JP2778573B2 - 加熱ステージ - Google Patents
加熱ステージInfo
- Publication number
- JP2778573B2 JP2778573B2 JP6586996A JP6586996A JP2778573B2 JP 2778573 B2 JP2778573 B2 JP 2778573B2 JP 6586996 A JP6586996 A JP 6586996A JP 6586996 A JP6586996 A JP 6586996A JP 2778573 B2 JP2778573 B2 JP 2778573B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- work
- suction
- tapered
- heating stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は加熱ステージ、特
に、半導体素子の高精度搭載やプロービングなど加熱冷
却時のステージの熱変動を抑える必要のある加熱ステー
ジに関する。
に、半導体素子の高精度搭載やプロービングなど加熱冷
却時のステージの熱変動を抑える必要のある加熱ステー
ジに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの温度−電気特性の検査に
おいては、半導体チップを載せているステージを加熱
し、一定温度に到達した時の回路の電気特性を測定して
いた。この場合、ステージは加熱されると膨張するので
プローブの先端が押し上げられるため、その針圧が高く
なってしまう。針圧が変動すると接触抵抗が変動し、正
確な測定ができないので、ステージの自動高さ調整が必
要となる。
おいては、半導体チップを載せているステージを加熱
し、一定温度に到達した時の回路の電気特性を測定して
いた。この場合、ステージは加熱されると膨張するので
プローブの先端が押し上げられるため、その針圧が高く
なってしまう。針圧が変動すると接触抵抗が変動し、正
確な測定ができないので、ステージの自動高さ調整が必
要となる。
【０００３】図５は第１の従来例を示す模式側面図であ
る。図５に示すプローバ装置は、半導体チップ１０１を
搭載する軸対称なステージ１０２と、プローブ１０６を
固定搭載する固定台１０９と、ステージ１０２の温度を
制御する温度制御装置１０５と、温度制御装置１０５か
らの設定温度情報にもとづいてステージ１０２の高さを
調節する駆動機構１２２とを含んで構成される。（例え
ば、特開平１−２７０２４３号公報参照） ステージ１０２は、それ自身を加熱するヒータ１０３と
ステージ１０２の上面の温度を測定する熱電対１０４を
内蔵している。ヒータ１０３をセラミック部材に埋設し
たものは、特開平６−５２９７４号公報，特開平６−５
３１４５号公報等に示されており、導電性セラミック焼
結体に通電して加熱する技術は、実開平２−１３７７８
８号公報に記載されているが、ステージ１０２と半導体
チップ１０１とは電気的に絶縁されている必要があるの
で、特開平５−７４５５５号公報に示されるような手段
を併用する必要がある。
る。図５に示すプローバ装置は、半導体チップ１０１を
搭載する軸対称なステージ１０２と、プローブ１０６を
固定搭載する固定台１０９と、ステージ１０２の温度を
制御する温度制御装置１０５と、温度制御装置１０５か
らの設定温度情報にもとづいてステージ１０２の高さを
調節する駆動機構１２２とを含んで構成される。（例え
ば、特開平１−２７０２４３号公報参照） ステージ１０２は、それ自身を加熱するヒータ１０３と
ステージ１０２の上面の温度を測定する熱電対１０４を
内蔵している。ヒータ１０３をセラミック部材に埋設し
たものは、特開平６−５２９７４号公報，特開平６−５
３１４５号公報等に示されており、導電性セラミック焼
結体に通電して加熱する技術は、実開平２−１３７７８
８号公報に記載されているが、ステージ１０２と半導体
チップ１０１とは電気的に絶縁されている必要があるの
で、特開平５−７４５５５号公報に示されるような手段
を併用する必要がある。
【０００４】検査作業者は半導体チップ１０１を搭載す
る軸対称なステージ１０２の中央に搭載し、固定する。
この固定方法は図示省略されている真空吸着が便利であ
り、真空吸着するとステージ１０２と半導体チップ１０
１とが密着するので、半導体チップ１０１の温度の立上
りが速くなる（例えば、特開昭１−２６０６２０号公報
の図１を参照）。なお、多孔質セラミックを利用すると
均一に吸着，加熱ができる（例えば、特開平６−５６５
２号公報参照）。
る軸対称なステージ１０２の中央に搭載し、固定する。
この固定方法は図示省略されている真空吸着が便利であ
り、真空吸着するとステージ１０２と半導体チップ１０
１とが密着するので、半導体チップ１０１の温度の立上
りが速くなる（例えば、特開昭１−２６０６２０号公報
の図１を参照）。なお、多孔質セラミックを利用すると
