der Füllstandsmessung, die einen Widerstandsdraht944 aufweist, über den bei Verwendung von flüssigem Metall als Emittermaterial2 (z. B. Zinn) mit abnehmendem Füllstand ein höherer Widerstandswert angezeigt wird. - Diese Ausführung kann – wie gestrichelt ergänzt – zu einem kapazitiven Füllstandsmesser
945 modifiziert werden, indem parallel zu dem hochohmigen Widerstandsdraht944 eine niederohmige Kollektorbahn angebracht ist und eine Koppelelektrode in Form eines Kreisringes, die auf der Oberfläche des Emittermaterials2 schwimmend – oder gegebenenfalls in einem Trennmittel46 (siehe unten zu8 –11 ) integriert – die Kollektorbahn und den Widerstandsdraht944 umschließt, kapazitiv berührungslos für einen ortsabhängigen Verschiebestrom von dem Widerstandsdraht944 auf die Kollektorbahn sorgt. Der Verschiebestrom stellt das Maß für den Füllstand des Druckbehälters44 dar. - Wird als Emittermaterial
2 metallisches Zinn eingesetzt, so ist es für den Betrieb der Emittermaterialbereitstellungseinheit4 ausreichend, den Füllstand aller zinnbefüllten Behälter durch metallische Kontakte946 anzeigen zu lassen, indem das flüssige Metall die Verbindung in den separaten Kontaktstromkreisen schließt. - So wird bei der in
7 dargestellten technischen Ausführung der Füllstandsmessung die Eigenschaft der elektrischen Leitfähigkeit des Zinns ausgenutzt, um jeweils ein Signal beim Erreichen des oberen und/oder unteren Kontaktes946 als Schwellwerte des Füllstandes im Vorratsbehälter41 zu erhalten. - In den Behälter, der – ohne Beschränkung der Gültigkeit für die anderen Behälter – als Vorratsbehälter
41 dargestellt ist und flüssiges Zinn enthalten soll, sind zwei Kontakte946 an einem oberen und einem unteren Füllstandsniveau eingebracht. Je nach Füllstand wird entweder kein Kontakt946 geschlossen (Füllstand unter unterem Niveau), ein Kontakt946 geschlossen (Füllstand zwischen unterem und oberem Niveau) oder beide Kontakte946 geschlossen (Füllstand über oberem Niveau). - Um eine kontinuierliche Füllstandsmessung zu realisieren, kann der lange Kontakt
946 zur Detektion des unteren Füllstandes auch in Form eines freiliegenden Widerstandsdrahts944 ausgeführt sein. Durch Messung des Widerstandes kann dann auf den aktuellen Füllstand des Behälters44 (entsprechend der Beschreibung zu6 ) geschlossen werden. - Trotz der durch die Kopplung von abwechselnd betriebenen Druckbehältern
44 und44' sichergestellten konstanten Druckbeaufschlagung, besteht ein weiteres erhebliches Problem bei der konstanten Tropfenerzeugung aus der Düse51 der Emittermaterial-Injektionseinrichtung5 . - Durch die Beaufschlagung des Emittermaterials
2 (z. B. Zinn) mit einem Inertgas (N2, Ar, He, Ne...) unter hohem Druck wird selbst in einem verflüssigten Metall, wie Zinn, in erheblichem Maße Gas gelöst. - Die Menge eines gelösten Gases in einer Flüssigkeit ist nach Henry's Gesetz proportional zum Gasdruck über der Flüssigkeit. Für die angestrebte Geschwindigkeit der Tropfen
22 in der Wechselwirkungskammer13 ist ein sehr hoher Druck von einem bis zu einigen zehn Megapascal (1 ... 50 MPa) erforderlich, wobei sich eine entsprechend große Menge des Druckgases74 in dem Emittermaterial2 (Zinn) löst. - Beim Ausgießen der Flüssigkeit in ein Vakuum wird das gelöste Gas zu einem großen Teil sofort wieder freigesetzt. Beim Ausspritzen von Zinn als Emittermaterial
2 durch die Düse51 in das Vakuum der Wechselwirkungskammer13 treten am Düsenausgang, aber auch am Düseneintritt, infolge sogenannter Kavitation, starke Druckgefälle auf. Die dadurch entstehende Gasfreisetzung führt zur Bildung von Gasblasen und wirkt sich negativ auf die Tropfenbildung und Positionsstabilität des die Düse51 verlassenden Flüssigkeitsstrahls (Jet) aus. - Um solche Instabilität der in der Injektionseinrichtung
