JP2021183996A - ターゲット供給装置、ターゲット供給方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】極端紫外光生成装置におけるターゲット供給装置を提供する。【解決手段】ターゲット供給装置２６１は、ターゲット物質を収容する第１の容器Ｃ１と、第１の容器から供給されるターゲット物質を収容する第２の容器Ｃ２と、第１の容器と第２の容器との間に配置された第１のバルブＶ１と、第２の容器に接続され、第２の容器に加圧ガスを供給する第１の配管Ｌ１と、第２の容器から供給されるターゲット物質を収容する第３の容器Ｃ３と、第２の容器と第３の容器との間に配置された第２のバルブＶ２と、第３の容器に接続され、第３の容器に加圧ガスを供給する第２の配管Ｌ２と、第３の容器から供給されるターゲット物質を出力するノズルと７２、を備える。【選択図】図３

Description

本開示は、ターゲット供給装置、ターゲット供給方法、電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０１５−０５３２９２号 米国特許出願公開第２００６／０１９２１５４号明細書 米国特許出願公開第２００６／０１９２１５５号明細書 米国特許出願公開第２０１４／０２５３７１６号明細書 特開平０６−２７５５３５号 米国特許出願公開第２０１７／０３５０７４５号明細書

概要

本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器から供給されるターゲット物質を収容する第２の容器と、第１の容器と第２の容器との間に配置された第１のバルブと、第２の容器に接続され、第２の容器に加圧ガスを供給する第１の配管と、第２の容器から供給されるターゲット物質を収容する第３の容器と、第２の容器と第３の容器との間に配置された第２のバルブと、第３の容器に接続され、第３の容器に加圧ガスを供給する第２の配管と、第３の容器から供給されるターゲット物質を出力するノズルと、を備える。

本開示の１つの観点に係るターゲット供給方法は、極端紫外光生成装置において、ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器から供給されるターゲット物質を収容する第２の容器と、第１の容器と第２の容器との間に配置された第１のバルブと、第２の容器に接続され、第２の容器に加圧ガスを供給する第１の配管と、第２の容器から供給されるターゲット物質を収容する第３の容器と、第２の容器と第３の容器との間に配置された第２のバルブと、第３の容器に接続され、第３の容器に加圧ガスを供給する第２の配管と、第３の容器から供給されるターゲット物質を出力するノズルと、を備えるターゲット供給装置を用いる。ターゲット供給方法は、第２のバルブが閉められている状態で、第１のバルブを開けて、第１の容器から第２の容器にターゲット物質を供給し、第１のバルブを閉め、第２の容器に加圧ガスを供給し、その後、第２のバルブを開けて、第２の容器から第３の容器にターゲット物質を供給することを含む。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器から供給されるターゲット物質を収容する第２の容器と、第１の容器と第２の容器との間に配置された第１のバルブと、第２の容器に接続され、第２の容器に加圧ガスを供給する第１の配管と、第２の容器から供給されるターゲット物質を収容する第３の容器と、第２の容器と第３の容器との間に配置された第２のバルブと、第３の容器に接続され、第３の容器に加圧ガスを供給する第２の配管と、第３の容器から供給されるターゲット物質を出力するノズルと、を備えるターゲット供給装置と、ターゲット供給装置から所定領域に出力されたターゲット物質にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置において、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図３は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図４は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置の動作手順を示す。 図５Ａ〜図５Ｄは、図４に示される動作手順の一部について、バルブＶ１〜Ｖ４の開閉と、各部の圧力の変化とを模式的に示す。 図６は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図７は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置の動作手順を示す。 図８は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図９Ａ及び図９Ｂは、調整機構及びバルブＶ２の構成及び動作を示す。 図１０は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置の動作手順を示す。 図１１は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１２は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置の動作手順を示す。 図１３は、第５の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１４は、第５の実施形態に係るターゲット供給装置の動作手順を示す。 図１５は、第６の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１６は、第６の実施形態に係るターゲット供給装置の動作手順を示す。 図１７は、第７の実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図１８Ａは、第７の実施形態に係るターゲット供給装置がターゲットの供給を開始した後の動作手順を示すフローチャートである。図１８Ｂは、第７の実施形態における圧力タンクの内部における液面の変化の一例を示すグラフである。 図１９Ａは、第８の実施形態に係るターゲット供給装置がターゲットの供給を開始した後の動作手順を示すフローチャートである。図１９Ｂは、第８の実施形態における圧力タンクの内部における液面の変化の一例を示すグラフである。 図２０Ａは、第９の実施形態に係るターゲット供給装置がターゲットの供給を開始した後の動作手順を示すフローチャートである。図２０Ｂは、第９の実施形態における圧力タンクの内部における液面の変化の一例を示すグラフである。 図２１は、ＥＵＶ光生成装置に接続された露光装置の構成を概略的に示す。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．１．１ リザーバタンクＣ１
２．１．２ ロードロック室Ｃ２
２．１．３ 圧力タンクＣ３
２．２ 動作
２．２．１ ロードロック室Ｃ２への供給
２．２．２ 圧力タンクＣ３への供給
２．３ 課題
３．ロードロック室に加圧ガスを供給するターゲット供給装置
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用
４．バイパス配管を備えたターゲット供給装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．ターゲット物質の移動を抑制する調整機構を備えたターゲット供給装置
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．圧力タンクＣ３の液面を計測してターゲット物質を補充するターゲット供給装置
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
７．圧力タンクＣ３の重さを計測してターゲット物質を補充するターゲット供給装置
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用
８．出力されたターゲット物質の量を計測してターゲット物質を補充するターゲット供給装置
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用
９．圧力タンクＣ３の液面が第２液面以上になったらターゲット物質の補充を中止するターゲット供給装置
９．１ 構成
９．２ 動作
９．３ 作用
１０．圧力タンクＣ３の液面が第２液面以上になったらターゲット物質の補充を一定時間中止するターゲット供給装置
１０．１ 動作
１０．２ 作用
１１．圧力タンクＣ３の液面が第２液面より低くなったら一定時間の計測を開始するターゲット供給装置
１１．１ 動作
１１．２ 作用
１２．その他

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。

チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。

ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。

１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。

ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。図２に示されるように、比較例に係るターゲット供給装置２６は、リザーバタンクＣ１と、ロードロック室Ｃ２と、圧力タンクＣ３と、ターゲット供給プロセッサ６０と、を含む。ターゲット供給プロセッサ６０は、制御プログラムが記憶されたメモリ６０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ６０２と、を含む処理装置である。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示におけるプロセッサに相当する。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。

２．１．１ リザーバタンクＣ１
リザーバタンクＣ１は、スズなどの固体のターゲット物質を収容する容器である。固体のターゲット物質は、例えば、互いにほぼ同じ大きさの球形の粒であってもよい。リザーバタンクＣ１は本開示における第１の容器に相当する。リザーバタンクＣ１の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。リザーバタンクＣ１は、配管Ｌ９を介してガスボンベＧ２に接続されている。ガスボンベＧ２は、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの希ガスをパージガスとして収容している。ガスボンベＧ２に収容されたパージガスは、リザーバタンクＣ１の内部に供給される。リザーバタンクＣ１の内部の圧力は、大気圧と同程度の圧力である。
リザーバタンクＣ１は、供給管４１を介してロードロック室Ｃ２に接続されている。供給管４１には、バルブＶ１が配置されている。バルブＶ１は本開示における第１のバルブに相当する。

２．１．２ ロードロック室Ｃ２
ロードロック室Ｃ２は、リザーバタンクＣ１から供給されるターゲット物質を収容する容器である。ロードロック室Ｃ２は本開示における第２の容器に相当する。ロードロック室Ｃ２の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。
ロードロック室Ｃ２は、供給管４２を介して圧力タンクＣ３に接続されている。供給管４２には、バルブＶ２が配置されている。バルブＶ２は本開示における第２のバルブに相当する。

２．１．３ 圧力タンクＣ３
圧力タンクＣ３は、ロードロック室Ｃ２から供給されるターゲット物質を収容する容器である。圧力タンクＣ３は本開示における第３の容器に相当する。圧力タンクＣ３は、加圧ガス配管Ｌ０を介してガスボンベＧ１に接続されている。ガスボンベＧ１は、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの高圧の希ガスを加圧ガスとして収容している。加圧ガス配管Ｌ０には圧力調節器６２が配置されている。図示しない圧力計の出力に基づいてターゲット供給プロセッサ６０が圧力調節器６２を制御することにより、圧力タンクＣ３の内部の圧力が大気圧より高い所定の圧力に調節される。

