JP2002313901A - 静電チャック - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】各種の処理時にあって、被処理体の保持面と被
処理体との間に空隙が生じることなく、被処理体を効果
的に密着保持することができ、しかも被処理体を保持面
から容易に離脱させることができ、更には被処理体と保
持面との間の熱伝達性能を低下させない静電チャックを
提供する。 【解決手段】金属基板１１上に、第１絶縁層１２、導電
性パターン電極１３、及び第２絶縁層１４を順次積層一
体化して得られる静電チャック１０にあって、少なくと
も第２絶縁層１４を、周辺条件の変化により固相と液相
との間を可逆的に相変化するセラミック及び又は金属フ
ィラーを混入した高分子材料から構成し、被吸着体の吸
着時に、少なくとも第２絶縁層１４が半流動化又は流動
化して、被吸着体を均一に密着保持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
における各種の成膜工程、プラズマエッチング工程、イ
オン注入工程、イオンドーピング工程などに適用可能な
半導体基板の吸着保持用静電チャックに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
半導体基板に薄膜を形成するための成膜装置や微細加工
を施すためのエッチング装置、あるいはイオンドーピン
グ装置においては、半導体基板を保持するために静電チ
ャックが用いられている。この静電チャックは、絶縁層
の内部に電極を埋設して、その上面を基板の保持面と
し、この保持面に載置した基板と電極との間に直流電圧
を印加することで、誘電分極によるクーロン力や微少な
漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力と呼ばれる吸
着力を発現させて、基板を保持面に吸着保持させる。

【０００３】例えば、特開平６−３４９９３８号公報に
よれば、気密に構成された処理室内に設けられたサセプ
タ上の静電チャックシートにより、被処理体であるウエ
ハを静電気力にて吸着保持する。前記静電チャックシー
トのウエハ吸着面に複数のガス供給孔２８が設けられて
おり、このガス供給孔２８から供給されたＨｅのごとき
不活性ガスを静電チャックシートとウエハとの間に形成
されたガス分散溝部に分散させると共に、前記ガス分散
溝の外周に設けられたガス回収溝部を解してガスを排気
孔から排気する。こうして、ウエハと静電チャックシー
トとの間の熱伝導度を高めることによりウエハの温度分
布差を抑制すると共にガスの漏洩を防止し、ウエハを精
度良く処理しようとしている。

【０００４】また、例えば特開平７−３３５６３０号公
報によれば、ウエハと加熱あるいは冷却機能をもつ静電
チャックのステージとの間の隙間を一様とさせず、その
隙間に、例えばＨｅガスとＡｒガスのごとき熱伝導率の
よいガスと悪いガスからなる混合ガスを導入する。ガス
の混合比を変えることによって、ウエハとステージとの
間の熱通過率の分布を変化させ、ウエハの温度分布を変
化させ、或いはウエハとステージとの間の接触面あるい
は空間を複数の領域に分け、各領域のガスの圧力を個々
に制御することによりウエハの温度分布を変化させる。
かかる構成により、ウエハの均一な加熱冷却が実現さ
れ、半導体装置の製造時にウエハ温度を均一にすること
ができ、より微細で高性能な半導体装置の製造を可能に
するというものである。

【０００５】また、例えば特開平９−２９８２３３号公
報による静電チャックは、金属基板上に熱伝導性シリコ
ーンゴムからなる第１絶縁層と第１絶縁層上に電極とし
て形成された導電性パターンと、同導電性パターン上に
硬さ８５以下で、表面粗さが５μｍ以下である熱伝導性
シリコーンゴムからなる第２絶縁層を設けるようにし
て、放熱性に優れ、ウエハの温度を精度よく均一且つ一
定に保つというものである。

【０００６】更に、特開平１１−１６３１０９号公報で
は、静電チャックは、静電吸着用電極、ヒータ電極、プ
ラズマ発生用電極を構成する内部電極を備えたセラミッ
ク体の上面をウエハの保持面とするウエハ保持基体と、
このウエハ保持基体を構成するセラミック体との熱膨張
差が３×１０^-6／℃以下であり、気孔部に金属を充填し
た多孔質セラミック体からなるベース基体とからなり、
前記ウエハ保持基体の下面にアルミニウムを主成分とす
るロウ材を介して前記ベース基体をロウ付け接合してウ
エハ保持装置を構成している。そのため、冷却又は加熱
機能を有する金属製の温度制御装置との接合において、
接合部の熱伝達特性を損なうことなく、強固に接合する
ことができるというものである。