5 generierten regelmäßigen Folge von Tropfen22 zu vermeiden, sind nachfolgend Maßnahmen beschrieben, die eine Lösung des Druckgases74 im flüssigen Emittermaterial2 (Zinn) innerhalb der Druckbehälter44 und44' verringern bzw. vollständig verhindern. -
8 zeigt dazu eine mögliche Variante, einen direkten Kontakt des Druckgases74 mit dem Emittermaterial2 zu vermeiden. Dazu wird eine Barriereschicht461 aus einer viskosen Flüssigkeit auf das Emittermaterial2 innerhalb der Druckbehälter44 und44' (nur in2 gezeichnet) gebracht. Diese Barriereschicht461 (Barriereflüssigkeit) muss aus einem Material bestehen, das eine geringere Dichte aufweist als das. Emittermaterial2 , mit diesem nicht chemisch reagiert und sich nicht mit ihm vermischt. Eine Möglichkeit ist die Verwendung von Abdecköl, wie es in der Elektronikindustrie zur Vermeidung der Oxidation eingesetzt wird. - Eine zuverlässigere Variante zur Separation des Druckgases
74 und des Emittermaterials2 ist in9 schematisch dargestellt. In diesem Beispiel wird ein Kolben462 zwischen dem Emittermaterial2 und dem Druckgas74 eingebracht. Der Kolben462 gleitet in dem zylinderförmigen Druckbehälter44 auf und ab und überträgt somit den Druck vom Druckgas74 (Inertgas) auf das Emittermaterial2 bei gleichzeitiger Trennung von Druckgas74 und flüssigem Emittermaterial2 . - In
10 und11 sind weitere Varianten zur Vermeidung des Eindringens des Druckgases74 in das flüssige Emittermaterial2 dargestellt, die eine vollständige Separation ermöglichen. - Dabei befindet sich innerhalb des Druckbehälters
44 eine geschlossene druckelastische Membran, die ein eingeschlossenes Volumen ändern kann. Um die Volumenänderung zu vergrößern, kann die Membran in Form eines Wellbalgs oder Faltenbalgs463 ,464 ausgeführt sein. - In
10 stellt ein Faltenbalg463 ein für das Druckgas74 geschlossenes Volumen bereit und bildet mit seiner gesamten Oberfläche das Trennmittel46 zwischen Emittermaterial2 und Druckgas74 . Innerhalb des Druckbehälters44 wird durch die Elastizität des Faltenbalgs463 der Gasdruck infolge der Flüssigkeitsverdrängung auf den mit Emittermaterial2 gefüllten Faltenbalg463 übertragen. Selbst- bei sehr hohen Drücken von über 10 MPa ist die Druckdifferenz zwischen dem Gasvolumen innerhalb des Faltenbalgs463 und außerhalb im Druckbehälter44 sehr gering. Die Druckdifferenz ergibt sich lediglich aus der Kraft, die bei der elastischen Verformung des Faltenbalgs463 (Membran) für eine definierte Volumenänderung notwendig ist. Die Wirkungsweise ist dabei vergleichbar mit der des Kolbens462 gemäß9 , jedoch ist die Trennung gegenüber dem Kolben462 beim Faltenbalg463 (bzw. Membran) vollständig und wesentlich zuverlässiger, so dass als Druckgas74 auch gewöhnliche Luft anstelle eines Inertgases zum Einsatz kommen kann. - Eine zu
10 gleichartige, aber invertierte Ausführungsform ist in11 dargestellt. Dabei ist ein mit flüssigem Emittermaterial2 gefüllter Faltenbalg464 (bzw. Membran) vorgesehen und außerhalb des emittermaterialgefüllten Faltenbalgs464 wird das Druckgas74 im Druckbehälter44 eingeströmt. - Nachdem die Stabilität des druckbeaufschlagten Emittermaterials
2 durch Verhinderung einer Löslichkeit des Druckgases74 hergestellt ist, gelangt es zur Emittermaterial-Injektionseinrichtung5 . Diese beinhaltet eine mit Mitteln für angeregten Tropfenzerfall ausgerüstete Düse51 , die das über eine Düsenzuleitung52 zugeführte flüssige Emittermaterial2 als eine regelmäßige Tropfenfolge23 in eine Tropfenselektionskammer53 abgibt. Zur Selektion einzelner Tropfen22 (z. B. jedes zehnten) aus der von der Düse51 erzeugten Tropfenfolge ist ein Tropfenselektor54 vorhanden. - In diesem in