圧力タンクＣ３には、ヒーター７１と、ノズル７２が配置されている。
ヒーター７１は、図示しない電源に接続されており、圧力タンクＣ３の内部をターゲット物質の融点より高い所定温度にまで加熱する。圧力タンクＣ３に配置された図示しない温度センサの出力に基づいて電源が制御されることにより、圧力タンクＣ３の内部の温度が制御される。

ノズル７２は、圧力タンクＣ３の重力方向における下端部に配置されている。ノズル７２の先端は、チャンバ２（図１参照）の内部に開口している。ヒーター７１によって溶融されたターゲット物質が、圧力調節器６２から供給される加圧ガスとチャンバ２の内部の圧力との圧力差によって、ノズル７２の先端の開口から出力される。図示しないピエゾ素子によってノズル７２に振動を与えると、ノズル７２から出力されたジェット状のターゲット物質が液滴状に分離され、ターゲット２７となる。

２．２ 動作
比較例においては、以下のようにして、リザーバタンクＣ１の内部のターゲット物質がロードロック室Ｃ２を介して圧力タンクＣ３に供給される。

２．２．１ ロードロック室Ｃ２への供給
リザーバタンクＣ１に収容された固体のターゲット物質の一部をロードロック室Ｃ２に供給するために、ターゲット供給プロセッサ６０がバルブＶ１を開ける。このとき、圧力タンクＣ３の内部を高圧に維持するために、バルブＶ２は閉められている。ターゲット物質は、リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２に重力によって移動する。所望量のターゲット物質がリザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２に移動したら、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を閉める。

２．２．２ 圧力タンクＣ３への供給
次に、ロードロック室Ｃ２に収容された固体のターゲット物質を圧力タンクＣ３に供給するために、ターゲット供給プロセッサ６０がバルブＶ２を開ける。ターゲット物質は、ロードロック室Ｃ２から圧力タンクＣ３に重力によって移動する。圧力タンクＣ３に供給されたターゲット物質は溶融し、すでに圧力タンクＣ３に収容され溶融していたターゲット物質と混ざり合う。ヒーター７１によって、圧力タンクＣ３の内部の温度の低下が抑制される。

バルブＶ２を開けたときには、圧力タンクＣ３の内部のガスの一部がロードロック室Ｃ２に移動して、圧力タンクＣ３の内部の圧力が一時的に低下する。バルブＶ２を開ける前にバルブＶ１を閉めれば、圧力タンクＣ３の内部の高圧のガスがバルブＶ１からリザーバタンクＣ１へ向けて流れることを防止できる。また、ガスボンベＧ１の内部の加圧ガスが圧力調節器６２を介して圧力タンクＣ３に供給されることにより、圧力タンクＣ３の内部の圧力が回復する。

２．３ 課題
比較例によれば、ほぼ大気圧であるリザーバタンクＣ１の内部に収容されているターゲット物質を、高圧の圧力タンクＣ３の内部に供給できる。圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質が消費されても、圧力タンクＣ３を交換せずにターゲット物質を補充できるので、ＥＵＶ光生成装置１の停止時間を低減することができる。

しかしながら、バルブＶ２を開けたときに、圧力タンクＣ３の内部の圧力が一時的に低下する。ターゲット２７の速度は圧力タンクＣ３の内部とチャンバ２の内部との圧力差に依存するので、圧力タンクＣ３の内部の圧力が変化するとターゲット２７の速度が変化する。ターゲット２７の速度が変化すると、パルスレーザ光３３（図１参照）をターゲット２７に正確に照射することが困難となったり、パルスレーザ光３３を照射するときのターゲット２７の位置が変動したりして、ＥＵＶ光の品質が変動する。

以下に説明する実施形態においては、バルブＶ２を開けた時の圧力タンクＣ３の内部の圧力変化を抑制するために、ロードロック室Ｃ２に予め加圧ガスを供給する。

３．ロードロック室に加圧ガスを供給するターゲット供給装置
３．１ 構成
図３は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置２６１の構成を概略的に示す。ターゲット供給装置２６１は、比較例の構成に加えて、配管Ｌ１、Ｌ２、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ１０及びＬ１１、バルブＶ３、Ｖ４、Ｖ６及びＶ７、計量器６１、及び排気ポンプ６３を含む。

加圧ガス配管Ｌ０は、配管Ｌ１と配管Ｌ２とに分岐している。
配管Ｌ１は、ロードロック室Ｃ２に接続され、ロードロック室Ｃ２に加圧ガスを供給するように構成されている。配管Ｌ１は、本開示における第１の配管に相当する。配管Ｌ１には、バルブＶ３が配置されている。バルブＶ３は、本開示における第３のバルブに相当する。

配管Ｌ２は、圧力タンクＣ３に接続され、圧力タンクＣ３に加圧ガスを供給するように構成されている。配管Ｌ２は、本開示における第２の配管に相当する。配管Ｌ２には、バルブＶ４が配置されている。バルブＶ４は、本開示における第４のバルブに相当する。
例えば、図２に示される加圧ガス配管Ｌ０と同じように、配管Ｌ２が圧力タンクＣ３に直接接続される場合には、圧力タンクＣ３とバルブＶ２との間に図示しない断熱機構を設ける他に、圧力タンクＣ３とバルブＶ４との間にも図示しない断熱機構を設けてもよい。
あるいは、図３に示されるように、配管Ｌ２は、圧力タンクＣ３とバルブＶ２との間の供給管４２に、接続位置ＣＰで接続されることによって、圧力タンクＣ３に接続されていてもよい。

ロードロック室Ｃ２とバルブＶ３との間の配管Ｌ１には、排気のための配管Ｌ８が接続されている。配管Ｌ８は、配管Ｌ６と配管Ｌ７とに分岐している。配管Ｌ６には、バルブＶ６と排気ポンプ６３とが配置されている。配管Ｌ７には、バルブＶ７が配置されている。
排気ポンプ６３は、ロードロック室Ｃ２の内部のガスを強制的に排気してロードロック室Ｃ２の内部の圧力を大気圧より低くできるように構成されている。

計量器６１は、リザーバタンクＣ１から供給される固体のターゲット物質を計量する。固体のターゲット物質の計量は、固体のターゲット物質の粒の数を数えることを含む。予め決められた量の固体のターゲット物質を計量したら、計量した固体のターゲット物質をロードロック室Ｃ２へ向けて通過させる。予め決められた量の固体のターゲット物質を通過させたら、計量器６１は固体のターゲット物質の通過を止める。

ガスボンベＧ２に収容されるパージガスは、固体のターゲット物質と反応しにくいガスであればよく、希ガスに限られず乾燥空気でもよい。
配管Ｌ９は、配管Ｌ１０と配管Ｌ１１とに分岐している。配管Ｌ１０は、リザーバタンクＣ１に接続されている。配管Ｌ１１は、計量器６１とバルブＶ１との間の供給管４１に接続されている。

３．２ 動作
図４は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置２６１の動作手順を示す。図５Ａ〜図５Ｄは、図４に示される動作手順の一部について、バルブＶ１〜Ｖ４の開閉と、各部の圧力の変化とを模式的に示す。第１の実施形態においては、以下のようにして、ターゲット供給装置２６１がターゲット２７の供給を開始し、ターゲット物質が消費された後、リザーバタンクＣ１の内部のターゲット物質がロードロック室Ｃ２を介して圧力タンクＣ３に補充される。

Ｓ１１において、バルブＶ１〜Ｖ４、Ｖ６及びＶ７がすべて閉められた状態から動作がスタートする。ヒーター７１が、圧力タンクＣ３の内部をターゲット物質の融点より高い所定温度にまで加熱する。
Ｓ１２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ４を開ける。これにより、ガスボンベＧ１に収容された加圧ガスが圧力タンクＣ３に供給される（図５Ａ参照）。
Ｓ１３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力調節器６２を制御することにより、圧力タンクＣ３の内部を大気圧より高い所定圧力に調整する。これにより、ターゲット供給装置２６１がターゲット２７の供給を開始し、ターゲット物質の消費が開始される。
Ｓ１４において、ターゲット供給プロセッサ６０は、一定時間が経過してターゲット物質が消費されるまで待機し、一定時間が経過したら次に進む。

