JP2809595B2 - 板状物の熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents
板状物の熱処理装置及び熱処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、ＩＣ製造工程
の前工程において、シリコンウェハー等の基板に熱処理
を施すための装置及び方法に関するものである。
の前工程において、シリコンウェハー等の基板に熱処理
を施すための装置及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェハーに回路を形成するフォ
トリソグラフィー工程では、レジスト液塗布の後に溶剤
を揮発させ、レジストの接着力を向上させる手法が行わ
れている。例えば、１００℃、６０分間程度の条件での
熱処理（プリベーク）があげられる。この熱処理は、プ
レートヒータの上に熱伝導率の高いアルミニウム板等を
置き、その上にレジスト液を塗布したウェハーを載せて
行われる。
トリソグラフィー工程では、レジスト液塗布の後に溶剤
を揮発させ、レジストの接着力を向上させる手法が行わ
れている。例えば、１００℃、６０分間程度の条件での
熱処理（プリベーク）があげられる。この熱処理は、プ
レートヒータの上に熱伝導率の高いアルミニウム板等を
置き、その上にレジスト液を塗布したウェハーを載せて
行われる。
【０００３】また、現像液塗布後のポストベーク、酸化
膜エッチング後の熱処理も同様の方法により行われてい
る。
膜エッチング後の熱処理も同様の方法により行われてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、レジスト液
塗布前のウェハーは片面に酸化膜が形成されており、反
りが生じている。このウェハーの反りはレジスト液塗布
後においても解消されることはない。したがって、ウェ
ハーはアルミニウム板の上部平面に全面接触せず、ウェ
ハーとアルミニウム板との間に隙間が生じる。これによ
り、ウェハーの温度分布が不均一となり、レジスト液の
溶剤の揮散に際し、形成されたレジスト層の厚さが不安
定となるという問題点があった。
塗布前のウェハーは片面に酸化膜が形成されており、反
りが生じている。このウェハーの反りはレジスト液塗布
後においても解消されることはない。したがって、ウェ
ハーはアルミニウム板の上部平面に全面接触せず、ウェ
ハーとアルミニウム板との間に隙間が生じる。これによ
り、ウェハーの温度分布が不均一となり、レジスト液の
溶剤の揮散に際し、形成されたレジスト層の厚さが不安
定となるという問題点があった。
【０００５】そこで、ウェハーの反りをなくすために図
５に示す載置板２０を用いることも考えられる。すなわ
ち、ウェハー１６を環状溝２１を有し、その環状溝２１
の底部に空気吸出孔２２が透設され、図示しない空気吸
引装置に接続された載置板２０に吸着させて、熱処理を
行う方法も考えられる。しかし、例えば、１００℃での
熱処理においては、等温線は曲線２３のようになり、載
置部２０上面の温度分布が不均一となり、前記と同様の
問題点があった。
５に示す載置板２０を用いることも考えられる。すなわ
ち、ウェハー１６を環状溝２１を有し、その環状溝２１
の底部に空気吸出孔２２が透設され、図示しない空気吸
引装置に接続された載置板２０に吸着させて、熱処理を
行う方法も考えられる。しかし、例えば、１００℃での
熱処理においては、等温線は曲線２３のようになり、載
置部２０上面の温度分布が不均一となり、前記と同様の
問題点があった。
【０００６】さらに、シリコンウェハーは反応性に富ん
でおり、熱伝導率の高い銅等はその不純物により、ウェ
ハーの汚染を引き起こすことがある。このため、銅等は
高熱伝導率であっても、該熱処理装置には使用しづらい
という問題点があった。
でおり、熱伝導率の高い銅等はその不純物により、ウェ
ハーの汚染を引き起こすことがある。このため、銅等は
高熱伝導率であっても、該熱処理装置には使用しづらい
という問題点があった。
【０００７】本発明はこのような従来の技術に存在する
問題点に着目してなされたものである。その目的として
は、例えば、ウェハーのフォトリソグラフィー工程での
熱処理において、ウェハーに不均一な温度分布を生じる
ことなく、均一な熱処理が可能な熱処理装置及び熱処理
方法を提供することにある。
問題点に着目してなされたものである。その目的として
は、例えば、ウェハーのフォトリソグラフィー工程での
熱処理において、ウェハーに不均一な温度分布を生じる
ことなく、均一な熱処理が可能な熱処理装置及び熱処理
方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、熱処理装置の載置部の上面に