均一に吸着，加熱ができる（例えば、特開平６−５６５
２号公報参照）。
【０００５】顕微鏡１１０を覗いて調節機構１０８を動
かし、プローブ１０６の先端を回路の所定の位置に当接
させる。次に、温度制御装置を作動させ、ヒータ１０３
によりステージ１０２を所要の温度にすると、ステージ
１０２が膨張し、ステージ１０２の上面と固定台１０９
との距離が減少するので、ステージ１０２の熱膨張量計
算しその分だけモータ制御装置１２６によりモータ１２
２ａを動作させ、ステージ１０２を下降させる。
かし、プローブ１０６の先端を回路の所定の位置に当接
させる。次に、温度制御装置を作動させ、ヒータ１０３
によりステージ１０２を所要の温度にすると、ステージ
１０２が膨張し、ステージ１０２の上面と固定台１０９
との距離が減少するので、ステージ１０２の熱膨張量計
算しその分だけモータ制御装置１２６によりモータ１２
２ａを動作させ、ステージ１０２を下降させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の加熱ス
テージは、ステージ及びステージ取付部の熱膨張より水
平方向にも不規則に変動するため、半導体素子の高精度
搭載や高精度プロービングなどの位置ズレの原因になる
という欠点があり、さらに高さ方向の測定器と駆動機構
が必要なため高価になってしまうという欠点があった。
テージは、ステージ及びステージ取付部の熱膨張より水
平方向にも不規則に変動するため、半導体素子の高精度
搭載や高精度プロービングなどの位置ズレの原因になる
という欠点があり、さらに高さ方向の測定器と駆動機構
が必要なため高価になってしまうという欠点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明の加熱ステー
ジは、半導体チップ・基板等のワークを吸着する吸着孔
を中心軸とし支持部をテーパ状にしワーク吸着面と反対
端に固定用の雄ネジを有する軸対称形状のヒーターブロ
ックと、前記ヒータブロックのテーパ部が挿入されるテ
ーパ状の穴があり熱伝導の悪い材質で作られたヒータベ
ースと、前記ヒータブロックを加熱するために接触させ
たヒータと、前記ヒータブロックの支持部が熱膨張によ
り伸びたときに緩みが起きないように板バネを介して前
記ヒータベースに固定するナットとを含んで構成され
る。
ジは、半導体チップ・基板等のワークを吸着する吸着孔
を中心軸とし支持部をテーパ状にしワーク吸着面と反対
端に固定用の雄ネジを有する軸対称形状のヒーターブロ
ックと、前記ヒータブロックのテーパ部が挿入されるテ
ーパ状の穴があり熱伝導の悪い材質で作られたヒータベ
ースと、前記ヒータブロックを加熱するために接触させ
たヒータと、前記ヒータブロックの支持部が熱膨張によ
り伸びたときに緩みが起きないように板バネを介して前
記ヒータベースに固定するナットとを含んで構成され
る。
【０００８】第２の発明の加熱ステージは、第１の発明
の加熱ステージにおいて、前記ヒータブロックと前記ヒ
ータが、半導体チップ・基板等のワークを吸着する吸着
孔を中心軸としさらにワークを加熱する円板状のセラミ
ックヒータと、前記セラミックヒータの吸着孔の中心軸
と同軸に接合し中心軸にワーク吸着用の穴があり外周の
固定部をテーパ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持
棒とを含んで構成される。
の加熱ステージにおいて、前記ヒータブロックと前記ヒ
ータが、半導体チップ・基板等のワークを吸着する吸着
孔を中心軸としさらにワークを加熱する円板状のセラミ
ックヒータと、前記セラミックヒータの吸着孔の中心軸
と同軸に接合し中心軸にワーク吸着用の穴があり外周の
固定部をテーパ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持
棒とを含んで構成される。
【０００９】第３の発明の加熱ステージは、第１の発明
の加熱ステージまたは第２の発明の加熱ステージにおい
て、前記ヒータブロック及び前記ヒータ支持棒のテーパ
部を挿入する部分を石英ガラス等の低熱膨張材とし前記
ヒータベースとの接合面を吸着孔の中心軸の吸着面を中
心とする球面とした軸対称形状のヒータ座を含んで構成
される。
の加熱ステージまたは第２の発明の加熱ステージにおい
て、前記ヒータブロック及び前記ヒータ支持棒のテーパ
部を挿入する部分を石英ガラス等の低熱膨張材とし前記
ヒータベースとの接合面を吸着孔の中心軸の吸着面を中
心とする球面とした軸対称形状のヒータ座を含んで構成
される。
【００１０】第４の発明の加熱ステージは、第３の発明
の加熱ステージにおいて、前記ヒータ座の周りに圧入す
る熱伝導の良い材質で作った軸対称形状の放熱フィンを
含んで構成される。
の加熱ステージにおいて、前記ヒータ座の周りに圧入す
る熱伝導の良い材質で作った軸対称形状の放熱フィンを
含んで構成される。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の第１の実施形態を示す断