12 gezeigten Beispiel weist der Tropfenselektor54 eine Aufladeelektrode541 und zwei nachfolgende Ablenkelektroden542 zur Ablenkung eines Großteils der Tropfen22 als überschüssige Tropfen24 und Nichtbeeinflussung einzelner definiert ausgewählter Tropfen22 auf. Diese ausgewählten Tropfen22 ergeben die mit den Impulsen des Energiestrahls6 synchronisierte Tropfenfolge23 . Die selektive Auswahl der Tropfen22 erfolgt nach Bedarf der Plasmaerzeugung (im gezeigten Beispiel für jeden siebten Tropfen22 ), indem alle nicht benötigten überschüssigen Tropfen24 beim Durchfliegen der Aufladeelektrode541 durch einen Spannungsimpuls aufgeladen und durch die anschließende Strecke der Ablenkelektroden542 , zwischen denen ein elektrisches Feld ausgebildet ist, abgelenkt werden. Auf diese Art und Weise wird ein Großteil des Emittermaterials2 abgelenkt und über einen Sammelbehälter81 einem nachfolgenden Recyclingbehälter83 zugeführt. Dieses unverbrauchte Emittermaterial2 kann somit wieder in einem Kreislauf zurückgeführt werden und steht erneut im Vorratsbehälter41 zur Verfügung. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- EUV-Quellenmodul
- 11
- Elektroden
- 12
- Entladungsschaltkreis
- 13
- Wechselwirkungskammer
- 14
- Plasma
- 15
- EUV-Strahlung
- 2
- Emittermaterial
- 21
- Beschichtungsstrahl
- 22
- Tropfen
- 23
- synchronisierte Tropfenfolge
- 24
- überschüssige Tropfen
- 25
- abfliegendes Emittermaterial
- 3
- Elektrodenbeschichtungssystem
- 31
- Beschichtungsdüse
- 32
- Sammelbehälter
- 4
- Emittermaterialbereitstellungseinheit
- 41
- Vorratsbehälter
- 42
- Zufuhröffnung (zum Vorratsbehälter)
- 43
- Heizkammer (für Emittermaterial)
- 44
- Druckbehälter 1 (für Emittermaterial)
- 44'
- Druckbehälter 2 (für Emittermaterial)
- 45
- Emittermaterialzuleitung (für Druckbehälter)
- 451
- Filter
- 452
- flexible Leitung
- 46
- Trennmittel (zwischen Druckgas-Emittermaterial)
- 461
- Barriereschicht
- 462
- Kolben
- 463
- Faltenbalg (für Gasvolumen)
- 464
- Faltenbalg (für Emittermaterialvolumen)
- 5
- Emittermaterial-Injektionseinrichtung
- 51
- Düse (mit Anregung für Tropfenzerfall)
- 52
- Düsenzuleitung (für Emittermaterial)
- 53
- Tropfenselektionskammer
- 54
- Tropfenselektor
- 541
- Aufladeelektrode
- 542
- Ablenkelektrode
- 6
- Energiestrahl (Laserstrahl)
- 7
- Drucksystem (für Emittermaterial)
- 71
- Vakuumsystem
- 711
- Vakuumpumpe
- 712
- Vakuumleitung (< 10 Pa)
- 713
- Vakuumleitung (zum Vorratsbehälter)
- 714
- Vakuumventil (zum Vorratsbehälter)
- 715
- Vakuumventil (zum ersten Druckbehälter)
- 715'
- Vakuumventil (zum zweiten Druckbehälter)
- 716
- Vakuumventil (vom Recyclingbehälter)
- 72
- Niederdruck-Gassystem
- 721
- Niederdruck-Gasversorgung
- 722
- Niederdruckleitung (50 ... 500 kPa)
- 723
- Niederdruckleitung (zum Vorratsbehälter)
- 724
- Niederdruckventil (zum Vorratsbehälter)
- 725
- Niederdruckventil (vom Recyclingbehälter)
- 73
- Hochdruck-Gassystem
- 731
- Hochdruck-Gasversorgung (1 ... 50 MPa)
- 732
- Hochdruckleitung (zu den Emitterdruckbehältern)
- 733
- Hochdruckventil (zum ersten Druckbehälter)
- 733'
- Hochdruckventil (zum zweiten Druckbehälter)
- 734
- Druckumschaltventil (zum ersten Druckbehälter)
- 734'
- Druckumschaltventil (zum zweiten Druckbehälter)
- 735
- Sperr- und Ausgleichsventil (zwischen den Druckzuleitungen)
- 736
- Emitterzulaufventil (zum ersten Druckbehälter)
- 736'
- Emitterzulaufventil (zum zweiten Druckbehälter)
- 737
- Ablaufventil (vom ersten Druckbehälter)
- 737'
- Ablaufventil (vom zweiten Druckbehälter)
- 738
- Düsenzulaufventil
- 74
- Druckgas (unter 1 ... 50 MPa)
- 8
- Recyclingeinrichtung
- 81
- Sammelbehälter
- 811
- Sammelbehälterablaufventil
- 82
- Sammelbehälterableitung (zum Recyclingbehälter)
- 83
- Recyclingbehälter
- 831
- Recyclingrücklaufventil
- 84
- Recycling-Rückführungsleitung
- 9
- Sensorsystem
- 91
- Drucksensor (des Vorratsbehälters)
- 92, 92'