多数の連続気孔を有する金属多孔質板を設け、金属多孔
質板の被加熱物の接していない側に空気吸引装置を接続
したものである。
に、請求項１の発明では、熱処理装置の載置部の上面に
多数の連続気孔を有する金属多孔質板を設け、金属多孔
質板の被加熱物の接していない側に空気吸引装置を接続
したものである。
【０００９】請求項２の発明では、前記金属多孔質板を
高純度アルミニウム焼結体としたものである。請求項３
の発明では、板状の被加熱物を多数の連続気孔を有する
金属多孔質板に載せ、その金属多孔質板側を減圧状態と
し、前記被加熱物を金属多孔質板に密着させて加熱する
方法としたものである。
高純度アルミニウム焼結体としたものである。請求項３
の発明では、板状の被加熱物を多数の連続気孔を有する
金属多孔質板に載せ、その金属多孔質板側を減圧状態と
し、前記被加熱物を金属多孔質板に密着させて加熱する
方法としたものである。
【００１０】請求項４の発明では、請求項３における被
加熱物をフォトリソグラフィー工程でのサブスレート上
に形成された各種膜、あるいは、液晶ガラス等の基板と
したものである。
加熱物をフォトリソグラフィー工程でのサブスレート上
に形成された各種膜、あるいは、液晶ガラス等の基板と
したものである。
【００１１】
【作用】請求項１、３の発明によれば、板状の被加熱物
を熱処理装置の金属多孔質板上に密着支持される。
を熱処理装置の金属多孔質板上に密着支持される。
【００１２】請求項２の発明によれば、高純度アルミニ
ウムはシリコンウェハーに対して不活性であるととも
に、熱伝導率が高い。これによって、シリコンウェハー
を汚染することなく、効率的な熱処理ができる。
ウムはシリコンウェハーに対して不活性であるととも
に、熱伝導率が高い。これによって、シリコンウェハー
を汚染することなく、効率的な熱処理ができる。
【００１３】請求項４の発明によれば、請求項３の発明
とあいまって、以前の工程で反りの生じたサブスレート
上の各種膜、あるいは、その他反りの生じた基板であっ
ても、平板状に熱処理装置の金属多孔質上に密着され
る。
とあいまって、以前の工程で反りの生じたサブスレート
上の各種膜、あるいは、その他反りの生じた基板であっ
ても、平板状に熱処理装置の金属多孔質上に密着され
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の熱処理装置及び熱処理方法を
図１〜図４に基づいて説明する。図１〜図３に示すよう
に、熱処理装置本体１の下部ベース２は、金属製で有底
短円筒状に形成されている。その底部中央には、図示し
ないが外部の空気吸引装置に接続され、下部ベース２の
内側中空部２ａから空気を吸い出すため空気吸出口３が
形成されている。
図１〜図４に基づいて説明する。図１〜図３に示すよう
に、熱処理装置本体１の下部ベース２は、金属製で有底
短円筒状に形成されている。その底部中央には、図示し
ないが外部の空気吸引装置に接続され、下部ベース２の
内側中空部２ａから空気を吸い出すため空気吸出口３が
形成されている。
【００１５】下部ベース２の上部には、下部ベース２と
同径に形成された金属製のヒーター４が載置され、下部
ベース２の上側開口部が閉塞されている。図４に示すよ
うに、ヒーター４の内部にはシーズヒータ５が埋設され
ている。シーズヒータ５の両端子は、ベークライト等の
絶縁板８に支持された外部端子６に接続されている。
同径に形成された金属製のヒーター４が載置され、下部
ベース２の上側開口部が閉塞されている。図４に示すよ
うに、ヒーター４の内部にはシーズヒータ５が埋設され
ている。シーズヒータ５の両端子は、ベークライト等の
絶縁板８に支持された外部端子６に接続されている。
【００１６】ヒーター４の上部には、下部ベース２、ヒ
ーター４と同径に形成された金属製の上部ベース９が載
置されており、下部ベース２、ヒーター４とボルト１２
により締付接合されている。なお、下部ベース２、ヒー
ター４、上部ベース９のそれぞれの接合面には、図示し
ないがパッキンが介在されている。
ーター４と同径に形成された金属製の上部ベース９が載
置されており、下部ベース２、ヒーター４とボルト１２
により締付接合されている。なお、下部ベース２、ヒー
ター４、上部ベース９のそれぞれの接合面には、図示し
ないがパッキンが介在されている。
【００１７】前記上部ベース９の上面には、同心円状で
径の異なる複数の環状溝１０が形成され、各環状溝１０
の底部には所定の間隔をおいて上部ベース９、ヒーター
４に貫設された複数の空気吸出孔１１が接続されてい
る。そして、この空気吸出孔１１により、環状溝１０と
下部ベース２の内側中空部２ａとが連通されている。
径の異なる複数の環状溝１０が形成され、各環状溝１０
の底部には所定の間隔をおいて上部ベース９、ヒーター