Ｓ２１において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を開ける。
Ｓ２２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、予め決められた量の固体のターゲット物質を計量器６１が計量して通過させ、その後、ターゲット物質の通過を計量器６１が止めるように、計量器６１を制御する。これにより、ターゲット物質がロードロック室Ｃ２に供給される（図５Ｂ参照）。リザーバタンクＣ１の内部のパージガスの一部も、ロードロック室Ｃ２に流れ込む。
Ｓ２３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を閉める。このように、バルブＶ１は、計量器６１が固体のターゲット物質を通過させる前に開けられ、計量器６１を通過した予め決められた量の固体のターゲット物質がバルブＶ１を通過したら閉められる。

Ｓ３１において、ターゲット供給プロセッサ６０は、排気ポンプ６３を起動し、その後、バルブＶ６を開ける。
Ｓ３２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ６を閉め、その後、排気ポンプ６３を停止させる。リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２に流れ込んだパージガスは、これにより外部に排気される。

Ｓ４１において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ４を閉め、その後、バルブＶ３を開ける。バルブＶ３を開けることにより、ロードロック室Ｃ２に加圧ガスが供給される（図５Ｃ参照）。ロードロック室Ｃ２の内部の圧力は、圧力タンクＣ３の内部の圧力とほぼ同程度となる。
Ｓ４２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ３を閉め、その後、バルブＶ４を開ける。

Ｓ５２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を開ける。これにより、ロードロック室Ｃ２の内部の固体ターゲット物質が圧力タンクＣ３の内部に供給される（図５Ｄ参照）。ロードロック室Ｃ２の内部の圧力は、圧力タンクＣ３の内部の圧力とほぼ同程度であるため、バルブＶ２を開けたときの圧力タンクＣ３の内部の圧力変動は小さくて済む。
Ｓ５４において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を閉める。

Ｓ６１において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ７を開ける。これにより、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力は大気圧と同程度となる。
Ｓ６２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ７を閉める。
Ｓ６３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、Ｓ１４の処理に戻る。

３．３ 作用
第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、リザーバタンクＣ１と、ロードロック室Ｃ２と、圧力タンクＣ３と、を備える。リザーバタンクＣ１とロードロック室Ｃ２との間にバルブＶ１が配置され、ロードロック室Ｃ２と圧力タンクＣ３との間にバルブＶ２が配置される。
ロードロック室Ｃ２に配管Ｌ１が接続されて加圧ガスを供給し、圧力タンクＣ３に配管Ｌ２が接続されて加圧ガスを供給するので、ロードロック室Ｃ２と圧力タンクＣ３とに個別に加圧ガスを供給することができる。ロードロック室Ｃ２と圧力タンクＣ３との両方に加圧ガスを供給しておけば、バルブＶ２を開けたときの圧力タンクＣ３の内部の圧力変動が小さくて済む。従って、ノズル７２から出力されるターゲット２７の速度の変化が小さくなる。これにより、パルスレーザ光３３（図１参照）をターゲット２７に正確に照射することが可能となり得る。また、パルスレーザ光３３を照射するときのターゲット２７の位置の変動が小さくなる。従って、ＥＵＶ光の品質が安定する。

第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、配管Ｌ１に配置されたバルブＶ３をさらに備える。第１の実施形態においては、バルブＶ２が閉められている状態で（Ｓ１１、図５Ａ）、バルブＶ１が開けられて（Ｓ２１）、リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２にターゲット物質が供給される（Ｓ２２、図５Ｂ）。バルブＶ２が閉められているので、圧力タンクＣ３の内部の圧力を維持したままリザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２にターゲット物質を移動させることができる。
さらに、第１の実施形態においては、バルブＶ１が閉められ（Ｓ２３）、バルブＶ３が開けられてロードロック室Ｃ２に加圧ガスが供給される（Ｓ４１、図５Ｃ）。その後、バルブＶ２が開けられてロードロック室Ｃ２から圧力タンクＣ３にターゲット物質が供給される（Ｓ５２、図５Ｄ）。ロードロック室Ｃ２に加圧ガスを供給した後でバルブＶ２が開けられるので、圧力タンクＣ３の内部の圧力の変動を小さくすることができる。

第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、配管Ｌ１と配管Ｌ２とに加圧ガスを供給する共通の加圧ガス配管Ｌ０をさらに備える。配管Ｌ１と配管Ｌ２との両方に、共通の加圧ガス配管Ｌ０から加圧ガスが供給されるので、圧力タンクＣ３の内部の圧力と、ロードロック室Ｃ２に加圧ガスを供給したときのロードロック室Ｃ２の内部の圧力と、の差を小さくすることができる。
さらに、第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、ロードロック室Ｃ２と加圧ガス配管Ｌ０との間の配管Ｌ１に配置されたバルブＶ３と、圧力タンクＣ３と加圧ガス配管Ｌ０との間の配管Ｌ２に配置されたバルブＶ４と、を備える。第１の実施形態においては、バルブＶ２が閉められている状態で（Ｓ１１、図５Ａ）、バルブＶ１が開けられて（Ｓ２１）、リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２にターゲット物質が供給される（Ｓ２２、図５Ｂ）。さらに、第１の実施形態においては、バルブＶ１及びバルブＶ４が閉められ（Ｓ２３、Ｓ４１）、その後、バルブＶ３が開けられてロードロック室Ｃ２に加圧ガスが供給される（Ｓ４１、図５Ｃ）。その後、バルブＶ２が開けられてロードロック室Ｃ２から圧力タンクＣ３にターゲット物質が供給される（Ｓ５２、図５Ｄ）。配管Ｌ１と配管Ｌ２とが共通の加圧ガス配管Ｌ０に接続されている場合に、バルブＶ４を開けたままバルブＶ３を開けると、圧力タンクＣ３の内部のガスがバルブＶ４を通過し、さらにバルブＶ３を通過して、ロードロック室Ｃ２に流れ込むことにより、圧力タンクＣ３の内部の圧力が変動する可能性がある。バルブＶ４を閉めておくことにより、バルブＶ３を開けたときに圧力タンクＣ３の内部の圧力が変動することを抑制し得る。

加圧ガス配管Ｌ０、ガスボンベＧ１、及び圧力調節器６２は、配管Ｌ１と配管Ｌ２とに共通ではなく、別々に設けられてもよい。その場合は、Ｓ４１においてバルブＶ４を開けたままバルブＶ３を開けてもよい。

第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、配管Ｌ１に配置されたバルブＶ３と、ロードロック室Ｃ２の内部のガスを排気する排気ポンプ６３と、を備える。第１の実施形態においては、バルブＶ２が閉められている状態で（Ｓ１１、図５Ａ）、バルブＶ１が開けられて（Ｓ２１）、リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２にターゲット物質が供給される（Ｓ２２、図５Ｂ）。さらに、第１の実施形態においては、バルブＶ１が閉められ（Ｓ２３）、排気ポンプ６３によりロードロック室Ｃ２の内部のガスが排気される（Ｓ３１）。その後、バルブＶ３が開けられてロードロック室Ｃ２に加圧ガスが供給される（Ｓ４１、図５Ｃ）。その後、バルブＶ２が開けられてロードロック室Ｃ２から圧力タンクＣ３にターゲット物質が供給される（Ｓ５２、図５Ｄ）。これによれば、リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２に流れ込んだパージガスが、排気ポンプ６３により外部に排気される。従って、ガスボンベＧ２からリザーバタンクＣ１に供給されるパージガスの選択肢が広がる。すなわち、パージガスの一部が圧力タンクＣ３に流れることを考慮してパージガスとして希ガスを選択してもよいし、圧力タンクＣ３に流れるパージガスの量は十分に小さいとみなして、パージガスとして乾燥空気を選択してもよい。