- Drucksensor (für Druckbehälter)
- 93
- Drucksensor (Recyclingbehälter)
- 94
- Füllstandssensoren
- 941
- Kraftmesser (zur Füllstandsmessung)
- 942
- Dehnungsmessstreifen (zur Füllstandsmessung)
- 943
- induktiver Füllstandsmesser
- 944
- Widerstandsdraht
- 945
- kapazitiver Füllstandsmesser
- 946
- Kontakte (zur Füllstandsmessung)
Claims (23)
- Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung auf Basis eines heißen Plasmas unter Verwendung von flüssigem Emittermaterial, mit einer Emittermaterial-Bereitstellungseinheit, die mindestens einen Vorratsbehälter für Emittermaterial enthält, einer evakuierten Wechselwirkungskammer, in der ein fokussierter gepulster Energiestrahl auf einen Wechselwirkungspunkt gerichtet ist, sowie einer Injektionseinrichtung zum reproduzierbaren Bereitstellen von Tropfen des Emittermaterials im Wechselwirkungspunkt synchronisiert zum gepulsten Energiestrahl, um die Tropfen in heißes Plasma zur EUV-Emission zu konvertieren, dadurch gekennzeichnet, dass – die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit (
4 ) zwischen dem Vorratsbehälter (41 ) und der Injektionseinrichtung (5 ) mindestens einen ersten und einen zweiten Druckbehälter (44 ,44' ) zur Erzeugung eines hohen Emittermaterialdruckes für die Injektionseinheit (5 ) aufweist, – die Druckbehälter (44 ,44' ) von einem Hochdruck-Gassystem (73 ) mit einem Gasdruck (74 ) im Megapascal-Bereich beaufschlagt sind, um einen permanenten konstanten Emittermaterialdruck in der Injektionseinrichtung (5 ) aufrechtzuerhalten, und – die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit (4 ) Mittel zum Umschalten des Hochdruck-Gassystems (73 ) von einem auf den anderen Druckbehälter (44 ,44' ) und zum entsprechend wechselnden Umschalten der Injektionseinheit (5 ) auf den konstanten Emittermaterialdruck des jeweils druckbeaufschlagten Druckbehälters (44 ,44' ) aufweist, wobei wenigstens einer der Druckbehälter (44 ,44' ) bei kontinuierlichem Betrieb der Tropfen- und Plasmaerzeugung mit Emittermaterial (2 ) aus dem Vorratsbehälter (41 ) nachfüllbar ist. - Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit (
4 ) weiterhin an ein Vakuumsystem (71 ) angeschlossen ist, das wahlweise mit wenigstens einem der Druckbehälter (44 ,44' ), der nicht für das Hochdruck-Gassystem (73 ) freigeschaltet ist, verbunden ist, um das Befüllen mit Emittermaterial (2 ) aus dem Vorratsbehälter (41 ) auszuführen. - Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Vakuumsystem (
71 ) in der Emittermaterial-Bereitstellungseinheit (4 ) weiterhin mit dem Vorratsbehälter (41 ) verbunden ist, um das Befüllen des Vorratbehälters (41 ) aus unterschiedlichen Quellen zu ermöglichen. - Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorratsbehälter (
41 ) durch Ansaugen flüssigen Emittermaterials (2 ) von außen befüllbar ist. - Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorratsbehälter (
41 ) durch Ansaugen flüssigen Emittermaterials (2 ) aus einem Recyclingbehälter (83 ) befüllbar ist. - Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorratsbehälter (
41 ) durch Ansaugen festen Emittermaterials (2 ) von außen befüllbar ist. - Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit (
4 ) an ein Niederdruck-Gassystem (72 ) angeschlossen ist, das wahlweise mit dem Vorratsbehälter (41 ) oder dem Recyclingbehälter (83 ) verbunden ist, um Emittermaterial (2 ) des Vorratsbehälters (41 ) in einen der Druckbehälter (44 ,44' ) umzufüllen oder den Vorratsbehälter (41 ) mit recyceltem Emittermaterial (2 ) aufzufüllen. - Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Niederdruck-Gassystem (
72 ) inertgasgefüllt ist, um einer Oxidation des Emittermaterials (2 ) entgegenzuwirken. - Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in der Emittermaterial-Bereitstellungseinheit (
