JP2004507886A - 温度制御された自動試験用熱プラットフォーム - Google Patents

Abstract

被験ウエハまたはパッケージされた集積回路（ＩＣ）を支持するプラットフォームおよび方法が述べられる。プラットフォームは上面アセンブリを含み、その上にウエハまたはＩＣが取り付けられる。熱プレートが上面アセンブリの下に配置され、それと熱的に連通する。熱プレートは多孔質熱伝導性材料でできている。温度制御された空気等の流体が熱プレートの多孔質材料を通って入り、放射方向に伝搬する。ウエハまたはＩＣの温度が熱プレートを通る空気の温度を制御することにより制御される。プレートは銅または網目状のフォーム、あるいはカーボンまたはグラファイトフォームのようなシンタされた金属でできていてもよい。

Description

【０００１】
（関連出願）
この出願はアメリカ合衆国における出願、仮出願番号６０／２２０，０１６（出願日２０００年７月２１日）と６０／２６７，８３０（出願日２００１年２月９日）、に基づくものである。
【０００２】
（背景技術）
集積回路（ＩＣ）の製作において、個々の回路チップ・ダイをそれらがまだ半導体ウエハに付いている間に試験し、またパッケージされた集積回路デバイスを試験することは重要なことである。多くの試験応用において、試験は色々な温度に対して実行されねばならない。従って、自動試験システムは一般に被験ウエハまたはデバイスの温度を制御できる温度制御システムを備えている。
【０００３】
ウエハプローバのようないくつかの試験システムにおいて、ウエハは温度制御されたチャック上に保持され、電気刺激信号がウエハ上の回路に与えられ、回路反応信号がウエハに接触する電気コンタクトプローブの配列を介して検出される。チャックの温度、従ってウエハの温度は、チャックに一体化されたヒータおよび／またはヒートシンクにより、またチャックを循環する温度制御流体により制御できる。そのようなシステムはマサチュセッツ州、シャロンのテンプトロニク社により製造、販売されている。
【０００４】
他のシステムにおいて、パッケージされたＩＣはＩＣパッケージピンを介して電気刺激信号を与え、また反応信号を受信することにより各温度に対して試験される。被験デバイス（ＤＵＴ）はプラットフォーム上のソケットの中に保持され、試験信号がソケットを介してピンに送られる。そのようなシステムの一つであるテンプトロニク社により製造、販売されるＴＨＥＲＭＯＳＴＲＥＡＭ（登録商標）において、温度制御された空気流がＤＵＴの上に向けられ、試験中のＤＵＴの温度を制御する。
【０００５】
ウエハが大きくなるに従い、また回路が小さくかつ高密度に集積されるに従い、これらの試験システムに関する位置決め許容誤差は小さくなる。従って、プラットフォームにおける歪みのような機械的欠陥がシステムの位置決め能力に悪影響を与えるので、ＤＵＴまたはウエハが支持される支持システムが機械的に安定かつ堅牢で、また極めて平坦であることがますます重要になりつつある。機械的システムは温度に対して歪み易くまた反り易いので、これは温度制御された試験システムにおいて特に重要である。特に高温において、支持プラットフォームにおける歪みは大きくなるので、試験における実質的な精度不良を生じ得る。
【０００６】
（発明の開示）
本発明はこれらの欠点を除去する、試験中のウエハまたはパッケージされたＩＣ　ＤＵＴのようなワークピースを支持する機械的に安定な温度制御されたプラットフォームに向けられる。本発明によれば、ワークピースを支持する熱プラットフォームおよび方法が提供される。プラットフォームはワークピースを取り付けできる上面アセンブリを含む。多孔質の熱伝導性材料でできた熱プレートは上面アセンブリと熱的に連通して配置される。流体入口は、温度制御された流体、例えば空気が熱プレートに入りかつ熱プレートの多孔質材料を通って伝搬するようにする。温度制御装置は流体の温度を制御してワークピースの温度を制御する。
【０００７】
一つの実施態様において、ワークピースは半導体ウエハであって、その上に一つ以上の集積回路が形成される。もう一つの実施態様において、ワークピースはパッケージされた集積回路である。
【０００８】