面図である。図１に示す加熱ステージは、半導体チップ
・基板等のワーク１を吸着する吸着孔を中心軸とし支持
部をテーパ状にしワーク吸着面と反対端に固定用の雄ネ
ジを有する軸対称形状のヒーターブロック２と、ヒータ
ブロック２のテーパ部が挿入されるテーパ状の穴があり
熱伝導の悪い材質で作られたヒータベース３と、ヒータ
ブロック２を加熱するヒータ４と、ヒータ４をヒータブ
ロック２にヒータ押し付け座５を介して押し付けるヒー
タ押し付けバネ６と、ヒータブロック２の支持部が熱膨
張により伸びたときに緩みが起きないように板バネ７と
座金８を介してヒータベース３に固定するナット９と、
ヒータに電力を供給する電極１０と、ヒータブロック２
の温度を測定する熱電対１１と、ワーク１を真空吸着す
るために必要な真空室を構成するための裏蓋１２と、真
空吸引する真空吸引チューブ１３とを含んで構成され
る。
面図である。図１に示す加熱ステージは、半導体チップ
・基板等のワーク１を吸着する吸着孔を中心軸とし支持
部をテーパ状にしワーク吸着面と反対端に固定用の雄ネ
ジを有する軸対称形状のヒーターブロック２と、ヒータ
ブロック２のテーパ部が挿入されるテーパ状の穴があり
熱伝導の悪い材質で作られたヒータベース３と、ヒータ
ブロック２を加熱するヒータ４と、ヒータ４をヒータブ
ロック２にヒータ押し付け座５を介して押し付けるヒー
タ押し付けバネ６と、ヒータブロック２の支持部が熱膨
張により伸びたときに緩みが起きないように板バネ７と
座金８を介してヒータベース３に固定するナット９と、
ヒータに電力を供給する電極１０と、ヒータブロック２
の温度を測定する熱電対１１と、ワーク１を真空吸着す
るために必要な真空室を構成するための裏蓋１２と、真
空吸引する真空吸引チューブ１３とを含んで構成され
る。
【００１３】半導体チップ等のワーク１はヒータブロッ
クの中心軸上に真空吸着されており、ヒータブロック２
は軸対称な形状であるため、中心軸上では理論的に熱膨
張は０になる。実際にはヒータベース側の温度分布等の
影響があるため多少の熱変動があるが、ごくわずかな量
に抑えることが出来る。
クの中心軸上に真空吸着されており、ヒータブロック２
は軸対称な形状であるため、中心軸上では理論的に熱膨
張は０になる。実際にはヒータベース側の温度分布等の
影響があるため多少の熱変動があるが、ごくわずかな量
に抑えることが出来る。
【００１４】図２は、本発明の第２の実施形態を示す断
面図である。図２に示す加熱ステージは、半導体チップ
・基板等のワーク１を吸着する吸着孔を中心軸としさら
にワークを加熱する円板状のセラミックヒータ１４と、
セラミックヒータ１４の吸着孔の中心軸と同軸に接合し
中心軸にワーク１吸着用の穴があり外周の固定部をテー
パ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持棒１５と、ヒ
ータ支持棒１５のテーパ部が挿入されるテーパ状の穴が
あり熱伝導の悪い材質で作られたヒータベース３と、ヒ
ータ支持棒が熱膨張により伸びたときに緩みが起きない
ように板バネ７と座金８を介してヒータベース３に固定
するナット９と、ヒータに電力を供給する電極１０と、
セラミックヒータ１４の温度を測定する熱電対１１と、
ワーク１を真空吸着するために必要な真空室を構成する
ための裏蓋１２と、真空吸引する真空吸引チューブ１３
とを含んで構成される。
面図である。図２に示す加熱ステージは、半導体チップ
・基板等のワーク１を吸着する吸着孔を中心軸としさら
にワークを加熱する円板状のセラミックヒータ１４と、
セラミックヒータ１４の吸着孔の中心軸と同軸に接合し
中心軸にワーク１吸着用の穴があり外周の固定部をテー
パ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持棒１５と、ヒ
ータ支持棒１５のテーパ部が挿入されるテーパ状の穴が
あり熱伝導の悪い材質で作られたヒータベース３と、ヒ
ータ支持棒が熱膨張により伸びたときに緩みが起きない
ように板バネ７と座金８を介してヒータベース３に固定
するナット９と、ヒータに電力を供給する電極１０と、
セラミックヒータ１４の温度を測定する熱電対１１と、
ワーク１を真空吸着するために必要な真空室を構成する
ための裏蓋１２と、真空吸引する真空吸引チューブ１３
とを含んで構成される。
【００１５】半導体チップ等のワーク１は円板状のセラ
ミックヒータ１４の中心軸上に真空吸着されているた
め、中心軸上では理論的に熱膨張は０になる。さらに、
ワーク１をセラミックヒータ１４で直接加熱するため急
速加熱できヒータ支持棒１５の温度上昇も一体構造の場
合よりも低く抑えられるため、ヒータベース側の温度分
布等の影響も減り、さらにごくわずかな量に抑えること
が出来る。
ミックヒータ１４の中心軸上に真空吸着されているた
め、中心軸上では理論的に熱膨張は０になる。さらに、
ワーク１をセラミックヒータ１４で直接加熱するため急
速加熱できヒータ支持棒１５の温度上昇も一体構造の場
合よりも低く抑えられるため、ヒータベース側の温度分
布等の影響も減り、さらにごくわずかな量に抑えること
が出来る。
【００１６】図３は、本発明の第３の実施形態を示す断
面図である。図３に示す加熱ステージは、半導体チップ
・基板等のワーク１を吸着する吸着孔を中心軸としさら
にワークを加熱する円板状のセラミックヒータ１４と、
セラミックヒータ１４の吸着孔の中心軸と同軸に接合し
中心軸にワーク１吸着用の穴があり外周の固定部をテー
パ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持棒１５と、ヒ
ータ支持棒１５のテーパ部が挿入されるテーパ状の穴が
あり石英ガラス等の低熱膨張材としヒータベース３との
接合面を吸着孔の中心軸の吸着面を中心とする球面とし
た軸対称形状のヒータ座１６と、熱伝導の悪い材質で作
られたヒータベース３と、ヒータ支持棒が熱膨張により
伸びたときに緩みが起きないように板バネ７と座金８を
介してヒータベース３に固定するナット９と、ヒータに
電力を供給する電極１０と、セラミックヒータ１４の温
度を測定する熱電対１１と、ワーク１を真空吸着するた
めに必要な真空室を構成するための裏蓋１２と、真空吸
引する真空吸引チューブ１３とを含んで構成される。
面図である。図３に示す加熱ステージは、半導体チップ
・基板等のワーク１を吸着する吸着孔を中心軸としさら
にワークを加熱する円板状のセラミックヒータ１４と、
セラミックヒータ１４の吸着孔の中心軸と同軸に接合し
中心軸にワーク１吸着用の穴があり外周の固定部をテー
パ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持棒１５と、ヒ
ータ支持棒１５のテーパ部が挿入されるテーパ状の穴が
あり石英ガラス等の低熱膨張材としヒータベース３との
接合面を吸着孔の中心軸の吸着面を中心とする球面とし
た軸対称形状のヒータ座１６と、熱伝導の悪い材質で作
られたヒータベース３と、ヒータ支持棒が熱膨張により
伸びたときに緩みが起きないように板バネ７と座金８を
介してヒータベース３に固定するナット９と、ヒータに
電力を供給する電極１０と、セラミックヒータ１４の温
度を測定する熱電対１１と、ワーク１を真空吸着するた
めに必要な真空室を構成するための裏蓋１２と、真空吸
引する真空吸引チューブ１３とを含んで構成される。
【００１７】半導体チップ等のワーク１は円板状のセラ
ミックヒータ１４の中心軸上に真空吸着されているた
め、中心軸上では理論的に熱膨張は０になる。さらに、
ワーク１をセラミックヒータ１４で直接加熱するため急
速加熱できヒータ支持棒１５の温度上昇も一体構造の場
合よりも低く抑えられ、さらに、ヒータ支持棒を１５挿
入しているヒータ座１６は熱膨張が極めて小さい材料で
作られているため、ヒータ座１６及びヒータベース３側
の温度分布等の影響も減り、さらにごくわずかな量に抑
えることが出来る。また、ヒータ座１６とヒータベース
３の接合部は、ワーク１の位置を中心とした球面となっ
ているため、セラミックヒータ１４上面の平行調整を容
易に行うことが出来る。
ミックヒータ１４の中心軸上に真空吸着されているた
め、中心軸上では理論的に熱膨張は０になる。さらに、
ワーク１をセラミックヒータ１４で直接加熱するため急
速加熱できヒータ支持棒１５の温度上昇も一体構造の場
合よりも低く抑えられ、さらに、ヒータ支持棒を１５挿
入しているヒータ座１６は熱膨張が極めて小さい材料で
作られているため、ヒータ座１６及びヒータベース３側
の温度分布等の影響も減り、さらにごくわずかな量に抑
えることが出来る。また、ヒータ座１６とヒータベース
３の接合部は、ワーク１の位置を中心とした球面となっ
ているため、セラミックヒータ１４上面の平行調整を容
易に行うことが出来る。
【００１８】図４は、本発明の第４の実施形態を示す断
面図である。図４に示す加熱ステージは、半導体チップ
・基板等のワーク１を吸着する吸着孔を中心軸としさら
にワークを加熱する円板状のセラミックヒータ１４と、
セラミックヒータ１４の吸着孔の中心軸と同軸に接合し
中心軸にワーク１吸着用の穴があり外周の固定部をテー
パ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持棒１５と、ヒ
ータ支持棒１５のテーパ部が挿入されるテーパ状の穴が
あり石英ガラス等の低熱膨張材としヒータベース３との
接合面を吸着孔の中心軸の吸着面を中心とする球面とし
た軸対称形状のヒータ座１６と、ヒータ座１６の周りに
圧入する熱伝導の良い材質で作った軸対称形状の放熱フ
ィン１７と、熱伝導の悪い材質で作られたヒータベース
３と、ヒータ支持棒が熱膨張により伸びたときに緩みが
起きないように板バネ７と座金８を介してヒータベース
３に固定するナット９と、ヒータに電力を供給する電極
１０と、セラミックヒータ１４の温度を測定する熱電対
１１と、ワーク１を真空吸着するために必要な真空室を