4 ) Füllstandssensoren (94 ) zur Messung des Füllstandes mindestens der Druckbehälter (44 ,44' ) vorhanden sind, die ein rechtzeitiges Umschalten der Druckbeaufschlagung des Emittermaterials (2 ) von einem der Druckbehälter (44 ,44' ) auf den jeweils anderen Druckbehälter (44' ,44 ) steuern und die Auffüllung des jeweils leeren Druckbehälters (44' ,44 ) auslösen. - Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstandssensor (
94 ) als Kraftmesser (941 ) ausgebildet ist und der Füllstand anhand des Gewichts des jeweiligen Behälters (44 ,44' ;41 ;83 ) feststellbar ist, wobei der Behälter (44 ,44' ;41 ;83 ) am Kraftmesser (941 ) aufgehängt ist und flexible Anschlussleitungen (452 ) aufweist. - Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstandssensor (
94 ) als Dehnungsmessstreifen (942 ) ausgebildet ist, wobei der Behälter (44 ,44' ;41 ;83 ) am freien Ende einer einseitig fest eingespannten Biegefeder mit dem Dehnungsmessstreifen (942 ) aufgehängt ist und flexible Anschlussleitungen (452 ) aufweist und der Füllstand aufgrund des Gewichts des jeweiligen Behälters (44 ,44' ;41 ;83 ) anhand der Dehnung des Dehnungsmessstreifens (942 ) feststellbar ist. - Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstandssensor (
94 ) als induktiver Füllstandsmesser (943 ) aus zwei außenliegenden Zylinderspulen ausgebildet ist. - Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstandssensor (
94 ) als Widerstandsdraht (944 ) ausgebildet ist, wobei der mit metallischem Emittermaterial (2 ) befüllte Behälter (44 ,44' ;41 ;83 ) als elektrische Zuleitung zu dem im Behälter (44 ,44' ;41 ;83 ) elektrisch isoliert vertikal angebrachten Widerstandsdraht (944 ) vorgesehen ist. - Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstandssensor (
94 ) als kapazitiver Füllstandsmesser (945 ) aus Widerstandsdraht (944 ), Koppelelektrode und Kollektorbahn ausgebildet ist, wobei die Koppelelektrode als Kreisring um den Widerstandsdraht (944 ) und die Kollektorbahn schwimmend mit dem Flüssigkeitsspiegel des Emittermaterials (2 ) mitbewegbar ist. - Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstandssensor (
94 ) zwei elektrisch isolierte Kontakte (946 ) unterschiedlicher Länge aufweist, wobei die elektrischen Kontakte (946 ) mittels des metallischen Emittermaterials (2 ) bei unterschiedlichen Füllständen geschlossen sind, um einen minimalen und einen maximalen Füllstand anzuzeigen. - Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Emittermaterial-Bereitstellungseinheit (
4 ) innerhalb der Druckbehälter (44 ,44' ) ein Trennmittel (46 ) zur Separierung des Emittermaterials (2 ) vom Druckgas (74 ) aufweist, das die Lösung von Druckgas (74 ) im Emittermaterial (2 ) vermindert. - Anordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Trennmittel (
46 ) eine Barriereschicht (461 ) ist. - Anordnung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht (
461 ) durch ein viskoses Abdecköl ausgebildet ist. - Anordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Trennmittel (
46 ) ein Kolben (462 ) ist, der in einem zylindrisch ausgebildeten Druckbehälter (44 ,44' ) auf und ab bewegbar ist. - Anordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass als Trennmittel (
46 ) eine elastische Membran (463 ;464 ) vorhanden ist. - Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die elastische Membran als druckgasgefüllter Well- oder Faltenbalg (
463 ) ausgebildet ist. - Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die elastische Membran als mit Emittermaterial (
2 ) gefüllter Well- oder Faltenbalg (464 ) ausgebildet ist. - Anordnung nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Well- oder Faltenbalg (
463 ;464 ) als metallischer Wellbalg ausgebildet ist.
