CN102668026A - 基板处理装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置及一种基板处理方法，其能够防止基板受热并有效地收集残余沉积材料。该基板处理装置包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间被划分成一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及一冷却板单元，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段并适以冷却该薄膜形成段的内部。此外，该基板处理装置更包括至少一个冷阱单元，该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元的一下部，用以收集由该材料喷嘴单元喷射的全部沉积材料中未沉积于基板上而遗留的残余沉积材料。

Description

基板处理装置及方法
【技术领域】
本发明关于一种基板处理装置以及一种基板处理方法，更具体而言，是关于一种能够防止基板受热并有效地收集残余沉积材料的基板处理装置及基板处理方法。
【背景技术】
太阳能电池(solar cel1)系例如通过以下方式制成：形成硒(Se)或含Se化合物之一薄膜于一太阳能电池基板上，并将该Se薄膜图案化成具有一预定图案。更具体而言，通过例如化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)及物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)等气相沉积制程(vapor deposition process)而形成多数个薄膜层于一玻璃基板上。之后，将所述多个薄膜层图案化以制造太阳能电池。
用于太阳能电池的沉积材料系在由一汽化器(vaporizer)加热后以一汽化状态供应至玻璃基板。由一加热单元加热该沉积材料之一传送线(transferline)及一喷射单元(injection unit)，以传送汽化的沉积材料至玻璃基板。因此，受到加热的传送线及喷射单元会升高腔室的内部温度，导致置于腔室中的基板受热。如此一来，会降低沉积材料的沉积效率。
由于沉积效率降低，未沉积于玻璃基板上而残余的沉积材料可能会沉积于腔室的内壁上或腔室中各种组件的外表面上，进而会污染装置并降低装置的寿命。
【发明内容】
[技术问题]
本发明提供一种基板处理装置以及一种基板处理方法，其能够通过集中地冷却用于执行气相沉积的腔室中的薄膜形成段而提升沉积材料的沉积效率，藉此防止置于薄膜形成段中的基板受热。
本发明亦提供一种基板处理装置及一种基板处理方法，其能够通过为薄膜形成段设置一残余沉积材料收集单元而防止残余沉积材料造成污染，藉此延长装置的寿命。
[技术解决方案]
根据一实例性实施例，一种基板处理装置包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及一冷却板单元(cooling plate unit)，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段并适以冷却该薄膜形成段的内部。
该基板处理装置可更包括：一上贯穿孔与一下贯穿孔，分别形成于该腔室单元的该薄膜形成段的一上表面与一下表面；以及一上封盖与一下封盖，分别可移除地安装至该上贯穿孔与该下贯穿孔，其中该冷却板单元包括至少一上冷却板及一下冷却板，该上冷却板与该下冷却板分别与该上封盖与该下封盖一体成型。
该冷却板单元可包括一第一侧面冷却板及一第二侧面冷却板，该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别设置于该腔室单元的该引入段与该薄膜形成段之间以及该薄膜形成段与该卸出段之间。
该基板处理装置可更包括：一第一侧面贯穿孔与一第二侧面贯穿孔，位于该腔室单元的一侧壁上，并位于对应多个边界的多个位置处，所述多个边界介于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间；以及一第一侧面封盖与一第二侧面封盖，分别可移除地安装至该第一侧面贯穿孔与该第二侧面贯穿孔，其中该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别与该第一侧面封盖与该第二侧面封盖一体成型。
该腔室单元可更包括一滑轨，该滑轨形成于该腔室单元的一下部内表面，并位于对应所述多个边界的多个位置处，所述多个边界介于于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间，且该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板通过在所述滑轨上滑动而进出于该腔室单元的该内部空间。