構成するための裏蓋１２と、真空吸引する真空吸引チュ
ーブ１３とを含んで構成される。
面図である。図４に示す加熱ステージは、半導体チップ
・基板等のワーク１を吸着する吸着孔を中心軸としさら
にワークを加熱する円板状のセラミックヒータ１４と、
セラミックヒータ１４の吸着孔の中心軸と同軸に接合し
中心軸にワーク１吸着用の穴があり外周の固定部をテー
パ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持棒１５と、ヒ
ータ支持棒１５のテーパ部が挿入されるテーパ状の穴が
あり石英ガラス等の低熱膨張材としヒータベース３との
接合面を吸着孔の中心軸の吸着面を中心とする球面とし
た軸対称形状のヒータ座１６と、ヒータ座１６の周りに
圧入する熱伝導の良い材質で作った軸対称形状の放熱フ
ィン１７と、熱伝導の悪い材質で作られたヒータベース
３と、ヒータ支持棒が熱膨張により伸びたときに緩みが
起きないように板バネ７と座金８を介してヒータベース
３に固定するナット９と、ヒータに電力を供給する電極
１０と、セラミックヒータ１４の温度を測定する熱電対
１１と、ワーク１を真空吸着するために必要な真空室を
構成するための裏蓋１２と、真空吸引する真空吸引チュ
ーブ１３とを含んで構成される。
【００１９】半導体チップ等のワーク１は円板状のセラ
ミックヒータ１４の中心軸上に真空吸着されているた
め、中心軸上では理論的に熱膨張は０になる。さらに、
ワーク１をセラミックヒータ１４で直接加熱するため急
速加熱できヒータ支持棒１５の温度上昇も一体構造の場
合よりも低く抑えられ、さらに、ヒータ支持棒を１５挿
入しているヒータ座１６は熱膨張が極めて小さい材料で
作られており、外周を放熱フィン１７でおおわれている
ため、ヒータ座１６の温度上昇による熱膨張の影響も減
り、極めてごくわずかな量に抑えることが出来る。ま
た、ヒータ座１６とヒータベース３の接合部は、ワーク
１の位置を中心とした球面となっているため、セラミッ
クヒータ１４上面の平行調整を容易に行うことが出来
る。
ミックヒータ１４の中心軸上に真空吸着されているた
め、中心軸上では理論的に熱膨張は０になる。さらに、
ワーク１をセラミックヒータ１４で直接加熱するため急
速加熱できヒータ支持棒１５の温度上昇も一体構造の場
合よりも低く抑えられ、さらに、ヒータ支持棒を１５挿
入しているヒータ座１６は熱膨張が極めて小さい材料で
作られており、外周を放熱フィン１７でおおわれている
ため、ヒータ座１６の温度上昇による熱膨張の影響も減
り、極めてごくわずかな量に抑えることが出来る。ま
た、ヒータ座１６とヒータベース３の接合部は、ワーク
１の位置を中心とした球面となっているため、セラミッ
クヒータ１４上面の平行調整を容易に行うことが出来
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明の加熱ステージは、軸対称な構成
であるので、中心軸上での熱膨張は理論上０となり、加
熱冷却時のステージの熱変動を抑える必要のある半導体
素子の高精度搭載やプロービングなどに適用できるとい
う効果がある。
であるので、中心軸上での熱膨張は理論上０となり、加
熱冷却時のステージの熱変動を抑える必要のある半導体
素子の高精度搭載やプロービングなどに適用できるとい
う効果がある。
【００２１】さらに、ヒータをセラミックヒータとしワ
ークを直接加熱することにより、急速加熱を行うことも
できるという効果もある。
ークを直接加熱することにより、急速加熱を行うことも
できるという効果もある。
【００２２】また、セラミックヒータを接合したヒータ
支持棒を石英ガラス等の低熱膨張材料のヒータ座で支え
ているため、温度上昇のばらつきがヒータ座にある場合
でも熱膨張による変動を小さく抑えることができ、さら
に、ヒータ座のまわりに放熱フィンを追加すると、ヒー
タ座の温度上昇を抑えることができるため、全体の熱変
動を極めて小さく抑えることが出来るという効果があ
る。さらに、ヒータ座とヒータベースの接合部は、ワー
クの位置を中心とした球面となっているため、セラミッ
クヒータ上面の平行調整を容易に行うことができ、ヒー
タ座のまわりに放熱フィンを圧入する事によりヒータ支
持棒の熱膨張によるヒータ座の割れを防止できるという
効果もある。
支持棒を石英ガラス等の低熱膨張材料のヒータ座で支え
ているため、温度上昇のばらつきがヒータ座にある場合
でも熱膨張による変動を小さく抑えることができ、さら
に、ヒータ座のまわりに放熱フィンを追加すると、ヒー
タ座の温度上昇を抑えることができるため、全体の熱変
動を極めて小さく抑えることが出来るという効果があ
る。さらに、ヒータ座とヒータベースの接合部は、ワー
クの位置を中心とした球面となっているため、セラミッ
クヒータ上面の平行調整を容易に行うことができ、ヒー
タ座のまわりに放熱フィンを圧入する事によりヒータ支
持棒の熱膨張によるヒータ座の割れを防止できるという
効果もある。
