JP2001237284A - 温度制御装置及び半導体ウェハ検査用のプローバ装置 - Google Patents

温度制御装置及び半導体ウェハ検査用のプローバ装置

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JP2001237284A
JP2001237284A JP2000046890A JP2000046890A JP2001237284A JP 2001237284 A JP2001237284 A JP 2001237284A JP 2000046890 A JP2000046890 A JP 2000046890A JP 2000046890 A JP2000046890 A JP 2000046890A JP 2001237284 A JP2001237284 A JP 2001237284A
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heating
heater
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▲皖▼一 門谷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】被処理体や処理空間の温度を速やかに且つ精密
に温度制御でき、多様な被処理体や処理空間の温度制御
に適用可能な小型の温度制御装置を提供する。 【解決手段】温度制御装置(1) は、絶縁性シート(2a)、
及び同シート(2a)の片面に所要のパターンをもって敷設
された発熱抵抗線状体(2b)を備えたシート状ヒータ(2)
からなる加熱装置と、一対の電極(3a,3b) 及び両電極間
に配された熱電素子(3c)を有する熱電モジュールを備え
た熱交換器(3) とを備えている。前記熱交換器(3) は、
前記熱電モジュールの上方の電極(3a)が、前記絶縁性シ
ート(2a)の裏面に密着させて配されている。シート状ヒ
ータ(2) 表面に載置された被処理体を、前記シート状ヒ
ータ(2) により加熱するともに、冷却時には前記熱交換
器(3) を作動させてシート状ヒータ(2) を介して冷却す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は被処理体を加熱・冷
却する温度制御装置と、同温度制御装置を備えた半導体
ウェハ検査用のプローバ装置とに関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体の製造工程では、半導体
の洗浄液の乾燥や、半導体ウェハ表面に塗布されたレジ
スト液の溶剤除去、レジスト物性の安定化などのため
に、半導体ウェハのベーキングが行われている。更に、
半導体の一連の製造工程においては、ベーキングに続い
てクーリングも行われる。かかるベーキングやクーリン
グの際には、半導体ウェハを所要の温度に制御された載
置台に載置して、同半導体ウェハを直接に加熱・冷却し
ている。また、例えば半導体ウェハの表面にフォトレジ
ストを塗付する際には、その処理空間を所要の温度に制
御している。
【0003】更には、半導体ウェハの検査工程では、半
導体製品が使用される温度環境を想定して半導体ウェハ
の状態で各種物性の試験を行っており、例えば半導体の
温度特性試験の場合には、半導体ウェハを約−30℃〜
300℃の温度範囲で加熱・冷却した状態で、プローブ
針を接触させてテスト信号を流し特性試験を行ってい
る。
【0004】このように、半導体ウェハは製造工程や検
査工程における各種処理の際に、前記半導体ウェハやそ
の処理空間を加熱・冷却して所望の温度に精密に制御し
なければならない場合がある。
【0005】例えば、特公平7―111994号公報に
開示されている半導体ウェハの検査装置にあっては、半
導体ウェハの載置台の下方に、一対の電極及び熱電素子
を有する熱電モジュールと、同熱電モジュールとの間で
熱の授受を行う流体の循環系統と、前記流体の加熱手段
及び冷却手段とを備えた熱交換器を、絶縁体を介して設
置している。この熱交換器により前記載置台を加熱・冷
却し、その載置台上の半導体ウェハを所望の温度に制御
している。
【0006】しかしながら、熱交換器により半導体ウェ
ハの載置台を加熱・冷却する場合に、熱の授受を行う流
体が一系統である場合には、加熱又は冷却に応じて前記
流体を所定の温度まで加熱又は冷却しなければならず、
加熱又は冷却時の温度変化が大きい場合に、前記流体を
所望の温度まで加熱又は冷却するために長時間を要し、
且つそのエネルギー消費も大きい。また、加熱用流体と
冷却用流体とに分けて流体の循環系統を二系統配するこ
ともできるが、その場合には流体の循環系統に要する配
管などが倍増するため、検査装置が大型化するといった
問題が生じる。
【0007】そこで、特開平5−343486号公報に
開示されている半導体ウェハの検査装置では、半導体ウ
ェハの載置台の内部にセラミックヒータを埋設すると共
に、前記載置台の下方に、一対の電極及び熱電素子を有
する熱電モジュールと、同熱電モジュールとの間で熱の
授受を行う流体の循環系統と、前記流体の加熱手段及び
冷却手段とを備えた熱交換器を、絶縁体を介して設置し
ている。
【0008】この検査装置では加熱時にセラミックヒー
タを用いることにより、加熱と冷却との切換え時の温度
変更が速やかに行えると共に、熱電モジュールを有する
熱交換器により温度の微調整が可能となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平5−343486号公報に開示されている半導体ウ
ェハの検査装置では、温度制御のために熱電モジュール
を有する熱交換器とセラミックヒータとを併用している
ために、前記セラミックヒータの占有体積の分だけ、装
置が大型化するといった問題がある。しかも、セラミッ
クヒータを載置台の内部に埋設することにより、熱交換
器による加熱・冷却の熱交換の速度が低下する。一方、
熱電モジュールを有する熱交換器を採用しているため、
同公報にあっては熱電モジュールの電極と半導体ウェハ
の載置台との間に更に絶縁体を介在させなければなら
ず、その絶縁体の介在分だけ熱伝導が阻害されると共に
装置が大型化してしまう。
【0010】本発明は上述した問題を解決すべくなされ
たものであり、被処理体や処理空間の温度を速やかに変
更でき、且つ精密な温度制御が可能で、しかも小型であ
り、多様な被処理体や処理空間の温度制御に適用可能で
ある温度制御装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段及び作用効果】かかる課題
を解決するために、本件請求項1に係る発明は、熱交換
器と多様な処理温度に制御可能な加熱装置とを備えた温
度制御装置であって、前記加熱装置は、絶縁性シート
と、同シートの片面に所要のパターンをもって敷設され
た発熱抵抗線状体とを備えたシート状ヒータからなり、
前記熱交換器は、一対の電極と両電極間に配された熱電
素子とを有する熱電モジュールを備え、前記熱電モジュ
ールの片側の電極が、前記絶縁性シートの前記片面とは
反対面に密着させて配されてなることを特徴としてい
る。
【0012】この温度制御装置は、例えば被処理体や処
理空間の温度を加熱する場合には、前記シート状ヒータ
の発熱抵抗線状体に通電して加熱する。このとき、加熱
温度の精密な調整が必要な場合には、熱交換器を作動さ
せて補助的に加熱又は冷却を行うことにより加熱温度の
微調整を行うことができる。また、前記被処理体や処理
空間の温度を冷却する場合には、前記加熱装置の作動を
停止すると共に、熱交換器を作動させて冷却を行う。こ
のときには、熱の授受を行う流体は冷却流体である。こ
のように、熱交換器は加熱時には微調整するために補助
的に使用されるが、主に冷却用に使用されるものであ
る。そのため、熱交換器において熱の授受に利用される
流体の温度を大幅に変更する必要は無く、前記流体の循
環系統には冷却手段を備えていれば十分である。従って
従来のように加熱及び冷却の双方に熱交換器を利用して
いた場合のように、流体の加熱手段と冷却手段との双方
を必要としていた装置と比べて小型化できる。
【0013】また、加熱手段としてシート状ヒータを採
用し、そのシート状ヒータにおける絶縁性シートの前記
発熱抵抗線状体が敷設されていない側の面に、熱電モジ
ュールの電極を密着させることにより、前記シート状ヒ
ータの絶縁性シートによって同ヒータと熱電モジュール
とを絶縁することができる。従って、従来のように加熱
手段と熱電モジュールとの間に別個に絶縁体を配する必
要はなく、そのため、前記熱交換器による加熱・冷却の
熱交換の速度が向上すると共に、絶縁体の分だけ装置を
薄型に形成できる。
【0014】また、前記シート状ヒータは、前記発熱抵
抗線状体によるパターンが多数の同心円上に配されてい
ることが好ましく、更にその円弧部分の表面積が全パタ
ーンの70%以上であることが好ましい。特に、前記円
弧部分の表面積は85〜95%であることがより望まし
い。このような発熱抵抗線状体のパターンでは、過熱さ
れやすい鋭角の折返し部分が少なく、過熱による焼損や
断線がなくなり、耐久性が向上する。しかも、円弧部分
を同一円周上で適当に分散させながら、隣接する同心円
の円周上の円弧部分と僅かな直線で連結するようにすれ
ば、均熱性の付与も容易となる。更に焼損を少なくする
ためには、鋭角に折り返す部分を小さな円弧で連結する
ことが好ましく、或いは折り返し部分にその折り返し形
状に沿って数条のスリットを形成すると、同スリットを
挟む発熱抵抗線状体部分に均等に電流が流れ、局部的な
過熱が発生せず焼損もなくなる。
【0015】更に、前記シート状ヒータは前記発熱抵抗
線状体の端部にある給電部が、前記絶縁性シートの周縁
の一部から所要の幅と長さをもって延設された領域の全
面に形成されていることが好ましく、その給電部の前記
発熱抵抗線状体側の端縁にはスリット状の給電部非形成
領域を形成することが好ましい。このスリット状の給電
部非形成領域を形成することにより、絶縁性シートとス
テンレス等の発熱抵抗線状体及び給電部の構成材料との
熱線膨張率の差によって前記給電部の一部が浮き上がっ
たり皺が寄ったりするのを防止できる。
【0016】また、本件請求項2に係る発明では、前記
シート状ヒータは、前記発熱抵抗線状体の表面を被覆す
る絶縁性被膜を有している。このように前記発熱抵抗線
状体の表面を絶縁性被膜により被覆することにより、前
記発熱抵抗線状体が前記接延性被膜により保護され、前
記線状体の切断や損傷を防止できる。また、前記絶縁性
被膜の表面を被処理体の載置面として被処理体を加熱
し、或いは絶縁性被膜の表面を処理空間の壁面として処
理空間を加熱することができる。従って、被処理体の載
置台等を別途配する必要が無く、シート状ヒータによる
加熱効率が向上する。
【0017】本件請求項3に係る発明は、上述した温度
制御装置を備えてなり、前記温度制御装置の一表面が半
導体ウェハの載置面としてなることを特徴とする半導体
ウェハ検査用のプローバ装置を提供している。半導体ウ
ェハの検査工程では、既述したとおり半導体製品が使用
される温度環境を想定して、広範囲で且つ高精度の温度
制御を行っており、本発明のプローバ装置にあっては上
述した温度制御装置を備えているため、加熱・冷却の温
度を即座に半導体ウェハに伝達することができると共
に、広範囲で且つ精密な温度制御が可能となり、しかも
熱交換器の流体系統も一系統ですむため、装置の占有ス
ペースが小さくなる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照して具体的に説明する。図1は本
発明の第1実施例である、半導体ウェハ検査用のプロー
バ装置に適用可能な温度制御装置1を概略的に示す断面
図である。
【0019】前記温度制御装置1は、シート状ヒータ2
と熱交換器3とを備えている。前記シート状ヒータ2
は、ポリイミド樹脂からなる絶縁性シート2aの表面に
発熱抵抗線状体2bが所要のパターンをもって敷設され
ており、更に、前記発熱抵抗線状体2bの表面がポリイ
ミド樹脂からなる絶縁性被膜2cにより被覆されてい
る。前記絶縁性被膜2cの表面は半導体ウェハの載置面
を構成している。
【0020】前記シート状ヒータ2の絶縁性シート2a
は、図2に示すように円形部分の周縁から矩形部分が2
箇所に延設された形状をなし、前記円形部分の中央領域
に1組の発熱抵抗線状体2bが配され、更にその外側を
取り囲む領域に他の1組の発熱抵抗線状体2bが敷設さ
れている。前記発熱抵抗線状体2bはニッケルクロム合
金や鉄クロム合金等のように、単位長さあたりの電気抵
抗が高い金属或いは合金によって構成されており、その
敷設領域が等発熱密度となると共に、局部的な過熱部を
生じさせない配置パターンで敷設することが好ましい。
【0021】従って、前記発熱抵抗線状体2bはそのパ
ターンが多数の同心円上に配されていることが好まし
く、更にその円弧部分の表面積が全パターンの70%以
上であることが好ましい。特に、前記円弧部分の表面積
は85〜95%であることがより望ましい。このような
パターンとすれば、鋭角の折返し部分を少なくでき、過
熱による焼損や断線を防止して耐久性を向上させること
が可能になる。また、発熱抵抗線状体2bの太さ及び隣
り合う発熱抵抗線状体2bの間隔を一定にし、発熱抵抗
線状体2bの敷設密度を均一に配することにより、ヒー
タの全面にわたって均熱性が確保される。
【0022】更に、前記発熱抵抗線状体2bの端部にあ
る給電部2dが、前記絶縁性シート2aの矩形の領域の
全面に形成されており、その給電部2dの前記発熱抵抗
線状体側2bの端縁にはスリット状の給電部非形成領域
2eが形成されている。このスリット状の給電部非形成
領域2eによって、熱線膨張率の差による前記給電部2
dの浮き上がりや皺を防止できる。
【0023】前記熱交換器3は、一対の電極3a,3b