一つの実施態様において、熱プラットフォームはワークピースを試験する試験システム内に入れられる。例えば、試験システムはウエハプローバ装置またはパッケージされたＩＣデバイスハンドラでもよい。温度制御装置の少なくとも一部はホースを介して試験システムに接続されるように外部に配置してもよい。温度制御装置はホースを介して試験システムに温度制御された流体を供給する流体源を含む。一つの特定の実施態様において、温度制御装置は流体を加熱する、試験システムに配置された流体ヒータを含む。
【０００９】
一つの実施態様において、多孔質の熱伝導された材料は焼結された材料を含む。もう一つの実施態様において、材料は網目状のフォームを含む。熱伝導材料は銅を含んでもよい。それはまたカーボンおよび／またはグラファイトフォームを含んでもよい。
【００１０】
熱プラットフォームは熱プレートを通る流体の流れを容易にする熱プレートに隣接する流路の層を含んでもよい。流路は放射状渦巻き模様に配列されて熱プレートの中心部からその周辺への放射方向の流体の流れを容易にする。流路は熱プレートの一つ以上の表面に形成してもよい。あるいは、流路は熱プレートに隣接して配置された別の対流プレートでもよい。
【００１１】
もう一つの態様において、本発明は集積回路を試験する装置および方法に向けられる。装置は試験回路を含み、その中で集積回路が支持される。温度制御装置は試験システムに連結される。温度制御システムは集積回路に熱的に連通する試験システムに流体を供給する流体源を含む。温度制御装置内の制御装置は流体の温度を制御して集積回路の温度を制御する。流体を加熱する流体ヒータは試験システム内に配置される。
【００１２】
本発明のこの側面の一つの実施態様において、試験システムはウエハプローバである。もう一つの実施態様において、試験システムはパッケージされた集積回路デバイスハンドラである。従って、ＩＣはＩＣウエハの部分であっても、ＩＣパッケージにパッケージされていてもよい。
【００１３】
（発明を実施するための最良の形態）
本発明の前述の、および他の目的、特徴、および利点は、本発明の好ましい実施態様の以下の付随する図面を示しながらのより詳細な説明から明らかになるであろう。図中、同様の参照文字は異なる図全体に渡り同一部品を指す添付図に示される。図面は大きさが重要なのではなく、本発明の原理を説明するために強調したものである。
【００１４】
図１は本発明による自動試験システム１０を示す模式的機能ブロック図である。図１に示すように、システム１０は温度制御装置１２を含み、これはＴＨＥＲＭＯＳＴＲＥＡＭ（登録商標）の名前でマサチュセッツ州、シャロンのテンプトロニク社により製造、販売されるタイプのものでもよい。温度制御装置１２は空気源１６を含み、これはガスホース１８を通じて試験システム１４に冷たい空気を供給する。ホース１８は、２０００年６月６日に発行され、テンプトロニクス社に譲渡され、本明細書に引用して援用する、米国特許第６，０７０，４１３号に開示されているタイプの凝縮防止ホースでもよい。試験システム１４は、ワークピース２４、例えばウエハまたはパッケージされたＩＣを各温度において試験する、ウエハプローバまたはパッケージデバイスハンドラでもよい。試験制御装置３０はテスタユニット２８を介するワークピース２４への刺激信号の供給、またそこからの応答信号の検出および処理を制御する。
【００１５】
プラットフォーム２６とワークピース２４の温度は温度制御装置１２により制御される。空気源１６からの空気流の温度が制御されてワークピース２４の温度を制御する。空気流はヒータ２０から試験システム１４に入り、これは必要なだけ冷たい空気を加熱してワークピース２４の温度を所望の試験温度に設定する。温度センサーがプラットフォーム２６とワークピース２４の両方に設けられる。温度センサーは、両方ともテンプトロニク社に譲渡され、本明細書に引用して援用する、同時係属中の、２０００年７月１０日に出願された米国特許出願第０９／６１２，６６７号および２００１年４月２０日に出願された米国特許出願第０９／８３９，２７４号による、ワークピース２４と一体的に作られる温度感知回路要素として設けられてもよい。
【００１６】