第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、計量器６１をさらに備える。計量器６１は、リザーバタンクＣ１とバルブＶ１との間に配置され、リザーバタンクＣ１から供給されるターゲット物質を計量し、予め決められた量のターゲット物質を通過させた後、ターゲット物質の通過を止める。バルブＶ１は、計量器６１がターゲット物質を通過させる前に開けられ（Ｓ２１）、計量器６１を通過した予め決められた量のターゲット物質がバルブＶ１を通過した後で閉められる（Ｓ２３）。これによれば、バルブＶ１は、ターゲット物質の流れをせき止める機能を果たす必要がなくなるので、バルブＶ１は、リザーバタンクＣ１とロードロック室Ｃ２との間のガスの移動を規制する機能をよりよく発揮できる。また、計量器６１を通過した予め決められた量のターゲット物質がバルブＶ１を通過した後でバルブＶ１が閉められるので、バルブＶ１を閉めるときにバルブＶ１がターゲット物質を噛みこまないようにすることができる。

第１の実施形態によれば、リザーバタンクＣ１の内部の温度及びロードロック室Ｃ２の内部の温度は、ターゲット物質の融点より低く、圧力タンクＣ３の内部の温度は、ターゲット物質の融点より高い。これによれば、リザーバタンクＣ１の内部及びロードロック室Ｃ２の内部でのターゲット物質の取り扱いが容易となる。ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力とがほぼ同程度であっても、ロードロック室Ｃ２から圧力タンクＣ３にターゲット物質を円滑に供給できる。

第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、ロードロック室Ｃ２と圧力タンクＣ３との間に、バルブＶ２が配置された供給管４２をさらに備える。第１の実施形態において、配管Ｌ２は、バルブＶ２と圧力タンクＣ３との間の供給管４２に接続位置ＣＰで接続されることにより、圧力タンクＣ３に接続されている。この場合には、接続位置ＣＰと高温の圧力タンクＣ３との間に図示しない断熱機構を設けることができる。配管Ｌ２には断熱機構を設けないか、断熱性能以外の性能を重視した材料を選択することができる。

４．バイパス配管を備えたターゲット供給装置
第１の実施形態においては、ロードロック室Ｃ２に加圧ガスを供給する配管Ｌ１によって、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力とをほぼ同程度としたうえでバルブＶ２を開けている。しかし、バルブＶ２を開けるときに、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力とが完全には同一になっていない場合がある。例えば、ロードロック室Ｃ２の内部の温度が変化すると、ボイル・シャルルの法則により圧力が変化し、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力との間にわずかな差が生じる場合がある。
以下に説明する第２の実施形態においては、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力とをほぼ同一にできるように、バイパス配管Ｌ５を備えている。

４．１ 構成
図６は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置２６２の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６２は、バイパス配管Ｌ５、バルブＶ５、及び絞り部６５を含む。バルブＶ５は、本開示における第５のバルブに相当する。
バイパス配管Ｌ５は、バルブＶ２をバイパスしてロードロック室Ｃ２と圧力タンクＣ３とを接続する。例えば、バイパス配管Ｌ５は、配管Ｌ１におけるロードロック室Ｃ２とバルブＶ３との間の位置と、配管Ｌ２における接続位置ＣＰとバルブＶ４との間の位置と、の間に接続されている。
バイパス配管Ｌ５に、バルブＶ５及び絞り部６５が配置されている。絞り部６５は、例えば、開けた状態のバルブＶ５よりも圧力損失の大きいオリフィス又はベンチュリ管を含み、バイパス配管Ｌ５の流量を抑制する。絞り部６５は、本開示における流量抑制部に相当する。
他の点については、第２の実施形態の構成は第１の実施形態の構成と同様である。

４．２ 動作
図７は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置２６２の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ４２までの処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。但し、Ｓ１１においてはバルブＶ５も閉められている。第２の実施形態に係るターゲット供給装置２６２は、Ｓ４２において、バルブＶ３を閉め、バルブＶ４を開けた後、以下のように動作する。

Ｓ５１ａにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ５を開ける。これにより、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力との差に応じて、高圧側から低圧側に、加圧ガスがゆっくりと流れる。そして、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力とがほぼ同一になる。

ターゲット供給プロセッサ６０は、Ｓ５２においてバルブＶ２を開け、Ｓ５４においてバルブＶ２を閉める。この点は第１の実施形態と同様である。
Ｓ５５ａにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ５を閉める。
その後のＳ６１からＳ６３までの処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。

４．３ 作用
第２の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６２は、バルブＶ２をバイパスしてロードロック室Ｃ２と圧力タンクＣ３とを接続するバイパス配管Ｌ５をさらに備える。バイパス配管Ｌ５には、バルブＶ５と、バイパス配管Ｌ５の流量を抑制する絞り部６５と、が配置されている。ロードロック室Ｃ２の内部と圧力タンクＣ３の内部との間に圧力差があるときに、Ｓ５２でバルブＶ２を開けると圧力タンクＣ３の内部の圧力が急激に変化する可能性がある。第２の実施形態によれば、絞り部６５を含むバイパス配管Ｌ５がバルブＶ２をバイパスしているので、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力とをほぼ同一とすることができ、圧力タンクＣ３の内部の圧力が変化するとしても、その変化を緩やかにすることができる。これにより、ターゲット２７の速度の変化が緩やかになるので、ターゲット２７の速度の変化にパルスレーザ光３３（図１参照）の照射タイミングの制御が追いつくようにすることができる。

第２の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６２は、配管Ｌ１に配置されたバルブＶ３を備える。第２の実施形態においては、バルブＶ２が閉められている状態で（Ｓ１１、図５Ａ）、バルブＶ１が開けられて（Ｓ２１）、リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２にターゲット物質が供給される（Ｓ２２、図５Ｂ）。さらに、第２の実施形態においては、バルブＶ１が閉められ（Ｓ２３）、バルブＶ３が開けられてロードロック室Ｃ２に加圧ガスが供給される（Ｓ４１、図５Ｃ）。ここで、バルブＶ５が開けられることにより（Ｓ５１ａ）、ロードロック室Ｃ２の内部の圧力と圧力タンクＣ３の内部の圧力とがほぼ同一になる。その後、バルブＶ２が開けられるので（Ｓ５２、図５Ｄ）、圧力タンクＣ３の内部の圧力の変動を小さくすることができる。
他の点については、第２の実施形態の作用は第１の実施形態の作用と同様である。

５．ターゲット物質の移動を抑制する調整機構を備えたターゲット供給装置
以下に説明する第３の実施形態は、固体のターゲット物質によってバルブＶ２が損傷することを防止するために、調整機構６６を備えている。

５．１ 構成
図８は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６３の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６３は、ロードロック室Ｃ２に供給されたターゲット物質がバルブＶ２に到達することを抑制する調整機構６６を含む。

図９Ａ及び図９Ｂは、調整機構６６及びバルブＶ２の構成及び動作を示す。
調整機構６６は、受け板６６ａと、アクチュエータ６６ｂと、を含む。受け板６６ａは、ロードロック室Ｃ２の下端付近に位置する。アクチュエータ６６ｂは、受け板６６ａを移動させることにより、図９Ａに示される第１の状態と、図９Ｂに示される第２の状態とに、調整機構６６を切り替えられるように構成されている。

第１の状態において、受け板６６ａは、ロードロック室Ｃ２から供給管４２への接続部分を塞ぐように配置される。これにより、固体のターゲット物質がバルブＶ２に向けて移動することが抑制される。
第２の状態において、受け板６６ａは、ロードロック室Ｃ２から供給管４２への接続部分から離れた位置に配置される。これにより、固体のターゲット物質がバルブＶ２に向けて移動することが許容される。第２の状態は、さらに、固体のターゲット物質が受け板６６ａからバルブＶ２に向かって移動するように、アクチュエータ６６ｂが受け板６６ａを振動させたり、傾けたりしている状態を含んでもよい。
調整機構６６は、通常は第１の状態とされ、固体のターゲット物質をバルブＶ２に向けて移動させるときに、一時的に第２の状態とされる。

バルブＶ２は、例えば、ボール部Ｖ２ａとボディ部Ｖ２ｂとを含むボールバルブで構成される。ボール部Ｖ２ａがボディ部Ｖ２ｂの内部で矢印Ｒの向きに回転することにより、図９Ａに示される閉状態と、図９Ｂに示される開状態とに切り替えられる。

他の点については、第３の実施形態の構成は第２の実施形態の構成と同様である。
あるいは、第３の実施形態において、第１の実施形態と同様に、バイパス配管Ｌ５を含まない構成が採用されてもよい。

５．２ 動作
図１０は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６３の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ５２までの処理は、第２の実施形態において対応する処理と同様である。但し、Ｓ２２においてターゲット物質をロードロック室Ｃ２に供給するとき、調整機構６６は第１の状態となっており、固体のターゲット物質がバルブＶ２に到達することが抑制される（図９Ａ参照）。
第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６３は、Ｓ５２において、バルブＶ２を開けた後、以下のように動作する。

Ｓ５３ｂにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、調整機構６６を第１の状態から第２の状態とする（図９Ｂ参照）。Ｓ５２においてバルブＶ２が開けられているので、固体のターゲット物質はバルブＶ２によってせき止められることなくバルブＶ２を通過し、圧力タンクＣ３に供給される。

ターゲット供給プロセッサ６０は、Ｓ５４においてバルブＶ２を閉め、Ｓ５５ａにおいてバルブＶ５を閉める。この点は第２の実施形態と同様である。ロードロック室Ｃ２に収容された固体のターゲット物質のすべてがバルブＶ２を通過した後でバルブＶ２を閉めることにより、バルブＶ２を閉めるときにバルブＶ２が固体のターゲット物質を噛みこまないようにすることができる。
Ｓ５６ｂにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、調整機構６６を第２の状態から第１の状態とする。
その後のＳ６１からＳ６３までの処理は、第２の実施形態において対応する処理と同様である。

５．３ 作用
第３の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６３は、調整機構６６をさらに備える。調整機構６６は、第１の状態と第２の状態とに切り替えられる。図９Ａに示される第１の状態は、ロードロック室Ｃ２に供給されたターゲット物質がバルブＶ２に到達することを抑制する状態である。図９Ｂに示される第２の状態は、ロードロック室Ｃ２に供給されたターゲット物質がバルブＶ２に到達することを許容する状態である。これによれば、ターゲット物質を受け止めてターゲット物質の通過を規制する機能を調整機構６６が担うことができる。バルブＶ２はターゲット物質を受け止める必要がなくなるので、バルブＶ２は、ロードロック室Ｃ２と圧力タンクＣ３との間のガスの移動を規制する機能をよりよく発揮できる。

第３の実施形態によれば、バルブＶ２はボールバルブで構成される。第３の実施形態において、バルブＶ２が閉められ、調整機構６６が第１の状態であるときに、バルブＶ１が開けられ（Ｓ２１）、ターゲット物質がロードロック室Ｃ２に供給される。一方、バルブＶ１が閉められ、バルブＶ２が開けられているときに、調整機構６６が第２の状態とされる（Ｓ５３ｂ）。これによれば、ターゲット物質がロードロック室Ｃ２に供給されるときには調整機構６６が第１の状態とされているので、ボールバルブを構成するボール部Ｖ２ａにターゲット物質が当たってボール部Ｖ２ａの表面が損傷することを防止できる。ボール部Ｖ２ａの表面はボールバルブのシール面として機能するので、ボール部Ｖ２ａの表面を保護することにより、ボールバルブの寿命低下が抑制される。
他の点については、第３の実施形態の作用は第２の実施形態の作用と同様である。

６．圧力タンクＣ３の液面を計測してターゲット物質を補充するターゲット供給装置
以下に説明する第４の実施形態は、圧力タンクＣ３内のターゲット物質の液面が第１液面より低くなったらターゲット物質を補充するように構成されている。

６．１ 構成
図１１は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置２６４の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６４は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する液面センサ７３を含む。液面センサ７３は、例えば、ターゲット物質との接触の有無を検出するセンサでもよい。液面センサ７３の先端がターゲット物質と接触していたら、ターゲット物質の液面が第１液面以上の高さであること、すなわち、ターゲット物質の量が第１の値以上であることが検出できる。液面センサ７３の先端がターゲット物質と接触していなかったら、ターゲット物質の液面が第１液面より低いこと、すなわち、ターゲット物質の量が第１の値より少ないことが検出できる。

他の点については、第４の実施形態の構成は第３の実施形態の構成と同様である。
あるいは、第４の実施形態において、第１の実施形態と同様に、バイパス配管Ｌ５を含まない構成が採用されてもよい。
あるいは、第４の実施形態において、第２の実施形態と同様に、調整機構６６を含まない構成が採用されてもよい。

６．２ 動作
図１２は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置２６４の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ１３まで、及びＳ２１からＳ６３までの処理は、第３の実施形態において対応する処理と同様である。第４の実施形態においては、Ｓ１４の代わりに、Ｓ１４ｃの処理が行われる。

Ｓ１４ｃにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力タンクＣ３内の液面が第１液面より低くなるまで待機し、液面が第１液面より低くなったら次に進む。その後、Ｓ２１以降の処理においてターゲット物質の補充が行われる。

６．３ 作用
第４の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６４は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する液面センサ７３をさらに備える。圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値より少ないことを液面センサ７３の出力が示す場合に、バルブＶ１が開けられ、リザーバタンクＣ１から圧力タンクＣ３にターゲット物質が補充される。これによれば、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値以上である場合にはターゲット物質の補充が行われないようにして、圧力タンクＣ３からターゲット物質があふれることを防止できる。
他の点については、第４の実施形態の作用は第３の実施形態の作用と同様である。

７．圧力タンクＣ３の重さを計測してターゲット物質を補充するターゲット供給装置
以下に説明する第５の実施形態は、圧力タンクＣ３が第１の重さより軽くなったらターゲット物質を補充するように構成されている。

７．１ 構成
図１３は、第５の実施形態に係るターゲット供給装置２６５の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６５は、圧力タンクＣ３の重さを計測することにより圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する重量センサ７５を含む。重量センサ７５は、圧力タンクＣ３の重力方向の下端に配置される。重量センサ７５は、例えば、歪みゲージの出力によって圧力タンクＣ３の重さを計測するセンサでもよい。

他の点については、第５の実施形態の構成は第３の実施形態の構成と同様である。
あるいは、第５の実施形態において、第１の実施形態と同様に、バイパス配管Ｌ５を含まない構成が採用されてもよい。
あるいは、第５の実施形態において、第２の実施形態と同様に、調整機構６６を含まない構成が採用されてもよい。

７．２ 動作
図１４は、第５の実施形態に係るターゲット供給装置２６５の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ１３まで、及びＳ２１からＳ６３までの処理は、第３の実施形態において対応する処理と同様である。第５の実施形態においては、Ｓ１４の代わりに、Ｓ１４ｄの処理が行われる。

Ｓ１４ｄにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力タンクＣ３の重さが第１の重さより軽くなるまで待機し、重さが第１の重さより軽くなったら次に進む。その後、Ｓ２１以降の処理においてターゲット物質の補充が行われる。

７．３ 作用
第５の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６５は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する重量センサ７５などのセンサをさらに備える。圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値より少ないことをセンサの出力が示す場合、例えば、圧力タンクＣ３の重さが第１の重さより軽いことを重量センサ７５の出力が示す場合に、バルブＶ１が開けられ、リザーバタンクＣ１から圧力タンクＣ３にターゲット物質が補充される。これによれば、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値以上である場合にはターゲット物質の補充が行われないようにして、圧力タンクＣ３からターゲット物質があふれることを防止できる。
他の点については、第５の実施形態の作用は第３の実施形態の作用と同様である。

８．出力されたターゲット物質の量を計測してターゲット物質を補充するターゲット供給装置
以下に説明する第６の実施形態は、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量が第１の量以上になったらターゲット物質を補充するように構成されている。

８．１ 構成
図１５は、第６の実施形態に係るターゲット供給装置２６６の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６６は、ノズル７２から出力されたターゲット２７の数をカウントするためのターゲットセンサ７７を含む。ターゲットセンサ７７は、光源７６とともに用いられる。

光源７６は、ターゲット２７の軌道に向けて照明光７６ａを出力する。ターゲット２７は、照明光７６ａの光路を通過するときに、照明光７６ａの一部を遮り、又は照明光７６ａの一部を反射する。

ターゲットセンサ７７は、例えば、図示しないイメージセンサと、ターゲット２７の軌道に位置する物体の像をイメージセンサの受光面に結像する図示しない光学系と、を含む。ターゲットセンサ７７は、照明光７６ａのうちのターゲット２７によって遮られた部分以外の光、又は、ターゲット２７によって反射された光の一部を受光し、その光の強度分布の変化を検出することにより、ターゲット２７を検出する。