【図１】本発明の第１の一実施形態を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の一実施形態を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第３の一実施形態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第４の一実施形態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来の一例を示す側面図である。
１ ワーク ２ ヒーターブロック ３ ヒータベース ４ ヒータ ５ ヒータ押し付け座 ６ ヒータ押し付けバネ ７ 板バネ ８ 座金 ９ ナット １０ 電極 １１ 熱電対 １２ 裏蓋 １３ 真空吸引チューブ １４ セラミックヒータ １５ ヒータ支持棒 １６ ヒータ座 １７ 放熱フィン １８ 駆動機構 １９ レーザ測距装置
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップ・基板等のワークを吸着す
る吸着孔を中心軸とし支持部をテーパ状にしワーク吸着
面と反対端に固定用の雄ネジを有する軸対称形状のヒー
ターブロックと、前記ヒータブロックのテーパ部が挿入
されるテーパ状の穴があり熱伝導の悪い材質で作られた
ヒータベースと、前記ヒータブロックを加熱するために
接触させたヒータと、前記ヒータブロックの支持部が熱
膨張により伸びたときに緩みが起きないように板バネを
介して前記ヒータベースに固定するナットとを含むこと
を特徴とする加熱ステージ。 - 【請求項２】 前記ヒータブロックと前記ヒータが、半
導体チップ・基板等のワークを吸着する吸着孔を中心軸
としさらにワークを加熱する円板状のセラミックヒータ
と、前記セラミックヒータの吸着孔の中心軸と同軸に接
合し中心軸にワーク吸着用の穴があり外周の固定部をテ
ーパ状にし先端に雄ネジを有するヒータ支持棒とする請
求項１記載の加熱ステージ。 - 【請求項３】 前記ヒータブロック及び前記ヒータ支持
棒のテーパ部を挿入する部分を石英ガラス等の低熱膨張
材とし前記ヒータベースとの接合面を吸着孔の中心軸の
吸着面を中心とする球面とした軸対称形状のヒータ座を
含む請求項１及び請求項２記載の加熱ステージ。 - 【請求項４】 前記ヒータ座の周りに圧入する熱伝導の
良い材質で作った軸対称形状の放熱フィンを含む請求項
３記載の加熱ステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6586996A JP2778573B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 加熱ステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6586996A JP2778573B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 加熱ステージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260445A JPH09260445A (ja) | 1997-10-03 |
| JP2778573B2 true JP2778573B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=13299435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6586996A Expired - Fee Related JP2778573B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 加熱ステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2778573B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4205321B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2009-01-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 顕微鏡等のフォーカス安定性機構 |
| JP4766797B2 (ja) * | 2001-08-14 | 2011-09-07 | 株式会社東京精密 | プローバのステージ構造 |
| JP4607445B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2011-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 温度制御装置及び顕微鏡台 |