该基板处理装置可更包括至少一个冷阱单元(cold trap unit)，该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元下方，用以收集未沉积于该基板上而残余的该沉积材料。
根据另一实例性实施例，一种基板处理装置包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及至少一个冷阱单元，设置于该材料喷嘴单元下方，用以收集未沉积于该基板上而残余的该沉积材料。
该冷阱单元可包括：一基准面(base plane)，设置成涵盖一区域的一下部面积，该区域中设置有该材料喷嘴单元；多数个散热片(heat sink)，垂直地安装至该基准面；一冷却路径，形成于所述多个散热片处，俾使一冷却水于该冷却路径中流动；以及一支撑封盖，适以支撑该基准面的至少一个侧面。
该腔室单元可包括至少一个第三侧面贯穿孔，该至少一个第三侧面贯穿孔形成于该腔室单元的一侧壁上，并位于设置有该材料喷嘴单元的该区域的一下部部分；且该支撑封盖系可移除地安装至该第三侧面贯穿孔，俾使该冷阱单元与该支撑封盖成一体地分开及安装。
所述多个散热片可相间隔地垂直安装，各该散热片自该基准面延伸至长于该材料喷嘴单元的一长度，以及所述多个散热片的多个上端具有自该冷阱单元的二外部朝该冷阱单元的一中部逐渐减小的高度。
该冷却路径可形成于所述多个散热片的外表面上，以面朝该冷阱单元的一中部。
该腔室单元可包括至少一个滑轨，该至少一个滑轨形成于该腔室单元的一下部内表面上，且位于设置有该冷阱单元的一位置处，且该冷阱单元的该基准面可通过在该滑轨上滑动而进出于该腔室单元的该内部空间。
该基板处理装置可更包括一冷却板单元，该冷却板单元设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段，并适以冷却该薄膜形成段的内部。
该基板处理装置可更包括一基板传送单元，该基板传送单元设置于该腔室单元的该内部空间中，并适以将该基板依序地传送至该引入段、该薄膜形成段及该卸出段。
该基板传送单元可包括：多数个第一滚轮，设置于该腔室单元的该引入段中；至少二第二滚轮，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中；以及至少二第三滚轮，设置于该腔室单元的该卸出段中，其中所述多个第一滚轮可被供以一冷却媒体并相应地被冷却，且所述多个第二滚轮可被选择性地供以另一冷却媒体或一加热媒体，并相应地被冷却或加热。
该材料喷嘴单元可包括：一直线式喷嘴(linear nozzle)，包括形成于其中的一馈送路径，用于馈送该沉积材料以喷射该沉积材料；以及一反射器(reflector)，围绕该直线式喷嘴的一侧部及一上部。
该反射器可包括多数个板构件，所述多个板构件系相间隔地交叠。
根据又一实例性实施例，一种基板处理方法包括：冷却一薄膜形成段，以执行蒸气沉积，该薄膜形成段形成于一腔室单元的一内的一内部空间中；引入一基板至该薄膜形成段；通过喷射一沉积材料至该基板，形成一薄膜层；将未沉积于该基板上而残余的该沉积材料收集至一冷阱单元；自该薄膜形成段卸出该基板；以及更换该冷阱单元。
该基板处理方法可更包括：于引入该基板至该薄膜形成段之前，冷却该基板。
在形成该薄膜层期间，可通过交替地操作设置于该薄膜形成段中的至少二材料喷嘴单元，连续地喷射该沉积材料。
[有利效果]
根据实例性实施例，可致使基板受热的周围因素被尽可能地消除，且基板直接或间接地受到冷却。因此，可提升沉积一沉积材料至一基板的效率。
此外，因提供一专用单元以收集在沉积材料的气相沉积后所产生的残余沉积材料，故可防止基板处理装置的内部受到残余沉积材料的污染。因此，可延长装置的寿命。
一冷却单元于该装置中围绕一薄膜形成段设置以冷却一反应空间，该冷却单元以及一残余沉积材料收集单元被配置成可轻易地与该装置连接及分离。因此，可选择性地更换受到频繁污染的部件，进而有利于装置的修复及维护。
此外，提供至少二沉积材料供应单元至腔室中的薄膜形成段，以依序供应沉积材料及被供以沉积材料。因此，可连续地执行沉积制程。
【附图说明】
结合附图阅读上文说明，可更详细地理解本发明的实例性实施例，附图中：
图1为显示根据一实例性实施例的一基板处理装置的纵剖面示意图；
图2为示意性显示该基板处理装置的主要部件的连接及分离操作的纵剖面示意图；
图3为示意性显示该基板处理装置的剖面示意图；
图4为示意性显示该基板处理装置的主要部件的连接及分离操作的剖面示意图；
图5及图6显示该基板处理装置的一材料喷嘴单元的视图；
图7及图8显示该基板处理装置之一冷阱单元的视图；
图9至图14为示意性显示该基板处理装置的运作状态的运作状态视图。
【主要元件符号说明】
100：腔室单元             110a：闸道
110b：闸道                111a：狭缝阀
111b：狭缝阀              121：引入段
123：薄膜形成段           125：卸出段
131：上贯穿孔             133：下贯穿孔
135a：第一侧面贯穿孔      135b：第二侧面贯穿孔
137a：第三侧面贯穿孔      137b：第三侧面贯穿孔
140：滑轨                 200：基板传送单元
210：第一滚轮             220：第二滚轮
220a：第二滚轮            220b：第二滚轮
230：第三滚轮             300：材料喷嘴单元
310：直线式喷嘴           310a：直线式喷嘴
310b：材料喷嘴单元        311：馈送路径
313：喷射孔               320：反射器/直线式喷嘴
320a：材料喷嘴单元/反射器 320b：材料喷嘴单元
400：冷却板单元            411：上封盖
413：上冷却板              415：固定托架
421：下封盖                423：下冷却板
425：固定托架              427：滑轨
431a：第一侧面封盖         431b：第二侧面封盖
433a：第一侧面冷却板       433b：第二侧面冷却板
435a：子闸道               435b：子闸道
440a：侧壁冷却板           440b：侧壁冷却板
500：冷阱单元              510：基准面
520：散热片                530：冷却路径
540：支撑封盖              W：基板
【具体实施方式】
以下，将参照附图详细阐述本发明的具体实施例。然而，本发明亦可实施为不同的形式，而不应被视为仅限于本文所述的实施例。相反，提供所述多个实施例为了使本揭露内容透彻且完整、并向熟习此项技术者全面传达本发明的范围。在以下说明中，所有附图中相同的参考编号皆指代相同的元件。
图1为显示根据一实例性实施例的一基板处理装置的纵剖面示意图。图2为示意性显示该基板处理装置的主要部件的连接及分离操作的纵剖面示意图。图3为示意性显示该基板处理装置的剖面示意图。图4为示意性显示该基板处理装置的主要部件的连接及分离操作的剖面示意图。图5及图6显示该基板处理装置的一材料喷嘴部件的视图。图7及图8显示该基板处理装置之一冷阱部件的视图。
如图所示，根据一实施例的基板处理装置包含：一腔室单元100，包含一内部空间，该内部空间被划分成一引入段121、一薄膜形成段123及一卸出段125；一基板传送单元200，设置于腔室单元100中，用以将基板依序传送至引入段121、薄膜形成段123及卸出段125；至少一个材料喷嘴单元300，设置于腔室单元100的薄膜形成段123中，用以喷射一沉积材料至所传送的基板；以及至少一个冷阱单元500，设置于材料喷嘴单元300的一下部，用以收集由材料喷嘴单元300所喷射的全部沉积材料中未沉积于基板上而遗留的残余沉积材料。
腔室单元100包含闸道(gateway)110a及110b，分别设置于腔室单元100的一端与另一端，以用于引入及卸出基板。另外，可设置狭缝阀(slot valve)111a及111b或闸阀(gate valve)以封闭闸道110a及110b。腔室单元100可通过狭缝阀111a及111b而与供基板在其中等待被引入或卸出的空间(例如承载室(load lock chamber))相连。用于引入基板的闸道110a及110b可与例如一预处理腔室(preprocessing chamber)相连，例如与用于冷却基板的冷却腔室相连。
腔室单元100的内部空间被划分成：引入段121，用以引入及传送基板；薄膜形成段123，用以对基板执行气相沉积；以及卸出段125，用以传送已完成气相沉积的基板以卸出基板。较佳地，引入段121、薄膜形成段123及卸出段125系根据基板的传送及气相沉积制程而在功能上分开，但并不在实体上分隔开。然而，因本发明并不仅限于此，故段121、123及125亦可通过安装于段121、123及125之间边界处的分隔板(partition)而在实体上分开。此外，所述多个段亦可由多数个腔室实施，该等腔室用作引入段121、薄膜形成段123及卸出段125并彼此流体连通。
如图所示，腔室单元100的一上表面及一下表面分别包含一上贯穿孔及一下贯穿孔133。一冷却板单元400的一上封盖411及一下封盖421以插入方式安装至上贯穿孔131及下贯穿孔133，以分别封闭上贯穿孔131及下贯穿孔133。此外，一第一侧面贯穿孔135a及一第二侧面贯穿孔135b形成于腔室单元100的一侧壁上且对应于多数个边界的位置处，该等边界介于引入段121与薄膜形成段123之间以及介于薄膜形成段123与卸出段125之间。冷却板单元400的一第一侧面封盖431a及一第二侧面封盖431b以插入方式安装至第一侧面贯穿孔135a及第二侧面贯穿孔135b，以分别封闭第一侧面贯穿孔135a及第二侧面贯穿孔135b。一或多个第三侧面贯穿孔137a及137b形成于腔室单元100的该一侧壁上且位于设置有材料沉积喷嘴单元300的区域的一下部部分处。此外，冷阱单元500的支撑封盖540(将于下文予以说明)以插入方式安装至第三侧面贯穿孔137a及137b，以封闭第三侧面贯穿孔137a及137b。
根据上述结构，因闸道110a及110b被狭缝阀111a及111b封闭且上贯穿孔131、下贯穿孔133以及第一贯穿孔至第三贯穿孔135a、135b、137a及137b被冷却板单元400及冷阱单元500封闭，故腔室单元100的内部空间得到密封。因此，冷却板单元400及冷阱单元500系以一密封方式可移除地安装于腔室单元100中。
基板传送单元200包含：多数个第一滚轮(roller)210，设置于引入段121中；至少二第二滚轮220a及220b，设置于薄膜形成段123中；以及至少二第三滚轮230，设置于腔室单元100的卸出段125中。第一滚轮至第三滚轮210、220及230通过一单独的驱动器(图未示出)进行滚动，以传送放置于其上面的基板。
一冷却媒体(例如冷却水)被供应至第一滚轮210的内部并于第一滚轮210的内部被冷却。一冷却媒体及一加热媒体(例如冷却水及加热水)被选择性地供应至第二滚轮220的内部并于第二滚轮220的内部被冷却或加热。
尤其是，适以将在引入段121中引入的基板传送至薄膜形成段123的第一滚轮210冷却在引入段121中所引入的基板。为此，相较于第二滚轮220，第一滚轮210排列得相对紧凑，以增大基板与第一滚轮210间的接触面积，进而使第一滚轮210有效地冷却基板。
第二滚轮220及第三滚轮230分别设置于薄膜形成段123及卸出段125中，用以将由引入段121所传送的基板引导至薄膜形成段123及卸出段125中。考虑到基板的长度，较佳提供最少数目的第二滚轮220及第三滚轮230。举例而言，第二滚轮220及第三滚轮230可在薄膜形成段123及卸出段125中逐一地设置于一前端及一后端。在本实施例中，于薄膜形成段123中设置四第二滚轮220a及220b，并于卸出段125中设置二第三滚轮230。
尤其是，第二滚轮220a及220b能够选择性地执行冷却及加热。因此，通过在一气相沉积制程中加热第二滚轮220a及220b，可防止由材料喷嘴单元300所喷射的全部沉积材料中未沉积于基板上而遗留的残余沉积材料附着于第二滚轮220a及220b的表面并污染第二滚轮220a及220b。同时，为提高沉积材料的沉积速率，可冷却第二滚轮220a及220b，以冷却与第二滚轮220a及220b相接触地传送的基板。
一或多个材料喷嘴单元300设置于腔室单元100的薄膜形成段123中，用于喷射一沉积材料至基板。较佳地，设置至少二材料喷嘴单元300，以达成连续的气相沉积。本实施例采用二材料喷嘴单元300。因此，在其中的一材料喷嘴单元300(310a及320a)在气相沉积制程中喷射沉积材料至基板的同时，另一材料喷嘴单元300(310b及320b)被预热，以于先前运作的材料喷嘴单元300(310a及320a)的沉积材料馈送器(图未示出)的沉积材料用尽而需要重新充填沉积材料时进行运作。在此种状态下，当先前运作的材料喷嘴单元300(310a及320a)停止运作时，另一材料喷嘴单元300(310b及320b)将同时运作以喷射沉积材料至基板，藉此连续地执行气相沉积。在此期间，对与先前运作的材料喷嘴单元300(310a及320a)相连的沉积材料馈送器重新充填沉积材料。藉此，通过交替使用该二材料喷嘴单元300而达成对基板的连续气相沉积。
各该材料喷嘴单元300包含：一直线式喷嘴310，包括形成于其中之一用于馈送该沉积材料的馈送路径311以及一用于线性地喷射该沉积材料的喷射孔(jet orifice)313；以及一反射器320，围绕直线式喷嘴310的一侧部及一上部。此处，直线式喷嘴310连接至一沉积材料馈送装置(图未示出)，该沉积材料馈送装置单独设置于腔室单元100的外侧。
较佳地，直线式喷嘴320略短于基板的一宽度，以便不会无谓地喷射沉积材料于基板的宽度以外，藉此减少沉积材料的消耗。此外，因基板于宽度方向上的二侧端并非必需的或者将于基板之一后处理(post processing)中被移除，故直线式喷嘴310可形成为短于基板的宽度，以便不会在该二侧端形成未被沉积有该沉积材料的区域。
另外，较佳使直线式喷嘴310的喷射孔313靠近所传送的基板设置。举例而言，喷射孔313与基板间的距离可设定为约20毫米或以下，亦即尽可能短，俾使自喷射孔313喷射的沉积材料以最小的损耗直接沉积于基板上。
一汽化沉积材料穿过直线式喷嘴310移动或喷射，直线式喷嘴310维持于约200℃至约300℃的受热状态。为此，围绕直线式喷嘴310设置反射器320，以防止自直线式喷嘴310发出的热量加热腔室单元100的内部以及基板。反射器320可通过使多数个板相间隔地交叠而形成，以最大化隔热效率。该等板的数目可根据直线式喷嘴310的温度以及反射器320的隔热效率而选择性地加以确定。举例而言，较佳使该等板其中之一最外侧的板的温度可低于直线式喷嘴310的温度并高于一可达成有效沉积的温度(即约70℃)。
冷却板单元400适以通过环绕腔室单元100的薄膜形成段123而冷却薄膜形成段123的内部。冷却板单元400包括：一上冷却板413及一下冷却板423，分别设置于薄膜形成段123的一上部及一下部；一第一侧面冷却板433a及一第二侧面冷却板433b，分别设置于引入段121与薄膜形成段123之间以及薄膜形成段123与卸出段125之间；以及侧壁冷却板440a及440b，分别设置于薄膜形成段123的一前侧壁与一后侧壁。
上冷却板413与下冷却板423通过固定托架(bracket)415及425而成一体地固定至上封盖411及下封盖421，上封盖411及下封盖421安装于上贯穿孔131及下贯穿孔133。藉此，上冷却板411与下冷却板412可与上封盖411及下封盖421成一体地一起方便地与腔室单元100分离及连接。尽管在本实施例中系设置单个上贯穿孔131及单个下贯穿孔133且相应地设置单个上封盖411及下封盖421，然本发明并不仅限于此。根据该装置的配置，可设置多数个上贯穿孔131及多数个下贯穿孔133，且亦可对应于该等贯穿孔131及133而设置多数个上封盖411及多数个下封盖421。另外，由于上冷却板413安装至上封盖411，可广泛地形成一单个冷却板。此外，由于下冷却板423安装至下封盖421，亦可在所需位置分别形成多数个冷却板。在本实施例中，下冷却板423被划分成多个部件且设置成不交叠冷阱单元500。上封盖411可直接用作冷却板，而不单独提供上封盖411及上冷却板413。同样地，下封盖421可直接用作冷却板，而不单独提供下封盖421及下冷却板423。
第一侧面冷却板433a及第二侧面冷却板433b可成一体地固定至安装于腔室单元100的第一侧面贯穿孔135a及第二侧面贯穿孔135b的第一侧面封盖431a及第二侧面封盖431b。因此，可通过第一侧面封盖431a及第二侧面封盖431b相对于腔室单元100的分开及连接操作而方便地分开及连接第一冷却板433a及第二冷却板433b。尤其是，为更方便地更换及连接第一侧面冷却板433a及第二侧面冷却板433b，在腔室单元100的一下部内表面上且对应于多数个边界的位置形成一滑轨140，这些边界系介于引入段121与薄膜形成段123之间以及介于薄膜形成段123与卸出段125之间。亦即，第一冷却板433a及第二冷却板433b在滑轨140上滑动以被引入腔室单元100的内部空间以及自该内部空间卸出。举例而言，滑轨140可呈在本实施例中所述的轨道形式。然而，第一侧面冷却板433a及第二侧面冷却板433b的更换不仅可以滑动方式执行，且亦可以其他各种方法执行。另外，第一侧面冷却板433a及第二侧面冷却板433b可分别包含子闸道(sub gateway)435a及435b，以供基板通过。
侧壁冷却板440a及440b可安装至薄膜形成段123之前侧壁及后侧壁的一内表面或者嵌于该前侧壁及该后侧壁中。侧壁冷却板440a及440b可构造成各种方式，只要不干扰安装于前侧壁及后侧壁处的其他部件(例如，材料喷嘴单元300，第二传送滚轮220及冷阱单元500)即可。
冷阱单元500用于冷却及收集由材料喷嘴单元300所喷射的全部沉积材料中未沉积于基板上而遗留的残余沉积材料。冷阱单元500的数目可设置成对应于材料喷嘴单元300的数目。
冷阱单元500包括：一基准面510，设置成涵盖一区域的一下部面积，该区域中设置有材料喷嘴单元300；多数个散热片520，垂直地安装至基准面510；一冷却路径530，形成于散热片520处，一冷却水于冷却路径530中流动；以及支撑封盖540，适以支撑基准面510的至少一个侧面。
以与第一侧面冷却板433a及第二侧面冷却板433b相同的方式，冷阱单元500穿过腔室100的一侧壁安装。为此，使一或多个第三侧面贯穿孔137a及137b形成于腔室单元100的一侧壁上并位于设置有材料喷嘴单元300的该区域的下部部分处。支撑封盖540系可移除地连接至第三侧面贯穿孔137a及137b，俾通过支撑封盖540的分开及连接而方便地分开及连接冷阱单元500。
此处，该等散热片520分别具有一实质矩形板的形状，并相间隔地垂直安装。各该散热片520安装至基准面510，且延伸的长度长于材料喷嘴单元300，更佳地延伸过直线式喷嘴310的长度。藉此，可增大由材料喷嘴单元300所产生的残余沉积材料之一收集量。
另外，较佳地使散热片520具有自冷阱单元500的二外部朝冷阱单元500的一中部逐渐减小的高度。亦即，冷阱单元500的一上端形成一「U」形。冷阱单元500的中部设置于材料喷嘴单元300的正下方，俾使冷阱单元500的上端环绕自材料喷嘴单元300沿径向喷出的沉积材料之一喷射路径。此外，该等散热片520系垂直地安装，沉积材料与散热片520间的接触面积增大，进而相应地提升沉积材料收集效率。
冷却路径530形成于散热片520的外表面上，且更具体而言，形成于指向冷阱单元500的中部的外表面上。因此，冷却路径530直接面对沉积材料喷射路径，藉此提升沉积材料收集效率。散热片520及冷却路径530的配置及形状并不限于所述实施例，而是亦可有所变化。亦即，冷却路径530可形成于散热片520内部。
通过与第一侧面冷却板433a及第二侧面冷却板433b相同的方式，冷阱单元500可以一滑动方式沿腔室单元100的下部内表面移动，以便于使冷阱单元500相对于腔室单元100连接及分开。举例而言，腔室单元100的下部内表面可于对应于冷阱单元500的一位置包含至少一个滑轨427，俾使冷阱单元500的基准面510沿滑轨427滑动。在本实施例中，滑轨427系呈轨道的形式。
以下，将参照附图来阐述根据本发明实施例的基板处理装置组装方法及基板处理方法。
图9至图14为示意性显示基板处理装置的运作状态的运作状态视图。如图2及图4所示，上封盖411及下封盖421安装至形成于腔室单元100上的上贯穿孔131及下贯穿孔133，藉此密封腔室单元100的上表面及下表面。第一侧面封盖431a及第二侧面封盖431b以及支撑封盖540安装至第一侧面贯穿孔至第三侧面贯穿孔135a、135b、137a及137b，藉此密封腔室单元100的侧壁。同时，冷却板单元400及冷阱单元500环绕腔室单元100的薄膜形成段123。因此，腔室单元100的内部空间由此得到密封并随后被抽空至一高真空度状态。
当沉积制程由此准备就绪时，经由设置于腔室单元100的引入段121处的闸道110a引入基板W，如图9所示。此处，基板W在被引入至腔室单元100之前，可通过一单独的冷却装置而预先冷却，以提升沉积材料的沉积效率。
引入于引入段121中的基板W被安放于第一滚轮210的上部并通过第一滚轮210传送至薄膜形成段123。此处，基板W可在无专用载具的情况下通过接触第一滚轮210而进行传送。因通过在第一滚轮210中流动的冷却水而使第一滚轮210维持于一被冷却状态，基板W可仅通过接触第一滚轮210而得到冷却。如上所述，基板W的传送系在无专用载具支撑基板W的情况下执行，此可通过省却用于驱动载具的专用装置而简化基板传送单元200的结构。此外，用于驱动基板传送单元200的驱动器可以一低的输出来传送基板W。尽管基板W可仅通过基板传送单元200进行传送，然本发明并非仅限于此。根据基板W的状态而定，基板W可在被固定至一载具的状态下传送。
在由第一滚轮210自引入段121传送至薄膜形成段123之后，基板W被传送经过第一侧面冷却板433a的子闸道435a并引入至薄膜形成段123。此时，材料喷嘴单元320(310a及320a)其中的任一者首先运作，以通过直线式喷嘴310a喷射沉积材料。
接着，如图10所示，基板W通过第二滚轮220a被引入至薄膜形成段123并经过直线式喷嘴310a的一下部部分。喷射至基板W的上表面的沉积材料被气相沉积成一薄膜层。由直线式喷嘴310a喷射的全部沉积材料中未沉积于基板W上而遗留的残余沉积材料首先接触反射器320a。然而，因反射器320a维持于一不会造成沉积材料发生气相沉积的温度(例如为约70℃或以上)，故沉积材料不会发生沉积而是向周围扩散。此外，由于加热水流动于第二滚轮220a中，故残余沉积材料亦不会发生沉积。因此，残余沉积材料被直线式喷嘴310a正下方的维持于被冷却状态的冷阱单元500收集。更具体而言，在扩散的同时，残余沉积材料一俟接触冷阱单元500的散热片520，便会沉积于散热片520的外表面或冷却路径530的外表面上。此处，扩散至冷阱单元500内的残余沉积材料会因冷阱单元500的散热片520的配置及形状而受到阻挡并沉积于散热片520及冷却路径530的外表面上，进而得到收集。
参见图11，在经过直线式喷嘴310的下部部分时在外表面上被沉积有沉积材料之后，基板W由第二滚轮220b继续传送，在经过形成于第二侧面冷却板433b处的子闸道435b之后，卸出至卸出段125。接着，基板W被进一步传送并卸出至腔室单元100的外部。
尽管上文系以一单片基板W来阐释沉积制程及基板处理操作，然而本发明并不仅限于此。多数个基板W可经由基板传送单元200而接连馈送至腔室单元100的引入段121，并传送至薄膜形成段123及卸出段125。
在使用材料喷嘴单元300(310a及320a)连续地执行气相沉积的同时，对另一材料喷嘴单元300(310b及320b)进行预热，以便能够在先前运作的材料喷嘴单元300(310a及320a)的沉积材料用尽时在同一腔室单元100中继续进行气相沉积。如图12所示，当先前运作的材料喷嘴单元300(310a及320a)中的沉积材料用尽时，便由另一材料喷嘴单元(310b及320b)喷射沉积材料。在此种状态下，如图13所示，基板W只是经过前一材料喷嘴单元300(310a及320a)，并在基板W经过目前正在运作的材料喷嘴单元300(310b及320b)的下部部分时执行气相沉积。在此期间，残余沉积材料亦被集中地收集至冷阱单元500。
在完成沉积材料的沉积后，基板W被卸出至卸出段并接着被卸出至腔室单元100的外部，如图14所示。
如上所述，可通过交替地运作多数个材料喷嘴单元300而于一个腔室单元100中连续执行沉积制程。
当冷阱单元500在收集大量残余沉积材料之后需要更换时，便暂止沉积制程并将腔室100的内部空间变换至一大气压力状态。接着，使安装至腔室100的侧壁上的支撑封盖540分离，藉此使冷阱单元500自腔室单元100分离。接着，安装一新的冷阱单元于腔室单元100中。亦即，无需拆卸基板处理装置便可以一简单的方式达成冷阱单元500的更换。藉此，可缩短用于修复或维护该装置的停机时间。
尽管上文系参照具体实施例阐述一种基板处理装置及基板处理方法，然本发明并不仅限于此。因此，熟习此项技术者应易于理解，可在不脱离由随附申请专利范围所界定的本发明精神及范围的条件下对其作出各种修饰及更动。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，包括：
一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；
至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及
一冷却板单元，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段，并适以冷却该薄膜形成段的内部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，更包括：
一上贯穿孔与一下贯穿孔，分别形成于该腔室单元的该薄膜形成段的一上表面与一下表面；以及
一上封盖与一下封盖，分别可移除地安装至该上贯穿孔与该下贯穿孔，
其中该冷却板单元包括至少一上冷却板及一下冷却板，该上冷却板与该下冷却板分别与该上封盖与该下封盖一体成型。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该冷却板单元包括一第一侧面冷却板及一第二侧面冷却板，该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别设置于该腔室单元的该引入段与该薄膜形成段之间以及该薄膜形成段与该卸出段之间。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，更包括：
一第一侧面贯穿孔与一第二侧面贯穿孔，位于该腔室单元的一侧壁上，并位于对应多个边界的多个位置处，所述多个边界介于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间；以及
一第一侧面封盖与一第二侧面封盖，分别可移除地安装至该第一侧面贯穿孔与该第二侧面贯穿孔，
其中该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别与该第一侧面封盖与该第二侧面封盖一体成型。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，该腔室单元包括一滑轨，该滑轨形成于该腔室单元的一下部内表面，并位于对应所述多个边界的多个位置处，所述多个边界介于于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间，且
该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板通过在所述滑轨上滑动而进出于该腔室单元的该内部空间。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，更包括至少一个冷阱单元，该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元下方，用以收集未沉积于该基板上而残余的沉积材料。
7.一种基板处理装置，包括：
一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；
至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及
至少一个冷阱单元，设置于该材料喷嘴单元下方，用以收集未沉积于该基板上而残余的沉积材料。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，该冷阱单元包括：
一基准面，设置成涵盖一区域的一下部面积，该区域中设置有该材料喷嘴单元；
多数个散热片，垂直地安装至该基准面；
一冷却路径，形成于所述多个散热片处，俾使一冷却水于该冷却路径中流动；以及
一支撑封盖，适以支撑该基准面的至少一个侧面。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，该腔室单元包括至少一个第三侧面贯穿孔，该至少一个第三侧面贯穿孔形成于该腔室单元的一侧壁上，并位于设置有该材料喷嘴单元的该区域的一下部部分；以及
该支撑封盖可移除地装设至该第三侧面贯穿孔，俾该冷阱单元可分离且一体化装设于该支撑封盖。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个散热片相间隔地垂直安装，
各该散热片自该基准面延伸至长于该材料喷嘴单元的一长度，以及
所述多个散热片的多个上端具有自该冷阱单元的二外部朝该冷阱单元的一中部逐渐减小的高度。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，该冷却路径形成于所述多个散热片的外表面上，以面朝该冷阱单元的一中部。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，该腔室单元包括至少一个滑轨，该至少一个滑轨形成于该腔室单元的一下部内表面上，且位于设置有该冷阱单元的一位置处，且
该冷阱单元的该基准面通过在该滑轨上滑动而进出于该腔室单元的该内部空间。
13.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，更包括一冷却板单元，该冷却板单元设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段，并适以冷却该薄膜形成段的内部。
14.根据权利要求1或7所述的基板处理装置，其特征在于，更包括一基板传送单元，该基板传送单元设置于该腔室单元的该内部空间中，并适以将该基板依序地传送至该引入段、该薄膜形成段及该卸出段。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，该基板传送单元包括：
多数个第一滚轮，设置于该腔室单元的该引入段中；
至少二第二滚轮，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中；以及
至少二第三滚轮，设置于该腔室单元的该卸出段中，
其中所述多个第一滚轮被供以一冷却媒体并相应地被冷却，且
所述多个第二滚轮被选择性地供以一冷却媒体或一加热媒体，并相应地被冷却或加热。
16.根据权利要求1或7所述的基板处理装置，其特征在于，该材料喷嘴单元包括：
一直线式喷嘴，包括形成于其中的一馈送路径，用于馈送一沉积材料以喷射该沉积材料；以及
一反射器，围绕该直线式喷嘴的一侧部及一上部。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，该反射器包括多数个板构件，所述多个板构件相间隔地交叠。
18.一种基板处理方法，包括：
冷却一薄膜形成段，以执行蒸气沉积，该薄膜形成段形成于一腔室单元的一内部空间中；
引入一基板至该薄膜形成段；
通过喷射一沉积材料至该基板，形成一薄膜层；
将未沉积于该基板上而残余的沉积材料收集至一冷阱单元；
自该薄膜形成段卸出该基板；以及
更换该冷阱单元。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其特征在于，更包括：于引入该基板至该薄膜形成段之前，冷却该基板。
20.根据权利要求18所述的基板处理方法，其特征在于，在形成该薄膜层期间，通过交替地操作设置于该薄膜形成段中的至少二材料喷嘴单元，连续地喷射该沉积材料。
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