ターゲット供給プロセッサ６０は、ターゲットセンサ７７から出力された信号に基づいて、照明光７６ａの光路を通過したターゲット２７の数をカウントする。ノズル７２から出力されたターゲット物質の量は、ターゲット２７の数と、１つのターゲット２７の体積とを乗算したものでよい。これにより、ターゲット供給プロセッサ６０は、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量を計測することができる。

他の点については、第６の実施形態の構成は第３の実施形態の構成と同様である。
あるいは、第６の実施形態において、第１の実施形態と同様に、バイパス配管Ｌ５を含まない構成が採用されてもよい。
あるいは、第６の実施形態において、第２の実施形態と同様に、調整機構６６を含まない構成が採用されてもよい。

８．２ 動作
図１６は、第６の実施形態に係るターゲット供給装置２６６の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ１３まで、及びＳ２１からＳ６３までの処理は、第３の実施形態において対応する処理と同様である。第６の実施形態においては、Ｓ１４の代わりに、Ｓ１４ｅの処理が行われる。

Ｓ１４ｅにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量が第１の量以上になるまで待機し、出力されたターゲット物質の量が第１の量以上になったら次に進む。その後、Ｓ２１以降の処理においてターゲット物質の補充が行われる。

８．３ 作用
第６の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６６は、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量を計測するターゲットセンサ７７をさらに備える。ノズル７２から出力されたターゲット物質の量が第１の量以上であることをターゲットセンサ７７の出力が示す場合に、バルブＶ１が開けられ、リザーバタンクＣ１から圧力タンクＣ３にターゲット物質が補充される。これによれば、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量が第１の量未満である場合にはターゲット物質の補充が行われないようにして、圧力タンクＣ３からターゲット物質があふれることを防止できる。
他の点については、第６の実施形態の作用は第３の実施形態の作用と同様である。

９．圧力タンクＣ３の液面が第２液面以上になったらターゲット物質の補充を中止するターゲット供給装置
以下に説明する第７の実施形態は、圧力タンクＣ３内のターゲット物質の液面が第２液面以上の高さになったらターゲット物質の補充を中止するように構成されている。

９．１ 構成
図１７は、第７の実施形態に係るターゲット供給装置２６７の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６７は、液面センサ７３の他に、液面センサ７４を含む。液面センサ７４は、ターゲット物質の液面の高さが第１液面よりも高い第２液面以上であるか否かを検出する点で、液面センサ７３と異なる。他の点については、液面センサ７４の構成は液面センサ７３の構成と同様である。

他の点については、第７の実施形態の構成は第４の実施形態の構成と同様である。
あるいは、第７の実施形態において、第１の実施形態と同様に、バイパス配管Ｌ５を含まない構成が採用されてもよい。
あるいは、第７の実施形態において、第２の実施形態と同様に、調整機構６６を含まない構成が採用されてもよい。

９．２ 動作
図１８Ａは、第７の実施形態に係るターゲット供給装置２６７がターゲット２７の供給を開始した後の動作手順を示すフローチャートである。
なお、以下の説明において、第１液面を第１液面ＬＬとし、第２液面を第２液面ＨＬとする。

Ｓ１０において、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力タンクＣ３内の液面が第１液面ＬＬより低くなったか否かを判定する。液面が第１液面ＬＬより低くなった場合（Ｓ１０：ＹＥＳ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、処理をＳ２０に進める。液面が第１液面ＬＬ以上である場合（Ｓ１０：ＮＯ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、液面が第１液面ＬＬより低くなるまでターゲット物質の補充を行わずに待機する。この処理は、図１２（第４の実施形態）のＳ１４ｃと同様である。

Ｓ２０において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を開け、リザーバタンクＣ１からロードロック室Ｃ２内にターゲット物質を供給する。この処理は、図１２のＳ２１及びＳ２２と同様である。その後、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を閉める。

Ｓ４０において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ３を開けることにより、ロードロック室Ｃ２内に加圧ガスを供給する。この処理は、図１２のＳ４１と同様である。その後、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ３を閉める。

Ｓ５０において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を開け、調整機構６６を第２の状態とすることにより、ロードロック室Ｃ２から圧力タンクＣ３内にターゲット物質を供給する。この処理は、図１２のＳ５２及びＳ５３ｂと同様である。その後、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を閉める。

Ｓ６０において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ７を開けることにより、ロードロック室Ｃ２内を大気圧に近い圧力にする。この処理は、図１２のＳ６１と同様である。その後、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ７を閉める。

Ｓ７０において、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力タンクＣ３内の液面が第２液面ＨＬ以上になったか否かを判定する。
液面が第２液面ＨＬ以上になった場合（Ｓ７０：ＹＥＳ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、処理をＳ１０に戻して、液面が第１液面ＬＬより低くなるまでターゲット物質の補充を行わずに待機する。
液面が第２液面ＨＬより低い場合（Ｓ７０：ＮＯ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、処理をＳ２０に戻して、さらにターゲット物質を補充する。

図１８Ｂは、第７の実施形態における圧力タンクＣ３の内部における液面の変化の一例を示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸は液面位置を示す。ＥＵＶ光生成装置１によってＥＵＶ光を生成するためにターゲット２７を出力すると、圧力タンクＣ３の内部の液面が徐々に低下する。液面が低下する速さは、ＥＵＶ光生成装置１の稼働率や運転条件によって変わる。第７の実施形態においては、経過した時間にかかわらず、液面が第１液面ＬＬより低くなった場合に（Ｓ１０：ＹＥＳ）、ターゲット物質が補充される。ターゲット物質が補充されて液面が第２液面ＨＬ以上の高さになった場合に（Ｓ７０：ＹＥＳ）、再度液面が第１液面ＬＬより低くなるまで、ターゲット物質の補充が中止される。

９．３ 作用
第７の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６７は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する液面センサ７４をさらに備える。第７の実施形態において、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の液面が第２液面ＨＬ以上の高さであることを液面センサ７４の出力が示す場合には、バルブＶ１を閉めたまま、ターゲット物質を補充せずに待機する。これによれば、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第２の値以上である場合にはターゲット物質の補充を行わないことにより、圧力タンクＣ３からターゲット物質があふれることを防止できる。

第７の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６７は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の液面が第２液面ＨＬ以上の高さであることを液面センサ７４の出力が示した後、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の液面が第２液面ＨＬより低い第１液面ＬＬよりさらに低いことを液面センサ７３の出力が示した場合に、バルブＶ１が開けられて、ターゲット物質が補充される。これによれば、ターゲット物質の液面が低下する速さにかかわらず、第１液面ＬＬ付近の液面と第２液面ＨＬ付近の液面との間で液面の上昇及び下降を繰り返すことができる。

他の点については、第７の実施形態の作用は第４の実施形態の作用と同様である。
あるいは、第７の実施形態は、Ｓ１０において、圧力タンクＣ３内の液面が第１液面ＬＬより低くなったか否かを判定する代わりに、第５の実施形態と同様に、圧力タンクＣ３の重さが第１の重さより軽くなったか否かを判定するものでもよい。Ｓ７０において、圧力タンクＣ３内の液面が第２液面ＨＬ以上の高さであることを検出する代わりに、圧力タンクＣ３の重さが第１の重さより重い第２の重さ以上になったか否かを判定してもよい。
あるいは、第７の実施形態は、Ｓ１０において、圧力タンクＣ３内の液面が第１液面ＬＬより低くなったか否かを判定する代わりに、第６の実施形態と同様に、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量が第１の量以上になったか否かを判定するものでもよい。

１０．圧力タンクＣ３の液面が第２液面以上になったらターゲット物質の補充を一定時間中止するターゲット供給装置
以下に説明する第８の実施形態は、圧力タンクＣ３内のターゲット物質の液面が第２液面ＨＬ以上の高さになったら、ターゲット物質の補充を一定時間中止するように構成されている。
第８の実施形態の構成は、第７の実施形態の構成と同様である。但し、第８の実施形態においては、第１液面ＬＬを検出する液面センサ７３が設けられなくてもよい。

１０．１ 動作
図１９Ａは、第８の実施形態に係るターゲット供給装置２６７がターゲット２７の供給を開始した後の動作手順を示すフローチャートである。
Ｓ１０ａにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、一定時間Ｔが経過したか否かを判定する。一定時間Ｔが経過した場合（Ｓ１０ａ：ＹＥＳ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、処理をＳ２０に進める。一定時間Ｔが経過していない場合（Ｓ１０ａ：ＮＯ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、一定時間Ｔが経過するまでターゲット物質の補充を行わずに待機する。この処理は、図１０のＳ１４と同様である。

その後のＳ２０〜Ｓ７０の処理は、図１８Ａにおいて対応する処理と同様である。これにより、リザーバタンクＣ１から圧力タンクＣ３にターゲット物質が補充され、Ｓ７０において、圧力タンクＣ３内の液面が第２液面ＨＬ以上の高さになったか否かが判定される。
液面が第２液面ＨＬ以上の高さになった場合（Ｓ７０：ＹＥＳ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、処理をＳ１０ａに戻して、一定時間Ｔが経過するまでターゲット物質の補充を中止する。
液面が第２液面ＨＬより低い場合（Ｓ７０：ＮＯ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、処理をＳ２０に戻して、さらにターゲット物質を補充する。

図１９Ｂは、第８の実施形態における圧力タンクＣ３の内部における液面の変化の一例を示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸は液面位置を示す。ＥＵＶ光生成装置１によってＥＵＶ光を生成するためにターゲット２７を出力すると、圧力タンクＣ３の内部の液面が徐々に低下する。液面が低下する速さは、ＥＵＶ光生成装置１の稼働率や運転条件によって変わる。第８の実施形態においては、液面が低下する速さにかかわらず、液面が第２液面ＨＬ以上の高さになってから一定時間Ｔが経過した場合に（Ｓ１０ａ：ＹＥＳ）、ターゲット物質が補充される。ターゲット物質が補充されて液面が第２液面ＨＬ以上の高さになった場合に（Ｓ７０：ＹＥＳ）、再度一定時間Ｔが経過するまで、ターゲット物質の補充が中止される。
他の点については、第８の実施形態の動作は第７の実施形態の動作と同様である。

１０．２ 作用
第８の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６７は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の液面が第２液面ＨＬ以上の高さであることを液面センサ７４の出力が示した後、一定時間Ｔが経過した場合に、バルブＶ１が開けられて、ターゲット物質が補充される。これによれば、第１液面ＬＬを検出する液面センサ７３を設けなくても、一定時間Ｔの経過ごとにターゲット物質の補充を行うことができる。

他の点については、第８の実施形態の作用は第７の実施形態の作用と同様である。
あるいは、第８の実施形態は、Ｓ７０において、圧力タンクＣ３内の液面が第２液面ＨＬ以上の高さであることを検出する代わりに、圧力タンクＣ３の重さが第２の重さ以上になったか否かを判定してもよい。

１１．圧力タンクＣ３の液面が第２液面より低くなったら一定時間の計測を開始するターゲット供給装置
以下に説明する第９の実施形態は、圧力タンクＣ３内のターゲット物質の液面が第２液面ＨＬ以上の高さになった後、第２液面ＨＬより低くなったら一定時間Ｔの計測を開始するように構成されている。
第９の実施形態の構成は、第７の実施形態の構成と同様である。但し、第９の実施形態においては、第１液面ＬＬを検出する液面センサ７３が設けられなくてもよい。

１１．１ 動作
図２０Ａは、第９の実施形態に係るターゲット供給装置２６７がターゲット２７の供給を開始した後の動作手順を示すフローチャートである。
Ｓ１０ａ〜Ｓ７０の処理は、図１９Ａにおいて対応する処理と同様である。これにより、リザーバタンクＣ１から圧力タンクＣ３にターゲット物質が補充され、Ｓ７０において、圧力タンクＣ３内の液面が第２液面ＨＬ以上の高さになったか否かが判定される。
液面が第２液面ＨＬ以上の高さになった後（Ｓ７０：ＹＥＳ）、液面が第２液面ＨＬより低くなった場合（Ｓ８０ａ：ＹＥＳ）、ターゲット供給プロセッサ６０は、処理をＳ１０ａに戻して、一定時間Ｔが経過するまでターゲット物質の補充を中止する。
液面が第２液面ＨＬ以上の高さである場合（Ｓ７０：ＹＥＳ、Ｓ８０ａ：ＮＯ）、液面が第２液面ＨＬより低くなるまで一定時間Ｔの計測を開始せずに待機する。

図２０Ｂは、第９の実施形態における圧力タンクＣ３の内部における液面の変化の一例を示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸は液面位置を示す。ＥＵＶ光生成装置１によってＥＵＶ光を生成するためにターゲット２７を出力すると、圧力タンクＣ３の内部の液面が徐々に低下する。液面が低下する速さは、ＥＵＶ光生成装置１の稼働率や運転条件によって変わる。第９の実施形態においては、液面が低下する速さにかかわらず、液面が第２液面ＨＬより低くなってから一定時間Ｔが経過した場合に（Ｓ１０ａ：ＹＥＳ）、ターゲット物質が補充される。ターゲット物質が補充されて液面が第２液面ＨＬ以上の高さになった場合に（Ｓ７０：ＹＥＳ）、再度液面が第２液面ＨＬより低くなってから一定時間Ｔが経過するまでターゲット物質の補充が中止される。

リザーバタンクＣ１から圧力タンクＣ３に補充されるターゲット物質の量は計量器６１によって計量される一定値であるため、ターゲット物質の補充による液面の上昇幅ΔＬは、毎回ほぼ一定である。しかし、補充開始時の液面の高さにはばらつきがあるため、補充終了時の液面の高さにもばらつきがある。液面が第２液面ＨＬより低くなった時に一定時間Ｔの計測を開始することにより、次回の補充開始時の液面の高さのばらつきを低減し得る。
他の点については、第９の実施形態の動作は第８の実施形態の動作と同様である。

１１．２ 作用
第９の実施形態によれば、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の液面が第２液面ＨＬ以上の高さとなり、その後、第２液面ＨＬより低くなったことを液面センサ７４の出力が示した後、一定時間Ｔが経過した場合に、バルブＶ１が開けられて、ターゲット物質が補充される。これによれば、補充終了時の液面の高さにばらつきがあっても、次回の補充開始時の液面の高さのばらつきを低減し得る。

他の点については、第９の実施形態の作用は第８の実施形態の作用と同様である。
あるいは、第９の実施形態は、Ｓ７０において、圧力タンクＣ３内の液面が第２液面ＨＬ以上の高さであることを検出する代わりに、圧力タンクＣ３の重さが第２の重さ以上になったか否かを判定してもよい。また、Ｓ８０ａにおいて、圧力タンクＣ３内の液面が第２液面ＨＬより低くなったことを検出する代わりに、圧力タンクＣ３の重さが第２の重さより軽くなったか否かを判定してもよい。

１２．その他
図２１は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置６の構成を概略的に示す。
図２１において、露光装置６は、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。

本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. ターゲット物質を収容する第１の容器と、
   前記第１の容器から供給されるターゲット物質を収容する第２の容器と、
   前記第１の容器と前記第２の容器との間に配置された第１のバルブと、
   前記第２の容器に接続され、前記第２の容器に加圧ガスを供給する第１の配管と、
   前記第２の容器から供給されるターゲット物質を収容する第３の容器と、
   前記第２の容器と前記第３の容器との間に配置された第２のバルブと、
   前記第３の容器に接続され、前記第３の容器に加圧ガスを供給する第２の配管と、
   前記第３の容器から供給されるターゲット物質を出力するノズルと、
   を備える、ターゲット供給装置。
2. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記第１の配管に配置された第３のバルブと、
   プロセッサと、
   をさらに備え、前記プロセッサは、
   前記第２のバルブが閉められている状態で、前記第１のバルブが開けられて、前記第１の容器から前記第２の容器にターゲット物質が供給され、
   前記第１のバルブが閉められ、前記第３のバルブが開けられて、前記第２の容器に加圧ガスが供給され、その後、前記第２のバルブが開けられて、前記第２の容器から前記第３の容器にターゲット物質が供給される
   ように前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、及び前記第３のバルブを制御する
   ターゲット供給装置。
3. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記第１の配管と前記第２の配管とに加圧ガスを供給する共通の加圧ガス配管と、
   前記第２の容器と前記加圧ガス配管との間の前記第１の配管に配置された第３のバルブと、
   前記第３の容器と前記加圧ガス配管との間の前記第２の配管に配置された第４のバルブと、
   プロセッサと、
   をさらに備え、前記プロセッサは、
   前記第２のバルブが閉められている状態で、前記第１のバルブが開けられて、前記第１の容器から前記第２の容器にターゲット物質が供給され、
   前記第１のバルブ及び前記第４のバルブが閉められ、その後、前記第３のバルブが開けられて、前記第２の容器に加圧ガスが供給され、その後、前記第２のバルブが開けられて、前記第２の容器から前記第３の容器にターゲット物質が供給される
   ように前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、前記第３のバルブ、及び前記第４のバルブを制御する
   ターゲット供給装置。
4. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記第１の配管に配置された第３のバルブと、
   前記第２の容器の内部のガスを排気する排気ポンプと、
   プロセッサと、
   をさらに備え、前記プロセッサは、
   前記第２のバルブが閉められている状態で、前記第１のバルブが開けられて、前記第１の容器から前記第２の容器にターゲット物質が供給され、
   前記第１のバルブが閉められ、前記排気ポンプにより前記第２の容器の内部のガスが排気され、その後、前記第３のバルブが開けられて、前記第２の容器に加圧ガスが供給され、その後、前記第２のバルブが開けられて、前記第２の容器から前記第３の容器にターゲット物質が供給される
   ように前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、前記第３のバルブ、及び前記排気ポンプを制御する
   ターゲット供給装置。
5. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記第１の容器と前記第１のバルブとの間に配置され、前記第１の容器から供給されるターゲット物質を計量する計量器と、
   プロセッサと、
   をさらに備え、前記プロセッサは、
   予め決められた量のターゲット物質を通過させた後、ターゲット物質の通過を止めるように、前記計量器を制御し、
   前記計量器がターゲット物質を通過させる前に前記第１のバルブが開けられ、前記計量器を通過した予め決められた量のターゲット物質が前記第１のバルブを通過した後で前記第１のバルブが閉められるように、前記第１のバルブを制御する
   ターゲット供給装置。
6. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記第１の容器の内部の温度及び前記第２の容器の内部の温度は、ターゲット物質の融点より低く、
   前記第３の容器の内部の温度は、ターゲット物質の融点より高い
   ターゲット供給装置。
7. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記第２の容器と前記第３の容器との間に、前記第２のバルブが配置された供給管をさらに備え、
   前記第２の配管は、前記第２のバルブと前記第３の容器との間の前記供給管に接続されることにより、前記第３の容器に接続された
   ターゲット供給装置。
8. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
   前記第２のバルブをバイパスして前記第２の容器と前記第３の容器とを接続するバイパス配管と、
   前記バイパス配管に配置された第５のバルブと、
   前記バイパス配管の流量を抑制する流量抑制部と、
   をさらに備える、ターゲット供給装置。
9. 請求項８に記載のターゲット供給装置であって、
   前記第１の配管に配置された第３のバルブと、
   プロセッサと、
   をさらに備え、前記プロセッサは、
   前記第２のバルブが閉められている状態で、前記第１のバルブが開けられて、前記第１の容器から前記第２の容器にターゲット物質が供給され、
   前記第１のバルブが閉められ、前記第３のバルブが開けられて、前記第２の容器に加圧ガスが供給され、前記第５のバルブが開けられ、その後、前記第２のバルブが開けられて、前記第２の容器から前記第３の容器にターゲット物質が供給される
   ように前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、前記第３のバルブ、及び前記第５のバルブを制御する
   ターゲット供給装置。
10. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記第２の容器に供給されたターゲット物質が前記第２のバルブに到達することを抑制する第１の状態と、
    前記第２の容器に供給されたターゲット物質が前記第２のバルブに到達することを許容する第２の状態と、
    の間で切り替えられる調整機構をさらに備えた
    ターゲット供給装置。
11. 請求項１０に記載のターゲット供給装置であって、
    プロセッサをさらに備え、
    前記第２のバルブはボールバルブであり、
    前記プロセッサは、
    前記第２のバルブが閉められ、前記調整機構が前記第１の状態であるときに、前記第１のバルブが開けられ、
    前記第１のバルブが閉められ、前記第２のバルブが開けられているときに、前記調整機構が前記第２の状態とされる
    ように前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、及び前記調整機構を制御する、
    ターゲット供給装置。
12. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記第３の容器の内部のターゲット物質の量を検出するセンサと、
    プロセッサと、
    をさらに備え、前記プロセッサは、
    前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が第１の値より少ないことを前記センサの出力が示す場合に、前記第１のバルブが開けられるように前記第１のバルブを制御する
    ターゲット供給装置。
13. 請求項１２に記載のターゲット供給装置であって、
    前記センサは、液面センサ及び重量センサのうちの１つである、
    ターゲット供給装置。
14. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記ノズルから出力されたターゲット物質の量を計測するターゲットセンサと、
    プロセッサと、
    をさらに備え、前記プロセッサは、
    前記ノズルから出力されたターゲット物質の量が第１の量以上であることを前記ターゲットセンサの出力が示す場合に、前記第１のバルブが開けられるように前記第１のバルブを制御する
    ターゲット供給装置。
15. 請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    前記第３の容器の内部のターゲット物質の量を検出するセンサと、
    プロセッサと、
    をさらに備え、前記プロセッサは、
    前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が第２の値以上であることを前記センサの出力が示す場合に、前記第１のバルブが閉められたまま待機するように前記第１のバルブを制御する
    ターゲット供給装置。
16. 請求項１５に記載のターゲット供給装置であって、
    前記プロセッサは、
    前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が前記第２の値以上であることを前記センサの出力が示した後、前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が前記第２の値より小さい第１の値より少ないことを前記センサの出力が示した場合に、前記第１のバルブが開けられるように前記第１のバルブを制御する
    ターゲット供給装置。
17. 請求項１５に記載のターゲット供給装置であって、
    前記プロセッサは、
    前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が前記第２の値以上であることを前記センサの出力が示した後、一定時間が経過した場合に、前記第１のバルブが開けられるように前記第１のバルブを制御する
    ターゲット供給装置。
18. 請求項１５に記載のターゲット供給装置であって、
    前記プロセッサは、
    前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が前記第２の値以上となり、その後、前記第２の値より少なくなったことを前記センサの出力が示した後、一定時間が経過した場合に、前記第１のバルブが開けられるように前記第１のバルブを制御する
    ターゲット供給装置。
19. 極端紫外光生成装置におけるターゲット供給方法であって、
    ターゲット物質を収容する第１の容器と、
    前記第１の容器から供給されるターゲット物質を収容する第２の容器と、
    前記第１の容器と前記第２の容器との間に配置された第１のバルブと、
    前記第２の容器に接続され、前記第２の容器に加圧ガスを供給する第１の配管と、
    前記第２の容器から供給されるターゲット物質を収容する第３の容器と、
    前記第２の容器と前記第３の容器との間に配置された第２のバルブと、
    前記第３の容器に接続され、前記第３の容器に加圧ガスを供給する第２の配管と、
    前記第３の容器から供給されるターゲット物質を出力するノズルと、
    を備えるターゲット供給装置を用いて、
    前記第２のバルブが閉められている状態で、前記第１のバルブを開けて、前記第１の容器から前記第２の容器にターゲット物質を供給し、
    前記第１のバルブを閉め、前記第２の容器に加圧ガスを供給し、その後、前記第２のバルブを開けて、前記第２の容器から前記第３の容器にターゲット物質を供給する
    ことを含む、ターゲット供給方法。
20. 電子デバイスの製造方法であって、
    ターゲット物質を収容する第１の容器と、
    前記第１の容器から供給されるターゲット物質を収容する第２の容器と、
    前記第１の容器と前記第２の容器との間に配置された第１のバルブと、
    前記第２の容器に接続され、前記第２の容器に加圧ガスを供給する第１の配管と、
    前記第２の容器から供給されるターゲット物質を収容する第３の容器と、
    前記第２の容器と前記第３の容器との間に配置された第２のバルブと、
    前記第３の容器に接続され、前記第３の容器に加圧ガスを供給する第２の配管と、
    前記第３の容器から供給されるターゲット物質を出力するノズルと、
    を備えるターゲット供給装置と、
    前記ターゲット供給装置から所定領域に出力されたターゲット物質にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
    を備える極端紫外光生成装置において、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。

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