４に貫設された複数の空気吸出孔１１が接続されてい
る。そして、この空気吸出孔１１により、環状溝１０と
下部ベース２の内側中空部２ａとが連通されている。
【００１８】前記上部ベース９の上面には、吸着板１３
が耐熱性の接着剤により接着されている。その接着剤
は、前記上部ベース９と吸着板１３との外周部のみに介
在されているため、上部ベース９と吸着板１３の接合面
からは、空気が漏れないようになっている。また、吸着
板１３の上面はウェハー１６を吸着する吸着面となって
おり、平面状に形成されている。
が耐熱性の接着剤により接着されている。その接着剤
は、前記上部ベース９と吸着板１３との外周部のみに介
在されているため、上部ベース９と吸着板１３の接合面
からは、空気が漏れないようになっている。また、吸着
板１３の上面はウェハー１６を吸着する吸着面となって
おり、平面状に形成されている。
【００１９】この吸着板１３は高純度アルミニウム焼結
体の多孔質体１４とその外周部の高純度アルミニウム製
のシール部１５から構成されている。多孔質体１４には
孔径５０〜２００μｍの連続気孔が気孔率３０〜６０％
の割合で形成されている。一方、多孔質体１４の外周に
設けられたシール部１５には、前記のような気孔は形成
されておらず、多孔質体１４を流通する空気が吸着板１
３の外周面から漏れないようになっている。
体の多孔質体１４とその外周部の高純度アルミニウム製
のシール部１５から構成されている。多孔質体１４には
孔径５０〜２００μｍの連続気孔が気孔率３０〜６０％
の割合で形成されている。一方、多孔質体１４の外周に
設けられたシール部１５には、前記のような気孔は形成
されておらず、多孔質体１４を流通する空気が吸着板１
３の外周面から漏れないようになっている。
【００２０】次に、本実施例の熱処理装置を用いたシリ
コンウェハーの熱処理方法を説明する。レジスト液の塗
布されたウェハー１６は熱処理装置本体１の吸着板１３
上に非塗布面が接触するように載置される。図示しない
空気吸引装置により下部ベース２の空気吸出口３から空
気を吸引すると、内側中空部２ａ、空気吸出孔１１、環
状溝１０、吸着板１３の連続気孔を介して、吸着板１３
とウェハー１６の間の空気が吸い込まれる。このため、
ウェハー１６は吸着板１３に吸着されて、熱処理装置本
体１に隙間なく密着保持される。
コンウェハーの熱処理方法を説明する。レジスト液の塗
布されたウェハー１６は熱処理装置本体１の吸着板１３
上に非塗布面が接触するように載置される。図示しない
空気吸引装置により下部ベース２の空気吸出口３から空
気を吸引すると、内側中空部２ａ、空気吸出孔１１、環
状溝１０、吸着板１３の連続気孔を介して、吸着板１３
とウェハー１６の間の空気が吸い込まれる。このため、
ウェハー１６は吸着板１３に吸着されて、熱処理装置本
体１に隙間なく密着保持される。
【００２１】そして、外部電源からヒーター４の外部端
子６を介して、シーズヒータ５に電流が供給され同ヒー
ター５が発熱する。この熱は、金属や高純度アルミニウ
ムによって形成されたヒーター４、上部べース９及び吸
着板１３を介して、ウェハー１６に伝達されレジスト液
の溶剤の揮散に供される。
子６を介して、シーズヒータ５に電流が供給され同ヒー
ター５が発熱する。この熱は、金属や高純度アルミニウ
ムによって形成されたヒーター４、上部べース９及び吸
着板１３を介して、ウェハー１６に伝達されレジスト液
の溶剤の揮散に供される。
【００２２】以上のように構成された本実施例によれ
ば、前工程の酸化膜形成工程で、反りの生じたウェハー
１６であっても、吸着板１３に隙間なく吸着され、熱処
理装置本体１に密着される。このことにより、ウェハー
１６の熱処理時に温度むらを生じることがない。例え
ば、酸化膜形成面を上面として、上に凸状に４０〜１０
０μｍの反りを生じたウェハーにレジスト液を塗布し
て、１００℃で６０分間プリベークする場合、従来の方
法ではウェハー１６に場所によって３〜４℃の温度むら
が生じていた。また、ウェハー１６を高純度アルミニウ
ムで形成された吸着板１３を用いずに上部ベース９に直
接吸着させて熱処理を行った場合では、前述の図５の場
合と同様となり、ウェハー１６の面においては大きな温
度むらを生じる。これに対して、本実施例によれば該温
度むらを±０．２℃以下とできる。
ば、前工程の酸化膜形成工程で、反りの生じたウェハー
１６であっても、吸着板１３に隙間なく吸着され、熱処
理装置本体１に密着される。このことにより、ウェハー
１６の熱処理時に温度むらを生じることがない。例え
ば、酸化膜形成面を上面として、上に凸状に４０〜１０
０μｍの反りを生じたウェハーにレジスト液を塗布し
て、１００℃で６０分間プリベークする場合、従来の方
法ではウェハー１６に場所によって３〜４℃の温度むら
が生じていた。また、ウェハー１６を高純度アルミニウ
ムで形成された吸着板１３を用いずに上部ベース９に直
接吸着させて熱処理を行った場合では、前述の図５の場
合と同様となり、ウェハー１６の面においては大きな温
度むらを生じる。これに対して、本実施例によれば該温
度むらを±０．２℃以下とできる。
【００２３】ウェハー１６に直接接触する吸着板１３
は、高純度アルミニウムで形成されていることから、上
部ベース９、ヒーター４、下部ベース２は熱伝導度の高
いものであれば、純度のそれ程高くないアルミニウム、
銅等の金属で形成されていても、ウェハー１６が汚染さ
れることがない。
は、高純度アルミニウムで形成されていることから、上
部ベース９、ヒーター４、下部ベース２は熱伝導度の高
いものであれば、純度のそれ程高くないアルミニウム、
銅等の金属で形成されていても、ウェハー１６が汚染さ
れることがない。
【００２４】さらに、本実施例の熱処理装置及び熱処理
方法は、フォトリソグラフィー工程での露光、現像後の
熱処置（ポストベーク）あるいは酸化膜エッチング後の
熱処理においても、温度むらを生じず均一な熱処理を可
能とするものである。
方法は、フォトリソグラフィー工程での露光、現像後の
熱処置（ポストベーク）あるいは酸化膜エッチング後の
熱処理においても、温度むらを生じず均一な熱処理を可
能とするものである。
【００２５】なお、本発明は以下のように変更して具体
化してもよい。 （１）シーズヒータ５の代わりに、面状ヒータを用いて
もよい。 （２）シーズヒータ５を上部ベース９あるいは下部ベー
ス２に埋め込み形成してもよい。 （３）熱処理温度が６０℃以下の場合には、金属多孔質
板の代わりに多孔質の三フッ化塩化エチレン樹脂の焼結
体としてもよい。
化してもよい。 （１）シーズヒータ５の代わりに、面状ヒータを用いて
もよい。 （２）シーズヒータ５を上部ベース９あるいは下部ベー
ス２に埋め込み形成してもよい。 （３）熱処理温度が６０℃以下の場合には、金属多孔質
板の代わりに多孔質の三フッ化塩化エチレン樹脂の焼結
体としてもよい。
【００２６】
【発明の効果】請求項１、３の発明によれば、被加熱物
が金属多孔質板に密着支持され、被加熱物を温度むらを
生じることがなく加熱することができる。
が金属多孔質板に密着支持され、被加熱物を温度むらを
生じることがなく加熱することができる。
【００２７】請求項２の発明によれば、シリコンウェハ
ーを汚染することなく効率的な熱処理が可能となる。請
求項４の発明によれば、反りの生じたサブスレート上の
各種膜、あるいは、その他の基板等においても平板化し
て均一な熱処理を行うことができる。
ーを汚染することなく効率的な熱処理が可能となる。請
求項４の発明によれば、反りの生じたサブスレート上の
各種膜、あるいは、その他の基板等においても平板化し
て均一な熱処理を行うことができる。
【図１】実施例の熱処理装置を示す一部切欠斜視図。
【図２】実施例の熱処理装置を示す斜視図。
【図３】実施例の熱処理装置を示す断面図。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図。
【図５】ウェハーを直接上部ベースに載置して熱処理し
た際の説明図。
た際の説明図。
１…熱処理装置本体、２…載置部としての下部ベース、
３…空気吸引装置に接続される空気吸出口、４…ヒータ
ー、９…載置部としての上部ベース、１１…空気吸出
孔、１４…金属多孔質板としての高純度アルミニウム多
孔質板、１６…サブスレートとしてのシリコンウェハ
ー。
３…空気吸引装置に接続される空気吸出口、４…ヒータ
ー、９…載置部としての上部ベース、１１…空気吸出
孔、１４…金属多孔質板としての高純度アルミニウム多
孔質板、１６…サブスレートとしてのシリコンウェハ
ー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 板状の被加熱物を載置する載置部と、そ
の載置部を加熱するヒーター部とを備えた熱処理装置に
おいて、 載置部の上面に多数の連続気孔を有する金属多孔質板を
設け、金属多孔質板の被加熱物の接していない側に空気
吸引装置を接続した熱処理装置。 - 【請求項２】 前記金属多孔質板が高純度アルミニウム
焼結体である請求項１に記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 板状物の熱処理において、 板状の被加熱物を多数の連続気孔を有する金属多孔質板
に載せ、その金属多孔質板側を減圧状態とし、前記被加
熱物を金属多孔質板に密着させて加熱する熱処理方法。 - 【請求項４】 前記被加熱物がフォトリソグラフィー工
程でのサブスレート上に形成された各種膜、あるいは、