【０００７】また、特開２０００−１１３８５０号公報
によれば、静電チャックの電気絶縁体をシリコーンゴム
で構成し、このシリコーンゴムからなる電気絶縁体の表
面に、シリコーンゴムよりも離型性のよいダイヤモンド
状カーボン、フッ素樹脂、ポリイミドなどの電気絶縁性
膜を形成し、ウエハと静電チャックとの間の熱伝達性能
を低下させることなく、ウエハの離脱性を向上させてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記特開平
１１−１６３１０９号公報に開示された静電チャックの
ように、ウエハ保持面をセラミックで構成すると、セラ
ミックが粉体の焼結により得られることと、高硬度の固
体同士が接触することになるため、ウエハとウエハ保持
面との接触面にミクロ単位の空隙が生じ、接触熱抵抗が
大きくなり、特に真空中では前記空隙中の空気がなくな
るため、接触熱抵抗はさらに高くなり、熱伝達性能は低
下する。

【０００９】上記特開平６−３４９９３８号公報や特開
平７−３３５６３０号公報に開示された静電チャック
は、前述のようなウエハ保持面をセラミックにより保持
する場合の不具合を回避すべくなされたものであって、
真空時にセラミックとウエハとの間に生じる空隙にＨｅ
ガスのような不活性ガスを供給し、熱伝達特性を向上す
ることも行われているが、そのためにガス供給装置を設
置する必要があり、装置全体の構造が複雑化するばかり
でなく大型化し、特に上記特開平７−３３５６３０号公
報のように２種類のガスを供給すると共に、そのガス供
給領域を制御してウエハの温度分布を均一にするには、
更に機構が複雑化して、到底実用に耐えることができな
い。

【００１０】一方、特開平９−２９８２３３号公報のよ
うに、セラミックに代えてシリコーンゴムを使うと共
に、ウエハ保持面を構成する第２絶縁層には、特に硬さ
８５以下の柔軟性があり、表面粗さが５μｍ以下である
熱伝導性シリコーンゴムを使うことで、ウエハに対する
馴染みやすさを得ると同時に放熱性を確保して、ウエハ
の温度分布を均一にしようとするものであるが、シリコ
ーンゴムは硬度の低下と共にその接着性能が増加するた
め、ウエハの分離がしにくくなり、更には耐腐食性に劣
るため耐久性に乏しい。

【００１１】特開２０００−１１３８５０号公報の静電
チャックによれば、シリコーンゴムの接着性による前記
不具合を避けるため、ウエハ保持面を構成するシリコー
ンゴムの表面に離型性のよいダイヤモンド状カーボン、
フッ素樹脂などの電気絶縁性膜を形成しているが、これ
らの材質からなる絶縁性皮膜の形成は容易でなく、しか
も側面が処理雰囲気中に曝されるため、上述のとおり耐
久性の点も期待できない。

【００１２】本発明は、上述の課題を踏まえてなされた
ものであり、その具体的な目的は各種の処理時にあっ
て、被処理体の保持面と被処理体との間に空隙が生じる
ことなく、被処理体を効果的に密着保持することがで
き、しかも被処理体を保持面から容易に離脱させること
ができ、更には被処理体と保持面との間の熱伝達性能を
低下させない静電チャックを提供しようとすることにあ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段及び作用効果】請求項１に
係る発明は、金属基板上に配される第１絶縁層と、第１
絶縁層上に配される導電性パターン電極と、導電性パタ
ーン電極上に配される第２絶縁層とを備えた静電チャッ
クにあって、少なくとも前記第２絶縁層が、周辺条件の
変化により固相と液相との間を可逆的に相変化する高分
子材料から主に構成されてなり、被吸着体の吸着時に、
少なくとも前記第２絶縁層が半流動化又は流動化して、
被吸着体を均一に密着保持することを特徴とする静電チ
ャックにある。