と両電極3a,3b間に配された熱電素子3cとを有す
る熱電モジュールを備え、前記熱電モジュールの上側の
電極3aは、前記シート状ヒータ2の絶縁性シート2a
の裏面に密着させて配されている。更に、前記熱電モジ
ュールの下方には、冷却流体の循環機構3dが、絶縁体
3eを介して配されている。
【0024】前記シート状ヒータ2の絶縁性シート2a
はポリイミド樹脂からなり、金属との接着性にも優れて
いるため、例えば前記シート状ヒータ2の絶縁性シート
2aと熱電モジュール3に組み込まれた上方の電極3a
とを密着させて固着する作業も容易である。或いは、シ
ート状ヒータ2の裏面に予め熱電モジュールの構成要素
である上方の電極3aのみを、発熱抵抗線状体2bと同
様にエッチングにより敷設し、前記電極3aと熱電素子
3cとを固着して、シート状ヒータ2と熱電モジュール
とを一体化することもできる。
【0025】このように、シート状ヒータ2と熱交換器
3の熱電モジュールの電極3aとの間の絶縁体として前
記シート状ヒータ2の構成要素である絶縁性シート2a
を採用することにより、半導体ウェハの載置面であるシ
ート状ヒータ2の表面への前記熱交換器3からの冷却が
効率よく伝達されると共に、装置1を薄型化できる。
【0026】上述した温度制御装置1を備えたプローバ
装置により、半導体ウェハの温度特性を検査する際に
は、前記温度制御装置1のシート状ヒータ2の表面に半
導体ウェハを載置する。その状態で半導体ウェハを加熱
する場合には、前記シート状ヒータ2の給電部2dから
発熱抵抗線状体2bに通電する。このとき、加熱温度を
精密に制御したい場合には、前記熱交換器3を作動させ
ることもできる。
【0027】前記半導体ウェハが所望の温度に加熱さ
れ、その温度での特性検査が完了したら、シート状ヒー
タ2への通電を切って、熱交換器3を作動させ半導体ウ
ェハを冷却する。このように、温度制御装置1は加熱用
にシート状ヒータ2を、冷却用に熱交換器3を作動させ
て加熱と冷却とを行うため、従来のように熱交換器3の
みで加熱と冷却とを行っていた場合に比べて、加熱・冷
却の切換え時間を短縮できると共に、熱交換器3用の流
体系統は一系統でよいため、装置が小型化できる。
【0028】更に、熱交換器3による冷却時に、半導体
ウェハからの熱交換器への放熱は、前記シート状ヒータ
2のみを介して行われる。このシート状ヒータ2は上述
したように薄型であり、しかも従来のように半導体ウェ
ハの載置台もなく、熱交換器3との絶縁体を別途に配す
る必要もないため、半導体ウェハから熱交換器へと効率
良く放熱がなされるため、半導体ウェハは速やかに冷却
される。
【0029】なお、上述した実施例では絶縁性シート2
aの表面に発熱抵抗線状体2bを敷設し、更にその表面
を絶縁性被膜2cによって被覆したシート状ヒータ2を
採用しており、その表面を極めて平滑に仕上げることが
できる。そのため、前記シート状ヒータ2の表面を半導
体ウェハの載置面としており、前記シート状ヒータ2及
び熱交換機3からの加熱及び冷却が速やかに効率良く伝
達される。なお、前記シート状ヒータ2の表面に別途、
半導体ウェハの載置台を配することも勿論可能である。
【0030】更に、本発明の温度制御装置は半導体ウェ
ハのプローバ装置だけでなく、多様な被処理体の加熱及
び冷却に使用することができる。更には、被処理体を前
記温度制御装置の被処理体の載置面に載置して、被処理
体を直接加熱・冷却する場合だけでなく、前記温度制御
装置を処理空間の壁面に配し、その壁面によって処理空
間内の雰囲気温度を加熱・冷却することもできる。例え
ば、半導体ウェハにフォトレジストを塗付する際に使用
される装置において、回転台に支持された半導体ウェハ
の周囲領域を仕切るカップ状の壁部に適用することもで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適な実施例である温度制御装置の概
略を示す断面図である。
【図2】上記温度制御装置のシート状ヒータの上面図で
ある。
【符号の説明】
1 温度制御装置 2 シート状ヒータ 2a 絶縁性シート 2b 発熱抵抗線状体 2c 絶縁性被膜 2d 給電部 2e スリット状の給電部非形成領域 3 熱交換器 3a 電極 3b 電極 3c 熱電素子 3d 冷却流体の循環機構 3e 絶縁体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G011 AA01 AA16 AB06 AB10 AE03 AF06 2G032 AB01 AB02 AB13 AF01 4M106 AA01 BA01 CA60 CA62 DD01 DH02 DJ01 5F004 AA16 9A001 KK54 LL05

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱交換器と多様な処理温度に制御可能な
    加熱装置とを備えた温度制御装置であって、 前記加熱装置は、絶縁性シートと、同シートの片面に所
    要のパターンをもって敷設された発熱抵抗線状体とを備
    えたシート状ヒータからなり、 前記熱交換器は、一対の電極と両電極間に配された熱電
    素子とを有する熱電モジュールを備え、 前記熱電モジュールの片側の電極が、前記絶縁性シート
    の前記片面とは反対面に密着させて配されてなる、こと
    を特徴とする温度制御装置。
  2. 【請求項2】 前記シート状ヒータは、前記発熱抵抗線
    状体の表面を被覆する絶縁性被膜を有してなる請求項1
    記載の温度制御装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の温度制御装置を備
    えてなり、前記温度制御装置の一表面が半導体ウェハの
    載置面としてなることを特徴とする半導体ウェハ検査用
    のプローバ装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8109328B2 (en) * 2007-02-16 2012-02-07 Kelk Ltd. Fluid temperature control device
JP2013102135A (ja) * 2011-10-19 2013-05-23 Kelk Ltd 温調装置
JP2014191041A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Fuji Xerox Co Ltd 抵抗発熱体、定着装置および画像形成装置
JP2019029630A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 章道 中條 熱エネルギーを電気エネルギーに変換して発電する熱電変換システムである。
WO2020188844A1 (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 日新ネオ株式会社 電子部品試験装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05343486A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Tokyo Electron Yamanashi Kk 検査装置
JPH11317284A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Komatsu Ltd 温度制御装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05343486A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Tokyo Electron Yamanashi Kk 検査装置
JPH11317284A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Komatsu Ltd 温度制御装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8109328B2 (en) * 2007-02-16 2012-02-07 Kelk Ltd. Fluid temperature control device
JP2013102135A (ja) * 2011-10-19 2013-05-23 Kelk Ltd 温調装置
JP2014191041A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Fuji Xerox Co Ltd 抵抗発熱体、定着装置および画像形成装置
JP2019029630A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 章道 中條 熱エネルギーを電気エネルギーに変換して発電する熱電変換システムである。
WO2020188844A1 (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 日新ネオ株式会社 電子部品試験装置

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