温度制御装置１２は冷たい空気流を供給する自動カスケード式冷却ユニットを用いることができる。これは一定の負荷の下で最も巧く動作する単一圧縮機の多段冷却システムである。このユニットは摂氏−８５度の供給空気またはガス温度を提供可能である。もう一つの実施態様において、空気源は究極の低温を達成するために二段カスケード式冷却システムのようなカスケード式冷却システムを用いることもできる。液体が制御媒体として用いられるユニットも用いることもできる。
【００１７】
温度制御は、本明細書に引用して援用される、テンプトロニクス社に譲渡された、１９８８年３月２９日に発行された米国特許第４，７３４，８７２号に述べられているタイプの２ループ温度制御として実行してもよい。２ループ制御を用いてワークピースおよび空気流の温度がモニタされる。ワークピースの温度は空気流の温度を変更することにより制御されてワークピースの温度を所望の温度設定点に維持する。そのためにワークピース２４と空気流の両方の温度を示す温度フィードバック信号がライン３２を介して温度制御装置２２に供給される。空気流の温度を変更したい場合は、ヒータ２０は選択的に、温度を上げるために作動し、あるいは温度を下げるために作動停止してもよい。
【００１８】
本発明によれば、プラットフォーム２６は非常に速い温度変化で、正確、精密かつ均一な温度制御を提供するように構成される。図２は本発明の熱プラットフォーム２６の一つの実施態様の模式的断面図を含む。プラットフォーム２６は上面１２６を含み、その上に温度制御されたワークピース２４（図示せず）を試験中に支持できる。上面アセンブリ１２６は試験用途に従って形作られる。例えば、上面１２６は電子パケージ試験用のプラテン、ウエハ試験用の熱プラットフォーム、あるいは鉄被膜を有するコンパクトディスクをコーティングするための熱プラットフォームの役割をする。
【００１９】
上面アセンブリ１２６は熱プレート層１２８の上に取り付けられ、またそれと連通している。熱プレート１２８は例えばネジ、ピン、蝋付け、溶接等により上面アセンブリ１２６に機械的に取り付けられる。熱プレートはまた例えば熱伝導性接着剤により上面アセンブリに接着してもよい。熱プレート１２８の温度は上面アセンブリ１２６とそれに取り付けられたワークピースの温度を制御するように制御される。本発明によれば、温度は温度制御された流体、例えば空気を熱プレート１２８を通って放射方向に分配することにより制御される。熱プレート１２８は銅または炭素のような多孔質熱伝導性材料でできている。温度制御された流体は入口１３２を通って熱プレート１２８に入り、中心空間１３０に運ばれる。流体はプレート１２８内の中央に配置された開口１３４からプレート１２８の中に流れる。流体はプレート１２８の多孔質材料を通って放射方向に流れ、プレーと１２８の円周端部１３６からプレートを出る。流体はその後、出口１３８を介してプラットフォーム２６を出る。図３は多孔質熱プレート１２８を通る温度制御された流体の放射方向の流れの模式図を含む。再び図２に言及すれば、流体は材料１２９の層により多孔質熱プレート１２８内のその底面に入れられる。材料１２９はフレーム溶射されたセラミック境界層または高温ニスでもよい。材料層１２９は流体が多孔質熱プレート１２８からその底面を通って逃げないようにする。
【００２０】
多孔質熱プレート１２８は熱エネルギーを循環媒体、例えば空気から上面アセンブリ１２６、従ってワークピースに高効率に伝達する。熱プレート１２８は銅のような多孔質熱伝導材料でできている。この材料は焼結された金属または網目状フォームでもよい。この材料はオークリッジ国立研究所により開発されたような高熱伝導性のカーボンまたはグラファイトフォームでもよい。材料の多孔性はその質量を減らし、また非常に増加された表面積を提供する。減らされた質量のために、同じ大きさの固体材料が必要とするよりもずっと少ないエネルギーしか温度変化には必要でない。また、多孔質材料の増加された表面積は材料を通る高効率な熱伝達を提供する。また材料の多孔性は媒体を通る流体の乱流を作り出し、それにより加熱用と冷却用の流体媒体を混ぜ合わせて媒体内およびワークピース上の温度の均一性を向上する。熱プレート１２８の材料の多孔性の均一性により、流体が熱媒体全体に渡り均一に流れ、それにより均一な温度分布を達成する。多孔質熱媒体は上面アセンブリ１２６と熱的に連通しているので熱プラットフォームに高均一な上面温度を与える。またその結果生じる表面上の熱勾配の減少は、熱膨張および熱収縮効果を減少することにより表面の平坦性を向上する。この熱媒体に関連するその機械的熱伝達特性のため、媒体はまたヒートシンク用として、また電力発生デバイスによりその電気試験中に発生された熱エネルギーの吸収用として高効率である。
【００２１】
熱プラットフォーム２６と多孔質熱媒体１２８の表面は良好な熱伝導性を有する銅のような一般的な材料でできていてもよい。また、それらの膨張係数は非常に似ている。均一な温度分布と材料の類似性により、表面を歪ませかつ平坦性を減少する熱膨張による機械応力がほとんどない。高度の平坦性のために、被験ウエハまたはデバイスと、試験装置との間の良好な接触が維持される。
【００２２】
一つの実施態様において、温度制御された流体の均等な分布は熱プレート１２８に形成された分配溝または流路の模様により助勢される。図４は熱プレート１２８の一つの実施態様の模式的平面図であり、その中に渦巻き模様の溝１３１が形成されて流体を熱プレート１２８の中心開口１３４から円周端部１３６へ流体を分配するのを助ける。溝１３１は熱プレート１２８の上面および／または下面の中にエッチング、成形、機械加工、または鋳造により入れられる。溝１３１は熱プレート１２８の表面の一部のみの上に分配されるように図４では示される。しかしながら、表面のどの部分にも分配溝が含まれることは言うまでもない。一つの特定の実施態様において、溝１３１を図に示される渦巻き模様でプレート１２８の表面全体に分布する。
【００２３】
もう一つの実施態様において、熱プレート１２８はその上面および／または下面に付けられたさらなる層を有する。図５Ａから５Ｃは一つ以上のさらなる層を含む本発明の熱プレートおよび上面アセンブリの種々の実施態様を示す。図５Ａにおいて、多孔質熱プレート１２８が上面アセンブリ１２６の下面に取り付けまたは接着される。セラミックまたは高温ニスの下層２０１がプレート１２８の底に付けられる。図５Ｂにおいて、空気を通さない材料２０３の層が熱プレート１２８の下面に接合される。図５Ｃにおいて、３層サンドイッチ構造が熱プレート１２８の上面および下面に接合され、あるいは取り付けけられた高熱伝導性材料の層２０５、２０７で形成される。他の実施態様におけるように、サンドイッチ構造はアセンブリ１２６と緊密な熱的接触状態になるように上面アセンブリ１２６の底に接着または固定される。
【００２４】
熱プレート１２８は熱エネルギーを流体から多孔質材料を介して、それが高効率に取り付けられている上面アセンブリ１２６に伝達する。今度はプレート２６の上面アセンブリ１２６が直接的に、あるいは熱伝導性材料の一つ以上の層を介し間接的にウエハまたは電子パッケージへ、あるいはそこから熱エネルギーを移動する。一つの実施態様において、そのような層の一つは熱プレート１２８と上面アセンブリ１２６との間、あるいは熱プレート１２８の底に配設された対流プレートである。図６は本発明の一つの実施態様による対流プレート３０１の表面の模式的平面図である。対流プレート３０１は熱プレート１２８に接合され、あるいは機械的に取り付けられ、またプレート１２８の表面を密封するために用いられて温度制御された流体が多孔質熱プレート１２８の表面を通って逃げないようにしている。図６に示すように、対流プレート３０１の各表面はプレート３０１の表面全体に流体が流れるのを容易にするために用いられる流路模様で形成される。図６に示す特定のプレート３０１において、渦巻き状放射状溝の模様は流体の中心開口からデバイス周辺への伝達を助けるために形成される。他の模様を用いることもできる。例えば、円形の窪み模様の領域がプレート３０１の表面に形成されてもよい。対流プレートは高熱伝導性材料でできていてもよい。流路または溝の模様はプレート３０１の片面または両面に機械加工またはフォトエッチングで入れられてもよい。
【００２５】
対流プレート３０１に加えて、あるいはその代わりに、他のさらなる層もまた多孔質熱プレート１２８に近接して配設されてもよい。これらのさらなる層は機械的に、あるいは真空により熱プラットフォームに接触状態に維持される。さらなる層はウエハ用の真空押さえ付け模様および／またはポリアミドまたはセラミックスのような電気絶縁層の特徴を含んでもよい。
【００２６】
図７は本発明によるインラインヒータ２０の一つの実施態様の模式的ブロック図である。図１に関連して述べたように、ヒータ２０は温度制御装置１２における空気源１６からの空気を加熱するために用いられる。ホース１８は急速着脱クランプ３０２によりヒータ２０に接続される。冷たい空気はホース１８からヒータ２０に入り、空気流の乱流を作り出す乱流発生器３０４の中に送られる。乱流はより均一な温度分布を提供する。次に、空気は空気を加熱するヒータ３１６に送られる。次に、加熱された空気は混合室３１０に入り、加熱された乱流空気はヒータ２０を出て、熱プラットフォーム２６の入口に運ばれる（図１）。
【００２７】
ヒータ２０は絶縁体３１４によりシステム環境から絶縁される。空気温度センサー配列３１２をヒータ出口近傍に配置してもよい。また、プラットフォーム温度センサー３０８をヒータ２０の上に配置してもよい。あるいはプラットフォーム温度センサーをプラットフォームの上に配置してもよい。センサー３０８及び３１２はそれらのそれぞれの温度感知信号を感知ライン３０６に与える。
【００２８】
ヒータ２０の配置、即ちプローバまたはハンドラ内への配置は熱プラットフォーム２６への熱伝達を最大にし、移行時間を最小にする。温度源からの距離が大きくなればなるほど移行されねばならない量は多くなる。ヒータをプローバまたはハンドラに置くことにより、移行されねばならない量はより少なくなり、移行時間が短くなる。即ち、ヒータ部２０からのラインのみが低温から高温への移行に必要である。この技術は移行量を最小にし、移行速度を最大にする。ヒータ部２０は空気を混ぜ、ヒータ効率を最大にするように設計される。それはまた冷たい空気源への取り付けを容易にし、熱プラットフォームに均一な温度で空気を供給するように設計される。
【００２９】
一つの実施態様において、温度制御された流体は熱プレート１２８の多孔質の周辺から漏れる際に捕捉される。図８は本発明による、多孔質熱プレート１２８を通って循環する温度制御された流体が回収される熱プラットフォーム２２６の模式的断面図である。図８の熱プラットフォーム２２６は流体、即ち空気が多孔質熱プレート１２８の周辺端部１４５を出る際にそれらを入れるハウジング１４９を含む。空気はチャンバ１４１に入り、排気口１４３を通ってチャンバを出て、そこで再利用または排気される。この空気の再捕捉はプラットフォーム２２６が用いられる試験システム、即ちプローバまたはハンドラの過熱または過冷却を防止する。また、回収空間はプローブするウエハに用いられる針に対する空気流の衝撃を避け、それにより針のビビリを減少する。これはより安定した試験結果を生み出す。
【００３０】
図８の実施態様はまたプラットフォーム２２６の歪みを減少する、上面アセンブリ１２６の熱プレート１２８への取り付けに対するアプローチを示す。ばね材料でできた保持クリップ１４７が上面１２６と熱プレート１２８を一緒に保持するために用いられる。ネジ、リベット等のような手法で固く圧迫することなく二つを取り付けることにより、二つの層は互いに横に膨張および収縮できる。これは二つの層の熱膨張係数の差による実質的な歪みおよび反りを除去する。
【００３１】
図９は温度制御された流体が熱プレートの周辺から中心に、また逆に中心から周辺に放射方向に循環される、本発明の熱プラットフォーム３２６のもう一つの実施態様の模式的断面図を含む。この実施態様によれば、空気は入口４０５からプラットフォームに３２６に入り、ハウジング４０７により囲まれたチャンバ４０９を通る。空気は開口４１３を通って上に上がり、図６に関連して上に述べた対流プレート５０１の下面５０３に沿って運ばれる。この実施態様において、対流プレート５０１はその上下両面に形成された流路を有し、流体が下面５０３に沿って周辺から中心に、次に上面５０５に沿って逆に中心から周辺に流れるのを助ける。空気が中心開口４１１に到達したときに、それはプレート５０１の上の領域に入り、流れを助ける表面に形成された流路を用いて上面５０５に沿って放射方向にプレート５０１の周辺に流れて戻る。空気は次に出口４０６を通ってプラットフォーム３２６から出て、そこで回収または排気される。
【００３２】
自動試験において、電気絶縁が極めて重要である応用がある。また電磁場および強いＸ線が試験工程を混乱させ、あるいは標準の加熱要素を劣化させる応用がある。以上はプラットフォーム内の加熱要素を必要としないで空気、ガス、あるいは液体等の流体を用いてプラットフォームの加熱と冷却を達成するアプローチについて述べている。しかしながら一つの実施態様においてはプラットフォーム内にオプションのヒータを用いてもよい。
【００３３】
今まで述べた実施態様において、熱プレート１２８の上または下にヒータを追加してもよい。図１０はヒータ５２９が多孔質熱プレート５２８の下に取り付けられた、本発明の熱プラットフォーム５２６のもう一つの実施態様の模式的断面図を含む。一つの実施態様において、ヒータ５２９はマイカまたは箔タイプのヒータである。ヒータ５２９は必要な場合、プラットフォーム５２６のさらなる加熱を提供するために用いられる。ヒータ５２９は最終温度を緩和するために、あるいは空気の温度設定点が、システムをその温度で動作するための圧力を送る空気供給ラインの能力を超える場合に付け加えられる。
【００３４】
ヒータ５２９は多層構造を有する。図１１は図１０の熱プラットフォーム５２６に含まれるヒータ５２９の一つの実施態様の模式的断面図を含む。多層構造は高度の電気的な、また雑音の絶縁を提供する。ヒータ５２９内で、導電性ヒータ要素５３３はマイカまたはカプトン絶縁材料の層５３５および５３７により囲まれる。これらの層は金属保護層５３９および５４１で覆われる。そのあとに、これらの層はマイカまたはカプトン層５４３および５４５で覆われる。
【００３５】
金属保護層５３９及び５４１がヒータの箔または要素から発せられるノイズを最小にするために接地される。ヒータ５２９は熱プレート５２８に接着、取り付け、あるいは固定される。あるいはそれは熱プレート５２８からの圧縮により所定個所に保持してもよい。ヒータ５２９は熱プレート５２８の温度を上昇する能力を提供する。ヒータ５２９は熱勾配の調節を考慮した要素または箔を有してもよい。
【００３６】
本発明はその好ましい実施態様を参照して詳細に示され、かつ説明したが、前記の特許請求の範囲により定められる本発明の精神と範囲から逸脱することなく形式と詳細における種々の変更が成され得ることは当業者には言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による自動試験システムを示す模式的機能ブロック図である。
【図２】本発明の熱プラットフォームの一つの実施態様の模式的断面図である。
【図３】本発明の多孔質熱プレートを通る温度制御された流体の放射方向の流れの模式図である。
【図４】本発明による、渦巻き模様の流路または溝が、温度制御された流体を熱プレートの中心開口から円周端部に分配するのを助けるように形成された本発明の熱プレートの一つの実施態様の模式的平面図である。
【図５Ａ】一つ以上のさらなる層を含む本発明の熱プレートおよび上面アセンブリの種々の実施態様の図である。
【図５Ｂ】一つ以上のさらなる層を含む本発明の熱プレートおよび上面アセンブリの種々の実施態様の図である。
【図５Ｃ】一つ以上のさらなる層を含む本発明の熱プレートおよび上面アセンブリの種々の実施態様の図である。
【図６】本発明の一つの実施態様による対流プレートの表面の模式的平面図である。
【図７】本発明によるインライン流体ヒータの一つの実施態様の模式的ブロック図である。
【図８】本発明による多孔質熱プレートを循環する温度制御された流体が回収される熱プラットフォームの模式的断面図である。
【図９】温度制御された流体が熱プレートの周辺から中心に、また逆に中心から周辺に放射方向に循環する本発明の熱プラットフォームのもう一つの実施態様の模式的断面図である。
【図１０】ヒータが多孔質プレートの下に取り付けられる本発明の熱プラットフォームの別の実施態様の模式的断面図である。
【図１１】図１０の熱プラットフォームに含まれるヒータの一つの実施態様の模式的断面図である。

Claims (23)

1. ワークピースを支持する熱プラットフォームであって、
   ワークピースが取り付けられる上面アセンブリと、
   多孔質の熱伝導性材料で形成された、上面アセンブリと熱的に連通する熱プレートと、
   温度制御された流体が熱プレートに入り、かつ熱プレートの多孔質材料を通って伝搬するようにする流体入口と、
   熱プレートを通って伝搬する流体の温度を制御してワークピースの温度を制御する温度制御装置と、