【００１４】高分子材料、特に請求項２に係る発明のご
とく熱可塑性樹脂材料である場合には、材質固有の温度
（軟化点又は融点）で軟化し或いは溶融して、半流動化
或いは流動化し、前記温度以下では固化する。前記軟化
点或いは融点は材質により異なるものであり、また処理
温度によっては燃焼或いは劣化してしまう場合がある。
また、電気的な処理条件によっても物性が変化する場合
がある。そのため、本発明にあっては静電吸着時におけ
る処理温度や電磁気的な条件などを考慮して、高分子材
料の材質を選定する必要がある。

【００１５】高分子材料としては、請求項２に規定する
ように、熱可塑性樹脂材料が好ましく、その材質には、
各種ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテ
ン結晶性ポリブタジエン、アイソタチックポリスチレン
などの炭化水素系合成樹脂、ポリアセタール、各種ポリ
アミド、各種のポリテレフタレート、ポリビニルアルコ
ールなどの縮合系合成樹脂、或いは非晶性合成樹脂であ
るポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルメタク
リレート、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体、
更にはポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルケ
トンなどの線状構造樹脂や、各種のプラスチックアロイ
を挙げることができる。

【００１６】本発明にあって重要な点は、静電吸着時に
おける被吸着体の保持面を構成する第２絶縁層の樹脂材
料が半流動化又は流動化しており、静電吸着時以外の非
処理時にあっては同絶縁層が固化していなければならな
いことである。例えば、静電吸着時における処理温度が
前記樹脂材料の軟化点又は融点を超えると、第２絶縁層
が半流動化或いは流動化して大きな自由度をもって被吸
着体の保持面に沿って変形し、被吸着体の全保持面を空
隙なく密着保持する。また、処理が終了して周辺温度が
低下し前記樹脂材料の軟化点又は融点よりも低くなると
固層へと変化する。

【００１７】本発明にあっては、前記樹脂材料と被吸着
体との間の接着性にも留意する必要がある。接着性が高
いと処理後に樹脂材料が被吸着体と接着した状態で固化
してしまい、被吸着体を被吸着面から剥がしにくくな
り、場合によっては被吸着体を破損しかねない。従っ
て、第２絶縁層の吸着面を高分子材料にて直接構成する
場合には、例えばポリメチルペンテンのような他の材質
との接着性に乏しい材質を用いる。因みに、このポリメ
チルペンテンの融点は２３０℃〜２４０℃と高分子材料
のなかでは極めて溶融温度が高いため、被吸着体に対す
る高温処理にも十分に耐え得る。

【００１８】一方、高分子材料は一般に導電率が低く絶
縁性であるため静電チャックの絶縁層としては極めて有
効ではあるが、熱伝導率が低く、放熱性に乏しく、被吸
着体の加熱・冷却効率が低い。そこで、本発明にあって
は、請求項２にも規定するごとく、高分子材料にセラミ
ックや金属からなる微細なフィラーを混入して、第２絶
縁層の熱伝導率を高めている。このとき、セラミックフ
ィラーの材質としてはアルミナが好ましく、更に熱伝導
性を高めるには金属フィラーを混入させることが望まし
く、金属フィラーとしてはアルミニウムが熱伝導性に優
れるため好ましく、これらの混入により第２絶縁層の絶
縁性が確保されると同時に熱伝達性を大幅に増加させる
ことができる。

【００１９】請求項３に係る発明は、前記高分子材料の
露出表面をエネルギー線硬化粘着剤の硬化被膜で被覆し
ていることを特徴としている。このエネルギー線硬化粘
着剤は、エネルギー線照射前には被吸着体に対する接着
力に優れているが、エネルギー線を照射して硬化させる
と接着力が著しく低下するため、静電チャックの吸着面
から被吸着体を剥離するときも簡単に剥離させることが
できる。

【００２０】エネルギー線硬化粘着剤の主成分の一つで
あるアクリル系粘着剤としては、例えば特開２０００−
１２９２２７号公報に開示されているように、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメ
タンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレー
ト、１，４−ブチレングリコールジアクリート、１，６
−ヘキサンジオールジアクリレート、ポエチレングリコ
ールジアクリレートなどが挙げられ、エネルギー線硬化
粘着剤の他の主成分であるエネルギー線重合性化合物と
しては、ウレタンアクリート系オリゴマーを用いること
ができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
図面を参照しながら具体的に説明する。図１は、プラズ
マエッチング装置に適用された本発明の静電チャックの
一実施例を示す概略構成図である。

【００２２】本実施例による静電チャック１０は、金属
基板１１上に配される高分子材料からなる第１絶縁層１
２と、第１絶縁層１２上に配される電極１３と、電極１
３上に配される高分子材料からなる第２絶縁層１４と
を、それぞれ接着剤１５，１６を介して接着により積層
一体化することにより構成される。前記金属基板１１の
内部には冷却通路１８が形成されており、同通路１８内
には冷却媒体である、例えばガルデンなどが循環してい
る。また、前記導電パターン電極１３は図示を省略した
電源とリード線を介して接続されている。

【００２３】前記金属基板１１は、プラズマを発生させ
る場合に印加する高周波電源の電極として機能し、プラ
ズマガスに対して耐久性があり、発塵のないアルミニウ
ム或いはアルミニウム合金などを使用することが好まし
い。第１絶縁層１１及び第２絶縁層１４の間に介装され
る上記導電パターン電極１３は、静電チャックのウエハ
吸着のための電極として作用し、その材質としては銅、
アルミニウム、銀等の金属系導電体、窒化チタン等のセ
ラミック系の導電体を挙げることができる。

【００２４】本実施例による第１絶縁層１２及び第２絶
縁層１４、特に第２絶縁層１４の材質としては、プラズ
マエッチング時のウェハ温度が１００〜１６０℃である
ことを考慮して、８０〜１７０℃の範囲内において半流
動化（軟化）或いは完全に流動化するものであることが
必要である。本実施例では、高分子材料として低密度の
ポリエチレン（融点：１０５〜１１５℃）やポリ１−ブ
テン（融点：１２０〜１２８℃）、ポリプロピレン（融
点：１５０〜１７０℃）などが使われる。第１絶縁層１
２に使用される高分子材料としては、その融点がプラズ
マエッチング時の室内温度である１６０℃以上であるこ
とが好ましく、例えば熱伝導性シリコーンゴムなどの熱
硬化性樹脂材料を使うことができ、或いはポリ４−メチ
ルペンテン−１（融点：２３５〜２４０℃）のような絶
縁性、耐熱性能に優れる熱可塑性樹脂材料が使われる。

【００２５】本実施例によれば、前記第１絶縁層１２及
び第２絶縁層１４にアルミナフィラー及びアルミニウム
フィラーが混入されている。高分子材料は一般に熱伝達
特性に劣るため、これらのフィラーを混入することによ
り熱伝導性を大幅に増加させることができ、高温下にあ
る半導体ウエハなどの被吸着体からの放熱性の大幅に改
善される。

【００２６】上記金属基板１１上に配される高分子材料
からなる第１絶縁層１２との間に配される接着剤１５と
しては、シリコーンゴム系やアクリル系接着剤を挙げる
ことができ、第１絶縁層１２と導電パターン電極１３及
び第２絶縁層１４との間に配される接着剤１６にはアク
リル系接着剤を挙げることができる。

【００２７】更に、本実施例にあっては前記第１絶縁層
１２、導電パターン電極１３及び第２絶縁層１４の全表
面をエネルギー線硬化粘着剤の硬化被膜１７をもって被
覆している。このエネルギー線硬化粘着剤としては、既
述したとおり、各種のアクリル系粘着剤とエネルギー線
重合性化合物との混合成分からなるが、その材質の選定
は第１絶縁層１２、第２絶縁層１４及び接着剤１５，１
６の材質との親和性に基づいて決められる。その膜厚は
０．５〜２０μｍ程度であることが、第２絶縁層１４が
半流動化又は流動化したときの被吸着体である半導体ウ
エハとの馴染み性を確保するために好ましい。