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JP6241062B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-12-06 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
WO2015040674A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置およびeuv光生成装置 |
DE102013110760B4 (de) * | 2013-09-27 | 2017-01-12 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Strahlungsquelle zur Erzeugung von kurzwelliger Strahlung aus einem Plasma |
DE102014006063A1 (de) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Microliquids GmbH | Strahlerzeugungsvorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Flüssigkeitsstrahls |
JP6241407B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2017-12-06 | ウシオ電機株式会社 | 液面レベル検出装置、液面レベル検出方法、高温プラズマ原料供給装置及び極端紫外光光源装置 |
US10495974B2 (en) * | 2017-09-14 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Target feeding system |
US10331035B2 (en) * | 2017-11-08 | 2019-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Light source for lithography exposure process |
NL2023879A (en) * | 2018-09-26 | 2020-05-01 | Asml Netherlands Bv | Apparatus for and method of controlling introduction of euv target material into an euv chamber |
US11134558B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Droplet generator assembly and method for using the same and radiation source apparatus |
US11963285B2 (en) | 2019-03-15 | 2024-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Target material control in an EUV light source |
JP2021183996A (ja) * | 2020-05-21 | 2021-12-02 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、ターゲット供給方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2023526901A (ja) * | 2020-05-29 | 2023-06-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ放射システムにおける高圧及び真空レベルセンサ |
WO2022063509A2 (en) * | 2020-09-23 | 2022-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Pressure relief apparatus and method in a target material supply system |
WO2023088595A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | Asml Netherlands B.V. | A liquid target material supplying apparatus, fuel emitter, radiation source, lithographic apparatus, and liquid target material supplying method |
TW202337273A (zh) | 2021-11-22 | 2023-09-16 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於將液態靶材供給至輻射源之裝置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2829857C2 (de) * | 1978-06-15 | 1982-06-24 | Schweizerische Aluminium AG, 3965 Chippis | Füllstandmeßsonde für ein elektrisch leitendes Medium |
DE19532118A1 (de) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | St Speichertechnologie Gmbh | Latentwärmespeicher |
DE20320382U1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-06-09 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung zur Messung des Füllstandes eines Mediums |
DE102004045149A1 (de) * | 2003-10-30 | 2005-06-02 | Volkswagen Ag | Füllstandssensor und Verfahren zur Erfassung eines Füllstandes |
WO2006093687A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-08 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for euv light source target material handling |
US7449703B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-11-11 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1232516A4 (de) * | 1999-10-27 | 2003-03-12 | Jmar Res Inc | Verfahren und strahlerzeugungsvorrichtung mittels mikrotargets |
US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
DE10219173A1 (de) | 2002-04-30 | 2003-11-20 | Philips Intellectual Property | Verfahren zur Erzeugung von Extrem-Ultraviolett-Strahlung |
DE102005030304B4 (de) | 2005-06-27 | 2008-06-26 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
DE102006015641B4 (de) * | 2006-03-31 | 2017-02-23 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Vorrichtung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung mittels einer elektrisch betriebenen Gasentladung |
DE102006017904B4 (de) * | 2006-04-13 | 2008-07-03 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination |
JP4937643B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-05-23 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
JP5149520B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2013-02-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP2008270149A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Tokyo Institute Of Technology | 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法 |
JP2009224182A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP5362515B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2013-12-11 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置のターゲット供給装置及びその製造方法 |
JP5486795B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2014-05-07 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及びそのターゲット供給システム |
-
2009
- 2009-05-08 DE DE102009020776A patent/DE102009020776B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-28 JP JP2010103590A patent/JP4779048B2/ja active Active
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2829857C2 (de) * | 1978-06-15 | 1982-06-24 | Schweizerische Aluminium AG, 3965 Chippis | Füllstandmeßsonde für ein elektrisch leitendes Medium |
DE19532118A1 (de) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | St Speichertechnologie Gmbh | Latentwärmespeicher |
DE20320382U1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-06-09 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung zur Messung des Füllstandes eines Mediums |
DE102004045149A1 (de) * | 2003-10-30 | 2005-06-02 | Volkswagen Ag | Füllstandssensor und Verfahren zur Erfassung eines Füllstandes |
WO2006093687A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-08 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for euv light source target material handling |
US7449703B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-11-11 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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