液晶ガラス等の基板である請求項３に記載の熱処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6293268A JP2809595B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 板状物の熱処理装置及び熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6293268A JP2809595B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 板状物の熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153660A JPH08153660A (ja) | 1996-06-11 |
| JP2809595B2 true JP2809595B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=17792628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6293268A Expired - Fee Related JP2809595B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 板状物の熱処理装置及び熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809595B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507886A (ja) | 2000-07-21 | 2004-03-11 | テンプトロニック コーポレイション | 温度制御された自動試験用熱プラットフォーム |
| JP2005246228A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Dainippon Printing Co Ltd | スピンコータ装置及びスピンコート方法 |
| US7196775B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-03-27 | Asml Holding N.V. | Patterned mask holding device and method using two holding systems |
| JP4781165B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2011-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| KR101074458B1 (ko) | 2009-06-11 | 2011-10-18 | 세메스 주식회사 | 기판 가열 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR101099555B1 (ko) * | 2010-01-12 | 2011-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP5658083B2 (ja) * | 2011-05-11 | 2015-01-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 温度変更システム |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103550A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
| JPH02142114A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Fujitsu Ltd | 熱処理盤 |
| JPH04216649A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 内部および吸着表面が多孔状である真空吸着器及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP6293268A patent/JP2809595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08153660A (ja) | 1996-06-11 |
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Legal Events
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