   を備えることを特徴とする熱プラットフォーム。
2. ワークピースが半導体ウエハであることを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
3. ワークピースがパッケージされた集積回路であることを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
4. 流体が空気であることを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
5. 熱プラットフォームがワークピースを試験する試験システム内に収容されていることを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
6. 熱制御装置の少なくとも一部が試験システムに外部から接続され、温度制御装置が、流体を試験システムに供給する流体源を備えることを特徴とする請求項５に記載の熱プラットフォーム。
7. 温度制御装置が、流体を加熱する試験システム内のヒータを備えることを特徴とする請求項６に記載の熱プラットフォーム。
8. 試験システムがウエハプローバであることを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
9. 試験システムがパッケージデバイスハンドラであることを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
10. 多孔質熱伝導性材料が焼結された金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
11. 多孔質の熱伝導性材料が網目状フォームを含むことを特徴とする請求項に１記載の熱プラットフォーム。
12. 多孔質の熱伝導性材料が銅を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
13. 多孔質の熱伝導性材料がカーボンフォームを含むことを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
14. 多孔質の熱伝導性材料がグラファイトフォームを含むことを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
15. 熱プレートを通る流体の流れを容易にする、熱プレートに隣接する流路の層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の熱プラットフォーム。
16. 流路が熱プレートの表面に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の熱プラットフォーム。
17. 流路が、熱プレートに隣接する対流プレートに形成されることを特徴とする請求項１５に記載の熱プラットフォーム。
18. 集積回路を試験する装置であって、
    集積回路が支持される試験システムと、
    試験システムに連結された温度制御装置であって、集積回路に熱的に連通する試験システムに流体を供給する流体源と、流体の温度を制御して集積回路の温度を制御する制御装置とを備える温度制御装置と、
    試験システム内に配置され、流体を加熱する流体ヒータと、
    を備えることを特徴とする装置。
19. 流体が空気であることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
20. 試験システムがウエハプローバであることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
21. 試験システムがパッケージ集積回路デバイスハンドラであることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
22. 集積回路が集積回路ウエハの部分であることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
23. 集積回路がパッケージされていることを特徴とする請求項１８に記載の装置。

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