【００２８】次に、前述の構成からなる本実施例の静電
チャックを備えたプラズマエッチング装置によるエッチ
ング処理について、その概要を説明する。図示は省略す
るが、一般にプラズマエッチング装置は気密性を有する
処理室内にプラズマを発生させるための上下電極、同処
理室内を減圧するための排気系を備えている。前記処理
室は、その内壁面の表面を酸化アルマイト処理されたア
ルミニウムなどの導電体により構成すると共に、処理ガ
ス及びプラズマによる反応生成物が内壁面上に付着する
のを防ぐための加熱手段を備えている。

【００２９】本実施例にあって、前記上部電極は第１絶
縁層１２と第２絶縁層１４との間に配された導電パター
ン電極１３であり、上記下部電極は静電チャック１０を
支持する上記金属基板１１である。前記導電パターン電
極１３は、電気的に接地されており、前記金属基板１１
はアルミニウムで形成され、図示せぬ高周波電源に接続
されている。また、前記金属基板１１の内部には、図示
せぬ絶縁体を介して被吸着体である半導体ウエハの温度
を制御すべく冷却通路１８が設けられており、この冷却
通路１８には例えばガルデンが導入される。

【００３０】本実施例による上記静電チャック１０によ
れば、第２絶縁層１４の吸着面に半導体ウエハを載置す
る際に、導電パターン電極１３に高電圧を給電し、これ
により半導体ウエハの表面と第２絶縁層１４とには相対
する電荷が帯電され、この電荷により静電吸着力が生
じ、半導体ウエハを静電チャック１０の吸着面に吸着保
持する。次に、図示せぬ処理室内に処理ガスを導入し、
処理室内の圧力を設定圧維持して、図示せぬ高周波電源
より５００〜２ＫＷの処理電力を印加し、導電パターン
電極１３と半導体ウエハ間にプラズマを発生させ、この
プラズマにより半導体ウエハをエッチング処理する。

【００３１】前述のように半導体ウエハを静電チャック
１０の吸着面に吸着させた時点では、静電チャック１０
の吸着面と被吸着体である半導体ウエハとの間には、図
２（ａ）に示すように、多数の微小な隙間が生じてい
る。この状態で、プラズマを発生させて半導体ウエハＷ
を加工するとき、このプラズマ発生時の発生熱量により
高温化して、第２絶縁層１４が固相から軟化或いは流動
化して液相化し、同図（ｂ）に示すように、第２絶縁層
１４の吸着面が半導体ウエハＷの下面の凹凸に馴染んで
密着するようになる。

【００３２】エッチング工程が終了して、高周波電源よ
りの印加電力が遮断されてプラズマの発生がなくなる
と、半導体ウエハＷへの入熱がなくなり、静電チャック
１０の温度が下がる。この温度低下により、第２絶縁層
１４は固化し、図２（ｃ）に示す状態で半導体ウエハＷ
を保持することになる。このとき、本実施例にあっては
第２絶縁層１４の吸着面が上記硬化被膜１７で被覆され
ているため、この硬化被膜１７と第２絶縁層１４との間
で接着がなく、且つ硬化被膜１７と半導体ウエハＷとの
間にも接着力が働かず、同図（ｄ）に示すように、半導
体ウエハＷを吸着面から容易に剥がして搬出できる。

【００３３】図３は、本発明の他の実施例を示す静電チ
ャック１００の模式図である。この実施例では、第１絶
縁層１１２、第２絶縁層１１４及び接着剤１１５，１１
６の外部露出面を、上記実施例のごとき硬化被膜で被覆
していない。この場合、第１絶縁層１１２、第２絶縁層
１１４及び接着剤１１５，１１６の全てが耐腐食性に優
れ、しかも特に第２絶縁層１１４に処理室内の高温下で
も流動化せずに軟化状態を保持する物性をもつ高分子材
料を使う。

【００３４】かかる高分子材料には、例えばフッ素系樹
脂やフッ素系ゴムを使うことができ、耐熱性、耐腐食性
に優れているのに加えて、接着性に乏しいため、処理後
に吸着面から被吸着体を剥がしやすい。フッ素系樹脂と
してはＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＰＥ、ＥＴＦＥ、
ＰＣＴＦＥ、ＥＣＴＦＥ、ＰＶＤＦ、ＰＶＦなど多種類
あるが、その融点も１７０℃〜３２７℃の間と広い範囲
に分散しているため、被吸着体の処理温度に応じて適当
な材質を選定することができ、各種の処理温度下で溶融
せず、半流動化状態（ゲル状態）で被吸着体を吸着保持
できるような材質を選べばよい。

【００３５】このように、本発明の静電チャックによれ
ば、処理室内の温度に応じて、吸着面を構成する第２絶
縁層１４，１１４を半流動化（軟質化）或いは流動化し
て、被吸着体の吸着面に存在する微小な凹凸面に隙間な
く密着して吸着保持するようにしている。なお、上記硬
化被膜１７で被覆し、或いは上記第２実施例のごとく何
ら被覆せずに、第２絶縁層１４，１１４の形態を保持し
得ない場合には、第２絶縁層１４、１１４の周側面を保
持するため、例えばセラミック製枠体を設けるようにす
ることもできる。その結果、真空中における接触熱抵抗
の増加が効果的に抑制でき、従来のごとく、伝熱促進用
のＨｅなどのガス供給設備が不要となる。

【００３６】また、前述のごとく、接触熱抵抗を低減さ
せることができるため、被吸着体自体の温度を低く設定
することができ、或いは被吸着体の冷却能力を従来より
も低くできるようになる。更には、第２絶縁層１４，１
１４が軟化或いは流動化しているため、吸着対象である
例えば半導体ウエハの交換が頻繁に行われても、第２絶
縁層１４，１１４の吸着面はそれぞれの半導体ウエハの
吸着面形状に馴染むため、交換された全てのウエハに対
して接触熱抵抗を最小限に抑えることが可能となる。ま
た、上記第１実施例では、第１絶縁層１２、第２絶縁層
１４及び接着剤１５，１６の全露出表面が硬化被膜１７
により被覆しているため、処理室内の周辺雰囲気に直接
曝されることがなく、そのための腐食や劣化などの不具
合が生じない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例である静電チャックの構造
を模式的に示す断面図である。

【図２】本発明の静電チャックによるプラズマエッチン
グ加工時の半導体ウエハの吸着保持及び開放の形状変化
を示す説明図である。

【図３】本発明の第２実施例である静電チャックの構造
を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１０，１００ 静電チャック １１，１１１ 金属基板 １２，１１２ 第１絶縁層 １３，１１３ 導電パターン電極 １４，１１４ 第２絶縁層 １５，１１５ 接着剤 １６，１１６ 接着剤 １７ 硬化被膜 １８，１１８ 冷却通路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 門谷 ▲皖▼一 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究本部内 Ｆターム(参考） 4K029 AA24 BD01 JA05 4K030 CA12 GA02 KA46 KA47 5F004 AA01 BB22 BB30 CA04 5F031 CA02 HA02 HA03 HA16 HA38 MA32

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属基板(11,111)上に配される第１絶縁
   層(12,112)と、第１絶縁層(12,112)上に配される導電性
   パターン電極(13,113)と、導電性パターン電極(13,113)
   上に配される第２絶縁層(14,114)とを備えた静電チャッ
   ク(10,100)にあって、 少なくとも前記第２絶縁層(14,114)が、周辺条件の変化
   により固相と液相との間を可逆的に相変化する高分子材
   料から主に構成されてなり、 被吸着体(W) の吸着時に、少なくとも前記第２絶縁層(1
   4,114)が半流動化又は流動化して、被吸着体(W) を均一
   に密着保持することを特徴とする静電チャック。
2. 【請求項２】 前記高分子材料が熱可塑性樹脂材料から
   なり、同高分子材料にセラミック及び／又は金属のフィ
   ラーが分散されてなることを特徴とする請求項１記載の
   静電チャック。
3. 【請求項３】 前記高分子材料の露出表面をエネルギー
   線硬化粘着剤の硬化被膜(17)で被覆してなることを特徴
   とする請求項１又は２記載の静電チャック。