| JP5691092B2 (ja) * | 2011-01-06 | 2015-04-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP6586996A patent/JP2778573B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09260445A (ja) | 1997-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5509361B2 (ja) | 静電チャック支持組立体 | |
| JPH11507473A (ja) | ウエハの温度制御方法及び装置 | |
| US5904872A (en) | Heating device, method of manufacturing the same, and processing apparatus using the same | |
| US7492176B2 (en) | Prober and probe contact method | |
| US5410162A (en) | Apparatus for and method of rapid testing of semiconductor components at elevated temperature | |
| JP5031984B2 (ja) | レーザー熱処理のための加熱チャック | |
| JP2008527701A (ja) | 温度を調整可能なチャック装置を用いた半導体ウエハ検査方法および装置 | |
| US20050173410A1 (en) | Ceramic heaters | |
| US7187002B2 (en) | Wafer collective reliability evaluation device and wafer collective reliability evaluation method | |
| US6914222B2 (en) | Wafer heating apparatus | |
| US5378971A (en) | Probe and a method of manufacturing the same | |
| JP2778573B2 (ja) | 加熱ステージ | |
| CN111771120B (zh) | 基板评价用芯片和基板评价装置 | |
| JP2006173206A (ja) | プローバ | |
| JP3129417B2 (ja) | 加熱冷却装置及び電気特性評価装置 | |
| JP2003059986A (ja) | プローバのステージ構造 | |
| JP4901317B2 (ja) | プローバ及び平行度調整方法 | |
| JPH11218480A (ja) | セラミックス焼結体の熱衝撃試験法およびその装置 | |
| WO2010027054A1 (ja) | カンチレバー加熱機構、それを用いたカンチレバーホルダ、及び、カンチレバー加熱方法 | |
| JP2719332B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2008232684A (ja) | 基板の温度測定用方法および基板の温度測定用治具 | |
| JP2870517B2 (ja) | 熱伝導率測定プローブおよび熱伝導率測定装置および方法 | |
| JP6889959B1 (ja) | ウェハチャック及びプローバ装置 | |
| JP2001237284A (ja) | 温度制御装置及び半導体ウェハ検査用のプローバ装置 | |
| JP3563726B2 (ja) | ウエハ支持部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980407 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090508 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100508 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110508 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110508 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120508 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120508 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130508 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140508 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |