JP3791441B2 - 極端紫外光発生装置 - Google Patents

極端紫外光発生装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3791441B2
JP3791441B2 JP2002087935A JP2002087935A JP3791441B2 JP 3791441 B2 JP3791441 B2 JP 3791441B2 JP 2002087935 A JP2002087935 A JP 2002087935A JP 2002087935 A JP2002087935 A JP 2002087935A JP 3791441 B2 JP3791441 B2 JP 3791441B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
extreme ultraviolet
ultraviolet light
mirror
light source
reflected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002087935A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003282424A (ja
Inventor
満 池内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP2002087935A priority Critical patent/JP3791441B2/ja
Publication of JP2003282424A publication Critical patent/JP2003282424A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3791441B2 publication Critical patent/JP3791441B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体露光用装置の光源に利用される極端紫外光発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
微細なパターンを有する半導体集積回路などを製造する方法として縮小露光装置がある。従来から、X線縮小露光装置が用いられており、例えば、特開平9−115813号公報には、X線発生装置を用いた露光装置が開示されている。
上記露光装置は、X線発生源、照明光学系、マスク、ウエハ等の全体を真空容器に収納して真空に保ち、X線源発生源から回路パターンが形成されたマスクにX線を照射して、マスクの像をウエハに縮小投影し、その表面のレジストを露光してパターンを転写するものである。
近年の半導体集積回路の微細化に伴ない、より短波長の光が必要とされており、光源として、KrFレーザー(248nm)からArFレーザー(193nm)と短波長光源の開発がなされている。
そして、Siデバイスの最後のリソグラフィといわれる50nm技術のEUVリソグラフィの技術が開発されている。
【0003】
このEUVリソグラフィに用いられる光源としては、波長が10〜13nm程度の極端紫外光を放射するものである。
このような、波長が10nm〜13nm程度の極端紫外光を発生させる方式の一つとして、放電プラズマを利用したものが知られている。
その一つとして、特開2001−42098号公報にはプラズマフォーカス式の極端紫外光源が記載されており、また、他の技術として米国特許第6188076号明細書、WO01/97575明細書にはキャピラリ放電を利用した極端紫外光源が開示されている。これらはいずれも、放電によって高温高密度のプラズマを生成することによって極端紫外光を発生させるものである。
【0004】
上記極端紫外光源を用いた半導体露光装置は、図7の概略図に示すように、キャピラリ放電等を利用した極端紫外光源1、反射面に多層膜が設けられた集光鏡2、反射型マスク3、投影光学系4、ウエハ5等を真空容器中に収納したものであり、極端紫外光源1から放出される極端紫外光を集光鏡2で集光して、反射型マスク3に照射し、マスク3の反射光を投影光学系4を介して、ウエハ5の表面に縮小投影する。
【0005】
図8は上記キャピラリ放電を利用した極端紫外光源の構成例を示す図であり、同図は極端紫外光源から放出される極端紫外光の光軸を通る平面で切った断面図を示している。
同図に示すように、例えばタングステン製の第1の電極11(高圧側電極)、第2の電極12(接地側電極)の間に、キャピラリー構造体21が設けられる。キャピラリ構造体21は例えば窒化ケイ素からなる円柱状の絶縁体であり、中心に直径3mmのキャピラリ211を有する。
第1,2の電極11,12には、電気導入線31,32を介して電源(図示せず)が電気的に接続され、該電源から第1、第2の電極11,12間にパルス的に高電圧が印加される。第2の電極は、通常接地され、第1の電極にパルス的に例えば負の高電圧を印加する。以下では、第1の電極を高圧側電極、第2の電極を接地側電極という。
上記高圧側電極、接地側電極11,12は、それぞれ貫通孔111,121を備え、これらの貫通孔111,121と、前記キャピラリ構造体21のキャピラリ211は同軸上に配置され連通している。
【0006】
上記高圧側電極11には絶縁板73に取り付けられ、絶縁板73は仕切り円筒71に固定され、さらに仕切り円筒71は底板72に固定されており、高圧側電極11および絶縁板73、仕切り円筒71、底板72により閉空間Saを構成する。
上記底板72には、上記電気導入線31,32が貫通する貫通孔、および上記閉空間Saにガスを導入するガス導入口41、排気口42が設けられ、ガス導入口41から作動ガス、例えばキセノン(Xe)ガスを導入し、排気口42から排出することにより、上記閉空間Sa内の圧力が適当な値になるように制御される。
また、上記底板72は、外囲円筒81と気密に接合され、外部と遮断した空間Sbを形成している。外囲円筒81には排気口82が設けられる。
空間Sa内の作動ガスは、電極11,12に形成された貫通孔111,121、キャピラリ211を介して空間Sbに流出し、上記排気口82から排気される。上記排気口82からの排気量を充分に大きくすることにより、空間Sb内は高真空状態に保たれる。
【0007】
図8において、上記貫通孔111,121、キャピラリ211に作動ガスを流しながら、高圧側電極11、接地側電極12にパルス的に高電圧を印加すると、キャピラリ211内部でガス放電が生じ、高温プラズマが形成される。これにより、波長が10〜13nmの極端紫外光が発生し、この極端紫外光は、真空に保持された空間Sbへ放射される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
極端紫外光源は、上記のようにパルス的に印加される高電圧により生ずるガス放電により極端紫外光を発生するものであり、1回のパルスあたりの電気入力エネルギーを10Jとすると、1秒間に1000回(1000Hz)パルスを印加すると、10000Wになる。
つまり、極端紫外光源から放射される光のパワーを大きくするには、1回のパルスあたりの電気入力エネルギーを大きくするか、単位時間あたりのパルス回数を大きくする必要がある。
そして、光源から放射される極端紫外光のパワーが大きいほど、露光工程のスループットを向上させるのに有利になる。
【0009】
上記のように、極端紫外光源から放射される光のパワーを大きくするには、1回のパルスあたりの電気入力エネルギーを大きくするか、単位時間あたりのパルス回数を大きくする必要があるが、どちらを採用したとしても、それに伴なって、図8に示した極端紫外光源を構成する高圧側電極11、接地側電極12、キャピラリ構造体21の温度が上昇してしまう。
この結果、最も高温となる放電プラズマの中心に対向するキャピラリ構造体21の温度が異常に高くなり、キャピラリ構造体21の表面が蒸発し、有害塵(以下、デブリと記す)が発生することになる。
発生したデブリは極端紫外光の透過を妨げたり、露光光学系の反射ミラーの表面に堆積してその反射率を低下させるなど、露光装置のパフォーマンスの低下、あるいは信頼性の低下といった悪影響をもたらす。
なお、高圧側電極11、接地側電極12は例えばタングステン製であり、容易に蒸発するものではないが、極めて高い温度に上昇すると、キャピラリ構造体21と同様に、蒸発が起こりデブリが発生することとなる。
【0010】
デブリの発生を抑えるともに、極端紫外光源から放射される光のパワーを大きくするため、極端紫外光源を複数設けて、これらを並列運転し、各光源が発生する極端紫外光をミラー等を用いて同一方向に導くアイデアも提案されている。
しかし、従来においては、具体的にどのような構成とすれば、各極端紫外光源から放射される極端紫外光を効果的に重ね合わせて、一つの光源から放射される光と同様に出力させることが可能であるかについては、明らかにされていなかった。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、本発明の目的は、複数の極端紫外光源を用い、これらの光源から放射される極端紫外光を可動ミラーにより同一方向に導くことにより、デブリの発生を抑えて大出力の極端紫外光を得ることである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、上記課題を次のようにして解決する。
(1)絶縁体を挟むように第1、第2の電極が配置され、当該第1、第2の電極および絶縁体には、それぞれの部材を貫通する貫通孔が形成され、それぞれの貫通孔は同軸上に配置され連通しており、この連通した貫通孔に発光ガスを流入させ、上記第1、第2の電極にパルス電圧を印加して貫通孔内で発生する極端紫外光を放射する極端紫外光源を複数設ける。
そして、上記複数の極端紫外光源を、その出射光の光軸が一点で交わるように配置し、該光軸の交点に回転移動するミラーを、複数の極端紫外光源から放射され該ミラーで反射した極端紫外光が同一方向に反射するように傾けて配置する。
(2)上記(1)において、上記ミラーの回転軸を、該ミラーの反射光の光軸と一致させ、複数の極端紫外光源を、上記ミラーの反射光の光軸に垂直な平面上であって、前記光軸の交点から等しい距離に配置する。
本発明においては、上記構成としたので、複数の極端紫外光源の出力の和を極端紫外光発生装置から出力させることができる。
このため、例えば要求される出力パワーをPとし、極端紫外光源の数をn個とすると、各極端紫外光源の出力パワーをP/nとすることができ、各極端紫外光源の出力パワーを小さくすることが可能となる。したがって、1個の各極端紫外光源を用いて出力パワーPを得る場合に比べ、キャピラリ構造体等の温度上昇を小さく抑えることが可能となり、デブリの発生を抑えることが可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1(a)は本発明の第1の実施例の極端紫外光発生装置の断面構成(図1(b)のB−B’断面)を示す図、図1(b)は図1(a)のA−A’断面図である。
図1において、1は本実施例の極端紫外光発生装置、11,12,13,14は極端紫外光源であり、極端紫外光源11〜14は、前記図8に示したものと同様の構成を有する。
21はミラー、22は回転軸受、24は回転軸であり、ミラー21は中心軸Zを中心として回転自在に構成され、図示しない駆動機構により回転する。
31は外囲円筒であり、外囲円筒31には上記極端紫外光源11〜14が取り付けられる。また、外囲円筒31には排気口32と光出射口33が設けられており、排気口32から高速に排気することにより外囲円筒31内は高真空に維持される。
【0013】
極端紫外光源11,12,13,14は、その出射光の光軸が一点で交わるように、かつ、該光軸の交点を中心とする同一円周上に等しい間隔に配置され、光軸の交点に上記回転移動するミラー21の反射面23が配置されている。
すなわち、各極端紫外光源11,12,13,14は等間隔に、かつ、各極端紫外光源の発光点と、光軸の交点(ミラー21の反射面23)は等しい距離になるように配置される。
また、ミラー21の反射面23は、複数の極端紫外光源11,12,13,14から放射され該ミラーで反射した極端紫外光が同一方向に反射するように傾けて配置され、ミラー21の回転軸24は、該ミラー21の反射光の光軸と一致している。
例えば、図1に示すように各極端紫外光源を同一円周上に等しい間隔に配置し、各極端紫外光源から放出される光の光軸が同一平面上にあるように配置した場合には、ミラー21の反射面の角度は上記光軸を含む平面に対して45°となり、ミラー21は上記反射光の光軸に一致する回転軸24を軸として回転する。
ミラー21が図示しない駆動機構により回転すると、その反射面23は上記各極端紫外光源11,12,13,14に順次対向し、そのとき各極端紫外光源11,12,13,14から極端紫外光を放射させることにより、極端紫外光がミラー21で反射して、光出射口33へ導かれる。
【0014】
図2は、上記第1の実施例の変形例を示す図であり、図2(a)は極端紫外線発生装置の断面構成(図2(b)のB−B’断面)、図2(b)は図2(a)のA−A’断面図である。
図2において、図1に示したものと同一のものには同一の符号が付されており、本実施例は、第1の実施例の極端紫外光発生装置において、ミラー21の反射面23を曲面形状としたものである。
本実施例においては、上記のように反射面23を曲面形状としたので、ミラー21で反射した極端紫外光を集光した状態で光出射口33へ導くことができる。
【0015】
図3は、上記図1および図2に示した極端紫外光発生装置において、ミラー21をステップ状に回転させた場合における、それぞれの極端紫外光源11,12,13,14からの発光強度、反射面23の回転角および光出射口33における極端紫外光の強度の時間変化を模式的に示した図である。
それぞれの極端紫外光源11,12,13,14は繰り返し間隔Tでパルス動作される。同図において、ミラー21の反射面23が極端紫外光源11と正対したときをミラー回転角0°としている。極端紫外光源11から極端紫外光が発生する間はミラー回転角0°とし、次に極端紫外光源12から極端紫外光が発生するまでにミラー回転角を90°とする。
以下、極端紫外光源13、14の順に極端紫外光を発生させ、それに応じてミラー21を回転させ、ミラー21が1回転した後に再び、極端紫外光源11から発光させる。
光出射口33における極端紫外光の繰り返し間隔はT/4となる。したがって、それぞれの極端紫外光源からの出力が同じ場合には、光出射口33からみた極端紫外光の平均的な強度は、これらの極端紫外光源単独で動作させた場合の4倍となる。
すなわち、各極端紫外光源の出力を、要求される出力の1/4とすることができ、要求される出力を1個の極端紫外光源により発生する場合に比べ、デブリの発生を抑えることが可能となる。
【0016】
図4は、各極端紫外光源11,12,13,14がn回発光する毎に、ミラー21をステップ状に回転させた場合における、それぞれの極端紫外光源11,12,13,14からの発光強度、反射面23の回転角および光出射口33における極端紫外光の強度の時間変化を模式的に示した図である。
それぞれの極端紫外光源11,12,13,14は、続けてn回発光したのち、所定の期間休止し、再びn回発光する動作を繰り返しており(この動作を以下バースト運転という)、極端紫外光源11からnパルスの極端紫外光が発生する間はミラー回転角0°とし、次に極端紫外光源12から極端紫外光が発生するまでにミラー回転角を90°とし、極端紫外光源12からnパルスの極端紫外光が発生する間、その角度に保持する。
以下、極端紫外光源13、14の順にnパルスの極端紫外光を発生させ、それに応じてミラー21を回転させ、ミラー21が1回転した後に再び、極端紫外光源11から発光させる。
【0017】
図5は本発明の第2の実施例の極端紫外光発生装置の構成を示す図であり、前記図1、図2と同様、図5(a)は極端紫外線発生装置の断面構成(図5(b)のB−B’断面)、図5(b)は図5(a)のA−A’断面図である。
図5において、図1、図2に示したものと同一のものには同一の符号が付されており、本実施例においては、外囲円筒31に、8個の極端紫外光源11〜18を取り付けたものである。
極端紫外光源11〜18は、第1の実施例と同様、その出射光の光軸が一点で交わるように、同一円周上に等しい間隔に配置され、光軸の交点に上記回転移動するミラー21の反射面23が配置されており、各極端紫外光源11〜18の発光点と、光軸の交点(ミラー21の反射面23)は等しい距離になるように配置される。
また、ミラー21の反射面23は、各極端紫外光源11〜18から放射され該ミラーで反射した極端紫外光が同一方向に反射するように傾けて配置され、ミラー21の回転軸24は、該ミラー21の反射光の光軸と一致している。
例えば、図5に示すように各極端紫外光源を同一円周上に等しい間隔に配置し、各極端紫外光源から放出される光の光軸が同一平面上にあるように配置した場合には、前記第1の実施例と同様、ミラー21の反射面の角度は上記光軸を含む平面に対して45°となり、ミラー21は上記反射光の光軸に一致する回転軸24を軸として回転する。
ミラー21は前記第1の実施例と同様、中心軸Zを中心として回転自在に構成され、ミラー21が図示しない駆動機構により回転すると、その反射面23は上記各極端紫外光源11〜18に順次対向し、そのとき各極端紫外光源11〜18から極端紫外光を放射させることにより、極端紫外光がミラー21で反射して、光出射口33へ導かれる。
【0018】
図6は、図5に示した極端紫外光発生装置において、ミラー21を連続的に回転させた場合における、それぞれの極端紫外光源11〜18からの発光強度、反射面23の回転角および光出射口33における極端紫外光の強度の時間変化を模式的に示した図である。
図6において、それぞれの極端紫外光源11〜18は繰り返し間隔Tでパルス動作される。ミラー21は連続的に回転しており、ミラー21の反射面23が極端紫外光源11と正対したとき、極端紫外光源11を発光させ、ついで、ミラー21の反射面23が極端紫外光源12に正対したとき、極端紫外光源12を発光させる。
以下同様に、ミラー21を連続的に回転させながら極端紫外光源13、14、15、16、17、18の順に極端紫外光を発生させ、ミラー21が1回転した後に再び、極端紫外光源11から発光させる。
この場合、光出射口33における極端紫外光の繰り返し間隔はT/8となる。したがって、それぞれの極端紫外光源からの出力が同じ場合には、光出射口33からみた極端紫外光の平均的な強度は、これらの極端紫外光源単独で動作させた場合の8倍となる。
【0019】
なお、上記ではミラーを連続的に回転させた場合を示したが、図5に示した極端紫外光発生装置において、前記図3に示したように、ミラー21をステップ状に回転させたり、また、図4に示したように、ミラー21をステップ状に回転させ、各極端紫外光源11〜18をバースト運転してもよい。
同様に、前記図1および図2に示した極端紫外光発生装置において、図6に示したように、ミラー21を連続的に回転させてもよい。
また、上記実施例では、4個および8個の極端紫外光源を用いた場合について説明したが、極端紫外光源の数は、必要とされる出力パワーに応じて適宜選定することができる。
さらに、上記実施例では、各極端紫外光源から放出される光の光軸が同一平面上にある場合について説明したが、必ずしも各光軸が同一平面上にある必要はなく、要するに、各極端紫外光源を、その出射光の光軸が一点で交わるように配置し、各極端紫外光源の発光点と光軸の交点が等しい距離になるようにし、光軸の交点に、各極端紫外光源から放出される極端紫外光が同一方向に反射するように回転移動するミラーの反射面を配置し、該ミラーの回転軸を、該ミラーの反射光の光軸と一致させればよい。
具体的には、複数の極端紫外光源を、ミラーの反射光の光軸に垂直な平面上であって、前記光軸の交点から等しい距離に配置すればよい。
【0020】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、極端紫外光源を複数設け、複数の極端紫外光源を、その出射光の光軸が一点で交わるように配置し、該光軸の交点に回転移動するミラーを、複数の極端紫外光源から放射され該ミラーで反射した極端紫外光が同一方向に反射するように傾けて配置したので、複数の極端紫外光源の出力の和を極端紫外光発生装置から出力させることができる。
このため、各極端紫外光源の出力パワーを小さくすることが可能となり、1個の各極端紫外光源を用いて要求される出力パワーを得る場合に比べ、デブリの発生を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の極端紫外光発生装置の断面構成を示す図である。を示す図である。
【図2】第1の実施例の変形例を示す図である。
【図3】ミラーをステップ状に回転させた場合の反射面の回転角、光出射口における極端紫外光の強度等の時間変化を模式的に示した図である。
【図4】各極端紫外光源がn回発光する毎に、ミラーをステップ状に回転させた場合の反射面の回転角、光出射口における極端紫外光の強度等の時間変化を模式的に示した図である。
【図5】本発明の第2の実施例の極端紫外光発生装置の断面構成を示す図である。
【図6】図7においてミラーを連続的に回転させた場合における反射面の回転角、光出射口における極端紫外光の強度等の時間変化を模式的に示した図である。
【図7】極端紫外光源を用いた半導体露光装置の概略構成を示す図である。
【図8】キャピラリ放電を利用した極端紫外光源の構成例を示す図である。
【符号の説明】
11〜18 極端紫外光源
21 ミラー
22 回転軸受
24 回転軸
31 外囲円筒
32 排気口
33 光出射口

Claims (2)

  1. 絶縁体を挟むように第1、第2の電極が配置され、当該第1、第2の電極および絶縁体には、それぞれの部材を貫通する貫通孔が形成され、それぞれの貫通孔は同軸上に配置され連通しており、この連通した貫通孔に発光ガスを流入させ、上記第1、第2の電極にパルス電圧を印加して貫通孔内で発生する極端紫外光を放射する極端紫外光源を複数有し、
    上記複数の極端紫外光源は、出射光の光軸が一点で交わるように配置され、
    上記光軸の交点には回転移動するミラーが配置され、該ミラーは、複数の極端紫外光源から放射され該ミラーで反射した極端紫外光が同一方向に反射するように傾けて配置されている
    ことを特徴とする極端紫外光発生装置。
  2. 前記ミラーの回転軸は、該ミラーの反射光の光軸と一致しており、前記複数の極端紫外光源は、上記ミラーの反射光の光軸に垂直な平面上であって、前記光軸の交点から等しい距離に配置されている
    ことを特徴とする請求項1の極端紫外光発生装置。
JP2002087935A 2002-03-27 2002-03-27 極端紫外光発生装置 Expired - Fee Related JP3791441B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002087935A JP3791441B2 (ja) 2002-03-27 2002-03-27 極端紫外光発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002087935A JP3791441B2 (ja) 2002-03-27 2002-03-27 極端紫外光発生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003282424A JP2003282424A (ja) 2003-10-03
JP3791441B2 true JP3791441B2 (ja) 2006-06-28

Family

ID=29233961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002087935A Expired - Fee Related JP3791441B2 (ja) 2002-03-27 2002-03-27 極端紫外光発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3791441B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156857A (ja) 2004-12-01 2006-06-15 Canon Inc X線発生装置及び露光装置
DE102006003683B3 (de) * 2006-01-24 2007-09-13 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von EUV-Strahlung hoher Durchschnittsleistung
EP2474997A4 (en) * 2009-09-01 2014-01-15 Ihi Corp PLASMA LIGHT SOURCE SYSTEM
WO2011027737A1 (ja) 2009-09-01 2011-03-10 株式会社Ihi プラズマ光源
JP2011054376A (ja) 2009-09-01 2011-03-17 Ihi Corp Lpp方式のeuv光源とその発生方法
JP2012191040A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Ihi Corp プラズマ光源システム
CN103017899B (zh) * 2012-11-23 2015-06-17 北京振兴计量测试研究所 一种汇聚摆镜
JP6772804B2 (ja) * 2016-12-12 2020-10-21 株式会社Ihi プラズマ光源システム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003282424A (ja) 2003-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4320999B2 (ja) X線発生装置及び露光装置
TWI569689B (zh) 極紫外光射線源模組、極紫外光微影系統以及極紫外光微影製程方法
US6590959B2 (en) High-intensity sources of short-wavelength electromagnetic radiation for microlithography and other uses
JP3696163B2 (ja) リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子
JP3972207B2 (ja) デブリ抑制手段を備えたリソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2003022950A (ja) X線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置
US6891172B2 (en) Differential pumping system and exposure apparatus
US6677600B2 (en) EUV radiation source
US20130126761A1 (en) Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system
JPH10319195A (ja) プラズマ・フォーカス高エネルギ・フォトン・ソース
JP2007329484A (ja) 平版投影装置用の照射源
WO2005096680A1 (ja) 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP5098126B2 (ja) X線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP3662574B2 (ja) リソグラフィ投影装置および上記装置に使うためのレフレクタ組立体
JP3791441B2 (ja) 極端紫外光発生装置
US10871647B2 (en) Apparatus and method for prevention of contamination on collector of extreme ultraviolet light source
JP4424748B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法および放射線システム
JP4058404B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびリソグラフィ工程により集積構造を製造する方法
US20030142198A1 (en) Plasma light source apparatus, exposure apparatus and its control method and device fabrication method
TWI687778B (zh) 在微影曝光製程中產生光的方法及光源
WO2004090957A1 (ja) 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
JPH11330592A (ja) レーザ光源装置およびそれを備えた露光装置
US6885015B2 (en) Thermionic-cathode for pre-ionization of an extreme ultraviolet (EUV) source supply
JP2005332923A (ja) Euv露光装置
JPH08241847A (ja) 露光装置及び露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040903

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050701

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060314

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060327

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees