JP2016063005A - 半導体製造装置、および静電チャックの制御方法 - Google Patents
半導体製造装置、および静電チャックの制御方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
図1は、第1の実施形態の半導体製造装置の構成を模式的に示す図である。半導体製造装置であるプラズマ処理装置1は、被加工物であるウェハ6へのプラズマ処理を実施する。プラズマ処理装置1は、エッチング装置、CVD装置、スパッタ装置等である。プラズマ処理装置1は、ウェハ6への薄膜形成あるいはパターン形成に使用される。
P=α×(V/g)2+β×(V/D)2 ・・・(1)
第2の実施形態の半導体製造装置であるプラズマ処理装置1は、第1の実施形態のプラズマ処理装置1と同様の構成を備える。第1の実施形態と重複する説明は適宜省略する。
図6は、第3の実施形態の半導体製造装置の構成を模式的に示す図である。半導体製造装置であるプラズマ処理装置1は、静電容量センサ15を備える。上記の第1の実施形態と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
Claims (5)
- 静電力を発生させる電極を備え、前記静電力によって吸着させた被加工物が載置される静電チャックと、
前記電極へ供給される電圧を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記静電チャックに載置される被加工物への処理に伴う前記静電チャックへの被加工物の吸着力の変化に応じて、前記電圧を調整することを特徴とする半導体製造装置。 - 前記静電チャックの温度を計測する温度計測装置をさらに有し、
前記制御部は、前記静電チャックに載置される被加工物への処理に伴う前記静電チャックの温度の変化量を求め、前記変化量が変化したことに応じて前記電圧を調整することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記静電チャックは、
誘電体である第1の部材と、
導電体で構成され、前記第1の部材の上に配置された第2の部材と、を備え、
前記制御部は、前記第2の部材の上に載置された被加工物および前記第1の部材の間隔と、前記第2の部材のうち前記被加工物と接触する面の表面粗さとに応じて、前記電圧を調整することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記静電チャックおよび前記被加工物の間の静電容量を計測する静電容量計測装置をさらに有し、
前記制御部は、前記静電チャックに載置される前記被加工物が処理されたときの前記静電容量の変化に応じて、前記電圧を調整することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 静電チャックに備えられた電極への電圧供給により、前記静電チャックに載置された被加工物と前記電極との間に静電力を発生させ、
前記静電力によって前記静電チャックに前記被加工物を吸着させ、
前記静電チャックにおける被加工物の処理に伴う前記静電チャックへの被加工物の吸着力の変化に応じて、前記電圧を調整することを特徴とする静電チャックの制御方法。
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